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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IST 2017-09-25
16:25
東京 機械振興会館 画素内埋め込み保持部と横型オーバーフロー蓄積容量を用いた224ke-飽和電荷数を有する3.875um□グローバルシャッタCMOSイメージセンサ
酒井 伸坂野頼人田代睦聡加藤祐理秋山健太郎本田勝巳佐藤 守榊原雅樹田浦忠行浅見健司平野智之大池祐輔十河康則江崎孝之奈良部忠邦平山照峰ソニーセミコンダクタソリューションズ)・須川成利東北大
 [more] IST2017-59
pp.43-46
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