お知らせ ◆映像情報メディア学会における研究会の開催について (新型コロナウイルス関連)2021年7月21日更新
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SID-JC
(共催)
IDY, IEICE-EID
(連催) [詳細]
2021-07-30
15:20
ONLINE オンライン開催(ZOOM) [依頼講演]LTPS-TFT技術と有機光検出器を用いたイメージャ
北村彩斗中村 卓加藤博文木村裕之瀧本昭雄ジャパンディスプレイ)・横田知之染谷隆夫東大
プラスチック基板上に形成された低温ポリシリコン薄膜トランジスタ(LTPS-TFT)と有機光検出器(OPD)を用いて,可視... [more] IDY2021-21
pp.21-24
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2020-01-23
15:15
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [依頼講演]原子状水素を用いた表面処理技術の半導体分野への応用
部家 彰兵庫県立大
水素ガスを加熱金属線で分解し生成した原子状水素を用いた表面処理技術(原子状水素アニール(AHA))の半導体分野への応用に... [more] IDY2020-13
pp.67-72
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2020-01-24
11:10
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [ポスター講演]低温形成した陽極酸化アルミナ絶縁膜の膜物性評価とそのデバイス応用
河野守哉森 海是友大地古田 守高知工科大
フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)のゲート絶縁膜応用を目的とし、陽極酸化により低温形成した酸化アルミナ(Al2O3)... [more]
IEICE-SDM, IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
14:05
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) Al2O3絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT
服部一輝谷野健太松田時宜木村 睦龍谷大)・川原村敏幸劉 麗高知工科大
絶縁体層としてAl2O3膜をミストCVD法 (mist CVD) により作製し,Al2O3膜の有無によるGa-Sn-O薄... [more] IDY2019-70
pp.9-12
IEICE-EID, IEICE-SDM
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
11:45
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 ミストCVD法によるGTO薄膜を用いたデバイス
滝下雄太杉崎澄夫龍谷大)・是友大地曲 勇作古田 守高知工科大)・松田時宜木村 睦龍谷大
非真空プロセスであるミストCVD法により,レアメタルフリーなGa-Sn-O(GTO)薄膜を成膜し,それを用いたデバイスを... [more] IDY2018-57
pp.13-16
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催)
2013-01-25
10:02
静岡 静岡大学 酸化物半導体TFTのシミュレーションモデルの開発
辻 博史中田 充佐藤弘人中嶋宜樹藤崎好英武井達哉山本敏裕藤掛英夫NHK
酸化物半導体a-InGaZnOを用いた薄膜トランジスタ(a-IGZO TFT)に関して,電流電圧特性のシミュレーションモ... [more] IDY2013-7
pp.69-72
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催)
2013-01-25
10:10
静岡 静岡大学 非真空プロセス「ミストCVD法」でのIGZO/AlOx酸化物TFTの作製とその特性
川原村敏幸内田貴之王 大鵬眞田 克古田 守高知工科大
昨年、大気圧下で汎用の試薬を用いて金属酸化物薄膜を作製する事が可能なミストCVD法を用いて、絶縁膜(AlOx)及び活性層... [more] IDY2013-8
pp.73-76
IDY, IEICE-EID
(連催)
2012-11-07
15:00
東京 機械振興会館 IMID2012報告 ~ TFT関連技術 ~
日野 綾・○林 和志神戸製鋼所
IMID2012 で発表されたTFT関連技術に関する講演について、酸化物半導体を中心に概要を報告する。 [more] IDY2012-63
pp.13-16
IDY, IEICE-EID
(連催)
2010-11-26
15:30
東京 機械振興会館 IMID報告会 ~ TFT関係 ~
古田 守高知工科大
韓国で開催された国際会議IMID/IDMC/ASIA DISPLAY 2010に関して、TFTに関連した報告内容を紹介す... [more] IDY2010-82
pp.17-19
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