| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2018-03-08 16:15
［依頼講演］非晶質酸化物半導体の空乏状態を利用した新規薄膜デバイスのシミュレーション検討
○安部勝美・藤永正人・桑垣武司（シルバコ） |
| 抄録 |
（和） |
非晶質酸化物半導体(AOS)を用いた新規薄膜デバイスをデバイスシミュレーションにより検討した．シミュレーション結果より，AOS 薄膜トランジスタ(TFT)のオフ動作におけるAOSの空乏状態では，イオン化したドナー型捕獲準位又は正孔を十分誘起できないことが示唆された．また，AOS空乏状態の特性により，第一のメタルゲートと第二のAOSゲートを有する積層ゲートTFTがNAND的な動作を示した．これにより，AOSの空乏状態を利用した新規薄膜デバイスの新しい機能を確認することができた． |
| （英） |
Novel thin-film devices using amorphous oxide semiconductor (AOS) were studied via device simulation. The simulation of AOS thin-film transistor (TFT) suggested that the depleted AOS is similar to insulator because it does not have enough holes and/or ionized donor-like traps to compensate the negative gate voltage. Because of the feature, the simulation of the device with a conventional first-gate and an AOS second-gate showed NAND-like function. |
| キーワード |
（和） |
酸化物半導体 / a-IGZO / 薄膜デバイス / デバイスシミュレーション / 空乏状態 / / / |
| （英） |
Oxide semiconductor / a-IGZO / Thin-film devices / Device simulation / Depletion state / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 42, no. 8, IDY2018-22, pp. 37-41, 2018年3月. |
| 資料番号 |
IDY2018-22 |
| 発行日 |
2018-03-01 (IDY) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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