| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2016-05-06 13:05
［ポスター講演］負電圧駆動が不要なラテラル電界制御変調素子
○森川有輝・安富啓太・今西翔馬・高澤大志・香川景一郎・寺西信一・川人祥二（静岡大） |
| 抄録 |
（和） |
本稿では，負電圧駆動が不要なラテラル電界制御変調素子を実現するための新たな構造について報告する．提案構造では，埋め込みフォトダイオード側壁のゲートを両極性ゲートにすることで仕事関数差分の負バイアス効果を得ることができ，負電圧駆動を不要にしている．負電圧を使用しないため，従来のラテラル電界制御変調素子で問題であった画素内バッファを導入する際に必要な分離層が不要となる．画素内バッファの導入により，駆動パルスのなまりが緩和され，より高速な応答を得ることが可能である．テスト画素を0.11μmCMOSイメージセンサプロセスで試作した．センサの特性評価を行い，97%の高い変調比を得ることができた． |
| （英） |
This paper presents a new pixel structure for a lateral electric field charge modulator without negative gate bias. The proposed pixel structure employs p-type gates as well as n-type gates unlike the conventional structure in which the only n-type gates is used. Since the bipolar-gates structure helps to attract holes at zero bias by work function difference between the p-type gate and p-substrate. The negative gate bias is not required in the modulation pulses. It makes easy to introduce an in-pixel buffer, which plays an important role for high-speed charge modulation. The test chip fabricated in 0.11 um CIS technology demonstrates the hole attraction effect, and the modulation contrast is measured to be 97%. |
| キーワード |
（和） |
CMOSイメージセンサ / 時間分解イメージセンサ / ラテラル電界制御変調素子 / 負電圧駆動不要 / / / / |
| （英） |
CMOS image sensor / Time-resolved image sensor / Lateral-Electric-Field charge Modulator / negative gate biasless / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 40, no. 15, IST2016-23, pp. 9-12, 2016年5月. |
| 資料番号 |
IST2016-23 |
| 発行日 |
2016-04-29 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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