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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IST 2016-03-11
10:10
東京 NHK技研講堂 マルチタップラテラル電界制御型電荷変調素子を用いたCMOS TOF 距離画像センサ
春日井太一韓 相萬ハン チャン高澤大志静岡大)・青山 聡ブルックマンテクノロジ)・安富啓太香川景一郎川人祥二静岡大
本稿では,埋め込みフォトダイオードの高速ロックインピクセルを使用した4タップのラテラル電界(LEF)制御型電荷変調素子を... [more] IST2016-9
pp.9-12
IST 2015-05-08
13:10
東京 東京理科大学 森戸記念館 [ポスター講演]大面積高速フォトダイオードによる複数タップロックイン画素を用いたTOF距離画像センサ
ハン チャン春日井太一韓 相萬安富啓太香川景一郎川人祥二静岡大
ロックイン画素において,フォトダイオードで発生した光電子を複数の電荷変調部に高速に転送するために,単位のロックイン素子を... [more] IST2015-27
pp.13-16
IST 2014-12-01
16:30
東京 Tamachi Campus, Tokyo Institute of Technol [ポスター講演]A Time-of-Flight CMOS Image Sensor with 4-Tap Lateral-Electric-Field Charge Modulators
Taichi KasugaiSang-Man HanHanh TrangTaishi TakasawaShizuoka Univ.)・Satoshi AoyamaBrookman Tech.)・Keita YasutomiKeiichiro KagawaShoji KawahitoShizuoka Univ.
This paper presents a CMOS ToF range imager with 4-tap charg... [more] IST2014-72
pp.39-40
IST 2014-06-02
14:20
東京 東京理科大学 森戸記念館 [ポスター講演]横方向電界制御型電荷変調画素の特性評価
春日井太一安富啓太韓 相萬寺西信一香川景一郎川人祥二静岡大
我々は,時間分解イメージングのための高速電荷変調が可能なロックインピクセルとして,横方向電界制御型電荷変調画素(LEFM... [more] IST2014-7
pp.25-28
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