研究会開催プログラム - 2016-08-IEICE-ICD-IEICE-SDM-IST

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シリコン材料・デバイス研究会（IEICE-SDM）

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専門委員長		国清辰也 (ルネサスエレクトロニクス)
副委員長		品田高宏 (東北大)
幹事		黒田理人 (東北大)，山口直 (ルネサスエレクトロニクス)
幹事補佐		池田浩也 (静岡大)

情報センシング研究会（IST）

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委員長		須川成利 (東北大)
副委員長		浜本隆之 (東京理科大)，大竹浩 (NHK)

集積回路研究会（IEICE-ICD）

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専門委員長		藤島実 (広島大)
副委員長		日高秀人 (ルネサスエレクトロニクス)
幹事		吉田毅 (広島大)，高宮真 (東大)
幹事補佐		橋本隆 (パナソニック)，夏井雅典 (東北大)，伊藤浩之 (東工大)，範公可 (電通大)

日時	2016年 8月 1日(月)　09:15 - 16:35 2016年 8月 2日(火)　09:00 - 16:55 2016年 8月 3日(水)　09:00 - 15:55
議題	アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用
会場名	中央電気倶楽部
住所	〒５３０−０００４大阪市北区堂島浜２丁目１番２５号
交通案内	http://www.chuodenki-club.or.jp/
会場世話人連絡先	広島大学先端物質科学研究科吉田毅 06-6345-6357(会場)
他の共催	◆IEEE SSCS Japan Chapter；IEEE SSCS Kansai Chapter；応用物理学会共催
お知らせ	◎8/2(火)パネル討論終了後，懇親会を予定しておりますので，是非御参加ください．
参加費について	この開催は「技報完全電子化」研究会です．参加費（）についてはこちらをご覧ください．

8月1日(月) 午前 09:15 - 11:50
(1) IEICE-ICD	09:15-10:00	［招待講演］イメージング技術の進化とセンシング応用への展望	○大池祐輔・若林準人・野本哲夫（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
(2) IEICE-ICD	10:00-10:25	高速起動を特徴とした間欠動作型VLSIシステム用32-MHzオンチップクロック源回路	○浅野大樹・廣瀬哲也・三好太朗・椿　啓志・尾崎年洋・黒木修隆・沼　昌宏（神戸大）
(3) IEICE-ICD	10:25-10:50	A Low-Power Mixed-Domain Delta-Sigma Time-to-Digital Converter Using Charge-Pump and SAR ADC	○Anugerah Firdauzi・Zule Xu・Masaya Miyahara・Akira Matsuzawa（Tokyo Tech.）
	10:50-11:00	休憩　（ 10分）
(4) IST	11:00-11:25	電圧制御型Ring-Delay Line を用いた2次デルタシグマA/D変換器	○羅　晳珍・池辺将之・内田大輔・横山紗由里・佐野栄一（北大）・木下康大（富士ゼロックス）
(5) IST	11:25-11:50	CMOSテラヘルツイメージング回路の設計と評価	○脇田幸典・佐野栄一・池辺将之（北大）・Arnold Stevanus・尾辻泰一（東北大）・瀧田佑馬・南出泰亜（理研）
	11:50-13:00	昼食　（ 70分）
8月1日(月) 午後 13:00 - 15:15
(6) IST	13:00-13:45	［招待講演］トランジスタ構造内二次元プラズモンを用いたサブテラヘルツ／テラヘルツデバイス	○佐藤　昭・渡辺隆之・末光哲也・ヴィクトールリズィー・尾辻泰一（東北大）
(7) IST	13:45-14:30	［招待講演］5μmピッチ以下の微細マイクロバンプ接合を用いた三次元積層型センサ/ディテクタ技術	○元吉　真（T-Micro）
(8) IEICE-SDM	14:30-15:15	［招待講演］Novel Pixel Structure with Stacked Deep Photodiode to Achieve High NIR Sensitivity and High MTF	○Hiroki Takahashi・Hiroshi Tanaka・Masahiro Oda・Mitsuyoshi Ando・Naoto Niisoe（TPSCo）・Shinichi Kawai・Takuya Asano・Mitsugu Yoshita・Tohru Yamada（PSCS）
	15:15-15:25	休憩　（ 10分）
8月1日(月) 午後 15:25 - 16:35
(9) IEICE-ICD	15:25-15:50	［依頼講演］A 0.7V 1.5-to-2.3mW GNSS Receiver with 2.5-to-3.8dB NF in 28nm FD-SOI	○Ken Yamamoto・Kenichi Nakano・Gaku Hidai・Yuya Kondo・Hitoshi Tomiyama・Hideyuki Takano・Fumitaka Kondo・Yusuke Shinohe・Hidenori Takeuchi・Nobuhisa Ozawa（SSS）・Shingo Harada・Shinichiro Eto・Mari Kishikawa・Daisuke Ide・Hiroyasu Tagami（Sony LSI Design）
(10) IEICE-ICD	15:50-16:35	［招待講演］高速追従一定アイドル時間制御の集積によるインプラント向けワイヤレス給電システムの効率・負荷応答改善	Huang Cheng（Broadcom）・○川尻　徹・石黒仁揮（慶大）
8月2日(火) 午前 09:00 - 10:30
(11) IEICE-ICD	09:00-09:45	［招待講演］超低電圧SRAMのソフトエラー耐性	○橋本昌宜（阪大）
(12) IEICE-ICD	09:45-10:30	［招待講演］AI時代に向けたCMOSアナログ集積回路技術	○松岡俊匡（阪大）
	10:30-10:40	休憩　（ 10分）
8月2日(火) 午後 10:40 - 12:10
(13) IEICE-ICD	10:40-11:25	［招待講演］生体適合性柔軟伸縮電極ゲルシートを有するパッチ式脳波センサ技術とその応用	○吉本秀輔・荒木徹平・植村隆文・根津俊一・近藤雅哉（阪大）・笹井謙一（パナソニック）・岩瀬雅之・佐竹秀樹・吉田暁生（日本メクトロン）・菊知　充（金沢大）・関谷　毅（阪大）
(14) IEICE-ICD	11:25-12:10	［招待講演］ドライ電極を用いた脳波取得が可能な低電力生体電位センサASICチップセット	○松本秋憲・森川幸治（パナソニック）
	12:10-13:20	昼食　（ 70分）
8月2日(火) 午後 13:20 - 15:35
(15) IEICE-ICD	13:20-14:05	［招待講演］臨床応用に向けた皮質脳波ワイヤレスBMIシステムの開発	○安藤博士・滝沢賢一（NICT）・吉田　毅（広島大）・松下光次郎（岐阜大）・平田雅之・吉峰俊樹（阪大）・鈴木隆文（NICT）
(16) IEICE-ICD	14:05-14:50	［招待講演］脈絡膜上経網膜刺激式人工網膜システムの特徴～電気回路の視点から～	○寺澤靖雄・鐘堂健三・大澤孝治（ニデック）・太田　淳（奈良先端大）
(17) IST	14:50-15:35	［招待講演］半導体デバイスの光診断・治療への応用	○間　久直（阪大）
	15:35-15:55	休憩　（ 20分）
8月2日(火) 午後 15:55 - 16:55
(18)	15:55-16:55	［パネル討論］医療応用集積回路の現状と今後の展望松岡俊匡（阪大），間久直（阪大）寺澤靖雄（ニデック），吉本秀輔（阪大），安藤博士（NICT），松本秋憲（パナソニック）
8月3日(水) 午前 09:00 - 10:30
(19) IEICE-SDM	09:00-09:45	［招待講演］多結晶シリコンFinFETを用いたSRAM PUFとその性能評価	○大内真一・柳　永勛・堀　洋平・入沢寿史・更田裕司・森田行則・右田真司・森　貴洋・中川　格・塚田順一・小池汎平・昌原明植・松川　貴（産総研）
(20) IEICE-SDM	09:45-10:30	［招待講演］ReRAM固有の抵抗ばらつきを利用した40nm混載メモリ向け高信頼性PUF開発	○吉本裕平・加藤佳一・小笠原　悟・魏　志強・河野和幸（PSCS）
	10:30-10:40	休憩　（ 10分）
8月3日(水) 午後 10:40 - 12:10
(21) IEICE-SDM	10:40-11:25	［招待講演］薄膜強誘電体HfO2を用いたトンネル接合メモリの動作実証とメモリ性能向上	○上牟田雄一・藤井章輔・井野恒洋・中崎　靖・高石理一郎・齋藤真澄（東芝）
(22) IEICE-SDM	11:25-12:10	［招待講演］3端子スピン軌道トルク磁気メモリ素子	○深見俊輔・姉川哲朗・大河原綾人・張　超亮・大野英男（東北大）
	12:10-13:20	昼食　（ 70分）
8月3日(水) 午後 13:20 - 15:55
(23) IEICE-ICD	13:20-14:05	［招待講演］機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する16nm FinFETヘテロジニアス9コアSoC	○高橋睦史・芝原真一・福岡一樹・松嶋　潤・北地祐子（ルネサスシステムデザイン）・島崎靖久・原　博隆・入田隆宏（ルネサスエレクトロニクス）
	14:05-14:15	休憩　（ 10分）
(24) IEICE-ICD	14:15-14:40	SOTBトランジスタの柔軟な閾値制御と低ばらつきが超低電圧動作に与える効果の定量的検証	○小笠原泰弘・小池帆平（産総研）
(25) IEICE-SDM	14:40-15:05	ボディ電圧1V以下ドレイン電圧0.1Vで急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FET	○吉田貴大・井田次郎・堀井隆史（金沢工大）・沖原将生（ラピス）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構）
(26) IEICE-SDM	15:05-15:30	線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきおよびデバイス内ばらつき	○水谷朋子・竹内　潔・鈴木龍太・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎（東大）
(27) IEICE-SDM	15:30-15:55	負性容量によるトンネルFETの性能向上に関する検討	○小林正治・チャンキュンミン・上山　望・平本俊郎（東大）

講演時間
一般講演	発表 20 分＋質疑応答 5 分
招待講演	発表 40 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
IEICE-SDM	シリコン材料・デバイス研究会（IEICE-SDM） [今後の予定はこちら]
	問合先	諸岡哲（東芝） Tel 059-390-7451 Fax (059)330-1119 E-Mail: ba
IST	情報センシング研究会（IST） [今後の予定はこちら]
	問合先	池辺将之北海道大学大学院情報科学研究科 ibeisti
IEICE-ICD	集積回路研究会（IEICE-ICD） [今後の予定はこちら]
	問合先	吉田毅 (広島大) TEL 082-424-7643,FAX 082-424-7643 E-:tdsl-u