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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IEICE-EID, IEICE-SDM
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
11:45
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 ミストCVD法によるGTO薄膜を用いたデバイス
滝下雄太杉崎澄夫龍谷大)・是友大地曲 勇作古田 守高知工科大)・松田時宜木村 睦龍谷大
非真空プロセスであるミストCVD法により,レアメタルフリーなGa-Sn-O(GTO)薄膜を成膜し,それを用いたデバイスを... [more] IDY2018-57
pp.13-16
IEICE-EID, IEICE-SDM
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
14:30
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 Ga-Sn-O薄膜の熱電特性及び構造のアニール依存性
池口 翼荒牧達也龍谷大)・梅田鉄馬上沼睦典奈良先端大)・是友大地曲 勇作古田 守高知工科大)・木村 睦龍谷大
RFマグネトロンスパッタリング装置を用いてGa-Sn-O(GTO)薄膜を成膜し,成膜圧力及び結晶構造が熱電特性に与える影... [more] IDY2018-59
pp.33-36
IDY 2018-03-08
15:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]高信頼性酸化物TFT基板を実現するAlOスパッタリング法によるセルフアライン構造形成技術
林 宏村井淳人三浦正範寺井康浩大島宜浩齊藤 徹廣升泰信荒井俊明JOLED
ディスプレイの高精細化・高速駆動に適したセルフアライン型トップゲート酸化物TFTの新たな作製プロセスを開発した.本プロセ... [more] IDY2018-21
pp.31-35
IDY 2018-03-08
16:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]非晶質酸化物半導体の空乏状態を利用した新規薄膜デバイスのシミュレーション検討
安部勝美藤永正人桑垣武司シルバコ
非晶質酸化物半導体(AOS)を用いた新規薄膜デバイスをデバイスシミュレーションにより検討した.シミュレーション結果より,... [more] IDY2018-22
pp.37-41
IDY 2017-02-24
15:55
東京 機械振興会館 [招待講演]独自の塗布型材料を用いた高信頼性酸化物TFT
平野由希子草柳嶺秀新江定憲早乙女遼一曽根雄司松本真二中村有希安藤友一植田尚之山田勝幸リコー
独自組成の酸化物材料とそのインクを開発しTFTを作製した。半導体層にはドープ型の酸化物半導体を、ゲート絶縁膜にはhigh... [more] IDY2017-23
pp.23-27
IEICE-MRIS, MMS
(連催)
2016-06-09
13:50
宮城 東北大学 CoPt基グラニュラ媒体の磁気特性におよぼす粒界酸化物種の効果
タム キム コング櫛引了輔田中貴金属)・日向慎太朗斉藤 伸東北大
室温成膜したCo80Pt20−30 vol.% (ZrO2, Cr2O3, Y2O3, Al2O3, MnO, TiO2... [more]
IST 2015-09-18
14:00
東京 機械振興会館 結晶性酸化物半導体回路とアバランシェ増倍型光電変換膜を用いた高感度イメージセンサ
黒川義元中川貴史前田修平王丸拓郎池田隆之鈴木康太山出直人宮入秀和半導体エネルギー研)・為村成亭菊地健司宮川和典・○大竹 浩久保田 節NHK)・池田 誠東大)・山崎舜平半導体エネルギー研
アバランシェ電荷増倍を利用する高感度CMOSイメージセンサとして、画素に、結晶性セレン薄膜を用いた光電変換素子とCrys... [more] IST2015-51
pp.33-36
IDY, SID-JC
(共催)
IEICE-EID
(連催) [詳細]
2015-07-30
13:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]高精細、低消費電力の反射型LCD
久保田大介初見 亮新倉泰裕石谷哲二平形吉晴山崎舜平SEL)・中村亜美中鉢由佳片山雅博三宅博之AFD
我々は、電子書籍用途を目的として反射型LCDを試作し、CAAC-OSを採用する事で、低周波数駆動であるIDS駆動(Idl... [more] IDY2015-33
pp.9-12
IDY 2014-03-07
14:15
東京 機械振興会館 [招待講演]結晶性酸化物半導体とその情報ディスプレイへの応用
小山 潤大力浩二半導体エネルギー研)・岡崎健一肥塚純一AFD Inc)・三宅博之松林大介山元良高山﨑舜平半導体エネルギー研
本論文では結晶性酸化物半導体の物性とその情報ディスプレイへの応用を示す。 [more] IDY2014-20
pp.9-14
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
IEICE-EID, IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2014-01-25
09:00
新潟 新潟大学 駅南キャンパス ソフトケミカルな手法による酸化物発光液晶材料の合成
渡邉美寿貴新潟大)・上松和義金 善旭戸田健司佐藤峰夫新大
新規な自発光無機液晶材料,HEu(MoO4)2ナノスクロールは,層状酸化物KEu(MoO4)2を、0.01 M硝酸溶液中... [more] IDY2014-11
pp.61-64
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催)
2013-01-25
10:02
静岡 静岡大学 酸化物半導体TFTのシミュレーションモデルの開発
辻 博史中田 充佐藤弘人中嶋宜樹藤崎好英武井達哉山本敏裕藤掛英夫NHK
酸化物半導体a-InGaZnOを用いた薄膜トランジスタ(a-IGZO TFT)に関して,電流電圧特性のシミュレーションモ... [more] IDY2013-7
pp.69-72
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催)
2013-01-25
10:10
静岡 静岡大学 非真空プロセス「ミストCVD法」でのIGZO/AlOx酸化物TFTの作製とその特性
川原村敏幸内田貴之王 大鵬眞田 克古田 守高知工科大
昨年、大気圧下で汎用の試薬を用いて金属酸化物薄膜を作製する事が可能なミストCVD法を用いて、絶縁膜(AlOx)及び活性層... [more] IDY2013-8
pp.73-76
IDY, IEICE-EID
(連催)
2012-11-07
15:00
東京 機械振興会館 IMID2012報告 ~ TFT関連技術 ~
日野 綾・○林 和志神戸製鋼所
IMID2012 で発表されたTFT関連技術に関する講演について、酸化物半導体を中心に概要を報告する。 [more] IDY2012-63
pp.13-16
IDY, IEICE-EID
(連催)
2010-11-26
15:30
東京 機械振興会館 IMID報告会 ~ TFT関係 ~
古田 守高知工科大
韓国で開催された国際会議IMID/IDMC/ASIA DISPLAY 2010に関して、TFTに関連した報告内容を紹介す... [more] IDY2010-82
pp.17-19
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