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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2011年 3月号 | 炭化ケイ素(SiC)製ナノものさしがNITEの標準物質DBに登録 | 関西学院大 | 日刊工業新聞 (2010年12月21日PP.20) | 耐酸化性に優れ経年劣化しにくい 段差が0.5nmの標準物質が登録 SiC製 | 160 |
| 2008年 9月号 | グラフェン薄膜をSi基板に作製 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2008年6月25日PP.22) 日経産業新聞 (2008年6月25日PP.11) | 厚さ80nmの炭化ケイ素の薄膜作製 熱処理 電子移動度数万cm2/Vs | 120 160 |
| 2008年 3月号 | 世界初のトレンチ型SiC MOSFETと大電流容量を実現したSiC SBD | ローム | 電波新聞 (2007年12月21日PP.1) | 1cm角で300A 900V耐圧 オン抵抗2mΩcm2 JFET抵抗 SBD逆方向耐圧660V | 160 220 |
| 2007年 4月号 | Siチップ上での光データ通信の速度遅延方法 | 米IBM | 電波新聞 (2007年1月3日PP.2) | 最大100個の小型リングを縦接続した共振器を構築する光遅延線 既存のSiCMOS製造ツール利用可 | 240 340 |
| 2005年 3月号 | SiCを用いた低抵抗パワーMOSFET | 三菱電機 | 電波新聞 (2004年12月17日PP.2) | 耐圧1.2kV 電流1Aでオン抵抗率12.9mΩcm2 チャンネルエピタキシャル成長層形成技術 単位セル25×25μm チャネル長2μm | 160 220 |
| 2001年 5月号 | 内部抵抗1/10のトランジスタ | 電総研 | 日経産業新聞 (2001年3月19日PP.11) | SiCトランジスタ MOSFET 1kV-1mΩ | 220 |
| 2001年 5月号 | 最高移動度と最小抵抗実現のSiC素子 | 電総研 新機能素子研究開発協会 (FED) | 日刊工業新聞 (2001年3月16日PP.7) | チャネル移動度140cm2/Vs 4H-SiC-MOSFET エンハンスメント形 ソースドレインのシート抵抗38Ω | 220 |
| 2001年 1月号 | SiCパワー素子 | 松下電器 | 電波新聞 (2000年11月22日PP.1) | SiCパワー素子 DACFET ナノ制御δドープ層状構造 113cm2/Vs | 220 |
| 2001年 1月号 | SiCパワー素子 | 松下電器 | 電波新聞 (2000年11月22日PP.1) | SiCパワー素子 DACFET ナノ制御δドープ層状構造 113cm2/Vs | 220 |
| 1999年12月号 | 炭化シリコンFETを試作 | 京大 | 日刊工業新聞 (1999年10月11日PP.5) | チャネル移動度95.9c /V/s c面->a面で移動度15〜17倍 4H-SiCと6H-SiCで確認 | 220 |
| 1996年 7月号 | X線露光用マスク -表面平らで高純度- | NTT | 日経産業新聞 (1996年5月23日PP.5) | 炭化ケイ素 | 160 |
| 1996年 6月号 | 青色半導体レーザの新製造 -基板に炭化ケイ素利用- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年4月18日PP.5) | 青色レーザ 炭化ケイ素 SiC基板 高性能レーザ反射面 AlNでバッファ層形成 GaNレーザ 半導体レーザ 製造技術 | 250 260 |
| 1996年 4月号 | 光通信の信号処理用IC -SiCMOSで作製- | NEC | 日経産業新聞 (1996年2月16日PP.5) | 光通信 Si LSI CMOS MUX/DEMUX 3Gbps | 220 240 |