映像情報メディア学会 研究会発表申込システム
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★情報センシング研究会（IST）
委員長 徳田 崇 (科学大)
担当幹事 黒田 理人 (東北大)， 佐藤 守 (ソニーセミコンダクタソリューションズ)， 白髭 大貴 (キヤノン)， 谷 卓治 (オリンパスメディカルシステムズ)
日時 2026年 3月27日(金) 09：00～17：00
会場 機械振興会館 地下3階 研修2号室 (+オンライン)
議題 固体撮像技術および一般
3月27日(金) 午前 （09：00～17：00）
座長: 黒田 理人、佐藤 守、白髭 大貴、谷 卓治
−−− オープニング −−−
(1) 09:00 - 09:25
読出速度6Tpixel/s記録枚数256コマ寄生光感度−170 dBを実現したグローバルシャッターバーストCMOSイメージセンサ
○北邨益飛・川口泰範（島津製作所）・栗山尚也（ラピスセミコンダクタ）・前田智晃・今村俊文（エイアールテック）・間脇武蔵・須川成利・黒田理人（東北大）
(2) 09:25 - 09:40
無段階加速度ランプ生成器の分散配置アーキテクチャに基づくシングルスロープADC CMOSイメージセンサ
○迫田隼人・大高俊德・佐藤俊一・浜本隆之（東京理科大）
(3) 09:40 - 09:55
無線給電CMOSイメージセンサに向けた干渉ノイズの評価
○大山隼輝・岡田虹輝（立命館大）・宮内 健（ブリルニクスジャパン/立命館大）・大和田英樹・郭 家祺・高柳 功（ブリルニクスジャパン）・田中亜実・西村文哉・大倉俊介（立命館大）
(4) 09:55 - 10:20
風車パターンエッジ特徴抽出とオンチップDNNを備える0.8μm32Mpixel常時オンCMOSイメージセンサ
○佐藤 守・曙 佐智雄・安岡一嘉・加藤恵里子・鶴田将大・太田健介・原口和樹・渡邉正浩・藤井元暉・山中幸一郎・安田和徳・南 智史・半澤克彦・松田航平・加藤昭彦・植野洋介（SSS）
−−− 休憩 （ 10分 ） −−−
(5) 10:30 - 10:55
A Novel Double Cathode SPAD for Drastic Reduction of Charge per Event and Dark Noise
○Mahito Shinohara・Hiroshi Sekine・Daiki Shirahige・Hajime Ikeda・Takeru Sakamoto・Abdelghafar Aymantarek・Kizashi Mikami・Kazuma Inoue・Alice Ehara・Yoshiki Kato・Kazuhiro Morimoto・Junji Iwata・Yasushi Matsuno・Katsuhito Sakurai・Takeshi Ichikawa（Canon）
(6) 10:55 - 11:20
不純物設計の最適化により波長940nmにおいてPDE42.5%を実現した裏面照射型10µmSPAD測距センサ
島田翔平・大竹悠介・○鈴木淳貴・馬郡あおい・倉田憲治・松井智徳・土田遼哉（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・岡崎 睦（ソニー）・横地界斗・岩瀬寿仁・高瀬博章・古閑史彦・小木 純（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・前田英訓・森山公治・本田英之（ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング）・藤澤 薫・三浦隆裕・纐纈洋章・若野寿史（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
(7) 11:20 - 11:45
室温環境にて波長1300 nmにてPDE 33.8%を実現した10 µm Ge-on-Si SPAD距離センサ
吉田 悟・島田翔平・○松崎厚志・シルヴィア ルー メイ リン・大竹悠介・長山哲治・落合聡一・丹下貴志・佐々木 顯・安井淳人・横地界斗・高瀬博章・佐々木勝昭・宮下 勝・大野 哲（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・高橋一摩・田中寛隆・佐々木 隆・三苫 想（ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング）・若野寿史（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
−−− 昼休憩 （ 70分 ） −−−
(8) 12:55 - 13:10
Practical Process of Dislocation-free Ge-on-Si Image Sensors
○T. Goji Etoh（Kindai Univ.）・Taeko Ando（Ritsumeikan Univ.）・Kentarou Sawano（Tokyo City Univ.）・Kohsei Takehara（Kindai Univ.）
(9) 13:10 - 13:25
イメージセンサの評価と設計のためのスペクトル応答シミュレーション
○中溝正彦・唐 彬・山本邦浩（Honor）
(10) 13:25 - 13:50
SOI FinFETを用いた高変換効率と低ノイズを実現した2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサ
高柳良平・加茂 崇・○山知亮介・櫻井真由・大石秀俊・入口拓也・高橋 洋・榎本泰啓・影山友基・田中裕介・菊池善明・山元純平・熊野秀臣・吉田慎一・北野良昭・太田和伸・平野智之（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
(11) 13:50 - 14:15
A Monolithic Dual-Layer Pixel Design with BEOL IGZO Transistors featuring High Dual Conversion Gain Ratio and Scaled Pixel Size for Future Image Sensors
○Kishou Kaneko（Huawei Japan）・S. Chen・H. Wang・L. Kang・Y. Li・W. Cui・S. Lu・W. Zhao・Y. Wang・Y. Yin・Y. Shao・Z. Lin・X. Cui・Y. Wu（Huawei）
−−− 休憩 （ 10分 ） −−−
(12) 14:25 - 14:40
小面積HDR型CMOSイメージセンサに向けた4T-DCG Large-Small Multiple-PD型画素の検討
○増井翔伍・竹本周平・大谷 愛（立命館大）・宮内 健（立命館大/ブリルニクスジャパン）・大和田英樹・郭 家祺・高柳 功（ブリルニクスジャパン）・大倉俊介（立命館大）
(13) 14:40 - 15:05
光量適応信号選択機能を有する3次元積層型2段LOFIC CMOSイメージセンサ
○吉田将也・瀧澤康平・間脇武蔵・宮内 健・黒田理人（東北大）
(14) 15:05 - 15:30
A 2.1 μm Single-Exposure 129 dB Dynamic Range CMOS Image Sensor with Triple Readout Technique
○Ryosuke Nakamura・Takaya Yamanaka・Shunsuke Kasashima・Chie Tokumitsu・Masatoshi Kitajima・Rikuya Matano・Takeshi Ishizaki・Hiroaki Iga・Makoto Aoki（SSS）・Shohei Nabeyoshi・Masashi Takami・Shuto Kuwahara（SCK）・Yorito Sakano・Yusuke Oike（SSS）
(15) 15:30 - 15:45
電荷領域時間圧縮CMOSイメージセンサのLiDAR/FLIm/DOT応用における信号復元精度の検討
○香川景一郎・林 大輔・髙倉 嵐・梅木佑斗・井柳幹太・安富啓太・川人祥二（静岡大）・吉田道隆（岡山大）・長原 一（阪大）
−−− 休憩 （ 10分 ） −−−
(16) 15:55 - 16:10
高照度耐性に向けた電荷ストレージ構造を有した4-tap iToFセンサへの線形対数応答の応用
○アルカデ ガブリエル・奥山智弘（静岡大）・マース カメル（静岡理工科大）・リュウ ドゥシン（スイクト）・香川景一郎・安富啓太・川人祥二（静岡大）
(17) 16:10 - 16:35
A 25M points/s Back-Illuminated Stacked SPAD Direct Time-of-Flight Depth Sensor with Equivalent Time Sampling and Pixel-Level Threshold Control for Automotive LiDAR
○半澤克彦・由井達哉・細谷昌宏・劉 玉清・安福 正・田中義則・田代睦聡・トゥメウ アルバート（SSS）・山根正孝・柴田真利・坂田敏樹（SCK）・赤塚和久・松下雄大（SSS）・山田浩輝・森 耕司（SCK）・豊島隆寛・坂野頼人・熊谷央一・津野地賢一・高橋昌幸（SSS）
(18) 16:35 - 17:00
2/3-inch 2.1Megapixel SPAD Image Sensor with 156dB Single-Shot Dynamic Range and LED Flicker Mitigation Based on Weighted Photon Counting Technique
Yasuharu Ota・Hiroshi Sekine・Kazuhiro Morimoto・○Wataru Endo・Tomoya Sasago・Aiman Tarek Abdelghafar・Satoru Mikajiri・Naoki Isoda・Daisuke Kobayashi・Mahito Shinohara・Kizashi Mikami・Kazuma Inoue・Hideaki Yasui・Kenzo Tojima・Masahi Niwa・Satoshi Omodani・Kazuma Chida・Kosei Uehira・Tetsuya Itano・Fumihiro Inui・Junji Iwata・Masanobu Ohmura・Yasushi Matsuno・Katsuhito Sakurai・Takeshi Ichikawa（Canon）
−−− クロージング −−−
口頭発表（一般）：発表 12 分 ＋ 質疑応答 3 分
口頭発表（IEDM, VLSI）：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分
☆IST研究会
Last modified: 2026-02-03 17:03:59
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