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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーワード | 分類 番号 |
| 2017年11月号 | 壊れず拭き取り可能 モスアイ構造フィルム開発 | 理科大 | 日刊工業新聞 (2017年8月9日PP.23) | ナノインプリント技術で転写 | 130 160 |
| 2015年 2月号 | 磁性体に光の偏光状態を記録・読み出しすることに成功 http://www.kyushu-u.ac.jp/pressrelease/2014/2014_11_14_2.pdf | 九大，東大，JST | 日経産業新聞 (2014年11月26日PP.10) | イットリウム，マンガンの磁性体，偏光と呼ぶ光の進み方の違いを磁性体に記録，大量のデータを高速で保存，磁化振動モード，偏光自由度，多重度・偏光メモリー，YMnO3 | 120 130 |
| 2015年 1月号 | 石英ガラスに大容量の情報を3億年以上保存可能な技術の開発 | 日立 京大 | 日経産業新聞 (2014年10月21日PP.8) 日刊工業新聞 (2014年10月21日PP.23) | フェムト秒パルスレーザで石英ガラスに刻印 データの書き込み速度1.5kb/s.石英ガラスに1μm程の微細な穴を開け記録.100層の多層記録 | 130 230 430 |
| 2014年10月号 | SSD向け新型相変化メモリー | LEAP 名大 | 日刊工業新聞 (2014年7月17日PP.22) | 相補型金属酸化膜半導体基板上で世界初試作 超格子材料を使用 | 従来比半分以下の動作電圧2V 60%減の低消費電力 不揮発性メモリーとして機能 130 230 |
| 2014年 7月号 | 印刷可能な有機光記録材料 | 産総研 | 日経産業新聞 (2014年4月9日PP.10) | 結晶-非晶質間の状態遷移 アントラセンとシアノビフェニルの結合構造 150℃/200℃で記録・消去 5mW/cm2 の青色光で記録可能 微細構造の可視性を生かし表示素子にも応用の可能性 | 130 150 |
| 2014年 2月号 | 白金不要の高密度HDD用磁性材 | 筑波大 北大 高エネ加速研 | 日経産業新聞 (2013年11月7日PP.11) | FeとCoが2:1で含まれる酸化物 コバルトフェライトを改良 MgOを基板に採用 | 130 |
| 2013年11月号 | 磁場で電気抵抗変化 | 京大 阪大 大阪市大 首都大 広島大 | 日刊工業新聞 (2013年8月1日PP.19) | 非磁性のパラジウム-コバルト酸化物(PdCoO2) 磁場によって物質の電気抵抗が変化する磁気抵抗効果がある -271℃ 14Tで測定 ゼロ磁場の350倍 | 120 130 |
| 2012年 9月号 | Co薄膜によるメモリー技術 | 京大 | 日経産業新聞 (2012年6月7日PP.11) | 磁壁 数10nm〜数100nm 磁壁移動によりメモリー記録 | 130 |
| 2012年 2月号 | 電気抵抗無限に増大する機構 | 九工大 露ウラル連邦大 | 日刊工業新聞 (2011年11月22日PP.23) | カイラル磁性体 磁気抵抗効果 0.1テラスの弱い磁場をかけるとリボンのねじれが周期的にほぐれたような構造が現れる | 130 |
| 2011年11月号 | たんぱくでナノ粒子3次元配置 | 奈良先端大 | 日刊工業新聞 (2011年8月8日PP.15) | たんぱく質を使うバイオ技術で作製した高密度の均一なナノ粒子を含む3次元の蓄積電極メモリーを動作 | 130 |
| 2011年 4月号 | 光子1個で変色する材料 | 奈良先端大 | 日刊工業新聞 (2011年1月10日PP.11) 日経産業新聞 (2011年1月12日PP.7) | チアゾリルベンゾチオフェン 光子1個で分子1個が反応 反応効率98% 光センサや記録材料向け フォトクロミック分子 | 130 |
| 2011年 2月号 | 高耐熱性かつ低消費電力のPRAM | 東北大 | 日刊工業新聞 (2010年11月25日PP.31) | 170℃の耐熱性 Ge-Cu-Te化合物 融点520℃ 結晶化温度240℃ | 130 230 |
| 2010年 8月号 | 磁気テープの記録容量を30倍以上に増やせる製造技術 | 日立マクセル 東工大 | 日経産業新聞 (2010年5月14日PP.1) | スパッタ テープ1巻で50TB 3層で計100nm弱の記録層を形成 垂直磁気記録 | 130 230 |
| 2010年 1月号 | 伸縮自在の玉虫色フィルム | 帝人 | 日経産業新聞 (2009年10月22日PP.1) | 複数のポリエステル系の高分子材料 数十nmの厚さで交互に数百層積み重ねた構造 | 130 |
| 2009年 9月号 | 透明2次元コード | 電通大 | 日経産業新聞 (2009年6月25日PP.12) | 液晶ディスプレイ 光の振動方向の変化を検出 特殊な樹脂製光学フィルム | 130 |
| 2007年 8月号 | 容量10倍の磁気テープ -テープ1本で10TB- | 日立マクセル 東工大 | 日経産業新聞 (2007年5月18日PP.1) | 酸化鉄をArガス中での放電を利用して気化しスパッタ 磁性粒子10nm以下 記録層の厚さ1/10 | 130 160 230 |
| 2007年 6月号 | 鉄白金微粒子を基板上に成膜 -HDD容量10倍以上- | 東芝 | 日経産業新聞 (2007年3月27日PP.9) | 垂直磁気記録方式 CVD 酸化マグネシウム基板 直径5nmの微粒子 1.8インチHDDで1Tb | 130 160 230 260 |
| 2007年 2月号 | 明るい部屋でも鮮明なプロジェクタ用スクリーン | 帝人 | 日経産業新聞 (2006年11月30日PP.1) | ハイブリッドスクリーンスプレンダ 基盤層上にμmレベルの溝をある角度に均一加工した金属素材の反射層 コントラストレベル97:1 | 130 160 250 350 |
| 2006年10月号 | ホログラムディスク用記録材料 | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年7月13日PP.1) | 次世代DVDの10倍以上の容量 3次元記録 書換え可能 アゾベンゼン高分子 複屈折率0.28以上 厚さ3μm程度 | 120 130 230 |
| 2006年 8月号 | ストレージ用磁気テープの基礎技術 -記録密度15倍以上へ- | 富士写真フイルム 米IBM | 日経産業新聞 (2006年5月17日PP.1) | 6.67Gbpiの記録密度 酸化鉄粒子層の上に65nm厚でバリウムフェライトを塗布 粒子直径21nm 長期保存性 テープ1巻あたり8Tbyte目標 | 130 120 160 |
| 2006年 5月号 | 銅ナノインク開発 | 旭化成 | 日刊工業新聞 (2006年2月22日PP.23) | 印刷技術活用 Cu配線や薄膜を低コスト形成 厚さや線幅をμmオーダーで制御可能 酸化膜のナノサイズ微粒子と酸化還元剤をインクに配合 塗布後焼成 エッチング工程不要 | 130 160 120 |
| 2006年 4月号 | 光で分子構造が変化する物質を利用した大容量記録材料 ―書き込み・読み出し 3次元で可能に | 九大 | 日経産業新聞 (2006年1月4日PP.11) | ジアリールエテン フォトクロミック分子 紫外線で蛍光オフ 可視光で蛍光オン | 120 130 |
| 2006年 4月号 | 多ビット素子 -光制御の量子計算機に道- | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年1月18日PP.18) | GaAs基板に微細なInAsの量子ドット 数十〜数百ビットの同時処理が可能 | 130 230 220 |
| 2006年 4月号 | 通電にまっすぐになるコイル状CNT ―原子構造変化を解明- | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2006年1月19日PP.26) | 2層CNT 円周電流密度0.9μA/nmでコイルがゆるみはじめ 2.2μA/nmで大きく変形 2.6μA/nmで直線状 電流による局所的な高温状態により曲面にある五角形 七角形の原子構造が六角形に変化 | 120 130 |
| 2005年11月号 | 光ファイバ通信16倍速で多重伝送
-世界初- | KDDI研 情通機構 | 日経産業新聞 (2005年8月23日PP.5) | 160Gbpsを八重伝送で1.28Tbps 差同位相変調(DPSK)光信号方式 偏波モード分散補償方式 200km距離実験 | 130 240 340 440 |
| 2004年 4月号 | 光メモリー -蛍光現象使い情報記録- | 東大 化学技術戦略推進機構 | 日経産業新聞 (2004年1月21日PP.8) | 半導体微粒子に紫外線照射 容量DVDの25倍 CdSe 記憶容量5値で100Gbpi | 120 130 |
| 2004年 4月号 | 磁力を光で直接制御 -書換え速度100倍- | 慶大 | 日経産業新聞 (2004年1月30日PP.9) | 常温動作 界面活性剤にアゾベンゼン1%添加 紫外線で磁力変化10% 可視光で元に戻る | 120 130 230 |
| 2003年12月号 | 容量30倍の磁気テープ | 日立マクセル | 日経産業新聞 (2003年9月18日PP.1) | 記憶容量最大で10TB 球状磁性体 直径20nm ナノキャップ | 130 |
| 2003年12月号 | 磁気記録用5nm径の白金鉄粉 | 同和鉱業 東北大 | 日経産業新聞 (2003年9月29日PP.7) | 高分子のアルコール中で化学反応 加熱工程不要 PtFe | 130 120 |
| 2003年 7月号 | 巨大磁気光学効果 -磁界で偏光の向き20度回転- | 科学技術振興事業団 産総研 | 日経産業新聞 (2003年4月15日PP.10) | 3種類の金属酸化物 偏光回転角±20° | 120 130 |
| 2003年 7月号 | 有機電荷移動錯体の相転移の観察に成功 | KAST 他 | 日刊工業新聞 (2003年4月25日PP.5) | 光ドミノ現象 常誘電体→強誘電体 TTF-CA(テトラチアフルバレン-P-クロラニル) | 130 140 |
| 2007年 2月号 | 明るい部屋でも鮮明なプロジェクタ用スクリーン | 帝人 | 日経産業新聞 (2006年11月30日PP.1) | ハイブリッドスクリーンスプレンダ 基盤層上にμmレベルの溝をある角度に均一加工した金属素材の反射層 コントラストレベル97:1 | 130 160 250 350 |
| 2006年10月号 | ホログラムディスク用記録材料 | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年7月13日PP.1) | 次世代DVDの10倍以上の容量 3次元記録 書換え可能 アゾベンゼン高分子 複屈折率0.28以上 厚さ3μm程度 | 120 130 230 |
| 2006年 8月号 | ストレージ用磁気テープの基礎技術 -記録密度15倍以上へ- | 富士写真フイルム 米IBM | 日経産業新聞 (2006年5月17日PP.1) | 6.67Gbpiの記録密度 酸化鉄粒子層の上に65nm厚でバリウムフェライトを塗布 粒子直径21nm 長期保存性 テープ1巻あたり8Tbyte目標 | 130 120 160 |
| 2006年 5月号 | 銅ナノインク開発 | 旭化成 | 日刊工業新聞 (2006年2月22日PP.23) | 印刷技術活用 Cu配線や薄膜を低コスト形成 厚さや線幅をμmオーダーで制御可能 酸化膜のナノサイズ微粒子と酸化還元剤をインクに配合 塗布後焼成 エッチング工程不要 | 130 160 120 |
| 2006年 4月号 | 光で分子構造が変化する物質を利用した大容量記録材料 ―書き込み・読み出し 3次元で可能に | 九大 | 日経産業新聞 (2006年1月4日PP.11) | ジアリールエテン フォトクロミック分子 紫外線で蛍光オフ 可視光で蛍光オン | 120 130 |
| 2006年 4月号 | 多ビット素子 -光制御の量子計算機に道- | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年1月18日PP.18) | GaAs基板に微細なInAsの量子ドット 数十〜数百ビットの同時処理が可能 | 130 230 220 |
| 2006年 4月号 | 通電にまっすぐになるコイル状CNT ―原子構造変化を解明- | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2006年1月19日PP.26) | 2層CNT 円周電流密度0.9μA/nmでコイルがゆるみはじめ 2.2μA/nmで大きく変形 2.6μA/nmで直線状 電流による局所的な高温状態により曲面にある五角形 七角形の原子構造が六角形に変化 | 120 130 |
| 2003年 6月号 | 強誘電体メモリー -BLTで1Gb級に道- | 東工大 新機能素子研究開発協会 | 日刊工業新聞 (2003年3月4日PP.4) | ビスマス･ランタン・チタン酸化物(BLT)を低温焼成 残留分極値27μC/cm2 | 130 230 |
| 2003年 6月号 | 200Gb/in2 記録材料 | 富士電機 | 日刊工業新聞 (2003年3月20日PP.12) | 垂直磁気記録方式 HDD用 CoとPtとの合金にSiを混入 150Gb/in2確認済 | 130 |
| 2003年 4月号 | 速度100倍の新型メモリー | シャープ | 日経産業新聞 (2003年1月15日PP.3) | 不揮発性メモリー モバイル機器向け 電気抵抗の変化が10〜1000倍 電気抵抗値メモリー材料 | 130 230 |
| 2003年 3月号 | カラー表示材料 -光で書換え- | リコー | 日本経済新聞 (2002年12月6日PP.17) | フルギド系化合物 100回以上書換え可 紫外線で赤青黄が発色し黒化 赤緑青光で青黄赤を透明化して発色 強い光で消去 | 250 130 |
| 2003年 3月号 | ICカード用メモリー材料 | 理科大 | 日経産業新聞 (2002年12月13日PP.10) | FeRAM用 100kV/cm電解 8μC/cm2 | 130 |
| 2003年 3月号 | 単一分子光メモリー -DVDの100万倍の記録密度- | JST | 日刊工業新聞 (2002年12月19日PP.4) 日経産業新聞 (2002年12月25日PP.10) | ジアリールエテン フォトクロミック分子 | 130 |
| 2003年 2月号 | DNAで磁性微粒子配列 | 阪大 韓国 延世大 | 日本経済新聞 (2002年11月4日PP.15) | 直径8nmのCo微粒子 Si基板上 磁気の向きを検出 | 130 |
| 2003年 2月号 | 光で結晶変化する分子 -新記録材料に- | 九大 | 日刊工業新聞 (2002年11月14日PP.5) | ジアリールエテン分子 フォトクロミック材料 3次元光メモリー 数十nm単位の有機化合物 | 120 130 |
| 2002年11月号 | 初の磁性微粒子 -磁気テープ記憶容量数十倍に- | 明大 | 日本工業新聞 (2002年8月28日PP.1) | 微粒子直径30nm(従来の1/4) 保磁力480kA/m(従来の4倍) 主成分はCoとNiを組合せた酸化鉄 塗布型 水溶液を混合 | 130 160 |
| 2002年10月号 | 有機フィルム使う記録素子 1行紹介 | 米カルフォルニア大 | 日経産業新聞 (2002年7月3日PP.9) | 高速動作 数日間データ保持 書換え300万回 | 130 230 |
| 2002年 9月号 | 形状記憶ポリマー製ネジ -加熱するとネジ山消える- | 三菱重工 | 日本工業新聞 (2002年6月27日PP.14) | 家電リサイクル 家電製品解体 形状記憶ポリマー | 130 660 |
| 2002年 8月号 | 光多層記録で基礎技術 -容量DVDの100倍に- | リコー 阪大 | 日経産業新聞 (2002年5月28日PP.9) | 高分子ジアリールエテン層 二光子吸収 300〜1000Gバイト フェムト秒レーザを照射 2010年頃 | 120 130 230 |
| 2002年 7月号 | リング状磁性体素子 - 100ギガMRAM可能に ポストDRAMとして有力 - (NO30と合わせる) | 阪大 | 日本経済新聞 (2002年4月8日PP.25) | リング状磁性体 直径0.5μm | 130 230 |
| 2002年 7月号 | 丸まる基板で光る印刷文字 -インクジェットプリンタ用シート- | プリントラボ | 日経産業新聞 (2002年4月26日PP.1) | 水性インク 厚さ0.12〜0.3mm 無機EL | 160 250 130 |
| 2002年 6月号 | 集光機能薄膜 | ニューガラスフォーラム(NGF) | 日刊工業新聞 (2002年3月15日PP.6) | 記録密度4倍に向上 コバルト・クロム・ジルコニウム系 酸化コバルト系 金属ガラス 柱状結晶 光ディスク | 120 130 |
| 2002年 6月号 | 割れにくいガラス基板 | 日立 | 日本経済新聞 (2002年3月15日PP.17) | 磁気ディスク用ガラス基板 50GB/in2 ガラス内に直径10nmの結晶 | 130 230 |
| 2002年 3月号 | レーザ光使いガラスにカラーマーキング | 埼玉大 | 日本工業新聞 (2001年12月12日PP.2) | レーザ照射部が金色に発色 Auコロイド粒子 有機金属コロイド粒子 | 130 |
| 2002年 2月号 | データ容量10倍の磁気記録媒体 | 富士フィルム | 日経産業新聞 (2001年11月6日PP.1) | 記録媒体用磁気材料 磁性体層厚さ0.05μm 磁性体粒子の長さ0.05μm | 120 130 |
| 2002年 1月号 | 鉛を使わない強誘電体 -メモリー材料に風穴- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2001年10月19日PP.1) | 非鉛系強誘電体 チタン酸ビスマス系 ネオジム置換 不揮発性メモリー BNT 残留電荷量25μC/c 鉛規制 | 130 120 530 |
| 2001年11月号 | 書き替え可能光メモリ- -DVDの1万倍容量を可能- | 京大 | 日刊工業新聞 (2001年8月7日PP.6) | 書き替え可能光メモリー DVDの約1万倍 37Tb/ 3 直径200nmのスポットに記録 100nm間隔立で体的に記録 サマリウムイオン フェムト秒レーザ | 130 230 |
| 2001年11月号 | 次世代強誘電体メモリー材料 -漏れ電流2桁改善- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2001年8月17日PP.5) | SBTN BTTを3割固溶 FeRAM用材料 薄膜化 | 130 |
| 2001年 8月号,9月号 | 極微細粒でシリコン層形成技術 | アネルバ | 日経産業新聞 (2001年6月14日PP.7) | クオンタムドット形成技術 直径5-10nmの粒子 1T個/m2 | 160 130 |
| 2001年 6月号 | 1テラビット級HDD媒体 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2001年4月5日PP.1) | FePt規則合金 Cuを添加 300℃以下の熱処理 4〜5Kエルステッド HDD 記録容量1Tb級 Co Cu 白金合金 | 230 130 |
| 2001年 6月号 | 強誘電体メモリー材料 | 東工大 東大 | 日刊工業新聞 (2001年4月18日PP.5) 日刊工業新聞 (2001年4月26日PP.6) | FeRAM SBT 570℃でエピタキシャル成長 BLT 540℃でエピタキシャル成長 | 130 230 |
| 2001年 6月号 | 次世代光メモリー -DVDの2500倍実現- | セントラル硝子 京大 | 日刊工業新聞 (2001年4月20日PP.1) | 1cm3に8Tb ガラスにフェムト秒でレーザ照射 希土類元素の価数が変化 波長680nm 光メモリー | 230 130 430 |
| 2001年 5月号 | 光で伸縮する単結晶 | 九州大 | 日経産業新聞 (2001年3月2日PP.7) | 1nm単位で長さが変化 スチルベン Tb級メモリー 紫外線で着色/可視光で無色化 光照射で20pmずつ伸張 | 120 130 |
| 2001年 3月号 | 8ミリビデオ用磁気テープ記録技術 -1巻に1TBのデータ- | ソニー | 日本工業新聞 (2001年1月22日PP.7) | GMR 新蒸着テープ 6.5GB/in2 トラック幅1.8μm | 130 330 |
| 2001年 3月号 | 不揮発性メモリー材料 -分極特性で最高値- | 東大 | 日本工業新聞 (2001年1月19日PP.29) | 不揮発性メモリー BLMS 強誘導体メモリー チタン酸ビスマス BiTiO3 45μクーロン/cm2 | 230 130 |
| 2001年 1月号 | ガラス内部に発光中心形成 | 岡本硝子 | 日刊工業新聞 (2000年11月21日PP.22) | フェムト秒レーザパルス 蛍光発光するイオン 光メモリー | 130 |
| 2000年11月号 | ホログラフィックメモリー用高性能材料と小形記録再生システム | 科学技術庁無機材研 パイオニア | 電波新聞 (2000年9月22日PP.1) 日刊工業新聞 (2000年9月22日PP.9) | ホログラフィックメモリー 多重記録 角度多重記録 ニオブ酸リチウム単結晶 鉄 テルビウム 紫外線 | 230 430 130 |
| 2000年11月号 | 室温で40倍の磁気抵抗を示す新複合材料 | NEC北米研 | 日本工業新聞 (2000年9月8日PP.21) | インジウムアンチモン 異常磁気抵抗 | 130 120 |
| 2000年 9月号 | 電子ペーパー -光あて情報記録- | 富士ゼロックス | 日本経済新聞 (2000年7月1日PP.13) | 電子ペーパー 光スイッチ | 130 |
| 2000年 6月号 | 熱方式で56Gb/in2を記録する新媒体 | 富士通 | 日経産業新聞 (2000年4月7日PP.5) | 56Gb/in2 安定化層 | 230 130 |
| 2000年 6月号 | 垂直磁気記録技術 -面内を超える高密度- | 日立 超先端電子技術開発機構(ASET) | 日経産業新聞 (2000年4月6日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年4月6日PP.6) | GMRヘッド 単磁極形薄膜ヘッド 垂直磁気記録 52.5Gb/in2 2層膜垂直媒体 | 230 130 |
| 2000年 4月号 | 1テラバイト記録技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (2000年2月28日PP.19) | 自己組織化 有機材料 | 130 160 |
| 2000年 2月号 | 目立たないバーコード | 東芝 | 日本経済新聞 (1999年12月6日PP.13) | ポリアクリロニトリル系 4.5μm赤外光 | 130 |
| 2000年 2月号 | 書換えできるホログラム材料 -立体画像の記録や再生ホログラム- | 東工大 | 日本経済新聞 (1999年12月4日PP.13) | 立体画像 アゾベンゼン 液晶 書込み時間0.2μs 記録密度10Mb/cm3 ホログラム | 130 430 250 450 |
| 2001年 1月号 | 折り曲げ可能なディスプレイ | キヤノン | 日本経済新聞 (2000年11月21日PP.13) | 電気泳動ディスプレイ 0.25mm厚 樹脂シート | 250 |
| 2001年 1月号 | ガラス内部に発光中心形成 | 岡本硝子 | 日刊工業新聞 (2000年11月21日PP.22) | フェムト秒レーザパルス 蛍光発光するイオン 光メモリー | 130 |
| 1999年12月号 | 微粒子1個に1ビット記録-配列パターンに垂直磁化- | 日立 東北大 | 日刊工業新聞 (1999年10月13日PP.7) | 垂直磁化 円柱状磁性微粒子 パターンドメディア MFM 30Gb/inch2 80nmφ44nmHの円柱状微粒子 150nmピッチ | 130 230 160 |
| 1999年12月号 | FRAM用高性能材料 | ソウル大 | 日経産業新聞 (1999年10月20日PP.5) 電波新聞 (1999年10月25日PP.2) | 強誘電体メモリー BiLaTi 薄膜材料 分極スイッチング疲労 | 230 130 |
| 1999年10月号 | ハイブリッド式成膜装置 -耐磨耗性を80倍に- | ナノテック | 日刊工業新聞 (1999年8月6日PP.7) | ダイヤモンド 磁気ディスク DLC | 130 160 |
| 1999年10月号 | 樹脂製HD-ホームサーバに照準- | ソニー 日本ゼオン | 日本経済新聞 (1999年8月12日PP.9) | ハｰドディスク HD 基板 合成樹脂 低価格 ホームサーバ 樹脂製HD基板 | 230 130 |
| 1999年 7月号 | 蒸着技術で磁気テープ容量10倍に | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1999年5月14日PP.5) | 磁気テープ 磁性粒子微粒子化 PFT ノイズ低減 生産性3倍 コバルト酸化物 | 230 330 160 130 |
| 1999年 7月号 | 超高密度光メモリー | NTT | 日本経済新聞 (1999年5月24日PP.19) 日経産業新聞 (1999年5月26日PP.5) | 積層記録 ホログラム 散乱光 光メモリー | 230 430 130 |
| 1999年 7月号 | DVD-RAM次世代機 | 松下電器産業 | 日本経済新聞 (1999年5月25日PP.13) | 片面4.7GB 650nm | 230 330 160 130 |
| 1999年 4月号 | 赤外線レーザを使用した偽造防止技術 | 近未来通信 | 日刊工業新聞 (1999年2月10日PP.7) | カード 金属箔層 赤外線レーザ 偽造防止 | 130 |
| 1999年 4月号 | ダイヤモンドの光記憶現象 | 宇都宮大 | 日本工業新聞 (1999年2月5日PP.1) | ボロンドープP形ダイヤモンド薄膜 MPCVD法 ダイヤモンド写真現象 | 130 |
| 1999年 3月号 | 有機分子に「連想」機能材料 | 理化学研 | 日本経済新聞 (1999年1月23日PP.11) | カルバゾールオリゴマー ホログラムメモリー 連想記憶 ホログラム 画像情報処理 | 230 120 130 |
| 1999年 1月号 | ポロニウムによるソフトエラー | 富士通 | 日経産業新聞 (1998年11月18日PP.5) | ポロニウム ソフトエラー | 130 120 |
| 1999年 1月号 | 3次元記録高密度光メモリー -1立方センチにDVD2000枚分- | 科学技術振興事業団 | 日本経済新聞 (1998年11月14日PP.11) | 立体光メモリー フェムト秒レーザ サマリウム微粒子 ホールバーニング光記録 1Tb/cm3 1Tb/cc 光メモリー | 130 230 |
| 1998年12月号 | 室温で巨大トンネル磁気抵抗効果を示す新材料 | アトムテクノロジー研究体 (JRCAT) | 日経産業新聞 (1998年10月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1998年10月15日PP.5) | セラミックス 巨大トンネル磁気抵抗効果(TMR) コロッサル磁気抵抗(CMR) ストロンチウム 鉄 モリブデン 二重ペロブスカイト構造 トンネル伝導 高密度記録ヘッド | 120 130 |
| 1998年10月号 | 20GBのテープ記録装置 | 三菱化学 | 日本工業新聞 (1998年8月24日PP.1) | 大容量記録メディア テープ記録装置 20GB | 330 130 |
| 1998年 5月号 | ディスコティック(円盤状)液晶材料 -高い光導電性の感光体- | 工技院大阪工業技研 | 日経産業新聞 (1998年3月16日PP.5) | 感光体 高い光導電性 EL ディスコティック液晶 | 250 130 110 |
| 1998年 4月号 | 波長より小さな穴に光透過 | NEC北米研 | 電波新聞 (1998年2月14日PP.2) | 波長1370nmの赤外光 厚さ200nmの銀薄膜 穴の直径が波長の約1/10で光強度2倍 | 130 |
| 1998年 2月号 | HDD向け薄膜技術 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1997年12月25日PP.1) | GMRヘッド GMRヘッド用材料 3.5インチディスクに40GB | 230 130 210 |
| 1998年 1月号 | 4000%の磁気抵抗効果を観測 | アトムテクノロジー研究体(JRCAT) | 日刊工業新聞 (1997年11月26日PP.6) | 層状マンガン酸化物 トンネル磁気抵抗 | 120 130 |
| 1997年12月号 | チタン酸バリウム透明結晶を合成 | 東大 九工大 | 日経産業新聞 (1997年10月17日PP.4) | チタン酸バリウム 光メモリー 多結晶 | 130 160 |
| 1997年12月号 | ホログラフィック メモリー-記録量DVDの200倍- | 米IBM 等 | 日本経済新聞 (1997年10月11日PP.11) | 1.5GB/in角 ニオブ酸リチウム | 230 130 |
| 1997年11月号 | 光メモリー用新材料 | 名工大 | 日刊工業新聞 (1997年9月24日PP.5) | PHB ユーロビウム 記録密度3倍以上 | 130 |
| 1997年10月号 | 単一電子メモリー -3値でデータを蓄積- | 農工大 | 日経産業新聞 (1997年8月27日PP.5) | 半導体メモリー 多値記録 コンデンサをトンネル接合でサンドイッチ シミュレーション | 130 230 |
| 1997年10月号 | 記録用新光学材料 | 東芝 | 日本経済新聞 (1997年8月4日PP.19) | ホログラム フォトリフラクティブ材料 ガラス基板に塗布 理論的には50Tb/cm3 フラーレン | 130 |
| 1997年10月号 | 超高密度光メモリー | 富士通 | 日本経済新聞 (1997年8月2日PP.10) | 波長多重記録 半導体媒体 量子ドット | 130 230 |
| 1997年 8月号 | 指紋を直接記録できる半導体チップ | SGS-トムソン | 電波新聞 (1997年6月23日PP.9) | 静電容量センサ 指紋 | 210 130 |
| 1997年 8月号 | 次世代の磁気記録媒体技術-磁気記録媒体容量を5倍に- | 日本ビクター | 日刊工業新聞 (1997年6月4日PP.1) | 磁気記録媒体 コバルトサマリウム | 130 230 |
| 1997年 8月号 | 昇華型プリンタ -写真並み高画質，劣化防ぐ- | コニカ 神鋼電機 | 日経産業新聞 (1997年6月4日PP.1) | 昇華型プリンタ キレートで安定化 写真並の保存特性 | 330 130 |
| 1997年 7月号 | LB膜で高密度記録・再生 | キヤノン | 日経産業新聞 (1997年5月12日PP.5) | 分子素子 LB(ラングミュア ブロシト)膜 次世代メモリー 1Tb/cm2 SPM 分子素子材料 高密度記録再生 メモリー 記録速度2μs/b 読出し100kbps SPM書込み AFM読出し | 130 360 |
| 1997年 5月号 | 高密度磁気ディスク -雑音信号を低減- | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年3月5日PP.4) | 結晶粒子 | 130 230 |
| 1997年 5月号 | 色素分子による光メモリー-情報量DVDの200倍- | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年3月4日PP.1) | 色素分子 光メモリー 原子間力顕微鏡記録 光ファイバ読取り Tb級メモリー Si基板に有機分子蒸着 2010年頃実用化へ 色素 DVD | 130 230 360 |
| 1997年 4月号 | 有機分子結晶に光で字を書込む技術 | 九大 | 日経産業新聞 (1997年2月5日PP.5) | ジチエニルエチル 線幅10μm フォトクロミック材料 フォトクロミック 単結晶 | 130 |
| 1996年11月号 | 次世代大容量DVD -原盤の製造技術開発- | パイオニア | 日経産業新聞 (1996年9月6日PP.1) | 色素層 15GB DVD 原盤 光退色性色素を積層 トラックピッチ0.4μm | 130 230 160 |
| 1996年11月号 | 亜鉛酸化物 光記録媒体に利用 | 大阪産業大 | 日刊工業新聞 (1996年9月5日PP.6) | 亜鉛酸化物 光ディスク | 130 230 |
| 1996年 5月号 | 画像精度3倍のディジタルカメラ | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (1996年3月5日PP.1) | ディジタルカメラ 液晶 2000万画素 解像力80ライン/mm 液晶高分子複合体 ディジタルスチルカメラ 液晶記録素子 80line/mm 35mmサイズ 有機感光体+液晶メモリー | 230 330 130 310 |
| 1996年 5月号 | 波長多重光メモリー -基礎実験に成功- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1996年3月14日PP.7) | 光メモリー 波長多重 大容量 1Tb/cm2に道 量子箱 ホールバーニング(PHB)効果 0.48msのホール寿命 量子サイズばらつきで波長多重 | 230 130 260 |
| 1996年 4月号 | 新写真システム | コダック 富士フイルム ニコン ミノルタ 京セラ | 日経産業新聞 (1996年2月2日PP.28) 日本経済新聞 (1996年2月2日PP.15) | アドバンスト フォト システム APS 幅24mm | 130 530 |
| 1996年 2月号 | 磁性の未知結晶層 | 工技院資源環境総研 | 日刊工業新聞 (1995年12月19日PP.7) | イットリウム鉄ガーネット 面心立方格子 | 130 160 |
| 1996年 2月号 | 世界初の「分子素子」 | 三菱電機 | 日本経済新聞 (1995年12月18日PP.21) | 10Tb級 たんぱく質 分子素子 巨大容量メモリー | 130 230 |
| 1996年 1月号 | 高密度記録で新技術 -光磁気ディスクの30倍- | アトムテクノロジー研究体 | 日本経済新聞 (1995年11月20日PP.17) | PZT 光磁気ディスクの30倍以上 強誘電体メモリー 6GB以上/cm2 | 130 230 |
| 1995年 9月号 | 磁気抵抗効果の新材料 | アトムテクノロジー研究体 | 日本経済新聞 (1995年7月17日PP.19) | コロサル磁気抵抗効果 電気抵抗変化109倍 | 120 130 |
| 1995年 8月号 | 極小高分子で情報記憶 -微小メモリー素子開発へ道- | 阪大 | 日経産業新聞 (1995年6月22日PP.5) | CD 分子素子 記憶素子 高分子 | 230 130 |
| 1995年 5月号 | 新しい光記録技術 -石英ガラスにCD100枚分の情報記録- | 徳島大 | 日本経済新聞 (1995年3月13日PP.17) | 2cm角にCD100枚分 1mm層に350層 パルス状レーザ | 130 230 |
| 1995年 4月号 | 0.9V動作のY1強誘電体不揮発性メモリー | 松下電子 | 電波新聞 (1995年2月16日PP.1) | 不揮発性メモリー 強誘電性メモリー | 230 120 130 |
| 1995年 4月号 | 記憶容量1GBの3.5インチ光磁気ディスク -記憶容量8倍- | ブラザー工業 | 日本工業新聞 (1995年2月10日PP.1) | 3.5インチ 光磁気ディスク 1GB ガラス基板 金属Crガイド | 230 130 |
| 1995年 3月号 | 1GbDRAM用キャパシタ | NEC | 日経産業新聞 (1995年1月5日PP.5) | 1Gb チタン酸ストロンチウム 1GbDRAM 高誘電率薄膜 | 230 130 |
| 1995年 2月号 | コピー済用紙に再コピー可能 | バンドー化学 昭和電工 | 電波新聞 (1994年12月27日PP.2) | リサイクル トナー | 130 |
| 1995年 2月号 | 強誘電体メモリーセル | シャープ | 電波新聞 (1994年12月13日PP.1) 日経産業新聞 (1994年12月14日PP.5) | 16Mb DRAM | 230 130 |
| 1994年12月号 | 中性子フィルム | 日本原子力研 富士フイルム | 日刊工業新聞 (1994年10月19日PP.7) | 写真フィルム 感度100倍 | 130 |
| 1994年12月号 | コバルトクロム多層膜で垂直磁気記録 | 東工大 | 日経産業新聞 (1994年10月18日PP.5) | 垂直磁気記録 記録密度100倍以上 コバルトクロム多層膜 | 230 130 |
| 1994年11月号 | 超高密度光メモリー用新材料 -常温ホールバーニング効果を利用- | 名大 | 日刊工業新聞 (1994年9月16日PP.3) | PHB 超高密度メモリー 常温 ケイ酸塩ガラス | 130 230 |
| 1994年10月号 | 新型PHB材料 -有機と無機を複合化- | 東大 | 日本工業新聞 (1994年8月10日PP.5) | PHB 光メモリー 動作温度140K | 130 230 |
| 1994年10月号 | 液晶で情報記録 -高分子分散液晶に情報を記録する基礎技術- | NTT | 日経産業新聞 (1994年8月10日PP.5) | 記録媒体 文字 静止画像の記録，保持 薄型表示媒体 高分子分散型液晶フィルム 分散型LCD 20μm高分子 | 250 130 210 230 |
| 1994年 7月号 | 録画できる結晶 -結晶1片に30時間の動画記録- | NTT | 日経産業新聞 (1994年5月25日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年5月25日PP.13) 日経産業新聞 (1994年5月31日PP.5) | 極低温記録 動画100時間 ホログラフィ+ホールバーニング(PHB) 高速投影(1ns) 小指大に動画30時間 ユーロピウム添加イットリウムシリケイト結晶 記録材料 | 130 430 230 |
| 1994年 6月号 | 高性能垂直磁気テープ -垂直磁気録画実験成功- | NHK | 電波新聞 (1994年4月6日PP.2) 日刊工業新聞 (1994年4月6日PP.7) | 垂直磁化 VTRテープ 磁気記録 垂直磁気記録 ディジタルVTR 磁気テープ | 130 230 330 |
| 1994年 5月号 | 究極の大容量記憶装置 -原子メモリーへ前進- | 新技術開発事業団 | 日刊工業新聞 (1994年3月28日PP.10) | 原子単位メモリー リアルタイム書込み消去 | 130 230 |
| 1994年 5月号 | フォトクロミック有機薄膜 -記録する点，直径0.2μmに- | 九大 | 日経産業新聞 (1994年3月28日PP.5) | 光ディスク用有機薄膜 0.2μm(面積1/16に) | 130 |
| 1994年 5月号 | 高密度記録磁気材料CoCr薄膜 | NTT原子研 | 日刊工業新聞 (1994年3月23日PP.11) 日本工業新聞 (1994年3月23日PP.6) 朝日新聞 (1994年3月23日PP.12) | 磁気記録材料 CoCr微細磁気構造 超微細磁気構造 8nm 10Gb/cm2 | 130 |
| 1994年 5月号 | 高密度分子メモリー -1枚でCD100万枚分- | 京大 | 日刊工業新聞 (1994年3月15日PP.4) | 分子メモリー 1nmの有機分子 STM利用 メモリー 超高密度メモリー 1nm2/b | 130 230 |
| 1994年 4月号 | PHBホログラム -1枚の媒体に1000枚の多重記録- | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1994年2月14日PP.12) | 多重記録技術 PHB ホログラム | 130 430 |
| 1994年 2月号 | DRAM用成膜材料 -256Mbps以降に照準- | 同和鉱業 | 日刊工業新聞 (1993年12月20日PP.13) | DRAMのMOCVD用成膜材料 256Mbps以降 バリウム複合材料 | 230 130 |
| 1994年 2月号 | 高誘電体記憶素子 | 三菱電機 | 電波新聞 (1993年12月9日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月9日PP.4) 日刊工業新聞 (1993年12月9日PP.6) | DRAM BST酸化物 高誘電体メモリー 256MbDRAM | 230 130 |
| 1994年 1月号 | 銀を使わぬフィルム「バルディフィルム」 | 米ゼロックス | 電波新聞 (1993年11月3日PP.3) | 感光フィルム セレン粒子 | 230 130 |
| 1993年12月号 | 磁気テープの画質・音質向上技術 | 大阪府大 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1993年10月22日PP.7) | 変動率20%改善 | 130 160 |
| 1993年12月号 | 書換え可能感熱記録材料 | 日東電工 | 日経産業新聞 (1993年10月21日PP.1) | 感熱記録 ポリ塩化ビニルに高級脂肪酸 1000回以上書換え可能 | 130 |
| 1993年11月号 | 緑色波長用光磁気記録媒体 -MOの記録容量10倍に- | 新日鉄 NHK | 日刊工業新聞 (1993年9月7日PP.10) 電波新聞 (1993年9月7日PP.3) | ビスマス置換 ガーネット 波長500nm 5インチ 3GB MOディスク | 230 130 |
| 1993年10月号 | コピー済み用紙リサイクル技術 | リコー | 電波新聞 (1993年8月19日PP.5) | コピーマシン コピーリサイクル技術 トナー選択除去 A4:3枚/分 | 330 130 |
| 1993年 9月号 | 液体窒素温度でPHB多重記録 | 東レ | 日経産業新聞 (1993年7月16日PP.5) | 記録材料 PHB 初の多重記録 | 130 |
| 1993年 7月号 | 記録膜材料 | 東北大 | 日経産業新聞 (1993年5月20日PP.5) | 光磁気ディスク材料 記録密度4倍 | 130 |
| 1993年 5月号 | 書込み消去自在の高分子感熱紙 | 富士ゼロックス | 日刊工業新聞 (1993年3月4日PP.6) | 記録 解像度0.1μm 側鎖型高分子液晶 | 130 |
| 1993年 4月号 | ディスク用合成樹脂 -録音時間10倍以上- | 三井石化 | 日経産業新聞 (1993年2月23日PP.1) | 録音時間10倍 | 130 |
| 1993年 3月号 | 超高密度記録技術 -新聞100年分を1円玉サイズに記録- | 日立製作所 | 電波新聞 (1993年1月8日PP.2) 日刊工業新聞 (1993年1月8日PP.9) | 原子レベル記録密度 20nmドット 高密度記録 原子間力顕微鏡 Si基板金1Tb/inch | 130 660 630 |
| 1992年12月号 | 記憶密度100倍の次世代光ディスク -次世代ホログラムメモリーへ道- | NTT | 日本経済新聞(夕刊) (1992年10月26日PP.1) | 次世代光ディスク ホログラムメモリー 光ディスクの100倍 光ファイバ | 130 230 |
| 1992年12月号 | 光多重記録媒体 | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1992年10月24日PP.1) | 波長の異なる5本のレーザ 記録現行の10倍 フォトクロミズム | 230 130 |
| 1992年12月号 | 温光記録用PHB材料 -室温でもボール形成- | 京大 HOYA | 日刊工業新聞 (1992年10月1日PP.7) | 130 | |
| 1992年11月号 | 高速非線形光学材料 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1992年9月12日PP.1) | 非線形光学材料 超格子薄膜 応答時間40ps 光集積回路 Se化亜鉛系半導体 | 220 130 |
| 1992年 9月号 | 高性能VTRヘッド | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1992年7月18日PP.1) | HDTV用VTR 非結晶ヘッド | 130 230 |
| 1992年 6月号 | 有機薄膜特性を2.5倍向上 | NTT | 日刊工業新聞 (1992年4月1日PP.6) | 光メモリー スイッチ材料 3次元線形特性改善 ICB法 | 120 130 |
| 1992年 5月号 | 垂直記録 -3次元記録に道- | 東北大 NTT | 日刊工業新聞 (1992年3月9日PP.1) | 柱状粒界細分化可能 | 130 |
| 1992年 4月号 | 高密度光記録技術 -光で変色する新素材- | 東大 | 電波新聞 (1992年2月13日PP.3) 日経産業新聞 (1992年2月28日PP.4) | 高密度記憶素子 高密度光記録材料 フォトクロミズム現象 三酸化モリブデン | 230 130 |
| 1992年 3月号 | 超薄層塗布型メタル媒体 | 富士フイルム | 電波新聞 (1992年1月29日PP.1) | メタルテープ 塗布型 高密度記録 0.5〜0.1μm | 130 |
| 1992年 3月号 | バイオフィルムを使ったホログラフィ | 理化学研 電通大 | 日本経済新聞 (1992年1月27日PP.19) | ホログラフィ バイオフィルム バクテリア ホロビジョン | 130 330 |
| 1991年 8月号 | 有機薄膜素子試作 | 東芝 | 日経産業新聞 (1991年6月24日PP.5) | 記録 光メモリーや波長変換素子に利用 | 120 130 |
| 1991年 6月号 | 脂肪酸使った記憶素材 -レーザ光で書き込み消去- | リコー | 日経産業新聞 (1991年4月12日PP.5) | 原理的確認 記憶素材 光ディスク 非結晶/結晶の状態変化 ノイズレベル以下に消去 記憶情報を完全消去 | 130 |
| 1991年 5月号 | センダストの材料製造技術 -高密度磁気ヘッドへの利用期待- | ミツミ電機 新技術事業団 東北大 | 電波新聞 (1991年3月28日PP.6) | センダスト 磁気ヘッド ブリッジマン法 | 130 |
| 1991年 3月号 | 固体表面から原子1個ずつはぎ取る | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年1月15日PP.0) 電波新聞 (1991年1月15日PP.0) | 屋温 走査型トンネル顕微鏡 一文字2nm口 | 130 430 |
| 1990年12月号 | 40msの高分子液晶光記録材料 | 東工大 | 日刊工業新聞 (1990年11月5日PP.0) | 高分子では高速応答(画素数は100ms) ファニルベンゾユート(対応液晶)とアゾベンゼル(光応答分子)のモノマーをランカル重複したもの フィルム塗布 633nmで書き込み 367nmで読み出しレゾ2μm保存1年以上 書き込み可能 | 130 |
| 1990年10月号 | 単純な新容量セル | 日電 | 日刊工業新聞 (1990年8月24日PP.0) | 80nm直径の半球状結晶つぶPoly-Si 容量2倍 | 130 |