9月28日(月) 午後
13:00 - 16:45 |
| (1) |
13:00-13:30 |
CMOSセンサにおけるトランスファゲート負バイアス印加時の暗電流解析 |
○山下浩史・前田基宏・古屋晶吾・矢神貴規（東芝） |
| (2) |
13:30-14:00 |
CMOSイメージセンサの暗電流に対する負電圧駆動および光ストレスの効果 |
○渡辺恭志・朴 鍾皓・青山 聡・磯部圭吾（ブルックマンテクノロジ）・川人祥二（静岡大） |
| (3) |
14:00-14:30 |
CMOSイメージセンサの画素サイズ縮小と特性比較 |
Gennady Agranov・Rick Mauritzson・John Ladd・Alexandre Dokoutchaev・Xiaofeng Fan・Xiangli Li・Zhiping Yin・Richard Johnson・ビクター レンチェンコフ・Satyadev Nagaraja・William Gazeley・Jingyi Bai・Hong-Wei Lee・○瀧澤義順（アプティナ） |
| (4) |
14:30-15:00 |
Noise Reduction Effects of Column-Parallel Multiple Sampling Circuits |
○Sungho Suh・Shinya Itoh・Tetsuya Iida・Shoji Kawahito（Shizuoka Univ.） |
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15:00-15:15 |
休憩 （ 15分 ） |
| (5) |
15:15-15:45 |
高精細、高速イメージセンサ技術とUDTVビデオセンサ |
○高柳 功・中村淳一・大澤慎治・Timony Bales・河村克之・吉村憲雄・木村桂一・杉原浩之・Eduard Pages・Anders Andersson・松尾慎一郎・小山琢士・Munir Haque・本多秀成（アプティナ） |
| (6) |
15:45-16:15 |
高速カラー撮像インパクトロンCCDラインセンサ |
小林 泉・○赤羽奈々・溝渕孝一（日本TI）・Jaroslav Hynecek（Isetex） |
| (7) |
16:15-16:45 |
High-saturation output 1.55-um-square pixel IT-CCD with metal wiring line structure |
○Takeshi Takeda・Yoshiaki Kitano（Sony Semiconductor Kyushu）・Shinji Miyazawa（Sony）・Junji Yamane（Sony Semiconductor Kyushu）・keita suzuki（Sony）・kunihiko hikichi・Kaori Tai・Kotaro Harazono（Sony Semiconductor Kyushu）・Shogo Numaguti（Sony LSI designed）・yoshinori uchida（Sony）・Masao Kimura（Sony LSI designed）・Mitsuru Sato（Sony Semiconductor Kyushu）・Hideo Kanbe（Sony）・Kokubun katsunori（Sony Semiconductor Kyushu） |