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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2018年 3月号 | SiCパワー半導体 電気抵抗1/3に | 三菱電機 東大 | 日刊工業新聞 (2017年12月6日PP.25) | 界面近傍を避けるように電子を流す | 220 |
| 2018年 3月号 | 精度99.93%達成 量子ビット演算シリコン利用 | 理研 | 日刊工業新聞 (2017年12月19日PP.28) | シリコン基板を用いた量子ドット素子 小型磁石 シリコン利用 100倍の演算速度と10倍の情報保持時間 | 420 120 320 |
| 2017年10月号 | シリコン・化合物半導体融合 により高性能光変調器作製 光通信大容量化に道 | NTT | 日刊工業新聞 (2017年7月19日PP.30) 日経産業新聞 (2017年7月21日PP.8) | インジウムリン系化合物半導体 従来比役10倍の変調効率 変調領域波 0.25nm 32Gbpsの変調性能 シリコンフォトニクス 光変調器 シリコン基板 小型化 | 240 |
| 2017年 5月号 | シリコンフォトニクス使用 省エネ光配線実 | 光電子融合基盤技術研究所 | 日刊工業新聞 (2017年2月23日PP.25) | シリコンフォトニクス 高速高密度光トランシーバ 25Gbpsで動作する高密度な光トランシーバ 量子ドットレーザ | 160 240 |
| 2017年 4月号 | パワー半導体 印刷で配線 配線に銀粒子印刷 | 阪大 産総研 | 日経産業新聞 (2017年1月19日PP.8) 日刊工業新聞 (2017年1月23日PP.19) | 耐熱250℃ シリコン製パワーモジュールと比較して1/5〜1/10のサイズ パワー半導体 配線技術 | 160 220 |
| 2017年 3月号 | 二酸化窒素検出感度10倍のグラフェンセンサ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2016年12月5日PP.21) | 1ppb以下の濃度の二酸化窒素検出可 シリコントランジスタのゲート電極としてグラフェンを採用 | 210 |
| 2017年 3月号 | 窒化アルミニウムをシリコン上に製膜 | 理研 | 日刊工業新聞 (2016年12月26日PP.17) | 安価で高効率な紫外線LED実現に繋がる | 160 |
| 2016年12月号 | 高精度量子ビットをシリコン半導体に実装 | 理研 | 日刊工業新聞 (2016年9月6日PP.23) | 単一量子ビット操作を従来比約100倍に高速化 ビット忠実度99.6% 半導体量子ドット中に閉じ込めた電子スピンを利用 | 120 |
| 2016年11月号 | シリコンナノ構造を活用した熱電変換素子 | 東北大など | 日刊工業新聞 (2016年8月22日PP.21) | 直径10nm以下 高さ30nm〜100nmのシリコンナノワイヤを1平方cmあたり10の11乗個 既存の素子に比べ 安価で汎用性が高く 大幅な小型化も可能 | 210 250 |
| 2016年11月号 | 電子の移動 1個ずつ制御 シリコン単電子転送素子 電流再定義へ一歩 | NTT | 日経産業新聞 (2016年7月6日PP.8) 日刊工業新聞 (2016年7月6日PP.23) | シリコン半導体素子 1GHz動作で10-6以下の転送エラー率 直径10nmのシリコン線上に2個のシリコントランジスタを配置した200nmの素子 | 220 660 |
| 2015年12月号 | シリコン太陽電池効率増 | 阪大 | 日経産業新聞 (2015年9月9日PP.8) | 表面処理 光の反射制御 3から4倍の効率向上 | 250 |
| 2015年11月号 | 折り曲げ変形自在 柔らかいトランジスタ開発 トランジスタ 柔剛兼備 http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2015/pr20150812/pr20150812.html | 鳥居・浜田・澤谷 | 産総研 (0年2015月8日PP.12) 13 (6年0月2015日PP.8) 26 (5年0月0日) | 19 | 衣類のように柔らかく 曲げたり伸ばしたりしても壊れないトランジスタを開発。単層カーボンナノチューブ イオンゲル シリコンゴム 医療用の人体圧力分布センサー開発 オンオフ比1万 220 210 |
| 2015年10月号 | 1500度Cでも耐酸化 SiCセラ複合材料 | 京大 | 日刊工業新聞 (2015年7月30日PP.31) | SiCセラミックス 曲げ強度 耐酸化1500度 | 260 |
| 2015年 9月号 | SiCウエハー ローム 6インチに大口径化 | ローム | 電波新聞 (2015年6月30日PP.1) | シリコンカーバイドウエハー，大口径化 | 260 |
| 2015年 8月号 | パワー半導体向けSiC単結晶膜 高速で製造 | 電中研など | 日刊工業新聞 (2015年5月13日PP.19) | 直径150ミリ 膜厚10マイクロメートルのSiC単結晶膜を 一日当たり100枚。膜厚の均一性2%以下 不純物密度の不均一性4%以下 | 260 |
| 2015年 6月号 | 量子テレポーテーション用光素子をワンチップ化 | 東大 NTT | 日刊工業新聞 (2015年3月31日PP.25) 8 (0年0月0日) | 量子テレポーテーション装置の心臓部を光チップに作り込み。従来比10 | 000分の1に小型化。量子もつれ生成・検出部を26×4mmのSi基板上に石英系の光導波回路を形成。 120 220 240 |
| 2015年 5月号 | 量子ドット立体型ディスプレイ 各面に異なる画像表示 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150218eaaq.html | 千葉大 | 日刊工業新聞 (2015年2月18日PP.19) | 直径5〜10nmの微細構造セレン化カドミウム製の量子ドットをシリコン樹脂に混ぜた立方体を3次元配置 紫外光を当てると発行する量子ドットを使った立体ディスプレイ 面ごとに異なる画像を同時に表示 | 250 450 |
| 2015年 4月号 | SiC基板 低温プラズマで微細加工 | 理化学研究所 慶大 日進工具 | 日刊工業新聞 (2015年1月14日PP.27) | 表面粗さ1ナノメートル以下 送り速度2倍 | 160 |
| 2015年 4月号 | 温度センサーとデジタル回路融合 単結晶有機半導体で http://www.nedo.go.jp/news/press/AA5_100348.html | 東京大学などの産学官共同チーム | 日刊工業新聞 (2015年1月27日PP.26) | 多結晶シリコン半導体と同等で 既存の多結晶有機半導体に比べて10倍以上の性能を持つ | 160 220 |
| 2015年 3月号 | チタンなどの金属酸化物製 基盤 電子の動き解明 | 東北大 | 日経産業新聞 (2014年12月12日PP.10) | シリコンに代わる半導体基盤，チタンとストロンチウムの金属酸化物基盤 | 220 |
| 2015年 1月号 | 単電子転送の高速化 | NTT | 日刊工業新聞 (2014年10月7日PP.25) | 3.5GHで単電子転送，ナノメートル寸法で2層ゲート構造を持つシリコントランジスタをウエハーレベルで作成 | 120 220 |
| 2015年 1月号 | 世界最低損失のアモルファスシリコン光配線の開発 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2014年10月24日PP.19) | 1cmあたりの光損失を従来の1/10の1%以下に抑えた高透過率のアモルファスシリコン薄膜を開発，配線加工後の損失13% | 120 160 |
| 2014年 9月号 | 水晶発振器並みの周波数精度を持つCMOS発振器 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2014年6月12日PP.19) | 温度領域ごとに特性を補正するディジタル回路を用いて温度補償100ppm以下の周波数精度を実現 Si半導体発信機 | 220 |
| 2014年 7月号 | 量子ドットレーザ搭載Si光配線基板 | 東大 | 日刊工業新聞 (2014年4月16日PP.21) | Si基板上に光配線機能を一体集積 25〜125℃動作可能 伝送帯域速度15Tbit/cm2 | 150 160 240 |
| 2014年 7月号 | 省電力な光変調器 ・8と同じ一つに | 東大 住友化学 | 日経産業新聞 (2014年4月22日PP.8) | Si薄膜中にGeを14%混流 歪み効果 | 340 660 |
| 2014年 6月号 | 単結晶Siトランジスタをプラスチック上で動作実証 | 広島大 | 日刊工業新聞 (2014年3月14日PP.21) | 微小な空間内の液体によって生じる引力を利用，ウェハ上の単結晶Si層を部分的に転写，電界効果移動度は毎秒1V当たり609? | 220 160 |
| 2014年 5月号 | パワー半導体向け接合技術 | 日亜化学 阪大 | 日経産業新聞 (2014年2月19日PP.7) | Ag薄膜 SiCとCu基板を接合 250℃で加熱接合 | 120 160 |
| 2014年 5月号 | 化合物半導体ナノワイヤとSi光結晶混載で集積する技術 | NTT | 日刊工業新聞 (2014年2月21日PP.17) | 直径90nmのインジウム・ヒ素・リンによる化合物半導体 人工的なSi光結晶中の幅約150nmの溝に載せる Siチップ上に化合物半導体素子を混載 | 120 |
| 2014年 4月号 | 印刷で高速かつ大面積なTFTシート | JAPERA NEDO | 日刊工業新聞 (2014年1月29日PP.1) | 真空装置不要 省設備化 露光装置不要 厚さ50μmのPENフィルム 縦300mm横400mmのTFTアレイシートを8時間で作成 アモルファスシリコンと同程度の性能 | 220 260 |
| 2014年 3月号 | 3次元LSI向け多結晶Geトランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年12月18日PP.21) | GeのCMOS化 n型MOSFET 500℃以下で形成 p型n型の両極性 多結晶Geトランジスタ Siの3倍の電流駆動能力 | 220 |
| 2014年 2月号 | 効率80%超のナノワイヤ単一光子検出器 | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2013年11月8日PP.25) | 酸化膜をもつSi基板 10nm厚の超電導窒化ニオブのナノワイヤ ジッタ68ps | 210 |
| 2014年 2月号 | 光子の進み方を揃える量子コンピュータ向け技術 | NTT | 日経産業新聞 (2013年11月13日PP.6) 日刊工業新聞 (2013年11月13日PP.23) | 量子ビットのタイミングを合わせる Si製光導波路 φ210nmの穴を400個 22〜55℃で調製 | 120 |
| 2014年 2月号 | スマホ側面など向け曲げて使える圧力センサ | 日本メクトロン | 日経産業新聞 (2013年11月20日PP.4) | 曲げた状態で使える圧力センサを開発 厚さは0.1〜0.15ミリと従来のSiに比べて1/10 | |
| 2014年 1月号 | 高速な電気-光変換器 | 情通機構 | 日経産業新聞 (2013年10月23日PP.7) | 電気光学変調器 数THz Siと有機材料を交互に配置 100μm長 0.2μm幅 | 220 |
| 2013年12月号 | 50Gbps信号伝送 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2013年9月3日PP.19) | LSIで使うSi材料と同じ半導体プロセスを利用，3次元光多層配線を作成，配線内に回折格子と高反射鏡を使う | 440 |
| 2013年12月号 | GaやZuを使用しないディスプレイ向け半導体 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2013年9月24日PP.15) | 酸化膜半導体 In2O3薄膜にTiO2 WO3 SiO2を添加 オンオフ比9桁 | 250 |
| 2013年12月号 | 16kV耐圧のSiC素子 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年9月25日PP.23) | IGBT エピタキシャル成長 フリップ | 220 |
| 2013年11月号 | Si製リチウムイオン電池用材料 | 信越化学 | 日本経済新聞 (2013年8月1日PP.1) | 蓄電量大 負極材 | 150 |
| 2013年10月号 | Si材料で超小型レーザ | 大阪府立大 京大 JST | 日経産業新聞 (2013年7月12日PP.10) | フォトニック結晶 消費エネルギー1/10000 ラマン効果 | 250 |
| 2013年 9月号 | 0.37V動作のトランジスタを採用したロジックIC | 超低電圧デバイス技術研究組合 NEDO | 日刊工業新聞 (2013年6月11日PP.21) 日経産業新聞 (2013年6月11日PP.9) | SOTBトランジスタを用いたSRAM シリコン基板上に厚さ10nmの絶縁膜・その上に電極 SOTB 最小電圧0.37Vの演算用LSI | 220 230 |
| 2013年 9月号 | 小型・省エネ型ラマンシリコンレーザ | 大阪府大 京大 | 日刊工業新聞 (2013年6月27日PP.28) | フォトニック結晶 光共鳴装置 全光通信波長帯を利用可能 | 250 |
| 2013年 7月号 | 積層型Si太陽電池の吸収率向上 | 東工大 | 日経産業新聞 (2013年4月22日PP.11) | AuやAgの微粒子を塗布 粒子径10〜45nm 効率2〜3ポイント向上 | 250 |
| 2013年 6月号 | マイクロ波でスピン制御 | 阪大 東北大 | 日経産業新聞 (2013年3月6日PP.7) | Si製基板にNi・Fe合金・Pdの電極を設けた装置 Ni・Fe合金の電極に磁場をかけスピンの向きをそろえる マイクロ波照射で電子がPd側に移動 | 220 |
| 2013年 6月号 | 4波長Si集積レーザ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2013年3月21日PP.13) | シリコンフォトニクス 反射ミラーによる波長選択 光増幅素子をSi上に0.5μmで貼り合わせた 波長間隔12±0.5nmの4波長を+5dBmで生成 | 240 |
| 2013年 5月号 | P型Si中で室温スピン輸送 | 阪大 東北大 | 日刊工業新聞 (2013年2月14日PP.23) | スピンポンピング 純スピン流 | 120 |
| 2013年 4月号 | 半導体材料を使った波長2μmで使える赤外受光素子 | 茨城大 東北大 | 日刊工業新聞 (2013年1月18日PP.33) | Mg2Siの基板上にp型層を熱拡散法で作成 | 210 |
| 2013年 3月号 | リーク低減したSiCパワー半導体 | 阪大 京大 ローム 東京エレクトロン | 日経産業新聞 (2012年12月12日PP.6) 日刊工業新聞 (2012年12月12日PP.24) | ゲート絶縁膜にアルミ酸化物 N添加によりリーク90%減 耐圧1.5倍 高誘電率ゲート絶縁膜採用のSiC製MOSFET | 120 220 250 |
| 2013年 1月号 | 23.5kV耐圧のパワー半導体 | 京大 | 日経産業新聞 (2012年10月24日PP.7) | SiC 表面をポリイミドで覆う バイポーラトランジスタ | 220 |
| 2012年12月号 | リチウムイオン電池
-充電容量改善- | 早大 | 日経産業新聞 (2012年9月26日PP.7) | 負極にSi化合物 メッキにより3μmの層形成 2000回充放電後に630mAH/g容量 | 250 |
| 2012年11月号 | 凹凸のないグラフェン成膜法 | 東北大 高輝度光科学研究センター 弘前大 | 日経産業新聞 (2012年8月7日PP.9) | 原子レベルで凹凸のない成膜 SiC基板を表面処理し1600℃に加熱 | 160 |
| 2012年11月号 | 近接場光を用いたSi製受光素子 | 東大 | 日経産業新聞 (2012年8月22日PP.7) | Si基板に微小な穴 1.3μm波長のレーザを照射すると1.3μm波長の光で電圧変換 長い波長を短い波長に変換することで処理できる波長幅を広げる | 110 210 120 |
| 2012年 9月号 | 20kV対応のSiC素子 | 京大 | 日経産業新聞 (2012年6月5日PP.9) | 180μmの結晶厚さ Alイオン注入量を制御 | 220 |
| 2012年 8月号 | 排熱から電気を生成する変換効率40倍の素子 | 東北大 東北セラミック | 日経産業新聞 (2012年5月21日PP.11) | Mn | Siと Feを含むMn Siでそれぞれ厚さ150μmの薄膜を作り 厚さ15μmの絶縁層を挟みながら交互に重ねる 1cm2厚さ2.5mmの素子を切り出す ゼーベック効果 熱電素子 120 250 |
| 2012年 8月号 | 太陽電池用Si薄膜の新製造法 | 東京農工大 | 日経産業新聞 (2012年5月29日PP.9) | Siイオンを堆積 厚さ10nmのアモルファスSi 塩化シリコン(SiCl4) 液体中で成膜 | 160 |
| 2012年 8月号 | 次世代電子材料「シリセン」の大面積製造技術 | 北陸先端大 | 日刊工業新聞 (2012年5月31日PP.29) 日経産業新聞 (2012年5月31日PP.12) | 蜂の巣構造 厚さ原子1個分のSi結晶 2ホウ化ジルコニウム バンドギャップ導入可能 900℃に加熱 縦横1×2cmの基板 | 120 160 |
| 2012年 7月号 | 高効率1.3μm量子ドットレーザ | 東大 | 日刊工業新聞 (2012年4月2日PP.18) | ウェハ融着法 しきい値を改善 Si基板 | 120 250 |
| 2012年 6月号 | 0〜75℃で使えるSi製光スイッチ | NEC | 日刊工業新聞 (2012年3月6日PP.19) | 入力8ポート/出力8ポート間の光経路を切り替え 大きさ16mm×12mm ゲート素子2つで40dB以上の高いスイッチング時のオン・オフ比 | 240 340 440 |
| 2012年 6月号 | 液晶ディスプレイの高速表示を実現する有機TFT | 阪大 | 日刊工業新聞 (2012年3月9日PP.28) | a-Siの10倍で動画表示 塗布結晶化法 | 250 350 |
| 2012年 5月号 | 次世代電池向け接着剤 | I.S.T 産総研 | 日経産業新聞 (2012年2月2日PP.1) | Si系合金の負極材を使う大容量電池向け ポリイミドを使用 鎖状のポリマ同士をつなぎ合わせた構造 | 150 160 |
| 2012年 4月号 | シリコン中のスピン流を発生させることに成功 | 東北大 | 日経産業新聞 (2012年1月19日PP.11) | スピントロニクス | 120 |
| 2012年 4月号 | 高周波で動作するパワーJFET | 京大 住友電工 | 日経産業新聞 (2012年1月24日PP.10) | SiCを採用 実験では最大1.5A・約30Vで動作 周波数13.56MHz | 220 |
| 2012年 3月号 | 絶縁体基板にグラフェンが吸着する機構を解明 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年12月7日PP.25) | 特定の電子構造を持つSiO2上にグラフェンが強く吸着 | 160 120 |
| 2012年 3月号 | 高精度の圧縮材料を高速・高精度で制御 | 高輝度光センター | 日経産業新聞 (2011年12月20日PP.10) | MEMSの動作精度誤差1/10 3nmの凹凸 Si基板上にチタン酸ジルコン酸鉛 200ns | 250 150 |
| 2012年 2月号 | ナノ構造体を利用した高効率シリコン太陽電池 | 東北大 | 日経産業新聞 (2011年11月1日PP.10) | 基礎実験で変換効率が2%向上 量子ドットとフォトニック結晶を利用 ウェットエッチング | 250 |
| 2012年 2月号 | 原子1層で超電導状態 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年11月4日PP.8) | Si基板上にIn原子1層の平坦な薄膜を作製 2.8Kで電気抵抗がゼロ | 120 |
| 2012年 2月号 | グラフェンを金属性と半導体性に作り分け | 東北大 | 日刊工業新聞 (2011年11月16日PP.27) 日経産業新聞 (2011年11月16日PP.7) | Si基板上に単結晶SiC薄膜を成長させ真空状態で加熱 面が斜めだと半導体性 水平・垂直面だと金属性 モノメチルシランの圧力を調整 | 120 160 |
| 2012年 1月号 | 平らな基板で光閉じこめ効果 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年10月17日PP.19) | 基板は島状のZnOを研磨 基板上に微結晶Si層を形成し太陽電池を作成 光に対しては凹凸になる基板を開発 薄膜Si太陽電池の性能向上につながる可能性 | 160 250 |
| 2011年12月号 | 光インターコネクト用の超小型光源 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2011年9月16日PP.1) 日経産業新聞 (2011年9月20日PP.9) | シリコンフォトニクス光源 温度調節不要 長さ1mm 幅0.1mm(光源と光変調器合わせて) 光送受信器に載せる光源と光変調器の動作波長を自動的に一致させる機構 | 220 240 |
| 2011年12月号 | シリコン光配線集積回路 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年9月19日PP.10) | チップ間の情報伝送容量3.5Tb/cm2 各光部品を5mmx4.5mmの小型シリコン基板上に集積 | 220 240 |
| 2011年12月号 | Ge製基板作製技術 | 産総研 住友化学 | 日刊工業新聞 (2011年9月28日PP.20) | Geの単結晶層(10mm×10mm)をSi・ガラス・プラスチックなどの基板に転写できる | 120 160 |
| 2011年10月号 | 熱で情報を入力する新現象 | 産総研 オランダ基礎科学財団 | 日刊工業新聞 (2011年7月5日PP.22) | ゼーベック・スピントンネル現象 熱を利用して磁性体の電子スピンが持つデジタル情報をSi中に入力 | 230 120 |
| 2011年 9月号 | 変換効率30%超のSi太陽電池 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2011年6月21日PP.1) | 量子ドット型 Si基板上に円盤状の量子ドットを形成する 直径10nm以下のSi量子ドットとSiCを中間層に組み合わせてをミニバンドを形成 タンパク質に鉄の微粒子を含ませ規則正しい構造を作る | 250 160 |
| 2011年 6月号 | Si素子で小型光スイッチ | NEC | 日刊工業新聞 (2011年3月7日PP.20) | Siフォトニクス 800μm×60μmの光路切替素子 光合分波素子 素子の内部を局所的に加熱することで材料の屈折率を変更 130nmCMOSプロセス | 240 160 |
| 2011年 5月号 | Si太陽電池を印刷技術で作製 | 北陸先端大 JSR | 日刊工業新聞 (2011年2月8日PP.24) 日経産業新聞 (2011年2月8日PP.10) | 真空装置が不要 Siインク Siを含む高分子材料の液体を塗布 シクロペンタシランに紫外線を当てる | 160 250 |
| 2011年 5月号 | 室温で安定動作する単一電子素子 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年2月16日PP.9) | Si基板のうえにSiO2とAl2O3の薄膜を重ねた 薄膜間にフタロシアニンやフラーレンなどの分子 7℃で動作 | 120 230 |
| 2011年 4月号 | Si半導体中の量子もつれを生成・検出 | 慶応大 英オックスフォード大 | 日刊工業新聞 (2011年1月20日PP.24) 日経産業新聞 (2011年1月24日PP.11) | エンタングルメント リン原子核のスピンとそこに捉えられている電子のスピンをそれぞれ量子ビットとする Si原子1個で演算処理 温度20K | 120 |
| 2011年 4月号 | 半導体材料を紫外線で研磨する技術 | 熊本大 | 日経産業新聞 (2011年1月26日PP.9) | 紫外線を照射して表面を酸化 酸化した部分を研磨 SiCやGaNなどの硬い素材に適用可能 | 260 |
| 2011年 3月号 | TFT液晶の消費電力を低減 | 阪大 | 日経産業新聞 (2010年12月9日PP.11) | ゲート厚10nm 高濃度硝酸による表面処理 電圧1/12 多結晶Siを120℃で68%以上の高濃度の硝酸に入れて酸化膜を作成 発電効率15%以上向上 1/144に | 250 |
| 2011年 3月号 | 様々な波長でSiを発光させる技術 | NTT | 日経産業新聞 (2010年12月16日PP.11) | Si層を厚さ8.5nmで重ねる 光の強度を保ったまま波長を1.1μm〜1.15μmの範囲で変更可能 Siにリンを混合 | 140 340 |
| 2011年 3月号 | 炭化ケイ素(SiC)製ナノものさしがNITEの標準物質DBに登録 | 関西学院大 | 日刊工業新聞 (2010年12月21日PP.20) | 耐酸化性に優れ経年劣化しにくい 段差が0.5nmの標準物質が登録 SiC製 | 160 |
| 2011年 3月号 | 電流漏れの少ないトランジスタ絶縁膜 | 産総研 | 日経産業新聞 (2010年12月22日PP.7) | ハフニウム化合物の絶縁膜 電流漏れがSi酸化膜比1/100万 | 120 160 |
| 2011年 2月号 | SiGe製光スイッチ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2010年11月9日PP.25) | Si上に約500nm×約200nmのSiGe製の細線構造 光スイッチ素子の大きさ0.4mm×50μm 動作電力1.5mW 動作可能な波長範囲1520nm〜1565nm | 120 240 |
| 2011年 1月号 | 電子移動度がSiの10倍の新素材 | 東工大 | 日経産業新聞 (2010年10月11日PP.5) | グラフェンより加工が容易 セレン原子が並んだ3層の間にビスマス原子が入った5層構造 ファンデルワールス力 | 120 |
| 2011年 1月号 | 波長可変のSi発光技術 | 米カルフォルニア工科大 | 日経産業新聞 (2010年10月18日PP.11) | Si上に直径数nmの針の集合体形成 2.49〜8.58nmの針で670〜780nmの発光 | 250 160 |
| 2011年 1月号 | CNT利用の安価な高性能トランジスタ | 名大 | 日経産業新聞 (2010年10月21日PP.11) | Si薄膜の代わりに直径1.5nm 長さ1μmのCNTを敷き詰める 縦横1cmのTFTを試作 厚さ0.5mmの基板上に2〜3nmのCNT薄膜を塗布オンオフ比が最大1000万 | 120 220 |
| 2011年 1月号 | 酸化亜鉛使用の高速電子素子 | 東大 東北大 東工大 ローム | 日経産業新聞 (2010年10月29日PP.9) | 厚さ0.8μmのZnO単結晶TFT 分数量子ホール効果 電子移動度がSiの約10倍の可能性 | 220 120 |
| 2010年11月号 | 電気変換できる赤外線の波長帯を広くしたSi太陽電池 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年8月17日PP.10) | Si表面に大きさ100nm深さ550nmの穴 縦横100nmの間隔で穴をあける 近接場光 波長0.35〜1.5μmの範囲で電気が得られた | 120 250 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットを使用した低消費電力レーザ発振素子 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年5月31日PP.12) | Si基板上で微少なレーザ光を発振 InAsでできた直径20nmの「量子ドット」 長さ1mm・幅60μm・厚さ0.3mmの棒状素子 | 120 250 |
| 2010年 6月号 | A-Si製のTFTと同程度の移動度とON/OFF比を実現したCNTトランジスタ | 名大 | 日本経済新聞 (2010年3月1日PP.13) | 太さ1.2nm 長さ200nm 鮭の精子から抽出したDNA 電気の流れやすさ1000倍 | 120 220 |
| 2010年 6月号 | フラーレン薄膜に190Tbpiの高密度記録 | 物材機構 阪大 | 日経産業新聞 (2010年3月8日PP.12) | ハードディスクの1000倍 Si基板上にフラーレン分子3個分の薄膜 金属針を1nm未満に接近させ電圧を印加 結合・非結合の状態で「1」「0」を表現 記録速度1kbs | 120 230 |
| 2010年 6月号 | LEDの光取り出し効率1.5倍 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2010年3月19日PP.28) 日経産業新聞 (2010年3月23日PP.11) | 半導体表面にリッジ(うねり) 厚さ約150nmの酸化シリコン膜 プラズマ化学気相成長(CVD)法 | 160 250 |
| 2010年 5月号 | Si基板でLED | 北大 | 日経産業新聞 (2010年2月10日PP.11) | Si基板上に太さ100nmのGaAsの細いワイヤを垂直に立てる ワイヤの長さを1〜2μmに変えて間隔を調整すると違う波長の光を出力可能 | 120 250 |
| 2010年 5月号 | 20nmのナノインプリント向け感光性樹脂開発 | 富士フイルム | 日経産業新聞 (2010年2月17日PP.5) | モールド Siウェハ モノマー エッチング レジスト | 160 |
| 2010年 3月号 | 高温での寿命が10倍のLED用基板材料 | 利昌工業 | 日経産業新聞 (2009年12月2日PP.1) | 寿命が従来の10倍の3万〜5万時間 Si樹脂 200℃で70時間加熱した試験で光の反射率を98%〜99%に確保 | 120 250 |
| 2010年 3月号 | 独自有機化合物による微細加工技術 | 富士フイルム | 日経産業新聞 (2009年12月16日PP.11) | 波長405nmの青色レーザ Siや酸化シリコンやサファイアの円板 直径40nmの穴や幅200nmの溝を規則的に生成 ビオロゲン塩 レジスト | 160 |
| 2010年 2月号 | 塗布法で高速な有機薄膜トランジスタ | 大阪大 広島大 | 日刊工業新聞 (2009年11月6日PP.30) | 移動度 5cm2/Vs 非晶質Si 5倍以上の移動度 | 220 |
| 2010年 2月号 | LSI内1チップ光配線 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2009年11月10日PP.25) | 消費電力1/10 長さ600μmのレーザ光源部品 幅450nmのSi光導波路 受光素子の大きさ1/5 光源と導波路間の光結合効率60%以上 オンチップフォトニクス | 220 |
| 2010年 1月号 | ダイヤを用いた不純物のない単層CNT作製法 | NTT 東京理科大 | 日経産業新聞 (2009年10月6日PP.11) | 直径4〜5nmのナノダイヤ使用 SiO2などの基板上に敷き詰め 850℃のアルゴンガス エタノール吹き込み 直径1〜2nm 30分間で約100μmまで成長 | 120 160 |
| 2010年 1月号 | 円盤状量子ドット形成技術を開発 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年10月7日PP.1) | Si基板上に直径12nmの鉄を核とするタンパク質を並べる 厚さを2nm〜6nmと変えるとバンドギャップが1.6〜2.2電子ボルトの範囲で変わる 高効率太陽電池に応用可能 | 120 250 160 |
| 2009年11月号 | 強誘電体PZTをナノチューブ状に形成 | 兵庫県立大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2009年8月24日PP.20) | 有機金属気相成長(MOCVD)装置 Si基板上に酸化亜鉛を直径約100nmの円柱状に形成 | 120 160 |
| 2009年11月号 | LED輝度3割向上させる技術 | SCIVAX | 日経産業新聞 (2009年8月24日PP.12) | Si製の特殊な金型でナノサイズの穴を開ける 穴の直径約200nm・深さ160nm | 160 250 |
| 2009年11月号 | ナノサイズの電子回路配線技術 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2009年8月28日PP.1) | シリコンナノチェインがCNTに変化 タングステンの針で数十Vの電圧印加 直径10〜20nm ワイヤ状のナノ材料に電圧でCNTを生成 | 120 160 |
| 2009年10月号 | 5万回/s噴射のインクジェットヘッド | 米フジフイルムマティックス | 日経産業新聞 (2009年7月15日PP.1) | シリコン製ノズル ノズルの加工を精密化 バーサドロップ | 230 330 |
| 2009年 9月号 | 発光出力2〜3倍のLEDアレイ | OKIデータ ユーテック クリスタル光学 | 日刊工業新聞 (2009年6月3日PP.9) | LED膜・ダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜・Si基板の3層構造 エピフィルムボンディング技術 | 250 120 |
| 2009年 8月号 | 原子サイズの2層CNTトランジスタ | 青山学院大 名大 東邦大 | 日経産業新聞 (2009年5月15日PP.1) | 電子線によりナノチューブの層を分離 PN接合の特性を確認 太さ2〜3nm 2層CNTをSi基板上に乗せる 大きさSiLSIの1/100程度 | 220 120 |
| 2009年 8月号 | 超音波150kHzまで再生可能な超薄型スピーカ | 東京農工大 | 日経産業新聞 (2009年5月15日PP.10) | 単結晶Si上の板状 縦横5mm 厚さ2.8μm | 250 |
| 2009年 7月号 | フルカラーで発光するSiナノ結晶 | 広島大 JST | 日経産業新聞 (2009年4月15日PP.9) 日刊工業新聞 (2009年4月15日PP.20) | 超臨界流体のCO2にSiを浸しレーザ照射で5nmのSi粒に加工 パルスレーザアブレーション 急冷で発光強度100倍増加 光を当てると赤・緑・青・紫外光を放つ | 120 250 |
| 2009年 5月号 | Siで巨大磁気抵抗効果を確認 | 京大 | 日経産業新聞 (2009年2月26日PP.11) | Si基板にInを張りつけ 10〜20V印加 3テスラの磁場 室温で電気抵抗10倍以上 | 120 |
| 2009年 4月号 | グラフェンで透明基板 | 韓国成均館大 サムスン綜合技術院 | 日刊工業新聞 (2009年1月15日PP.29) | グラフェンを6〜10層積層 折り曲げ自在な電子基板 Si基板 ニッケル薄膜 メタン・水素・アルゴンを混合 1000℃に加熱 25℃に冷却 | 120 |
| 2009年 4月号 | 厚さ1/100のSi薄膜型太陽電池新製法 | 産総研 古河電工 | 日経産業新聞 (2009年1月23日PP.10) | 大きさ数10μmのSi結晶の薄膜 厚さ2μmの薄膜型太陽電池 光電変換効率3.5%(12%まで高められる見込み) | 250 160 |
| 2009年 3月号 | SiO2を室温で成膜 | 日立国際電気 | 日経産業新聞 (2008年12月3日PP.5) | 熱以外の代替エネルギーを活用して成膜 25℃程度で処理 CVD装置で適用 | 160 |
| 2009年 3月号 | 直径10nm以下の立体配線技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年12月4日PP.11) | 自己組織化 親水性と疎水性を併せ持つ液状高分子 Si基板上に数〜数十μmの厚さで塗布 120℃以上に過熱し冷却 塩化カリウム溶液水 十〜数十Vの電圧 | 120 160 |
| 2009年 3月号 | Si薄膜の成長速度4倍に | 積水化学工業 | 日経産業新聞 (2008年12月12日PP.11) | プラズマを大気中に取り出し基板に当てる シランガス 45nm/minで成長 圧力0.7〜0.9気圧 多結晶とアモルファスから構成 結晶効率80%以上 | 160 |
| 2009年 3月号 | 22ナノ世代LSI向け量産化技術 | Selete | 日刊工業新聞 (2008年12月17日PP.21) | Si基板に約0.4nmの酸化イットリウムを原子層堆積法で薄く成膜 絶縁膜としてハフニウム系の高誘電率膜 MOSトランジスタの絶縁膜にイットリウムを導入 | 220 |
| 2009年 3月号 | ひずみSiを活用してLSI処理速度を40%向上させる技術 | 東大 | 日経産業新聞 (2008年12月18日PP.11) | 約500気圧の引っ張る力で電流量最大4%増加 チャネル幅1〜20nmのトランジスタ試作 | 220 |
| 2009年 3月号 | 単結晶Siを使用した発光素子で光増幅 | 日立 | 日経産業新聞 (2008年12月18日PP.1) | 単結晶Siの上にSiNを重ねた構造 厚さ4.4nm 波長1μm 増幅効率1.1〜1.7倍/cm 導波路 | 250 120 |
| 2009年 1月号 | 原子の「ムラ」検査技術 | 静岡大 | 日経産業新聞 (2008年10月2日PP.1) | Si内の原子の分布を検査 -260℃ 高密度の高集積回路開発への可能性 | 210 660 |
| 2009年 1月号 | 次世代高速無線用トランジスタ
-消費電力1/3に- | 日立 | 日経産業新聞 (2008年10月17日PP.1) | シリコンゲルマニウムを使った独自の薄膜形成技術 エピタキシャル成長 不純物を約8%抑制 真空集で水素を流し込み酸素を除去 | 160 220 |
| 2008年12月号 | 窒化ホウ素で太陽電池 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2008年9月5日PP.10) | Siより高い耐久性 発電効率2% CVDで窒化ホウ素膜で生成 透明太陽電池 | 250 160 |
| 2008年10月号 | 多結晶Siを低温で結晶化させる技術 | 山口大 | 日経産業新聞 (2008年7月7日PP.8) | 紫外線と可視光の波長を持つレーザ光 同時に5ns照射 100回繰り返し 温度250℃以下 多結晶Si材料 | 120 160 |
| 2008年10月号 | ナノSi電子源採用の放電レス発光デバイス | 松下電工 農工大 | 電波新聞 (2008年7月9日PP.1) | キセノンガス 真空紫外光 | 250 |
| 2008年 9月号 | 高純度単層CNTを活用した薄膜トランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2008年6月11日PP.25) 日経産業新聞 (2008年6月11日PP.11) | 分散型ポリフルオレン 超音波で分散 遠心分離機 移動度2cm2/Vs オンオフ比10万以上 CNT液をSi基板にコーティング | 120 160 220 |
| 2008年 9月号 | 立体構造トランジスタの消費電力を1/3以下に抑える技術 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2008年6月19日PP.24) 電波新聞 (2008年6月19日PP.1) | FinFET 漏れ電流70%低減 待機電力20%低減 歪みSiチャネル技術 | 220 |
| 2008年 9月号 | グラフェン薄膜をSi基板に作製 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2008年6月25日PP.22) 日経産業新聞 (2008年6月25日PP.11) | 厚さ80nmの炭化ケイ素の薄膜作製 熱処理 電子移動度数万cm2/Vs | 120 160 |
| 2008年 9月号 | 光を直角に曲げる光配線技術 | 物材機構 東北大 | 日刊工業新聞 (2008年6月7日PP.13) 日経産業新聞 (2008年6月2日PP.9) | 球の大きさにより分波器 Si基板に2μm間隔で刻んだパターン上に直径2μmのポリスチレン球 | 240 140 160 |
| 2008年 9月号 | 感度2倍のCMOSセンサ | ソニー | 日刊工業新聞 (2008年6月12日PP.8) | Si基板の裏側から光を照射 画素寸法1.75μm角 有効画素数500万 60fps ノイズを2dB低減 | 210 |
| 2008年 8月号 | CNTで回路を立体化 | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年5月6日PP.6) | 単層CNT LSIの配線 MEMSへの応用 Si基板 イソプロピルアルコール 膜厚100nm〜50μm | 120 160 |
| 2008年 7月号 | 次世代大規模集積回路の実現に繋がる歪みSiLSI | 東京インスツルメンツ 群馬大 | 日経産業新聞 (2008年4月3日PP.1) | 近接場ラマン光 線幅32nm以降の次世代LSI 20nmひずみ分布を精密測定 | 120 220 660 |
| 2008年 6月号 | 曲がる有機ELへ新素材 | 東レ | 日本経済新聞 (2008年3月28日PP.17) | 硫黄を含む有機半導体 CNTを混合 電気を通す性質はSi半導体並みに向上 コスト1/10 | 120 220 |
| 2008年 5月号 | Siでミリ波通信向け送受信チップ | NEC | 日経産業新聞 (2008年2月4日PP.5) | 出力7mW 通信距離数10m 90nm半導体製造技術 2.6Gbps サイズ2mm角 | 140 240 |
| 2008年 5月号 | 記録容量20倍の次世代HD | クレステック | 日経産業新聞 (2008年2月7日PP.1) | パターンドメディア 記録容量は1Tb/in2 直径6インチのSi基板上の感光性樹脂に電子ビームで同心円状に直径10nmの微小な穴を開ける | 230 160 |
| 2008年 4月号 | Siを用いた高感度な赤外線検出技術 | NTT | 日経産業新聞 (2008年1月22日PP.9) | 単電子トランジスタ 検出に必要な時間は10億分の1秒 波長が1.3mmと1.5mmの赤外線を区別可能 | 210 |
| 2008年 3月号 | 回路線幅32nmLSI向け製造プロセス技術 | Selete 日立建機ファインテック | 日経産業新聞 (2007年12月11日PP.1) | 電流漏れを防ぐ技術 電極素材と配線層間材料を新たに開発 ゲート材料にTiN 絶縁膜に窒化ハフニウムシリケート nMOSにMgO pMOSにAlO ポーラスシリカ SiO 比誘電率2.4 | 120 160 220 |
| 2008年 3月号 | 世界初のトレンチ型SiC MOSFETと大電流容量を実現したSiC SBD | ローム | 電波新聞 (2007年12月21日PP.1) | 1cm角で300A 900V耐圧 オン抵抗2mΩcm2 JFET抵抗 SBD逆方向耐圧660V | 160 220 |
| 2008年 3月号 | 最新の光変調器 | 米IBM | 電波新聞 (2007年12月11日PP.3) | マッハツェンダ光変調器 大きさ1/100〜1/1000 電気信号の代わりに光パルスを使用 シリコンナノフォトニック導波管 | 220 |
| 2008年 1月号 | 光配線LSIチップ -線幅22nmに道- | Selete | 日経産業新聞 (2007年10月23日PP.1) | 表面プラズモン SiとSi化合物を重ねた構造の表面にくし形の電極を並べた光電気変換器 縦10μm 横2μm クロック信号部分を光配線に置き換え | 160 240 |
| 2007年11月号 | 光を2ns閉じ込め | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2007年8月2日PP.22) | 厚さ250nm Si 直径100nmの空孔 屈折率の差により共振 波長1.5μmの光 フォトニック結晶 | 240 |
| 2007年11月号 | 強誘電体により光の波長を変える素子 | 物材機構 早大 | 日刊工業新聞 (2007年8月20日PP.18) 日経産業新聞 (2007年8月21日PP.10) | 変換効率1000倍 接着リッジ導波路 波長1.5815μmの光から波長0.79075μmの第二高調波を1%以上の効率で発生 Mgを添加したLiNbO3の強誘電体膜 エキポシ樹脂でSi基板上に接着 | 120 220 260 |
| 2007年11月号 | 回路幅45nm対応の塗布型絶縁膜 | JSR | 日経産業新聞 (2007年8月22日PP.1) | 低誘電層間絶縁膜材料(Low-k材料) Cの割合を高めCとSiの分子の結びつきで強度アップ 誘電率2.4 | 120 160 |
| 2007年10月号 | 幅50nmの複数線を同時に描画する並列走査型装置 | 立命館大 兵庫県立大 ユニソク 住友精密工業 JST | 日刊工業新聞 (2007年7月12日PP.20) | フォトレジスト Si基板 並列走査型プローブ ナノライティング装置 Si酸化膜を作製 エッチング 20〜60本を並列に配置 | 160 |
| 2007年10月号 | ナノ炭素材料で単原子トランジスタを試作 | 青山学院大 名大 産総研 富士通研 | 日経産業新聞 (2007年7月20日PP.9) | ピーポッド 量子ドット SiO2の絶縁膜 金とチタンの合金の電極 CNTの内側に複数のフラーレンを並べて詰めた構造 | 120 220 |
| 2007年10月号 | 低電圧駆動有機CMOS回路 | 東大 シャープ | 日経産業新聞 (2007年7月31日PP.11) 日刊工業新聞 (2007年7月31日PP.33) | 駆動電圧1〜5V 動作電圧範囲従来の2倍以上 p型にペンタセン n型にフラーレン 絶縁膜にチタンSi酸化膜 上下をSi酸化膜が挟む3層構造 | 120 220 |
| 2007年 9月号 | 反射率1/10の光学ガラス | 松下電器 NEDO | 日経産業新聞 (2007年6月7日PP.13) | 精密なSiO2製の型をレンズ表面に押しつけ微細な凹凸構造を作って反射を抑制 凹凸の頂点間隔300nm | 250 260 310 |
| 2007年 9月号 | CMOSトランジスタのしきい値電圧の仕組み解明 | 産総研 超先端電子技術開発機構 | 日刊工業新聞 (2007年6月12日PP.24) | 高誘電率絶縁膜 Si酸化膜と下部絶縁膜の界面でしきい値に大きくずれ Si酸化膜上の絶縁膜を0.1nm寸法で精度よく制御することが閾値電流を制御する鍵 | 120 220 160 |
| 2007年 8月号 | オールSiの次世代半導体素子 | 日立 | 日経産業新聞 (2007年5月8日PP.11) | 信号伝達はすべて光 SiO2の絶縁層で挟んだ厚さ9nmのSi薄膜が発光 0.5mm離れたSi受光部 室温動作 | 160 220 |
| 2007年 8月号 | 単電子トランジスタの基本構造を簡単に作製 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年5月31日PP.13) | 既存の半導体プロセスと酸化処理の組合せ 量子ドット Si酸化膜上にAl電極成膜後露光装置で素子構造を作製 | 160 220 |
| 2007年 7月号 | 高品質多結晶Si薄膜を熱処理により5秒で作成技術 | 奈良先端大 松下電器 | 日刊工業新聞 (2007年4月6日PP.1) | フェリチン(鉄貯蔵タンパク質) 直径7nmのNiを触媒として内包 非晶質Si薄膜 650℃で熱処理 プラスチック基板上に高性能TFTを作成可能 | 160 250 |
| 2007年 7月号 | 薄膜を効率よく製造 -非Si系太陽電池量産に使用可能な薄膜技術- | 産総研 | フジサンケイビジネスアイ (2007年4月6日PP.7) | CIGS薄膜 Cu In Ga Se 光電変換層の厚さを数μm 利用効率10倍以上 プラズマクラッキング | 160 250 |
| 2007年 7月号 | 高分子発光で世界最大の21型有機ELディスプレイ | TMD | 日経産業新聞 (2007年4月10日PP.3) | 赤・緑・青の高分子発光材料 インクジェット方式 低音ポリシリコンTFT | 250 |
| 2007年 7月号 | Siを用いた1/100サイズの光スイッチ | NEC | 日経産業新聞 (2007年4月12日PP.1) | 光スイッチサイズ縦0.2mm横0.12mm シリコンナノフォトニクス 光の分岐点の角度をミクロン単位に鋭角化 | 140 240 |
| 2007年 7月号 | 大型有機EL量産技術 | ソニー | 日経産業新聞 (2007年4月13日PP.3) | 40型も量産可能 アモルファスSiをベースとしたマイクロSiTFT シリコンナノフォトニクス | 250 |
| 2007年 7月号 | 電圧で着脱色する固体薄膜エレクトロクロミック素子 | 農工大 | 日刊工業新聞 (2007年4月13日PP.20) | 従来のエレクトロクロミック素子構造に酸化Si膜を導入 応答速度6倍 応答速度100mms | 120 160 250 |
| 2007年 7月号 | Si基板上の光学結晶で赤外光伝播 | 東工大 富士通研 | 電波新聞 (2007年4月24日PP.6) | バッファ層 PZT膜での波長1.55μmの赤外光の伝播損失1dB/cm 電気光学係数76pm/V | 140 240 |
| 2007年 6月号 | バイオの力でSi薄膜 | 松下電器 奈良先端大 | 電波新聞 (2007年3月22日PP.1) | フェリチンタンパクをSi半導体上に吸着 紫外線処理 700℃程度の温度で5〜6秒加熱 粒径10μm | 160 |
| 2007年 6月号 | 赤外光伝送を10倍効率化 | 富士通研 東工大 | 日経産業新聞 (2007年3月29日PP.13) | Siと赤外光を通す薄膜上結晶の間に酸化セシウムなどでできた厚さ200nmの中間層 | 120 160 |
| 2007年 4月号 | Siチップ上での光データ通信の速度遅延方法 | 米IBM | 電波新聞 (2007年1月3日PP.2) | 最大100個の小型リングを縦接続した共振器を構築する光遅延線 既存のSiCMOS製造ツール利用可 | 240 340 |
| 2007年 3月号 | 駆動電流が50%超向上する次世代立体型トランジスタ | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年12月15日PP.30) | 雪かき効果 金属シリサイドとチャネル部分のSi界面に不純物原子を高濃度で2〜3nm厚に偏析した層を形成 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | 線幅32nmLSI性能2倍に | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | Si加工面に1%の歪を加えるn型トランジスタ 0.1%で解析 | 160 220 |
| 2007年 2月号 | 最高効率の太陽光発電 | シャープ | 日本経済新聞 (2006年11月5日PP.5) | 集光追尾型により変換効率37%超で主流の多結晶Si系太陽電池の約2倍 | |
| 2007年 2月号 | Si基板の青色LED | 紫明半導体 | 日経産業新聞 (2006年11月9日PP.1) | 20mAで輝度1.5〜2cd サファイア バッファ層 下部に電極取り付け可能なためコストダウン可 最高10mW Si基板とGaN系の結晶を作製 | 160 250 |
| 2007年 1月号 | HDD磁気ヘッド用積層型光素子 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年10月19日PP.25) | 熱アシスト磁気記録方式 波長の15%に相当する88nm×60nmの光ビーム径 Si材料を用いて光の透過層を積層 波長400nmの光で17%の光利用効率 | 120 230 |
| 2006年12月号 | DRAMの消費電力を10%削減 -絶縁膜材料に水使用- | 日立 | 日刊工業新聞 (2006年9月14日PP.37) | Al2O3絶縁膜 成膜時間半減 シリコン酸窒化膜 漏れ電流抑制 界面の酸化を回避 酸化膜換算膜圧2.9nm | 230 160 |
| 2006年12月号 | フルメタルゲートCMOS | 半導体先端テクノロジーズ(Selete) | 電波新聞 (2006年9月13日PP.1) | 回路線幅45nm以降 0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜 デュアルメタルCMOSプロセス 窒化ハフニウムシリケート(HfSiON) | 160 220 |
| 2006年11月号 | 有機ナノデバイス -整流作用を確認- | 自然科学研究機構 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年8月24日PP.1) | nm径の円筒状単層CNTにポルフィリン分子吸着 自己組織化 Si製の1/10 | 120 160 220 |
| 2006年11月号 | 超音波駆動の触覚ディスプレイ | 東大 | 日経産業新聞 (2006年8月25日PP.1) | Si製の膜 周波数3MHz 水を通じてSi製の膜を変形 | 250 350 620 |
| 2006年10月号 | Si量子計算機読出しに目処 | 慶応大など | 日刊工業新聞 (2006年7月12日PP.25) | レーザ光照射でリン原子核スピン検出 励起子の発光を計測 単電子トランジスタ | 320 |
| 2006年10月号 | SiでLED | 日立 | 日経産業新聞 (2006年7月25日PP.10) | 厚さ9nm 発光波長約1000nm 厚さ700μmのSi基板上に厚さ約200nmのSi酸化膜とそのうえに厚さ50nmのSi膜 | 160 250 |
| 2006年 7月号 | 液体でSiTFT | セイコーエプソン JSR | 朝日新聞 (2006年4月6日PP.3) 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.9) | HとSiを含む液体材料 回転塗布またはインクジェットで成膜 厚さ300nmのSi膜パターン シラン化合物 500℃前後で焼成 コスト半分 消費電力1/10程度 | 120 160 220 250 |
| 2006年 7月号 | 携帯向け低消費電力液晶パネル | 日立ディスプレイズ | 日経産業新聞 (2006年4月19日PP.1) | 画像切替え時のみ電力供給 低温p-SiTFT型 解像度120×160dot 制御回路を内蔵 26万2千色 試作1.3インチμW | 250 160 120 |
| 2006年 6月号 | CNT素子の新作成法 -電流変動1/1000- | 阪大 産総研 JST | 日刊工業新聞 (2006年3月1日PP.25) 電波新聞 (2006年3月14日PP.6) | CNTトランジスタ 電流の変動0.01% フォトレジストを改善 4μmの電極間に直径1.5nmのCNT CNTをSiN膜で保護 不純物を一切つけない新しいプロセスの開発 | 160 220 |
| 2006年 6月号 | 再構成可能な光合分波器 -フォトニック結晶で実現- | 東大 NEC | 日刊工業新聞 (2006年3月29日PP.37) | 波長を変えて光経路を切替え R-OADM PCの対応波長幅約10nm 埋込みSOI基板のSi層に周期的に孔 | 160 240 |
| 2006年 5月号 | 有機発光トランジスタで8×8のアクティブマトリクスディスプレイパネル | ローム パイオニア 三菱化学 京大 | 電波新聞 (2006年2月21日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年2月21日PP.12) | 有機スイッチングトランジスタ 黄色に発光 発光外部量子効率0.8% 表面改質したSi酸化膜のゲート絶縁膜表面にTPPyにルブレンをドープした共蒸着膜を形成 駆動電圧80V 1000cd/m2 | 160 220 250 |
| 2006年 3月号 | 10nm未満素子集積にめど
-バルク素子のオンオフ電流比を6倍に- | NEC NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2005年12月5日PP.22) | 自己整合的に10nmのソースドレイン拡張領域(SDE)と厚いソースドレイン(S/D)を一度に作り上げるSi選択成長によるせり上げ技術 酸化Siライナー | 160 220 |
| 2006年 3月号 | 起立型ダブルゲートMOSトランジスタ
-中性粒子ビームエッチング技術確立- | 産総研 | 電波新聞 (2005年12月16日PP.6) | 時間変調塩素プラズマ 加速した負イオン効率よく中性化 Si基板表面の平坦性も1nm以下 | 160 360 |
| 2006年 2月号 | Si基板にナノサイズのらせん孔 -深さ25μm 10分で形成- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2005年11月16日PP.25) | 直径100nm Pt粒子表面にH2O2が還元されて発生した活性酸素がSiを酸化しSiO2発生 HFによりSiO2が解けて孔発生 | 160 260 |
| 2006年 2月号 | 発光効率2倍の白色LED | 名城大 | 日経産業新聞 (2005年11月16日PP.1) | 130lm/W 紫色LEDを使いシリコンカーバイド基板で光を変換 | 160 250 |
| 2006年 1月号 | ナタデココで新基板材 -曲がる有機EL- | パイオニア 京大 三菱化学 | 日経産業新聞 (2005年10月17日PP.21) | 厚さ1mm以下 ガラス並みの強度 熱膨張係数はSiの1/30 バイオナノファイバコンポジット 平行光線85%以上透過 繊維質 | 250 120 160 |
| 2006年 1月号 | 半導体デバイス閾値電圧を低減 -単一イオン注入法(SII)で不純物原子を制御- | 早大 | 日刊工業新聞 (2005年10月20日PP.1) | 閾値電圧ゆらぎ低減 閾値電圧0.4V 60nm精度の位置制御 Si基板にP原子を100nm間隔で規則配列注入 | 160 |
| 2005年12月号 | コスト1/20のSi光スイッチ | NICT | 日経産業新聞 (2005年9月16日PP.6) | 160Gbps通信用 Si光経路を渦巻き状 切替え時間3ps ナノメートル単位の細い線上の経路 | 120 160 240 |
| 2005年11月号 | 量子コンピュータ素子をSiで試作
-保持時間2桁長い量子ビット- | 日立 英ケンブリッジ大 | 日刊工業新聞 (2005年8月22日PP.22) 日経産業新聞 (2005年8月22日PP.7) | 縦50nm×横150nm二重結合量子ドット 配線をなくす構造 コヒーレンス時間200ns 酸化膜埋込み基板(SOI) 電界を介したゲートで制御 | 120 220 |
| 2005年11月号 | 最薄の5μmのSiウェハ
-紙並みの曲がりに道- | 東京精密 | 日経産業新聞 (2005年8月24日PP.1) | 厚さ725μmのウェハを2種類のダイヤモンド砥石で10μm程度まで削った後SiOで研磨するポリッシュグラインダー | 160 360 |
| 2005年 9月号 | 線幅32nmLSI向け新技術 -新構造TR・新多層配線技術- | MIRAIプロジェクト | 電波新聞 (2005年6月14日PP.1) 日経産業新聞 (2005年6月14日PP.7) | 高電流駆動力 プロセス損傷抑制可能 歪みSi薄膜 歪みGe薄膜 局所酸化濃縮法 ポーラシリカ低誘電絶縁材料 | 120 160 220 |
| 2005年 6月号 | 10倍速のMPU | 日本ユニサンティスエレクトロニクス | 日本経済新聞 (2005年3月9日PP.11) | 回路の微細化 SGT 円柱Si基板の外側に回路 | 160 220 |
| 2005年 6月号 | 90n世代システムLSIによるDRAM混載技術 -130n世代に比べセル面積60%に- | NECエレクトロニクス | 電波新聞 (2005年3月10日PP.1) | MIMキャパシタを形成する絶縁膜にZrO2 ALD方式 Ta2O5の3倍以上 Si3N4の5倍以上の電荷蓄積能力 最大500MHz | 120 160 |
| 2005年 6月号 | 位置特定センサ向け電源を開発 | 日立 | 日経産業新聞 (2005年3月22日PP.7) | a-Si太陽電池とボタン電池を組合せる 不使用時は自動的に待機状態 電池寿命6年 | 210 250 |
| 2005年 6月号 | 電子移動速い新型TFTパネル量産 | 日立ディスプレイズ | 日経産業新聞 (2005年3月31日PP.7) | 電子移動が低温poly-Siパネルの2〜3倍 SELAX(擬似単結晶Si) 2.4インチ | 220 250 160 |
| 2005年 5月号 | a-SiTFT製造技術 | 北陸先端大 | 日経産業新聞 (2005年2月8日PP.9) | 動作電圧変動1/6 有機EL用 触媒CVD タングステン触媒 シランガス・水素ガス | 160 220 250 |
| 2005年 5月号 | 薄くて曲がるフィルム状MPU | セイコーエプソン | 日本経済新聞 (2005年2月9日PP.1) 日経産業新聞 (2005年2月10日PP.7) | 8ビットMPU 厚さ0.2mm 低温Poly-SiTFT ガラス基盤上に作ってからフィルムに転写 | 160 220 |
| 2005年 5月号 | 世界初のSiレーザ | 米インテル | 電波新聞 (2005年2月18日PP.1) | 連続波 ラマン効果 波長1.68μm 効率5% 出力約8mW 電圧5Vまたは25V駆動 | 160 250 |
| 2005年 3月号 | SiCを用いた低抵抗パワーMOSFET | 三菱電機 | 電波新聞 (2004年12月17日PP.2) | 耐圧1.2kV 電流1Aでオン抵抗率12.9mΩcm2 チャンネルエピタキシャル成長層形成技術 単位セル25×25μm チャネル長2μm | 160 220 |
| 2005年 3月号 | 次世代LSIの電流漏れカット | 東芝 | 日経産業新聞 (2004年12月17日PP.7) 日刊工業新聞 (2004年12月17日PP.33) | ニッケルシリサイド層の形成前にSiにFを含ませNiの拡散を抑える 45nm半導体向け | 220 160 |
| 2005年 3月号 | トンネル絶縁膜厚さ2.7nmのフラッシュメモリー -二重接合技術で実現- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2004年12月17日PP.33) | 1nmの2枚のシリコン酸化膜で2nm径のシリコン微結晶をサンドウィッチ クーロンブロッケード効果 単一電子素子 | 160 230 |
| 2005年 3月号 | 線幅50nmのSRAM -誘電率高い新材料使用- | Selete | 日経産業新聞 (2004年12月21日PP.7) | 高温にさらす時間を1/100にして結晶化を防ぐ HfSiO 容量1Mb 漏れ電流0.1A以下/cm2(実効膜厚1.2nm) | 160 230 |
| 2005年 2月号 | 45nm半導体向け絶縁膜 -2005年春 成膜装置供給へ- | MIRAIプロジェクト | 日経産業新聞 (2004年11月25日PP.1) | 絶縁膜材料にHfAlO 窒化処理と酸化処理 電子移動度260 窒化処理でSiO2(下付)膜薄く | 120 160 |
| 2005年 1月号 | 両面に別画像表示の有機EL -アクティブマトリクス駆動- | 台湾友達光電 | 電波新聞 (2004年10月14日PP.1) | Double Sided AMOLED フルカラー 143p/in2 200nits(Cd/m2) 2インチと1.5インチ 厚み1.8mm | 250 |
| 2004年12月号 | 走査型トンネル電子顕微鏡(STM) -半導体の不純物分布を数ナノレベルで計測- | 半導体MIRAIプロジェクト | 日経産業新聞 (2004年9月6日PP.7) | Si表面をNH4Fで処理 洗浄用純水中の酸素濃度を減らし 映像ノイズを減らす | 660 360 |
| 2004年12月号 | ギガビット級MRAM量産技術 | アネルバ 産総研 | 日経産業新聞 (2004年9月8日PP.10) | スパッタ成膜法 Si基板上 | 230 160 |
| 2004年11月号 | 2.6インチ300ppiTFT-液晶ディスプレイ | 韓国サムスン電子 | 電波新聞 (2004年8月11日PP.1) | a-Si VGA解像度 コントラスト比200対1 輝度150Cd/m2 | 160 250 |
| 2004年11月号 | Ge基板の半導体素子 | 東大 | 日経産業新聞 (2004年8月20日PP.8) | Ge基板上のHfO2がキャパシタとして動作 低温製造 電子の移動度Siの2倍 | 120 160 |
| 2004年11月号 | 絶縁層薄膜の印刷技術 -印刷でICカード・タグを作製可能- | 産総研 日立 | 朝日新聞 (2004年8月31日PP.2) | Siの酸化物をプラスチックに100℃以下で印刷 | 220 160 |
| 2004年 7月号 | プラスチックフィルム基板上にTFT -自在に曲がるCPU- 5と合わせて一記事に | 半導体エネルギー研 | 日刊工業新聞 (2004年4月8日PP.1) | 低温p-SiTFTでCPU形成 8ビットCPU 素子数3万程度 動作周波数25MHz/5V・13MHz/3.3V | 220 260 160 |
| 2004年 7月号 | チップ積層密度1.7倍に | SiPコンソーシアム | 日経産業新聞 (2004年4月13日PP.6) | チップ間に樹脂 パッケージ後厚さ1.2mmなら5枚のチップ積層可 チップオンワイヤ技術 | 260 |
| 2004年 6月号 | 液晶製品の消費電力削減 | 三洋電機 | 電波新聞 (2004年3月12日PP.1) | 低温p-SiTFT LCD ドット反転駆動 消費電力半減 SmartDIDM | 250 |
| 2004年 6月号 | Siで高速光IC | 富士通 | 日経産業新聞 (2004年3月23日PP.1) | 50Gbps ゲート長45nm | 240 250 |
| 2004年 5月号 | 世界最速Si光素子 -データを光線に変換- | 米インテル | 電波新聞 (2004年2月14日PP.2) | 位相シフト 1GHz以上でオンオフ | 220 250 |
| 2004年 5月号 | CCDの大きさ1/4に | ASET 三洋電機 | 日経産業新聞 (2004年2月23日PP.9) | 大きさ縦2.5mm×横3.6mm 画素数縦288×横352 Si基板に銅薄膜で縁取りしたφ50μm程度の穴 | 210 260 |
| 2004年 3月号 | Si層0.7nmトランジスタの動作確認 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2003年12月12日PP.1) | 5原子層 NEDO Si単結晶薄膜厚さ0.7nm SOI 試作素子のゲート長は2〜3μm 実現可能なゲート長は1.5〜3nmと予想 | 160 220 |
| 2004年 3月号 | 歪みSiで微細トランジスタ高速化 | 東芝 | 日経産業新聞 (2003年12月16日PP.9) | ゲート電極に歪みSi 加工寸法45nmトランジスタ 11%高速化 | 160 220 |
| 2004年 3月号 | Si燃料電池で発電 | 東工大 | 日経産業新聞 (2003年12月17日PP.7) | 厚さ0.25mm 5mm角 直接メタノール型燃料電池 H2とO2で1.5mW/cm2 メタノールで50μW/cm2 | 160 250 |
| 2004年 2月号 | SiやGeの量子ドット新製法 -基板上に高密度で形成- | 米オークリッジ国立研 | 日刊工業新聞 (2003年11月24日PP.13) | BLaC法 Geの量子ドットサイズ3nm径 高さ0.6nm 密度約3〜7×1012(上付) | 160 |
| 2004年 2月号 | a-Siで有機EL基板量産技術 -基板価格3割安く- | カシオ計算機 | 日経産業新聞 (2003年11月26日PP.1) | 1画素当たり3つのトランジスタ 高分子材料の蛍光材料 2.1インチ 160x128ドット 26万色 厚み1.2mm | 250 |
| 2004年 2月号 | 65nmプロセスSRAM | 米インテル | 日本経済新聞 (2003年11月26日PP.3) | ゆがみSi技術 高速インタコネクト 低誘電率絶縁材料 0.57μm2(上付)に4MB | 160 230 |
| 2003年12月号 | 超高速トランジスタ -カーボンナノチューブ活用- | NEC | 日本経済新聞 (2003年9月19日PP.11) | Siの10倍以上高速に動作 CNTの半導体の性質を利用 | 220 120 |
| 2003年11月号 | 200GB級光ディスク -記憶容量10倍に- | 産総研 サムスン電子 | 日経産業新聞 (2003年8月29日PP.9) 日刊工業新聞 (2003年8月29日PP.5) 日本経済新聞 (2003年8月29日PP.17) | 青色DVDの10倍 Tb Fe Co SiO2 ZnS 熱で薄膜が山形に盛り上がり記録 50nmの山が100nmの間隔 熱体積変化膜 記録技術のみ開発 | 160 230 |
| 2003年10月号 | 3次元「ナノ鋳型」新製法 -DVD容量が数十倍- | 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2003年7月8日PP.1) | Si基板に水ガラスを均一に塗布して焼き 水ガラスを固体化 パターンの幅は125nm | 160 |
| 2003年10月号 | 電力変換素子 -発熱1/10 効率3%高く- | 日立 | 日経産業新聞 (2003年7月22日PP.8) | 電力変換素子 シリコンカーバイド製 変換率93%に向上 | 220 |
| 2003年10月号 | 次々世代半導体の回路原板 -窒素化合物で精密描画- | HOYA | 日経産業新聞 (2003年7月23日PP.9) | 反射型マスク 極端紫外線 吸収層にTaとBと窒素化合物 10nm紫外線より短い紫外線 EUVの散乱防ぐ 反射層にM/Siを積み重ね | 120 160 |
| 2003年10月号 | Si基板を微細加工する新技術 -光スイッチ量産に道- | NTT物性科学基礎研究所 | 日経産業新聞 (2003年7月30日PP.9) | ナノレベルの微細な穴 200nm角で深さ100〜150nmの無数の穴 | 160 |
| 2003年 8月号 | 小型で安価な光スイッチ
―1:128分岐が可能― | NTTフォトニスク研 | 日経産業新聞 (2003年5月2日PP.5) | 光ルータ用 Si基板上にガラス製の導波路を形成 大きさ従来比1/4 | 240 340 |
| 2003年 7月号 | ナノサイズ発光アレイ | 物質・材料研究機構 太陽誘電 | 日刊工業新聞 (2003年4月8日PP.4) 日経産業新聞 (2003年4月8日PP.10) | 酸化亜鉛を格子状に配列 結晶異方性エッチング 機械化学研磨技術 2500万ドット/cm2 Si(100) | 160 250 |
| 2003年 7月号 | ナノシリコンで赤緑青色安定発光 | 東海大 電通大 | 日刊工業新聞 (2003年4月23日PP.5) | スパッタ形式 石英ガラスとシリコンのターゲット 寿命赤3年・青10日 動作電圧10V以下 量子サイズ効果による発光を確認 | 150 250 |
| 2007年 3月号 | 駆動電流が50%超向上する次世代立体型トランジスタ | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年12月15日PP.30) | 雪かき効果 金属シリサイドとチャネル部分のSi界面に不純物原子を高濃度で2〜3nm厚に偏析した層を形成 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | 線幅32nmLSI性能2倍に | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | Si加工面に1%の歪を加えるn型トランジスタ 0.1%で解析 | 160 220 |
| 2007年 2月号 | 最高効率の太陽光発電 | シャープ | 日本経済新聞 (2006年11月5日PP.5) | 集光追尾型により変換効率37%超で主流の多結晶Si系太陽電池の約2倍 | |
| 2007年 2月号 | Si基板の青色LED | 紫明半導体 | 日経産業新聞 (2006年11月9日PP.1) | 20mAで輝度1.5〜2cd サファイア バッファ層 下部に電極取り付け可能なためコストダウン可 最高10mW Si基板とGaN系の結晶を作製 | 160 250 |
| 2007年 1月号 | HDD磁気ヘッド用積層型光素子 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年10月19日PP.25) | 熱アシスト磁気記録方式 波長の15%に相当する88nm×60nmの光ビーム径 Si材料を用いて光の透過層を積層 波長400nmの光で17%の光利用効率 | 120 230 |
| 2006年12月号 | DRAMの消費電力を10%削減 -絶縁膜材料に水使用- | 日立 | 日刊工業新聞 (2006年9月14日PP.37) | Al2O3絶縁膜 成膜時間半減 シリコン酸窒化膜 漏れ電流抑制 界面の酸化を回避 酸化膜換算膜圧2.9nm | 230 160 |
| 2006年12月号 | フルメタルゲートCMOS | 半導体先端テクノロジーズ(Selete) | 電波新聞 (2006年9月13日PP.1) | 回路線幅45nm以降 0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜 デュアルメタルCMOSプロセス 窒化ハフニウムシリケート(HfSiON) | 160 220 |
| 2006年11月号 | 有機ナノデバイス -整流作用を確認- | 自然科学研究機構 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年8月24日PP.1) | nm径の円筒状単層CNTにポルフィリン分子吸着 自己組織化 Si製の1/10 | 120 160 220 |
| 2006年11月号 | 超音波駆動の触覚ディスプレイ | 東大 | 日経産業新聞 (2006年8月25日PP.1) | Si製の膜 周波数3MHz 水を通じてSi製の膜を変形 | 250 350 620 |
| 2006年10月号 | Si量子計算機読出しに目処 | 慶応大など | 日刊工業新聞 (2006年7月12日PP.25) | レーザ光照射でリン原子核スピン検出 励起子の発光を計測 単電子トランジスタ | 320 |
| 2006年10月号 | SiでLED | 日立 | 日経産業新聞 (2006年7月25日PP.10) | 厚さ9nm 発光波長約1000nm 厚さ700μmのSi基板上に厚さ約200nmのSi酸化膜とそのうえに厚さ50nmのSi膜 | 160 250 |
| 2006年 7月号 | 液体でSiTFT | セイコーエプソン JSR | 朝日新聞 (2006年4月6日PP.3) 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.9) | HとSiを含む液体材料 回転塗布またはインクジェットで成膜 厚さ300nmのSi膜パターン シラン化合物 500℃前後で焼成 コスト半分 消費電力1/10程度 | 120 160 220 250 |
| 2006年 7月号 | 携帯向け低消費電力液晶パネル | 日立ディスプレイズ | 日経産業新聞 (2006年4月19日PP.1) | 画像切替え時のみ電力供給 低温p-SiTFT型 解像度120×160dot 制御回路を内蔵 26万2千色 試作1.3インチμW | 250 160 120 |
| 2006年 6月号 | CNT素子の新作成法 -電流変動1/1000- | 阪大 産総研 JST | 日刊工業新聞 (2006年3月1日PP.25) 電波新聞 (2006年3月14日PP.6) | CNTトランジスタ 電流の変動0.01% フォトレジストを改善 4μmの電極間に直径1.5nmのCNT CNTをSiN膜で保護 不純物を一切つけない新しいプロセスの開発 | 160 220 |
| 2006年 6月号 | 再構成可能な光合分波器 -フォトニック結晶で実現- | 東大 NEC | 日刊工業新聞 (2006年3月29日PP.37) | 波長を変えて光経路を切替え R-OADM PCの対応波長幅約10nm 埋込みSOI基板のSi層に周期的に孔 | 160 240 |
| 2006年 5月号 | 有機発光トランジスタで8×8のアクティブマトリクスディスプレイパネル | ローム パイオニア 三菱化学 京大 | 電波新聞 (2006年2月21日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年2月21日PP.12) | 有機スイッチングトランジスタ 黄色に発光 発光外部量子効率0.8% 表面改質したSi酸化膜のゲート絶縁膜表面にTPPyにルブレンをドープした共蒸着膜を形成 駆動電圧80V 1000cd/m2 | 160 220 250 |
| 2003年 6月号 | 200Gb/in2 記録材料 | 富士電機 | 日刊工業新聞 (2003年3月20日PP.12) | 垂直磁気記録方式 HDD用 CoとPtとの合金にSiを混入 150Gb/in2確認済 | 130 |
| 2003年 5月号 | 2GHz帯1チップ受信IC | 東芝 | 日刊工業新聞 (2003年2月13日PP.4) | DCオフセｯト変動60mV以下 SiGeBiCMOS技術 第3世代携帯に対応 | 220 240 |
| 2003年 5月号 | 高感度センサ -人間の触覚 センサで再現- | ニッタ 東大 | 日本経済新聞 (2003年2月28日PP.17) | 透明なシリコンゴム中に2層の格子点 変形をCCDカメラでとらえ分析 格子点間隔は2nm | 210 410 |
| 2003年 3月号 | 世界最小Siレンズ | 沖電気 | 日経産業新聞 (2002年12月11日PP.6) 日刊工業新聞 (2002年12月11日PP.9) | Siレンズ 直径125μm 回折型レンズ | 210 |
| 2003年 3月号 | SiMOSトランジスタ -ゲート長6nmと最小- | 米IBM | 日刊工業新聞 (2002年12月11日PP.4) | SOI上のSi膜厚4nm ハロー・インプラント技術 | 160 220 |
| 2003年 2月号 | DNAで磁性微粒子配列 | 阪大 韓国 延世大 | 日本経済新聞 (2002年11月4日PP.15) | 直径8nmのCo微粒子 Si基板上 磁気の向きを検出 | 130 |
| 2003年 2月号 | 5GHz帯無線LAN規格準拠のFBARフィルタ | 富士通研 富士通メディアデバイス | 日刊工業新聞 (2002年11月18日PP.7) 電波新聞 (2002年11月20日PP.2) | 無線LAN 5GHz帯 圧電薄膜共振器フィルタ FBAR Si基板 2.5x2x0.9mm IEEE802.11a 10GHzまでに対応 | 240 |
| 2003年 2月号 | リチウムイオン電池延命技術 -容量37%増- | 三洋電機 | 日経産業新聞 (2002年11月27日PP.1) | 負極にSi薄膜 凸凹のある銅薄膜 | 250 |
| 2003年 2月号 | Si製半導体 -｢2世代先｣実現にメド- | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年11月29日PP.17) | ゲート電極幅14nmのトランジスタ 基板正負電極間の絶縁膜最適化 ゲート電極材料の改良 | 220 160 |
| 2002年12月号 | 量子レジスタ | 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2002年9月12日PP.4) | 量子コンピュータ Si同位体の核スピンを利用 デコヒーレンス時間0.4秒 振動回数3000万回を室温で達成 | 120 230 |
| 2002年 9月号 | 高速トランジスタ | 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年6月12日PP.12) | 動作速度従来の1.5倍 Si・Ge薄膜 pMOS | 220 |
| 2002年 9月号 | 広い色再現性のGLV -高画質プロジェクタ用素子- | ソニー | 日刊工業新聞 (2002年6月12日PP.5) 日本経済新聞 (2002年6月12日PP.13) 日経産業新聞 (2002年6月12日PP.7) | グレーティング・ライト・バルブ 回折格子型光スイッチ 微小短冊状の鏡 1次元1080画素 MEMS コントラスト3000:1 米シリコンライトマシンズ社 プロジェクタ | 250 350 |
| 2002年 9月号 | LSIの消費電力を1/10に低減するトランジスタ | 松下電器 | 日本経済新聞 (2002年6月20日PP.11) | SiGeのナノ構造薄膜をSi基板に形成 0.5V動作 CMOSトランジスタ | 220 160 |
| 2002年 9月号 | LSIの識別技術 -電子指紋で識別- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (2002年6月21日PP.10) | 人工指紋デバイス PolySiTFTのバラッキ利用 | 220 230 |
| 2002年 9月号 | 単一電子トランジスタ -ナノチューブで作製- | 産総研 富士通研 | 日本経済新聞 (2002年6月24日PP.23) | SiO2基板上 自己組織化 チューブ径 2nm | 220 120 |
| 2002年 8月号 | 次世代式薄型ディスプレイ-省エネ・大画面- | 松下電工 | 日本経済新聞・夕刊 (2002年5月1日PP.3) | FED 10〜40インチ画面 超微細なSi結晶 | 250 |
| 2002年 8月号 | 基板上に微細構造 | NTT 通信総研 早大 東北大 | 日経産業新聞 (2002年5月9日PP.8) | フォトニック結晶 InP基板 Si-SiO2多重層 | 140 |
| 2002年 8月号 | ナノレベルで膜厚制御するクラスタ銃 | 日立船造 | 日刊工業新聞 (2002年5月20日PP.1) | Siクラスタ グラファイト表面 | 160 |
| 2002年 8月号 | ナノチューブトランジスタ | 米IBM | 日経産業新聞 (2002年5月22日PP.8) | Si製の2倍の動作速度 p-n型の作り分け MOSFETと同構造 | 220 |
| 2002年 8月号 | 電子ビーム露光装置 -マスク製造に成功- | HOYA 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2002年5月28日PP.1) | φ200mm Siマスク 50nmプロセス用 | 160 |
| 2002年 7月号 | カーボンナノチューブのフィールドエミッタ - 4V 低電圧で電子放出 - | 産総研 | 日本経済新聞 (2002年4月5日PP.17) 日刊工業新聞 (2002年4月11日PP.4) | 高さ1μmの山のあるSi基板 Fe蒸着後CNTを成長 電子放出電圧4V FED | 250 120 |
| 2002年 7月号 | 有機ELカラーディスプレイ -初の大型高精細タイプ- | 東芝松下ディスプレイテクノロジー | 日本工業新聞 (2002年4月17日PP.5) | XGAワイド 1280×768画素 17型低温ポリSiTFT | 250 |
| 2002年 7月号 | 次世代メモリーMRAM -1Gb以上に- | 産総研 | 日本経済新聞 (2002年4月26日PP.17) 日刊工業新聞 (2002年4月26日PP.5) | 抵抗値変化幅従来の3倍 厚さ1nmのFe単結晶薄膜 TMR素子をシリコンLSI上に作製 | 210 230 |
| 2002年 7月号 | 単一電子素子 -消費電力1/1000に 室温で作動成功 | NTT | 日経産業新聞 (2002年4月30日PP.7) | 30nm幅のSi細線温室動作SET | 220 |
| 2002年 6月号 | シリコン系素材で共鳴トンネル効果 | 静岡大 | 日刊工業新聞 (2002年3月4日PP.8) | 光デバイスとの一体化回路の微細化に有効 -258℃〜-173℃で電流ピークを確認厚さ2mm | 120 220 |
| 2002年 4月号 | ガラスの中にSi単結晶 | 京大 | 日刊工業新聞 (2002年1月1日PP.1) | フェムト秒レーザパルス p型とn型の半導体 立体的な金配線 | 160 |
| 2002年 4月号 | 光の速度を1/100に -人工結晶使い成功- | NTT | 日本経済新聞 (2002年1月28日PP.25) | フォトニック結晶 超小型光スイッチ用 Si結晶 直径200nm深さ200nmの周期的な穴 260nm幅の導波路 | 140 240 |
| 2002年 3月号 | Si・ナノ微粒子LED -温室で近赤外発光- | 松下電器 | 日刊工業新聞 (2001年12月5日PP.7) | 平均直径3.8nm 1.17eV Si発光 | 250 |
| 2002年 3月号 | 歪みシリコントランジスタ -電子移動度2.2倍- | 日立 | 電波新聞 (2001年12月6日PP.6) | 平坦化SiGe電子移動度2.2倍 正孔移動度1.42倍 | 220 |
| 2002年 3月号 | 耐久性の高い半導体素子 -寿命数倍に- | 広島大 | 日経産業新聞 (2001年12月26日PP.8) | 駆動電極部の絶縁層に保護膜 原子層成長法 SiN | 160 220 |
| 2002年 2月号 | 微細構造作る新技術 -ナノ大の金属粒子均一配列- | 松下電器 | 日本経済新聞 (2001年11月9日PP.17) | 球状タンパク質 外径12nm 空洞径6nm フェリチン Si基板 メモリー | 160 |
| 2002年 2月号 | フォトニック結晶 -簡単・安価に作製- | NEC北米研究所 | 日刊工業新聞 (2001年11月16日PP.6) | 球形の合成オパール(シリカ) シリコンウェハ上に作製 Siのみで光IC | 160 |
| 2002年 2月号 | 低コストに青色LED | 名工大 サンケン電気 | 日本経済新聞 (2001年11月22日PP.11) | Si基板 水素原子膜 窒素ガリウム結晶成長 | 250 |
| 2001年12月号 | 多層実装基板加工技術 -超精密・3次元加工を実現- | 東成エレクトロビーム | 日刊工業新聞 (2001年9月18日PP.7) | Siウェハ 実装用多層構造基板 マイクロマシン マイクロ光センサへの応用 | 260 |
| 2001年12月号 | Si薄膜にナノ穴形成 -電子線を光速照射アモルファス化可能に- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2001年9月18日PP.7) | 量子サイズ効果 直径約3mm | 160 |
| 2001年11月号 | チップの上に光の集積回路 | NTT | 日本経済新聞 (2001年8月3日PP.17) | 光導波路 ナノテクノロジー 光通信 1.3〜1.6μmの光で確認 Si基板 | 240 160 |
| 2001年11月号 | Si球体チェーン -直径2nmで量産- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2001年8月7日PP.1) | 直径2〜3nm Si針状結晶 | 160 |
| 2001年10月号 | 低温p-Si技術-ガラス基板に超高速回路- | 富士通 | 日刊工業新聞 (2001年7月13日PP.1) | 粒界3×20μm､ガラス基板 Si2バッファ層 半導体レーザ励起固体レーザによる結晶化 低温p-Si技術 プロセス温度450℃以下 移動度500cm2/V・s | 160 220 250 |
| 2001年10月号 | 光電子融合システム -Siと化合物半導体を無転位で一体化- | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2001年7月24日PP.7) | 光電子融合IC GaPN 分子線エピタキシー 同一格子定数 | 160 |
| 2001年 8月号,9月号 | 大規模ネットの放送技術 | NTT情報流通プラットフォーム研 | 日刊工業新聞 (2001年6月5日PP.6) | 低コスト配信 広域映像同期技術 UniSinc ライブ・ストリーミングスイッチ(LSS) | 440 620 |
| 2001年 8月号,9月号 | 最高効率の太陽電池 | 三洋電機 | 日本経済新聞 (2001年6月5日PP.11) 日経産業新聞 (2001年6月5日PP.1) | 変換効率21% 非晶質シリコン3層構造 | 250 |
| 2001年 8月号,9月号 | 極微細粒でシリコン層形成技術 | アネルバ | 日経産業新聞 (2001年6月14日PP.7) | クオンタムドット形成技術 直径5-10nmの粒子 1T個/m2 | 160 130 |
| 2001年 8月号,9月号 | 面発光レーザ -電流1/100で発振- | NTT | 日本経済新聞 (2001年6月15日PP.17) 日経産業新聞 (2001年6月15日PP.11) | 面発光レーザ 1.55μm帯 臨界電流0.38mA GaAs基板 InP発光層 GaAs系反射層 SiO系反射層 | 250 240 |
| 2001年 8月号,9月号 | 世界最速のトランジスタ | 米IBM | 日本経済新聞 (2001年6月26日PP.3) | 処理速度210GHz SiGe スイッチ動作速度1.5T回/s | 220 |
| 2001年 7月号 | 酸化亜鉛で透明TFT | 大阪大学 ミノルタ | 日刊工業新聞 (2001年5月11日PP.1) | 高密度液晶ディスプレイ 高い歩留まり SiO2と活性層間にSiN層 3.3eVのバンドギャップ | 220 250 |
| 2001年 6月号 | 球面半導体の活用加速 | 山武 凸版印刷 米ボールセミコンダクタ | 日経産業新聞 (2001年4月17日PP.1) | 無線温度センサ 表面弾性波素子 直径1mmの球状Si -55〜125℃ | 210 240 |
| 2001年 5月号 | 内部抵抗1/10のトランジスタ | 電総研 | 日経産業新聞 (2001年3月19日PP.11) | SiCトランジスタ MOSFET 1kV-1mΩ | 220 |
| 2001年 5月号 | 最高移動度と最小抵抗実現のSiC素子 | 電総研 新機能素子研究開発協会 (FED) | 日刊工業新聞 (2001年3月16日PP.7) | チャネル移動度140cm2/Vs 4H-SiC-MOSFET エンハンスメント形 ソースドレインのシート抵抗38Ω | 220 |
| 2001年 5月号 | デカップリングキャパシタ -ノイズを高効率で吸収- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2001年3月14日PP.7) | 薄膜キャパシタ 30pH Si基板 チタン酸バリウム・ストロンチウム(BST)セラミック薄膜使用 | 260 |
| 2001年 5月号 | 高効率で室温発光するSiLED | サリー大(英) | 日刊工業新聞 (2001年3月13日PP.6) | ホウ素をイオン注入 転位欠陥工学 波長1.16μm 19.8μW 100mA | 250 |
| 2001年 5月号 | 電子署名技術 -次世代言語「XML」対応- | 日本アイ・ビー・エム | 日経産業新聞 (2001年3月6日PP.1) | SOAP(Single Object Access Protocol) 電子署名用サーバ 企業間電子商取引用 | 440 620 |
| 2001年 4月号 | 有機EL表示装置 | ソニー | 日経産業新聞 (2001年2月8日PP.9) | 13in 低温Poly-Si TFT方式で駆動 アクティブマトリックス方式 電流書込み方式 トップエミッション構造 完全固体構造 | 250 |
| 2001年 4月号 | 光ネット用送受信器 -10Gbpsでワンチップ- | 日立 | 日刊工業新聞 (2001年2月7日PP.6) | 0.25μmプロセス 10Gbps SiGe Bi-CMOS SOI シリコンゲルマ | 240 220 |
| 2001年 3月号 | Si LSIで量子計算 | 東大 | 日刊工業新聞 (2001年1月24日PP.7) | エミュレータ グローバの量子アルゴリズム | 320 420 |
| 2001年 3月号 | 新有機分子 -単一分子に導電性- | 東大 | 日経産業新聞 (2001年1月16日PP.7) | CとSiからなる分子 大きさ2nm 常温〜 -273℃で導電性 | 120 |
| 2001年 1月号 | SiCパワー素子 | 松下電器 | 電波新聞 (2000年11月22日PP.1) | SiCパワー素子 DACFET ナノ制御δドープ層状構造 113cm2/Vs | 220 |
| 2001年 1月号 | パソコンに立体を設計できる入力装置 -ゴム変形でデータ入力- | 東大 | 日経産業新聞 (2000年11月6日PP.9) | 導電性のある多孔質Siゴム 電気抵抗で変形量を計算 立体デザイン用入力装置 | 310 620 |
| 2000年12月号 | ナノ結晶に光導電性 -CCDなどに応用- | NHK 広島大 | 日経産業新聞 (2000年10月24日PP.1) | Siナノ結晶 光導電性 | 210 120 |
| 2000年12月号 | Si系LED室温で発光 | 筑波大 | 日刊工業新聞 (2000年10月12日PP.1) | β鉄シリサイド 分子量エピタキシー法 電流密度10A/cm2以上で発光 1.6μm帯の波長 | 250 |
| 2000年11月号 | 非晶質Si TFT | カシオ | 日経産業新聞 (2000年9月28日PP.7) | a-Si 202ppi | 250 |
| 2000年11月号 | 送受信モジュール -次世代規格に対応- | シリコンマジック | 日経産業新聞 (2000年9月7日PP.1) | Bluetooth 送受信モジュール プロトコル処理 LSI | 340 |
| 2000年11月号 | 40Gbpsの光受信機 | 日立 | 日本経済新聞 (2000年9月2日PP.13) | 40Gbps 全IC化 SiGeとInP 消費電力8.6kW | 240 340 |
| 2000年 6月号 | 両面形単結晶Si太陽電池 | 日立 | 日経産業新聞 (2000年4月28日PP.5) | 両面形太陽電池 単結晶Si 272W/m2 反射光利用 | 250 |
| 2000年 5月号 | カーボンナノチューブで電子銃作成 | 電総研 | 日本経済新聞 (2000年3月27日PP.19) | 直径2〜3nmφ Si突起 炭化水素系ガス カーボンナノチューブ 放電開始電圧10V 電子銃 | 260 250 150 |
| 2000年 5月号 | Si単電子トランジスタ集積化技術 -メモリードットを利用- | 東大 | 日本工業新聞 (2000年3月10日PP.17) | 単電子トランジスタ 集積化 メモリードット | 220 |
| 2000年 4月号 | 変換効率最高の太陽電池 | 三洋電機 | 日経産業新聞 (2000年2月10日PP.1) | 太陽電池 変換効率20.1% HIT形 a-Si | 250 |
| 2000年 4月号 | 最速トランジスタ -40Gbpsの信号処理- | 日立 | 日経産業新聞 (2000年2月8日PP.5) | 光通信向けIC 周波数変換IC ヘテロ接合バイポーラトランジスタ Si-GeHBT 最小線幅0.2μm | 220 |
| 2000年 3月号 | 実時間ホログラフィ用1次元光学結晶 | 筑波大 | 日刊工業新聞 (2000年1月20日PP.6) | フォトニック結晶 半導体量子ビット セレン化カドミウム 非線形光学材料 酸化Si 酸化チタン 欠陥層 | 120 |
| 2000年 3月号 | 新CDV法を確立 -0.1μmのトランジスタ- | 豊田工大 | 日経産業新聞 (2000年1月14日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年1月14日PP.5) | LSI Si窒化薄膜 電子ビーム プラズマ ゲート絶縁膜 0.1μmルール半導体製造 低温 低圧力 | 160 |
| 2000年 2月号 | 高純度Si単結晶 | 慶大 クルチャトフ研 | 日本経済新聞 (1999年12月20日PP.19) | 原子量28 Si 純度99.92% ハロゲンランプ加熱 遠心分離器 熱伝導度1.6倍 | 120 |
| 2000年 2月号 | 単電子トランジスタの論理回路 -消費電力10万分の1- | NTT | 日経産業新聞 (1999年12月10日PP.5) 日刊工業新聞 (1999年12月10日PP.7) 電波タイムズ (1999年12月17日PP.1) | 単一電子トランジスタ(SET) 論理回路 パターン依存酸化法 V-PADOX法 超低消費電力 1/100,000 Si熱酸化手法 インバータ回路 低温動作:-243℃ | 220 160 |
| 2000年 1月号 | シリコン基板上に情報書込み -1平方インチに1兆ビット- | 早大 | 日経産業新聞 (1999年11月8日PP.5) | 10Gb/in2 Si基板 酸化膜 ウエットエッチング 直径10nmの穴 | 160 230 |
| 2000年 1月号 | シリコン酸化膜形成の仕組み解明 | NTT | 日経産業新聞 (1999年11月4日PP.4) | Si酸化膜 LSI | 120 160 |
| 2001年 1月号 | SiCパワー素子 | 松下電器 | 電波新聞 (2000年11月22日PP.1) | SiCパワー素子 DACFET ナノ制御δドープ層状構造 113cm2/Vs | 220 |
| 2001年 1月号 | パソコンに立体を設計できる入力装置 -ゴム変形でデータ入力- | 東大 | 日経産業新聞 (2000年11月6日PP.9) | 導電性のある多孔質Siゴム 電気抵抗で変形量を計算 立体デザイン用入力装置 | 310 620 |
| 1999年12月号 | 新形歪みSOI基板 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1999年9月30日PP.6) | 歪みSi SiGe下地 キャリヤ移動度2倍以上 SIMOX技術 | 120 |
| 1999年12月号 | 初のアクティブ形有機ELディスプレイ | 三洋電機 イーストマン・コダック | 電波タイムズ (1999年10月6日PP.7) | 有機EL アクティブマトリックス形 低温Poly-SiTFTドライバ | 250 |
| 1999年12月号 | 炭化シリコンFETを試作 | 京大 | 日刊工業新聞 (1999年10月11日PP.5) | チャネル移動度95.9c /V/s c面->a面で移動度15〜17倍 4H-SiCと6H-SiCで確認 | 220 |
| 1999年12月号 | シリコン・ゲルマニウム・カーボン-発光・高速特性明らかに- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1999年10月14日PP.6) | シリコン・ゲルマニウム・カーボン | 120 |
| 1999年12月号 | 感触センサ | 阪大 産業科学研 イナバゴム | 日経産業新聞 (1999年10月26日PP.5) | ナノコンポジット 感圧センサ シリコンゴム 球状炭素 セラミックス微粒子 | 210 |
| 1999年12月号 | 情報記録密度最高に-6.45cm2当たり0.7Tb- | 早大 | 日刊工業新聞 (1999年10月26日PP.6) | 0.7Tb/inch2 Si酸化膜 電子線露光 ウエットエッチング 読出し専用 | 230 |
| 1999年11月号 | シリコン発光素子 | 松下技研 | 日経産業新聞 (1999年9月6日PP.5) | シリコン超微粒子 透明導電薄膜 酸化インジウム | 250 160 |
| 1999年11月号 | Si接合技術 | NEC 科学技術振興事業団 | 電波タイムズ (1999年9月20日PP.2) | カーボンナノチューブ | 260 160 |
| 1999年11月号 | Si微結晶発光素子-発光均一化と強度10倍- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1999年9月27日PP.15) | 発光強度10倍 単結晶フッ化カルリウム 瞬間熱処理(RTA) Si発光素子 Si微結晶 | 250 150 160 |
| 1999年 9月号 | Si発光解明に手がかり | 日立 東海大 電通大 日立サイエンスシステムズ | 日本経済新聞 (1999年7月3日PP.11) | Si 結晶成長プロセス 透過電子顕微鏡 | 150 |
| 1999年 9月号 | Si超微粒子 -大きさ望み通り- | 松下技研 | 日経産業新聞 (1999年7月19日PP.5) | 任意サイズ 誤差12% Si超微粒子 超高速半導体 | 160 |
| 1999年 8月号 | 1兆ビット不揮発メモリーに道 -電子数に応じ“多値”確認- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年6月10日PP.1) | 単一電子トランジスタ(SET) 不揮発性メモリー 多値動作 Si窒化膜 高集積 低消費電力 3.5K 6値を確認 | 230 |
| 1999年 7月号 | 128種の光信号を多重化する合分波素子 | NTT | 日経産業新聞 (1999年5月20日PP.5) | 合分波素子 アレイ導波路格子形合分波器(AWG) Si基板 光通信 128種光信号 ガラス製導波路 光ファイバ 多重 | 240 440 |
| 1999年 7月号 | サブミクロンTFTを形成する低温ポリシリコン技術 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1999年5月17日PP.13) | ガラス基板 0.6μm | 220 |
| 1999年 6月号 | 世界初の球面集積回路 -球状半導体にIC形成- | 米ボールセミコンダクタ | 日本経済新聞 (1999年4月6日PP.11) 日刊工業新聞 (1999年4月13日PP.11) | 球面集積回路 球状Si N形MOS 球状半導体 インバータ回路 | 220 260 160 |
| 1999年 5月号 | 1平方インチ画面の液晶オンシリコンモニタ | バーチャルビジョン社(米) | 電波新聞 (1999年3月23日PP.2) | LCOSモニタ ヘッドセットディスプレイ ウエアラブルモニタ | 250 |
| 1999年 3月号 | Si表面の未結合手細線 -電子状態を確認- | 東北大 東大 東工大 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1999年1月12日PP.5) | Si 未結合手細線 STM ソリトン | 120 |
| 1999年 2月号 | 炭化シリコン基板製造技術 -直径3インチ- | 原子力研高崎研 | 日刊工業新聞 (1998年12月24日PP.1) | 炭化シリコン | 160 |
| 1999年 2月号 | 1.2nm極薄酸化膜使用のMOS素子 | 広島大 | 日刊工業新聞 (1998年12月8日PP.6) | 1.2nmシリコン酸化膜 | 220 160 |
| 1999年 2月号 | シリコン酸化膜の微細構造解析 -歪み層が信頼性決定- | 松下電子 | 日経産業新聞 (1998年12月8日PP.5) | 1nm歪み層 絶縁破壊 | 160 |
| 1999年 1月号 | シリコンの発光素子 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1998年11月4日PP.1) | LED シリコン ナノクリスタル 可視発光 Si発光 非晶質Si | 250 |
| 1998年12月号 | 小型高性能ミリ波帯IC -Siに3次元- | 松下通信工業 松下技研 | 日刊工業新聞 (1998年10月15日PP.5) | ミリ波IC | 220 |
| 1998年12月号 | 減圧CVD法による青紫色半導体レーザ -室温連続発振- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1998年9月30日PP.6) | MOCVD 青紫色半導体レーザ 炭化シリコン基板 窒化ガリウム | 250 |
| 1998年11月号 | シリコン上で強誘電体の単結晶成長 | 早大 | 電波新聞 (1998年9月16日PP.1) | 単結晶成長 不揮発性メモリー FeRAM Si 強誘電体メモリー | 160 |
| 1998年11月号 | プレーナ型Si光検出器 -シリコン上に積層- | NEC | 日本工業新聞 (1998年9月8日PP.21) | ゲルマニウム光吸収層 FTTH | 240 |
| 1998年10月号 | FEDの新型電極 -次世代表示装置向けに開発- | 電総研 | 日経産業新聞 (1998年8月31日PP.5) | FED 電極 放電電流の変動 大画面表示 薄型表示装置 微細電極 薄型トランジスタ a-Si FED電極 TFTで電流ばらつ き低減 | 250 160 |
| 1998年10月号 | 赤外線で非破壊検査 | アドバンテスト | 日経産業新聞 (1998年8月5日PP.1) | シリコンウェハ 透過 汚れ検出 | 660 |
| 1998年 8月号 | 0.4V以下の超低電圧Si量子素子 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1998年6月24日PP.1) 日刊工業新聞 (1998年6月24日PP.11) 日経産業新聞 (1998年6月24日PP.5) | トンネル障壁 酸化膜 負性特性 エサキダイオード 消費電力 Si量子素子 超低電圧駆動 多結晶Si 量子化機能素子 3nm以下の薄いSi酸化膜 負性抵抗素子 3素子でメモリー | 220 120 |
| 1998年 8月号 | 高集積光素子 -精度向上に新手法- | NEC | 日経産業新聞 (1998年6月1日PP.5) | MOVPE SiO2被覆のすきま形状で性質と構造を制御 1.3〜1.55μmの発光素子と受光素子を同時作成 | 160 210 250 |
| 1998年 4月号 | プラスチックテレビスクリーン -厚さ2mmの薄型構造- | エプソン 英CDT | 日本工業新聞 (1998年2月17日PP.4) | プラスチック テレビスクリーン 発光プラスチック Poly-SiTFT 厚さ2mm | 250 |
| 1998年 4月号 | 世界最高速IC | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1998年2月5日PP.6) | 遮断周波数100GHz Si系HBT HBT 最大発振周波数100GHz 8psの伝搬遅延時間 40〜50Gbpsの光伝送システム用 | 220 |
| 1998年 3月号 | 高移動度連続粒界結晶Si半導体 | シャープ半導体エネルギー研究所 | 日本経済新聞 (1998年1月14日PP.13) 日刊工業新聞 (1998年1月14日PP.13) 電波新聞 (1998年1月14日PP.1) 日本工業新聞 (1998年1月14日PP.4) | CGS 液晶 システムオンパネル 電子移動度300cm2/Vs フルディジタル駆動 ディスプレイ シートコンピュータ 連続粒界結晶Si 高移動度 131万画素2.6型TFT液晶 Si 高速LSI | 250 220 |
| 1998年 2月号 | MOSトランジスタ用高信頼ゲート電極構造 -ゲート長0.25μm以下- | NEC | 電波新聞 (1997年12月8日PP.7) | LGP2層 SiOx | 220 160 |
| 1998年 2月号 | 界面の電子状態微細制御 | 科技振興事業団 | 日経産業新聞 (1997年12月8日PP.5) | 100nm未満 SiAu 縞模様 | 160 120 |
| 1997年12月号 | 赤外線伝送装置 -125Mbps伝送- | NEC | 日経産業新聞 (1997年10月22日PP.5) 電波新聞 (1997年10月22日PP.1) | 赤外線伝送装置 LED+Si受光素子 AV機器用 IEEE1349対応 最大125Mbps 伝送距離10m 無線ホームネットワーム IEC825-Class1 | 340 440 |
| 1997年12月号 | 光導波路素子 -温度変化に強く- | NTT | 日経産業新聞 (1997年10月6日PP.5) | 光導波路 アレイ導波路回折格子 Si樹脂性のプリズム 0〜80℃で0/05nmの変動 | 240 |
| 1997年10月号 | 電子顕微鏡を小型化できる新技術 | 富士通研 | 日本経済新聞 (1997年8月23日PP.10) | Si冷陰極 解像度0.2μm 電子銃 | 360 |
| 1997年 5月号 | 電子放出素子 -高効率で放出- | パイオニア | 日経産業新聞 (1997年3月18日PP.11) 電波新聞 (1997年3月18日PP.1) 電波新聞 (1997年3月19日PP.6) | 放出効率30% MIS構造 白金薄膜 多結晶Si HEED フラットパネルディスプレイ 効率30% 発光素子 電子放出 MISダイオード構造 高効率電子放出素子 | 150 250 |
| 1997年 5月号 | 無線通信用増幅素子 -Si製で2GHz用実用- | NTT | 日経産業新聞 (1997年3月7日PP.5) | 3V動作 Siバイポーラ 2GHzアンプ 無線LAN 2GHz Si 無線通信 増幅素子 | 220 240 |
| 1997年 5月号 | 色素分子による光メモリー-情報量DVDの200倍- | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年3月4日PP.1) | 色素分子 光メモリー 原子間力顕微鏡記録 光ファイバ読取り Tb級メモリー Si基板に有機分子蒸着 2010年頃実用化へ 色素 DVD | 130 230 360 |
| 1997年 3月号 | ダイヤモンドトランジスタ-Si基板に形成- | 早大 | 日経産業新聞 (1997年1月8日PP.4) | ダイヤモンド トランジスタ Si基板 2cm角 | 220 120 |
| 1997年 2月号 | 薄膜リボン型太陽電池 -両面発電 効率アップ- | 荏原 | 日経産業新聞 (1996年12月30日PP.1) | リボン型単結晶Si 100μm厚 変換効率28%目標 | 150 250 |
| 1997年 2月号 | FED基本素子 -低い電圧で安定動作- | 東芝 電総研 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年12月9日PP.5) 日本経済新聞 (1996年12月9日PP.17) 日経産業新聞 (1996年12月26日PP.4) | 6ホウ化ランタン陰極 低電圧駆動 陰極にトランジスタ 長寿命化 FED Siの鋳型 陰極 28V動作 3〜5Vの低電圧動作可能性 開口制御性向上 0.15μm幅開口 PN接合分離 | 250 260 |
| 1997年 1月号 | Si太陽電池 -変換効率17.1%- | 京セラ | 日刊工業新聞 (1996年11月6日PP.13) 電波新聞 (1996年11月9日PP.8) | 多結晶Si 基板表面に微小な凹凸 大面積多結晶 | 250 |
| 1997年 1月号 | 原子細線パターニング | 日立製作所 東大 | 日刊工業新聞 (1996年11月7日PP.6) | 原子リレートランジスタ 原子操作 走査トンネル顕微鏡 Si 原子細線 | 120 160 660 |
| 1997年 1月号 | 2nmのSi細線 -電子線露光で作製- | NTT | 日経産業新聞 (1996年11月5日PP.6) | 幅2nm エッチング 電子線露光 Si細線 単一電子トランジスタ | 120 260 160 |
| 1996年12月号 | レーザ受光素子-電子回路と一体化 -レーザ受光素子/電子回路と一体化 | NTT | 日経産業新聞 (1996年10月23日PP.4) | レーザ 受光素子 チップ Si電子回路 化合物半導体薄膜 | 160 220 250 |
| 1996年10月号 | 半導体の素子分離技術 -回路線幅0.25μmまで対応- | 松下電器産業 松下電子 | 日経産業新聞 (1996年8月28日PP.5) | CMOS トレンチ法 0.25μm幅 BとPを含むSiO2 | 260 160 |
| 1996年10月号 | 光送受信用接続器 -製造コスト1/10- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年8月22日PP.5) | 光ファイバ 150Mbps 12×12×4mm3 Si基板に溝 | 240 340 |
| 1996年 8月号 | 単一電子素子 | 東大 | 日経産業新聞 (1996年6月24日PP.5) | Si 単一電子素子 | 220 160 |
| 1996年 8月号 | Siで次世代素子 -混載LSI実現に道- | 東芝 | 日経産業新聞 (1996年6月24日PP.5) | トンネル効果 Si | 220 |
| 1996年 7月号 | Siで新素子 -消費電力1/10以下に- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年5月31日PP.4) | Si半導体 共鳴トンネル効果 消費電力1/10以下 | 220 |
| 1996年 7月号 | 反射型プロジェクタ用素子 | NHK技研 | 日経産業新聞 (1996年5月17日PP.5) | 光増幅 アモルファスシリコン 100本/mm 光素 大画面 | 250 |
| 1996年 7月号 | 低温多結晶SiTFTのLCD | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年5月9日PP.10) | LCD 低温多結晶SiTFT 130万画素 3.2インチ 光透過率60% Poly-SiLCD | 250 350 |
| 1996年 6月号 | 青色半導体レーザの新製造 -基板に炭化ケイ素利用- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年4月18日PP.5) | 青色レーザ 炭化ケイ素 SiC基板 高性能レーザ反射面 AlNでバッファ層形成 GaNレーザ 半導体レーザ 製造技術 | 250 260 |
| 1996年 6月号 | ワイヤ状極細Si結晶 | ソニー | 日本経済新聞 (1996年4月6日PP.10) | 結晶成長 カラー表示素子 Si結晶 | 250 160 |
| 1996年 5月号 | 新型赤外発光Si結晶 -10倍強力な赤外光発光- | 東大 | 日経産業新聞 (1996年3月28日PP.5) | 半導体レーザ Si結晶 赤外発光 従来比10倍 Si超格子 1.2μm -170℃で動作 | 250 150 |
| 1996年 4月号 | Si酸化膜で表面を高精度で平坦化する技術 | NEC | 日経産業新聞 (1996年2月23日PP.5) | Si酸化膜 CMP | 160 |
| 1996年 4月号 | 3D画像言語「VRML」新規格 -米56社 新規格合意- | 米シリコングラフィックス | 日経産業新聞 (1996年2月22日PP.1) | 3次元グラフィックス 動画 音声 JAVA VRML 3D画像言語 インタネット ムービングワールズ | 520 620 540 |
| 1996年 4月号 | 光通信の信号処理用IC -SiCMOSで作製- | NEC | 日経産業新聞 (1996年2月16日PP.5) | 光通信 Si LSI CMOS MUX/DEMUX 3Gbps | 220 240 |
| 1996年 3月号 | フルディジタル広帯域双方向マルチメディア通信システム | NTT 米シリコングラフィックス | 電波新聞 (1996年1月31日PP.2) | 光ATM MPEG-2 VOD IOD ZOETROPE ゾエトロープ | 440 520 540 |
| 1996年 3月号 | Si最小結晶構造を確認 | 工技院 アトムテクノロジー研究体 | 日刊工業新聞 (1996年1月17日PP.7) | シリコンクラスター | 120 160 |
| 1996年 3月号 | 最高速バイポーラトランジスタ -Si使い最高速素子- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1996年1月9日PP.5) | バイポーラ 70GHz Siトランジスタ Woベース電極 バイポーラトランジスタ 遅延時間14.3/s | 220 260 |
| 1996年 3月号 | 光検出器チップ -製造費用1割に- | NEC | 日経産業新聞 (1996年1月4日PP.4) | Si Ge 超格子 | 210 160 |
| 1995年12月号 | 001面のSi基板 -原子レベルで平坦化- | JRCAT | 日刊工業新聞 (1995年10月27日PP.7) | 次世代表面処理技術 水素終端プロセス | 160 |
| 1995年12月号 | 厚さ0.2mmの太陽電池 -フィルム状で低コスト- | TDK | 日経産業新聞 (1995年10月26日PP.1) | 太陽電池 a-Si ポリエステルフィルム 変換効率5%台 | 250 |
| 1995年12月号 | 最高性能の太陽電池 -Siで低価格，衛星向け，重量も半減- | シャープ NASDA | 日経産業新聞 (1995年10月12日PP.1) | 宇宙用太陽電池 | 250 |
| 1995年11月号 | 多孔質Si半導体で緑色発光発光 | ATR 筑波大 | 日刊工業新聞 (1995年9月28日PP.9) | ホトルミネッセンス 多孔質Si半導体 EL素子 | 250 150 |
| 1995年11月号 | 低温Poly-SiTFT-LCD -世界初 2.4型で23万画素- | 三洋電機 | 電波新聞 (1995年9月27日PP.1) 日経産業新聞 (1995年9月27日PP.11) 日刊工業新聞 (1995年9月27日PP.11) | Poly-SiTFT-LCD ドライバ回路一体化 低温ポリシリコン 液晶ディスプレイ 低コスト化 | 250 |
| 1995年 8月号 | 半導体レーザ -Si基板上に高速光配線に応用- | 沖電気 | 日経産業新聞 (1995年6月19日PP.1) | 化合物半導体レーザとSiの直接接合 光配線 | 250 260 |
| 1995年 7月号 | 3次元バーチャルセット -CGで新技術- | 日本シリコングラフィックス | 日経産業新聞 (1995年5月9日PP.7) | コンピュータグラフィックス(CG) リアルタイム | 520 |
| 1995年 5月号 | Si基板採用の人工網膜チップ -30倍速で画像検出- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1995年3月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年3月15日PP.9) 電波新聞 (1995年3月15日PP.1) | 人工網膜チップ 画素サイズ60μm 撮像素子 画像認識 MOSセンサ | 210 220 520 |
| 1995年 4月号 | 酸化Si高速成膜LCD -大型化に弾み- | 日本真空技術 | 日経産業新聞 (1995年2月7日PP.1) | 大型LCD CVD | 360 250 |
| 1995年 3月号 | Si結晶の表面構造変化 -電気抵抗1/1000に激減- | 東大 | 日経産業新聞 (1995年1月20日PP.5) | Si 結晶表面構造 電気抵抗1/1000 Si結晶の表面構造変化 Si結晶 結晶構造 超微細集積回路 | 120 160 220 |
| 1995年 3月号 | 光電子集積回路 -InP結晶をSi上に直接接合- | NEC | 日刊工業新聞 (1995年1月10日PP.7) | InP結晶 光電子集積回路 | 220 120 |
| 1995年 2月号 | シリコン電子銃 | 松下電器産業 電総研 | 電波新聞 (1994年12月13日PP.7) 日本工業新聞 (1994年12月13日PP.9) | Si微小電子源 低電圧 高密度 8V/14V 1μmピッチ マイクロ電子銃 8V動作 | 250 160 |
| 1995年 2月号 | 光を当てると絶縁体に変わるシリコン材料 | 東芝シリコーン | 日経産業新聞 (1994年12月5日PP.5) | Si材料 配線技術 | 100 |
| 1994年12月号 | SiGe系HBT -20Gbpsと最高速- | NEC | 日刊工業新聞 (1994年10月14日PP.7) | Si Ge系HBT | 440 220 |
| 1994年11月号 | 二重障壁構造の量子井戸 -1テラメモリーに道- | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1994年9月19日PP.15) | 単結晶Si 共鳴トンネル現象 | 220 230 |
| 1994年10月号 | 10nm幅のSi細線 - -173℃で量子効果- | NTT | 日経産業新聞 (1994年8月26日PP.5) | Si細線 量子効果 極細構造 | 160 220 |
| 1994年10月号 | 非晶質Si光センサ | 阪大 | 日刊工業新聞 (1994年8月23日PP.4) | 光センサ 非晶質 内部増幅型 撮像素子 内部増幅作用 | 210 |
| 1994年 9月号 | マイクロレンズ -厚さ一気に2〜4μm- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1994年7月22日PP.5) | 回折型Siマイクロレンズ | 110 160 210 |
| 1994年 9月号 | Si青や紫にも発光 | 理化学研 | 日本経済新聞 (1994年7月9日PP.10) | Si 発光 薄型テレビ | 120 250 |
| 1994年 8月号 | 初の21型TFTカラー液晶ディスプレイ | シャープ | 電波新聞 (1994年6月9日PP.1) 日経産業新聞 (1994年6月9日PP.8) 日本経済新聞 (1994年6月9日PP.12) 日本工業新聞 (1994年6月9日PP.7) 日刊工業新聞 (1994年6月9日PP.7) | 21インチテレビ 液晶ディスプレイ 大画面化 液晶表示装置 TFT LCD ディスプレイ a-Si薄膜トランジスタ 厚さ27mm | 250 350 |
| 1994年 7月号 | 500℃の環境に耐えるIC -高温電子デバイスの製造に道- | 米ゼネラルエレクトリック | 日経産業新聞 (1994年5月31日PP.4) | シリコンカーバイド 高温デバイス | 120 220 |
| 1994年 6月号 | Poly-SiTFT液晶ディスプレイ -3.4cmで51万ドット実現- | ソニー | 電波新聞 (1994年4月13日PP.8) 日刊工業新聞 (1994年4月13日PP.9) | Poly-SiTFT液晶ディスプレイ | 250 |
| 1994年 4月号 | 超小型継電器 | NTT | 日経産業新聞 (1994年2月18日PP.1) | 超小型リレー レーザ動作 10ms 光で切替え Si基板に集積 マイクロマシン 幅200μm 長さ1.5m厚さ10μm | 260 240 |
| 1994年 4月号 | ハイビジョン投写型ディスプレイ -1畳分でも鮮明画像- | 高度映像技研 | 日経産業新聞 (1994年2月9日PP.5) | ハイビジョン投写型ディスプレイ 初の多結晶Si 70インチ 液晶 ライトバルプ | 250 350 |
| 1994年 4月号 | Si薄板による微小光学素子 | NTT | 日経産業新聞 (1994年2月7日PP.4) | 160 260 | |
| 1994年 3月号 | タンデム型太陽電池 | 阪大 | 日経産業新聞 (1994年1月18日PP.5) | 太陽電池 タンデム型 光電変換効率21% a-Si/多結晶Si 変換効率21% | 250 |
| 1994年 2月号 | 単一電子メモリー -室温動作に成功- | 日立製作所 | 電波新聞 (1993年12月8日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月8日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年12月8日PP.9) 日本工業新聞 (1993年12月8日PP.6) | メモリー 初の室温動作 16Gb級 電子1個で1b記録 1カ月のメモリー Si結晶粒子 | 230 220 |
| 1993年11月号 | カラー液晶ディスプレイ b-0.7インチで18万画素を実現- | ソニー | 電波新聞 (1993年9月17日PP.1) | ディスプレイ poly-SiTFTカラー 18万pel/0.7インチ 液晶 TFT EVF カラー液晶ディスプレイ | 250 |
| 1993年10月号 | 量子細線のSi形成技術 -超々LSIの製作へ利用- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年8月30日PP.1) 日経産業新聞 (1993年8月30日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年8月30日PP.13) | 超々LSI 量子細線 | 220 |
| 1993年 9月号 | 多結晶TFT -電子移動度50%向上- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1993年7月2日PP.7) | 多結晶SiTFT LCD低コスト化 LCD小型化 | 250 220 |
| 1993年 8月号 | 静電容量型差圧センサ | 東芝 | 日本工業新聞 (1993年6月21日PP.17) | センサ Si薄膜 耐圧性はピエゾの10倍 感度500Pa以下 | 210 |
| 1993年 5月号 | 水晶とSi直接接続する製造加工技術 -振動子1/6に薄板化- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1993年3月23日PP.5) | 製造加工技術 水晶/Si接着 5μm(1/6) | 160 |
| 1993年 5月号 | ジョセフソン接合素子16kb級RAM | 電総研 | 日刊工業新聞 (1993年3月10日PP.5) | 処理 ジョセフソンメモリー 16kb アクセス速度100倍 消費電力1/20(Si系比) | 220 |
| 1993年 4月号 | Si結晶成長時の表面張力流観察に成功 | NEC | 電波新聞 (1993年2月9日PP.1) | Si結晶 表面張力流 | 120 |
| 1993年 3月号 | 超高密度記録技術 -新聞100年分を1円玉サイズに記録- | 日立製作所 | 電波新聞 (1993年1月8日PP.2) 日刊工業新聞 (1993年1月8日PP.9) | 原子レベル記録密度 20nmドット 高密度記録 原子間力顕微鏡 Si基板金1Tb/inch | 130 660 630 |
| 1993年 3月号 | 低温成膜多結晶SiTFTLCD | セイコーエプソン | 日経産業新聞 (1993年1月4日PP.1) | 低温Poly-SiTFT 多結晶SiTFT LCD 400〜600℃で低温成膜 ガラス基板 小型 400〜600℃ | 250 |
| 1993年 2月号 | 遅延時間19psのHBT | NEC | 電波新聞 (1992年12月15日PP.6) | HBT fmax50GHz 19ns SiGeベースHBT | 220 |
| 1993年 1月号 | 駆動回路内蔵型LCD | 富士ゼロックス | 日経産業新聞 (1992年11月26日PP.1) | 多結晶SiTFT 低温再結晶 LCD | 250 |
| 1993年 1月号 | 室温発光のSi系LED | 東大 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1992年11月25日PP.7) | シリコンゲルマニウムLED 室温動作 量子井戸構造 LED 室温発光 | 250 |
| 1993年 1月号 | 応答速80倍のLCD駆動素子 | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1992年11月11日PP.7) | 多結晶SiのTFT | 220 |
| 1993年 1月号 | 次世代半導体材料 -ストロンチウム・チタン酸化物- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1992年11月6日PP.4) | ストロンチウム チタン酸化物 容量50倍 Si利用の50倍にメモリー増 | 120 160 110 |
| 1992年11月号 | Si結晶成長観察技術 | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年9月19日PP.5) 日経産業新聞 (1992年9月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年9月19日PP.5) | 微小材料評価技術 原子レベル成長制御 | 100 160 |
| 1992年10月号 | 超高温環境技術 -Siで2500℃以上の高温実現- | 阪大 | 日経産業新聞 (1992年8月24日PP.5) | 超高温環境技術 Siを燃料 2500℃ | 120 |
| 1992年10月号 | SiGe交互層状で新機能創出へ -発光や高速化が可能- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1992年8月19日PP.6) | 半導体素子 SiGe交互層で新素子 | 120 |
| 1992年 9月号 | 究極の素子に挑むスーパーダイヤ計画 -Si上回る特性- | 科学技術庁 | 日刊工業新聞 (1992年7月22日PP.7) | 新材料 スーパダイヤモンド cBNとダイヤ膜 | 220 |
| 1992年 9月号 | 極低温で酸素析出観察 | 富士通 | 日刊工業新聞 (1992年7月14日PP.6) | 結晶欠陥 Siウェハ | 100 160 |
| 1992年 8月号 | シリコンガラスの光増幅 | 湘南工科大 | 日刊工業新聞 (1992年6月18日PP.6) | 波長可変レーザ | 250 |
| 1992年 6月号 | 12GHzSiトランジスタ | 日電 | 日経産業新聞 (1992年4月7日PP.9) 日刊工業新聞 (1992年4月7日PP.9) 日本工業新聞 (1992年4月7日PP.7) | シリコントランジスタ | 220 |
| 1992年 6月号 | Si表面にC60単結晶薄膜形成 | 東北大 三重大 | 日刊工業新聞 (1992年4月3日PP.1) | C60 :半導体/絶縁体/金属/超電導にもなる未来材料 | 100 120 |
| 1992年 5月号 | 世界最高の変換効率のSi太陽電池 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1992年3月19日PP.1) | Si太陽電池でエネルギー変換効率16.8% ハイブリッドコンタクト構造 | 220 |
| 1992年 4月号 | 高速・新電子波素子 | 東工大 | 日刊工業新聞 (1992年2月19日PP.5) | 応答0.2ps(Siの100倍) 共鳴トンネルダイオード 0.2ps | 220 |
| 1992年 4月号 | 5GbpsのECLゲートアレイ | 富士通 | 電波新聞 (1992年2月18日PP.6) 日経産業新聞 (1992年2月18日PP.9) 日刊工業新聞 (1992年2月18日PP.9) | ECLゲートアレイ シリコンIC 5Gbps | 220 |
| 1992年 3月号 | Si網膜チップ実現へ | 上智大 | 日刊工業新聞 (1992年1月17日PP.5) | ニューラルネット 1/8圧縮伝送 | 520 |
| 1992年 1月号 | 単結晶Si太陽電池 | シャープ | 日経産業新聞 (1991年11月14日PP.9) | 変換効率20.4% 5cm2の実用サイズ | 210 |
| 1991年12月号 | 多結晶Si系素子特性の新理論モデル | 東芝 | 日刊工業新聞 (1991年10月11日PP.4) | 多結晶Si 理論モデル 高電界特性 | 620 |
| 1991年12月号 | 高効率太陽電池 | シャープ 三洋電機 | 電波新聞 (1991年10月3日PP.1) 電波新聞 (1991年10月12日PP.6) | Si単結晶17.1% アモルファス11.1% | 250 |
| 1991年11月号 | 極薄絶縁膜形成技術 | 沖電気 | 日経産業新聞 (1991年9月5日PP.5) | 酸窒化シリコン膜，厚さ5nm 256M〜1GbDRAM用 | 260 |
| 1991年10月号 | 電源を落としても情報を失わないFRAM | ラムトン | 電波新聞 (1991年8月8日PP.4) | FRAM Siウェハ上にセラミックフィルム | 230 |
| 1991年 9月号 | Si超微粒子を安定発光 | 電通大 | 日本工業新聞 (1991年7月25日PP.15) | ガス中蒸発法 酸化被膜 アルゴンレーザ励起 | 250 |
| 1991年 8月号 | Si基板に光素子 | NTT | 電波新聞 (1991年6月26日PP.2) | 常温で1000時間寿命(これまで10数時間) 300μm2 連続発光可 耐用10年 常温発振 チップ間で光信号を送る | 250 150 |
| 1991年 8月号 | Si網膜チップ | カリフォルニア工科大 | 日経産業新聞 (1991年6月24日PP.5) | Si網膜チップ 2500個の画素 3層構造で信号処理 | 210 220 |
| 1991年 7月号 | 発光するSi実現 | NTT | 日刊工業新聞 (1991年5月15日PP.9) 日経産業新聞 (1991年5月15日PP.5) | 素材 量子サイズ効果で発光 Si原子 微細加工 | 150 |
| 1991年 5月号 | 600℃の低温熱処理による高性能結晶性SiTFT | TDK | 電波新聞 (1991年3月19日PP.7) | 低温熱処理 低価格なガラスベース基板 | 220 |
| 1991年 5月号 | MEEでGaAsとSiの混晶作成に成功 -準安定状態で成長- | NTT | 日刊工業新聞 (1991年3月12日PP.5) | MEE法 成長温度450〜500℃Si比率25%時に高品質 | 160 |
| 1991年 4月号 | Si基板上のGaAs結晶欠陥1/100に -低温成長で数万個 歪み超格子狭み- | NTT | 日刊工業新聞 (1991年2月7日PP.0) | 転位密度:数万個/cm2MEE法を用い Si基板にGa As結晶を成長 低温結晶成長 | 160 |
| 1991年 4月号 | 米粒大の光・電気変換装置 -微小機械の動力源に- | 東北学院大 | 日経産業新聞 (1991年2月5日PP.0) 日刊工業新聞 (1991年2月5日PP.0) | マイクロマシンの駆動力公電変換 フォトセル 多尺 薄膜トランス電極をSi基板上に一体形成 3.0mm×1.4mmの大きさ830mm 130mW光で510mV(1kl)の出力 変換効率5〜10% | 310 |
| 1991年 2月号 | 10psの超高速トランジスタ | 日電 | 電波新聞 (1990年12月12日PP.0) | Siバイポーラトランジスタでゲート間遅延時間10ps 3空年後に製品化 | 220 |
| 1991年 2月号 | 負性抵抗効果を確認 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1990年12月11日PP.0) | Si系量子細線(0.1μm)素子で負性抵抗効果を確認 RHET(共鳴トンネリングホットトランジスタ)では確認されていたがシリコン系は初めて | 220 |
| 1991年 1月号 | 64Mb級DRAMの10nm厚極薄窒化Si膜形成技術 | 沖電気 | 電波新聞 (1990年11月16日PP.0) | 急速加熱法で極薄膜のSiN 純酸素を亜酸化窒素に置き換え | 260 |
| 1990年12月号 | 世界初 Si原子結晶撮影 | 科学技術庁 無機材質研 | 日本経済新聞 (1990年11月3日PP.0) | 原子間距離1.3Aの結晶構造を黒い点としてとらえた | 120 |
| 1990年12月号 | 分子大の文字を描く | NTT | 日経産業新聞 (1990年10月25日PP.0) | Si基板にGeSe化合物 AgSe化合物をつけたフィルム材料 走査型トンネル電子顕微鏡の探針で原子をとばして溝を掘った 溝幅13nm 文字サイズ:40×70nm | 160 |
| 1990年12月号 | ガリひ素上回る高速動作FET | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1990年10月12日PP.0) | Si系FET 液晶窒素温度 電界効果移動度:10m/s SiGeのヘテロ接合 キャリアは正孔 | 220 |
| 1990年11月号 | Si基板にInP素子 | NTT | 日経産業新聞 (1990年9月24日PP.0) | β=200 | 260 |
| 1990年10月号 | Si基板上にGaAsを発光素子に利用 | 東工大 | 日刊工業新聞 (1990年8月31日PP.0) | 250 | |
| 1990年10月号 | 単純な新容量セル | 日電 | 日刊工業新聞 (1990年8月24日PP.0) | 80nm直径の半球状結晶つぶPoly-Si 容量2倍 | 130 |
| 1990年10月号 | 量子効果トランジスタ | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1990年8月24日PP.0) | Si | 220 |
| 1990年10月号 | Si基板上GaAs成長 | 富士通 東工大 | 日刊工業新聞 (1990年8月21日PP.0) | 電子移動度2500cm/Vs | 100 |
| 1990年 9月号 | 世界最大カラー液晶表示器 | 星電器 | 日経産業新聞 (1990年8月1日PP.0) 電波新聞 (1990年8月1日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年8月1日PP.0) | 15インチ 1280×800画素 a-SiTFT アクティブマトリックス | 250 |