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情報センシング研究会(IST) [schedule] [select]
委員長 浜本 隆之 (東京理科大)
副委員長 秋田 純一 (金沢大), 廣瀬 裕 (パナソニック)
担当幹事 栃木 靖久 (SSS), 足立 理 (オリンパス), 黒田 理人 (東北大学), 小林 昌弘 (キヤノン)

日時 2019年 3月22日(金) 09:00 - 16:35
議題 固体撮像技術および一般 
会場名 機械振興会館 地下2階ホール 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 東京メトロ日比谷線「神谷町」駅下車徒歩8分,または都営地下鉄三田線「御成門」駅下車徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html
お知らせ ◎混雑緩和の目的で名刺による受付を行います.
名刺をご用意頂けますようお願い致します.
受付簡素化以外の目的で使用することはありません.
◎懇親会: 研究会終了後に意見交換会(会費制:3000円(予定))を開催いたします. 多数のご参加をお待ちしています.

3月22日(金) 午前 
09:00 - 11:50
(1) 09:00-09:30 0.68e rms RandomNoise 121dB DynamicRange Sub pixel architecture CMOS Image Sensor with LED Flicker Mitigation 水野博之飯田聡子坂野頼人朝妻智彦SSS)・高見将史SCK)・葭葉一平大場宣幸岡 巧山口和哲鈴木敦史鈴木啓太山田 学舘下八州志大野圭一SSS
(2) 09:30-10:00 TOFイメージセンサの内視鏡応用において生じるマルチパスの較正・規格化フェーザ表示による理解 香川景一郎宮城亮太村上裕太安富啓太川人祥二静岡大
(3) 10:00-10:30 Noise Suppression Effect of Folding-Integration Applied to a column-parallel 3-stage pipeline ADC in a 2.1 μm 33-megapixel CMOS Image sensor Kohei TomiokaKohei TomiokaYasue ToshioRyohei FunatsuTomoki MatsubaraNHK STRL)・Tomohiko KosugiSungwook JunTakashi WatanabeMasanori NagaseToshiaki KitajimaSatoshi AoyamaBrookman Technology)・Shoji KawahitoShizuoka University
  10:30-10:50 休憩 ( 20分 )
(4) 10:50-11:20 新設計導波路構造を用いた高性能2.5umセルグローバルシャッタCMOSイメージセンサ 横山敏史筒井将史西 嘉昭水野郁夫TPSCo)・Veinger DmitryAssaf LahavTowerJazz
(5) 11:20-11:50 2.74μmセルで飽和信号1万e-を達成した裏面照射型画素内メモリ保持方式グローバルシャッタCMOSイメージセンサ 熊谷至通・○吉田遼人大澤尚幸池田晴美山下和芳阿部高志工藤成貴SSS)・山根淳二出木場 透納土晋一郎小野雄馬国武幸史佐藤 充佐藤尚之榎本貴幸SCK)・中澤圭一森 裕之舘下八州志大野圭一SSS
  11:50-13:00 昼食 ( 70分 )
3月22日(金) 午後 
13:00 - 16:35
(6) 13:00-13:30 横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量を有する飽和電子数2430万個・近赤外高感度CMOSイメージセンサ 村田真麻黒田理人藤原康行大塚雄介東北大)・柴田 寛柴口 拓鎌田 浩三浦規之栗山尚也ラピス)・須川成利東北大
(7) 13:30-14:00 180nm CMOSプロセスを用いた32×32画素並列VCO型ADC構成テラヘルツイメージセンサ 金澤悠里横山紗由里池上高広Prasoon Ambalathankandy平松正太佐野栄一北大)・瀧田佑馬南出泰亜理研)・池辺将之北大
(8) 14:00-14:30 偏光子を離散配置したCMOSイメージセンサによる部分偏光検出 武田直嗣池田 誠東大
  14:30-14:50 休憩 ( 20分 )
(9) 14:50-15:35 [招待講演]不完全転送型画素の雑音抑圧 松長誠之江藤剛治下ノ村和弘立命館大
(10) 15:35-16:05 0.1aFの検出精度を有するCMOS近接容量イメージセンサ 山本将大黒田理人鈴木 学後藤哲也東北大)・羽森 寛村上真一安田俊朗横道やよいOHT Inc.)・○須川成利東北大
(11) 16:05-16:35 容量緩和クエンチング (RQ) に基づいた任意ゲインの画像重畳を実現する6 μmセル縦型アバランシェフォトダイオード (VAPD) 400x400画素CMOSイメージセンサ 井上暁登廣瀬 裕香山信三沖野 徹齋藤 繁能勢悠吾石井基範山平征二春日繁孝森 三佳可部達也中西賢太郎薄田 学小田川明弘田中 毅パナソニック
  16:35-16:45 委員長挨拶 ( 10分 )

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 10 分
招待講演発表 35 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
IST 情報センシング研究会(IST)   [今後の予定はこちら]
問合先 栃木 靖久
ソニーセミコンダクタソリューションズ(SSS)(株)
〒243-0014 厚木市旭町 4-14-1
ソニー厚木第一TEC
TEL: 03-6748-2111
E-: YaToginy 


Last modified: 2019-02-04 20:41:19


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