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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2017年10月号 | 電子が偏る様子観測 | 東京農工大 | 日経産業新聞 (2017年7月28日PP.12) | レーザ 微細加工 電子の偏り ナノメートルサイズ | 120 250 160 |
| 2016年 9月号 | LSI回路幅半分に | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年6月30日PP.8) | LSI(大規模集積回路) グラフェン 微細加工 | 220 |
| 2016年 9月号 | 銅メッキで微細メッシュ タッチパネル 透明電極に応用 | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2016年5月20日PP.1) | 銅メッキ 微細メッシュ タッチパネル | 160 |
| 2016年 7月号 | 機械振動子に量子ドット組み込み 微細振動高感度検出 http://www.ntt.co.jp/news2016/1604/160411a.html | NTT | 日刊工業新聞 (2016年4月12日PP.23) | 量子ドット メカニカル振動子 ハイブリッド素子 力や磁気などの極限計測技術を量子限界にまで向上 | 210 |
| 2016年 7月号 | 微細な電子回路量産 | 産総研など | 日刊工業新聞 (2016年4月21日PP.23) | スーパーナップ法を開発，フィルムに電子回路状の紫外線を当てインクを塗布 | 160 |
| 2016年 7月号 | 機械振動子に量子ドット組み込み 微細振動高感度検出 http://www.ntt.co.jp/news2016/1604/160411a.html | NTT | 日刊工業新聞 (2016年4月12日PP.23) | 量子ドット メカニカル振動子 ハイブリッド素子 力や磁気などの極限計測技術を量子限界にまで向上 | 210 |
| 2016年 7月号 | 微細な電子回路量産 | 産総研など | 日刊工業新聞 (2016年4月21日PP.23) | スーパーナップ法を開発，フィルムに電子回路状の紫外線を当てインクを塗布 | 160 |
| 2016年 6月号 | Q値 世界最高水準150万 光ナノ共振器大量作成 http://www.osakahu-u.ac.jp/info/publicity/release/2015/pr20160316.html | 大阪府大 産総研 | 日刊工業新聞 (2016年3月17日PP.27) | Q値150万 光ナノ共振器 フォトリソグラフィ法 大量作成 | 240 160 |
| 2015年12月号 | 指紋や顔の認証技術 皮革・樹脂から偽造識別 http://jpn.nec.com/press/201509/20150924_01.html | NEC | 日経産業新聞 (2015年9月25日PP.8) 日刊工業新聞 (2015年9月25日PP.26) | 工業製品や部品の表面に自然に発生する微細な文様 個体を識別 指紋認証 顔認証 真贋判定 | 320 520 |
| 2015年 9月号 | フォトレジスト技術でフルカラーOLEDを作成 | 富士フイﾙム IMEC(ベルギー) | 日刊工業新聞 (2015年6月3日PP.11) | サブミクロンサイズのパターン形成，パターニング材料やプロセスを改良，画素密度640ppi | 250 |
| 2015年 8月号 | EUV露光用のレジストを開発 | EUVL基盤開発センター | 日経産業新聞 (2015年5月28日PP.1) | 波長13.5nmのEUVに高感度で反応 | 120 |
| 2015年 5月号 | 量子ドット立体型ディスプレイ 各面に異なる画像表示 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150218eaaq.html | 千葉大 | 日刊工業新聞 (2015年2月18日PP.19) | 直径5〜10nmの微細構造セレン化カドミウム製の量子ドットをシリコン樹脂に混ぜた立方体を3次元配置 紫外光を当てると発行する量子ドットを使った立体ディスプレイ 面ごとに異なる画像を同時に表示 | 250 450 |
| 2015年 5月号 | 半導体線幅20nmに対応するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを開発 http://www.dnp.co.jp/news/10107733_2482.html | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2015年2月20日PP.6) | 微細な回路パターンをテンプレートに作製 紫外線硬化樹脂を利用 | 160 |
| 2015年 4月号 | SiC基板 低温プラズマで微細加工 | 理化学研究所 慶大 日進工具 | 日刊工業新聞 (2015年1月14日PP.27) | 表面粗さ1ナノメートル以下 送り速度2倍 | 160 |
| 2015年 1月号 | 石英ガラスに大容量の情報を3億年以上保存可能な技術の開発 | 日立 京大 | 日経産業新聞 (2014年10月21日PP.8) 日刊工業新聞 (2014年10月21日PP.23) | フェムト秒パルスレーザで石英ガラスに刻印 データの書き込み速度1.5kb/s.石英ガラスに1μm程の微細な穴を開け記録.100層の多層記録 | 130 230 430 |
| 2014年 7月号 | 印刷可能な有機光記録材料 | 産総研 | 日経産業新聞 (2014年4月9日PP.10) | 結晶-非晶質間の状態遷移 アントラセンとシアノビフェニルの結合構造 150℃/200℃で記録・消去 5mW/cm2 の青色光で記録可能 微細構造の可視性を生かし表示素子にも応用の可能性 | 130 150 |
| 2014年 6月号 | ジスプロシウム不要の高性能磁石 | 物材機構 大同特殊鋼 | 日経産業新聞 (2014年3月27日PP.11) | Dy4%の磁石と200℃で同等性能 NdCu合金の液体を微細結晶の磁石に浸透 | 120 |
| 2014年 3月号 | グラフェンで幅20nmの微細配線 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年12月13日PP.27) | 電気抵抗率は最低4.1μmΩcm 断線しにくい サファイア基板上に約1000℃7-15層のグラフェンを合成 銅配線なみの抵抗率 | 160 120 |
| 2013年12月号 | 有機半導体を微細加工する露光技術など | 富士フイルム ベルギーImec | 日経産業新聞 (2013年9月27日PP.9) | 線幅0.5μmまで加工 非フッ素系レジスト 365nmのi線による露光技術により製造 | 160 260 |
| 2013年10月号 | 大容量HD向けナノパターンを高速生産 | 素形材センタ 明昌機工 東北大 | 日経産業新聞 (2013年7月11日PP.11) | 微細構造 レーザ光で加熱 φ25nmパターンを45nmピッチで作成 従来の15倍高速 | 230 |
| 2013年 9月号 | 多層グラフェンを用いた微細配線の作成技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年6月18日PP.23) | 250℃で1cm2当たり1000万Aという高密度電流を流しても150時間通電可能 抵抗率9.1μΩcm Cu同等 | 260 120 |
| 2013年 9月号 | 画像表示立体・平面自在に | 東大 | 日刊工業新聞 (2013年6月19日PP.17) | シート内に充填した液体に圧力をかけることで，シート表面に微細なかまぼこ上の凸レンズを水圧で形成 可変レンチキュラレンズシート 0.07mm厚 | 450 250 |
| 2012年11月号 | 化合物型太陽電池の効率向上 | 東大 | 日経産業新聞 (2012年8月8日PP.9) | InGaAsとGaAsPの400nm薄膜結晶層 25.2%の変換効率 幅3〜5μmの微細なギザギザ構造 | 250 |
| 2012年10月号 | プローブを使った半導体描画技術 | 東芝 技術研究組合BEANS研究所 東大 | 日刊工業新聞 (2012年7月10日PP.23) | 回路線幅50nmの微細加工が可能 プローブの先端に庇部と接触部を設けた新構造 | 260 360 |
| 2012年 5月号 | 高集積型の電子素子 | 産総研 東大 | 日経産業新聞 (2012年2月9日PP.11) | 強相関電子材料 CaMnO3を使った素子 10nm以下の微細加工でも高性能を維持 Caの一部をCeに置換 2mm四方のトランジスタを試作 | 220 120 |
| 2012年 2月号 | ナノ構造体を利用した高効率シリコン太陽電池 | 東北大 | 日経産業新聞 (2011年11月1日PP.10) | 基礎実験で変換効率が2%向上 量子ドットとフォトニック結晶を利用 ウェットエッチング | 250 |
| 2011年11月号 | 加工分解能数nmの光リソグラフィ | 北大 | 日刊工業新聞 (2011年8月29日PP.21) | プラズモンリソグラフィ 金や銀などの金属ナノ構造体が光と相互作用 金赤外光を露光用の光源に使用 | 160 |
| 2011年10月号 | くし形電極で容量2倍以上のリチウムイオン二次電池 | 首都大学東京 東京応化工業 | 日刊工業新聞 (2011年7月7日PP.20) | 2×6mmで334μA/cm2 25μmの厚み 幅20μmの電極 負極にSn-Niの合金 | 正極にLiCoO2をフォトレジストを使って形成 250 |
| 2011年 7月号 | 1mm2以下の超小型光ゲートスイッチ素子 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年4月26日PP.19) 電波タイムズ (2011年4月27日PP.1) | 超高速半導体全光位相変調素子をInP基板上に集積 160Gbpsを40Gbpsの光信号に多重・分離 モノシリック集積型 ドライエッチング法で1回加工するだけで集積化 帰還回路が不要 | 240 |
| 2011年 4月号 | レアメタルを使わないReRAMの集積化技術 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年1月28日PP.30) | アルミニウム系材料のみで作製 フォトリソグラフィ デバイス構造はクロスバー方式 5〜100μm角で容量256ビット | 230 160 |
| 2011年 2月号 | 透明な高周波デバイス作成技術 | 物材機構 太陽誘電 | 日刊工業新聞 (2010年11月4日PP.21) | 微細な金属配線と酸化物の透明誘電体からなるハイブリッド素子 | 120 250 |
| 2011年 2月号 | 高分子の自己組織化を利用してHDD容量8倍 | 日立 東工大 京大 | 日経産業新聞 (2011年11月26日PP.10) | ビットパターンメディア 1in2あたり3.9兆個の微細な磁性粒子の集まりを作れる | 120 230 |
| 2010年 6月号 | 波長1μm帯のTバンドでの光通信に成功 | NICT 青山学院大 | 電波タイムズ (2010年3月3日PP.1) | Cバンド Lバンド 広帯域光信号伝送 光ICTデバイス 低損失広帯域微細構造光ファイバ | 240 440 |
| 2010年 5月号 | ZnO透明電極を用いた20インチ液晶テレビ試作 | 高知工科大 | 日刊工業新聞 (2010年2月11日PP.14) | 酸化インジウム スパッタ成膜 薬液耐性技術 約3μmの微細なウェット加工 | 120 250 160 |
| 2010年 5月号 | 20nmのナノインプリント向け感光性樹脂開発 | 富士フイルム | 日経産業新聞 (2010年2月17日PP.5) | モールド Siウェハ モノマー エッチング レジスト | 160 |
| 2010年 4月号 | CNTを酸化させ表面積1.7倍に | 産総研 | 日経産業新聞 (2010年1月5日PP.11) | 単層CNTを高温で酸化 先端や側壁に微細な穴開け エネルギー密度約1.5倍 パワー密度2.8倍 2240m2/g | 120 160 |
| 2010年 3月号 | エネルギー変換効率が4割向上した太陽電池 | 東大 | 日経産業新聞 (2009年12月10日PP.12) | 数十nmレベルの微細な凹凸がある銀の電極 波長350〜800nmの範囲の可視光を電気に変換 近接場光 | 120 250 |
| 2010年 3月号 | 独自有機化合物による微細加工技術 | 富士フイルム | 日経産業新聞 (2009年12月16日PP.11) | 波長405nmの青色レーザ Siや酸化シリコンやサファイアの円板 直径40nmの穴や幅200nmの溝を規則的に生成 ビオロゲン塩 レジスト | 160 |
| 2010年 2月号 | ポリマー製平面レンズ | スカラ 慶応大 | 日経産業新聞 (2009年11月11日PP.11) | 屈折率の大きな微細粒子 GIレンズ ナノサイズの有機分子 レンズ内部に高精度な屈折率分布を作製 | 310 120 |
| 2010年 1月号 | 物質の微細化による新しい量子効果を発見 | 千葉大 広島大 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年10月22日PP.24) | 電子スピン エネルギー消費量が従来の1/1000 ラシュバ効果 | 120 |
| 2009年11月号 | 8枚積層したDRAM | エルピーダメモリ | 日経産業新聞 (2009年8月27日PP.1) | 8Gbit ウェハにエッチング装置で直径50μmの穴を開けDRAM回路を形成 待機電力1/4 | 230 |
| 2009年10月号 | 消費電力1/10のFPGA | 東北大 日立 | 日経産業新聞 (2009年7月17日PP.11) | 微細な磁石で情報を記憶 待機電力不要 回路面積従来の半分 ルックアップテーブルに磁気素子Mn・Coを使用 | 220 230 |
| 2009年 6月号 | 蓄電容量3倍のリチウムイオンキャパシタ | 農工大 日本ケミコン | 日経産業新聞 (2009年3月11日PP.10) | 電極に超微細加工したリチウム化合物 チタン酸リチウムを5〜50nmの結晶にしてファイバ状の炭素材料と混ぜる | 250 |
| 2009年 5月号 | 微細な空間測る「ナノものさし」 | 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2009年2月2日PP.1) | 30〜40nmの空間分解能 高輝度イオンビーム2次イオン質量分析装置 | 210 660 |
| 2009年 2月号 | 微細回路に対応する半導体洗浄超純水 | 栗田工業 | 日経産業新聞 (2008年11月12日PP.1) | 過酸化水素を除去 1ppb以下 過酸化水素による酸化を抑制 | 220 |
| 2009年 2月号 | 書換え電流抑え微細化したMRAM技術 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年11月12日PP.1) | スピン注入磁化反転方式 書換え電流従来比1/3程度 磁気トンネル接合素子(MTJ) | 220 230 |
| 2009年 2月号 | CMOS微細化技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年11月14日PP.9) | 絶縁膜の厚さ0.37nm 回路線幅16nm以下のLSI開発に不可欠な技術 絶縁膜に酸化ランタンを採用 | 220 120 |
| 2009年 1月号 | 電圧で回る電子ペーパ向け極小ボール | 綜研化学 東大 | 日経産業新聞 (2008年10月22日PP.1) | 直径100μm アクリル樹脂材料 2色に塗り分けた微細な粒子を電圧をかけて回転させ片方の色だけをパネル表面に向ける ツイストボール マイクロ流路 | 250 |
| 2008年12月号 | 10fm微細振動検出に成功 | NTT 蘭デルフト工科大 | 日経産業新聞 (2008年9月1日PP.9) 日刊工業新聞 (2008年9月1日PP.15) | 超電導量子干渉素子(SQUID) 長さ50μm 幅4μm 厚さ0.5μmの板バネ 量子現象の観察可能 超高感度の磁気センサ | 210 320 660 |
| 2008年12月号 | 透明フィルム用ホログラム加工技術 | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2008年9月2日PP.2) | レリーフグラム 真贋判定 平面画像を微細な凹凸による光反射 | 250 450 430 |
| 2008年12月号 | 超微量物質検出の感度を10倍に | 東北大 | 日経産業新聞 (2008年9月4日PP.9) | テラヘルツ光 数10〜数100μmの微細の網目の金網 ピコモル単位の量の検出が可能 | 660 |
| 2008年12月号 | 線幅10μmまでの微細化スクリーン印刷法 | 大阪府立大 新中村化学工業 中沼アートスクリーン 和歌山県工業技術センター | 日経産業新聞 (2008年9月26日PP.9) | プラスチック基板上に線幅13μm アクリル系高分子フォトレジスト材料 波長365nm 254nmの光を照射 | 160 |
| 2008年 7月号 | 板バネ微細振動を利用した省エネ半導体素子 | NTT | 日経産業新聞 (2008年4月15日PP.9) 日刊工業新聞 (2008年4月15日PP.26) | 消費電力1000〜1万分の1 1ビット分の情報処理に成功 長さ250μm 厚さ1.4μm約10nmの幅で振動 | 220 |
| 2008年 4月号 | 多色LED | 京大 日亜化学工業 | 日刊工業新聞 (2008年1月18日PP.25) | 台形上のGaN微細構造 白色 中間色が可能 | 250 |
| 2008年 3月号 | 15nmNANDフラッシュメモリー用基本素子を試作 | 東芝 | 日経産業新聞 (2007年12月13日PP.12) 日本経済新聞 (2007年12月13日PP.12) | 100Gb級の集積度 フローティングゲートを挟む酸化膜を極薄化 微細化しても高速書込みと長期記録保持可能 | 160 230 |
| 2008年 2月号 | 量子多体現象 超高速で計算処理 | NII 米スタンフォード大 | 日経産業新聞 (2007年11月22日PP.9) 日刊工業新聞 (2007年11月22日PP.20) | 光と閉じ込める微細構造を相互に連結 厚さ3nm半導体薄膜12層 ボーズアインシュタイン凝縮体を約20個形成 超流動的 | 120 160 220 |
| 2007年12月号 | ナノインプリント方式で回路線幅18nmの半導体製造技術 | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2007年9月18日PP.1) | 電子ビームのビームを細くするとともに強度や照射量を調整 石英ガラスのエッチングの条件最適化 面積は1/10程度 露光でなく転写で回路形成 | 160 220 |
| 2007年12月号 | 従来の約1/10以下の細さの金属微細配線技術 | 東北大 チッソ 日本電子精機 | 日刊工業新聞 (2007年9月26日PP.29) | フレキシブルプリンタブルエレクトロニクスへの応用 数百nmの微細配線 波長488nmのアルゴンレーザ | 220 160 |
| 2007年10月号 | 幅50nmの複数線を同時に描画する並列走査型装置 | 立命館大 兵庫県立大 ユニソク 住友精密工業 JST | 日刊工業新聞 (2007年7月12日PP.20) | フォトレジスト Si基板 並列走査型プローブ ナノライティング装置 Si酸化膜を作製 エッチング 20〜60本を並列に配置 | 160 |
| 2007年10月号 | 線幅30nm以下の半導体量産向けナノインプリント技術用の石英ガラスモールド試作 | HOYA | 日経産業新聞 (2007年7月19日PP.1) | 位相シフトマスク作成原理を応用 回路パターンの材料であるCrやレジストの中身・厚さ・処理方法を最適化 型を熱硬化樹脂に押し付け紫外線で転写 | 160 |
| 2007年 9月号 | 反射率1/10の光学ガラス | 松下電器 NEDO | 日経産業新聞 (2007年6月7日PP.13) | 精密なSiO2製の型をレンズ表面に押しつけ微細な凹凸構造を作って反射を抑制 凹凸の頂点間隔300nm | 250 260 310 |
| 2007年 9月号 | 銅微粒子によるコンデンサ電極 | 東大 | 日経産業新聞 (2007年6月14日PP.13) | 銅微粒子に熱処理を施す 微細粒子を約百nmの大きさで均一に作製 | 120 |
| 2007年 8月号 | 回路線幅26nmの微細加工に成功 | NEDO | 日経産業新聞 (2007年5月31日PP.3) | 極紫外線(EUV)露光 光源波長13.5nm 0.5mmの範囲に幅26nmの回路を転写 反射型マスク 高性能反射鏡 | 160 |
| 2007年 5月号 | ホログラムに3μm微細文字 | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2007年2月1日PP.1) | 半導体回路を描く電子ビーム 従来比1/30程度の微細な文字やイラスト | 430 |
| 2007年 4月号 | レーザで偽物発見 | 英トータル・ブランド・セキュリティー | 日刊工業新聞 (2007年1月11日PP.27) | 簡易識別技術 ナジネルス セキュリティマーク 偽造防止 エッチング | 620 |
| 2007年 4月号 | 銅・銅直接接合で100万端子チップ間接続 | 東大 電子実装工学研 | 日刊工業新聞 (2007年1月16日PP.29) | 接合精度3〜6μmピッチに微細化 表面活性化接合 バンプを持たない構造 | 260 |
| 2007年 2月号 | ガラス基板に微細バネ構造 | 理研 | 日経産業新聞 (2006年11月16日PP.10) | ガラス基板の表面を水をはじく物質でコーティング 光硬化性樹脂 銀イオン水溶液 屈折率マイナスの光学素子 一辺2μmの立方体の上に微細なバネがのった形状 5μm間隔で800個 | 160 220 240 260 |
| 2006年12月号 | 有機TFT大規模化技術 | 日立 神奈川大 | 日経産業新聞 (2006年9月14日PP.13) | 印刷技術 リソグラフィで材料の位置合わせ ポリカーボネート基板 誤差0.1μm以下 | 250 220 160 |
| 2006年12月号 | 明るさ1.8倍のLED | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年9月21日PP.11) | ナノサイズの微細な凹凸 自己組織化 ポリスチレン ポリメタクリル酸メチル 高分子塗布 200℃で加熱 150〜200nm間隔に直径100nm高さ450〜500nmの円柱状の突起 | 250 160 |
| 2006年11月号 | 光導波路向け微細金型 | アルプス電気 | 日経産業新聞 (2006年8月11日PP.1) | MEMS 導線幅10μm ナノインプリント 光導波路 | 160 260 |
| 2006年11月号 | 可視光通信対応プロジェクタ | 東大 | 日経産業新聞 (2006年8月23日PP.11) | 微細な鏡を78万画素DMDチップ 光源の光を反射させて投影 1/8000s周期で切替え | 250 340 350 440 |
| 2006年10月号 | 立体映像を記録したホログラムの安価量産技術 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2006年7月11日PP.10) | ナノインプリント 微細金型 透明レジスト膜 光硬化性樹脂 紫外線照射 | 160 430 |
| 2006年10月号 | 直接メタノール型燃料電池向け電解質膜 | 首都大学東京 JST | 日経産業新聞 (2006年7月28日PP.10) | 電解質膜150μm 微細な穴をあけたシリカ膜 Hイオンの導電性が高い炭化水素系高分子の電解質 | 160 250 |
| 2006年 9月号 | 次世代メモリー「MRAM」 -電流値1/10に微細化可能- | ソニー | 日本経済新聞 (2006年6月2日PP.15) | 磁性記録式随時書込み読出しメモリーの高集積化技術 電流の方向による書込み方式 試作4kbit | 230 |
| 2006年 9月号 | 特殊処理不要でテレビ映像立体表示 | 有沢製作所 ダイナミック・デジタル・デプス社 | 日経産業新聞 (2006年6月7日PP.7) | リアルタイムで立体視 専用眼鏡 独自フィルタ付き液晶テレビ 右目と左目向けにずらした映像をリアルタイムに作成 微細な偏光素子からなるフィルタで映像を交互に表示 | 310 320 350 450 |
| 2006年 9月号 | 発光ダイオードの光を鮮明に出せるプリント基板材料 | タムラ製作所 | 日経産業新聞 (2006年6月21日PP.1) | 液晶部品向け 白か黒色の顔料を配合して使い発光を強調 ソルダーレジスト | 160 |
| 2006年 9月号 | 縦型構造のGaNトランジスタ | 松下電器 | 電波新聞 (2006年6月28日PP.1) | 微細セルフアライン工程 チャネル幅0.3μm 単位デバイス幅1.2μm In・Alを添加したInAlGaN4元混晶を20nm成長 | 160 220 |
| 2006年 7月号 | 次世代半導体メモリー -蓄積電荷5倍の新材料を開発- | 東工大 富士通 | 日経産業新聞 (2006年4月3日PP.17) | FeRAM ビスマスフェライト(BFO)に微量のMnを加えた新材料 65nmまで微細化可能 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 線幅30μmの基板用樹脂剤 | 関西ペイント | 日経産業新聞 (2006年4月5日PP.1) | スクリーン印刷法 直径1μm以下の無機材料でレジスト剤の粘性を制御 ICタグ | 120 160 340 |
| 2006年 7月号 | 1TbitHDD向けパターン磁気記録技術 | 早大 | 日刊工業新聞 (2006年4月18日PP.33) | 湿式法 直径10nmの微細孔 直径2nmの有機シラン Co系合金 ドット径10〜20nmの磁性ナノドットアレイ | 120 160 230 |
| 2006年 6月号 | CNT素子の新作成法 -電流変動1/1000- | 阪大 産総研 JST | 日刊工業新聞 (2006年3月1日PP.25) 電波新聞 (2006年3月14日PP.6) | CNTトランジスタ 電流の変動0.01% フォトレジストを改善 4μmの電極間に直径1.5nmのCNT CNTをSiN膜で保護 不純物を一切つけない新しいプロセスの開発 | 160 220 |
| 2006年 6月号 | 量子もつれ振動を観測 | NTT JST | 日刊工業新聞 (2006年3月31日PP.37) | 超電導量子ビットと単一光子の組合せ 超電導量子ビットと電気回路を微細加工技術で同一半導体チップ上に作製し極低温で測定 | 160 320 |
| 2006年 5月号 | LED型量子暗号通信素子 | 東芝欧州研究所 | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.8) | 量子もつれ光子対を任意に発生 高さ6nm直径12nmの量子ドット微細構造 半導体素子 | 120 240 250 220 |
| 2006年 5月号 | 銅ナノインク開発 | 旭化成 | 日刊工業新聞 (2006年2月22日PP.23) | 印刷技術活用 Cu配線や薄膜を低コスト形成 厚さや線幅をμmオーダーで制御可能 酸化膜のナノサイズ微粒子と酸化還元剤をインクに配合 塗布後焼成 エッチング工程不要 | 130 160 120 |
| 2006年 5月号 | 回路線幅29.9nmパターン生成 -深紫外線光リソグラフィ- | 米IBM JSR | 電波新聞 (2006年2月22日PP.3) 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.3) | DUV193nm 光屈折率液侵技術 石英レンズや有機液体などの新素材 EUV(極紫外線)でなくArF対応ステッパの継続使用可能 独自開発のフォトレジスト | 120 160 |
| 2006年 5月号 | 電界集中効果2割増のCNT束エミッタ -ランプやディスプレイなど多用途- | 高知工科大 大阪大 ソナック | 日刊工業新聞 (2006年2月24日PP.29) | しきい電界強度0.4〜3V/μm 直径50μm 高さ125μm 個々のCNTの直径9nm フォトエッチング法 CVD法 | 160 250 |
| 2006年 4月号 | 多ビット素子 -光制御の量子計算機に道- | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年1月18日PP.18) | GaAs基板に微細なInAsの量子ドット 数十〜数百ビットの同時処理が可能 | 130 230 220 |
| 2006年 4月号 | 端子間配線間隔12μmのLCD駆動用ICのプリント基板 | 東レ | 日経産業新聞 (2006年1月20日PP.1) | エッチング工程の一部を工夫 銅メッキ膜を安定してエッチング | 160 250 |
| 2006年 3月号 | 起立型ダブルゲートMOSトランジスタ
-中性粒子ビームエッチング技術確立- | 産総研 | 電波新聞 (2005年12月16日PP.6) | 時間変調塩素プラズマ 加速した負イオン効率よく中性化 Si基板表面の平坦性も1nm以下 | 160 360 |
| 2006年 3月号 | 金属ナノ構造で光ナノイメージング技術 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2005年12月22日PP.21) | 細い銀線(銀ナノ円柱)を剣山のように並べた構造 表面プラズモン ナノサイズの微細な構造までがクリアに結像 | 160 210 120 260 |
| 2006年 2月号 | 1000万画素のCCD | シャープ | 日刊工業新聞 (2005年11月2日PP.11) | 光学系サイズ1/1.7 画素サイズ2.05μm独自の微細加工で感度維持 | 160 210 |
| 2006年 1月号 | 化学反応によるMRAMエッチング技術 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2005年10月19日PP.1) | 時間変調(TM)プラズマ 高周波電界の供給を数十μs間隔でパルス的に行う 負イオン 生成物の離脱・蒸着 MRAM0.15μm世代 | 160 230 |
| 2006年 1月号 | 金型でLSI製造 -線幅40ナノ回路に対応- | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2005年10月19日PP.3) | 従来の1/10の時間で作ることに成功 ナノインプリント 8インチウェハサイズ エッチングやメッキなどの工程を改良 | 160 220 230 |
| 2005年 8月号 | 発光効率4〜5倍のLED -フォトニック結晶を導入し 不要な発光を禁止- | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2005年5月27日PP.37) 日経産業新聞 (2005年5月27日PP.6) 読売新聞 (2005年5月27日PP.38) | 基本原理を実証 半導体に微細な周期構造 200nm厚のInGaAsP板に390〜480nm間隔の穴 特定の波長(バンドギャップ波長)の光を禁止する性質 エネルギー再配分 | 250 160 |
| 2005年 6月号 | 10倍速のMPU | 日本ユニサンティスエレクトロニクス | 日本経済新聞 (2005年3月9日PP.11) | 回路の微細化 SGT 円柱Si基板の外側に回路 | 160 220 |
| 2005年 6月号 | 燃料電池向けの微細・均等な新触媒 | 日立マクセル | 日経産業新聞 (2005年3月31日PP.7) | PrRuにPを添加 触媒直径2nm 粒径ばらつき1.5〜2.5nm | 250 160 |
| 2005年 5月号 | 微細孔1平方インチに400Gb | 群馬大 太陽誘電 日本ビクター | 日刊工業新聞 (2005年2月2日PP.1) | 超高密度ディスク用 外径20nm 電子描画技術 | 230 160 |
| 2005年 5月号 | 2.0μm角画素サイズのMOSイメージセンサ 13とあわせて一件に | 松下電器 | 電波新聞 (2005年2月9日PP.1) | 0.15μmルール微細配線 4画素で1個検出アンプ回路 パルス電源方式 フォトダイオード面積比率30% 消費電力20mW 3400電子/lx・秒 1/4型200万画素 | 160 210 |
| 2005年 5月号 | 32nm世代の壁を越えた超微細化SRAM技術 | NEC | 日刊工業新聞 (2005年2月9日PP.1) | 読出しループを切ってデータを反転させない役割の素子 CMOSロジックとともに微細化・低電圧化に対応 面積9%増 | 160 230 |
| 2004年12月号 | 単層CNTの位置･直径を初制御 | NEC | 日刊工業新聞 (2004年9月3日PP.28) | SWNT ナノレベルで位置と直径を制御できる成長技術 触媒金属を混ぜた電子線レジストで微細な触媒金属微粒子を配置する技術 CVD 直径1.3nm ばらつき±0.4nm 長さ2μm | 120 160 |
| 2004年12月号 | 薄膜永久磁石 -デバイス微細化に貢献- | NEOMAX | 日刊工業新聞 (2004年9月14日PP.13) | 20nmのNd・Fe・B系磁性膜と10nmの中間膜を交互に重ねた構造 厚さ1μm 最大磁気エネルギー積45.8MGOe スパッタリング法 | 120 160 |
| 2004年11月号 | 単分子膜を用いた微細位置決め技術 -ナノギャップを安価に加工- | 分子科研 米ペンシルバニア州立大 | 日刊工業新聞 (2004年8月11日PP.17) | 自己組織化単分子膜(SAM) 位置選択性分子定規(PS-MR) 低速電子線 16-メルカプト・ヘキサデカノイック酸(MHDA)と二化Cuイオンの層 数nm加工 | 120 160 |
| 2004年 6月号 | 次世代半導体向け製造技術 -露光処理せず微細配線- | 東芝 | 日経産業新聞 (2004年3月17日PP.11) | 1時間の工程を1分に短縮 ソフトリソグラフィ 直径50nmの粒子を50nm間隔で碁盤の目に並べる | 160 |
| 2004年 6月号 | 線幅20nmで回路描画可能な微細加工技術 図使用 | 早大 | 日経産業新聞 (2004年3月29日PP.9) | 拡散光の重なりが回路になる マスクとウェハの距離20μm以上 X線使用 | 160 |
| 2004年 5月号 | 65nm半導体向けレジスト除去技術 | Selete | 日経産業新聞 (2004年2月18日PP.1) | レジスト除去にH2とHeの混合ガス 誘電率上昇ほぼ0 レジスト能力厚さ1μm/分 | 160 |
| 2004年 4月号 | 光スイッチのワンチップ化 -微細加工で1/10サイズに- | NTT | 日経産業新聞 (2004年1月15日PP.7) | 3cm角で厚さ5mm 直径600μm鏡100個を配置 光ルータ 光スイッチ・LSI一体化 | 240 260 220 |
| 2004年 3月号 | ダブルゲートMOSFET -4端子駆動を実現- | 産総研 | 日刊工業新聞 (2003年12月10日PP.25) | 2つのゲートを分離独立 結晶面異方性ウエットエッチング 微細CMP技術 | 220 |
| 2004年 3月号 | 極低損傷プラズマエッチング技術 -次世代CCD量産に道- | 東北大 三洋電機 | 日刊工業新聞 (2003年12月10日PP.1) | 暗電流を劇的に低減 マイクロレンズ パルス変調プラズマエッチング CF4(下付) | 210 260 |
| 2004年 3月号 | 歪みSiで微細トランジスタ高速化 | 東芝 | 日経産業新聞 (2003年12月16日PP.9) | ゲート電極に歪みSi 加工寸法45nmトランジスタ 11%高速化 | 160 220 |
| 2004年 2月号 | 超微細化工ハンダ電極 -配線間隔半分に- | カシオマイクロニクス | 日本経済新聞 (2003年11月5日PP.15) | 60μm間隔の配線 半球状電極 | 120 |
| 2004年 1月号 | 幅8nmの微細配線用レジスト | NEC トクヤマ | 日経産業新聞 (2003年10月13日PP.5) | 低分子材料 電子ビーム加工用 | 160 |
| 2004年 1月号 | 直径0.46nmの走査顕微鏡向け電極 | 慶応大 | 日刊工業新聞 (2003年10月20日PP.1) | 光ファイバを加工し先端を電極化 フッ酸のエッチング溶液 アクリル系ポリマー溶液 直径1.1〜980nm程度に制御可能 | 160 360 |
| 2004年 1月号 | 350GB容量の光ディスク | 日立 | 日経産業新聞 (2003年10月31日PP.9) 日本経済新聞 (2003年10月31日PP.17) | 映画140時間分を1枚に レーザ光により結晶構造を変化させてアルカリ溶液によるエッチング 記録点40nm 読出し専用ディスク | 160 230 |
| 2003年12月号 | ナノチューブで超電導現象確認 -量子計算機開発に道- | 青山学院大 NTT研 科学技術振興事業団 | 日経産業新聞 (2003年9月5日PP.7) | Alの上に微細な穴のアルミナの穴の中に0.8μmのCNT NbとAlの電極間にCNT -272.4℃で超電導 | 120 160 |
| 2003年11月号 | 量子コンピュータ用基本素子 -半導体微細加工技術を使用- | NTT 科学技術事業団 | 日経産業新聞 (2003年8月12日PP.5) | 半導体の表面に3本の長い電極とその間に短い電極を並列に置いた | 160 220 |
| 2003年10月号 | Si基板を微細加工する新技術 -光スイッチ量産に道- | NTT物性科学基礎研究所 | 日経産業新聞 (2003年7月30日PP.9) | ナノレベルの微細な穴 200nm角で深さ100〜150nmの無数の穴 | 160 |
| 2003年 7月号 | ナノサイズ発光アレイ | 物質・材料研究機構 太陽誘電 | 日刊工業新聞 (2003年4月8日PP.4) 日経産業新聞 (2003年4月8日PP.10) | 酸化亜鉛を格子状に配列 結晶異方性エッチング 機械化学研磨技術 2500万ドット/cm2 Si(100) | 160 250 |
| 2007年 2月号 | ガラス基板に微細バネ構造 | 理研 | 日経産業新聞 (2006年11月16日PP.10) | ガラス基板の表面を水をはじく物質でコーティング 光硬化性樹脂 銀イオン水溶液 屈折率マイナスの光学素子 一辺2μmの立方体の上に微細なバネがのった形状 5μm間隔で800個 | 160 220 240 260 |
| 2006年12月号 | 有機TFT大規模化技術 | 日立 神奈川大 | 日経産業新聞 (2006年9月14日PP.13) | 印刷技術 リソグラフィで材料の位置合わせ ポリカーボネート基板 誤差0.1μm以下 | 250 220 160 |
| 2006年12月号 | 明るさ1.8倍のLED | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年9月21日PP.11) | ナノサイズの微細な凹凸 自己組織化 ポリスチレン ポリメタクリル酸メチル 高分子塗布 200℃で加熱 150〜200nm間隔に直径100nm高さ450〜500nmの円柱状の突起 | 250 160 |
| 2006年11月号 | 光導波路向け微細金型 | アルプス電気 | 日経産業新聞 (2006年8月11日PP.1) | MEMS 導線幅10μm ナノインプリント 光導波路 | 160 260 |
| 2006年11月号 | 可視光通信対応プロジェクタ | 東大 | 日経産業新聞 (2006年8月23日PP.11) | 微細な鏡を78万画素DMDチップ 光源の光を反射させて投影 1/8000s周期で切替え | 250 340 350 440 |
| 2006年10月号 | 立体映像を記録したホログラムの安価量産技術 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2006年7月11日PP.10) | ナノインプリント 微細金型 透明レジスト膜 光硬化性樹脂 紫外線照射 | 160 430 |
| 2006年10月号 | 直接メタノール型燃料電池向け電解質膜 | 首都大学東京 JST | 日経産業新聞 (2006年7月28日PP.10) | 電解質膜150μm 微細な穴をあけたシリカ膜 Hイオンの導電性が高い炭化水素系高分子の電解質 | 160 250 |
| 2006年 9月号 | 次世代メモリー「MRAM」 -電流値1/10に微細化可能- | ソニー | 日本経済新聞 (2006年6月2日PP.15) | 磁性記録式随時書込み読出しメモリーの高集積化技術 電流の方向による書込み方式 試作4kbit | 230 |
| 2006年 9月号 | 特殊処理不要でテレビ映像立体表示 | 有沢製作所 ダイナミック・デジタル・デプス社 | 日経産業新聞 (2006年6月7日PP.7) | リアルタイムで立体視 専用眼鏡 独自フィルタ付き液晶テレビ 右目と左目向けにずらした映像をリアルタイムに作成 微細な偏光素子からなるフィルタで映像を交互に表示 | 310 320 350 450 |
| 2006年 9月号 | 発光ダイオードの光を鮮明に出せるプリント基板材料 | タムラ製作所 | 日経産業新聞 (2006年6月21日PP.1) | 液晶部品向け 白か黒色の顔料を配合して使い発光を強調 ソルダーレジスト | 160 |
| 2006年 9月号 | 縦型構造のGaNトランジスタ | 松下電器 | 電波新聞 (2006年6月28日PP.1) | 微細セルフアライン工程 チャネル幅0.3μm 単位デバイス幅1.2μm In・Alを添加したInAlGaN4元混晶を20nm成長 | 160 220 |
| 2006年 7月号 | 次世代半導体メモリー -蓄積電荷5倍の新材料を開発- | 東工大 富士通 | 日経産業新聞 (2006年4月3日PP.17) | FeRAM ビスマスフェライト(BFO)に微量のMnを加えた新材料 65nmまで微細化可能 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 線幅30μmの基板用樹脂剤 | 関西ペイント | 日経産業新聞 (2006年4月5日PP.1) | スクリーン印刷法 直径1μm以下の無機材料でレジスト剤の粘性を制御 ICタグ | 120 160 340 |
| 2006年 7月号 | 1TbitHDD向けパターン磁気記録技術 | 早大 | 日刊工業新聞 (2006年4月18日PP.33) | 湿式法 直径10nmの微細孔 直径2nmの有機シラン Co系合金 ドット径10〜20nmの磁性ナノドットアレイ | 120 160 230 |
| 2006年 6月号 | CNT素子の新作成法 -電流変動1/1000- | 阪大 産総研 JST | 日刊工業新聞 (2006年3月1日PP.25) 電波新聞 (2006年3月14日PP.6) | CNTトランジスタ 電流の変動0.01% フォトレジストを改善 4μmの電極間に直径1.5nmのCNT CNTをSiN膜で保護 不純物を一切つけない新しいプロセスの開発 | 160 220 |
| 2006年 6月号 | 量子もつれ振動を観測 | NTT JST | 日刊工業新聞 (2006年3月31日PP.37) | 超電導量子ビットと単一光子の組合せ 超電導量子ビットと電気回路を微細加工技術で同一半導体チップ上に作製し極低温で測定 | 160 320 |
| 2006年 5月号 | LED型量子暗号通信素子 | 東芝欧州研究所 | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.8) | 量子もつれ光子対を任意に発生 高さ6nm直径12nmの量子ドット微細構造 半導体素子 | 120 240 250 220 |
| 2006年 5月号 | 銅ナノインク開発 | 旭化成 | 日刊工業新聞 (2006年2月22日PP.23) | 印刷技術活用 Cu配線や薄膜を低コスト形成 厚さや線幅をμmオーダーで制御可能 酸化膜のナノサイズ微粒子と酸化還元剤をインクに配合 塗布後焼成 エッチング工程不要 | 130 160 120 |
| 2006年 5月号 | 回路線幅29.9nmパターン生成 -深紫外線光リソグラフィ- | 米IBM JSR | 電波新聞 (2006年2月22日PP.3) 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.3) | DUV193nm 光屈折率液侵技術 石英レンズや有機液体などの新素材 EUV(極紫外線)でなくArF対応ステッパの継続使用可能 独自開発のフォトレジスト | 120 160 |
| 2006年 5月号 | 電界集中効果2割増のCNT束エミッタ -ランプやディスプレイなど多用途- | 高知工科大 大阪大 ソナック | 日刊工業新聞 (2006年2月24日PP.29) | しきい電界強度0.4〜3V/μm 直径50μm 高さ125μm 個々のCNTの直径9nm フォトエッチング法 CVD法 | 160 250 |
| 2006年 4月号 | 多ビット素子 -光制御の量子計算機に道- | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年1月18日PP.18) | GaAs基板に微細なInAsの量子ドット 数十〜数百ビットの同時処理が可能 | 130 230 220 |
| 2006年 4月号 | 端子間配線間隔12μmのLCD駆動用ICのプリント基板 | 東レ | 日経産業新聞 (2006年1月20日PP.1) | エッチング工程の一部を工夫 銅メッキ膜を安定してエッチング | 160 250 |
| 2003年 5月号 | LSI微細化に伴う低消費電力化技術 | 日立 | 日刊工業新聞 (2003年2月12日PP.3) | 2電源方式回路技術と低消費電力回路技術 ウェル共有型素子 動作条件を最適化して低消費電力化 | 220 320 |
| 2003年 5月号 | 強度高い燃料電池膜 | 宇部興産 東亞合成 | 日本経済新聞 (2003年2月28日PP.17) | 強薬品性樹脂フィルムに多数の微細な穴 メタノールから水素を取出す高分子材料 | 250 |
| 2003年 4月号 | 量子リソグラフィー技術の原理を実証 | 阪大 | 日本経済新聞 (2003年1月6日PP.23) | ペア光子 波長860nmで波長430nm相当の干渉縞を確認 | 160 |
| 2003年 3月号 | 光触媒リソグラフィ法 -解像度100倍- | 東大 大日本印刷 | 日刊工業新聞 (2002年12月4日PP.5) | 線幅5μm 光触媒とフォトマスクを一体化 レジスト不要 | 160 |
| 2003年 2月号 | レーザで新加工技術 -波長より微細に- | 福井産業支援センター 福井高専 京大 アイテック | 日本経済新聞 (2002年11月29日PP.17) | フェムト秒極短パルスレーザ 波長の1/5〜1/10の微細構造 偏光制御 | 160 |
| 2002年12月号 | ポリカーボネートの微細加工技術 -プリント基板回路線幅1/5に- | 横浜国大 | 日経産業新聞 (2002年9月4日PP.11) | 厚さ20μm ポリカーボネートの基板に線幅10μmの回路 | 160 |
| 2002年12月号 | 1110万画素受像のCMOSセンサ | キヤノン | 日本経済新聞 (2002年9月24日PP.9) | デジタルカメラ用 23.8mm×35.8mm 3回露光の微細加工技術 | 210 160 |
| 2002年11月号 | 生物の力で超微細回路 -チップ性能100倍に- | 松下電器 阪大 理化学研 | 日本経済新聞・夕刊 (2002年8月15日PP.1) | バイオナノ技術 生物の自己組織化 | 160 |
| 2002年11月号 | デジカメ用300万画素CCD -世界最小1/2.7型- | ソニー | 日経産業新聞 (2002年8月29日PP.1) | セルの大きさを2.5μmに微細加工 セルの内部に超薄型のレンズを2枚積層 | 210 |
| 2002年10月号 | 多層カーボンナノチューブ 垂直成長させる技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年7月8日PP.9) 電波新聞 (2002年7月8日PP.1) 日本工業新聞 (2002年7月8日PP.2) 日本経済新聞 (2002年7月8日PP.21) | 微細なLSI配線 φ:50nmL: 500nmのCNT CMOS･FETのシリサイド層上にて成長 電極にNiやCoを混入 CH4とH2の混合ガスによるプラズマCVD法 | 120 160 220 |
| 2002年10月号 | ギガビットMRAMに道 -形状に依存せずに微細化 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2002年7月22日PP.1) | 低磁界スピン反転法 サンドイッチ構造 人工の反強磁性層 | 230 |
| 2002年 9月号 | 3.3psの超高速スイッチ -新構造で低消費電力- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年6月6日PP.4) | 高温超電導JJ リング発振器 微細CMOSの3倍の高速性と1/1000の消費電力 21個のJJ 単一磁束量子回路 30K | 220 |
| 2002年 9月号 | 次世代ディスプレイ技術 -来年春にも実用化- | 東芝 キヤノン | 日本経済新聞 (2002年6月22日PP.11) | SED サーフェイス コンダクションエレクトロン・エミッタディスプレイ 画素を超微細な電子銃で発光 | 250 |
| 2002年 8月号 | 次世代式薄型ディスプレイ-省エネ・大画面- | 松下電工 | 日本経済新聞・夕刊 (2002年5月1日PP.3) | FED 10〜40インチ画面 超微細なSi結晶 | 250 |
| 2002年 8月号 | 基板上に微細構造 | NTT 通信総研 早大 東北大 | 日経産業新聞 (2002年5月9日PP.8) | フォトニック結晶 InP基板 Si-SiO2多重層 | 140 |
| 2002年 8月号 | 次世代光伝送向けトランジスタ | 沖電気 | 日経産業新聞 (2002年5月27日PP.7) | ゲート幅100nm 積層部をInとPで構成 ウェットエッチング 6層構造 | 220 160 |
| 2002年 7月号 | ナノ精度で一括製造する微細加工技術と製造装置 - 材料問わず3次元加工 - | 富士ゼロックス | 日刊工業新聞 (2002年4月2日PP.1) | 断面パターン薄膜 Arビーム清浄 高精度圧接 | 260 |
| 2002年 7月号 | 液晶パネルの画素欠陥補修技術 | 飯塚電機 | 日刊工業新聞 (2002年4月17日PP.8) | 超微細プリズム 非破壊修理 | 250 |
| 2002年 7月号 | 有機太陽電池 - 微細結晶が光吸収 - | キヤノン | 日本経済新聞 (2002年4月26日PP.17) | 有機太陽電池 ナノウィスカー 太さ0.2μm 長さ10μm 発電効率1%以下 | 250 |
| 2002年 6月号 | シリコン系素材で共鳴トンネル効果 | 静岡大 | 日刊工業新聞 (2002年3月4日PP.8) | 光デバイスとの一体化回路の微細化に有効 -258℃〜-173℃で電流ピークを確認厚さ2mm | 120 220 |
| 2002年 5月号 | 超微細ダイヤ針 -薄型テレビなどに応用- | 阪大 住友電工 ファインセラミックセンター | 日経産業新聞 (2002年2月14日PP.9) | FED 先端の直径2nm 400本/1mの集積可能 | 160 250 |
| 2002年 3月号 | 16GBフラッシュメモリー -2006年にも達成 容量10倍以上に- | シャープ 東北大 | 日本経済新聞 (2001年12月7日PP.15) | 微細円柱の周囲にセル素子 多段重ねで高密度化 セルを2段積んだ素子を試作 | 230 160 |
| 2002年 3月号 | ダイヤ薄膜に微細な穴形成 | 東大 都立大 | 日本経済新聞 (2001年12月17日PP.19) | 穴径数10nm 加工速度1μm/分 | 160 |
| 2002年 2月号 | 光触媒リソグラフィ -レジストなしで微細加工- | 東大 | 日刊工業新聞 (2001年11月7日PP.1) | 酸化チタン | 160 |
一行紹介 | (2001年11月9日PP.17) | 有機半導体分子層 | |||
| 2002年 2月号 | 微細構造作る新技術 -ナノ大の金属粒子均一配列- | 松下電器 | 日本経済新聞 (2001年11月9日PP.17) | 球状タンパク質 外径12nm 空洞径6nm フェリチン Si基板 メモリー | 160 |
| 2001年10月号 | 「近接場光」で超微細加工 | 富士フイルム | 朝日新聞・夕刊 (2001年7月6日PP.13) | スリット幅130nm 深さ550nm 2層レジスト 水銀ランプ 436nm | 160 460 |
| 2001年10月号 | 先端径10nmのダイヤモンド・ナノエミッタ | 住友電工 ファインセラミックスセンター 阪大 | 日刊工業新聞 (2001年7月17日PP.1) | 電流を均質化 数mm角の基板に10μmピッチで配置 成長とエッチングの組合せ 単結晶ダイヤモンド φ3〜5mm円すい プラズマエッチング 高さ/先端径＞10 | 160 250 |
| 2001年 8月号,9月号 | 極微細粒でシリコン層形成技術 | アネルバ | 日経産業新聞 (2001年6月14日PP.7) | クオンタムドット形成技術 直径5-10nmの粒子 1T個/m2 | 160 130 |
| 2001年 4月号 | 「一筆書き」で3次元構造 | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (2001年2月21日PP.7) | 電気化学エッチング 光制御 0.2μmのすきまも実現 | 160 |
| 2001年 2月号 | LSI電流漏れ30%減 | 東芝 | 日経産業新聞 (2000年12月12日PP.9) | 超微細粒子制御クリーニング技術 重水素 | 160 220 |
| 2000年11月号 | 微細加工に新感光剤 | NEC | 日経産業新聞 (2000年9月13日PP.9) | 1ギガ超メモリー レジスト用感光剤 フッ化アルゴンレーザ 微細加工技術 線幅0.13μm | 160 |
| 2000年10月号 | 極超短波でエッチング | 日立 | 日経産業新聞 (2000年8月31日PP.9) | エッチング 電極幅0.1μm 加工精度0.5nm以下 | 160 |
| 2000年10月号 | HD容量上げる微細加工技術 -容量10倍超へ- | 東芝 | 日本経済新聞 (2000年8月19日PP.13) | 高分子材料 自己組織化 ナノテクノロジー 単一電子トランジスタ ハードディスク | 160 230 |
| 2000年 8月号 | 次世代露光技術に期待 -極度に明るいレンズで高解像度- | 電機大 | 日本工業新聞 (2000年6月7日PP.17) | 薄膜レジスト 極度に明るいレンズ | 160 |
| 2000年 7月号 | 原子線ホログラフ -将来の超微細加工につながる技術- | NEC 電通大 | 日本経済新聞 (2000年5月20日PP.15) | 原子線ホログラフィ 電圧で干渉変化 | 160 |
| 2000年 7月号 | 放射光で半導体微細加工 | 岡崎分子研 | 日経産業新聞 (2000年5月1日PP.4) | 自己組織化 加工温度50℃ SI基板の表面に酸化膜 | 160 |
| 2000年 6月号 | 微細な磁界分布を観察する顕微鏡 | 東海大 | 日刊工業新聞 (2000年4月6日PP.6) | 走査形マイクロホールプローブ顕微鏡(SHPM) ホールセンサ 走査トンネル顕微鏡 1μm以下の分解能 | 360 |
| 2000年 3月号 | 半導体回路微細化で新技術 -線幅0.1μm以下- | 工技院 | 日本経済新聞 (2000年1月31日PP.17) | 半導体 微細化 線幅0.1μm アンチモン薄膜 | 160 |
| 2000年 1月号 | シリコン基板上に情報書込み -1平方インチに1兆ビット- | 早大 | 日経産業新聞 (1999年11月8日PP.5) | 10Gb/in2 Si基板 酸化膜 ウエットエッチング 直径10nmの穴 | 160 230 |
| 1999年12月号 | 超微細放電加工装置 -せん孔時間1/100以下に- | 松下電器 | 日経産業新聞 (1999年10月25日PP.1) | 直径20μmの微細穴 | 360 |
| 1999年12月号 | 情報記録密度最高に-6.45cm2当たり0.7Tb- | 早大 | 日刊工業新聞 (1999年10月26日PP.6) | 0.7Tb/inch2 Si酸化膜 電子線露光 ウエットエッチング 読出し専用 | 230 |
| 1999年12月号 | FeRAM用微細回路作製技術 | 京大 | 日経産業新聞 (1999年10月28日PP.5) | 誘電体薄膜 Ti溶液 常温・常圧 酸化ホウ素 | 160 |
| 1999年10月号 | 10nmを切る半導体量子細線 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1999年8月25日PP.5) | ガスエッチング 有機金属気相成長 光通信帯で発光 InGaAs細線 | 250 160 |
| 1999年 9月号 | 次世代半導体素子 -微細構造を精密検査- | 富士通研 阪大 | 日経産業新聞 (1999年7月13日PP.5) | 次世代半導体素子 微細構造 顕微鏡 | 360 |
| 1999年 9月号 | 単一電子素子量産用製造技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (1999年7月19日PP.19) | 自己組織化 超微細加工 半導体基板 20〜30nmの凹凸 単一電子素子 製造技術 エッチング | 160 220 260 120 |
| 1999年 8月号 | 固体冷陰極を微細・高集積化 -低電圧・高電流密度に- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年6月2日PP.7) | FEA(フィールド・エミッタアレイ) ゲート径0.35μm 50A/cm2 VECTL 平面ディスプレイ 進行波管 ドライブ電圧25V 7000万個/cm2 半導体微細加工 放電防止構造 | 250 120 |
| 1999年 8月号 | 世界初の微細立体配線技術 -レーザ2種を基板に同時照射- | 三洋電機 | 日経産業新聞 (1999年6月3日PP.5) | エキシマレーザ 微細配線技術 マイクロマシン用 可視光レーザ 二波長励起レーザ CVD | 160 260 |
| 1999年 7月号 | LSI回路パターン用微細加工技術 -超臨界流体使い洗浄- | NTT | 日経産業新聞 (1999年5月21日PP.5) | 超臨界流体 LSI洗浄 液化二酸化炭素 | 160 |
| 1999年 7月号 | 次世代LSI用分子性レジスト -線幅0.04μm- | 阪大 | 日本工業新聞 (1999年4月30日PP.17) | 電子線照射 新規化学増幅形分子性レジスト(BCOTPB) アモルファス薄膜 | 160 |
| 1999年 5月号 | 世界最小MOSトランジスタ -ゲート長8nm- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年3月29日PP.1) | MOSトランジスタ HET 10Tbメモリー ホットエレクトロン効果 トランジスタ ゲート長8nm 電子線レジスト 横形HEMT | 220 160 |
| 1999年 5月号 | 世界最大の容量伝送 -350GHzと最高速実現- | NTT | 日刊工業新聞 (1999年3月19日PP.4) 電波タイムズ (1999年3月19日PP.1) | In P系 HEMT 遮断周波数350GHz 3Tbpsを40km伝送 2段階リセスゲート フラーレン添加 電子線レジスト | 220 240 160 |
| 1999年 2月号 | 原子線ホログラフィ -縮小と多階調結像技術を開発- | NEC 電通大 | 日刊工業新聞 (1998年12月18日PP.5) | 原子線ホログラフィ 像縮小 多階調結像技術 リソグラフィ | 430 160 |
| 1999年 2月号 | 量子メモリー -低電圧1Vで書込み消去- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1998年12月9日PP.5) | テラビット級 HEMT 異方性エッチング TSR溝 量子ドット浮遊ゲート 不揮発性 書込み/消去電圧1V | 230 220 |
| 1999年 2月号 | シリコン酸化膜の微細構造解析 -歪み層が信頼性決定- | 松下電子 | 日経産業新聞 (1998年12月8日PP.5) | 1nm歪み層 絶縁破壊 | 160 |
| 1999年 1月号 | インジウム リンの半導体製造技術 -超微細 薄膜で新技術- | 通信 放送機構 | 日刊工業新聞 (1998年11月10日PP.5) | InP 高精度微細加工 超導膜成長 高速動作 静電誘導トランジスタ ISIT TBPガス TEIガス ディジタルエッチング 分子層成長 | 160 |
| 1998年11月号 | DRAMを越える新メモリー-MRAM- | 東芝 | 日本経済新聞 (1998年9月19日PP.11) | 固体磁気メモリー MRAM 大容量 高速読出し アルミナ絶縁層 PtCo合金 強磁性二重トンネル接合 フォトリソグラフィ 読出し速度6ns 不揮発性メモリー | 230 |
| 1998年11月号 | 半導体の新素子構造 -高速動作維持し微細化- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年9月7日PP.5) | IC ゲート | 220 |
| 1998年10月号 | FEDの新型電極 -次世代表示装置向けに開発- | 電総研 | 日経産業新聞 (1998年8月31日PP.5) | FED 電極 放電電流の変動 大画面表示 薄型表示装置 微細電極 薄型トランジスタ a-Si FED電極 TFTで電流ばらつ き低減 | 250 160 |
| 1998年10月号 | 0.07μm超微細加工技術 | 米TI | 日本経済新聞 (1998年8月27日PP.4) | 半導体微細加工技術 | 160 |
| 1998年10月号 | サブミクロンサイズのジョセフソン素子 -高温超電導単結晶を採用- | 東北大 | 日経産業新聞 (1998年8月21日PP.5) 電波新聞 (1998年8月21日PP.2) | 超電導素子 ジョセフソン素子 単一電子の制御 素子の微細化 超電導 FIB加工技術 BiSrKCu酸化物 面積1μmで単電子 トンネル効果 液体ヘリウム温度動作 | 120 220 |
| 1998年10月号 | 0.1μmの微細加工技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (1998年8月7日PP.1) | 電子ビーム 微細加工 ステッパ | 160 |
| 1998年 9月号 | 電子線(EB)露光用ネガレジスト -7nmの最小パターン形成可能- | NEC | 日刊工業新聞 (1998年7月10日PP.4) | アルファメチルスチレン EB用 | 160 |
| 1998年 8月号 | 基板穴あけ用ガスレーザ加工機 | 三菱電機 | 電波新聞 (1998年6月27日PP.7) | ガスレーザ 微細加工 | 250 |
| 1998年 2月号 | DRAM16Gb対応の微細加工 | 超先端電子技術開発機構 | 日本経済新聞 (1997年12月10日PP.13) | 0.04μm ArFエキシマレーザ ガスエッチング | 160 |
| 1998年 2月号 | 界面の電子状態微細制御 | 科技振興事業団 | 日経産業新聞 (1997年12月8日PP.5) | 100nm未満 SiAu 縞模様 | 160 120 |
| 1998年 1月号 | 0.1μm超微細加工技術 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1997年11月12日PP.5) 電波新聞 (1997年11月12日PP.1) | 4GbDRAM 塩素ガス 2室構造 | 160 |
| 1997年12月号 | 幅0.13μmの微細電極 | NEC | 日経産業新聞 (1997年10月16日PP.5) | プラズマエッチング 4GDRAM | 160 |
| 1997年12月号 | 新感光性樹脂 -微細加工可能に- | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年10月3日PP.5) | フォトレジスト 1Gb級LSI | 160 |
| 1997年11月号 | 超微細MOSトランジスタ -模擬素子で正常動作- | NEC | 電波新聞 (1997年9月12日PP.1) 日経産業新聞 (1997年9月12日PP.5) | ゲート長14nm EJ-MOSFET 2重ゲート構造 10Tbメモリーへ道 10Tb MOS | 220 |
| 1997年10月号 | 光造形技術 -赤外線で超微細立体加工- | 阪大 | 日経産業新聞 (1997年8月1日PP.4) | 精度1μm 赤外線 樹脂 | 160 |
| 1997年 4月号 | 微細加工技術 -紫外線レーザ使い0.1μmの穴可能に- | 三菱電機 | 日本経済新聞 (1997年2月1日PP.12) | 0.1μm直径以下の穴 KrF紫外線レーザ 新露光法 | 160 |
| 1997年 2月号 | CMOS向け微細化技術 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年12月24日PP.4) | MOS FET 微細化 | 220 160 |
| 1997年 1月号 | 2nmのSi細線 -電子線露光で作製- | NTT | 日経産業新聞 (1996年11月5日PP.6) | 幅2nm エッチング 電子線露光 Si細線 単一電子トランジスタ | 120 260 160 |
| 1996年12月号 | 微細回路の加工技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年10月25日PP.4) | 2重レジスト 1.15μm | 160 |
| 1996年12月号 | 窒化膜で原子層マスク -STM使いナノ構造- | NTT | 日刊工業新聞 (1996年10月22日PP.6) | 微細加工 窒化膜原子層マスク STM MOCVD 窒化保護膜 低電流加工可能 量子効果素子 | 160 120 |
| 1996年12月号 | エッチングせずプリント回路 | 日本ハイブリッド | 日経産業新聞 (1996年10月11日PP.1) | プリント配線法 製造技術 加振定着 銅粉末 | 160 |
| 1996年 9月号 | Liイオン電池の電極 -充電量1.5倍- | 大阪ガス | 日経産業新聞 (1996年7月18日PP.1) | 450mAH/g 黒鉛結晶間に微細なすきま Liイオン電池 電極材 充電量1.5倍 | 250 150 |
| 1996年 9月号 | X線による微細加工技術 -半導体基板上に0.07μm幅の溝- | NTT | 日本経済新聞 (1996年6月29日PP.12) | 半導体 64Gbメモリー X線 微細加工 | 220 160 230 |
| 1996年 8月号 | 半導体レーザの新製造技術 -素子均一性2倍に- | NEC | 日経産業新聞 (1996年6月17日PP.5) | レーザ 1.3μm MOVPE法で選択結晶成長 エッチング工程なし 2μA以下の閾値電流 | 240 160 |
| 1996年 7月号 | 半導体新微細加工技術 -幅0.03μmの階段構造作成- | 東大 荏原総研 | 日経産業新聞 (1996年5月13日PP.1) | 塩素原子ビーム加工 0.03μm幅 原子ビーム 階段構造 | 160 |
| 1996年 5月号 | 電子線露光用レジスト -フラーレンを利用- | アトムテクノロジ-研究体 | 日刊工業新聞 (1996年3月12日PP.5) | 電子線用レジスト フラーレン 感度0.01クーロン/cm2 10nmオーダの加工 | 160 |
| 1996年 5月号 | 真空マイクロ素子 | 電総研 | 日経産業新聞 (1996年3月27日PP.5) | 平面ディスプレイ 真空マイクロ素子 微細加工技術 安定動作 FET構造 冷陰極 | 220 250 260 |
| 1995年11月号 | ダイヤ使う高性能ダイオード -平坦な薄膜合成に成功- | 電総研 | 日刊工業新聞 (1995年9月1日PP.5) 日経産業新聞 (1995年9月1日PP.5) | ダイヤモンド ダイオード プラズマエッチング | 160 220 |
| 1995年10月号 | 新エッチング技術 | 東洋大 東海大 | 日刊工業新聞 (1995年8月18日PP.5) | プラズマエッチング 正負イオン照射 0.3μm | 160 |
| 1995年 9月号 | 超微細半導体エッチング技術 -0.15μmの超微細加工可能- | 三菱電機 | 電波新聞 (1995年7月13日PP.1) 日経産業新聞 (1995年7月13日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年7月13日PP.9) | ガスパフRIE技術 従来0.35μm 1GbDRAMに応用 RIE 0.15μm エッチング | 160 |
| 1995年 3月号 | Si結晶の表面構造変化 -電気抵抗1/1000に激減- | 東大 | 日経産業新聞 (1995年1月20日PP.5) | Si 結晶表面構造 電気抵抗1/1000 Si結晶の表面構造変化 Si結晶 結晶構造 超微細集積回路 | 120 160 220 |
| 1995年 2月号 | 二酸化ルテニウム電極のエッチング技術 -1ギガビット級DRAMに適用- | NEC | 日経産業新聞 (1994年12月1日PP.5) | エッチング技術 誘電体製キャパシタ DRAM RuO キャパシタ電極 0.2μm/分 | 160 |
| 1994年12月号 | 低コストバイCMOS製造技術 -製造費15%減- | NEC | 日経産業新聞 (1994年10月14日PP.5) | エッチング 小型化 | 160 |
| 1994年11月号 | 走査型電子線露光 -初の5nmパターン形成- | NEC | 日刊工業新聞 (1994年9月13日PP.7) | 無機レジスト法 量子効果素子 イオンビームスパッタ法 | 120 160 |
| 1994年 9月号 | 光露光で0.13μmレジストパターン実現 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1994年7月14日PP.7) | 4GbDRAM 0.13μm リソグラフィ 高解像度 LSI | 230 160 |
| 1994年 6月号 | 原子単位のエッチング技術 -アトムデバイスに道- | NEC | 日経産業新聞 (1994年4月15日PP.4) | エッチング技術 塩素原子1個はぎとり STM利用 | 160 |
| 1994年 5月号 | 高密度記録磁気材料CoCr薄膜 | NTT原子研 | 日刊工業新聞 (1994年3月23日PP.11) 日本工業新聞 (1994年3月23日PP.6) 朝日新聞 (1994年3月23日PP.12) | 磁気記録材料 CoCr微細磁気構造 超微細磁気構造 8nm 10Gb/cm2 | 130 |
| 1994年 5月号 | 半導体露光技術 | ニコン | 日刊工業新聞 (1994年3月15日PP.1) | 光学露光 非線形光学レジスト 超解像 NOLMEX法 寸法従来比1/2 | 160 |
| 1994年 2月号 | 超微細の半導体回路パターン -作成技術を開発- | 電総研 | 日刊工業新聞 (1993年12月14日PP.17) | 回路線幅0.1μm エッチング工程不要 | 260 |
| 1994年 2月号 | 超小型・高集積CCD -1/4インチで38万画素- | NEC | 日経産業新聞 (1993年12月14日PP.1) | 微細化 1/4インチCCD 従来は1/3インチで38万画素 38万画素 小型ビデオカメラ | 210 |
| 1994年 2月号 | 世界最小MOSトランジスタ -ゲート長世界最小実現- | 東芝 | 電波新聞 (1993年12月3日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月3日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年12月3日PP.7) 日本工業新聞 (1993年12月3日PP.6) | MOSトランジスタ ゲート長0.4μm 超微細加工技術 世界最小 100GbpsのDRAM 1.5V動作 従来ゲート長0.07μm 固層拡散法 | 220 260 |
| 1994年 1月号 | 超電導小型SRリンク | 三菱電機 | 電波新聞 (1993年11月16日PP.1) | シンクロトロン 超電導 超微細加工SRリンク 軌道間長9.2cm 世界最小 | 360 160 |
| 1993年12月号 | 導電性高分子 | 米IBM | 日経産業新聞 (1993年10月25日PP.5) | 導電性材料 静電気防止 レジスト | 100 160 |
| 1993年10月号 | 骨の微細構造を立体的に表現 | 奈良先端大学院大 | 日刊工業新聞 (1993年8月6日PP.5) | X線マイクロCT | 360 |
| 1993年 8月号 | X線マスクによる極微細パターン加工 | ソルテック 日立製作所 | 日経産業新聞 (1993年6月17日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年6月17日PP.9) | 微細加工 SR光源 | 160 |
| 1993年 8月号 | 次世代LSI向け超微細配線 -最小線幅0.25μm銅使い，2層配線- | 富士通 | 日経産業新聞 (1993年6月8日PP.5) | 銅線 0.25μm 2層配線 超微細配線 寿命100倍 次世代LSI | 160 |
| 1993年 5月号 | X線露光用レジスト | 東芝 | 日経産業新聞 (1993年3月25日PP.1) | 半導体用レジスト 0.15μm線幅 1Gbメモリー用 有機化合物系 | 120 160 |
| 1993年 2月号 | 超微細MOSトランジスタ -ゲート長0.1μm以下に- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1992年12月21日PP.8) | 超微細加工技術 PMOSトランジスタ 固相拡散ドレイン(SPDD)構造 ゲート長0.08μm | 260 220 |
| 1993年 2月号 | 高解像度光リソグラフィ技術 | 日立製作所 ミノルタ | 日刊工業新聞 (1992年12月17日PP.8) | 焦点深度3倍 | 160 |
| 1993年 2月号 | 超微細放電加工機 | 松下技研 | 電波新聞 (1992年12月15日PP.2) 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.5) | 放電加工機 | 160 |
| 1993年 2月号 | 1GbDRAM用0.2μm以下の超微細パターン形成技術 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1992年12月15日PP.1) 日経産業新聞 (1992年12月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.9) 電波新聞ハイテクノロジ (1992年12月17日PP.1) | ArFエキシマレーザ 1GbDRAM 微細加工技術 | 260 230 |
| 1993年 2月号 | 256MbDRAM用メモリーセル -世界最小面積を実現- | NEC | 電波新聞 (1992年12月12日PP.1) 日経産業新聞 (1992年12月11日PP.4) | DRAM 微細加工技術 | 230 |
| 1993年 2月号 | 1Gb級のDRAM量産に必要な光源にメド | ソルテック | 朝日新聞夕刊 (1992年12月2日PP.9) 日経産業新聞 (1992年12月2日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年12月9日PP.9) | 微細加工技術 | 230 |
| 1993年 1月号 | 高温超電導微細加工技術 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1992年11月17日PP.1) | 高温超電導 微細加工技術 乾式エッング | 220 |
| 1993年 1月号 | 高真空中でGaAs基板微細加工技術 -量子細線構造を試作- | 新技術事業団 | 日刊工業新聞 (1992年11月11日PP.15) | 量子細線デバイス 超高真空 電子ビーム照射 量子細線構造 超高速スイッチング素子 | 260 220 |
| 1992年10月号 | 超微細加工技術 -アルミ化合物を原子単位で積層- | NTT | 日経産業新聞 (1992年8月11日PP.4) | 超微細加工技術 厚さ1.96nm ALE法 | 160 |
| 1992年 8月号 | レーザリソグラフィ技術 -0.25μmパターン- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1992年6月5日PP.1) | 次世代LSI | 160 |
| 1992年 7月号 | X線リソグラフィ用マスク -最小線幅0.2μmで微細パターン描写- | NTTアドバンステクノロジ(NTEC) | 日刊工業新聞 (1992年5月13日PP.9) | X線リソグラフィ用マスク 線幅0.2μm | 160 |
| 1992年 6月号 | 0.075μmで加工できる感光樹脂 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1992年4月7日PP.1) 日刊工業新聞 (1992年4月7日PP.6) | フォトレジスト 電子線描画 | 160 260 |
| 1992年 2月号 | 半導体露光装置 | キヤノン | 日経産業新聞 (1991年12月2日PP.1) | 超微細加工技術 0.35μm QUEST | 260 |
| 1992年 1月号 | 超微細構造の黒鉛結晶 | 日電 | 電波新聞 (1991年11月7日PP.1) 日経産業新聞 (1991年11月7日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年11月7日PP.16) | 結晶 | 100 |
| 1991年11月号 | X線リゾグラフィ装置 μm加工 -線幅0.2μmの加工実現- | NTT | 日経産業新聞 (1991年9月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年9月19日PP.11) | 従来は0.2μm限度で256Mb今回技術で1Gb可能 製造加工 X線リソグラフィ装置 | 160 |
| 1991年10月号 | 高速動作BiCOMS | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年8月28日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年8月28日PP.6) | 0.2μmの微細配線 線幅従来は0.8μmこのたび0.3μm 動作電圧3.3V | 220 |
| 1991年 9月号 | 発明協会賞 -プラズマエッチング- | 寄田さん提出資料 (1991年7月26日PP.0) | 660 160 | ||
| 1991年 9月号 | レーザで微細溝加工 | 理研 | 日刊工業新聞 (1991年7月4日PP.5) | 0.17mm間隔 干渉縞 表面プラズマ波 | 260 |
| 1991年 7月号 | 256MDRAM向け微細配線技術 | 日電 | 日経産業新聞 (1991年5月28日PP.1) | アルミ合金配線0.25μm 口径で深さ1μm │ | 260 |
| 1991年 7月号 | 発光するSi実現 | NTT | 日刊工業新聞 (1991年5月15日PP.9) 日経産業新聞 (1991年5月15日PP.5) | 素材 量子サイズ効果で発光 Si原子 微細加工 | 150 |
| 1991年 6月号 | 64MDRAM量産へ新技術 | 日電 | 日経産業新聞 (1991年4月24日PP.4) | 64MDRAM 低温処理で凹凸(表面積2倍) エッチング工程不要 | 220 |
| 1991年 4月号 | 30〜60GのHEMT | 東芝 | 電波新聞 (1991年2月22日PP.0) | ゲートを0.1μmの微細加工 | 220 |
| 1991年 3月号 | サブミクロンの微小駆動素子 | 東大生研 | 日刊工業新聞 (1991年1月31日PP.0) | 0.2mμmギャップを加工 熱酸化現象を微細加工に応用 | 250 |
| 1991年 2月号 | 半導体に0.15μmの微細加工 | 沖電器 | 日経産業新聞 (1990年12月14日PP.0) | 260 |