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2011 年 6 月発表の注目記事
学会誌に掲載された記事は青色で表示しています。

掲載
予定
題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
2011年 9月号超音波を使ったスピンの長時間制御技術NTT
東北大
独ポールドルーデ研
日経産業新聞
(2011年6月2日PP.11)
半導体中の複数のスピンの向きを揃えたまま約40μm移動
超音波がない場合と比べて100倍以上の移動距離
120
2011年 9月号光を当てると磁石になる新素材東大日経産業新聞
(2011年6月8日PP.8)
Feイオンが有機分子の間に入り込んだ構造
青い光が当たるとFeイオンの向きがそろい磁石の性質を持つようになる
スピンクロスオーバー
120
2011年 9月号大電流・高電圧に対応するGaN半導体名工大日刊工業新聞
(2011年6月8日PP.22)
160
(260年0月0日)
耐電圧1800V 移動度3000cm2/Vs
膜厚9μm
NH3とトリメチルアルミニウムを用いたAlNとGaNによるバッファ層
220
120
2011年 9月号コバルトで超電導材料東工大日経産業新聞
(2011年6月10日PP.10)
La
Co
Bからなる材料
-269℃で電気抵抗ゼロ
120
2011年 9月号心疾患診断
当日に結果
心臓画像クリニック飯田橋日経産業新聞
(2011年6月10日PP.10)
画像診断
CT
MRI
数十分で再構成
520
620
2011年 9月号待機電力0のメモリー東北大
NEC
日経産業新聞
(2011年6月14日PP.9)
スピントロニクスを使う不揮発性メモリー230
120
2011年 9月号電子移動度4.2倍の次世代素子東大
産総研
住友化学
物材機構
日刊工業新聞
(2011年6月15日PP.19)
化合物半導体とGe基板を使用220
2011年 9月号低消費電力のDRAMエルピーダメモリ日経産業新聞
(2011年6月15日PP.1)
High-Kメタルゲート技術
40nmプロセス
絶縁膜にハフニウム
電極にTiを使用
230
160
2011年 9月号MRAMにかかる歪みを制御し性能向上超低電圧デバイス技術研究組合日刊工業新聞
(2011年6月15日PP.19)
ビラリ効果
低消費電力
230
120
2011年 9月号一眼レフでフルHD動画
-CM・映画で活用進む-
キヤノン日経産業新聞
(2011年6月15日PP.4)
静止画と動画の垣根
大型イメージセンサ
310
2011年 9月号スピン偏極を持つ電子材料東大
理研
広島大
高エネルギー研
産総研
日刊工業新聞
(2011年6月20日PP.17)
結晶構造に生じる電気的偏りを持つ半導体ビスマス・テルル・ヨウ素の単結晶120
2011年 9月号変換効率30%超のSi太陽電池東北大日刊工業新聞
(2011年6月21日PP.1)
量子ドット型
Si基板上に円盤状の量子ドットを形成する
直径10nm以下のSi量子ドットとSiCを中間層に組み合わせてをミニバンドを形成
タンパク質に鉄の微粒子を含ませ規則正しい構造を作る
250
160
2011年 9月号高効率の色素増感型太陽電池東大日刊工業新聞
(2011年6月22日PP.1)
変換効率11.3%
4mm角の試作セル
ブラックダイを改良し波長700nm以上の光を吸収
250
2011年 9月号タブレット端末に3D地図ヤフー日経産業新聞
(2011年6月22日PP.5)
持ち歩き道案内
飲食店情報や路線情報も盛り込み
620
2011年 9月号記憶も忘却もする新素子物材機構
米カリフォルニア大ロサンゼルス校
日経産業新聞
(2011年6月27日PP.9)
イオンや原子の動きを制御して働く原子スイッチを応用したシナプス素子
素子サイズ縦横50nm
電極間1nmの隙間
僅かな電圧操作で材料のAg2Sから銀原子が析出し隙間の接続強度を調節
120
230
2011年 9月号低雑音の光増幅器NTT日経産業新聞
(2011年6月28日PP.9)
LiNbO3を加工し増幅器に組込む
1回の中継で伝送容量が400Tbps以上に増加
340
440
2011年 9月号スピンを簡単に注入する技術東北大日経産業新聞
(2011年6月28日PP.9)
低消費電力
素材の中のスピンを動かす
120
2011年 9月号0.1パスカルの気圧変化を検出可能なMEMSセンサ東大日刊工業新聞
(2011年6月29日PP.23)
ピエゾ抵抗型の横200μm×縦160μm×厚さ0.3μmのカンチレバー210
2011年 9月号業務用4K対応ビデオカメラ発売へソニー日経産業新聞
(2011年6月30日PP.4)
4K用高感度CMOS310
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