研究会 - 集積回路研究会 (IEICE-ICD) - 検索条件: 2016年度

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集積回路研究会 (IEICE-ICD) (検索条件: 2016年度)

「from:2016-08-01 to:2016-08-01」による検索結果

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講演検索結果

登録講演（開催プログラムが公開されているもの） （日付・昇順）

研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
IEICE-ICD, IEICE-SDM (共催) IST (連催) [詳細]	2016-08-03 11:25	大阪	中央電気倶楽部	［招待講演］3端子スピン軌道トルク磁気メモリ素子 ○深見俊輔・姉川哲朗・大河原綾人・張　超亮・大野英男（東北大）	集積回路に不揮発性スピントロニクス素子を混載することによって、高性能と低消費電力性を両立したコンピューティングシステムが... [more]
IEICE-ICD, IEICE-SDM (共催) IST (連催) [詳細]	2016-08-03 13:20	大阪	中央電気倶楽部	［招待講演］機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する16nm FinFETヘテロジニアス9コアSoC ○高橋睦史・芝原真一・福岡一樹・松嶋　潤・北地祐子（ルネサスシステムデザイン）・島崎靖久・原　博隆・入田隆宏（ルネサスエレクトロニクス）	[more]
IEICE-ICD, IEICE-SDM (共催) IST (連催) [詳細]	2016-08-03 14:15	大阪	中央電気倶楽部	SOTBトランジスタの柔軟な閾値制御と低ばらつきが超低電圧動作に与える効果の定量的検証 ○小笠原泰弘・小池帆平（産総研）	本論文ではSOTB (Silicon On Thin-Buried oxide) トランジスタの特徴であるバックゲートに... [more]
IEICE-ICD, IEICE-SDM (共催) IST (連催) [詳細]	2016-08-03 14:40	大阪	中央電気倶楽部	ボディ電圧1V以下ドレイン電圧0.1Vで急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FET ○吉田貴大・井田次郎・堀井隆史（金沢工大）・沖原将生（ラピス）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構）	PN-Body Tied SOI FETのBody Tied部のN層の濃度を濃いN+層から薄いN-層に見直すことで、ボデ... [more]
IEICE-ICD, IEICE-SDM (共催) IST (連催) [詳細]	2016-08-03 15:05	大阪	中央電気倶楽部	線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきおよびデバイス内ばらつき ○水谷朋子・竹内　潔・鈴木龍太・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎（東大）	超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきを測定し，統計解析を行った．線幅が2nmまで減少すると，DI... [more]
IEICE-ICD, IEICE-SDM (共催) IST (連催) [詳細]	2016-08-03 15:30	大阪	中央電気倶楽部	負性容量によるトンネルFETの性能向上に関する検討 ○小林正治・チャンキュンミン・上山　望・平本俊郎（東大）	センサーネットワークを構成するIoTデバイスには，エナジーハーベスティング技術を利用して超低電圧・超低消費電力で動作する... [more]

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