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シリコン材料・デバイス研究会 (IEICE-SDM)  (検索条件: 2019年度)

「from:2019-12-24 to:2019-12-24」による検索結果

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講演検索結果
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 9件中 1~9件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IEICE-SDM, IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
13:25
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) SiO2/GaN MOS構造におけるアニール前後の界面電荷および酸化膜中電荷の評価
古川暢昭上沼睦典石河泰明浦岡行治奈良先端大
 [more]
IEICE-SDM, IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
13:45
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) ミストCVD法によるGa-Sn-O薄膜を用いたメモリスタ開発
小林雅樹杉崎澄生木村 睦龍谷大
我々は酸化物半導体 Ga-Sn-O(GTO)薄膜を用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)についての研究を行っ ている。今回... [more] IDY2019-69
pp.5-8
IEICE-SDM, IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
14:05
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) Al2O3絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT
服部一輝谷野健太松田時宜木村 睦龍谷大)・川原村敏幸劉 麗高知工科大
絶縁体層としてAl2O3膜をミストCVD法 (mist CVD) により作製し,Al2O3膜の有無によるGa-Sn-O薄... [more] IDY2019-70
pp.9-12
IEICE-SDM, IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
14:25
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) 2段階合成法による球殻状タンパク質をテンプレートとしたCuInS2ナノ粒子作製
唐木裕馬宮永良子岡本尚文石河泰明奈良先端大)・山下一郎阪大)・浦岡行治奈良先端大
 [more]
IEICE-SDM, IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
14:45
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) 薄膜デバイスを用いた人工網膜の生体外実験
豊田航平冨岡圭佑三澤慶悟内藤直矢木村 睦龍谷大
私たちは薄膜トランジスタ(TFT)および薄膜フォトトランジスタ(TFPT)を用いた人工網膜を開発した.薄膜デバイスで作製... [more] IDY2019-71
pp.17-20
IEICE-SDM, IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
15:05
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) :ニューラルネットワークのための多層クロスポイント型シナプス素子
津野拓海近藤厚志新村純平田中 遼山川大樹柴山友輝岩城江津子木村 睦龍谷大
 [more] IDY2019-72
pp.21-24
IEICE-SDM, IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
16:00
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) Stable Growth of (100)-Oriented Low Angle Grain Boundary Silicon Thin Films Extending to the length of 3000 μm by a Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization
Muhammad Arif RazaliNobuo SasakiYasuaki IshikawaYukiharu UraokaNAIST
 [more]
IEICE-SDM, IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
16:20
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) 2段階堆積プロセスを用いた(Bi,La)4Ti3O12薄膜の結晶成長
吉田 誉石崎勇真宮部雄太木村 睦龍谷大
 [more] IDY2019-73
pp.25-28
IEICE-SDM, IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
16:40
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) Ga-Sn-O薄膜を用いた抵抗変化型メモリのメモリスタ特性の電極依存性
橋本快人倉崎彩太田中 遼杉崎澄生角田 涼木村 睦龍谷大
 [more] IDY2019-74
pp.29-32
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