お知らせ ◆映像情報メディア学会における研究会の開催について (新型コロナウイルス関連)2021年7月21日更新
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2020-01-23
13:10
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [ポスター講演]ZnO系ナノ粒子分散薄膜のミストCVD
大城巨暉小野田翔悟奈良俊宏小南裕子原 和彦静岡大
新規の蛍光体応用のための材料としてナノ粒子分散半導体薄膜を提案し,その一例として,ZnOナノ粒子分散Ga2O3薄膜の作製... [more] IDY2020-3
pp.5-8
IEICE-SDM, IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
13:45
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) ミストCVD法によるGa-Sn-O薄膜を用いたメモリスタ開発
小林雅樹杉崎澄生木村 睦龍谷大
我々は酸化物半導体 Ga-Sn-O(GTO)薄膜を用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)についての研究を行っ ている。今回... [more] IDY2019-69
pp.5-8
IEICE-SDM, IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
14:05
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) Al2O3絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT
服部一輝谷野健太松田時宜木村 睦龍谷大)・川原村敏幸劉 麗高知工科大
絶縁体層としてAl2O3膜をミストCVD法 (mist CVD) により作製し,Al2O3膜の有無によるGa-Sn-O薄... [more] IDY2019-70
pp.9-12
IEICE-EID, IEICE-SDM
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
11:45
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 ミストCVD法によるGTO薄膜を用いたデバイス
滝下雄太杉崎澄夫龍谷大)・是友大地曲 勇作古田 守高知工科大)・松田時宜木村 睦龍谷大
非真空プロセスであるミストCVD法により,レアメタルフリーなGa-Sn-O(GTO)薄膜を成膜し,それを用いたデバイスを... [more] IDY2018-57
pp.13-16
AIT, IIEEJ, AS, CG-ARTS
(共催)
2018-03-16
14:15
東京 東京工科大学 蒲田キャンパス セルオートマトンを用いた放射冷却に伴う霧の発生シミュレーション手法
矢頭勇佑東京電機大)・髙橋時市郎東京電機大/アストロデザイン
霧が都市部等で発生した場合,公共交通機関の運行に支障をきたすなど,我々の生活に大きな影響を与える.このとき,霧の発生を予... [more] AIT2018-147
pp.377-380
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
IEICE-EID, IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2014-01-25
09:00
新潟 新潟大学 駅南キャンパス ソフトケミカルな手法による酸化物発光液晶材料の合成
渡邉美寿貴新潟大)・上松和義金 善旭戸田健司佐藤峰夫新大
新規な自発光無機液晶材料,HEu(MoO4)2ナノスクロールは,層状酸化物KEu(MoO4)2を、0.01 M硝酸溶液中... [more] IDY2014-11
pp.61-64
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催)
2013-01-25
10:10
静岡 静岡大学 非真空プロセス「ミストCVD法」でのIGZO/AlOx酸化物TFTの作製とその特性
川原村敏幸内田貴之王 大鵬眞田 克古田 守高知工科大
昨年、大気圧下で汎用の試薬を用いて金属酸化物薄膜を作製する事が可能なミストCVD法を用いて、絶縁膜(AlOx)及び活性層... [more] IDY2013-8
pp.73-76
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD, IEIJ-OMD
(連催)
2011-01-28
14:40
高知 高知工科大学 ミストデポジション法による酸化マグネシウム(MgO)薄膜作製 ~ 大気圧下、低温成長への挑戦 ~
川原村敏幸高知工大)・織田容征白幡孝洋TMEIC)・井川拓人伊藤大師京大院工)・吉田章男TMEIC)・藤田静雄京大院工)・平尾 孝高知工大
酸化マグネシウム(MgO)薄膜はディスプレイなどの保護膜や反射防止膜として、開発要望が高いが、現在その作製方法の大半は、... [more] IDY2011-3
pp.45-48
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