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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2020-01-24
11:10
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [ポスター講演]低温形成した陽極酸化アルミナ絶縁膜の膜物性評価とそのデバイス応用
河野守哉森 海是友大地古田 守高知工科大
フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)のゲート絶縁膜応用を目的とし、陽極酸化により低温形成した酸化アルミナ(Al2O3)... [more]
IEICE-SDM, IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
14:05
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) Al2O3絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT
服部一輝谷野健太松田時宜木村 睦龍谷大)・川原村敏幸劉 麗高知工科大
絶縁体層としてAl2O3膜をミストCVD法 (mist CVD) により作製し,Al2O3膜の有無によるGa-Sn-O薄... [more] IDY2019-70
pp.9-12
IEICE-SDM, IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
14:45
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) 薄膜デバイスを用いた人工網膜の生体外実験
豊田航平冨岡圭佑三澤慶悟内藤直矢木村 睦龍谷大
私たちは薄膜トランジスタ(TFT)および薄膜フォトトランジスタ(TFPT)を用いた人工網膜を開発した.薄膜デバイスで作製... [more] IDY2019-71
pp.17-20
IDY 2018-03-08
16:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]非晶質酸化物半導体の空乏状態を利用した新規薄膜デバイスのシミュレーション検討
安部勝美藤永正人桑垣武司シルバコ
非晶質酸化物半導体(AOS)を用いた新規薄膜デバイスをデバイスシミュレーションにより検討した.シミュレーション結果より,... [more] IDY2018-22
pp.37-41
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