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情報ディスプレイ研究会 (IDY)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
IEICE-SDM
,
IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催)
[詳細]
2019-12-24
13:25
奈良
奈良先端大(物質領域 大講義室)
(奈良県)
SiO2/GaN MOS構造におけるアニール前後の界面電荷および酸化膜中電荷の評価
○
古川暢昭
・
上沼睦典
・
石河泰明
・
浦岡行治
(
奈良先端大
)
[more]
IEICE-SDM
,
IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催)
[詳細]
2019-12-24
13:45
奈良
奈良先端大(物質領域 大講義室)
(奈良県)
ミストCVD法によるGa-Sn-O薄膜を用いたメモリスタ開発
○
小林雅樹
・
杉崎澄生
・
木村 睦
(
龍谷大
)
我々は酸化物半導体 Ga-Sn-O(GTO)薄膜を用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)についての研究を行っ ている。今回...
[more]
IDY2019-69
pp.5-8
IEICE-SDM
,
IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催)
[詳細]
2019-12-24
14:05
奈良
奈良先端大(物質領域 大講義室)
(奈良県)
Al2O3絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT
○
服部一輝
・
谷野健太
・
松田時宜
・
木村 睦
(
龍谷大
)・
川原村敏幸
・
劉 麗
(
高知工科大
)
絶縁体層としてAl2O3膜をミストCVD法 (mist CVD) により作製し,Al2O3膜の有無によるGa-Sn-O薄...
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IDY2019-70
pp.9-12
IEICE-SDM
,
IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催)
[詳細]
2019-12-24
14:25
奈良
奈良先端大(物質領域 大講義室)
(奈良県)
2段階合成法による球殻状タンパク質をテンプレートとしたCuInS2ナノ粒子作製
○
唐木裕馬
・
宮永良子
・
岡本尚文
・
石河泰明
(
奈良先端大
)・
山下一郎
(
阪大
)・
浦岡行治
(
奈良先端大
)
[more]
IEICE-SDM
,
IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催)
[詳細]
2019-12-24
14:45
奈良
奈良先端大(物質領域 大講義室)
(奈良県)
薄膜デバイスを用いた人工網膜の生体外実験
○
豊田航平
・
冨岡圭佑
・
三澤慶悟
・
内藤直矢
・
木村 睦
(
龍谷大
)
私たちは薄膜トランジスタ(TFT)および薄膜フォトトランジスタ(TFPT)を用いた人工網膜を開発した.薄膜デバイスで作製...
[more]
IDY2019-71
pp.17-20
IEICE-SDM
,
IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催)
[詳細]
2019-12-24
15:05
奈良
奈良先端大(物質領域 大講義室)
(奈良県)
:ニューラルネットワークのための多層クロスポイント型シナプス素子
○
津野拓海
・
近藤厚志
・
新村純平
・
田中 遼
・
山川大樹
・
柴山友輝
・
岩城江津子
・
木村 睦
(
龍谷大
)
[more]
IDY2019-72
pp.21-24
IEICE-SDM
,
IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催)
[詳細]
2019-12-24
16:00
奈良
奈良先端大(物質領域 大講義室)
(奈良県)
Stable Growth of (100)-Oriented Low Angle Grain Boundary Silicon Thin Films Extending to the length of 3000 μm by a Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization
○
Muhammad Arif Razali
・
Nobuo Sasaki
・
Yasuaki Ishikawa
・
Yukiharu Uraoka
(
NAIST
)
[more]
IEICE-SDM
,
IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催)
[詳細]
2019-12-24
16:20
奈良
奈良先端大(物質領域 大講義室)
(奈良県)
2段階堆積プロセスを用いた(Bi,La)4Ti3O12薄膜の結晶成長
○
吉田 誉
・
石崎勇真
・
宮部雄太
・
木村 睦
(
龍谷大
)
[more]
IDY2019-73
pp.25-28
IEICE-SDM
,
IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催)
[詳細]
2019-12-24
16:40
奈良
奈良先端大(物質領域 大講義室)
(奈良県)
Ga-Sn-O薄膜を用いた抵抗変化型メモリのメモリスタ特性の電極依存性
○
橋本快人
・
倉崎彩太
・
田中 遼
・
杉崎澄生
・
角田 涼
・
木村 睦
(
龍谷大
)
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IDY2019-74
pp.29-32
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