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掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーワード | 分類 番号 |
2013年10月号 | 薄くて柔軟で自由に折り曲げ可能な有機LED | 東大 | 日刊工業新聞 (2013年7月29日PP.14) | 重さ3g/m2 厚さ2μm。厚さ1 | 4μmの高分子フィルムに低温で有機LEDを作成 最小曲げ半径10μm 輝度100cd/m2 250 |
2011年12月号 | 導電率30のゴム | 単層CNT融合新材料研究開発機構 | 日経産業新聞 (2011年9月9日PP.10) | CNT | φ3nm 長さ数100μm 2倍に延ばしても導電性維持 120 |
2004年10月号 | CNT2芯構造を合成 -4年ぶり新タイプ- | 信州大 | 日経産業新聞 (2004年7月29日PP.8) | nmレベルの電気制御 2本のCNTを2 | 100℃に加熱し 外層だけをつなぎ合わせ Bi-cable 120 160 |
1997年 2月号 | 新聞紙を原料にした梱包材 | ソニー | 朝日新聞 (1996年12月20日PP.12) | 梱包材 リサイクル 新聞紙 | 100 |
1995年 3月号 | 新しい帯電現象発見 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1995年1月16日PP.7) | 帯電現象 ソニックスプレイイオン法 | 100 660 |
1995年 2月号 | 光を当てると絶縁体に変わるシリコン材料 | 東芝シリコーン | 日経産業新聞 (1994年12月5日PP.5) | Si材料 配線技術 | 100 |
1994年 6月号 | 未発見の粒子トップクオークを確認 | 日米伊共同研究班 | 朝日新聞 (1994年4月23日PP.1) | トップクオーク 素粒子理論裏付け | 100 |
1994年 5月号 | 高耐熱性EOポリマー | 富士通 | 日刊工業新聞 (1994年3月11日PP.5) | 有機EOポリマ 光スイッチ 120℃耐熱 | 140 240 100 |
1993年12月号 | 導電性高分子 | 米IBM | 日経産業新聞 (1993年10月25日PP.5) | 導電性材料 静電気防止 レジスト | 100 160 |
1992年12月号 | 常温核融合反応を確認 | NTT | 電波新聞 (1992年10月24日PP.2) | 常温核融合 | 100 |
1992年11月号 | Si結晶成長観察技術 | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年9月19日PP.5) 日経産業新聞 (1992年9月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年9月19日PP.5) | 微小材料評価技術 原子レベル成長制御 | 100 160 |
1992年 9月号 | 極低温で酸素析出観察 | 富士通 | 日刊工業新聞 (1992年7月14日PP.6) | 結晶欠陥 Siウェハ | 100 160 |
1992年 6月号 | 0.01μm以下の量子細線構造 -室温で量子効果示す- | 新技術事業団 | 日刊工業新聞 (1992年4月7日PP.6) | ALE法で幅0.01μm | 100 160 |
1992年 6月号 | Si表面にC60単結晶薄膜形成 | 東北大 三重大 | 日刊工業新聞 (1992年4月3日PP.1) | C60 :半導体/絶縁体/金属/超電導にもなる未来材料 | 100 120 |
1992年 5月号 | 超微粒子コーティング液 -ガラス表面の電気抵抗1/1000,ブラウン管に活用- | 旭硝子 | 日経産業新聞 (1992年3月5日PP.1) | ガラスコーティング アンチモン含有酸化スズ(ATO) スズ含有酸化インジウム(ITO) 導電性コーティング 1MΩ以下 | 100 120 160 620 |
1992年 1月号 | 3カラットの人造ダイヤ | GE(米) | 日経産業新聞 (1991年11月22日PP.4) | C13を原料 | 100 |
1992年 1月号 | 超微細構造の黒鉛結晶 | 日電 | 電波新聞 (1991年11月7日PP.1) 日経産業新聞 (1991年11月7日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年11月7日PP.16) | 結晶 | 100 |
1991年 6月号 | 高温超電導体電子デバイス実現へ | 東芝 | 電波新聞 (1991年4月26日PP.1) | ビスマス系酸化物高温超電導体 分子線エピキタシー(MBE)法 SNS結合 | 100 |
1991年 6月号 | ヒバ材でウッドセラ -磁場シールド効果抜群- | 青森県工業試験場 | 日刊工業新聞 (1991年4月9日PP.13) | 30MHz〜1GHzにおいて-30〜-30dBの遮蔽効果 | 100 |
1991年 6月号 | 高温超電導繊維 | ニチビ 名工大 | 日経産業新聞 (1991年4月9日PP.5) | 臨界電流密度17000A/cm2 絶対温度90度で抵抗ゼロ | 100 |
1991年 3月号 | 平面で近接効果確認 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年1月24日PP.0) | 超電導 0.1μm | 100 |
1990年10月号 | Si基板上GaAs成長 | 富士通 東工大 | 日刊工業新聞 (1990年8月21日PP.0) | 電子移動度2500cm/Vs | 100 |