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2007 年 3 月号掲載候補の注目記事
学会誌に掲載された記事は青色で表示しています。

掲載
予定
題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
2007年 3月号2006年12月1日全放送局全国都道府県で地デジ放送開始電波新聞
(2006年12月1日PP.1)
地上デジタル放送640
2007年 3月号MRAM大容量化に道を開く磁性体加工の新技術東北大日刊工業新聞
(2006年12月5日PP.1)
パルス変調プラズマ方式
磁性体膜の揮発性の大幅向上
磁性特性の劣化改善
磁気トンネル接合素子
160
2007年 3月号液晶フィルタ色欠陥自動修正装置NTN日経産業新聞
(2006年12月6日PP.1)
白抜け欠陥
黒欠陥
CCDカメラで撮影
250
260
2007年 3月号手のひらサイズのモジュール型コンピュータ日立日刊工業新聞
(2006年12月9日PP.1)
ユビキタスコントローラ
PCIバス
最大14モジュールまで積み重ね可能
320
2007年 3月号PRAM駆動電力1/10日立
ルネサステクノロジ
日経産業新聞
(2006年12月13日PP.9)
記録層と絶縁膜の間に厚さ2〜3nmのTa2O5薄膜
記録時電流数百μA
160
230
2007年 3月号8枚積層4GbDRAMNECエレクトロニクス
エルピーダメモリ
沖電気
日経産業新聞
(2006年12月14日PP.1)
ワンチップ方式より開発期間を3〜6年先行
チップを貫通する配線・電極
チップ間を最短距離で接続
230
260
2007年 3月号ハイビジョン放送を1500時間保存可能な次世代メモリーパイオニア
東北大
日本経済新聞
(2006年12月15日PP.17)
切手大のサイズ換算で10Tb以上の情報を記録
強誘電体プローブメモリー
230
2007年 3月号光電変換CNT東大日経産業新聞
(2006年12月15日PP.10)
電子を放出する層を電子を受け取る分子の層で包んだ中空構造
直径16nm
壁の厚さ3nm
長さ数μm
120
2007年 3月号駆動電流が50%超向上する次世代立体型トランジスタ東芝日刊工業新聞
(2006年12月15日PP.30)
雪かき効果
金属シリサイドとチャネル部分のSi界面に不純物原子を高濃度で2〜3nm厚に偏析した層を形成
160
220
2007年 3月号可視光・近赤外同時撮像可能なCMOSカメラ豊田中研日経産業新聞
(2006年12月15日PP.10)
波長780〜1100nmの近赤外線
二つある緑色カラーフィルタの一つを近赤外線用に変更
画素サイズ7.4μm角
210
2007年 3月号線幅32nmLSI性能2倍に東芝日経産業新聞
(2006年12月15日PP.10)
Si加工面に1%の歪を加えるn型トランジスタ
0.1%で解析
160
220
2007年 3月号動作速度2割向上した線幅45nmトランジスタ富士通
富士通研
日経産業新聞
(2006年12月19日PP.11)
電流低下や電流漏れを抑制160
220
2007年 3月号150lm/Wの白色LED日亜化学工業日経産業新聞
(2006年12月20日PP.3)
発光層に乱反射を抑える構造
電極の透明度を高め発光効率を1.5倍に向上させた
250
260
2007年 3月号1ns間光を閉じ込める新共振器構造NTT日刊工業新聞
(2006年12月25日PP.15)
フォトニック結晶
導波路の幅を変調
直径200nm程度の穴を三角格子状に配列
穴の位置を局所的に3〜9nm移動
Q値120万
160
240
2007年 3月号2006年12月1日全放送局全国都道府県で地デジ放送開始電波新聞
(2006年12月1日PP.1)
地上デジタル放送640
2007年 3月号MRAM大容量化に道を開く磁性体加工の新技術東北大日刊工業新聞
(2006年12月5日PP.1)
パルス変調プラズマ方式
磁性体膜の揮発性の大幅向上
磁性特性の劣化改善
磁気トンネル接合素子
160
2007年 3月号液晶フィルタ色欠陥自動修正装置NTN日経産業新聞
(2006年12月6日PP.1)
白抜け欠陥
黒欠陥
CCDカメラで撮影
250
260
2007年 3月号手のひらサイズのモジュール型コンピュータ日立日刊工業新聞
(2006年12月9日PP.1)
ユビキタスコントローラ
PCIバス
最大14モジュールまで積み重ね可能
320
2007年 3月号PRAM駆動電力1/10日立
ルネサステクノロジ
日経産業新聞
(2006年12月13日PP.9)
記録層と絶縁膜の間に厚さ2〜3nmのTa2O5薄膜
記録時電流数百μA
160
230
2007年 3月号8枚積層4GbDRAMNECエレクトロニクス
エルピーダメモリ
沖電気
日経産業新聞
(2006年12月14日PP.1)
ワンチップ方式より開発期間を3〜6年先行
チップを貫通する配線・電極
チップ間を最短距離で接続
230
260
2007年 3月号ハイビジョン放送を1500時間保存可能な次世代メモリーパイオニア
東北大
日本経済新聞
(2006年12月15日PP.17)
切手大のサイズ換算で10Tb以上の情報を記録
強誘電体プローブメモリー
230
2007年 3月号光電変換CNT東大日経産業新聞
(2006年12月15日PP.10)
電子を放出する層を電子を受け取る分子の層で包んだ中空構造
直径16nm
壁の厚さ3nm
長さ数μm
120
2007年 3月号駆動電流が50%超向上する次世代立体型トランジスタ東芝日刊工業新聞
(2006年12月15日PP.30)
雪かき効果
金属シリサイドとチャネル部分のSi界面に不純物原子を高濃度で2〜3nm厚に偏析した層を形成
160
220
2007年 3月号可視光・近赤外同時撮像可能なCMOSカメラ豊田中研日経産業新聞
(2006年12月15日PP.10)
波長780〜1100nmの近赤外線
二つある緑色カラーフィルタの一つを近赤外線用に変更
画素サイズ7.4μm角
210
2007年 3月号線幅32nmLSI性能2倍に東芝日経産業新聞
(2006年12月15日PP.10)
Si加工面に1%の歪を加えるn型トランジスタ
0.1%で解析
160
220
2007年 3月号動作速度2割向上した線幅45nmトランジスタ富士通
富士通研
日経産業新聞
(2006年12月19日PP.11)
電流低下や電流漏れを抑制160
220
2007年 3月号150lm/Wの白色LED日亜化学工業日経産業新聞
(2006年12月20日PP.3)
発光層に乱反射を抑える構造
電極の透明度を高め発光効率を1.5倍に向上させた
250
260
2007年 3月号1ns間光を閉じ込める新共振器構造NTT日刊工業新聞
(2006年12月25日PP.15)
フォトニック結晶
導波路の幅を変調
直径200nm程度の穴を三角格子状に配列
穴の位置を局所的に3〜9nm移動
Q値120万
160
240
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