8月7日(火) 午前
09:00 - 10:35 |
(1)
IST |
09:00-09:25 |
前庭動眼反射を考慮した初期聴覚モデルの考察と回路評価 |
○池上高広・池辺将之・高前田伸也・本村真人・浅井哲也（北大） |
(2)
IST |
09:25-09:50 |
テラヘルツイメージング用CMOSピクセル回路の広帯域化 |
○金澤悠里・平松正太・佐野栄一・横山紗友里・池辺将之（北大） |
(3)
IST |
09:50-10:35 |
［招待講演］ナノプローブテクノロジーを利用したセンシング技術と応用 |
○末岡和久（北大） |
| |
10:35-10:45 |
休憩 （ 10分 ） |
8月7日(火) 午前
10:45 - 11:55 |
(4)
IEICE-ICD |
10:45-11:30 |
［招待講演］エネルギーハーベスティングBeat Sensorと応用の可能性 ～ 低電力、低コスト、高精度IoTセンサの提案 ～ |
○石橋孝一郎（電通大） |
(5)
IEICE-ICD |
11:30-11:55 |
FDSOIプロセスにおけるスタック構造を用いたNMOSおよびPMOSトランジスタのソフトエラー耐性の実測による比較 |
○山田晃大・古田 潤・小林和淑（京都工繊大） |
| |
11:55-12:55 |
昼食 （ 60分 ） |
8月7日(火) 午後
12:55 - 14:50 |
(6)
IEICE-SDM |
12:55-13:40 |
［招待講演］慣性センサの超低消費電力化に向けたCMOS混載SiGe-MEMS技術の開発 |
○富澤英之・久留井慶彦（東芝）・秋田一平（産総研）・藤本 明・齋藤友博・小島章弘・柴田英毅（東芝） |
(7)
IEICE-SDM |
13:40-14:25 |
［招待講演］ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスによるSOI-CMOSの作製及び電気特性評価 |
○柳 永勛（産総研） |
(8)
IEICE-SDM |
14:25-14:50 |
急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電圧整流実験 |
○百瀬 駿・井田次郎・山田拓弥・森 貴之・伊東健治（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構） |
| |
14:50-15:00 |
休憩 （ 10分 ） |
8月7日(火) 午後
15:00 - 15:50 |
(9)
IEICE-ICD |
15:00-15:25 |
0.6V動作9bitデジタル出力PWM差分演算回路 |
○小嶋文也・原田知親（山形大） |
(10)
IEICE-ICD |
15:25-15:50 |
A 65nm SOTB Based-On Code-Modulated Synchronized-OOK Transmitter for Normally-Off Wireless Sensor Networks |
○Van-Trung Nguyen・Ryo Ishikawa・Koichiro Ishibashi（The UEC） |
| |
15:50-16:00 |
休憩 （ 10分 ） |
8月7日(火) 午後
16:00 - 17:10 |
(11)
IEICE-ICD |
16:00-16:45 |
［招待講演］電池駆動IoTデバイス向け電源監視技術 |
○川崎健一・長田潤一・中本裕之（富士通研） |
(12)
IEICE-ICD |
16:45-17:10 |
FPGA搭載プロセッサのダイ温度からの消費電力推定 |
○金子博昭・金杉昭徳（東京電機大） |
8月8日(水) 午前
09:00 - 10:10 |
(13)
IEICE-SDM |
09:00-09:45 |
［招待講演］酸化物材料を用いた抵抗変化素子の研究動向 ～ 不揮発性メモリとニューロモルフィック素子への応用 ～ |
○島 久・高橋 慎・内藤泰久・秋永広幸（産総研） |
(14)
IEICE-SDM |
09:45-10:10 |
Understanding Temperature Effect on Subthreshold Slope Variability in Bulk and SOTB MOSFETs |
○Shuang Gao・Tomoko Mizutani・Kiyoshi Takeuchi・Masaharu Kobayashi・Toshiro Hiramoto（Univ. Tokyo） |
| |
10:10-10:20 |
休憩 （ 10分 ） |
8月8日(水) 午前
10:20 - 11:50 |
(15)
IEICE-SDM |
10:20-11:05 |
［招待講演］原子／イオン移動型素子を用いたニューロモルフィック動作 |
○大野武雄（大分大） |
(16)
IST |
11:05-11:50 |
［招待講演］結晶性酸化物半導体を用いた極低電力デバイス |
○加藤 清（半導体エネルギー研） |
| |
11:50-12:50 |
昼食 （ 60分 ） |
8月8日(水) 午後
12:50 - 14:25 |
(17)
IEICE-ICD |
12:50-13:15 |
デジタルICチップにおける電源ノイズの評価及び解析 |
○地家幸佑・月岡暉裕・澤田凌兵・渡辺 航・三浦典之・永田 真（神戸大） |
(18)
IEICE-ICD |
13:15-13:40 |
パスゲートトランジスタの対称性を向上した28nmHKMG 10TデュアルポートSRAMセル |
○石井雄一郎・田中美紀・藪内 誠・澤田陽平・田中信二・新居浩二（ルネサス）・Tien Yu Lu・Chun Hsien Huang・Shou Sian Chen・Yu Tse Kuo・Ching Cheng Lung・Osbert Cheng（ユーエムシー） |
(19)
IEICE-ICD |
13:40-14:25 |
［招待講演］組合せ最適化問題に適したCMOSアニーリングマシン |
○山岡雅直（日立） |
| |
14:25-14:35 |
休憩 （ 10分 ） |
8月8日(水) 午後
14:35 - 17:40 |
(20)
IEICE-SDM |
14:35-15:00 |
３D NANDフラッシュメモリの製造技術を用いた 再構成可能なシステムLSIの設計法の提案 |
○渡辺重佳（湘南工大） |
(21)
IEICE-SDM |
15:00-15:25 |
3D-NANDフラッシュメモリの製造技術を用いた新しい積層型論理回路方式の研究 ～ 従来のLUT方式、平面型との比較 ～ |
○鈴木章矢・渡辺重佳（湘南工科大） |
| |
15:25-15:40 |
休憩 （ 15分 ） |
| (22) |
15:40-17:40 |
パネルディスカッション
「新メモリデバイスを用いたインメモリコンピューティングの未来展望」
モデレータ
浅井 哲也(北海道大)
パネリスト
山岡雅直(日立製作所)，島 久(産業技術総合研究所)，大野武雄(大分大)，加藤 清(半導体エネルギー研究所)，出口 淳(東芝メモリ) |
8月9日(木) 午前
09:30 - 11:45 |
(23)
IEICE-ICD |
09:30-10:15 |
［招待講演］フレキシブルデバイスを用いたセンシングシステムの開発と社会実装 |
○吉本秀輔（PGV Inc.） |
(24)
IEICE-ICD |
10:15-11:00 |
［招待講演］容量結合方式による非接触・無拘束マルチバイタルセンシング ～ 先端研究事例の紹介 ～ |
○植野彰規（東京電機大） |
(25)
IEICE-ICD |
11:00-11:45 |
［招待講演］心拍変動解析に向けたウェアラブル生体センサの開発 |
○和泉慎太郎（阪大） |
| |
11:45-12:45 |
昼食 （ 60分 ） |
8月9日(木) 午後
12:45 - 13:35 |
(26)
IEICE-ICD |
12:45-13:10 |
10nm FinFETプロセスにおける回復効果を含むBTIのスタンダードセルのレイアウト形状依存性に関する研究 |
○五十嵐満彦・内田優希・高沢義生・塚本康正・澁谷宏治・新居浩二（ルネサスエレクトロニクス） |
(27)
IEICE-ICD |
13:10-13:35 |
12nm FinFETプロセスを用いた3G search/s 高速デュアルポートTCAMの開発 |
○藪内 誠・森本薫夫・新居浩二・田中信二（ルネサス） |
| |
13:35-13:45 |
休憩 （ 10分 ） |
8月9日(木) 午後
13:45 - 15:20 |
(28)
IEICE-SDM |
13:45-14:10 |
SRAMの安定性自己修復手法における複数回ストレス印加の効果 |
○水谷朋子・竹内 潔・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎（東大） |
(29)
IEICE-SDM |
14:10-14:35 |
強誘電体HfO2 FTJの高TER化と多値化のためのデバイスおよびプロセス設計 |
○小林正治・多川友作・バク ヒ・平本俊郎（東大生研） |
(30)
IEICE-SDM |
14:35-15:20 |
［招待講演］28nm不揮発プログラマブルロジックに向けたCu原子スイッチ技術の開発 |
○根橋竜介・伴野直樹・宮村 信・森岡あゆ香・白 旭・岡本浩一郎・井口憲幸・沼田秀昭・波田博光・杉林直彦・阪本利司・多田宗弘（NEC） |
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