Japanese only.

タングステン 関係の注目記事
学会誌に掲載された記事は青色で表示しています。

掲載
予定
題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
2017年 5月号単一超電導ナノチューブ利用
トランジスタ開発
東大日刊工業新聞
(2017年2月27日PP.21)
二硫化タングステンナノチューブにおいて超電導の発現を発見。単一ナノチューブにおける超電導の初めての報告。220
2016年11月号MRAM素子 薄膜で構成東北大など日刊工業新聞
(2016年8月18日PP.1)
磁気トンネル接合素子の出力を従来比約2倍の200mV
メモリー
MRAM
タングステン
230
2013年 2月号電子移動度が高い半導体物材機構
理研
住友金属鉱山
日経産業新聞
(2012年11月7日PP.7)
IWO(インジウム
タングステン
酸素)
電子移動度18
作製温度は100℃
IGZO(In・Ga・Zn・O)後継の半導体試作
250
220
2013年 2月号機能変更できる半導体素子物材機構
UCLA
日経産業新聞
(2012年11月27日PP.10)
「オンデマンド素子」
酸化タングステンと白金で挟みこむ
入力電圧によりダイオード
キャパシタ
スイッチ等として機能
120
220
2013年 1月号膜厚10nmの金属酸化膜トランジスタ物材機構
理研
日刊工業新聞
(2012年10月18日PP.24)
酸化タングステン(W2O3)
100℃で成膜が可能
120
220
2010年11月号光を吸収する金属材料名大
九大
日経産業新聞
(2010年8月10日PP.10)
タングステン
厚さ数10〜数100nmの繊維状の突起が密集した構造
波長0.4〜1.5μmの光を当てると98%以上は金属に取り込まれる
120
2009年11月号ナノサイズの電子回路配線技術阪大日刊工業新聞
(2009年8月28日PP.1)
シリコンナノチェインがCNTに変化
タングステンの針で数十Vの電圧印加
直径10〜20nm
ワイヤ状のナノ材料に電圧でCNTを生成
120
160
2009年 5月号燃料電池向け非白金触媒農工大日経産業新聞
(2009年2月4日PP.11)
コバルトとタングステンを主原料に窒素を添加
触媒性能は白金の15%
250
2008年 9月号水素イオン電導1万倍に豊橋技科大日経産業新聞
(2008年6月27日PP.11)
硫酸水素セシウム
リン・タングステン酸
100℃以上での性能維持可能
強い力でかき混ぜて原子結合に欠陥生成
250
160
2005年 5月号a-SiTFT製造技術北陸先端大日経産業新聞
(2005年2月8日PP.9)
動作電圧変動1/6
有機EL用
触媒CVD
タングステン触媒
シランガス・水素ガス
160
220
250
2003年 2月号多層CNTで10倍高輝度の電子線
-安定で超寿命-
蘭フィリップス日刊工業新聞
(2002年11月28日PP.5)
多層CNT(MWCNT)
タングステンチップの上に固定
120
360
2002年 4月号触媒使う薄膜製造技術
-超大型液晶に期待-
北陸先端大朝日新聞・夕刊
(2002年1月16日PP.12)
触媒化学気相成長法
タングステン線材
生産性は従来方式の2.5〜5倍
低温で製造
大型薄膜の製造方法
160
2000年 2月号1GHzの微小トランジスタ日立日経産業新聞
(1999年12月7日PP.5)
1GHz
ゲート長0.1μm
トランジスタ
CMOS
2層構造絶縁膜
タングステン薄膜
220
1999年10月号タングステン微粒子レーザ照射で整列機械技研
真空冶金
日刊工業新聞
(1999年8月5日PP.6)
タングステン
短パルスレーザ
平面ディスプレイ
FED
タングステン微粒子
160
150
250
1999年 2月号0.18μmDRAM混載技術
-性能と低コスト両立-
NEC日刊工業新聞
(1998年12月8日PP.6)
0.18μmプロセス
タングステンプラグ
230
1996年12月号カラーブラウン管の新型カソー
-明るさ50%向上-
三菱電機電波新聞
(1996年10月22日PP.2)
日刊工業新聞
(1996年10月22日PP.13)
タングステン蒸着カソード
高輝度
フォーカス性能向上
電流密度1.5倍
250
150
1993年 4月号世界最小の歯車東芝電波新聞
(1993年2月9日PP.2)
日経産業新聞
(1993年2月9日PP.5)
日刊工業新聞
(1993年2月9日PP.12)
日本工業新聞
(1993年2月9日PP.13)
マイクロマシン
マイクロギア
放電加工
タングステンワイヤ
歯車
直径0.3mm
世界最小
160
360
1991年10月号原子スイッチ
-1個の原子で電流開閉-
米IBM電波新聞
(1991年8月16日PP.2)
日経産業新聞
(1991年8月16日PP.4)
原子スイッチ
タングステン
ニッケル電極にキセノン原子
1個の原子でon-off
電子素子
スイッチング素子
220
120
230
ITE homepage is here.