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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーワード | 分類 番号 |
| 2018年 3月号 | ディスプレー高画質化 液晶材料を開発 | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2017年12月13日PP.33) | ネマチック液晶性 | 250 120 |
| 2018年 3月号 | 電流の流れ磁石で制御 | 理研 | 日経産業新聞 (2017年12月14日PP.5) | トポロジカル絶縁体 電流制御 省電力メモリへ応用 | 120 230 |
| 2018年 3月号 | 力で色と通電性変化 | 東大 | 日経産業新聞 (2017年12月15日PP.6) | 圧力センサ 半導体 結晶構造の変化 | 120 210 220 |
| 2018年 3月号 | ガラスが自己修復 割れてもくっつく | 東大 | 日本経済新聞 (2017年12月18日PP.11) | 120 | |
| 2018年 3月号 | 精度99.93%達成 量子ビット演算シリコン利用 | 理研 | 日刊工業新聞 (2017年12月19日PP.28) | シリコン基板を用いた量子ドット素子 小型磁石 シリコン利用 100倍の演算速度と10倍の情報保持時間 | 420 120 320 |
| 2018年 2月号 | 窒化物超伝導体を利用 新型ジョセフソン素子作製 | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2017年11月15日PP.27) | 窒化物超電導体 超電導量子コンピュータ，磁性ジョセフソン素子 | 120 220 |
| 2018年 2月号 | 分子の向き光で制御 | 東工大 | 日経産業新聞 (2017年11月16日PP.5) | 液晶分子 薄型ディスプレイ 低コスト化 | 120 250 |
| 2018年 2月号 | 低波長の2光子融合 高エネ光変換技術開発 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2017年11月17日PP.23) | 深共晶溶媒 波長530nmの緑の光を440nmの青に42%の効率で変換 | 120 |
| 2018年 2月号 | 透過中性子計測 電子スピン配列解明 | 物材機構 原子力機構 | 日刊工業新聞 (2017年11月20日PP.19) | 透過中性子 | 120 |
| 2018年 2月号 | 量子コンピュータ エラー訂正容易に再現 | 東大 | 日経産業新聞 (2017年11月20日PP.6) | エラー訂正の再現 量子コンピュータのシミュレーション | 120 420 |
| 2018年 2月号 | ガラス 通常固体と違い | 東大 東北大 | 日経産業新聞 (2017年11月27日PP.6) | 振動特性 デバイ則 大規模コンピュータシミュレーション | 120 |
| 2018年 2月号 | 高い耐熱・熱伝導性 完全CNT製 放熱シート開発 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2017年11月30日PP.21) | 熱伝導率1mK/80W | 700℃以上の高温に耐える カーボンナノチューブ 120 |
| 2018年 2月号 | テラヘルツ波可視光に | 東工大 | 日経産業新聞 (2017年11月30日PP.5) | テラヘルツ波の検出 セメント材料 酸素イオン | 120 |
| 2018年 1月号 | カイラル磁性体に整流効果 機能性素子実現へ一歩 | 東大 理研 | 日刊工業新聞 (2017年10月13日PP.23) | カイラル磁性体 カイラルスピンゆらぎ | 120 |
| 2018年 1月号 | 高性能導電性シート | 東大 | 日経産業新聞 (2017年10月24日PP.8) | グラフェンの100倍以上の導電性 銅とケイ素 原子1個分の厚さ ディラック線 | 120 |
| 2018年 1月号 | 有機半導体に高電流 | 東北大 東工大 | 日経産業新聞 (2017年10月25日PP.8) | ディスプレイ 有機半導体 テトラテトラコンタン 発光 半導体レーザ | 120 |
| 2018年 0月号 | 複屈折性高い液晶材料 | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2017年9月1日PP.25) | 硫黄を含むアルキルチオ基を液晶分子に導入 | 120 |
| 2018年 0月号 | 量子コンピュータ 多数パルスで大規模計算 | 東大 | 日刊工業新聞 (2017年9月25日PP.17) 日経産業新聞 (2017年9月25日PP.8) | 光量子コンピュータ ループ状の回路 小型化 計算の種類を瞬時に変えて光パルスを次々に周回 | 420 120 |
| 2018年 0月号 | フェライト磁石 性能向上 | 東大 | 日経産業新聞 (2017年9月26日PP.8) | フェライト磁石 保磁力 大容量 磁気テープ | 120 |
| 2017年11月号 | インクで物質結合 多機能フィルム開発へ | 首都大 | 日経産業新聞 (2017年8月9日PP.8) | 多機能フィルム インク印刷 物質結合 ポリビニルアルコール | 120 |
| 2017年11月号 | ペロブスカイト半導体 高効率変換の仕組み解明 | 原子力機構など | 日刊工業新聞 (2017年8月15日PP.17) | ヨウ化鉛メチルアンモニウム | 120 250 |
| 2017年10月号 | 磁石中の集団スピン運動 量子レベルで定量評価 | 東大 | 日刊工業新聞 (2017年7月6日PP.21) | スピン運動の量子「マグノン」の数を一つずつ計測 | 120 |
| 2017年10月号 | 新固体電解質材を発見 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2017年7月14日PP.25) | 超イオン導電性特性 | 120 |
| 2017年10月号 | 電池性能高める電解質 | 北陸先端大 | 日経産業新聞 (2017年7月24日PP.8) | リチウムイオン 輪率3倍 電解質 ホウ酸エステル化合物 | 120 250 |
| 2017年10月号 | スピネル型酸化物材料 原子像観察に成功 | 東北大 東大 | 日刊工業新聞 (2017年7月24日PP.23) | チタン酸リチウム STM スピネル型酸化物の一種「チタン酸リチウム」を利用 | 120 360 |
| 2017年10月号 | 電子が偏る様子観測 | 東京農工大 | 日経産業新聞 (2017年7月28日PP.12) | レーザ 微細加工 電子の偏り ナノメートルサイズ | 120 250 160 |
| 2017年 9月号 | 電磁波を99.9%遮蔽する単層CNT塗膜を開発 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2017年6月13日PP.3) | 120 | |
| 2017年 9月号 | 紫外線を完全に吸収 | 東北大 | 日経産業新聞 (2017年6月14日PP.8) | 新物質 デンドリマー 太陽電池 | 120 |
| 2017年 9月号 | トポロジカル絶縁体に強磁性 室温で状態維持 | 東工大など | 日刊工業新聞 (2017年6月14日PP.25) | 量子異常ホール効果 | 120 |
| 2017年 9月号 | 電子伝導性と白色発光発見 | 名大 | 日刊工業新聞 (2017年6月20日PP.34) | カーボンナノリング | 120 |
| 2017年 8月号 | 触媒無しでグラフェン合成 | 神奈川県立産業技術研究所 | 日刊工業新聞 (2017年5月15日PP.1) | CO2で酸化 | 120 160 |
| 2017年 8月号 | 鮮やかな発色性顔料 | 名大 | 日刊工業新聞 (2017年5月18日PP.23) | 有機と無機の融合材料 鮮やかな発色性顔料で色相が変化する光学デバイス | 120 |
| 2017年 8月号 | 伸び縮みする電線 | 東大 | 日経産業新聞 (2017年5月19日PP.8) | 伸縮性導体 人工皮膚 人工筋肉 ロボット | 120 |
| 2017年 8月号 | グラフェンに赤外光照射 高次高調波が発生 | 京大 | 日刊工業新聞 (2017年5月25日PP.23) | 楕円偏光で可視光の生成効率最大 ディラック電子状態に起因 炭素の単一原子層超薄膜のグラフェンに赤外パルス光を照射すると 波長が短い可視光パルス光に変換される 高次高周波 | 120 |
| 2017年 8月号 | 固体中の熱流制御 | 東大 | 日経産業新聞 (2017年5月29日PP.8) | フォノン 半導体の放熱性向上 | 120 |
| 2017年 8月号 | 白色発光する透明高分子 | 立命館大 | 日刊工業新聞 (2017年5月29日PP.21) | 波長366nmの紫外線を当てると 400n-700nmの可視光を発光 紫外線を当てると可視光領域全体で発光 発光効率5% 曲面対応 | 120 |
| 2017年 7月号 | 渦状スピン磁性体発見 | 東大 | 日刊工業新聞 (2017年4月4日PP.25) | 磁気スキルミオン | 120 |
| 2017年 7月号 | 電流かけると単一磁区 | 東大 | 日刊工業新聞 (2017年4月12日PP.31) | コバルトの磁性薄膜と白金の接合材 | 120 |
| 2017年 7月号 | カーボンナノベルト初合成 | 名大 | 日刊工業新聞 (2017年4月14日PP.23) | パラキシレンを炭素原料 直径約0.8nm | 120 |
| 2017年 7月号 | 透明セラミックス 1400度の高温OK | 東工大など | 日経産業新聞 (2017年4月19日PP.9) | 窒化ケイ素を利用。全物質の中で3番目の硬さを持ち，空気中で1400℃の高温に耐える | 120 |
| 2017年 7月号 | 次世代メモリー新素材 安価に「スピン液体」作製 | 東北大 英リバプール大 | 日経産業新聞 (2017年4月25日PP.8) 日刊工業新聞 (2017年4月25日PP.29) | スピン液体 フェナントレン 安価な炭化水素分子「フェナンスレン」に電子を導入 | 230 120 |
| 2017年 7月号 | 低コストの酸化チタン膜 高い透明度，液晶などに | 東北大 | 日経産業新聞 (2017年4月26日PP.8) | レーザーを照射して薄膜を作る際に微量のアルミニウムを添加 | 120 |
| 2017年 6月号 | 高強度と導電性両立 | 住友電工 | 日経産業新聞 (2017年3月16日PP.8) | 複合線材 鋼線 銅 電気部品 | 120 |
| 2017年 5月号 | 蓄電容量4倍の電極材 | 東大 | 日経産業新聞 (2017年2月9日PP.8) | 電池 電極材料 カーボンナノチューブ | 120 250 |
| 2017年 5月号 | 広帯域の電波吸収シート | 山形大 | 日経産業新聞 (2017年2月16日PP.8) | 電波吸収体 自動運転技術 ミリ波レーダ | 120 140 |
| 2017年 5月号 | トポロジカル絶縁体 表面金属絶縁化 | 理研など | 日刊工業新聞 (2017年2月24日PP.25) | 二つの磁性層の磁化が反平行になり表面が絶縁化 積層構造の薄膜 | 120 |
| 2017年 5月号 | 電子のスピン 自在に操作 | 東大 | 日刊工業新聞 (2017年2月27日PP.21) | レーザー光利用 | 120 |
| 2017年 3月号 | 東北大 電子素子に活用 | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年12月14日PP.8) | トポロジカル絶縁体 電子素子 低消費電力化 | 120 |
| 2017年 3月号 | 貝殻参考に被膜技術 | 慶應義塾大 | 日経産業新聞 (2016年12月16日PP.8) | 太陽光パネルのコーディング技術 | 120 |
| 2017年 2月号 | 電子多い電流で量子効果 大電流で量子効果 | NTTなど | 日経産業新聞 (2016年11月9日PP.8) | 量子コンピュータ 量子効果 超電導 物理現象 2枚のアルミニウムで酸化アルミを挟んだ約90nm厚のジョセフソン結合 | 120 |
| 2017年 2月号 | 金属と半導体作り分け | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年11月10日PP.8) | 半導体 電子部品 炭素原子 | 120 |
| 2017年 2月号 | トポロジカル絶縁体―「表面だけ導電」に熱い視線 トポロジカル物質 次世代デバイスに道 | 産業技術総合研究所 東大など | 日経産業新聞 (2016年11月25日PP.8) 日刊工業新聞 (2016年11月25日PP.31) | トポロジカル 絶縁体 半金属ビスマスがトポロジカル物質であること発見 | 120 |
| 2017年 2月号 | 「超電導フィーバー」30年 高温化は頭打ち状態続く 理論解明し突破口目指す | 産経新聞 (2016年11月28日) | 超電導 高温化 | 120 | |
| 2017年 1月号 | 人工原子に光子絡みつく安定な分子状態 | 情通機構など | 日刊工業新聞 (2016年10月12日PP.29) | 超電導状態の人工原子とマイクロ波光子 | 120 |
| 2017年 1月号 | 超電導状態を特定方向に整列 | 京大 | 日刊工業新聞 (2016年10月13日PP.21) | ネマティック超電導 銅を挿入したビスマス・セレン化合物の超電導部室 | 120 |
| 2017年 1月号 | 原子一層の半導体性質を電子線照射で制御 | 千葉大 | 日刊工業新聞 (2016年10月18日PP.27) | 二硫化モリブデン 電子線照射でバンドギャップ制御 | 120 |
| 2017年 1月号 | 磁石内に超電導電子ペア | 京大 | 日刊工業新聞 (2016年10月27日PP.27) | ルテニウム酸化物の超電導体 エネルギー損失ゼロのスピントロニクス素子 | 120 |
| 2016年12月号 | 高精度量子ビットをシリコン半導体に実装 | 理研 | 日刊工業新聞 (2016年9月6日PP.23) | 単一量子ビット操作を従来比約100倍に高速化 ビット忠実度99.6% 半導体量子ドット中に閉じ込めた電子スピンを利用 | 120 |
| 2016年12月号 | 透明な強磁性体 電気機器への応用期待 | 電磁材料研 | 日経産業新聞 (2016年9月30日PP.12) | ナノグラニュラー膜 磁性体の透明度 | 120 |
| 2016年11月号 | 非正多角孔の高分子材 電気伝導性1800倍 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2016年8月3日PP.21) | 非正六角形の細孔を持つ高分子材料 | 120 |
| 2016年11月号 | 「トポロジカル絶縁体」表面に 高効率スピン流生成 | 理研 | 日刊工業新聞 (2016年8月5日PP.31) | 界面における電流-スピン流の高効率の変換現象を観測 | 120 |
| 2016年11月号 | 極薄超電導シート | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年8月25日PP.8) | 超電導材料 量子コンピュータ | 120 |
| 2016年11月号 | 角状分子がつながる ナノ炭素材料開発 | NEC | 日刊工業新聞 (2016年7月1日PP.29) | カーボンナノブラシ 角状炭素分子がつながった繊維 電気を通しやすい | 120 |
| 2016年11月号 | 立体物表面にCNT膜 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2016年7月14日PP.35) | アルミナ粉末 鉄化合物の蒸気 | 120 |
| 2016年11月号 | 温度変化で屈伸する薄膜 | 理研 | 日経産業新聞 (2016年7月21日PP.8) | エネルギー 環境発電 薄膜 | 120 |
| 2016年11月号 | グラフェン内電子スピン方向 磁性酸化物で制御 | 量子科学機構 物材機構 筑波大 | 日刊工業新聞 (2016年7月26日PP.29) | 電子デバイスの高速化や省エネルギー化につながるスピントロニクスにグラフェンを応用する際のカギ | 120 |
| 2016年 9月号 | 量子通信用の光子をダイヤに転写保存 | 横浜国大など | 日刊工業新聞 (2016年6月6日PP.15) | 量子テレポテーション | 120 |
| 2016年 9月号 | 強磁性半導体の機構解明 http://www.tohoku.ac.jp/japanese/2016/06/press20160602-02.html | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年6月8日PP.8) | 磁性半導体 ガリウム・マンガン・ヒ素 スピントロニクス | 120 |
| 2016年 9月号 | 超電導ナノワイヤで特異現象 http://www.keio.ac.jp/ja/press_release/2016/osa33qr000001r2pm.html | 慶大 物材機構 群馬大 | 日刊工業新聞 (2016年6月8日PP.21) | 超電導ナノワイヤ 超高感度光検出器 カーボンナノチューブ 量子位相スリップ 幅10nmのナノワイヤ 窒化ニオブ結晶 | 120 220 |
| 2016年 9月号 | 電子質量0に見える物質 | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年5月13日PP.8) | ニオブとリンの合金 | 120 |
| 2016年 9月号 | 量子情報光チップに道 http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/research/research_results/2016/160523_1.html | 京大 | 日刊工業新聞 (2016年5月20日PP.29) | フォトニック結晶 ナノ共振器 量子情報光チップ 光を数10ps以内に転送 | 120 220 |
| 2016年 9月号 | 電子1個のスピン情報 長距離伝送で検出 | 東大 | 日刊工業新聞 (2016年5月31日PP.31) | 単一電子スピン 量子ドット 伝送 | 120 140 |
| 2016年 7月号 | 高速でプロトン伝導 | 北陸先端大 | 日刊工業新聞 (2016年4月8日PP.23) | プロトンを高速で伝導する高分子材料，燃料電池の効率向上・長寿命化 | 120 |
| 2016年 7月号 | 窒化ガリウム半導体 電子運動初観測 http:// www.ntt.co.jp/news2016/1604/160411b.html | NTT 理科大 | 日刊工業新聞 (2016年4月13日PP.27) | ペタヘルツ アト秒 窒化ガリウム半導体 電子振動 ペタヘルツの高周波現象を利用して，アト秒で振動する電子運動の観測に成功 | 120 220 |
| 2016年 7月号 | 大規模な人工スピン群 光共振器で生成 | NTTなど | 日刊工業新聞 (2016年4月19日PP.23) | 長さ1kmの光ファイバ共振器 四光波混合 一万時間を超える光パラメトリック発振器を一括生成 コヒーレントイマジングマシンに向けた基盤技術 | 120 420 240 |
| 2016年 7月号 | 指で曲げれば電流2倍の有機半導体材料 | 東大など | 日刊工業新聞 (2016年4月22日PP.35) | 従来比感度15倍の応力応答デバイス | 120 210 |
| 2016年 7月号 | 高速でプロトン伝導 | 北陸先端大 | 日刊工業新聞 (2016年4月8日PP.23) | プロトンを高速で伝導する高分子材料，燃料電池の効率向上・長寿命化 | 120 |
| 2016年 7月号 | 窒化ガリウム半導体 電子運動初観測 http:// www.ntt.co.jp/news2016/1604/160411b.html | NTT 理科大 | 日刊工業新聞 (2016年4月13日PP.27) | ペタヘルツ アト秒 窒化ガリウム半導体 電子振動 ペタヘルツの高周波現象を利用して，アト秒で振動する電子運動の観測に成功 | 120 220 |
| 2016年 7月号 | 大規模な人工スピン群 光共振器で生成 | NTTなど | 日刊工業新聞 (2016年4月19日PP.23) | 長さ1kmの光ファイバ共振器 四光波混合 一万時間を超える光パラメトリック発振器を一括生成 コヒーレントイマジングマシンに向けた基盤技術 | 120 420 240 |
| 2016年 7月号 | 指で曲げれば電流2倍の有機半導体材料 | 東大など | 日刊工業新聞 (2016年4月22日PP.35) | 従来比感度15倍の応力応答デバイス | 120 210 |
| 2016年 6月号 | テラヘルツ帯で屈折率ゼロに | 茨城大 | 日刊工業新聞 (2016年3月25日PP.35) | メタマテリアル 0.5THz帯の屈折率0.037 | 120 |
| 2016年 4月号 | クリアで高効率な赤色蛍光体を開発 | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2016年1月11日PP.13) | 発光波長625nm | 酸化物系蛍光体材料 120 250 210 |
| 2016年 4月号 | 世界最大性能の磁化反転シミュレータ | 物質・材料研究機構，富士通研究所 | 日刊工業新聞 (2016年1月13日PP.31) | 従来比約60倍の3億点以上のメッシュ，抗磁力2倍のネオジウム磁石 | 620 120 |
| 2016年 4月号 | スピン液晶特性解明 | 原子力機構 | 日刊工業新聞 (2016年1月15日PP.31) | 磁場中のフラストレート強磁性鎖モデル | 120 |
| 2016年 4月号 | 強力磁石 MRIの10倍 | 理化学研究所 | 日経産業新聞 (2016年1月20日PP.8) | 磁石 MRI 超電導 | 120 |
| 2016年 4月号 | インジウム不使用 有機系太陽電池向け透明電極を開発 | 東大 | 日刊工業新聞 (2016年1月27日PP.29) | 有機薄膜太陽電池，透明電極，ニオブを添加した酸化チタン | 250 120 |
| 2016年 3月号 | 強いレーザパルスで量子状態高速操作 | 名大など | 日刊工業新聞 (2015年12月1日PP.31) | 量子コンピュータ 極紫外自由電子レーザ 近赤外高強度フェムト秒レーザ 50兆分の1秒で量子状態操作 | 120 |
| 2016年 3月号 | 省エネ半導体素子試作 | 東大 | 日経産業新聞 (2015年12月4日PP.8) | ほぼ消費電力なし | 120 |
| 2016年 3月号 | 省電力素子向け材料 電気流れる仕組み解明 | 広島大 中国科学院海微系統研究所 | 日経産業新聞 (2015年12月16日PP.8) | トポロジカル絶縁体 アンチモンとクロムとビスマス 極低温 | 120 |
| 2016年 3月号 | 多数の磁気情報収納 キラル磁石 ひねりの数制御 http://www.osakafu-u.ac.jp/info/publicity/release/2015/pr20151217.html | 大阪府立大など | 日刊工業新聞 (2015年12月18日PP.33) | 対掌性を持つらせん状の結晶構造の磁石 キラリティー 一つの磁石に多数の磁気情報を埋め込むことに成功 磁気メモリ 磁気センサ | 120 230 |
| 2016年 2月号 | 磁壁に金属的性質 多値磁気メモリーに道 光で電流「オン・オフ」 | 理研 スタンフォード大 | 日刊工業新聞 (2015年11月3日PP.17) | 銅酸化物半導体 切り替え1ピコ秒以内 磁性絶縁体 磁壁に金属的性質 金属状態の壁の厚さは100?以下 | 120 230 |
| 2016年 2月号 | 振動の「量子干渉」成功 http://resou.osaka-u.ac.jp/ja/reseach/2015/20151105_1 | 大阪大 | 日経産業新聞 (2015年11月5日PP.8) | 二つのイオンの微小な振動の間で量子コンピュータの計算の基本となる量子干渉を起こすことに成功 イオントラップ | 120 |
| 2016年 2月号 | 超電導オン・オフ転換 低消費電力メモリーに道 http://www.titech.ac.jp/news/2015/032655.html | 東工大 | 日経産業新聞 (2015年11月12日PP.8) | チタン酸リチウムを用いるリチウムイオン電池で 放電時に電気抵抗がゼロの超電導 充電時に常電導に切り替わることを確認 | 120 |
| 2016年 2月号 | 単結晶ダイヤモンド基板 | 並木精密宝石 | 日刊工業新聞 (2015年11月25日PP.6) | 耐熱性や耐久性に優れており 次世代半導体の基板の可能性 | 120 |
| 2016年 1月号 | 電気食べる細菌発見 | 理研・東大 | 日刊工業新聞 (2015年10月1日PP.23) | 電気合成生物 微小電力利用 | 120 |
| 2016年 1月号 | 世界最小の磁性粒子 http://www.s.u-tokyo.ac.jp/press/9679/ | 東大 | 日刊工業新聞 (2015年10月7日PP.35) | ナノメートルサイズのハードフェライト磁石 粒子サイズ5n～40nm，8nmで，5Kエルステッドの保持力 低価格で大量生産可能 磁気テープやプリンター用磁性トナーへの応用 | 120 |
| 2016年 1月号 | 超電導材料の表面 特殊な電子状態に | 東大 東工大 | 日経産業新聞 (2015年10月21日PP.9) | 超電導材料 マヨラナ粒子 | 120 |
| 2016年 1月号 | 光の振動変える半導体 | ナノフォトニクス工学推進機構 | 日経産業新聞 (2015年10月29日PP.8) | 進行方向に向かって一定方向だけ振動する光(直線偏光)の角度を変える半導体。高速液晶に応用 LCDの10倍以上高速 光の振動方向 | 250 120 |
| 2016年 1月号 | 微小磁力で情報書き込み http://www.issp.u-tokyo.ac.jp/issp_wms/DATA/OPTION/relese20151029.pdf | 東大 | 日経産業新聞 (2015年10月29日PP.8) | 半導体メモリーの消費電力の大幅低下につながる新しい磁性現象 MRAM 消費電力1/1000 処理速度1000倍 反強磁性材料 ホール効果 | 120 230 |
| 2016年 1月号 | 金属 光照射で電流流れず http://www.titech.ac.jp/news/2015/032494.html | 東工大 東北大 | 日経産業新聞 (2015年10月30日PP.8) | 電気を通す金属に光を当てると 電流が流れなくなる現象 光スイッチ | 120 240 |
| 2015年12月号 | ビスマス薄膜が半導体に変わることを実証 | 東工大 東大 自然科学研究機構 お茶の水女子大 | 日刊工業新聞 (2015年9月11日PP.23) | シンクロトロン放射光施設UVSORで測定 偏光可変の低エネルギー角度分光電子分光装置で内部の電子状態を高精度で観測 | 120 |
| 2015年11月号 | 薄膜でも特性劣化せず 強誘電体エピタキシャル膜 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150804eaab.html | 東工大 東北大 | 日刊工業新聞 (2015年8月4日PP.23) | 結晶方位がそろった単結晶膜 組成を変え薄膜を成長させる基材 15nm 強誘電体相400℃ | 120 160 |
| 2015年11月号 | 色自在の発光材料開発 七色に光る結晶を開発 | 九大 | 日経産業新聞 (2015年8月6日PP.8) 日刊工業新聞 (2015年8月25日PP.29) | 3種類の原料を混ぜるだけで様々な色の蛍光を出す発光材料を開発。 | 120 |
| 2015年11月号 | 磁性材料 小型で耐熱 NECトーキン 電源回路部品 自動車エンジン制御装置に活用 | NEC トーキン | 日経産業新聞 (2015年8月12日) | 磁性材料 電源回路部品 自動車エンジン制御装置 | 120 |
| 2015年11月号 | 巨大な磁気抵抗効果を持つ黒リン http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150812eaaa.html | 東大 兵庫県立大 電通大 | 日刊工業新聞 (2015年8月12日PP.19) | 1.5GPa以上の圧力の半金属相において 0Tと14Tでの抵抗の比が約1000倍 半金属の黒リン 磁気抵抗効果 | 120 140 |
| 2015年11月号 | 直流超電導送電試験に成功 世界最長級 500メートル達成 | 住友電工 千代田化工 中部大 | 電波新聞 (2015年8月13日PP.3) | 直流 超電導 | 120 |
| 2015年11月号 | テラヘルツ波帯のメタマテリアル 反射抑え屈折率2倍 http://www.ibaraki.ac.jp/news/2015/08/241828.html | 茨城大 | 日刊工業新聞 (2015年8月21日PP.27) | 反射を抑え 高い屈折率を持つテラヘルツ波帯のメタマテリアル 光学素子小型化に貢献 | 120 240 340 |
| 2015年10月号 | 量子情報処理多彩に 光回路数秒で1000通り http://www.ntt.co.jp/news2015/1507/150709b.html | NTT | 日刊工業新聞 (2015年7月10日PP.23) 日経産業新聞 (2015年7月15日PP.8) | 光子を用いた量子情報処理に必要なあらゆる機能を一つのハードウェア上で提供する.再構成可能な集積回路を開発，石英系平面光波回路(PLC)技術，電流で更新通路変更，光集 積回路 | 120 220 |
| 2015年10月号 | 超電導素子と磁性体の球 東大が量子的に接続 http://www.rcast.u-tokyo.ac.jp/pressrelease/pdf/270710release_rcast.pdf | 東大 | 日経産業新聞 (2015年7月30日PP.8) | 超電導を使った量子回路と，7課磁性体でできた球を，量子的に接続する技術を開発 | 120 |
| 2015年 9月号 | 原子数個の超薄膜で高温超電導 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2015年6月2日PP.19) | 分子線エピタキシー法，鉄とセレン20層(原子60個分の厚さ)，転移温度60K | 120 |
| 2015年 9月号 | 組成後も書き換え可能 分子回路部品を開発 http://www.titech.ac.jp/news/2015/031658.html | 東工大 東大 | 日刊工業新聞 (2015年6月22日PP.16) | 電子回路を組んだ後でも回路部品の機能を入れ替えられる素子を一つの有機分子で実現，かご状分子と，その中に入れる分子の組合せで抵抗とダイオード，導線を作り分け | 120 220 260 |
| 2015年 9月号 | 鉄系超電導線材にて超高磁界を実現 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2015年6月22日PP.16) | バリウムカリウム砒化鉄(Ba122)，臨界電流密度14万アンペア/平方センチメートル | 120 |
| 2015年 8月号 | 染料を使った液晶パネル用カラーフィルタ | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2015年5月15日PP.6) | 赤 緑 青の各色素をセ氏230℃で焼き固めてつくる | 120 160 |
| 2015年 8月号 | スピンホール効果測定 | 東大 | 日刊工業新聞 (2015年5月22日PP.17) | 超伝導状態では 常伝導状態と比較して2000倍以上のスピンホール効果 | 120 660 |
| 2015年 8月号 | EUV露光用のレジストを開発 | EUVL基盤開発センター | 日経産業新聞 (2015年5月28日PP.1) | 波長13.5nmのEUVに高感度で反応 | 120 |
| 2015年 7月号 | シート状炭素分子グラフェン カルシウム加え半導体に http://www.tohoku.ac.jp/japanese/2015/04/press20150406-01.html | 東北大 | 日経産業新聞 (2015年4月10日PP.10) | グラフェンに金属カルシウムを添加した半導体素材を開発 | 120 |
| 2015年 7月号 | 通信波長帯の単一光子 CNTから抽出 | 慶大 | 日刊工業新聞 (2015年4月29日PP.15) | 一本のCNTから光子が一つずつ出る「アンチバンチング」という現象，光子の波長は1.3μm | 120 440 |
| 2015年 6月号 | 量子テレポーテーション用光素子をワンチップ化 | 東大 NTT | 日刊工業新聞 (2015年3月31日PP.25) 8 (0年0月0日) | 量子テレポーテーション装置の心臓部を光チップに作り込み。従来比10 | 000分の1に小型化。量子もつれ生成・検出部を26×4mmのSi基板上に石英系の光導波回路を形成。 120 220 240 |
| 2015年 5月号 | 負の屈折率性能10倍超 | 茨城大 | 日刊工業新聞 (2015年2月5日PP.23) | テラヘルツ帯領域で負の屈折率 従来比10倍以上の性能を持つフレキシブルフィルム | 120 |
| 2015年 5月号 | カーボンナノチューブの透明導電膜 | 産総研 | 日経産業新聞 (2015年2月10日PP.8) 日刊工業新聞 (2015年2月10日PP.21) | 空気中で1000時間以上安定 表面抵抗率60オーム/スクエア CNTを網目のように配線，ヨウ化銅薄膜の表面にCNTを塗布して強力な光を照射，瞬間的に温度が上昇してヨウ化銅がNTの内部に入り込む | 120 |
| 2015年 4月号 | 世界最強の分子磁石 | 九大 大連理工科大 高輝度光科学研究センター 熊本大 九工大 阪大 東北大研究グループ | 日刊工業新聞 (2015年1月7日PP.21) | 42個の鉄原子が球状に並んだカゴ状磁性分子 | 120 |
| 2015年 4月号 | 光で電圧が発生素子作製 | 東北大 日本原子力研究開発機構 | 日刊工業新聞 (2015年1月14日PP.27) | 直径30ナノから90ナノメートルの金微粒子 磁性ガーネット 表面プラズモン共鳴 10mx5mmの素子 | 120 220 250 |
| 2015年 4月号 | ねじれた有機分子合成 光の色変化半導体などの配線に http://www.nagoya-u.ac.jp/about-nu/public-relations/researchinfo/upload_images/20150106_eng.pdf | 名大 | 日経産業新聞 (2015年1月16日PP.10) | らせん状にねじれた有機分子の鎖 有機ELや有機半導体の新しい材料開発につながる | 120 250 |
| 2015年 3月号 | 「ジョセフソン接合」量産 超電導デバイス実現に一歩 http://www.nims.go.jp/mana/jp/research/topics/n8erta000000p1h8.html | 物質・材料研究機構(MANA)，東大 | 日刊工業新聞 (2014年12月11日PP.25) | 原子スケールの超電導デバイスを実現するための要素技術，薄い絶縁体を二つの超伝導体で挟んだ「ジョセフソン接合」，原子一つ分の高さの段差のある珪素基板上にインジウムを原子一層だけ重ねた | 120 |
| 2015年 3月号 | 貴金属を含まない電極 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2014年12月15日PP.13) | 3次元ナノ多孔質グラフェン | 120 |
| 2015年 3月号 | 内殻電子観測に成功 | NTT | 理科大 (0年2014月12日PP.17) | 23 | アト秒パルス，スペクトル位相干渉法 120 |
| 2015年 2月号 | ボース・アインシュタイン凝縮 超電導状態との近さ解明 | 京大，理化学研究所他 | 日刊工業新聞 (2014年11月4日PP.13) | 超電導転移温度が約10Kの鉄を含む金属間化合物，超電導状態はBECに近い | 120 |
| 2015年 2月号 | 近赤外光で細胞遠隔操作 | 産総研，東北大他 | 日刊工業新聞 (2014年11月20日PP.26) | 近赤外光で熱を発生させる角状炭素構造物「カーボンナノホーン(CNH)」と活性酸素を発生させる色素を組合せた複合体を合成，熱の発生公立が倍，細胞内へのカルシウム流量がCNHの14倍 | 120 |
| 2015年 2月号 | 有機半導体表面での構造変化を初観測 http://www.kek.jp/ja/NewsRoom/Release/20141110100000/ | 阪大 東大 理研 KEK | 日刊工業新聞 (2014年11月21日PP.25) | KEKフォトンファクトリーの放射光で表面X線解析 伝導体ルブレン 非伝導体テトラセンを比較 後者では内部構造が表面と異なることを見出す | 120 660 |
| 2015年 2月号 | 磁性体に光の偏光状態を記録・読み出しすることに成功 http://www.kyushu-u.ac.jp/pressrelease/2014/2014_11_14_2.pdf | 九大，東大，JST | 日経産業新聞 (2014年11月26日PP.10) | イットリウム，マンガンの磁性体，偏光と呼ぶ光の進み方の違いを磁性体に記録，大量のデータを高速で保存，磁化振動モード，偏光自由度，多重度・偏光メモリー，YMnO3 | 120 130 |
| 2015年 1月号 | 半導体ダイヤモンドの高速成長法を開発 | 金沢大学，アリオス，産総研 | 日刊工業新聞 (2014年10月6日PP.20) | 結晶の成長速度は1時間当たり100μm，球形チャンバー内で炭素をプラズマでラジカル状態まで活性化し，ダイヤモンドの種基板と反応させ結晶を成長させる， | 120 260 |
| 2015年 1月号 | 単電子転送の高速化 | NTT | 日刊工業新聞 (2014年10月7日PP.25) | 3.5GHで単電子転送，ナノメートル寸法で2層ゲート構造を持つシリコントランジスタをウエハーレベルで作成 | 120 220 |
| 2015年 1月号 | レアメタル使用量が少ない熱電素子材料の開発 | 広島大 産総研 | 日刊工業新聞 (2014年10月8日PP.21) 日経産業新聞 (2014年10月24日PP.10) | 自然界にある鉱物の結晶構造をまねて伝熱変換素子の材料を作成。レアメタル使用量が少なくとも従来同様の性能を出せる。 | 120 |
| 2015年 1月号 | 特定刺激で色が変わる結晶の合成 | 理化学研 | 日経産業新聞 (2014年10月10日PP.10) | 金属錯体という物質を合成.通常は紫外線を当てると青色に光るが外部からの力やアルコール刺激で黄色に | 120 |
| 2015年 1月号 | ナトリウムイオン電池用の個体電解質材料の開発 | 東北大 | 日経産業新聞 (2014年10月16日PP.10) | ホウ素原子10個と水素原子10個からなるかご状のイオンとナトリウム原子イオンで構成.室温で扱えるように改良を目指す。 | 120 250 |
| 2015年 1月号 | 世界最低損失のアモルファスシリコン光配線の開発 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2014年10月24日PP.19) | 1cmあたりの光損失を従来の1/10の1%以下に抑えた高透過率のアモルファスシリコン薄膜を開発，配線加工後の損失13% | 120 160 |
| 2015年 1月号 | 真空より低い屈折率のメタマテリアルを開発 | 理研 国立大湾大 | 日刊工業新聞 (2014年10月27日PP.19) 日経産業新聞 (2014年10月28日PP.9) | 3次元構造，屈折率0.3～1.9，32.8Thzの電磁波に対して屈折率0.35，ナノメートル寸法の共振器アンテナ素子を大量集積 | 120 |
| 2015年 1月号 | 圧力により吸放熱する磁性材料 | 産総研 東北大 名大 | 日刊工業新聞 (2014年10月28日PP.21) | 窒化マンガンリウム，1000気圧で6KJ/kg吸熱 | 120 |
| 2014年12月号 | 指で押すと1/1000sで色が変わるゲル | 北大 | 日経産業新聞 (2014年9月3日PP.10) | 構造色 | 120 |
| 2014年12月号 | バイオ技術で3D構造の量子ドットLED作製 | 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 | 日刊工業新聞 (2014年9月5日PP.19) | バイオ技術で3D構造，柱状の3次元量子ドット構造を20nm間隔で高密度に配列，発光波長760ナノメートル | 120 250 |
| 2014年12月号 | 高導電性を持ち光透過性40%の銅薄膜の開発 | 工学院大 | 日刊工業新聞 (2014年9月10日PP.1) | 膜厚40nm 常温常圧で溶液をガラス基板に塗布し熱処理で薄膜化する技術を開発。従来手法に比べ装置コストは1/200に。 | 120 260 |
| 2014年12月号 | 飽和磁束密度3倍のメタルパウダーコア | 日立金属 | 日刊工業新聞 (2014年9月19日PP.13) | 飽和磁束密度従来比3倍，電気抵抗率を10倍以上 | 120 |
| 2014年12月号 | 極めて少ない量の発光材料で長寿妙な緑色のリン光有機ELデバイスを実現 | NHK | 電波タイムズ (2014年9月22日PP.3) | 電気エネルギーを受け渡しやすいホスト材料を新たに採用 新しいホスト材料は発光材料量1%でも従来の7倍程度の長寿命 | 120 250 |
| 2014年10月号 | 電子の結晶化観測 | NTT JST | 日刊工業新聞 (2014年7月21日PP.17) | ウィグナー結晶 NMRを使用し 半導体テヘロ構造に低温かつ強磁場で電子が結晶化する様子「ウィグナー結晶」を世界初観測 | 120 220 |
| 2014年10月号 | 液晶部品を使用したフィルムコンデンサ | 山梨大 | 日経産業新聞 (2014年7月24日PP.10) | 表面が酸化した2枚のアルミ電極間に繊維状の樹脂をちりばめ隙間に液晶分子を入れ試作 比誘電率は最大56万で従来の10万倍 | 120 220 |
| 2014年 8月号 | 室温で核磁気共鳴信号を増大 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2014年5月13日PP.19) | 光励起三重項状態の電子スピンを用いた動的核偏極法 通常の1万倍の信号 | 120 |
| 2014年 8月号 | 低消費電力の光メモリーを開発 | NTT | 日本経済新聞 (2014年5月27日PP.15) | フォトニック結晶 光ナノ共振器 100bitを集積 | 120 230 |
| 2014年 7月号 | グラフェンナノリボン(GNR)を従来法比10倍の高効率で合成 | 京大 | 日刊工業新聞 (2014年4月9日PP.21) | ラジカル重合型化学気相成長法 3種類のGNRを合成可能 | 120 |
| 2014年 7月号 | 燃料電池の白金触媒を削減 | 九大 | 日経産業新聞 (2014年4月11日PP.10) | CNTの表面にPtを塗布 粒径1.2nmのPt微粒子 質量活性8倍に向上 | 150 160 120 |
| 2014年 6月号 | 基板に塗布印刷可能な単層CNTコート剤 | 産総研 単層CNT融合新材料研究開発機構 | 日刊工業新聞 (2014年3月5日PP.17) | スーパーグロース法 0.5重量%で溶媒に分散 膜厚を数百nm～数十μmで制御 最小線幅50μm | 120 |
| 2014年 6月号 | 半導体のスピン異常信号解明 | 東北大 独レーゲンスブルク大 | 日刊工業新聞 (2014年3月11日PP.22) | 強磁性半導体(Ga | Mn)As と非磁性半導体GaAs のヘテロ接合 スピンエサキダイオード構造 電子スピンの検出感度40倍 120 660 |
| 2014年 6月号 | マイクロ波照射でグラフェンを安く量産 | マイクロ波化学 | 日経産業新聞 (2014年3月12日PP.1) | グラファイトにマイクロ波を照射し 内部から加熱し グラフェンを剥離 製造時のエネルギーコスト5割減 | 160 120 |
| 2014年 6月号 | 多量の量子もつれを生成 | NTT | 日刊工業新聞 (2014年3月18日PP.21) | K原子 1μm間隔で100万個 0.1mm角の立方体光格子に閉じ込める 光格子レーザとゲート操作用レーザを使用 | 120 |
| 2014年 6月号 | 溶けやすい太陽電池・有機EL向け有機材料 | 京大 | 日刊工業新聞 (2014年3月26日PP.26) | 平面型骨格「SaT」 π共役にチアゾールを縮環した骨格の化合物 | 150 120 |
| 2014年 6月号 | ジスプロシウム不要の高性能磁石 | 物材機構 大同特殊鋼 | 日経産業新聞 (2014年3月27日PP.11) | Dy4%の磁石と200℃で同等性能 NdCu合金の液体を微細結晶の磁石に浸透 | 120 |
| 2014年 5月号 | GaN系量子ドットで室温単一光子源 | 東大 | 日刊工業新聞 (2014年2月13日PP.19) 日経産業新聞 (2014年2月13日PP.11) | 有機金属気相成長法(MOCVD)で直径50nm・高さ1.5μmのGaNナノワイヤを作製 通常の半導体製造技術で製造可能 | 120 160 |
| 2014年 5月号 | フッ素化合物の光学異性体と二種分離生成する方法 | 名工大 | 日刊工業新聞 (2014年2月17日PP.20) | 右手型と左手型異性体の化学反応速度 速度論的光学分割法 フッ素化合物 | 120 160 |
| 2014年 5月号 | パワー半導体向け接合技術 | 日亜化学 阪大 | 日経産業新聞 (2014年2月19日PP.7) | Ag薄膜 SiCとCu基板を接合 250℃で加熱接合 | 120 160 |
| 2014年 5月号 | 印刷法によるn型有機半導体 | 山形大 | 日経産業新聞 (2014年2月20日PP.11) | 分子構造の設計を変更 | 120 160 |
| 2014年 5月号 | 化合物半導体ナノワイヤとSi光結晶混載で集積する技術 | NTT | 日刊工業新聞 (2014年2月21日PP.17) | 直径90nmのインジウム・ヒ素・リンによる化合物半導体 人工的なSi光結晶中の幅約150nmの溝に載せる Siチップ上に化合物半導体素子を混載 | 120 |
| 2014年 3月号 | 単層CNT量産 ・14と合わせる | 日本ゼオン | 日刊工業新聞 (2013年12月2日PP.1) | 次世代炭素材料CNTの商業生産，コスト従来比1/1000，スーパーグローブ法を利用，NECOと共同で純度99%以上の単層CNTの連続生産を可能に | 120 160 |
| 2014年 3月号 | バナジウム・リン・窒素化合物4.2Kで超電導状態 | 東大 | 日刊工業新聞 (2013年12月3日PP.19) | アンチポストペブスカイトという結晶構造，転移温度が化合物によって変化するメカニズムには結晶構造の2次元性が鍵 | 120 |
| 2014年 3月号 | 倍速で単結晶成長 | 産総研 太平洋セメント 屋久島電工 | 日刊工業新聞 (2013年12月4日PP.17) | 昇華再結晶法を利用，結晶成長速度は最大2.2mm/h | 120 |
| 2014年 3月号 | グラフェンで幅20nmの微細配線 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年12月13日PP.27) | 電気抵抗率は最低4.1μmΩcm 断線しにくい サファイア基板上に約1000℃7-15層のグラフェンを合成 銅配線なみの抵抗率 | 160 120 |
| 2014年 3月号 | より低電圧で動作するトンネルFET | 東大 | 日経産業新聞 (2013年12月18日PP.6) 日刊工業新聞 (2013年12月27日PP.13) | Znの拡散による不純物分布を持つ新型接合技術 動作電圧0.3V 接合部にZn拡散 従来の1/3の電圧で動作 | 220 260 120 |
| 2014年 3月号 | 単層CNTの量産技術 ・1と合わせる | 産総研 名城ナノカーボン | 日刊工業新聞 (2013年12月26日PP.15) | φ1～4nm 「eDIPS法」 従来の100倍速 | 160 120 |
| 2014年 2月号 | 光子の進み方を揃える量子コンピュータ向け技術 | NTT | 日経産業新聞 (2013年11月13日PP.6) 日刊工業新聞 (2013年11月13日PP.23) | 量子ビットのタイミングを合わせる Si製光導波路 φ210nmの穴を400個 22～55℃で調製 | 120 |
| 2014年 2月号 | 量子もつれの大規模生成装置 | 東大 | 日刊工業新聞 (2013年11月18日PP.14) 日経産業新聞 (2013年11月18日PP.11) | 時間領域多重 量子テレポーテーション 超大規模の量子もつれを生成する装置 複数の信号を時間的に束ねて送る時間領域多重という手法を使うことで実証 | 120 160 |
| 2014年 2月号 | 臨界温度45Kの鉄系超電導材料 | 岡山大 名大 | 日経産業新聞 (2013年11月18日PP.11) | 112型の構造 | 120 |
| 2014年 1月号 | 強力なFe系超電導磁石 | 超電導工学研 | 日経産業新聞 (2013年10月13日PP.7) | 臨界電流 φ8mmのBaO微粒子 -258℃の5T環境 14万A/cm2を40万A/cm2に改善 従来の3倍 | 120 |
| 2014年 1月号 | グラフェンを超える電子材料 | 東工大 英オックスフォード大 米スタンフォード大 | 日刊工業新聞 (2013年10月16日PP.21) | トポロジカル絶縁体 Bi-Te-Clが積層した結晶 表裏に極性 | 120 |
| 2014年 1月号 | 高温に対応可能なコンデンサ向けガラス材料 | 東大 広島大 九州シンクロトロン光学研究センター | 日刊工業新聞 (2013年10月24日PP.19) | 220～470℃対応コンデンサ用材料 ガラス結晶化法を使う BaTiO3にCa原子を高濃度に含ませる | 120 |
| 2013年12月号 | 炭素繊維表面にグラフェン被膜 | インキュベーション・アライアンス | 日刊工業新聞 (2013年9月6日PP.10) | 独自の高速科学気相成長法で，半焼き状態の樹脂有機物を炭化する際に発生する水素などが原料，直径1～50μm，グラフェンの厚さ1～2nmの繊維 | 120 |
| 2013年12月号 | 光の90%以上を通す透明な半導体集積回路 | 名大 フィンランドアールト大 | 日本経済新聞 (2013年9月17日PP.11) 日経産業新聞 (2013年9月17日PP.10) | CNTで配線とトランジスタを製作 一辺0.5mmの回路 | 120 220 |
| 2013年12月号 | 変換効率7.34%の有機太陽電池用材料 12と一つに | 阪大 ダイキン工業 | 電波新聞 (2013年9月18日PP.1) | フラーレン 性能10倍に ナノチューブ活用 乾かさず細胞解析 | 120 250 |
| 2013年11月号 | 伸縮自在な有機トランジスタ集積回路と有機LED | 東大 オーストリアヨハネス・ケプラー大 | 電波新聞 (2013年8月1日PP.4) | 世界最軽量(3g/m2)で最薄(2μm) くしゃくしゃに折り曲げても壊れない新しい光源 | 120 250 |
| 2013年11月号 | 磁場で電気抵抗変化 | 京大 阪大 大阪市大 首都大 広島大 | 日刊工業新聞 (2013年8月1日PP.19) | 非磁性のパラジウム-コバルト酸化物(PdCoO2) 磁場によって物質の電気抵抗が変化する磁気抵抗効果がある -271℃ 14Tで測定 ゼロ磁場の350倍 | 120 130 |
| 2013年11月号 | 薄膜中のスピン方向検出技術 | 日本原子力機構 千葉大 高エネ研 | 日経産業新聞 (2013年8月5日PP.11) | 表面から2nmまでX線照射し放出電子を解析 | 120 660 |
| 2013年11月号 | 電導性優れるCNT | 信州大 | 日刊工業新聞 (2013年8月13日PP.15) | 電気を通す線上の結晶性硫黄原子鎖を1nm程度の円筒空間中に作製 | 120 220 |
| 2013年11月号 | CNTだけで構成するIC | 名大 フィンランドアールト大 | 日刊工業新聞 (2013年8月13日PP.15) | 電極や配電材料にCNT薄膜，絶縁材料にアクリル樹脂を使う，移動度は毎秒1V当たり1000m2 | 120 220 |
| 2013年11月号 | リチウムイオン電池向け新端子 | ニッパツ | 日経産業新聞 (2013年8月16日PP.1) | コールドスプレー加工 電導効率5%アップ | 120 160 |
| 2013年11月号 | -35℃での超電導の可能性予測 | 長崎総合科学大 | 日経産業新聞 (2013年8月19日PP.5) | ピセン分子 K原子を加える 理論的な予測 | 120 620 |
| 2013年11月号 | 体積の小さい超電導コイル用線材 | 理研 千葉大 | 日経産業新聞 (2013年8月26日PP.9) | Y-Cu酸化物 -196℃ 幅4～5mm 厚さ10μm | 120 |
| 2013年11月号 | 銅酸化物の高温超電導体化 | 東大 | 日刊工業新聞 (2013年8月26日PP.16) | 超電導になる直前の状態と直後の状態が全く異なる ギャップ構造を発見 | 120 |
| 2013年11月号 | 独自の電子化物使用して室温でCO2分解 | 東工大 英ロンドン大 | 日刊工業新聞 (2013年8月30日PP.26) | C12A7エレクトライド(電子化物) 多種類のガスからCO2を選択的に吸着 直後に分解 | 120 160 |
| 2013年10月号 | 幅広い波長の光を吸収させる太陽電池用素材 | 東大 | 日経産業新聞 (2013年7月4日PP.11) | 直径0.5～1μmの量子ドット Cd-SeとZnOの5nm微粒子を樹脂で固め青・緑色レーザ光を照射。近接場光。紫外光は波長を伸ばし 赤外光は縮める波長変換効果を確認 | 120 250 |
| 2013年10月号 | 量子ドットでCNTの発光効率18倍に高める | 京大 東大 | 日刊工業新聞 (2013年7月8日PP.15) | 光励起 幅1nm長さ100nm 励起子がCNT線上で動く速度は100ps CNTの壁に酸素分子埋め込み励起子が端部や欠陥部から逃がさず発光させる | 120 250 |
| 2013年10月号 | 湾曲した”うねり構造”の炭素ナノ分子 | 名大 | 日刊工業新聞 (2013年7月15日PP.11) | ワープド・ナノグラフェン 第4のナノカーボン 7角形構造と5角形構造が集積配置 緑色に発光 | 120 |
| 2013年10月号 | 導電性の高い透明な紙 | 阪大 | 日経産業新聞 (2013年7月25日PP.11) | 折りたたみ可能 φ15nmのセルロース繊維 Agナノワイヤを貼り付け | 120 |
| 2013年10月号 | 銅の100倍まで電流を流せる材料 | 産総研 | 日経産業新聞 (2013年7月30日PP.11) | CNTと銅(Cu)を複合 6億A/cm2 | 120 |
| 2013年 9月号 | 多層グラフェンを用いた微細配線の作成技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年6月18日PP.23) | 250℃で1cm2当たり1000万Aという高密度電流を流しても150時間通電可能 抵抗率9.1μΩcm Cu同等 | 260 120 |
| 2013年 8月号 | ヘリウム(He)不要の超電導線材 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2013年5月9日PP.11) | Fe | Ba K Asからなる化合物 -237℃で超電導状態 -236℃(37K) Fe-Ba-K-As 冷凍機で冷却可能 120 |
| 2013年 8月号 | 超電導体転移温度と電子対の強さとの関係を解明 | 広島大 大阪府立大 | 日刊工業新聞 (2013年5月14日PP.21) | 超電導が起こる温度と超電導を担う電子対の強さが関係，転移温度-182℃のビスマス系銅酸化物について角度分解光電子分光実験 | 120 |
| 2013年 7月号 | スピン波でスイッチング磁場を低減 | 東北大 慶応大 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年4月17日PP.22) 電波新聞 (2013年4月24日) | FePt合金とNiFe合金の積層磁石薄膜 | 120 |
| 2013年 7月号 | 低温で高い熱電性能の銀系層状化合物 | 東大 理研 | 日刊工業新聞 (2013年4月23日PP.21) | 銀と銅とセレンで構成される銀系層状化合物 室温から-200℃で高い熱電導性能を持つ | 120 |
| 2013年 7月号 | ナノワイヤを効率的に作る手法 | 北大 物材機構 | 日刊工業新聞 (2013年4月25日PP.28) | 10～20nmの幅の線維状構造物に触媒になる物質を結合 アミロイドペプチド SCAP法 | 120 |
| 2013年 7月号 | 合金微粒子含むナノ炭素 | 京大 | 日経産業新聞 (2013年4月24日PP.6) | パラジウム 白金 カーボンナノホーン | 120 |
| 2013年 7月号 | 熱エネルギー伝搬方向をスピン波で制御 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2013年4月26日PP.21) | マイクロ波と磁場でスピン波を励起 表面スピン波で伝搬 | 120 |
| 2013年 6月号 | 電子スピン素子につながる物理現象発見 | NTT 東北大 独ポールドルーデ固体エレクトロニクス研 | 日経産業新聞 (2013年3月19日PP.10) | 電子スピン共鳴現象(ESR) 電子自体の磁場でESR 移動スピン共鳴 | 120 |
| 2013年 6月号 | 安価な鉄系超電導物質 | 岡山大 | 日経産業新聞 (2013年3月27日PP.6) | 45K 結晶構造のため加工容易 Fe-Ca-As-La-P 液体ヘリウム不使用 45Kで超電導 | 120 |
| 2013年 5月号 | P型Si中で室温スピン輸送 | 阪大 東北大 | 日刊工業新聞 (2013年2月14日PP.23) | スピンポンピング 純スピン流 | 120 |
| 2013年 4月号 | ナノ分子をコマ状に回転 | 東北大 | 日経産業新聞 (2013年1月9日PP.7) | フラーレン CNT 外径2nmで内径1nm | 120 |
| 2013年 4月号 | グラフェン量産化技術 | 東北大 昭和電工 | 日刊工業新聞 (2013年1月11日PP.23) 日経産業新聞 (2013年1月11日PP.8) | グラファイト，超臨界流体 エタノールに溶かし60気圧400℃の超臨界状態 製造時間1時間 | 120 160 |
| 2013年 4月号 | ミドリムシでバイオプラスチック合成 -耐熱性高く省エネ- | 産総研 NEC 宮崎大 | 日刊工業新聞 (2013年1月14日PP.11) | ミドリムシが作る多糖類に油脂成分を結合 プラスチックの植物成分量は約70% パラミロンと変性カルダノール | 120 |
| 2013年 4月号 | 酸化グラフェンの合成時間を5時間に半減 | 岡山大 | 日刊工業新聞 (2013年1月15日PP.13) | 酸化グラフェンの合成時間 触媒用途 グラファイトにマイクロ波を当て酸化を容易化 収率最大90% | 120 160 |
| 2013年 4月号 | 10nmサイズの光信号制御用技術 | NTT 東工大 | 日経産業新聞 (2013年1月16日PP.6) | グラフェン プラズモンの伝わる速さを制御 光信号のオンオフ LSI消費電力を1/100に | 120 |
| 2013年 3月号 | LSI集積度を100倍以上高める技術 | 東大 理研 | 日経産業新聞 (2012年12月11日PP.9) | 原子3個分のMoS2薄膜 0.6nm厚 トランジスタ | 120 220 |
| 2013年 3月号 | リーク低減したSiCパワー半導体 | 阪大 京大 ローム 東京エレクトロン | 日経産業新聞 (2012年12月12日PP.6) 日刊工業新聞 (2012年12月12日PP.24) | ゲート絶縁膜にアルミ酸化物 N添加によりリーク90%減 耐圧1.5倍 高誘電率ゲート絶縁膜採用のSiC製MOSFET | 120 220 250 |
| 2013年 3月号 | 冷凍機で運用可能な超電導磁石 | 東大 | 日経産業新聞 (2012年12月19日PP.7) | MgB2 39K以下で超電導磁石 液体He不要 直径40mm | 高さ10mmの円盤形状 20Kで2.8T 120 |
| 2013年 2月号 | グラフェン層間化合物 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2012年11月6日PP.19) | 原子交換法 熱分解法 グラフェンでカルシウム原子を挟んだ構造 | 120 150 160 |
| 2013年 2月号 | 機能変更できる半導体素子 | 物材機構 UCLA | 日経産業新聞 (2012年11月27日PP.10) | 「オンデマンド素子」 酸化タングステンと白金で挟みこむ 入力電圧によりダイオード キャパシタ スイッチ等として機能 | 120 220 |
| 2013年 1月号 | トポロジカル絶縁体の新種発見 | 東北大 | 日経産業新聞 (2012年10月2日PP.10) | Sn・Teの化合物 トポロジカルクリスタル絶縁体 | 110 120 |
| 2013年 1月号 | 膜厚10nmの金属酸化膜トランジスタ | 物材機構 理研 | 日刊工業新聞 (2012年10月18日PP.24) | 酸化タングステン(W2O3) 100℃で成膜が可能 | 120 220 |
| 2012年12月号 | 太陽光から効率よくレーザ光に変換できる材料 | 北大 | 日刊工業新聞 (2012年9月24日PP.23) | CaとYとAlの酸化物の結晶にCrとNdを混ぜたもの 浮遊帯溶融 500nm付近で吸収大 | 150 120 250 |
| 2012年11月号 | 絶縁体を用いたデータ記憶用電子素子 | 理研 東大 | 日経産業新聞 (2012年8月3日PP.10) | 酸化バナジウム(VO) 1Vの電圧印加で電子が自由に動けるようになる | 120 |
| 2012年11月号 | CNT材料の導電性を液晶材料で制御 | 東大 筑波大 東工大 理研 | 日経産業新聞 (2012年8月6日PP.11) | ベンゼン環を含むトリフェニレン | 120 |
| 2012年11月号 | スピンの向きを微小電流で制御 | 理研 東大 物材機構 | 日刊工業新聞 (2012年8月8日PP.19) 日経産業新聞 (2012年8月23日PP.11) | FeGe化合物 -23～-3℃かつ150mT磁界 φ70nmのスキルミオンの結晶を観察 スピンの渦巻きを形成 5A/cm2で渦巻きが動く 縦165μm 横100μm 厚さ100nm～30μmの超小型素子 | 120 |
| 2012年11月号 | 砂糖の主成分 負極材に有効 | 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2012年8月13日PP.1) | ナトリウムイオン電池 スクロース 300mA/g 50回充放電しても容量低下しない FECを添加 | 150 120 |
| 2012年11月号 | 絶縁体酸化物磁石の極性を電場のみで反転 | 理研 東大 | 日刊工業新聞 (2012年8月20日PP.16) | ジスプロシウム(Dy)・テルビウムフェライト -270.5℃で電場を加えて正負の電極を反転 | 120 |
| 2012年11月号 | 近接場光を用いたSi製受光素子 | 東大 | 日経産業新聞 (2012年8月22日PP.7) | Si基板に微小な穴 1.3μm波長のレーザを照射すると1.3μm波長の光で電圧変換 長い波長を短い波長に変換することで処理できる波長幅を広げる | 110 210 120 |
| 2012年11月号 | 酸素イオン電池用電極材料 | 東大 | 日刊工業新聞 (2012年8月27日PP.17) | 電極の組成元素はCa・La・Fe・O 酸素の含有量大で正極・小で負極として動作 正極としての容量30mA 負極としての容量15mA 充放電10回でも安定動作 | 150 120 250 |
| 2012年11月号 | 炭素・水素原子でカゴ状分子 | 名大 産総研 | 日経産業新聞 (2012年8月28日PP.9) | 半導体の性質 青色光を出す 内側に他の分子・原子を取り込める C120個・H78個で構成 直径2nmで内側に1.8nmの空間 | 120 |
| 2012年10月号 | 発電用途に特化した圧電素子 | 大阪府立大 大阪府立産業総合研究所 | 日経産業新聞 (2012年7月2日PP.11) | BiやFeなどの酸化物で構成 CVDを応用 幅0.5mm 長さ2mm 厚さ3μmの素子を試作 比誘電率が従来の1/10 | 120 220 |
| 2012年10月号 | CNTの巻き方を制御 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2012年7月19日) 日経産業新聞 (2012年7月24日PP.9) | クリセン4つを環状につなげて最小単位のCNTを作成 ジグザグ型を合成 最短長 ベンゼン環16個 巻き方を作り分け可能 電気的特性向上 | 120 160 |
| 2012年10月号 | 1000℃までの熱を電気に変換する素材 | 物材機構 東北大 | 日経産業新聞 (2012年7月27日PP.10) | ホウ素(B)に微量のAl Yを加えた材料 B原子で構成する直径0.5nm球状分子が立体的に積み重なり 球と球の隙間にAlとYが入る n型p型2種類の半導体の温度差で電気が発生 | 120 |
| 2012年 9月号 | 高密度量子ドット作製技術 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2012年6月5日PP.9) | 液滴エピタキシー法 30℃の常温 GaAs基板 7Gaの滴を作る温度を30℃に下げた 従来比5倍の1cm2あたり7300億個の量子ドット | 120 160 |
| 2012年 9月号 | 1?で30円の藻燃料 | トランスアルジ | 日経産業新聞 (2012年6月21日PP.1) | TAC藻 光合成の際に細胞内部に油分をつくる | 120 250 |
| 2012年 9月号 | 正極に有機材料を使ったLi電池 | 東北大 | 日経産業新聞 (2012年6月13日PP.7) | 蓄電容量が従来の2倍 100回以上の充放電可能 正極にテトラシアノキノンジメタンを使用 原材料費1/5 | 120 250 |
| 2012年 8月号 | p型Geに磁性体のスピン情報を室温で入力 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2012年5月16日PP.20) 160 (0年0月0日) | p型のGe | Fe 厚さ2nmのMgOを積層した電極を作成し スピン情報をFeからGeへ入力 ハンル効果 スピン情報80nm 120 220 |
| 2012年 8月号 | 排熱から電気を生成する変換効率40倍の素子 | 東北大 東北セラミック | 日経産業新聞 (2012年5月21日PP.11) | Mn | Siと Feを含むMn Siでそれぞれ厚さ150μmの薄膜を作り 厚さ15μmの絶縁層を挟みながら交互に重ねる 1cm2厚さ2.5mmの素子を切り出す ゼーベック効果 熱電素子 120 250 |
| 2012年 8月号 | 光当てるだけで傷修復 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2012年5月24日PP.21) | 光を当てると特性が変わるアゾベンゼンという化合物と 液晶 高分子の粒子を混ぜて調製 | 120 160 |
| 2012年 8月号 | 全固体ナトリウムイオン電池材料 | 東北大 | 日経産業新聞 (2012年5月25日PP.10) 150 (0年0月0日) | 電解質の部分にNa | B N Hの化合物 結晶構造のすきまをNaイオンが動いて充放電 30～50℃でNaイオンの通りやすさが従来の2万倍 120 |
| 2012年 8月号 | 次世代電子材料「シリセン」の大面積製造技術 | 北陸先端大 | 日刊工業新聞 (2012年5月31日PP.29) 日経産業新聞 (2012年5月31日PP.12) | 蜂の巣構造 厚さ原子1個分のSi結晶 2ホウ化ジルコニウム バンドギャップ導入可能 900℃に加熱 縦横1×2cmの基板 | 120 160 |
| 2012年 7月号 | 高効率1.3μm量子ドットレーザ | 東大 | 日刊工業新聞 (2012年4月2日PP.18) | ウェハ融着法 しきい値を改善 Si基板 | 120 250 |
| 2012年 7月号 | 厚さ2μmの太陽電池 | 東大・墺ヨハネスケプラー大 | 日経産業新聞 (2012年4月4日PP.7) | 発電量40W/1m2 重さ4g 塗布技術で作製 エネルギー変換効率4.2% 電池0.5μm厚 基材含め1.9μm厚 PETフィルム厚さが約1.4μm 重さ4g | 250 120 |
| 2012年 7月号 | 室温で動作する単一光子源 | 阪大 産総研 | 日刊工業新聞 (2012年4月16日PP.17) 日経産業新聞 (2012年4月17日PP.9) | ダイヤモンドを用いたLED リンを添加したn層 ホウ素を添加したp層 純粋なダイヤモンドをi層 人工ダイヤモンド薄膜 室温動作 | 120 250 240 |
| 2012年 7月号 | 磁束が超電導細線を透過する新現象 | 理研 NEC | 日経産業新聞 (2012年4月19日PP.11) 日刊工業新聞 (2012年4月24日PP.23) | 酸化インジウム 量子ビット マイクロ波 コヒーレント量子位相スリップ(CQPS)効果 幅35nmのInOを仕切りとして置き 微弱な磁場を加えながらマイクロ波を当てる 電流標準 | 120 220 |
| 2012年 7月号 | Ge製量子ドットを使った発光デバイス | 東京都市大 | 日刊工業新聞 (2012年4月26日PP.24) | 通信波長帯で1500以上の高いQ値で発光 フォトニック結晶微小共振器をGe製の量子ドットと組み合わせ | 120 |
| 2012年 6月号 | レアメタル使用量を半減したディスプレイ用透明電極材 | 東北大 三井金属 | 日経産業新聞 (2012年3月1日PP.11) | ITO(酸化InSn)を50%含有に削減 150nm厚で抵抗率270 既存材料と2層構造 スパッタリングターゲット | 120 150 |
| 2012年 6月号 | レアメタルを含まない有機EL素子 | 九大 | 日経産業新聞 (2012年3月12日PP.9) | エキサイプレックス発光 発光効率5.4% 緑色に発光 | 120 250 150 |
| 2012年 6月号 | 低コストなグラフェン作製技術 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2012年3月19日PP.11) | 直径3nm・長さ20nmの円柱状のTiO2微粒子を利用 油に溶ける性質を付加可能 酸化グラフェンに超音波を30分当てた後紫外線照射 | 120 160 |
| 2012年 6月号 | 丈夫な超電導ナノワイヤ | 物材機構 東工大 | 日刊工業新聞 (2012年3月21日PP.15) | FeとAs・Ca等を原料 直径1μm以下のひげ状 -240℃で超電導状態 ワイヤ形状は0.2μm～0.5μm 長さ0.1mm～2mm 合金に近い性質 曲げても壊れない 反応ガスなどを輸送する大型機器が不要 | 120 |
| 2012年 5月号 | 高集積型の電子素子 | 産総研 東大 | 日経産業新聞 (2012年2月9日PP.11) | 強相関電子材料 CaMnO3を使った素子 10nm以下の微細加工でも高性能を維持 Caの一部をCeに置換 2mm四方のトランジスタを試作 | 220 120 |
| 2012年 5月号 | 半導体中の自由電子をテラヘルツ光で1000倍に増幅 | 京大 | 日刊工業新聞 (2012年2月15日PP.25) | GaAsの半導体試料で確認 テラヘルツ光を半導体に一兆分の一秒間照射 | 120 150 |
| 2012年 4月号 | 超電導状態になる炭素繊維 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2012年1月5日PP.11) | 5Kで1cm2あたり200万Aの電流を流せる 合成条件によって直径90nm～1μm 長さ3μm～数mm フラーレン | 120 220 |
| 2012年 4月号 | 圧電体結晶の伸縮・変形を100万分の1秒で計測 | 広島大 東大 高輝度光科学研究センター 理研 | 日刊工業新聞 (2012年1月11日PP.19) | SPring-8 | 120 150 |
| 2012年 4月号 | 光照射で磁石化する新材料 | 東大 | 日経産業新聞 (2012年1月12日PP.11) | Co・W・ピリミジンを組み合わせた材料 -225℃以下で波長785nmの光を当てると強い磁石になる 保持力27kOeで光ディスク材料の9倍 | 120 |
| 2012年 4月号 | 酸化物強誘電体を使った新型ReRAM | 産総研 | 日刊工業新聞 (2012年1月18日PP.21) | 電気分極反転 ビスマスフェライトを抵抗スイッチング層にして作製 100nsの電圧パルスで10^5回以上のデータ書き換えが可能 | 120 230 |
| 2012年 4月号 | シリコン中のスピン流を発生させることに成功 | 東北大 | 日経産業新聞 (2012年1月19日PP.11) | スピントロニクス | 120 |
| 2012年 4月号 | 三原色発光の無機EL | 産総研 | 日経産業新聞 (2012年1月20日PP.10) | ペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物を用いた素子 耐熱温度150℃ 赤色は20Vで10cd/m2 緑色は40Vで2cd/m2 青色は150Vで2cd/m2の輝度 Ca・Sr・Ti酸化物にEuを添加して赤発光 Tbを加えると緑発光 Sr・Sn・Ti酸化物にEuを加えて青発光 | 120 250 |
| 2012年 4月号 | 金が磁石の性質を持つことを発見 | 高輝度光科学研究センター 香川大 秋田大 北陸先端大 スペインのバスク州立大学 | 日経産業新聞 (2012年1月24日PP.10) | 金を5mm四方 厚さ5μmの反磁性状態の薄膜にして 円偏光X線を当て 電子スピンを検出 | 120 |
| 2012年 4月号 | 準粒子の存在を表す電子状態解明 | NTT JST | 日刊工業新聞 (2012年1月27日PP.27) | 非アーベリアン準粒子 トポロジカル量子計算への応用 NMR法により電子スピン状態を測定 | 120 |
| 2012年 4月号 | 単層CNTの色を電圧で制御 | 首都大 | 日経産業新聞 (2012年1月31日PP.1) | 10mm×10mm×数百nm厚 -3V印加で青から黄に変化 1000回繰り返し可能 CNT薄膜を水溶液に入れて電圧を加え変色 | 150 120 |
| 2012年 3月号 | ダイヤ分子結晶の紫外線発光技術 | 東工大 米スタンフォード大 | 日経産業新聞 (2011年12月6日PP.10) | 波長230nm以下の紫外線を当てて300nmの紫外線を出す 面発光が可能になる | 120 150 |
| 2012年 3月号 | 絶縁体基板にグラフェンが吸着する機構を解明 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年12月7日PP.25) | 特定の電子構造を持つSiO2上にグラフェンが強く吸着 | 160 120 |
| 2012年 3月号 | ReRAMのデータ記憶性能劣化を抑える方法 | パナソニック | 日刊工業新聞 (2011年12月8日PP.1) | 酸化膜内で移動する酸素の量を制御 256kbのデータを10年間保存 | 120 230 |
| 2012年 3月号 | 3層CNTを使ったレアメタル不要なリチウム電池 | 東大 米マサチューセッツ工科大 | 日経産業新聞 (2011年12月9日PP.10) | 正極に3層構造のナノチューブ 表面をカルボニル基で化学修飾 電圧1.5～4.5V 1000回以上充放電可能 | 120 250 |
| 2012年 3月号 | CNTをフィルム基板上に200℃で合成 | 静岡大 | 日刊工業新聞 (2011年12月21日PP.25) | CVD法 ポリイミドフィルム グラフェン層でニッケルを包んだ特殊な触媒微粒子 アンモニアプラズマ アンモニアとメタンの混合ガス 直径10～50nm 長さ1μm以上 | 120 160 |
| 2012年 3月号 | ホランダイト型クロム酸化物の構造を解析 | 千葉大 東大 高エネルギー加速器研究機構 | 日刊工業新聞 (2011年12月27日PP.18) | 強磁性のまま絶縁体の酸化物 -178℃で絶縁体に変化 | 120 |
| 2012年 3月号 | フラーレンナノウィスカー(FNW)を超電導体に | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年12月28日PP.16) | しなやかで軽い新しい超電導素材の開発 平均長さ4.4μm 平均直径0.5μm FNWにカリウムを加え200℃で1日加熱 | 120 160 |
| 2012年 2月号 | 磁気素子の構造を簡素化して記録密度を向上したHDD | 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年11月1日PP.10) | 厚さ2nmの銀薄膜を厚さ4nmのホイスラー合金薄膜で挟んだ3層構造 5Tb/in2 6層以上必要だった薄膜を3層に減らせる 厚さ10nm ホイスラー合金 | 230 120 |
| 2012年 2月号 | 原子1層で超電導状態 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年11月4日PP.8) | Si基板上にIn原子1層の平坦な薄膜を作製 2.8Kで電気抵抗がゼロ | 120 |
| 2012年 2月号 | グラフェンを金属性と半導体性に作り分け | 東北大 | 日刊工業新聞 (2011年11月16日PP.27) 日経産業新聞 (2011年11月16日PP.7) | Si基板上に単結晶SiC薄膜を成長させ真空状態で加熱 面が斜めだと半導体性 水平・垂直面だと金属性 モノメチルシランの圧力を調整 | 120 160 |
| 2012年 2月号 | 光通信並みの速さの無線通信素子 | 阪大 ローム | 日刊工業新聞 (2011年11月22日PP.8) 日経産業新聞 (2011年11月22日PP.10) | 300GHz 1.5×3.0mmの半導体基板 1.5Gbps伝送 トンネル効果 縦1cm 横2cmの大きさの素子 テラヘルツ波の送受信 | 240 120 340 440 |
| 2012年 1月号 | 電気の流れやすさ3倍のCNT | 早大 アルプス電気 | 日経産業新聞 (2011年10月4日PP.9) | 直径1.4nmの単層CNT テトラフルオロ・テトラシアノ・キノジメタンと呼ばれる有機分子の溶液を滴下して吸着 電気抵抗が62.5%減少 | 120 |
| 2012年 1月号 | 有機ELの発光材料が円偏光でらせん構造に | 北大 | 日刊工業新聞 (2011年10月6日PP.22) | フィルム状のPDOF(ポリジオクチルフルオレン) 鎖状の高分子化合物 光源はキセノンランプの他太陽光でも効果を確認 | 120 |
| 2012年 1月号 | 右・左巻き分離可能ならせん型CNT合成 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2011年10月12日PP.21) | クリセン分子4つを環状につなげる 合成時にコレステロール添加 | 120 160 |
| 2012年 1月号 | 量子メモリーの原理実験に成功 | NTT 阪大 国立情報学研 | 日刊工業新聞 (2011年10月13日PP.21) 日経産業新聞 (2011年10月13日PP.11) | 量子もつれ振動を制御 量子メモリー ダイヤモンド基板と超電導の量子ビットを組み合わせたハイブリッドの量子状態 | 220 230 120 |
| 2012年 1月号 | 相変化メモリーが常温で巨大磁気抵抗効果 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年10月17日PP.19) | Ge-Te合金とSb-Te合金の薄膜を配向軸をそろえて積層 超格子型相変化膜 室温から約150℃で200%超の磁気抵抗効果 MRAM | 120 230 |
| 2012年 1月号 | 室温下で磁性金属の磁力を電気的にスイッチ | 京大 | 日刊工業新聞 (2011年10月18日PP.23) | 強磁性状態と常磁性状態を切替 Coの超薄膜 | 220 120 |
| 2012年 1月号 | 色素増感型太陽電池向けの新色素 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年10月20日PP.19) | 変換効率10.7% フェニルピリミジナト 従来のブラックダイと比べて近赤外光を5倍以上吸収 | 120 250 |
| 2012年 1月号 | 1原子層のみのスピン分析に成功 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年10月20日PP.11) | スピン偏極Heイオンビーム スピンのバランスをわざと偏らせる | 120 660 |
| 2011年12月号 | 導電率30のゴム | 単層CNT融合新材料研究開発機構 | 日経産業新聞 (2011年9月9日PP.10) | CNT | φ3nm 長さ数100μm 2倍に延ばしても導電性維持 120 |
| 2011年12月号 | グラフェンの構造制御技術 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2011年9月20日PP.9) | 多孔質素材 1μmのポリスチレン微粒子の表面にグラフェンを吸着させ クロロホルムの溶液に浸すと中空部分が規則的に並ぶ素材が生成 | 120 160 250 |
| 2011年12月号 | ゲルマニウム酸化物を使った透明な電子伝導体 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2011年9月20日PP.18) | SrGeO3を使用 | 150 120 |
| 2011年12月号 | 量子ドット間の電子移動に成功 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年9月22日PP.23) | 3μmを数nsで移動 GaAsの半導体中に3μmの距離を空け量子ドットを2つ作り電子の通り道でつなげた 表面弾性波 | 120 |
| 2011年12月号 | 新しい鉄系超電導物質 | 岡山大 | 日経産業新聞 (2011年9月26日PP.11) | 臨界限界38K | Fe-Pt-As-Ca化合物 超電導層とスペーサ層を積層 120 |
| 2011年12月号 | Ge製基板作製技術 | 産総研 住友化学 | 日刊工業新聞 (2011年9月28日PP.20) | Geの単結晶層(10mm×10mm)をSi・ガラス・プラスチックなどの基板に転写できる | 120 160 |
| 2011年11月号 | Liイオンの伝導率が4倍の固体新素材 | 東工大 トヨタ | 日経産業新聞 (2011年8月1日PP.5) | Li・Ga・P・Sの原子が10:1:2:12の比で構成される 室温でのイオン伝導率12 | 120 250 |
| 2011年11月号 | 新しい量子状態を作り出すことに成功 | NTT 京大 | 電波タイムズ (2011年8月3日PP.1) | 結晶の中に極低温の原子気体 イッテルビウム | 110 120 |
| 2011年11月号 | グラフェンを化学合成する手法 | 名大 | 日経産業新聞 (2011年8月16日PP.5) | クロスカップリング反応 ナノグラフェン パラジウムを含む触媒 ジグザグ型 | 120 |
| 2011年11月号 | 耐熱210℃の有機導電性材料 | 東工大 | 日経産業新聞 (2011年8月25日PP.11) | 電子移動度3.6 BTBTを改良した材料 大気中で基板に塗布し薄膜作成 | 120 |
| 2011年10月号 | 絶縁体に電子を溶かして導体を生成 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2011年7月1日PP.21) | 1600℃の絶縁体 液体金属 ガラス半導体 普通の透明ガラスと比べて数桁以上の電導度 | 120 |
| 2011年10月号 | 熱で情報を入力する新現象 | 産総研 オランダ基礎科学財団 | 日刊工業新聞 (2011年7月5日PP.22) | ゼーベック・スピントンネル現象 熱を利用して磁性体の電子スピンが持つデジタル情報をSi中に入力 | 230 120 |
| 2011年10月号 | 圧力に比例して発光する蛍光物質 | 兵庫県立工業技術センタ | 日刊工業新聞 (2011年7月6日PP.22) | マンガン付活硫化亜鉛 微量のGa 圧力変換によりオレンジ色に発光 | 120 |
| 2011年 9月号 | 超音波を使ったスピンの長時間制御技術 | NTT 東北大 独ポールドルーデ研 | 日経産業新聞 (2011年6月2日PP.11) | 半導体中の複数のスピンの向きを揃えたまま約40μm移動 超音波がない場合と比べて100倍以上の移動距離 | 120 |
| 2011年 9月号 | 光を当てると磁石になる新素材 | 東大 | 日経産業新聞 (2011年6月8日PP.8) | Feイオンが有機分子の間に入り込んだ構造 青い光が当たるとFeイオンの向きがそろい磁石の性質を持つようになる スピンクロスオーバー | 120 |
| 2011年 9月号 | 大電流・高電圧に対応するGaN半導体 | 名工大 | 日刊工業新聞 (2011年6月8日PP.22) 160 (260年0月0日) | 耐電圧1800V | 移動度3000cm2/Vs 膜厚9μm NH3とトリメチルアルミニウムを用いたAlNとGaNによるバッファ層 220 120 |
| 2011年 9月号 | コバルトで超電導材料 | 東工大 | 日経産業新聞 (2011年6月10日PP.10) | La Co Bからなる材料 -269℃で電気抵抗ゼロ | 120 |
| 2011年 9月号 | 待機電力0のメモリー | 東北大 NEC | 日経産業新聞 (2011年6月14日PP.9) | スピントロニクスを使う不揮発性メモリー | 230 120 |
| 2011年 9月号 | MRAMにかかる歪みを制御し性能向上 | 超低電圧デバイス技術研究組合 | 日刊工業新聞 (2011年6月15日PP.19) | ビラリ効果 低消費電力 | 230 120 |
| 2011年 9月号 | スピン偏極を持つ電子材料 | 東大 理研 広島大 高エネルギー研 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年6月20日PP.17) | 結晶構造に生じる電気的偏りを持つ半導体ビスマス・テルル・ヨウ素の単結晶 | 120 |
| 2011年 9月号 | 記憶も忘却もする新素子 | 物材機構 米カリフォルニア大ロサンゼルス校 | 日経産業新聞 (2011年6月27日PP.9) | イオンや原子の動きを制御して働く原子スイッチを応用したシナプス素子 素子サイズ縦横50nm 電極間1nmの隙間 僅かな電圧操作で材料のAg2Sから銀原子が析出し隙間の接続強度を調節 | 120 230 |
| 2011年 9月号 | スピンを簡単に注入する技術 | 東北大 | 日経産業新聞 (2011年6月28日PP.9) | 低消費電力 素材の中のスピンを動かす | 120 |
| 2011年 8月号 | 導電・絶縁切替可能な液晶素子 | 山梨大 パイオニア | 日経産業新聞 (2011年5月19日PP.11) | 導電性液晶の層(厚さ200nm)をAl電極層とITO電極層で挟んだ構造 電圧を加えずに瞬間加熱200℃で導電性になる 10～30Vの電圧を加えて瞬間加熱で絶縁性になる | 230 250 120 |
| 2011年 8月号 | 室温で低消費電力な半導体素子
・14と一つにまとめ | 東大 東北大 ファインセラミックスセンター | 日経産業新聞 (2011年5月27日PP.11) | 電子のスピンによる磁石の向きを電圧で制御 電流は通常の1億分の1 La Alの酸化物基板上に微量のCoを添加したTiO2で素子を作成 | 220 120 |
| 2011年 8月号 | 単分子デバイス回路配線技術 | 物材機構 JST スイスベーゼル大 独ユーリヒ総合研究機構 米カルフォルニア大 | 日刊工業新聞 (2011年5月9日PP.16) | 有機分子を配線 機能性有機分子フタロシアニン 3～4Vを加えて形成する | 120 160 |
| 2011年 7月号 | 鉄系超電導体の電子対結合の第3の機構発見 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年4月8日PP.19) | 電子対を結び付ける働きをする「のり」 格子振動 スピン 高分解能レーザ光電子分光装置 | 120 |
| 2011年 7月号 | 分子1個で高速演算が可能な光技術 | 分子科学研・自然科学研究機構 | 日刊工業新聞 (2011年4月11日PP.17) | 分子コンピュータ 赤外レーザパルスを分子に当てる 0.1ps間隔 分子1個中の異なるエネルギー状態の波動関数の干渉 10兆分の1秒間隔で光る高強度の赤外レーザパルスを当てる | 120 |
| 2011年 7月号 | ポジトロニウムから電子分離 | 東京理科大 高エネルギー加速器研究機構 宮崎大 東大 | 日刊工業新聞 (2011年4月12日PP.21) 日経産業新聞 (2011年4月28日PP.11) | 光脱離 ポジトロニウム負イオンにレーザ照射 ポジトロニウムビーム | 120 |
| 2011年 7月号 | 「シュレーディンガーの猫」量子操作使い実証 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年4月15日PP.21) | 量子もつれ状態 量子テレポーテーション 位相が反転した光の波動の重ね合わせとして表現 | 120 |
| 2011年 7月号 | 待機電力1/100の無線LAN対応LSI | 東芝 | 日刊工業新聞 (2011年4月21日PP.21) | 90nmのCMOSプロセスで試作したLSIで待機電力7μW LSI全体の消費電力を35.2mWから0.28mWへ削減 | 120 |
| 2011年 7月号 | 高電圧高耐久のシート型全固体電池 | 電力中央研 | 日経産業新聞 (2011年4月25日PP.11) | フィルム状の有機高分子 100mm角 厚さ0.3mm 12V出力で400mWh 電解質にフィルム状のポリエーテル系高分子を使用 縦横10cm^2 充放電を300回繰り返し可能 | 250 120 |
| 2011年 6月号 | GaMnAs半導体の強磁性発現の構造発見 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年3月3日PP.22) | 共鳴トンネル分光法 フェルミ準位の位置を解明 | 120 |
| 2011年 6月号 | 有機半導体薄膜の高精度作製技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2011年3月9日PP.7) | 真空装置不要 液晶状態で塗布 BTBT 電子移動度約3 | 120 160 |
| 2011年 6月号 | 容量4倍の蓄電池 | 村田製作所 本田技研 | 日経産業新聞 (2011年3月15日PP.1) | ルベアン酸 正極材料1kgあたり約600Ah | 120 250 |
| 2011年 6月号 | スピン軌道相互作用の大きさを精密に決定 | 北大 NTT | 日刊工業新聞 (2011年3月21日PP.9) | In・Ga・Asをベースとした半導体の量子井戸構造 バンドエンジニアリング 半導体内の電子スピンをトランジスタのゲート電極で制御 | 120 |
| 2011年 5月号 | 円偏光発光素子 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年2月2日PP.21) | 人工キラル周期構造 InAs製の量子ドットを埋め込み | 120 220 |
| 2011年 5月号 | レアアースの磁性機構を解明 | 分子研 広島大 | 日刊工業新聞 (2011年2月3日PP.24) 日経産業新聞 (2011年2月10日PP.11) | Ce・Os・Alの化合物で実験 29Kで強い磁性と電荷密度波が同時に現れる | 120 |
| 2011年 5月号 | 反強磁性と超電導が共存する構造の新材料 | 東工大 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年2月3日PP.11) 日刊工業新聞 (2011年2月3日PP.24) | Ce・Ni・Bi層と電気抵抗のある常電導で反強磁性 有効質量が超電導層で1に対し常電導層で400 4.2K以下で超電導を観測 | 120 220 |
| 2011年 5月号 | 室温で安定動作する単一電子素子 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年2月16日PP.9) | Si基板のうえにSiO2とAl2O3の薄膜を重ねた 薄膜間にフタロシアニンやフラーレンなどの分子 7℃で動作 | 120 230 |
| 2011年 5月号 | FF回路の素子を減らし省電力化 | 東芝 | 日経産業新聞 (2011年2月23日PP.7) | 基本素子のトランジスタ数24個から22個 | 220 120 |
| 2011年 4月号 | 低電力で磁場を制御可能な現象を常温でも発見 | 東大 JST 物材機構 理化学研 | 日経産業新聞 (2011年1月4日PP.10) | 鉄合金内にnmの磁気の渦巻き スキルミオン結晶 磁気メモリーの低電力化 2℃で確認 | 120 230 |
| 2011年 4月号 | 電子対の量子もつれをナノテクで定量測定 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年1月20日PP.24) | 量子テレポーテーション 2つの超電導体の先端に2本のナノワイヤをつないだデバイスを作製 | 120 |
| 2011年 4月号 | Si半導体中の量子もつれを生成・検出 | 慶応大 英オックスフォード大 | 日刊工業新聞 (2011年1月20日PP.24) 日経産業新聞 (2011年1月24日PP.11) | エンタングルメント リン原子核のスピンとそこに捉えられている電子のスピンをそれぞれ量子ビットとする Si原子1個で演算処理 温度20K | 120 |
| 2011年 4月号 | テラヘルツ波磁場パルスを使ってスピンを高速制御 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年1月25日) | イットリウムオルソフェライトを試料 パルス幅0.3ps スピントロニクス素子 | 120 660 |
| 2011年 4月号 | 高温超電導を利用した安価な微弱磁気センサ | 国際超電導産業技術研究センター(ISTEC) | 日経産業新聞 (2011年1月28日PP.10) | 超電導量子干渉素子(SQUID)センサ 77Kの液体窒素で冷却 10fTを検出可能 | 210 120 |
| 2011年 3月号 | 色素増感型太陽電池向け白金の代替素材 | 産総研 | 日経産業新聞 (2010年12月6日PP.11) | 白金(Pt)と同等の光電変換効率 変換効率4.77% 多層CNT・イミダゾール系イオン液体・導電性高分子 | 120 250 |
| 2011年 3月号 | 1基板で多色の発光が可能なLED | 東大 | 日経産業新聞 (2010年12月7日PP.10) | マスクを使ってGaN結晶の成長範囲を制御 青と緑の発光 1つの基板上で場所によって色や濃淡が異なる | 120 250 160 |
| 2011年 3月号 | GaN基板の低価格量産技術 | 三菱化学 米カルフォルニア大 | 日経産業新聞 (2010年12月8日PP.1) | コスト1/10 液相法 サファイア基板の1/3の電力で出力3倍 緑色レーザ | 120 |
| 2011年 3月号 | テラヘルツ波で電子スピンの磁力線状態を制御する技術 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年12月8日PP.7) | 磁性材料はイットリウム・鉄酸化物(Y3Fe5O12) 3.3ps周期の回転する磁力線 0.3ps間隔で振幅を制御 | 120 |
| 2011年 3月号 | 電流漏れの少ないトランジスタ絶縁膜 | 産総研 | 日経産業新聞 (2010年12月22日PP.7) | ハフニウム化合物の絶縁膜 電流漏れがSi酸化膜比1/100万 | 120 160 |
| 2011年 3月号 | 48個のベンゼン環を連結した分子バネを合成 | 理研 | 日刊工業新聞 (2010年12月15日PP.22) | ベンゼン環3つを1巻きとした螺旋構造 銅原子を使ってベンゼン環同士を緩く結合させたあとに直接連結 | 120 |
| 2011年 3月号 | CNT内で光化学反応 | NEC 海洋研究開発機構 | 日刊工業新聞 (2010年12月27日PP.1) | スーパコンピュータ 計算機シミュレーション 地球シミュレータ HC1 強度の高いかご状CNTを試験管に見立てる フェムト秒レーザ | 120 160 620 |
| 2011年 2月号 | 炭素系ナノテク活用の高速有機トランジスタ | 阪大 山形大 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2010年11月1日PP.11) | C60と呼ぶフラーレン薄膜 Al 色素の各層を挟んだ構造 400kHzで高速応答 従来の5倍以上の電流を流せる | 120 220 |
| 2011年 2月号 | 透明な高周波デバイス作成技術 | 物材機構 太陽誘電 | 日刊工業新聞 (2010年11月4日PP.21) | 微細な金属配線と酸化物の透明誘電体からなるハイブリッド素子 | 120 250 |
| 2011年 2月号 | グラフェンを直接合成 | インキュベーション・アライアンス 大分大 | 日刊工業新聞 (2010年11月5日PP.1) | 高速化学気相成長(CVD) 大きさ約10μm 厚さ2.1nm 7層構成 | 120 |
| 2011年 2月号 | SiGe製光スイッチ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2010年11月9日PP.25) | Si上に約500nm×約200nmのSiGe製の細線構造 光スイッチ素子の大きさ0.4mm×50μm 動作電力1.5mW 動作可能な波長範囲1520nm～1565nm | 120 240 |
| 2011年 2月号 | 超電導薄膜を高速に作製できる技術 | 吉野 | 日経産業新聞 (2010年11月10日PP.9) 日刊工業新聞 (2010年11月11日PP.21) | MgB2超電導膜 臨界温度39K 材料の微粒子をガスに分布 エアロゾル・デポジション法 従来の100倍の速さで作製可能 | 120 160 |
| 2011年 2月号 | 高分子の自己組織化を利用してHDD容量8倍 | 日立 東工大 京大 | 日経産業新聞 (2011年11月26日PP.10) | ビットパターンメディア 1in2あたり3.9兆個の微細な磁性粒子の集まりを作れる | 120 230 |
| 2011年 2月号 | 半導体薄膜を従来より200℃低く結晶化する手法 | 兵庫県立大 | 日刊工業新聞 (2010年11月26日PP.1) | プラスチック基板 420～580℃で結晶化 | 120 250 |
| 2011年 2月号 | 世界最高の移動度を持つ有機トランジスタ | 物材機構 広島大 | 日刊工業新聞 (2010年11月30日PP.32) | 新開発の溶液プロセス 移動度が9倍以上に向上 | 120 250 |
| 2011年 1月号 | スピンの量子引きこもり現象の構造解明 | 東工大 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2010年10月6日PP.21) | 籠目格子反強磁性体 フッ化ルビジウム銅スズ 電子スピン対のシングレット状態が風車のように配列した構造 | 120 |
| 2011年 1月号 | 電子移動度がSiの10倍の新素材 | 東工大 | 日経産業新聞 (2010年10月11日PP.5) | グラフェンより加工が容易 セレン原子が並んだ3層の間にビスマス原子が入った5層構造 ファンデルワールス力 | 120 |
| 2011年 1月号 | CNT利用の安価な高性能トランジスタ | 名大 | 日経産業新聞 (2010年10月21日PP.11) | Si薄膜の代わりに直径1.5nm 長さ1μmのCNTを敷き詰める 縦横1cmのTFTを試作 厚さ0.5mmの基板上に2～3nmのCNT薄膜を塗布オンオフ比が最大1000万 | 120 220 |
| 2011年 1月号 | 吸収波長が広い太陽電池向け増感色素 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2010年10月25日PP.1) | 350～1000nmの波長を吸収 変換効率6.3% | 250 120 |
| 2011年 1月号 | 容量3割増のLiイオン電池用負極材 | 産総研 石原産業 | 日経産業新聞 (2010年10月26日PP.9) | 水素を含むチタン酸化物 酸化物1gあたりの充放電容量は約225mAh | 120 250 |
| 2011年 1月号 | 厚さ10nmの薄膜を使用した強誘電体 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2010年10月27日PP.21) | 酸化物ナノシート2種積層 | 120 |
| 2011年 1月号 | ナノ空間で多電子制御 | 物材機構 北大 | 日刊工業新聞 (2010年10月29日PP.29) | 直径10nmの半導体量子ドット 複数の電子を閉じ込めナノ空間の多電子状態を制御 液滴エピタキシー法 GaAs量子ドット イオン化励起子と呼ぶ3つの粒子の複合状態の観測に成功 | 120 |
| 2011年 1月号 | 酸化亜鉛使用の高速電子素子 | 東大 東北大 東工大 ローム | 日経産業新聞 (2010年10月29日PP.9) | 厚さ0.8μmのZnO単結晶TFT 分数量子ホール効果 電子移動度がSiの約10倍の可能性 | 220 120 |
| 2010年12月号 | ネオジム磁石の保持力向上新技術 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2010年9月2日PP.21) | ネオジム(Nd)-銅合金 ジスプロシウム(Dy)不要 | 120 |
| 2010年12月号 | 3倍明るい緑色蛍光体 | 新潟大 | 日経産業新聞 (2010年9月7日PP.11) | バリウム ユーロピウムのケイ酸塩 セラミック粒子の大きさ数十μm 光の吸収率が約3割向上 明るさ2.6倍 高温で一酸化ケイ素を気化して粒子を成長 | 120 |
| 2010年12月号 | 伸び縮みする導電性材料 | BMS 住化バイエルウレタン 阪大 | 日刊工業新聞 (2010年9月9日PP.9) | 水性ポリウレタンと金属粒子の分散技術 7倍の長さに伸ばしても導電性あり | 120 |
| 2010年12月号 | 分解能を10倍以上のスピン分解光電子分光装置 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2010年9月11日PP.13) | スピントロニクス 物質の電子状態をスピンに分解 | 120 |
| 2010年12月号 | 発電効率45%超を実現する太陽電池向け新素材 | 東大 シャープ | 日経産業新聞 (2010年9月29日PP.13) | 多接合 厚み3nmのInGaAsの膜と原子1個分の厚みのInGaPの膜を交互に60個積み重ねる 量子井戸効果 多接合タイプ太陽電池 | 120 250 220 |
| 2010年12月号 | 個々の原子が情報保持可能な時間の計測に成功 | 米IBM | 日刊工業新聞 (2010年9月29日PP.28) | STMによるポンプ・プローブ測定 ナノ秒レベルで計測可能 | 120 660 |
| 2010年11月号 | 光を吸収する金属材料 | 名大 九大 | 日経産業新聞 (2010年8月10日PP.10) | タングステン 厚さ数10～数100nmの繊維状の突起が密集した構造 波長0.4～1.5μmの光を当てると98%以上は金属に取り込まれる | 120 |
| 2010年11月号 | 電気変換できる赤外線の波長帯を広くしたSi太陽電池 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年8月17日PP.10) | Si表面に大きさ100nm深さ550nmの穴 縦横100nmの間隔で穴をあける 近接場光 波長0.35～1.5μmの範囲で電気が得られた | 120 250 |
| 2010年11月号 | グラフェン上の電子移動速度を改善した新基板 | 物材機構 米コロンビア大 韓国成均館大 | 日経産業新聞 (2010年8月24日PP.9) | 六方晶BNを基板に使用 グラフェンと似た層状構造で表面が原子レベルで平ら ガラス基板と比べて速度が10倍 | 120 |
| 2010年11月号 | 誘電率200以上を実現する小型薄膜コンデンサ
・10とあわせて1件 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2010年8月25日PP.24) | チタン酸バリウム系の薄膜と比べ大きさ1/20 容量10倍以上 厚さ1.5nmで横幅約10μm | 120 220 |
| 2010年10月号 | 積層チップ間無線通信の消費電力抑制 | 慶応大 | 日経産業新聞 (2010年7月1日PP.12) | 磁気結合を応用 1bあたり100兆分の1ジュール以下 データ通信速度1Gbps 送受信部の大きさ0.01mm2 消費電力1/1000 | 120 220 |
| 2010年10月号 | FPC基盤の誘電率を60%低下 | 京大 | 日刊工業新聞 (2010年7月6日PP.22) | 厚さ100nm～1μmの楕円形細孔をポリイミドに多数作成 | 120 |
| 2010年10月号 | 情報を暗号化する素子 | 北大 浜松ホトニクス NTT 東京理科大 | 日経産業新聞 (2010年7月8日PP.12) | p型InPにn型のInGaAsやニオブを積層 ニオブ層の厚さ80nm 光子対 量子もつれ合い状態 | 120 220 |
| 2010年10月号 | 3.5nmの極小超電導体を作製 | 産総研 米オハイオ大 | 日刊工業新聞 (2010年7月21日PP.27) | 8個の有機分子でできた超電導分子構造体 (BETS)2GaCl4 分子が鎖状に積層下構造 | 120 |
| 2010年 9月号 | 絶対零度でも電子スピンが継続する特殊構造物質 | 京大 理研 | 日経産業新聞 (2010年6月4日PP.11) | 超電導 三角形に並んだ特殊な分子構造 炭素 水素 パラジウム | 120 |
| 2010年 9月号 | グラフェンで論理回路を形成 | 物材機構 筑波大 | 日経産業新聞 (2010年6月24日PP.12) | インバータ機能のグラフェン素子を試作 電圧ゲイン7以上 2V以下の低電圧で動作 | 120 220 |
| 2010年 9月号 | 光による量子ホール効果を確認 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年6月29日PP.11) | GaAs AlGaAsを張り合わせた試料 -270℃に冷やし4～6テスラの磁力を加え波長0.15～0.6mmのテラヘルツ波を当てる | 120 |
| 2010年 8月号 | 超電導の人工原子を組み込んだ量子光学素子 | 理研 NEC | 日刊工業新聞 (2010年5月11日PP.22) | 超電導量子ビット 巨視的量子散乱などの量子光学現象 | 120 220 |
| 2010年 8月号 | 半導体上に原子積み上げてナノ構造を作成 | NTT 独ポール・ドルーデ研 | 日刊工業新聞 (2010年5月12日PP.1) | In原子を1個ずつ積み上げ STMの金属製プローブ nm寸法の構造 InAs基板 | 120 160 |
| 2010年 8月号 | 2インチm面GaN基板作成に成功 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2010年5月17日PP.1) | 高輝度LED 結晶の成長方向を制御 | 120 250 |
| 2010年 8月号 | Cs添加フラーレンが超電導状態となる条件解明 | 高輝度光科学研 理研 英リバプール大 | 日経産業新聞 (2010年5月20日PP.13) | 面心立方構造でも-238℃で超電導状態 特定の電子状態で超電導となる | 120 |
| 2010年 8月号 | テレビ向け新液晶材料 -明滅間隔を10倍高速化- | 九大 チッソ石油化学 日油 | 日経産業新聞 (2010年5月21日PP.9) | 分子の並び方を工夫 色フィルタ不要 バックライト消費電力1/3 高分子安定化ブルー相(PSBP) 1/1000秒以下で液晶分子の向きを制御 40Vで駆動 直径100nmの円柱 | 120 250 |
| 2010年 8月号 | 発光効率100%に近づける緑色LED | 京大 | 日本経済新聞 (2010年5月24日PP.13) | フォトニック結晶 InGaN 波長500nm 効率従来比2～3倍 | 250 120 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットで発光素子 | 東京都市大 | 日経産業新聞 (2010年5月25日PP.9) | Ge 円形構造 層内を円周方向に進み強め合う | 120 250 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットを300層積層した半導体レーザ | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2010年5月26日PP.23) 日経産業新聞 (2010年5月27日PP.13) | 温度調整装置が不要 80℃までの高温域で波長1.55μmでレーザ発振成功 | 120 250 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットを使用した低消費電力レーザ発振素子 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年5月31日PP.12) | Si基板上で微少なレーザ光を発振 InAsでできた直径20nmの「量子ドット」 長さ1mm・幅60μm・厚さ0.3mmの棒状素子 | 120 250 |
| 2010年 7月号 | グラフェン薄膜を半導体上に作製する技術 | 日立 東北大 東洋大 | 日経産業新聞 (2010年4月8日PP.12) | 800℃の加熱条件に設定した熱CVD(化学気相成長)法で作製 厚さ30nm 幅約3μmのアルミナ薄膜 | 120 |
| 2010年 7月号 | 真空で軌道角運動量を持つ電子 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2010年4月16日PP.19) | 素粒子 真空中 らせん状の構造の黒鉛 電子の波面構造を制御 | 120 |
| 2010年 7月号 | 太い単層CNTの製法 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年4月19日PP.12) | CNTが伸びながら太さを増す アルミナ材料の表面に直径2nmのてる粒子をまき700℃に加熱 鉄粒子が集まりCNTが成長 根幹部分直径5nm 先端部分の直径1.7nm | 160 120 |
| 2010年 7月号 | 鉄系高温超電導体の電子構造を詳細分析 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2010年4月23日PP.22) 日経産業新聞 (2010年4月23日PP.9) | 磁性関与 クーパー対の構造を実験的に決定 電子のさざなみ | 120 |
| 2010年 6月号 | A-Si製のTFTと同程度の移動度とON/OFF比を実現したCNTトランジスタ | 名大 | 日本経済新聞 (2010年3月1日PP.13) | 太さ1.2nm 長さ200nm 鮭の精子から抽出したDNA 電気の流れやすさ1000倍 | 120 220 |
| 2010年 6月号 | 有機系超電導物質の合成に成功 | 岡山大 北陸先端大 首都大東京 群馬大 | 日経産業新聞 (2010年3月4日PP.12) | 臨界温度20K ピセン分子とカリウム原子を1対3の割合で混ぜる 直径数10μmの微粒子 | 120 |
| 2010年 6月号 | フラーレン薄膜に190Tbpiの高密度記録 | 物材機構 阪大 | 日経産業新聞 (2010年3月8日PP.12) | ハードディスクの1000倍 Si基板上にフラーレン分子3個分の薄膜 金属針を1nm未満に接近させ電圧を印加 結合・非結合の状態で「1」「0」を表現 記録速度1kbs | 120 230 |
| 2010年 6月号 | 絶縁体を使った電気信号伝送 | 東北大 慶応大 | 日経産業新聞 (2010年3月11日PP.12) | 電子のスピン波 磁性ガーネット結晶 1mm離れた先に伝送 | 120 |
| 2010年 6月号 | 8nmの太さの単層CNT実現 | 東洋大 立山マシン | 日刊工業新聞 (2010年3月24日PP.1) | プラズマ化学気相成長(CVD)法 プラズマを基板へ均一照射 | 120 160 |
| 2010年 6月号 | 電子質量「ゼロ」の物質 | 東北大 | 日経産業新聞 (2010年3月25日PP.13) | 低温下で見かけ上の電子の質量がゼロ バリウム・鉄・ヒ素からなる化合物 ディラックコーン | 120 |
| 2010年 5月号 | Si基板でLED | 北大 | 日経産業新聞 (2010年2月10日PP.11) | Si基板上に太さ100nmのGaAsの細いワイヤを垂直に立てる ワイヤの長さを1～2μmに変えて間隔を調整すると違う波長の光を出力可能 | 120 250 |
| 2010年 5月号 | ZnO透明電極を用いた20インチ液晶テレビ試作 | 高知工科大 | 日刊工業新聞 (2010年2月11日PP.14) | 酸化インジウム スパッタ成膜 薬液耐性技術 約3μmの微細なウェット加工 | 120 250 160 |
| 2010年 5月号 | LSIの駆動電圧を3割低減する誤動作防止技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (2010年2月15日PP.12) | 駆動電圧を0.7Vへ下げた場合にSRAMの動作不良が起きる割合を従来の1/10000に抑えた | 120 |
| 2010年 5月号 | CNT内にダイヤ型触媒 | 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2010年2月16日PP.22) | 液相一段合成法 金属錯体触媒 アルコール アルゴンガス 抵抗加熱で約800℃ 太さ50nm前後 | 120 160 |
| 2010年 5月号 | 細い線状の太陽電池 | イデアルスター 金沢大 静大 東北大 東京理科大 慶応大 九産大 | 日経産業新聞 (2010年2月18日PP.1) | 直径0.8mm厚さ約500nmの電池 光を電気に変換する効率は3% 長さ5cmの細線を試作 フラーレン | 250 120 |
| 2010年 5月号 | 電子の見かけの質量を1000倍に | 京大 名大 | 日経産業新聞 (2010年2月19日PP.11) 日刊工業新聞 (2010年2月19日PP.20) | 大気の1/10兆の真空状態 特殊な基板にセリウム・インジウム・ランタンなどを蒸着 薄膜の厚さ約300nm 縦横1cm ほぼ絶対零度 分子線エピタキシー 電子を平面上空間に閉じ込める | 120 |
| 2010年 5月号 | 人工原子1個でレーザ光を出す半導体 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年2月22日PP.10) 日刊工業新聞 (2010年2月16日PP.22) | 直径100nmの穴を10個開けた厚さ160nmのGaAs半導体薄膜 中央に直径20～25nm厚さ2～3nmのInAsの人工原子を埋め込む 波長917nm フォトニック結晶体 ナノ共振器 | 120 250 240 |
| 2010年 5月号 | 蓄電容量2～3割アップのコンデンサ添加原料 | 宇部マテリアルズ | 日経産業新聞 (2010年2月25日PP.1) | 炭酸ストロンチウムを2～3%添加 積層セラミックコンデンサ | 120 |
| 2010年 4月号 | CNTを酸化させ表面積1.7倍に | 産総研 | 日経産業新聞 (2010年1月5日PP.11) | 単層CNTを高温で酸化 先端や側壁に微細な穴開け エネルギー密度約1.5倍 パワー密度2.8倍 2240m2/g | 120 160 |
| 2010年 4月号 | CNTを高純度に分離する技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2010年1月5日PP.22) | アガロース コストが従来の1/10以下 分離後のCNTが半導体型95% 金属型90% | 120 |
| 2010年 4月号 | インジウム代替電極材 | 神奈川科学技術アカデミー 旭硝子 | 日経産業新聞 (2010年1月21日PP.12) | 二酸化チタン ニオブ スパッタリング 酸化インジウムすず ITO レアメタル 300～400℃で加熱処理 | 120 |
| 2010年 4月号 | CNTの電気特性測定技術 | 九大 | 日経産業新聞 (2010年1月26日PP.11) | エネルギー準位 バンドギャップ フォトルミネッセンス | 120 660 |
| 2010年 4月号 | 有機半導体で電子移動度5cm2/Vs | 日本化薬 | 日経産業新聞 (2010年1月29日PP.1) | 電子移動度5倍 印刷可能 ペンタセン | 120 |
| 2010年 4月号 | 有機分子で強誘電体 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年1月13日PP.9) | 磁性をもつ2種類の有機分子が重なった結晶 テトラチアフルバレン ブロマニア | 120 |
| 2010年 3月号 | ポリマー材の熱伝導率予測するシミュレーション技術 | 三菱電機 東工大 | 日経産業新聞 (2009年12月2日PP.13) | ポリマーの振動を計算して伝導率を予測 予測誤差は従来の1/10 熱伝導率従来比3.5倍 | 620 120 |
| 2010年 3月号 | 高温での寿命が10倍のLED用基板材料 | 利昌工業 | 日経産業新聞 (2009年12月2日PP.1) | 寿命が従来の10倍の3万～5万時間 Si樹脂 200℃で70時間加熱した試験で光の反射率を98%～99%に確保 | 120 250 |
| 2010年 3月号 | 不揮発性ReRAMを1/10に小型化 | NEC NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2009年12月8日PP.20) | ルテニウム 酸化タンタル 酸化チタン データ読出し時の誤作動を大幅減少 | 120 230 |
| 2010年 3月号 | 電流が両方向に流れる液晶性有機半導体 | 理化学研 東大 | 日経産業新聞 (2009年12月8日PP.11) | アリの巣のような形に分岐 トリフェニレン イミダゾリウムイオン 分子の長さや温度を調整 電気伝導度があらゆる方向で円筒形の場合と同程度まで向上 | 120 160 |
| 2010年 3月号 | エネルギー変換効率が4割向上した太陽電池 | 東大 | 日経産業新聞 (2009年12月10日PP.12) | 数十nmレベルの微細な凹凸がある銀の電極 波長350～800nmの範囲の可視光を電気に変換 近接場光 | 120 250 |
| 2010年 3月号 | 折り曲げ可能な低電圧の有機フラッシュメモリー | 東大 独マックスプランク研 | 日刊工業新聞 (2009年12月11日PP.24) 日経産業新聞 (2009年12月11日PP.11) | 駆動電圧1/2の不揮発性メモリー ゲート絶縁膜に薄い単分子膜 書込み電圧6V 読出し電圧1V 脂肪族リン酸系の材料を使った絶縁膜 | 120 160 230 210 |
| 2010年 3月号 | 光照射で発光波長を制御するLED発光層の成膜技術 | 東大 ブイ・テクノロジー 日東光器 | 日経産業新聞 (2009年12月25日PP.11) | InGaN化合物半導体層を光を当てながら均一成膜 サファイア基板 緑色光と紫外線 波長532nm LED発光層の厚さ1/5 厚さ200nmの薄膜 | 250 160 120 |
| 2010年 2月号 | ハイブリッド軸受材料に使用できる窒化チタンナノ粒子混合セラミック | 横浜国大 | 日刊工業新聞 (2009年11月4日PP.18) | 軸受金属リングの摩耗4割減 | 120 |
| 2010年 2月号 | 寿命9倍の有機EL素子 | 北陸先端大 | 日経産業新聞 (2009年11月5日PP.12) | 正孔注入層に酸化モリブデン 正孔輸送層と発光層の間に薄膜を形成 2.5インチ素子で光が半減するまで326000時間 駆動圧縮を抑制 | 120 |
| 2010年 2月号 | ポリマー製平面レンズ | スカラ 慶応大 | 日経産業新聞 (2009年11月11日PP.11) | 屈折率の大きな微細粒子 GIレンズ ナノサイズの有機分子 レンズ内部に高精度な屈折率分布を作製 | 310 120 |
| 2010年 1月号 | 単層CNT構造作り分け | 米ホンダリサーチインスティチュートUSA 米ルイビル大 米パデュー大 | 日刊工業新聞 (2009年10月2日PP.24) | 金属CNTの混合割合最大91% 反応容器中に水 メタンのキャリアガスにヘリウムを使用 キラリティー(カイラリティ) | 120 160 |
| 2010年 1月号 | ダイヤを用いた不純物のない単層CNT作製法 | NTT 東京理科大 | 日経産業新聞 (2009年10月6日PP.11) | 直径4～5nmのナノダイヤ使用 SiO2などの基板上に敷き詰め 850℃のアルゴンガス エタノール吹き込み 直径1～2nm 30分間で約100μmまで成長 | 120 160 |
| 2010年 1月号 | 円盤状量子ドット形成技術を開発 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年10月7日PP.1) | Si基板上に直径12nmの鉄を核とするタンパク質を並べる 厚さを2nm～6nmと変えるとバンドギャップが1.6～2.2電子ボルトの範囲で変わる 高効率太陽電池に応用可能 | 120 250 160 |
| 2010年 1月号 | 微量インジウムで耐湿性の酸化亜鉛型透明導電膜 | 高知工科大 ハクスイテック | 日経産業新聞 (2009年10月8日PP.1) | 酸化亜鉛に微妙のGa・Inを添加 | 120 250 |
| 2010年 1月号 | 物質の微細化による新しい量子効果を発見 | 千葉大 広島大 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年10月22日PP.24) | 電子スピン エネルギー消費量が従来の1/1000 ラシュバ効果 | 120 |
| 2010年 1月号 | 低分子を塗布して作製した有機薄膜太陽電池 | 東大 三菱化学 | 日経産業新聞 (2009年10月23日PP.9) | 変換効率5.2% フラーレン 塗布後熱処理 | 120 250 160 |
| 2009年12月号 | 偏光抑えた高性能大容量回線光スイッチ | 早大 日立 | 日経産業新聞 (2009年9月2日PP.9) | 大容量光ネットワーク 化合物半導体 インジウム・アルミニウム・ガリウムヒ素などを用いた光スイッチ材料 振り分けに要する時間約3ns | 240 120 |
| 2009年12月号 | マイクロ波アシスト磁化反転技術で垂直磁化膜の磁化反転に成功 | 九大 | 日刊工業新聞 (2009年9月4日PP.20) | 強磁性共鳴 3GHz 低いマイクロ波磁界 CoとPd積層磁化膜 | 230 120 |
| 2009年12月号 | 超電導臨界温度「冷凍庫」レベルに道 | 東工大 米スタンフォード大 | 日経産業新聞 (2009年9月4日PP.11) | 角度分解光電子分光 クーパー対 超電導ギャップ 超電導物質に圧力 -27℃に高められる可能性 | 120 |
| 2009年12月号 | 極細の金属ガラスワイヤを開発 | 東北大 | 日経産業新聞 (2009年9月18日PP.10) | パラジウムをベースとする合金 太さ数十nm 100フェムトテスラの磁気を電気に変える 過冷却領域 | 120 160 |
| 2009年12月号 | 消費電力1/2の液晶表示装置向け偏光板 | 光産業技術振興協会 | 日経産業新聞 (2009年9月25日PP.1) | 30μm角のガラス板に細長い数百nm大のアルミ製突起を3000個配置 高分子フィルム プロジェクタ バックライト 光エネルギーのうち60%を透過 消費電力5割前後 | 120 250 160 |
| 2009年12月号 | 原子1個分の細さの金属ナノワイヤ | 名大 | 日刊工業新聞 (2009年9月28日PP.30) | 2層CNT ユーロピウム 気層直接法で内包 | 120 |
| 2009年12月号 | 大容量 多層光ディスク | TDK | 日経産業新聞 (2009年9月30日PP.1) | 320GB BDと同一形状 青色レーザ ポリカーボネイト 各層で光学特性を変化させる材料の比率を調整 ハイビジョン200時間録画可能 10層構造 | 230 120 160 |
| 2009年11月号 | 偏光を電気信号に変換する受光素子
-光通信容量2倍以上に- | 日立 チェコ科学アカデミー 英ケンブリッジ大 | 日経産業新聞 (2009年8月5日PP.11) | 電子スピン 半導体 ガリウムヒ素の素子に数μm間隔で電極を配置 電圧で偏光状態を検出 偏光板なしに偏光状態を区別する受光素子 | 140 240 120 |
| 2009年11月号 | 室温で世界最高の磁気抵抗効果を示す素子 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年8月6日PP.25) | 2枚の強磁性膜に絶縁膜を挟む構造 強磁性トンネル接合(MTJ) 二重トンネル障壁MTJ 中間磁性膜厚さ1.2nm 電圧約±0.1Vで磁気抵抗効果最大 | 120 230 |
| 2009年11月号 | 電気を流さない電磁石用新素材 | 東北大 | 日経産業新聞 (2009年8月11日PP.6) | メタホウ酸銅 30ガウスの磁場中で-258℃まで冷やす 1cmあたり20kVの電圧をかけて磁場方向から30°に10ガウスの磁力 | 120 |
| 2009年11月号 | 耐久性・高変換効率を両立した有機太陽電池 | 東大 日産化学 | 日経産業新聞 (2009年8月13日PP.5) | 色素増感型と有機薄膜型の素材の組み合わせ 酸化チタンに有機高分子をコーティング ポリチオフェン 変換効率1.7% | 250 120 |
| 2009年11月号 | ガラスより軽く曲げやすい半導体素子 | 帝人 米ナノグラム | 日本経済新聞 (2009年8月19日PP.1) | ガラス基板に比べて重さ半分以下 縦横1.5cm 厚さ120μmの切手サイズ | 120 160 |
| 2009年11月号 | 有害な鉛使わず強誘電体を作製 | 金沢大 | 日経産業新聞 (2009年8月19日PP.10) | BFO マンガン チタン 電流の漏れ0.1mA/cm2 | 120 |
| 2009年11月号 | フラーレンに穴を開けて化合物を作る新手法
-長波長の光を吸収- | 京大 | 日刊工業新聞 (2009年8月21日PP.1) | 約900nmまでの光を吸収 電子を受け取り易い性質 | 120 |
| 2009年11月号 | 強誘電体PZTをナノチューブ状に形成 | 兵庫県立大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2009年8月24日PP.20) | 有機金属気相成長(MOCVD)装置 Si基板上に酸化亜鉛を直径約100nmの円柱状に形成 | 120 160 |
| 2009年11月号 | ナノサイズの電子回路配線技術 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2009年8月28日PP.1) | シリコンナノチェインがCNTに変化 タングステンの針で数十Vの電圧印加 直径10～20nm ワイヤ状のナノ材料に電圧でCNTを生成 | 120 160 |
| 2009年10月号 | 量子情報の保存を最長にする暗号通信向け技術 | 情報学研 | 日刊工業新聞 (2009年7月3日PP.22) | 半導体量子メモリー 7μ秒のコヒーレンス時間で量子情報転写 光パルススピンエコー コヒーレンス時間従来比7000倍 | 120 230 |
| 2009年10月号 | ReRAM内の「電子の通る道」を確認 | 東大 | 日刊工業新聞 (2009年7月13日PP.24) | CuO 白金電極膜 Cu2O X線を照射し光電子を検出して画像化 | 120 230 |
| 2009年10月号 | 表面部に光を蓄積する3次元フォトニック結晶 | 京大 | 日経産業新聞 (2009年7月16日PP.14) | ガリウムヒ素の格子を8層積層 光の蓄積時間10ps | 120 |
| 2009年10月号 | 「手」4本の金属原子のスピン転移に成功 | 京大 日大 東大 | 日刊工業新聞 (2009年7月22日PP.27) | 二酸化鉄ストロンチウム 室温で70万気圧 33万気圧以上でスピンの大きさ半分 強磁性体 電気を通す物質に変化 | 120 |
| 2009年10月号 | グラフェンを使った人工分子 | 物材機構 理研 | 日経産業新聞 (2009年7月24日PP.11) | グラフェンが3層重なった薄いシートを電子線で加工 電圧制御で量子ドットの電子が複雑な結合状態を示す | 120 |
| 2009年10月号 | 燃料電池の白金使用量が1/13になる白金粒子 | 慶応大 | 日経産業新聞 (2009年7月27日PP.12) | デンドリマー ナトリウムボロハイドライド 0.9～1.2nmの白金粒子を生成 | 120 250 |
| 2009年10月号 | 黒鉛系超電導物質の電子構造解明 | 岡山大 高輝度光科学研究センター 大分大 物材機構 広島大 | 日経産業新聞 (2009年7月31日PP.11) | グラフェンシート間にカルシウムが挟まった物質 共鳴光電子分光 超電導現象は3d軌道で示す | 120 |
| 2009年 9月号 | インジウム不使用の透明・高電導の有機薄膜製造技術 | 山梨大 | 日経産業新聞 (2009年6月2日PP.11) | 有機高分子PEDOT 絶縁性高分子PSS 膜厚100nm以下 光透過率89% レアメタルを不使用 | 120 |
| 2009年 9月号 | 発光出力2～3倍のLEDアレイ | OKIデータ ユーテック クリスタル光学 | 日刊工業新聞 (2009年6月3日PP.9) | LED膜・ダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜・Si基板の3層構造 エピフィルムボンディング技術 | 250 120 |
| 2009年 9月号 | 電子の自転向き制御技術
-新型メモリー実現に道- | 東北大 | 日経産業新聞 (2009年6月5日PP.11) | トランジスタ 高速 低消費電力 スピン 不揮発メモリー インジウムガリウムヒ素を1μm以下の幅の細線構造に加工 スピンの寿命を10～65倍に 半導体素子 | 120 |
| 2009年 9月号 | 世界最小の強誘電体
-CNT内の水分子- | 首都大 産総研 | 日刊工業新聞 (2009年6月8日PP.18) | アイスナノチューブ 外部電圧で水素原子配列反転 異なる複数の状態を持つ電気分極 | 120 |
| 2009年 9月号 | 炭素のみを用いた超格子構造 | 産総研 | 日経産業新聞 (2009年6月12日PP.11) | ダイヤモンド同位体 炭素12と炭素13の同位体 各同位体で膜厚30nmの薄膜を作り交互に25層積層 マイクロ波プラズマCVD | 120 |
| 2009年 9月号 | 表面積2倍の白金ナノ粒子 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2009年6月25日PP.12) | 数nmサイズの突起を直径20nmの粒子の表面に作る アスコルビン酸 1gあたりの表面積が55m2 | 120 |
| 2009年 9月号 | 9者間の量子もつれの誤り訂正実験成功 | 東大 | 日刊工業新聞 (2009年6月29日PP.4) | 量子演算 量子コンピュータ もつれた光 ビームスプリッタ | 120 |
| 2009年 8月号 | 伸縮可能な有機ELディスプレイ | 東大 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2009年5月11日PP.11) 日刊工業新聞 (2009年5月11日PP.20) | ゴムとCNTを組み合わせた素子 10cm2 5mm2の有機EL素子を256個並べる イオン液体 導電性100倍 1000回以上伸縮可能 配線間隔100μm 伸縮性導体 ジェットミル法 | 250 120 |
| 2009年 8月号 | 原子サイズの2層CNTトランジスタ | 青山学院大 名大 東邦大 | 日経産業新聞 (2009年5月15日PP.1) | 電子線によりナノチューブの層を分離 PN接合の特性を確認 太さ2～3nm 2層CNTをSi基板上に乗せる 大きさSiLSIの1/100程度 | 220 120 |
| 2009年 8月号 | pHに応じて明暗が切替わる蛍光分子 | 東大 | 日経産業新聞 (2009年5月19日PP.9) | pH測定精度20倍 DMAPAM ベンゾフラザン 分子コンピュータへの応用の可能性 水素イオン濃度の測定精度従来の20倍 pH6をこえると波長570nmの蛍光を放つ | 120 |
| 2009年 8月号 | 巨大磁気抵抗効果に酸素原子が関与 | 高輝度光科学研究センター 兵庫県立大 阪大など | 日経産業新聞 (2009年5月20日PP.11) | 高エネルギーX線をMn・La・ストロンチウム(Sr)からなる酸化物に照射 絶縁体と金属で酸素原子の電子状態が大きく変化 | 120 660 |
| 2009年 8月号 | 直径10nmの銅合金線を開発 | 日立電線 | 日刊工業新聞 (2009年5月20日PP.1) | 直径10μm 屈曲性と強度を備える NN合金線 純銅に微量のスズとインジウムを添加 | 120 |
| 2009年 8月号 | 量子コンピュータ素子の誤差発生を抑制 | 米国立標準技術研 | 日経産業新聞 (2009年5月27日PP.11) | 誤差を数10分の1に低減 ある時間間隔で124GHzのマイクロ波をあてて誤差補正 | 120 |
| 2009年 7月号 | 紫外光を当てると青くなる有機化合物 | 青山学院大 | 日刊工業新聞 (2009年4月2日PP.22) | 紫外光照射でA字形中央の架橋部分が切れ青くなる 青くなってから無色になるまで1/100秒程度 | 120 |
| 2009年 7月号 | 波長235nmで発光するダイヤモンド深紫外線LED | 産総研 | 日刊工業新聞 (2009年4月3日PP.22) | 従来比1000倍以上の発光強度 2000A/cm2以上の電流注入でも劣化なし 発光出力約30μW | 120 250 |
| 2009年 7月号 | 発光効率4倍の有機EL材料 | 大阪府大 | 日経産業新聞 (2009年4月7日PP.11) | メチレンシクロプロパン誘導体 放射線で誘導体の電子が分離し環状構造が開き発光 電子が再結合すれば元の環状構造に戻る X線照射で電子分離 汎用X線装置のX線で緑色に発光 | 120 250 |
| 2009年 7月号 | ナノ繊維から不織布 | 九大 | 日経産業新聞 (2009年4月10日PP.11) | 原料の入った溶液に高電圧をかけてナノ繊維を大量に作る | 120 |
| 2009年 7月号 | フルカラーで発光するSiナノ結晶 | 広島大 JST | 日経産業新聞 (2009年4月15日PP.9) 日刊工業新聞 (2009年4月15日PP.20) | 超臨界流体のCO2にSiを浸しレーザ照射で5nmのSi粒に加工 パルスレーザアブレーション 急冷で発光強度100倍増加 光を当てると赤・緑・青・紫外光を放つ | 120 250 |
| 2009年 7月号 | ナノレベルの物差し | 産総研 | 日経産業新聞 (2009年4月20日PP.12) | ダイヤモンド結晶 0.2nmの目盛り 原子一層分の厚さ | 120 660 |
| 2009年 7月号 | 光閉じ込め能力4倍の3次元フォトニック結晶 | 東大 | 日経産業新聞 (2009年4月27日PP.13) | くしの歯状に切り込みを入れた厚さ200nmの半導体の板を25層積層 縦横約10μm 波長1.3μmでQ値従来比約4倍 | 120 250 |
| 2009年 6月号 | フルカラーの表示が可能な専用フィルタによる偽造防止技術 | 富士フイルム | 日経産業新聞 (2009年3月2日PP.1) | フォージガード ナノメートルレベルの有機材の厚さ 200℃で5時間の耐熱性 肉眼では見えない波長の光を反射する素材 | 120 |
| 2009年 6月号 | 超電導状態のクーパ対を観察する手法 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2009年3月2日PP.19) | はぐれ電子 電子のさざなみ 電子間引力 銅酸化物超電導 | 120 |
| 2009年 6月号 | 加熱120℃で1%縮む材料 | 京大 | 日経産業新聞 (2009年3月5日PP.11) | 銅・鉄・ランタンなどからなる酸化物，10万気圧・1100℃で合成 電気磁気特性も変化 120℃を下回ると元に戻る | 120 |
| 2009年 6月号 | 2層CNTの内部構造を観察する技術 | 日立 名大 東北大 | 日経産業新聞 (2009年3月23日PP.12) | 走査型トンネル顕微鏡(STM) 電子の干渉 先端直径30nm以下のSTM探針 0.1V印加 外側の直径2nm 内側の直径1.4nmの2層CNT 画像処理で電子の密度を色の濃淡で示す | 120 360 |
| 2009年 6月号 | 発光効率40%の青色有機EL素子
16とまとめて | 出光興産 | 日刊工業新聞 (2009年3月25日PP.13) | 3重項励起子 トリプル・トリプルフュージョン現象 | 250 120 |
| 2009年 6月号 | 明るさ1.5倍のカラー電子ペーパ | リコー 山田化学工業 | 日経産業新聞 (2009年3月26日PP.1) | エレクトロクロミック化合物 メモリー特性 表現できる色の範囲5倍以上 基板と透明電極の枚数が従来方式の半分以下 CMY三食それぞれの発色層と透明電極を重ねたものを絶縁層で区切る | 120 250 |
| 2009年 6月号 | 印刷技術で発光パターンを形成できるゲル状発光材料 | 大日本印刷 | 日刊工業新聞 (2009年3月27日PP.1) | ルテニウムを中心とした遷移金属錯体，シリカナノ粒子を混練，酸化還元反応による発光 AC3.3Vで200cd/m2の輝度 大気中で厚さ25μm以上の膜でも発光 | 120 |
| 2009年 6月号 | 有機ELの輝度を約4割高められる光学フィルム
12とまとめて | 日本ゼオン | 日経産業新聞 (2009年3月30日PP.1) | 新フィルムの素材は光の透過度が高いシクロオレフィンポリマー(COP) 高さ数十μmの突起をちりばめる | 120 250 |
| 2009年 5月号 | 量子状態を光で測定 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年2月5日PP.26) 日経産業新聞 (2009年2月5日PP.11) | 量子を重ね合わせた状態を電子スピンに転写 光で測定 電子スピントモグラフィ 光子の偏光状態 電子のスピン状態 レーザ | 120 660 |
| 2009年 5月号 | 印刷でメモリー作製 | 日産化学工業 九大 | 日経産業新聞 (2009年2月10日PP.1) | ポリスチレン系樹脂 金の超微粒子 記録密度2.5kb/cm2 | 120 230 |
| 2009年 5月号 | CNTトランジスタを全工程で印刷作製 | NEC | 日刊工業新聞 (2009年2月18日PP.24) 日経産業新聞 (2009年2月18日PP.9) | 200℃以下の低温で揮発性をもつインク オンオフ比約1000の多層構造のp型トランジスタを試作 | 160 120 220 |
| 2009年 5月号 | 印刷用インクに混ぜられる微小な液晶粒子 | 千葉大 | 日刊工業新聞 (2009年2月20日PP.1) | 折り曲げ可能 マイクロカプセル インクに分散 電子ペーパ ELディスプレイに比べて低消費電力 | 120 250 |
| 2009年 5月号 | ナノサイズ金属の立体加工技術 | 理研 | 東京新聞 (2009年2月24日PP.20) | 金属イオン溶液に高エネルギー光を当てる 光エネルギーで結晶に変わる 約100nmの細い線 約3.5μmのまきびし状の構造物 | 120 160 |
| 2009年 5月号 | Siで巨大磁気抵抗効果を確認 | 京大 | 日経産業新聞 (2009年2月26日PP.11) | Si基板にInを張りつけ 10～20V印加 3テスラの磁場 室温で電気抵抗10倍以上 | 120 |
| 2009年 4月号 | グラフェンで透明基板 | 韓国成均館大 サムスン綜合技術院 | 日刊工業新聞 (2009年1月15日PP.29) | グラフェンを6～10層積層 折り曲げ自在な電子基板 Si基板 ニッケル薄膜 メタン・水素・アルゴンを混合 1000℃に加熱 25℃に冷却 | 120 |
| 2009年 4月号 | 絶対零度の量子相転移を解明 | 原子力機構 | 日刊工業新聞 (2009年1月22日PP.26) | 磁気ゆらぎ ウラン化合物 核磁気共鳴(NMR)法 磁気分極モデルに合致 | 120 |
| 2009年 4月号 | 特定の光子対のみを通すフィルタ回路 | 北大 広島大 英ブリストル大 JST | 日経産業新聞 (2009年1月23日PP.10) 日刊工業新聞 (2009年1月23日PP.22) | 量子もつれ 半透明の鏡や特殊な偏光板で構成 大きさ50cm四方 2つの光子が同じ偏光方向をもつ場合に透過 異なる場合に吸収 量子ゲート 経路干渉 単一光子 | 240 220 120 |
| 2009年 4月号 | フラーレン-コバルト薄膜のTMR効果の機構解明 | 原子力機構 自然科学研究機構 東北大 東大 | 日刊工業新聞 (2009年1月23日PP.22) | 巨大トンネル磁気抵抗 スピン偏極 X線磁気円偏光2色性分光 局在スピン | 120 |
| 2009年 4月号 | 有機薄膜太陽電池の発電効率を改善した新素材 | 東大 阪大 | 日経産業新聞 (2009年1月28日PP.10) | オリゴチオフェンとフラーレンが規則正しく並んだ液晶 電圧を2Vかけた場合電流の大きさは10倍 | 250 120 |
| 2009年 3月号 | 直径10nm以下の立体配線技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年12月4日PP.11) | 自己組織化 親水性と疎水性を併せ持つ液状高分子 Si基板上に数～数十μmの厚さで塗布 120℃以上に過熱し冷却 塩化カリウム溶液水 十～数十Vの電圧 | 120 160 |
| 2009年 3月号 | フラーレンの水溶性向上 | 岡山大 | 日経産業新聞 (2008年12月11日PP.11) | 水溶性5倍 フラーレン結晶に蛍光灯の光を20時間当て続ける 2-プロパノール トルエン 直径0.2～0.4μm 長さ1～2μm | 120 |
| 2009年 3月号 | 単結晶Siを使用した発光素子で光増幅 | 日立 | 日経産業新聞 (2008年12月18日PP.1) | 単結晶Siの上にSiNを重ねた構造 厚さ4.4nm 波長1μm 増幅効率1.1～1.7倍/cm 導波路 | 250 120 |
| 2009年 2月号 | 毒性が低い鉄系超電導物質 | 物材機構 JST | 日経産業新聞 (2008年11月6日PP.11) 日刊工業新聞 (2008年11月7日PP.28) | Feとテルルの化合物に硫黄を混ぜた物質 10Kで超電導状態 テルルを20%硫黄に置き換え | 120 |
| 2009年 2月号 | 光による電子スピンの制御技術 | 国立情報学研 | 日経産業新聞 (2008年11月13日PP.10) | 特定周波数の光 1～10psでスピンを制御 情報が消えるまで最大10億回の計算が可能 量子コンピュータ | 120 |
| 2009年 2月号 | 厚さ20μmの回路基板材料 | 住友ベークライト | 日経産業新聞 (2008年11月14日PP.1) | 従来の1/3の厚さ ガラスクロスの厚さ15μm | 120 160 |
| 2009年 2月号 | CMOS微細化技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年11月14日PP.9) | 絶縁膜の厚さ0.37nm 回路線幅16nm以下のLSI開発に不可欠な技術 絶縁膜に酸化ランタンを採用 | 220 120 |
| 2009年 2月号 | 光信号を1/170に減速したスローライト新構造 | NTT | 日刊工業新聞 (2008年11月24日PP.14) 日経産業新聞 (2008年11月25日PP.11) | フォトニック結晶 結晶中に数nmレベルで穴を正確に配置 0.1μm3の微小な共振器 | 120 160 |
| 2009年 1月号 | CNTを利用した高感度ガスセンサ | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年10月1日PP.13) | セルロース誘導体 25～100ppbのNO2を検出可能 | 120 210 |
| 2009年 1月号 | 素子1個で電気と磁気で4情報記録 | 上智大など | 日経産業新聞 (2008年10月1日PP.13) | 鉄酸ビスマス クロム酸ビスマス 電気と磁気それぞれで0と1を区別 室温での動作を確認 | 120 230 |
| 2009年 1月号 | 効率10倍の光子制御技術
-量子ドット埋め込み3次元フォトニック結晶発光- | 東大 | 日刊工業新聞 (2008年10月6日PP.20) 日経産業新聞 (2008年10月9日PP.11) | 膜を17層重ねた約10μm角の立方体形状 高さ5μmのフォトニック結晶 10nm四方の量子ドット 約200nmのGaAs半導体膜を交互に重畳 1.5μmで発光する量子ドットを埋めた膜を挟む GaAsSb Q値2300 | 120 250 |
| 2009年 1月号 | 銀塩の技術を使った白黒鮮明な電子ペーパ | コニカミノルタテクノロジーセンター | 日経産業新聞 (2008年10月30日PP.1) | コントラスト比20超 反射率約63% 銀イオンが銀に還元して黒表示 酸化チタンの量を自由に調整可能 約5時間画像保持 3.5インチの電子ペーパを試作 | 120 160 250 |
| 2008年12月号 | ワイヤ状の有機半導体 導電性10倍 | 物材機構 静大 | 日経産業新聞 (2008年9月10日PP.13) | ペンタゼン メチルチオ基 直径20～100nmで長さが1～5μmのワイヤ状の有機半導体 抵抗率10000Ωm | 120 220 |
| 2008年12月号 | DNAを利用したナノ構造物 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年9月13日PP.8) | 塩基をブロック状に結合 0.34nm単位で長さを設計 | 120 160 |
| 2008年12月号 | 大きさ1/1000の光スイッチ | NEC | 日経産業新聞 (2008年9月24日PP.11) | 消費電力1/10 フォトニック結晶 光の屈折率を制御 小さな円柱が無数に並んだ構造 縦横20μmの素子 | 120 240 |
| 2008年12月号 | 磁化方向を電気的に直接制御することに成功 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2008年9月25日PP.29) | 強磁性半導体 ヒ化ガリウムマンガン 高比誘電率を持つ絶縁膜金属膜ゲート電極を積層 キャリヤ濃度を電界で増減 磁気異方性 | 120 |
| 2008年12月号 | 常温・常圧で作製可能な環状構造を持つ発光高分子 | 奈良先端大 | 日刊工業新聞 (2008年9月29日PP.25) | 大きさ100nm ポリフルオレン 有機溶媒に水を0.1%溶かす 水を足場として環状構造 歩留まり50% 強い青色発光 | 120 250 |
| 2008年11月号 | 単層CNT内に化合物ナノワイヤ合成 | 名大 高輝度光科学研究センター | 日刊工業新聞 (2008年8月1日PP.27) 日経産業新聞 (2008年8月1日PP.10) | 塩化エルビウム 直径2nmのCNT 石英管 7日間700℃で加熱 90%を超す収率 | 120 160 |
| 2008年11月号 | 固体中で「超流動」を実証 | 国立情報学研 スタンフォード大 | 日本経済新聞 (2008年8月4日PP.13) | 極低温で物質が摩擦ゼロで移動 ボーズアインシュタイン凝縮 | 120 |
| 2008年11月号 | 高温超電導の機構解明 | 東大 電通大 | 日経産業新聞 (2008年8月4日PP.10) | 鉄 ヒ素 鉄ニクタイド系超電導物質 電子間相互作用 超電導により有利な形状のフェルミ面 結晶内のFe原子が磁性を相互に打ち消す | 120 |
| 2008年11月号 | 超高密度で記録可能な色素材料 | 奈良先端大 | 日経産業新聞 (2008年8月5日PP.11) | ポルフィリン フォトクロミック分子 光ディスク1枚でテラバイト級の記憶容量 がん治療への応用 2光子吸収 波長800nmのレーザを照射 40000倍の効率で光を吸収 | 120 230 |
| 2008年11月号 | 白色LEDを1.5倍明るくする蛍光体 | 三井金属 | 日経産業新聞 (2008年8月8日PP.1) | 硫化物粒子を均一化 波長450nm前後の青色LEDに緑・赤の蛍光体を組合せ 直径10～30μmの硫化物粒子 | 120 250 |
| 2008年11月号 | CNTの導電ゴム素材 | 東大 理化学研 産総研 | 日本経済新聞 (2008年8月8日PP.42) | CNTとゴム状のポリマを混合 20cm四方の集積回路シート 70%引き伸ばしても安定駆動 フッ素系 | 120 260 |
| 2008年11月号 | CNTで-261℃で超電導 | 青山学院大 | 読売新聞 (2008年8月10日PP.17) | 炭素原子100個に対してホウ素2～3個 基板上に薄く膜状に広げる マイスナー効果 | 120 160 |
| 2008年11月号 | 多量子ビット素子
-超高速コンピュータに道- | 東大 NTT | 日刊工業新聞 (2008年8月18日PP.18) 日経産業新聞 (2008年8月18日PP.6) | GaAs化合物半導体 電子スピン コバルト製の微小な磁石 直径0.2μmの円盤形の量子ドット | 120 220 |
| 2008年11月号 | 高配向CNTを簡単に合成できる技術 | 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2008年8月22日PP.30) | ステンレス基板 約800℃に加熱 液相一段合成法 メタロセン 長さ数100μmまで合成可能 | 120 160 |
| 2008年11月号 | 透明導電膜を酸化亜鉛で作製 | 大阪産業大 | 日経産業新聞 (2008年8月25日PP.11) | 厚さ35nmの透明な薄膜 可視光を最大90%通す インジウムが不要 「比抵抗」は10000分の2～3Ωcm | 120 |
| 2008年11月号 | 水素を安価に製造する触媒を開発 | 東大 | 日経産業新聞 (2008年8月25日PP.11) | DMEを原料とした触媒 350℃で反応 1000時間利用可能 FeOの表面に微小なCuが分散結合 | 120 |
| 2008年11月号 | ナノインプリント法で同一形状のカーボンナノファイバを大量作製 | KAST | 日刊工業新聞 (2008年8月28日PP.1) | 直径100～150nm 高さ約5μm 基板1cm角 | 120 160 |
| 2008年11月号 | 高性能強磁性トンネル接合素子で高周波発振に成功 | 阪大 産総研 キヤノンアネルバ | 日刊工業新聞 (2008年8月29日PP.31) | 数-10GHz 発振出力約0.2μW 磁極フリー層(CoFeB) 絶縁性のトンネル障壁層(MgO) 磁極固定層(CoFeB)の3層構造 スピンの歳差運動 同素子を70nm×160nm断面の柱状に加工 | 120 220 |
| 2008年11月号 | 半導体装置を用いた液体の膜蒸着技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年8月29日PP.9) | イオン液体 1cm2あたり360plのイオン液体が蒸着 厚さ9pmの薄膜を作成 燃料電池の電解質に応用可 イミダゾリウム系 | 120 160 |
| 2008年10月号 | 多結晶Siを低温で結晶化させる技術 | 山口大 | 日経産業新聞 (2008年7月7日PP.8) | 紫外線と可視光の波長を持つレーザ光 同時に5ns照射 100回繰り返し 温度250℃以下 多結晶Si材料 | 120 160 |
| 2008年10月号 | THz波利用で危険物の探知容易に | 北大 | 日経産業新聞 (2008年7月11日PP.9) | 一辺100nmの金の四角形のチェーンを並べた素子 数THz～数100THzのTHz波を増強 数11/100sで検出可能 | 120 |
| 2008年10月号 | 絶縁体接合の境界に金属層ができる仕組みを解明 | 東大 | 日経産業新聞 (2008年7月11日PP.9) | 2種類の絶縁体を接合 ランタンのAl酸化物とストロンチウムとTiの酸化物を接合 境界部分に電気が伝わる金属層 | 120 |
| 2008年10月号 | 単層CNTで超電導材料 | 青山学院大 東大 東工大 | 日経産業新聞 (2008年7月17日PP.11) | 金属触媒中に炭素とホウ素を混合 直径1nm 長さ1μm -261℃でマイスナー評価 1/100の確率で炭素がホウ素に置換 Bを添加した単層CNT | 120 |
| 2008年10月号 | 紫外線で変色する有機分子 | 青山学院大 | 日刊工業新聞 (2008年7月17日PP.25) | ヘキサアリールビスイミダゾール(HABI) ナフタレン骨格 炭素-窒素結合の切断 | 120 250 |
| 2008年10月号 | 金属粒子を炭素でコーティングする技術 | 立命館大 | 日経産業新聞 (2008年7月28日PP.11) | 燃料電池 アーク放電 寿命向上 電気二重層キャパシタ | 120 |
| 2008年10月号 | 半導体レーザの世界最短波長を実現 | 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (2008年7月29日PP.8) | 波長342nmの紫外レーザ光を発振 化粧にAlを混ぜる 消費電力1/100以下 Al組成が30% AlGaNを発光層 | 250 120 |
| 2008年10月号 | 手で曲げても壊れないナノ炭素繊維不織布シート | 東工大 | 日刊工業新聞 (2008年7月31日PP.1) | 繊維に多層CNTを成長 電界紡糸法 直径200nmの繊維 500m2/gの比表面積 化学気相成長(CDV)法 CNT直径80nm 繊維と垂直に成長 | 120 |
| 2008年 9月号 | ダイヤモンド固体素子で「量子もつれ」を室温で実現 | 筑波大 産総研 独シュトゥットガルト大 | 日刊工業新聞 (2008年6月6日PP.23) 日経産業新聞 (2008年6月6日PP.8) | マイクロ波プラズマCVD 原子量13の炭素を多く含むダイヤとメタンガス 電子スピン 核スピン 3量子ビット | 120 160 |
| 2008年 9月号 | 高純度単層CNTを活用した薄膜トランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2008年6月11日PP.25) 日経産業新聞 (2008年6月11日PP.11) | 分散型ポリフルオレン 超音波で分散 遠心分離機 移動度2cm2/Vs オンオフ比10万以上 CNT液をSi基板にコーティング | 120 160 220 |
| 2008年 9月号 | CNT成長を原子レベルで観察 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2008年6月12日PP.22) | CNTが鉄触媒から成長する様子を原子レベルで捉えることに成功 センタイト(Fe3C)結晶 | 120 360 |
| 2008年 9月号 | 消費電力を3割削減可能な有機EL材料 | 東レ | 日経産業新聞 (2008年6月23日PP.23) | 青色発光材料 発光分子が自然に分散 発光効率7% 材料の寿命1万時間強 低分子 | 120 250 |
| 2008年 9月号 | グラフェン薄膜をSi基板に作製 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2008年6月25日PP.22) 日経産業新聞 (2008年6月25日PP.11) | 厚さ80nmの炭化ケイ素の薄膜作製 熱処理 電子移動度数万cm2/Vs | 120 160 |
| 2008年 9月号 | 水滴を電気制御できる膜 | 東北大 | 日経産業新聞 (2008年6月4日PP.9) | Ni製ドーム 高さ数μmの針状樹脂 | 120 |
| 2008年 9月号 | TiO2ナノ粒子の発光特性解明 | 阪大 物材機構 | 日刊工業新聞 (2008年6月30日PP.25) | Euイオンを添加 粒子表面の電子と正孔との再結合によるエネルギーがEuイオンのみ励起 酸素があると消光 | 120 250 |
| 2008年 8月号 | CNTで回路を立体化 | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年5月6日PP.6) | 単層CNT LSIの配線 MEMSへの応用 Si基板 イソプロピルアルコール 膜厚100nm～50μm | 120 160 |
| 2008年 8月号 | フォトニック結晶を用いた光ビットメモリー | NTT | 電波新聞 (2008年5月8日PP.5) | 最長150nsのメモリー持続時間 InGaAsP バイアス光パワーが最低40μW 結晶の厚さが200nm 直径200nmの空気穴を420nmの周期で三角格子状に配置 | 120 230 |
| 2008年 8月号 | レーザ光で磁石になる新素材 | 東大 | 日経産業新聞 (2008年5月8日PP.11) | Co W ピリミジン -233℃で波長840nmの赤外線レーザをあてて磁石になる 532nmのレーザで磁石でなくなる | 120 230 |
| 2008年 8月号 | 磁場で電流変化する有機物質 | 東大 | 日経産業新聞 (2008年5月9日PP.10) 日刊工業新聞 (2008年5月9日PP.23) | 硫黄 セレン -253～-271℃に冷却 9Tの磁場で抵抗が70%以下 テトラチアフルバレン(TTF)に不対電子を持つ有機分子を結合 | 120 |
| 2008年 8月号 | CNTに光を当て透過量を制御し高速通信 | 甲南大 情通機構 | 日刊工業新聞 (2008年5月30日PP.30) | 直径1.2nm 応答時間1ps 1.5μm波長帯の光に波長400nmの信号光を重ねる | 120 |
| 2008年 7月号 | 光LSI配線構造解明 | 阪大 | 日経産業新聞 (2008年4月3日PP.9) | 光LSI 線幅10nm 表面プラズモン | 120 220 |
| 2008年 7月号 | 次世代大規模集積回路の実現に繋がる歪みSiLSI | 東京インスツルメンツ 群馬大 | 日経産業新聞 (2008年4月3日PP.1) | 近接場ラマン光 線幅32nm以降の次世代LSI 20nmひずみ分布を精密測定 | 120 220 660 |
| 2008年 7月号 | 鉄系加圧で超電導 | 日大 東工大 | 日経産業新聞 (2008年4月24日PP.11) 日刊工業新聞 (2008年4月24日PP.30) | 4万気圧をかけ-230℃で超電導 転移温度-230.15℃ | 120 220 |
| 2008年 7月号 | 持続時間60倍の光メモリー | NTT | 日刊工業新聞 (2008年4月25日PP.26) | InGaAsP 持続時間最大150ns 厚さ200nmの半導体結晶に直径200nmの空気穴を420nm周期で三角格子状に配置 Q値13万 | 120 |
| 2008年 6月号 | 単層CNT垂直配向膜の成長促進法を解明 | 東大 | 日刊工業新聞 (2008年3月3日PP.25) | アルコール触媒CVD法 アセチレンで10倍 エチレンで4倍の速度 コバルト モリブデン エタノール | 120 160 |
| 2008年 6月号 | 電子や熱を通しやすいナノ炭素の新構造体 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年3月3日PP.1) 日経産業新聞 (2008年3月5日PP.10) | CNT 窒化チタン コバルト CVD法 直径約10nm高さ約3μm 約50層に積層した厚さ18nmのグラフェン | 120 |
| 2008年 6月号 | 放熱性が3倍の半導体封止材用金属粒子 | 日立ハイテクノロジーズ | 日経産業新聞 (2008年3月14日PP.1) | 電磁波を吸収する機能 二酸化ケイ素 直径20μm 熱伝導率は1mあたり1.61W ヒートシンク | 120 |
| 2008年 6月号 | マルチフェロイック物質を弱い磁場で制御 | 東大 理研 JST | 日経産業新聞 (2008年3月21日PP.11) 日刊工業新聞 (2008年3月21日PP.25) | 強磁性 強誘電性 Y型六方晶フェライト -268℃で六方晶軸と垂直な面内に約300ガウスの磁場 強誘電分極の大きさや方向を自在に制御 | 120 |
| 2008年 6月号 | 書き換え1000億回を実現した256MbFeRAM向け新材料 | 東工大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年3月28日PP.1) | ビスマスフェライト サマリウムを6～10%添加 ゾルゲル法 非接触ICカード RFID | 120 230 |
| 2008年 6月号 | 曲がる有機ELへ新素材 | 東レ | 日本経済新聞 (2008年3月28日PP.17) | 硫黄を含む有機半導体 CNTを混合 電気を通す性質はSi半導体並みに向上 コスト1/10 | 120 220 |
| 2008年 5月号 | 発色純度高い無機EL
-ブラウン管並み- | HOYA | 日経産業新聞 (2008年2月8日PP.1) | CdとSeの化合物半導体の発光材料 粒径2～6nmのナノ結晶 | 250 120 |
| 2008年 5月号 | 新種の高温超電導体 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年2月19日PP.8) 日刊工業新聞 (2008年2月19日PP.22) | LaとO2が作る絶縁層とFeとAsが作る電導性の層を交互に積層させた層状化合物 酸素イオンの一部をフッ素イオンで置き換えると超電導 フッ素濃度11%で約-241℃で電気抵抗ゼロ | 120 160 220 |
| 2008年 5月号 | ナノ粒子の簡便な新製法 | 阪大 名大 | 日経産業新聞 (2008年2月21日PP.9) | イオン液体 スパッタリング装置 粒径を2～10数nmの範囲で制御 粒径誤差約15% | 160 120 |
| 2008年 5月号 | 光の吸収量が裏表で変化する新物質 | 東北大 | 日経産業新聞 (2008年2月25日PP.19) | メタホウ酸銅 -253℃以下に冷却 3/100Tの磁場をかけ 0.88μmの近赤外光を当てる 裏表で吸収量が3倍違う 方向二色性 | 240 120 |
| 2008年 5月号 | 量子暗号通信の中継技術 | 東北大 産総研 | 日経産業新聞 (2008年2月27日PP.12) 日刊工業新聞 (2008年2月27日PP.31) | 量子中継器 光子から電子へ1対1で転写 AlGaAsに井戸幅11nmのGaAsを挟んだ量子井戸構造の素子を作製 電子と光子のもつれ合い解消 | 120 160 220 |
| 2008年 5月号 | 単層CNTを金属型と半導体型に分離する技術 | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年2月27日PP.12) 日刊工業新聞 (2008年2月27日PP.31) | ゲル電気泳動法応用 界面活性剤 超音波 半導体型純度95%以上 金属型純度70%以上 回収率100%近い | 120 160 |
| 2008年 4月号 | 世界最長100cmの光配線技術 | 松下電工 | 日経産業新聞 (2008年1月10日PP.1) | 光電配線板材料 機器内部で10Gbps 2層の電気回路の間に光回路がサンドイッチされた構造 エポキシ樹脂フィルム 厚み60μm | 120 160 |
| 2008年 4月号 | 超電導効果で高効率発光LED | 北大 浜松ホトニクス NTT 東京理科大 室蘭工大 | 日刊工業新聞 (2008年1月16日PP.32) 日経産業新聞 (2008年1月21日PP.19) | 1.6μm通信波長帯 超電導材料を使った電極作製 微弱電流 | 120 160 240 250 |
| 2008年 4月号 | フラーレン薄膜状態で積層 | 東大 | 日刊工業新聞 (2008年1月16日PP.32) 日経産業新聞 (2008年1月16日PP.9) | 赤外線レーザで加熱・気化し堆積 数mm四方に直径1nm弱のフラーレンを10～20層堆積 連続光赤外線レーザ堆積法 | 120 160 |
| 2008年 4月号 | 太さ原子1個分の超極細金属ワイヤ作製技術 | 名大 | 日経産業新聞 (2008年1月29日PP.11) | 太さ0.18nm CNT レアアース ガドリニウム 長さ0.5μm ピーポッド | 120 160 |
| 2008年 3月号 | 回路線幅32nmLSI向け製造プロセス技術 | Selete 日立建機ファインテック | 日経産業新聞 (2007年12月11日PP.1) | 電流漏れを防ぐ技術 電極素材と配線層間材料を新たに開発 ゲート材料にTiN 絶縁膜に窒化ハフニウムシリケート nMOSにMgO pMOSにAlO ポーラスシリカ SiO 比誘電率2.4 | 120 160 220 |
| 2008年 3月号 | 酸化鉄でReRAM素子 | 松下電器 | 日経産業新聞 (2007年12月26日PP.9) | 不揮発性メモリー 相転移 電気抵抗が最大10の5乗まで変化 180nmプロセス 書き換え耐性3万回以上 抵抗変化式メモリー 10nsで書込み可能 データ保持時間2000時間 | 120 230 160 |
| 2008年 2月号 | 明るさ2倍 寿命は有機の2倍の無機EL | 加アイファイヤーテクノロジー | 日経産業新聞 (2007年11月1日PP.1) | 青色発光 ユーロビウムを加えたBa・Al・Sの化合物を使用 輝度2300cd/m2 寿命6万時間 | 120 250 |
| 2008年 2月号 | 新有機半導体材料 | 広島大 日本化薬 | 日経産業新聞 (2007年11月2日PP.10) | DNTT 動作速度3倍 大気中で使用可能 | 120 |
| 2008年 2月号 | 有機ELの寿命9倍に | 北陸先端大 | 日経産業新聞 (2007年11月16日PP.1) | 透明電極と正孔輸送層が接する面に酸化モリブデンで作った薄膜挿入 0.75nmの極薄膜採用 360cd/m2の輝度が半減するまで3万7千時間 | 120 160 250 |
| 2008年 2月号 | 量子多体現象 超高速で計算処理 | NII 米スタンフォード大 | 日経産業新聞 (2007年11月22日PP.9) 日刊工業新聞 (2007年11月22日PP.20) | 光と閉じ込める微細構造を相互に連結 厚さ3nm半導体薄膜12層 ボーズアインシュタイン凝縮体を約20個形成 超流動的 | 120 160 220 |
| 2008年 2月号 | 直径1mmの超電導線材 | 富山大 日軽金アクト | 日刊工業新聞 (2007年11月23日PP.1) | 超電導性能を持つアルミニウム複合材料から押し出し加工 アルミに2ホウ化マグネシウム粒子を分散 | 120 |
| 2008年 2月号 | InGaAsで縦型量子ドット作製 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年11月29日PP.13) 日刊工業新聞 (2007年11月29日PP.28) | 3次元のMOSゲート構造 原子層堆積法 均一で高耐圧なゲート絶縁膜を形成 電子スピンの状態を正確に制御 約10倍の効率 | 120 220 |
| 2008年 2月号 | 高密度な光メモリー基本素子を作成 | 東大 | 日本経済新聞 (2007年11月19日PP.19) | フラッシュメモリーの一万倍の記録密度 近接場光 GaAs基板に径5～50nmの量子ドットを埋め込む 理論記録密度は10の15乗bit/inch2 | 120 160 230 |
| 2008年 1月号 | 線幅100nm以下の超電導回路 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2007年10月2日PP.1) | 光相変化材料Y123 Y Ba Cu O 近接場光 先端50nm径の光ファイバ 30nm径の超電導体ドットを50nm間隔で作成 10K以下で超電導状態 ジョセフソン接合 | 120 160 220 |
| 2008年 1月号 | 非極性面採用青色半導体レーザ -室温連続発振に成功- | ローム | 電波新聞 (2007年10月25日PP.1) | 非極性面(m面)GaN 波長463nm 共振器長400μm ストライプ幅2.5μm しきい値電流69mA しきい値電圧6.2V 出力2mW以上 | 120 250 |
| 2008年 1月号 | 厚さ2mmの電子ペーパ | 物材機構 | 日経産業新聞 (2007年10月26日PP.8) 日刊工業新聞 (2007年10月26日PP.26) | ゲル状電解質 固体での駆動に成功 有機・金属ハイブリットポリマー エレクトロクロミック材料を活用 デバイス部は0.5mm | 120 250 |
| 2008年 1月号 | MRAM電流制御技術 | 高エネ機構 東大 | 日刊工業新聞 (2007年10月29日PP.21) | SrTiO3基板にμm寸法の(La Sr)MnO3の薄膜をパターン加工 Spring-8 ステップ方向に磁場をかけると単磁区構造になる | 120 160 230 |
| 2007年12月号 | 絶縁体が赤外線で導電する現象を発見 | 産総研 | 日経産業新聞 (2007年9月6日PP.9) | 相転移 ペロブスカイト パルス状の赤外線 格子状に並んだ原子が振動 抵抗値が約1/10万に変化 | 120 210 |
| 2007年12月号 | 有機EL素子の効率的製法 | 京大 | 日経産業新聞 (2007年9月14日PP.9) | 発光分子を正孔を通す分子と電子を通す分子で挟み込んだ導電性高分子を合成 1回の印刷で素子形成を可能 芳香環高分子 3機能を1工程で製造可能 | 120 250 160 |
| 2007年12月号 | 次世代CMOS素子 -しきい値電圧の時間変動の仕組み解明- | Selete 筑波大 広島大 早大 | 日刊工業新聞 (2007年9月20日PP.28) | 45nm世代 窒化ハフニウムシリケートの劣化 界面特性 | 120 220 |
| 2007年12月号 | 蛍光発光する有機ナノチューブ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2007年9月19日PP.29) | オーガニックナノチューブAIST ブドウ糖 オレイン酸 両親媒性 自己集合の際に蛍光分子を添加 薬物伝達システム(DDS) 赤 橙 黄 青 | 120 250 260 |
| 2007年11月号 | 近接場光を利用した記録密度20倍の磁気記録装置用ヘッド骨格部 | セイコーインスツル | 日経産業新聞 (2007年8月3日PP.10) | サスペンションに光ファイバを取り付ける 領域20nm 1.8m/sで高速回転 37nm浮上 領域10nmにも対応 4Tbpi相当 | 120 230 |
| 2007年11月号 | 色が変化する調光ガラス | 産総研 山形大 北陸先端大 農工大 | フジサンケイビジネスアイ (2007年8月9日PP.7) | プルシアンブルー 直径10～20nm程度の粒子化 ナノ粒子の表面を被覆材料を添加して溶媒に分散させてインク化 エレクトロクロミズム | 120 |
| 2007年11月号 | 強誘電体により光の波長を変える素子 | 物材機構 早大 | 日刊工業新聞 (2007年8月20日PP.18) 日経産業新聞 (2007年8月21日PP.10) | 変換効率1000倍 接着リッジ導波路 波長1.5815μmの光から波長0.79075μmの第二高調波を1%以上の効率で発生 Mgを添加したLiNbO3の強誘電体膜 エキポシ樹脂でSi基板上に接着 | 120 220 260 |
| 2007年11月号 | 回路幅45nm対応の塗布型絶縁膜 | JSR | 日経産業新聞 (2007年8月22日PP.1) | 低誘電層間絶縁膜材料(Low-k材料) Cの割合を高めCとSiの分子の結びつきで強度アップ 誘電率2.4 | 120 160 |
| 2007年11月号 | 有機分子にデータを蓄積する記録素子 | 中央大 | 日経産業新聞 (2007年8月28日PP.9) | 太陽電池の原理を活用 色素増感型 ルテニウム錯体 ホスホン酸基 酸化インジウムすず 新型のデータ記憶素子 | 230 120 |
| 2007年11月号 | マイクロプラズマによる誘電率変化現象 | 京大 | 日刊工業新聞 (2007年8月31日PP.27) | メタマテリアル 生体診断 Al2O3の誘電体を塗布した金属板に約1mm角のアレイ構造の穴 Heガス パルス電圧 3GHz～3THz | 120 360 |
| 2007年10月号 | 半導体層にCNTを用いたTFT素子 | 東北大 ブラザー工業 阪大 | 日経産業新聞 (2007年7月4日PP.13) | ポリエステル系樹脂製基盤上に金とクロムの合金で3つの電極作成 絶縁膜にポリイミド樹脂 インクジェット技術で積層 | 220 260 120 |
| 2007年10月号 | せっけん分子などから新材料 | 青山学院大 高輝度光科学研究センター 理研 | 産経ビジネス (2007年7月4日PP.5) | メレム LB膜 Prステアリン | 120 250 |
| 2007年10月号 | ナノ炭素材料で単原子トランジスタを試作 | 青山学院大 名大 産総研 富士通研 | 日経産業新聞 (2007年7月20日PP.9) | ピーポッド 量子ドット SiO2の絶縁膜 金とチタンの合金の電極 CNTの内側に複数のフラーレンを並べて詰めた構造 | 120 220 |
| 2007年10月号 | 水中に立体画像を表示 | KAST 東大 | 日刊工業新聞 (2007年7月26日PP.29) | レーザブレイクダウン効果 YAGレーザ光を誘電体多層膜を用いたミラーで2次元スキャンし液中でビームスポット走査 レーザ出力4mJ | 120 250 |
| 2007年10月号 | 低電圧駆動有機CMOS回路 | 東大 シャープ | 日経産業新聞 (2007年7月31日PP.11) 日刊工業新聞 (2007年7月31日PP.33) | 駆動電圧1～5V 動作電圧範囲従来の2倍以上 p型にペンタセン n型にフラーレン 絶縁膜にチタンSi酸化膜 上下をSi酸化膜が挟む3層構造 | 120 220 |
| 2007年 9月号 | インク化できる低分子有機EL材料 | 出光興産 | 日刊工業新聞 (2007年6月4日PP.1) | 塗布技術 従来の蒸着技術と同等の性能 コスト削減 大画面化 | 120 250 |
| 2007年 9月号 | 低抵抗CNT縦穴配線材料 -次世代LSIにおけるCNT配線実現に一歩- | Selete | 日刊工業新聞 (2007年6月5日PP.1) | ビア配線材料 弾道伝導現象 CVD ビア高さ60nm 直径160nm 化学機械研磨(CMP) 22nm世代 450℃で化学気相成長 Cuより低抵抗 | 120 160 |
| 2007年 9月号 | CMOSトランジスタのしきい値電圧の仕組み解明 | 産総研 超先端電子技術開発機構 | 日刊工業新聞 (2007年6月12日PP.24) | 高誘電率絶縁膜 Si酸化膜と下部絶縁膜の界面でしきい値に大きくずれ Si酸化膜上の絶縁膜を0.1nm寸法で精度よく制御することが閾値電流を制御する鍵 | 120 220 160 |
| 2007年 9月号 | 45nm半導体の製造工程を2割削減する技術 | NECエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2007年6月14日PP.9) | 絶縁膜にHfを加えることにより絶縁体の厚みでトランジスタの特性を決定 不純物添加工程が1/6 | 120 160 |
| 2007年 9月号 | 銅微粒子によるコンデンサ電極 | 東大 | 日経産業新聞 (2007年6月14日PP.13) | 銅微粒子に熱処理を施す 微細粒子を約百nmの大きさで均一に作製 | 120 |
| 2007年 9月号 | スピンの向きがそろった電子の室温での移動に成功 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2007年6月21日PP.33) | 2つのコバルト電極 幅250nmのグラフェンを通過してもスピンの向きがそろった電子の移動を示す電圧変化を観測 | 120 |
| 2007年 9月号 | 単層CNT高速成長法の再現に成功 | 東大 | 日刊工業新聞 (2007年6月21日PP.33) | スーパーグロース法 アルミナ基板 平均膜厚0.5nm程度の鉄触媒 長さ2～3mm 直径平均4nm程度 10分間で合成 | 120 160 |
| 2007年 8月号 | 刺激応答性有機発光材料 | 東大生研 | 電波新聞 (2007年5月2日PP.6) | 圧力で緑に変色 加熱で元の青色に戻る 水素結合とスタッキング相互作用を競合 | 120 210 250 660 |
| 2007年 8月号 | 量子ビット可変式結合回路 | NEC JST 理化学研 | 電波新聞 (2007年5月4日PP.3) 日刊工業新聞 (2007年5月5日PP.10) | 1量子ビットと2量子ビットの操作が同一回路で可能 寿命を犠牲にせず 3演算ステップまで実証 量子コンピュータ 結合制御器 | 120 220 |
| 2007年 8月号 | 光の吸収領域を拡張できる単層CNT | 産総研 | 日刊工業新聞 (2007年5月18日PP.24) | 色素分子を内包 スクアリリウム色素 波長950nm前後に加え700nm前後の赤外光を吸収し発光 光機能材料 | 120 210 240 |
| 2007年 8月号 | HDの容量を10倍にする磁気ヘッド向け要素技術 | 東芝 東北大 | 日経産業新聞 (2007年5月21日PP.8) | 高い磁気抵抗比 低い素子抵抗 ナノコンタクト MgOの基板上にNi-Feの電極 電極の数十nmの隙間をNi-Feでつなぐ 最も細い部分1nm幅 磁気抵抗比室温で140% | 120 230 |
| 2007年 8月号 | 青色LEDを白色発光に変えるガラス素材 | 京大 | 日経産業新聞 (2007年5月21日PP.1) | 樹脂製に比べ光や熱で劣化しにくい 2cm角 厚さ0.5mm AlやCeの酸化物を溶けたガラスに混合 | 120 250 |
| 2007年 8月号 | 発光効率2.5倍超の酸化亜鉛を用いた半導体新材料 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2007年5月25日PP.29) | ZnOに15%のマグネシウム混入 分子線エピタキシャル法 紫外領域で高効率に発光 | 120 250 |
| 2007年 7月号 | 電圧で着脱色する固体薄膜エレクトロクロミック素子 | 農工大 | 日刊工業新聞 (2007年4月13日PP.20) | 従来のエレクトロクロミック素子構造に酸化Si膜を導入 応答速度6倍 応答速度100mms | 120 160 250 |
| 2007年 7月号 | リング状金属によりレンズの屈折率を高める技術 | 理化学研 | 日経産業新聞 (2007年4月18日PP.11) | 波長1/10～1/4のリングにより透磁率が高まり屈折率増大 AgNO3を透明材料に加えフェムト秒レーザで還元 直径約6nmのリング状金属 | 120 310 |
| 2007年 7月号 | 安定電気抵抗を実現した酸化亜鉛の透明導電膜 | 金沢工大 | 日本工業新聞 (2007年4月26日PP.34) | 第二不純物共添加アルミドープ酸化亜鉛(AZN・X) 高周波重畳直流マグネトロンスパッタリング技術 可視光透過率87%以上 Inの代替材料 | 120 160 250 |
| 2007年 7月号 | 高分子系と低分子系を組合せた新発光材料 | 京大 | 日刊工業新聞 (2007年4月30日PP.17) | 有機EL ホウ素キノレート化合物(BPh2q)をホウ素が主鎖となるように共役系高分子に導入 | 120 160 250 |
| 2007年 6月号 | 圧力で色変化する有機発光材料 | 東大 | 日経産業新聞 (2007年3月15日PP.10) 日刊工業新聞 (2007年3月15日PP.22) | 圧力を加えた部分の色が青から青緑に変化 約120℃で加熱すると青色に戻る アミド置換テトラフェミルピレン誘導体 | 250 120 |
| 2007年 6月号 | ナノテクノロジー応用の高誘電率半導体素材 -記憶容量100倍に- | 物材機構 | 日経産業新聞 (2007年3月23日PP.11) | 厚さ約1nm横幅数十μmのシート状の酸化チタン 5～15nmの積層薄膜 | 120 |
| 2007年 6月号 | CNTのハニカム構造体を簡易手法で作製 -ITOなみの低い電気抵抗値を実現- | 九大 | 日経産業新聞 (2007年3月23日PP.11) 日刊工業新聞 (2007年3月23日PP.33) | 塩化メチレン トルエン CNTを溶かした溶媒を高湿度下室温でガラス板状に滴下し蒸発 酸化性溶液に浸す | 120 160 |
| 2007年 6月号 | 赤外光伝送を10倍効率化 | 富士通研 東工大 | 日経産業新聞 (2007年3月29日PP.13) | Siと赤外光を通す薄膜上結晶の間に酸化セシウムなどでできた厚さ200nmの中間層 | 120 160 |
| 2007年 6月号 | LED封止用新材料 -封止時間1/50- | 日立化成 | 日経産業新聞 (2007年3月29日PP.1) | 加圧下で160℃に加熱すると数分で硬化 マス目状の型で数百個のLEDを一気に封止可能 複数の樹脂材料を組合わせて開発 110～-40℃まで温度変化しても劣化なし | 120 160 250 260 |
| 2007年 5月号 | C60製トランジスタ | 東大 | 日経産業新聞 (2007年2月2日PP.10) | 分子線エピタキシー法 ペンタセン C60分子を50～80層 n型で毎秒1V当たり5cm2の移動度 n型p型両方で実現可能 | 220 160 120 |
| 2007年 5月号 | 単層CNT垂直配向膜の構造を確認 | 東大 独ライプニッツ固体・材料研 | 日刊工業新聞 (2007年2月7日PP.1) | 5本前後でひとかたまり TEM アルコール触媒CVD法 厚さ2～7μm | 120 160 |
| 2007年 5月号 | RGB3色発光の新結晶 | 岩手大 | 日経産業新聞 (2007年2月26日PP.8) | 硫酸カリウムの中に部分的にアミノベンゼンスルホン酸を溶かして冷却 1cm角の結晶 波長355nmのレーザを照射 リン光 量子効率70% | 120 160 250 |
| 2007年 4月号 | 導電性・磁性持つ有機物質 | 東大 | 日刊工業新聞 (2007年1月12日PP.26) | Se原子 ニトロニルニトロキシド テトラチアフルバレン 部分酸化塩 電解酸化 負性磁気抵抗 | 120 |
| 2007年 4月号 | 酸化亜鉛を用いた積層薄膜 -透明エレクトロニクスに道- | 東北大 | 日刊工業新聞 (2007年1月26日PP.33) 日経産業新聞 (2007年1月26日PP.10) | 量子ホール効果 温度傾斜法 電子密度1/10の16乗 移動度440cm2/Vs 酸化亜鉛マグネシウム(MgZnO) 膜厚0.6μm | 120 160 |
| 2007年 3月号 | 光電変換CNT | 東大 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | 電子を放出する層を電子を受け取る分子の層で包んだ中空構造 直径16nm 壁の厚さ3nm 長さ数μm | 120 |
| 2007年 2月号 | FED材料に適した2層CNT | 産総研 ノリタケカンパニーリミテッド | 日経産業新聞 (2006年11月8日PP.11) 日刊工業新聞 (2006年11月8日PP.28) | CNT長さ2.2mm 純度99.95% 2層CNT含有率85%以上 「スーパーグロース法」 水分添加CVD法を改良 電解放出ディスプレイ用の電極 均一な電子放出特性 | 120 160 250 |
| 2007年 2月号 | フェムト秒レーザ照射で単結晶の格子欠陥確認 | 京大 東大 | 日刊工業新聞 (2006年11月20日PP.19) | 特定方向に数nm幅の転位線 クロス形状の構造MgO結晶 | 120 |
| 2007年 1月号 | HDD磁気ヘッド用積層型光素子 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年10月19日PP.25) | 熱アシスト磁気記録方式 波長の15%に相当する88nm×60nmの光ビーム径 Si材料を用いて光の透過層を積層 波長400nmの光で17%の光利用効率 | 120 230 |
| 2007年 1月号 | 有機薄膜太陽電池の光電変換効率を向上 | 東大 | 日経産業新聞 (2006年10月25日PP.9) | 電極に直径約30nmの無数の突起 1.25cm×2.5cmの試作電池で効率2.7% ポリチオフェン フラーレンを含む有機高分子 | 120 250 |
| 2006年12月号 | 水から酸素を作る新触媒 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2006年9月5日PP.11) | 太陽光に反応 光触媒は円柱状のナトリウム酸ビスマス 光触媒1gあたりで1mlの酸素製造 | 120 |
| 2006年12月号 | 光遮断機能をもつ強誘電体 | 東大 JST | 日刊工業新聞 (2006年9月8日PP.29) | エルビウム 光アイソレータと光増幅器の機能 チタン酸バリウム | 120 160 240 |
| 2006年12月号 | 電圧1.5倍 スペース2/3の色素増感太陽電池 | 日本化薬 | 日経産業新聞 (2006年9月14日PP.1) | 1つのセルで電圧1.0V 有機色素 色素が放出した電子を受け取る金属にTiO2にMgを加えた材料 1セルサイズ縦57mm×横4.5mm×厚さ1mm | 250 120 |
| 2006年11月号 | 特殊フィルムで半導体を実装 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス | 日経産業新聞 (2006年8月3日PP.1) | 異方性導電膜(ACF) パッドの材質に均等に圧力がかかるものを使用 | 120 160 260 |
| 2006年11月号 | 磁気ヘッド用素子 -次世代HDDに道- | 英日立ケンブリッジ研 英国立物理学研 英ケンブリッジ大 | 日経産業新聞 (2006年8月10日PP.7) | 記憶容量が数Tbを超えるHDDにつながる高性能素子 | 230 120 |
| 2006年11月号 | 有機ナノデバイス -整流作用を確認- | 自然科学研究機構 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年8月24日PP.1) | nm径の円筒状単層CNTにポルフィリン分子吸着 自己組織化 Si製の1/10 | 120 160 220 |
| 2006年11月号 | GaInNAs半導体レーザ -40Gbps動作に成功- | 日立 | 電波新聞 (2006年8月25日PP.1) | Alフリー分子線エピタキシ技術 活性層 逆メサ型リッジ構造 | 120 160 240 |
| 2006年11月号 | カーボンナノウォールを効率よく大量生産 | 横浜市大 石川島播磨 | 日刊工業新聞 (2006年8月28日PP.1) | プラズマCVD装置 約10㎝角の基板でも均一に作製可能 | 120 160 |
| 2006年10月号 | CNTで非線形光学効果 | 東大 産総研 | 日刊工業新聞 (2006年7月6日PP.25) | 光学シュタルク効果 全光スイッチに応用 3次非線形感受率 | 120 240 |
| 2006年10月号 | テラヘルツ光検出技術 | 理化学研 JST | 日刊工業新聞 (2006年7月7日PP.31) 日経産業新聞 (2006年7月7日PP.8) | CNTでつくったトランジスタ 単電子トランジスタ 極低温領域で光子として量子的に検出 CNT人工原子 テラヘルツ光の周波数約2.5THz | 120 160 320 660 |
| 2006年10月号 | ホログラムディスク用記録材料 | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年7月13日PP.1) | 次世代DVDの10倍以上の容量 3次元記録 書換え可能 アゾベンゼン高分子 複屈折率0.28以上 厚さ3μm程度 | 120 130 230 |
| 2006年 9月号 | 電子1個の動き捉える | NTT 東工大 JST | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 半導体二重量子ドット(DQD) 超高感度な単電子電流計 単電子トランジスタ 電流雑音3aA | 120 220 660 |
| 2006年 9月号 | 半導体レーザのビーム形状を自在に制御 | 京大 ローム JST | 日刊工業新聞 (2006年6月22日PP.34) 日経産業新聞 (2006年6月22日PP.11) | 2次元フォトニック結晶 レーザ共振器の構造を制御して光分布を変化 格子点や格子間隔を変化 現在の数十倍の記録容量を持つ光ディスクの光源に利用可能 光ピンセットに応用可能 | 120 160 250 |
| 2006年 8月号 | 湿式で電流効率2倍の有機EL | 九州電力 | 日刊工業新聞 (2006年5月2日PP.1) | 電流効率41.7cd/A インクジェット方式 アルコール系溶媒に溶ける電子輸送材料 | 120 250 260 |
| 2006年 8月号 | 電子ペーパー -紙により近く- | ブリヂストン | 日経産業新聞 (2006年5月8日PP.15) | PET(ポリエチレンテレフタレート) 2007年量産 厚さ0.3mm 電子粉流体 直径10μmの帯電した高分子材料 | 120 250 |
| 2006年 8月号 | らせん状の多角形CNTを確認 -高い電界放出・強度特性- | JFEエンジニアリング | 日刊工業新聞 (2006年5月9日PP.25) | 長手方向にらせん状にねじれ アーク放電方法 高結晶性 鋼の役10倍の強度 | 120 160 |
| 2006年 8月号 | 単層CNTの新合成技術 -後処理不要 純度97%ー | 産総研 | 日刊工業新聞 (2006年5月12日PP.25) 日経産業新聞 (2006年5月12日PP.9) | 構造欠陥1/10以下 直噴熱分解合成法(DIPS法)を改良 量産性100倍 CNTの直径を0.1nm単位で制御可能 | 120 160 |
| 2006年 8月号 | ストレージ用磁気テープの基礎技術 -記録密度15倍以上へ- | 富士写真フイルム 米IBM | 日経産業新聞 (2006年5月17日PP.1) | 6.67Gbpiの記録密度 酸化鉄粒子層の上に65nm厚でバリウムフェライトを塗布 粒子直径21nm 長期保存性 テープ1巻あたり8Tbyte目標 | 130 120 160 |
| 2006年 8月号 | 光が自在に曲がる新現象 | NTT | 日刊工業新聞 (2006年5月19日PP.27) | タンタル酸ニオブ酸カリウム(KTN)結晶 KTNチップは長さ6mm 光ビームスキャナ 光が振れる角度を80倍 マイクロ秒応答 | 120 210 240 |
| 2006年 8月号 | DNAで有機EL素子 | 東工大 | 日本経済新聞 (2006年5月22日PP.9) | チップ状 赤・青・オレンジに発光 鮭の白子 1cm角 発光時間1時間程度 ニチロのDNA製造プラント | 120 250 |
| 2006年 8月号 | 鉛フリーはんだ用新型洗浄剤 | 荒川化学工業 | 日経産業新聞 (2006年5月30日PP.17) | フラックス 界面活性剤 不純物除去精度向上 洗浄液寿命3～4倍 | 120 160 |
| 2006年 7月号 | 次世代半導体メモリー -蓄積電荷5倍の新材料を開発- | 東工大 富士通 | 日経産業新聞 (2006年4月3日PP.17) | FeRAM ビスマスフェライト(BFO)に微量のMnを加えた新材料 65nmまで微細化可能 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 折り曲げ自在な次世代メモリー | セイコーエプソン | 日本経済新聞 (2006年4月4日PP.13) | FeRAM 電子ペーパー ICタグ フッ素系ポリマー 厚さ0.1mmのプラスチック基板上 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 線幅30μmの基板用樹脂剤 | 関西ペイント | 日経産業新聞 (2006年4月5日PP.1) | スクリーン印刷法 直径1μm以下の無機材料でレジスト剤の粘性を制御 ICタグ | 120 160 340 |
| 2006年 7月号 | 稀少金属を使わない透明電極材料 | 神奈川科学技術アカデミー(KAST) | 日経産業新聞 (2006年4月5日PP.9) | In TiO295%とNb5%を混合したセラミックス レーザ照射で蒸発させガラス上に薄膜 500℃に過熱し導電性向上 可視光透過率80% 抵抗率0.001Ω/cm3 | 120 250 |
| 2006年 7月号 | 共鳴トンネルダイオード使用で新回路動作に成功 | 上智大 独デュースブルク・エッセン大 | 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) | 超電導ジョセフソン接合素子(JJ) 室温で200GHz動作可能 4RTD回路 Al・Asの二重障壁層とIn・Ga・As系の積層構造で井戸層からなるRTD 試作サイズ15～25μm2 論理積(AND)論理和(OR)回路 | 160 120 220 |
| 2006年 7月号 | 液体でSiTFT | セイコーエプソン JSR | 朝日新聞 (2006年4月6日PP.3) 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.9) | HとSiを含む液体材料 回転塗布またはインクジェットで成膜 厚さ300nmのSi膜パターン シラン化合物 500℃前後で焼成 コスト半分 消費電力1/10程度 | 120 160 220 250 |
| 2006年 7月号 | 書き込み速度1000倍の次世代メモリー | 静大 シャープ | 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.1) | RRAM(抵抗式随時書込み読出しメモリー) TiNを活用 読出し時間20ns/bit 既存施設の利用可能 TiNの表面にTiO2薄膜 2V程度の電圧による抵抗値の変化利用 | 120 160 230 |
| 2006年 7月号 | 光100%透過の新材料を設計 | 理化学研 | 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.10) | ポリマーの中に外径60nm内径40nmの金属リングを規則的に配置した構造 リング状金属 通信時の損失防ぐ | 140 120 |
| 2006年 7月号 | 記憶型モノクロ液晶ディスプレイ -電源オフでも画像保持- | シチズン時計 | 日経産業新聞 (2006年4月13日PP.1) | 粘度の高い強誘電材料 配向膜に無機性材料 液晶分子が20°の傾きで均一に並ぶ パッシブマトリクス型 画像書込み時以外は電力不要 厚さ1.7μm 駆動電圧5V 消費電力1μW/cm2 | 120 250 160 |
| 2006年 7月号 | 1TbitHDD向けパターン磁気記録技術 | 早大 | 日刊工業新聞 (2006年4月18日PP.33) | 湿式法 直径10nmの微細孔 直径2nmの有機シラン Co系合金 ドット径10～20nmの磁性ナノドットアレイ | 120 160 230 |
| 2006年 7月号 | 携帯向け低消費電力液晶パネル | 日立ディスプレイズ | 日経産業新聞 (2006年4月19日PP.1) | 画像切替え時のみ電力供給 低温p-SiTFT型 解像度120×160dot 制御回路を内蔵 26万2千色 試作1.3インチμW | 250 160 120 |
| 2006年 7月号 | 500mめどの高温超電導線材 | フジクラ | 日経産業新聞 (2006年4月28日PP.1) | Y系線材 GdとZrの酸化物の中間層 | 120 160 140 |
| 2006年 7月号 | 磁極の向きを変え光制御 | 産総研 科学振興機構 | 日経産業新聞 (2006年4月28日PP.11) | 光の進路を制御 圧電性と磁石の性質を併せ持った素材 FeGaO3の単結晶に4μmの溝 500Gで回折光の差が2% | 120 160 240 |
| 2006年 7月号 | 固体型色素増感太陽電池 | 桐蔭横浜大 | 日経産業新聞 (2006年4月21日PP.8) | 大きさ1cm角 厚さ2mm 色素付着のTiO2とポリアニリンで被膜したC粒子をガラス基板で挟む 光電変換効率4% | 250 120 160 |
| 2006年 6月号 | 屈折限界超すナノレンズ -金属ナノ構造と光の相互作用で実現した波長を超える高解像度- | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2006年3月2日PP.27) | 表面プラズモン 金属ロッドアレイ メタマテリアル構造 生体細胞ナノサイズで撮影可能 光の収差 プラズモニクス 金属錯イオンを2光子還元 負の屈折率 | 120 160 310 |
| 2006年 6月号 | マルチモードファイバ(MMF) -10Gbps 300mの伝送に成功- | 富士通 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 温度無依存の量子ドットレーザ(QDLD) 3Dのナノ構造に電子が閉じ込められて発光 冷却機・電流駆動制御不要 | 240 120 |
| 2006年 6月号 | 白色レーザ発振可能なフッ化物ファイバ | 住田光学ガラス | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 1本で青色半導体レーザを白色レーザとして連続発振 PrをAlF系ガラスに含ませた独自素材 522nm・635nmとあわせ440nm ディスプレイ光源 高い変換効率 三原色の高い色再現性 | 120 160 240 250 |
| 2006年 6月号 | 伝送速度2.5倍の面発光レーザ -次世代スーパコンピュータ向け- | NEC | 日経産業新聞 (2006年3月8日PP.13) | 大きさ250μm角 伝送速度25Gbps GaAsIn | 120 250 |
| 2006年 6月号 | 青紫色レーザ -雑音1/30に- | 金沢大 | 日経産業新聞 (2006年3月16日PP.1) | 逆位相の電流 レーザ反射光が生じる条件下で雑音抑制 低周波時に負帰還 高周波時に正帰還 | 120 250 |
| 2006年 6月号 | 光で動く分子ピンセット | 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月23日PP.31) | 大きさは1nm 伸縮はアゾベンゼン 軸回転はフェロセン 塩基分子をつかむ亜鉛ポルフィリン 分子ロボット | 120 160 |
| 2006年 6月号 | 不揮発性強誘電体メモリー(FeRAM)新材料 -記憶保持能力を5倍に- | 東工大 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年3月24日PP.33) | ビスマスフェライト(BFO)にMnを加えて漏れ電流低減 65nm世代で256MB実現 | 120 230 |
| 2006年 6月号 | アモルファスTFTの曲がる電子ペーパ | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2006年3月31日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年3月31日PP.13) | 室温で作製可能 基板にプラスチックを利用し前面板を組合せ すべての層を室温プロセスで作製 2インチ 4800画素 厚さ約320μm | 150 250 120 220 |
| 2006年 5月号 | すりつぶすだけでナノ結晶 | 海洋研究開発機構 | 日刊工業新聞 (2006年2月2日PP.1) | フラーレン C60 C70 数分すりつぶす 約30%が直径数μm以下 毒性なし | 120 160 |
| 2006年 5月号 | LED型量子暗号通信素子 | 東芝欧州研究所 | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.8) | 量子もつれ光子対を任意に発生 高さ6nm直径12nmの量子ドット微細構造 半導体素子 | 120 240 250 220 |
| 2006年 5月号 | ロボットハンド用滑りセンサ | 奈良先端大 | 日経産業新聞 (2006年2月6日PP.8) | 指先に半球状のゲル状物質 ゲル状物質表面に等間隔の点 CMOSカメラで点の動きを検出 | 310 120 210 320 |
| 2006年 5月号 | たんぱく質で半導体メモリー | 奈良先端大 松下電器 | 日刊工業新聞 (2006年2月9日PP.27) | 不揮発性半導体メモリー フローティングゲートにフェリチンを利用した直径7nmのCoOナノ粒子 フェリチンの外径13nm | 120 220 230 |
| 2006年 5月号 | キャパシタの蓄電効率10%改善 -電極抵抗1/4に- | 東海大 | 日経産業新聞 (2006年2月15日PP.11) | ナノテク素材 電気二重層キャパシタ 50mgの活性炭に直径10nm長さ100μmのCNT加え直径約1cm厚さ1mmの電極 電極の抵抗2.5Ω 厚さ3mmで2.5F | 120 160 250 |
| 2006年 5月号 | 銅ナノインク開発 | 旭化成 | 日刊工業新聞 (2006年2月22日PP.23) | 印刷技術活用 Cu配線や薄膜を低コスト形成 厚さや線幅をμmオーダーで制御可能 酸化膜のナノサイズ微粒子と酸化還元剤をインクに配合 塗布後焼成 エッチング工程不要 | 130 160 120 |
| 2006年 5月号 | テラヘルツ光用新型レーザ -コスト1/100- | 情通機構 東大 | 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.1) | 透過撮影用光源 量子カスケードレーザ 縦3mm 幅500μm 厚さ10μm GaAs化合物半導体の多層膜構造 3.4THz 動作温度-220℃ | 120 160 250 |
| 2006年 5月号 | 回路線幅29.9nmパターン生成 -深紫外線光リソグラフィ- | 米IBM JSR | 電波新聞 (2006年2月22日PP.3) 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.3) | DUV193nm 光屈折率液侵技術 石英レンズや有機液体などの新素材 EUV(極紫外線)でなくArF対応ステッパの継続使用可能 独自開発のフォトレジスト | 120 160 |
| 2006年 4月号 | ペースト状ナノ粒子 -幅20μm配線可能に- | 大研化学工業 大阪市立工業研 | 日経産業新聞 (2006年1月1日PP.21) | AgとPdの合金ナノ粒子 直径5nm 樹脂と混ぜる スクリーン印刷 プラスチック基板に回路パターンを書く 加熱300℃で樹脂が分解 | 120 160 |
| 2006年 4月号 | 光で分子構造が変化する物質を利用した大容量記録材料 ―書き込み・読み出し 3次元で可能に | 九大 | 日経産業新聞 (2006年1月4日PP.11) | ジアリールエテン フォトクロミック分子 紫外線で蛍光オフ 可視光で蛍光オン | 120 130 |
| 2006年 4月号 | 金属内包フラーレン1個でスイッチ動作 | 東工大 名大 | 電波新聞 (2006年1月5日PP.7) | 分子ナノデバイス 融合新興分野 Tb@C82 自己組織化分子膜 測定温度-260℃ | 120 160 660 |
| 2006年 4月号 | 地デジ用高効率電力増幅器 -従来の2倍の効率で低コスト- | NHK アールアンドケイ | 電波新聞 (2006年1月11日PP.10) 電波タイムズ (2006年1月16日PP.3) | GaN-HEMT 低歪 CN確保 出力5Wで約9%の電力効率 | 120 220 340 |
| 2006年 4月号 | 通電にまっすぐになるコイル状CNT ―原子構造変化を解明- | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2006年1月19日PP.26) | 2層CNT 円周電流密度0.9μA/nmでコイルがゆるみはじめ 2.2μA/nmで大きく変形 2.6μA/nmで直線状 電流による局所的な高温状態により曲面にある五角形 七角形の原子構造が六角形に変化 | 120 130 |
| 2006年 4月号 | 液晶フィルム新素材 | 慶応大 JST | 日本経済新聞 (2006年1月20日PP.17) | 複屈折を抑えるnmサイズの微粒子 ポリカーボネート樹脂に約50nmのSrCO3粒子を加える 押し出し成形 40μm厚 | 120 160 |
| 2006年 4月号 | 発電効率2.6倍小型燃料電池 | クラレ | 日経産業新聞 (2006年1月24日PP.1) | 厚さ50μmのエラストマー 水素イオンチャネル MEA ダイレクトメタノール(DMFC)方式 高分子膜加工技術を応用 H+の透過度1.5倍 メタノールの透過量6割 | 120 160 250 |
| 2006年 4月号 | ZnOの量産用結晶 -LED基板などへの応用期待- | 東京電波 | 日経産業新聞 (2006年1月31日PP.9) | 3インチウェハ用結晶 約2万個の基板切り出し可能 サファイア基板の4倍近い明るさ サファイアの半額程度の価格 炉の中の最適温度・圧力を決定 | 120 160 250 |
| 2006年 3月号 | 丸められる0.3mm超薄型電池 | NEC | 日本経済新聞 (2005年12月8日PP.13) | 有機ラジカル材料 電圧3.7V 充電時間30秒 ICカード用 | 120 250 |
| 2006年 3月号 | 駆動電流を半減したPRAM | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2005年12月13日PP.8) | Ge・Sb・Teの金属間化合物にOを添加 0.1μmの薄膜素子 書込み電流100μA | 120 230 160 |
| 2006年 3月号 | 16倍速の二層式DVD向け有機色素 | 富士写真フイルム | 日経産業新聞 (2005年12月14日PP.8) | C・O・Nなどを合成 オキソライフと呼ぶ色素を基に開発 インバーススタック法 データ保存100年以上 隣接トラックへの熱の干渉を低減 ピットを作りやすくする機能 | 120 160 230 |
| 2006年 3月号 | 明るさ256倍の白色LED材料 | 出光興産 慶応大 | 日経産業新聞 (2005年12月15日PP.11) | 直径10nmの蛍光体粒子にして光の散乱を抑圧 YAG(Y3Al5O12)蛍光体 青色LEDからの光を吸収し白色光を出す 光の透過率80% 300℃の液体中で加圧合成 | 120 160 250 |
| 2006年 3月号 | 光をねじるナノ「卍」 | 東大 | 朝日新聞 (2005年12月6日PP.7) | 厚さ95nm 偏光の向きが1.5度回転 500nm角の「卍」 | 120 250 260 |
| 2006年 3月号 | 金属ナノ構造で光ナノイメージング技術 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2005年12月22日PP.21) | 細い銀線(銀ナノ円柱)を剣山のように並べた構造 表面プラズモン ナノサイズの微細な構造までがクリアに結像 | 160 210 120 260 |
| 2006年 3月号 | 電流で曲がるシート状駆動装置
-印刷で製造可能に- | 日立 | 日本経済新聞 (2005年12月23日PP.13) | 小型アクチュエータ 厚さ約0.1mmのプラスチックフィルム上に印刷 数十Vで180°近くまで曲がる 高分子の有機材 炭素粒子界面活性剤 | 120 160 250 |
| 2006年 3月号 | 印刷によりプラスチック基板上にメモリー素子作製 | 産総研 | 電波新聞 (2005年12月26日PP.5) | 全印刷フレキシブルデバイス FeFET 3×3アレイ 生体高分子材料 | 120 160 230 |
| 2006年 3月号 | 高密度・高均一な量子ドットの製造に成功 | 産総研 | 電波新聞 (2005年12月30日PP.5) | 通信用半導体レーザ 大きな光増幅 40GHzを超える高速直接変調動作が理論的に可能 1.3μmでレーザ発振動作 As2分子線 組成傾斜歪み緩和層構造 | 160 250 120 |
| 2006年 2月号 | 磁気抵抗比55%のMRAM -パーマロイ系材料を使用- | 東芝 NEC | 日刊工業新聞 (2005年11月2日PP.26) | 磁気トンネル接合(MTJ)の磁気固定層にAl2O3のトンネル絶縁層を介してNiFeのパーマロイ系フリー層を積層 新キャップ層として非磁気層のNiFeZr 512KbMRAM試作 | 160 230 120 |
| 2006年 2月号 | ナノ構造の人工金薄膜 -旋光特性が自然界の500倍- | 東大 | 日刊工業新聞 (2005年11月14日PP.28) | 鏡面非対称のキラルパターン 25nm厚の金薄膜に500nmの卍型パターンを周期的に構成 可視光の偏光は1.5°回転 | 160 250 120 |
| 2006年 2月号 | 次世代光メモリー「RRAM」 -既存の電子材料- | NTT | 日経産業新聞 (2005年11月21日PP.10) | 抵抗式随時書き込み読み出しメモリー Bi4Ti3012の30～50nmの薄膜を電極で挟む ECRスパッタ法を利用 | 120 160 230 |
| 2006年 2月号 | 曲面に貼りつけ可能なICラベル | トッパンフォームズ | 日経産業新聞 (2005年11月21日PP.7) | 磁性体をインクのように薄くする技術 磁性体の厚み0.5mm以下 | 120 160 340 |
| 2006年 2月号 | 寿命2倍の青色有機EL | 出光 | 日経産業新聞 (2005年11月22日PP.3) | 23000時間 熱に強い分子構造 | 120 160 250 |
| 2006年 2月号 | 曲げられる点字ディスプレイ -厚さ1mmで家電などに装着容易- | 東大 | 日本経済新聞 (2005年11月25日PP.15) 日刊工業新聞 (2005年11月25日PP.37) | 4cm角 一度に点字を24文字分表示 有機半導体 シート型 シート上のイオン導電性高分子が電界で屈曲する性質を利用 約1mm径の点を上下 約1秒で1フレームの表示が可能 | 220 250 120 |
| 2006年 1月号 | プラズマテレビ用新電極保護膜材料 -駆動消費電力を約半分に- | NHK アルバック | 電波タイムズ (2005年10月5日PP.3) | 電極保護膜材料をMgOにかえて(SrCa)Oを使用 | 120 250 |
| 2006年 1月号 | ナタデココで新基板材 -曲がる有機EL- | パイオニア 京大 三菱化学 | 日経産業新聞 (2005年10月17日PP.21) | 厚さ1mm以下 ガラス並みの強度 熱膨張係数はSiの1/30 バイオナノファイバコンポジット 平行光線85%以上透過 繊維質 | 250 120 160 |
| 2006年 1月号 | 白色LED -粒子40nmに- | 日東電工 | 日経産業新聞 (2005年10月18日PP.1) | YAG蛍光体 気相法 光の散乱を押さえ込みやすい | 250 120 160 |
| 2006年 1月号 | 超高速メモリー基本素子 | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年10月20日PP.12) | 磁気抵抗効果 LaとSrとMnからなる酸化物 絶対温度10℃で動作 磁場を加えると抵抗値が大きく低下 | 120 230 |
| 2006年 1月号 | 量子ドットを活用した半導体レーザ | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年10月24日PP.11) | InAs製 直径15nm GaAs基板上に1000億個/cm2形成 5層積層 波長1.3μmのレーザ光発振 10GHz高速光通信 | 160 250 120 |
| 2006年 1月号 | FELの発光効率高める | 高知県産業振興センター | 日経産業新聞 (2005年10月27日PP.8) | 厚さ10nm以下のダイヤモンド薄膜 カーボンナノウォール 1700cd/m2 発光効率60lm/W 5cm角の面発光光源試作 | 120 160 250 |
| 2005年12月号 | イットリウム系高温超電導線材 -従来比2.5倍- | 超電導工学研 | 日刊工業新聞 (2005年9月6日PP.25) | 臨界電流と線材長さの積51940Am YBCO線材 MPMT法 | 120 160 |
| 2005年12月号 | 光路切換え15μs動作の光スイッチ | 横浜国大 | 日刊工業新聞 (2005年9月7日PP.25) | 積層微小リング共振器 任意のアドドロップ可能 高屈折率1.8の誘電導体Ta2O5など バーニャ効果 消光比40db 隣接干渉性-20db FSR波長選択範囲を約7倍 | 120 160 240 |
| 2005年12月号 | 次世代型光通信レーザ装置 -光信号数10～100倍に- | 東北大 アドバンテスト研 | 日経産業新聞 (2005年9月7日PP.7) | DWDM 53cm×42cm×16cmの装置 Er添加光ファイバに光信号を通して増幅後アセチレンガスを通し周波数安定 周波数間隔を10MHz以上に狭める | 120 240 250 340 |
| 2005年12月号 | 新原理のトランジスタ | 東北大 | フジサンケイビジネスアイ (2005年9月8日PP.9) | プラスチック製 ゲート部分の分子を電子化学的に酸化・還元させることで電流抵抗値を変化 1.2Vでオン・オフ比2000倍 ポリチオフェン | 120 220 160 |
| 2005年12月号 | 省電力世界一の緑色有機EL | 山形大 | 日本経済新聞 (2005年9月9日PP.17) | フルカラーで現在の半分程度の消費電力 電気を光に変換する効率90lm/W イリジウム錯体 | 250 120 160 |
| 2005年12月号 | 液晶ドライバLSI -配線ピッチ30μm- | シャープ | 日刊工業新聞 (2005年9月12日PP.11) | 高精細液晶テレビ フィルム素材や封止樹脂材料を改良 SOF | 120 160 250 |
| 2005年12月号 | 線幅32nmを実現する液浸露光用高屈折率液体 | 三井化学 | 日刊工業新聞 (2005年9月13日PP.19) | 屈折率1.63 環状アルカンを液浸向けに最適化 高透明度 低粘度 デルファイ | 160 120 |
| 2005年12月号 | コスト1/20のSi光スイッチ | NICT | 日経産業新聞 (2005年9月16日PP.6) | 160Gbps通信用 Si光経路を渦巻き状 切替え時間3ps ナノメートル単位の細い線上の経路 | 120 160 240 |
| 2005年12月号 | 高輝度青色発光素子 | 米カルフォルニア大 JSTなど | 日経産業新聞 (2005年9月22日PP.9) | 窒化ガリウム半導体結晶 「無極性」「半分極性」という異なる性質を持つ結晶薄膜 200ルーメン/W目標 可視光領域のレーザを簡単に作りわける 発生光は偏光性を持つ | 250 120 160 |
| 2005年12月号 | 消費電力1/10の青色LED | JST 米カルフォルニア大 | 朝日新聞 (2005年9月22日PP.3) | ERATO中村不均一結晶PJ GaNを工夫した基板上で結晶成長 | 120 160 250 |
| 2005年12月号 | 直径6nm強磁性微粒子 | 筑波大 | 日経産業新聞 (2005年9月27日PP.10) | HDD向け FePt 保磁力10Oe オレイン酸とオレイルアミンの混合液を使用 | 120 160 230 |
| 2005年11月号 | 高出力燃料電池電解質膜 | 名工大 | 日刊工業新聞 (2005年8月1日PP.1) | メタノール型燃料電池 高分子膜ナフィオン内部表面層に無機成分を浸透 出力電流1.5倍 金属アルコキシド ゾルゲル法 | 120 160 250 |
| 2005年11月号 | フラーレン分子ナノスイッチ
-SAMで向きを制御- | 東工大 名大 | 日刊工業新聞 (2005年8月2日PP.25) | Tb原子1個 電気的極性 双極子モーメント STM Au基板上に厚さ約1nmのSAMを堆積 -260℃ 分子スイッチ技術 | 120 160 220 |
| 2005年11月号 | 全光量子計算で新方式
-量子非破壊測定法を利用- | 国立情報学研 英HP研 | 日刊工業新聞 (2005年8月9日PP.23) | 単一光子方式とレーザパルス方式の組合せ 量子計算システムと光量子通信とのインタフェース 量子ビット間に相関 QND | 120 220 |
| 2005年11月号 | 自然光に近い白色LED
-カメラ付き携帯のフラッシュ向け- | 東芝 | 日経産業新聞 (2005年8月10日PP.1) | 青色LEDの光を赤色に変える蛍光体を組込む ユーロピウム錯体 演色性80 | 120 250 |
| 2005年11月号 | 高温超電導体臨界電流163A | 住友電工 | 日刊工業新聞 (2005年8月12日PP.1) | -196℃ 100m級のBi系線材 加圧焼成酸素の注入条件を最適化 粉末を均一化 結晶粒の向きを揃える | 120 160 220 |
| 2005年11月号 | 最高性能45nmトランジスタ
-電極に金属材料- | Selete | 日経産業新聞 (2005年8月12日PP.4) | 電極にタンタルシリサイド 電子移動度値が5割高 | 120 220 |
| 2005年11月号 | 視覚のコントラスト順応メカニズム解明 | 理研 | 日刊工業新聞 (2005年8月18日PP.22) | 機能的磁気共鳴断層撮影装置(fMRI) S字型特性 コントラスト刺激に応じて応答関数が平行移動 V4野のみU字型曲線 | 120 620 660 |
| 2005年11月号 | 量子コンピュータ素子をSiで試作
-保持時間2桁長い量子ビット- | 日立 英ケンブリッジ大 | 日刊工業新聞 (2005年8月22日PP.22) 日経産業新聞 (2005年8月22日PP.7) | 縦50nm×横150nm二重結合量子ドット 配線をなくす構造 コヒーレンス時間200ns 酸化膜埋込み基板(SOI) 電界を介したゲートで制御 | 120 220 |
| 2005年11月号 | 発光の強さを熱制御できる有機化合物 | 東大 | 日経産業新聞 (2005年8月23日PP.7) | テルピリジン 発光強度に10倍の差 紫外線を当てると青色発光が板状と針状に変化し発光変化 熱で結晶構造可変 | 120 230 |
| 2005年10月号 | 消費電力1/3の高速光通信用レーザ光源 | 日立 日本オプネクスト | 日経産業新聞 (2005年7月14日PP.8) | 発振波長1.55μm 出力2.5W Alを含む半導体材料で作った変調器を半導体レーザと同一基板に集積 | 120 160 250 |
| 2005年10月号 | メモリーモジュール間を光で -サーバ用拡張メモリー- | 富士ゼロックス | 日経産業新聞 (2005年7月14日PP.1) | 光信号を多方向に拡散する光学樹脂 ポリオレフィン 光シートバス 試作品16GB 2.5GB/sec | 120 240 440 |
| 2005年10月号 | 半導体レーザ製造技術開発 -コスト1/1000に- | 情通機構 | 日経産業新聞 (2005年7月29日PP.7) | 面発光レーザ GaAs基板にSb系化合物微粒子の量子ドット 波長1.55μm | 120 160 250 |
| 2005年 9月号 | 多層CNTの抵抗低減 | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年6月6日PP.1) | 内層伝導でW並み 抵抗値ビア当たり0.7Ω 1桁低減 Spring-8で炭化チタン層を確認 | 120 160 |
| 2005年 9月号 | 単層CNT 最高密度の垂直成長 -ダイヤ薄膜成長技術を用いて成功- | 早大 | 日刊工業新聞 (2005年6月8日PP.25) | 先端アークマイクロ波プラズマ励起化学気相成長法(PAMPCVD) 0.5nm厚のFeをアルミナ薄膜で挟む構造 20時間で2mm成長 体積密度66kg/m3 | 120 160 |
| 2005年 9月号 | 単一のT字型量子細線光吸収を初めて観測 | 東大物性研 ベル研 | 日刊工業新聞 (2005年6月14日PP.27) | 量子細線 光吸収測定 量子細線レーザ 光変調器 GaAsとAlGaAsで断面が14×6nm | 120 360 660 |
| 2005年 9月号 | 分子細孔法を用いた45nLSI向け低誘電率膜 | NEC NECエレクトロニクス MIRAIプロジェクト | 日刊工業新聞 (2005年6月14日PP.27) | 内径1nm以下の環状シリカ材料 誘電率2.4 65n世代に対して倍の配線密度と16%減の配線容量 | 120 160 |
| 2005年 9月号 | 線幅32nmLSI向け新技術 -新構造TR・新多層配線技術- | MIRAIプロジェクト | 電波新聞 (2005年6月14日PP.1) 日経産業新聞 (2005年6月14日PP.7) | 高電流駆動力 プロセス損傷抑制可能 歪みSi薄膜 歪みGe薄膜 局所酸化濃縮法 ポーラシリカ低誘電絶縁材料 | 120 160 220 |
| 2005年 9月号 | UWB用GaN-MMIC -高周波・高耐圧を実現- | 松下電器 | 電波新聞 (2005年6月15日PP.1) | 22GHz帯で最小雑音指数2.6dB 信号増幅率13dB IIP3入力時7.5dB サージ耐圧150V チップサイズ2.6×1.3mm2 | 120 160 220 |
| 2005年 9月号 | 新概念LSIゲート絶縁膜 -Hf添加で移動度15～20%向上- | 日立 ルネサステクノロジ | 日刊工業新聞 (2005年6月15日PP.25) | 65nm世代 ゲート絶縁膜とゲート電極界面に短分子膜に満たない微量のHfO2添加 バンド構造 仕事関数を制御 | 120 160 220 |
| 2005年 9月号 | 新型ホログラム光ディスク | GE | 日経産業新聞 (2005年6月16日PP.1) | 理論容量5TB 熱可塑性プラスチック 射出成型 一層構造 | 230 120 160 |
| 2005年 9月号 | ナノ電子機械システム(MEMS) -二層CNTを電流で20～30度の塑性変形- | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2005年6月24日PP.25) | 曲がる部分を五角形や七角形に変形 CNTの直径が太くなるほど曲げに必要なエネルギーは小さくなる TEMで観察 | 120 |
| 2005年 9月号 | 超高密度垂直磁気媒体制作技術 -陽極酸化アルミナナノホールを1次元配列- | 山形富士通 富士通研 KAST | 日刊工業新聞 (2005年6月27日PP.28) | Alの表面をナノインプリント技術で規則的な凹凸をつけて陽極酸化 凹部にナノホール ナノホールにCoを電気メッキで充填 ピッチ25nmで1Tb/sq inch可能 パターンドメディア垂直磁気記録層 | 120 160 230 |
| 2005年 8月号 | ディスク状ナノ磁石 -磁化回転を初制御- | 東大 | 日刊工業新聞 (2005年5月11日PP.23) | MRAMの高密度化に道 放射光を用いた小型光電子顕微鏡(PEEM)を開発し観測ディスク構造の下側に微少なタグ | 120 |
| 2005年 8月号 | 白色LED向け緑色蛍光体 -自然光の再現可能に- | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2005年5月19日PP.31) | 窒化ケイ素 アルミなど粉末混合で成功 省エネルギー 水銀不要 β-サイアロン結晶 発光波長540nm | 120 250 |
| 2005年 8月号 | 1.55μm帯単一光子伝送 | 東大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年5月20日PP.1) | 量子暗号通信 量子ドットQD MOCVDでQD形状を最適制御 Cバンド InAs/InPで2段階にQDを埋め込む成長技術 | 120 140 160 |
| 2005年 8月号 | CNT添加導電性セラミックス | 阪大 | 日刊工業新聞 (2005年5月24日PP.1) | ZrO2に多層CNTを3～6%添加 放電加工可能 強度971MPa | 120 160 |
| 2005年 8月号 | 光伝わる速さを1/40に減速 | 東大 | 読売新聞 (2005年5月29日PP.2) | 大容量光通信 実質的な速さ7500km/s ポリスチレン高分子樹脂の球 直径約5μm | 120 140 160 |
| 2005年 7月号 | 次世代磁気メモリー -消費電力同じで1万倍高速- | 東北大 日立 | 電波新聞 (2005年4月5日PP.1) 日刊工業新聞 (2005年4月5日PP.23) | MgOの絶縁膜をBを含むCoFe膜2枚で挟む 室温で磁気抵抗比287% 1Gb級MRAMに道 スパッタ法 TMR素子 | 120 230 |
| 2005年 7月号 | 光硬化樹脂を用いたカーボンファイバ整列技術 | 首都大 | 日刊工業新聞 (2005年4月13日PP.27) | 垂直に揃える 引っ張り上げながら紫外線で硬化 直径150nmのカーボンファイバ混入光硬化樹脂をアクリル基板に吐出 5%で密集 FED用電子銃 | 120 160 |
| 2005年 7月号 | 光信号を伝える樹脂製フィルム | 日東電工 | 日経産業新聞 (2005年4月14日PP.1) | エポキシ樹脂 厚さ100μmのフィルム内部に50μmの正方形の断面の導波路 損失量2.5%/㎝ 50㎝以上の距離でも10Gbps以上の伝送 2mmR曲げ可 | 140 240 120 |
| 2005年 7月号 | 新固体量子計算機 -半導体で核スピンを精密制御- | NTT JST | 日刊工業新聞 (2005年4月21日PP.28) | NMR 多値核スピン 上端に高周波用アンテナゲート 中心部にGaAs/AlGaAs系量子井戸構造 4スピン準位を反映したコヒーレント振動 | 120 420 |
| 2005年 7月号 | 液晶で光ダイオード -レーザ発振にも成功- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2005年4月25日PP.26) | 色素1%混ぜてレーザ発振 フォトニック結晶構造 コレステリック液晶でネマチック液晶を挟むヘテロ構造液晶 | 120 160 250 |
| 2005年 6月号 | 90n世代システムLSIによるDRAM混載技術 -130n世代に比べセル面積60%に- | NECエレクトロニクス | 電波新聞 (2005年3月10日PP.1) | MIMキャパシタを形成する絶縁膜にZrO2 ALD方式 Ta2O5の3倍以上 Si3N4の5倍以上の電荷蓄積能力 最大500MHz | 120 160 |
| 2005年 6月号 | CNTの密度を定量測定 -TEM断面像を利用- | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年3月15日PP.26) | TEMの試料作成手法を応用 平面テレビ用CNT電子銃の密度最適化に応用 スライス間隔80nm | 120 660 |
| 2005年 6月号 | 1Tb級光スイッチ -エネルギー1/5で稼働- 図 | FESTA | 日経産業新聞 (2005年3月15日PP.7) | 制御用レーザ光出力100pJが20pJに 結合量子井戸構造 Al/As/Sb層とIn/Ga/As層の間に1nm以下のAl/As層 | 120 160 240 |
| 2005年 6月号 | トンネルダイオード(RTD)新論理回路開発 | 上智大 | 日刊工業新聞 (2005年3月18日PP.26) | 超電導ジョセフソン接合素子(JJ) 微分負性抵抗(NDR) 4JJ論理回路のJJをRTDに置き換え すべての論理回路構成可能 室温で200GHz動作予測 | 120 140 |
| 2005年 6月号 | 明るさ10倍の青色LED 図 | ローム | 日本経済新聞 (2005年3月18日PP.13) | ZnOをP型結晶 | 120 250 |
| 2005年 6月号 | 超電導LSI設計自動化 | 超伝導工学研 | 日刊工業新聞 (2005年3月23日PP.37) | 超電導単一磁束量子(SFQ)論理合成ツール開発 セルライブラリ 自動配置配線ツール | 120 620 |
| 2005年 5月号 | 電子放出2倍のナノチューブ | 筑波大 東京学芸大 | 日経産業新聞 (2005年2月1日PP.9) | 表面にケイ素化合物 電圧140Vで蛍光体発光に充分な電子放出 | 120 |
| 2005年 5月号 | スピンホール効果観測 | 日立ケンブリッジ研 | 日刊工業新聞 (2005年2月2日PP.29) | 特殊なLED スピンの向きを円偏光の形で検出 ホール電圧効果 | 120 |
| 2005年 5月号 | CNTを電子線で容易に切断 | NTT | 日経産業新聞 (2005年2月3日PP.10) | 約100Vの電圧で発生させた電子線で切断 照射後空気と反応 | 160 120 |
| 2005年 5月号 | 2層CNT -高純度生成とナノペーパ調製- | 信州大 | 日刊工業新聞 (2005年2月3日PP.23) | 単層CNTと多層CNTlの良さを併せ持つ 気相成長法に新製法 DWNT | 120 160 |
| 2005年 5月号 | 半導体二重ナノリング | 物材機構 | 日経産業新聞 (2005年2月15日PP.8) | GaAs製 内側リング直径40～50nm 外側リング直径100nm 高さ4～5nm 分子線エピタキシ 2ビット/リングの記録素子 | 120 160 230 |
| 2005年 5月号 | 電子線描画装置にダイヤ | 住友電工 | 日刊工業新聞 (2005年2月16日PP.1) | EB装置 ダイヤ電子源 10倍大きい照射電流 | 360 120 |
| 2005年 4月号 | 棒状金ナノ粒子 -吸収する光の領域自在に- | 三菱マテリアル | 日経産業新聞 (2005年1月1日PP.17) | 直径5～50nm 長さ20nm～数μm 塩化金酸H[AuCl4(下付)]・4H2(下付)O溶液に界面活性剤をいれ電流や光 600～1300nm波長光 | 120 160 |
| 2005年 4月号 | カラー表示電子ペーパー技術 | 千葉大 科学技術戦略推進機構 | 日経産業新聞 (2005年1月4日PP.9) | 特殊色素 テレフタル酸 4㎝角ガラス基板 64画素表示 8色発光 揮発性 | 120 160 250 |
| 2005年 4月号 | 省エネ・高速ナノスイッチ -消費電力半導体の1/100万- | 物材機構 科学技術振興機構 理研 | 朝日新聞 (2005年1月6日PP.2) 日経産業新聞 (2005年1月6日PP.7) 日刊工業新聞 (2005年1月6日PP.25) | 原子スイッチ 消費電力を1nW Ag突起の伸び縮み Ag2(下付)S電極とPt電極を1nm間隔 固体電解質の特性利用 金属原子の動き1個単位で精密制御 | 120 160 220 |
| 2005年 4月号 | CNCの量産技術 -合成速度が15倍に 燃料電池電極に応用- | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2005年1月10日PP.1) | 触媒を載せた基板を電気炉に自動で連続投入 温度650～800℃ FeとSnの混合触媒 直径200～700nm 長さ1～150μmの螺旋形状のCNCを2g/hr生産 | 120 250 |
| 2005年 4月号 | 窒化ケイ素セラミックスに導電性 -CNTを添加 強度や靭性保持- | 横浜国大 | 日刊工業新聞 (2005年1月18日PP.1) | AlN TiO2(下付) 百数十度低い焼成温度 1mあたり3～500シーメンスの導電性 耐摩耗性も向上 | 120 |
| 2005年 4月号 | リチウム電池新電極 -携帯充電1～2分に- | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年1月19日PP.7) | パワー密度8000～10000W/kg 結晶性金属酸化物複合ナノポーラス材料 Cu2O | 250 120 |
| 2005年 4月号 | 固体酸化物型燃料電池用複合材 -発電性能2倍に向上- | ホソカワ粉体技研 | 日経産業新聞 (2005年1月19日PP.1) | 金属粒子を均一に分布させ粒子間にスペース 1平方㎝あたりの発電能力0.8W 700℃で発電可能な複合粒子 SOFC | 120 250 |
| 2005年 4月号 | CNT高純度回収法 | 筑波大 東京学芸大 | 日経産業新聞 (2005年1月20日PP.7) | 直径1.4nmの単層CNTが3割程度含まれる市販品で実験 カロ酸 アミン 純度96% | 120 160 |
| 2005年 4月号 | 薄くて曲げられる有機ELディスプレイ -フレキシブル透明基板と有機発光TRを開発- | 京大 パイオニア 三菱化学 ローム | 日本経済新聞 (2005年1月25日) 電波新聞 (2005年1月26日PP.1) | 名刺サイズ 厚さ0.2mm 生物が作り出した特殊な繊維 直径100nmのバイオナノファイバコンポジット 発光外部量子効率0.8% 輝度300cd/m2(上付) | 120 160 220 250 |
| 2005年 4月号 | 強度ダイヤモンド並みの導電性炭素皮膜 -ハードディスク保護膜向け- | NTTアフティ | 日経産業新聞 (2005年1月27日PP.9) | 厚み約40nm 直径2～3nmの筒状炭素分子が林立 1000℃までの耐熱性 | 230 120 |
| 2005年 4月号 | 有機薄膜太陽電池 -エネルギー変換効率4%- | 産総研 | 日刊工業新聞 (2005年1月28日PP.26) | n型有機半導体にフラーレン p型に亜鉛フタロシアニン使用 i層により実効的な接合面積を増加 厚さp層5nm・i層15nm・n層30nm Pn接合の界面にナノ構造のi層を挿入 タンダム積層 | 120 160 250 |
| 2005年 3月号 | ナノコイル15倍速合成 | 豊橋技科大 東邦ガス 双葉電子工業 日本バルカー工業 | 日経産業新聞 (2004年12月20日PP.8) | 直径200～700nm 長さ1～150μm 1時間あたり2g生産可能 C2H2 CNT合成可能 | 120 160 |
| 2005年 3月号 | 単層カーボンナノチューブ内に室温・大気圧で氷形成 | 産総研 都立大 | 日刊工業新聞 (2004年12月21日PP.21) | 平均直径1.17のCNT 先端や側面に微小な穴を開けた後水蒸気にさらす 室温27℃で5角形のチューブ状の氷 | 120 160 |
| 2005年 3月号 | 簡便な金薄膜形成技術 | 大阪府立大 | 日刊工業新聞 (2004年12月27日PP.11) | 金ナノ粒子とチオール分子を含む室温溶液にプラスチック基板を浸して攪拌 薄膜形成時間4時間 45nm厚 | 120 160 350 |
| 2005年 3月号 | 次世代半導体材料の劣化長期予測 | 半導体MIRAIプロジェクト 東大 | 日経産業新聞 (2004年12月28日PP.7) | HfAlO ゲート電極にマイナス電圧を印加すると電子の量に比例して劣化 プラス電圧を印加すると正孔の量に比例して劣化 シミュレーションモデル | 120 660 |
| 2005年 2月号 | ファーレン塗れば半導体に | 産総研 | 日経産業新聞 (2004年11月9日PP.11) | 半導体薄膜 アルキル鎖を結合 n型半導体 | 120 |
| 2005年 2月号 | 身近になった単層ナノチューブ -高純度で安く生産- | 産総研 | 日経産業新聞 (2004年11月19日PP.7) | CVD 鉄微粒子の薄膜を触媒 エチレンガス 10分間で高さ2.5mm 従来法と比較して高さ500倍・成長速度3000倍 直径1～4nm 純度99.98% | 120 160 |
| 2005年 2月号 | CNT超合成術 | 産総研 | 読売新聞 (2004年11月21日PP.2) | 長さ500倍 純度2000倍 長さ2.5mm 10分間で純度99.98% | 120 160 |
| 2005年 2月号 | マリモのようなナノ炭素材料 -航空機や燃料電池向け- | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2004年11月24日PP.1) | 直径1μm～10μm ダイヤモンド核の直径は10nm～100nm 酸化ダイヤモンドを触媒単体 Fe Ni 500℃～700℃のCVD マリモカーボン | 120 |
| 2005年 2月号 | 45nm半導体向け絶縁膜 -2005年春 成膜装置供給へ- | MIRAIプロジェクト | 日経産業新聞 (2004年11月25日PP.1) | 絶縁膜材料にHfAlO 窒化処理と酸化処理 電子移動度260 窒化処理でSiO2(下付)膜薄く | 120 160 |
| 2005年 2月号 | 超音波使い室温で成膜 -有機材料壊れず高品質- | 情通機構 | 日経産業新聞 (2004年11月25日PP.8) | スプレージェット法 有機材料を溶媒に溶かした原料液を超音波噴霧装置で噴霧 有機材料のみ基板上に成膜 | 120 |
| 2005年 2月号 | CNTの長さ制御できる合成技術 | 東大 | 日経産業新聞 (2004年11月26日PP.6) | 精度約0.1μm 石英ガラス基板に青色レーザ光を照射し通過してくる光を計測 | 120 660 |
| 2005年 1月号 | 金属基板上にCNT -蓄電器を高性能に- | 三洋電機 阪大 | 日経産業新聞 (2004年10月1日PP.8) | 直径20nm 長さ80μm 蓄電能力6.5F/g Ta製基板 AlとFeを触媒層に使用 CVD 電気二重層キャパシタ 垂直に長く高密度形成 | 120 |
| 2005年 1月号 | 強度6倍の絶縁膜 | 三菱 | 日経産業新聞 (2004年10月14日PP.7) | 回路線幅65nm 層間絶縁膜 ボラジン CVD 65nm半導体向け 誘電率2.3 | 120 220 |
| 2005年 1月号 | 紙並み超薄型画面 -0.25mm電子値札に採用- | ブリヂストン | 日本経済新聞 (2004年10月20日PP.11) | 電子粉流体 高分子ポリマー使用 画面サイズ4.5インチ 粒子の大きさ約10μm | 250 120 |
| 2005年 1月号 | CNTをポリマーブレンド法で量産 -紡糸装置製作し実現- | 群馬大 | 日刊工業新聞 (2004年10月22日PP.22) | 炭素前駆体ポリマーと熱分解消失性ポリマーを混合した「三層コアシェル構造」粒子 溶融紡糸工程 遠心紡糸装置 | 120 160 |
| 2005年 1月号 | 単一光子を連続発生 | 情通機構 独マックスブランク量子光学研 | 日刊工業新聞 (2004年10月28日PP.29) 日経産業新聞 (2004年10月29日PP.8) | 時間波形とタイミングを高精度に制御 イオントラップ使用 90分間 6万発の単一光子 Caの単一イオン 866nmの単一光子 | 120 140 |
| 2004年12月号 | 電子移動100倍速い有機LED用新材料 | 信州大 保土谷化学工業 | 日経産業新聞 (2004年9月1日PP.9) | 電子輸送材料OXDm Alq 駆動電圧半分 消費電力70%節減 輸送速度正孔並 | 120 250 |
| 2004年12月号 | 単層CNTの位置･直径を初制御 | NEC | 日刊工業新聞 (2004年9月3日PP.28) | SWNT ナノレベルで位置と直径を制御できる成長技術 触媒金属を混ぜた電子線レジストで微細な触媒金属微粒子を配置する技術 CVD 直径1.3nm ばらつき±0.4nm 長さ2μm | 120 160 |
| 2004年12月号 | 新量子暗号通信技術 -半導体から光子の対を発生- | 東北大 阪大 | 日経産業新聞 (2004年9月9日PP.7) 朝日新聞 (2004年9月9日PP.3) | CuAlの結晶に390nmの紫外線レーザ 量子もつれ 光子対 | 220 240 250 120 |
| 2004年12月号 | 薄膜永久磁石 -デバイス微細化に貢献- | NEOMAX | 日刊工業新聞 (2004年9月14日PP.13) | 20nmのNd・Fe・B系磁性膜と10nmの中間膜を交互に重ねた構造 厚さ1μm 最大磁気エネルギー積45.8MGOe スパッタリング法 | 120 160 |
| 2004年12月号 | 113番新元素発見か | 理研 | 日刊工業新聞 (2004年9月29日PP.1) | リニアック BiにZnビーム | 120 660 |
| 2004年11月号 | 炭素分子の新構造体 | 名大 | 日経産業新聞 (2004年8月5日PP.1) | カーボンナノウォール FEDの性能大幅向上 CNTよりも多くの電子を放出 CVD装置 厚さ数nm～数十nmのC分子の壁 | 120 150 |
| 2004年11月号 | 単分子膜を用いた微細位置決め技術 -ナノギャップを安価に加工- | 分子科研 米ペンシルバニア州立大 | 日刊工業新聞 (2004年8月11日PP.17) | 自己組織化単分子膜(SAM) 位置選択性分子定規(PS-MR) 低速電子線 16-メルカプト・ヘキサデカノイック酸(MHDA)と二化Cuイオンの層 数nm加工 | 120 160 |
| 2004年11月号 | Ge基板の半導体素子 | 東大 | 日経産業新聞 (2004年8月20日PP.8) | Ge基板上のHfO2がキャパシタとして動作 低温製造 電子の移動度Siの2倍 | 120 160 |
| 2004年11月号 | 高温超電導の仕組みの一端を解明 -格子状の電子分布- | 理化学研 JST | 日刊工業新聞 (2004年8月26日PP.25) 日経産業新聞 (2004年8月26日PP.7) | 銅酸化物二次元面を走査型トンネル電子分光で擬ギャップ状態を観察 カルシウム銅オキシクロライド | 120 660 |
| 2004年11月号 | 多層CNT -280℃で低温合成- | 日本工大 | 日刊工業新聞 (2004年8月30日PP.25) | 熱フィラメント・化学気相成長(CVD)法 280℃に加熱した金属触媒 低コスト | 120 |
| 2004年10月号 | CNT2芯構造を合成 -4年ぶり新タイプ- | 信州大 | 日経産業新聞 (2004年7月29日PP.8) | nmレベルの電気制御 2本のCNTを2 | 100℃に加熱し 外層だけをつなぎ合わせ Bi-cable 120 160 |
| 2004年10月号 | 単層CNT同じ向きに並べる | 東大 | 日刊工業新聞 (2004年7月29日PP.33) | ゼラチンで薄膜化 コイルを巻き付けた円柱状のワイヤバー | 120 |
| 2004年 9月号 | 電子・正孔の移動度を厳密計算 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2004年6月21日PP.21) | 正孔のエネルギー形状の異方性を考慮したアルゴリズムを明確化 高性能CMOS モンテカルロ法 | 120 220 |
| 2004年 8月号 | CN材料 有機溶媒中に超音波照射 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2004年5月10日PP.21) | 装置ローコスト化 反応速度アップ キャビテーション場 アーク放電によるプラズマ発生を利用 | 120 160 |
| 2004年 8月号 | カーボンナノホーン金属原子を補足 | 東大 産総研 | 日刊工業新聞 (2004年5月25日PP.25) | CNH 新複合材料に道 | 120 |
| 2004年 8月号 | 磁力でCNTの性質を制御 | 米国ライス大 | 日経産業新聞 (2004年5月26日PP.9) | 半導体と導体の性質を切換え | 120 |
| 2004年 7月号 | スピンメモリー -電流のみで磁化反転- | 東北大 | 日経産業新聞 (2004年4月1日PP.9) 日刊工業新聞 (2004年4月1日PP.29) | 強磁性半導体 MRAM 従来より2～3桁少ない電流 Ga・AsにMn添加 -193℃ | 120 230 |
| 2004年 7月号 | 有機トランジスタ 6と合わせて一記事に | 東北大 北陸先端大 岩手大 | 日経産業新聞 (2004年4月5日PP.7) 朝日新聞 (2004年4月5日PP.18) | 自己組織化 半導体と基板の間の膜で電子を制御 電圧制御 ペンタセン アルキシラン フラーレン チャンネル幅50μm | 220 120 |
| 2004年 6月号 | CNTを使った電磁波遮断材 | 塚田理研工業 信州大 | 日経産業新聞 (2004年3月9日PP.9) | プラスチックなどにニッケルをメッキした際に生じる廃液転用 CLTをNiで覆う | 120 160 |
| 2004年 5月号 | 磁石の境 電流で制御 -新型演算素子に応用- | 阪大 京大 | 日経産業新聞 (2004年2月3日PP.10) | 電流で磁壁の動き制御 長さ240nm 厚さ10nm NiFe合金 | 120 |
| 2004年 5月号 | 二層CNT量産技術 | 名大 東レ | 日経産業新聞 (2004年2月16日PP.7) | 直径2nmの二層CNT CVD Bの入ったゼオライト | 120 160 |
| 2004年 5月号 | 化学反応でLSI配線切り換え -ナノブリッジ- | NEC 物質・材料研究機構 科学技術研究機構 | 日刊工業新聞 (2004年2月17日PP.27) 日経産業新聞 (2004年2月17日PP.8) | プログラマブルロジックの配線切り換え 固体電解中の金属原子の移動を利用 書き換え可能なセルベースIC | 120 220 |
| 2004年 5月号 | 分子にバーコード | 岡崎国立共同研究機構 | 東京新聞 (2004年2月17日PP.2) | 量子計算機に応用 二つの紫外線レーザパルス | 120 |
| 2004年 4月号 | 電磁波を蓄える「宝箱」 | 信州大 阪大物質・材料研究機構 | 朝日新聞 (2004年1月7日PP.1) | フォトニックフラクタル 光池 電磁波の残留時間0.1μsはフォトニック結晶に比べ数倍 27mm角のエポキシ樹脂 酸化チタン系の微粒子 | 120 250 |
| 2004年 4月号 | 光メモリー -蛍光現象使い情報記録- | 東大 化学技術戦略推進機構 | 日経産業新聞 (2004年1月21日PP.8) | 半導体微粒子に紫外線照射 容量DVDの25倍 CdSe 記憶容量5値で100Gbpi | 120 130 |
| 2004年 4月号 | NMR用新超電導体高周波アンテナ | 日立 愛媛大 東京理科大 鹿児島大 島根大 茨城大 九大 | 日刊工業新聞 (2004年1月21日PP.1) | MgB2(下付) 巻き線型のソレノイドコイル 従来の10倍以上の共振特性 600MHz帯域 | 120 210 340 |
| 2004年 4月号 | 合金フラーレン発見 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2004年1月27日PP.1) | 2元合金 CdSe34 直径1.5nm 有機溶媒中で黄緑色の発光 粒径により発光の度合いに変化 | 120 160 |
| 2004年 4月号 | 磁力を光で直接制御 -書換え速度100倍- | 慶大 | 日経産業新聞 (2004年1月30日PP.9) | 常温動作 界面活性剤にアゾベンゼン1%添加 紫外線で磁力変化10% 可視光で元に戻る | 120 130 230 |
| 2004年 2月号 | 超微細化工ハンダ電極 -配線間隔半分に- | カシオマイクロニクス | 日本経済新聞 (2003年11月5日PP.15) | 60μm間隔の配線 半球状電極 | 120 |
| 2004年 2月号 | 強誘電体の分極を磁場制御 | 東大 ロスアラモス研 筑波大 | 日刊工業新聞 (2003年11月12日PP.29) | 巨大電機磁気効果(巨大ME効果) MRAM MnOTb単結晶 30K | 120 |
| 2004年 2月号 | 世界最高輝度の電子放出材 -CNTにRuO2(下付)を結合- | 化研 高エネルギー加速器研究機構(KEK) | 日刊工業新聞 (2003年11月13日PP.1) | 電子放出電界強度2V/μm以下 4V/μmでの電流密度100mA/cm2(上付)以上 FED電極 | 120 150 160 |
| 2004年 1月号 | 量子演算回路の原型完成 -基本素子を2個結合- | NEC 理化学研 | 電波新聞 (2003年10月30日PP.3) 日刊工業新聞 (2003年10月30日PP.29) 日経産業新聞 (2003年10月30日PP.8) | CNOT回路(制御付き否定回路)を動作結合時間200ps(0.02K) | 120 220 |
| 2003年12月号 | ナノチューブで超電導現象確認 -量子計算機開発に道- | 青山学院大 NTT研 科学技術振興事業団 | 日経産業新聞 (2003年9月5日PP.7) | Alの上に微細な穴のアルミナの穴の中に0.8μmのCNT NbとAlの電極間にCNT -272.4℃で超電導 | 120 160 |
| 2003年12月号 | ナノチューブで半導体 -トランジスタ実現へ- | 東北大 ソニー 都立大 科学技術振興事業団 高輝度光化学研究センター | 日本経済新聞 (2003年9月8日PP.21) 日本工業新聞 (2003年9月9日PP.2) | CNT内部に有機分子 導電性の制御に成功 Spring-8 | 120 160 |
| 2003年12月号 | 1T型メモリー用強誘電体材料 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2003年9月9日PP.1) | Trの上に強誘電体を一体化 (Y | Yb)MnO3(下付)薄膜 漏れ電流密度10-8(上付)/cm2(上付)以下 分極保持特性105(上付)/s以上 テｰﾗｰドﾘキｯド法 120 |
| 2003年12月号 | 有機トランジスタ新製法 -自己組織化を利用- | 日立 産総研 光技術振興協会 | 日刊工業新聞 (2003年9月11日PP.5) | ナノ材料の自己組織化 位置合わせ不要 電極間隔3μm シートディスプレイ用 | 120 160 220 |
| 2003年12月号 | カーボンナノチューブの発光を電気制御 | 米IBM | 日経産業新聞 (2003年9月15日PP.5) | CNTを半導体素材に応用 1.5μmの波長で発光 | 120 160 |
| 2003年12月号 | 超高速トランジスタ -カーボンナノチューブ活用- | NEC | 日本経済新聞 (2003年9月19日PP.11) | Siの10倍以上高速に動作 CNTの半導体の性質を利用 | 220 120 |
| 2003年12月号 | 磁気記録用5nm径の白金鉄粉 | 同和鉱業 東北大 | 日経産業新聞 (2003年9月29日PP.7) | 高分子のアルコール中で化学反応 加熱工程不要 PtFe | 130 120 |
| 2003年11月号 | LSI配線用カーボンナノチューブ -触媒微粒子で直径制御- | 富士通 | 日経産業新聞 (2003年8月7日PP.5) | 直径4nmのFe Pt触媒を使用 直径3～10nmのCNTが林立 作成時基板温度600℃以下 | 120 160 |
| 2003年11月号 | 強誘電体ナノチューブ | サムコ研 英ケンブリッジ大 | 日刊工業新聞 (2003年8月20日PP.8) | 直径800nm 厚さ100nm 長さ80μm ミストデポジション法(CVD) Sr Bi Ta2O5 | 160 120 |
| 2003年11月号 | カーボンナノチューブを長く高密度に生成 | 阪大 高知工科大 | 日経産業新聞 (2003年8月21日PP.1) | 熱CVDとプラズマCVDを組合せる 10億本/cm2で長さ50～100μm | 160 120 |
| 2003年11月号 | ダイヤモンドを使ったトランジスタ -世界最高の周波数特性- | NTT 独ウルム大 | 日刊工業新聞 (2003年8月21日PP.5) 日経産業新聞 (2003年8月21日PP.7) 電波タイムズ (2003年8月25日PP.1) | 最高動作周波数81GHz 高純度低欠陥結晶 出力0.3W ミリ波増幅 | 120 160 220 |
| 2003年10月号 | 1チップLEDでマルチカラー発光 -パルス電流制御で実現- | 弘前大 筑波大 | 日刊工業新聞 (2003年7月9日PP.5) | NGaIn-LED 2波長の発光 SQW ブルーシフト | 120 250 |
| 2003年10月号 | CNTを低温合成技術 -FEDを安価に- | 三菱電機 大阪府立大 | 日経産業新聞 (2003年7月22日PP.8) | 500℃で合成 ガラス基板使用可 直径数十nmの微粒子状鉄合金 | 120 160 |
| 2003年10月号 | 次々世代半導体の回路原板 -窒素化合物で精密描画- | HOYA | 日経産業新聞 (2003年7月23日PP.9) | 反射型マスク 極端紫外線 吸収層にTaとBと窒素化合物 10nm紫外線より短い紫外線 EUVの散乱防ぐ 反射層にM/Siを積み重ね | 120 160 |
| 2003年10月号 | 容量10倍の小型蓄電器 | イーメックス | 日経産業新聞 (2003年7月24日PP.6) | フッ素系高分子を金属メッキ 1cmφ・厚さ0.2mm | 120 |
| 2003年 9月号 | 解像度0.1㎜の磁場顕微鏡 -LSIの欠陥識別用- | 物質・材料研究機構 | 日経産業新聞 (2003年6月4日PP.7) | 超電導量子干渉素子 SQUID Ni合金製の探針 | 120 660 |
| 2003年 9月号 | 絶縁体にナノ量子細線 -導電性付与に成功- | 科学技術振興財団 | 日刊工業新聞 (2003年6月16日PP.5) | 超高温透明セラミックス 転位構造配列制御 サファイア結晶内に5nmの金属細線 | 120 160 |
| 2003年 8月号 | 2バンド超電導機構解明
-新物質探索の指針に- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2003年5月1日PP.5) | MgB2 角度分解光電子分光ARPES Mgを中心にBが6角形の2次元面を持つ結晶 | 120 |
| 2003年 8月号 | CNTを用いた固体発光素子 | 米IBM | 日刊工業新聞 (2003年5月5日PP.4) | 3端子素子 1.5μm帯の赤外線 ノンドープ単層CNT FET型 | 220 250 120 |
| 2003年 8月号 | 狙ったところにカーボンナノチューブを合成する手法 | 早大 | 日経産業新聞 (2003年5月8日PP.9) | シングルイオン注入 Ni触媒 CNT | 160 120 |
| 2003年 8月号 | フラーレン分離・精製法
-時間1/10に- | フロンティアカーボン 京大 | 日経産業新聞 (2003年5月28日PP.1) | フラーレン(C60/C70) | 120 160 |
| 2003年 7月号 | 量子コンピュータ向け新素子 -電気的雑音に強い- | NEC デﾙフト工科大 | 日経産業新聞 (2003年4月11日PP.10) | 電磁石の電流の向きで情報を記録 情報の二重記録と電磁波により比率の制御 | 120 220 230 |
| 2003年 7月号 | 巨大磁気光学効果 -磁界で偏光の向き20度回転- | 科学技術振興事業団 産総研 | 日経産業新聞 (2003年4月15日PP.10) | 3種類の金属酸化物 偏光回転角±20° | 120 130 |
| 2007年 3月号 | 光電変換CNT | 東大 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | 電子を放出する層を電子を受け取る分子の層で包んだ中空構造 直径16nm 壁の厚さ3nm 長さ数μm | 120 |
| 2007年 2月号 | FED材料に適した2層CNT | 産総研 ノリタケカンパニーリミテッド | 日経産業新聞 (2006年11月8日PP.11) 日刊工業新聞 (2006年11月8日PP.28) | CNT長さ2.2mm 純度99.95% 2層CNT含有率85%以上 「スーパーグロース法」 水分添加CVD法を改良 電解放出ディスプレイ用の電極 均一な電子放出特性 | 120 160 250 |
| 2007年 2月号 | フェムト秒レーザ照射で単結晶の格子欠陥確認 | 京大 東大 | 日刊工業新聞 (2006年11月20日PP.19) | 特定方向に数nm幅の転位線 クロス形状の構造MgO結晶 | 120 |
| 2007年 1月号 | HDD磁気ヘッド用積層型光素子 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年10月19日PP.25) | 熱アシスト磁気記録方式 波長の15%に相当する88nm×60nmの光ビーム径 Si材料を用いて光の透過層を積層 波長400nmの光で17%の光利用効率 | 120 230 |
| 2007年 1月号 | 有機薄膜太陽電池の光電変換効率を向上 | 東大 | 日経産業新聞 (2006年10月25日PP.9) | 電極に直径約30nmの無数の突起 1.25cm×2.5cmの試作電池で効率2.7% ポリチオフェン フラーレンを含む有機高分子 | 120 250 |
| 2006年12月号 | 水から酸素を作る新触媒 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2006年9月5日PP.11) | 太陽光に反応 光触媒は円柱状のナトリウム酸ビスマス 光触媒1gあたりで1mlの酸素製造 | 120 |
| 2006年12月号 | 光遮断機能をもつ強誘電体 | 東大 JST | 日刊工業新聞 (2006年9月8日PP.29) | エルビウム 光アイソレータと光増幅器の機能 チタン酸バリウム | 120 160 240 |
| 2006年12月号 | 電圧1.5倍 スペース2/3の色素増感太陽電池 | 日本化薬 | 日経産業新聞 (2006年9月14日PP.1) | 1つのセルで電圧1.0V 有機色素 色素が放出した電子を受け取る金属にTiO2にMgを加えた材料 1セルサイズ縦57mm×横4.5mm×厚さ1mm | 250 120 |
| 2006年11月号 | 特殊フィルムで半導体を実装 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス | 日経産業新聞 (2006年8月3日PP.1) | 異方性導電膜(ACF) パッドの材質に均等に圧力がかかるものを使用 | 120 160 260 |
| 2006年11月号 | 磁気ヘッド用素子 -次世代HDDに道- | 英日立ケンブリッジ研 英国立物理学研 英ケンブリッジ大 | 日経産業新聞 (2006年8月10日PP.7) | 記憶容量が数Tbを超えるHDDにつながる高性能素子 | 230 120 |
| 2006年11月号 | 有機ナノデバイス -整流作用を確認- | 自然科学研究機構 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年8月24日PP.1) | nm径の円筒状単層CNTにポルフィリン分子吸着 自己組織化 Si製の1/10 | 120 160 220 |
| 2006年11月号 | GaInNAs半導体レーザ -40Gbps動作に成功- | 日立 | 電波新聞 (2006年8月25日PP.1) | Alフリー分子線エピタキシ技術 活性層 逆メサ型リッジ構造 | 120 160 240 |
| 2006年11月号 | カーボンナノウォールを効率よく大量生産 | 横浜市大 石川島播磨 | 日刊工業新聞 (2006年8月28日PP.1) | プラズマCVD装置 約10㎝角の基板でも均一に作製可能 | 120 160 |
| 2006年10月号 | CNTで非線形光学効果 | 東大 産総研 | 日刊工業新聞 (2006年7月6日PP.25) | 光学シュタルク効果 全光スイッチに応用 3次非線形感受率 | 120 240 |
| 2006年10月号 | テラヘルツ光検出技術 | 理化学研 JST | 日刊工業新聞 (2006年7月7日PP.31) 日経産業新聞 (2006年7月7日PP.8) | CNTでつくったトランジスタ 単電子トランジスタ 極低温領域で光子として量子的に検出 CNT人工原子 テラヘルツ光の周波数約2.5THz | 120 160 320 660 |
| 2006年10月号 | ホログラムディスク用記録材料 | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年7月13日PP.1) | 次世代DVDの10倍以上の容量 3次元記録 書換え可能 アゾベンゼン高分子 複屈折率0.28以上 厚さ3μm程度 | 120 130 230 |
| 2006年 9月号 | 電子1個の動き捉える | NTT 東工大 JST | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 半導体二重量子ドット(DQD) 超高感度な単電子電流計 単電子トランジスタ 電流雑音3aA | 120 220 660 |
| 2006年 9月号 | 半導体レーザのビーム形状を自在に制御 | 京大 ローム JST | 日刊工業新聞 (2006年6月22日PP.34) 日経産業新聞 (2006年6月22日PP.11) | 2次元フォトニック結晶 レーザ共振器の構造を制御して光分布を変化 格子点や格子間隔を変化 現在の数十倍の記録容量を持つ光ディスクの光源に利用可能 光ピンセットに応用可能 | 120 160 250 |
| 2006年 8月号 | 湿式で電流効率2倍の有機EL | 九州電力 | 日刊工業新聞 (2006年5月2日PP.1) | 電流効率41.7cd/A インクジェット方式 アルコール系溶媒に溶ける電子輸送材料 | 120 250 260 |
| 2006年 8月号 | 電子ペーパー -紙により近く- | ブリヂストン | 日経産業新聞 (2006年5月8日PP.15) | PET(ポリエチレンテレフタレート) 2007年量産 厚さ0.3mm 電子粉流体 直径10μmの帯電した高分子材料 | 120 250 |
| 2006年 8月号 | らせん状の多角形CNTを確認 -高い電界放出・強度特性- | JFEエンジニアリング | 日刊工業新聞 (2006年5月9日PP.25) | 長手方向にらせん状にねじれ アーク放電方法 高結晶性 鋼の役10倍の強度 | 120 160 |
| 2006年 8月号 | 単層CNTの新合成技術 -後処理不要 純度97%ー | 産総研 | 日刊工業新聞 (2006年5月12日PP.25) 日経産業新聞 (2006年5月12日PP.9) | 構造欠陥1/10以下 直噴熱分解合成法(DIPS法)を改良 量産性100倍 CNTの直径を0.1nm単位で制御可能 | 120 160 |
| 2006年 8月号 | ストレージ用磁気テープの基礎技術 -記録密度15倍以上へ- | 富士写真フイルム 米IBM | 日経産業新聞 (2006年5月17日PP.1) | 6.67Gbpiの記録密度 酸化鉄粒子層の上に65nm厚でバリウムフェライトを塗布 粒子直径21nm 長期保存性 テープ1巻あたり8Tbyte目標 | 130 120 160 |
| 2006年 8月号 | 光が自在に曲がる新現象 | NTT | 日刊工業新聞 (2006年5月19日PP.27) | タンタル酸ニオブ酸カリウム(KTN)結晶 KTNチップは長さ6mm 光ビームスキャナ 光が振れる角度を80倍 マイクロ秒応答 | 120 210 240 |
| 2006年 8月号 | DNAで有機EL素子 | 東工大 | 日本経済新聞 (2006年5月22日PP.9) | チップ状 赤・青・オレンジに発光 鮭の白子 1cm角 発光時間1時間程度 ニチロのDNA製造プラント | 120 250 |
| 2006年 8月号 | 鉛フリーはんだ用新型洗浄剤 | 荒川化学工業 | 日経産業新聞 (2006年5月30日PP.17) | フラックス 界面活性剤 不純物除去精度向上 洗浄液寿命3～4倍 | 120 160 |
| 2006年 7月号 | 次世代半導体メモリー -蓄積電荷5倍の新材料を開発- | 東工大 富士通 | 日経産業新聞 (2006年4月3日PP.17) | FeRAM ビスマスフェライト(BFO)に微量のMnを加えた新材料 65nmまで微細化可能 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 折り曲げ自在な次世代メモリー | セイコーエプソン | 日本経済新聞 (2006年4月4日PP.13) | FeRAM 電子ペーパー ICタグ フッ素系ポリマー 厚さ0.1mmのプラスチック基板上 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 線幅30μmの基板用樹脂剤 | 関西ペイント | 日経産業新聞 (2006年4月5日PP.1) | スクリーン印刷法 直径1μm以下の無機材料でレジスト剤の粘性を制御 ICタグ | 120 160 340 |
| 2006年 7月号 | 稀少金属を使わない透明電極材料 | 神奈川科学技術アカデミー(KAST) | 日経産業新聞 (2006年4月5日PP.9) | In TiO295%とNb5%を混合したセラミックス レーザ照射で蒸発させガラス上に薄膜 500℃に過熱し導電性向上 可視光透過率80% 抵抗率0.001Ω/cm3 | 120 250 |
| 2006年 7月号 | 共鳴トンネルダイオード使用で新回路動作に成功 | 上智大 独デュースブルク・エッセン大 | 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) | 超電導ジョセフソン接合素子(JJ) 室温で200GHz動作可能 4RTD回路 Al・Asの二重障壁層とIn・Ga・As系の積層構造で井戸層からなるRTD 試作サイズ15～25μm2 論理積(AND)論理和(OR)回路 | 160 120 220 |
| 2006年 7月号 | 液体でSiTFT | セイコーエプソン JSR | 朝日新聞 (2006年4月6日PP.3) 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.9) | HとSiを含む液体材料 回転塗布またはインクジェットで成膜 厚さ300nmのSi膜パターン シラン化合物 500℃前後で焼成 コスト半分 消費電力1/10程度 | 120 160 220 250 |
| 2006年 7月号 | 書き込み速度1000倍の次世代メモリー | 静大 シャープ | 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.1) | RRAM(抵抗式随時書込み読出しメモリー) TiNを活用 読出し時間20ns/bit 既存施設の利用可能 TiNの表面にTiO2薄膜 2V程度の電圧による抵抗値の変化利用 | 120 160 230 |
| 2006年 7月号 | 光100%透過の新材料を設計 | 理化学研 | 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.10) | ポリマーの中に外径60nm内径40nmの金属リングを規則的に配置した構造 リング状金属 通信時の損失防ぐ | 140 120 |
| 2006年 7月号 | 記憶型モノクロ液晶ディスプレイ -電源オフでも画像保持- | シチズン時計 | 日経産業新聞 (2006年4月13日PP.1) | 粘度の高い強誘電材料 配向膜に無機性材料 液晶分子が20°の傾きで均一に並ぶ パッシブマトリクス型 画像書込み時以外は電力不要 厚さ1.7μm 駆動電圧5V 消費電力1μW/cm2 | 120 250 160 |
| 2006年 7月号 | 1TbitHDD向けパターン磁気記録技術 | 早大 | 日刊工業新聞 (2006年4月18日PP.33) | 湿式法 直径10nmの微細孔 直径2nmの有機シラン Co系合金 ドット径10～20nmの磁性ナノドットアレイ | 120 160 230 |
| 2006年 7月号 | 携帯向け低消費電力液晶パネル | 日立ディスプレイズ | 日経産業新聞 (2006年4月19日PP.1) | 画像切替え時のみ電力供給 低温p-SiTFT型 解像度120×160dot 制御回路を内蔵 26万2千色 試作1.3インチμW | 250 160 120 |
| 2006年 7月号 | 500mめどの高温超電導線材 | フジクラ | 日経産業新聞 (2006年4月28日PP.1) | Y系線材 GdとZrの酸化物の中間層 | 120 160 140 |
| 2006年 7月号 | 磁極の向きを変え光制御 | 産総研 科学振興機構 | 日経産業新聞 (2006年4月28日PP.11) | 光の進路を制御 圧電性と磁石の性質を併せ持った素材 FeGaO3の単結晶に4μmの溝 500Gで回折光の差が2% | 120 160 240 |
| 2006年 7月号 | 固体型色素増感太陽電池 | 桐蔭横浜大 | 日経産業新聞 (2006年4月21日PP.8) | 大きさ1cm角 厚さ2mm 色素付着のTiO2とポリアニリンで被膜したC粒子をガラス基板で挟む 光電変換効率4% | 250 120 160 |
| 2006年 6月号 | 屈折限界超すナノレンズ -金属ナノ構造と光の相互作用で実現した波長を超える高解像度- | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2006年3月2日PP.27) | 表面プラズモン 金属ロッドアレイ メタマテリアル構造 生体細胞ナノサイズで撮影可能 光の収差 プラズモニクス 金属錯イオンを2光子還元 負の屈折率 | 120 160 310 |
| 2006年 6月号 | マルチモードファイバ(MMF) -10Gbps 300mの伝送に成功- | 富士通 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 温度無依存の量子ドットレーザ(QDLD) 3Dのナノ構造に電子が閉じ込められて発光 冷却機・電流駆動制御不要 | 240 120 |
| 2006年 6月号 | 白色レーザ発振可能なフッ化物ファイバ | 住田光学ガラス | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 1本で青色半導体レーザを白色レーザとして連続発振 PrをAlF系ガラスに含ませた独自素材 522nm・635nmとあわせ440nm ディスプレイ光源 高い変換効率 三原色の高い色再現性 | 120 160 240 250 |
| 2006年 6月号 | 伝送速度2.5倍の面発光レーザ -次世代スーパコンピュータ向け- | NEC | 日経産業新聞 (2006年3月8日PP.13) | 大きさ250μm角 伝送速度25Gbps GaAsIn | 120 250 |
| 2006年 6月号 | 青紫色レーザ -雑音1/30に- | 金沢大 | 日経産業新聞 (2006年3月16日PP.1) | 逆位相の電流 レーザ反射光が生じる条件下で雑音抑制 低周波時に負帰還 高周波時に正帰還 | 120 250 |
| 2006年 6月号 | 光で動く分子ピンセット | 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月23日PP.31) | 大きさは1nm 伸縮はアゾベンゼン 軸回転はフェロセン 塩基分子をつかむ亜鉛ポルフィリン 分子ロボット | 120 160 |
| 2006年 6月号 | 不揮発性強誘電体メモリー(FeRAM)新材料 -記憶保持能力を5倍に- | 東工大 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年3月24日PP.33) | ビスマスフェライト(BFO)にMnを加えて漏れ電流低減 65nm世代で256MB実現 | 120 230 |
| 2006年 6月号 | アモルファスTFTの曲がる電子ペーパ | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2006年3月31日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年3月31日PP.13) | 室温で作製可能 基板にプラスチックを利用し前面板を組合せ すべての層を室温プロセスで作製 2インチ 4800画素 厚さ約320μm | 150 250 120 220 |
| 2006年 5月号 | すりつぶすだけでナノ結晶 | 海洋研究開発機構 | 日刊工業新聞 (2006年2月2日PP.1) | フラーレン C60 C70 数分すりつぶす 約30%が直径数μm以下 毒性なし | 120 160 |
| 2006年 5月号 | LED型量子暗号通信素子 | 東芝欧州研究所 | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.8) | 量子もつれ光子対を任意に発生 高さ6nm直径12nmの量子ドット微細構造 半導体素子 | 120 240 250 220 |
| 2006年 5月号 | ロボットハンド用滑りセンサ | 奈良先端大 | 日経産業新聞 (2006年2月6日PP.8) | 指先に半球状のゲル状物質 ゲル状物質表面に等間隔の点 CMOSカメラで点の動きを検出 | 310 120 210 320 |
| 2006年 5月号 | たんぱく質で半導体メモリー | 奈良先端大 松下電器 | 日刊工業新聞 (2006年2月9日PP.27) | 不揮発性半導体メモリー フローティングゲートにフェリチンを利用した直径7nmのCoOナノ粒子 フェリチンの外径13nm | 120 220 230 |
| 2006年 5月号 | キャパシタの蓄電効率10%改善 -電極抵抗1/4に- | 東海大 | 日経産業新聞 (2006年2月15日PP.11) | ナノテク素材 電気二重層キャパシタ 50mgの活性炭に直径10nm長さ100μmのCNT加え直径約1cm厚さ1mmの電極 電極の抵抗2.5Ω 厚さ3mmで2.5F | 120 160 250 |
| 2006年 5月号 | 銅ナノインク開発 | 旭化成 | 日刊工業新聞 (2006年2月22日PP.23) | 印刷技術活用 Cu配線や薄膜を低コスト形成 厚さや線幅をμmオーダーで制御可能 酸化膜のナノサイズ微粒子と酸化還元剤をインクに配合 塗布後焼成 エッチング工程不要 | 130 160 120 |
| 2006年 5月号 | テラヘルツ光用新型レーザ -コスト1/100- | 情通機構 東大 | 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.1) | 透過撮影用光源 量子カスケードレーザ 縦3mm 幅500μm 厚さ10μm GaAs化合物半導体の多層膜構造 3.4THz 動作温度-220℃ | 120 160 250 |
| 2006年 5月号 | 回路線幅29.9nmパターン生成 -深紫外線光リソグラフィ- | 米IBM JSR | 電波新聞 (2006年2月22日PP.3) 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.3) | DUV193nm 光屈折率液侵技術 石英レンズや有機液体などの新素材 EUV(極紫外線)でなくArF対応ステッパの継続使用可能 独自開発のフォトレジスト | 120 160 |
| 2006年 4月号 | ペースト状ナノ粒子 -幅20μm配線可能に- | 大研化学工業 大阪市立工業研 | 日経産業新聞 (2006年1月1日PP.21) | AgとPdの合金ナノ粒子 直径5nm 樹脂と混ぜる スクリーン印刷 プラスチック基板に回路パターンを書く 加熱300℃で樹脂が分解 | 120 160 |
| 2006年 4月号 | 光で分子構造が変化する物質を利用した大容量記録材料 ―書き込み・読み出し 3次元で可能に | 九大 | 日経産業新聞 (2006年1月4日PP.11) | ジアリールエテン フォトクロミック分子 紫外線で蛍光オフ 可視光で蛍光オン | 120 130 |
| 2006年 4月号 | 金属内包フラーレン1個でスイッチ動作 | 東工大 名大 | 電波新聞 (2006年1月5日PP.7) | 分子ナノデバイス 融合新興分野 Tb@C82 自己組織化分子膜 測定温度-260℃ | 120 160 660 |
| 2006年 4月号 | 地デジ用高効率電力増幅器 -従来の2倍の効率で低コスト- | NHK アールアンドケイ | 電波新聞 (2006年1月11日PP.10) 電波タイムズ (2006年1月16日PP.3) | GaN-HEMT 低歪 CN確保 出力5Wで約9%の電力効率 | 120 220 340 |
| 2006年 4月号 | 通電にまっすぐになるコイル状CNT ―原子構造変化を解明- | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2006年1月19日PP.26) | 2層CNT 円周電流密度0.9μA/nmでコイルがゆるみはじめ 2.2μA/nmで大きく変形 2.6μA/nmで直線状 電流による局所的な高温状態により曲面にある五角形 七角形の原子構造が六角形に変化 | 120 130 |
| 2006年 4月号 | 液晶フィルム新素材 | 慶応大 JST | 日本経済新聞 (2006年1月20日PP.17) | 複屈折を抑えるnmサイズの微粒子 ポリカーボネート樹脂に約50nmのSrCO3粒子を加える 押し出し成形 40μm厚 | 120 160 |
| 2006年 4月号 | 発電効率2.6倍小型燃料電池 | クラレ | 日経産業新聞 (2006年1月24日PP.1) | 厚さ50μmのエラストマー 水素イオンチャネル MEA ダイレクトメタノール(DMFC)方式 高分子膜加工技術を応用 H+の透過度1.5倍 メタノールの透過量6割 | 120 160 250 |
| 2006年 4月号 | ZnOの量産用結晶 -LED基板などへの応用期待- | 東京電波 | 日経産業新聞 (2006年1月31日PP.9) | 3インチウェハ用結晶 約2万個の基板切り出し可能 サファイア基板の4倍近い明るさ サファイアの半額程度の価格 炉の中の最適温度・圧力を決定 | 120 160 250 |
| 2003年 5月号 | トリシラアレン安定化合物合成 -電子機能材料開発に光- | 東北大 | 日本工業新聞 (2003年2月13日PP.2) | シリレン くの字形 | 120 160 |
| 2003年 5月号 | 量子コンピュータ -基礎回路を開発- | 理化学研 NEC | 日刊工業新聞 (2003年2月20日PP.4) 日本経済新聞 (2003年2月20日PP.1) 日本経済新聞 (2003年2月20日PP.13) | 固体2量子ビット Alを幅1μm程に加工した素子を2つ並べた 4種類のデータが同時に記録 半導体技術 | 120 210 220 |
| 2003年 4月号 | 超電導材料中の「磁束量子」新制御法 | 理化学研 | 日本経済新聞 (2003年1月6日PP.23) | 磁力線制御 高感度磁気センサ 超高速素子 理論考案 | 110 120 210 |
| 2003年 4月号 | トランジスタ製造技術 -線幅65nm技術確立- | 半導体先端テクノロジーズ | 日経産業新聞 (2003年1月21日PP.8) | 高誘電率絶縁膜 ハイK 25%のHfO2含有ON2O3 | 120 220 |
| 2003年 4月号 | 量子連結相関を復元 | 総研大 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2003年1月23日PP.4) | 量子計算 量子暗号 | 120 |
| 2003年 3月号 | カーボンナノチューブ -加工しやすいテープ状に- | NKK | 日本経済新聞 (2002年12月18日PP.11) | CNT 直径数10nm アーク放電 ほぼ100%の純度 | 120 |
| 2003年 3月号 | ダイヤモンド半導体開発へ | 東芝 神戸製鋼 住友電工 | 日本経済新聞 (2002年12月26日PP.11) | 基板に人口ダイヤモンド 20倍の動作速度 摂氏1000度でも性能を維持 | 120 220 |
| 2003年 2月号 | ナノ粒子の形を自在に制御 | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年11月1日PP.17) | 化学的気相成長法を改良 酸化チタンを使って実験 液体と気体の原料 | 120 160 |
| 2003年 2月号 | リチウムイオン電池の新技術 -電気自動車の走行距離2倍- | ブリヂストン | 日本経済新聞 (2002年11月5日PP.1) | 不燃化添加剤 ｢ホスライト｣ 携帯機器にも使用可能 | 250 120 |
| 2003年 2月号 | 光で結晶変化する分子 -新記録材料に- | 九大 | 日刊工業新聞 (2002年11月14日PP.5) | ジアリールエテン分子 フォトクロミック材料 3次元光メモリー 数十nm単位の有機化合物 | 120 130 |
| 2003年 2月号 | 酸化チタン光触媒 -表示デバイスなどに展開- | 東大 | 日刊工業新聞 (2002年11月27日PP.5) | 酸化チタン 酸化スズ ポリプリニンの色素 | 120 150 |
| 2003年 2月号 | 多層CNTで10倍高輝度の電子線 -安定で超寿命- | 蘭フィリップス | 日刊工業新聞 (2002年11月28日PP.5) | 多層CNT(MWCNT) タングステンチップの上に固定 | 120 360 |
| 2003年 1月号 | セラミックス絶縁体を紫外線で半導体に変換 | 東工大 | 朝日新聞 (2002年10月3日PP.2) | C12A7 | 120 |
| 2003年 1月号 | CNT光スイッチ | 産総研 フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日経産業新聞 (2002年10月4日PP.10) | ガラス板に吹き付けたCNTに1.55μmのレーザを当て光の強さによってスイッチ動作 | 120 240 |
| 2003年 1月号 | 金属微粒子の配列方法 -金属ナノ粒子一列に- | 九大 | 日経産業新聞 (2002年10月17日PP.7) | 自己組織化で極細配線 金の粒子が1.5nmの距離で一列 繊維全体の太さは10数nm | 120 160 |
| 2003年 1月号 | 構造の新分子 羽根付き -フラーレン使い合成- | 東大 北大 | 日経産業新聞 (2002年10月18日PP.10) | 縦方向に積層 nmサイズの電線や光スイッチに応用有望 | 120 160 240 |
| 2003年 1月号 | 導電性で強度倍のセラミック | 阪大 ニッカトー | 日本経済新聞 (2002年10月25日PP.17) | 結晶境界面に厚さ1nmの有機化合物系の導電性材料 | 120 |
| 2003年 1月号 | カーボンナノチューブ -水溶性持たせる- | 長崎大 | 日本経済新聞 (2002年10月28日PP.23) | 親水性化合物 超音波 分離精製容易 | 120 160 |
| 2002年12月号 | 3000～6800Oeと最高保持力を持つ磁性ナノ粒子 | 明大 | 日刊工業新聞 (2002年9月4日PP.5) | スピネルフェライト コバルト､ニッケル､鉄酸化物 粒径30～40nmの超微粒子 | 120 160 |
| 2002年12月号 | 量子レジスタ | 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2002年9月12日PP.4) | 量子コンピュータ Si同位体の核スピンを利用 デコヒーレンス時間0.4秒 振動回数3000万回を室温で達成 | 120 230 |
| 2002年12月号 | 量素ドット中の電子スピン保持時間0.2msに | 科学技術振興事業団 NTT | 日刊工業新聞 (2002年9月19日PP.4) | 保持時間1msにメド 人工原子中の電子スピンで実現 電気的ポンププローブ法 | 120 230 |
| 2002年12月号 | カーボンナノチューブの特性解明へ研究会設立 | 信州大 名大 NEC 他 | 日本経済新聞 (2002年9月16日PP.19) | 地球シミュレータ 研究会設立 熱電導解析 | 120 620 |
| 2002年12月号 | 単一電子素子 -量産化メドに- | 産総研 科学技術新興事業団 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年9月17日PP.3) 日本工業新聞 (2002年9月9日PP.2) | 単一電子トランジスタ 室温動作 信号ノイズ従来比1/1000 CNT | 120 220 |
| 2002年10月号 | 多層カーボンナノチューブ 垂直成長させる技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年7月8日PP.9) 電波新聞 (2002年7月8日PP.1) 日本工業新聞 (2002年7月8日PP.2) 日本経済新聞 (2002年7月8日PP.21) | 微細なLSI配線 φ:50nmL: 500nmのCNT CMOS･FETのシリサイド層上にて成長 電極にNiやCoを混入 CH4とH2の混合ガスによるプラズマCVD法 | 120 160 220 |
| 2002年10月号 | 「スピン偏極共鳴トンネル効果」発見 -新機能素子実現に道- | 産業総研 科学技術振興事業団 | 日本工業新聞 (2002年7月12日PP.2) 日本経済新聞 (2002年7月12日PP.17) | スピン偏極共鳴トンネル効果 厚さ3μmのCuと単結晶Co 素本偏極量子井戸準位確認 | 120 220 230 |
| 2002年10月号 | 量子ドット形成法 -ナノオーダで制御- (NO31合わせる) | 富士通研 | 電波新聞 (2002年7月29日PP.1) | 化合物半導体 量子コンピュータ 分子線エピタキシ 結合量子スピンを利用 直径30nmと20nmの量子ドット | 120 160 |
| 2002年10月号 | 1次元鎖状に量子ドット配列 (NO29合わせる) | 電通大 | 日刊工業新聞 (2002年7月31日PP.5) | 分子線エピタキシャル法(MBE) 20nm～30nm直径のIn・As量子ドット 5μm以上の長さに配列 | 120 160 |
| 2002年 9月号 | 純度95%のナノチューブ | 富士ゼロックス | 日本経済新聞 (2002年6月14日PP.15) | アーク放電法 磁場によりプラズマ密度を向上 | 120 160 |
| 2002年 9月号 | 単一電子トランジスタ -ナノチューブで作製- | 産総研 富士通研 | 日本経済新聞 (2002年6月24日PP.23) | SiO2基板上 自己組織化 チューブ径 2nm | 220 120 |
| 2002年 8月号 | DNAトランジスタ -スパコン携帯型に道- | 富士ゼロックス | 日本経済新聞 (2002年5月9日PP.3) | 大きさ従来トランジスタの1/10 電極間隔10nm サケの精子のDNA | 120 220 |
| 2002年 8月号 | 分子集合でナノ配線 | 東大 | 日経産業新聞 (2002年5月10日PP.8) | ピロール 1本あたりの太さ2.7nm 自己組織化 表面にシリカの絶縁層 相田ナノ空間プロジェクト | 120 160 |
| 2002年 8月号 | BN薄膜で電子放出増加 -FEDなどに応用- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2002年5月16日PP.4) | プラズマアシスト化学気相法 CNTにBNナノ薄膜被覆 放出電流100倍 | 120 150 |
| 2002年 8月号 | 導電ペーストと導電シート-樹脂性能保ち高導電率- | 住友電工 | 日刊工業新聞 (2002年5月27日PP.1) | 粒径50nm | 120 |
| 2002年 8月号 | 光多層記録で基礎技術 -容量DVDの100倍に- | リコー 阪大 | 日経産業新聞 (2002年5月28日PP.9) | 高分子ジアリールエテン層 二光子吸収 300～1000Gバイト フェムト秒レーザを照射 2010年頃 | 120 130 230 |
| 2002年 7月号 | カーボンナノチューブのフィールドエミッタ - 4V 低電圧で電子放出 - | 産総研 | 日本経済新聞 (2002年4月5日PP.17) 日刊工業新聞 (2002年4月11日PP.4) | 高さ1μmの山のあるSi基板 Fe蒸着後CNTを成長 電子放出電圧4V FED | 250 120 |
| 2002年 7月号 | ナノの規則構造 自在に作製 | 都立大 NTT | 日本経済新聞 (2002年4月19日PP.17) | AI 規則的に打点 電気酸化 | 120 160 |
| 2002年 7月号 | 単電子スピンバルブ | 米ベル研 NEC北米研 カナダシモン・フレーザー大学 | 日刊工業新聞 (2002年4月19日PP.5) | 自己組織単分子膜室温で30%以上のGMR | 120 210 230 |
| 2002年 7月号 | システムLSI高速化技術 | 奈良先端大 | 日経産業新聞 (2002年4月23日PP.10) | 0.1mm角リング発信器 回路間で信号のやり取り可能 1GHz 動作 | 220 120 |
| 2002年 7月号 | 超高集積チップへ道 -ナノチューブトランジスタ試作超LSI配線応用- | 富士ゼロックス NTT | 日本経済新聞 (2002年4月29日PP.15) | CNT 直径20nmリング | 120 220 |
| 2002年 6月号 | カーボンナノチューブ-製造コスト1/100に- | 三菱化学 群馬大 東レ 名大 | 日本経済新聞 (2002年3月2日PP.1) 日刊工業新聞 (2002年3月18日PP.9) | 2層CNT30～40% 触媒化学気相成長法 (CCVD) ゼネライト | 160 120 |
| 2002年 6月号 | シリコン系素材で共鳴トンネル効果 | 静岡大 | 日刊工業新聞 (2002年3月4日PP.8) | 光デバイスとの一体化回路の微細化に有効 -258℃～-173℃で電流ピークを確認厚さ2mm | 120 220 |
| 2002年 6月号 | MRI造影剤-投与量1/10に- | 日本シューリング 名大 | 日本経済新聞 (2002年3月8日PP.17) | フラーレン C82 金属ガドリウム | 120 360 |
| 2002年 6月号 | 集光機能薄膜 | ニューガラスフォーラム(NGF) | 日刊工業新聞 (2002年3月15日PP.6) | 記録密度4倍に向上 コバルト・クロム・ジルコニウム系 酸化コバルト系 金属ガラス 柱状結晶 光ディスク | 120 130 |
| 2002年 6月号 | 新超電導磁石 | 日立 材料研究機構 | 日本経済新聞・夕刊 (2002年3月22日PP.3) 日本経済新聞 (2002年3月29日PP.19) | MgB2 12mのテープ状線材 1300ガウス@-270℃ | 120 |
| 2002年 5月号 | 希土類酸化物でナノチューブ合成 | 佐賀大 | 日刊工業新聞 (2002年2月25日PP.1) | エルビウム ツリウム イッテルビウム ルテチウム 外径6nm 内径3nm | 120 160 |
| 2002年 3月号 | 磁気ナノ微粒子 -温室で1kOeの保磁力- | 横浜国大 | 日刊工業新聞 (2001年12月12日PP.6) | 直径1.1～5.2nm 鉄酸化物 サイコロ状の結晶 温室で1kOe 磁石 | 120 |
| 2002年 2月号 | データ容量10倍の磁気記録媒体 | 富士フィルム | 日経産業新聞 (2001年11月6日PP.1) | 記録媒体用磁気材料 磁性体層厚さ0.05μm 磁性体粒子の長さ0.05μm | 120 130 |
| 2002年 2月号 | ソフトはDNA ハードは酵素のコンピュータ | イスラエルワイズマン研究所 | 日刊工業新聞 (2001年11月23日PP.5) | 生体分子コンピュータ DNAコンピュータ | 120 |
| 2002年 2月号 | 次世代マイクロチップ -化学実験をチップ上で可能に- | 東大 他 学者グループ 島津製作所 他 企業グループ | 朝日新聞 (2001年11月24日PP.2) | 次世代マイクロチップ 化学とエレクトロニクスの融合 チップ上で化学実験 | 120 |
| 2002年 1月号 | 磁束量子使う新理論LSI | NEC | 日経産業新聞 (2001年10月1日PP.11) | 単一磁束量子回路 金属系超電導材料 微小ループ LSI設計法 | 220 120 620 |
| 2002年 1月号 | ヨウ化セシウムの発光機構にナノ超微粒子の働き -高品質のシンチレータ材料へ道- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2001年10月5日PP.7) | シンチレータ材料CsI:Naの発光機構 | 120 |
| 2002年 1月号 | 高性能圧電単結晶材料育成技術 -圧電歪み3倍に- | 東芝 川鉄鉱業 | 日刊工業新聞 (2001年10月5日PP.1) | 単結晶材料 口径50mm PZNT系酸化物単結晶材料 | 220 150 120 |
| 2002年 1月号 | 鉛を使わない強誘電体 -メモリー材料に風穴- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2001年10月19日PP.1) | 非鉛系強誘電体 チタン酸ビスマス系 ネオジム置換 不揮発性メモリー BNT 残留電荷量25μC/c 鉛規制 | 130 120 530 |
| 2002年 1月号 | 増幅限界周波数472GHzトランジスタ (一行で紹介) | 通信総研 富士通研 阪大 | 日刊工業新聞 (2001年10月19日PP.10) | トランジスタ ミリ波通信 | 120 |
| 2002年 1月号 | 炭素だけで磁石 | ヨッフェ物理技術研究所 | 日本経済新聞 (2001年10月22日PP.25) | フラーレン 700-900℃ 6万気圧で高分子化 | 120 |
| 2001年12月号 | セラミックス製ナノチューブ | 大日本インキ 九大 | 日経産業新聞 (2001年9月17日PP.11) | シクロヘキサジアミン 外径50nm 内径10nm | 120 160 |
| 2001年11月号 | 低温で基盤形成技術 カーボンナノチューブ | 豊橋技科大 | 日経産業新聞 (2001年8月16日PP.7) | 50℃で基板を加熱 真空中のアーク放電利用 30Vで 50～100Aの放電 太さ数10nm 長さ1μm | 160 120 |
(2001年8月31日PP.17) | クロロホルム FET | 220 | |||
| 2001年 8月号,9月号 | 新超電導物質ワイヤに加工 | 文部科学省材料研究所 | 日本経済新聞 (2001年6月15日PP.17) | MgB2金属管に詰め圧縮 臨界電流密度50kA/cm2 臨界温度39K | 120 |
| 2001年 7月号 | 超電導素子使ったADコンバータ | 日立 | 日経産業新聞 (2001年5月29日PP.10) 日本経済新聞 (2001年5月24日PP.5) | 単一磁束量子(SFQ)回路 サンプリング周波数100GHz ジョセフソン効果 イットリウム系酸化物 | 120 220 |
| 2001年 6月号 | 強磁場中で超電導現象発生 | 物質・材料研究機構 | 日刊工業新聞 (2001年4月19日PP.6) 日経産業新聞 (2001年4月19日PP.8) | ビスエチレン・ジチオ・テトラセレナフルバレン(BETS) 18T@1K | 120 |
| 2001年 6月号 | 薄膜構造のスーパレンズ -トランジスタ 光方式の作動に成功- | 産業技術総合研 他6社 | 日刊工業新聞 (2001年4月20日PP.6) 日本経済新聞 (2001年4月20日PP.17) | 最大60倍に増幅 Ge・AgOなどの多層膜 青色レーザ励起 信号は赤色レーザ 超解像近接場構造 光トランジスタ | 220 120 |
| 2001年 5月号 | 日独チーム 超電導に新仮説 -素材開発への応用期待- | 東大 名大 マックスプランク研 | 日本経済新聞 (2001年3月15日PP.38) | 超電導現象の発生機構 ウラン・パラジウム・アルミニウム | 660 120 |
| 2001年 5月号 | 高分子で超電導実現 | 米ルーセントテクノロジーズ社ベル研 | 日経産業新聞 (2001年3月8日PP.11) | 臨界温度2.35K ポリチオフェンFET ホール対 | 120 220 |
| 2001年 5月号 | 光で伸縮する単結晶 | 九州大 | 日経産業新聞 (2001年3月2日PP.7) | 1nm単位で長さが変化 スチルベン Tb級メモリー 紫外線で着色/可視光で無色化 光照射で20pmずつ伸張 | 120 130 |
| 2001年 4月号 | 金属の高温超電導 -臨界温度 一挙2倍に- | 青山学院大 | 電波新聞 (2001年2月27日PP.2) | 二ホウ化マグネシウム 39K | 120 |
| 2001年 3月号 | カーボンナノチューブ -溶接機で簡易合成- | 豊橋技科大 名城大 双葉電子工業 | 日経産業新聞 (2001年1月30日PP.1) | 内径1nm以下 外形数十nm 長さ数百nm～1μm 大気中アーク放電 ナノチューブ率80% | 150 120 |
| 2001年 3月号 | 蒸着パネル -光止める実験に成功- | ハーバード大 | 電波タイムズ (2001年1月29日PP.2) | 光の制御 量子コンピュータ ポラリトン | 120 660 |
| 2001年 3月号 | カーボンナノコイル作成 -ディスプレイなどへ応用- | 大阪府立大 豊橋技科大 | 日経産業新聞 (2001年1月23日PP.10) | カーボンナノコイル 太さ数十nm カーボンナノチューブ 有機分子の高温ガス 反応温度650～800℃ 直径数10nm マイクロマシン用ばね | 150 120 260 |
| 2001年 3月号 | 電子状態を瞬時に変化させる光磁石 | 東大 | 日経産業新聞 (2001年1月23日PP.10) | 光で磁性を制御 金属錯体化合物 Fe Co プルシャンブルー 電子スピン状態 光で変化 ICの安定状態 スイッチング時間10の7乗秒 | 120 |
| 2001年 3月号 | 新有機分子 -単一分子に導電性- | 東大 | 日経産業新聞 (2001年1月16日PP.7) | CとSiからなる分子 大きさ2nm 常温～ -273℃で導電性 | 120 |
| 2001年 3月号 | 電流制御の可能性を備えた新機能性分子素子 | 北大 | 日経産業新聞 (2001年1月10日PP.10) | 機能性分子 自己集積化利用 分子エレクトロニクス リチウムイオン 電流の流れを制御 クラウンエーテル分子と金属化合物 | 120 |
| 2001年 2月号 | 永久磁石の磁性を電圧で制御 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2000年12月21日PP.6) 日経産業新聞 (2000年12月21日PP.7) | -250℃で動作確認 磁性半導体InMnAs 材料の磁気の向きを制御 | 120 |
| 2001年 2月号 | 2元素準結晶を発見 | 金属材料技研 | 日本工業新聞 (2000年12月1日PP.17) | 準結晶 | 120 |
| 2001年 1月号 | 粒ぞろいの量子ドット | 科学技術庁 東大 | 日経産業新聞 (2000年11月27日PP.10) | GaAs半導体微粒子 直径5～20mm 液滴エピタキシィ法 | 160 120 |
| 2001年 1月号 | 新構造の炭素分子 | 名大 | 日経産業新聞 (2000年11月27日PP.10) | フラーレン 炭素原子66個 スカンジウム原子2個 盛り上がったいびつな球形 | 120 |
| 2001年 1月号 | 落雷時の電圧低下防ぐ | 東芝 | 日本経済新聞 (2000年11月18日PP.13) | 高温超電導素子 電流リミッタ 再使用可 | 120 |
| 2001年 1月号 | 単層カーボンナノチューブ -直径0.4nm作製- | 名城大 NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2000年11月2日PP.6) 日経産業新聞 (2000年11月2日PP.9) | カーボンナノチューブ 水素ガス中で放電 直径0.4～10nm 多層構造 | 120 160 |
| 2000年12月号 | 導電性高分子 -白川氏ノーベル賞受賞- | 東大 | 日本経済新聞 (2000年10月1日PP.3) 日本経済新聞 (2000年10月14日PP.13) 日本経済新聞 (2000年10月23日PP.17) | ノーベル化学賞 LED 極細電線 0.5μmφ | 660 120 250 |
| 2000年12月号 | 最大10ギガの広帯域形ソフトウェア無線機 | ソニーコンピュータサイエンス研 電子情報通信学会 | 日刊工業新聞 (2000年10月27日PP.7) 日刊工業新聞 (2000年10月30日PP.9) | マルチポート・ダイレクト・コンバージョン方式 80M～10GHz ベースバンドに直接変換 ミキサ不要 ソフトウェア入替えにより無線方式変換 | 340 120 |
| 2000年12月号 | ナノ結晶に光導電性 -CCDなどに応用- | NHK 広島大 | 日経産業新聞 (2000年10月24日PP.1) | Siナノ結晶 光導電性 | 210 120 |
| 2000年11月号 | 量子箱で「近藤効果」 -量子ドットで最大に- | NTT 東大 デルフト工科大(オランダ) | 日刊工業新聞 (2000年9月22日PP.7) 日経産業新聞 (2000年9月22日PP.12) | 近藤効果 量子ドット 量子スピン 量子計算機 量子箱 量子コンピュータ AlGaAs | 120 220 |
| 2000年11月号 | 室温で40倍の磁気抵抗を示す新複合材料 | NEC北米研 | 日本工業新聞 (2000年9月8日PP.21) | インジウムアンチモン 異常磁気抵抗 | 130 120 |
| 2000年 9月号 | 金のナノワイヤ | 東工大 | 日刊工業新聞 (2000年7月28日PP.7) 日経産業新聞 (2000年7月29日PP.12) | 0.6nmφ×15nm 同軸形状 ナノワイヤ | 120 |
| 2000年 9月号 | 室温中磁場で抵抗10倍以上変化する新素子 | アトムテクロノジー研究体 東大 | 日経産業新聞 (2000年7月4日PP.13) | マンガンアンチモン合金の集合体 GaAs 磁気抵抗効果 電気抵抗70倍変化 光にも反応 | 230 120 |
| 2000年 9月号 | 光で誘電率変化する結晶 | 東工大 神奈川科学技術アカデミー | 日経産業新聞 (2000年7月4日PP.13) | テトラチアフルバレン分子 クロラニル分子 光で結晶構造変化 -170℃で動作 | 120 |
| 2000年 5月号 | 極短パルスレーザ -「アト秒」あと一歩- | 理研 | 日刊工業新聞 (2000年3月7日PP.7) | レーザ アト秒 極短パルス | 120 250 |
| 2000年 5月号 | 光でDNAの動き制御 | 東大 | 日本経済新聞 (2000年3月4日PP.1) | DNAコンピュータ 光制御 アソベンゼン | 120 |
| 2000年 4月号 | 光で学習・情報処理するニューラルネットワーク | 工技院物質工学技研 | 日経産業新聞 (2000年2月17日PP.5) | 光信号 ニューラルネットワーク フォトクロミック材料 ジアリールエテン色素 紫外線 光コンピュータシステム シミュレーション確認 | 520 120 |
| 2000年 3月号 | 実時間ホログラフィ用1次元光学結晶 | 筑波大 | 日刊工業新聞 (2000年1月20日PP.6) | フォトニック結晶 半導体量子ビット セレン化カドミウム 非線形光学材料 酸化Si 酸化チタン 欠陥層 | 120 |
| 2000年 3月号 | 量子ホール効果を確認 -新形素子開発に道- | NTT 東北大 | 日経産業新聞 (2000年1月14日PP.5) | 量子ホール効果 量子コンピュータ GaAs AlGaAs 3nm厚 | 120 210 660 220 |
| 2000年 3月号 | 光・電子機能を持つ有機材料 -導電性に優れ加工も容易- | 京大 | 日経産業新聞 (2000年1月13日PP.5) | 共役系高分子 EL素子 光電変換機能 ホウ素 誘電性 非線形性 有機材料 光通信用素子 | 150 120 140 |
| 2000年 3月号 | EMC対策用チップ -高周波帯域用を開発- | TDK | 日経産業新聞 (2000年1月5日PP.7) | ノイズ 複合磁性材料 高周波 | 120 |
| 2000年 2月号 | 高純度Si単結晶 | 慶大 クルチャトフ研 | 日本経済新聞 (1999年12月20日PP.19) | 原子量28 Si 純度99.92% ハロゲンランプ加熱 遠心分離器 熱伝導度1.6倍 | 120 |
| 2000年 2月号 | 半導体接合面にスピンの向きそろった電流 | 東北大 米カリフォルニア大 | 日経産業新聞 (1999年12月16日PP.5) 日刊工業新聞 (1999年12月17日PP.6) | 電子スピン 量子コンピュータ 半導体接合面 高速コンピュータ GaMnAs強磁性半導体 発光ダイオード 偏光度確認 | 120 250 |
| 2000年 2月号 | 「C36」量産に成功 | 名大 | 日刊工業新聞 (1999年12月15日PP.1) | フラーレン C36 | 120 |
| 2000年 2月号 | 歪みSOIに作成したP形MOS構造 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1999年12月6日PP.13) | 歪みSOI 正孔移動度1.3倍 | 120 220 |
| 2000年 1月号 | シリコン酸化膜形成の仕組み解明 | NTT | 日経産業新聞 (1999年11月4日PP.4) | Si酸化膜 LSI | 120 160 |
| 2001年 1月号 | 落雷時の電圧低下防ぐ | 東芝 | 日本経済新聞 (2000年11月18日PP.13) | 高温超電導素子 電流リミッタ 再使用可 | 120 |
| 2001年 1月号 | 単層カーボンナノチューブ -直径0.4nm作製- | 名城大 NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2000年11月2日PP.6) 日経産業新聞 (2000年11月2日PP.9) | カーボンナノチューブ 水素ガス中で放電 直径0.4～10nm 多層構造 | 120 160 |
| 1999年12月号 | 新形歪みSOI基板 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1999年9月30日PP.6) | 歪みSi SiGe下地 キャリヤ移動度2倍以上 SIMOX技術 | 120 |
| 1999年12月号 | シリコン・ゲルマニウム・カーボン-発光・高速特性明らかに- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1999年10月14日PP.6) | シリコン・ゲルマニウム・カーボン | 120 |
| 1999年12月号 | 高感度なMI磁性薄膜 | 名大 スタンレー電気 | 日刊工業新聞 (1999年10月25日PP.15) | MI効果 非晶質ワイヤ 交差磁気異方性薄膜 FeCoB 線形特性 | 120 210 230 |
| 1999年 9月号 | 自己組織化を利用した材料 | 名大 東大 | 日経産業新聞 (1999年7月1日PP.5) 朝日新聞 (1999年7月12日PP.11) | 自己集合 分子メモリー 水滴状の量子ドット 磁気バブル | 120 |
| 1999年 9月号 | 単一電子素子量産用製造技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (1999年7月19日PP.19) | 自己組織化 超微細加工 半導体基板 20～30nmの凹凸 単一電子素子 製造技術 エッチング | 160 220 260 120 |
| 1999年 8月号 | 固体冷陰極を微細・高集積化 -低電圧・高電流密度に- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年6月2日PP.7) | FEA(フィールド・エミッタアレイ) ゲート径0.35μm 50A/cm2 VECTL 平面ディスプレイ 進行波管 ドライブ電圧25V 7000万個/cm2 半導体微細加工 放電防止構造 | 250 120 |
| 1999年 8月号 | 誘電体10倍の薄膜形成技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (1999年6月4日PP.4) | STO レーザ | 120 250 |
| 1999年 8月号 | 光の人工分子を作製 -光ICの超小形化に道- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年6月7日PP.11) | ポリスチレン微小球 4μm WGM レーザ 光スイッチ | 120 140 240 |
| 1999年 8月号 | 有機物が誘導体に変わる新現象 | JRCAT | 日経産業新聞 (1888年6月11日PP.5) 日刊工業新聞 (1999年6月11日PP.7) | 1000V 色変化 | 120 |
| 1999年 8月号 | 劣化したプラスチック酸素と反応 元通りにb | 芝浦工大 | 日本経済新聞 (1999年6月28日PP.15) | 自己修復プラスチック PPE(ポリフェニレンエーテル) | 120 |
| 1999年 7月号 | HDD用磁気記録ヘッド -書込み磁界2倍- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年5月18日PP.6) | HDD用磁気ヘッド 書込み磁界2.1テスラ CoNiFeメッキ 7000Oe対応 磁気ヘッド | 120 220 230 |
| 1999年 6月号 | 有機フォトクロミックを用いた光ニューラルネット | 物質研 | 日刊工業新聞 (1999年4月26日PP.11) | ジアル ルエテル系色素 可逆的光学異性化特性 連想記憶 | 120 520 |
| 1999年 6月号 | 非結質フェライト-マイクロ波照射で作成 | 東北大 | 日刊工業新聞 (1999年4月20日PP.6) | 非晶質フェライト 強磁性 マイクロ波照射 ソフト 導電性 | 160 120 |
| 1999年 6月号 | 超並列計算実現へ第一歩 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1999年4月19日PP.5) | 量子計算 暗号 | 120 320 |
| 1999年 6月号 | 電子物理の原理実証 | NTT | 日経産業新聞 (1999年4月9日PP.5) | アンチバンチング効果 フェルミ粒子 | 120 660 |
| 1999年 6月号 | 記録用基礎技術「ナノマグネット」 -記録密度，磁気ディスクの100倍に- | 米コーネル大 | 日経産業新聞 (1999年4月7日PP.5) | ナノマグネット | 230 120 |
| 1999年 5月号 | 0.1μmプロセス用絶縁材料 -2GHz動作のLSI実現- | 富士通研 | 電波新聞 (1999年3月30日PP.1) | 2GHz動作 0.1μmプロセス用絶縁材料 ナノキャビティ技術 層間絶縁膜誘電率1.98 アリサイクリックモノマ | 220 120 160 |
| 1999年 5月号 | 磁界で電流を制御 -次世代複合半導体に道- | 北陸先端大 | 日刊工業新聞 (1999年3月24日PP.7) | ニッケル微粒子 次世代複合半導体 単電子効果 強磁性体微粒子 磁気ドメイン スイッチング機能 | 120 |
| 1999年 5月号 | 量子コンピュータの新基本設計法 | スタンフォード大(米) | 日経産業新聞 (1999年3月16日PP.5) | 量子コンピュータスピン 量子コンピュータ マイクロ波照射 | 120 |
| 1999年 4月号 | 量子計算機で基礎実験 | 大工研 他 | 日経産業新聞 (1999年2月10日PP.5) | 量子計算機 | 120 660 |
| 1999年 4月号 | 有機フォトミクロンを用いた光ニューラルネット | 物質研 | 日刊工業新聞 (1999年2月26日PP.11) | ジアルルエテル系色素 可逆的光学異性化特性 連想記憶 | 120 420 |
| 1999年 3月号 | 有機分子に「連想」機能材料 | 理化学研 | 日本経済新聞 (1999年1月23日PP.11) | カルバゾールオリゴマー ホログラムメモリー 連想記憶 ホログラム 画像情報処理 | 230 120 130 |
| 1999年 3月号 | Si表面の未結合手細線 -電子状態を確認- | 東北大 東大 東工大 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1999年1月12日PP.5) | Si 未結合手細線 STM ソリトン | 120 |
| 1999年 3月号 | 量子コンピュータ -数十億年かかる計算瞬時に- | 三菱電機 | 日本経済新聞 (1999年1月9日PP.11) | 光の量子性 4bの判別 量子コンピュータ 量子計算 高速演算 暗号解読 | 120 320 |
| 1999年 3月号 | 高温超伝導 -集積回路実現へ突破口- | NEC | 朝日新聞 (1999年1月3日PP.3) | 高温超伝導 絶縁バリア層 ジョセフソン接合 集積回路 | 120 160 220 |
| 1999年 1月号 | 30%高速化した次世代LSI -絶縁膜に新材料- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年11月26日PP.5) | LSI 絶縁膜 二酸化ケイ素 水素シルセスキオキサン(HSQ) | 160 120 |
| 1999年 1月号 | ポロニウムによるソフトエラー | 富士通 | 日経産業新聞 (1998年11月18日PP.5) | ポロニウム ソフトエラー | 130 120 |
| 1998年12月号 | 空間光変調材料 -ピコ秒単位で色変化- | 静岡大 | 日刊工業新聞 (1998年10月28日PP.5) | 空間光変調材料 光応答性高分子 ビオロゲン 空間光変調 | 120 220 |
| 1998年12月号 | 室温で巨大トンネル磁気抵抗効果を示す新材料 | アトムテクノロジー研究体 (JRCAT) | 日経産業新聞 (1998年10月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1998年10月15日PP.5) | セラミックス 巨大トンネル磁気抵抗効果(TMR) コロッサル磁気抵抗(CMR) ストロンチウム 鉄 モリブデン 二重ペロブスカイト構造 トンネル伝導 高密度記録ヘッド | 120 130 |
| 1998年11月号 | 光通信用の光学部品1/100に小型化 -スーパプリズム効果実現- | NEC | 電波新聞 (1998年9月10日PP.2) 日経産業新聞 (1998年9月10日PP.5) 日刊工業新聞 (1998年9月10日PP.5) | スーパプリズム効果 光学材料 DVD 光進路変化 フォトニック結晶 | 240 120 |
| 1998年10月号 | サブミクロンサイズのジョセフソン素子 -高温超電導単結晶を採用- | 東北大 | 日経産業新聞 (1998年8月21日PP.5) 電波新聞 (1998年8月21日PP.2) | 超電導素子 ジョセフソン素子 単一電子の制御 素子の微細化 超電導 FIB加工技術 BiSrKCu酸化物 面積1μmで単電子 トンネル効果 液体ヘリウム温度動作 | 120 220 |
| 1998年10月号 | 高温超電導ジョセフソン接合 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1998年8月20日PP.5) | 高温超電導 ジョセフソン接合 SFQ | 220 120 |
| 1998年10月号 | 脚光浴びる極低温技術 -超電導の応用を拡大- | メーカ各社 | 日刊工業新聞 (1998年8月12日PP.4) | 超電導 | 120 360 |
| 1998年10月号 | 新素材ガラス -磁石にピタッ- | 住田光学ガラス | 日刊工業新聞 (1998年8月4日PP.1) | 光ファイバ 磁性体 光スイッチ | 120 240 |
| 1998年10月号 | 世界最強の永久磁石 | 住友特殊金属 | 日経産業新聞 (1998年8月3日PP.5) | ネオジム 結晶方向 | 150 120 |
| 1998年 9月号 | ファラデー回転ガラス | 住田光学ガラス | 日刊工業新聞 (1998年8月4日PP.1) | ファラデー回転ガラス | 140 120 |
| 1998年 8月号 | 0.4V以下の超低電圧Si量子素子 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1998年6月24日PP.1) 日刊工業新聞 (1998年6月24日PP.11) 日経産業新聞 (1998年6月24日PP.5) | トンネル障壁 酸化膜 負性特性 エサキダイオード 消費電力 Si量子素子 超低電圧駆動 多結晶Si 量子化機能素子 3nm以下の薄いSi酸化膜 負性抵抗素子 3素子でメモリー | 220 120 |
| 1998年 8月号 | 超小型トランジスタ -金属使い集積度100倍- | 北陸先端院大 海軍研究所(米) | 日本経済新聞 (1998年6月22日PP.19) | 金属製トランジスタ トンネル効果 高集積 LSI 高集積化 | 220 120 |
| 1998年 6月号 | 人工結晶で光の立体回路 | 東北大 | 朝日新聞 (1998年4月20日PP.7) | 光回路 立体回路 人工結晶 | 120 |
| 1998年 5月号 | 超電導薄膜材料 -絶対温度100°で使用可能- | 超電導工学研 | 日経産業新聞 (1998年3月27日PP.5) | 水銀を含む銅酸化化合超電導薄膜 磁気センサ 100K動作 1.5MA/cm2 | 120 210 |
| 1998年 5月号 | GHz帯対応電磁波吸収体 | 環境電磁研 東北大 | 日刊工業新聞 (1998年3月14日PP.7) | フェライト 磁気共鳴 | 140 120 |
| 1998年 3月号 | 巨大磁気抵抗効果 -最大で40倍に変化- | アトムテクノロジー研究体 (JRCAT) | 日経産業新聞 (1998年1月26日PP.5) | 巨大磁気効果 磁気抵抗 マンガン酸化物 ランタンストロンチウム酸化物 0.2nmで交互に積層 4.2K 4000気圧で 40倍/0.3T GMRヘッド用材料 | 120 |
| 1998年 2月号 | 界面の電子状態微細制御 | 科技振興事業団 | 日経産業新聞 (1997年12月8日PP.5) | 100nm未満 SiAu 縞模様 | 160 120 |
| 1998年 1月号 | 4000%の磁気抵抗効果を観測 | アトムテクノロジー研究体(JRCAT) | 日刊工業新聞 (1997年11月26日PP.6) | 層状マンガン酸化物 トンネル磁気抵抗 | 120 130 |
| 1998年 1月号 | 化合物半導体材料の種類を大幅に増やせる新技術 -高出力レーザなどに道 結晶間隔異なっても成長- | NTT | 日経産業新聞 (1997年11月26日PP.5) | GaAs 111面を使用 格子定数の違いは1～2原子層で吸収 InAsを堆積して確認 | 120 160 |
| 1997年12月号 | 半導体を挟んだ磁性超格子-磁気抵抗で新現象- | アトムテクノロジー研究体 | 日刊工業新聞 (1997年9月30日PP.6) | 磁性超格子 | 210 120 |
| 1997年11月号 | 全光スイッチ -ナノ秒でオンオフ- | 静岡大 | 日刊工業新聞 (1997年9月5日PP.7) | 光スイッチ フォトクロミック色素 | 120 240 |
| 1997年 9月号 | 人工網膜 -半導体と生体細胞を合体- | 名大 理化学研 | 日経産業新聞 (1997年7月10日PP.5) | いもり 網膜細胞 | 120 220 210 |
| 1997年 8月号 | 電子干渉効果39Kの高温観測 | NTT | 日刊工業新聞 (1997年6月10日PP.6) | SIMOX基板 39K クーロンブロッケード効果 | 120 |
| 1997年 4月号 | 弾性表面波素子 -振動への変換効率10倍- | 東北大 | 日経産業新聞 (1997年2月18日PP.5) | 表面弾性波 ニオブ酸カリウム 弾性表面波素子(SAW) 広帯域フィルタ | 220 120 240 |
| 1997年 3月号 | 顔料分散法カラーフィルタ -LCD明るく色あざやかに- | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (1997年1月28日PP.1) | 顔料分散法 塗布型 | 250 120 |
| 1997年 3月号 | 磁石と半導体の2役こなす新材料 -高機能素子に道- | 科学技術振興事業団 | 日本経済新聞 (1997年1月11日PP.11) | さきがけ研究21 磁性体と半導体の融合 | 120 |
| 1997年 3月号 | ダイヤモンドトランジスタ-Si基板に形成- | 早大 | 日経産業新聞 (1997年1月8日PP.4) | ダイヤモンド トランジスタ Si基板 2cm角 | 220 120 |
| 1997年 1月号 | ダイヤモンドN型半導体の合成に成功 | 無機材質研 青学大 | 日刊工業新聞 (1996年11月26日PP.7) | マイクロ波プラズマ気相合成法 メタンとフォスフィン 移動度20cm2/V/s | 120 |
| 1997年 1月号 | 原子細線パターニング | 日立製作所 東大 | 日刊工業新聞 (1996年11月7日PP.6) | 原子リレートランジスタ 原子操作 走査トンネル顕微鏡 Si 原子細線 | 120 160 660 |
| 1997年 1月号 | 2nmのSi細線 -電子線露光で作製- | NTT | 日経産業新聞 (1996年11月5日PP.6) | 幅2nm エッチング 電子線露光 Si細線 単一電子トランジスタ | 120 260 160 |
| 1996年12月号 | 窒化膜で原子層マスク -STM使いナノ構造- | NTT | 日刊工業新聞 (1996年10月22日PP.6) | 微細加工 窒化膜原子層マスク STM MOCVD 窒化保護膜 低電流加工可能 量子効果素子 | 160 120 |
| 1996年 6月号 | 電極に超電導材料採用のトランジスタ | 慶大 | 日経産業新聞 (1996年4月19日PP.5) | 超電導 電界効果トランジスタ | 220 120 |
| 1996年 6月号 | 透明セラミックス薄膜合成 -透明トランジスタに道- | 東工大 | 日経産業新聞 (1996年4月8日PP.5) | 透明セラミックス 透明トランジスタ 酸化ガリウム銅 液晶ディスプレイ用 透明 うすい黄色 P型半導体 | 120 150 |
| 1996年 6月号 | 窒化サマリウム鉄磁石 | 阪大 | 日経産業新聞 (1996年4月4日PP.5) | ボンド磁石 22.1MGe 酸化防止 | 120 |
| 1996年 5月号 | 超電導磁石 -世界最高の磁場- | 科学技術庁金材研 | 日経産業新聞 (1996年3月8日PP.5) | 超電導 22.8テスラ | 120 |
| 1996年 3月号 | 量子細線形成技術 -厚さ幅とも10nm 均一に形成- | NTT | 日経産業新聞 (1996年1月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1996年1月19日PP.5) | 量子細線 光吸収ピーク観測 製造加工技術 | 120 160 |
| 1996年 3月号 | Si最小結晶構造を確認 | 工技院 アトムテクノロジー研究体 | 日刊工業新聞 (1996年1月17日PP.7) | シリコンクラスター | 120 160 |
| 1996年 3月号 | 単一電子メモリー -LSI化にメド- | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1996年1月13日PP.10) | 単一電子メモリー 大容量 1Tb級メモリー | 230 120 |
| 1996年 2月号 | 多値トランジスタ -電流値量子化を確認- | NTT | 日経産業新聞 (1995年12月1日PP.5) | 電流量子化 0.01K 3ビット分を確認 量子トランジスタ 8段階3ビット | 220 120 |
| 1996年 1月号 | TFT方式の液晶表示装置 -視野角拡大する光学フィルム- | 富士フイルム シャープ | 日経産業新聞 (1995年11月14日PP.1) | 光学フィルム LCD 視野角 上下2倍，左右1.4倍に拡大 TFT方式LCD 視野角上下90° 左右120° 有機化合物 Loss:0.5% | 250 150 120 420 |
| 1995年12月号 | バイオ素子 | シャープ 松下技研 | 日本経済新聞 (1995年10月23日PP.17) | ニューロ パーセプトロン 連想機能 有機材料 | 520 120 |
| 1995年11月号 | 電子波を利用した光素子 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1995年9月27日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年9月27日PP.9) | コヒーレント干渉 光スイッチ素子 | 240 120 |
| 1995年11月号 | 高温超電導材で論理回路 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1995年9月20日PP.5) | 磁束量子パラメトロン ジョセフソン素子 高温超電導材料 論理回路 高周波通信 | 120 220 |
| 1995年11月号 | 非線形光学素子 -光変換効率2～3倍に- | 通信総研 | 日経産業新聞 (1995年9月6日PP.5) | 非線形光学素子 分子線エピタキシ法 有機薄膜 | 240 120 |
| 1995年11月号 | 超電導体ミキサアンテナ一体型周波数変換器 -数THzまで対応可能- | 超電導工学研 | 日経産業新聞 (1995年9月5日PP.5) | 高温超電導体 超電導 100GHz 周波数変換器 ミキサアンテナ 数THz | 220 120 240 |
| 1995年10月号 | 高温超電導下ジョセフソン効果観測技術 | NTT | 電波新聞 (1995年8月29日PP.2) 日経産業新聞 (1995年8月29日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年8月29日PP.6) | ジョセフソン素子 4.2～80K超電導 高速新デバイスに道 高温超電導体 トンネル効果 | 220 120 660 |
| 1995年 9月号 | 量子干渉効果を観測 | NTT | 日刊工業新聞 (1995年7月20日PP.7) | 半導体中の超電導電流 HEMT+超電導電極 量子効果 観測技術 | 120 660 360 |
| 1995年 9月号 | 磁気抵抗効果の新材料 | アトムテクノロジー研究体 | 日本経済新聞 (1995年7月17日PP.19) | コロサル磁気抵抗効果 電気抵抗変化109倍 | 120 130 |
| 1995年 8月号 | インジウムの量子箱 -次世代メモリー開発へ- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1995年6月5日PP.5) | 量子箱 RHET | 230 160 120 |
| 1995年 6月号 | 新型ガラス -40倍の蛍光発光- | 住田光学ガラス | 日経産業新聞 (1995年4月2日PP.1) | ルミラス-1 紫外線 | 160 120 |
| 1995年 4月号 | 光の増幅・記憶可能な素子 | 阪大 | 日経産業新聞 (1995年2月27日PP.5) | 光記憶素子 | 120 |
| 1995年 4月号 | 人工網膜チップ | 三菱電機 | 電波新聞 (1995年2月17日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年2月17日PP.7) | 人工網膜 DCT GaAs | 520 120 |
| 1995年 4月号 | 0.9V動作のY1強誘電体不揮発性メモリー | 松下電子 | 電波新聞 (1995年2月16日PP.1) | 不揮発性メモリー 強誘電性メモリー | 230 120 130 |
| 1995年 4月号 | 外部磁場変化による結晶構造切替え技術 | 工技院アトムテクノロジ研究体 | 日経産業新聞 (1995年2月6日PP.5) | 磁気駆動の素子 | 120 |
| 1995年 3月号 | 鉄主成分の永久磁石材料 | 東北大 | 日刊工業新聞 (1995年1月26日PP.7) | 磁石材料 磁束密度1.3テラス アルニコの3倍 | 120 |
| 1995年 3月号 | Si結晶の表面構造変化 -電気抵抗1/1000に激減- | 東大 | 日経産業新聞 (1995年1月20日PP.5) | Si 結晶表面構造 電気抵抗1/1000 Si結晶の表面構造変化 Si結晶 結晶構造 超微細集積回路 | 120 160 220 |
| 1995年 3月号 | 非線形光学薄膜 -半導体薄膜の光透過性制御- | 三菱電機 | 電波新聞 (1995年1月13日PP.2) 日本工業新聞 (1995年1月13日PP.8) | 非線形光学薄膜 半導体薄膜 非線形光学現象 小入力制御 | 120 240 |
| 1995年 3月号 | 光電子集積回路 -InP結晶をSi上に直接接合- | NEC | 日刊工業新聞 (1995年1月10日PP.7) | InP結晶 光電子集積回路 | 220 120 |
| 1995年 2月号 | 層状物質CaSeの垂直エピタキシャル成長に成功 | 東工大 | 日刊工業新聞 (1994年12月27日PP.4) | 結晶成長 量子細線 | 120 160 |
| 1995年 2月号 | 金属微粒子の光トラッピング技術 -マイクロ構造物に道- | 東北大 | 日刊工業新聞 (1994年12月23日PP.4) | レーザ光ビーム 光トラッピング 完全非接触 | 160 120 |
| 1995年 1月号 | 高速通信技術 -高温超電導体で- | 東北大 | 日経産業新聞 (1994年11月10日PP.5) | 超電導 プラズマ振動 信号変調速度100GHz | 120 340 |
| 1995年 1月号 | 超電導発電機 | 関西電力 | 日刊工業新聞 (1994年11月4日PP.9) | 超電導 発電機 | 120 350 |
| 1994年12月号 | 高温超電導リード線 -通電電流3倍に- | 東芝 | 日経産業新聞 (1994年10月5日PP.1) | 超電導 7550A | 120 |
| 1994年11月号 | 光誘導超電導現象 | NTT | 日経産業新聞 (1994年9月16日PP.5) | 超電導 原理解明 | 120 |
| 1994年11月号 | 走査型電子線露光 -初の5nmパターン形成- | NEC | 日刊工業新聞 (1994年9月13日PP.7) | 無機レジスト法 量子効果素子 イオンビームスパッタ法 | 120 160 |
| 1994年 9月号 | 線形加速器で1psの電子パルス | 東大 | 日経産業新聞 (1994年7月20日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年7月20日PP.7) | 線形加速器 パルス幅1ps | 120 150 |
| 1994年 9月号 | Si青や紫にも発光 | 理化学研 | 日本経済新聞 (1994年7月9日PP.10) | Si 発光 薄型テレビ | 120 250 |
| 1994年 9月号 | 液晶パネル用位相差フィルム -CRT並み広視野角- | 住友化学 | 日刊工業新聞 (1994年7月8日PP.1) | LCD 広視野角 テレビ | 250 120 |
| 1994年 9月号 | 高性能電波望遠鏡 -600GHz微弱信号をキャッチ- | 通信総研 | 日経産業新聞 (1994年7月1日PP.5) | 受信素子 超電導薄膜素子 SIS構造 電波望遠鏡 600GHz 無線通信 超高周波 低雑音 | 340 220 120 210 |
| 1994年 8月号 | 磁力線の強さと方向の立体的な観察 | 新技術事業団(外村位相情プロジェクト) | 電波新聞 (1994年6月14日PP.2) | 電子線ホログラフィ 磁力線観察 | 120 430 |
| 1994年 8月号 | 光の透過度を自由に制御できる非線形光学材料 | 電総研 | 日経産業新聞 (1994年6月10日PP.5) | 光学材料 透過度変化 屈折率変化 応答速度1ps | 120 240 |
| 1994年 8月号 | 金属酸化物でIC基板 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1994年6月9日PP.1) | IC基板 透明 金属酸化物 無電源記憶保持 チタン酸ストロンチウム | 120 220 230 |
| 1994年 8月号 | -20℃～70℃の動作温度範囲を実現 -128×128ドットSTN結晶モジュール販売へ- | セイコー電子 | 電波新聞 (1994年6月1日PP.2) | 液晶 広動作温度 | 120 250 |
| 1994年 7月号 | 500℃の環境に耐えるIC -高温電子デバイスの製造に道- | 米ゼネラルエレクトリック | 日経産業新聞 (1994年5月31日PP.4) | シリコンカーバイド 高温デバイス | 120 220 |
| 1994年 7月号 | 非線形光学材料 | 日本板硝子 電総研 | 日経産業新聞 (1994年5月24日PP.4) | 非線形光学材料 テルル化カドニウム 応答速度1ps 光コンピュータ | 120 240 |
| 1994年 7月号 | 液状光変換材料 | 農工大 | 日刊工業新聞 (1994年5月11日PP.6) | 光波長変換材料 常温液状 電圧波長制御 800μm→440μm 光変換 | 120 140 240 |
| 1994年 5月号 | 人工蛋白質で電子素子 -半導体チップ越す集積度- | 三菱電機 サントリー | 日経産業新聞 (1994年3月24日PP.1) | 電子素子 バイオテクノロジ チトクロームC552 1Tbメモリー 分子素子 半導体超える集積度 バイオ素子 ダイオード/スイッチ材料 有機電子素子 蛋白質 | 160 120 220 |
| 1994年 5月号 | 高温超電導材 -最強の磁場保持- | 超電導工研開発 | 日経産業新聞 (1994年3月2日PP.5) | 高温超電導磁石 | 120 |
| 1994年 3月号 | フラーレン単結晶薄膜化 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1994年1月12日PP.1) | 炭素物質フラーレン ICB法 マイカ基板 フラーレン(C60) 1cm2 膜厚15nm 半導体材料 t=15nm | 120 |
| 1994年 2月号 | 超電導物質-零下23℃で兆候- | 仏産業物理化学大 | 電波新聞 (1993年12月18日PP.3) | 超電導材料 従来より100℃向上 | 120 |
| 1993年12月号 | サマリウム系高温超電導体 -2.5cm角の単結晶- | 超電導工学研 | 日本経済新聞 (1993年10月20日PP.11) | サマリウム系 高温超電導体 2.5cm角単結晶 | 120 |
| 1993年12月号 | 超音波照射によるフロン分解法 | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (1993年10月1日PP.1) | フロン分解 1時間85% 2kHz | 120 |
| 1993年11月号 | LSIの障害電波抑制技術 | 松下電子 | 日経産業新聞 (1993年9月2日PP.1) | 不要電波抑制 強誘電体薄膜 | 120 220 |
| 1993年11月号 | 光スイッチ用新半導体材料 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1993年9月2日PP.1) | 超高速スイッチング トンネル効果 光スイッチ材料 トンネル双量子井戸 スイッチ速度1～2ps 応答速度1000倍 | 240 120 |
| 1993年 9月号 | 立体交差不要の新方式 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1993年7月26日PP.6) | 量子配線技術 2次元電子ガス層 | 120 220 |
| 1993年 8月号 | KLNを細線単結晶化 -SHG素子に利用- | 東北大 電総研 阪大 | 日経産業新聞 (1993年6月1日PP.5) | SHG素子 | 120 250 |
| 1993年 7月号 | 電子波干渉新素子 -「電子波」干渉を電圧制御- | NTT | 日経産業新聞 (1993年5月13日PP.5) | 電子波素子 電子波干渉 1.6V電圧制御 通路幅0.1μm AD変換利用可 GaAs素子 | 220 120 |
| 1993年 7月号 | 高温超電導 | スイス連邦工科大 | 電波新聞 (1993年5月7日PP.3) 日経産業新聞 (1993年5月7日PP.4) | 超電導 水銀系高温超電導 133K | 120 |
| 1993年 6月号 | 全可視光透過YIG磁性薄膜 | 成蹊大 | 日刊工業新聞 (1993年4月2日PP.7) | 磁性材料 イットリウム 鉄 ガーネット(YIG) 全可視光透過 | 120 150 |
| 1993年 5月号 | X線露光用レジスト | 東芝 | 日経産業新聞 (1993年3月25日PP.1) | 半導体用レジスト 0.15μm線幅 1Gbメモリー用 有機化合物系 | 120 160 |
| 1993年 4月号 | Si結晶成長時の表面張力流観察に成功 | NEC | 電波新聞 (1993年2月9日PP.1) | Si結晶 表面張力流 | 120 |
| 1993年 3月号 | 超電導薄膜を量産化 | 同和鉱業 | 日経産業新聞 (1993年1月6日PP.1) | 超電導薄膜 MOCDV法 | 220 120 |
| 1993年 1月号 | 高温超電導磁気センサ | シャープ | 電波新聞 (1992年11月25日PP.1) | 超電導 | 120 220 |
| 1993年 1月号 | 耐圧メカニズム解明 -新開発のGaAsMESFETで- | NEC | 電波新聞 (1992年11月24日PP.1) | GaAs 製造プロセス GaAs半導体 | 120 160 220 |
| 1993年 1月号 | 次世代半導体材料 -ストロンチウム・チタン酸化物- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1992年11月6日PP.4) | ストロンチウム チタン酸化物 容量50倍 Si利用の50倍にメモリー増 | 120 160 110 |
| 1993年 1月号 | 超電導現象観測 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1992年11月5日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年11月5日PP.8) 電波新聞 (1992年11月6日PP.2) | 超電導 | 120 220 |
| 1992年12月号 | 環境保護問題 -95年フロン全廃へメド- | 電機各社 | 電波新聞 (1992年10月24日PP.1) | 環境保護 フロン | 120 620 |
| 1992年11月号 | 導電性高分子利用の薄膜トランジスタ | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月4日PP.6) 日経産業新聞 (1992年9月4日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年9月4日PP.5) 日本工業新聞 (1992年9月4日PP.15) | 導電性高分子 薄膜Tr ポリマートランジスタ ポリチエニレンビニレン | 220 120 |
| 1992年11月号 | フラーレン，導膜導電性を自由に制御する技術 -フラーレンC60使った半導体材料に道- | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月2日PP.8) 日経産業新聞 (1992年9月2日PP.4) 日刊工業新聞 (1992年9月2日PP.7) | ICB法でC60の薄膜作製 サッカーボール型炭素分子フラーレン ICB法 | 120 |
| 1992年10月号 | 超高温環境技術 -Siで2500℃以上の高温実現- | 阪大 | 日経産業新聞 (1992年8月24日PP.5) | 超高温環境技術 Siを燃料 2500℃ | 120 |
| 1992年10月号 | SiGe交互層状で新機能創出へ -発光や高速化が可能- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1992年8月19日PP.6) | 半導体素子 SiGe交互層で新素子 | 120 |
| 1992年 9月号 | 超電導演算素子 -1つで10個分働く- | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年7月31日PP.1) 日経産業新聞 (1992年7月31日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年7月31日PP.7) | アンドレエフ効果 超電導素子 量子効果 アンドレエフ反射 演算機能持つ単一素子 集積度2桁向上 | 220 120 |
| 1992年 7月号 | 蓄電機能持つ太陽電池 | NTT | 日本工業新聞 (1992年5月12日PP.1) | 太陽電池 光空気2次電池 エネルギー密度10倍 | 120 |
| 1992年 7月号 | 世界初の限流素子 | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年5月8日PP.1) 日経産業新聞 (1992年5月8日PP.4) 日刊工業新聞 (1992年5月8日PP.7) | AC100Vの過電流抑制 イットリウム系超電導体を利用 限流素子 | 220 120 |
| 1992年 6月号 | Si表面にC60単結晶薄膜形成 | 東北大 三重大 | 日刊工業新聞 (1992年4月3日PP.1) | C60 :半導体/絶縁体/金属/超電導にもなる未来材料 | 100 120 |
| 1992年 6月号 | 有機薄膜特性を2.5倍向上 | NTT | 日刊工業新聞 (1992年4月1日PP.6) | 光メモリー スイッチ材料 3次元線形特性改善 ICB法 | 120 130 |
| 1992年 5月号 | 超微粒子コーティング液 -ガラス表面の電気抵抗1/1000，ブラウン管に活用- | 旭硝子 | 日経産業新聞 (1992年3月5日PP.1) | ガラスコーティング アンチモン含有酸化スズ(ATO) スズ含有酸化インジウム(ITO) 導電性コーティング 1MΩ以下 | 100 120 160 620 |
| 1992年 4月号 | 超電導電磁波センサ | 三洋電機 | 電波新聞 (1992年2月28日PP.1) 日経産業新聞 (1992年2月28日PP.9) | 電磁波センサ 30GHz | 120 210 |
| 1992年 2月号 | 超電導ニューロコンピュータ -基本素子開発に成功- | 東北大 | 日本経済新聞 (1991年12月14日PP.11) 電波新聞 (1991年12月20日PP.0) | ニューロコンピュータ基本素子 超電導ニューロコンピュータ ニオブ系 超電導体 低消費電力 | 120 520 420 |
| 1991年12月号 | 光バイオセンサ -塩水湖細菌から網膜- | 富士フイルム 三洋電機 日立製作所 | 朝日新聞夕刊 (1991年10月16日PP.9) 日刊工業新聞 (1991年10月22日PP.5) | バクテリオロドプシン 形状識別 | 120 |
| 1991年12月号 | レーザ光，緑色に変換 -有機材料で素子試作- | 東レ | 日経産業新聞 (1991年10月4日PP.5) | 有機非線形光学材料 エネルギー変換効率0.13%(実用レベル3～5%) | 120 140 |
| 1991年10月号 | 磁束量子パラメトロン -基本電子回路を試作- | 新技術事業団 | 日経産業新聞 (1991年8月26日PP.5) | 超電導素子 超高速コンピュータ | 220 520 120 |
| 1991年10月号 | 原子スイッチ -1個の原子で電流開閉- | 米IBM | 電波新聞 (1991年8月16日PP.2) 日経産業新聞 (1991年8月16日PP.4) | 原子スイッチ タングステン ニッケル電極にキセノン原子 1個の原子でon-off 電子素子 スイッチング素子 | 220 120 230 |
| 1991年 9月号 | バイオ素子を超LSI化 | 沖電気 | 日本工業新聞 (1991年7月3日PP.1) | 新素子 1mm殻に25万個集積 バイオ素子 リポゾーム アピジン ピオチン法 パターン認識素子 6.25M素子/mm2 | 120 220 |
| 1991年 8月号 | 有機薄膜素子試作 | 東芝 | 日経産業新聞 (1991年6月24日PP.5) | 記録 光メモリーや波長変換素子に利用 | 120 130 |
| 1991年 8月号 | 有機非線形光学材料 | 東レ | 日経産業新聞 (1991年6月10日PP.5) | SHG素子 無機と比べ変換効率130倍 | 120 |
| 1991年 7月号 | 有機フォトクロミック材料 | 三洋電機 九大 | 日経産業新聞 (1991年5月30日PP.5) | 非破壊読出し ジアリールエデン誘導体 | 120 |
| 1991年 7月号 | 制振新素材 -狙った騒音だけ遮断- | 東工大 | 日経産業新聞 (1991年5月30日PP.1) | 素材(制振新素材) 防音性能2倍 初の実証確認 | 120 |
| 1991年 5月号 | 世界最高の電子移動度を実現 | NTT 郵政省 | 日刊工業新聞 (1991年3月19日PP.7) ×日本経済新聞 (1991年3月9日PP.0) | 半導体材料 移動度千万cm2/Vs 弾道輸送距離200μm 入札制 | 120 |
| 1991年 2月号 | 摩擦力を電圧で制御 | 都立科技大 | 日本経済新聞 (1990年12月15日PP.0) | 120 | |
| 1991年 1月号 | 60mの超伝導材 | 住友電工 | 日経産業新聞 (1990年11月9日PP.0) | 線材の断面 0.4mm×4mm 77K I=10.5A J=2450A/cm2 | 160 120 |
| 1990年12月号 | 世界初 Si原子結晶撮影 | 科学技術庁 無機材質研 | 日本経済新聞 (1990年11月3日PP.0) | 原子間距離1.3Aの結晶構造を黒い点としてとらえた | 120 |
| 1990年11月号 | PBTの高速動作にメド | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1990年10月5日PP.0) | 4GHz | 120 |
| 1990年10月号 | 電子波デバイス実現へ道 | 富士通研 | 電波新聞 (1990年8月10日PP.0) | 電子波1/s | 120 |