Japanese only.
掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
2006年 5月号 | すりつぶすだけでナノ結晶 | 海洋研究開発機構 | 日刊工業新聞 (2006年2月2日PP.1) | フラーレン C60 C70 数分すりつぶす 約30%が直径数μm以下 毒性なし | 120 160 |
2006年 5月号 | 家庭内ネットワーク規格を問わず制御 | ソラン | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.1) | TCP/IP JEM-A ECHONET PLC DLNA 独プロシスト | 620 660 |
2006年 5月号 | LED型量子暗号通信素子 | 東芝欧州研究所 | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.8) | 量子もつれ光子対を任意に発生 高さ6nm直径12nmの量子ドット微細構造 半導体素子 | 120 240 250 220 |
2006年 5月号 | 世界最高速10Gbpsの光無線通信実験に成功 | 早大 情通機構 | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.8) | 1.5μm帯のレーザ光 距離1kmで10Gbps | 440 250 |
2006年 5月号 | 世界最小のICチップ | 日立 | 日経産業新聞 (2006年2月6日PP.8) | ミューチップ 0.15mm角 7.5μm厚 SOI技術 絶縁層で干渉を防止 素子の高集積化 | 160 220 340 |
2006年 5月号 | ロボットハンド用滑りセンサ | 奈良先端大 | 日経産業新聞 (2006年2月6日PP.8) | 指先に半球状のゲル状物質 ゲル状物質表面に等間隔の点 CMOSカメラで点の動きを検出 | 310 120 210 320 |
2006年 5月号 | 超小型メモリーカード -メモリースティックマイクロ- | ソニー 米サンディスク | 日経産業新聞 (2006年2月7日PP.9) | 最大1GB 厚さ1.2mm 縦15mm 横12.5mm | 230 |
2006年 5月号 | 最速最大容量のMRAM | 東芝 NEC | 日経産業新聞 (2006年2月8日PP.11) | 記憶容量16Mb データ読み書き速度200MBps 電気抵抗約38%抑制 電源電圧1.8V | 230 |
2006年 5月号 | 最高速アクセス実現のDDR-VSDRAM回路技術 | エルピーダメモリ | 日刊工業新聞 (2006年2月8日PP.23) | アクセス時間8.13ns 1.5Vで1.67Gbpsの最速転送 メモリーアレイからデータを時分割でバッファ回路に転送 動作余裕を確保するカウンタ回路 最大入力クロック入力800MHz | 220 |
2006年 5月号 | たんぱく質で半導体メモリー | 奈良先端大 松下電器 | 日刊工業新聞 (2006年2月9日PP.27) | 不揮発性半導体メモリー フローティングゲートにフェリチンを利用した直径7nmのCoOナノ粒子 フェリチンの外径13nm | 120 220 230 |
2006年 5月号 | キャパシタの蓄電効率10%改善 -電極抵抗1/4に- | 東海大 | 日経産業新聞 (2006年2月15日PP.11) | ナノテク素材 電気二重層キャパシタ 50mgの活性炭に直径10nm長さ100μmのCNT加え直径約1cm厚さ1mmの電極 電極の抵抗2.5Ω 厚さ3mmで2.5F | 120 160 250 |
2006年 5月号 | 超高輝度有機EL -テレビの6万倍の明るさ- | 信州大 | 日刊工業新聞 (2006年2月17日PP.27) | 1850万cd/m2 発光面積約0.03mm2 パルス幅5μsでパルス電圧付加 100MHz以上の安定した光変調を確認 材料構造と素子構造を工夫 有機EL層を2つの反射鏡で挟んだマイクロキャビティ構造 | 160 250 |
2006年 5月号 | 女性の顔を20台のカメラで同時撮影 | 花王 | 日経産業新聞 (2006年2月21日PP.9) | 化粧品開発 600万画素のディジタルカメラ20台とライト50個をつけた半円形の装置 15°刻み カメラ1台ずつにレーザポインタ 1ピクセル精度で方向合わせ | 310 320 450 |
2006年 5月号 | 有機発光トランジスタで8×8のアクティブマトリクスディスプレイパネル | ローム パイオニア 三菱化学 京大 | 電波新聞 (2006年2月21日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年2月21日PP.12) | 有機スイッチングトランジスタ 黄色に発光 発光外部量子効率0.8% 表面改質したSi酸化膜のゲート絶縁膜表面にTPPyにルブレンをドープした共蒸着膜を形成 駆動電圧80V 1000cd/m2 | 160 220 250 |
2006年 5月号 | 銅ナノインク開発 | 旭化成 | 日刊工業新聞 (2006年2月22日PP.23) | 印刷技術活用 Cu配線や薄膜を低コスト形成 厚さや線幅をμmオーダーで制御可能 酸化膜のナノサイズ微粒子と酸化還元剤をインクに配合 塗布後焼成 エッチング工程不要 | 130 160 120 |
2006年 5月号 | テラヘルツ光用新型レーザ -コスト1/100- | 情通機構 東大 | 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.1) | 透過撮影用光源 量子カスケードレーザ 縦3mm 幅500μm 厚さ10μm GaAs化合物半導体の多層膜構造 3.4THz 動作温度-220℃ | 120 160 250 |
2006年 5月号 | 回路線幅29.9nmパターン生成 -深紫外線光リソグラフィ- | 米IBM JSR | 電波新聞 (2006年2月22日PP.3) 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.3) | DUV193nm 光屈折率液侵技術 石英レンズや有機液体などの新素材 EUV(極紫外線)でなくArF対応ステッパの継続使用可能 独自開発のフォトレジスト | 120 160 |
2006年 5月号 | 電界集中効果2割増のCNT束エミッタ -ランプやディスプレイなど多用途- | 高知工科大 大阪大 ソナック | 日刊工業新聞 (2006年2月24日PP.29) | しきい電界強度0.4〜3V/μm 直径50μm 高さ125μm 個々のCNTの直径9nm フォトエッチング法 CVD法 | 160 250 |
2006年 5月号 | すりつぶすだけでナノ結晶 | 海洋研究開発機構 | 日刊工業新聞 (2006年2月2日PP.1) | フラーレン C60 C70 数分すりつぶす 約30%が直径数μm以下 毒性なし | 120 160 |
2006年 5月号 | 家庭内ネットワーク規格を問わず制御 | ソラン | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.1) | TCP/IP JEM-A ECHONET PLC DLNA 独プロシスト | 620 660 |
2006年 5月号 | LED型量子暗号通信素子 | 東芝欧州研究所 | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.8) | 量子もつれ光子対を任意に発生 高さ6nm直径12nmの量子ドット微細構造 半導体素子 | 120 240 250 220 |
2006年 5月号 | 世界最高速10Gbpsの光無線通信実験に成功 | 早大 情通機構 | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.8) | 1.5μm帯のレーザ光 距離1kmで10Gbps | 440 250 |
2006年 5月号 | 世界最小のICチップ | 日立 | 日経産業新聞 (2006年2月6日PP.8) | ミューチップ 0.15mm角 7.5μm厚 SOI技術 絶縁層で干渉を防止 素子の高集積化 | 160 220 340 |
2006年 5月号 | ロボットハンド用滑りセンサ | 奈良先端大 | 日経産業新聞 (2006年2月6日PP.8) | 指先に半球状のゲル状物質 ゲル状物質表面に等間隔の点 CMOSカメラで点の動きを検出 | 310 120 210 320 |
2006年 5月号 | 超小型メモリーカード -メモリースティックマイクロ- | ソニー 米サンディスク | 日経産業新聞 (2006年2月7日PP.9) | 最大1GB 厚さ1.2mm 縦15mm 横12.5mm | 230 |
2006年 5月号 | 最速最大容量のMRAM | 東芝 NEC | 日経産業新聞 (2006年2月8日PP.11) | 記憶容量16Mb データ読み書き速度200MBps 電気抵抗約38%抑制 電源電圧1.8V | 230 |
2006年 5月号 | 最高速アクセス実現のDDR-VSDRAM回路技術 | エルピーダメモリ | 日刊工業新聞 (2006年2月8日PP.23) | アクセス時間8.13ns 1.5Vで1.67Gbpsの最速転送 メモリーアレイからデータを時分割でバッファ回路に転送 動作余裕を確保するカウンタ回路 最大入力クロック入力800MHz | 220 |
2006年 5月号 | たんぱく質で半導体メモリー | 奈良先端大 松下電器 | 日刊工業新聞 (2006年2月9日PP.27) | 不揮発性半導体メモリー フローティングゲートにフェリチンを利用した直径7nmのCoOナノ粒子 フェリチンの外径13nm | 120 220 230 |
2006年 5月号 | キャパシタの蓄電効率10%改善 -電極抵抗1/4に- | 東海大 | 日経産業新聞 (2006年2月15日PP.11) | ナノテク素材 電気二重層キャパシタ 50mgの活性炭に直径10nm長さ100μmのCNT加え直径約1cm厚さ1mmの電極 電極の抵抗2.5Ω 厚さ3mmで2.5F | 120 160 250 |
2006年 5月号 | 超高輝度有機EL -テレビの6万倍の明るさ- | 信州大 | 日刊工業新聞 (2006年2月17日PP.27) | 1850万cd/m2 発光面積約0.03mm2 パルス幅5μsでパルス電圧付加 100MHz以上の安定した光変調を確認 材料構造と素子構造を工夫 有機EL層を2つの反射鏡で挟んだマイクロキャビティ構造 | 160 250 |
2006年 5月号 | 女性の顔を20台のカメラで同時撮影 | 花王 | 日経産業新聞 (2006年2月21日PP.9) | 化粧品開発 600万画素のディジタルカメラ20台とライト50個をつけた半円形の装置 15°刻み カメラ1台ずつにレーザポインタ 1ピクセル精度で方向合わせ | 310 320 450 |
2006年 5月号 | 有機発光トランジスタで8×8のアクティブマトリクスディスプレイパネル | ローム パイオニア 三菱化学 京大 | 電波新聞 (2006年2月21日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年2月21日PP.12) | 有機スイッチングトランジスタ 黄色に発光 発光外部量子効率0.8% 表面改質したSi酸化膜のゲート絶縁膜表面にTPPyにルブレンをドープした共蒸着膜を形成 駆動電圧80V 1000cd/m2 | 160 220 250 |
2006年 5月号 | 銅ナノインク開発 | 旭化成 | 日刊工業新聞 (2006年2月22日PP.23) | 印刷技術活用 Cu配線や薄膜を低コスト形成 厚さや線幅をμmオーダーで制御可能 酸化膜のナノサイズ微粒子と酸化還元剤をインクに配合 塗布後焼成 エッチング工程不要 | 130 160 120 |
2006年 5月号 | テラヘルツ光用新型レーザ -コスト1/100- | 情通機構 東大 | 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.1) | 透過撮影用光源 量子カスケードレーザ 縦3mm 幅500μm 厚さ10μm GaAs化合物半導体の多層膜構造 3.4THz 動作温度-220℃ | 120 160 250 |
2006年 5月号 | 回路線幅29.9nmパターン生成 -深紫外線光リソグラフィ- | 米IBM JSR | 電波新聞 (2006年2月22日PP.3) 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.3) | DUV193nm 光屈折率液侵技術 石英レンズや有機液体などの新素材 EUV(極紫外線)でなくArF対応ステッパの継続使用可能 独自開発のフォトレジスト | 120 160 |
2006年 5月号 | 電界集中効果2割増のCNT束エミッタ -ランプやディスプレイなど多用途- | 高知工科大 大阪大 ソナック | 日刊工業新聞 (2006年2月24日PP.29) | しきい電界強度0.4〜3V/μm 直径50μm 高さ125μm 個々のCNTの直径9nm フォトエッチング法 CVD法 | 160 250 |