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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IST, IEICE-ICD, IEICE-SDM
(連催) ※学会内は併催		 2018-08-08
13:15		 北海道 北海道大学 M棟M151 パスゲートトランジスタの対称性を向上した28nmHKMG 10TデュアルポートSRAMセル
○石井雄一郎・田中美紀・藪内　誠・澤田陽平・田中信二・新居浩二（ルネサス）・Tien Yu Lu・Chun Hsien Huang・Shou Sian Chen・Yu Tse Kuo・Ching Cheng Lung・Osbert Cheng（ユーエムシー） 		 [more]
IST, IEICE-ICD, IEICE-SDM
(連催) ※学会内は併催		 2018-08-09
13:10		 北海道 北海道大学 M棟M151 12nm FinFETプロセスを用いた3G search/s 高速デュアルポートTCAMの開発
○藪内　誠・森本薫夫・新居浩二・田中信二（ルネサス） 		 [more]
IEICE-SDM, IEICE-ICD
(共催)
IST
(連催) [詳細]		 2017-07-31
10:40		 北海道 北海道大学情報教育館 SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発
○藪内　誠・新居浩二（ルネサス）・篠崎義弘（NSW）・山本芳樹・長谷川拓実・新川田裕樹・蒲原史朗（ルネサス） 		 [more]
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