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掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
2004年 6月号 | 安価な高速光通信用レーザ光源 | 東工大 | 電波新聞 (2004年3月2日PP.9) | LiF DFBレーザ 450nmの光を受けると波長710nmで発振 | 240 250 |
2004年 6月号 | リアルタイム距離計測画像カメラ | 松下電工 | 電波新聞 (2004年3月1日PP.6) | 画素単位で時反射光の間差計測 128×123画素 | 210 310 |
2004年 6月号 | 単結晶トンネル磁気抵抗素子(TMR) -記憶容量10倍- | 産総研 JST | 日経産業新聞 (2004年3月3日PP.8) 日刊工業新聞 (2004年3月3日PP.25) | MRAM 室温で磁気抵抗88% 出力電圧380mV MgO | 230 |
2004年 6月号 | アクティブ収差補正素子 -球面収差を液晶で補正- | シチズン時計 | 日経産業新聞 (2004年3月8日PP.1) | DVD二層記録対応 液晶の分子配列調整で光の屈折率制御 | 250 |
2004年 6月号 | 多層プリント配線板技術 -5Gbps 4000ピン対応- | 富士通研 FICT 富士通 | 日刊工業新聞 (2004年3月9日PP.1) | 高速伝送層と高密度実装層を独立に作製し張り合わせる 0.8mmピッチ BGA | 260 |
2004年 6月号 | CNTを使った電磁波遮断材 | 塚田理研工業 信州大 | 日経産業新聞 (2004年3月9日PP.9) | プラスチックなどにニッケルをメッキした際に生じる廃液転用 CLTをNiで覆う | 120 160 |
2004年 6月号 | GaAs系フォトニック結晶 -1cm規模で超低損失- | FESTA | 日刊工業新聞 (2004年3月10日PP.25) | 0.7dB/1mmの超低損失 マトリクススイッチ大規模化 光通信用1.3μmのPC導波路 | 140 |
2004年 6月号 | BN薄膜 -CNTしのぐ電子材料- | 物質・材料研究機構 | 日経産業新聞 (2004年3月11日PP.8) 日刊工業新聞 (2004年3月11日PP.25) | FED 照明器具 100倍以上の電界電子放出特性 8.6V/μmで電流密度0.9A/cm2 | 150 |
2004年 6月号 | 液晶製品の消費電力削減 | 三洋電機 | 電波新聞 (2004年3月12日PP.1) | 低温p-SiTFT LCD ドット反転駆動 消費電力半減 SmartDIDM | 250 |
2004年 6月号 | 解像度1.5倍の電子ペーパ | 千葉大 | 日経産業新聞 (2004年3月16日) | 250dpi 直径200nmの電子インク | 160 250 |
2004年 6月号 | 次世代半導体向け製造技術 -露光処理せず微細配線- | 東芝 | 日経産業新聞 (2004年3月17日PP.11) | 1時間の工程を1分に短縮 ソフトリソグラフィ 直径50nmの粒子を50nm間隔で碁盤の目に並べる | 160 |
2004年 6月号 | 急速充電器 -電池の寿命10倍に- | キムラタン | 日経産業新聞 (2004年3月19日PP.1) | 1分間の充電毎に10秒間休止して電流値検出 過充電防止 常に最大電流で充電 容量1700mWニッケル水素電池で充電時間10分強 | 250 350 |
2004年 6月号 | 不正アクセス防ぐセキュリティ技術 -無線LANの室外からの侵入阻止ー | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2004年3月19日PP.9) | 接続端末が部屋の内側か外側かを識別 電磁波強度を測定 | 440 |
2004年 6月号 | タンパク質を使って光検出する技術 | 産総研 | 日経産業新聞 (2004年3月19日PP.9) | あい色細胞のPS1 光合成 | 110 |
2004年 6月号 | スピンエレクトロニクスメモリー素子 | 東北大 | 日経産業新聞 (2004年3月22日PP.9) | TiO2にCo添加 MRAM | 230 |
2004年 6月号 | ICタグと無線LANで人の屋内位置把握 | NEC | 日経産業新聞 (2004年3月22日) | 赤外線を受信するタグ | 340 440 660 |
2004年 6月号 | LEDバックライト液晶ディスプレイ -色再現性1.5倍に- http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2004/0322-a.htm | 三菱電機 | 日経産業新聞 (2004年3月23日PP.7) | 輝度600cd/m2 IPS 23インチ1920×1200ドット AdobeRGB(1998)と同等の色再現域 | 250 350 |
2004年 6月号 | Siで高速光IC | 富士通 | 日経産業新聞 (2004年3月23日PP.1) | 50Gbps ゲート長45nm | 240 250 |
2004年 6月号 | 携帯受信向け地上デジタル放送 -2005年度にも実現 AVC/H.264のライセンス交渉基本合意- 一行紹介 | NHK 民放5社 | 日本経済新聞 (2004年3月24日PP.13) 電波新聞 (2004年3月25日PP.1) 日経産業新聞 (2004年3月25日PP.2) | AVC/H264採用 | 540 660 640 |
2004年 6月号 | 単電子トランジスタ試作 図を使用(日経産業) | 東大生研 | 日経産業新聞 (2004年3月25日PP.9) 日刊工業新聞 (2004年3月10日PP.25) 日経産業新聞 (2004年3月10日PP.9) | 2nmの量子ドット 室温でTrとして機能 1素子2ビット記録 | 160 220 |
2004年 6月号 | 超広帯域量子ドット光増幅器 -帯域120nmで高出力- | 東大 富士通 | 日刊工業新聞 (2004年3月25日PP.37) | 出力200mW QDSOA 増幅媒体に30nm径InAs 光帯域1.26〜1.61μm | 220 250 |
2004年 6月号 | 携帯に内蔵できる平面アンテナ | 創大アンテナ | 日経産業新聞 (2004年3月26日PP.19) | スカイパネル 平面上に多数の回路を並べる 厚さ6mm 約7cm角 | 340 |
2004年 6月号 | 電解質膜にフラーレンを用いたメタノール型燃料電池 | プロトンC60パワー | 日経産業新聞 (2004年3月26日PP.8) | 直接メタノール型 | 250 |
2004年 6月号 | 線幅20nmで回路描画可能な微細加工技術 図使用 | 早大 | 日経産業新聞 (2004年3月29日PP.9) | 拡散光の重なりが回路になる マスクとウェハの距離20μm以上 X線使用 | 160 |
2004年 6月号 | 32nm幅の半導体加工技術 | Selete | 日経産業新聞 (2004年3月30日PP.1) | F2(下付)レーザ 波長157nm 液浸技術 | 160 |
2004年 6月号 | 二重ロックの電子透かし | 佐賀大 | 日刊工業新聞 (2004年3月31日PP.11) | データ固有の特徴を見つけだす処理 | 520 |