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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 1992年11月号 | 文字認識技術 -ニューラルネットと知識処理を融合- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1992年9月29日PP.5) 電波新聞 (1992年9月29日PP.1) | 文字認識 ニューラルネット+知識処理 認識率99.6% | 620 520 |
| 1992年11月号 | 10Gbの量子化メモリー素子 -1チップで文庫本5000冊- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1992年9月28日PP.1) | トンネル共鳴 量子効果 量子化メモリー 10Gb 新型メモリー RHET/トンネルダイオード | 230 |
| 1992年11月号 | コヒーレント光通信用素子 | NEC | 日刊工業新聞 (1992年9月26日PP.1) | 1.5μm帯 DFBレーザ デュアルPINダイオード 寿命10万時間 | 340 250 |
| 1992年11月号 | 光通信用半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月25日PP.1) | 光通信 半導体レーザ | 250 440 |
| 1992年11月号 | 1チップ化でソリトン波発生 | KDD | 日刊工業新聞 (1992年9月25日PP.11) | 9.6GHzのソリトン発生 | 250 |
| 1992年11月号 | 光の屈折率3倍に変化 | KDD | 日刊工業新聞 (1992年9月25日PP.7) | 250 | |
| 1992年11月号 | 世界初1.3μm帯レーザ発振 | 光技術研究開発 古河電工 | 日本工業新聞 (1992年9月22日PP.5) 電波新聞 (1992年9月23日PP.7) | InAsPレーザ 1.3μm帯 120℃で発振 | 230 |
| 1992年11月号 | 光アンプ光源にメド -1.02μm帯レーザ- | NEC | 日刊工業新聞 (1992年9月23日PP.1) | 光導波路構造 100mW 光増幅30倍 | 250 |
| 1992年11月号 | レーザと変調器1チップ化 -光出力，10G級10倍に- | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1992年9月22日PP.6) | レーザと変調器1チップ化 10Gbps 1.55μm 出力10倍 | 250 |
| 1992年11月号 | 103nmの広波長可変レーザ | NTT | 電波新聞 (1992年9月22日PP.6) 日本工業新聞 (1992年9月22日PP.5) | 波長可変半導体レーザ 可変域103nm 1.5μm | 250 |
| 1992年11月号 | CS利用ディジタル映像伝送協議会 | 郵政省 | 日刊工業新聞 (1992年9月22日PP.11) 日本工業新聞 (1992年9月22日PP.3) | SNGのディジタル化 | 540 |
| 1992年11月号 | 赤外線画像データシステム | 松下電器産業グループ | 電波新聞 (1992年9月22日PP.7) | 赤外線センサ 赤外線カメラ 映像システム | 210 310 320 |
| 1992年11月号 | オムニトラック実用化促進 | 郵政省 | 電波新聞 (1992年9月21日PP.1) | 移動通信 衛星データ通信 陸上移動衛星データ通信 | 440 540 |
| 1992年11月号 | Si結晶成長観察技術 | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年9月19日PP.5) 日経産業新聞 (1992年9月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年9月19日PP.5) | 微小材料評価技術 原子レベル成長制御 | 100 160 |
| 1992年11月号 | カオス現象のIC | 新日本無線 九州工大 | 電波新聞 (1992年9月19日PP.2) 日経産業新聞 (1992年9月19日PP.5) 日本経済新聞 (1992年9月19日PP.12) | 220 | |
| 1992年11月号 | CD動画ディスク | 日本ビクター | 電波新聞 (1992年9月18日PP.1) | MPEG | 330 |
| 1992年11月号 | 米特許制度改正案まとまる | 米商務省 | 日刊工業新聞 (1992年9月17日PP.7) 日経産業新聞 (1992年9月28日PP.2) | 先願主義へ移行 | 600 |
| 1992年11月号 | 電子スチルカメラ | リコー | 日経産業新聞 (1992年9月16日PP.1) | 電子スチルカメラ 画像処理プロセッサ 2860万画素/s 動画 音声 | 310 |
| 1992年11月号 | 最高精細の液晶カラープロジェクタ | シャープ | 電波新聞 (1992年9月15日PP.1) | 液晶カラープロジェクタ 高精細液晶 | 250 350 |
| 1992年11月号 | 396GHzGのジョセフソン素子 | 工技院 | 日刊工業新聞 (1992年9月14日PP.7) | 従来は302GHz ニオブ薄膜平面型 ブリッジ素子 | 220 |
| 1992年11月号 | CD-ROM用小型光学モジュール | NEC | 日経産業新聞 (1992年9月14日PP.5) | 光ヘッドの厚さ1/3 | 210 310 |
| 1992年11月号 | 高速非線形光学材料 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1992年9月12日PP.1) | 非線形光学材料 超格子薄膜 応答時間40ps 光集積回路 Se化亜鉛系半導体 | 220 130 |
| 1992年11月号 | 新方式光交換システム -光信号のまま伝送先切換え- | 東大 | 朝日新聞(夕刊)ほか (1992年9月11日PP.7) | 光交換 780/840nm切換え 1/1000シャッタ 液晶シャッタ | 240 |
| 1992年11月号 | フルバンド・ハイビジョン・ディジタル光伝送装置 | 東京通信ネットワーク 大阪メディアポート 東芝 | 電波新聞 (1992年9月10日PP.2) 日経産業新聞 (1992年9月10日PP.7) 日刊工業新聞 (1992年9月10日PP.9) 日本工業新聞 (1992年9月10日PP.5) | PST ディジタル光伝送 ハイビジョン | 340 |
| 1992年11月号 | 電力-光変換効率10倍の光電融合素子 | NEC | 日刊工業新聞 (1992年9月10日PP.5) | VSTEP 高集積 | 220 |
| 1992年11月号 | 線分抽出光ニューロン素子 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1992年9月9日PP.1) | ニューラルネット | 520 |
| 1992年11月号 | 超高密度記録・消去STMメモリー -室温大気中で10nmレベル- | NEC | 電波新聞 (1992年9月9日PP.1) 日経産業新聞 (1992年9月9日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年9月9日PP.9) | 記録波長10nm 超高密度記録再生 トンネル顕微鏡(STM) 1インチ四方に1兆ビット 書換え可能STMメモリー ピット径10nm CDROMの3000倍 | 230 330 |
| 1992年11月号 | 視線入力型一眼レフカメラ | キヤノン | 日本工業新聞 (1992年9月9日PP.9) | 視線入力型AF 測距点を自動選択 | 310 520 |
| 1992年11月号 | 高真空反応性ICB法 | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月8日PP.2) | 260 | |
| 1992年11月号 | ジョセフソン素子で高周波測定 -サブミリ波検出- | 神戸製鋼 | 日経産業新聞 (1992年9月8日PP.1) | 超電導薄膜 ジョセフソン電磁波検出器 サブミリ波 ジョセフソン素子 170GHz検出 高品位通信 | 220 210 |
| 1992年11月号 | 光結合技術 -半導体レーザに光導波路- | NTT | 日本経済新聞 (1992年9月5日PP.12) | 250 | |
| 1992年11月号 | 導電性高分子利用の薄膜トランジスタ | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月4日PP.6) 日経産業新聞 (1992年9月4日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年9月4日PP.5) 日本工業新聞 (1992年9月4日PP.15) | 導電性高分子 薄膜Tr ポリマートランジスタ ポリチエニレンビニレン | 220 120 |
| 1992年11月号 | 光双安定素子 | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月3日PP.2) 日経産業新聞 (1992年9月3日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年9月3日PP.7) 日本工業新聞 (1992年9月3日PP.15) | 光双安定素子 量子井戸構造 光スイッチング | 220 240 |
| 1992年11月号 | フラーレン，導膜導電性を自由に制御する技術 -フラーレンC60使った半導体材料に道- | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月2日PP.8) 日経産業新聞 (1992年9月2日PP.4) 日刊工業新聞 (1992年9月2日PP.7) | ICB法でC60の薄膜作製 サッカーボール型炭素分子フラーレン ICB法 | 120 |