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2006 年 2 月発表の注目記事
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掲載
予定
題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
2006年 5月号すりつぶすだけでナノ結晶海洋研究開発機構日刊工業新聞
(2006年2月2日PP.1)
フラーレン
C60
C70
数分すりつぶす
約30%が直径数μm以下
毒性なし
120
160
2006年 5月号家庭内ネットワーク規格を問わず制御ソラン日経産業新聞
(2006年2月3日PP.1)
TCP/IP
JEM-A
ECHONET
PLC
DLNA
独プロシスト
620
660
2006年 5月号LED型量子暗号通信素子東芝欧州研究所日経産業新聞
(2006年2月3日PP.8)
量子もつれ光子対を任意に発生
高さ6nm直径12nmの量子ドット微細構造
半導体素子
120
240
250
220
2006年 5月号世界最高速10Gbpsの光無線通信実験に成功早大
情通機構
日経産業新聞
(2006年2月3日PP.8)
1.5μm帯のレーザ光
距離1kmで10Gbps
440
250
2006年 5月号世界最小のICチップ日立日経産業新聞
(2006年2月6日PP.8)
ミューチップ
0.15mm角
7.5μm厚
SOI技術
絶縁層で干渉を防止
素子の高集積化
160
220
340
2006年 5月号ロボットハンド用滑りセンサ奈良先端大日経産業新聞
(2006年2月6日PP.8)
指先に半球状のゲル状物質
ゲル状物質表面に等間隔の点
CMOSカメラで点の動きを検出
310
120
210
320
2006年 5月号超小型メモリーカード
-メモリースティックマイクロ-
ソニー
米サンディスク
日経産業新聞
(2006年2月7日PP.9)
最大1GB
厚さ1.2mm
縦15mm
横12.5mm
230
2006年 5月号最速最大容量のMRAM東芝
NEC
日経産業新聞
(2006年2月8日PP.11)
記憶容量16Mb
データ読み書き速度200MBps
電気抵抗約38%抑制
電源電圧1.8V
230
2006年 5月号最高速アクセス実現のDDR-VSDRAM回路技術エルピーダメモリ日刊工業新聞
(2006年2月8日PP.23)
アクセス時間8.13ns
1.5Vで1.67Gbpsの最速転送
メモリーアレイからデータを時分割でバッファ回路に転送
動作余裕を確保するカウンタ回路
最大入力クロック入力800MHz
220
2006年 5月号たんぱく質で半導体メモリー奈良先端大
松下電器
日刊工業新聞
(2006年2月9日PP.27)
不揮発性半導体メモリー
フローティングゲートにフェリチンを利用した直径7nmのCoOナノ粒子
フェリチンの外径13nm
120
220
230
2006年 5月号キャパシタの蓄電効率10%改善
-電極抵抗1/4に-
東海大日経産業新聞
(2006年2月15日PP.11)
ナノテク素材
電気二重層キャパシタ
50mgの活性炭に直径10nm長さ100μmのCNT加え直径約1cm厚さ1mmの電極
電極の抵抗2.5Ω
厚さ3mmで2.5F
120
160
250
2006年 5月号超高輝度有機EL
-テレビの6万倍の明るさ-
信州大日刊工業新聞
(2006年2月17日PP.27)
1850万cd/m2
発光面積約0.03mm2
パルス幅5μsでパルス電圧付加
100MHz以上の安定した光変調を確認
材料構造と素子構造を工夫
有機EL層を2つの反射鏡で挟んだマイクロキャビティ構造
160
250
2006年 5月号女性の顔を20台のカメラで同時撮影花王日経産業新聞
(2006年2月21日PP.9)
化粧品開発
600万画素のディジタルカメラ20台とライト50個をつけた半円形の装置
15°刻み
カメラ1台ずつにレーザポインタ
1ピクセル精度で方向合わせ
310
320
450
2006年 5月号有機発光トランジスタで8×8のアクティブマトリクスディスプレイパネルローム
パイオニア
三菱化学
京大
電波新聞
(2006年2月21日PP.1)
日刊工業新聞
(2006年2月21日PP.12)
有機スイッチングトランジスタ
黄色に発光
発光外部量子効率0.8%
表面改質したSi酸化膜のゲート絶縁膜表面にTPPyにルブレンをドープした共蒸着膜を形成
駆動電圧80V
1000cd/m2
160
220
250
2006年 5月号銅ナノインク開発旭化成日刊工業新聞
(2006年2月22日PP.23)
印刷技術活用
Cu配線や薄膜を低コスト形成
厚さや線幅をμmオーダーで制御可能
酸化膜のナノサイズ微粒子と酸化還元剤をインクに配合
塗布後焼成
エッチング工程不要
130
160
120
2006年 5月号テラヘルツ光用新型レーザ
-コスト1/100-
情通機構
東大
日経産業新聞
(2006年2月22日PP.1)
透過撮影用光源
量子カスケードレーザ
縦3mm
幅500μm
厚さ10μm
GaAs化合物半導体の多層膜構造
3.4THz
動作温度-220℃
120
160
250
2006年 5月号回路線幅29.9nmパターン生成
-深紫外線光リソグラフィ-
米IBM
JSR
電波新聞
(2006年2月22日PP.3)
日経産業新聞
(2006年2月22日PP.3)
DUV193nm
光屈折率液侵技術
石英レンズや有機液体などの新素材
EUV(極紫外線)でなくArF対応ステッパの継続使用可能
独自開発のフォトレジスト
120
160
2006年 5月号電界集中効果2割増のCNT束エミッタ
-ランプやディスプレイなど多用途-
高知工科大
大阪大
ソナック
日刊工業新聞
(2006年2月24日PP.29)
しきい電界強度0.4〜3V/μm
直径50μm
高さ125μm
個々のCNTの直径9nm
フォトエッチング法
CVD法
160
250
2006年 5月号すりつぶすだけでナノ結晶海洋研究開発機構日刊工業新聞
(2006年2月2日PP.1)
フラーレン
C60
C70
数分すりつぶす
約30%が直径数μm以下
毒性なし
120
160
2006年 5月号家庭内ネットワーク規格を問わず制御ソラン日経産業新聞
(2006年2月3日PP.1)
TCP/IP
JEM-A
ECHONET
PLC
DLNA
独プロシスト
620
660
2006年 5月号LED型量子暗号通信素子東芝欧州研究所日経産業新聞
(2006年2月3日PP.8)
量子もつれ光子対を任意に発生
高さ6nm直径12nmの量子ドット微細構造
半導体素子
120
240
250
220
2006年 5月号世界最高速10Gbpsの光無線通信実験に成功早大
情通機構
日経産業新聞
(2006年2月3日PP.8)
1.5μm帯のレーザ光
距離1kmで10Gbps
440
250
2006年 5月号世界最小のICチップ日立日経産業新聞
(2006年2月6日PP.8)
ミューチップ
0.15mm角
7.5μm厚
SOI技術
絶縁層で干渉を防止
素子の高集積化
160
220
340
2006年 5月号ロボットハンド用滑りセンサ奈良先端大日経産業新聞
(2006年2月6日PP.8)
指先に半球状のゲル状物質
ゲル状物質表面に等間隔の点
CMOSカメラで点の動きを検出
310
120
210
320
2006年 5月号超小型メモリーカード
-メモリースティックマイクロ-
ソニー
米サンディスク
日経産業新聞
(2006年2月7日PP.9)
最大1GB
厚さ1.2mm
縦15mm
横12.5mm
230
2006年 5月号最速最大容量のMRAM東芝
NEC
日経産業新聞
(2006年2月8日PP.11)
記憶容量16Mb
データ読み書き速度200MBps
電気抵抗約38%抑制
電源電圧1.8V
230
2006年 5月号最高速アクセス実現のDDR-VSDRAM回路技術エルピーダメモリ日刊工業新聞
(2006年2月8日PP.23)
アクセス時間8.13ns
1.5Vで1.67Gbpsの最速転送
メモリーアレイからデータを時分割でバッファ回路に転送
動作余裕を確保するカウンタ回路
最大入力クロック入力800MHz
220
2006年 5月号たんぱく質で半導体メモリー奈良先端大
松下電器
日刊工業新聞
(2006年2月9日PP.27)
不揮発性半導体メモリー
フローティングゲートにフェリチンを利用した直径7nmのCoOナノ粒子
フェリチンの外径13nm
120
220
230
2006年 5月号キャパシタの蓄電効率10%改善
-電極抵抗1/4に-
東海大日経産業新聞
(2006年2月15日PP.11)
ナノテク素材
電気二重層キャパシタ
50mgの活性炭に直径10nm長さ100μmのCNT加え直径約1cm厚さ1mmの電極
電極の抵抗2.5Ω
厚さ3mmで2.5F
120
160
250
2006年 5月号超高輝度有機EL
-テレビの6万倍の明るさ-
信州大日刊工業新聞
(2006年2月17日PP.27)
1850万cd/m2
発光面積約0.03mm2
パルス幅5μsでパルス電圧付加
100MHz以上の安定した光変調を確認
材料構造と素子構造を工夫
有機EL層を2つの反射鏡で挟んだマイクロキャビティ構造
160
250
2006年 5月号女性の顔を20台のカメラで同時撮影花王日経産業新聞
(2006年2月21日PP.9)
化粧品開発
600万画素のディジタルカメラ20台とライト50個をつけた半円形の装置
15°刻み
カメラ1台ずつにレーザポインタ
1ピクセル精度で方向合わせ
310
320
450
2006年 5月号有機発光トランジスタで8×8のアクティブマトリクスディスプレイパネルローム
パイオニア
三菱化学
京大
電波新聞
(2006年2月21日PP.1)
日刊工業新聞
(2006年2月21日PP.12)
有機スイッチングトランジスタ
黄色に発光
発光外部量子効率0.8%
表面改質したSi酸化膜のゲート絶縁膜表面にTPPyにルブレンをドープした共蒸着膜を形成
駆動電圧80V
1000cd/m2
160
220
250
2006年 5月号銅ナノインク開発旭化成日刊工業新聞
(2006年2月22日PP.23)
印刷技術活用
Cu配線や薄膜を低コスト形成
厚さや線幅をμmオーダーで制御可能
酸化膜のナノサイズ微粒子と酸化還元剤をインクに配合
塗布後焼成
エッチング工程不要
130
160
120
2006年 5月号テラヘルツ光用新型レーザ
-コスト1/100-
情通機構
東大
日経産業新聞
(2006年2月22日PP.1)
透過撮影用光源
量子カスケードレーザ
縦3mm
幅500μm
厚さ10μm
GaAs化合物半導体の多層膜構造
3.4THz
動作温度-220℃
120
160
250
2006年 5月号回路線幅29.9nmパターン生成
-深紫外線光リソグラフィ-
米IBM
JSR
電波新聞
(2006年2月22日PP.3)
日経産業新聞
(2006年2月22日PP.3)
DUV193nm
光屈折率液侵技術
石英レンズや有機液体などの新素材
EUV(極紫外線)でなくArF対応ステッパの継続使用可能
独自開発のフォトレジスト
120
160
2006年 5月号電界集中効果2割増のCNT束エミッタ
-ランプやディスプレイなど多用途-
高知工科大
大阪大
ソナック
日刊工業新聞
(2006年2月24日PP.29)
しきい電界強度0.4〜3V/μm
直径50μm
高さ125μm
個々のCNTの直径9nm
フォトエッチング法
CVD法
160
250
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