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情報センシング研究会(IST) [schedule] [select]
委員長 須川 成利 (東北大)

日時 2015年 9月18日(金) 09:15 - 17:10
議題 イメージセンサおよび一般、2015 IISWとVLSIシンポジウムからの発表報告 
会場名 機械振興会館 地下3階 研修室1 
住所 〒105-0011 港区芝公園3-5-8
交通案内 東京メトロ日比谷線神谷町駅下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/
お知らせ ◎【IST委員幹事会のお知らせ】
研究会終了後、IST委員幹事会を6階62号室で開催しますので、
委員、幹事の皆様は出席をお願いいたします。
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【問い合わせ先(担当幹事)】
○情報センシング研究会
TSMC 山下 雄一郎
奈良先端大学院大学 徳田 崇
NIKON 綱井 史郎

9月18日(金) 午前 
09:15 - 17:10
(1) 09:15-09:45 像面位相差AFと撮像とを全画素で両立した低ノイズ・高感度CMOSイメージセンサ 小林昌弘ジョンソン道子和田洋一坪井宏政高田英明都甲憲二岸 隆史高橋秀和市川武史井上俊輔キヤノン
(2) 09:45-10:15 A 4M pixel full-PDAF CMOS Image Sensor with 1.58μm 2×1 On-Chip Micro-Split-Lens Technology Atsushi MorimitsuIsao HirotaSozo YokogawaIsao OhdairaMasao MatsumuraHiroaki TakahashiToshio YamazakiHideki OyaizuSony)・Yalcin IncesuMuhammad AtifSony Deutschland)・Yoshikazu NittaSony
(3) 10:15-10:45 1600万画素グローバルシャッタモード搭載の400万マイクロバンプ接続積層イメージセンサ 近藤 亨竹本良章小林賢司月村光宏高澤直裕加藤秀樹鈴木俊介青木 潤齊藤晴久五味祐一松田成介只木芳隆オリンパス
(4) 10:45-11:15 The source decomposition of Dark FPN and its improvement by Stacked CIS process Yuichiro YamashitaWen-hau WuWen-jen ChiangChi-hsien ChungRen-jie LinJhy-jyi SzeJen-cheng LiuCheng-hsien TsengHirohumi SumiTSMC)・Sho-gwo Wuu
(5) 11:15-11:45 磁界結合を用いた高速低ノイズ3次元集積イメージセンサ 池辺将之内田大輔北大)・竹 康宏慶大)・染谷槇人築田聡史松山健人浅井哲也北大)・黒田忠広慶大)・本村真人北大
  11:45-12:30 昼食 ( 45分 )
(6) 12:30-13:00 [招待講演]スマートホン向けのイメージセンサに望むこと 小林 篤華為技術日本
(7) 13:00-13:30 DMOSキャパシタを用いた3,300万画素、120Hz、14ビットCMOSイメージセンサの開発 安江俊夫北村和也渡部俊久島本 洋NHK)・小杉智彦渡辺恭志青山 聡ブルックマンテクノロジ)・物井 誠東芝)・Zhiheng Wei川人祥二静岡大
(8) 13:30-14:00 8K 120fps SHVイメージセンサ用2段サイクリック型ADCの高精度・動的デジタル補正に関する基礎実験 渡部俊久北村和也NHK)・小杉智彦ブルックマン)・大竹 浩島本 洋NHK)・川人祥二静岡大/ブルックマン
(9) 14:00-14:30 結晶性酸化物半導体回路とアバランシェ増倍型光電変換膜を用いた高感度イメージセンサ 黒川義元中川貴史前田修平王丸拓郎池田隆之鈴木康太山出直人宮入秀和半導体エネルギー研)・為村成亭菊地健司宮川和典・○大竹 浩久保田 節NHK)・池田 誠東大)・山崎舜平半導体エネルギー研
(10) 14:30-15:00 バックゲート表面電位固定構造を用いた完全空乏化SOIピクセル検出器の性能評価 亀濱博紀シュレスタ シュミート安富啓太香川景一郎静岡大)・武田彩希鶴 剛京大)・新井康夫高エネ研)・川人祥二静岡大
  15:00-15:10 休憩 ( 10分 )
(11) 15:10-15:40 Toward 10 Gfps: Factors Limiting the Frame Rate of the BSI MCG Image Sensor Dao Vu Truong SonQuang Nguyen AnhKotaro KitagawaKazuhiro ShimonomuraTakeharu EtohRitsumeikan Univ.)・Yoshinari KamakuraNatsumi MInamitaniOsaka Univ.
(12) 15:40-16:10 高性能イメージセンサへのマイクロ波アニールによるイオン注入損傷回復 木村雅俊ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング)・山口 直ルネサスエレクトロニクス)・黒井 隆ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング
(13) 16:10-16:40 電荷電圧変換ゲイン240uV/e-、飽和電子数200ke-、感度波長帯域190-1000nmを有するCMOSイメージセンサ 那須野悟史若嶋駿一楠原史章黒田理人須川成利東北大
(14) 16:40-17:10 フローティングディフュージョン容量成分の解析・低減技術と高感度・高飽和CMOSイメージセンサへの適用 楠原史章若嶋駿一那須野悟史黒田理人須川成利東北大

講演時間
一般講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
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問合先  


Last modified: 2015-08-06 10:28:57


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