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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IEICE-SDM, IEICE-ICD
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2019-08-08
10:00
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 極値理論を利用した最大SRAMデータ保持電圧の統計解析
○水谷朋子・竹内 潔・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎(東大)
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IST, IEICE-ICD, IEICE-SDM
(連催) ※学会内は併催
2018-08-08
09:45
北海道 北海道大学 M棟M151 Understanding Temperature Effect on Subthreshold Slope Variability in Bulk and SOTB MOSFETs
○Shuang Gao・Tomoko Mizutani・Kiyoshi Takeuchi・Masaharu Kobayashi・Toshiro Hiramoto(Univ. Tokyo)
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IST, IEICE-ICD, IEICE-SDM
(連催) ※学会内は併催
2018-08-09
13:45
北海道 北海道大学 M棟M151 SRAMの安定性自己修復手法における複数回ストレス印加の効果
○水谷朋子・竹内 潔・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎(東大)
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IEICE-SDM, IEICE-ICD
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2017-08-01
09:45
北海道 北海道大学情報教育館 不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM
○水谷朋子・竹内 潔・更屋拓哉(東大)・篠原尋史(早大)・小林正治・平本俊郎(東大)
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IEICE-ICD, IEICE-SDM
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
15:05
大阪 中央電気倶楽部 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきおよびデバイス内ばらつき
○水谷朋子・竹内 潔・鈴木龍太・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎(東大)
超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきを測定し,統計解析を行った.線幅が2nmまで減少すると,DI... [more]
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