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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2004年11月号 | 45nm半導体向けに電流漏れ少ない絶縁膜 | MIRAIプロジェクト | 日経産業新聞 (2004年8月2日PP.9) | 炭素不純物を5〜9割除去 HfO2 Al2O3 リーク電流1μm/cm2 | 160 |
| 2004年11月号 | 高精細有機TFT | 産総研 日立 光産業技術振興協会 | 日刊工業新聞 (2004年8月3日PP.29) | 有機半導体と電極界面の形状の最適化 印刷可能な保護膜 接触抵抗約1/5 80ppi 画面サイズ1.4インチ | 250 160 |
| 2004年11月号 | 高精細有機TFT | 産総研 日立 | 日経産業新聞 (2004年8月3日PP.10) | 電子ペーパに応用 液晶との保護膜を有機と無機の二層化 | 250 160 |
| 2004年11月号 | 解像度3倍の新型撮像素子 | NHK | 日経産業新聞 (2004年8月5日PP.6) | 超高感度カメラ CCDの200倍 HARP膜と冷陰極板間に金網状電極 1画素50μm角 | 210 |
| 2004年11月号 | 炭素分子の新構造体 | 名大 | 日経産業新聞 (2004年8月5日PP.1) | カーボンナノウォール FEDの性能大幅向上 CNTよりも多くの電子を放出 CVD装置 厚さ数nm〜数十nmのC分子の壁 | 120 150 |
| 2004年11月号 | 液晶表示パネル -消費電力6割減- | NEC | 日経産業新聞 (2004年8月6日PP.1) | SOG技術 試作176×234画素・約2インチサイズ 電源回路もガラス基板に一体化 電源回路組込みのSOG | 160 250 |
| 2004年11月号 | 携帯・IP携帯共用端末 | 情通機構 | 日本経済新聞 (2004年8月6日PP.17) | 自動切換え PDAタイプ試作 | 340 440 |
| 2004年11月号 | 2.6インチ300ppiTFT-液晶ディスプレイ | 韓国サムスン電子 | 電波新聞 (2004年8月11日PP.1) | a-Si VGA解像度 コントラスト比200対1 輝度150Cd/m2 | 160 250 |
| 2004年11月号 | 単分子膜を用いた微細位置決め技術 -ナノギャップを安価に加工- | 分子科研 米ペンシルバニア州立大 | 日刊工業新聞 (2004年8月11日PP.17) | 自己組織化単分子膜(SAM) 位置選択性分子定規(PS-MR) 低速電子線 16-メルカプト・ヘキサデカノイック酸(MHDA)と二化Cuイオンの層 数nm加工 | 120 160 |
| 2004年11月号 | ナノチューブの炭素原子の配列・格子欠陥 | 産総研 | 日経産業新聞 (2004年8月19日PP.6) | 透過型電子顕微鏡 電子ビームに加える電圧を低下 感度5〜6倍向上 | 360 660 |
| 2004年11月号 | 超小型で省電力の光スイッチ | NEC | 日経産業新聞 (2004年8月20日PP.8) | フォトニック結晶 面積比で約1/100〜1/1000 サイズ80μm×50μm | 240 |
| 2004年11月号 | Ge基板の半導体素子 | 東大 | 日経産業新聞 (2004年8月20日PP.8) | Ge基板上のHfO2がキャパシタとして動作 低温製造 電子の移動度Siの2倍 | 120 160 |
| 2004年11月号 | 世界最速の浮動小数点演算用LSI | 理化学研 日立 | 日刊工業新聞 (2004年8月23日PP.21) | 浮動小数点演算230GFLOPS ブロードキャストメモリーアーキテクチャ MDGRAPE-3チップ 分子動力学計算 | 220 |
| 2004年11月号 | 色素増感型太陽電池の発電素子 -マイクロ波で焼結- | 東北大 | 日経産業新聞 (2004年8月24日PP.7) | ガラス電極を金属板上に置いてマイクロ波を当てる 発泡Ni板 TiO2 | 250 260 |
| 2004年11月号 | 光電変換素子1/6に小型化 | NEC 産総研 | 日経産業新聞 (2004年8月24日PP.7) | 強誘電体セラミックス PLZT セラミックス結晶粒の大きさ20nm以下 変換素子大きさ数mm角程度 半導体基板上に形成 | 240 160 |
| 2004年11月号 | 200GBホログラム光ディスク -動画を記録再生- | オプトウェア | 日経産業新聞 (2004年8月24日PP.1) | 大容量光ディスク コリニア方式 光学系の機構を簡素化可能 波長選択膜構造 | 230 430 |
| 2004年11月号 | 高温超電導の仕組みの一端を解明 -格子状の電子分布- | 理化学研 JST | 日刊工業新聞 (2004年8月26日PP.25) 日経産業新聞 (2004年8月26日PP.7) | 銅酸化物二次元面を走査型トンネル電子分光で擬ギャップ状態を観察 カルシウム銅オキシクロライド | 120 660 |
| 2004年11月号 | CIGS太陽電池向け発電素子新素材 | 青山学院大 | 日経産業新聞 (2004年8月26日PP.7) | Ag Ga Se In 未調整で発電効率9.2% | 150 250 |
| 2004年11月号 | 立体表示の液晶ディスプレイ -世界最高の精細度- | NEC | 日本経済新聞 (2004年8月27日PP.12) | カマボコ型レンズ 画素数は従来の2.6倍 | 450 |
| 2004年11月号 | 多層CNT -280℃で低温合成- | 日本工大 | 日刊工業新聞 (2004年8月30日PP.25) | 熱フィラメント・化学気相成長(CVD)法 280℃に加熱した金属触媒 低コスト | 120 |
| 2004年11月号 | 絶縁層薄膜の印刷技術 -印刷でICカード・タグを作製可能- | 産総研 日立 | 朝日新聞 (2004年8月31日PP.2) | Siの酸化物をプラスチックに100℃以下で印刷 | 220 160 |
| 2004年11月号 | 屈折率2超える光学ガラス -モールドプレスで低コスト量産- | 住田光学ガラス | 日刊工業新聞 (2004年8月31日PP.1) | アッベ数(逆分散率)20.6 転移温度496℃ 比重5.48 高い化学的耐久性 光学機器の軽薄短小化 屈折率2.00170 | 310 |