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抄録
資料番号
IST
2025-09-18
13:50
東京
機械振興会館
Charge domain type 2.2um BSI Global Shutter pixel with Dual Depth DTI Produced by thick-film epitaxial process
○
Toshifumi Yokoyama
・
Yoshihiro Noguchi
・
Yoshiaki Nishi
・
Masafumi Tsutsui
・
Masahiko Takeuchi
・
Masahiro Oda
（
TPSCo
）・
Fenigstein Amos
（
Tower
）
チャージドメイン方式の2.2um裏面照射型(BSI)グローバルシャッター(GS)画素を開発し、低い寄生光感度(PLS)を...
[more]
IST2025-40
pp.17-20
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