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海外文献集録 webzine について
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| 番号 2009-124 | ニッケル‐リチウム二次電池 | ||
| H. Li, et al. | Rechargeable Ni-Li Battery Integrated Aqueous/Nonaqueous System | pp.15098-15099 | |
| 正極が水酸化ニッケル，負極が金属リチウムで，正極側に水性電解液，負極側に有機電解液を用い，両電解液間を固体電解質で仕切った構造の二次電池を作製した．この電池の電圧と正極側の放電容量密度は3.47V，264mA/g(理論値3.49V，26 8mA/g)であり，エネルギー密度は従来のリチウム二次電池やニッケル水素電池よりも遥かに高い．また，充放電サイクルは測定した50回迄では安定であった． | |||
| 番号 2009-125 | 改良スイッチ型カラー画像インパルス除去フィルタ | ||
| C. Wu, et al. | Improved Switching- and Counting-based Filter for Removing Impulse Noise from the Color Image | #097003pp.1-10 | |
| カラー画像からインパルスノイズを除去する新しいフィルタの提案．まず，ノイズ画素を検出し，ノイズ画素をベクトルメジアンフィルタ(MVF)値で置き換える．着目画素に近い値の画素を3×3近傍でカウントする．4未満ならノイズ候補とし， 5×5近傍で同様の処理を行い，再び4未満ならノイズ画素とする． MVFで選択する近傍画素がノイズであることを避けるために，すでに除去処理の終わった部分に付いては，MVF処理後の画素値を用いる．テスト画像を用いた実験の結果，従来法よりノイズ除去と特徴保存において優れた性能を示した． | |||
| 番号 2009-126 | 新しい光位置センサ2種:背景光除去型と暗部検出型 | ||
| T. Fujita, et al. | New Types of Semiconductor Image Position Sensitive Device | #093602pp.1-5 | |
| 半導体光位置センサ(PSD)の新しいタイプの提案．光検出部が分離構造を持ち，背景光の影響を除去する機能あるいは，明るい背景中での暗い部分の位置の検出機能を持つ． | |||
| 番号 2009-127 | H.264符号化における動きベクトル用メモリ節減法 | ||
| J. Choi, et al. | Motion Vector Memory Reduction Scheme for Scalable Motion Estimation | #090502pp.1-3 | |
| H.264符号化では動きベクトルのためのメモリ使用量の節減法を提案する速報．動きベクトルの前回の値との差のエントロピーコーディング時に，前回との差が閾値より大きい場合を例外処理とすることで，テーブルサイズを削減する．ハードウェア増加なしに標準方式に比べて，66.5%まで削減できた． | |||
| 番号 2009-128 | 半導体光増幅器中の2光子吸収による全光XOR | ||
| S. Ma, et al. | All-optical Logic Gates based on Two-photon Absorption in Semiconductor Optical Amplifiers | pp.4508-4512 | |
| 半導体光増幅器とマッハツェンダー干渉計を用いた全光XORゲートの提案．十分に強い二つの入力光パルスを半導体光増幅器のポンプ光として入射した場合， 2光子吸収が生じ連続波プローブ光の位相を180度反転する現象を利用し，入力パルスのXORに対応する干渉計出力を得る． 250Gb/s のビットレートで演算でき，擬似ランダム信号の発生にも利用できる． | |||
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