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2010 年発表の注目記事
学会誌に掲載された記事は青色で表示しています。

掲載
予定
題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
2011年 3月号色素増感型太陽電池向け白金の代替素材産総研日経産業新聞
(2010年12月6日PP.11)
白金(Pt)と同等の光電変換効率
変換効率4.77%
多層CNT・イミダゾール系イオン液体・導電性高分子
120
250
2011年 3月号酸化物半導体TFTで作った整流回路日立日刊工業新聞
(2010年12月7日PP.1)
13.56MHzの電波を直流電力へ変換可能
ガラス基板上に0.4mm×2mmを試作
インジウムガリウム酸化亜鉛(InGaZnO)の金属組成比を改良
220
250
2011年 3月号1基板で多色の発光が可能なLED東大日経産業新聞
(2010年12月7日PP.10)
マスクを使ってGaN結晶の成長範囲を制御
青と緑の発光
1つの基板上で場所によって色や濃淡が異なる
120
250
160
2011年 3月号GaN基板の低価格量産技術三菱化学
米カルフォルニア大
日経産業新聞
(2010年12月8日PP.1)
コスト1/10
液相法
サファイア基板の1/3の電力で出力3倍
緑色レーザ
120
2011年 3月号テラヘルツ波で電子スピンの磁力線状態を制御する技術東大日経産業新聞
(2010年12月8日PP.7)
磁性材料はイットリウム・鉄酸化物(Y3Fe5O12)
3.3ps周期の回転する磁力線
0.3ps間隔で振幅を制御
120
2011年 3月号TFT液晶の消費電力を低減阪大日経産業新聞
(2010年12月9日PP.11)
ゲート厚10nm
高濃度硝酸による表面処理
電圧1/12
多結晶Siを120℃で68%以上の高濃度の硝酸に入れて酸化膜を作成
発電効率15%以上向上
1/144に
250
2011年 3月号光電変換効率2%の透明太陽電池岐阜大日経産業新聞
(2010年12月10日PP.8)
ZnOなどの厚さ3〜10μmの薄膜を盛り近赤外光吸収色素をつけた
波長760〜1000nmで0.6〜2.0%の光を吸収
色素増感型
250
2011年 3月号様々な波長でSiを発光させる技術NTT日経産業新聞
(2010年12月16日PP.11)
Si層を厚さ8.5nmで重ねる
光の強度を保ったまま波長を1.1μm〜1.15μmの範囲で変更可能
Siにリンを混合
140
340
2011年 3月号フォトニック人工原子レーザ
-3次元結晶内で発振-
東大日刊工業新聞
(2010年12月20日PP.17)
厚さ150nmのGaAsを25層積層
Q値は約4万
中心の層に面積約1.3μm2の欠陥共振器とInAs量子ドットを埋め込み
140
2011年 3月号炭化ケイ素(SiC)製ナノものさしがNITEの標準物質DBに登録関西学院大日刊工業新聞
(2010年12月21日PP.20)
耐酸化性に優れ経年劣化しにくい
段差が0.5nmの標準物質が登録
SiC製
160
2011年 3月号電流漏れの少ないトランジスタ絶縁膜産総研日経産業新聞
(2010年12月22日PP.7)
ハフニウム化合物の絶縁膜
電流漏れがSi酸化膜比1/100万
120
160
2011年 3月号「きずな」で1.2Gbps伝送に成功情通機構電波タイムズ
(2010年12月6日PP.1)
衛星通信で世界最高速
4K3D映像の伝送に成功
伝送速度に1.2Gbps
高速多重D/Aコンバータを用いた地上局用システム
540
2011年 3月号28nm世代システムLSI向け混載DRAM技術ルネサスエレクトロニクス日刊工業新聞
(2010年12月9日PP.22)
寄生容量・抵抗を削減
CMOSプロセスを導入
低誘電率の多孔質(MPS)膜を採用
配線層内にキャパシタ形成
160
230
2011年 3月号48個のベンゼン環を連結した分子バネを合成理研日刊工業新聞
(2010年12月15日PP.22)
ベンゼン環3つを1巻きとした螺旋構造
銅原子を使ってベンゼン環同士を緩く結合させたあとに直接連結
120
2011年 3月号演算と記憶の複合素子を開発物材機構
阪大
東大
日刊工業新聞
(2010年12月24日PP.20)
アトムトランジスタ
わずかな金属素子を絶縁体中で移動させることで動作させる
不揮発性ロジック回路
220
230
2011年 3月号CNT内で光化学反応NEC
海洋研究開発機構
日刊工業新聞
(2010年12月27日PP.1)
スーパコンピュータ
計算機シミュレーション
地球シミュレータ
HC1
強度の高いかご状CNTを試験管に見立てる
フェムト秒レーザ
120
160
620
2011年 2月号画像で力の感覚伝達東工大日刊工業新聞
(2010年11月1日PP.16)
スードハプティック520
620
2011年 2月号炭素系ナノテク活用の高速有機トランジスタ阪大
山形大
大日本印刷
日経産業新聞
(2010年11月1日PP.11)
C60と呼ぶフラーレン薄膜
Al
色素の各層を挟んだ構造
400kHzで高速応答
従来の5倍以上の電流を流せる
120
220
2011年 2月号分数量子ホール効果を酸化物の界面で観測東大
東北大
日刊工業新聞
(2010年11月3日PP.16)
単結晶のZnOの上に分子線エキタピシー法を使いMgを添加し結晶を成長させて界面を作製
酸化物系の界面での最高値と比べて9倍の値
660
2011年 2月号絶縁体が金属に変化する仕組みを解明東北大日刊工業新聞
(2010年11月3日PP.16)
チタン酸ストロンチウムの絶縁体
キャリヤ供給層を間に挟み込んだ酸化膜の超格子構造
660
2011年 2月号近未来ショッピング実験ATR日経産業新聞
(2010年11月4日PP.11)
携帯端末へリアルタイムで情報発信
タッチパネル付ベビーカーで利用
440
2011年 2月号透明な高周波デバイス作成技術物材機構
太陽誘電
日刊工業新聞
(2010年11月4日PP.21)
微細な金属配線と酸化物の透明誘電体からなるハイブリッド素子120
250
2011年 2月号水素原子の撮影に成功東大朝日新聞
(2010年11月4日PP.12)
電子ビームを水素とパナジウムの化合物の結晶にぶつけ撮影660
2011年 2月号グラフェンを直接合成インキュベーション・アライアンス
大分大
日刊工業新聞
(2010年11月5日PP.1)
高速化学気相成長(CVD)
大きさ約10μm
厚さ2.1nm
7層構成
120
2011年 2月号光を当てると曲折するフィルムJST
理研
日経産業新聞
(2010年11月5日PP.10)
人工筋肉用素材
アゾベンゼン
5m×6m×厚さ10μmのフィルム
250
2011年 2月号SiGe製光スイッチ富士通研日刊工業新聞
(2010年11月9日PP.25)
Si上に約500nm×約200nmのSiGe製の細線構造
光スイッチ素子の大きさ0.4mm×50μm
動作電力1.5mW
動作可能な波長範囲1520nm〜1565nm
120
240
2011年 2月号超電導薄膜を高速に作製できる技術吉野日経産業新聞
(2010年11月10日PP.9)
日刊工業新聞
(2010年11月11日PP.21)
MgB2超電導膜
臨界温度39K
材料の微粒子をガスに分布
エアロゾル・デポジション法
従来の100倍の速さで作製可能
120
160
2011年 2月号曲がる人感センサダイキン工業
神戸大
日刊工業新聞
(2010年11月10日PP.1)
VDFオリゴマーを強誘電体に使用110
210
2011年 2月号薄膜の堆積速度を調整可能なスパッタ装置山口大日刊工業新聞
(2010年11月12日PP.20)
装置1台で薄膜を形成
稼働磁場発生機構
1分間の堆積速度15nmから50nmまで調整可能
360
2011年 2月号携帯向け配信動画を高画質のまま拡大KDDI研日経産業新聞
(2010年11月16日PP.1)
動画を事前に分割して保存
あらかじめ画素数を増やす
ユーザ要求に応じて送信ブロックを切換え
520
2011年 2月号マックスウェルの悪魔再現東大
中大
日刊工業新聞
(2010年11月16日PP.26)
熱力学第二法則のパラドックスを実験で再現
情報をエネルギーに変換するシステム
情報-エネルギーの変換効率は約30%
660
2011年 2月号近接場光の光源を大面積化する技術物材機構日経産業新聞
(2010年11月24日PP.7)
面状光源
1cm2
直径10nmの金ナノ粒子を敷き詰め
250
2011年 2月号有機太陽電池で1000nmの近赤外線光を光電変換産総研日刊工業新聞
(2010年11月25日PP.31)
電子を放出しやすい分子と受け取りやすい分子が交互に積み重なった構造
励起子が広がる距離がフラーレンの1000倍
150
2011年 2月号高耐熱性かつ低消費電力のPRAM東北大日刊工業新聞
(2010年11月25日PP.31)
170℃の耐熱性
Ge-Cu-Te化合物
融点520℃
結晶化温度240℃
130
230
2011年 2月号地上デジタル放送の普及率90.3%総務省日経産業新聞
(2010年11月25日PP.3)
政府目標91%に届かず540
660
2011年 2月号半導体薄膜を従来より200℃低く結晶化する手法兵庫県立大日刊工業新聞
(2010年11月26日PP.1)
プラスチック基板
420〜580℃で結晶化
120
250
2011年 2月号世界最高の移動度を持つ有機トランジスタ物材機構
広島大
日刊工業新聞
(2010年11月30日PP.32)
新開発の溶液プロセス
移動度が9倍以上に向上
120
250
2011年 1月号雰囲気を確認できる遠隔地間コミュニケーションシステムOKI日刊工業新聞
(2010年10月1日PP.8)
遠隔地から社内の状況を確認しながらコミュニケーション
臨場感
意思伝達
吹き出し
310
420
450
2011年 1月号GaN-HEMTを使った高出力な送信用増幅器富士通日刊工業新聞
(2010年10月4日PP.18)
ミリ波帯向け
出力1.3W
67〜80GHzで10Gbps
通信可能距離10km
240
220
2011年 1月号MEMS式シャッタを利用したディスプレイ日立ディスプレイズ
米ピクストロニクス
日刊工業新聞
(2010年10月5日PP.11)
日経産業新聞
(2010年10月5日PP.3)
画素ごとにMEMSシャッタを設けた構造
シャッタ開口率12%に対し光の利用効率60%
2.5型で消費電力180mW
250
2011年 1月号JPEGよりファイル容量4割減の画像圧縮形式米グーグル日経産業新聞
(2010年10月5日PP.3)
WebP
On2テクノロジーの技術を応用
VP8
520
2011年 1月号スピンの量子引きこもり現象の構造解明東工大
東京理科大
日刊工業新聞
(2010年10月6日PP.21)
籠目格子反強磁性体
フッ化ルビジウム銅スズ
電子スピン対のシングレット状態が風車のように配列した構造
120
2011年 1月号記録容量が両面で1TBの光ディスクTDK日刊工業新聞
(2010年10月5日PP.1)
記録層を16層積み上げ230
2011年 1月号熱アシスト方式を利用したHDD用ヘッドTDK日経産業新聞
(2010年10月8日PP.5)
1平方インチあたり1Tb
熱アシスト方式
近接場光をディスク表面で発生
レーザのパワーを急峻に変化
230
2011年 1月号ホログラフィ表示を高精細化情通機構日経産業新聞
(2010年10月8日PP.13)
3300万画素
対角4cmの液晶素子を3枚
映像の広がり15度
250
450
2011年 1月号電子移動度がSiの10倍の新素材東工大日経産業新聞
(2010年10月11日PP.5)
グラフェンより加工が容易
セレン原子が並んだ3層の間にビスマス原子が入った5層構造
ファンデルワールス力
120
2011年 1月号量子暗号ネットワークで動画配信実験に成功

・一行
NEC
三菱電機
NTT
情通機構
米スタンフォード大
日刊工業新聞
(2010年10月15日PP.22)
配信距離総計140km
従来比100倍の100kbpsで暗号鍵を生成
差動位相シフト量子鍵配送プロトコル
440
520
2011年 1月号波長可変のSi発光技術米カルフォルニア工科大日経産業新聞
(2010年10月18日PP.11)
Si上に直径数nmの針の集合体形成
2.49〜8.58nmの針で670〜780nmの発光
250
160
2011年 1月号脳活動を計測し指の動きを高精度に再構成情通機構
ATR
日刊工業新聞
(2010年10月21日PP.18)
日経産業新聞
(2010年10月21日PP.11)
機能的磁気共鳴断層撮影装置(fMRI)
指先の動きを20ms間隔でコンピュータ上に表せる
活発に働いている脳の位置情報を取得
ブレインマシンインタフェース(BMI)
MEG(脳磁図)
210
620
660
2011年 1月号CNT利用の安価な高性能トランジスタ名大日経産業新聞
(2010年10月21日PP.11)
Si薄膜の代わりに直径1.5nm
長さ1μmのCNTを敷き詰める
縦横1cmのTFTを試作
厚さ0.5mmの基板上に2〜3nmのCNT薄膜を塗布オンオフ比が最大1000万
120
220
2011年 1月号神経の信号伝達を可視化芝浦工大日経産業新聞
(2010年10月25日PP.11)
膜電位感受性色素という蛍光物質の変化を観察660
2011年 1月号吸収波長が広い太陽電池向け増感色素物材機構日刊工業新聞
(2010年10月25日PP.1)
350〜1000nmの波長を吸収
変換効率6.3%
250
120
2011年 1月号容量3割増のLiイオン電池用負極材産総研
石原産業
日経産業新聞
(2010年10月26日PP.9)
水素を含むチタン酸化物
酸化物1gあたりの充放電容量は約225mAh
120
250
2011年 1月号水溶液中の金属電気分解反応の観察技術東北大日経産業新聞
(2010年10月27日PP.1)
光学顕微鏡により短時間で原子レベルを観察可能に660
360
2011年 1月号厚さ10nmの薄膜を使用した強誘電体物材機構日刊工業新聞
(2010年10月27日PP.21)
酸化物ナノシート2種積層120
2011年 1月号ナノ空間で多電子制御物材機構
北大
日刊工業新聞
(2010年10月29日PP.29)
直径10nmの半導体量子ドット
複数の電子を閉じ込めナノ空間の多電子状態を制御
液滴エピタキシー法
GaAs量子ドット
イオン化励起子と呼ぶ3つの粒子の複合状態の観測に成功
120
2011年 1月号酸化亜鉛使用の高速電子素子東大
東北大
東工大
ローム
日経産業新聞
(2010年10月29日PP.9)
厚さ0.8μmのZnO単結晶TFT
分数量子ホール効果
電子移動度がSiの約10倍の可能性
220
120
2010年12月号ネオジム磁石の保持力向上新技術物材機構日刊工業新聞
(2010年9月2日PP.21)
ネオジム(Nd)-銅合金
ジスプロシウム(Dy)不要
120
2010年12月号超高速マイクロSDカード東芝日経産業新聞
(2010年9月2日PP.1)
UHS-I
書込み20MBps
読出し40MBps
230
2010年12月号柔らかい組織をX線撮影可能に日大日経産業新聞
(2010年9月6日PP.15)
パラメトリックX線
電磁放射
100MeV
210
2010年12月号3倍明るい緑色蛍光体新潟大日経産業新聞
(2010年9月7日PP.11)
バリウム
ユーロピウムのケイ酸塩
セラミック粒子の大きさ数十μm
光の吸収率が約3割向上
明るさ2.6倍
高温で一酸化ケイ素を気化して粒子を成長
120
2010年12月号電子のスピンを直接観察東北大日経産業新聞
(2010年9月7日PP.11)
半球型電子のエネルギー分析器
モット散乱型スピン検出器
1〜50電子Vの間で8m電子Vの分解能で測定
320
2010年12月号伸び縮みする導電性材料BMS
住化バイエルウレタン
阪大
日刊工業新聞
(2010年9月9日PP.9)
水性ポリウレタンと金属粒子の分散技術
7倍の長さに伸ばしても導電性あり
120
2010年12月号電子顕微鏡の性能向上物材機構日刊工業新聞
(2010年9月9日PP.24)
6ホウ化ランタンのφ50nmのワイヤ
電界イオン顕微鏡の分析性能1桁向上
210
2010年12月号量子暗号の安全性向上東大日経産業新聞
(2010年9月10日PP.11)
通信用の波長1.5μmの光を直径30〜40nmのInGaPの粒「量子ドット」にあてて光子を発生
50kmの伝送実験に成功
2光子つながるケースを5〜10パルスに低減
解読リスク0.01%
340
440
2010年12月号超音波スピーカで3次元音場再生立命館大日経産業新聞
(2010年9月10日PP.11)
日刊工業新聞
(2010年9月10日PP.23)
音像プラネタリウム
装置から距離5mで音像を造る
壁面反射
520
350
2010年12月号分解能を10倍以上のスピン分解光電子分光装置東北大日刊工業新聞
(2010年9月11日PP.13)
スピントロニクス
物質の電子状態をスピンに分解
120
2010年12月号無線給電システム富士通日経産業新聞
(2010年9月14日PP.3)
磁界共鳴方式340
440
2010年12月号3D映像を自動補正するソフトウェアBi2-Vision日経産業新聞
(2010年9月21日PP.11)
2台のカメラで撮影した映像の幾何学的歪みを自動補正
24フレーム/sでリアルタイム処理可能
520
620
2010年12月号発電効率45%超を実現する太陽電池向け新素材東大
シャープ
日経産業新聞
(2010年9月29日PP.13)
多接合
厚み3nmのInGaAsの膜と原子1個分の厚みのInGaPの膜を交互に60個積み重ねる
量子井戸効果
多接合タイプ太陽電池
120
250
220
2010年12月号ナノ炭素シート量産技術産総研日刊工業新聞
(2010年9月29日PP.1)
400℃で高速製造
ロールツーロール法
ITOの代替
プラズマCVD法を応用
150
2010年12月号個々の原子が情報保持可能な時間の計測に成功米IBM日刊工業新聞
(2010年9月29日PP.28)
STMによるポンプ・プローブ測定
ナノ秒レベルで計測可能
120
660
2010年12月号近赤外光に対応した光電変換システム北大日刊工業新聞
(2010年9月29日PP.28)
光アンテナ搭載
単結晶TiO2基盤上に金のアンテナ
波長1500nmの近赤外光で8.4%の光電変換効率
620
2010年12月号新規エレクトロクロミック表示材料日産化学
九大
電波新聞
(2010年9月29日PP.4)
有機物質の酸化・還元反応を利用
2枚のITO電極基盤間に電荷輸送層とエレクトロクロミックを挟み込んだ構造
250
2010年12月号ナノチューブ導電性解明高度情研機構日経産業新聞
(2010年9月30日PP.14)
スーパーコンピュータによるシミュレーション
σ軌道では電圧上昇に対して段階的に電流が変化
160
2010年11月号蓄電機能付き色素増感太陽電池セルの薄型化東大日刊工業新聞
(2010年8月3日PP.1)
セルの厚さが0.5mm以下
変換効率3.2%
短絡電流密度14mA/cm2
くし形の対抗電極と蓄電用電極を交互にかみ合わせて配置
250
2010年11月号13fJ/bitで情報伝送可能な半導体レーザNTT日経産業新聞
(2010年8月3日PP.11)
日刊工業新聞
(2010年8月2日PP.19)
フォトニック結晶
既存の約1/20のエネルギー
250
2010年11月号スクリーンの物体に触れると映像が動く表示システム東大日経産業新聞
(2010年8月5日PP.12)
スクリーンのたわみをカメラで検出
スクリーンに人が触れたときの変形度合いから押した力を計測
1000fpsの画像を撮れる高速カメラ
620
2010年11月号光を吸収する金属材料名大
九大
日経産業新聞
(2010年8月10日PP.10)
タングステン
厚さ数10〜数100nmの繊維状の突起が密集した構造
波長0.4〜1.5μmの光を当てると98%以上は金属に取り込まれる
120
2010年11月号電気変換できる赤外線の波長帯を広くしたSi太陽電池東大日経産業新聞
(2010年8月17日PP.10)
Si表面に大きさ100nm深さ550nmの穴
縦横100nmの間隔で穴をあける
近接場光
波長0.35〜1.5μmの範囲で電気が得られた
120
250
2010年11月号ケーブル1本で携帯機器内データ伝送ソニー日経産業新聞
(2010年8月23日PP.5)
日刊工業新聞
(2010年8月23日PP.8)
映像・音声・制御信号
ケーブル本数が従来の数十分の1
max940Mbps
機器内ワンワイヤインターフェイス技術
220
2010年11月号グラフェン上の電子移動速度を改善した新基板物材機構
米コロンビア大
韓国成均館大
日経産業新聞
(2010年8月24日PP.9)
六方晶BNを基板に使用
グラフェンと似た層状構造で表面が原子レベルで平ら
ガラス基板と比べて速度が10倍
120
2010年11月号においかぎ分けセンサ東大日刊工業新聞
(2010年8月24日PP.22)
日経産業新聞
(2010年8月24日)
特定の臭いに反応する細胞を使ったセンサ210
2010年11月号誘電率200以上を実現する小型薄膜コンデンサ


・10とあわせて1件
物材機構日刊工業新聞
(2010年8月25日PP.24)
チタン酸バリウム系の薄膜と比べ大きさ1/20
容量10倍以上
厚さ1.5nmで横幅約10μm
120
220
2010年11月号高性能な薄膜コンデンサ


・9とあわせて1件
物材機構日経産業新聞
(2010年8月25日PP.9)
ペロブスカイトナノシート
膜厚5〜20nmで誘電率210〜240
220
2010年11月号LSIの消費電力を削減する光スイッチ東大
光産業技術振興協会
東芝
パイオニア
コニカミノルタオプト
日経産業新聞
(2010年8月25日PP.9)
GaAs
点滅する光を照射して光の通路を開閉
InAsの量子ドット2個
内部に量子ドットを縦に並べて埋め込む
近接場光
240
2010年11月号超高精細映像の高速低消費電力伝送の実証実験産総研
情通機構
日経産業新聞
(2010年8月25日PP.9)
スーパハイビジョン映像
光スイッチ応用
1/1000以下の消費電力
220
440
2010年11月号立体映像にさわれるシステム産総研日経産業新聞
(2010年8月26日PP.12)
物体に触れた錯覚
振動パターンを制御
450
620
2010年11月号暗所でも高感度な大型CMOSセンサキヤノン日経産業新聞
(2010年8月31日PP.1)
202mm×205mm
160万画素
0.3Lxで60fps撮像
210
220
2010年10月号積層チップ間無線通信の消費電力抑制慶応大日経産業新聞
(2010年7月1日PP.12)
磁気結合を応用
1bあたり100兆分の1ジュール以下
データ通信速度1Gbps
送受信部の大きさ0.01mm2
消費電力1/1000
120
220
2010年10月号リチウム電池のエネルギー容量数倍の電池グエラテクノ日刊工業新聞
(2010年7月5日PP.9)
エネルギー体積密度1000W/1
光励起構造変化
250
2010年10月号日本の地上デジタル放送方式を南米ボリビアが採用

・一行
総務省電波新聞
(2010年7月6日PP.2)
ISDB-T540
2010年10月号FPC基盤の誘電率を60%低下京大日刊工業新聞
(2010年7月6日PP.22)
厚さ100nm〜1μmの楕円形細孔をポリイミドに多数作成120
2010年10月号情報を暗号化する素子北大
浜松ホトニクス
NTT
東京理科大
日経産業新聞
(2010年7月8日PP.12)
p型InPにn型のInGaAsやニオブを積層
ニオブ層の厚さ80nm
光子対
量子もつれ合い状態
120
220
2010年10月号光通信に量子計算日大日刊工業新聞
(2010年7月8日PP.19)
非ガウス状態
光子数識別器
繰り返し速度1MHz超で従来比約10倍高速
低電力の量子ICT
240
340
2010年10月号大容量で不揮発性を兼ね備えたTMR素子東北大
日立
日刊工業新聞
(2010年7月12日PP.1)
素子寸法40nm
電源供給なしで10年保持
350℃の熱処理耐性
磁化方向を垂直
8Gb
Co-Fe-B
230
2010年10月号60GHzミリ波向け多ビーム切替アンテナ三菱電機
情通機構
日刊工業新聞
(2010年7月13日PP.23)
60GHz帯
双方向ハイビジョン映像通信
16本のビーム利用
2010年10月号リチウムイオン電池使用中の内部観察技術ファインセラミックセンタ(JFCC)日経産業新聞
(2010年7月14日PP.11)
日刊工業新聞
(2010年7月23日PP.24)
ホログラム干渉縞
全個体型Liイオン
精度50nm以下の0.05V以下
2010年10月号ナノサイズの光スイッチ阪大
物材機構
日刊工業新聞
(2010年7月14日PP.21)
日経産業新聞
(2010年7月14日PP.11)
光伝導性分子
Ag電極とAg2S電極を10nm間隔で配置
240
2010年10月号診断画像0.1秒で3DにAZE日経産業新聞
(2010年7月15日PP.1)
CT
検査画像
従来比1/10の0.1秒
2010年10月号3.5nmの極小超電導体を作製産総研
米オハイオ大
日刊工業新聞
(2010年7月21日PP.27)
8個の有機分子でできた超電導分子構造体
(BETS)2GaCl4
分子が鎖状に積層下構造
120
2010年10月号ピーク出力100W超の青紫色半導体レーザ東北大
ソニー
日刊工業新聞
(2010年7月21日PP.27)
日経産業新聞
(2010年7月21日)
パルスの出力間隔3ps
波長405nm
2光子吸収
繰り返し周波数1GHz
250
2010年10月号ミリ波で長距離無線通信パナソニック日刊工業新聞
(2010年7月23日PP.9)
GaN
25GHz帯
大気中84km伝送
出力10.7W
2010年10月号コヒーレント光通信技術で40Gbpsの安定受信を実現沖電気日経産業新聞
(2010年7月26日PP.12)
消費電力1/10
光モード同期半導体レーザ
電気信号に変換不要
消費電力1/10
光モード同期半導体レーザ
2時間以上安定受信
受信した光信号をレーザの光と重ね合わせ
250
340
440
2010年10月号マルチチャンネル超電導単一光子検出システム情通機構日刊工業新聞
(2010年7月28日PP.27)
日経産業新聞
(2010年7月28日PP.11)
1.55μmの波長の光で検出効率20%
従来の100倍
単一光子検出器
動作速度2倍
検出器の大きさ2/3
1550nm通信波長帯
動作速度100MHz
積層薄膜で構成した光共振器
NbN
2010年10月号クラウド向け暗号技術NTT
三菱電機
日経産業新聞
(2010年7月29日PP.12)
楕円曲線を応用
RSA暗号の鍵長2048bと同等の安全性
閲覧者を細かく制御
420
2010年 9月号液晶レーザ発振用有機材料東工大日刊工業新聞
(2010年6月2日PP.22)
液晶レーザ
従来比1/20の低エネルギー発振
甲虫の上羽構造
コレステリック液晶
150
250
2010年 9月号世界最薄のプリント基板トッパンNECサーキットソリューションズ日経産業新聞
(2010年6月2日PP.1)
ベースプレート不要
厚さ0.34mm
260
2010年 9月号絶対零度でも電子スピンが継続する特殊構造物質京大
理研
日経産業新聞
(2010年6月4日PP.11)
超電導
三角形に並んだ特殊な分子構造
炭素
水素
パラジウム
120
2010年 9月号車載カメラによる歩行者認識を40%高速化東芝日経産業新聞
(2010年6月9日PP.11)
認識処理1/30秒
明暗認識
画像認識
620
310
520
2010年 9月号日本の地上デジタル放送方式が中南米8カ国に続きフィリピンで採用総務省電波新聞
(2010年6月14日PP.1)
ISDB-T540
2010年 9月号zip比10倍のテキスト文書圧縮技術富士通研日刊工業新聞
(2010年6月15日PP.24)
XML
CSV
zipに比べて圧縮時間2倍以内
520
2010年 9月号Q値の劣化を半分にした可変インダクタルネサスエレクトロニクス日刊工業新聞
(2010年6月16日PP.19)
受動素子
4つのインダクターを2個ずつ並列に接続した回路構成
10〜20GHzの高周波領域で動作
高速光通信
ミリ波通信
220
2010年 9月号0.5Vで集積回路を動作させる技術東大日刊工業新聞
(2010年6月18日PP.21)
パスゲートトランジスタ
SRAM動作時のマージンが70%改善
220
2010年 9月号6Gbpsでデータ伝送可能な非接触メモリカード東大
慶応大
東芝
日刊工業新聞
(2010年6月21日PP.18)
従来メモリーカード比7.5倍の伝送容量
電力伝送効率を従来比2倍以上の10%
フラッシュメモリーの数24個
書込み速度60%向上
340
230
2010年 9月号テラヘルツ波検出感度が100倍以上のトランジスタパナソニック日経産業新聞
(2010年6月23日PP.11)
室温動作可能
GaN材料
220
2010年 9月号グラフェンで論理回路を形成物材機構
筑波大
日経産業新聞
(2010年6月24日PP.12)
インバータ機能のグラフェン素子を試作
電圧ゲイン7以上
2V以下の低電圧で動作
120
220
2010年 9月号寿命2倍電力半減のLED照明用電源ICタキオン日経産業新聞
(2010年6月24日PP.1)
15μsに1回電源ON/OFF
電解コンデンサ不要
220
2010年 9月号美術品の色合いを忠実再現する画像処理技術NTT日経産業新聞
(2010年6月25日PP.15)
従来比2倍の精度
動画ディジタルアーカイブに応用
多層膜フィルタ利用
2台のカメラで計6色に分けて撮影
310
520
2010年 9月号10万倍の抵抗値変化を記憶できる強誘電体採用メモリスタパナソニック電波新聞
(2010年6月25日PP.1)
半導体と強誘電体の界面伝導を利用
トランジスタとの一体化
結晶成長技術
220
2010年 9月号化合物半導体を使ったトランジスタ -LSI速度5倍に-東大
産総研
物材機構
住友化学
日経産業新聞
(2010年6月25日PP.15)
InGaAs
高速LSI
220
2010年 9月号光による量子ホール効果を確認東大日経産業新聞
(2010年6月29日PP.11)
GaAs
AlGaAsを張り合わせた試料
-270℃に冷やし4〜6テスラの磁力を加え波長0.15〜0.6mmのテラヘルツ波を当てる
120
2010年 9月号酸化亜鉛LEDの輝度向上東北大
ローム
日経産業新聞
(2010年6月30日PP.11)
MBE法を応用
Mgを添加
紫外領域では輝度が従来比1万倍以上
250
160
2010年 8月号消費エネルギー1/200の光スイッチNTT日経産業新聞
(2010年5月3日PP.6)
フォトニック結晶
中核部品の幅0.5μm
420アトジュール
340
440
2010年 8月号曲げても全面発光するLED照明部材出光興産日経産業新聞
(2010年5月7日PP.1)
アクリル樹脂の端面にLED光源
90°曲げても面全体が発光
透過率95%
反射率はガラスの1.3倍
250
2010年 8月号超電導の人工原子を組み込んだ量子光学素子理研
NEC
日刊工業新聞
(2010年5月11日PP.22)
超電導量子ビット
巨視的量子散乱などの量子光学現象
120
220
2010年 8月号物音を検出する自動監視システム日立日経産業新聞
(2010年5月11日PP.11)
8個のマイクを内蔵した特殊マイクを2基設置
誤差20cm以内
同一人物を7000万件の写真から0.3秒で検索
520
620
310
2010年 8月号違法動画検出技術がMPEG7に採用NEC日経産業新聞
(2010年5月12日PP.11)
一コマで380ヵ所の明るさを比較
識別率96%
誤検出率1/200
000
520
2010年 8月号半導体上に原子積み上げてナノ構造を作成NTT
独ポール・ドルーデ研
日刊工業新聞
(2010年5月12日PP.1)
In原子を1個ずつ積み上げ
STMの金属製プローブ
nm寸法の構造
InAs基板
120
160
2010年 8月号スピンRAMの5Gb超の大容量化技術産総研日刊工業新聞
(2010年5月14日PP.18)
日経産業新聞
(2010年5月14日PP.10)
トンネル磁気抵抗素子(TMR素子)
MgO層の厚さを約1nmに
高いスピン分極
磁気抵抗比85%
素子抵抗値約4Ωμm2
230
2010年 8月号磁気テープの記録容量を30倍以上に増やせる製造技術日立マクセル
東工大
日経産業新聞
(2010年5月14日PP.1)
スパッタ
テープ1巻で50TB
3層で計100nm弱の記録層を形成
垂直磁気記録
130
230
2010年 8月号2インチm面GaN基板作成に成功東北大日刊工業新聞
(2010年5月17日PP.1)
高輝度LED
結晶の成長方向を制御
120
250
2010年 8月号仮想物体の触感を伝える技術NHK日刊工業新聞
(2010年5月18日PP.1)
3Dスキャナで取得
パソコンで3D仮想物体を作成
力覚を伝える専用装置
620
250
2010年 8月号Cs添加フラーレンが超電導状態となる条件解明高輝度光科学研
理研
英リバプール大
日経産業新聞
(2010年5月20日PP.13)
面心立方構造でも-238℃で超電導状態
特定の電子状態で超電導となる
120
2010年 8月号テレビ向け新液晶材料 -明滅間隔を10倍高速化-九大
チッソ石油化学
日油
日経産業新聞
(2010年5月21日PP.9)
分子の並び方を工夫
色フィルタ不要
バックライト消費電力1/3
高分子安定化ブルー相(PSBP)
1/1000秒以下で液晶分子の向きを制御
40Vで駆動
直径100nmの円柱
120
250
2010年 8月号量子ドットレーザで25Gbpsでデータ通信富士通
東大
日刊工業新聞
(2010年5月21日PP.23)
従来比2.5倍
GaAs基板
InAsの量子ドット
600億個/cm2
量子ドット層8層
250
240
2010年 8月号地上デジタル放送の伝送容量を4倍にする技術NHK日本経済新聞
(2010年5月22日PP.13)
6MHzにHDを4番組放送
スーパーハイビジョン
1024QAM
垂直偏波と水平偏波を両方使用
540
2010年 8月号発光効率100%に近づける緑色LED京大日本経済新聞
(2010年5月24日PP.13)
フォトニック結晶
InGaN
波長500nm
効率従来比2〜3倍
250
120
2010年 8月号光の位相で多値化した次世代光ディスク -転送速度3倍に-日立日刊工業新聞
(2010年5月25日PP.1)
マイクロホログラム
位相多値記録再生方式
8値信号
230
2010年 8月号量子ドットで発光素子東京都市大日経産業新聞
(2010年5月25日PP.9)
Ge
円形構造
層内を円周方向に進み強め合う
120
250
2010年 8月号SEDテレビ開発凍結キヤノン日本経済新聞
(2010年5月25日PP.9)
表面電界ディスプレイ
業務用SED開発
250
2010年 8月号量子ドットを300層積層した半導体レーザ情通機構日刊工業新聞
(2010年5月26日PP.23)
日経産業新聞
(2010年5月27日PP.13)
温度調整装置が不要
80℃までの高温域で波長1.55μmでレーザ発振成功
120
250
2010年 8月号巻き取り可能な有機ELディスプレイソニー日経産業新聞
(2010年5月27日PP.5)
4.1型
厚さ0.08mm
回路の絶縁膜に有機材料を使用
0.02mm基板
有機TFT
半径4mmの棒に巻き取れる
121ppi
250
2010年 8月号電磁波を利用した無線給電シート東大日経産業新聞
(2010年5月28日PP.11)
縦50cm
横1m
10W
2.4GHz
250
350
2010年 8月号量子ドットを使用した低消費電力レーザ発振素子東大日経産業新聞
(2010年5月31日PP.12)
Si基板上で微少なレーザ光を発振
InAsでできた直径20nmの「量子ドット」
長さ1mm・幅60μm・厚さ0.3mmの棒状素子
120
250
2010年 7月号ナノ粒子の大きさを自在に制御東大日経産業新聞
(2010年4月5日PP.12)
自己組織化
カプセル状の分子を形成
直径2〜4nm
160
2010年 7月号3割明るいLED照明富士フイルム日経産業新聞
(2010年4月5日PP.1)
光拡散フィルム
照度約30%向上
厚さ約1/7の0.3mm
ペット樹脂素材上に光拡散層を特殊材料を用いて10μmの厚さで塗布
250
2010年 7月号6本分のハイビジョン映像を非圧縮で無線伝送NTT
NHK
フジテレビ
日経産業新聞
(2010年4月6日PP.11)
送信出力従来比2倍の40mW
120GHz帯で10Gbps
5.8km伝送
ハイビジョン映像1.5Gbps
20ミリの雨でも2km伝送可能
440
240
520
2010年 7月号消費電力1/20の光通信中継装置名大
NTT
NTTエレクトロニクス
日経産業新聞
(2010年4月7日PP.11)
ノード
多階層光クロスコネクト技術
340
440
2010年 7月号C60分子の薄膜を活用した記憶素子物材機構
阪大
日刊工業新聞
(2010年4月7日PP.23)
フラーレン
既存の記憶素子の約1000倍の密度
結合状態と非結合状態
多植記録
不揮発性
190Tbpiの高密度記録
230
2010年 7月号グラフェン薄膜を半導体上に作製する技術日立
東北大
東洋大
日経産業新聞
(2010年4月8日PP.12)
800℃の加熱条件に設定した熱CVD(化学気相成長)法で作製
厚さ30nm
幅約3μmのアルミナ薄膜
120
2010年 7月号出力3.8倍の蓄電池農工大
日本ケミコン
日経産業新聞
(2010年4月14日PP.11)
CNT
エネルギー密度4.5倍
チタン酸リチウムの結晶を1〜10nmの粒にしてCNT表面につける
充電時間を1時間から12秒へ短縮
250
2010年 7月号真空で軌道角運動量を持つ電子理化学研日刊工業新聞
(2010年4月16日PP.19)
素粒子
真空中
らせん状の構造の黒鉛
電子の波面構造を制御
120
2010年 7月号太い単層CNTの製法東大日経産業新聞
(2010年4月19日PP.12)
CNTが伸びながら太さを増す
アルミナ材料の表面に直径2nmのてる粒子をまき700℃に加熱
鉄粒子が集まりCNTが成長
根幹部分直径5nm
先端部分の直径1.7nm
160
120
2010年 7月号画面に指触れず操作できる携帯端末東大日経産業新聞
(2010年4月22日PP.1)
高速カメラ組込み
154FPSの画像を撮影
指の大きさの変化から指の動きを認識
620
520
2010年 7月号半導体を使った人工視覚装置を試作奈良先端大
ニデック
阪大
日経産業新聞
(2010年4月23日PP.9)
チップは0.6mm四方で9個の電極を配置
光信号を電気信号に変換
動物実験で性能確認
220
310
2010年 7月号鉄系高温超電導体の電子構造を詳細分析理化学研日刊工業新聞
(2010年4月23日PP.22)
日経産業新聞
(2010年4月23日PP.9)
磁性関与
クーパー対の構造を実験的に決定
電子のさざなみ
120
2010年 7月号手の動きで画面操作日立ソフトウェアエンジニアリング
島根県産業技術センター
日経産業新聞
(2010年4月28日PP.6)
3Dカメラセンサ
仮想のタッチパネル
「ジェスチャーカム」
ディジタルサイネージ

「県立しまね海洋館アクアス」
620
2010年 6月号A-Si製のTFTと同程度の移動度とON/OFF比を実現したCNTトランジスタ名大日本経済新聞
(2010年3月1日PP.13)
太さ1.2nm
長さ200nm
鮭の精子から抽出したDNA
電気の流れやすさ1000倍
120
220
2010年 6月号GPUとDRAM間の通信速度32倍の8Tbps慶応大日経産業新聞
(2010年3月2日PP.11)
GPUとDRAM間を無線通信
回路面積1/66
1024個のコイルでデータを送受信
220
520
2010年 6月号波長1μm帯のTバンドでの光通信に成功NICT
青山学院大
電波タイムズ
(2010年3月3日PP.1)
Cバンド
Lバンド
広帯域光信号伝送
光ICTデバイス
低損失広帯域微細構造光ファイバ
240
440
2010年 6月号IPサイマルラジオの実用化試験配信開始 IPサイマルラジオ協議会電波タイムズ
(2010年3月3日PP.3)
在京民放ラジオ7局
在阪民放ラジオ6局
放送エリアに準じた地域
2010年3月15日〜8月31日
440
640
2010年 6月号有機EL素子の光取り出し効率2倍超東工大
新日本石油
日刊工業新聞
(2010年3月3日PP.20)
ランダムな周期性を持つ凹凸構造
バックリング構造
高分子と蒸着アルミニウムを数回熱収縮
電流効率2.2倍
電力効率2.9倍
160
250
2010年 6月号有機系超電導物質の合成に成功岡山大
北陸先端大
首都大東京
群馬大
日経産業新聞
(2010年3月4日PP.12)
臨界温度20K
ピセン分子とカリウム原子を1対3の割合で混ぜる
直径数10μmの微粒子
120
2010年 6月号フラーレン
ナノ材料初のJIS化
ナノテクノロジービジネス推進協議会日刊工業新聞
(2010年3月5日PP.1)
高速液体クロマトグラフィー(HPLS)によるフラーレンC60及びC70の分析方法
JISZ8981
660
2010年 6月号フラーレン薄膜に190Tbpiの高密度記録物材機構
阪大
日経産業新聞
(2010年3月8日PP.12)
ハードディスクの1000倍
Si基板上にフラーレン分子3個分の薄膜
金属針を1nm未満に接近させ電圧を印加
結合・非結合の状態で「1」「0」を表現
記録速度1kbs
120
230
2010年 6月号絶縁体を使った電気信号伝送東北大
慶応大
日経産業新聞
(2010年3月11日PP.12)
電子のスピン波
磁性ガーネット結晶
1mm離れた先に伝送
120
2010年 6月号携帯電話で相手の感情を把握 -皮膚の電気抵抗センサが感知-東大日経産業新聞
(2010年3月11日PP.12)
手の皮膚から興奮度合いを測るセンサ
ペルチェ素子
センサの結果をリアルタイムで相手の携帯電話に送信
210
620
2010年 6月号長さ500nmの光アンテナ広島大日刊工業新聞
(2010年3月15日PP.26)
八木・宇田アンテナ応用
電波アンテナの1/100万の寸法
光を前方に約10倍集光
局在表面プラズモン共鳴
340
2010年 6月号LEDの光取り出し効率1.5倍産総研日刊工業新聞
(2010年3月19日PP.28)
日経産業新聞
(2010年3月23日PP.11)
半導体表面にリッジ(うねり)
厚さ約150nmの酸化シリコン膜
プラズマ化学気相成長(CVD)法
160
250
2010年 6月号8nmの太さの単層CNT実現東洋大
立山マシン
日刊工業新聞
(2010年3月24日PP.1)
プラズマ化学気相成長(CVD)法
プラズマを基板へ均一照射
120
160
2010年 6月号眼鏡なし3D携帯ゲーム機 任天堂日本経済新聞
(2010年3月24日PP.11)
ニンテンドー3DS620
450
2010年 6月号電子質量「ゼロ」の物質東北大日経産業新聞
(2010年3月25日PP.13)
低温下で見かけ上の電子の質量がゼロ
バリウム・鉄・ヒ素からなる化合物
ディラックコーン
120
2010年 6月号送信データ量を5割増しにできる映像配信技術ビデックス日経産業新聞
(2010年3月25日PP.1)
回線の混み具合を測定
渋滞データの統計処理
インターネット
440
2010年 6月号厚さ0.1mmの折り曲げ可能な薄型リチウムイオン電池韓国GSカルテックス日経産業新聞
(2010年3月15日PP.5)
シン・フィルム・バッテリー(TFB)
0.14g
250
2010年 6月号エクアドルが地上デジタル放送日本方式を採用 総務省電波新聞
(2010年3月29日PP.2)
ブラジル
ペルー
アルゼンチン
チリ
ベネズエラ
6カ国目
ISDB-T
540
2010年 5月号記録容量5倍の新方式HDD日立日経産業新聞
(2010年2月2日PP.1)
近接場光
熱アシスト
幅20nm以下の領域を加熱
ヘッド部品の先端部曲率半径10nm以下
2.5Tb/in2記録可能
230
2010年 5月号モバイル機器の通信網で最適な経路を選び出す制御技術NEC日刊工業新聞
(2010年2月4日PP.1)
NGN
プログラマブルフロースイッチ
オープンフロー
WiMAX
Wi-Fi
440
2010年 5月号出力10倍のダイヤ製LED産総研
物材機構
岩崎電気
シンテック
日経産業新聞
(2010年2月9日PP.11)
発光出力0.3mW
波長235nm
0.1mW程度の計100秒照射で大腸菌を殺菌
250
2010年 5月号Si基板でLED北大日経産業新聞
(2010年2月10日PP.11)
Si基板上に太さ100nmのGaAsの細いワイヤを垂直に立てる
ワイヤの長さを1〜2μmに変えて間隔を調整すると違う波長の光を出力可能
120
250
2010年 5月号ZnO透明電極を用いた20インチ液晶テレビ試作高知工科大日刊工業新聞
(2010年2月11日PP.14)
酸化インジウム
スパッタ成膜
薬液耐性技術
約3μmの微細なウェット加工
120
250
160
2010年 5月号2GHz動作の単一光子検出器日大日刊工業新聞
(2010年2月12日PP.1)
なだれフォトダイオード(APD)
約一万倍の電子増幅率で検出成功
210
320
2010年 5月号LSIの駆動電圧を3割低減する誤動作防止技術東芝日経産業新聞
(2010年2月15日PP.12)
駆動電圧を0.7Vへ下げた場合にSRAMの動作不良が起きる割合を従来の1/10000に抑えた120
2010年 5月号CNT内にダイヤ型触媒東京理科大日刊工業新聞
(2010年2月16日PP.22)
液相一段合成法
金属錯体触媒
アルコール
アルゴンガス
抵抗加熱で約800℃
太さ50nm前後
120
160
2010年 5月号通信速度3倍のデジタル信号補正技術NEC
NECエレクトロニクス
日経産業新聞
(2010年2月17日PP.11)
16Gbps
伝送中に乱れたデジタル信号を補正
乱れたデジタル信号が後段の信号に及ぼす影響を差し引く方法
340
520
2010年 5月号20nmのナノインプリント向け感光性樹脂開発富士フイルム日経産業新聞
(2010年2月17日PP.5)
モールド
Siウェハ
モノマー
エッチング
レジスト
160
2010年 5月号細い線状の太陽電池イデアルスター
金沢大
静大
東北大
東京理科大
慶応大
九産大
日経産業新聞
(2010年2月18日PP.1)
直径0.8mm厚さ約500nmの電池
光を電気に変換する効率は3%
長さ5cmの細線を試作
フラーレン
250
120
2010年 5月号電子の見かけの質量を1000倍に京大
名大
日経産業新聞
(2010年2月19日PP.11)
日刊工業新聞
(2010年2月19日PP.20)
大気の1/10兆の真空状態
特殊な基板にセリウム・インジウム・ランタンなどを蒸着
薄膜の厚さ約300nm
縦横1cm
ほぼ絶対零度
分子線エピタキシー
電子を平面上空間に閉じ込める
120
2010年 5月号次世代テレビ向け画像拡大技術三菱電機日経産業新聞
(2010年2月19日PP.11)
4K2K
多重解像度解析技術
拡大した場合の輪郭図を推定
輪郭を抽出して合成
520
540
2010年 5月号液晶テレビ用蛍光管バックライトサンケン電気日経産業新聞
(2010年2月19日PP.1)
冷陰極蛍光管(CCFL)と呼ぶ光源を改良
コスト6割減
導光板
250
2010年 5月号有機EL照明で電力効率2.9倍に東工大
新日本石油
日本経済新聞
(2010年2月22日PP.13)
発光層
数100μmレベルの凹凸を持つしわ状に作製
160
2010年 5月号人工原子1個でレーザ光を出す半導体東大日経産業新聞
(2010年2月22日PP.10)
日刊工業新聞
(2010年2月16日PP.22)
直径100nmの穴を10個開けた厚さ160nmのGaAs半導体薄膜
中央に直径20〜25nm厚さ2〜3nmのInAsの人工原子を埋め込む
波長917nm
フォトニック結晶体
ナノ共振器
120
250
240
2010年 5月号回路面積1/10
消費電力1/5の無線通信用AD変換器
東芝日経産業新聞
(2010年2月24日PP.11)
逐次比較型
キャパシタの数36個
面積0.06mm2
消費電力1.21mW
220
2010年 5月号蓄電容量2〜3割アップのコンデンサ添加原料宇部マテリアルズ日経産業新聞
(2010年2月25日PP.1)
炭酸ストロンチウムを2〜3%添加
積層セラミックコンデンサ
120
2010年 5月号変換効率15.9%の曲がる太陽電池産総研日刊工業新聞
(2010年2月26日PP.32)
CIGS薄膜
ナトリウム
アルカリ金属
セラミックス基板
ケイ酸塩ガラス
モリブデン電極
160
250
2010年 5月号固体高分子型燃料電池の性能劣化を防ぐ技術九大日経産業新聞
(2010年2月26日PP.11)
白金触媒を二酸化ケイ素で覆う
性能低下1/8
250
2010年 4月号「考えるだけ」で機器を制御するコントローラ日立日本経済新聞
(2010年1月4日PP.1)
ブレイン・マシン・インタフェース(BMI)
血流量が増える現象を利用
ヘアバンド型センサ
410
620
2010年 4月号LED点滅光でロボット誘導慶応大日経産業新聞
(2010年1月4日PP.12)
可視光通信技術
LED照明
440
2010年 4月号CNTを酸化させ表面積1.7倍に産総研日経産業新聞
(2010年1月5日PP.11)
単層CNTを高温で酸化
先端や側壁に微細な穴開け
エネルギー密度約1.5倍
パワー密度2.8倍
2240m2/g
120
160
2010年 4月号CNTを高純度に分離する技術産総研日刊工業新聞
(2010年1月5日PP.22)
アガロース
コストが従来の1/10以下
分離後のCNTが半導体型95%
金属型90%
120
2010年 4月号近接場技術で200GBの新型光ディスクパイオニア日経産業新聞
(2010年1月6日PP.5)
近接場光
ピット長さ53nm
青色レーザ
光源のレンズとディスクの間隔20nm
100・200GB作製技術および100GB再生技術を確立
BDの8倍の記憶容量
230
2010年 4月号152インチ立体プラズマテレビパナソニック読売新聞
(2010年1月6日PP.8)
3Dテレビ250
2010年 4月号明るさ20倍の赤色LED日立電線日経産業新聞
(2010年1月8日PP.1)
大きさ1mm角
55lm
250
2010年 4月号液体レンズ使い全焦点動画撮影東大日刊工業新聞
(2010年1月12日PP.1)
カメラ
ピエゾ素子
1/500秒で合焦
8焦点で撮像速度1000fps
310
2010年 4月号X線量8割減のCT撮影東芝メディカルシステムズ日経産業新聞
(2010年1月13日PP.1)
ノイズ除去
画像補正
画像処理
360
620
2010年 4月号19型電子ペーパLGディスプレー日経産業新聞
(2010年1月15日PP.3)
イーインク
重さ130g
厚さ0.3mm
メタルフォイル
250
2010年 4月号楕円曲線暗号の安全性評価の新基準富士通日刊工業新聞
(2010年1月18日PP.21)
ロー法
暗号の寿命を予測可能
RSA暗号技術と楕円曲線暗号の比較
強度数千倍
520
2010年 4月号がん細胞転移を精度100倍で観察東北大日経産業新聞
(2010年1月19日PP.11)
nm精度
独自開発の顕微鏡
PAR1
9mmの精度
360
2010年 4月号インジウム代替電極材神奈川科学技術アカデミー
旭硝子
日経産業新聞
(2010年1月21日PP.12)
二酸化チタン
ニオブ
スパッタリング
酸化インジウムすず
ITO
レアメタル
300〜400℃で加熱処理
120
2010年 4月号コントラスト10倍の液晶テレビ用偏光板用フィルム日本ゼオン日経産業新聞
(2010年1月21日PP.1)
IPS方式
位相差フィルム
シクロオレフィンポリマー(COP)
150
2010年 4月号768ビットの素因数分解に成功NTT
スイス連邦工科大(EPFL)
独ボン大
仏国立情報学自動制御研(INRIA)
蘭国立情報工学数学研(CWI)
電波タイムズ
(2010年1月25日PP.2)
10進232桁
一般数体篩法
公開鍵
620
2010年 4月号CNTの電気特性測定技術九大日経産業新聞
(2010年1月26日PP.11)
エネルギー準位
バンドギャップ
フォトルミネッセンス
120
660
2010年 4月号折り曲げ可能液晶ディスプレイをロール・ツー・ロールで製造NEDO
TRADIM
日経産業新聞
(2010年1月28日PP.13)
日刊工業新聞
(2010年1月28日PP.28)
電波新聞
(2010年1月28日PP.2)
カラーフィルタと偏光/位相差フィルム部材
バックライト部材と偏光/位相差フィルム部材
160
2010年 4月号有機半導体で電子移動度5cm2/Vs日本化薬日経産業新聞
(2010年1月29日PP.1)
電子移動度5倍
印刷可能
ペンタセン
120
2010年 4月号ソニーがアメリカで立体テレビ局設立ソニー日刊工業新聞
(2010年1月7日PP.10)
2011年の早い時期
米ディスカバリーコミュニケーションズ
カナダ・アイマックス
新会社設立
660
640
2010年 4月号CS放送で立体番組を放送 スカパーJSAT日本経済新聞
(2010年1月10日PP.1)
2010年夏を目処
約370万世帯
画面を左右に2分割して映像を流す(サイドバイサイド)
660
640
2010年 4月号ケーブルテレビ
オンデマンドで立体映像を提供
JCOM日本経済新聞
(2010年1月20日PP.11)
2010年4月660
640
2010年 4月号発電用セルを円筒に並べた新型固体酸化物型燃料電池日立
TOTO
日経産業新聞
(2010年1月13日PP.9)
表面にアルミナ皮膜を形成することで炭素の析出を防止
SOFC
250
2010年 4月号有機分子で強誘電体東大日経産業新聞
(2010年1月13日PP.9)
磁性をもつ2種類の有機分子が重なった結晶
テトラチアフルバレン
ブロマニア
120
2010年 4月号生産効率6割向上のリチウムイオン電池用電極製造装置ヒラノテクシード日経産業新聞
(2010年1月15日PP.1)
液体の噴射と停止をつかさどる電子制御の信号速度が1000倍以上に向上250
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