12月25日(火) 午前 薄膜デバイス 11:00 - 13:15 |
(1) IEICE-SDM |
11:00-11:15 |
プラスチック基板上のダブルゲートCu-MIC多結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタ |
○内海大樹(東北学院大)・北原邦紀・塚田真也(島根大)・鈴木仁志・原 明人(東北学院大) |
(2) IDY |
11:15-11:30 |
分子配向性ゲート絶縁膜を有するボトムコンタクト型OTFTの作製と、SAM修飾電極がOTFT特性に与える影響 |
○濵地柱元・飯村靖文(農工大) |
(3) IDY |
11:30-11:45 |
Ga-Sn-O薄膜を用いた二層構造抵抗変化型メモリの開発 |
○倉崎彩太・杉崎澄生・田中 遼・木村 睦(龍谷大) |
(4) IDY |
11:45-12:00 |
ミストCVD法によるGTO薄膜を用いたデバイス |
○滝下雄太・杉崎澄夫(龍谷大)・是友大地・曲 勇作・古田 守(高知工科大)・松田時宜・木村 睦(龍谷大) |
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12:00-13:15 |
昼食 ( 75分 ) |
12月25日(火) 午後 薄膜プロセス 13:15 - 14:30 |
(5) IEICE-SDM |
13:15-13:30 |
Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果 |
○秋田佳輝・松尾直人(兵庫県立大)・小濱和之・伊藤和博(阪大) |
(6) IEICE-SDM |
13:30-13:45 |
酸素雰囲気中で作製したAlOx/GeOx/a-Geスタック構造に対する原子状水素アニールの効果 |
○大貫智史・部家 彰・松尾直人(兵庫県立大) |
(7) IEICE-SDM |
13:45-14:00 |
Arクラスター照射によるDNA/Si-MOSFETに対する影響 |
○中野 響・松尾直人・部家 彰・山名一成・高田忠雄・盛谷浩右・乾 徳夫・佐藤 佑(兵庫県立大)・佐藤 旦・横山 新(広島大) |
(8) IDY |
14:00-14:15 |
Ga-Sn-O TFT特性のUVアニール依存性解析 |
○谷野健太・高木 瞭・松田時宜・木村 睦(龍谷大) |
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14:15-14:30 |
休憩 ( 15分 ) |
12月25日(火) 午後 新規アプリケーション 14:30 - 16:00 |
(9) IDY |
14:30-14:45 |
Ga-Sn-O薄膜の熱電特性及び構造のアニール依存性 |
○池口 翼・荒牧達也(龍谷大)・梅田鉄馬・上沼睦典(奈良先端大)・是友大地・曲 勇作・古田 守(高知工科大)・木村 睦(龍谷大) |
(10) IDY |
14:45-15:00 |
ミストCVD法により作製したGa-Sn-O薄膜熱電変換素子の評価 |
○荒牧達也・野村竜生・池口 翼・松田時宜(龍谷大)・梅田鉄馬・上沼睦典(奈良先端大)・木村 睦(龍谷大) |
(11) IDY |
15:00-15:15 |
酸化物半導体を用いた多重構造のクロスポイント型シナプス |
○近藤厚志・田中 遼・津野拓海・杉崎澄生・生島恵典・山川大樹・柴山友輝・新村純平・木村 睦(龍谷大) |
(12) IDY |
15:15-15:30 |
Ga-Sn-O薄膜を用いたニューラルネットワークの文字認識 |
○新村純平・生島恵典・田中 遼・山川大樹・近藤厚志・柴山友輝・津野拓海(龍谷大)・中島康彦(奈良先端大)・木村 睦(龍谷大) |
(13) IDY |
15:30-15:45 |
脳型集積システムのためのIGZO薄膜シナプス |
○柴山友輝・山川大樹・生島恵典・杉崎澄生・木村 睦(龍谷大)・中島康彦(奈良先端大) |
(14) IDY |
15:45-16:00 |
Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜をシナプスに用いたニューラルネットワーク |
○宮部雄太・新村純平・吉田 誉・小川功人(龍谷大)・羽賀健一・徳光永輔(北陸先端大)・木村 睦(龍谷大) |