Japanese only.
掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
2009年11月号 | 記録密度3倍の次世代HDD用ヘッド | セイコーインスツル データストレージインスティチュート | 日経産業新聞 (2009年8月3日PP.1) | 磁気ヘッドとディスクの間隔を従来の1/3程度の7nmで維持 熱アシスト磁気記録 1Tbpi 光ファイバ磁気ヘッド | 230 |
2009年11月号 | 太陽電池で発電した電力の伝送効率を2割高める装置 | 阪大 ロステック ヒビノ | 日経産業新聞 (2009年8月3日PP.12) | フェライト磁石にまいた特殊なケーブル 太陽光パネルの出力部分に設置 | 340 |
2009年11月号 | 偏光を電気信号に変換する受光素子
-光通信容量2倍以上に- | 日立 チェコ科学アカデミー 英ケンブリッジ大 | 日経産業新聞 (2009年8月5日PP.11) | 電子スピン 半導体 ガリウムヒ素の素子に数μm間隔で電極を配置 電圧で偏光状態を検出 偏光板なしに偏光状態を区別する受光素子 | 140 240 120 |
2009年11月号 | 室温で世界最高の磁気抵抗効果を示す素子 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年8月6日PP.25) | 2枚の強磁性膜に絶縁膜を挟む構造 強磁性トンネル接合(MTJ) 二重トンネル障壁MTJ 中間磁性膜厚さ1.2nm 電圧約±0.1Vで磁気抵抗効果最大 | 120 230 |
2009年11月号 | 金属ガラスで1Tbpi以上の磁気記録媒体の製造技術 | RIMCOF | 日刊工業新聞 (2009年8月6日PP.25) | 熱インプリント パターンドメディア サファイアにダイヤモンドライクカーボン(DLC)薄膜 25nm間隔太さ12nmのドットを形成した金型を作製 | 160 230 |
2009年11月号 | 携帯電話端末に1Gbpsの赤外線通信機能を開発 | KDDI | 日経産業新聞 (2009年8月6日PP.1) | 1Gbpsの赤外線通信技術が国際標準団体IrDAに採用 半導体レーザ 通信速度従来の250倍 従来のLEDと同じ850nm | 440 540 |
2009年11月号 | 電気を流さない電磁石用新素材 | 東北大 | 日経産業新聞 (2009年8月11日PP.6) | メタホウ酸銅 30ガウスの磁場中で-258℃まで冷やす 1cmあたり20kVの電圧をかけて磁場方向から30°に10ガウスの磁力 | 120 |
2009年11月号 | 耐久性・高変換効率を両立した有機太陽電池 | 東大 日産化学 | 日経産業新聞 (2009年8月13日PP.5) | 色素増感型と有機薄膜型の素材の組み合わせ 酸化チタンに有機高分子をコーティング ポリチオフェン 変換効率1.7% | 250 120 |
2009年11月号 | ガラスより軽く曲げやすい半導体素子 | 帝人 米ナノグラム | 日本経済新聞 (2009年8月19日PP.1) | ガラス基板に比べて重さ半分以下 縦横1.5cm 厚さ120μmの切手サイズ | 120 160 |
2009年11月号 | 有害な鉛使わず強誘電体を作製 | 金沢大 | 日経産業新聞 (2009年8月19日PP.10) | BFO マンガン チタン 電流の漏れ0.1mA/cm2 | 120 |
2009年11月号 | 液状有機材で発光素子 | 九大 | 日経産業新聞 (2009年8月20日PP.12) | カルバゾールとルブレンの混合溶液 青緑色の発色を確認 曲げに強い 溶液部の厚さ0.2mm | 250 |
2009年11月号 | 簡単構造で耐電圧1kVのダイヤ製ダイオード | 物材機構 | 日経産業新聞 (2009年8月21日PP.9) | ショットキーダイオード CVD エキシマランプで172nmの紫外線照射 | 220 |
2009年11月号 | フラーレンに穴を開けて化合物を作る新手法
-長波長の光を吸収- | 京大 | 日刊工業新聞 (2009年8月21日PP.1) | 約900nmまでの光を吸収 電子を受け取り易い性質 | 120 |
2009年11月号 | 強誘電体PZTをナノチューブ状に形成 | 兵庫県立大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2009年8月24日PP.20) | 有機金属気相成長(MOCVD)装置 Si基板上に酸化亜鉛を直径約100nmの円柱状に形成 | 120 160 |
2009年11月号 | LED輝度3割向上させる技術 | SCIVAX | 日経産業新聞 (2009年8月24日PP.12) | Si製の特殊な金型でナノサイズの穴を開ける 穴の直径約200nm・深さ160nm | 160 250 |
2009年11月号 | 容量5倍の二次電池 | 産総研 | 日経産業新聞 (2009年8月25日PP.11) | 負極がリチウム 正極が銅 放電容量密度が反応した銅の重量1gあたり約843mAh | 250 |
2009年11月号 | 8枚積層したDRAM | エルピーダメモリ | 日経産業新聞 (2009年8月27日PP.1) | 8Gbit ウェハにエッチング装置で直径50μmの穴を開けDRAM回路を形成 待機電力1/4 | 230 |
2009年11月号 | 地上デジタル放送アルゼンチン日本方式を採用 | ブラジル | 電波新聞 (2009年8月28日PP.1) | 地上デジタル放送 南米 ブラジル アルゼンチン チリ エクアドル ISDB-T | 540 |
2009年11月号 | マイクロ波で磁気記録容量を増加 | 九大 NEDO | 日経産業新聞 (2009年8月28日PP.11) | HDD 波長4mm 1Tbpi コバルト パラジウム | 230 |
2009年11月号 | ナノサイズの電子回路配線技術 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2009年8月28日PP.1) | シリコンナノチェインがCNTに変化 タングステンの針で数十Vの電圧印加 直径10〜20nm ワイヤ状のナノ材料に電圧でCNTを生成 | 120 160 |