Japanese only.
掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
2008年 3月号 | ブラジル地上デジタル本放送開始 -海外初の日本方式- | ブラジル | 日経産業新聞 (2007年12月4日PP.4) | 640 540 | |
2008年 3月号 | 回路線幅32nmLSI向け製造プロセス技術 | Selete 日立建機ファインテック | 日経産業新聞 (2007年12月11日PP.1) | 電流漏れを防ぐ技術 電極素材と配線層間材料を新たに開発 ゲート材料にTiN 絶縁膜に窒化ハフニウムシリケート nMOSにMgO pMOSにAlO ポーラスシリカ SiO 比誘電率2.4 | 120 160 220 |
2008年 3月号 | 感情を解析しキャラクタの表情を自動生成するソフトウェア | セガ | 日経産業新聞 (2007年12月12日PP.1) | 母音を発生したタイミングを分析 母音に併せて表情を作る 「喜び」「怒り」「驚き」「悲しみ」の4要素を抽出 CG | 620 |
2008年 3月号 | 15nmNANDフラッシュメモリー用基本素子を試作 | 東芝 | 日経産業新聞 (2007年12月13日PP.12) 日本経済新聞 (2007年12月13日PP.12) | 100Gb級の集積度 フローティングゲートを挟む酸化膜を極薄化 微細化しても高速書込みと長期記録保持可能 | 160 230 |
2008年 3月号 | 高速・低消費電力の新トランジスタ | 日立 東大 | 日経産業新聞 (2007年12月14日PP.11) | 絶縁膜厚を10nmにして基板からも電圧制御 漏れ電流1/10 動作速度20%向上 SOI | 160 220 |
2008年 3月号 | ギガビット級のMRAM | 日立 東北大 | 日経産業新聞 (2007年12月20日PP.1) | 記録層を2層に増やす スピン注入方式 積層フェリ構造 コバルト鉄ボロン ルテニウム 回路線幅45nm 小型メモリー素子 長期間保持 | 230 |
2008年 3月号 | 水晶で物体の動きを高精度に検出できる加速度センサ | エプソントヨコム | 日経産業新聞 (2007年12月21日PP.1) | 重力の精度は約10倍 検出範囲30倍以上 検知精度は重力加速度最小1μG 検出範囲±70G | 660 210 |
2008年 3月号 | GaNフォトニック結晶面発光レーザ -青紫色領域で発振- | 京大 JST | 日経産業新聞 (2007年12月21日PP.11) 日刊工業新聞 (2007年12月21日PP.22) | 再成長空気孔形成法 波長406nm 素子内部に直径85nm 深さ100nmの微小な空洞を186nm間隔で配置 | 160 250 |
2008年 3月号 | 世界初のトレンチ型SiC MOSFETと大電流容量を実現したSiC SBD | ローム | 電波新聞 (2007年12月21日PP.1) | 1cm角で300A 900V耐圧 オン抵抗2mΩcm2 JFET抵抗 SBD逆方向耐圧660V | 160 220 |
2008年 3月号 | 有機ELで可視光通信 | 信州大 フジクラ | 日経産業新聞 (2007年12月25日PP.9) | 画像や文字などのデータを点滅信号に変えて有機EL素子で発信 伝送速度230kbps | 250 440 |
2008年 3月号 | 透明な白色有機EL | 独オスラムオプトセミコンダクターズ | 日経産業新聞 (2007年12月26日PP.9) | 輝度1000cd/m2 発光効率20lm/W 光透過率55% | 250 |
2008年 3月号 | 酸化鉄でReRAM素子 | 松下電器 | 日経産業新聞 (2007年12月26日PP.9) | 不揮発性メモリー 相転移 電気抵抗が最大10の5乗まで変化 180nmプロセス 書き換え耐性3万回以上 抵抗変化式メモリー 10nsで書込み可能 データ保持時間2000時間 | 120 230 160 |
2008年 3月号 | 地デジ簡易チューナの仕様指針発表 | デジタル放送推進協会(Dpa) | 日経産業新聞 (2007年12月26日PP.3) 日刊工業新聞 (2007年12月26日PP.7) | ステレオ二カ国語対応などの最低限の機能に制限 情通審答申「5000円チューナ」向け 映像変換 字幕・文字スーパー | 340 540 640 |
2008年 3月号 | 映画向け新電子透かし技術 | NHK 三菱電機 | 電波新聞 (2007年12月6日PP.2) 日経産業新聞 (2007年12月6日PP.12) | 再撮しても場所・時刻の特定ができる 認識不可能なレベルで映像信号を微妙に変化 | 520 |
2008年 3月号 | 最新の光変調器 | 米IBM | 電波新聞 (2007年12月11日PP.3) | マッハツェンダ光変調器 大きさ1/100〜1/1000 電気信号の代わりに光パルスを使用 シリコンナノフォトニック導波管 | 220 |
2008年 3月号 | 厚さ266μmのLCD向け偏光板 | 住友化学 | 日刊工業新聞 (2007年12月11日PP.15) | 輝度向上フィルムの厚さを大幅に薄くし 接着剤の均一性を原材料の配合と粘度を調整して確保 | 250 260 |
2008年 3月号 | 耐圧特性10400Vのパワートランジスタ | 松下電器 | 電波新聞 (2007年12月13日PP.2) | GaNパワートランジスタ サファイア基板への貫通電極構造 孔の直径80μm 深さ250μm 欠陥密度10の8乗cm2 オン抵抗186mΩcm2 | 520 220 |