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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IEICE-MRIS, MMS
(連催)		 2023-06-08
15:25		 宮城 東北大（通研）
（ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催）		 高磁化Co基超常磁性グラニュラー薄膜の実現に向けた反応性パルスDCスパッタリング成膜法による非磁性酸・窒化物マトリックス用薄膜の作製
小林拓海・小野龍太郎・江川元太・○吉村　哲（秋田大） 		ゼロ磁界の検出や全方位磁界の検出が可能な新機能磁気センサーなどの新しい磁気デバイスの創製を可能にし得る，高い磁化を有する... [more] MMS2023-35
pp.1-8
IEICE-MRIS, MMS
(連催)		 2022-06-10
14:45		 宮城 東北大（通研）
（ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催）		 (Bi1-xBax)(Fe1-yCoy)O3強磁性・強誘電薄膜における飽和磁化・垂直磁気異方性・磁気Kerr効果に及ぼすCo置換量の影響とその起源に関する検討
尾関拓海・江川元太・○吉村　哲（秋田大） 		電界印加での磁化反転が可能な，超低消費電力型の次々世代磁気メモリや空間光変調素子の実現を目指して，飽和磁化，垂直磁気異方... [more] MMS2022-40
pp.45-51
IEICE-MRIS, MMS
(連催)		 2021-10-08
13:00		 ONLINE オンライン開催 Fe-Co合金の単結晶薄膜および多結晶厚膜の構造と磁歪特性
○中村優太・明田俊祐・近藤　輝・大竹　充・川井哲郎・二本正昭（横浜国大）・桐野文良（東京藝術大）・稲葉信幸（山形大） 		大きな磁歪を示すFe-Co合金は磁歪式振動発電デバイスへの応用に向けて注目されている．本研究では，磁歪の基本特性を調べる... [more]
IEICE-MRIS, MMS
(連催)		 2021-06-10
16:15		 宮城 東北大通研
（ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催）		 (Bi,La)(Fe1-xCox)O3強磁性・強誘電薄膜における垂直磁気異方性と磁気Kerr効果のCo置換量依存性
○尾関拓海・山本大地・江川元太・吉村　哲（秋田大） 		強磁性・強誘電材料を次世代磁気記録デバイスである磁性細線メモリの記録素子へ応用するには高い飽和磁化と垂直磁気異方性が必要... [more] MMS2021-31
pp.29-34
SID-JC
(共催)
IDY, IEICE-EID
(連催) [詳細]		 2020-10-16
13:55		 ONLINE オンライン開催（ZOOM） ［依頼講演］次世代フレキシブルデバイス向け5µm厚超薄膜光学等方性フィルム
○木下博貴・大橋健寛・古屋拓己・永縄智史（リンテック） 		フレキシブルディスプレイ向けの5µm厚の超薄膜低位相差フィルムついて報告する．当フィルムは，1.0nmの低リタデーション... [more] IDY2020-33
pp.9-12
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催) [詳細]		 2020-01-24
10:55		 鳥取 鳥取大鳥取キャンパス ［ポスター講演］導電性三元硫化物・酸化物蛍光体薄膜を用いた電流注入型発光素子
○辻森和樹・古賀峻丞・石垣　雅・大観光徳（鳥取大） 		本研究では CuAlS_2:Mn及び ZnGa_2O_4:Cr多結晶薄膜を用いた電流注入型発光素子の作製を 検討した 。... [more]
IEICE-SDM, IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催) [詳細]		 2019-12-24
14:45		 奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室） 薄膜デバイスを用いた人工網膜の生体外実験
○豊田航平・冨岡圭佑・三澤慶悟・内藤直矢・木村　睦（龍谷大） 		私たちは薄膜トランジスタ（TFT）および薄膜フォトトランジスタ（TFPT）を用いた人工網膜を開発した．薄膜デバイスで作製... [more] IDY2019-71
pp.17-20
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催) [詳細]		 2019-01-25
09:55		 鹿児島 鹿児島大学 稲盛会館 ［ポスター講演］CuAlS2:Mn蛍光体薄膜を用いた電流注入型発光素子 ～ SiO2バリア層による下地電極/発光層間の界面拡散の抑制 ～
○植田翔伍・辻森和樹・石垣　雅・大観光徳（鳥取大） 		本研究ではCuAlS2:Mn多結晶蛍光体薄膜を用いた赤色発光素子の作製を目指す．CuAlS2:Mn薄膜は基板温度600℃... [more] IDY2019-17
pp.81-84
IEICE-EID, IEICE-SDM
(共催)
IDY
(連催) [詳細]		 2018-12-25
11:45		 京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 ミストCVD法によるGTO薄膜を用いたデバイス
○滝下雄太・杉崎澄夫（龍谷大）・是友大地・曲　勇作・古田　守（高知工科大）・松田時宜・木村　睦（龍谷大） 		非真空プロセスであるミストCVD法により，レアメタルフリーなGa-Sn-O(GTO)薄膜を成膜し，それを用いたデバイスを... [more] IDY2018-57
pp.13-16
IEICE-EID, IEICE-SDM
(共催)
IDY
(連催) [詳細]		 2018-12-25
15:30		 京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 脳型集積システムのためのIGZO薄膜シナプス
○柴山友輝・山川大樹・生島恵典・杉崎澄生・木村　睦（龍谷大）・中島康彦（奈良先端大） 		我々は、薄膜デバイスを用いたニューラルネットワークの研究開発を行っている．本研究では、LSI を用いたニューラルネットワ... [more] IDY2018-63
pp.49-52
IDY 2018-03-08
16:15		 東京 機械振興会館 ［依頼講演］非晶質酸化物半導体の空乏状態を利用した新規薄膜デバイスのシミュレーション検討
○安部勝美・藤永正人・桑垣武司（シルバコ） 		非晶質酸化物半導体(AOS)を用いた新規薄膜デバイスをデバイスシミュレーションにより検討した．シミュレーション結果より，... [more] IDY2018-22
pp.37-41
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
IEICE-EID, IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]		 2016-01-28
14:10		 富山 富山大学 薄膜デバイスによるセルラニューラルネットワーク ～ 文字認識の動作検証 ～
○木村　睦・森田竜平・杉崎澄生・松田時宜（龍谷大） 		我々は，薄膜デバイスによるセルラニューラルネットワークの研究開発を続けている．薄膜デバイスは大面積に作製でき，印刷プロセ... [more]
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
IEICE-EID, IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]		 2016-01-28
14:18		 富山 富山大学 薄膜デバイスによる人工網膜 ～ In vitro実験による動作検証 ～
○木村　睦・春木翔太・冨岡圭佑・松田時宜（龍谷大） 		我々は，薄膜デバイスによる人工網膜の研究開発を続けている．薄膜デバイスは透明でフレキシブルな基板に作製できるため，網膜上... [more]
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
IEICE-EID, IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]		 2016-01-29
11:33		 富山 富山大学 CuAlS2:Mn導電性薄膜蛍光体を用いた電流注入型EL素子の検討
○足立尚義・林　翔太（鳥取大）・石垣　雅（TiFREC）・大観光徳（鳥取大） 		石英基板およびZnO基板、SiO2付ITO基板、熱酸化膜付Siウエハ、Siウエハ上にCuAlS2:Mn導電性薄膜蛍光体を... [more]
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催)		 2013-01-24
13:46		 静岡 静岡大学 低電圧で発光するCuAlS2:Mn薄膜EL素子
○中村祐介・大島祐樹・大観光徳（鳥取大） 		電子線蒸着法によりCuAlS2:Mn蛍光体薄膜を作製した。蒸着源に蛍光体粉末ペレットを用いる事で薄膜中の組成比が改善され... [more] IDY2013-2
pp.9-12
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催)		 2013-01-25
10:02		 静岡 静岡大学 酸化物半導体TFTのシミュレーションモデルの開発
○辻　博史・中田　充・佐藤弘人・中嶋宜樹・藤崎好英・武井達哉・山本敏裕・藤掛英夫（NHK） 		酸化物半導体a-InGaZnOを用いた薄膜トランジスタ（a-IGZO TFT）に関して，電流電圧特性のシミュレーションモ... [more] IDY2013-7
pp.69-72
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