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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーワード | 分類 番号 |
| 2018年 0月号 | ナノ多層薄膜 常温常圧で容易構築 | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2017年9月20日PP.27) | π電子の相互作用により積層されやすいフラットな形状の分子を使用 | 160 |
| 2017年11月号 | 壊れず拭き取り可能 モスアイ構造フィルム開発 | 理科大 | 日刊工業新聞 (2017年8月9日PP.23) | ナノインプリント技術で転写 | 130 160 |
| 2017年10月号 | 電子が偏る様子観測 | 東京農工大 | 日経産業新聞 (2017年7月28日PP.12) | レーザ 微細加工 電子の偏り ナノメートルサイズ | 120 250 160 |
| 2017年 9月号 | ゲルマニウムLSIに一歩 超薄膜構造均一化 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2017年6月7日PP.23) | 10nm以下の均一な超薄膜構造 | 160 |
| 2017年 9月号 | 量子ナノディスク作成 発光効率100倍に | 東北大 | 日刊工業新聞 (2017年6月22日PP.25) | 窒化物量子ドット発光ダイオード 直径5nmの窒化インジウムガリウムと窒化ガリウムの3次元構造を持つ量子ドット(量子ナノディスク) 発光効率100倍 直径5nmの窒化インジウムガリウムと窒化ガリウムの3次元構造を持つ量子ドット | 160 250 |
| 2017年 8月号 | 触媒無しでグラフェン合成 | 神奈川県立産業技術研究所 | 日刊工業新聞 (2017年5月15日PP.1) | CO2で酸化 | 120 160 |
| 2017年 7月号 | 物質表面のナノ構造アルミ 思い通りの色彩に アルミニウムのナノ構造体で「色」を作る -半永久的に失われず塗料より軽い「メタマテリアル・カラー」- http://www.riken.jp/pr/press/2017/20170426_1/ | 理化学研究所 | 日刊工業新聞 (2017年4月27日PP.23) | メタマテリアル | 160 |
| 2017年 5月号 | シリコンフォトニクス使用 省エネ光配線実 | 光電子融合基盤技術研究所 | 日刊工業新聞 (2017年2月23日PP.25) | シリコンフォトニクス 高速高密度光トランシーバ 25Gbpsで動作する高密度な光トランシーバ 量子ドットレーザ | 160 240 |
| 2017年 4月号 | パワー半導体 印刷で配線 配線に銀粒子印刷 | 阪大 産総研 | 日経産業新聞 (2017年1月19日PP.8) 日刊工業新聞 (2017年1月23日PP.19) | 耐熱250℃ シリコン製パワーモジュールと比較して1/5～1/10のサイズ パワー半導体 配線技術 | 160 220 |
| 2017年 3月号 | 窒化アルミニウムをシリコン上に製膜 | 理研 | 日刊工業新聞 (2016年12月26日PP.17) | 安価で高効率な紫外線LED実現に繋がる | 160 |
| 2017年 2月号 | 高硬度DLC 大気圧下で量産 | 慶応大 | 日刊工業新聞 (2016年11月21日PP.15) | ストリーマ放電 膜圧0.5μm 摩擦係数0.1以下 | 160 |
| 2016年 9月号 | 銅メッキで微細メッシュ タッチパネル 透明電極に応用 | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2016年5月20日PP.1) | 銅メッキ 微細メッシュ タッチパネル | 160 |
| 2016年 7月号 | 銅配線簡略化 レーザー照射だけで http://www.shibaura-it.ac.jp/news/2015/mfpdut000000d7wh-att/mfpbut000000d80m.pdf | 芝浦工大 | 日刊工業新聞 (2016年4月7日PP.26) | 銅錯体 レーザー照射 αケト酸 プリンタブルエレクトロニクス | 160 |
| 2016年 7月号 | 微細な電子回路量産 | 産総研など | 日刊工業新聞 (2016年4月21日PP.23) | スーパーナップ法を開発，フィルムに電子回路状の紫外線を当てインクを塗布 | 160 |
| 2016年 7月号 | 銅配線簡略化 レーザー照射だけで http://www.shibaura-it.ac.jp/news/2015/mfpdut000000d7wh-att/mfpbut000000d80m.pdf | 芝浦工大 | 日刊工業新聞 (2016年4月7日PP.26) | 銅錯体 レーザー照射 αケト酸 プリンタブルエレクトロニクス | 160 |
| 2016年 7月号 | 微細な電子回路量産 | 産総研など | 日刊工業新聞 (2016年4月21日PP.23) | スーパーナップ法を開発，フィルムに電子回路状の紫外線を当てインクを塗布 | 160 |
| 2016年 6月号 | Q値 世界最高水準150万 光ナノ共振器大量作成 http://www.osakahu-u.ac.jp/info/publicity/release/2015/pr20160316.html | 大阪府大 産総研 | 日刊工業新聞 (2016年3月17日PP.27) | Q値150万 光ナノ共振器 フォトリソグラフィ法 大量作成 | 240 160 |
| 2016年 4月号 | 多様な3D形状 表面に回路印刷 https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00370707 | 山形大 | 日刊工業新聞 (2016年1月13日PP.31) | 3次元立体物の表面に回路 垂直多関節ロボット 全方向インクジェット | 160 |
| 2016年 1月号 | リンテック 折り畳める有機ELディスプレイ製造プロセス技術 台湾工業技術研究院と共同開発 | リンテック | 電波新聞 (2015年10月21日PP.3) | 有機EL 折り畳み プロセス技術 | 160 |
| 2015年11月号 | 薄膜でも特性劣化せず 強誘電体エピタキシャル膜 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150804eaab.html | 東工大 東北大 | 日刊工業新聞 (2015年8月4日PP.23) | 結晶方位がそろった単結晶膜 組成を変え薄膜を成長させる基材 15nm 強誘電体相400℃ | 120 160 |
| 2015年11月号 | レーザ素子 安価に作成 集積回路に組込み容易 | 東京都市大 | 日経産業新聞 (2015年8月20日PP.8) | ゲルマニウムを使った近赤外線レーザ素子 | 160 250 |
| 2015年 9月号 | 導電性インクで電子回路 布に印刷 曲げ伸ばし可 http://www.jst.go.jp/pr/announce/20150625/ | 東大 | 日経産業新聞 (2015年6月26日PP.13) | 布の上に印刷して曲げ伸ばし可能な電子回路を作れる導電性インクを開発 | 160 |
| 2015年 8月号 | 染料を使った液晶パネル用カラーフィルタ | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2015年5月15日PP.6) | 赤 緑 青の各色素をセ氏230℃で焼き固めてつくる | 120 160 |
| 2015年 7月号 | 液晶性を活用した高性能有機トランジスタ材料を開発 東工大が「液晶性」付与 http://www.titech.ac.jp/news/2015/030831.html | 東工大 | 日刊工業新聞 (2015年4月13日PP.15) 日経産業新聞 (2015年4月15日PP.10) | 半導体素子を大気中で作製できる技術を開発 「液晶性」を持つ新規の有機トランジスタ材料を開発 | 160 |
| 2015年 5月号 | 切れた配線自己修復 | 早大 | 日経産業新聞 (2015年2月19日PP.10) | 電気ケーブルや電子回路の配線が切れてもしばらくすると自然につながる自己修復技術 | 160 |
| 2015年 5月号 | 半導体線幅20nmに対応するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを開発 http://www.dnp.co.jp/news/10107733_2482.html | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2015年2月20日PP.6) | 微細な回路パターンをテンプレートに作製 紫外線硬化樹脂を利用 | 160 |
| 2015年 4月号 | SiC基板 低温プラズマで微細加工 | 理化学研究所 慶大 日進工具 | 日刊工業新聞 (2015年1月14日PP.27) | 表面粗さ1ナノメートル以下 送り速度2倍 | 160 |
| 2015年 4月号 | GaN結晶 大型で高品質実現 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2015年1月15日PP.23) | サファイア基板上に小さなGaN結晶をいくつも点在させ ナトリウムフラックス法で成長させて結合 ナトリウムフラックス法 約10cmのGaN結晶 | 160 |
| 2015年 4月号 | 温度センサーとデジタル回路融合 単結晶有機半導体で http://www.nedo.go.jp/news/press/AA5_100348.html | 東京大学などの産学官共同チーム | 日刊工業新聞 (2015年1月27日PP.26) | 多結晶シリコン半導体と同等で 既存の多結晶有機半導体に比べて10倍以上の性能を持つ | 160 220 |
| 2015年 2月号 | 金型使わずにマイクロレンズ量産化 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2014年11月6日PP.21) | 変動係数2%，直径10μm～1000μmの球面レンズ，毎秒数千個 | 160 |
| 2015年 1月号 | 世界最低損失のアモルファスシリコン光配線の開発 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2014年10月24日PP.19) | 1cmあたりの光損失を従来の1/10の1%以下に抑えた高透過率のアモルファスシリコン薄膜を開発，配線加工後の損失13% | 120 160 |
| 2014年10月号 | ゲルマニウム使用量1/100の結晶薄膜技術 | 筑波大 | 日刊工業新聞 (2014年7月10日PP.1) | Al触媒 粒形100μmの結晶 | 160 |
| 2014年10月号 | 電子ビームを使い微小金属の立体加工 | 理研 | 日刊工業新聞 (2014年7月31日PP.29) | 4mm四方に直径2.2μmの金のリング構造体を約1億5000万個 | 160 |
| 2014年 9月号 | 単層CNTを使い高速変調が可能な発光素子を開発 | 慶応大 | 日刊工業新聞 (2014年6月2日PP.17) | 光インターコネクトや光電子集積回路の実現につながる | 160 250 |
| 2014年 9月号 | 単結晶並み薄膜結晶をガラス基板上に作製 | 東大 | 日刊工業新聞 (2014年6月6日PP.23) | 二酸化チタンで薄膜 電気抵抗0.36mΩcm | 160 |
| 2014年 9月号 | 常温大気中で金属接合 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2014年6月27日PP.22) | MEMS 封止材の歪み防止 表面粗さ0.8nrmsの金メッキパターンを作成 | 160 260 |
| 2014年 9月号 | ガラス原料に化学品を分散させる技術の開発 | 日本板硝子 | 日経産業新聞 (2014年6月30日PP.15) | 製造で使用する溶液を独自開発しシリカ中に科学品を分散させる技術を開発 酸化チタンを分散した光拡散シートでは 従来の4～5倍の効果 径4μmのシリカ粒子に数十から数百nmの化学品を分散 | 160 |
| 2014年 7月号 | 燃料電池の白金触媒を削減 | 九大 | 日経産業新聞 (2014年4月11日PP.10) | CNTの表面にPtを塗布 粒径1.2nmのPt微粒子 質量活性8倍に向上 | 150 160 120 |
| 2014年 7月号 | 量子ドットレーザ搭載Si光配線基板 | 東大 | 日刊工業新聞 (2014年4月16日PP.21) | Si基板上に光配線機能を一体集積 25～125℃動作可能 伝送帯域速度15Tbit/cm2 | 150 160 240 |
| 2014年 7月号 | 透明基板上にCNTで回路形成 | 名大 | 日経産業新聞 (2014年4月16日PP.10) | 配線パターンを形成したポリフッ化ビニリデン製シートを原版とする CNTを透明基板に転写 ITOの代替 樹脂シートに溝を作りCNTを振りかけて転写 | 160 260 |
| 2014年 7月号 | 高品質薄膜を低コストで作成 | 産総研 | 日経産業新聞 (2014年4月23日PP.10) | BaTiO3の場合220℃・20気圧・70時間で1辺15nmのサイコロ状微粒子 厚さ500nの薄膜 850度で1時間熱処理 誘電率3000 | 160 |
| 2014年 7月号 | 高効率で低コストな水素イオン交換膜 | 北陸先端大 名大 | 日経産業新聞 (2014年4月25日PP.10) | 鎖状ポリイミド分子でイオン交換膜を作成 水素イオン透過度5倍 | 150 160 |
| 2014年 6月号 | マイクロ波照射でグラフェンを安く量産 | マイクロ波化学 | 日経産業新聞 (2014年3月12日PP.1) | グラファイトにマイクロ波を照射し 内部から加熱し グラフェンを剥離 製造時のエネルギーコスト5割減 | 160 120 |
| 2014年 6月号 | 単結晶Siトランジスタをプラスチック上で動作実証 | 広島大 | 日刊工業新聞 (2014年3月14日PP.21) | 微小な空間内の液体によって生じる引力を利用，ウェハ上の単結晶Si層を部分的に転写，電界効果移動度は毎秒1V当たり609? | 220 160 |
| 2014年 6月号 | 短時間で充電可能なリチウムイオン電池用電解液 | 東大 京大 | 日経産業新聞 (2014年3月27日PP.11) | Liイオン濃度を従来比4倍 有機溶媒のエチレンカーボネート不要 | 150 160 |
| 2014年 5月号 | GaN系量子ドットで室温単一光子源 | 東大 | 日刊工業新聞 (2014年2月13日PP.19) 日経産業新聞 (2014年2月13日PP.11) | 有機金属気相成長法(MOCVD)で直径50nm・高さ1.5μmのGaNナノワイヤを作製 通常の半導体製造技術で製造可能 | 120 160 |
| 2014年 5月号 | フッ素化合物の光学異性体と二種分離生成する方法 | 名工大 | 日刊工業新聞 (2014年2月17日PP.20) | 右手型と左手型異性体の化学反応速度 速度論的光学分割法 フッ素化合物 | 120 160 |
| 2014年 5月号 | パワー半導体向け接合技術 | 日亜化学 阪大 | 日経産業新聞 (2014年2月19日PP.7) | Ag薄膜 SiCとCu基板を接合 250℃で加熱接合 | 120 160 |
| 2014年 5月号 | 印刷法によるn型有機半導体 | 山形大 | 日経産業新聞 (2014年2月20日PP.11) | 分子構造の設計を変更 | 120 160 |
| 2014年 5月号 | 積層半導体の貫通電極を高速でメッキ | 大阪府立大 | 日刊工業新聞 (2014年2月20日PP.1) | TSVのCuメッキを5分に短縮 円錐形の穴で90mAのPR電流 貫通穴の直径6μm 深さ25μm メッキ液にジアリルアミン系成分を添加 | 160 |
| 2014年 4月号 | リチウムイオン電池の負極材の粒径制御 | 産総研 | 日経産業新聞 (2014年1月29日PP.6) 日刊工業新聞 (2014年1月29日PP.21) | HTOの平均粒径を0.2μm HTO1gあたり250mA時の充放電容量 | 150 160 |
| 2014年 3月号 | 単層CNT量産 ・14と合わせる | 日本ゼオン | 日刊工業新聞 (2013年12月2日PP.1) | 次世代炭素材料CNTの商業生産，コスト従来比1/1000，スーパーグローブ法を利用，NECOと共同で純度99%以上の単層CNTの連続生産を可能に | 120 160 |
| 2014年 3月号 | グラフェンで幅20nmの微細配線 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年12月13日PP.27) | 電気抵抗率は最低4.1μmΩcm 断線しにくい サファイア基板上に約1000℃7-15層のグラフェンを合成 銅配線なみの抵抗率 | 160 120 |
| 2014年 3月号 | 単層CNTの量産技術 ・1と合わせる | 産総研 名城ナノカーボン | 日刊工業新聞 (2013年12月26日PP.15) | φ1～4nm 「eDIPS法」 従来の100倍速 | 160 120 |
| 2014年 2月号 | 量子もつれの大規模生成装置 | 東大 | 日刊工業新聞 (2013年11月18日PP.14) 日経産業新聞 (2013年11月18日PP.11) | 時間領域多重 量子テレポーテーション 超大規模の量子もつれを生成する装置 複数の信号を時間的に束ねて送る時間領域多重という手法を使うことで実証 | 120 160 |
| 2013年12月号 | ハニカム状のCNTで高効率太陽電池 | 東大 産総研 | 日経産業新聞 (2013年9月11日PP.6) | 真空プロセス不要 芝生状のCNTをハニカム状に変形 | 150 160 250 |
| 2013年12月号 | 有機半導体を微細加工する露光技術など | 富士フイルム ベルギーImec | 日経産業新聞 (2013年9月27日PP.9) | 線幅0.5μmまで加工 非フッ素系レジスト 365nmのi線による露光技術により製造 | 160 260 |
| 2013年11月号 | リチウムイオン電池向け新端子 | ニッパツ | 日経産業新聞 (2013年8月16日PP.1) | コールドスプレー加工 電導効率5%アップ | 120 160 |
| 2013年11月号 | 独自の電子化物使用して室温でCO2分解 | 東工大 英ロンドン大 | 日刊工業新聞 (2013年8月30日PP.26) | C12A7エレクトライド(電子化物) 多種類のガスからCO2を選択的に吸着 直後に分解 | 120 160 |
| 2013年 7月号 | スーパハードグラファイト | 横浜市大 | 日刊工業新聞 (2013年4月4日PP.19) | 1辺が10μmのCNWに6ギガパスカル以上の圧力をかける | 160 |
| 2013年 7月号 | CNTから陽子ビーム | 阪大 中部大 | 日刊工業新聞 (2013年4月25日PP.28) | ナノチューブ内部に水素化合物を充填し強力なレーザを照射 | 160 |
| 2013年 6月号 | 周波数揺らぎ100万分の1の振動子 | NTT | 日刊工業新聞 (2013年3月19日PP.29) | 長さ250μm・幅85μm・厚さ1.4μmの板バネ SASER フォノンレーザ MEMS レーザ応用 水晶振動子置換え | 260 250 160 |
| 2013年 4月号 | グラフェン量産化技術 | 東北大 昭和電工 | 日刊工業新聞 (2013年1月11日PP.23) 日経産業新聞 (2013年1月11日PP.8) | グラファイト，超臨界流体 エタノールに溶かし60気圧400℃の超臨界状態 製造時間1時間 | 120 160 |
| 2013年 4月号 | 酸化グラフェンの合成時間を5時間に半減 | 岡山大 | 日刊工業新聞 (2013年1月15日PP.13) | 酸化グラフェンの合成時間 触媒用途 グラファイトにマイクロ波を当て酸化を容易化 収率最大90% | 120 160 |
| 2013年 3月号 | カーボンナノグラフェンを常温高速合成 | 名大 | 日刊工業新聞 (2012年12月18日PP.16) | アルコール液とプラズマ放電 合成スピードがエタノール100mlで0.61mg/min・ブタノール100mlで1.7mg/min CVD法 | 160 |
| 2013年 3月号 | EUV利用のフォトマスク欠陥検査装置 | 東北大 EUVL基盤開発センター | 日経産業新聞 (2012年12月19日PP.7) | 13.5nm波長のEUV光 解析能力30nm 16nm世代パターン観察に適用可能 | 160 360 |
| 2013年 2月号 | グラフェン層間化合物 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2012年11月6日PP.19) | 原子交換法 熱分解法 グラフェンでカルシウム原子を挟んだ構造 | 120 150 160 |
| 2013年 2月号 | エレクトロクロミック素子の印刷製造法 | 産総研 東和製作所 関東化学 | 日経産業新聞 (2012年11月21日PP.7) 日刊工業新聞 (2012年11月21日PP.23) | ナノ粒子インク +0.4～-0.4Vで青色から透明に変化 スプレー印刷とスクリーン印刷の組合せ 化学反応 インク 電子ペーパ 調光ガラス 酸化還元反応 プルシアンブルー | 160 250 |
| 2012年11月号 | 凹凸のないグラフェン成膜法 | 東北大 高輝度光科学研究センター 弘前大 | 日経産業新聞 (2012年8月7日PP.9) | 原子レベルで凹凸のない成膜 SiC基板を表面処理し1600℃に加熱 | 160 |
| 2012年10月号 | CNTの巻き方を制御 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2012年7月19日) 日経産業新聞 (2012年7月24日PP.9) | クリセン4つを環状につなげて最小単位のCNTを作成 ジグザグ型を合成 最短長 ベンゼン環16個 巻き方を作り分け可能 電気的特性向上 | 120 160 |
| 2012年 9月号 | 高密度量子ドット作製技術 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2012年6月5日PP.9) | 液滴エピタキシー法 30℃の常温 GaAs基板 7Gaの滴を作る温度を30℃に下げた 従来比5倍の1cm2あたり7300億個の量子ドット | 120 160 |
| 2012年 8月号 | 光当てるだけで傷修復 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2012年5月24日PP.21) | 光を当てると特性が変わるアゾベンゼンという化合物と 液晶 高分子の粒子を混ぜて調製 | 120 160 |
| 2012年 8月号 | 太陽電池用Si薄膜の新製造法 | 東京農工大 | 日経産業新聞 (2012年5月29日PP.9) | Siイオンを堆積 厚さ10nmのアモルファスSi 塩化シリコン(SiCl4) 液体中で成膜 | 160 |
| 2012年 8月号 | 次世代電子材料「シリセン」の大面積製造技術 | 北陸先端大 | 日刊工業新聞 (2012年5月31日PP.29) 日経産業新聞 (2012年5月31日PP.12) | 蜂の巣構造 厚さ原子1個分のSi結晶 2ホウ化ジルコニウム バンドギャップ導入可能 900℃に加熱 縦横1×2cmの基板 | 120 160 |
| 2012年 7月号 | 光照射でガラス表面研磨 | 東大 シグマ光器 | 日経産業新聞 (2012年4月10日PP.9) | 近接場光 表面凹凸3.5nm以下 HDD向け | 160 |
| 2012年 7月号 | 無鉛の圧電素子 | 東工大 上智大 キヤノン | 日経産業新聞 (2012年4月11日PP.7) | Bi-Zn-Ti酸化物 200pm/V 800℃まで安定 大気圧下で製造可能 | 150 160 |
| 2012年 6月号 | 低コストなグラフェン作製技術 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2012年3月19日PP.11) | 直径3nm・長さ20nmの円柱状のTiO2微粒子を利用 油に溶ける性質を付加可能 酸化グラフェンに超音波を30分当てた後紫外線照射 | 120 160 |
| 2012年 5月号 | 次世代電池向け接着剤 | I.S.T 産総研 | 日経産業新聞 (2012年2月2日PP.1) | Si系合金の負極材を使う大容量電池向け ポリイミドを使用 鎖状のポリマ同士をつなぎ合わせた構造 | 150 160 |
| 2012年 5月号 | 画面の光反射率0.4%以下のフィルム | 旭化成 | 日経産業新聞 (2012年2月3日PP.1) | 反射防止フィルム ナノインプリント 幅数百nmの凹凸 | 150 160 |
| 2012年 5月号 | 赤外線で画像を表示できる材料 | 東大 | 日刊工業新聞 (2012年2月23日PP.19) | 波長1300nmまでの光を表示可能 TiO2の上で直径数十nm 長さ数十～数百nmの棒状のAgナノ粒子を成長させる | 150 160 |
| 2012年 4月号 | 有機薄膜太陽電池の材料「ポリチオフェン」を低コストで製造 | 東工大 | 日経産業新聞 (2012年1月19日PP.11) | 製造コスト数千円/g 添加剤に有機亜鉛の錯体 合成温度は25℃ | 150 160 |
| 2012年 3月号 | 絶縁体基板にグラフェンが吸着する機構を解明 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年12月7日PP.25) | 特定の電子構造を持つSiO2上にグラフェンが強く吸着 | 160 120 |
| 2012年 3月号 | CNTをフィルム基板上に200℃で合成 | 静岡大 | 日刊工業新聞 (2011年12月21日PP.25) | CVD法 ポリイミドフィルム グラフェン層でニッケルを包んだ特殊な触媒微粒子 アンモニアプラズマ アンモニアとメタンの混合ガス 直径10～50nm 長さ1μm以上 | 120 160 |
| 2012年 3月号 | 直径25nmの高分子ワイヤ作製 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年12月23日PP.13) | レーザ照射 ナノ材料を混合し機能性持たせる 長さ20μm | 160 |
| 2012年 3月号 | フラーレンナノウィスカー(FNW)を超電導体に | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年12月28日PP.16) | しなやかで軽い新しい超電導素材の開発 平均長さ4.4μm 平均直径0.5μm FNWにカリウムを加え200℃で1日加熱 | 120 160 |
| 2012年 2月号 | グラフェンを金属性と半導体性に作り分け | 東北大 | 日刊工業新聞 (2011年11月16日PP.27) 日経産業新聞 (2011年11月16日PP.7) | Si基板上に単結晶SiC薄膜を成長させ真空状態で加熱 面が斜めだと半導体性 水平・垂直面だと金属性 モノメチルシランの圧力を調整 | 120 160 |
| 2012年 1月号 | 右・左巻き分離可能ならせん型CNT合成 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2011年10月12日PP.21) | クリセン分子4つを環状につなげる 合成時にコレステロール添加 | 120 160 |
| 2012年 1月号 | 平らな基板で光閉じこめ効果 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年10月17日PP.19) | 基板は島状のZnOを研磨 基板上に微結晶Si層を形成し太陽電池を作成 光に対しては凹凸になる基板を開発 薄膜Si太陽電池の性能向上につながる可能性 | 160 250 |
| 2012年 1月号 | テラヘルツ波吸収用の極小金属コイル | 東工大 阪大 | 日経産業新聞 (2011年10月25日PP.9) | セルロースのらせん状組織に銀メッキ φ50と30μm | 160 140 |
| 2011年12月号 | グラフェンの構造制御技術 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2011年9月20日PP.9) | 多孔質素材 1μmのポリスチレン微粒子の表面にグラフェンを吸着させ クロロホルムの溶液に浸すと中空部分が規則的に並ぶ素材が生成 | 120 160 250 |
| 2011年12月号 | Ge製基板作製技術 | 産総研 住友化学 | 日刊工業新聞 (2011年9月28日PP.20) | Geの単結晶層(10mm×10mm)をSi・ガラス・プラスチックなどの基板に転写できる | 120 160 |
| 2011年12月号 | 液化と固化の繰り返しが可能な有機材料 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年9月29日PP.23) | アゾベンゼンを環状に連結 紫外光で液化 熱で固化 | 160 |
| 2011年11月号 | 0.2μm精度の立体化加工技術 | 浜松ホトニクス 京大 | 日経産業新聞 (2011年8月17日PP.1) | フェムト秒レーザ ホログラム技術応用の光変調路 | 160 250 |
| 2011年11月号 | 加工分解能数nmの光リソグラフィ | 北大 | 日刊工業新聞 (2011年8月29日PP.21) | プラズモンリソグラフィ 金や銀などの金属ナノ構造体が光と相互作用 金赤外光を露光用の光源に使用 | 160 |
| 2011年10月号 | 有機半導体の単結晶膜を作るインクジェット印刷法 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年7月14日PP.26) | 有機半導体を溶かした液滴と液晶化するための液滴を交互に印刷するダブルショットインクジェット印刷法 | 160 220 |
| 2011年 9月号 | 低消費電力のDRAM | エルピーダメモリ | 日経産業新聞 (2011年6月15日PP.1) | High-Kメタルゲート技術 40nmプロセス 絶縁膜にハフニウム 電極にTiを使用 | 230 160 |
| 2011年 9月号 | 変換効率30%超のSi太陽電池 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2011年6月21日PP.1) | 量子ドット型 Si基板上に円盤状の量子ドットを形成する 直径10nm以下のSi量子ドットとSiCを中間層に組み合わせてをミニバンドを形成 タンパク質に鉄の微粒子を含ませ規則正しい構造を作る | 250 160 |
| 2011年 8月号 | 単分子デバイス回路配線技術 | 物材機構 JST スイスベーゼル大 独ユーリヒ総合研究機構 米カルフォルニア大 | 日刊工業新聞 (2011年5月9日PP.16) | 有機分子を配線 機能性有機分子フタロシアニン 3～4Vを加えて形成する | 120 160 |
| 2011年 7月号 | 光の干渉で着色できるレーザ加工技術 | フェトン 神奈川県産業技術センター 東工大 | 日刊工業新聞 (2011年4月27日PP.1) | 周期構造を形成 間隔500～800nmで制御 300m/分で加工する 近赤外線レーザと緑色レーザを当てnmサイズの周期構造を連続加工 | 160 250 260 460 |
| 2011年 6月号 | 高出力LED製造技術 | 名大 エルシード | 日経産業新聞 (2011年3月3日PP.11) 日刊工業新聞 (2011年3月25日PP.28) | モスアイ構造 光出力が従来の1.7～2.5倍 500nmのコーン形状を規則的に配置 加工時間1分程度 基板に凹凸で反射抑制 | 260 250 160 |
| 2011年 6月号 | Si素子で小型光スイッチ | NEC | 日刊工業新聞 (2011年3月7日PP.20) | Siフォトニクス 800μm×60μmの光路切替素子 光合分波素子 素子の内部を局所的に加熱することで材料の屈折率を変更 130nmCMOSプロセス | 240 160 |
| 2011年 6月号 | 有機半導体薄膜の高精度作製技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2011年3月9日PP.7) | 真空装置不要 液晶状態で塗布 BTBT 電子移動度約3 | 120 160 |
| 2011年 5月号 | Si太陽電池を印刷技術で作製 | 北陸先端大 JSR | 日刊工業新聞 (2011年2月8日PP.24) 日経産業新聞 (2011年2月8日PP.10) | 真空装置が不要 Siインク Siを含む高分子材料の液体を塗布 シクロペンタシランに紫外線を当てる | 160 250 |
| 2011年 4月号 | レアメタルを使わないReRAMの集積化技術 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年1月28日PP.30) | アルミニウム系材料のみで作製 フォトリソグラフィ デバイス構造はクロスバー方式 5～100μm角で容量256ビット | 230 160 |
| 2011年 3月号 | 1基板で多色の発光が可能なLED | 東大 | 日経産業新聞 (2010年12月7日PP.10) | マスクを使ってGaN結晶の成長範囲を制御 青と緑の発光 1つの基板上で場所によって色や濃淡が異なる | 120 250 160 |
| 2011年 3月号 | 炭化ケイ素(SiC)製ナノものさしがNITEの標準物質DBに登録 | 関西学院大 | 日刊工業新聞 (2010年12月21日PP.20) | 耐酸化性に優れ経年劣化しにくい 段差が0.5nmの標準物質が登録 SiC製 | 160 |
| 2011年 3月号 | 電流漏れの少ないトランジスタ絶縁膜 | 産総研 | 日経産業新聞 (2010年12月22日PP.7) | ハフニウム化合物の絶縁膜 電流漏れがSi酸化膜比1/100万 | 120 160 |
| 2011年 3月号 | 28nm世代システムLSI向け混載DRAM技術 | ルネサスエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2010年12月9日PP.22) | 寄生容量・抵抗を削減 CMOSプロセスを導入 低誘電率の多孔質(MPS)膜を採用 配線層内にキャパシタ形成 | 160 230 |
| 2011年 3月号 | CNT内で光化学反応 | NEC 海洋研究開発機構 | 日刊工業新聞 (2010年12月27日PP.1) | スーパコンピュータ 計算機シミュレーション 地球シミュレータ HC1 強度の高いかご状CNTを試験管に見立てる フェムト秒レーザ | 120 160 620 |
| 2011年 2月号 | 超電導薄膜を高速に作製できる技術 | 吉野 | 日経産業新聞 (2010年11月10日PP.9) 日刊工業新聞 (2010年11月11日PP.21) | MgB2超電導膜 臨界温度39K 材料の微粒子をガスに分布 エアロゾル・デポジション法 従来の100倍の速さで作製可能 | 120 160 |
| 2011年 1月号 | 波長可変のSi発光技術 | 米カルフォルニア工科大 | 日経産業新聞 (2010年10月18日PP.11) | Si上に直径数nmの針の集合体形成 2.49～8.58nmの針で670～780nmの発光 | 250 160 |
| 2010年12月号 | ナノチューブ導電性解明 | 高度情研機構 | 日経産業新聞 (2010年9月30日PP.14) | スーパーコンピュータによるシミュレーション σ軌道では電圧上昇に対して段階的に電流が変化 | 160 |
| 2010年 9月号 | 酸化亜鉛LEDの輝度向上 | 東北大 ローム | 日経産業新聞 (2010年6月30日PP.11) | MBE法を応用 Mgを添加 紫外領域では輝度が従来比1万倍以上 | 250 160 |
| 2010年 8月号 | 半導体上に原子積み上げてナノ構造を作成 | NTT 独ポール・ドルーデ研 | 日刊工業新聞 (2010年5月12日PP.1) | In原子を1個ずつ積み上げ STMの金属製プローブ nm寸法の構造 InAs基板 | 120 160 |
| 2010年 7月号 | ナノ粒子の大きさを自在に制御 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年4月5日PP.12) | 自己組織化 カプセル状の分子を形成 直径2～4nm | 160 |
| 2010年 7月号 | 太い単層CNTの製法 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年4月19日PP.12) | CNTが伸びながら太さを増す アルミナ材料の表面に直径2nmのてる粒子をまき700℃に加熱 鉄粒子が集まりCNTが成長 根幹部分直径5nm 先端部分の直径1.7nm | 160 120 |
| 2010年 6月号 | 有機EL素子の光取り出し効率2倍超 | 東工大 新日本石油 | 日刊工業新聞 (2010年3月3日PP.20) | ランダムな周期性を持つ凹凸構造 バックリング構造 高分子と蒸着アルミニウムを数回熱収縮 電流効率2.2倍 電力効率2.9倍 | 160 250 |
| 2010年 6月号 | LEDの光取り出し効率1.5倍 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2010年3月19日PP.28) 日経産業新聞 (2010年3月23日PP.11) | 半導体表面にリッジ(うねり) 厚さ約150nmの酸化シリコン膜 プラズマ化学気相成長(CVD)法 | 160 250 |
| 2010年 6月号 | 8nmの太さの単層CNT実現 | 東洋大 立山マシン | 日刊工業新聞 (2010年3月24日PP.1) | プラズマ化学気相成長(CVD)法 プラズマを基板へ均一照射 | 120 160 |
| 2010年 5月号 | ZnO透明電極を用いた20インチ液晶テレビ試作 | 高知工科大 | 日刊工業新聞 (2010年2月11日PP.14) | 酸化インジウム スパッタ成膜 薬液耐性技術 約3μmの微細なウェット加工 | 120 250 160 |
| 2010年 5月号 | CNT内にダイヤ型触媒 | 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2010年2月16日PP.22) | 液相一段合成法 金属錯体触媒 アルコール アルゴンガス 抵抗加熱で約800℃ 太さ50nm前後 | 120 160 |
| 2010年 5月号 | 20nmのナノインプリント向け感光性樹脂開発 | 富士フイルム | 日経産業新聞 (2010年2月17日PP.5) | モールド Siウェハ モノマー エッチング レジスト | 160 |
| 2010年 5月号 | 有機EL照明で電力効率2.9倍に | 東工大 新日本石油 | 日本経済新聞 (2010年2月22日PP.13) | 発光層 数100μmレベルの凹凸を持つしわ状に作製 | 160 |
| 2010年 5月号 | 変換効率15.9%の曲がる太陽電池 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2010年2月26日PP.32) | CIGS薄膜 ナトリウム アルカリ金属 セラミックス基板 ケイ酸塩ガラス モリブデン電極 | 160 250 |
| 2010年 4月号 | CNTを酸化させ表面積1.7倍に | 産総研 | 日経産業新聞 (2010年1月5日PP.11) | 単層CNTを高温で酸化 先端や側壁に微細な穴開け エネルギー密度約1.5倍 パワー密度2.8倍 2240m2/g | 120 160 |
| 2010年 4月号 | 折り曲げ可能液晶ディスプレイをロール・ツー・ロールで製造 | NEDO TRADIM | 日経産業新聞 (2010年1月28日PP.13) 日刊工業新聞 (2010年1月28日PP.28) 電波新聞 (2010年1月28日PP.2) | カラーフィルタと偏光/位相差フィルム部材 バックライト部材と偏光/位相差フィルム部材 | 160 |
| 2010年 3月号 | マイクロレンズアレイ用熱硬化性樹脂 | JSR | 日経産業新聞 (2009年12月3日PP.10) | 液状で感光すると固化し150℃加熱によりいったん溶けた後硬化 半導体製造技術で成型可能 切削加工や金型が不要 | 210 250 160 |
| 2010年 3月号 | 電流が両方向に流れる液晶性有機半導体 | 理化学研 東大 | 日経産業新聞 (2009年12月8日PP.11) | アリの巣のような形に分岐 トリフェニレン イミダゾリウムイオン 分子の長さや温度を調整 電気伝導度があらゆる方向で円筒形の場合と同程度まで向上 | 120 160 |
| 2010年 3月号 | 折り曲げ可能な低電圧の有機フラッシュメモリー | 東大 独マックスプランク研 | 日刊工業新聞 (2009年12月11日PP.24) 日経産業新聞 (2009年12月11日PP.11) | 駆動電圧1/2の不揮発性メモリー ゲート絶縁膜に薄い単分子膜 書込み電圧6V 読出し電圧1V 脂肪族リン酸系の材料を使った絶縁膜 | 120 160 230 210 |
| 2010年 3月号 | 独自有機化合物による微細加工技術 | 富士フイルム | 日経産業新聞 (2009年12月16日PP.11) | 波長405nmの青色レーザ Siや酸化シリコンやサファイアの円板 直径40nmの穴や幅200nmの溝を規則的に生成 ビオロゲン塩 レジスト | 160 |
| 2010年 3月号 | 光照射で発光波長を制御するLED発光層の成膜技術 | 東大 ブイ・テクノロジー 日東光器 | 日経産業新聞 (2009年12月25日PP.11) | InGaN化合物半導体層を光を当てながら均一成膜 サファイア基板 緑色光と紫外線 波長532nm LED発光層の厚さ1/5 厚さ200nmの薄膜 | 250 160 120 |
| 2010年 1月号 | 単層CNT構造作り分け | 米ホンダリサーチインスティチュートUSA 米ルイビル大 米パデュー大 | 日刊工業新聞 (2009年10月2日PP.24) | 金属CNTの混合割合最大91% 反応容器中に水 メタンのキャリアガスにヘリウムを使用 キラリティー(カイラリティ) | 120 160 |
| 2010年 1月号 | ダイヤを用いた不純物のない単層CNT作製法 | NTT 東京理科大 | 日経産業新聞 (2009年10月6日PP.11) | 直径4～5nmのナノダイヤ使用 SiO2などの基板上に敷き詰め 850℃のアルゴンガス エタノール吹き込み 直径1～2nm 30分間で約100μmまで成長 | 120 160 |
| 2010年 1月号 | 円盤状量子ドット形成技術を開発 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年10月7日PP.1) | Si基板上に直径12nmの鉄を核とするタンパク質を並べる 厚さを2nm～6nmと変えるとバンドギャップが1.6～2.2電子ボルトの範囲で変わる 高効率太陽電池に応用可能 | 120 250 160 |
| 2010年 1月号 | 低分子を塗布して作製した有機薄膜太陽電池 | 東大 三菱化学 | 日経産業新聞 (2009年10月23日PP.9) | 変換効率5.2% フラーレン 塗布後熱処理 | 120 250 160 |
| 2009年12月号 | 光照射による次世代液晶配向技術 | シャープ | 電波新聞 (2009年9月17日PP.1) 日経産業新聞 (2009年9月17日PP.3) | TFT液晶 UV2A 紫外線照射で高分子膜の向きを制御 液晶分子の傾きを20pmの範囲で制御 コントﾗスト5000:1 バｯクﾗイトの透過率20%向上 応答速度2倍 消費電力2割削減 | 250 160 |
| 2009年12月号 | 極細の金属ガラスワイヤを開発 | 東北大 | 日経産業新聞 (2009年9月18日PP.10) | パラジウムをベースとする合金 太さ数十nm 100フェムトテスラの磁気を電気に変える 過冷却領域 | 120 160 |
| 2009年12月号 | 消費電力1/2の液晶表示装置向け偏光板 | 光産業技術振興協会 | 日経産業新聞 (2009年9月25日PP.1) | 30μm角のガラス板に細長い数百nm大のアルミ製突起を3000個配置 高分子フィルム プロジェクタ バックライト 光エネルギーのうち60%を透過 消費電力5割前後 | 120 250 160 |
| 2009年12月号 | 大容量 多層光ディスク | TDK | 日経産業新聞 (2009年9月30日PP.1) | 320GB BDと同一形状 青色レーザ ポリカーボネイト 各層で光学特性を変化させる材料の比率を調整 ハイビジョン200時間録画可能 10層構造 | 230 120 160 |
| 2009年11月号 | 金属ガラスで1Tbpi以上の磁気記録媒体の製造技術 | RIMCOF | 日刊工業新聞 (2009年8月6日PP.25) | 熱インプリント パターンドメディア サファイアにダイヤモンドライクカーボン(DLC)薄膜 25nm間隔太さ12nmのドットを形成した金型を作製 | 160 230 |
| 2009年11月号 | ガラスより軽く曲げやすい半導体素子 | 帝人 米ナノグラム | 日本経済新聞 (2009年8月19日PP.1) | ガラス基板に比べて重さ半分以下 縦横1.5cm 厚さ120μmの切手サイズ | 120 160 |
| 2009年11月号 | 強誘電体PZTをナノチューブ状に形成 | 兵庫県立大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2009年8月24日PP.20) | 有機金属気相成長(MOCVD)装置 Si基板上に酸化亜鉛を直径約100nmの円柱状に形成 | 120 160 |
| 2009年11月号 | LED輝度3割向上させる技術 | SCIVAX | 日経産業新聞 (2009年8月24日PP.12) | Si製の特殊な金型でナノサイズの穴を開ける 穴の直径約200nm・深さ160nm | 160 250 |
| 2009年11月号 | ナノサイズの電子回路配線技術 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2009年8月28日PP.1) | シリコンナノチェインがCNTに変化 タングステンの針で数十Vの電圧印加 直径10～20nm ワイヤ状のナノ材料に電圧でCNTを生成 | 120 160 |
| 2009年 8月号 | 有機EL用の色素均一塗布技術 | セイコーエプソン | 日経産業新聞 (2009年5月27日PP.3) | インクジェット ヘッドノズルから1滴あたり10ngの材料を放出 誤差0.4%以下 | 160 250 330 |
| 2009年 6月号 | CNT製造コスト1/30以下 | 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2009年3月4日PP.1) | フィジカルバイブレーション法 低電流のアーク放電で発生する炭素粉量を5倍 炭素棒に50～60Hzの振動を送り続ける | 160 |
| 2009年 6月号 | 酸化ニッケルのナノワイヤでReRAMを製作 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2009年3月19日PP.24) 日経産業新聞 (2009年3月19日PP.10) | 50nm以下抵抗変化型不揮発メモリー オンオフ比ニッケル薄膜より100倍高い ナノ-ピコA程度で動作 直径10～20nm 長さ10～20μm | 160 230 |
| 2009年 5月号 | CNTトランジスタを全工程で印刷作製 | NEC | 日刊工業新聞 (2009年2月18日PP.24) 日経産業新聞 (2009年2月18日PP.9) | 200℃以下の低温で揮発性をもつインク オンオフ比約1000の多層構造のp型トランジスタを試作 | 160 120 220 |
| 2009年 5月号 | ナノサイズ金属の立体加工技術 | 理研 | 東京新聞 (2009年2月24日PP.20) | 金属イオン溶液に高エネルギー光を当てる 光エネルギーで結晶に変わる 約100nmの細い線 約3.5μmのまきびし状の構造物 | 120 160 |
| 2009年 5月号 | ピコレベルの超微小加工技術 | 自然科学研究機構 | 日刊工業新聞 (2009年2月25日PP.28) | ヨウ素分子内の二つの原子の波の干渉を検出 10兆分の1秒の照射時間でレーザ光2発を照射 4pmのレベルで制御 | 160 |
| 2009年 4月号 | 超撥水性の表面処理技術 | 東大 | 日経産業新聞 (2009年1月21日PP.11) | 酸化チタン 表面の凹凸1nm以下 | 160 |
| 2009年 4月号 | 厚さ1/100のSi薄膜型太陽電池新製法 | 産総研 古河電工 | 日経産業新聞 (2009年1月23日PP.10) | 大きさ数10μmのSi結晶の薄膜 厚さ2μmの薄膜型太陽電池 光電変換効率3.5%(12%まで高められる見込み) | 250 160 |
| 2009年 3月号 | SiO2を室温で成膜 | 日立国際電気 | 日経産業新聞 (2008年12月3日PP.5) | 熱以外の代替エネルギーを活用して成膜 25℃程度で処理 CVD装置で適用 | 160 |
| 2009年 3月号 | 電子ペーパ製造費半減 | リコー | 日経産業新聞 (2008年12月4日PP.1) | インクジェット方式印刷技術 電気泳動式 解像度160ppi 厚さ0.3mm 1画素縦横159μm 紫外光で親水性を増す樹脂 | 160 250 |
| 2009年 3月号 | 直径10nm以下の立体配線技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年12月4日PP.11) | 自己組織化 親水性と疎水性を併せ持つ液状高分子 Si基板上に数～数十μmの厚さで塗布 120℃以上に過熱し冷却 塩化カリウム溶液水 十～数十Vの電圧 | 120 160 |
| 2009年 3月号 | Si薄膜の成長速度4倍に | 積水化学工業 | 日経産業新聞 (2008年12月12日PP.11) | プラズマを大気中に取り出し基板に当てる シランガス 45nm/minで成長 圧力0.7～0.9気圧 多結晶とアモルファスから構成 結晶効率80%以上 | 160 |
| 2009年 2月号 | 厚さ20μmの回路基板材料 | 住友ベークライト | 日経産業新聞 (2008年11月14日PP.1) | 従来の1/3の厚さ ガラスクロスの厚さ15μm | 120 160 |
| 2009年 2月号 | 光信号を1/170に減速したスローライト新構造 | NTT | 日刊工業新聞 (2008年11月24日PP.14) 日経産業新聞 (2008年11月25日PP.11) | フォトニック結晶 結晶中に数nmレベルで穴を正確に配置 0.1μm3の微小な共振器 | 120 160 |
| 2009年 1月号 | 結晶内のばらつきが半分のHDD磁気ヘッド | 東北大 富士通 | 日経産業新聞 (2008年10月15日PP.11) | 記憶密度従来の約3倍 1Tbpiまで可能 絶縁層の材料として酸化マグネシウムを積層 欠陥が半分以下 | 160 230 |
| 2009年 1月号 | 次世代高速無線用トランジスタ
-消費電力1/3に- | 日立 | 日経産業新聞 (2008年10月17日PP.1) | シリコンゲルマニウムを使った独自の薄膜形成技術 エピタキシャル成長 不純物を約8%抑制 真空集で水素を流し込み酸素を除去 | 160 220 |
| 2009年 1月号 | 銀塩の技術を使った白黒鮮明な電子ペーパ | コニカミノルタテクノロジーセンター | 日経産業新聞 (2008年10月30日PP.1) | コントラスト比20超 反射率約63% 銀イオンが銀に還元して黒表示 酸化チタンの量を自由に調整可能 約5時間画像保持 3.5インチの電子ペーパを試作 | 120 160 250 |
| 2009年 1月号 | 折り曲げ自在の薄膜加工技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2008年10月30日PP.26) | 厚さ200～10nm程度の薄膜の片側を固定しイオン照射 数十μm程度折り曲げられる | 160 |
| 2008年12月号 | 窒化ホウ素で太陽電池 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2008年9月5日PP.10) | Siより高い耐久性 発電効率2% CVDで窒化ホウ素膜で生成 透明太陽電池 | 250 160 |
| 2008年12月号 | DNAを利用したナノ構造物 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年9月13日PP.8) | 塩基をブロック状に結合 0.34nm単位で長さを設計 | 120 160 |
| 2008年12月号 | プラスチック上にアルミで配線印刷 | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年9月25日PP.11) | 印刷後に加圧しながら150℃以下で加熱 抵抗率5.6×10-4(上付)Ω・cm | 160 |
| 2008年12月号 | 発光率5割増の紫外線LED | 東芝 | 日経産業新聞 (2008年9月26日PP.1) | 波長383nm 厚さ10μmのA1N層をサファイア基板とGaNの間に設ける 電流20mAで23mWの光 | 250 160 |
| 2008年12月号 | 線幅10μmまでの微細化スクリーン印刷法 | 大阪府立大 新中村化学工業 中沼アートスクリーン 和歌山県工業技術センター | 日経産業新聞 (2008年9月26日PP.9) | プラスチック基板上に線幅13μm アクリル系高分子フォトレジスト材料 波長365nm 254nmの光を照射 | 160 |
| 2008年11月号 | 単層CNT内に化合物ナノワイヤ合成 | 名大 高輝度光科学研究センター | 日刊工業新聞 (2008年8月1日PP.27) 日経産業新聞 (2008年8月1日PP.10) | 塩化エルビウム 直径2nmのCNT 石英管 7日間700℃で加熱 90%を超す収率 | 120 160 |
| 2008年11月号 | CNTで-261℃で超電導 | 青山学院大 | 読売新聞 (2008年8月10日PP.17) | 炭素原子100個に対してホウ素2～3個 基板上に薄く膜状に広げる マイスナー効果 | 120 160 |
| 2008年11月号 | 高配向CNTを簡単に合成できる技術 | 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2008年8月22日PP.30) | ステンレス基板 約800℃に加熱 液相一段合成法 メタロセン 長さ数100μmまで合成可能 | 120 160 |
| 2008年11月号 | ナノインプリント法で同一形状のカーボンナノファイバを大量作製 | KAST | 日刊工業新聞 (2008年8月28日PP.1) | 直径100～150nm 高さ約5μm 基板1cm角 | 120 160 |
| 2008年11月号 | 半導体装置を用いた液体の膜蒸着技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年8月29日PP.9) | イオン液体 1cm2あたり360plのイオン液体が蒸着 厚さ9pmの薄膜を作成 燃料電池の電解質に応用可 イミダゾリウム系 | 120 160 |
| 2008年10月号 | 多結晶Siを低温で結晶化させる技術 | 山口大 | 日経産業新聞 (2008年7月7日PP.8) | 紫外線と可視光の波長を持つレーザ光 同時に5ns照射 100回繰り返し 温度250℃以下 多結晶Si材料 | 120 160 |
| 2008年 9月号 | 発光効率2倍のLED基板 | 三菱化学 | 日経産業新聞 (2008年6月2日PP.16) | 窒化ガリウム基板 有機金属化学気相成長法(MOCVD) m面 基板の厚さ0.1mm 大きさ12mm×20mm | 250 160 |
| 2008年 9月号 | ダイヤモンド固体素子で「量子もつれ」を室温で実現 | 筑波大 産総研 独シュトゥットガルト大 | 日刊工業新聞 (2008年6月6日PP.23) 日経産業新聞 (2008年6月6日PP.8) | マイクロ波プラズマCVD 原子量13の炭素を多く含むダイヤとメタンガス 電子スピン 核スピン 3量子ビット | 120 160 |
| 2008年 9月号 | 高純度単層CNTを活用した薄膜トランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2008年6月11日PP.25) 日経産業新聞 (2008年6月11日PP.11) | 分散型ポリフルオレン 超音波で分散 遠心分離機 移動度2cm2/Vs オンオフ比10万以上 CNT液をSi基板にコーティング | 120 160 220 |
| 2008年 9月号 | 単層CNTで配線を作製する技術 | 九大 | 日経産業新聞 (2008年6月16日PP.17) | 高い導電性 幅0.5μmの細い線 縦横0.5μmの四角いパターン | 220 160 |
| 2008年 9月号 | グラフェン薄膜をSi基板に作製 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2008年6月25日PP.22) 日経産業新聞 (2008年6月25日PP.11) | 厚さ80nmの炭化ケイ素の薄膜作製 熱処理 電子移動度数万cm2/Vs | 120 160 |
| 2008年 9月号 | 光を直角に曲げる光配線技術 | 物材機構 東北大 | 日刊工業新聞 (2008年6月7日PP.13) 日経産業新聞 (2008年6月2日PP.9) | 球の大きさにより分波器 Si基板に2μm間隔で刻んだパターン上に直径2μmのポリスチレン球 | 240 140 160 |
| 2008年 9月号 | 水素イオン電導1万倍に | 豊橋技科大 | 日経産業新聞 (2008年6月27日PP.11) | 硫酸水素セシウム リン・タングステン酸 100℃以上での性能維持可能 強い力でかき混ぜて原子結合に欠陥生成 | 250 160 |
| 2008年 8月号 | CNTで回路を立体化 | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年5月6日PP.6) | 単層CNT LSIの配線 MEMSへの応用 Si基板 イソプロピルアルコール 膜厚100nm～50μm | 120 160 |
| 2008年 7月号 | In使用量を75%減らす液晶パネル製造技術 | 高知工科大 カシオ ジオマテック | 日経産業新聞 (2008年4月24日PP.1) | ITOをZnO膜に置換 スパッタ法 | 160 250 |
| 2008年 6月号 | 単層CNT垂直配向膜の成長促進法を解明 | 東大 | 日刊工業新聞 (2008年3月3日PP.25) | アルコール触媒CVD法 アセチレンで10倍 エチレンで4倍の速度 コバルト モリブデン エタノール | 120 160 |
| 2008年 5月号 | 記録容量20倍の次世代HD | クレステック | 日経産業新聞 (2008年2月7日PP.1) | パターンドメディア 記録容量は1Tb/in2 直径6インチのSi基板上の感光性樹脂に電子ビームで同心円状に直径10nmの微小な穴を開ける | 230 160 |
| 2008年 5月号 | 最先端LSIパターン作製高速化 | クレステック 農工大 | 日経産業新聞 (2008年2月18日PP.10) | 配線幅40nm回路を10mm角に0.3sで作製 面電子源 | 160 |
| 2008年 5月号 | 新種の高温超電導体 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年2月19日PP.8) 日刊工業新聞 (2008年2月19日PP.22) | LaとO2が作る絶縁層とFeとAsが作る電導性の層を交互に積層させた層状化合物 酸素イオンの一部をフッ素イオンで置き換えると超電導 フッ素濃度11%で約-241℃で電気抵抗ゼロ | 120 160 220 |
| 2008年 5月号 | ナノ粒子の簡便な新製法 | 阪大 名大 | 日経産業新聞 (2008年2月21日PP.9) | イオン液体 スパッタリング装置 粒径を2～10数nmの範囲で制御 粒径誤差約15% | 160 120 |
| 2008年 5月号 | 量子暗号通信の中継技術 | 東北大 産総研 | 日経産業新聞 (2008年2月27日PP.12) 日刊工業新聞 (2008年2月27日PP.31) | 量子中継器 光子から電子へ1対1で転写 AlGaAsに井戸幅11nmのGaAsを挟んだ量子井戸構造の素子を作製 電子と光子のもつれ合い解消 | 120 160 220 |
| 2008年 5月号 | 単層CNTを金属型と半導体型に分離する技術 | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年2月27日PP.12) 日刊工業新聞 (2008年2月27日PP.31) | ゲル電気泳動法応用 界面活性剤 超音波 半導体型純度95%以上 金属型純度70%以上 回収率100%近い | 120 160 |
| 2008年 5月号 | やわらかい無機発光材料 | 東大 KAST | フジサンケイビジネスアイ (2008年2月28日PP.11) | グラファイトフィルム GaN結晶 パルス励起堆積法 紫外線励起による発光 | 250 160 |
| 2008年 4月号 | 世界最長100cmの光配線技術 | 松下電工 | 日経産業新聞 (2008年1月10日PP.1) | 光電配線板材料 機器内部で10Gbps 2層の電気回路の間に光回路がサンドイッチされた構造 エポキシ樹脂フィルム 厚み60μm | 120 160 |
| 2008年 4月号 | 超電導効果で高効率発光LED | 北大 浜松ホトニクス NTT 東京理科大 室蘭工大 | 日刊工業新聞 (2008年1月16日PP.32) 日経産業新聞 (2008年1月21日PP.19) | 1.6μm通信波長帯 超電導材料を使った電極作製 微弱電流 | 120 160 240 250 |
| 2008年 4月号 | フラーレン薄膜状態で積層 | 東大 | 日刊工業新聞 (2008年1月16日PP.32) 日経産業新聞 (2008年1月16日PP.9) | 赤外線レーザで加熱・気化し堆積 数mm四方に直径1nm弱のフラーレンを10～20層堆積 連続光赤外線レーザ堆積法 | 120 160 |
| 2008年 4月号 | 太さ原子1個分の超極細金属ワイヤ作製技術 | 名大 | 日経産業新聞 (2008年1月29日PP.11) | 太さ0.18nm CNT レアアース ガドリニウム 長さ0.5μm ピーポッド | 120 160 |
| 2008年 3月号 | 回路線幅32nmLSI向け製造プロセス技術 | Selete 日立建機ファインテック | 日経産業新聞 (2007年12月11日PP.1) | 電流漏れを防ぐ技術 電極素材と配線層間材料を新たに開発 ゲート材料にTiN 絶縁膜に窒化ハフニウムシリケート nMOSにMgO pMOSにAlO ポーラスシリカ SiO 比誘電率2.4 | 120 160 220 |
| 2008年 3月号 | 15nmNANDフラッシュメモリー用基本素子を試作 | 東芝 | 日経産業新聞 (2007年12月13日PP.12) 日本経済新聞 (2007年12月13日PP.12) | 100Gb級の集積度 フローティングゲートを挟む酸化膜を極薄化 微細化しても高速書込みと長期記録保持可能 | 160 230 |
| 2008年 3月号 | 高速・低消費電力の新トランジスタ | 日立 東大 | 日経産業新聞 (2007年12月14日PP.11) | 絶縁膜厚を10nmにして基板からも電圧制御 漏れ電流1/10 動作速度20%向上 SOI | 160 220 |
| 2008年 3月号 | GaNフォトニック結晶面発光レーザ -青紫色領域で発振- | 京大 JST | 日経産業新聞 (2007年12月21日PP.11) 日刊工業新聞 (2007年12月21日PP.22) | 再成長空気孔形成法 波長406nm 素子内部に直径85nm 深さ100nmの微小な空洞を186nm間隔で配置 | 160 250 |
| 2008年 3月号 | 世界初のトレンチ型SiC MOSFETと大電流容量を実現したSiC SBD | ローム | 電波新聞 (2007年12月21日PP.1) | 1cm角で300A 900V耐圧 オン抵抗2mΩcm2 JFET抵抗 SBD逆方向耐圧660V | 160 220 |
| 2008年 3月号 | 酸化鉄でReRAM素子 | 松下電器 | 日経産業新聞 (2007年12月26日PP.9) | 不揮発性メモリー 相転移 電気抵抗が最大10の5乗まで変化 180nmプロセス 書き換え耐性3万回以上 抵抗変化式メモリー 10nsで書込み可能 データ保持時間2000時間 | 120 230 160 |
| 2008年 2月号 | 有機ELの寿命9倍に | 北陸先端大 | 日経産業新聞 (2007年11月16日PP.1) | 透明電極と正孔輸送層が接する面に酸化モリブデンで作った薄膜挿入 0.75nmの極薄膜採用 360cd/m2の輝度が半減するまで3万7千時間 | 120 160 250 |
| 2008年 2月号 | 量子多体現象 超高速で計算処理 | NII 米スタンフォード大 | 日経産業新聞 (2007年11月22日PP.9) 日刊工業新聞 (2007年11月22日PP.20) | 光と閉じ込める微細構造を相互に連結 厚さ3nm半導体薄膜12層 ボーズアインシュタイン凝縮体を約20個形成 超流動的 | 120 160 220 |
| 2008年 2月号 | 記録容量20倍のHDD | 富士通 | 日経産業新聞 (2007年11月28日PP.1) | パターンドメディア 垂直磁気記録方式 記録密度4Tb/inch2超 酸化アルミ基板 | 160 230 |
| 2008年 2月号 | 高密度な光メモリー基本素子を作成 | 東大 | 日本経済新聞 (2007年11月19日PP.19) | フラッシュメモリーの一万倍の記録密度 近接場光 GaAs基板に径5～50nmの量子ドットを埋め込む 理論記録密度は10の15乗bit/inch2 | 120 160 230 |
| 2008年 1月号 | 線幅100nm以下の超電導回路 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2007年10月2日PP.1) | 光相変化材料Y123 Y Ba Cu O 近接場光 先端50nm径の光ファイバ 30nm径の超電導体ドットを50nm間隔で作成 10K以下で超電導状態 ジョセフソン接合 | 120 160 220 |
| 2008年 1月号 | 表面電極の幅1/4の太陽電池 | 鷹羽産業 | 日経産業新聞 (2007年10月10日PP.1) | 受光部分面積6%増加 発電効率1%超増加 オフセット法 電極幅25μm 電極厚さ30～50μm 電極形成装置 | 160 250 |
| 2008年 1月号 | 容量2倍を実現するHDD高密度化技術 | 昭和電工 | 日経産業新聞 (2007年10月19日PP.1) | ディスクリートトラック 非磁性材料でトラックを挟む 記録密度3倍 記録トラックの横幅65nm ナノインプリントでトラックを成型 | 230 160 |
| 2008年 1月号 | 光配線LSIチップ -線幅22nmに道- | Selete | 日経産業新聞 (2007年10月23日PP.1) | 表面プラズモン SiとSi化合物を重ねた構造の表面にくし形の電極を並べた光電気変換器 縦10μm 横2μm クロック信号部分を光配線に置き換え | 160 240 |
| 2008年 1月号 | MRAM電流制御技術 | 高エネ機構 東大 | 日刊工業新聞 (2007年10月29日PP.21) | SrTiO3基板にμm寸法の(La Sr)MnO3の薄膜をパターン加工 Spring-8 ステップ方向に磁場をかけると単磁区構造になる | 120 160 230 |
| 2007年12月号 | 折り曲げ可能な縦型有機トランジスタ | 千葉大 | 日刊工業新聞 (2007年9月7日PP.1) | 横型では実現できない低電圧駆動の曲がるディスプレイ 従来比約100倍 ±2Vの低電圧で駆動 ペンタセン薄膜 銅フタロシアニン薄膜 ゲート絶縁膜不要 1000以上オンオフ比 | 250 220 160 |
| 2007年12月号 | 有機EL素子の効率的製法 | 京大 | 日経産業新聞 (2007年9月14日PP.9) | 発光分子を正孔を通す分子と電子を通す分子で挟み込んだ導電性高分子を合成 1回の印刷で素子形成を可能 芳香環高分子 3機能を1工程で製造可能 | 120 250 160 |
| 2007年12月号 | ナノインプリント方式で回路線幅18nmの半導体製造技術 | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2007年9月18日PP.1) | 電子ビームのビームを細くするとともに強度や照射量を調整 石英ガラスのエッチングの条件最適化 面積は1/10程度 露光でなく転写で回路形成 | 160 220 |
| 2007年12月号 | 光子1個を電流駆動で発生 -量子暗号通信の実用帯域- | 東大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2007年9月19日PP.29) 日経産業新聞 (2007年9月19日PP.9) | 波長帯域1.55μm 単一光子発生器 電流注入法 量子ドットをLEDに埋め込んで作製 InP | 160 250 |
| 2007年12月号 | 従来の約1/10以下の細さの金属微細配線技術 | 東北大 チッソ 日本電子精機 | 日刊工業新聞 (2007年9月26日PP.29) | フレキシブルプリンタブルエレクトロニクスへの応用 数百nmの微細配線 波長488nmのアルゴンレーザ | 220 160 |
| 2007年11月号 | 界面活性分子を使用したナノ自立膜の新製法 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2007年8月6日PP.8) 日刊工業新聞 (2007年8月6日PP.17) | ドデシルホスホコリン シャボン膜 スパッタ法 電子ビーム蒸着法 熱蒸着法 厚さ1～100nm | 160 |
| 2007年11月号 | 回路幅45nm対応の塗布型絶縁膜 | JSR | 日経産業新聞 (2007年8月22日PP.1) | 低誘電層間絶縁膜材料(Low-k材料) Cの割合を高めCとSiの分子の結びつきで強度アップ 誘電率2.4 | 120 160 |
| 2007年10月号 | 幅50nmの複数線を同時に描画する並列走査型装置 | 立命館大 兵庫県立大 ユニソク 住友精密工業 JST | 日刊工業新聞 (2007年7月12日PP.20) | フォトレジスト Si基板 並列走査型プローブ ナノライティング装置 Si酸化膜を作製 エッチング 20～60本を並列に配置 | 160 |
| 2007年10月号 | 線幅30nm以下の半導体量産向けナノインプリント技術用の石英ガラスモールド試作 | HOYA | 日経産業新聞 (2007年7月19日PP.1) | 位相シフトマスク作成原理を応用 回路パターンの材料であるCrやレジストの中身・厚さ・処理方法を最適化 型を熱硬化樹脂に押し付け紫外線で転写 | 160 |
| 2007年 9月号 | 低抵抗CNT縦穴配線材料 -次世代LSIにおけるCNT配線実現に一歩- | Selete | 日刊工業新聞 (2007年6月5日PP.1) | ビア配線材料 弾道伝導現象 CVD ビア高さ60nm 直径160nm 化学機械研磨(CMP) 22nm世代 450℃で化学気相成長 Cuより低抵抗 | 120 160 |
| 2007年 9月号 | 45nm世代以降トランジスタしきい値電圧制御技術 | Selete 物質・材料研究機構 筑波大 早大 阪大 広島大 | 日刊工業新聞 (2007年6月12日PP.24) | 金属電極にAlを10%程度 電圧変動の要因となる絶縁膜中の酸素欠損を解消 窒化ハフニウムシリケート | 220 160 |
| 2007年 9月号 | CMOSトランジスタのしきい値電圧の仕組み解明 | 産総研 超先端電子技術開発機構 | 日刊工業新聞 (2007年6月12日PP.24) | 高誘電率絶縁膜 Si酸化膜と下部絶縁膜の界面でしきい値に大きくずれ Si酸化膜上の絶縁膜を0.1nm寸法で精度よく制御することが閾値電流を制御する鍵 | 120 220 160 |
| 2007年 9月号 | 45nm半導体の製造工程を2割削減する技術 | NECエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2007年6月14日PP.9) | 絶縁膜にHfを加えることにより絶縁体の厚みでトランジスタの特性を決定 不純物添加工程が1/6 | 120 160 |
| 2007年 9月号 | 単層CNT高速成長法の再現に成功 | 東大 | 日刊工業新聞 (2007年6月21日PP.33) | スーパーグロース法 アルミナ基板 平均膜厚0.5nm程度の鉄触媒 長さ2～3mm 直径平均4nm程度 10分間で合成 | 120 160 |
| 2007年 8月号 | オールSiの次世代半導体素子 | 日立 | 日経産業新聞 (2007年5月8日PP.11) | 信号伝達はすべて光 SiO2の絶縁層で挟んだ厚さ9nmのSi薄膜が発光 0.5mm離れたSi受光部 室温動作 | 160 220 |
| 2007年 8月号 | 有機EL材の効率生産 -マイクロ波使い収率2倍- | 産総研 | 日経産業新聞 (2007年5月14日PP.9) | イリジウム錯体 緑色の収率90% 赤色の収率80% 製造時間も短縮 | 250 160 |
| 2007年 8月号 | 容量10倍の磁気テープ -テープ1本で10TB- | 日立マクセル 東工大 | 日経産業新聞 (2007年5月18日PP.1) | 酸化鉄をArガス中での放電を利用して気化しスパッタ 磁性粒子10nm以下 記録層の厚さ1/10 | 130 160 230 |
| 2007年 8月号 | 単電子トランジスタの基本構造を簡単に作製 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年5月31日PP.13) | 既存の半導体プロセスと酸化処理の組合せ 量子ドット Si酸化膜上にAl電極成膜後露光装置で素子構造を作製 | 160 220 |
| 2007年 8月号 | 回路線幅26nmの微細加工に成功 | NEDO | 日経産業新聞 (2007年5月31日PP.3) | 極紫外線(EUV)露光 光源波長13.5nm 0.5mmの範囲に幅26nmの回路を転写 反射型マスク 高性能反射鏡 | 160 |
| 2007年 7月号 | 透明導電膜を粒子塗布で製作 | 東北大 DOWAエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2007年4月4日PP.12) | InとSnイオン混合溶液を加熱してゲル状にする ITO 大きさ50～100nmの微粒子立方体 | 160 250 |
| 2007年 7月号 | 高品質多結晶Si薄膜を熱処理により5秒で作成技術 | 奈良先端大 松下電器 | 日刊工業新聞 (2007年4月6日PP.1) | フェリチン(鉄貯蔵タンパク質) 直径7nmのNiを触媒として内包 非晶質Si薄膜 650℃で熱処理 プラスチック基板上に高性能TFTを作成可能 | 160 250 |
| 2007年 7月号 | 薄膜を効率よく製造 -非Si系太陽電池量産に使用可能な薄膜技術- | 産総研 | フジサンケイビジネスアイ (2007年4月6日PP.7) | CIGS薄膜 Cu In Ga Se 光電変換層の厚さを数μm 利用効率10倍以上 プラズマクラッキング | 160 250 |
| 2007年 7月号 | 電圧で着脱色する固体薄膜エレクトロクロミック素子 | 農工大 | 日刊工業新聞 (2007年4月13日PP.20) | 従来のエレクトロクロミック素子構造に酸化Si膜を導入 応答速度6倍 応答速度100mms | 120 160 250 |
| 2007年 7月号 | 安定電気抵抗を実現した酸化亜鉛の透明導電膜 | 金沢工大 | 日本工業新聞 (2007年4月26日PP.34) | 第二不純物共添加アルミドープ酸化亜鉛(AZN・X) 高周波重畳直流マグネトロンスパッタリング技術 可視光透過率87%以上 Inの代替材料 | 120 160 250 |
| 2007年 7月号 | 高分子系と低分子系を組合せた新発光材料 | 京大 | 日刊工業新聞 (2007年4月30日PP.17) | 有機EL ホウ素キノレート化合物(BPh2q)をホウ素が主鎖となるように共役系高分子に導入 | 120 160 250 |
| 2007年 6月号 | マイクロピラミッド構造を酸化亜鉛薄膜上に作製 | 大阪市大 | 日刊工業新聞 (2007年3月8日PP.26) | 高周波マグネトロンスパッタリング 650℃で20時間 膜厚2μm 一辺2μm 高さ2μm 発光効率数十倍増強 六角錘 アルゴンと酸素の希薄混合ガス | 260 160 250 |
| 2007年 6月号 | ナノ構造物を半導体基板上に作製 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2007年3月9日PP.8) | 透過型電子顕微鏡 形成したい元素の酸化化合物ガスを吹き込んで電子ビーム照射 大きさ数nmのアンテナ型構造物を作製 | 160 |
| 2007年 6月号 | 深紫外固体紫外線レーザ | 三菱電機 阪大 | 電波新聞 (2007年3月15日PP.6) | 波長213nm 出力10W LD励起固体レーザの基本ユニットを最大9段まで連結 非線形光学結晶により波長変換 | 160 250 |
| 2007年 6月号 | バイオの力でSi薄膜 | 松下電器 奈良先端大 | 電波新聞 (2007年3月22日PP.1) | フェリチンタンパクをSi半導体上に吸着 紫外線処理 700℃程度の温度で5～6秒加熱 粒径10μm | 160 |
| 2007年 6月号 | CNTのハニカム構造体を簡易手法で作製 -ITOなみの低い電気抵抗値を実現- | 九大 | 日経産業新聞 (2007年3月23日PP.11) 日刊工業新聞 (2007年3月23日PP.33) | 塩化メチレン トルエン CNTを溶かした溶媒を高湿度下室温でガラス板状に滴下し蒸発 酸化性溶液に浸す | 120 160 |
| 2007年 6月号 | 鉄白金微粒子を基板上に成膜 -HDD容量10倍以上- | 東芝 | 日経産業新聞 (2007年3月27日PP.9) | 垂直磁気記録方式 CVD 酸化マグネシウム基板 直径5nmの微粒子 1.8インチHDDで1Tb | 130 160 230 260 |
| 2007年 6月号 | 赤外光伝送を10倍効率化 | 富士通研 東工大 | 日経産業新聞 (2007年3月29日PP.13) | Siと赤外光を通す薄膜上結晶の間に酸化セシウムなどでできた厚さ200nmの中間層 | 120 160 |
| 2007年 6月号 | LED封止用新材料 -封止時間1/50- | 日立化成 | 日経産業新聞 (2007年3月29日PP.1) | 加圧下で160℃に加熱すると数分で硬化 マス目状の型で数百個のLEDを一気に封止可能 複数の樹脂材料を組合わせて開発 110～-40℃まで温度変化しても劣化なし | 120 160 250 260 |
| 2007年 5月号 | C60製トランジスタ | 東大 | 日経産業新聞 (2007年2月2日PP.10) | 分子線エピタキシー法 ペンタセン C60分子を50～80層 n型で毎秒1V当たり5cm2の移動度 n型p型両方で実現可能 | 220 160 120 |
| 2007年 5月号 | 単層CNT垂直配向膜の構造を確認 | 東大 独ライプニッツ固体・材料研 | 日刊工業新聞 (2007年2月7日PP.1) | 5本前後でひとかたまり TEM アルコール触媒CVD法 厚さ2～7μm | 120 160 |
| 2007年 5月号 | 格子配列が整えられた窒化ガリウム基板 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2007年2月9日PP.28) | ZnO圧膜 窒化ガリウム圧膜を積層 900℃でアンモニアと塩化水素を吹きつけ | 160 250 |
| 2007年 5月号 | 中性粒子ビームで直径10nm厚さ2nmの円盤構造作成 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年2月19日PP.11) | 量子効果を室温で確認 塩素原子を基に電荷を持たない中性粒子ビーム加工技術 | 160 |
| 2007年 5月号 | RGB3色発光の新結晶 | 岩手大 | 日経産業新聞 (2007年2月26日PP.8) | 硫酸カリウムの中に部分的にアミノベンゼンスルホン酸を溶かして冷却 1cm角の結晶 波長355nmのレーザを照射 リン光 量子効率70% | 120 160 250 |
| 2007年 5月号 | 直径平均3nmのITOナノ粒子を作製 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2007年2月26日PP.22) | 粒径20～100nmのITO粒子にパルスレーザを集光照射 液相レーザアブレーション技術 In使用量削減 | 160 |
| 2007年 4月号 | 単電子トランジスタ試作 | 東大 | 日経産業新聞 (2007年1月19日PP.9) | 大きさ2nmの量子ドット | 220 160 |
| 2007年 4月号 | 0.02mmの超薄型有機ELディスプレイ | 東大 | 日刊工業新聞 (2007年1月19日PP.1) | 有機EL層の極薄の樹脂で挟んだ超薄型光ディスプレイ ポリパラキシリレン(パリレン) CVD法でEL層を堆積 | 250 160 260 |
| 2007年 4月号 | 酸化亜鉛を用いた積層薄膜 -透明エレクトロニクスに道- | 東北大 | 日刊工業新聞 (2007年1月26日PP.33) 日経産業新聞 (2007年1月26日PP.10) | 量子ホール効果 温度傾斜法 電子密度1/10の16乗 移動度440cm2/Vs 酸化亜鉛マグネシウム(MgZnO) 膜厚0.6μm | 120 160 |
| 2007年 3月号 | MRAM大容量化に道を開く磁性体加工の新技術 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2006年12月5日PP.1) | パルス変調プラズマ方式 磁性体膜の揮発性の大幅向上 磁性特性の劣化改善 磁気トンネル接合素子 | 160 |
| 2007年 3月号 | PRAM駆動電力1/10 | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2006年12月13日PP.9) | 記録層と絶縁膜の間に厚さ2～3nmのTa2O5薄膜 記録時電流数百μA | 160 230 |
| 2007年 3月号 | 駆動電流が50%超向上する次世代立体型トランジスタ | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年12月15日PP.30) | 雪かき効果 金属シリサイドとチャネル部分のSi界面に不純物原子を高濃度で2～3nm厚に偏析した層を形成 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | 線幅32nmLSI性能2倍に | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | Si加工面に1%の歪を加えるn型トランジスタ 0.1%で解析 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | 動作速度2割向上した線幅45nmトランジスタ | 富士通 富士通研 | 日経産業新聞 (2006年12月19日PP.11) | 電流低下や電流漏れを抑制 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | 1ns間光を閉じ込める新共振器構造 | NTT | 日刊工業新聞 (2006年12月25日PP.15) | フォトニック結晶 導波路の幅を変調 直径200nm程度の穴を三角格子状に配列 穴の位置を局所的に3～9nm移動 Q値120万 | 160 240 |
| 2007年 2月号 | 回路線幅55nmのシステムLSI量産技術 | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年11月6日PP.1) | DRAM混載 液浸露光 ゲート絶縁膜上にハフニウム極薄膜 | 160 |
| 2007年 2月号 | FED材料に適した2層CNT | 産総研 ノリタケカンパニーリミテッド | 日経産業新聞 (2006年11月8日PP.11) 日刊工業新聞 (2006年11月8日PP.28) | CNT長さ2.2mm 純度99.95% 2層CNT含有率85%以上 「スーパーグロース法」 水分添加CVD法を改良 電解放出ディスプレイ用の電極 均一な電子放出特性 | 120 160 250 |
| 2007年 2月号 | 単層CNT加工技術 | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年11月27日PP.9) 日刊工業新聞 (2006年11月27日PP.23) | スーパーグロース法 シートや針など様々な形の塊状に固める 単層CNTを多様な形状にデザイン 配向高密度化集合体 高純度で超長尺な単層CNTを束ねる | 160 220 260 |
| 2007年 2月号 | Si基板の青色LED | 紫明半導体 | 日経産業新聞 (2006年11月9日PP.1) | 20mAで輝度1.5～2cd サファイア バッファ層 下部に電極取り付け可能なためコストダウン可 最高10mW Si基板とGaN系の結晶を作製 | 160 250 |
| 2007年 2月号 | 凹凸がナノ級のUV照射無電解メッキ | 関東学院大 | 日刊工業新聞 (2006年11月16日PP.1) | ポリイミドフィルム 液晶ポリマー 数分間のUV照射で材料に凹凸をつけずに表面改質 Cu・Ni・Pの合金を下地メッキ スパッタリングに比べて低コスト | 160 |
| 2007年 2月号 | ガラス基板に微細バネ構造 | 理研 | 日経産業新聞 (2006年11月16日PP.10) | ガラス基板の表面を水をはじく物質でコーティング 光硬化性樹脂 銀イオン水溶液 屈折率マイナスの光学素子 一辺2μmの立方体の上に微細なバネがのった形状 5μm間隔で800個 | 160 220 240 260 |
| 2007年 2月号 | 明るい部屋でも鮮明なプロジェクタ用スクリーン | 帝人 | 日経産業新聞 (2006年11月30日PP.1) | ハイブリッドスクリーンスプレンダ 基盤層上にμmレベルの溝をある角度に均一加工した金属素材の反射層 コントラストレベル97:1 | 130 160 250 350 |
| 2007年 1月号 | LED向けGaN結晶を横向きに成長させる技術 | ローム | 日経産業新聞 (2006年10月18日PP.9) | 緑色レーザ 六角柱の結晶構造 トリメチルガリウム アンモニア 2mW出力 波長500nmの光を出すことに成功 | 160 250 |
| 2007年 1月号 | 現像液4割減の液晶パネル工場用システム | 三菱化学エンジニアリング | 日経産業新聞 (2006年10月19日PP.1) | 不純物の炭酸塩の濃度を常時測定し一定に保つように現像液を入れ替え | 160 250 |
| 2006年12月号 | フィルム中に金ナノ粒子を作製 -立体ナノ配線に道- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年9月4日PP.28) | PVAフィルム ラジカル前駆体(ベンゾフェノン)と金イオン1～5%をドープ 波長が異なる二つのレーザを照射 ギ酸がない場合に比べ金ナノ粒子の生成速度は約20倍 | 260 160 |
| 2006年12月号 | 光遮断機能をもつ強誘電体 | 東大 JST | 日刊工業新聞 (2006年9月8日PP.29) | エルビウム 光アイソレータと光増幅器の機能 チタン酸バリウム | 120 160 240 |
| 2006年12月号 | DRAMの消費電力を10%削減 -絶縁膜材料に水使用- | 日立 | 日刊工業新聞 (2006年9月14日PP.37) | Al2O3絶縁膜 成膜時間半減 シリコン酸窒化膜 漏れ電流抑制 界面の酸化を回避 酸化膜換算膜圧2.9nm | 230 160 |
| 2006年12月号 | フルメタルゲートCMOS | 半導体先端テクノロジーズ(Selete) | 電波新聞 (2006年9月13日PP.1) | 回路線幅45nm以降 0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜 デュアルメタルCMOSプロセス 窒化ハフニウムシリケート(HfSiON) | 160 220 |
| 2006年12月号 | 有機TFT大規模化技術 | 日立 神奈川大 | 日経産業新聞 (2006年9月14日PP.13) | 印刷技術 リソグラフィで材料の位置合わせ ポリカーボネート基板 誤差0.1μm以下 | 250 220 160 |
| 2006年12月号 | 明るさ1.8倍のLED | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年9月21日PP.11) | ナノサイズの微細な凹凸 自己組織化 ポリスチレン ポリメタクリル酸メチル 高分子塗布 200℃で加熱 150～200nm間隔に直径100nm高さ450～500nmの円柱状の突起 | 250 160 |
| 2006年11月号 | 特殊フィルムで半導体を実装 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス | 日経産業新聞 (2006年8月3日PP.1) | 異方性導電膜(ACF) パッドの材質に均等に圧力がかかるものを使用 | 120 160 260 |
| 2006年11月号 | ZnOの液晶パネル用透明導電膜 | 高知工科大 | 日経産業新聞 (2006年8月4日PP.1) | ZnOで酸化インジウムスズ(ITO)並みの電気抵抗を実現 反応性プラズマ蒸着装置 膜厚30nmで電気抵抗率4.4μΩm | 160 250 |
| 2006年11月号 | 光導波路向け微細金型 | アルプス電気 | 日経産業新聞 (2006年8月11日PP.1) | MEMS 導線幅10μm ナノインプリント 光導波路 | 160 260 |
| 2006年11月号 | MEMS技術を用いた携帯電話用高周波スイッチ | オムロン | 日刊工業新聞 (2006年8月18日PP.9) | 開閉回数10億回以上 量産技術確立 膜厚制御などの加工精度1%以下 | 160 240 260 |
| 2006年11月号 | 有機ナノデバイス -整流作用を確認- | 自然科学研究機構 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年8月24日PP.1) | nm径の円筒状単層CNTにポルフィリン分子吸着 自己組織化 Si製の1/10 | 120 160 220 |
| 2006年11月号 | GaInNAs半導体レーザ -40Gbps動作に成功- | 日立 | 電波新聞 (2006年8月25日PP.1) | Alフリー分子線エピタキシ技術 活性層 逆メサ型リッジ構造 | 120 160 240 |
| 2006年11月号 | カーボンナノウォールを効率よく大量生産 | 横浜市大 石川島播磨 | 日刊工業新聞 (2006年8月28日PP.1) | プラズマCVD装置 約10㎝角の基板でも均一に作製可能 | 120 160 |
| 2006年11月号 | 長さ3.5mmで光を100倍増幅する高分子光導波路 | KRI | 日刊工業新聞 (2006年8月29日PP.1) | ナノ粒子合成・分散技術 ユーロピウムを添加 希土類-金属ナノクラスタ 消光現象を抑制 希土類元素の添加濃度5% | 160 240 |
| 2006年10月号 | 発光効率100倍の緑色LED | 京大 日亜化学工業 | 日経産業新聞 (2006年7月3日PP.10) | GaN結晶 歪みが少ない半極性面を発光に利用 | 160 250 |
| 2006年10月号 | テラヘルツ光検出技術 | 理化学研 JST | 日刊工業新聞 (2006年7月7日PP.31) 日経産業新聞 (2006年7月7日PP.8) | CNTでつくったトランジスタ 単電子トランジスタ 極低温領域で光子として量子的に検出 CNT人工原子 テラヘルツ光の周波数約2.5THz | 120 160 320 660 |
| 2006年10月号 | 立体映像を記録したホログラムの安価量産技術 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2006年7月11日PP.10) | ナノインプリント 微細金型 透明レジスト膜 光硬化性樹脂 紫外線照射 | 160 430 |
| 2006年10月号 | 低電圧で柔軟な動きのアクチュエータ | 東大 産総研 JST | 日経産業新聞 (2006年7月18日PP.9) | イオン液体 厚さ0.1mm×縦2cm×横3～4mm CNT 2～3Vの交流電圧で駆動 | 160 250 |
| 2006年10月号 | SiでLED | 日立 | 日経産業新聞 (2006年7月25日PP.10) | 厚さ9nm 発光波長約1000nm 厚さ700μmのSi基板上に厚さ約200nmのSi酸化膜とそのうえに厚さ50nmのSi膜 | 160 250 |
| 2006年10月号 | 直接メタノール型燃料電池向け電解質膜 | 首都大学東京 JST | 日経産業新聞 (2006年7月28日PP.10) | 電解質膜150μm 微細な穴をあけたシリカ膜 Hイオンの導電性が高い炭化水素系高分子の電解質 | 160 250 |
| 2006年 9月号 | 直径1㎝の青色LEDの円形素子 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2006年6月1日PP.11) | サファイア基板上に半導体結晶を成長 2種類の半導体をGaNで作製 明るさ向上 | 250 160 |
| 2006年 9月号 | 強度2倍層間絶縁膜 -50nm世代メモリー向け- | 日立 日立化成 | 日刊工業新聞 (2006年6月13日PP.27) | 塗布型 強固な分子構造 耐熱性800℃ 比誘電率2.4 薬品耐性向上 平坦性維持 | 160 |
| 2006年 9月号 | 55nm素子形成技術 -SRAMで実用性確認- | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 酸窒化膜上に極薄膜のハフニウムシリケートを載せたゲート絶縁膜 トランジスタのしきい値制御範囲拡大 漏れ電流10%低減 ArF液浸露光装置 | 160 220 |
| 2006年 9月号 | 128MbキャパシタレスDRAMの動作実証 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年6月19日PP.1) | 酸化膜埋込み基板(SOI)の浮遊ボディ(FB)に電荷を記憶 2倍の高密度と低コスト化 | 160 230 |
| 2006年 9月号 | 発光ダイオードの光を鮮明に出せるプリント基板材料 | タムラ製作所 | 日経産業新聞 (2006年6月21日PP.1) | 液晶部品向け 白か黒色の顔料を配合して使い発光を強調 ソルダーレジスト | 160 |
| 2006年 9月号 | 半導体レーザのビーム形状を自在に制御 | 京大 ローム JST | 日刊工業新聞 (2006年6月22日PP.34) 日経産業新聞 (2006年6月22日PP.11) | 2次元フォトニック結晶 レーザ共振器の構造を制御して光分布を変化 格子点や格子間隔を変化 現在の数十倍の記録容量を持つ光ディスクの光源に利用可能 光ピンセットに応用可能 | 120 160 250 |
| 2006年 9月号 | 縦型構造のGaNトランジスタ | 松下電器 | 電波新聞 (2006年6月28日PP.1) | 微細セルフアライン工程 チャネル幅0.3μm 単位デバイス幅1.2μm In・Alを添加したInAlGaN4元混晶を20nm成長 | 160 220 |
| 2006年 8月号 | らせん状の多角形CNTを確認 -高い電界放出・強度特性- | JFEエンジニアリング | 日刊工業新聞 (2006年5月9日PP.25) | 長手方向にらせん状にねじれ アーク放電方法 高結晶性 鋼の役10倍の強度 | 120 160 |
| 2006年 8月号 | 単層CNTの新合成技術 -後処理不要 純度97%ー | 産総研 | 日刊工業新聞 (2006年5月12日PP.25) 日経産業新聞 (2006年5月12日PP.9) | 構造欠陥1/10以下 直噴熱分解合成法(DIPS法)を改良 量産性100倍 CNTの直径を0.1nm単位で制御可能 | 120 160 |
| 2006年 8月号 | ストレージ用磁気テープの基礎技術 -記録密度15倍以上へ- | 富士写真フイルム 米IBM | 日経産業新聞 (2006年5月17日PP.1) | 6.67Gbpiの記録密度 酸化鉄粒子層の上に65nm厚でバリウムフェライトを塗布 粒子直径21nm 長期保存性 テープ1巻あたり8Tbyte目標 | 130 120 160 |
| 2006年 8月号 | 抵抗などを内部に印刷したプリント積層基板 -厚さ従来の6割- | トッパンNECサーキットソリューションズ | 日経産業新聞 (2006年5月30日PP.1) | 8層 チップの厚み30μm程度 配線構造見直し 基板の厚さ0.5mm コンデンサは銅配線の上に誘電体樹脂を印刷し導電性樹脂で挟み込む 抵抗は銅配線を銀メッキし上から炭素樹脂を印刷 | 160 260 |
| 2006年 8月号 | 鉛フリーはんだ用新型洗浄剤 | 荒川化学工業 | 日経産業新聞 (2006年5月30日PP.17) | フラックス 界面活性剤 不純物除去精度向上 洗浄液寿命3～4倍 | 120 160 |
| 2006年 7月号 | 線幅30μmの基板用樹脂剤 | 関西ペイント | 日経産業新聞 (2006年4月5日PP.1) | スクリーン印刷法 直径1μm以下の無機材料でレジスト剤の粘性を制御 ICタグ | 120 160 340 |
| 2006年 7月号 | 共鳴トンネルダイオード使用で新回路動作に成功 | 上智大 独デュースブルク・エッセン大 | 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) | 超電導ジョセフソン接合素子(JJ) 室温で200GHz動作可能 4RTD回路 Al・Asの二重障壁層とIn・Ga・As系の積層構造で井戸層からなるRTD 試作サイズ15～25μm2 論理積(AND)論理和(OR)回路 | 160 120 220 |
| 2006年 7月号 | 液体でSiTFT | セイコーエプソン JSR | 朝日新聞 (2006年4月6日PP.3) 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.9) | HとSiを含む液体材料 回転塗布またはインクジェットで成膜 厚さ300nmのSi膜パターン シラン化合物 500℃前後で焼成 コスト半分 消費電力1/10程度 | 120 160 220 250 |
| 2006年 7月号 | 書き込み速度1000倍の次世代メモリー | 静大 シャープ | 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.1) | RRAM(抵抗式随時書込み読出しメモリー) TiNを活用 読出し時間20ns/bit 既存施設の利用可能 TiNの表面にTiO2薄膜 2V程度の電圧による抵抗値の変化利用 | 120 160 230 |
| 2006年 7月号 | 黒鉛基板上の銀ナノ粒子加熱で液化せず蒸発 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年4月12日PP.29) | 透過型電子顕微鏡(TEM) 黒鉛基板を680℃で保持 約2分で消滅 ナノ粒子により融点が下がる | 160 |
| 2006年 7月号 | 記憶型モノクロ液晶ディスプレイ -電源オフでも画像保持- | シチズン時計 | 日経産業新聞 (2006年4月13日PP.1) | 粘度の高い強誘電材料 配向膜に無機性材料 液晶分子が20°の傾きで均一に並ぶ パッシブマトリクス型 画像書込み時以外は電力不要 厚さ1.7μm 駆動電圧5V 消費電力1μW/cm2 | 120 250 160 |
| 2006年 7月号 | 1TbitHDD向けパターン磁気記録技術 | 早大 | 日刊工業新聞 (2006年4月18日PP.33) | 湿式法 直径10nmの微細孔 直径2nmの有機シラン Co系合金 ドット径10～20nmの磁性ナノドットアレイ | 120 160 230 |
| 2006年 7月号 | 携帯向け低消費電力液晶パネル | 日立ディスプレイズ | 日経産業新聞 (2006年4月19日PP.1) | 画像切替え時のみ電力供給 低温p-SiTFT型 解像度120×160dot 制御回路を内蔵 26万2千色 試作1.3インチμW | 250 160 120 |
| 2006年 7月号 | 500mめどの高温超電導線材 | フジクラ | 日経産業新聞 (2006年4月28日PP.1) | Y系線材 GdとZrの酸化物の中間層 | 120 160 140 |
| 2006年 7月号 | 量子暗号通信を高速化 -光子検出器動作80倍- | 日大 | 日刊工業新聞 (2006年4月28日PP.1) | 光通信波長1.55μm帯で800MHz APD 光子検出電流を下げてノイズ低減 | 160 250 340 |
| 2006年 7月号 | 磁極の向きを変え光制御 | 産総研 科学振興機構 | 日経産業新聞 (2006年4月28日PP.11) | 光の進路を制御 圧電性と磁石の性質を併せ持った素材 FeGaO3の単結晶に4μmの溝 500Gで回折光の差が2% | 120 160 240 |
| 2006年 7月号 | 固体型色素増感太陽電池 | 桐蔭横浜大 | 日経産業新聞 (2006年4月21日PP.8) | 大きさ1cm角 厚さ2mm 色素付着のTiO2とポリアニリンで被膜したC粒子をガラス基板で挟む 光電変換効率4% | 250 120 160 |
| 2006年 6月号 | CNT素子の新作成法 -電流変動1/1000- | 阪大 産総研 JST | 日刊工業新聞 (2006年3月1日PP.25) 電波新聞 (2006年3月14日PP.6) | CNTトランジスタ 電流の変動0.01% フォトレジストを改善 4μmの電極間に直径1.5nmのCNT CNTをSiN膜で保護 不純物を一切つけない新しいプロセスの開発 | 160 220 |
| 2006年 6月号 | 屈折限界超すナノレンズ -金属ナノ構造と光の相互作用で実現した波長を超える高解像度- | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2006年3月2日PP.27) | 表面プラズモン 金属ロッドアレイ メタマテリアル構造 生体細胞ナノサイズで撮影可能 光の収差 プラズモニクス 金属錯イオンを2光子還元 負の屈折率 | 120 160 310 |
| 2006年 6月号 | 白色レーザ発振可能なフッ化物ファイバ | 住田光学ガラス | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 1本で青色半導体レーザを白色レーザとして連続発振 PrをAlF系ガラスに含ませた独自素材 522nm・635nmとあわせ440nm ディスプレイ光源 高い変換効率 三原色の高い色再現性 | 120 160 240 250 |
| 2006年 6月号 | 次期光波網用MEMS中空導波路 -波長可変幅1桁向上- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2006年3月22日PP.19) | 微小電気機械システム 中空コア 上の反射板のMEMSで波長を変化 下の反射板の回折格子で波長選択 数百nmの変化幅 | 160 240 250 |
| 2006年 6月号 | 明るさ2倍の液晶 | 米クレアボヤンテ | 日経産業新聞 (2006年3月22日PP.1) | 一部の画素で青を除き代わりに白色光を加える | 250 160 |
| 2006年 6月号 | 光で動く分子ピンセット | 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月23日PP.31) | 大きさは1nm 伸縮はアゾベンゼン 軸回転はフェロセン 塩基分子をつかむ亜鉛ポルフィリン 分子ロボット | 120 160 |
| 2006年 6月号 | チップ状反応器で水素 -燃料電池小型化へ- | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年3月24日PP.8) | マイクロリアクター 金属基板に幅50μm×深さ4mmの溝を数本作った構造 炭素系燃料から水素発生 DMEを燃料で20W可能 | 250 160 |
| 2006年 6月号 | 再構成可能な光合分波器 -フォトニック結晶で実現- | 東大 NEC | 日刊工業新聞 (2006年3月29日PP.37) | 波長を変えて光経路を切替え R-OADM PCの対応波長幅約10nm 埋込みSOI基板のSi層に周期的に孔 | 160 240 |
| 2006年 6月号 | 量子もつれ振動を観測 | NTT JST | 日刊工業新聞 (2006年3月31日PP.37) | 超電導量子ビットと単一光子の組合せ 超電導量子ビットと電気回路を微細加工技術で同一半導体チップ上に作製し極低温で測定 | 160 320 |
| 2006年 5月号 | すりつぶすだけでナノ結晶 | 海洋研究開発機構 | 日刊工業新聞 (2006年2月2日PP.1) | フラーレン C60 C70 数分すりつぶす 約30%が直径数μm以下 毒性なし | 120 160 |
| 2006年 5月号 | 世界最小のICチップ | 日立 | 日経産業新聞 (2006年2月6日PP.8) | ミューチップ 0.15mm角 7.5μm厚 SOI技術 絶縁層で干渉を防止 素子の高集積化 | 160 220 340 |
| 2006年 5月号 | キャパシタの蓄電効率10%改善 -電極抵抗1/4に- | 東海大 | 日経産業新聞 (2006年2月15日PP.11) | ナノテク素材 電気二重層キャパシタ 50mgの活性炭に直径10nm長さ100μmのCNT加え直径約1cm厚さ1mmの電極 電極の抵抗2.5Ω 厚さ3mmで2.5F | 120 160 250 |
| 2006年 5月号 | 超高輝度有機EL -テレビの6万倍の明るさ- | 信州大 | 日刊工業新聞 (2006年2月17日PP.27) | 1850万cd/m2 発光面積約0.03mm2 パルス幅5μsでパルス電圧付加 100MHz以上の安定した光変調を確認 材料構造と素子構造を工夫 有機EL層を2つの反射鏡で挟んだマイクロキャビティ構造 | 160 250 |
| 2006年 5月号 | 有機発光トランジスタで8×8のアクティブマトリクスディスプレイパネル | ローム パイオニア 三菱化学 京大 | 電波新聞 (2006年2月21日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年2月21日PP.12) | 有機スイッチングトランジスタ 黄色に発光 発光外部量子効率0.8% 表面改質したSi酸化膜のゲート絶縁膜表面にTPPyにルブレンをドープした共蒸着膜を形成 駆動電圧80V 1000cd/m2 | 160 220 250 |
| 2006年 5月号 | 銅ナノインク開発 | 旭化成 | 日刊工業新聞 (2006年2月22日PP.23) | 印刷技術活用 Cu配線や薄膜を低コスト形成 厚さや線幅をμmオーダーで制御可能 酸化膜のナノサイズ微粒子と酸化還元剤をインクに配合 塗布後焼成 エッチング工程不要 | 130 160 120 |
| 2006年 5月号 | テラヘルツ光用新型レーザ -コスト1/100- | 情通機構 東大 | 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.1) | 透過撮影用光源 量子カスケードレーザ 縦3mm 幅500μm 厚さ10μm GaAs化合物半導体の多層膜構造 3.4THz 動作温度-220℃ | 120 160 250 |
| 2006年 5月号 | 回路線幅29.9nmパターン生成 -深紫外線光リソグラフィ- | 米IBM JSR | 電波新聞 (2006年2月22日PP.3) 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.3) | DUV193nm 光屈折率液侵技術 石英レンズや有機液体などの新素材 EUV(極紫外線)でなくArF対応ステッパの継続使用可能 独自開発のフォトレジスト | 120 160 |
| 2006年 5月号 | 電界集中効果2割増のCNT束エミッタ -ランプやディスプレイなど多用途- | 高知工科大 大阪大 ソナック | 日刊工業新聞 (2006年2月24日PP.29) | しきい電界強度0.4～3V/μm 直径50μm 高さ125μm 個々のCNTの直径9nm フォトエッチング法 CVD法 | 160 250 |
| 2006年 4月号 | ペースト状ナノ粒子 -幅20μm配線可能に- | 大研化学工業 大阪市立工業研 | 日経産業新聞 (2006年1月1日PP.21) | AgとPdの合金ナノ粒子 直径5nm 樹脂と混ぜる スクリーン印刷 プラスチック基板に回路パターンを書く 加熱300℃で樹脂が分解 | 120 160 |
| 2006年 4月号 | 金属内包フラーレン1個でスイッチ動作 | 東工大 名大 | 電波新聞 (2006年1月5日PP.7) | 分子ナノデバイス 融合新興分野 Tb@C82 自己組織化分子膜 測定温度-260℃ | 120 160 660 |
| 2006年 4月号 | 端子間配線間隔12μmのLCD駆動用ICのプリント基板 | 東レ | 日経産業新聞 (2006年1月20日PP.1) | エッチング工程の一部を工夫 銅メッキ膜を安定してエッチング | 160 250 |
| 2006年 4月号 | 液晶フィルム新素材 | 慶応大 JST | 日本経済新聞 (2006年1月20日PP.17) | 複屈折を抑えるnmサイズの微粒子 ポリカーボネート樹脂に約50nmのSrCO3粒子を加える 押し出し成形 40μm厚 | 120 160 |
| 2006年 4月号 | 発電効率2.6倍小型燃料電池 | クラレ | 日経産業新聞 (2006年1月24日PP.1) | 厚さ50μmのエラストマー 水素イオンチャネル MEA ダイレクトメタノール(DMFC)方式 高分子膜加工技術を応用 H+の透過度1.5倍 メタノールの透過量6割 | 120 160 250 |
| 2006年 4月号 | ZnOの量産用結晶 -LED基板などへの応用期待- | 東京電波 | 日経産業新聞 (2006年1月31日PP.9) | 3インチウェハ用結晶 約2万個の基板切り出し可能 サファイア基板の4倍近い明るさ サファイアの半額程度の価格 炉の中の最適温度・圧力を決定 | 120 160 250 |
| 2006年 3月号 | 10nm未満素子集積にめど
-バルク素子のオンオフ電流比を6倍に- | NEC NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2005年12月5日PP.22) | 自己整合的に10nmのソースドレイン拡張領域(SDE)と厚いソースドレイン(S/D)を一度に作り上げるSi選択成長によるせり上げ技術 酸化Siライナー | 160 220 |
| 2006年 3月号 | 立体構造トランジスタの製造技術
-32nmLSI実現へ- | 東芝 | 日経産業新聞 (2005年12月8日PP.10) | フィンFET ゲート長20nm 不純物によりリーク電流を抑圧 寸法のばらつきをなくし歩留まり向上 基板上に立てたチャネルをゲートが挟み込む構造 | 160 220 230 |
| 2006年 3月号 | LEDの平面光源 | オムロン | 日経産業新聞 (2005年12月9日PP.1) | 大型液晶テレビ用 3cm角の範囲を均一に照らす 厚さ約6mm 白色の樹脂に透明樹脂をかぶせた二重構造 | 160 250 |
| 2006年 3月号 | 駆動電流を半減したPRAM | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2005年12月13日PP.8) | Ge・Sb・Teの金属間化合物にOを添加 0.1μmの薄膜素子 書込み電流100μA | 120 230 160 |
| 2006年 3月号 | 16倍速の二層式DVD向け有機色素 | 富士写真フイルム | 日経産業新聞 (2005年12月14日PP.8) | C・O・Nなどを合成 オキソライフと呼ぶ色素を基に開発 インバーススタック法 データ保存100年以上 隣接トラックへの熱の干渉を低減 ピットを作りやすくする機能 | 120 160 230 |
| 2006年 3月号 | 5TB目指す3.5インチ型HDDの大容量化 | 米日立GST | 日経産業新聞 (2005年12月15日PP.10) | ディスク表面の磁性層を細切れにする レーザでディスク表面を熱してデータ書込み | 230 160 |
| 2006年 3月号 | 明るさ256倍の白色LED材料 | 出光興産 慶応大 | 日経産業新聞 (2005年12月15日PP.11) | 直径10nmの蛍光体粒子にして光の散乱を抑圧 YAG(Y3Al5O12)蛍光体 青色LEDからの光を吸収し白色光を出す 光の透過率80% 300℃の液体中で加圧合成 | 120 160 250 |
| 2006年 3月号 | 起立型ダブルゲートMOSトランジスタ
-中性粒子ビームエッチング技術確立- | 産総研 | 電波新聞 (2005年12月16日PP.6) | 時間変調塩素プラズマ 加速した負イオン効率よく中性化 Si基板表面の平坦性も1nm以下 | 160 360 |
| 2006年 3月号 | 無線機能を備えた曲がるCPU | 半導体エネ研 TDK | 日経産業新聞 (2005年12月16日PP.1) | 暗号処理機能 ガラス基板上に形成したトランジスタをプラスチック基板上に転写 13.56MHz帯 IC部分は14mm角 通信距離は数mm 厚み0.2mm 1.8V駆動で消費電力4mW | 160 220 260 340 |
| 2006年 3月号 | 金属ナノ構造で光ナノイメージング技術 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2005年12月22日PP.21) | 細い銀線(銀ナノ円柱)を剣山のように並べた構造 表面プラズモン ナノサイズの微細な構造までがクリアに結像 | 160 210 120 260 |
| 2006年 3月号 | 電流で曲がるシート状駆動装置
-印刷で製造可能に- | 日立 | 日本経済新聞 (2005年12月23日PP.13) | 小型アクチュエータ 厚さ約0.1mmのプラスチックフィルム上に印刷 数十Vで180°近くまで曲がる 高分子の有機材 炭素粒子界面活性剤 | 120 160 250 |
| 2006年 3月号 | 印刷によりプラスチック基板上にメモリー素子作製 | 産総研 | 電波新聞 (2005年12月26日PP.5) | 全印刷フレキシブルデバイス FeFET 3×3アレイ 生体高分子材料 | 120 160 230 |
| 2006年 3月号 | 高密度・高均一な量子ドットの製造に成功 | 産総研 | 電波新聞 (2005年12月30日PP.5) | 通信用半導体レーザ 大きな光増幅 40GHzを超える高速直接変調動作が理論的に可能 1.3μmでレーザ発振動作 As2分子線 組成傾斜歪み緩和層構造 | 160 250 120 |
| 2006年 2月号 | 読出し速度30%高速化のSRAM -待機時漏れ電流1/100- | 日立 | 日刊工業新聞 (2005年11月1日PP.25) | ダブルゲート構造の完全空乏型埋込み酸化膜(FD-SOI) チップあたりの電池寿命20倍 背面ゲートに逆バイアス BOXを10mm | 160 230 |
| 2006年 2月号 | 磁気抵抗比55%のMRAM -パーマロイ系材料を使用- | 東芝 NEC | 日刊工業新聞 (2005年11月2日PP.26) | 磁気トンネル接合(MTJ)の磁気固定層にAl2O3のトンネル絶縁層を介してNiFeのパーマロイ系フリー層を積層 新キャップ層として非磁気層のNiFeZr 512KbMRAM試作 | 160 230 120 |
| 2006年 2月号 | 1000万画素のCCD | シャープ | 日刊工業新聞 (2005年11月2日PP.11) | 光学系サイズ1/1.7 画素サイズ2.05μm独自の微細加工で感度維持 | 160 210 |
| 2006年 2月号 | ナノ構造の人工金薄膜 -旋光特性が自然界の500倍- | 東大 | 日刊工業新聞 (2005年11月14日PP.28) | 鏡面非対称のキラルパターン 25nm厚の金薄膜に500nmの卍型パターンを周期的に構成 可視光の偏光は1.5°回転 | 160 250 120 |
| 2006年 2月号 | Si基板にナノサイズのらせん孔 -深さ25μm 10分で形成- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2005年11月16日PP.25) | 直径100nm Pt粒子表面にH2O2が還元されて発生した活性酸素がSiを酸化しSiO2発生 HFによりSiO2が解けて孔発生 | 160 260 |
| 2006年 2月号 | 発光効率2倍の白色LED | 名城大 | 日経産業新聞 (2005年11月16日PP.1) | 130lm/W 紫色LEDを使いシリコンカーバイド基板で光を変換 | 160 250 |
| 2006年 2月号 | 次世代光メモリー「RRAM」 -既存の電子材料- | NTT | 日経産業新聞 (2005年11月21日PP.10) | 抵抗式随時書き込み読み出しメモリー Bi4Ti3012の30～50nmの薄膜を電極で挟む ECRスパッタ法を利用 | 120 160 230 |
| 2006年 2月号 | 曲面に貼りつけ可能なICラベル | トッパンフォームズ | 日経産業新聞 (2005年11月21日PP.7) | 磁性体をインクのように薄くする技術 磁性体の厚み0.5mm以下 | 120 160 340 |
| 2006年 2月号 | 寿命2倍の青色有機EL | 出光 | 日経産業新聞 (2005年11月22日PP.3) | 23000時間 熱に強い分子構造 | 120 160 250 |
| 2006年 2月号 | 新イメージセンサSMPD | 韓国電子技術研 | 電波新聞 (2005年11月25日PP.3) | 単一キャリヤ変調フォトデテクタ 180nmプロセス技術 | 160 210 |
| 2006年 1月号 | 次世代メモリーPRAM | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2005年10月6日PP.1) | 1.5Vでデータの読み書き可能 厚さ100nmの薄膜をMOSトランジスタ上に配線 | 230 160 |
| 2006年 1月号 | ナタデココで新基板材 -曲がる有機EL- | パイオニア 京大 三菱化学 | 日経産業新聞 (2005年10月17日PP.21) | 厚さ1mm以下 ガラス並みの強度 熱膨張係数はSiの1/30 バイオナノファイバコンポジット 平行光線85%以上透過 繊維質 | 250 120 160 |
| 2006年 1月号 | 白色LED -粒子40nmに- | 日東電工 | 日経産業新聞 (2005年10月18日PP.1) | YAG蛍光体 気相法 光の散乱を押さえ込みやすい | 250 120 160 |
| 2006年 1月号 | LEDバックライト -明るさ20%向上- | ミネベア 日亜化学 | 日経産業新聞 (2005年10月18日PP.1) | 6000cd/m2 光源を封止する樹脂が球面状 光の照射幅140度 試作2.4インチサイズ | 160 250 |
| 2006年 1月号 | 化学反応によるMRAMエッチング技術 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2005年10月19日PP.1) | 時間変調(TM)プラズマ 高周波電界の供給を数十μs間隔でパルス的に行う 負イオン 生成物の離脱・蒸着 MRAM0.15μm世代 | 160 230 |
| 2006年 1月号 | 金型でLSI製造 -線幅40ナノ回路に対応- | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2005年10月19日PP.3) | 従来の1/10の時間で作ることに成功 ナノインプリント 8インチウェハサイズ エッチングやメッキなどの工程を改良 | 160 220 230 |
| 2006年 1月号 | 半導体デバイス閾値電圧を低減 -単一イオン注入法(SII)で不純物原子を制御- | 早大 | 日刊工業新聞 (2005年10月20日PP.1) | 閾値電圧ゆらぎ低減 閾値電圧0.4V 60nm精度の位置制御 Si基板にP原子を100nm間隔で規則配列注入 | 160 |
| 2006年 1月号 | 量子ドットを活用した半導体レーザ | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年10月24日PP.11) | InAs製 直径15nm GaAs基板上に1000億個/cm2形成 5層積層 波長1.3μmのレーザ光発振 10GHz高速光通信 | 160 250 120 |
| 2006年 1月号 | FELの発光効率高める | 高知県産業振興センター | 日経産業新聞 (2005年10月27日PP.8) | 厚さ10nm以下のダイヤモンド薄膜 カーボンナノウォール 1700cd/m2 発光効率60lm/W 5cm角の面発光光源試作 | 120 160 250 |
| 2005年12月号 | 無線識別(RFID)タグ -プラフィルムに印刷- | 産総研 | 日刊工業新聞 (2005年9月6日PP.25) | 金属インク 圧力アニール法 200℃以下で焼成 5～40MHzで動作 | 160 340 |
| 2005年12月号 | イットリウム系高温超電導線材 -従来比2.5倍- | 超電導工学研 | 日刊工業新聞 (2005年9月6日PP.25) | 臨界電流と線材長さの積51940Am YBCO線材 MPMT法 | 120 160 |
| 2005年12月号 | 光路切換え15μs動作の光スイッチ | 横浜国大 | 日刊工業新聞 (2005年9月7日PP.25) | 積層微小リング共振器 任意のアドドロップ可能 高屈折率1.8の誘電導体Ta2O5など バーニャ効果 消光比40db 隣接干渉性-20db FSR波長選択範囲を約7倍 | 120 160 240 |
| 2005年12月号 | 新原理のトランジスタ | 東北大 | フジサンケイビジネスアイ (2005年9月8日PP.9) | プラスチック製 ゲート部分の分子を電子化学的に酸化・還元させることで電流抵抗値を変化 1.2Vでオン・オフ比2000倍 ポリチオフェン | 120 220 160 |
| 2005年12月号 | 省電力世界一の緑色有機EL | 山形大 | 日本経済新聞 (2005年9月9日PP.17) | フルカラーで現在の半分程度の消費電力 電気を光に変換する効率90lm/W イリジウム錯体 | 250 120 160 |
| 2005年12月号 | 液晶ドライバLSI -配線ピッチ30μm- | シャープ | 日刊工業新聞 (2005年9月12日PP.11) | 高精細液晶テレビ フィルム素材や封止樹脂材料を改良 SOF | 120 160 250 |
| 2005年12月号 | 線幅32nmを実現する液浸露光用高屈折率液体 | 三井化学 | 日刊工業新聞 (2005年9月13日PP.19) | 屈折率1.63 環状アルカンを液浸向けに最適化 高透明度 低粘度 デルファイ | 160 120 |
| 2005年12月号 | コスト1/20のSi光スイッチ | NICT | 日経産業新聞 (2005年9月16日PP.6) | 160Gbps通信用 Si光経路を渦巻き状 切替え時間3ps ナノメートル単位の細い線上の経路 | 120 160 240 |
| 2005年12月号 | 高輝度青色発光素子 | 米カルフォルニア大 JSTなど | 日経産業新聞 (2005年9月22日PP.9) | 窒化ガリウム半導体結晶 「無極性」「半分極性」という異なる性質を持つ結晶薄膜 200ルーメン/W目標 可視光領域のレーザを簡単に作りわける 発生光は偏光性を持つ | 250 120 160 |
| 2005年12月号 | 消費電力1/10の青色LED | JST 米カルフォルニア大 | 朝日新聞 (2005年9月22日PP.3) | ERATO中村不均一結晶PJ GaNを工夫した基板上で結晶成長 | 120 160 250 |
| 2005年12月号 | 2層式で初の書換え型HD DVD | リコー | 日経産業新聞 (2005年9月26日PP.9) | 30GB 1000回書換え可能 記録層を2枚張り合わせる技術を採用 | 230 160 |
| 2005年12月号 | 直径6nm強磁性微粒子 | 筑波大 | 日経産業新聞 (2005年9月27日PP.10) | HDD向け FePt 保磁力10Oe オレイン酸とオレイルアミンの混合液を使用 | 120 160 230 |
| 2005年11月号 | 高出力燃料電池電解質膜 | 名工大 | 日刊工業新聞 (2005年8月1日PP.1) | メタノール型燃料電池 高分子膜ナフィオン内部表面層に無機成分を浸透 出力電流1.5倍 金属アルコキシド ゾルゲル法 | 120 160 250 |
| 2005年11月号 | フラーレン分子ナノスイッチ
-SAMで向きを制御- | 東工大 名大 | 日刊工業新聞 (2005年8月2日PP.25) | Tb原子1個 電気的極性 双極子モーメント STM Au基板上に厚さ約1nmのSAMを堆積 -260℃ 分子スイッチ技術 | 120 160 220 |
| 2005年11月号 | プラズマディスプレイのガス封印壁間隔を半減 | 東レ | 日経産業新聞 (2005年8月12日PP.1) | 感光性ペースト法 光硬化感光剤 サンドブラスト法よりコスト・歩留まりで優れる | 160 250 |
| 2005年11月号 | 高温超電導体臨界電流163A | 住友電工 | 日刊工業新聞 (2005年8月12日PP.1) | -196℃ 100m級のBi系線材 加圧焼成酸素の注入条件を最適化 粉末を均一化 結晶粒の向きを揃える | 120 160 220 |
| 2005年11月号 | 最薄の5μmのSiウェハ
-紙並みの曲がりに道- | 東京精密 | 日経産業新聞 (2005年8月24日PP.1) | 厚さ725μmのウェハを2種類のダイヤモンド砥石で10μm程度まで削った後SiOで研磨するポリッシュグラインダー | 160 360 |
| 2005年10月号 | 液晶バックライト輝度4割増 | 三菱レイヨン | 日経産業新聞 (2005年7月5日PP.1) | 100μm厚薄膜シート 非対称・非球面凹面鏡 アクリル樹脂 3000cd/m2 輝度最大約35%向上 | 160 250 |
| 2005年10月号 | 100GB光ディスク | シャープ | 日刊工業新聞 (2005年7月8日PP.12) | 記録層を二層化 レーザ光からの情報ピットを読取る超解像機能膜に特殊金属酸化膜を使用 青色レーザ | 160 230 |
| 2005年10月号 | 基盤の配線間隔3割狭く -液晶パネル 軽量・低コスト- | 三井金属 | 日経産業新聞 (2005年7月8日PP.17) | 配線間隔20μm 銅箔を垂直に削り取る COF(チップ・オン・フィルム)方式 | 250 160 |
| 2005年10月号 | 消費電力1/3の高速光通信用レーザ光源 | 日立 日本オプネクスト | 日経産業新聞 (2005年7月14日PP.8) | 発振波長1.55μm 出力2.5W Alを含む半導体材料で作った変調器を半導体レーザと同一基板に集積 | 120 160 250 |
| 2005年10月号 | 電源切っても表示できるカラー電子ペーパー | 富士通研 富士通フロンテック 富士通 | 日刊工業新聞 (2005年7月14日PP.1) | RGB三原色の各反射型液晶をフレキシブル基板に積層 カラーフィルタ不使用 偏光板不使用 | 160 250 |
| 2005年10月号 | 自然光に近い色可能な白色LED | ルミナス | 日経産業新聞 (2005年7月14日PP.1) | 青色LEDの光を赤と緑に効率よく変換 色温度2500～10000Kまでの白色 | 250 160 |
| 2005年10月号 | 最高のHD記録密度 | 富士電機HD | 日刊工業新聞 (2005年7月18日PP.7) | 垂直磁気記録方式 253GB/in2 | 160 230 |
| 2005年10月号 | 半導体レーザ製造技術開発 -コスト1/1000に- | 情通機構 | 日経産業新聞 (2005年7月29日PP.7) | 面発光レーザ GaAs基板にSb系化合物微粒子の量子ドット 波長1.55μm | 120 160 250 |
| 2005年 9月号 | 多層CNTの抵抗低減 | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年6月6日PP.1) | 内層伝導でW並み 抵抗値ビア当たり0.7Ω 1桁低減 Spring-8で炭化チタン層を確認 | 120 160 |
| 2005年 9月号 | 単層CNT 最高密度の垂直成長 -ダイヤ薄膜成長技術を用いて成功- | 早大 | 日刊工業新聞 (2005年6月8日PP.25) | 先端アークマイクロ波プラズマ励起化学気相成長法(PAMPCVD) 0.5nm厚のFeをアルミナ薄膜で挟む構造 20時間で2mm成長 体積密度66kg/m3 | 120 160 |
| 2005年 9月号 | 25GBのライトワンス型BD-R -スピンコート法で有機色素材料成膜- | パイオニア 三菱化学メディア | 電波新聞 (2005年6月10日PP.1) | ジッタ6.0% 反射率40% 再生専用BDと同等の特性 | 230 530 160 |
| 2005年 9月号 | 携帯LCDにDRAM集積 | NEC NEC液晶テクノ | 日刊工業新聞 (2005年6月9日PP.1) | 1画素18ビットを12ビットに圧縮 スマートピクセルデータ符号化(SPC) 510kbで24万色の高階調 第3世代SOG | 160 250 230 |
| 2005年 9月号 | 分子細孔法を用いた45nLSI向け低誘電率膜 | NEC NECエレクトロニクス MIRAIプロジェクト | 日刊工業新聞 (2005年6月14日PP.27) | 内径1nm以下の環状シリカ材料 誘電率2.4 65n世代に対して倍の配線密度と16%減の配線容量 | 120 160 |
| 2005年 9月号 | 線幅32nmLSI向け新技術 -新構造TR・新多層配線技術- | MIRAIプロジェクト | 電波新聞 (2005年6月14日PP.1) 日経産業新聞 (2005年6月14日PP.7) | 高電流駆動力 プロセス損傷抑制可能 歪みSi薄膜 歪みGe薄膜 局所酸化濃縮法 ポーラシリカ低誘電絶縁材料 | 120 160 220 |
| 2005年 9月号 | UWB用GaN-MMIC -高周波・高耐圧を実現- | 松下電器 | 電波新聞 (2005年6月15日PP.1) | 22GHz帯で最小雑音指数2.6dB 信号増幅率13dB IIP3入力時7.5dB サージ耐圧150V チップサイズ2.6×1.3mm2 | 120 160 220 |
| 2005年 9月号 | 新概念LSIゲート絶縁膜 -Hf添加で移動度15～20%向上- | 日立 ルネサステクノロジ | 日刊工業新聞 (2005年6月15日PP.25) | 65nm世代 ゲート絶縁膜とゲート電極界面に短分子膜に満たない微量のHfO2添加 バンド構造 仕事関数を制御 | 120 160 220 |
| 2005年 9月号 | 新型ホログラム光ディスク | GE | 日経産業新聞 (2005年6月16日PP.1) | 理論容量5TB 熱可塑性プラスチック 射出成型 一層構造 | 230 120 160 |
| 2005年 9月号 | AG・ANDフラッシュメモリ -書込み20倍高速化- | 日立 ルネサステクノロジ | 日刊工業新聞 (2005年6月17日PP.25) | 書込み速度100ns以下 最上位電圧の書込み時間10%短縮 従来0Vのソース電圧を負にしてホットエレクトロンの発生と浮遊ゲートへの電子の引き込み効率を向上 定電荷注入書き込み方式をビット線切り替え技術で改良 | 230 160 |
| 2005年 9月号 | 超高密度垂直磁気媒体制作技術 -陽極酸化アルミナナノホールを1次元配列- | 山形富士通 富士通研 KAST | 日刊工業新聞 (2005年6月27日PP.28) | Alの表面をナノインプリント技術で規則的な凹凸をつけて陽極酸化 凹部にナノホール ナノホールにCoを電気メッキで充填 ピッチ25nmで1Tb/sq inch可能 パターンドメディア垂直磁気記録層 | 120 160 230 |
| 2005年 8月号 | n型ダイヤモンド半導体 (001)面に初合成 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2005年5月10日PP.25) | 紫外線発光でpn接合確認 マイクロ波プラズマCVDでリンを添加して合成 | 160 220 |
| 2005年 8月号 | 1.55μm帯単一光子伝送 | 東大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年5月20日PP.1) | 量子暗号通信 量子ドットQD MOCVDでQD形状を最適制御 Cバンド InAs/InPで2段階にQDを埋め込む成長技術 | 120 140 160 |
| 2005年 8月号 | 有機ELパネルの新製法 -光触媒を活用し低コスト化- | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2005年5月23日PP.1) | ホール注入層の形成にインクをはじく光触媒を使用 発光材料塗布部分に紫外線で親水性化 2.4インチ試作パネル 従来の3倍程度の良品率 ITO(酸化インジウム錫)の陽極 | 160 250 |
| 2005年 8月号 | CNT添加導電性セラミックス | 阪大 | 日刊工業新聞 (2005年5月24日PP.1) | ZrO2に多層CNTを3～6%添加 放電加工可能 強度971MPa | 120 160 |
| 2005年 8月号 | 発光効率4～5倍のLED -フォトニック結晶を導入し 不要な発光を禁止- | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2005年5月27日PP.37) 日経産業新聞 (2005年5月27日PP.6) 読売新聞 (2005年5月27日PP.38) | 基本原理を実証 半導体に微細な周期構造 200nm厚のInGaAsP板に390～480nm間隔の穴 特定の波長(バンドギャップ波長)の光を禁止する性質 エネルギー再配分 | 250 160 |
| 2005年 8月号 | 光伝わる速さを1/40に減速 | 東大 | 読売新聞 (2005年5月29日PP.2) | 大容量光通信 実質的な速さ7500km/s ポリスチレン高分子樹脂の球 直径約5μm | 120 140 160 |
| 2005年 7月号 | 100GB2.5型HDD試作 | 日立グローバルストレージテクノロジー | 電波新聞 (2005年4月6日PP.2) 朝日新聞 (2005年4月6日PP.11) | 230Gb/in2 3.5インチサイズで1TB視野 垂直磁気記録方式 | 160 230 |
| 2005年 7月号 | 線幅6μmの液晶用ブラックマトリックス | 東京応化工業 | 日経産業新聞 (2005年4月7日PP.1) | 樹脂の固化時間1/2 架橋反応 固化に要する光エネルギー80mJ/cm2 | 250 160 |
| 2005年 7月号 | 世界最速のGaNトランジスタ | 情通機構 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年4月8日PP.29) | ミリ波周波数帯で動作 電流利得遮断周波数152GHz | 220 160 |
| 2005年 7月号 | 光硬化樹脂を用いたカーボンファイバ整列技術 | 首都大 | 日刊工業新聞 (2005年4月13日PP.27) | 垂直に揃える 引っ張り上げながら紫外線で硬化 直径150nmのカーボンファイバ混入光硬化樹脂をアクリル基板に吐出 5%で密集 FED用電子銃 | 120 160 |
| 2005年 7月号 | 液晶で光ダイオード -レーザ発振にも成功- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2005年4月25日PP.26) | 色素1%混ぜてレーザ発振 フォトニック結晶構造 コレステリック液晶でネマチック液晶を挟むヘテロ構造液晶 | 120 160 250 |
| 2005年 6月号 | 10倍速のMPU | 日本ユニサンティスエレクトロニクス | 日本経済新聞 (2005年3月9日PP.11) | 回路の微細化 SGT 円柱Si基板の外側に回路 | 160 220 |
| 2005年 6月号 | 90n世代システムLSIによるDRAM混載技術 -130n世代に比べセル面積60%に- | NECエレクトロニクス | 電波新聞 (2005年3月10日PP.1) | MIMキャパシタを形成する絶縁膜にZrO2 ALD方式 Ta2O5の3倍以上 Si3N4の5倍以上の電荷蓄積能力 最大500MHz | 120 160 |
| 2005年 6月号 | 1Tb級光スイッチ -エネルギー1/5で稼働- 図 | FESTA | 日経産業新聞 (2005年3月15日PP.7) | 制御用レーザ光出力100pJが20pJに 結合量子井戸構造 Al/As/Sb層とIn/Ga/As層の間に1nm以下のAl/As層 | 120 160 240 |
| 2005年 6月号 | 単層有機ELパネル -インタカレーターを使い高い発光効率- | 九大 | 日刊工業新聞 (2005年3月28日PP.1) | 多環芳香族分子 蛍光色素 大きさ約900の低分子 厚さ30nm 電圧7.7V 電流0.1Aで760cd/cm2 | 250 160 |
| 2005年 6月号 | 世界最高速GaNトランジスタ | 情通機構 | 日経産業新聞 (2005年3月29日PP.9) | 最高動作周波数152GHz ゲート長60nm ミリ波 | 220 160 |
| 2005年 6月号 | 1分で充電可能なリチウムイオン電池 | 東芝 | 日経産業新聞 (2005年3月30日PP.10) 日刊工業新聞 (2005年3月30日PP.14) | ナノテクノロジー 充電時間1/60 試作電池の厚さ約4mm×長さ約6㎝×幅3.5㎝ 重さ16g 金属のナノ微粒子を均一に並べた負電極 | 250 160 |
| 2005年 6月号 | 燃料電池向けの微細・均等な新触媒 | 日立マクセル | 日経産業新聞 (2005年3月31日PP.7) | PrRuにPを添加 触媒直径2nm 粒径ばらつき1.5～2.5nm | 250 160 |
| 2005年 6月号 | 電子移動速い新型TFTパネル量産 | 日立ディスプレイズ | 日経産業新聞 (2005年3月31日PP.7) | 電子移動が低温poly-Siパネルの2～3倍 SELAX(擬似単結晶Si) 2.4インチ | 220 250 160 |
| 2005年 5月号 | 微細孔1平方インチに400Gb | 群馬大 太陽誘電 日本ビクター | 日刊工業新聞 (2005年2月2日PP.1) | 超高密度ディスク用 外径20nm 電子描画技術 | 230 160 |
| 2005年 5月号 | CNTを電子線で容易に切断 | NTT | 日経産業新聞 (2005年2月3日PP.10) | 約100Vの電圧で発生させた電子線で切断 照射後空気と反応 | 160 120 |
| 2005年 5月号 | 2層CNT -高純度生成とナノペーパ調製- | 信州大 | 日刊工業新聞 (2005年2月3日PP.23) | 単層CNTと多層CNTlの良さを併せ持つ 気相成長法に新製法 DWNT | 120 160 |
| 2005年 5月号 | a-SiTFT製造技術 | 北陸先端大 | 日経産業新聞 (2005年2月8日PP.9) | 動作電圧変動1/6 有機EL用 触媒CVD タングステン触媒 シランガス・水素ガス | 160 220 250 |
| 2005年 5月号 | 薄くて曲がるフィルム状MPU | セイコーエプソン | 日本経済新聞 (2005年2月9日PP.1) 日経産業新聞 (2005年2月10日PP.7) | 8ビットMPU 厚さ0.2mm 低温Poly-SiTFT ガラス基盤上に作ってからフィルムに転写 | 160 220 |
| 2005年 5月号 | 2.0μm角画素サイズのMOSイメージセンサ 13とあわせて一件に | 松下電器 | 電波新聞 (2005年2月9日PP.1) | 0.15μmルール微細配線 4画素で1個検出アンプ回路 パルス電源方式 フォトダイオード面積比率30% 消費電力20mW 3400電子/lx・秒 1/4型200万画素 | 160 210 |
| 2005年 5月号 | 32nm世代の壁を越えた超微細化SRAM技術 | NEC | 日刊工業新聞 (2005年2月9日PP.1) | 読出しループを切ってデータを反転させない役割の素子 CMOSロジックとともに微細化・低電圧化に対応 面積9%増 | 160 230 |
| 2005年 5月号 | 画素密度2倍のCCD開発 9とあわせて一件に | 三洋電機 | 日本経済新聞 (2005年2月10日PP.13) | 画素の1辺の長さ1.56μm コンパクトディジタルカメラで1/4.5インチ310万画素 | 210 160 |
| 2005年 5月号 | 半導体二重ナノリング | 物材機構 | 日経産業新聞 (2005年2月15日PP.8) | GaAs製 内側リング直径40～50nm 外側リング直径100nm 高さ4～5nm 分子線エピタキシ 2ビット/リングの記録素子 | 120 160 230 |
| 2005年 5月号 | 世界初のSiレーザ | 米インテル | 電波新聞 (2005年2月18日PP.1) | 連続波 ラマン効果 波長1.68μm 効率5% 出力約8mW 電圧5Vまたは25V駆動 | 160 250 |
| 2005年 5月号 | 溶けやすいTFT有機材料 -製造コスト1/20に- | 旭化成 | 日経産業新聞 (2005年2月24日PP.1) | ペンタセンが溶ける 低分子有機材料 | 160 220 250 |
| 2005年 4月号 | 棒状金ナノ粒子 -吸収する光の領域自在に- | 三菱マテリアル | 日経産業新聞 (2005年1月1日PP.17) | 直径5～50nm 長さ20nm～数μm 塩化金酸H[AuCl4(下付)]・4H2(下付)O溶液に界面活性剤をいれ電流や光 600～1300nm波長光 | 120 160 |
| 2005年 4月号 | カラー表示電子ペーパー技術 | 千葉大 科学技術戦略推進機構 | 日経産業新聞 (2005年1月4日PP.9) | 特殊色素 テレフタル酸 4㎝角ガラス基板 64画素表示 8色発光 揮発性 | 120 160 250 |
| 2005年 4月号 | バックライト簡素化部材 -液晶パネルの生産効率化- | クラレ | 日経産業新聞 (2005年1月4日PP.1) | 導光板・2枚の拡散シート・プリズムシートを一体化 厚さ150μm U字型の凸凹形状 視野角6～40°で調整可 光の抽出効率20%向上 | 160 250 |
| 2005年 4月号 | 省エネ・高速ナノスイッチ -消費電力半導体の1/100万- | 物材機構 科学技術振興機構 理研 | 朝日新聞 (2005年1月6日PP.2) 日経産業新聞 (2005年1月6日PP.7) 日刊工業新聞 (2005年1月6日PP.25) | 原子スイッチ 消費電力を1nW Ag突起の伸び縮み Ag2(下付)S電極とPt電極を1nm間隔 固体電解質の特性利用 金属原子の動き1個単位で精密制御 | 120 160 220 |
| 2005年 4月号 | CNT高純度回収法 | 筑波大 東京学芸大 | 日経産業新聞 (2005年1月20日PP.7) | 直径1.4nmの単層CNTが3割程度含まれる市販品で実験 カロ酸 アミン 純度96% | 120 160 |
| 2005年 4月号 | 薄くて曲げられる有機ELディスプレイ -フレキシブル透明基板と有機発光TRを開発- | 京大 パイオニア 三菱化学 ローム | 日本経済新聞 (2005年1月25日) 電波新聞 (2005年1月26日PP.1) | 名刺サイズ 厚さ0.2mm 生物が作り出した特殊な繊維 直径100nmのバイオナノファイバコンポジット 発光外部量子効率0.8% 輝度300cd/m2(上付) | 120 160 220 250 |
| 2005年 4月号 | 有機薄膜太陽電池 -エネルギー変換効率4%- | 産総研 | 日刊工業新聞 (2005年1月28日PP.26) | n型有機半導体にフラーレン p型に亜鉛フタロシアニン使用 i層により実効的な接合面積を増加 厚さp層5nm・i層15nm・n層30nm Pn接合の界面にナノ構造のi層を挿入 タンダム積層 | 120 160 250 |
| 2005年 4月号 | 青色レーザ発光効率2倍 -省電力・長寿命化に寄与- | NTT | 日経産業新聞 (2005年1月28日PP.1) | 室温で71%の発光効率 下地層を800℃で形成後に同じ800℃を保ちながらInを加え発光層形成 | 160 250 |
| 2005年 3月号 | 数百倍高輝度なLED -柱状ナノ構造で実現 GaN系- | 上智大 | 日刊工業新聞 (2004年12月7日PP.29) | 多重量子ディスク(MQD)ナノコラム構造 100～200nm径 高周波分子線エピタキシャル成長で無欠陥形成 | 250 160 |
| 2005年 3月号 | 現行DVDとHD DVDを1枚で収録再生 | 東芝 メモリーテック | 日経産業新聞 (2004年12月8日PP.5) | 2層構造 | 160 230 530 |
| 2005年 3月号 | 有機半導体シート型スキャナ | 東大 国際産学共同研究センター | 日刊工業新聞 (2004年12月11日PP.1) | 電子的にスキャン 駆動トランジスタシートを2層化 実効動作速度5倍 消費電力1/7 解像度36dpi 読取り範囲5×8㎝ 曲る | 160 210 |
| 2005年 3月号 | SiCを用いた低抵抗パワーMOSFET | 三菱電機 | 電波新聞 (2004年12月17日PP.2) | 耐圧1.2kV 電流1Aでオン抵抗率12.9mΩcm2 チャンネルエピタキシャル成長層形成技術 単位セル25×25μm チャネル長2μm | 160 220 |
| 2005年 3月号 | 次世代LSIの電流漏れカット | 東芝 | 日経産業新聞 (2004年12月17日PP.7) 日刊工業新聞 (2004年12月17日PP.33) | ニッケルシリサイド層の形成前にSiにFを含ませNiの拡散を抑える 45nm半導体向け | 220 160 |
| 2005年 3月号 | トンネル絶縁膜厚さ2.7nmのフラッシュメモリー -二重接合技術で実現- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2004年12月17日PP.33) | 1nmの2枚のシリコン酸化膜で2nm径のシリコン微結晶をサンドウィッチ クーロンブロッケード効果 単一電子素子 | 160 230 |
| 2005年 3月号 | ナノコイル15倍速合成 | 豊橋技科大 東邦ガス 双葉電子工業 日本バルカー工業 | 日経産業新聞 (2004年12月20日PP.8) | 直径200～700nm 長さ1～150μm 1時間あたり2g生産可能 C2H2 CNT合成可能 | 120 160 |
| 2005年 3月号 | 単層カーボンナノチューブ内に室温・大気圧で氷形成 | 産総研 都立大 | 日刊工業新聞 (2004年12月21日PP.21) | 平均直径1.17のCNT 先端や側面に微小な穴を開けた後水蒸気にさらす 室温27℃で5角形のチューブ状の氷 | 120 160 |
| 2005年 3月号 | 線幅50nmのSRAM -誘電率高い新材料使用- | Selete | 日経産業新聞 (2004年12月21日PP.7) | 高温にさらす時間を1/100にして結晶化を防ぐ HfSiO 容量1Mb 漏れ電流0.1A以下/cm2(実効膜厚1.2nm) | 160 230 |
| 2005年 3月号 | 簡便な金薄膜形成技術 | 大阪府立大 | 日刊工業新聞 (2004年12月27日PP.11) | 金ナノ粒子とチオール分子を含む室温溶液にプラスチック基板を浸して攪拌 薄膜形成時間4時間 45nm厚 | 120 160 350 |
| 2005年 2月号 | 積層型3次元LSIを量産 -次世代機器向け用途開拓- | 東北大 ザイキューブ | 日刊工業新聞 (2004年11月16日PP.25) | センサチップ・アナログLSI・論理LSI・CPU・メモリーなどを積層 トレンチ溝 マイクロバンプ電極 膜の厚さ数十nm～数百μm トレンチ溝直径500nm～数μm | 160 |
| 2005年 2月号 | 身近になった単層ナノチューブ -高純度で安く生産- | 産総研 | 日経産業新聞 (2004年11月19日PP.7) | CVD 鉄微粒子の薄膜を触媒 エチレンガス 10分間で高さ2.5mm 従来法と比較して高さ500倍・成長速度3000倍 直径1～4nm 純度99.98% | 120 160 |
| 2005年 2月号 | CNT超合成術 | 産総研 | 読売新聞 (2004年11月21日PP.2) | 長さ500倍 純度2000倍 長さ2.5mm 10分間で純度99.98% | 120 160 |
| 2005年 2月号 | 45nm半導体向け絶縁膜 -2005年春 成膜装置供給へ- | MIRAIプロジェクト | 日経産業新聞 (2004年11月25日PP.1) | 絶縁膜材料にHfAlO 窒化処理と酸化処理 電子移動度260 窒化処理でSiO2(下付)膜薄く | 120 160 |
| 2005年 1月号 | ナノワイヤ自在に配線 -低コスト技術確立- | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2004年10月13日PP.1) | フタロシアニン 幅10nm程度のナノワイヤ 微小ギャップ間にナノデバイス形成可能 低抵抗 高性能 | 160 |
| 2005年 1月号 | CNTをポリマーブレンド法で量産 -紡糸装置製作し実現- | 群馬大 | 日刊工業新聞 (2004年10月22日PP.22) | 炭素前駆体ポリマーと熱分解消失性ポリマーを混合した「三層コアシェル構造」粒子 溶融紡糸工程 遠心紡糸装置 | 120 160 |
| 2004年12月号 | 単層CNTの位置･直径を初制御 | NEC | 日刊工業新聞 (2004年9月3日PP.28) | SWNT ナノレベルで位置と直径を制御できる成長技術 触媒金属を混ぜた電子線レジストで微細な触媒金属微粒子を配置する技術 CVD 直径1.3nm ばらつき±0.4nm 長さ2μm | 120 160 |
| 2004年12月号 | ギガビット級MRAM量産技術 | アネルバ 産総研 | 日経産業新聞 (2004年9月8日PP.10) | スパッタ成膜法 Si基板上 | 230 160 |
| 2004年12月号 | 薄膜永久磁石 -デバイス微細化に貢献- | NEOMAX | 日刊工業新聞 (2004年9月14日PP.13) | 20nmのNd・Fe・B系磁性膜と10nmの中間膜を交互に重ねた構造 厚さ1μm 最大磁気エネルギー積45.8MGOe スパッタリング法 | 120 160 |
| 2004年11月号 | 45nm半導体向けに電流漏れ少ない絶縁膜 | MIRAIプロジェクト | 日経産業新聞 (2004年8月2日PP.9) | 炭素不純物を5～9割除去 HfO2 Al2O3 リーク電流1μm/cm2 | 160 |
| 2004年11月号 | 高精細有機TFT | 産総研 日立 光産業技術振興協会 | 日刊工業新聞 (2004年8月3日PP.29) | 有機半導体と電極界面の形状の最適化 印刷可能な保護膜 接触抵抗約1/5 80ppi 画面サイズ1.4インチ | 250 160 |
| 2004年11月号 | 高精細有機TFT | 産総研 日立 | 日経産業新聞 (2004年8月3日PP.10) | 電子ペーパに応用 液晶との保護膜を有機と無機の二層化 | 250 160 |
| 2004年11月号 | 液晶表示パネル -消費電力6割減- | NEC | 日経産業新聞 (2004年8月6日PP.1) | SOG技術 試作176×234画素・約2インチサイズ 電源回路もガラス基板に一体化 電源回路組込みのSOG | 160 250 |
| 2004年11月号 | 2.6インチ300ppiTFT-液晶ディスプレイ | 韓国サムスン電子 | 電波新聞 (2004年8月11日PP.1) | a-Si VGA解像度 コントラスト比200対1 輝度150Cd/m2 | 160 250 |
| 2004年11月号 | 単分子膜を用いた微細位置決め技術 -ナノギャップを安価に加工- | 分子科研 米ペンシルバニア州立大 | 日刊工業新聞 (2004年8月11日PP.17) | 自己組織化単分子膜(SAM) 位置選択性分子定規(PS-MR) 低速電子線 16-メルカプト・ヘキサデカノイック酸(MHDA)と二化Cuイオンの層 数nm加工 | 120 160 |
| 2004年11月号 | Ge基板の半導体素子 | 東大 | 日経産業新聞 (2004年8月20日PP.8) | Ge基板上のHfO2がキャパシタとして動作 低温製造 電子の移動度Siの2倍 | 120 160 |
| 2004年11月号 | 光電変換素子1/6に小型化 | NEC 産総研 | 日経産業新聞 (2004年8月24日PP.7) | 強誘電体セラミックス PLZT セラミックス結晶粒の大きさ20nm以下 変換素子大きさ数mm角程度 半導体基板上に形成 | 240 160 |
| 2004年11月号 | 絶縁層薄膜の印刷技術 -印刷でICカード・タグを作製可能- | 産総研 日立 | 朝日新聞 (2004年8月31日PP.2) | Siの酸化物をプラスチックに100℃以下で印刷 | 220 160 |
| 2004年10月号 | CNT2芯構造を合成 -4年ぶり新タイプ- | 信州大 | 日経産業新聞 (2004年7月29日PP.8) | nmレベルの電気制御 2本のCNTを2 | 100℃に加熱し 外層だけをつなぎ合わせ Bi-cable 120 160 |
| 2004年 9月号 | 半導体を蒸気洗浄 | アクアサイエンス | 日経産業新聞 (2004年6月4日PP.1) | 純水を約120～150℃で蒸気にし吹き付ける 1～2分/枚で感光剤やポリマーを剥離 | 160 |
| 2004年 9月号 | 世界初のフォトニック結晶 | 京大 | 朝日新聞 (2004年6月4日PP.3) | 半導体の発光を制御 GaAs半導体棒を0.7μm間隔で並べ井桁状に重ねる 間隔の2倍の波長発光が1/100 | 160 240 |
| 2004年 9月号 | 65nm半導体絶縁膜技術 | 富士通 | 日経産業新聞 (2004年6月17日PP.7) | 絶縁膜のひずみを利用 成膜の温度や時間を細かく制御 導電率15%改善 | 160 220 |
| 2004年 9月号 | 65nm次世代半導体 -配線強化で歩留まり2倍に向上- | 東芝 ソニー | 日経産業新聞 (2004年6月24日PP.9) | 配線の剥落を防ぐ技術 高密度配線 層間絶縁膜 電子ビームで配線材料強度高める | 160 220 260 |
| 2004年 9月号 | デジカメ・携帯向け電子基板材料 -耐熱5倍ポリイミド代替- | 京セラケミカル | 日経産業新聞 (2004年6月24日PP.1) | 折り曲げ可能な電子基板材料 ガラス繊維 不繊布 エポキシ樹脂 積層板 | 160 |
| 2004年 8月号 | 磁気不揮発メモリー素子 -従来の1/100の電流で動作- | 東北大 | 日刊工業新聞 (2004年5月10日PP.21) 日経産業新聞 (2004年5月10日PP.7) | スピン素子 MRAM RuとCo90Fe10合金の二層構造 必要電流2×106A/㎝2 | 230 160 |
| 2004年 8月号 | CN材料 有機溶媒中に超音波照射 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2004年5月10日PP.21) | 装置ローコスト化 反応速度アップ キャビテーション場 アーク放電によるプラズマ発生を利用 | 120 160 |
| 2004年 8月号 | 薄く曲がる太陽電池 -発電効率5%に向上- | 慶大 | 日経産業新聞 (2004年5月13日PP.7) | プラスチック上にZn系素材 色素増感太陽電池 低温で素子生成 | 160 250 |
| 2004年 8月号 | 超薄型CNTキャパシタ -プリント配線板に組込む- 図使用 | 日立造船 関西大 | 日刊工業新聞 (2004年5月18日PP.1) | 厚さ200μmまでの電気二重層キャパシタ 5000μF/㎝2 高速充放電 | 160 250 260 |
| 2004年 8月号 | 40インチの有機ELディスプレイ | セイコーエプソン | 日経産業新聞 (2004年5月19日PP.3) 日刊工業新聞 (2004年5月19日PP.1) | インクジェット印刷技術 厚さ2.1㎜ 色数26万色 38dpi 寿命1000～2000時間程度 4枚の基板を貼合わせ | 160 250 350 |
| 2004年 8月号 | CNTを均等にした電子放出素子 -省電力型FED向け- | 阪大 | 日経産業新聞 (2004年5月28日PP.8) 日刊工業新聞 (2004年5月28日PP.32) | CVD法で作製 平均直径10nmのCNTを束ねて直径50μm・高さ125μmにまとめ250μm間隔で配置 CNT密度10G本/㎝2 駆動電圧1V 冷電子エミッタ | 160 250 |
| 2004年 7月号 | プラスチックフィルム基板上にTFT -自在に曲がるCPU- 5と合わせて一記事に | 半導体エネルギー研 | 日刊工業新聞 (2004年4月8日PP.1) | 低温p-SiTFTでCPU形成 8ビットCPU 素子数3万程度 動作周波数25MHz/5V・13MHz/3.3V | 220 260 160 |
| 2004年 7月号 | 単電子メモリーの新型素子 -1個の記憶容量5倍- 図使用 | NTT | 日経産業新聞 (2004年4月26日PP.9) | 単電子転送メモリー 配線幅35nm 動作温度-247℃ | 160 230 |
| 2004年 6月号 | CNTを使った電磁波遮断材 | 塚田理研工業 信州大 | 日経産業新聞 (2004年3月9日PP.9) | プラスチックなどにニッケルをメッキした際に生じる廃液転用 CLTをNiで覆う | 120 160 |
| 2004年 6月号 | 解像度1.5倍の電子ペーパ | 千葉大 | 日経産業新聞 (2004年3月16日) | 250dpi 直径200nmの電子インク | 160 250 |
| 2004年 6月号 | 次世代半導体向け製造技術 -露光処理せず微細配線- | 東芝 | 日経産業新聞 (2004年3月17日PP.11) | 1時間の工程を1分に短縮 ソフトリソグラフィ 直径50nmの粒子を50nm間隔で碁盤の目に並べる | 160 |
| 2004年 6月号 | 単電子トランジスタ試作 図を使用(日経産業) | 東大生研 | 日経産業新聞 (2004年3月25日PP.9) 日刊工業新聞 (2004年3月10日PP.25) 日経産業新聞 (2004年3月10日PP.9) | 2nmの量子ドット 室温でTrとして機能 1素子2ビット記録 | 160 220 |
| 2004年 6月号 | 線幅20nmで回路描画可能な微細加工技術 図使用 | 早大 | 日経産業新聞 (2004年3月29日PP.9) | 拡散光の重なりが回路になる マスクとウェハの距離20μm以上 X線使用 | 160 |
| 2004年 6月号 | 32nm幅の半導体加工技術 | Selete | 日経産業新聞 (2004年3月30日PP.1) | F2(下付)レーザ 波長157nm 液浸技術 | 160 |
| 2004年 5月号 | 二層CNT量産技術 | 名大 東レ | 日経産業新聞 (2004年2月16日PP.7) | 直径2nmの二層CNT CVD Bの入ったゼオライト | 120 160 |
| 2004年 5月号 | 65nm半導体向けレジスト除去技術 | Selete | 日経産業新聞 (2004年2月18日PP.1) | レジスト除去にH2とHeの混合ガス 誘電率上昇ほぼ0 レジスト能力厚さ1μm/分 | 160 |
| 2004年 4月号 | 記録密度3倍のHDD用媒体 | TDK | 日経産業新聞 (2004年1月26日) | 1インチ角600Gbpi トラックピッチ90nm ディスク区リートトラック型垂直磁気記録媒体厚のポリイミド基板 曲率半径1cmまで丸め可能 | 160 230 |
| 2004年 4月号 | 合金フラーレン発見 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2004年1月27日PP.1) | 2元合金 CdSe34 直径1.5nm 有機溶媒中で黄緑色の発光 粒径により発光の度合いに変化 | 120 160 |
| 2004年 4月号 | 高速通信新素材の量産技術 -単結晶K4Nb6O17- | 東洋通信機 北大 | 日経産業新聞 (2004年1月30日PP.1) | 電気を振動に変換 鍾乳洞ができる原理を応用 成長スピードは1mm/1hで従来の10倍 | 160 |
| 2004年 3月号 | 触媒微粒子の直径制御 -多層CNT- | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2003年12月5日PP.1) | MWNT 10nm以下の触媒微粒子を10%標準偏差 レーザアブレーションとDMAの組合せ 幾何平均径5.0nm | 160 |
| 2004年 3月号 | 線幅45nm対応の絶縁膜 -次々世代半導体向け- | NEDO 富士通 東芝など24社 | 電波新聞 (2003年12月8日PP.1) 日経産業新聞 (2003年12月8日PP.9) | 半導体MIRAIプロジェクト 多孔質無機Low-kの改良 弾性率8GPa プラズマ共重合 TMCTSガス処理 | 160 220 |
| 2004年 3月号 | Si層0.7nmトランジスタの動作確認 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2003年12月12日PP.1) | 5原子層 NEDO Si単結晶薄膜厚さ0.7nm SOI 試作素子のゲート長は2～3μm 実現可能なゲート長は1.5～3nmと予想 | 160 220 |
| 2004年 3月号 | 歪みSiで微細トランジスタ高速化 | 東芝 | 日経産業新聞 (2003年12月16日PP.9) | ゲート電極に歪みSi 加工寸法45nmトランジスタ 11%高速化 | 160 220 |
| 2004年 3月号 | Si燃料電池で発電 | 東工大 | 日経産業新聞 (2003年12月17日PP.7) | 厚さ0.25mm 5mm角 直接メタノール型燃料電池 H2とO2で1.5mW/cm2 メタノールで50μW/cm2 | 160 250 |
| 2004年 3月号 | 35nmCMOS接合技術 | Selete | 日刊工業新聞 (2003年12月19日PP.27) | SPE FLA p型MOS駆動電流2倍 300mmウェハ上に101段のリング発信器回路 | 160 220 |
| 2004年 3月号 | 有機材料の発光効率を50%高める新技術 | パイオニア ローム 京大 | 日経産業新聞 (2003年12月25日PP.9) | ITOフォトニック結晶 300nm間隔で深さ60nmの穴 | 160 250 150 |
| 2004年 2月号 | 高温超電導薄膜作製技術 -無線通信電波振り分け- | NTT物性科学基礎研 | 日経産業新聞 (2003年11月5日PP.10) | 薄膜材料の組成を厳密に制御 Nd | Ba Cuの酸化物 -178℃超電導フィルタ 160 220 |
| 2004年 2月号 | 65nmLSI向け絶縁膜 -量産技術確立- | Selete 東京エレクトロン | 日経産業新聞 (2003年11月6日PP.1) | 高誘電率絶縁膜 ハイK テルフォーミュラ 熱処理計2時間 | 160 |
| 2004年 2月号 | 世界最高輝度の電子放出材 -CNTにRuO2(下付)を結合- | 化研 高エネルギー加速器研究機構(KEK) | 日刊工業新聞 (2003年11月13日PP.1) | 電子放出電界強度2V/μm以下 4V/μmでの電流密度100mA/cm2(上付)以上 FED電極 | 120 150 160 |
| 2004年 2月号 | 45nmの回路線幅形成 -フッ素レーザで形成- | Selete | 日経産業新聞 (2003年11月21日PP.7) | 内蔵レンズ開口率0.9 CaFレンズ | 160 260 |
| 2004年 2月号 | SiやGeの量子ドット新製法 -基板上に高密度で形成- | 米オークリッジ国立研 | 日刊工業新聞 (2003年11月24日PP.13) | BLaC法 Geの量子ドットサイズ3nm径 高さ0.6nm 密度約3～7×1012(上付) | 160 |
| 2004年 2月号 | 65nmプロセスSRAM | 米インテル | 日本経済新聞 (2003年11月26日PP.3) | ゆがみSi技術 高速インタコネクト 低誘電率絶縁材料 0.57μm2(上付)に4MB | 160 230 |
| 2004年 1月号 | FED用CNT電極 -30V以下で電子放出- | 日立造船 | 日刊工業新聞 (2003年10月9日PP.10) | カソード電極 | 250 160 |
| 2004年 1月号 | 幅8nmの微細配線用レジスト | NEC トクヤマ | 日経産業新聞 (2003年10月13日PP.5) | 低分子材料 電子ビーム加工用 | 160 |
| 2004年 1月号 | 直径0.46nmの走査顕微鏡向け電極 | 慶応大 | 日刊工業新聞 (2003年10月20日PP.1) | 光ファイバを加工し先端を電極化 フッ酸のエッチング溶液 アクリル系ポリマー溶液 直径1.1～980nm程度に制御可能 | 160 360 |
| 2004年 1月号 | ブラシ状CNT -長さと太さを制御- | 日立造船 大阪府立大 | 日刊工業新聞 (2003年10月24日PP.1) | CVD工程 710℃で長さ50μml・直径15nmφ 740℃で長さ30μml・直径20nmφ | 160 |
| 2004年 1月号 | 有機ELパネルの薄膜封止技術 -超薄型化に道- | トッキ | 日本経済新聞 (2003年10月28日PP.14) | 保護膜厚3μm 従来の1/300 G200ガーディアンシステム 20㎝角のELパネル製造用 | 250 160 |
| 2004年 1月号 | 点欠陥式の光共振器 -フォトニック結晶で光閉じこめ- | 京大 住友電工 | 日刊工業新聞 (2003年10月30日PP.29) | 光閉じ込め効果100倍(従来比) Q値4500ポイント | 160 240 |
| 2004年 1月号 | 350GB容量の光ディスク | 日立 | 日経産業新聞 (2003年10月31日PP.9) 日本経済新聞 (2003年10月31日PP.17) | 映画140時間分を1枚に レーザ光により結晶構造を変化させてアルカリ溶液によるエッチング 記録点40nm 読出し専用ディスク | 160 230 |
| 2003年12月号 | ナノチューブで超電導現象確認 -量子計算機開発に道- | 青山学院大 NTT研 科学技術振興事業団 | 日経産業新聞 (2003年9月5日PP.7) | Alの上に微細な穴のアルミナの穴の中に0.8μmのCNT NbとAlの電極間にCNT -272.4℃で超電導 | 120 160 |
| 2003年12月号 | ナノチューブで半導体 -トランジスタ実現へ- | 東北大 ソニー 都立大 科学技術振興事業団 高輝度光化学研究センター | 日本経済新聞 (2003年9月8日PP.21) 日本工業新聞 (2003年9月9日PP.2) | CNT内部に有機分子 導電性の制御に成功 Spring-8 | 120 160 |
| 2003年12月号 | 有機トランジスタ新製法 -自己組織化を利用- | 日立 産総研 光技術振興協会 | 日刊工業新聞 (2003年9月11日PP.5) | ナノ材料の自己組織化 位置合わせ不要 電極間隔3μm シートディスプレイ用 | 120 160 220 |
| 2003年12月号 | カーボンナノチューブの発光を電気制御 | 米IBM | 日経産業新聞 (2003年9月15日PP.5) | CNTを半導体素材に応用 1.5μmの波長で発光 | 120 160 |
| 2003年11月号 | LSI配線用カーボンナノチューブ -触媒微粒子で直径制御- | 富士通 | 日経産業新聞 (2003年8月7日PP.5) | 直径4nmのFe Pt触媒を使用 直径3～10nmのCNTが林立 作成時基板温度600℃以下 | 120 160 |
| 2003年11月号 | 強誘電体ナノチューブ | サムコ研 英ケンブリッジ大 | 日刊工業新聞 (2003年8月20日PP.8) | 直径800nm 厚さ100nm 長さ80μm ミストデポジション法(CVD) Sr Bi Ta2O5 | 160 120 |
| 2003年11月号 | カーボンナノチューブを長く高密度に生成 | 阪大 高知工科大 | 日経産業新聞 (2003年8月21日PP.1) | 熱CVDとプラズマCVDを組合せる 10億本/cm2で長さ50～100μm | 160 120 |
| 2003年11月号 | 光ファイバ先端にカーボンナノチューブを合成 -超高速通信に道- | 東大 | 日経産業新聞 (2003年8月28日PP.9) | アルコール原料の単層カーボンナノチューブ 650℃で合成 厚み約100nm 光通信の異常信号除去フィルタ | 140 160 240 |
| 2003年11月号 | 3次元ナノ配線 | 姫路工大 NEC | 日刊工業新聞 (2003年8月29日PP.1) | 集束イオンビーム(FIB) 70～100nmの配線 | 160 |
| 2003年11月号 | 量子コンピュータ用基本素子 -半導体微細加工技術を使用- | NTT 科学技術事業団 | 日経産業新聞 (2003年8月12日PP.5) | 半導体の表面に3本の長い電極とその間に短い電極を並列に置いた | 160 220 |
| 2003年11月号 | 次世代半導体用絶縁膜 -溶液中で作製- | 理化学研 | 日経産業新聞 (2003年8月21日PP.7) | Hfを含む溶液 400℃加熱 絶縁膜10～15nm | 160 |
| 2003年11月号 | ダイヤモンドを使ったトランジスタ -世界最高の周波数特性- | NTT 独ウルム大 | 日刊工業新聞 (2003年8月21日PP.5) 日経産業新聞 (2003年8月21日PP.7) 電波タイムズ (2003年8月25日PP.1) | 最高動作周波数81GHz 高純度低欠陥結晶 出力0.3W ミリ波増幅 | 120 160 220 |
| 2003年11月号 | 極端紫外線対応ブランクスとマスク試作 | HOYA | 日刊工業新聞 (2003年8月22日PP.1) | EUV TaBNアモルファス材料のマスク吸収体 反射率65% | 160 |
| 2003年11月号 | 200GB級光ディスク -記憶容量10倍に- | 産総研 サムスン電子 | 日経産業新聞 (2003年8月29日PP.9) 日刊工業新聞 (2003年8月29日PP.5) 日本経済新聞 (2003年8月29日PP.17) | 青色DVDの10倍 Tb Fe Co SiO2 ZnS 熱で薄膜が山形に盛り上がり記録 50nmの山が100nmの間隔 熱体積変化膜 記録技術のみ開発 | 160 230 |
| 2003年10月号 | 3次元「ナノ鋳型」新製法 -DVD容量が数十倍- | 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2003年7月8日PP.1) | Si基板に水ガラスを均一に塗布して焼き 水ガラスを固体化 パターンの幅は125nm | 160 |
| 2003年10月号 | CNTを低温合成技術 -FEDを安価に- | 三菱電機 大阪府立大 | 日経産業新聞 (2003年7月22日PP.8) | 500℃で合成 ガラス基板使用可 直径数十nmの微粒子状鉄合金 | 120 160 |
| 2003年10月号 | 次々世代半導体の回路原板 -窒素化合物で精密描画- | HOYA | 日経産業新聞 (2003年7月23日PP.9) | 反射型マスク 極端紫外線 吸収層にTaとBと窒素化合物 10nm紫外線より短い紫外線 EUVの散乱防ぐ 反射層にM/Siを積み重ね | 120 160 |
| 2003年10月号 | Si基板を微細加工する新技術 -光スイッチ量産に道- | NTT物性科学基礎研究所 | 日経産業新聞 (2003年7月30日PP.9) | ナノレベルの微細な穴 200nm角で深さ100～150nmの無数の穴 | 160 |
| 2003年 9月号 | 65nm幅LSI用新技術 -ウエハ研磨工程を改善- | Selete | 日経産業新聞 (2003年6月10日PP.1) | 多孔絶縁膜 CMPに耐える強度の膜弾性率12GPa 比誘電率2.3 | 160 |
| 2003年 9月号 | 現露光機で45nm幅LSI | 大日本印刷 米インテル | 日刊工業新聞 (2003年6月11日PP.1) | 最先端位相シフトマスク CPL 一枚のマスクで3度露光 | 160 |
| 2003年 9月号 | 新トライゲートトランジスタ -チャンネル部を立体化- | 米インテル | 日経産業新聞 (2003年6月13日PP.9) | ゲート長が30nm 20GHz級のMPUに適用 | 160 220 |
| 2003年 9月号 | SOI基板にDRAM混載 | 東芝 | 日経産業新聞 (2003年6月16日) | 96kbDRAM SOIにはキャパシタ不要な記憶回路 | 230 160 |
| 2003年 9月号 | 絶縁体にナノ量子細線 -導電性付与に成功- | 科学技術振興財団 | 日刊工業新聞 (2003年6月16日PP.5) | 超高温透明セラミックス 転位構造配列制御 サファイア結晶内に5nmの金属細線 | 120 160 |
| 2003年 9月号 | 新概念のメモリーセル | 日立 | 日刊工業新聞 (2003年6月17日PP.1) | MIM 2素子型メモリーセル 低電圧動作 | 230 160 340 |
| 2003年 8月号 | 狙ったところにカーボンナノチューブを合成する手法 | 早大 | 日経産業新聞 (2003年5月8日PP.9) | シングルイオン注入 Ni触媒 CNT | 160 120 |
| 2003年 8月号 | 半導体レーザ量産技術
-安価な製造法開発- | 東大 富士通 | 日経産業新聞 (2003年5月14日PP.9) | 量子ドットレーザ 光通信 MOCVD 発光波長1.8μm | 240 160 250 |
| 2003年 8月号 | 解像度高める有機EL新製法 | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2003年5月23日PP.6) 日刊工業新聞 (2003年5月23日PP.13) 電波新聞 (2003年5月23日PP.2) | フォトリソ法 フルカラー用 | 160 250 |
| 2003年 8月号 | フラーレン分離・精製法
-時間1/10に- | フロンティアカーボン 京大 | 日経産業新聞 (2003年5月28日PP.1) | フラーレン(C60/C70) | 120 160 |
| 2003年 8月号 | 人に近い触覚センサ | シーエムシー技術開発 | 日経産業新聞 (2003年5月28日PP.15) | 痛みやくすぐったさ らせん状カーボンマイクロコイル 電気信号の変化 らせん径5～10μmφ 直径1μm 0.5μm変位検出 | 160 210 |
| 2003年 7月号 | 寿命長く品質10万倍の青色発光素子 | 阪大 | 日本経済新聞 (2003年4月4日PP.17) | GaN 液体原料 | 160 250 |
| 2003年 7月号 | ナノサイズ発光アレイ | 物質・材料研究機構 太陽誘電 | 日刊工業新聞 (2003年4月8日PP.4) 日経産業新聞 (2003年4月8日PP.10) | 酸化亜鉛を格子状に配列 結晶異方性エッチング 機械化学研磨技術 2500万ドット/cm2 Si(100) | 160 250 |
| 2003年 7月号 | 次世代トランジスタ -IC消費電力1/10 漏電抑える- | Selete 早大 物材機構 他 | 日経産業新聞 (2003年4月11日PP.1) | MOSFETの絶縁膜改良 HfOを使う技術 次世代トランジスタ 消費電力1/10 | 160 220 |
| 2003年 7月号 | 緑色レーザダイオード開発へ | 電力中研 | 日経産業新聞 (2003年4月28日PP.6) | LEDに比べ明るさが100倍 素子の構造をナノﾚベﾙで制御 研究開始 | 160 250 |
| 2007年 3月号 | MRAM大容量化に道を開く磁性体加工の新技術 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2006年12月5日PP.1) | パルス変調プラズマ方式 磁性体膜の揮発性の大幅向上 磁性特性の劣化改善 磁気トンネル接合素子 | 160 |
| 2007年 3月号 | PRAM駆動電力1/10 | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2006年12月13日PP.9) | 記録層と絶縁膜の間に厚さ2～3nmのTa2O5薄膜 記録時電流数百μA | 160 230 |
| 2007年 3月号 | 駆動電流が50%超向上する次世代立体型トランジスタ | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年12月15日PP.30) | 雪かき効果 金属シリサイドとチャネル部分のSi界面に不純物原子を高濃度で2～3nm厚に偏析した層を形成 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | 線幅32nmLSI性能2倍に | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | Si加工面に1%の歪を加えるn型トランジスタ 0.1%で解析 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | 動作速度2割向上した線幅45nmトランジスタ | 富士通 富士通研 | 日経産業新聞 (2006年12月19日PP.11) | 電流低下や電流漏れを抑制 | 160 220 |
| 2007年 3月号 | 1ns間光を閉じ込める新共振器構造 | NTT | 日刊工業新聞 (2006年12月25日PP.15) | フォトニック結晶 導波路の幅を変調 直径200nm程度の穴を三角格子状に配列 穴の位置を局所的に3～9nm移動 Q値120万 | 160 240 |
| 2007年 2月号 | 回路線幅55nmのシステムLSI量産技術 | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年11月6日PP.1) | DRAM混載 液浸露光 ゲート絶縁膜上にハフニウム極薄膜 | 160 |
| 2007年 2月号 | FED材料に適した2層CNT | 産総研 ノリタケカンパニーリミテッド | 日経産業新聞 (2006年11月8日PP.11) 日刊工業新聞 (2006年11月8日PP.28) | CNT長さ2.2mm 純度99.95% 2層CNT含有率85%以上 「スーパーグロース法」 水分添加CVD法を改良 電解放出ディスプレイ用の電極 均一な電子放出特性 | 120 160 250 |
| 2007年 2月号 | 単層CNT加工技術 | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年11月27日PP.9) 日刊工業新聞 (2006年11月27日PP.23) | スーパーグロース法 シートや針など様々な形の塊状に固める 単層CNTを多様な形状にデザイン 配向高密度化集合体 高純度で超長尺な単層CNTを束ねる | 160 220 260 |
| 2007年 2月号 | Si基板の青色LED | 紫明半導体 | 日経産業新聞 (2006年11月9日PP.1) | 20mAで輝度1.5～2cd サファイア バッファ層 下部に電極取り付け可能なためコストダウン可 最高10mW Si基板とGaN系の結晶を作製 | 160 250 |
| 2007年 2月号 | 凹凸がナノ級のUV照射無電解メッキ | 関東学院大 | 日刊工業新聞 (2006年11月16日PP.1) | ポリイミドフィルム 液晶ポリマー 数分間のUV照射で材料に凹凸をつけずに表面改質 Cu・Ni・Pの合金を下地メッキ スパッタリングに比べて低コスト | 160 |
| 2007年 2月号 | ガラス基板に微細バネ構造 | 理研 | 日経産業新聞 (2006年11月16日PP.10) | ガラス基板の表面を水をはじく物質でコーティング 光硬化性樹脂 銀イオン水溶液 屈折率マイナスの光学素子 一辺2μmの立方体の上に微細なバネがのった形状 5μm間隔で800個 | 160 220 240 260 |
| 2007年 2月号 | 明るい部屋でも鮮明なプロジェクタ用スクリーン | 帝人 | 日経産業新聞 (2006年11月30日PP.1) | ハイブリッドスクリーンスプレンダ 基盤層上にμmレベルの溝をある角度に均一加工した金属素材の反射層 コントラストレベル97:1 | 130 160 250 350 |
| 2007年 1月号 | LED向けGaN結晶を横向きに成長させる技術 | ローム | 日経産業新聞 (2006年10月18日PP.9) | 緑色レーザ 六角柱の結晶構造 トリメチルガリウム アンモニア 2mW出力 波長500nmの光を出すことに成功 | 160 250 |
| 2007年 1月号 | 現像液4割減の液晶パネル工場用システム | 三菱化学エンジニアリング | 日経産業新聞 (2006年10月19日PP.1) | 不純物の炭酸塩の濃度を常時測定し一定に保つように現像液を入れ替え | 160 250 |
| 2006年12月号 | フィルム中に金ナノ粒子を作製 -立体ナノ配線に道- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年9月4日PP.28) | PVAフィルム ラジカル前駆体(ベンゾフェノン)と金イオン1～5%をドープ 波長が異なる二つのレーザを照射 ギ酸がない場合に比べ金ナノ粒子の生成速度は約20倍 | 260 160 |
| 2006年12月号 | 光遮断機能をもつ強誘電体 | 東大 JST | 日刊工業新聞 (2006年9月8日PP.29) | エルビウム 光アイソレータと光増幅器の機能 チタン酸バリウム | 120 160 240 |
| 2006年12月号 | DRAMの消費電力を10%削減 -絶縁膜材料に水使用- | 日立 | 日刊工業新聞 (2006年9月14日PP.37) | Al2O3絶縁膜 成膜時間半減 シリコン酸窒化膜 漏れ電流抑制 界面の酸化を回避 酸化膜換算膜圧2.9nm | 230 160 |
| 2006年12月号 | フルメタルゲートCMOS | 半導体先端テクノロジーズ(Selete) | 電波新聞 (2006年9月13日PP.1) | 回路線幅45nm以降 0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜 デュアルメタルCMOSプロセス 窒化ハフニウムシリケート(HfSiON) | 160 220 |
| 2006年12月号 | 有機TFT大規模化技術 | 日立 神奈川大 | 日経産業新聞 (2006年9月14日PP.13) | 印刷技術 リソグラフィで材料の位置合わせ ポリカーボネート基板 誤差0.1μm以下 | 250 220 160 |
| 2006年12月号 | 明るさ1.8倍のLED | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年9月21日PP.11) | ナノサイズの微細な凹凸 自己組織化 ポリスチレン ポリメタクリル酸メチル 高分子塗布 200℃で加熱 150～200nm間隔に直径100nm高さ450～500nmの円柱状の突起 | 250 160 |
| 2006年11月号 | 特殊フィルムで半導体を実装 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス | 日経産業新聞 (2006年8月3日PP.1) | 異方性導電膜(ACF) パッドの材質に均等に圧力がかかるものを使用 | 120 160 260 |
| 2006年11月号 | ZnOの液晶パネル用透明導電膜 | 高知工科大 | 日経産業新聞 (2006年8月4日PP.1) | ZnOで酸化インジウムスズ(ITO)並みの電気抵抗を実現 反応性プラズマ蒸着装置 膜厚30nmで電気抵抗率4.4μΩm | 160 250 |
| 2006年11月号 | 光導波路向け微細金型 | アルプス電気 | 日経産業新聞 (2006年8月11日PP.1) | MEMS 導線幅10μm ナノインプリント 光導波路 | 160 260 |
| 2006年11月号 | MEMS技術を用いた携帯電話用高周波スイッチ | オムロン | 日刊工業新聞 (2006年8月18日PP.9) | 開閉回数10億回以上 量産技術確立 膜厚制御などの加工精度1%以下 | 160 240 260 |
| 2006年11月号 | 有機ナノデバイス -整流作用を確認- | 自然科学研究機構 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年8月24日PP.1) | nm径の円筒状単層CNTにポルフィリン分子吸着 自己組織化 Si製の1/10 | 120 160 220 |
| 2006年11月号 | GaInNAs半導体レーザ -40Gbps動作に成功- | 日立 | 電波新聞 (2006年8月25日PP.1) | Alフリー分子線エピタキシ技術 活性層 逆メサ型リッジ構造 | 120 160 240 |
| 2006年11月号 | カーボンナノウォールを効率よく大量生産 | 横浜市大 石川島播磨 | 日刊工業新聞 (2006年8月28日PP.1) | プラズマCVD装置 約10㎝角の基板でも均一に作製可能 | 120 160 |
| 2006年11月号 | 長さ3.5mmで光を100倍増幅する高分子光導波路 | KRI | 日刊工業新聞 (2006年8月29日PP.1) | ナノ粒子合成・分散技術 ユーロピウムを添加 希土類-金属ナノクラスタ 消光現象を抑制 希土類元素の添加濃度5% | 160 240 |
| 2006年10月号 | 発光効率100倍の緑色LED | 京大 日亜化学工業 | 日経産業新聞 (2006年7月3日PP.10) | GaN結晶 歪みが少ない半極性面を発光に利用 | 160 250 |
| 2006年10月号 | テラヘルツ光検出技術 | 理化学研 JST | 日刊工業新聞 (2006年7月7日PP.31) 日経産業新聞 (2006年7月7日PP.8) | CNTでつくったトランジスタ 単電子トランジスタ 極低温領域で光子として量子的に検出 CNT人工原子 テラヘルツ光の周波数約2.5THz | 120 160 320 660 |
| 2006年10月号 | 立体映像を記録したホログラムの安価量産技術 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2006年7月11日PP.10) | ナノインプリント 微細金型 透明レジスト膜 光硬化性樹脂 紫外線照射 | 160 430 |
| 2006年10月号 | 低電圧で柔軟な動きのアクチュエータ | 東大 産総研 JST | 日経産業新聞 (2006年7月18日PP.9) | イオン液体 厚さ0.1mm×縦2cm×横3～4mm CNT 2～3Vの交流電圧で駆動 | 160 250 |
| 2006年10月号 | SiでLED | 日立 | 日経産業新聞 (2006年7月25日PP.10) | 厚さ9nm 発光波長約1000nm 厚さ700μmのSi基板上に厚さ約200nmのSi酸化膜とそのうえに厚さ50nmのSi膜 | 160 250 |
| 2006年10月号 | 直接メタノール型燃料電池向け電解質膜 | 首都大学東京 JST | 日経産業新聞 (2006年7月28日PP.10) | 電解質膜150μm 微細な穴をあけたシリカ膜 Hイオンの導電性が高い炭化水素系高分子の電解質 | 160 250 |
| 2006年 9月号 | 直径1㎝の青色LEDの円形素子 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2006年6月1日PP.11) | サファイア基板上に半導体結晶を成長 2種類の半導体をGaNで作製 明るさ向上 | 250 160 |
| 2006年 9月号 | 強度2倍層間絶縁膜 -50nm世代メモリー向け- | 日立 日立化成 | 日刊工業新聞 (2006年6月13日PP.27) | 塗布型 強固な分子構造 耐熱性800℃ 比誘電率2.4 薬品耐性向上 平坦性維持 | 160 |
| 2006年 9月号 | 55nm素子形成技術 -SRAMで実用性確認- | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 酸窒化膜上に極薄膜のハフニウムシリケートを載せたゲート絶縁膜 トランジスタのしきい値制御範囲拡大 漏れ電流10%低減 ArF液浸露光装置 | 160 220 |
| 2006年 9月号 | 128MbキャパシタレスDRAMの動作実証 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年6月19日PP.1) | 酸化膜埋込み基板(SOI)の浮遊ボディ(FB)に電荷を記憶 2倍の高密度と低コスト化 | 160 230 |
| 2006年 9月号 | 発光ダイオードの光を鮮明に出せるプリント基板材料 | タムラ製作所 | 日経産業新聞 (2006年6月21日PP.1) | 液晶部品向け 白か黒色の顔料を配合して使い発光を強調 ソルダーレジスト | 160 |
| 2006年 9月号 | 半導体レーザのビーム形状を自在に制御 | 京大 ローム JST | 日刊工業新聞 (2006年6月22日PP.34) 日経産業新聞 (2006年6月22日PP.11) | 2次元フォトニック結晶 レーザ共振器の構造を制御して光分布を変化 格子点や格子間隔を変化 現在の数十倍の記録容量を持つ光ディスクの光源に利用可能 光ピンセットに応用可能 | 120 160 250 |
| 2006年 9月号 | 縦型構造のGaNトランジスタ | 松下電器 | 電波新聞 (2006年6月28日PP.1) | 微細セルフアライン工程 チャネル幅0.3μm 単位デバイス幅1.2μm In・Alを添加したInAlGaN4元混晶を20nm成長 | 160 220 |
| 2006年 8月号 | らせん状の多角形CNTを確認 -高い電界放出・強度特性- | JFEエンジニアリング | 日刊工業新聞 (2006年5月9日PP.25) | 長手方向にらせん状にねじれ アーク放電方法 高結晶性 鋼の役10倍の強度 | 120 160 |
| 2006年 8月号 | 単層CNTの新合成技術 -後処理不要 純度97%ー | 産総研 | 日刊工業新聞 (2006年5月12日PP.25) 日経産業新聞 (2006年5月12日PP.9) | 構造欠陥1/10以下 直噴熱分解合成法(DIPS法)を改良 量産性100倍 CNTの直径を0.1nm単位で制御可能 | 120 160 |
| 2006年 8月号 | ストレージ用磁気テープの基礎技術 -記録密度15倍以上へ- | 富士写真フイルム 米IBM | 日経産業新聞 (2006年5月17日PP.1) | 6.67Gbpiの記録密度 酸化鉄粒子層の上に65nm厚でバリウムフェライトを塗布 粒子直径21nm 長期保存性 テープ1巻あたり8Tbyte目標 | 130 120 160 |
| 2006年 8月号 | 抵抗などを内部に印刷したプリント積層基板 -厚さ従来の6割- | トッパンNECサーキットソリューションズ | 日経産業新聞 (2006年5月30日PP.1) | 8層 チップの厚み30μm程度 配線構造見直し 基板の厚さ0.5mm コンデンサは銅配線の上に誘電体樹脂を印刷し導電性樹脂で挟み込む 抵抗は銅配線を銀メッキし上から炭素樹脂を印刷 | 160 260 |
| 2006年 8月号 | 鉛フリーはんだ用新型洗浄剤 | 荒川化学工業 | 日経産業新聞 (2006年5月30日PP.17) | フラックス 界面活性剤 不純物除去精度向上 洗浄液寿命3～4倍 | 120 160 |
| 2006年 7月号 | 線幅30μmの基板用樹脂剤 | 関西ペイント | 日経産業新聞 (2006年4月5日PP.1) | スクリーン印刷法 直径1μm以下の無機材料でレジスト剤の粘性を制御 ICタグ | 120 160 340 |
| 2006年 7月号 | 共鳴トンネルダイオード使用で新回路動作に成功 | 上智大 独デュースブルク・エッセン大 | 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) | 超電導ジョセフソン接合素子(JJ) 室温で200GHz動作可能 4RTD回路 Al・Asの二重障壁層とIn・Ga・As系の積層構造で井戸層からなるRTD 試作サイズ15～25μm2 論理積(AND)論理和(OR)回路 | 160 120 220 |
| 2006年 7月号 | 液体でSiTFT | セイコーエプソン JSR | 朝日新聞 (2006年4月6日PP.3) 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.9) | HとSiを含む液体材料 回転塗布またはインクジェットで成膜 厚さ300nmのSi膜パターン シラン化合物 500℃前後で焼成 コスト半分 消費電力1/10程度 | 120 160 220 250 |
| 2006年 7月号 | 書き込み速度1000倍の次世代メモリー | 静大 シャープ | 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.1) | RRAM(抵抗式随時書込み読出しメモリー) TiNを活用 読出し時間20ns/bit 既存施設の利用可能 TiNの表面にTiO2薄膜 2V程度の電圧による抵抗値の変化利用 | 120 160 230 |
| 2006年 7月号 | 黒鉛基板上の銀ナノ粒子加熱で液化せず蒸発 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年4月12日PP.29) | 透過型電子顕微鏡(TEM) 黒鉛基板を680℃で保持 約2分で消滅 ナノ粒子により融点が下がる | 160 |
| 2006年 7月号 | 記憶型モノクロ液晶ディスプレイ -電源オフでも画像保持- | シチズン時計 | 日経産業新聞 (2006年4月13日PP.1) | 粘度の高い強誘電材料 配向膜に無機性材料 液晶分子が20°の傾きで均一に並ぶ パッシブマトリクス型 画像書込み時以外は電力不要 厚さ1.7μm 駆動電圧5V 消費電力1μW/cm2 | 120 250 160 |
| 2006年 7月号 | 1TbitHDD向けパターン磁気記録技術 | 早大 | 日刊工業新聞 (2006年4月18日PP.33) | 湿式法 直径10nmの微細孔 直径2nmの有機シラン Co系合金 ドット径10～20nmの磁性ナノドットアレイ | 120 160 230 |
| 2006年 7月号 | 携帯向け低消費電力液晶パネル | 日立ディスプレイズ | 日経産業新聞 (2006年4月19日PP.1) | 画像切替え時のみ電力供給 低温p-SiTFT型 解像度120×160dot 制御回路を内蔵 26万2千色 試作1.3インチμW | 250 160 120 |
| 2006年 7月号 | 500mめどの高温超電導線材 | フジクラ | 日経産業新聞 (2006年4月28日PP.1) | Y系線材 GdとZrの酸化物の中間層 | 120 160 140 |
| 2006年 7月号 | 量子暗号通信を高速化 -光子検出器動作80倍- | 日大 | 日刊工業新聞 (2006年4月28日PP.1) | 光通信波長1.55μm帯で800MHz APD 光子検出電流を下げてノイズ低減 | 160 250 340 |
| 2006年 7月号 | 磁極の向きを変え光制御 | 産総研 科学振興機構 | 日経産業新聞 (2006年4月28日PP.11) | 光の進路を制御 圧電性と磁石の性質を併せ持った素材 FeGaO3の単結晶に4μmの溝 500Gで回折光の差が2% | 120 160 240 |
| 2006年 7月号 | 固体型色素増感太陽電池 | 桐蔭横浜大 | 日経産業新聞 (2006年4月21日PP.8) | 大きさ1cm角 厚さ2mm 色素付着のTiO2とポリアニリンで被膜したC粒子をガラス基板で挟む 光電変換効率4% | 250 120 160 |
| 2006年 6月号 | CNT素子の新作成法 -電流変動1/1000- | 阪大 産総研 JST | 日刊工業新聞 (2006年3月1日PP.25) 電波新聞 (2006年3月14日PP.6) | CNTトランジスタ 電流の変動0.01% フォトレジストを改善 4μmの電極間に直径1.5nmのCNT CNTをSiN膜で保護 不純物を一切つけない新しいプロセスの開発 | 160 220 |
| 2006年 6月号 | 屈折限界超すナノレンズ -金属ナノ構造と光の相互作用で実現した波長を超える高解像度- | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2006年3月2日PP.27) | 表面プラズモン 金属ロッドアレイ メタマテリアル構造 生体細胞ナノサイズで撮影可能 光の収差 プラズモニクス 金属錯イオンを2光子還元 負の屈折率 | 120 160 310 |
| 2006年 6月号 | 白色レーザ発振可能なフッ化物ファイバ | 住田光学ガラス | 日刊工業新聞 (2006年3月3日PP.1) | 1本で青色半導体レーザを白色レーザとして連続発振 PrをAlF系ガラスに含ませた独自素材 522nm・635nmとあわせ440nm ディスプレイ光源 高い変換効率 三原色の高い色再現性 | 120 160 240 250 |
| 2006年 6月号 | 次期光波網用MEMS中空導波路 -波長可変幅1桁向上- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2006年3月22日PP.19) | 微小電気機械システム 中空コア 上の反射板のMEMSで波長を変化 下の反射板の回折格子で波長選択 数百nmの変化幅 | 160 240 250 |
| 2006年 6月号 | 明るさ2倍の液晶 | 米クレアボヤンテ | 日経産業新聞 (2006年3月22日PP.1) | 一部の画素で青を除き代わりに白色光を加える | 250 160 |
| 2006年 6月号 | 光で動く分子ピンセット | 東大 | 日刊工業新聞 (2006年3月23日PP.31) | 大きさは1nm 伸縮はアゾベンゼン 軸回転はフェロセン 塩基分子をつかむ亜鉛ポルフィリン 分子ロボット | 120 160 |
| 2006年 6月号 | チップ状反応器で水素 -燃料電池小型化へ- | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年3月24日PP.8) | マイクロリアクター 金属基板に幅50μm×深さ4mmの溝を数本作った構造 炭素系燃料から水素発生 DMEを燃料で20W可能 | 250 160 |
| 2006年 6月号 | 再構成可能な光合分波器 -フォトニック結晶で実現- | 東大 NEC | 日刊工業新聞 (2006年3月29日PP.37) | 波長を変えて光経路を切替え R-OADM PCの対応波長幅約10nm 埋込みSOI基板のSi層に周期的に孔 | 160 240 |
| 2006年 6月号 | 量子もつれ振動を観測 | NTT JST | 日刊工業新聞 (2006年3月31日PP.37) | 超電導量子ビットと単一光子の組合せ 超電導量子ビットと電気回路を微細加工技術で同一半導体チップ上に作製し極低温で測定 | 160 320 |
| 2006年 5月号 | すりつぶすだけでナノ結晶 | 海洋研究開発機構 | 日刊工業新聞 (2006年2月2日PP.1) | フラーレン C60 C70 数分すりつぶす 約30%が直径数μm以下 毒性なし | 120 160 |
| 2006年 5月号 | 世界最小のICチップ | 日立 | 日経産業新聞 (2006年2月6日PP.8) | ミューチップ 0.15mm角 7.5μm厚 SOI技術 絶縁層で干渉を防止 素子の高集積化 | 160 220 340 |
| 2006年 5月号 | キャパシタの蓄電効率10%改善 -電極抵抗1/4に- | 東海大 | 日経産業新聞 (2006年2月15日PP.11) | ナノテク素材 電気二重層キャパシタ 50mgの活性炭に直径10nm長さ100μmのCNT加え直径約1cm厚さ1mmの電極 電極の抵抗2.5Ω 厚さ3mmで2.5F | 120 160 250 |
| 2006年 5月号 | 超高輝度有機EL -テレビの6万倍の明るさ- | 信州大 | 日刊工業新聞 (2006年2月17日PP.27) | 1850万cd/m2 発光面積約0.03mm2 パルス幅5μsでパルス電圧付加 100MHz以上の安定した光変調を確認 材料構造と素子構造を工夫 有機EL層を2つの反射鏡で挟んだマイクロキャビティ構造 | 160 250 |
| 2006年 5月号 | 有機発光トランジスタで8×8のアクティブマトリクスディスプレイパネル | ローム パイオニア 三菱化学 京大 | 電波新聞 (2006年2月21日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年2月21日PP.12) | 有機スイッチングトランジスタ 黄色に発光 発光外部量子効率0.8% 表面改質したSi酸化膜のゲート絶縁膜表面にTPPyにルブレンをドープした共蒸着膜を形成 駆動電圧80V 1000cd/m2 | 160 220 250 |
| 2006年 5月号 | 銅ナノインク開発 | 旭化成 | 日刊工業新聞 (2006年2月22日PP.23) | 印刷技術活用 Cu配線や薄膜を低コスト形成 厚さや線幅をμmオーダーで制御可能 酸化膜のナノサイズ微粒子と酸化還元剤をインクに配合 塗布後焼成 エッチング工程不要 | 130 160 120 |
| 2006年 5月号 | テラヘルツ光用新型レーザ -コスト1/100- | 情通機構 東大 | 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.1) | 透過撮影用光源 量子カスケードレーザ 縦3mm 幅500μm 厚さ10μm GaAs化合物半導体の多層膜構造 3.4THz 動作温度-220℃ | 120 160 250 |
| 2006年 5月号 | 回路線幅29.9nmパターン生成 -深紫外線光リソグラフィ- | 米IBM JSR | 電波新聞 (2006年2月22日PP.3) 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.3) | DUV193nm 光屈折率液侵技術 石英レンズや有機液体などの新素材 EUV(極紫外線)でなくArF対応ステッパの継続使用可能 独自開発のフォトレジスト | 120 160 |
| 2006年 5月号 | 電界集中効果2割増のCNT束エミッタ -ランプやディスプレイなど多用途- | 高知工科大 大阪大 ソナック | 日刊工業新聞 (2006年2月24日PP.29) | しきい電界強度0.4～3V/μm 直径50μm 高さ125μm 個々のCNTの直径9nm フォトエッチング法 CVD法 | 160 250 |
| 2006年 4月号 | ペースト状ナノ粒子 -幅20μm配線可能に- | 大研化学工業 大阪市立工業研 | 日経産業新聞 (2006年1月1日PP.21) | AgとPdの合金ナノ粒子 直径5nm 樹脂と混ぜる スクリーン印刷 プラスチック基板に回路パターンを書く 加熱300℃で樹脂が分解 | 120 160 |
| 2006年 4月号 | 金属内包フラーレン1個でスイッチ動作 | 東工大 名大 | 電波新聞 (2006年1月5日PP.7) | 分子ナノデバイス 融合新興分野 Tb@C82 自己組織化分子膜 測定温度-260℃ | 120 160 660 |
| 2006年 4月号 | 端子間配線間隔12μmのLCD駆動用ICのプリント基板 | 東レ | 日経産業新聞 (2006年1月20日PP.1) | エッチング工程の一部を工夫 銅メッキ膜を安定してエッチング | 160 250 |
| 2006年 4月号 | 液晶フィルム新素材 | 慶応大 JST | 日本経済新聞 (2006年1月20日PP.17) | 複屈折を抑えるnmサイズの微粒子 ポリカーボネート樹脂に約50nmのSrCO3粒子を加える 押し出し成形 40μm厚 | 120 160 |
| 2006年 4月号 | 発電効率2.6倍小型燃料電池 | クラレ | 日経産業新聞 (2006年1月24日PP.1) | 厚さ50μmのエラストマー 水素イオンチャネル MEA ダイレクトメタノール(DMFC)方式 高分子膜加工技術を応用 H+の透過度1.5倍 メタノールの透過量6割 | 120 160 250 |
| 2006年 4月号 | ZnOの量産用結晶 -LED基板などへの応用期待- | 東京電波 | 日経産業新聞 (2006年1月31日PP.9) | 3インチウェハ用結晶 約2万個の基板切り出し可能 サファイア基板の4倍近い明るさ サファイアの半額程度の価格 炉の中の最適温度・圧力を決定 | 120 160 250 |
| 2003年 6月号 | 多層CNT -単層の2倍の電子放出を確認- | NKK | 日刊工業新聞 (2003年3月11日PP.16) | ほぼ100%の純度で合成 テープ状の多層CNT | 150 160 |
| 2003年 5月号 | トリシラアレン安定化合物合成 -電子機能材料開発に光- | 東北大 | 日本工業新聞 (2003年2月13日PP.2) | シリレン くの字形 | 120 160 |
| 2003年 5月号 | フラーレンから単層CNT生成 -極小の集積回路実現に道- | 東大 | 日刊工業新聞 (2003年2月24日PP.1) | C60 触媒CVD法 触媒にFe・Co合金 | 160 |
| 2003年 5月号 | 有機EL使用の面発光素材製造技術 | トッキ 山形大 松下電工 | 日本経済新聞 (2003年2月25日PP.16) | 低コスト製造技術 蒸着炉の内壁を300℃に加熱 材料の70～80%を有効利 | 160 660 |
| 2003年 4月号 | 量子リソグラフィー技術の原理を実証 | 阪大 | 日本経済新聞 (2003年1月6日PP.23) | ペア光子 波長860nmで波長430nm相当の干渉縞を確認 | 160 |
| 2003年 4月号 | ナノスペース技術 -単一分子基板上に規則的配置- | 産総研 | 日刊工業新聞 (2003年1月17日PP.5) | デンドロン構造を利用 リポ酸間距離は6-7nm | 160 |
| 2003年 4月号 | 原子1層の半導体膜 | FEC | 日刊工業新聞 (2003年1月24日PP.1) | 次世代半導体製造用化学ガスを高速切替え ALD | 160 |
| 2003年 3月号 | 光触媒リソグラフィ法 -解像度100倍- | 東大 大日本印刷 | 日刊工業新聞 (2002年12月4日PP.5) | 線幅5μm 光触媒とフォトマスクを一体化 レジスト不要 | 160 |
| 2003年 3月号 | DRAM混載システムLSI -65nm世代プロセス- | 東芝 ソニー | 日刊工業新聞 (2002年12月4日PP.8) 電波新聞 (2002年12月4日PP.1) | SoC向け スイッチング速度0.72ps(NMOS) 1.41ps(PMOS) 0.6μm;2のメモリーセル | 220 230 160 |
| 2003年 3月号 | 暗号処理回路小型化技術 -1/10000に小型化- | 東芝 | 日経産業新聞 (2002年12月6日PP.9) | 表面を薬品処理 1μm角 1.5nW nmレベルの凹凸 | 160 220 |
| 2003年 3月号 | 新チャネル構造 -ゲート長30nm以下でトランジスタ動作- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年12月10日PP.4) | オン電流960μA/1μm 65nmプロセスシステムLSI用 プラズマ窒化したゲート酸化膜 スイッチング速度0.72ps(NMOS) 1.41ps(PMOS) | 160 220 |
| 2003年 3月号 | SiMOSトランジスタ -ゲート長6nmと最小- | 米IBM | 日刊工業新聞 (2002年12月11日PP.4) | SOI上のSi膜厚4nm ハロー・インプラント技術 | 160 220 |
| 2003年 3月号 | 次々世代LSI用金属成膜技術 | 三菱重工 | 日刊工業新聞 (2002年12月16日PP.11) | 45nmプロセス用 MCR-CVD 塩素ガス利用 200～300℃で製膜可 | 160 |
| 2003年 2月号 | ナノ粒子の形を自在に制御 | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年11月1日PP.17) | 化学的気相成長法を改良 酸化チタンを使って実験 液体と気体の原料 | 120 160 |
| 2003年 2月号 | トップゲート型FET -単層CNTで試作- | NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2002年11月8日PP.5) 日経産業新聞 (2002年11月8日PP.7) | レーザ蒸着法で合成 単相CNTの上にTi層 酸化チタンゲート絶縁膜 相互コンダクタンスが320ns | 160 220 |
| 2003年 2月号 | 単層CNTの化学気相成長に成功 | NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2002年11月22日PP.5) | SWCNT CVD 触媒のFe薄膜をコートしたサファイア基板上 | 160 |
| 2003年 2月号 | レーザで新加工技術 -波長より微細に- | 福井産業支援センター 福井高専 京大 アイテック | 日本経済新聞 (2002年11月29日PP.17) | フェムト秒極短パルスレーザ 波長の1/5～1/10の微細構造 偏光制御 | 160 |
| 2003年 2月号 | Si製半導体 -｢2世代先｣実現にメド- | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年11月29日PP.17) | ゲート電極幅14nmのトランジスタ 基板正負電極間の絶縁膜最適化 ゲート電極材料の改良 | 220 160 |
| 2003年 1月号 | 高速MOS素子中の漏れ電流1/10000に低減 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年10月2日PP.5) | 高速MOS素子 接合漏れ電流 ヒ素イオン 携帯端末用LSI | 220 160 |
| 2003年 1月号 | 金属微粒子の配列方法 -金属ナノ粒子一列に- | 九大 | 日経産業新聞 (2002年10月17日PP.7) | 自己組織化で極細配線 金の粒子が1.5nmの距離で一列 繊維全体の太さは10数nm | 120 160 |
| 2003年 1月号 | 構造の新分子 羽根付き -フラーレン使い合成- | 東大 北大 | 日経産業新聞 (2002年10月18日PP.10) | 縦方向に積層 nmサイズの電線や光スイッチに応用有望 | 120 160 240 |
| 2003年 1月号 | 超薄型パソコン可能に -液晶ガラス基板上にCPU- 一行紹介 | シャープ | 日本経済新聞 (2002年10月23日PP.13) 日刊工業新聞 (2002年10月23日PP.9) 日経産業新聞 (2002年10月23日PP.5) | 8bitCPU「Z80」 線幅3μmルール | 160 220 250 |
| 2003年 1月号 | カーボンナノチューブ -水溶性持たせる- | 長崎大 | 日本経済新聞 (2002年10月28日PP.23) | 親水性化合物 超音波 分離精製容易 | 120 160 |
| 2002年12月号 | ポリカーボネートの微細加工技術 -プリント基板回路線幅1/5に- | 横浜国大 | 日経産業新聞 (2002年9月4日PP.11) | 厚さ20μm ポリカーボネートの基板に線幅10μmの回路 | 160 |
| 2002年12月号 | 3000～6800Oeと最高保持力を持つ磁性ナノ粒子 | 明大 | 日刊工業新聞 (2002年9月4日PP.5) | スピネルフェライト コバルト､ニッケル､鉄酸化物 粒径30～40nmの超微粒子 | 120 160 |
| 2002年12月号 | Agナノ粒子を均一成形 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2002年9月19日PP.4) 日経産業新聞 (2002年9月27日PP.10) | 光ディスク上に均一成形 ナノ粒子ナノワイヤを3次元形成 粒径20～30nm | 230 160 |
| 2002年12月号 | 新構造のトライ・ゲート型トランジスタ開発 | 米インテﾙ | 日刊工業新聞 (2002年9月20日PP.9) | トライゲート型トランジスタ 3次元構造のゲートを採用 同サイズのプレーナ型と比較して20%多い電流を駆動 | 160 220 |
| 2002年12月号 | 1110万画素受像のCMOSセンサ | キヤノン | 日本経済新聞 (2002年9月24日PP.9) | デジタルカメラ用 23.8mm×35.8mm 3回露光の微細加工技術 | 210 160 |
| 2002年11月号 | 高生産性のナノ加工技術 -インプリントで10nm級- | 姫路工大 産総研 NEC NTT 明昌機工 | 日刊工業新聞 (2002年8月8日PP.4) 日刊工業新聞 (2002年8月14日PP.1) | 室温ナノインプリント技術 モールドのパターン一括転写 基板上のポリマー薄膜 | 160 |
| 2002年11月号 | 二重構造の金属粉末 | 東北大 | 日本経済新聞 (2002年8月9日PP.15) | FeCuの二重構造球体 溶けた金属を垂らしてガスを吹き付けて霧状にして冷却 直径0.2mm | 160 |
| 2002年11月号 | CPU30%高速化 -銅配線の結晶大きく- | 京大 | 日経産業新聞 (2002年8月14日PP.1) | 銅配線の結晶構造を変化させる 250～300℃で数時間加熱 電子の結晶境界面衝突の低減 結晶サイズ10倍で電気抵抗が半減 | 160 |
| 2002年11月号 | 生物の力で超微細回路 -チップ性能100倍に- | 松下電器 阪大 理化学研 | 日本経済新聞・夕刊 (2002年8月15日PP.1) | バイオナノ技術 生物の自己組織化 | 160 |
| 2002年11月号 | ナノ応用光通信素子 -4大学と産学共同開発- | NEC 富士通 KDDI 東大等 | 日経産業新聞 (2002年8月19日PP.9) | フォトニックネットワーク 配線面積が現在の1/1000 WDM用 | 160 240 |
| 2002年11月号 | 紫外線でSBT薄膜の結晶構造を制御 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2002年8月20日PP.1) | 強誘電体メモリー 化学溶液法製膜プロセス | 160 230 |
| 2002年11月号 | 初の磁性微粒子 -磁気テープ記憶容量数十倍に- | 明大 | 日本工業新聞 (2002年8月28日PP.1) | 微粒子直径30nm(従来の1/4) 保磁力480kA/m(従来の4倍) 主成分はCoとNiを組合せた酸化鉄 塗布型 水溶液を混合 | 130 160 |
| 2002年11月号 | 低温で液晶用酸化膜作成技術 | 産総研 明電舎 | 日経産業新聞 (2002年8月30日PP.11) | 高精細液晶表示板 フラッシュメモリー生産の基盤技術 温度400℃ 赤外線ランプ オゾン | 160 |
| 2002年10月号 | 多層カーボンナノチューブ 垂直成長させる技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年7月8日PP.9) 電波新聞 (2002年7月8日PP.1) 日本工業新聞 (2002年7月8日PP.2) 日本経済新聞 (2002年7月8日PP.21) | 微細なLSI配線 φ:50nmL: 500nmのCNT CMOS･FETのシリサイド層上にて成長 電極にNiやCoを混入 CH4とH2の混合ガスによるプラズマCVD法 | 120 160 220 |
| 2002年10月号 | 高速・簡単に高品質ダイヤ薄膜 | 日本工大 | 日本工業新聞 (2002年7月9日PP.2) | 酸素-アセチレン炎 チャンバーフレーム法 1時間に20μm | 160 |
| 2002年10月号 | 樹脂の超微小部品を金型で製作 -光スイッチ開発に道- | クラスターテクノロジー | 日刊工業新聞 (2002年7月24日PP.1) | 1μmの樹脂形成品 集中イオンビーム | 160 260 |
| 2002年10月号 | 量子ドット形成法 -ナノオーダで制御- (NO31合わせる) | 富士通研 | 電波新聞 (2002年7月29日PP.1) | 化合物半導体 量子コンピュータ 分子線エピタキシ 結合量子スピンを利用 直径30nmと20nmの量子ドット | 120 160 |
| 2002年10月号 | 1次元鎖状に量子ドット配列 (NO29合わせる) | 電通大 | 日刊工業新聞 (2002年7月31日PP.5) | 分子線エピタキシャル法(MBE) 20nm～30nm直径のIn・As量子ドット 5μm以上の長さに配列 | 120 160 |
| 2002年 9月号 | 感度10倍のCCD | 東北大 三洋電機 | 日経産業新聞 (2002年6月7日PP.1) | プラズマ照射のオン・オフ切替え 紫外線の影響を1/10に低減 | 210 160 |
| 2002年 9月号 | ダイヤモンドLED -光出力が従来の600倍に- | 東京ガス | 日刊工業新聞 (2002年6月7日PP.5) 日経産業新聞 (2002年6月27日PP.11) | 紫外線LED 出力17μW 波長235nm 発光効率0.032% | 250 160 |
| 2002年 9月号 | 純度95%のナノチューブ | 富士ゼロックス | 日本経済新聞 (2002年6月14日PP.15) | アーク放電法 磁場によりプラズマ密度を向上 | 120 160 |
| 2002年 9月号 | LSIの消費電力を1/10に低減するトランジスタ | 松下電器 | 日本経済新聞 (2002年6月20日PP.11) | SiGeのナノ構造薄膜をSi基板に形成 0.5V動作 CMOSトランジスタ | 220 160 |
| 2002年 8月号 | 分子集合でナノ配線 | 東大 | 日経産業新聞 (2002年5月10日PP.8) | ピロール 1本あたりの太さ2.7nm 自己組織化 表面にシリカの絶縁層 相田ナノ空間プロジェクト | 120 160 |
| 2002年 8月号 | ナノレベルで膜厚制御するクラスタ銃 | 日立船造 | 日刊工業新聞 (2002年5月20日PP.1) | Siクラスタ グラファイト表面 | 160 |
| 2002年 8月号 | 次世代光伝送向けトランジスタ | 沖電気 | 日経産業新聞 (2002年5月27日PP.7) | ゲート幅100nm 積層部をInとPで構成 ウェットエッチング 6層構造 | 220 160 |
| 2002年 8月号 | 電子ビーム露光装置 -マスク製造に成功- | HOYA 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2002年5月28日PP.1) | φ200mm Siマスク 50nmプロセス用 | 160 |
| 2002年 7月号 | ナノの規則構造 自在に作製 | 都立大 NTT | 日本経済新聞 (2002年4月19日PP.17) | AI 規則的に打点 電気酸化 | 120 160 |
| 2002年 7月号 | 丸まる基板で光る印刷文字 -インクジェットプリンタ用シート- | プリントラボ | 日経産業新聞 (2002年4月26日PP.1) | 水性インク 厚さ0.12～0.3mm 無機EL | 160 250 130 |
| 2002年 6月号 | カーボンナノチューブ-製造コスト1/100に- | 三菱化学 群馬大 東レ 名大 | 日本経済新聞 (2002年3月2日PP.1) 日刊工業新聞 (2002年3月18日PP.9) | 2層CNT30～40% 触媒化学気相成長法 (CCVD) ゼネライト | 160 120 |
| 2002年 6月号 | 立方体の白金ナノサイズ粒子 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2002年3月14日PP.1) | 排ガス触媒 N-イソプロピルアクリル酸 | 160 |
| 2002年 6月号 | ナノサイズのカプセル型白金微粒子 | 千葉大 | 日刊工業新聞 (2002年3月19日PP.1) | カプセル型白金微粒子 20nm 表面積が30000m2/モル | 260 160 |
| 2002年 5月号 | ナノ単位の部品加工技術 | 住友電工 | 日本経済新聞 (2002年2月8日PP.17) | 放射光 樹脂製の型枠 メッキ溶液 ばね探針 長さ3mm 厚さ0.03mm | 160 |
| 2002年 5月号 | 超微細ダイヤ針 -薄型テレビなどに応用- | 阪大 住友電工 ファインセラミックセンター | 日経産業新聞 (2002年2月14日PP.9) | FED 先端の直径2nm 400本/1mの集積可能 | 160 250 |
| 2002年 5月号 | ナノ微粒子「光」で制御するマニピュータ | 農工大 | 日刊工業新聞 (2002年2月19日PP.1) | マニピュータ 球形レンズ 毎秒10nmで移動可能 | 160 |
| 2002年 5月号 | 希土類酸化物でナノチューブ合成 | 佐賀大 | 日刊工業新聞 (2002年2月25日PP.1) | エルビウム ツリウム イッテルビウム ルテチウム 外径6nm 内径3nm | 120 160 |
| 2002年 5月号 | 大型のGaN単体結晶 -10倍大型化- | 東北大 リコー 米コーネル大 | 日刊工業新聞 (2002年2月27日PP.1) | 金属Naフラックス法 10mm板状 サイズ10倍 青色LED | 160 250 |
| 2002年 4月号 | ガラスの中にSi単結晶 | 京大 | 日刊工業新聞 (2002年1月1日PP.1) | フェムト秒レーザパルス p型とn型の半導体 立体的な金配線 | 160 |
| 2002年 4月号 | 触媒使う薄膜製造技術 -超大型液晶に期待- | 北陸先端大 | 朝日新聞・夕刊 (2002年1月16日PP.12) | 触媒化学気相成長法 タングステン線材 生産性は従来方式の2.5～5倍 低温で製造 大型薄膜の製造方法 | 160 |
| 2002年 4月号 | 0.05μm半導体加工技術 | 東北大 荏原総研 | 日経産業新聞 (2002年1月21日PP.1) | マイナス帯電マスク使用 中性粒子を基板に垂直照射 | 160 |
| 2002年 3月号 | 16GBフラッシュメモリー -2006年にも達成 容量10倍以上に- | シャープ 東北大 | 日本経済新聞 (2001年12月7日PP.15) | 微細円柱の周囲にセル素子 多段重ねで高密度化 セルを2段積んだ素子を試作 | 230 160 |
| 2002年 3月号 | ダイヤ薄膜に微細な穴形成 | 東大 都立大 | 日本経済新聞 (2001年12月17日PP.19) | 穴径数10nm 加工速度1μm/分 | 160 |
| 2002年 3月号 | システムLSI高速化技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (2001年12月21日PP.7) | オン・オフ切換時間5ps 基板内に空洞 ゲート長50nm 漏れ電流防止 | 220 160 |
| 2002年 3月号 | 耐久性の高い半導体素子 -寿命数倍に- | 広島大 | 日経産業新聞 (2001年12月26日PP.8) | 駆動電極部の絶縁層に保護膜 原子層成長法 SiN | 160 220 |
| 2002年 3月号 | 熱を伝えるプラスチック 一行紹介 | 日立 | 日本経済新聞 (2001年12月28日PP.13) | 熱電導率従来の5倍 エポキシ樹脂 基本的に並びやすい構造の分子 | 160 260 |
| 2002年 2月号 | 光触媒リソグラフィ -レジストなしで微細加工- | 東大 | 日刊工業新聞 (2001年11月7日PP.1) | 酸化チタン | 160 |
| 2002年 2月号 | セラミックス結晶そろえる手法 | 長岡技科大 | 日経産業新聞 (2001年11月7日PP.10) | 超電導磁石 | 160 |
| 2002年 2月号 | 微細構造作る新技術 -ナノ大の金属粒子均一配列- | 松下電器 | 日本経済新聞 (2001年11月9日PP.17) | 球状タンパク質 外径12nm 空洞径6nm フェリチン Si基板 メモリー | 160 |
| 2002年 2月号 | フォトニック結晶 -簡単・安価に作製- | NEC北米研究所 | 日刊工業新聞 (2001年11月16日PP.6) | 球形の合成オパール(シリカ) シリコンウェハ上に作製 Siのみで光IC | 160 |
| 2001年12月号 | 次世代光ディスク加工技術 -DVDの容量20倍に 赤色半導体レーザ利用- | シャープ 産総研 TDK | 日経産業新聞 (2001年9月11日PP.13) | 原盤加工 吸光発熱薄膜 熱疑固薄膜 幅100nmの線 直径80nmの突起 | 230 160 |
| 2001年12月号 | セラミックス製ナノチューブ | 大日本インキ 九大 | 日経産業新聞 (2001年9月17日PP.11) | シクロヘキサジアミン 外径50nm 内径10nm | 120 160 |
| 2001年12月号 | Si薄膜にナノ穴形成 -電子線を光速照射アモルファス化可能に- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2001年9月18日PP.7) | 量子サイズ効果 直径約3mm | 160 |
| 2001年11月号 | チップの上に光の集積回路 | NTT | 日本経済新聞 (2001年8月3日PP.17) | 光導波路 ナノテクノロジー 光通信 1.3～1.6μmの光で確認 Si基板 | 240 160 |
| 2001年11月号 | Si球体チェーン -直径2nmで量産- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2001年8月7日PP.1) | 直径2～3nm Si針状結晶 | 160 |
| 2001年11月号 | 形状記憶合金製ビス -ネジ取り外し熱で簡単- | シャープ トーキン | 日経産業新聞 (2001年8月14日PP.1) | 形状記憶合金 | 160 260 |
| 2001年11月号 | 低温で基盤形成技術 カーボンナノチューブ | 豊橋技科大 | 日経産業新聞 (2001年8月16日PP.7) | 50℃で基板を加熱 真空中のアーク放電利用 30Vで 50～100Aの放電 太さ数10nm 長さ1μm | 160 120 |
| 2001年11月号 | ナノサイズのくぼみ -レーザで瞬時形成- | 科学技術振興事業団 | 日本経済新聞 (2001年8月24日PP.17) | 量子コンピュータ fsレーザ 干渉を利用 0.1mmの領域に1μm間隔で10～200nmのくぼみ | 160 |
| 2001年10月号 | 「近接場光」で超微細加工 | 富士フイルム | 朝日新聞・夕刊 (2001年7月6日PP.13) | スリット幅130nm 深さ550nm 2層レジスト 水銀ランプ 436nm | 160 460 |
| 2001年10月号 | 低温p-Si技術-ガラス基板に超高速回路- | 富士通 | 日刊工業新聞 (2001年7月13日PP.1) | 粒界3×20μm､ガラス基板 Si2バッファ層 半導体レーザ励起固体レーザによる結晶化 低温p-Si技術 プロセス温度450℃以下 移動度500cm2/V・s | 160 220 250 |
| 2001年10月号 | 先端径10nmのダイヤモンド・ナノエミッタ | 住友電工 ファインセラミックスセンター 阪大 | 日刊工業新聞 (2001年7月17日PP.1) | 電流を均質化 数mm角の基板に10μmピッチで配置 成長とエッチングの組合せ 単結晶ダイヤモンド φ3～5mm円すい プラズマエッチング 高さ/先端径＞10 | 160 250 |
| 2001年10月号 | 光電子融合システム -Siと化合物半導体を無転位で一体化- | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2001年7月24日PP.7) | 光電子融合IC GaPN 分子線エピタキシー 同一格子定数 | 160 |
| 2001年10月号 | 新型露光装置 -フォトマスクを使わずに露光- | ソニー 熊本大 | 日経産業新聞 (2001年7月24日PP.1) | パターン幅5μm 突装基板露光装置 | 160 |
| 2001年 8月号,9月号 | 半導体材料でミクロンの折り紙 -一辺1/20mmの折り紙- | ATR環境適応通信研 | 日本経済新聞 (2001年6月8日PP.17) | 格子定数の違い GaAs InGaAs | 160 260 |
| 2001年 8月号,9月号 | 極微細粒でシリコン層形成技術 | アネルバ | 日経産業新聞 (2001年6月14日PP.7) | クオンタムドット形成技術 直径5-10nmの粒子 1T個/m2 | 160 130 |
| 2001年 8月号,9月号 | ナクテク使い立体配線 | 東芝 | 日本経済新聞 (2001年6月15日PP.17) | 銅メッキ 線幅15μm 数10nm径の穴の開いたプラスチックシート 光の強弱で配線と貫通部を作成 | 260 160 |
| 2001年 8月号,9月号 | 加工容易なキャパシタ | エルピーダメモリ 日立 | 日経産業新聞 (2001年6月22日PP.17) | Ru利用 線幅0.13μmの加工 DRAM | 160 230 |
| 2001年 6月号 | 印刷技法で有機EL製造 | 大日本印刷 | 日本経済新聞 (2001年4月4日PP.13) 日経産業新聞 (2001年4月12日PP.6) | 厚さ0.25mmの樹脂基板に印刷 | 160 250 |
| 2001年 6月号 | カーボンナノコイル -ら旋状化 大量合成に成功- | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2001年4月10日PP.6) | 酸化InとFeの薄膜を設置した電気炉にアセチレンを送り込む | 160 |
| 2001年 6月号 | 水晶振動子 | 熊本大 | 日刊工業新聞 (2001年4月10日PP.1) | 水晶振動子 厚さ5μmで300MHz 片面ラッピング加工 | 160 240 |
| 2001年 6月号 | 半導体チップ -極紫外線で加工- | 大手半導体メーカ エネルギー省傘下の研究所 | 日本経済新聞 (2001年4月13日PP.17) | EUV 波長13nm 線幅30nm | 160 |
| 2001年 4月号 | インクジェット使いTFT製作 | エプソン | 日経産業新聞 (2001年2月28日PP.1) | 水溶性導電性ポリマー 有機トランジスタ回路 | 160 250 |
| 2001年 4月号 | 「一筆書き」で3次元構造 | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (2001年2月21日PP.7) | 電気化学エッチング 光制御 0.2μmのすきまも実現 | 160 |
| 2001年 4月号 | カーボンナノチューブの量産化技術 -既存設備で量産化- | 群馬大 | 日刊工業新聞 (2001年2月21日PP.7) | カーボンナノチューブ ポリマーブレンド紡糸法 最小直径10～20nm | 160 |
| 2001年 4月号 | 任意の位置に分子1個分の配線 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2001年2月8日PP.6) 日経産業新聞 (2001年2月8日PP.12) | ジアセチレン化合物分子 ナノ細線 走査形トンネル顕微鏡(STM) | 160 |
| 2001年 3月号 | 最大200GBの記録技術 | 松下電器 | 日経産業新聞 (2001年1月25日PP.1) | 最大記録容量200GB サーボトラック信号の短時間書込み 磁気転写 半導体露光技術 3.5インチ/ディスク | 160 230 |
| 2001年 2月号 | トランジスタ製造コスト半減 | 東芝 日本真空技術 | 日経産業新聞 (2000年12月15日PP.1) | イオン注入装置 露光工程不要 マスク強度耐熱性向上 | 160 |
| 2001年 2月号 | LSI電流漏れ30%減 | 東芝 | 日経産業新聞 (2000年12月12日PP.9) | 超微細粒子制御クリーニング技術 重水素 | 160 220 |
| 2001年 2月号 | 新しい銅配線構造 -動作速度1.7倍に- | NEC | 電波新聞 (2000年12月12日PP.6) | ロジックLSI デュアルダマシン | 160 220 |
| 2001年 2月号 | MRAM向け成膜装置 | アネルバ | 日経産業新聞 (2000年12月4日PP.9) | 直径8inウェハ 1nm以下の磁性膜 真空技術 | 230 160 |
| 2001年 1月号 | 粒ぞろいの量子ドット | 科学技術庁 東大 | 日経産業新聞 (2000年11月27日PP.10) | GaAs半導体微粒子 直径5～20mm 液滴エピタキシィ法 | 160 120 |
| 2001年 1月号 | 単層カーボンナノチューブ -直径0.4nm作製- | 名城大 NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2000年11月2日PP.6) 日経産業新聞 (2000年11月2日PP.9) | カーボンナノチューブ 水素ガス中で放電 直径0.4～10nm 多層構造 | 120 160 |
| 2000年12月号 | 新形導電性銀ペースト -配線幅10μm実現- | アルバック・コーポレートセンター ハリマ化成 | 日本工業新聞 (2000年10月27日PP.7) | ナノ粒子ペースト | 160 |
| 2000年12月号 | 超精密技術 -レーザ使い極小文字- | 阪大 | 電波新聞 (2000年10月20日PP.2) | 微粒子20nm 蛍光プラスチック 光ピンセット | 160 |
| 2000年11月号 | 微細加工に新感光剤 | NEC | 日経産業新聞 (2000年9月13日PP.9) | 1ギガ超メモリー レジスト用感光剤 フッ化アルゴンレーザ 微細加工技術 線幅0.13μm | 160 |
| 2000年11月号 | 半導体製造 -製膜コスト半減- | 東芝 東京エレクトロン | 日本経済新聞 (2000年9月2日PP.13) | ノズル・スキャン塗布 強誘電体膜 低誘電率相関絶縁膜 | 160 |
| 2000年10月号 | 極超短波でエッチング | 日立 | 日経産業新聞 (2000年8月31日PP.9) | エッチング 電極幅0.1μm 加工精度0.5nm以下 | 160 |
| 2000年10月号 | HD容量上げる微細加工技術 -容量10倍超へ- | 東芝 | 日本経済新聞 (2000年8月19日PP.13) | 高分子材料 自己組織化 ナノテクノロジー 単一電子トランジスタ ハードディスク | 160 230 |
| 2000年10月号 | 放電加工・超音波加工技術 | 東大 | 日刊工業新聞 (2000年8月8日PP.7) | 超音波加工 | 160 260 |
| 2000年 9月号 | 回折格子を形成する新技術 -硬い材料を直接加工- | 科学技術振興事業団 | 日経産業新聞 (2000年7月25日PP.1) | 80nmチタンサファイアレーザ 1mJ/pulse 干渉縞で回折格子を形成 0.3μm幅の溝 溝間隔1μm幅 | 160 |
| 2000年 9月号 | ウェットプロセスで平滑な有機EL素子作成 -表面凹凸10nmに制御- | 慶大 | 日刊工業新聞 (2000年7月3日PP.9) 日刊工業新聞 (2000年7月6日PP.6) 日刊工業新聞 (2000年7月1日PP.7) | 有機EL素子 ディスプレイ ポリマー ウェットプロセス 交互吸着膜 凹凸10nm EL 光素子 | 160 150 |
| 2000年 8月号 | 次世代露光技術に期待 -極度に明るいレンズで高解像度- | 電機大 | 日本工業新聞 (2000年6月7日PP.17) | 薄膜レジスト 極度に明るいレンズ | 160 |
| 2000年 7月号 | 原子線ホログラフ -将来の超微細加工につながる技術- | NEC 電通大 | 日本経済新聞 (2000年5月20日PP.15) | 原子線ホログラフィ 電圧で干渉変化 | 160 |
| 2000年 7月号 | 原子で文字画像描く技術 | NEC 電通大 | 日経産業新聞 (2000年5月22日PP.12) | 原子線ホログラフィ ネオン原子 文字画像 | 160 430 |
| 2000年 7月号 | 放射光で半導体微細加工 | 岡崎分子研 | 日経産業新聞 (2000年5月1日PP.4) | 自己組織化 加工温度50℃ SI基板の表面に酸化膜 | 160 |
| 2000年 6月号 | ダイヤモンドFED -均一なエミッタ- | 東大 | 日刊工業新聞 (2000年4月21日PP.6) | 平面ディスプレイ 化学気相成長法 酸素プラズマ | 160 |
| 2000年 6月号 | 多層構造電子回路作成技術 | 茨城大 | 日本工業新聞 (2000年4月4日PP.15) | 多層構造電子回路 レーザマイクロ造形法 オール・ソリッドステート・システム 微粉体テープ | 160 260 |
| 2000年 5月号 | 120°の曲がり導波路 | NEC | 日刊工業新聞 (2000年3月8日PP.7) | フォトニック結晶 小形導波路 光回路 | 240 160 |
| 2000年 4月号 | 1テラバイト記録技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (2000年2月28日PP.19) | 自己組織化 有機材料 | 130 160 |
| 2000年 4月号 | 新半導体製造法 -垂直構造で高集積- | 米ルーセントテクノロジー | 日経産業新聞 (2000年2月25日PP.5) | トランジスタ 半導体 ゲート長50nm 垂直構造 | 220 160 |
| 2000年 4月号 | 磁性流体用いテクスチャ形成 | 東北大 | 日本工業新聞 (2000年2月24日PP.20) | HDD ヘッド・媒体間摩擦制御 テクスチャ 磁性流体 | 230 160 |
| 2000年 4月号 | 微小ピラミッド構造の光共振器 | 北大 | 日経産業新聞 (2000年2月22日PP.1) | 光共振器 半導体レーザ 硫化亜鉛 閾値電流 レーザ発振器 | 150 160 |
| 2000年 4月号 | 単結晶窒化ガリウム基板 | 住友電工 | 日経産業新聞 (2000年2月18日PP.1) | 窒化ガリウム 青紫色半導体レーザ | 160 150 |
| 2000年 3月号 | 半導体回路微細化で新技術 -線幅0.1μm以下- | 工技院 | 日本経済新聞 (2000年1月31日PP.17) | 半導体 微細化 線幅0.1μm アンチモン薄膜 | 160 |
| 2000年 3月号 | LSI 3次元集積化技術 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2000年1月19日PP.7) | 3次元LSI 3次元集積化技術 マイクロマシン 3次元イメージセンサ | 210 160 |
| 2000年 3月号 | 新CDV法を確立 -0.1μmのトランジスタ- | 豊田工大 | 日経産業新聞 (2000年1月14日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年1月14日PP.5) | LSI Si窒化薄膜 電子ビーム プラズマ ゲート絶縁膜 0.1μmルール半導体製造 低温 低圧力 | 160 |
| 2000年 3月号 | 真空マイクロ素子 -ダイヤモンド状炭素エミッタに使用- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2000年1月13日PP.6) | DLC 電子放出電圧24V 真空マイクロ素子 マイクロ波CVD法 | 250 150 160 220 |
| 2000年 2月号 | 単電子トランジスタの論理回路 -消費電力10万分の1- | NTT | 日経産業新聞 (1999年12月10日PP.5) 日刊工業新聞 (1999年12月10日PP.7) 電波タイムズ (1999年12月17日PP.1) | 単一電子トランジスタ(SET) 論理回路 パターン依存酸化法 V-PADOX法 超低消費電力 1/100,000 Si熱酸化手法 インバータ回路 低温動作:-243℃ | 220 160 |
| 2000年 1月号 | 高温超電導素子製造技術 -1チップ上に10個の集積可能に- | 超電導研 NEC 東芝 日立 | 日経産業新聞 (1999年11月12日PP.5) 電波新聞 (1999年11月12日PP.2) | YBaCuO系 高温超電導素子 ジョセフソン素子 イオン照射 | 220 160 |
| 2000年 1月号 | シリコン基板上に情報書込み -1平方インチに1兆ビット- | 早大 | 日経産業新聞 (1999年11月8日PP.5) | 10Gb/in2 Si基板 酸化膜 ウエットエッチング 直径10nmの穴 | 160 230 |
| 2000年 1月号 | シリコン酸化膜形成の仕組み解明 | NTT | 日経産業新聞 (1999年11月4日PP.4) | Si酸化膜 LSI | 120 160 |
| 2001年 1月号 | 単層カーボンナノチューブ -直径0.4nm作製- | 名城大 NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2000年11月2日PP.6) 日経産業新聞 (2000年11月2日PP.9) | カーボンナノチューブ 水素ガス中で放電 直径0.4～10nm 多層構造 | 120 160 |
| 1999年12月号 | 微粒子1個に1ビット記録-配列パターンに垂直磁化- | 日立 東北大 | 日刊工業新聞 (1999年10月13日PP.7) | 垂直磁化 円柱状磁性微粒子 パターンドメディア MFM 30Gb/inch2 80nmφ44nmHの円柱状微粒子 150nmピッチ | 130 230 160 |
| 1999年12月号 | FeRAM用微細回路作製技術 | 京大 | 日経産業新聞 (1999年10月28日PP.5) | 誘電体薄膜 Ti溶液 常温・常圧 酸化ホウ素 | 160 |
| 1999年12月号 | 超機能ターゲット材料 -電極材料を一括作製- | 京大 | 日刊工業新聞 (1999年10月29日PP.7) | GaAsトランジスタ 電極材料 | 160 |
| 1999年11月号 | シリコン発光素子 | 松下技研 | 日経産業新聞 (1999年9月6日PP.5) | シリコン超微粒子 透明導電薄膜 酸化インジウム | 250 160 |
| 1999年11月号 | 直径3mmの巨大なゼオライト単結晶 -記憶素子なども応用- | 科学技術戦略推進機構物質工学工業技研 | 日経産業新聞 (1999年9月17日PP.4) 日刊工業新聞 (1999年9月17日PP.8) | ゼオライト大形単結晶 直径3mm バルク溶解(BMD)法 | 160 |
| 1999年11月号 | Si接合技術 | NEC 科学技術振興事業団 | 電波タイムズ (1999年9月20日PP.2) | カーボンナノチューブ | 260 160 |
| 1999年11月号 | シナプスまねし簡便な学習回路 -回路面積1/100以下- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1999年9月21日PP.6) 日経産業新聞 (1999年9月22日PP.5) | 神経シナプス 強誘電体膜 SBT FET 適応学習機能 SBT 新トランジスタ SBTの薄膜 ニューラルネットワーク | 520 220 160 |
| 1999年11月号 | 酸化物基板上で単結晶成長 | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年9月24日PP.5) | In As Ga As In Sb 軟磁性体 ホール素子 エピタキシャル成長 酸化物フェライト基板 化合物半導体単結晶成長 基板表面平坦化 メカケミカル研磨 超高感度磁気センサ | 110 160 |
| 1999年11月号 | 次世代半導体ウェハ -SOI低コストで量産- | キヤノン | 日経産業新聞 (1999年9月24日PP.1) | SOIウェハ 高圧水流 張合せ法 ウォータジェット | 160 |
| 1999年11月号 | Si微結晶発光素子-発光均一化と強度10倍- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1999年9月27日PP.15) | 発光強度10倍 単結晶フッ化カルリウム 瞬間熱処理(RTA) Si発光素子 Si微結晶 | 250 150 160 |
| 1999年10月号 | タングステン微粒子レーザ照射で整列 | 機械技研 真空冶金 | 日刊工業新聞 (1999年8月5日PP.6) | タングステン 短パルスレーザ 平面ディスプレイ FED タングステン微粒子 | 160 150 250 |
| 1999年10月号 | ハイブリッド式成膜装置 -耐磨耗性を80倍に- | ナノテック | 日刊工業新聞 (1999年8月6日PP.7) | ダイヤモンド 磁気ディスク DLC | 130 160 |
| 1999年10月号 | 10nmを切る半導体量子細線 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1999年8月25日PP.5) | ガスエッチング 有機金属気相成長 光通信帯で発光 InGaAs細線 | 250 160 |
| 1999年 9月号 | 単一電子素子量産用製造技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (1999年7月19日PP.19) | 自己組織化 超微細加工 半導体基板 20～30nmの凹凸 単一電子素子 製造技術 エッチング | 160 220 260 120 |
| 1999年 9月号 | Si超微粒子 -大きさ望み通り- | 松下技研 | 日経産業新聞 (1999年7月19日PP.5) | 任意サイズ 誤差12% Si超微粒子 超高速半導体 | 160 |
| 1999年 8月号 | 世界初の微細立体配線技術 -レーザ2種を基板に同時照射- | 三洋電機 | 日経産業新聞 (1999年6月3日PP.5) | エキシマレーザ 微細配線技術 マイクロマシン用 可視光レーザ 二波長励起レーザ CVD | 160 260 |
| 1999年 8月号 | 幅3nmの電線 -微小機械などに応用へ- | 物質工学研 | 日経産業新聞 (1999年6月15日PP.5) | 誘電性繊維 | 260 160 |
| 1999年 8月号 | 0.05μm世代のCM0S素子 | 日立 | 日刊工業新聞 (1999年6月15日PP.6) | CMOS RTA炉 | 160 220 |
| 1999年 8月号 | 世界最小のトランジスタ -構造試作 動作を確認- | NEC | 日経産業新聞 (1999年6月17日PP.5) | ゲート電極長50nm P-MOS MOSトランジスタ MOSFET | 160 220 |
| 1999年 7月号 | 蒸着技術で磁気テープ容量10倍に | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1999年5月14日PP.5) | 磁気テープ 磁性粒子微粒子化 PFT ノイズ低減 生産性3倍 コバルト酸化物 | 230 330 160 130 |
| 1999年 7月号 | 新形の薄膜製造装置 -携帯電話の電力節約- | 北陸先端院大 | 日本経済新聞 (1999年5月31日PP.19) | CVD W触媒 | 160 220 |
| 1999年 7月号 | 紙のように薄い半導体 | 東芝 | 東京新聞 (1999年5月24日PP.3) | 薄形半導体 厚さ0.13mm PTP | 160 230 |
| 1999年 7月号 | LSI回路パターン用微細加工技術 -超臨界流体使い洗浄- | NTT | 日経産業新聞 (1999年5月21日PP.5) | 超臨界流体 LSI洗浄 液化二酸化炭素 | 160 |
| 1999年 7月号 | DVD-RAM次世代機 | 松下電器産業 | 日本経済新聞 (1999年5月25日PP.13) | 片面4.7GB 650nm | 230 330 160 130 |
| 1999年 7月号 | 次世代LSI用分子性レジスト -線幅0.04μm- | 阪大 | 日本工業新聞 (1999年4月30日PP.17) | 電子線照射 新規化学増幅形分子性レジスト(BCOTPB) アモルファス薄膜 | 160 |
| 1999年 6月号 | 非結質フェライト-マイクロ波照射で作成 | 東北大 | 日刊工業新聞 (1999年4月20日PP.6) | 非晶質フェライト 強磁性 マイクロ波照射 ソフト 導電性 | 160 120 |
| 1999年 6月号 | 世界初の球面集積回路 -球状半導体にIC形成- | 米ボールセミコンダクタ | 日本経済新聞 (1999年4月6日PP.11) 日刊工業新聞 (1999年4月13日PP.11) | 球面集積回路 球状Si N形MOS 球状半導体 インバータ回路 | 220 260 160 |
| 1999年 5月号 | 0.1μmプロセス用絶縁材料 -2GHz動作のLSI実現- | 富士通研 | 電波新聞 (1999年3月30日PP.1) | 2GHz動作 0.1μmプロセス用絶縁材料 ナノキャビティ技術 層間絶縁膜誘電率1.98 アリサイクリックモノマ | 220 120 160 |
| 1999年 5月号 | 世界最小MOSトランジスタ -ゲート長8nm- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年3月29日PP.1) | MOSトランジスタ HET 10Tbメモリー ホットエレクトロン効果 トランジスタ ゲート長8nm 電子線レジスト 横形HEMT | 220 160 |
| 1999年 5月号 | 世界最大の容量伝送 -350GHzと最高速実現- | NTT | 日刊工業新聞 (1999年3月19日PP.4) 電波タイムズ (1999年3月19日PP.1) | In P系 HEMT 遮断周波数350GHz 3Tbpsを40km伝送 2段階リセスゲート フラーレン添加 電子線レジスト | 220 240 160 |
| 1999年 5月号 | ステッパ解像度倍増の光学露光技術 | キヤノン | 日経産業新聞 (1999年3月2日PP.1) | 二重露光 | 360 160 |
| 1999年 4月号 | 電子ビームステッパ技術 -高生産性の0.1μm以下対応- | ニコン IBM | 電波新聞 (1999年2月3日PP.7) | EBステッパ 0.1μm 電子ビームレクチル転写方式 | 160 |
| 1999年 3月号 | EBステッパ -16GDRAM生産に道- | ニコン 米IBM | 日本経済新聞 (1999年1月27日PP.13) | EBステッパ 処理能力40枚/h | 160 |
| 1999年 3月号 | 銅・アルミを直接接合する技術 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1999年1月22日PP.5) | 銅/アルミ複合材 界面破壊力学 摩擦圧接プロセス | 160 |
| 1999年 3月号 | 設計ルール0.1μm以下を可能にするF2レーザ | コマツ | 日刊工業新聞 (1999年1月13日PP.10) | フッ素レーザ 半導体露光装置 半導体製造 光源 | 250 160 |
| 1999年 3月号 | 高温超伝導 -集積回路実現へ突破口- | NEC | 朝日新聞 (1999年1月3日PP.3) | 高温超伝導 絶縁バリア層 ジョセフソン接合 集積回路 | 120 160 220 |
| 1999年 2月号 | 炭化シリコン基板製造技術 -直径3インチ- | 原子力研高崎研 | 日刊工業新聞 (1998年12月24日PP.1) | 炭化シリコン | 160 |
| 1999年 2月号 | 原子線ホログラフィ -縮小と多階調結像技術を開発- | NEC 電通大 | 日刊工業新聞 (1998年12月18日PP.5) | 原子線ホログラフィ 像縮小 多階調結像技術 リソグラフィ | 430 160 |
| 1999年 2月号 | 0.1μmレベルのホールパターン技術 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1998年12月15日PP.1) | RELACS剤 酸成分の拡散 | 160 |
| 1999年 2月号 | 1.2nm極薄酸化膜使用のMOS素子 | 広島大 | 日刊工業新聞 (1998年12月8日PP.6) | 1.2nmシリコン酸化膜 | 220 160 |
| 1999年 2月号 | シリコン酸化膜の微細構造解析 -歪み層が信頼性決定- | 松下電子 | 日経産業新聞 (1998年12月8日PP.5) | 1nm歪み層 絶縁破壊 | 160 |
| 1999年 2月号 | メモリー混載プロセス技術 -低コストで高性能- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1998年12月3日PP.5) | ルテニウム金属 DRAM | 160 |
| 1999年 1月号 | 30%高速化した次世代LSI -絶縁膜に新材料- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年11月26日PP.5) | LSI 絶縁膜 二酸化ケイ素 水素シルセスキオキサン(HSQ) | 160 120 |
| 1999年 1月号 | インジウム リンの半導体製造技術 -超微細 薄膜で新技術- | 通信 放送機構 | 日刊工業新聞 (1998年11月10日PP.5) | InP 高精度微細加工 超導膜成長 高速動作 静電誘導トランジスタ ISIT TBPガス TEIガス ディジタルエッチング 分子層成長 | 160 |
| 1998年12月号 | 次世代携帯電話用LSIの新素子構造 | 東芝 | 日経産業新聞 (1998年10月1日PP.5) | 携帯電話 通信LSI 素子構造 | 220 160 |
| 1998年11月号 | シリコン上で強誘電体の単結晶成長 | 早大 | 電波新聞 (1998年9月16日PP.1) | 単結晶成長 不揮発性メモリー FeRAM Si 強誘電体メモリー | 160 |
| 1998年11月号 | 次世代メモリー用強誘電体材料 | トリケミカル研 東工大 | 日経産業新聞 (1998年9月13日PP.4) | 効率10倍 トリメチルビスマス 強誘電体材料 CVD | 160 |
| 1998年10月号 | FEDの新型電極 -次世代表示装置向けに開発- | 電総研 | 日経産業新聞 (1998年8月31日PP.5) | FED 電極 放電電流の変動 大画面表示 薄型表示装置 微細電極 薄型トランジスタ a-Si FED電極 TFTで電流ばらつ き低減 | 250 160 |
| 1998年10月号 | 0.07μm超微細加工技術 | 米TI | 日本経済新聞 (1998年8月27日PP.4) | 半導体微細加工技術 | 160 |
| 1998年10月号 | 0.1μmの微細加工技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (1998年8月7日PP.1) | 電子ビーム 微細加工 ステッパ | 160 |
| 1998年 9月号 | 電子線(EB)露光用ネガレジスト -7nmの最小パターン形成可能- | NEC | 日刊工業新聞 (1998年7月10日PP.4) | アルファメチルスチレン EB用 | 160 |
| 1998年 8月号 | 新型フラッシュメモリーセル -低電圧で書込み消去 セル小型化 工程4割減- | NEC 東芝 | 日経産業新聞 (1998年6月22日PP.5) | フラッシュメモリー 角型構造 情報記憶用電極に角構造 表面積2倍 書込み消去電圧20Vから16V 絶縁溝を配線後に作る | 230 160 |
| 1998年 8月号 | 次世代LSI用配線技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (1998年6月19日PP.4) | 抵抗 容量減少 ニオブ 絶縁膜に配線用溝と接続用の孔 ニオブを使用 抵抗3～5割 静電容量4割程度削減 | 160 |
| 1998年 8月号 | 半導体メモリー量産技術 | NEC | 日本工業新聞 (1998年6月11日PP.1) | 半導体メモリー | 230 160 |
| 1998年 8月号 | 信号伝達の遅れを改善した配線技術 | 松下電子 | 日経産業新聞 (1998年6月10日PP.5) | すきま配線 多層配線 中空構造絶縁体 | 160 |
| 1998年 8月号 | 高集積光素子 -精度向上に新手法- | NEC | 日経産業新聞 (1998年6月1日PP.5) | MOVPE SiO2被覆のすきま形状で性質と構造を制御 1.3～1.55μmの発光素子と受光素子を同時作成 | 160 210 250 |
| 1998年 7月号 | 磁気抵抗センサ -人工格子を利用- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1998年5月14日PP.5) | 磁気センサ 高感度 | 160 210 |
| 1998年 7月号 | ロジック向け高性能配線基本技術 | NEC | 日刊工業新聞 (1998年5月12日PP.6) | 低誘電材 | 160 |
| 1998年 7月号 | 超高速光スイッチ -窒化ガリウム量子井戸構造で実現- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日刊工業新聞 (1998年5月8日PP.5) | 窒化ガリウム量子井戸 光スイッチ サブバンド間遷移 超高速光スイッチ ISBT 1.55μm 光ネットワーク | 240 140 160 |
| 1998年 6月号 | 次世代メモリー -FeRAM高速化- | ローム | 日経産業新聞 (1998年4月16日PP.1) | FeRAM 高速化 低消費電力化 製造技術 PZT成膜温度を550℃に低温化 トランジスタ線幅0.18μm可能に | 230 160 |
| 1998年 6月号 | 配線技術 -次世代高速ロジックLSI実現へ- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年4月14日PP.5) | 有機高分子 絶縁膜 | 220 160 |
| 1998年 5月号 | リサイクルで完全再生できる樹脂 | NEC | 日経産業新聞 (1998年3月20日PP.1) | リサイクル 外装 樹脂 エコポリカ | 260 160 |
| 1998年 5月号 | 高精度作業台システム -位置決めnm精度で- | 東工大 | 日経産業新聞 (1998年3月17日PP.5) | アルミナ 静圧案内 | 160 |
| 1998年 5月号 | 電子ビーム露光技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年3月6日PP.5) | 0.015μm 広ビーム | 160 |
| 1998年 3月号 | ナノ構造の量子ドッド | アトムテクノロジー研究体 (JRCAT) | 日刊工業新聞 (1998年1月20日PP.9) | ゲルマニウム 10nm径 | 160 |
| 1998年 2月号 | 4Gbを実現できる新製造技術 | 富士通研 富士フイルム | 日経産業新聞 (1997年12月18日PP.5) | 4GbDRAM ビア柱 | 230 160 |
| 1998年 2月号 | 世界最小のトランジスタ | 京大 富士通研 | 日経産業新聞 (1997年12月17日PP.5) 日本経済新聞 (1997年12月17日PP.11) | 線幅40nm クラスタイオン ホウ素原子の10個の塊をイオン注入 トランジスタ | 160 220 |
| 1998年 2月号 | DRAM16Gb対応の微細加工 | 超先端電子技術開発機構 | 日本経済新聞 (1997年12月10日PP.13) | 0.04μm ArFエキシマレーザ ガスエッチング | 160 |
| 1998年 2月号 | MOSトランジスタ用高信頼ゲート電極構造 -ゲート長0.25μm以下- | NEC | 電波新聞 (1997年12月8日PP.7) | LGP2層 SiOx | 220 160 |
| 1998年 2月号 | 界面の電子状態微細制御 | 科技振興事業団 | 日経産業新聞 (1997年12月8日PP.5) | 100nm未満 SiAu 縞模様 | 160 120 |
| 1998年 2月号 | 透過力強いX線を反射する鏡 | 名大 | 日本経済新聞 (1997年12月6日PP.11) | 硬X線 多層膜スーパミラー 白金 炭素の薄膜 | 210 160 |
| 1998年 2月号 | 情報処理速度10倍に | 米テキサスインスツルメンツ | 日本経済新聞 (1997年12月5日PP.3) | 銅配信 気泡 0.1μm幅 DSP用に開発 | 160 220 |
| 1998年 1月号 | 化合物半導体材料の種類を大幅に増やせる新技術 -高出力レーザなどに道 結晶間隔異なっても成長- | NTT | 日経産業新聞 (1997年11月26日PP.5) | GaAs 111面を使用 格子定数の違いは1～2原子層で吸収 InAsを堆積して確認 | 120 160 |
| 1998年 1月号 | 0.1μm超微細加工技術 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1997年11月12日PP.5) 電波新聞 (1997年11月12日PP.1) | 4GbDRAM 塩素ガス 2室構造 | 160 |
| 1998年 1月号 | 単電子トランジスタ -室温動作に成功- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1997年11月6日PP.7) | 単電子トランジスタ オイルミスト EBID | 220 160 |
| 1997年12月号 | 超微小のハニカム構造 | NTT 都立大 | 日経産業新聞 (1997年10月28日PP.5) | アルミナ 光回路 光スイッチ 量子細線への応用期待 | 140 160 |
| 1997年12月号 | チタン酸バリウム透明結晶を合成 | 東大 九工大 | 日経産業新聞 (1997年10月17日PP.4) | チタン酸バリウム 光メモリー 多結晶 | 130 160 |
| 1997年12月号 | 幅0.13μmの微細電極 | NEC | 日経産業新聞 (1997年10月16日PP.5) | プラズマエッチング 4GDRAM | 160 |
| 1997年12月号 | 新感光性樹脂 -微細加工可能に- | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年10月3日PP.5) | フォトレジスト 1Gb級LSI | 160 |
| 1997年11月号 | 160新半導体 -半導体の配線に銅を使用- | IBM | 日本経済新聞 (1997年9月23日PP.11) 読売新聞 (1997年9月24日PP.10) | 銅配線ICの量産技術 高速CMOSロジック用 半導体 同配線 | 220 160 |
| 1997年11月号 | 透明度高い電波吸収材料 | 青学大 王子トービ | 日経産業新聞 (1997年9月5日PP.5) | 電波吸収材 | 160 |
| 1997年10月号 | 準周期構造の超格子 | 理化学研 電通大 | 日経産業新聞 (1997年8月13日PP.4) | フラクタル性 ALE法 フラクタル超格子 赤外線センサ 波長選択性 原子層成長法 | 160 210 110 |
| 1997年10月号 | 光造形技術 -赤外線で超微細立体加工- | 阪大 | 日経産業新聞 (1997年8月1日PP.4) | 精度1μm 赤外線 樹脂 | 160 |
| 1997年 9月号 | 厚さ最小のLSI用絶縁膜 | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年7月18日PP.6) | LSI 絶縁膜 1.5nm 消費電力1/18 | 220 160 |
| 1997年 9月号 | 量子ドット -位置が制御された量子に道- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日刊工業新聞 (1997年7月15日PP.6) | くぼみ形成 GaAs | 160 150 140 |
| 1997年 8月号 | 半導体の超解像技術向け設計支援ソフト -現行の露光技術活用- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1997年6月11日PP.5) 日経産業新聞 (1997年6月25日PP.11) | レベンソン型 学習最適化手法 0.248μmレーザで0.18μm線幅 | 160 620 220 |
| 1997年 8月号 | SRAM高集積で新技術 -メモリーセル面積最小に- | 富士通 | 日経産業新聞 (1997年6月10日PP.4) | SRAM メモリーセル 高集積 MPU CSI 高絶縁 | 230 160 220 |
| 1997年 5月号 | LSI平坦化技術 | NTT 触媒化成工業 | 日刊工業新聞 (1997年3月5日PP.5) | 層間絶縁膜シート 加熱加圧転写 | 160 |
| 1997年 4月号 | 微細加工技術 -紫外線レーザ使い0.1μmの穴可能に- | 三菱電機 | 日本経済新聞 (1997年2月1日PP.12) | 0.1μm直径以下の穴 KrF紫外線レーザ 新露光法 | 160 |
| 1997年 3月号 | 磁界とプラズマ併用し，薄膜形成 | 理科大 | 日経産業新聞 (1997年1月20日PP.5) | 磁力で高ガス密度 60℃で絶縁膜形成 有磁界プラズマ装置 | 160 |
| 1997年 3月号 | 半導体薄膜製造技術 -電子線照射，室温で製造- | 三菱重工 | 日経産業新聞 (1997年1月20日PP.5) | 半導体薄膜 室温 成長速度0.015μm/6H 室温で絶縁膜 半導体膜 金属膜を形成 | 160 |
| 1997年 3月号 | 無鉛ハンダ | 松下電器産業 千住金属工業 | 日経産業新聞 (1997年1月17日PP.4) | 無鉛ハンダ スズ亜鉛合金 | 160 |
| 1997年 2月号 | CMOS向け微細化技術 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年12月24日PP.4) | MOS FET 微細化 | 220 160 |
| 1997年 2月号 | 金属の量子細線 -電気的特性を測定- | 金属材料研 | 日経産業新聞 (1996年12月6日PP.5) | 金 量子細線 | 160 660 |
| 1997年 1月号 | 磁気使い研磨加工 | 宇都宮大 | 日経産業新聞 (1996年11月13日PP.4) | 磁気研磨 凹凸0.2μm | 160 |
| 1997年 1月号 | 原子細線パターニング | 日立製作所 東大 | 日刊工業新聞 (1996年11月7日PP.6) | 原子リレートランジスタ 原子操作 走査トンネル顕微鏡 Si 原子細線 | 120 160 660 |
| 1997年 1月号 | 2nmのSi細線 -電子線露光で作製- | NTT | 日経産業新聞 (1996年11月5日PP.6) | 幅2nm エッチング 電子線露光 Si細線 単一電子トランジスタ | 120 260 160 |
| 1996年12月号 | 微細回路の加工技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年10月25日PP.4) | 2重レジスト 1.15μm | 160 |
| 1996年12月号 | レーザ受光素子-電子回路と一体化 -レーザ受光素子/電子回路と一体化 | NTT | 日経産業新聞 (1996年10月23日PP.4) | レーザ 受光素子 チップ Si電子回路 化合物半導体薄膜 | 160 220 250 |
| 1996年12月号 | 窒化膜で原子層マスク -STM使いナノ構造- | NTT | 日刊工業新聞 (1996年10月22日PP.6) | 微細加工 窒化膜原子層マスク STM MOCVD 窒化保護膜 低電流加工可能 量子効果素子 | 160 120 |
| 1996年12月号 | 半導体ウェハ上の溝 -従来の1/2000間隔に- | クレステック NEC | 日経産業新聞 (1996年10月16日PP.1) | 半導体ウェハ レーザ | 160 250 240 |
| 1996年12月号 | 光通信用レーザ -波長制御精度10倍- | NEC | 日刊工業新聞 (1996年10月16日PP.5) | 光通信 レーザ 波長制御 | 240 250 160 |
| 1996年12月号 | エッチングせずプリント回路 | 日本ハイブリッド | 日経産業新聞 (1996年10月11日PP.1) | プリント配線法 製造技術 加振定着 銅粉末 | 160 |
| 1996年12月号 | 原子層マスク技術 -ナノ構造を形成- | 工技院アトムテクノロジー研 | 日刊工業新聞 (1996年10月9日PP.6) | 1層原子層マスク | 160 |
| 1996年12月号 | 電子線を照射しガラスの曇り防ぐ方法開発 | 東海大 | 電波新聞 (1996年10月8日PP.2) | 水分吸着 医療用 | 350 160 110 |
| 1996年12月号 | CVD -水平と垂直 一括作製- | NEC | 日経産業新聞 (1996年10月7日PP.5) | CVD アルミ配線 | 160 |
| 1996年12月号 | 1ギガ世代以降の銅配線 -量産プロセスにメド- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1996年10月3日PP.6) | スパッタ リフロー 銅配線 | 160 |
| 1996年11月号 | LSI高集積化に新絶縁技術-多孔質膜で誤動作防止- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年9月12日PP.5) | SOG中に空孔 誘電率2/3倍 速度25%向上 消費電力27%減 | 160 220 |
| 1996年11月号 | カラー反射型液晶ディスプレイ -新ゲストホスト方式- | シャープ | 電波新聞 (1996年9月10日PP.10) 日刊工業新聞 (1996年9月10日PP.11) | カラー液晶ディスプレイ 反射型TFT 512色カラー 動画表示可能 消費電力1/10 新ゲストホスト方式 | 250 160 |
| 1996年11月号 | 次世代大容量DVD -原盤の製造技術開発- | パイオニア | 日経産業新聞 (1996年9月6日PP.1) | 色素層 15GB DVD 原盤 光退色性色素を積層 トラックピッチ0.4μm | 130 230 160 |
| 1996年11月号 | MPEG-2規格の画像圧縮品質評価システム | KDD | 日経産業新聞 (1996年9月3日PP.5) | MPEG-2 品質評価 | 520 160 |
| 1996年10月号 | 半導体の素子分離技術 -回路線幅0.25μmまで対応- | 松下電器産業 松下電子 | 日経産業新聞 (1996年8月28日PP.5) | CMOS トレンチ法 0.25μm幅 BとPを含むSiO2 | 260 160 |
| 1996年10月号 | 半導体ウェハ -平坦度2倍に- | 松下電器産業 松下電子 | 日経産業新聞 (1996年8月20日PP.5) | CMP 加圧リング 化学的機械研磨 多層LSI 凹凸0.05μm以内 | 160 |
| 1996年10月号 | 幅20μm 深さ600nmの量子細線 | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1996年8月15日PP.7) | レーザ加工 GaAs基板 量子細線 20μm 600nm厚 | 160 140 240 |
| 1996年 9月号 | X線による微細加工技術 -半導体基板上に0.07μm幅の溝- | NTT | 日本経済新聞 (1996年6月29日PP.12) | 半導体 64Gbメモリー X線 微細加工 | 220 160 230 |
| 1996年 8月号 | 単一電子素子 | 東大 | 日経産業新聞 (1996年6月24日PP.5) | Si 単一電子素子 | 220 160 |
| 1996年 8月号 | 次世代高速LSI向け新銅線配線技術 | 三菱電機 | 電波新聞 (1996年6月20日PP.11) 日経産業新聞 (1996年6月20日PP.5) 日刊工業新聞 (1996年6月20日PP.7) | 銅配線 バリアメタル 寿命1000倍 電気抵抗Alの60% | 160 |
| 1996年 8月号 | 半導体レーザの新製造技術 -素子均一性2倍に- | NEC | 日経産業新聞 (1996年6月17日PP.5) | レーザ 1.3μm MOVPE法で選択結晶成長 エッチング工程なし 2μA以下の閾値電流 | 240 160 |
| 1996年 8月号 | 4GbDRAM用光露光技術 | 富士通 富士通研 東芝 | 電波新聞 (1996年6月12日PP.1) 日経産業新聞 (1996年6月12日PP.5) 日本経済新聞 (1996年6月12日PP.13) 日経産業新聞 (1996年6月14日PP.5) 日経産業新聞 (1996年6月14日PP.14) | メモリー DRAM 露光技術 | 230 260 160 |
| 1996年 8月号 | 超薄型回折型マイクロレンズ-理論限界まで光絞る- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年6月5日PP.5) | 回折形マイクロレンズ 1.5mmφ NA値0.45 回折効率90% | 310 160 |
| 1996年 8月号 | 超電導量子干渉素子 -高温超電導体利用- | NEC | 日経産業新聞 (1996年6月3日PP.5) | SQUID レーザアブレーション | 220 160 |
| 1996年 7月号 | 量産型ホログラム | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (1996年5月27日PP.1) | フルカラーホログラム リップマン型 立体 | 150 160 450 |
| 1996年 7月号 | X線露光用マスク -表面平らで高純度- | NTT | 日経産業新聞 (1996年5月23日PP.5) | 炭化ケイ素 | 160 |
| 1996年 7月号 | 半導体新微細加工技術 -幅0.03μmの階段構造作成- | 東大 荏原総研 | 日経産業新聞 (1996年5月13日PP.1) | 塩素原子ビーム加工 0.03μm幅 原子ビーム 階段構造 | 160 |
| 1996年 6月号 | ワイヤ状極細Si結晶 | ソニー | 日本経済新聞 (1996年4月6日PP.10) | 結晶成長 カラー表示素子 Si結晶 | 250 160 |
| 1996年 6月号 | 低コストの薄膜製造装置 -大型PDPの画質向上- | 中外炉工業 | 日経産業新聞 (1996年4月1日PP.1) | PDP 製造装置 透明導電膜 | 160 250 |
| 1996年 5月号 | 電子線露光用レジスト -フラーレンを利用- | アトムテクノロジ-研究体 | 日刊工業新聞 (1996年3月12日PP.5) | 電子線用レジスト フラーレン 感度0.01クーロン/cm2 10nmオーダの加工 | 160 |
| 1996年 5月号 | 酸化物結晶薄膜 | 東芝 | 日経産業新聞 (1996年3月20日PP.4) | 導電性 超電導性 絶縁性 強磁性 MBE法 | 160 |
| 1996年 5月号 | 高速光配信 -面発光レーザとPCF組合せ- | NEC | 日刊工業新聞 (1996年3月12日PP.5) | ファイバ 光配信 | 160 240 250 |
| 1996年 4月号 | Si酸化膜で表面を高精度で平坦化する技術 | NEC | 日経産業新聞 (1996年2月23日PP.5) | Si酸化膜 CMP | 160 |
| 1996年 4月号 | 石綿を光記録材料にする変換技術 | 名大 ノザワ 沖電気 | 日刊工業新聞 (1996年2月15日PP.1) | 光記録材料 石綿 | 160 |
| 1996年 4月号 | GaAs絶縁膜形成に成功 | 理科大 | 日刊工業新聞 (1996年2月15日PP.6) | GaAs 絶縁膜 MIS構造 | 160 |
| 1996年 3月号 | 量子細線形成技術 -厚さ幅とも10nm 均一に形成- | NTT | 日経産業新聞 (1996年1月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1996年1月19日PP.5) | 量子細線 光吸収ピーク観測 製造加工技術 | 120 160 |
| 1996年 3月号 | Si最小結晶構造を確認 | 工技院 アトムテクノロジー研究体 | 日刊工業新聞 (1996年1月17日PP.7) | シリコンクラスター | 120 160 |
| 1996年 3月号 | 高輝度光の高分子EL素子 | 住友化学 | 日本工業新聞 (1996年1月9日PP.1) | 有機EL 高分子 7万cd/m2 平面発光 寿命1200時間 | 250 160 |
| 1996年 3月号 | 光検出器チップ -製造費用1割に- | NEC | 日経産業新聞 (1996年1月4日PP.4) | Si Ge 超格子 | 210 160 |
| 1996年 2月号 | 半導体レーザによる刷版作製技術 | 千葉大 | 日経産業新聞 (1995年12月28日PP.4) | オフセット印刷 レーザ | 160 250 330 |
| 1996年 2月号 | 磁性の未知結晶層 | 工技院資源環境総研 | 日刊工業新聞 (1995年12月19日PP.7) | イットリウム鉄ガーネット 面心立方格子 | 130 160 |
| 1996年 2月号 | 基板1枚に多層配線形成技術 | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (1995年12月18日PP.1) | プリント配線板 圧着転写 | 160 330 |
| 1996年 2月号 | 新DRAMセル構造 -MPUとDRAMの混載容易に- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年12月12日PP.7) 電波新聞 (1995年12月12日PP.6) | DRAM MPU 裏面配線 セル構造 CMP(研磨平坦化) 多層配線 | 230 160 220 260 |
| 1996年 2月号 | 電気粘性流体 | 日本触媒 | 日経産業新聞 (1995年12月8日PP.5) | 新材料 電気粘性流体 | 160 |
| 1996年 2月号 | 微小レンズ -スキャナ小型化に道- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1995年12月1日PP.1) | フレネルレンズ 厚さ1μm イメージスキャナ 微小レンズ 直径300μm 原稿-結像面の距離1/20 | 310 160 |
| 1995年12月号 | 001面のSi基板 -原子レベルで平坦化- | JRCAT | 日刊工業新聞 (1995年10月27日PP.7) | 次世代表面処理技術 水素終端プロセス | 160 |
| 1995年12月号 | マルチチップモジュール -製造コスト1/4に- | NEC | 日経産業新聞 (1995年10月16日PP.5) | MCM BCB | 160 |
| 1995年12月号 | メタルマスク加工システム-高精度YAGレーザで加工- | 太陽化学工業 | 日刊工業新聞 (1995年10月6日PP.5) | YAGレーザ | 160 250 |
| 1995年11月号 | レーザ光で分子集める新手法 | 阪大 | 日経産業新聞 (1995年9月18日PP.5) | 光圧力 分子融合 | 160 |
| 1995年11月号 | 線幅0.08μmの回路パターン | NTT | 日経産業新聞 (1995年9月14日PP.5) | シンクロトロン放射光(SR) 超高速素子 | 160 |
| 1995年11月号 | 量子箱の直接観測に成功 | NTT光エレ研 | 日刊工業新聞 (1995年9月4日PP.9) | 量子箱 | 160 660 |
| 1995年11月号 | ダイヤ使う高性能ダイオード -平坦な薄膜合成に成功- | 電総研 | 日刊工業新聞 (1995年9月1日PP.5) 日経産業新聞 (1995年9月1日PP.5) | ダイヤモンド ダイオード プラズマエッチング | 160 220 |
| 1995年10月号 | 新エッチング技術 | 東洋大 東海大 | 日刊工業新聞 (1995年8月18日PP.5) | プラズマエッチング 正負イオン照射 0.3μm | 160 |
| 1995年10月号 | ダイヤ膜で3インチウェハ量産技術 | 住友電工 | 日経産業新聞 (1995年8月16日PP.1) | 気相成長 ダイヤモンドウェハ | 160 |
| 1995年10月号 | セラミックス製リチウム電池 | デルフト工科大(オランダ) | 日刊工業新聞 (1995年8月7日PP.6) | 1/100秒以下の爆発加工 高エネルギー密度 低内部抵抗 リチウムイオン電池 | 160 250 |
| 1995年 9月号 | エキシマレーザ加工システム -半導体の故障解析時間を大幅に短縮- | 浜松ホトニクス | 電波新聞 (1995年7月31日PP.7) | エキシマレーザ加工システム | 160 |
| 1995年 9月号 | 結晶成長で新手法 -半導体金属乱れなく接合- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1995年7月28日PP.5) | 格子定数 | 160 |
| 1995年 9月号 | 幅0.1μm回路パターン形成技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (1995年7月21日PP.5) | マスクの低コントラスト化で回折現象を低減 マスクウェハ15μm間隔で0.09μmパターン | 160 |
| 1995年 9月号 | 2インチのランガサイト単結晶 | 東北大 東京電波 | 電波新聞 (1995年7月21日PP.5) | 圧電材料 ランガサイト | 160 |
| 1995年 9月号 | 銅配線のCMOSトランジスタ | NTT | 日経産業新聞 (1995年7月19日PP.5) | CMOS 銅配線 | 160 |
| 1995年 9月号 | 超微細半導体エッチング技術 -0.15μmの超微細加工可能- | 三菱電機 | 電波新聞 (1995年7月13日PP.1) 日経産業新聞 (1995年7月13日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年7月13日PP.9) | ガスパフRIE技術 従来0.35μm 1GbDRAMに応用 RIE 0.15μm エッチング | 160 |
| 1995年 9月号 | 焦点ずれなしレンズ -ガラスレンズの焦点ずれ解消- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1995年7月6日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年7月6日PP.9) | ガラス成形 同心円状溝 光ディスク用 | 330 160 |
| 1995年 9月号 | 高熱伝導性の封止樹脂 -発熱の大きな大型ASICをプラスチックでパッケージ- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1995年7月5日PP.7) | エポキシ樹脂+複合セラミック 4W/mケルビン | 160 260 |
| 1995年 8月号 | 高速トランジスタの電極形成技術 -16GbDRAMに対応- | 東芝 | 日経産業新聞 (1995年6月27日PP.5) | トランジスタ電極 ゲート抵抗1/10 | 220 160 |
| 1995年 8月号 | 高速ロジック向け銅配線 -0.5μmピッチの技術確率- | NEC | 日刊工業新聞 (1995年6月21日PP.7) | ダマシン法 配線抵抗1.9μΩ/cm 配線抵抗Al配線の70%以下 窒化チタンと酸化Alによる耐酸化構造 | 160 |
| 1995年 8月号 | X線反射鏡 -均一照射領域を20倍に- | ニコン | 日経産業新聞 (1995年6月13日PP.5) | X線 | 220 160 |
| 1995年 8月号 | 0.25μmコンタクト開口技術 -ローディング効果抑制- | NEC | 日刊工業新聞 (1995年6月9日PP.5) | 表面波プラズマドライエッチ マイクロローディング効果5% | 160 |
| 1995年 8月号 | 0.075μmP型MOS -短チャンネルの効果抑制- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1995年6月7日PP.7) | 新構造 ゲート長0.075μm 相互コンダクタンス42ms/mm 0.075μmP型MOS 電流高駆動能力 | 220 520 160 |
| 1995年 8月号 | ギガヘルツ対応0.07μmCMOS | NEC | 電波新聞 (1995年6月6日PP.7) 日刊工業新聞 (1995年6月6日PP.9) 日経産業新聞 (1995年6月6日PP.5) | ゲート長0.07μm 低電源電圧1.5V 3.5nm接合 CMOS 遅延時間19.7ps DRAM 16Gbps | 220 520 160 |
| 1995年 8月号 | インジウムの量子箱 -次世代メモリー開発へ- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1995年6月5日PP.5) | 量子箱 RHET | 230 160 120 |
| 1995年 7月号 | 新型圧電結晶「ランガサイト」合成 | 東北大 | 日本工業新聞 (1995年5月23日PP.9) | 圧電結晶 結晶成長手法 SAWフィルタ | 160 240 |
| 1995年 7月号 | 静電気駆動マイクロアクチュエータ | 名大 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1995年5月18日PP.8) | マイクロマシン マイクロアクチュエータ | 260 160 |
| 1995年 7月号 | フッ素樹脂上に電子回路作成 | 工業技術院 上村工業 | 日経産業新聞 (1995年5月18日PP.4) | フッ素樹脂 親水性 エキシマレーザ | 160 |
| 1995年 7月号 | 分子メス -実現に道- | 千葉大 | 日経産業新聞 (1995年5月11日PP.5) | 分子メス ハードフォトン | 160 |
| 1995年 6月号 | 面方位異なる半導体材料接着技術 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1995年4月7日PP.5) | OEIC 半導体レーザ | 220 160 |
| 1995年 6月号 | 新型ガラス -40倍の蛍光発光- | 住田光学ガラス | 日経産業新聞 (1995年4月2日PP.1) | ルミラス-1 紫外線 | 160 120 |
| 1995年 6月号 | LSI配線を銅で形成する技術 -信号遅延解消へ- | 東芝 | 日経産業新聞 (1995年4月2日PP.4) | LSI配線 銅 信号遅延 カメラ | 160 |
| 1995年 5月号 | 次世代半導体装置向け非接触の基板搬送技術 -5kgの基板触れずに浮揚- | カイジョー | 日経産業新聞 (1995年3月13日PP.1) | 5kg 7mm浮上 | 360 160 |
| 1995年 5月号 | 静電浮上搬送装置 | KAST | 日刊工業新聞 (1995年3月10日PP.6) 日経産業新聞 (1995年3月28日PP.5) | 搬送装置 静電気浮上 | 160 260 |
| 1995年 3月号 | Si結晶の表面構造変化 -電気抵抗1/1000に激減- | 東大 | 日経産業新聞 (1995年1月20日PP.5) | Si 結晶表面構造 電気抵抗1/1000 Si結晶の表面構造変化 Si結晶 結晶構造 超微細集積回路 | 120 160 220 |
| 1995年 2月号 | 層状物質CaSeの垂直エピタキシャル成長に成功 | 東工大 | 日刊工業新聞 (1994年12月27日PP.4) | 結晶成長 量子細線 | 120 160 |
| 1995年 2月号 | 金属微粒子の光トラッピング技術 -マイクロ構造物に道- | 東北大 | 日刊工業新聞 (1994年12月23日PP.4) | レーザ光ビーム 光トラッピング 完全非接触 | 160 120 |
| 1995年 2月号 | 1GbDRAM用超小型トランジスタ | 松下電器産業 三菱電機 | 日経産業新聞 (1994年12月14日PP.5) | 13.1ps/1.5V 1GbDRAM 松下ゲート長:0.05μm 三菱ゲート長:0.15μm 加工技術 | 220 230 160 |
| 1995年 2月号 | シリコン電子銃 | 松下電器産業 電総研 | 電波新聞 (1994年12月13日PP.7) 日本工業新聞 (1994年12月13日PP.9) | Si微小電子源 低電圧 高密度 8V/14V 1μmピッチ マイクロ電子銃 8V動作 | 250 160 |
| 1995年 2月号 | 1GbDRAMのセル | NEC 日立製作所 | 日経産業新聞 (1994年12月13日PP.5) 電波新聞 (1994年12月13日PP.1) 日刊工業新聞 (1994年12月13日PP.7) 日本工業新聞 (1994年12月13日PP.8) 電波新聞 (1994年12月11日PP.5) | 1GbDRAM 基本単位素子 線幅0.16μm DRAM | 230 220 160 |
| 1995年 2月号 | 次世代メモリーの新技術 -記憶容量10万倍に道- | 東芝 | 日本経済新聞 (1994年12月5日PP.17) | 超高密度記憶素子 AFM 1兆個/cm2の電荷情報 有機色素分子のアモルファス | 230 160 |
| 1995年 2月号 | 二酸化ルテニウム電極のエッチング技術 -1ギガビット級DRAMに適用- | NEC | 日経産業新聞 (1994年12月1日PP.5) | エッチング技術 誘電体製キャパシタ DRAM RuO キャパシタ電極 0.2μm/分 | 160 |
| 1995年 1月号 | 半導体レーザの発振安定化技術 -水晶エタロンで- | 東芝 | 日経産業新聞 (1994年11月18日PP.5) | レーザ 温度変化 | 250 160 |
| 1995年 1月号 | 水溶性ガラス -ブラウン管画面の汚れ防止- | 旭硝子 | 日経産業新聞 (1994年11月11日PP.5) | 水溶性ガラス | 160 |
| 1994年12月号 | LCD用ガラス基板製造技術 | 日本板硝子 | 日経産業新聞 (1994年10月28日PP.5) | LCD基板 LPD法 | 160 250 |
| 1994年12月号 | 液晶パネルと外部電極新接続法 -画像高精細化- | リコー | 日経産業新聞 (1994年10月26日PP.5) | 液晶パネル 動画表示 | 160 250 |
| 1994年12月号 | 低コストバイCMOS製造技術 -製造費15%減- | NEC | 日経産業新聞 (1994年10月14日PP.5) | エッチング 小型化 | 160 |
| 1994年11月号 | 走査型電子線露光 -初の5nmパターン形成- | NEC | 日刊工業新聞 (1994年9月13日PP.7) | 無機レジスト法 量子効果素子 イオンビームスパッタ法 | 120 160 |
| 1994年10月号 | 光ファイバと導波路レーザで接合 -光透過率97%- | 日立製作所電線 | 日経産業新聞 (1994年8月30日PP.5) | 光ファイバと光導波路のレーザ接合 | 440 160 |
| 1994年10月号 | 10nm幅のSi細線 - -173℃で量子効果- | NTT | 日経産業新聞 (1994年8月26日PP.5) | Si細線 量子効果 極細構造 | 160 220 |
| 1994年 9月号 | マイクロレンズ -厚さ一気に2～4μm- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1994年7月22日PP.5) | 回折型Siマイクロレンズ | 110 160 210 |
| 1994年 9月号 | 製造加工技術 -ダイヤ成膜速度300倍- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1994年7月19日PP.1) | 製造加工技術 人造ダイヤ | 160 |
| 1994年 9月号 | 光露光で0.13μmレジストパターン実現 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1994年7月14日PP.7) | 4GbDRAM 0.13μm リソグラフィ 高解像度 LSI | 230 160 |
| 1994年 9月号 | 半導体ナノ細線製造技術 -超高速素子に道- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1994年7月12日PP.5) | 半導体細線製造加工 量子効果 太さ十数nm 超極細線半導体細線 超高速素子 半導体製造技術 | 160 |
| 1994年 7月号 | トリクロロエタンの代替洗浄剤 | 富士通 富士通研 | 日経産業新聞 (1994年5月17日PP.1) | 代替洗浄剤 芳香族炭化水素系 | 160 |
| 1994年 7月号 | 量子箱構造を自然形成 | NTT | 日経産業新聞 (1994年5月12日PP.5) | 量子箱 半導体レーザ 直径50～200nm | 160 250 |
| 1994年 6月号 | 原子単位のエッチング技術 -アトムデバイスに道- | NEC | 日経産業新聞 (1994年4月15日PP.4) | エッチング技術 塩素原子1個はぎとり STM利用 | 160 |
| 1994年 5月号 | 人工蛋白質で電子素子 -半導体チップ越す集積度- | 三菱電機 サントリー | 日経産業新聞 (1994年3月24日PP.1) | 電子素子 バイオテクノロジ チトクロームC552 1Tbメモリー 分子素子 半導体超える集積度 バイオ素子 ダイオード/スイッチ材料 有機電子素子 蛋白質 | 160 120 220 |
| 1994年 5月号 | フラーレン大気圧低温合成 | 東工大 | 日刊工業新聞 (1994年3月17日PP.5) | フラーレン CVD法 500℃ プラズマCVD 大気圧 低温合成 | 160 |
| 1994年 5月号 | 256MDRAMの開発対応エキシマステッパ出荷 | ニコン | 電波新聞 (1994年3月17日PP.9) | 160 360 | |
| 1994年 5月号 | 半導体露光技術 | ニコン | 日刊工業新聞 (1994年3月15日PP.1) | 光学露光 非線形光学レジスト 超解像 NOLMEX法 寸法従来比1/2 | 160 |
| 1994年 4月号 | 組成傾斜化非晶質合金 | 東北大 YKK | 日刊工業新聞 (1994年2月17日PP.7) | 160 | |
| 1994年 4月号 | Si薄板による微小光学素子 | NTT | 日経産業新聞 (1994年2月7日PP.4) | 160 260 | |
| 1994年 1月号 | 軽量合金合成技術 -水に浮く合金- | 長岡技科大 | 日本経済新聞 (1993年11月29日PP.17) | 軽量合金合成技術 比重0.95 Mg Li合金 | 160 |
| 1994年 1月号 | 超電導小型SRリンク | 三菱電機 | 電波新聞 (1993年11月16日PP.1) | シンクロトロン 超電導 超微細加工SRリンク 軌道間長9.2cm 世界最小 | 360 160 |
| 1993年12月号 | 導電性高分子 | 米IBM | 日経産業新聞 (1993年10月25日PP.5) | 導電性材料 静電気防止 レジスト | 100 160 |
| 1993年12月号 | 磁気テープの画質・音質向上技術 | 大阪府大 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1993年10月22日PP.7) | 変動率20%改善 | 130 160 |
| 1993年 9月号 | X線縮小露光技術 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1993年7月2日PP.9) | 縮小露光 反射型マスク 0.07μm | 160 |
| 1993年 8月号 | X線マスクによる極微細パターン加工 | ソルテック 日立製作所 | 日経産業新聞 (1993年6月17日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年6月17日PP.9) | 微細加工 SR光源 | 160 |
| 1993年 8月号 | 次世代LSI向け超微細配線 -最小線幅0.25μm銅使い，2層配線- | 富士通 | 日経産業新聞 (1993年6月8日PP.5) | 銅線 0.25μm 2層配線 超微細配線 寿命100倍 次世代LSI | 160 |
| 1993年 7月号 | 光磁気ディスク加工技術 -読み書き1.4倍速，ガラス基板を精密加工- | シャープ | 日経産業新聞 (1993年5月19日PP.1) | 光磁気ディスク加工技術 ガラス基板 40%高速化 | 230 160 |
| 1993年 6月号 | 欠陥の少い量子細線作製 -光を電子に素早く変換- | 光技術研究開発つくば研究所 | 日経産業新聞 (1993年4月19日PP.5) | 次世代の半導体素材 高変換効率 | 160 |
| 1993年 5月号 | 超微粒子を密閉 | NTT 三重大 | 日経産業新聞 (1993年3月31日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年3月31日PP.13) | フラーレン 30nmの炭素結晶 | 160 |
| 1993年 5月号 | X線露光用レジスト | 東芝 | 日経産業新聞 (1993年3月25日PP.1) | 半導体用レジスト 0.15μm線幅 1Gbメモリー用 有機化合物系 | 120 160 |
| 1993年 5月号 | マイクロマシン -22団体が連合組織成立- | 国内22団体 | 電波新聞 (1993年3月23日PP.1) | マイクロマシン | 160 |
| 1993年 5月号 | 水晶とSi直接接続する製造加工技術 -振動子1/6に薄板化- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1993年3月23日PP.5) | 製造加工技術 水晶/Si接着 5μm(1/6) | 160 |
| 1993年 4月号 | 世界最小の歯車 | 東芝 | 電波新聞 (1993年2月9日PP.2) 日経産業新聞 (1993年2月9日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年2月9日PP.12) 日本工業新聞 (1993年2月9日PP.13) | マイクロマシン マイクロギア 放電加工 タングステンワイヤ 歯車 直径0.3mm 世界最小 | 160 360 |
| 1993年 3月号 | 素子分離技術 -分離幅0.3μmを確保- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1993年1月19日PP.5) | 素子分離技術 0.3μm間隔 | 160 |
| 1993年 2月号 | 高解像度光リソグラフィ技術 | 日立製作所 ミノルタ | 日刊工業新聞 (1992年12月17日PP.8) | 焦点深度3倍 | 160 |
| 1993年 2月号 | 超微細放電加工機 | 松下技研 | 電波新聞 (1992年12月15日PP.2) 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.5) | 放電加工機 | 160 |
| 1993年 2月号 | 爆薬を利用したヘテロダイヤモンドの合成 | 工技院科学技研 | 日経産業新聞 (1992年12月11日PP.4) | 半導体材料 爆薬ホウ素 炭素 窒素 | 160 260 |
| 1993年 1月号 | 直径30μmのバルブ | NTT | 日経産業新聞 (1992年11月30日PP.5) | マイクロマシン | 160 660 |
| 1993年 1月号 | 軟X線による静電気除去技術 | 東北大 高砂熱学工業 | 日経産業新聞 (1992年11月25日PP.9) | 静電気 | 160 |
| 1993年 1月号 | 耐圧メカニズム解明 -新開発のGaAsMESFETで- | NEC | 電波新聞 (1992年11月24日PP.1) | GaAs 製造プロセス GaAs半導体 | 120 160 220 |
| 1993年 1月号 | 次世代半導体材料 -ストロンチウム・チタン酸化物- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1992年11月6日PP.4) | ストロンチウム チタン酸化物 容量50倍 Si利用の50倍にメモリー増 | 120 160 110 |
| 1992年11月号 | Si結晶成長観察技術 | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年9月19日PP.5) 日経産業新聞 (1992年9月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年9月19日PP.5) | 微小材料評価技術 原子レベル成長制御 | 100 160 |
| 1992年10月号 | 超微細加工技術 -アルミ化合物を原子単位で積層- | NTT | 日経産業新聞 (1992年8月11日PP.4) | 超微細加工技術 厚さ1.96nm ALE法 | 160 |
| 1992年 9月号 | 電気抵抗1/4に | 東芝 | 日刊工業新聞 (1992年7月28日PP.6) | 接続穴埋め込み技術 0.1μmのコンタクトホール 電気抵抗1/4 | 160 |
| 1992年 9月号 | 極低温で酸素析出観察 | 富士通 | 日刊工業新聞 (1992年7月14日PP.6) | 結晶欠陥 Siウェハ | 100 160 |
| 1992年 9月号 | 集積回路コンタクトホール界面接触抵抗1/1000に -ULSI開発に突破口- | 名大 | 日刊工業新聞 (1992年7月1日PP.11) | 4×10-8Ω ジルコニウム ハフニウム | 160 |
| 1992年 8月号 | 放射光使い0.2μm級のCMOS回路 | NTT | 日刊工業新聞 (1992年6月30日PP.6) | 加工技術 0.2μmCMOS 遅延時間60ns | 160 220 |
| 1992年 8月号 | 動作中のMOS圧縮応力で劣化防止 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1992年6月23日PP.6) | 新型デバイスの可能性 ホットキャリヤ劣化10%改善 | 160 |
| 1992年 8月号 | ナノメートル級の金細線製法開発 | アドバンテスト | 日本経済新聞 (1992年6月20日PP.11) | 加工技術 直径50nm | 160 |
| 1992年 8月号 | レーザリソグラフィ技術 -0.25μmパターン- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1992年6月5日PP.1) | 次世代LSI | 160 |
| 1992年 7月号 | 多孔質高分子膜の新製法 | 日電 | 日本工業新聞 (1992年5月21日PP.14) | 高分子膜 光シャッタ 液晶プロジェクタ | 240 160 |
| 1992年 7月号 | X線リソグラフィ用マスク -最小線幅0.2μmで微細パターン描写- | NTTアドバンステクノロジ(NTEC) | 日刊工業新聞 (1992年5月13日PP.9) | X線リソグラフィ用マスク 線幅0.2μm | 160 |
| 1992年 7月号 | 半導体レーザ作製新プロセス -結晶成長1工程に- | NTT | 日刊工業新聞 (1992年5月8日PP.5) | 半導体レーザ製造技術 工程半減，歩留向上 | 160 250 |
| 1992年 6月号 | 0.075μmで加工できる感光樹脂 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1992年4月7日PP.1) 日刊工業新聞 (1992年4月7日PP.6) | フォトレジスト 電子線描画 | 160 260 |
| 1992年 6月号 | 0.01μm以下の量子細線構造 -室温で量子効果示す- | 新技術事業団 | 日刊工業新聞 (1992年4月7日PP.6) | ALE法で幅0.01μm | 100 160 |
| 1992年 5月号 | 超微粒子コーティング液 -ガラス表面の電気抵抗1/1000，ブラウン管に活用- | 旭硝子 | 日経産業新聞 (1992年3月5日PP.1) | ガラスコーティング アンチモン含有酸化スズ(ATO) スズ含有酸化インジウム(ITO) 導電性コーティング 1MΩ以下 | 100 120 160 620 |
| 1992年 3月号 | 77Kで高速動作するバイポーラトランジスタ -超高速BiCMOSに道- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1992年1月16日PP.5) | 160 | |
| 1992年 1月号 | 室温で超イオン電導 | 大阪府立大 | 日経産業新聞 (1991年11月21日PP.4) | 材料物性 | 160 |
| 1992年 1月号 | 低欠陥ダイヤモンド単結晶 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1991年11月19日PP.5) 電波新聞 (1991年11月19日PP.2) | 材料 ダイヤモンド単結晶 | 160 |
| 1992年 1月号 | ガラスの中にレンズ -高精細300万画素越える- | 日本板硝子 | 日経産業新聞 (1991年11月7日PP.17) | レンズ プロジェクタ レンズアレイ | 160 |
| 1991年11月号 | X線リゾグラフィ装置 μm加工 -線幅0.2μmの加工実現- | NTT | 日経産業新聞 (1991年9月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年9月19日PP.11) | 従来は0.2μm限度で256Mb今回技術で1Gb可能 製造加工 X線リソグラフィ装置 | 160 |
| 1991年10月号 | EFG法による板状ルチル単結晶 | 秩父セメント | 日経産業新聞 (1991年8月20日PP.7) 日刊工業新聞 (1991年8月20日PP.15) 電波新聞 (1991年8月21日PP.7) | 板状ルチル単結晶の育成 光通信用偏光子 引上げ育成 | 160 |
| 1991年10月号 | 厚さ1/50の電波吸収体 | 日清紡 | 日経産業新聞 (1991年8月8日PP.1) | 高性能電波吸収体(厚さ2cm:従来の1/50) フェライトニッケルに6.5mm間隔の穴 | 160 |
| 1991年 9月号 | 発明協会賞 -プラズマエッチング- | 寄田さん提出資料 (1991年7月26日PP.0) | 660 160 | ||
| 1991年 8月号 | エキシマレーザ使ったマスクパターン転写加工 -加工速度12倍向上- | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年6月11日PP.1) | マスクパターン転写加工 エキシマレーザ 加工速度12倍向上 高反射マスクと高反射ミラー | 160 |
| 1991年 7月号 | 静電気を半永久的に防止する特殊高分子回路 | 東レ | 日経産業新聞 (1991年5月27日PP.1) | 素材 特殊高分子回路で放出 | 160 |
| 1991年 7月号 | チタン酸バリウム単結晶 -世界最高の光学特性実現- | 藤倉電線 | 日刊工業新聞 (1991年5月18日PP.1) | 単結晶11.5×3.9×3.1mm 位相共役波反射率約30% 光増幅率:20%以上 素材 チタン酸バリウム単結晶 | 160 |
| 1991年 7月号 | 3次元回路素子基本技術 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1991年5月17日PP.5) | 4層に積上げ1チップ化 1.3μm2 4100個の光センサ 立体形状高速認識 | 160 |
| 1991年 6月号 | ガラス製非球面レンズの成形用型材 -10倍以上の長寿命化実現- | 東芝タンガロイ | 日刊工業新聞 (1991年4月9日PP.13) | 酸化アルミ焼結体基材に0.5mm厚の酸化クロム被膜を拡散 結合させた複合セラミックス | 160 |
| 1991年 6月号 | 原子層ヘテロエピタキシャル成長に成功 | 富士通研 | 日本工業新聞 (1991年4月1日PP.1) | GaAs GaP 単原子層超格子構造 | 160 |
| 1991年 5月号 | MEEでGaAsとSiの混晶作成に成功 -準安定状態で成長- | NTT | 日刊工業新聞 (1991年3月12日PP.5) | MEE法 成長温度450～500℃Si比率25%時に高品質 | 160 |
| 1991年 4月号 | Si基板上のGaAs結晶欠陥1/100に -低温成長で数万個 歪み超格子狭み- | NTT | 日刊工業新聞 (1991年2月7日PP.0) | 転位密度:数万個/cm2MEE法を用い Si基板にGa As結晶を成長 低温結晶成長 | 160 |
| 1991年 4月号 | セレン化亜鉛/GaAs超格子新材料開発 | NTT | 日刊工業新聞 (1991年2月6日PP.0) | MEE法 非線形光学効果素子 | 160 |
| 1991年 2月号 | 紫外線で特定フロン分解 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1991年1月8日PP.0) | 160 | |
| 1991年 2月号 | 1600ガウスの高温超電導磁石 | 古河電工 | 日経産業新聞 (1991年1月7日PP.0) | 160 | |
| 1991年 2月号 | 原子レベルの加工に道 | 日電 | 日刊工業新聞 (1990年12月18日PP.0) | STM使用しの加工 | 160 |
| 1991年 2月号 | 低毒性液体GaAs原料合成に成功 | 古河機械金属 | 日経産業新聞 (1990年12月7日PP.0) | 従来のアルシンガスを用いず毒性1/10に低減 | 160 |
| 1991年 1月号 | 高温超電導体薄膜でジョセフソン素子 | 東芝 | 日経産業新聞 (1990年11月26日PP.0) | 260 160 | |
| 1991年 1月号 | 60mの超伝導材 | 住友電工 | 日経産業新聞 (1990年11月9日PP.0) | 線材の断面 0.4mm×4mm 77K I=10.5A J=2450A/cm2 | 160 120 |
| 1990年12月号 | 分子大の文字を描く | NTT | 日経産業新聞 (1990年10月25日PP.0) | Si基板にGeSe化合物 AgSe化合物をつけたフィルム材料 走査型トンネル電子顕微鏡の探針で原子をとばして溝を掘った 溝幅13nm 文字サイズ:40×70nm | 160 |
| 1990年11月号 | 純金なみの伝導率達成 | 高分子基礎技術研究組合 | 日本工業新聞 (1990年10月4日PP.0) | 40万S/cm | 160 |
| 1990年11月号 | 量子細線精密作製で電子波素子に道 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1990年9月24日PP.0) | Ga原子16個を1つのブロック | 160 |
| 1990年11月号 | ICパッケージ用超低融点ガラス | 日電硝子 | 日刊工業新聞 日経産業新聞 (1990年9月18日PP.0) | 360℃で融点 | 160 |
| 1990年10月号 | メモリーセル大容量化 | シャープ | 日経産業新聞 (1990年8月15日PP.0) | 6.8平方μm 55fF | 160 |
| 1990年10月号 | 超LSIの回路再現 | 東芝 | 日経産業新聞 (1990年8月14日PP.0) | 0.5μm幅 | 160 |
| 1990年 9月号 | 1μmの薄膜アモルファス | 三菱レーヨン | 日経産業新聞 (1990年8月3日PP.0) | アモルファス合金 従来20μm | 160 |
| 1990年 9月号 | 量子ドット製作に新方法 | NTT | 日刊工業新聞 (1990年7月19日PP.0) | 三角形のGa Al As 0.1μmでも量子効果 | 160 |