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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催) [詳細]		 2020-01-24
11:10		 鳥取 鳥取大鳥取キャンパス ［ポスター講演］低温形成した陽極酸化アルミナ絶縁膜の膜物性評価とそのデバイス応用
○河野守哉・森　海・是友大地・古田　守（高知工科大） 		フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)のゲート絶縁膜応用を目的とし、陽極酸化により低温形成した酸化アルミナ(Al2O3)... [more]
IEICE-EID, IEICE-SDM
(共催)
IDY
(連催) [詳細]		 2018-12-25
15:30		 京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 脳型集積システムのためのIGZO薄膜シナプス
○柴山友輝・山川大樹・生島恵典・杉崎澄生・木村　睦（龍谷大）・中島康彦（奈良先端大） 		我々は、薄膜デバイスを用いたニューラルネットワークの研究開発を行っている．本研究では、LSI を用いたニューラルネットワ... [more] IDY2018-63
pp.49-52
IDY 2018-03-08
15:00		 東京 機械振興会館 ［依頼講演］TFT作製プロセスによりa-IGZO-TFTに導入される水素関連欠陥の光誘起電流過渡分光法による評価
○林　和志・越智元隆・日野　綾・後藤裕史・釘宮敏洋（神戸製鋼所） 		In-Ga-Zn-O（IGZO）に代表されるアモルファス酸化物半導体は、高い電子移動度が比較的容易に得られるため次世代高... [more] IDY2018-19
pp.21-26
IDY 2018-03-08
16:15		 東京 機械振興会館 ［依頼講演］非晶質酸化物半導体の空乏状態を利用した新規薄膜デバイスのシミュレーション検討
○安部勝美・藤永正人・桑垣武司（シルバコ） 		非晶質酸化物半導体(AOS)を用いた新規薄膜デバイスをデバイスシミュレーションにより検討した．シミュレーション結果より，... [more] IDY2018-22
pp.37-41
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催)		 2013-01-25
10:10		 静岡 静岡大学 非真空プロセス「ミストCVD法」でのIGZO/AlOx酸化物TFTの作製とその特性
○川原村敏幸・内田貴之・王　大鵬・眞田　克・古田　守（高知工科大） 		昨年、大気圧下で汎用の試薬を用いて金属酸化物薄膜を作製する事が可能なミストCVD法を用いて、絶縁膜(AlOx)及び活性層... [more] IDY2013-8
pp.73-76
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