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トンネル効果 関係の注目記事
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題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
2015年 3月号トンネルFETの長寿命化を実証

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2014/pr20141216_2/pr20141216_2.html
産総研日刊工業新聞
(2014年12月17日PP.23)
電界効果トランジスタ(MOSFET)に比べて10万倍以上長寿命,センサネットワーク回路の駆動に必要な相補型金酸化膜半導体の構成に使用220
2014年 3月号より低電圧で動作するトンネルFET東大日経産業新聞
(2013年12月18日PP.6)
日刊工業新聞
(2013年12月27日PP.13)
Znの拡散による不純物分布を持つ新型接合技術
動作電圧0.3V
接合部にZn拡散
従来の1/3の電圧で動作
220
260
120
2014年 1月号高感度なスピントルクダイオード阪大
産総研
日刊工業新聞
(2013年10月21日PP.16)
磁気トンネル接合素子
半導体ダイオードの3倍感度
ナノサイズ磁石利用
非線形効果
220
2013年 9月号動作電流が大きなトンネルFET産総研日経産業新聞
(2013年6月11日PP.9)
日刊工業新聞
(2013年6月13日PP.21)
合成電界効果トンネルFET
立体構造
220
2013年 6月号テラヘルツ波で透過画像を得るモジュールパイオニア
ローム
日刊工業新聞
(2013年3月26日PP.8)
共鳴トンネルダイオード
樹脂ケース内部をX線を使わずに透過
210
2012年 7月号動作寿命10年間のMRAM超低電圧デバイス技術研究組合日刊工業新聞
(2012年4月17日PP.20)
MTJ素子のトンネル絶縁膜層を分割して作成
0.5V以下の低い電圧で10年間安定動作
MRAM混載LSI
低消費電力
次世代の不揮発性磁気メモリー
230
2012年 2月号光通信並みの速さの無線通信素子阪大
ローム
日刊工業新聞
(2011年11月22日PP.8)
日経産業新聞
(2011年11月22日PP.10)
300GHz
1.5×3.0mmの半導体基板
1.5Gbps伝送
トンネル効果
縦1cm
横2cmの大きさの素子
テラヘルツ波の送受信
240
120
340
440
2011年10月号熱で情報を入力する新現象産総研
オランダ基礎科学財団
日刊工業新聞
(2011年7月5日PP.22)
ゼーベック・スピントンネル現象
熱を利用して磁性体の電子スピンが持つデジタル情報をSi中に入力
230
120
2011年 6月号GaMnAs半導体の強磁性発現の構造発見東大日刊工業新聞
(2011年3月3日PP.22)
共鳴トンネル分光法
フェルミ準位の位置を解明
120
2010年 8月号スピンRAMの5Gb超の大容量化技術産総研日刊工業新聞
(2010年5月14日PP.18)
日経産業新聞
(2010年5月14日PP.10)
トンネル磁気抵抗素子(TMR素子)
MgO層の厚さを約1nmに
高いスピン分極
磁気抵抗比85%
素子抵抗値約4Ωμm2
230
2010年 3月号スピンMOSトランジスタの基本技術東芝電波新聞
(2009年12月9日PP.1)
電子スピン
ロジックLSI
メモリー機能
磁気トンネル接合
スピン注入磁化反転
230
2009年11月号室温で世界最高の磁気抵抗効果を示す素子東北大日刊工業新聞
(2009年8月6日PP.25)
2枚の強磁性膜に絶縁膜を挟む構造
強磁性トンネル接合(MTJ)
二重トンネル障壁MTJ
中間磁性膜厚さ1.2nm
電圧約±0.1Vで磁気抵抗効果最大
120
230
2009年 6月号2層CNTの内部構造を観察する技術日立
名大
東北大
日経産業新聞
(2009年3月23日PP.12)
走査型トンネル顕微鏡(STM)
電子の干渉
先端直径30nm以下のSTM探針
0.1V印加
外側の直径2nm
内側の直径1.4nmの2層CNT
画像処理で電子の密度を色の濃淡で示す
120
360
2009年 4月号フラーレン-コバルト薄膜のTMR効果の機構解明原子力機構
自然科学研究機構
東北大
東大
日刊工業新聞
(2009年1月23日PP.22)
巨大トンネル磁気抵抗
スピン偏極
X線磁気円偏光2色性分光
局在スピン
120
2009年 2月号書換え電流抑え微細化したMRAM技術富士通研日刊工業新聞
(2008年11月12日PP.1)
スピン注入磁化反転方式
書換え電流従来比1/3程度
磁気トンネル接合素子(MTJ)
220
230
2008年11月号高性能強磁性トンネル接合素子で高周波発振に成功阪大
産総研
キヤノンアネルバ
日刊工業新聞
(2008年8月29日PP.31)
数-10GHz
発振出力約0.2μW
磁極フリー層(CoFeB)
絶縁性のトンネル障壁層(MgO)
磁極固定層(CoFeB)の3層構造
スピンの歳差運動
同素子を70nm×160nm断面の柱状に加工
120
220
2007年 3月号MRAM大容量化に道を開く磁性体加工の新技術東北大日刊工業新聞
(2006年12月5日PP.1)
パルス変調プラズマ方式
磁性体膜の揮発性の大幅向上
磁性特性の劣化改善
磁気トンネル接合素子
160
2006年 7月号共鳴トンネルダイオード使用で新回路動作に成功上智大
独デュースブルク・エッセン大
日刊工業新聞
(2006年4月6日PP.24)
超電導ジョセフソン接合素子(JJ)
室温で200GHz動作可能
4RTD回路
Al・Asの二重障壁層とIn・Ga・As系の積層構造で井戸層からなるRTD
試作サイズ15〜25μm2
論理積(AND)論理和(OR)回路
160
120
220
2006年 2月号磁気抵抗比55%のMRAM
-パーマロイ系材料を使用-
東芝
NEC
日刊工業新聞
(2005年11月2日PP.26)
磁気トンネル接合(MTJ)の磁気固定層にAl2O3のトンネル絶縁層を介してNiFeのパーマロイ系フリー層を積層
新キャップ層として非磁気層のNiFeZr
512KbMRAM試作
160
230
120
2005年 9月号MRAM新型セル
-2つのトンネル接合直列に-
富士通研日刊工業新聞
(2005年6月17日PP.25)
磁気トンネル接合(MTJ)
高信頼性
歩留まり向上
読出しに電圧センス方式
230
2005年 6月号トンネルダイオード(RTD)新論理回路開発上智大日刊工業新聞
(2005年3月18日PP.26)
超電導ジョセフソン接合素子(JJ)
微分負性抵抗(NDR)
4JJ論理回路のJJをRTDに置き換え
すべての論理回路構成可能
室温で200GHz動作予測
120
140
2005年 3月号トンネル絶縁膜厚さ2.7nmのフラッシュメモリー
-二重接合技術で実現-
東芝日刊工業新聞
(2004年12月17日PP.33)
1nmの2枚のシリコン酸化膜で2nm径のシリコン微結晶をサンドウィッチ
クーロンブロッケード効果
単一電子素子
160
230
2004年12月号走査型トンネル電子顕微鏡(STM)
-半導体の不純物分布を数ナノレベルで計測-
半導体MIRAIプロジェクト日経産業新聞
(2004年9月6日PP.7)
Si表面をNH4Fで処理
洗浄用純水中の酸素濃度を減らし
映像ノイズを減らす
660
360
2004年11月号高温超電導の仕組みの一端を解明
-格子状の電子分布-
理化学研
JST
日刊工業新聞
(2004年8月26日PP.25)
日経産業新聞
(2004年8月26日PP.7)
銅酸化物二次元面を走査型トンネル電子分光で擬ギャップ状態を観察
カルシウム銅オキシクロライド
120
660
2004年 6月号単結晶トンネル磁気抵抗素子(TMR)
-記憶容量10倍-
産総研
JST
日経産業新聞
(2004年3月3日PP.8)
日刊工業新聞
(2004年3月3日PP.25)
MRAM
室温で磁気抵抗88%
出力電圧380mV
MgO
230
2007年 3月号MRAM大容量化に道を開く磁性体加工の新技術東北大日刊工業新聞
(2006年12月5日PP.1)
パルス変調プラズマ方式
磁性体膜の揮発性の大幅向上
磁性特性の劣化改善
磁気トンネル接合素子
160
2006年 7月号共鳴トンネルダイオード使用で新回路動作に成功上智大
独デュースブルク・エッセン大
日刊工業新聞
(2006年4月6日PP.24)
超電導ジョセフソン接合素子(JJ)
室温で200GHz動作可能
4RTD回路
Al・Asの二重障壁層とIn・Ga・As系の積層構造で井戸層からなるRTD
試作サイズ15〜25μm2
論理積(AND)論理和(OR)回路
160
120
220
2002年10月号「スピン偏極共鳴トンネル効果」発見
-新機能素子実現に道-
産業総研
科学技術振興事業団
日本工業新聞
(2002年7月12日PP.2)
日本経済新聞
(2002年7月12日PP.17)
スピン偏極共鳴トンネル効果
厚さ3μmのCuと単結晶Co
素本偏極量子井戸準位確認
120
220
230
2002年 6月号シリコン系素材で共鳴トンネル効果静岡大日刊工業新聞
(2002年3月4日PP.8)
光デバイスとの一体化回路の微細化に有効
-258℃〜-173℃で電流ピークを確認厚さ2mm
120
220
2001年 6月号新トランジスタ
-3種類の信号で複雑演算可能に-
NEC日本経済新聞
(2001年4月6日PP.17)
多値トランジスタ
GaAs
2ヶ所のトンネル接合
220
2001年 4月号スピンSTMで新手法
-原子レベルで磁化分布検出-
東芝日刊工業新聞
(2001年2月22日PP.1)
スピン走査トンネル顕微鏡
ダブルバイアス法
分解能1nm
トンネル電流1nA以下
360
2001年 4月号任意の位置に分子1個分の配線理化学研日刊工業新聞
(2001年2月8日PP.6)
日経産業新聞
(2001年2月8日PP.12)
ジアセチレン化合物分子
ナノ細線
走査形トンネル顕微鏡(STM)
160
2000年 6月号微細な磁界分布を観察する顕微鏡東海大日刊工業新聞
(2000年4月6日PP.6)
走査形マイクロホールプローブ顕微鏡(SHPM)
ホールセンサ
走査トンネル顕微鏡
1μm以下の分解能
360
2000年 3月号次世代HDD用トンネルMRヘッドNEC日本工業新聞
(2000年1月28日PP.25)
HDD
再生ヘッド
TMRヘッド
40〜50Gb/in2
INO法
230
210
1999年12月号次世代HDD用スピントンネル素子NEC日本工業新聞
(1999年10月14日PP.15)
スピントンネル素子
トンネル効果
スピン効果
MR比30%
40Gb/in2
210
230
1999年 7月号固体電子素子で量子コンピュータ動作確認NEC
科学技術振興事業団
日刊工業新聞
(1999年4月29日PP.5)
日本工業新聞
(1999年4月30日PP.17)
超電導単一電子帯トンネル素子
Al薄膜
量子コンピュータ
420
1998年12月号室温で巨大トンネル磁気抵抗効果を示す新材料アトムテクノロジー研究体
(JRCAT)
日経産業新聞
(1998年10月15日PP.5)
日刊工業新聞
(1998年10月15日PP.5)
セラミックス
巨大トンネル磁気抵抗効果(TMR)
コロッサル磁気抵抗(CMR)
ストロンチウム 鉄 モリブデン
二重ペロブスカイト構造
トンネル伝導
高密度記録ヘッド
120
130
1998年11月号DRAMを越える新メモリー-MRAM-東芝日本経済新聞
(1998年9月19日PP.11)
固体磁気メモリー
MRAM
大容量
高速読出し
アルミナ絶縁層
PtCo合金
強磁性二重トンネル接合
フォトリソグラフィ
読出し速度6ns
不揮発性メモリー
230
1998年10月号単一電子メモリー
-室温で単一電子動作-
電総研日経産業新聞
(1998年8月26日PP.4)
単一電子メモリー
室温動作
多重トンネル接合
230
220
1998年10月号サブミクロンサイズのジョセフソン素子
-高温超電導単結晶を採用-
東北大日経産業新聞
(1998年8月21日PP.5)
電波新聞
(1998年8月21日PP.2)
超電導素子
ジョセフソン素子
単一電子の制御
素子の微細化
超電導
FIB加工技術
BiSrKCu酸化物
面積1μmで単電子
トンネル効果
液体ヘリウム温度動作
120
220
1998年 8月号0.4V以下の超低電圧Si量子素子松下電器産業電波新聞
(1998年6月24日PP.1)
日刊工業新聞
(1998年6月24日PP.11)
日経産業新聞
(1998年6月24日PP.5)
トンネル障壁
酸化膜
負性特性
エサキダイオード
消費電力
Si量子素子
超低電圧駆動
多結晶Si
量子化機能素子
3nm以下の薄いSi酸化膜
負性抵抗素子
3素子でメモリー
220
120
1998年 8月号超小型トランジスタ
-金属使い集積度100倍-
北陸先端院大
海軍研究所(米)
日本経済新聞
(1998年6月22日PP.19)
金属製トランジスタ
トンネル効果
高集積
LSI
高集積化
220
120
1998年 5月号走査型トンネル顕微鏡
-144個の原子を一挙に操作-
米コーネル大日経産業新聞
(1998年3月24日PP.5)
走査型トンネル顕微鏡
STM
大容量メモリー
原子記憶素子
360
230
1998年 2月号単一電子素子スイッチNTT日経産業新聞
(1997年12月10日PP.5)
電波新聞
(1997年12月10日PP.2)
単一電子素子
トンネル効果
電子1個を電流制御
220
1998年 1月号4000%の磁気抵抗効果を観測アトムテクノロジー研究体(JRCAT)日刊工業新聞
(1997年11月26日PP.6)
層状マンガン酸化物
トンネル磁気抵抗
120
130
1998年 1月号スピントンネル素子
-電気抵抗2ケタ低減-
NEC日刊工業新聞
(1997年11月7日PP.5)
スピントンネル素子
次世代HDD用
Fe/Al2O3/CoFe
真空連続成膜
2.4μΩ/cm2
210
230
1997年12月号SRAM小型化技術東芝日経産業新聞
(1997年10月15日PP.5)
トンネル効果
3トランジスタ
負性抵抗
NOSトランジスタ
SOI構造
0.35μmプロセス
室温動作
220
230
1997年10月号単一電子メモリー
-3値でデータを蓄積-
農工大日経産業新聞
(1997年8月27日PP.5)
半導体メモリー
多値記録
コンデンサをトンネル接合でサンドイッチ
シミュレーション
130
230
1997年10月号超高速の半導体素子ソニー
日本経済新聞
(1997年8月25日PP.19)
半導体素子
量子化機能素子
共鳴トンネルダイオード
220
1997年 7月号多値回路用トランジスタNEC日経産業新聞
(1997年5月19日PP.5)
負性抵抗
多ピーク
多値回路用トランジスタ
GaAs
複数のトンネル接合
3値電流出力
メモリーを試作
220
1997年 1月号原子細線パターニング日立製作所
東大
日刊工業新聞
(1996年11月7日PP.6)
原子リレートランジスタ
原子操作
走査トンネル顕微鏡
Si
原子細線
120
160
660
1996年11月号多値論理回路試作NTT日経産業新聞
(1996年9月23日PP.4)
共鳴トンネル素子
HEMT
InGaAs系
多値回路
4値
室温動作
220
1996年10月号Tb級メモリー富士通電波新聞
(1996年8月26日PP.6)
メモリー
Tb
共鳴トンネル効果
230
220
1996年 8月号Siで次世代素子
-混載LSI実現に道-
東芝日経産業新聞
(1996年6月24日PP.5)
トンネル効果
Si
220
1996年 7月号Siで新素子
-消費電力1/10以下に-
松下電器産業日経産業新聞
(1996年5月31日PP.4)
Si半導体
共鳴トンネル効果
消費電力1/10以下
220
1995年10月号高温超電導下ジョセフソン効果観測技術NTT電波新聞
(1995年8月29日PP.2)
日経産業新聞
(1995年8月29日PP.5)
日刊工業新聞
(1995年8月29日PP.6)
ジョセフソン素子
4.2〜80K超電導
高速新デバイスに道
高温超電導体
トンネル効果
220
120
660
1995年 6月号単電子トンネルトランジスタ東洋大日刊工業新聞
(1995年4月21日PP.5)
単電子トランジスタ220
1994年11月号二重障壁構造の量子井戸
-1テラメモリーに道-
松下電器産業日刊工業新聞
(1994年9月19日PP.15)
単結晶Si
共鳴トンネル現象
220
230
1994年10月号1Gb以上対応トランジスタNEC日本工業新聞
(1994年8月16日PP.5)
0.1μmプロセス
DRAM
1GbDRAM以上
トンネル効果を利用
220
230
1994年 6月号3顕微鏡を複合化広島大日刊工業新聞
(1994年4月5日PP.6)
走査トンネル顕微鏡
原子間力顕微鏡
走査容量顕微鏡
360
1994年 4月号第2世代量子効果トランジスタMERHET
-1素子で論理動作-
富士通電波新聞
(1994年2月17日PP.6)
日刊工業新聞
(1994年2月17日PP.7)
量子効果トランジスタ
ME(マルチエミッタ)
LSIを1/10小型化
RHET(共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタ)
220
1994年 2月号共鳴トンネルトランジスタ
-金属と絶縁体で試作-
東工大日経産業新聞
(1993年12月6日PP.5)
共鳴トランジスタ220
1993年11月号表面トランジスタ
-ギガビット級に道-
NEC日経産業新聞
(1993年9月27日PP.5)
日本経済新聞
(1993年9月27日PP.19)
ギガビット級LSI
STT
トンネル効果
220
1993年11月号光スイッチ用新半導体材料富士通研日刊工業新聞
(1993年9月2日PP.1)
超高速スイッチング
トンネル効果
光スイッチ材料
トンネル双量子井戸
スイッチ速度1〜2ps
応答速度1000倍
240
120
1993年 4月号単一電子メモリー
-動作実験成功-
日立製作所英国研
ケンブリッジ大
電波新聞
(1993年2月19日PP.1)
日経産業新聞
(1993年2月19日PP.5)
日刊工業新聞
(1993年2月19日PP.7)
電波ハイテクノロジー
(1993年2月25日PP.0)
電子1個で情報記録
クーロンブロッケード現象
極超低温動作
メモリー
16Gb
多重トンネル接合(MTJ)
単一電子メモリー
半導体メモリー
新原理メモリー
容量1000倍
230
220
1993年 2月号HEMTと共鳴トンネルダイオードを一体化富士通研日経産業新聞
(1992年12月15日PP.5)
電波新聞
(1992年12月15日PP.6)
日刊工業新聞
(1992年12月15日PP.9)
HEMT
共鳴トンネルダイオード
220
1993年 2月号多数信号処理の新型トランジスタ
-量子波素子を直列接続-
NTT日刊工業新聞
(1992年12月1日PP.9)
日経産業新聞
(1992年12月1日PP.5)
共鳴トンネル効果
多入力
重み付け演算
量子効果
負性抵抗
量子波素子
4入力演算機能
220
1993年 1月号新スイッチング素子東大日経産業新聞
(1992年11月9日PP.5)
トンネル現象
GaAs
スイッチング素子
電子波スイッチング素子
トンネル現象利用
220
240
1992年11月号10Gbの量子化メモリー素子
-1チップで文庫本5000冊-
富士通日刊工業新聞
(1992年9月28日PP.1)
トンネル共鳴
量子効果
量子化メモリー
10Gb
新型メモリー
RHET/トンネルダイオード
230
1992年11月号超高密度記録・消去STMメモリー
-室温大気中で10nmレベル-
NEC電波新聞
(1992年9月9日PP.1)
日経産業新聞
(1992年9月9日PP.5)
日刊工業新聞
(1992年9月9日PP.9)
記録波長10nm
超高密度記録再生
トンネル顕微鏡(STM)
1インチ四方に1兆ビット
書換え可能STMメモリー
ピット径10nm
CDROMの3000倍
230
330
1992年 4月号高速・新電子波素子東工大日刊工業新聞
(1992年2月19日PP.5)
応答0.2ps(Siの100倍)
共鳴トンネルダイオード
0.2ps
220
1991年12月号トンネル接合素子三洋電機電波新聞
(1991年10月12日PP.2)
日経産業新聞
(1991年10月12日PP.5)
日刊工業新聞
(1991年10月12日PP.5)
BKBOエピタキシャル薄膜
超電導論理素子
トンネル接合素子
高温超電導素子
220
1991年11月号超高速新トランジスタ
-トンネル効果利用-
NTT電波新聞
(1991年9月13日PP.3)
日経産業新聞
(1991年9月13日PP.5)
日刊工業新聞
(1991年9月13日PP.9)
結合量子井戸構造
電流増幅率5.5
増幅確認
トンネル効果利用の共鳴トンネルトランジスタ
動作速度0.1ps(現在最高速の19倍)
動作速度0.1ps(現在最高速の19倍)
量子とじ込めシュタルク効果
220
1991年 3月号固体表面から原子1個ずつはぎ取る日立製作所日経産業新聞
(1991年1月15日PP.0)
電波新聞
(1991年1月15日PP.0)
屋温
走査型トンネル顕微鏡
一文字2nm口
130
430
1990年12月号分子大の文字を描くNTT日経産業新聞
(1990年10月25日PP.0)
Si基板にGeSe化合物
AgSe化合物をつけたフィルム材料
走査型トンネル電子顕微鏡の探針で原子をとばして溝を掘った
溝幅13nm
文字サイズ:40×70nm
160
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