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2007 年 12 月発表の注目記事
学会誌に掲載された記事は青色で表示しています。

掲載
予定
題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
2008年 3月号ブラジル地上デジタル本放送開始
-海外初の日本方式-
ブラジル日経産業新聞
(2007年12月4日PP.4)
640
540
2008年 3月号回路線幅32nmLSI向け製造プロセス技術Selete
日立建機ファインテック
日経産業新聞
(2007年12月11日PP.1)
電流漏れを防ぐ技術
電極素材と配線層間材料を新たに開発
ゲート材料にTiN
絶縁膜に窒化ハフニウムシリケート
nMOSにMgO
pMOSにAlO
ポーラスシリカ
SiO
比誘電率2.4
120
160
220
2008年 3月号感情を解析しキャラクタの表情を自動生成するソフトウェアセガ日経産業新聞
(2007年12月12日PP.1)
母音を発生したタイミングを分析
母音に併せて表情を作る
「喜び」「怒り」「驚き」「悲しみ」の4要素を抽出
CG
620
2008年 3月号15nmNANDフラッシュメモリー用基本素子を試作東芝日経産業新聞
(2007年12月13日PP.12)
日本経済新聞
(2007年12月13日PP.12)
100Gb級の集積度
フローティングゲートを挟む酸化膜を極薄化
微細化しても高速書込みと長期記録保持可能
160
230
2008年 3月号高速・低消費電力の新トランジスタ日立
東大
日経産業新聞
(2007年12月14日PP.11)
絶縁膜厚を10nmにして基板からも電圧制御
漏れ電流1/10
動作速度20%向上
SOI
160
220
2008年 3月号ギガビット級のMRAM日立
東北大
日経産業新聞
(2007年12月20日PP.1)
記録層を2層に増やす
スピン注入方式
積層フェリ構造
コバルト鉄ボロン
ルテニウム
回路線幅45nm
小型メモリー素子
長期間保持
230
2008年 3月号水晶で物体の動きを高精度に検出できる加速度センサエプソントヨコム日経産業新聞
(2007年12月21日PP.1)
重力の精度は約10倍
検出範囲30倍以上
検知精度は重力加速度最小1μG
検出範囲±70G
660
210
2008年 3月号GaNフォトニック結晶面発光レーザ
-青紫色領域で発振-
京大
JST
日経産業新聞
(2007年12月21日PP.11)
日刊工業新聞
(2007年12月21日PP.22)
再成長空気孔形成法
波長406nm
素子内部に直径85nm
深さ100nmの微小な空洞を186nm間隔で配置
160
250
2008年 3月号世界初のトレンチ型SiC MOSFETと大電流容量を実現したSiC SBDローム電波新聞
(2007年12月21日PP.1)
1cm角で300A
900V耐圧
オン抵抗2mΩcm2
JFET抵抗
SBD逆方向耐圧660V
160
220
2008年 3月号有機ELで可視光通信信州大
フジクラ
日経産業新聞
(2007年12月25日PP.9)
画像や文字などのデータを点滅信号に変えて有機EL素子で発信
伝送速度230kbps
250
440
2008年 3月号透明な白色有機EL独オスラムオプトセミコンダクターズ日経産業新聞
(2007年12月26日PP.9)
輝度1000cd/m2
発光効率20lm/W
光透過率55%
250
2008年 3月号酸化鉄でReRAM素子松下電器日経産業新聞
(2007年12月26日PP.9)
不揮発性メモリー
相転移
電気抵抗が最大10の5乗まで変化
180nmプロセス
書き換え耐性3万回以上
抵抗変化式メモリー
10nsで書込み可能
データ保持時間2000時間
120
230
160
2008年 3月号地デジ簡易チューナの仕様指針発表デジタル放送推進協会(Dpa)日経産業新聞
(2007年12月26日PP.3)
日刊工業新聞
(2007年12月26日PP.7)
ステレオ二カ国語対応などの最低限の機能に制限
情通審答申「5000円チューナ」向け
映像変換
字幕・文字スーパー
340
540
640
2008年 3月号映画向け新電子透かし技術NHK
三菱電機
電波新聞
(2007年12月6日PP.2)
日経産業新聞
(2007年12月6日PP.12)
再撮しても場所・時刻の特定ができる
認識不可能なレベルで映像信号を微妙に変化
520
2008年 3月号最新の光変調器米IBM電波新聞
(2007年12月11日PP.3)
マッハツェンダ光変調器
大きさ1/100〜1/1000
電気信号の代わりに光パルスを使用
シリコンナノフォトニック導波管
220
2008年 3月号厚さ266μmのLCD向け偏光板住友化学日刊工業新聞
(2007年12月11日PP.15)
輝度向上フィルムの厚さを大幅に薄くし
接着剤の均一性を原材料の配合と粘度を調整して確保
250
260
2008年 3月号耐圧特性10400Vのパワートランジスタ松下電器電波新聞
(2007年12月13日PP.2)
GaNパワートランジスタ
サファイア基板への貫通電極構造
孔の直径80μm
深さ250μm
欠陥密度10の8乗cm2
オン抵抗186mΩcm2
520
220
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