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掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
2007年 3月号 | 2006年12月1日全放送局全国都道府県で地デジ放送開始 | 電波新聞 (2006年12月1日PP.1) | 地上デジタル放送 | 640 | |
2007年 3月号 | MRAM大容量化に道を開く磁性体加工の新技術 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2006年12月5日PP.1) | パルス変調プラズマ方式 磁性体膜の揮発性の大幅向上 磁性特性の劣化改善 磁気トンネル接合素子 | 160 |
2007年 3月号 | 液晶フィルタ色欠陥自動修正装置 | NTN | 日経産業新聞 (2006年12月6日PP.1) | 白抜け欠陥 黒欠陥 CCDカメラで撮影 | 250 260 |
2007年 3月号 | 手のひらサイズのモジュール型コンピュータ | 日立 | 日刊工業新聞 (2006年12月9日PP.1) | ユビキタスコントローラ PCIバス 最大14モジュールまで積み重ね可能 | 320 |
2007年 3月号 | PRAM駆動電力1/10 | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2006年12月13日PP.9) | 記録層と絶縁膜の間に厚さ2〜3nmのTa2O5薄膜 記録時電流数百μA | 160 230 |
2007年 3月号 | 8枚積層4GbDRAM | NECエレクトロニクス エルピーダメモリ 沖電気 | 日経産業新聞 (2006年12月14日PP.1) | ワンチップ方式より開発期間を3〜6年先行 チップを貫通する配線・電極 チップ間を最短距離で接続 | 230 260 |
2007年 3月号 | ハイビジョン放送を1500時間保存可能な次世代メモリー | パイオニア 東北大 | 日本経済新聞 (2006年12月15日PP.17) | 切手大のサイズ換算で10Tb以上の情報を記録 強誘電体プローブメモリー | 230 |
2007年 3月号 | 光電変換CNT | 東大 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | 電子を放出する層を電子を受け取る分子の層で包んだ中空構造 直径16nm 壁の厚さ3nm 長さ数μm | 120 |
2007年 3月号 | 駆動電流が50%超向上する次世代立体型トランジスタ | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年12月15日PP.30) | 雪かき効果 金属シリサイドとチャネル部分のSi界面に不純物原子を高濃度で2〜3nm厚に偏析した層を形成 | 160 220 |
2007年 3月号 | 可視光・近赤外同時撮像可能なCMOSカメラ | 豊田中研 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | 波長780〜1100nmの近赤外線 二つある緑色カラーフィルタの一つを近赤外線用に変更 画素サイズ7.4μm角 | 210 |
2007年 3月号 | 線幅32nmLSI性能2倍に | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | Si加工面に1%の歪を加えるn型トランジスタ 0.1%で解析 | 160 220 |
2007年 3月号 | 動作速度2割向上した線幅45nmトランジスタ | 富士通 富士通研 | 日経産業新聞 (2006年12月19日PP.11) | 電流低下や電流漏れを抑制 | 160 220 |
2007年 3月号 | 150lm/Wの白色LED | 日亜化学工業 | 日経産業新聞 (2006年12月20日PP.3) | 発光層に乱反射を抑える構造 電極の透明度を高め発光効率を1.5倍に向上させた | 250 260 |
2007年 3月号 | 1ns間光を閉じ込める新共振器構造 | NTT | 日刊工業新聞 (2006年12月25日PP.15) | フォトニック結晶 導波路の幅を変調 直径200nm程度の穴を三角格子状に配列 穴の位置を局所的に3〜9nm移動 Q値120万 | 160 240 |
2007年 3月号 | 2006年12月1日全放送局全国都道府県で地デジ放送開始 | 電波新聞 (2006年12月1日PP.1) | 地上デジタル放送 | 640 | |
2007年 3月号 | MRAM大容量化に道を開く磁性体加工の新技術 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2006年12月5日PP.1) | パルス変調プラズマ方式 磁性体膜の揮発性の大幅向上 磁性特性の劣化改善 磁気トンネル接合素子 | 160 |
2007年 3月号 | 液晶フィルタ色欠陥自動修正装置 | NTN | 日経産業新聞 (2006年12月6日PP.1) | 白抜け欠陥 黒欠陥 CCDカメラで撮影 | 250 260 |
2007年 3月号 | 手のひらサイズのモジュール型コンピュータ | 日立 | 日刊工業新聞 (2006年12月9日PP.1) | ユビキタスコントローラ PCIバス 最大14モジュールまで積み重ね可能 | 320 |
2007年 3月号 | PRAM駆動電力1/10 | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2006年12月13日PP.9) | 記録層と絶縁膜の間に厚さ2〜3nmのTa2O5薄膜 記録時電流数百μA | 160 230 |
2007年 3月号 | 8枚積層4GbDRAM | NECエレクトロニクス エルピーダメモリ 沖電気 | 日経産業新聞 (2006年12月14日PP.1) | ワンチップ方式より開発期間を3〜6年先行 チップを貫通する配線・電極 チップ間を最短距離で接続 | 230 260 |
2007年 3月号 | ハイビジョン放送を1500時間保存可能な次世代メモリー | パイオニア 東北大 | 日本経済新聞 (2006年12月15日PP.17) | 切手大のサイズ換算で10Tb以上の情報を記録 強誘電体プローブメモリー | 230 |
2007年 3月号 | 光電変換CNT | 東大 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | 電子を放出する層を電子を受け取る分子の層で包んだ中空構造 直径16nm 壁の厚さ3nm 長さ数μm | 120 |
2007年 3月号 | 駆動電流が50%超向上する次世代立体型トランジスタ | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年12月15日PP.30) | 雪かき効果 金属シリサイドとチャネル部分のSi界面に不純物原子を高濃度で2〜3nm厚に偏析した層を形成 | 160 220 |
2007年 3月号 | 可視光・近赤外同時撮像可能なCMOSカメラ | 豊田中研 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | 波長780〜1100nmの近赤外線 二つある緑色カラーフィルタの一つを近赤外線用に変更 画素サイズ7.4μm角 | 210 |
2007年 3月号 | 線幅32nmLSI性能2倍に | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | Si加工面に1%の歪を加えるn型トランジスタ 0.1%で解析 | 160 220 |
2007年 3月号 | 動作速度2割向上した線幅45nmトランジスタ | 富士通 富士通研 | 日経産業新聞 (2006年12月19日PP.11) | 電流低下や電流漏れを抑制 | 160 220 |
2007年 3月号 | 150lm/Wの白色LED | 日亜化学工業 | 日経産業新聞 (2006年12月20日PP.3) | 発光層に乱反射を抑える構造 電極の透明度を高め発光効率を1.5倍に向上させた | 250 260 |
2007年 3月号 | 1ns間光を閉じ込める新共振器構造 | NTT | 日刊工業新聞 (2006年12月25日PP.15) | フォトニック結晶 導波路の幅を変調 直径200nm程度の穴を三角格子状に配列 穴の位置を局所的に3〜9nm移動 Q値120万 | 160 240 |