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掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーワード | 分類 番号 |
2018年 3月号 | 窒化ガリウムパワー半導体 プロセス技術開発 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2017年12月6日PP.1) | 閾値電圧変動を従来比1/20 | 220 |
2018年 3月号 | SiCパワー半導体 電気抵抗1/3に | 三菱電機 東大 | 日刊工業新聞 (2017年12月6日PP.25) | 界面近傍を避けるように電子を流す | 220 |
2018年 3月号 | 力で色と通電性変化 | 東大 | 日経産業新聞 (2017年12月15日PP.6) | 圧力センサ 半導体 結晶構造の変化 | 120 210 220 |
2018年 2月号 | 窒化物超伝導体を利用 新型ジョセフソン素子作製 | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2017年11月15日PP.27) | 窒化物超電導体 超電導量子コンピュータ,磁性ジョセフソン素子 | 120 220 |
2018年 1月号 | 米インテル 17量子ビット搭載プロセッサ公開 オランダ研究機関に提供 | インテル | 電波新聞 (2017年10月13日PP.2) | 17量子ビット 量子コンピュータ | 220 |
2018年 1月号 | GaNトランジスタの結晶層を発見 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2017年10月26日PP.23) | 絶縁層とGaNの界面に1.5nmのガリウム磁化膜の薄層 | 220 |
2017年11月号 | スピン波で論理演算 回路デバイス開発 | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2017年8月22日PP.25) | 磁性ガーネット膜をフォーク状に加工 接続点で位相干渉 | 220 |
2017年 8月号 | 熱ノイズから電力生成 温度差ゼロでも発電 | NTT | 日刊工業新聞 (2017年5月17日PP.29) 日経産業新聞 (2017年5月18日PP.8) | マクスウェルの悪魔の原理 マクスウェルの悪魔の利用 半導体素子 「マクスウェルの悪魔」の原理 省エネ化 | 220 |
2017年 7月号 | スピン制御 新原理実証 | 横国大 | 日刊工業新聞 (2017年4月11日PP.27) | 1nsで従来の約3倍高精度に単一スピンを操作 | 220 |
2017年 6月号 | 高性能黒リントランジスタ | 東大など | 日刊工業新聞 (2017年3月14日PP.27) | 厚さ原子数層の黒リン バンドギャップ1.5eV | 220 |
2017年 5月号 | 縦型トランジスタ積層 | 湘南工科大 | 日刊工業新聞 (2017年2月24日PP.25) | パターン面積10-20%小さく 製造コスト30%以下 | 220 260 |
2017年 5月号 | 単一超電導ナノチューブ利用 トランジスタ開発 | 東大 | 日刊工業新聞 (2017年2月27日PP.21) | 二硫化タングステンナノチューブにおいて超電導の発現を発見。単一ナノチューブにおける超電導の初めての報告。 | 220 |
2017年 4月号 | パワー半導体 印刷で配線 配線に銀粒子印刷 | 阪大 産総研 | 日経産業新聞 (2017年1月19日PP.8) 日刊工業新聞 (2017年1月23日PP.19) | 耐熱250℃ シリコン製パワーモジュールと比較して1/5〜1/10のサイズ パワー半導体 配線技術 | 160 220 |
2017年 3月号 | 3次元フィン型ゲルマニウムトランジスタ開発 | 東北大など | 日刊工業新聞 (2016年12月6日PP.23) | 中性粒子ビーム加工 フィン幅6nm 従来比オン電流約6倍 | 220 |
2017年 1月号 | ゲルマニウムで光10倍 | 東京都市大 | 日経産業新聞 (2016年10月25日PP.8) | 発光素子 LSI高速化 低消費電力化 | 220 |
2016年12月号 | TMR素子開発 室温で抵抗変化率92% | 産総研 | 日刊工業新聞 (2016年9月19日PP.14) | 世界最高性能の半導体系のトンネル磁気抵抗(TMR)素子 磁気抵抗素子(TMR) 超省電力 抵抗変化率92% | 220 230 |
2016年11月号 | 反転層チャネルMOSFET ダイヤ半導体で作製 | 金沢大など | 日刊工業新聞 (2016年8月23日PP.23) | パワーデバイス向けノーマリーオフ特性 ダイヤモンドは最も高い絶縁破壊電界とキャリヤ移動度 熱伝導率を持つ究極のパワーデバイス材料 | 220 |
2016年11月号 | 電子の移動 1個ずつ制御 シリコン単電子転送素子 電流再定義へ一歩 | NTT | 日経産業新聞 (2016年7月6日PP.8) 日刊工業新聞 (2016年7月6日PP.23) | シリコン半導体素子 1GHz動作で10-6以下の転送エラー率 直径10nmのシリコン線上に2個のシリコントランジスタを配置した200nmの素子 | 220 660 |
2016年11月号 | 新演算素子を開発 スピン波利用 絶縁体で制御 | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (2016年7月26日PP.29) | 世界最高の性能を持つスピン波干渉を利用した論理演算素子 | 220 |
2016年 9月号 | 超電導ナノワイヤで特異現象 http://www.keio.ac.jp/ja/press_release/2016/osa33qr000001r2pm.html | 慶大 物材機構 群馬大 | 日刊工業新聞 (2016年6月8日PP.21) | 超電導ナノワイヤ 超高感度光検出器 カーボンナノチューブ 量子位相スリップ 幅10nmのナノワイヤ 窒化ニオブ結晶 | 120 220 |
2016年 9月号 | IoT無線IC受信感度2倍になる回路技術開発 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2016年6月14日PP.21) | 無線通信IC 受信感度 妨害波 | 220 |
2016年 9月号 | 不揮発FPGA応用 小面積 低価格で製造できる回路技術を開発 | 東芝 | 電波新聞 (2016年6月16日PP.4) | 不揮発FPGA 小面積 低価格 | 220 |
2016年 9月号 | LSI回路幅半分に | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年6月30日PP.8) | LSI(大規模集積回路) グラフェン 微細加工 | 220 |
2016年 9月号 | 量子情報光チップに道 http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/research/research_results/2016/160523_1.html | 京大 | 日刊工業新聞 (2016年5月20日PP.29) | フォトニック結晶 ナノ共振器 量子情報光チップ 光を数10ps以内に転送 | 120 220 |
2016年 7月号 | 窒化ガリウム半導体 電子運動初観測 http:// www.ntt.co.jp/news2016/1604/160411b.html | NTT 理科大 | 日刊工業新聞 (2016年4月13日PP.27) | ペタヘルツ アト秒 窒化ガリウム半導体 電子振動 ペタヘルツの高周波現象を利用して,アト秒で振動する電子運動の観測に成功 | 120 220 |
2016年 7月号 | 分子のダイオード開発 | 阪大 | 日経産業新聞 (2016年4月15日PP.8) | 分子からなるダイオード 分子エレクトロニクス カルバゾール | 220 |
2016年 7月号 | 省電力パワー半導体量産 | ローム | 日経産業新聞 (2016年4月21日PP.6) | パワー半導体 省電力 量産化 | 220 |
2016年 7月号 | 窒化ガリウム半導体 電子運動初観測 http:// www.ntt.co.jp/news2016/1604/160411b.html | NTT 理科大 | 日刊工業新聞 (2016年4月13日PP.27) | ペタヘルツ アト秒 窒化ガリウム半導体 電子振動 ペタヘルツの高周波現象を利用して,アト秒で振動する電子運動の観測に成功 | 120 220 |
2016年 7月号 | 分子のダイオード開発 | 阪大 | 日経産業新聞 (2016年4月15日PP.8) | 分子からなるダイオード 分子エレクトロニクス カルバゾール | 220 |
2016年 7月号 | 省電力パワー半導体量産 | ローム | 日経産業新聞 (2016年4月21日PP.6) | パワー半導体 省電力 量産化 | 220 |
2016年 6月号 | 有機半導体動作速度2倍 http://www.toray.co.jp/news/it_related/detail.html?key=DA8EA1B0DF6BA34349257f8000172E84?OpenDocument | 東レ | 日経産業新聞 (2016年3月24日PP.10) | 有機半導体 カーボンナノチューブ 動作速度2倍 フィルムに印刷 | 260 220 |
2016年 6月号 | 光の粒の波長変換 損失なく光子波長変換 http://www.ntt.co.jp/news2016/1603/160326a.html | NTT | 日本経済新聞 (2016年3月28日PP.8) 日刊工業新聞 (2016年3月28日PP.26) | 量子情報通信 波長変換量約3nm 量子暗号通信 相互位相変調 | 240 220 |
2016年 5月号 | 半導体チップ-光モジュール データ通信2倍高速化 | 富士通研 ソシオネクスト | 日刊工業新聞 (2016年2月1日PP.18) | 半導体チップ 光モジュール | 220 |
2016年 4月号 | 水晶発振器 周波数可変に 部品数少なく コスト減 | 日本電波工業 | 日経産業新聞 (2016年1月5日PP.6) | 水晶発振器 光伝送装置 | 220 |
2016年 4月号 | 窒化ガリウム製送信用パワーアンプ 富士通 W帯向け開発 http://pr.fujitsu.com/jp/news/2016/01/25.html | 富士通 富士通研究所 | 日刊工業新聞 (2016年1月25日PP.25) | W帯 75-110GHz 窒化ガリウム パワーアンプ 4Gbps以上 | 340 220 |
2016年 3月号 | ICの指紋で偽造防ぐ http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2015/pr20151207/pr20151207.html | 産総研 | 日刊工業新聞 (2015年12月7日PP.17) | ICの指紋 ICチップの作成時に自然に発生する性能の違いを利用してチップに固有の番号をつける技術 認証性能3倍以上 | 220 260 620 |
2016年 3月号 | 薄膜トランジスタ IGZO用い高性能化 | 奈良先端大 | 日刊工業新聞 (2015年12月24日PP.19) | IGZOを用いた薄膜トランジスタの高性能化 駆動電圧は従来の40%以下 劣化量半分以下 | 220 |
2016年 2月号 | スマホ向け匂いセンサ | 京セラ | 日経産業新聞 (2015年11月27日PP.6) | 膜型表面応力センサ ガス分析装置 | 220 |
2015年12月号 | パワー半導体 窒化ガリウムでエネルギー損失1/7 | 法政大 住友化学子会社サイオクス | 日経産業新聞 (2015年9月16日PP.9) | パワー半導体 窒化ガリウム 省エネ 車モータ制御装置1/10に小型化 パワーダイオード | 220 340 |
2015年12月号 | 120kmの量子暗号鍵伝送 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0220150928eaaf.html | 東大 富士通研 NEC | 日刊工業新聞 (2015年9月28日PP.22) | 従来比2倍以上の距離,複数光子の同時発生率100万分の1 世界最長の量子暗号鍵伝送 120km伝送 低ノイズの超電導単一光子検出器 秘匿通信 | 220 340 440 |
2015年12月号 | 積層構造作製 ゲルマニウムトランジスタ 酸化膜品質3倍超 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2015年9月28日PP.22) | ゲルマニウムMOSトランジスタ 酸化膜 ゲートスタック構造 酸素中性子ビーム | 220 |
2015年11月号 | 折り曲げ変形自在 柔らかいトランジスタ開発 トランジスタ 柔剛兼備 http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2015/pr20150812/pr20150812.html | 鳥居・浜田・澤谷 | 産総研 (0年2015月8日PP.12) 13 (6年0月2015日PP.8) 26 (5年0月0日) | 19 | 衣類のように柔らかく 曲げたり伸ばしたりしても壊れないトランジスタを開発。単層カーボンナノチューブ イオンゲル シリコンゴム 医療用の人体圧力分布センサー開発 オンオフ比1万 220 210 |
2015年10月号 | 量子情報処理多彩に 光回路数秒で1000通り http://www.ntt.co.jp/news2015/1507/150709b.html | NTT | 日刊工業新聞 (2015年7月10日PP.23) 日経産業新聞 (2015年7月15日PP.8) | 光子を用いた量子情報処理に必要なあらゆる機能を一つのハードウェア上で提供する.再構成可能な集積回路を開発,石英系平面光波回路(PLC)技術,電流で更新通路変更,光集 積回路 | 120 220 |
2015年10月号 | 液晶IC 熱抵抗半減 | リボンディスプレイジャパン | 日刊工業新聞 (2015年7月28日PP.11) | 液晶ドライバIC(ソースドライバ) 液晶テレビの高機能化 放熱性40%改善 4Kテレビ用 ソースドライバー | 220 250 |
2015年 9月号 | 組成後も書き換え可能 分子回路部品を開発 http://www.titech.ac.jp/news/2015/031658.html | 東工大 東大 | 日刊工業新聞 (2015年6月22日PP.16) | 電子回路を組んだ後でも回路部品の機能を入れ替えられる素子を一つの有機分子で実現,かご状分子と,その中に入れる分子の組合せで抵抗とダイオード,導線を作り分け | 120 220 260 |
2015年 6月号 | 光照射でON/OFFする超電導スイッチ https://www.ims.ac.jp/news/2015/02/13_3096.html | 分子科学研,理化学研 | 日刊工業新聞 (2015年3月17日PP.17) | 有機分子を組込んだ電界効果トランジスタ,スピロピラン,光に応答して電気的に分極 光駆動型トランジスタ | 240 220 |
2015年 6月号 | 4K生中継用符号化LSI | NTT | 日経産業新聞 (2015年3月26日PP.6) | HEVC,60fpsの4K映像を実時間で1/200〜1/300に圧縮 演算量を96%削減 35mm角のワンチップ,機器サイズ1/16 | 220 240 520 |
2015年 6月号 | 量子テレポーテーション用光素子をワンチップ化 | 東大 NTT | 日刊工業新聞 (2015年3月31日PP.25) 8 (0年0月0日) | 量子テレポーテーション装置の心臓部を光チップに作り込み。従来比10 | 000分の1に小型化。量子もつれ生成・検出部を26×4mmのSi基板上に石英系の光導波回路を形成。 120 220 240 |
2015年 5月号 | 膨大な組み合わせから最適解を導くチップ | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (2015年2月23日PP.22) | 1丁5000乗通りの組合せから最適解 電力効率従来比1800倍 大きさ12平方ミリメートル | 220 |
2015年 5月号 | 演算性能毎秒1.9兆回の社債画像認識プロセッサを開発 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150227eaai.html | 東芝 | 日刊工業新聞 (2015年2月27日PP.27) | 歩行者や障害物などを検知する先進運転支援システム フルカラー画像の処理を実現 | 210 220 |
2015年 4月号 | 光で電圧が発生素子作製 | 東北大 日本原子力研究開発機構 | 日刊工業新聞 (2015年1月14日PP.27) | 直径30ナノから90ナノメートルの金微粒子 磁性ガーネット 表面プラズモン共鳴 10mx5mmの素子 | 120 220 250 |
2015年 4月号 | 温度センサーとデジタル回路融合 単結晶有機半導体で http://www.nedo.go.jp/news/press/AA5_100348.html | 東京大学などの産学官共同チーム | 日刊工業新聞 (2015年1月27日PP.26) | 多結晶シリコン半導体と同等で 既存の多結晶有機半導体に比べて10倍以上の性能を持つ | 160 220 |
2015年 3月号 | 1ナノ素子で微弱光伝送 東大 LSI配線に応用へ http://www.t.u-tokyo.ac.jp/epage/release/2014/2014112601.html | 東大 | 日経産業新聞 (2014年12月3日PP.10) | 電子の代わりに光を使うLSIを実現する可能性 | 220 |
2015年 3月号 | チタンなどの金属酸化物製 基盤 電子の動き解明 | 東北大 | 日経産業新聞 (2014年12月12日PP.10) | シリコンに代わる半導体基盤,チタンとストロンチウムの金属酸化物基盤 | 220 |
2015年 3月号 | 世界最高耐圧のトランジスタを開発 | 早大 | 日刊工業新聞 (2014年12月16日PP.23) | 耐圧1600V,ダイヤモンド製トランジスタ | 220 |
2015年 3月号 | 電流駆動力10倍のゲルマニウムトランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2014年12月16日PP.23) | n型多結晶ゲルマニウムトランジスタ,LSIの3次元積層を実現 | 220 |
2015年 3月号 | トンネルFETの長寿命化を実証 http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2014/pr20141216_2/pr20141216_2.html | 産総研 | 日刊工業新聞 (2014年12月17日PP.23) | 電界効果トランジスタ(MOSFET)に比べて10万倍以上長寿命,センサネットワーク回路の駆動に必要な相補型金酸化膜半導体の構成に使用 | 220 |
2015年 2月号 | 単分子メカスイッチ | 東工大 | 日刊工業新聞 (2014年11月19日PP.23) | 抵抗値3段階,硫黄を含むチオフェン環 | 220 |
2015年 1月号 | 単電子転送の高速化 | NTT | 日刊工業新聞 (2014年10月7日PP.25) | 3.5GHで単電子転送,ナノメートル寸法で2層ゲート構造を持つシリコントランジスタをウエハーレベルで作成 | 120 220 |
2014年12月号 | 複数の人間が同時に触れられる裸眼3Dディスプレイを開発 | 慶大大学院 | 日刊工業新聞 (2014年9月2日PP.17) | 人間の顔と両目の位置を計測し 片目ごとに視差のある映像を表示。3台のディスプレイで3人の目に立体映像を映しだす。 | 220 |
2014年12月号 | 論理演算で消費電力をほぼ0にする新型ICを開発・実証 | 横浜国大 | 日刊工業新聞 (2014年9月17日PP.25) | 磁束の有無で0,1を切り替えるICを開発。超伝導材料のニオブを用いて温度4.2Kで動作。消費電力が従来比100万分の1。 | 220 |
2014年12月号 | 超電導回路で論理素子を作成 | 理化学研究所など | 日刊工業新聞 (2014年9月25日PP.27) | 量子計算機,読出し精度90%以上 | 220 |
2014年11月号 | 脳の神経細胞を電子回路に応用したニューロシナプス・チップを開発 | IBM | 日刊工業新聞 (2014年8月19日PP.10) | トランジスタ数54億個 100万個のニューロンと2億5600万個のシナプスで構成 ニューロン数100万個 消費電力70ミリワット | 520 220 |
2014年11月号 | 8K対応小型記録装置 | 東京エレクトロン NHK | 日刊工業新聞 (2014年8月21日PP.9) | 8K映像対応小型記録装置 従来の約1/3の体積 8K解像度の映像を 独自に開発した低圧縮率の圧縮伸長方式を使用して収録し再生 装置の小型化に成功 | 220 330 |
2014年10月号 | 電子の結晶化観測 | NTT JST | 日刊工業新聞 (2014年7月21日PP.17) | ウィグナー結晶 NMRを使用し 半導体テヘロ構造に低温かつ強磁場で電子が結晶化する様子「ウィグナー結晶」を世界初観測 | 120 220 |
2014年10月号 | 液晶部品を使用したフィルムコンデンサ | 山梨大 | 日経産業新聞 (2014年7月24日PP.10) | 表面が酸化した2枚のアルミ電極間に繊維状の樹脂をちりばめ隙間に液晶分子を入れ試作 比誘電率は最大56万で従来の10万倍 | 120 220 |
2014年 9月号 | 1チップで4K映像再生可能なシステムLSIの開発 | パナソニック | 日刊工業新聞 (2014年6月10日PP.10) | HEVC圧縮の4K 60fps 10ビットカラー映像を1チップで再生 HDCP2.2対応 | 220 |
2014年 9月号 | 半導体チップを低コストで積層する技術の開発 | 慶応大 | 日経産業新聞 (2014年6月12日PP.7) | 磁力線を使いプロセッサやメモリーを磁力線により非接触接続 製造コスト40%減 低消費電力 44GB | 220 260 |
2014年 9月号 | 水晶発振器並みの周波数精度を持つCMOS発振器 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2014年6月12日PP.19) | 温度領域ごとに特性を補正するディジタル回路を用いて温度補償100ppm以下の周波数精度を実現 Si半導体発信機 | 220 |
2014年 9月号 | 56Gbpsのデータ受信回路 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2014年6月13日PP.1) | 世界最速チップ間通信 受信信号の品質補償に並列処理を行うための新たな回路技術を導入 | 220 |
2014年 6月号 | 単結晶Siトランジスタをプラスチック上で動作実証 | 広島大 | 日刊工業新聞 (2014年3月14日PP.21) | 微小な空間内の液体によって生じる引力を利用,ウェハ上の単結晶Si層を部分的に転写,電界効果移動度は毎秒1V当たり609? | 220 160 |
2014年 5月号 | スピントロニクス活用で電池の寿命を延ばすMCU | 東北大 NEC | 日刊工業新聞 (2014年2月11日PP.13) | 不揮発レジスタの書き込み電力を削減 回路線幅90nmのCMOS回路と三端子MTJ素子を組み合わせたICチップ | 220 |
2014年 5月号 | 28Gbps伝送可能な60GHzミリ波無線機IC | 東工大 | 日刊工業新聞 (2014年2月12日PP.14) | ミキサファースト型IC 消費電力が送信機168mW・受信機155mW・発信器64mW 65nmのCMOSプロセス技術 60GHz帯 64QAM | 220 340 |
2014年 4月号 | 印刷型有機TFT回路 | 東大 JCN トッパン・フォームズ リガク | 日刊工業新聞 (2014年1月29日PP.26) | 13.56MHz個体識別伝送 | 220 340 |
2014年 4月号 | PZT薄膜で圧電MEMSデバイスを作製 | 産総研 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2014年1月29日PP.6) 日刊工業新聞 (2014年1月29日PP.21) | 口径200mmのウェハで作製 粗大粒子の発生を抑制 | 210 220 |
2014年 4月号 | 印刷で高速かつ大面積なTFTシート | JAPERA NEDO | 日刊工業新聞 (2014年1月29日PP.1) | 真空装置不要 省設備化 露光装置不要 厚さ50μmのPENフィルム 縦300mm横400mmのTFTアレイシートを8時間で作成 アモルファスシリコンと同程度の性能 | 220 260 |
2014年 3月号 | 3次元LSI向け多結晶Geトランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年12月18日PP.21) | GeのCMOS化 n型MOSFET 500℃以下で形成 p型n型の両極性 多結晶Geトランジスタ Siの3倍の電流駆動能力 | 220 |
2014年 3月号 | より低電圧で動作するトンネルFET | 東大 | 日経産業新聞 (2013年12月18日PP.6) 日刊工業新聞 (2013年12月27日PP.13) | Znの拡散による不純物分布を持つ新型接合技術 動作電圧0.3V 接合部にZn拡散 従来の1/3の電圧で動作 | 220 260 120 |
2014年 1月号 | 高感度なスピントルクダイオード | 阪大 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年10月21日PP.16) | 磁気トンネル接合素子 半導体ダイオードの3倍感度 ナノサイズ磁石利用 非線形効果 | 220 |
2014年 1月号 | 高速な電気-光変換器 | 情通機構 | 日経産業新聞 (2013年10月23日PP.7) | 電気光学変調器 数THz Siと有機材料を交互に配置 100μm長 0.2μm幅 | 220 |
2013年12月号 | 光の90%以上を通す透明な半導体集積回路 | 名大 フィンランドアールト大 | 日本経済新聞 (2013年9月17日PP.11) 日経産業新聞 (2013年9月17日PP.10) | CNTで配線とトランジスタを製作 一辺0.5mmの回路 | 120 220 |
2013年12月号 | 16kV耐圧のSiC素子 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年9月25日PP.23) | IGBT エピタキシャル成長 フリップ | 220 |
2013年11月号 | 電導性優れるCNT | 信州大 | 日刊工業新聞 (2013年8月13日PP.15) | 電気を通す線上の結晶性硫黄原子鎖を1nm程度の円筒空間中に作製 | 120 220 |
2013年11月号 | CNTだけで構成するIC | 名大 フィンランドアールト大 | 日刊工業新聞 (2013年8月13日PP.15) | 電極や配電材料にCNT薄膜,絶縁材料にアクリル樹脂を使う,移動度は毎秒1V当たり1000m2 | 120 220 |
2013年11月号 | 超電導トランジスタ | 分子研 理研 | 日経産業新聞 (2013年8月27日PP.10) | 有機材料 BEDD-TTF -265℃・数Vで電気抵抗0 | 220 |
2013年11月号 | 電極に炭素材料を使ったキャパシタ | 豊橋技科大 湘南合成樹脂製作所 | 日経産業新聞 (2013年8月28日PP.6) | カーボンナノバルーン100mV/sの電圧で電極1g当たり13ファラド | 220 150 |
2013年11月号 | 光が伝わる様子をディジタル動画で撮影 | 京都工繊大 千葉大 | 日刊工業新聞 (2013年8月19日PP.1) | 並列位相シフトディジタルホログラフィ 2ps | 220 230 430 |
2013年 9月号 | 低消費電力通信用MOSFET | 東芝 | 日刊工業新聞 (2013年6月11日PP.21) | CMOSでプロセッサ部と通信部を1チップに小型・集積化可能 ゲート電極材料を2種類 | 220 |
2013年 9月号 | 0.37V動作のトランジスタを採用したロジックIC | 超低電圧デバイス技術研究組合 NEDO | 日刊工業新聞 (2013年6月11日PP.21) 日経産業新聞 (2013年6月11日PP.9) | SOTBトランジスタを用いたSRAM シリコン基板上に厚さ10nmの絶縁膜・その上に電極 SOTB 最小電圧0.37Vの演算用LSI | 220 230 |
2013年 9月号 | 動作電流が大きなトンネルFET | 産総研 | 日経産業新聞 (2013年6月11日PP.9) 日刊工業新聞 (2013年6月13日PP.21) | 合成電界効果トンネルFET 立体構造 | 220 |
2013年 9月号 | 低電圧CMOSインバータ | 産総研 住化 | 日刊工業新聞 (2013年6月11日PP.21) | GeのpMOSFETとInGaAsのnMOSFETを積層 0.2Vで動作 | 220 |
2013年 9月号 | 損失1/10のパワー半導体 | 情通機構 タムラ製作所 | 日経産業新聞 (2013年6月20日PP.11) | Ga203 0.4mm角 MOSトランジスタ オンオフ比10桁以上 | 220 |
2013年 8月号 | 磁気を電気にかえる素子 | 東北大 慶応大 | 日経産業新聞 (2013年5月8日PP.7) | 導電性プラスチック 約260mTで600mV | 220 |
2013年 8月号 | 非磁性金属に磁気抵抗効果 | 東北大 | 日刊工業新聞 (203年5月17日PP.21) | 220 260 | |
2013年 7月号 | 高精度超音波を発振する半導体素子 | NTT | 日経産業新聞 (2013年4月19日PP.10) | MEMS応用 GaAs 85μm×1.4μm×250μm セーザー 温度2.5Kで2.52MHz(バラツキ70Hz)を入力し174kHz(バラツキ0.08Hz)で発振 | 220 260 |
2013年 6月号 | マイクロ波でスピン制御 | 阪大 東北大 | 日経産業新聞 (2013年3月6日PP.7) | Si製基板にNi・Fe合金・Pdの電極を設けた装置 Ni・Fe合金の電極に磁場をかけスピンの向きをそろえる マイクロ波照射で電子がPd側に移動 | 220 |
2013年 3月号 | LSI集積度を100倍以上高める技術 | 東大 理研 | 日経産業新聞 (2012年12月11日PP.9) | 原子3個分のMoS2薄膜 0.6nm厚 トランジスタ | 120 220 |
2013年 3月号 | ダイヤモンド半導体を用いた真空パワースイッチ | 産総研 物材機構 | 日刊工業新聞 (2012年12月12日PP.24) 日経産業新聞 (2012年12月14日PP.8) | 10kVで動作 高濃度不純物層 伝達効率74% ダイヤモンド表面をHで覆う | 250 220 |
2013年 3月号 | リーク低減したSiCパワー半導体 | 阪大 京大 ローム 東京エレクトロン | 日経産業新聞 (2012年12月12日PP.6) 日刊工業新聞 (2012年12月12日PP.24) | ゲート絶縁膜にアルミ酸化物 N添加によりリーク90%減 耐圧1.5倍 高誘電率ゲート絶縁膜採用のSiC製MOSFET | 120 220 250 |
2013年 2月号 | 電子移動度が高い半導体 | 物材機構 理研 住友金属鉱山 | 日経産業新聞 (2012年11月7日PP.7) | IWO(インジウム タングステン 酸素) 電子移動度18 作製温度は100℃ IGZO(In・Ga・Zn・O)後継の半導体試作 | 250 220 |
2013年 2月号 | 高い信号強度の量子ビット判別技術 | 理研 NEC | 日経産業新聞 (2012年11月7日PP.7) | 量子ビット状態に応じた共振器の周波数変化を利用 Al製量子ビット作成回路とNb製共振器を結合 精度90% | 220 320 660 |
2013年 2月号 | 機能変更できる半導体素子 | 物材機構 UCLA | 日経産業新聞 (2012年11月27日PP.10) | 「オンデマンド素子」 酸化タングステンと白金で挟みこむ 入力電圧によりダイオード キャパシタ スイッチ等として機能 | 120 220 |
2013年 1月号 | 膜厚10nmの金属酸化膜トランジスタ | 物材機構 理研 | 日刊工業新聞 (2012年10月18日PP.24) | 酸化タングステン(W2O3) 100℃で成膜が可能 | 120 220 |
2013年 1月号 | 23.5kV耐圧のパワー半導体 | 京大 | 日経産業新聞 (2012年10月24日PP.7) | SiC 表面をポリイミドで覆う バイポーラトランジスタ | 220 |
2012年12月号 | 無線送信部品を省電力化 | 富士通研 | 日経産業新聞 (2012年9月28日PP.11) | 高周波増幅器にダイオード利用 面積を1/25の0.04mm2 消費電力0.3mW | 220 240 |
2012年11月号 | ダイヤモンド半導体を用いたFET | 東工大 産総研 | 日刊工業新聞 (2012年8月23日PP.19) | 高濃度のP不純物を添加したn型ダイヤモンド半導体 | 220 |
2012年10月号 | 発電用途に特化した圧電素子 | 大阪府立大 大阪府立産業総合研究所 | 日経産業新聞 (2012年7月2日PP.11) | BiやFeなどの酸化物で構成 CVDを応用 幅0.5mm 長さ2mm 厚さ3μmの素子を試作 比誘電率が従来の1/10 | 120 220 |
2012年10月号 | 酸化物と電界でFET | 理研 東大 | 日刊工業新聞 (2012年7月26日PP.21) | 強相関酸化物 電気二重層をVO2に適用 1Vで制御 | 220 |
2012年 9月号 | 20kV対応のSiC素子 | 京大 | 日経産業新聞 (2012年6月5日PP.9) | 180μmの結晶厚さ Alイオン注入量を制御 | 220 |
2012年 9月号 | 消費電力1/100のCPU | 半導体エネルギー研 | 日経産業新聞 (2012年6月6日PP.1) | ごく短時間ずつCPUを動作 レジスタにIGZOを使用 8ビットCPUを試作 IGZOを使いCPUの消費電力を削減 | 220 |
2012年 9月号 | 低消費電力のFPGA回路スイッチ | 超低電圧デバイス組合 | 日経産業新聞 (2012年6月20日PP.7) | 原子移動型スイッチ 面積1/4 電力70%減 | 220 |
2012年 8月号 | p型Geに磁性体のスピン情報を室温で入力 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2012年5月16日PP.20) 160 (0年0月0日) | p型のGe | Fe 厚さ2nmのMgOを積層した電極を作成し スピン情報をFeからGeへ入力 ハンル効果 スピン情報80nm 120 220 |
2012年 8月号 | 環境で応答が異なる新型素子 | 物材機構 UCLA | 日経産業新聞 (2012年5月24日PP.11) | シナプスを模倣 硫化銅による原子スイッチ 真空中と大気中とで記憶動作異なる | 220 |
2012年 7月号 | CNT製トランジスタの印刷技術 | 単層CNT融合新素材研究開発機構 産総研 NEC | 日刊工業新聞 (2012年4月19日PP.17) 日経産業新聞 (2012年4月20日PP.10) | 半導体型ナノチューブ プラスチックフィルムに印刷 出力電流のばらつき30% 印刷面にあらかじめ単分子膜を形成しインクの吸着を促進 インクに純度95%以上の半導体型ナノチューブを使用 | 220 260 |
2012年 7月号 | 磁束が超電導細線を透過する新現象 | 理研 NEC | 日経産業新聞 (2012年4月19日PP.11) 日刊工業新聞 (2012年4月24日PP.23) | 酸化インジウム 量子ビット マイクロ波 コヒーレント量子位相スリップ(CQPS)効果 幅35nmのInOを仕切りとして置き 微弱な磁場を加えながらマイクロ波を当てる 電流標準 | 120 220 |
2012年 6月号 | 鉛を含まない圧電体 | 東工大 上智大 キヤノン | 日刊工業新聞 (2012年3月16日PP.24) | Bi・ZnとTiを含む酸化物 高温下で動作 | 220 250 |
2012年 6月号 | 有機ELディスプレイの駆動素子を印刷で作製 | 山形大 | 日本経済新聞 (2012年3月26日PP.11) 日経産業新聞 (2012年3月30日PP.10) | Agの微小粒子インク 100pixel/inch 厚さ125μm ポリエステルフィルム ペンタセン 工程のすべてを150℃以下 | 250 260 220 |
2012年 5月号 | 高集積型の電子素子 | 産総研 東大 | 日経産業新聞 (2012年2月9日PP.11) | 強相関電子材料 CaMnO3を使った素子 10nm以下の微細加工でも高性能を維持 Caの一部をCeに置換 2mm四方のトランジスタを試作 | 220 120 |
2012年 5月号 | スーパハイビジョン対応復号LSIを試作 | 早大 | 日刊工業新聞 (2012年2月20日PP.17) | 7680×4320×60fps H.264/AVCハイプロファイル 65nm CMOS 消費電力410mW | 220 |
2012年 5月号 | 低消費電力で光通信を実現する光メモリー | NTT | 日経産業新聞 (2012年2月27日PP.11) | In | Ga製のフォトニック結晶を材料に使用 長さ10μm 動作に必要な電力30nW 40Gbpsで光信号を送信 一時保存と読出しが可能 220 240 |
2012年 4月号 | 超電導状態になる炭素繊維 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2012年1月5日PP.11) | 5Kで1cm2あたり200万Aの電流を流せる 合成条件によって直径90nm〜1μm 長さ3μm〜数mm フラーレン | 120 220 |
2012年 4月号 | 高周波で動作するパワーJFET | 京大 住友電工 | 日経産業新聞 (2012年1月24日PP.10) | SiCを採用 実験では最大1.5A・約30Vで動作 周波数13.56MHz | 220 |
2012年 3月号 | 省電力化と高速化を両立したLSI用電子回路 | 東北大 NEC | 日刊工業新聞 (2011年12月6日PP.1) 日経産業新聞 (2011年12月8日PP.11) | スピントロニクス素子とCMOS素子のハイブリッド回路を高速化 動作周波数600MHz ラッチ回路向け | 220 |
2012年 3月号 | 再構成可能LSI向け配線スイッチ | 超低電圧デバイス技術研究組合 | 日刊工業新聞 (2011年12月8日PP.18) | 10〜50nm スイッチ素子を3端子で構成 | 220 |
2012年 2月号 | ゲルマニウムを使った半導体素子 | 九大 | 日経産業新聞 (2011年11月10日PP.11) 日刊工業新聞 (2011年11月10日PP.23) | Ge薄膜上にソースゲートドレインを取り付け界面部分を原子層レベルで制御 | 220 |
2012年 1月号 | 量子メモリーの原理実験に成功 | NTT 阪大 国立情報学研 | 日刊工業新聞 (2011年10月13日PP.21) 日経産業新聞 (2011年10月13日PP.11) | 量子もつれ振動を制御 量子メモリー ダイヤモンド基板と超電導の量子ビットを組み合わせたハイブリッドの量子状態 | 220 230 120 |
2012年 1月号 | 室温下で磁性金属の磁力を電気的にスイッチ | 京大 | 日刊工業新聞 (2011年10月18日PP.23) | 強磁性状態と常磁性状態を切替 Coの超薄膜 | 220 120 |
2011年12月号 | ダイヤモンド半導体を使ったバイポーラトランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年9月5日PP.19) 10 (0年0月0日) | ダイヤにB | Pを高濃度に添加した低抵抗ダイヤモンド薄膜 増幅率10 バイポーラトランジスタ 室温動作 220 |
2011年12月号 | 光インターコネクト用の超小型光源 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2011年9月16日PP.1) 日経産業新聞 (2011年9月20日PP.9) | シリコンフォトニクス光源 温度調節不要 長さ1mm 幅0.1mm(光源と光変調器合わせて) 光送受信器に載せる光源と光変調器の動作波長を自動的に一致させる機構 | 220 240 |
2011年12月号 | シリコン光配線集積回路 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年9月19日PP.10) | チップ間の情報伝送容量3.5Tb/cm2 各光部品を5mmx4.5mmの小型シリコン基板上に集積 | 220 240 |
2011年12月号 | 量子コンピュータ向け基本素子 | 東大 NTT | 日経産業新聞 (2011年9月29日PP.11) | GaAsの素子 スピンが情報の最小単位 量子もつれ | 220 |
2011年11月号 | 磁気・電気的な性質を制御可能な磁性半導体 | 原子力機構 東大 | 日刊工業新聞 (2011年8月10日PP.15) | スピントロニクス 磁気的な性質と電気的な性質を独立に制御可能 | 220 230 |
2011年10月号 | 有機半導体の単結晶膜を作るインクジェット印刷法 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年7月14日PP.26) | 有機半導体を溶かした液滴と液晶化するための液滴を交互に印刷するダブルショットインクジェット印刷法 | 160 220 |
2011年10月号 | 消費電力ほぼ0の半導体素子 | 東大 NTT | 日本経済新聞 (2011年7月25日PP.11) | 100nmの量子ドットにスピンを閉じ込めた構造 わずかな電圧でスピンを制御 | 220 |
2011年 9月号 | 大電流・高電圧に対応するGaN半導体 | 名工大 | 日刊工業新聞 (2011年6月8日PP.22) 160 (260年0月0日) | 耐電圧1800V | 移動度3000cm2/Vs 膜厚9μm NH3とトリメチルアルミニウムを用いたAlNとGaNによるバッファ層 220 120 |
2011年 9月号 | 電子移動度4.2倍の次世代素子 | 東大 産総研 住友化学 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年6月15日PP.19) | 化合物半導体とGe基板を使用 | 220 |
2011年 8月号 | 室温で低消費電力な半導体素子
・14と一つにまとめ | 東大 東北大 ファインセラミックスセンター | 日経産業新聞 (2011年5月27日PP.11) | 電子のスピンによる磁石の向きを電圧で制御 電流は通常の1億分の1 La Alの酸化物基板上に微量のCoを添加したTiO2で素子を作成 | 220 120 |
2011年 8月号 | 電圧4Vで磁気制御可能なトランジスタ
・13と一つにまとめ | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年5月27日PP.25) | 非磁性物質を電気的に強磁性物質に変化 TiOにCoを加える 電気二重層構造 | 220 |
2011年 7月号 | 2000万fps撮影可能なイメージセンサ | 東北大 島津製作所 | 日経産業新聞 (2011年4月18日PP.11) 日刊工業新聞 (2011年4月19日PP.26) | CMOS採用により消費電力抑制 45mm角チップを試作 内蔵メモリへ一時保存して読出す 1コマ50nsで処理 既存の半導体製造工程で製造可能 低消費電力 10万画素で約250コマ撮影可能なチップを試作 | 210 220 |
2011年 5月号 | 円偏光発光素子 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年2月2日PP.21) | 人工キラル周期構造 InAs製の量子ドットを埋め込み | 120 220 |
2011年 5月号 | 反強磁性と超電導が共存する構造の新材料 | 東工大 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年2月3日PP.11) 日刊工業新聞 (2011年2月3日PP.24) | Ce・Ni・Bi層と電気抵抗のある常電導で反強磁性 有効質量が超電導層で1に対し常電導層で400 4.2K以下で超電導を観測 | 120 220 |
2011年 5月号 | 微小凹凸でLSI接合 | 九大 | 日経産業新聞 (2011年2月4日PP.10) | 突起電極と対向電極を30℃で20秒押しつけると接合 電気抵抗83mΩ 銅でできた直径数μmの突起と溝をかみ合わせて接合 加熱不要 | 220 260 |
2011年 5月号 | FF回路の素子を減らし省電力化 | 東芝 | 日経産業新聞 (2011年2月23日PP.7) | 基本素子のトランジスタ数24個から22個 | 220 120 |
2011年 5月号 | LSI間の通信速度向上 | 慶応大 | 日経産業新聞 (2011年2月25日PP.8) | 磁界結合でクロック同期 19.6Gbps 結合共振 | 220 |
2011年 3月号 | 酸化物半導体TFTで作った整流回路 | 日立 | 日刊工業新聞 (2010年12月7日PP.1) | 13.56MHzの電波を直流電力へ変換可能 ガラス基板上に0.4mm×2mmを試作 インジウムガリウム酸化亜鉛(InGaZnO)の金属組成比を改良 | 220 250 |
2011年 3月号 | 演算と記憶の複合素子を開発 | 物材機構 阪大 東大 | 日刊工業新聞 (2010年12月24日PP.20) | アトムトランジスタ わずかな金属素子を絶縁体中で移動させることで動作させる 不揮発性ロジック回路 | 220 230 |
2011年 2月号 | 炭素系ナノテク活用の高速有機トランジスタ | 阪大 山形大 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2010年11月1日PP.11) | C60と呼ぶフラーレン薄膜 Al 色素の各層を挟んだ構造 400kHzで高速応答 従来の5倍以上の電流を流せる | 120 220 |
2011年 1月号 | GaN-HEMTを使った高出力な送信用増幅器 | 富士通 | 日刊工業新聞 (2010年10月4日PP.18) | ミリ波帯向け 出力1.3W 67〜80GHzで10Gbps 通信可能距離10km | 240 220 |
2011年 1月号 | CNT利用の安価な高性能トランジスタ | 名大 | 日経産業新聞 (2010年10月21日PP.11) | Si薄膜の代わりに直径1.5nm 長さ1μmのCNTを敷き詰める 縦横1cmのTFTを試作 厚さ0.5mmの基板上に2〜3nmのCNT薄膜を塗布オンオフ比が最大1000万 | 120 220 |
2011年 1月号 | 酸化亜鉛使用の高速電子素子 | 東大 東北大 東工大 ローム | 日経産業新聞 (2010年10月29日PP.9) | 厚さ0.8μmのZnO単結晶TFT 分数量子ホール効果 電子移動度がSiの約10倍の可能性 | 220 120 |
2010年12月号 | 発電効率45%超を実現する太陽電池向け新素材 | 東大 シャープ | 日経産業新聞 (2010年9月29日PP.13) | 多接合 厚み3nmのInGaAsの膜と原子1個分の厚みのInGaPの膜を交互に60個積み重ねる 量子井戸効果 多接合タイプ太陽電池 | 120 250 220 |
2010年11月号 | ケーブル1本で携帯機器内データ伝送 | ソニー | 日経産業新聞 (2010年8月23日PP.5) 日刊工業新聞 (2010年8月23日PP.8) | 映像・音声・制御信号 ケーブル本数が従来の数十分の1 max940Mbps 機器内ワンワイヤインターフェイス技術 | 220 |
2010年11月号 | 誘電率200以上を実現する小型薄膜コンデンサ
・10とあわせて1件 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2010年8月25日PP.24) | チタン酸バリウム系の薄膜と比べ大きさ1/20 容量10倍以上 厚さ1.5nmで横幅約10μm | 120 220 |
2010年11月号 | 高性能な薄膜コンデンサ
・9とあわせて1件 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2010年8月25日PP.9) | ペロブスカイトナノシート 膜厚5〜20nmで誘電率210〜240 | 220 |
2010年11月号 | 超高精細映像の高速低消費電力伝送の実証実験 | 産総研 情通機構 | 日経産業新聞 (2010年8月25日PP.9) | スーパハイビジョン映像 光スイッチ応用 1/1000以下の消費電力 | 220 440 |
2010年11月号 | 暗所でも高感度な大型CMOSセンサ | キヤノン | 日経産業新聞 (2010年8月31日PP.1) | 202mm×205mm 160万画素 0.3Lxで60fps撮像 | 210 220 |
2010年10月号 | 積層チップ間無線通信の消費電力抑制 | 慶応大 | 日経産業新聞 (2010年7月1日PP.12) | 磁気結合を応用 1bあたり100兆分の1ジュール以下 データ通信速度1Gbps 送受信部の大きさ0.01mm2 消費電力1/1000 | 120 220 |
2010年10月号 | 情報を暗号化する素子 | 北大 浜松ホトニクス NTT 東京理科大 | 日経産業新聞 (2010年7月8日PP.12) | p型InPにn型のInGaAsやニオブを積層 ニオブ層の厚さ80nm 光子対 量子もつれ合い状態 | 120 220 |
2010年 9月号 | Q値の劣化を半分にした可変インダクタ | ルネサスエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2010年6月16日PP.19) | 受動素子 4つのインダクターを2個ずつ並列に接続した回路構成 10〜20GHzの高周波領域で動作 高速光通信 ミリ波通信 | 220 |
2010年 9月号 | 0.5Vで集積回路を動作させる技術 | 東大 | 日刊工業新聞 (2010年6月18日PP.21) | パスゲートトランジスタ SRAM動作時のマージンが70%改善 | 220 |
2010年 9月号 | テラヘルツ波検出感度が100倍以上のトランジスタ | パナソニック | 日経産業新聞 (2010年6月23日PP.11) | 室温動作可能 GaN材料 | 220 |
2010年 9月号 | グラフェンで論理回路を形成 | 物材機構 筑波大 | 日経産業新聞 (2010年6月24日PP.12) | インバータ機能のグラフェン素子を試作 電圧ゲイン7以上 2V以下の低電圧で動作 | 120 220 |
2010年 9月号 | 寿命2倍電力半減のLED照明用電源IC | タキオン | 日経産業新聞 (2010年6月24日PP.1) | 15μsに1回電源ON/OFF 電解コンデンサ不要 | 220 |
2010年 9月号 | 10万倍の抵抗値変化を記憶できる強誘電体採用メモリスタ | パナソニック | 電波新聞 (2010年6月25日PP.1) | 半導体と強誘電体の界面伝導を利用 トランジスタとの一体化 結晶成長技術 | 220 |
2010年 9月号 | 化合物半導体を使ったトランジスタ -LSI速度5倍に- | 東大 産総研 物材機構 住友化学 | 日経産業新聞 (2010年6月25日PP.15) | InGaAs 高速LSI | 220 |
2010年 8月号 | 超電導の人工原子を組み込んだ量子光学素子 | 理研 NEC | 日刊工業新聞 (2010年5月11日PP.22) | 超電導量子ビット 巨視的量子散乱などの量子光学現象 | 120 220 |
2010年 7月号 | 半導体を使った人工視覚装置を試作 | 奈良先端大 ニデック 阪大 | 日経産業新聞 (2010年4月23日PP.9) | チップは0.6mm四方で9個の電極を配置 光信号を電気信号に変換 動物実験で性能確認 | 220 310 |
2010年 6月号 | A-Si製のTFTと同程度の移動度とON/OFF比を実現したCNTトランジスタ | 名大 | 日本経済新聞 (2010年3月1日PP.13) | 太さ1.2nm 長さ200nm 鮭の精子から抽出したDNA 電気の流れやすさ1000倍 | 120 220 |
2010年 6月号 | GPUとDRAM間の通信速度32倍の8Tbps | 慶応大 | 日経産業新聞 (2010年3月2日PP.11) | GPUとDRAM間を無線通信 回路面積1/66 1024個のコイルでデータを送受信 | 220 520 |
2010年 5月号 | 回路面積1/10 消費電力1/5の無線通信用AD変換器 | 東芝 | 日経産業新聞 (2010年2月24日PP.11) | 逐次比較型 キャパシタの数36個 面積0.06mm2 消費電力1.21mW | 220 |
2010年 3月号 | LSIの不純物濃度のばらつき測定 | 東芝 | 日経産業新聞 (2009年12月9日PP.11) | イオンビームで素子を切り出してキャリヤ濃度を測定 結晶構造の違いでキャリヤ分布が異なる 20nm回路に対応 | 660 220 210 |
2010年 3月号 | 動作速度が3割向上した高速無線用半導体 | NECエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2009年12月18日PP.11) | アナログ部の配線抵抗を従来と比べて半減 動作クロック200GHz 線幅40nmのCMOS | 220 |
2010年 2月号 | 塗布法で高速な有機薄膜トランジスタ | 大阪大 広島大 | 日刊工業新聞 (2009年11月6日PP.30) | 移動度 5cm2/Vs 非晶質Si 5倍以上の移動度 | 220 |
2010年 2月号 | LSI内1チップ光配線 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2009年11月10日PP.25) | 消費電力1/10 長さ600μmのレーザ光源部品 幅450nmのSi光導波路 受光素子の大きさ1/5 光源と導波路間の光結合効率60%以上 オンチップフォトニクス | 220 |
2009年12月号 | 性能100倍の有機半導体 | 東洋大 | 日経産業新聞 (2009年9月8日PP.11) | 有機薄膜トランジスタ 不純物層 シミュレーションで確認 | 220 |
2009年12月号 | 小型の高周波信号処理チップ | TDK | 日経産業新聞 (2009年9月25日PP.5) | HDDの薄膜成型技術を応用 線幅が最小10μm 高周波帯域のESR(等価直列抵抗)が優れている 体積従来の1/3 バラン カプラー コンデンサ | 220 |
2009年11月号 | 簡単構造で耐電圧1kVのダイヤ製ダイオード | 物材機構 | 日経産業新聞 (2009年8月21日PP.9) | ショットキーダイオード CVD エキシマランプで172nmの紫外線照射 | 220 |
2009年10月号 | 消費電力1/10のFPGA | 東北大 日立 | 日経産業新聞 (2009年7月17日PP.11) | 微細な磁石で情報を記憶 待機電力不要 回路面積従来の半分 ルックアップテーブルに磁気素子Mn・Coを使用 | 220 230 |
2009年10月号 | コンピュータの消費電力を1/10に下げる基本素子 | 東北大 | 日経産業新聞 (2009年7月24日PP.11) | 磁気抵抗変化率が従来の3倍 MTJ素子 | 220 |
2009年 9月号 | X帯で出力101WのHEMT増幅器 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2009年6月12日PP.26) | n型窒化ガリウム技術 ゲート長0.25μm 効率53% 出力4倍を達成 | 240 220 |
2009年 8月号 | 世界最速CPU
128GFLOPS | 富士通 | 日経産業新聞 (2009年5月14日PP.11) | 1秒間に1280億回の計算が可能 約2cm2のチップ上に集積する回路が従来の2倍の8個 消費電力従来の1/3 8コア Sparc648FX | 220 |
2009年 8月号 | 原子サイズの2層CNTトランジスタ | 青山学院大 名大 東邦大 | 日経産業新聞 (2009年5月15日PP.1) | 電子線によりナノチューブの層を分離 PN接合の特性を確認 太さ2〜3nm 2層CNTをSi基板上に乗せる 大きさSiLSIの1/100程度 | 220 120 |
2009年 6月号 | USB3.0対応の通信用LSI | 富士通マイクロエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2009年3月27日PP.1) | データの転送速度は従来比10倍以上 データの転送速度5Gbps アダプティブイコライザ | 520 220 |
2009年 5月号 | CNTトランジスタを全工程で印刷作製 | NEC | 日刊工業新聞 (2009年2月18日PP.24) 日経産業新聞 (2009年2月18日PP.9) | 200℃以下の低温で揮発性をもつインク オンオフ比約1000の多層構造のp型トランジスタを試作 | 160 120 220 |
2009年 4月号 | 特定の光子対のみを通すフィルタ回路 | 北大 広島大 英ブリストル大 JST | 日経産業新聞 (2009年1月23日PP.10) 日刊工業新聞 (2009年1月23日PP.22) | 量子もつれ 半透明の鏡や特殊な偏光板で構成 大きさ50cm四方 2つの光子が同じ偏光方向をもつ場合に透過 異なる場合に吸収 量子ゲート 経路干渉 単一光子 | 240 220 120 |
2009年 3月号 | 22ナノ世代LSI向け量産化技術 | Selete | 日刊工業新聞 (2008年12月17日PP.21) | Si基板に約0.4nmの酸化イットリウムを原子層堆積法で薄く成膜 絶縁膜としてハフニウム系の高誘電率膜 MOSトランジスタの絶縁膜にイットリウムを導入 | 220 |
2009年 3月号 | ひずみSiを活用してLSI処理速度を40%向上させる技術 | 東大 | 日経産業新聞 (2008年12月18日PP.11) | 約500気圧の引っ張る力で電流量最大4%増加 チャネル幅1〜20nmのトランジスタ試作 | 220 |
2009年 2月号 | 微細回路に対応する半導体洗浄超純水 | 栗田工業 | 日経産業新聞 (2008年11月12日PP.1) | 過酸化水素を除去 1ppb以下 過酸化水素による酸化を抑制 | 220 |
2009年 2月号 | 書換え電流抑え微細化したMRAM技術 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年11月12日PP.1) | スピン注入磁化反転方式 書換え電流従来比1/3程度 磁気トンネル接合素子(MTJ) | 220 230 |
2009年 2月号 | CMOS微細化技術 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年11月14日PP.9) | 絶縁膜の厚さ0.37nm 回路線幅16nm以下のLSI開発に不可欠な技術 絶縁膜に酸化ランタンを採用 | 220 120 |
2009年 1月号 | 通電遮断回路不要なGaN-HEMTトランジスタ | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年10月10日PP.24) | 2nmのn型GaN膜 AlN 300Vの高耐性で動作 | 220 |
2009年 1月号 | ナノ粒子の導電性銀インキ | 東洋インキ製造 | 日経産業新聞 (2008年10月11日PP.1) | インクジェット方式での基板プリント リオメタル 銀粒子を直径8nmに細分化 | 220 |
2009年 1月号 | 次世代高速無線用トランジスタ
-消費電力1/3に- | 日立 | 日経産業新聞 (2008年10月17日PP.1) | シリコンゲルマニウムを使った独自の薄膜形成技術 エピタキシャル成長 不純物を約8%抑制 真空集で水素を流し込み酸素を除去 | 160 220 |
2008年12月号 | ワイヤ状の有機半導体 導電性10倍 | 物材機構 静大 | 日経産業新聞 (2008年9月10日PP.13) | ペンタゼン メチルチオ基 直径20〜100nmで長さが1〜5μmのワイヤ状の有機半導体 抵抗率10000Ωm | 120 220 |
2008年12月号 | 高速無線通信向けLSIの小型化技術 | NECエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2008年9月25日PP.11) | 磁性膜をLSIにのせる コイル数を抑制 UWBやミリ波での近距離通信向け | 220 440 240 |
2008年11月号 | 多量子ビット素子
-超高速コンピュータに道- | 東大 NTT | 日刊工業新聞 (2008年8月18日PP.18) 日経産業新聞 (2008年8月18日PP.6) | GaAs化合物半導体 電子スピン コバルト製の微小な磁石 直径0.2μmの円盤形の量子ドット | 120 220 |
2008年11月号 | 高性能強磁性トンネル接合素子で高周波発振に成功 | 阪大 産総研 キヤノンアネルバ | 日刊工業新聞 (2008年8月29日PP.31) | 数-10GHz 発振出力約0.2μW 磁極フリー層(CoFeB) 絶縁性のトンネル障壁層(MgO) 磁極固定層(CoFeB)の3層構造 スピンの歳差運動 同素子を70nm×160nm断面の柱状に加工 | 120 220 |
2008年10月号 | スパコン用MPUチップの消費電力を最大50%削減 | 日立 東大 | 日経産業新聞 (2008年7月3日PP.7) | MPU 低消費電力技術 漏れ電流低減 数十nsのしきい値電圧変更 | 220 |
2008年 9月号 | 高純度単層CNTを活用した薄膜トランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2008年6月11日PP.25) 日経産業新聞 (2008年6月11日PP.11) | 分散型ポリフルオレン 超音波で分散 遠心分離機 移動度2cm2/Vs オンオフ比10万以上 CNT液をSi基板にコーティング | 120 160 220 |
2008年 9月号 | 単層CNTで配線を作製する技術 | 九大 | 日経産業新聞 (2008年6月16日PP.17) | 高い導電性 幅0.5μmの細い線 縦横0.5μmの四角いパターン | 220 160 |
2008年 9月号 | HDPhoto(JPEGXR)対応の撮影用LSI | メガチップス | 日経産業新聞 (2008年6月18日PP.1) | LSI内部で異なる処理を1つの回路で共有 画像圧縮 次世代規格に対応 | 220 520 |
2008年 9月号 | 立体構造トランジスタの消費電力を1/3以下に抑える技術 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2008年6月19日PP.24) 電波新聞 (2008年6月19日PP.1) | FinFET 漏れ電流70%低減 待機電力20%低減 歪みSiチャネル技術 | 220 |
2008年 9月号 | スーパコンピュータ搭載LSIの消費電力半減技術 | 日立 東大 | 日刊工業新聞 (2008年6月20日PP.24) | 電圧を従来の28倍高速の35ns以下で切替え 待機状態のプロセッサの周波数を低く設定 | 220 |
2008年 7月号 | 光LSI配線構造解明 | 阪大 | 日経産業新聞 (2008年4月3日PP.9) | 光LSI 線幅10nm 表面プラズモン | 120 220 |
2008年 7月号 | 次世代大規模集積回路の実現に繋がる歪みSiLSI | 東京インスツルメンツ 群馬大 | 日経産業新聞 (2008年4月3日PP.1) | 近接場ラマン光 線幅32nm以降の次世代LSI 20nmひずみ分布を精密測定 | 120 220 660 |
2008年 7月号 | 板バネ微細振動を利用した省エネ半導体素子 | NTT | 日経産業新聞 (2008年4月15日PP.9) 日刊工業新聞 (2008年4月15日PP.26) | 消費電力1000〜1万分の1 1ビット分の情報処理に成功 長さ250μm 厚さ1.4μm約10nmの幅で振動 | 220 |
2008年 7月号 | CMOSの特性変動を予測するシミュレーションモデルを開発 | Selete | 日刊工業新聞 (2008年4月23日PP.1) | 設計時のマージン不要 LSI性能20%向上 STI工程 | 220 620 |
2008年 7月号 | 鉄系加圧で超電導 | 日大 東工大 | 日経産業新聞 (2008年4月24日PP.11) 日刊工業新聞 (2008年4月24日PP.30) | 4万気圧をかけ-230℃で超電導 転移温度-230.15℃ | 120 220 |
2008年 6月号 | 曲がる有機ELへ新素材 | 東レ | 日本経済新聞 (2008年3月28日PP.17) | 硫黄を含む有機半導体 CNTを混合 電気を通す性質はSi半導体並みに向上 コスト1/10 | 120 220 |
2008年 5月号 | 演算能力20倍の3次元LSI | 東芝 米スタンフォード大 | 日本経済新聞 (2008年2月18日PP.23) | CNT 素子配線 ReRAMを演算回路と積層 | 220 260 |
2008年 5月号 | 新種の高温超電導体 | 東工大 | 日経産業新聞 (2008年2月19日PP.8) 日刊工業新聞 (2008年2月19日PP.22) | LaとO2が作る絶縁層とFeとAsが作る電導性の層を交互に積層させた層状化合物 酸素イオンの一部をフッ素イオンで置き換えると超電導 フッ素濃度11%で約-241℃で電気抵抗ゼロ | 120 160 220 |
2008年 5月号 | 量子暗号通信の中継技術 | 東北大 産総研 | 日経産業新聞 (2008年2月27日PP.12) 日刊工業新聞 (2008年2月27日PP.31) | 量子中継器 光子から電子へ1対1で転写 AlGaAsに井戸幅11nmのGaAsを挟んだ量子井戸構造の素子を作製 電子と光子のもつれ合い解消 | 120 160 220 |
2008年 4月号 | 最速120GHzで動作するダイヤモンド製トランジスタ | NTT 英エレメントシックス | 日経産業新聞 (2008年1月7日PP.9) | 車載用レーダ 多結晶ダイヤモンド基板上 科学的気相成長法 2GHz時の増幅率1万倍 ガリウム・ヒ素に比べて2倍以上の高出力 | 220 |
2008年 3月号 | 回路線幅32nmLSI向け製造プロセス技術 | Selete 日立建機ファインテック | 日経産業新聞 (2007年12月11日PP.1) | 電流漏れを防ぐ技術 電極素材と配線層間材料を新たに開発 ゲート材料にTiN 絶縁膜に窒化ハフニウムシリケート nMOSにMgO pMOSにAlO ポーラスシリカ SiO 比誘電率2.4 | 120 160 220 |
2008年 3月号 | 高速・低消費電力の新トランジスタ | 日立 東大 | 日経産業新聞 (2007年12月14日PP.11) | 絶縁膜厚を10nmにして基板からも電圧制御 漏れ電流1/10 動作速度20%向上 SOI | 160 220 |
2008年 3月号 | 世界初のトレンチ型SiC MOSFETと大電流容量を実現したSiC SBD | ローム | 電波新聞 (2007年12月21日PP.1) | 1cm角で300A 900V耐圧 オン抵抗2mΩcm2 JFET抵抗 SBD逆方向耐圧660V | 160 220 |
2008年 3月号 | 最新の光変調器 | 米IBM | 電波新聞 (2007年12月11日PP.3) | マッハツェンダ光変調器 大きさ1/100〜1/1000 電気信号の代わりに光パルスを使用 シリコンナノフォトニック導波管 | 220 |
2008年 3月号 | 耐圧特性10400Vのパワートランジスタ | 松下電器 | 電波新聞 (2007年12月13日PP.2) | GaNパワートランジスタ サファイア基板への貫通電極構造 孔の直径80μm 深さ250μm 欠陥密度10の8乗cm2 オン抵抗186mΩcm2 | 520 220 |
2008年 2月号 | 量子多体現象 超高速で計算処理 | NII 米スタンフォード大 | 日経産業新聞 (2007年11月22日PP.9) 日刊工業新聞 (2007年11月22日PP.20) | 光と閉じ込める微細構造を相互に連結 厚さ3nm半導体薄膜12層 ボーズアインシュタイン凝縮体を約20個形成 超流動的 | 120 160 220 |
2008年 2月号 | InGaAsで縦型量子ドット作製 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年11月29日PP.13) 日刊工業新聞 (2007年11月29日PP.28) | 3次元のMOSゲート構造 原子層堆積法 均一で高耐圧なゲート絶縁膜を形成 電子スピンの状態を正確に制御 約10倍の効率 | 120 220 |
2008年 1月号 | 線幅100nm以下の超電導回路 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2007年10月2日PP.1) | 光相変化材料Y123 Y Ba Cu O 近接場光 先端50nm径の光ファイバ 30nm径の超電導体ドットを50nm間隔で作成 10K以下で超電導状態 ジョセフソン接合 | 120 160 220 |
2007年12月号 | 折り曲げ可能な縦型有機トランジスタ | 千葉大 | 日刊工業新聞 (2007年9月7日PP.1) | 横型では実現できない低電圧駆動の曲がるディスプレイ 従来比約100倍 ±2Vの低電圧で駆動 ペンタセン薄膜 銅フタロシアニン薄膜 ゲート絶縁膜不要 1000以上オンオフ比 | 250 220 160 |
2007年12月号 | ナノインプリント方式で回路線幅18nmの半導体製造技術 | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2007年9月18日PP.1) | 電子ビームのビームを細くするとともに強度や照射量を調整 石英ガラスのエッチングの条件最適化 面積は1/10程度 露光でなく転写で回路形成 | 160 220 |
2007年12月号 | 次世代CMOS素子 -しきい値電圧の時間変動の仕組み解明- | Selete 筑波大 広島大 早大 | 日刊工業新聞 (2007年9月20日PP.28) | 45nm世代 窒化ハフニウムシリケートの劣化 界面特性 | 120 220 |
2007年12月号 | 第4世代携帯基地局向け高出力増幅器 | 富士通 | 日経産業新聞 (2007年9月21日PP.11) | GaN製高電子移動トランジスタ(HEMT) ゲート電極下層にTa2O5 素子サイズ1mm×4mm 143Wで電波増幅可能 漏れ電流は1/10以下 消費電力3割減 | 220 340 |
2007年12月号 | 従来の約1/10以下の細さの金属微細配線技術 | 東北大 チッソ 日本電子精機 | 日刊工業新聞 (2007年9月26日PP.29) | フレキシブルプリンタブルエレクトロニクスへの応用 数百nmの微細配線 波長488nmのアルゴンレーザ | 220 160 |
2007年11月号 | 強誘電体により光の波長を変える素子 | 物材機構 早大 | 日刊工業新聞 (2007年8月20日PP.18) 日経産業新聞 (2007年8月21日PP.10) | 変換効率1000倍 接着リッジ導波路 波長1.5815μmの光から波長0.79075μmの第二高調波を1%以上の効率で発生 Mgを添加したLiNbO3の強誘電体膜 エキポシ樹脂でSi基板上に接着 | 120 220 260 |
2007年10月号 | 半導体層にCNTを用いたTFT素子 | 東北大 ブラザー工業 阪大 | 日経産業新聞 (2007年7月4日PP.13) | ポリエステル系樹脂製基盤上に金とクロムの合金で3つの電極作成 絶縁膜にポリイミド樹脂 インクジェット技術で積層 | 220 260 120 |
2007年10月号 | ナノ炭素材料で単原子トランジスタを試作 | 青山学院大 名大 産総研 富士通研 | 日経産業新聞 (2007年7月20日PP.9) | ピーポッド 量子ドット SiO2の絶縁膜 金とチタンの合金の電極 CNTの内側に複数のフラーレンを並べて詰めた構造 | 120 220 |
2007年10月号 | 低電圧駆動有機CMOS回路 | 東大 シャープ | 日経産業新聞 (2007年7月31日PP.11) 日刊工業新聞 (2007年7月31日PP.33) | 駆動電圧1〜5V 動作電圧範囲従来の2倍以上 p型にペンタセン n型にフラーレン 絶縁膜にチタンSi酸化膜 上下をSi酸化膜が挟む3層構造 | 120 220 |
2007年 9月号 | 45nm世代以降トランジスタしきい値電圧制御技術 | Selete 物質・材料研究機構 筑波大 早大 阪大 広島大 | 日刊工業新聞 (2007年6月12日PP.24) | 金属電極にAlを10%程度 電圧変動の要因となる絶縁膜中の酸素欠損を解消 窒化ハフニウムシリケート | 220 160 |
2007年 9月号 | CMOSトランジスタのしきい値電圧の仕組み解明 | 産総研 超先端電子技術開発機構 | 日刊工業新聞 (2007年6月12日PP.24) | 高誘電率絶縁膜 Si酸化膜と下部絶縁膜の界面でしきい値に大きくずれ Si酸化膜上の絶縁膜を0.1nm寸法で精度よく制御することが閾値電流を制御する鍵 | 120 220 160 |
2007年 9月号 | 周波数倍率10倍のシステムLSI用クロック発生回路 | 富士通研 | 日経産業新聞 (2007年6月13日PP.9) | クロック周波数範囲40〜400MHz 回路線幅90nm半導体で試作 | 220 |
2007年 8月号 | 超電導A/D変換器 -次世代通信の基地局の中核部品に- | 国際超電導産技研 日立 横浜国大 | 日刊工業新聞 (2007年5月3日PP.1) | アナログ信号の処理に超電導回路を利用 熱雑音を抑える変調器 周波数を4つに分配 18.6GHzでの動作で帯域10MHzのアナログ信号を14ビットのデジタル信号に変換 | 220 240 |
2007年 8月号 | 量子ビット可変式結合回路 | NEC JST 理化学研 | 電波新聞 (2007年5月4日PP.3) 日刊工業新聞 (2007年5月5日PP.10) | 1量子ビットと2量子ビットの操作が同一回路で可能 寿命を犠牲にせず 3演算ステップまで実証 量子コンピュータ 結合制御器 | 120 220 |
2007年 8月号 | オールSiの次世代半導体素子 | 日立 | 日経産業新聞 (2007年5月8日PP.11) | 信号伝達はすべて光 SiO2の絶縁層で挟んだ厚さ9nmのSi薄膜が発光 0.5mm離れたSi受光部 室温動作 | 160 220 |
2007年 8月号 | 単電子トランジスタの基本構造を簡単に作製 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年5月31日PP.13) | 既存の半導体プロセスと酸化処理の組合せ 量子ドット Si酸化膜上にAl電極成膜後露光装置で素子構造を作製 | 160 220 |
2007年 5月号 | C60製トランジスタ | 東大 | 日経産業新聞 (2007年2月2日PP.10) | 分子線エピタキシー法 ペンタセン C60分子を50〜80層 n型で毎秒1V当たり5cm2の移動度 n型p型両方で実現可能 | 220 160 120 |
2007年 5月号 | 半導体チップ間の無線高速通信 | 慶応大 | 日経産業新聞 (2007年2月20日PP.10) | 半導体チップ内に30μm角のコイルを加工 15μm間隔のコイルで1Gbpsの通信 消費エネルギー0.14pJ | 220 240 260 340 |
2007年 4月号 | 単電子トランジスタ試作 | 東大 | 日経産業新聞 (2007年1月19日PP.9) | 大きさ2nmの量子ドット | 220 160 |
2007年 3月号 | 駆動電流が50%超向上する次世代立体型トランジスタ | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年12月15日PP.30) | 雪かき効果 金属シリサイドとチャネル部分のSi界面に不純物原子を高濃度で2〜3nm厚に偏析した層を形成 | 160 220 |
2007年 3月号 | 線幅32nmLSI性能2倍に | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | Si加工面に1%の歪を加えるn型トランジスタ 0.1%で解析 | 160 220 |
2007年 3月号 | 動作速度2割向上した線幅45nmトランジスタ | 富士通 富士通研 | 日経産業新聞 (2006年12月19日PP.11) | 電流低下や電流漏れを抑制 | 160 220 |
2007年 2月号 | 世界最速チップ | 東大 国立天文台 | 東京新聞 (2006年11月7日PP.3) | 1秒間に5120億回(512GFlops)の計算 GRAPE-DRプロジェクト | 220 |
2007年 2月号 | 単層CNT加工技術 | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年11月27日PP.9) 日刊工業新聞 (2006年11月27日PP.23) | スーパーグロース法 シートや針など様々な形の塊状に固める 単層CNTを多様な形状にデザイン 配向高密度化集合体 高純度で超長尺な単層CNTを束ねる | 160 220 260 |
2007年 2月号 | 有機発光型トランジスタ -動画を明るく滑らかに表示- | パイオニア 千葉大 | 日経産業新聞 (2006年11月15日PP.11) | 有機TFTと有機LEDを積み重ねる 最大輝度1000cd/m2 256階調 プラスチックやフィルムを使用した折り曲げ可能なディスプレイに利用 16×16ドットの画素の電圧を制御しきめ細かく輝度を制御 | 250 220 |
2007年 2月号 | ガラス基板に微細バネ構造 | 理研 | 日経産業新聞 (2006年11月16日PP.10) | ガラス基板の表面を水をはじく物質でコーティング 光硬化性樹脂 銀イオン水溶液 屈折率マイナスの光学素子 一辺2μmの立方体の上に微細なバネがのった形状 5μm間隔で800個 | 160 220 240 260 |
2006年12月号 | フルメタルゲートCMOS | 半導体先端テクノロジーズ(Selete) | 電波新聞 (2006年9月13日PP.1) | 回路線幅45nm以降 0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜 デュアルメタルCMOSプロセス 窒化ハフニウムシリケート(HfSiON) | 160 220 |
2006年12月号 | 有機TFT大規模化技術 | 日立 神奈川大 | 日経産業新聞 (2006年9月14日PP.13) | 印刷技術 リソグラフィで材料の位置合わせ ポリカーボネート基板 誤差0.1μm以下 | 250 220 160 |
2006年11月号 | 有機ナノデバイス -整流作用を確認- | 自然科学研究機構 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年8月24日PP.1) | nm径の円筒状単層CNTにポルフィリン分子吸着 自己組織化 Si製の1/10 | 120 160 220 |
2006年 9月号 | 55nm素子形成技術 -SRAMで実用性確認- | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 酸窒化膜上に極薄膜のハフニウムシリケートを載せたゲート絶縁膜 トランジスタのしきい値制御範囲拡大 漏れ電流10%低減 ArF液浸露光装置 | 160 220 |
2006年 9月号 | 電子1個の動き捉える | NTT 東工大 JST | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 半導体二重量子ドット(DQD) 超高感度な単電子電流計 単電子トランジスタ 電流雑音3aA | 120 220 660 |
2006年 9月号 | 縦型構造のGaNトランジスタ | 松下電器 | 電波新聞 (2006年6月28日PP.1) | 微細セルフアライン工程 チャネル幅0.3μm 単位デバイス幅1.2μm In・Alを添加したInAlGaN4元混晶を20nm成長 | 160 220 |
2006年 7月号 | 共鳴トンネルダイオード使用で新回路動作に成功 | 上智大 独デュースブルク・エッセン大 | 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) | 超電導ジョセフソン接合素子(JJ) 室温で200GHz動作可能 4RTD回路 Al・Asの二重障壁層とIn・Ga・As系の積層構造で井戸層からなるRTD 試作サイズ15〜25μm2 論理積(AND)論理和(OR)回路 | 160 120 220 |
2006年 7月号 | 液体でSiTFT | セイコーエプソン JSR | 朝日新聞 (2006年4月6日PP.3) 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.9) | HとSiを含む液体材料 回転塗布またはインクジェットで成膜 厚さ300nmのSi膜パターン シラン化合物 500℃前後で焼成 コスト半分 消費電力1/10程度 | 120 160 220 250 |
2006年 7月号 | ワンセグ受信LSI | メガチップス | 日経産業新聞 (2006年4月14日PP.1) | チャネル検索速度2.5〜3秒 電波が弱いところでも受信するソフト技術 3.9mm角 | 340 220 620 |
2006年 6月号 | CNT素子の新作成法 -電流変動1/1000- | 阪大 産総研 JST | 日刊工業新聞 (2006年3月1日PP.25) 電波新聞 (2006年3月14日PP.6) | CNTトランジスタ 電流の変動0.01% フォトレジストを改善 4μmの電極間に直径1.5nmのCNT CNTをSiN膜で保護 不純物を一切つけない新しいプロセスの開発 | 160 220 |
2006年 6月号 | 量子コンピュータ素子の計算性能を直接測定 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2006年3月20日PP.12) | 素子から出る光の干渉を利用 わずかな距離の差をつけ重ね合せたときの干渉の強さから時間を測定 2個の励起子分子の継続時間5.4psを測定 | 220 320 |
2006年 6月号 | 高解像度CMOSセンサ -光で距離と画像を認識- | シャープ 静大 スズキ | 電波新聞 (2006年3月24日PP.1) 日経産業新聞 (2006年3月24日PP.8) 日刊工業新聞 (2006年3月24日PP.12) | LED光源からの近赤外光が対象物で反射しセンサまでの光の飛行距離と光の速度から距離計算 信号電荷検出機能を集積化 TOF OVGA 距離分解能パルス幅20nm距離1mで1cm 68ピンLCCパッケージ | 210 220 320 |
2006年 6月号 | アモルファスTFTの曲がる電子ペーパ | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2006年3月31日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年3月31日PP.13) | 室温で作製可能 基板にプラスチックを利用し前面板を組合せ すべての層を室温プロセスで作製 2インチ 4800画素 厚さ約320μm | 150 250 120 220 |
2006年 5月号 | LED型量子暗号通信素子 | 東芝欧州研究所 | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.8) | 量子もつれ光子対を任意に発生 高さ6nm直径12nmの量子ドット微細構造 半導体素子 | 120 240 250 220 |
2006年 5月号 | 世界最小のICチップ | 日立 | 日経産業新聞 (2006年2月6日PP.8) | ミューチップ 0.15mm角 7.5μm厚 SOI技術 絶縁層で干渉を防止 素子の高集積化 | 160 220 340 |
2006年 5月号 | 最高速アクセス実現のDDR-VSDRAM回路技術 | エルピーダメモリ | 日刊工業新聞 (2006年2月8日PP.23) | アクセス時間8.13ns 1.5Vで1.67Gbpsの最速転送 メモリーアレイからデータを時分割でバッファ回路に転送 動作余裕を確保するカウンタ回路 最大入力クロック入力800MHz | 220 |
2006年 5月号 | たんぱく質で半導体メモリー | 奈良先端大 松下電器 | 日刊工業新聞 (2006年2月9日PP.27) | 不揮発性半導体メモリー フローティングゲートにフェリチンを利用した直径7nmのCoOナノ粒子 フェリチンの外径13nm | 120 220 230 |
2006年 5月号 | 有機発光トランジスタで8×8のアクティブマトリクスディスプレイパネル | ローム パイオニア 三菱化学 京大 | 電波新聞 (2006年2月21日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年2月21日PP.12) | 有機スイッチングトランジスタ 黄色に発光 発光外部量子効率0.8% 表面改質したSi酸化膜のゲート絶縁膜表面にTPPyにルブレンをドープした共蒸着膜を形成 駆動電圧80V 1000cd/m2 | 160 220 250 |
2006年 4月号 | 地デジ用高効率電力増幅器 -従来の2倍の効率で低コスト- | NHK アールアンドケイ | 電波新聞 (2006年1月11日PP.10) 電波タイムズ (2006年1月16日PP.3) | GaN-HEMT 低歪 CN確保 出力5Wで約9%の電力効率 | 120 220 340 |
2006年 4月号 | 多ビット素子 -光制御の量子計算機に道- | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年1月18日PP.18) | GaAs基板に微細なInAsの量子ドット 数十〜数百ビットの同時処理が可能 | 130 230 220 |
2006年 3月号 | 10nm未満素子集積にめど
-バルク素子のオンオフ電流比を6倍に- | NEC NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2005年12月5日PP.22) | 自己整合的に10nmのソースドレイン拡張領域(SDE)と厚いソースドレイン(S/D)を一度に作り上げるSi選択成長によるせり上げ技術 酸化Siライナー | 160 220 |
2006年 3月号 | 立体構造トランジスタの製造技術
-32nmLSI実現へ- | 東芝 | 日経産業新聞 (2005年12月8日PP.10) | フィンFET ゲート長20nm 不純物によりリーク電流を抑圧 寸法のばらつきをなくし歩留まり向上 基板上に立てたチャネルをゲートが挟み込む構造 | 160 220 230 |
2006年 3月号 | 無線機能を備えた曲がるCPU | 半導体エネ研 TDK | 日経産業新聞 (2005年12月16日PP.1) | 暗号処理機能 ガラス基板上に形成したトランジスタをプラスチック基板上に転写 13.56MHz帯 IC部分は14mm角 通信距離は数mm 厚み0.2mm 1.8V駆動で消費電力4mW | 160 220 260 340 |
2006年 2月号 | 全メディア記録再生チップ | 松下電器 | 日刊工業新聞 (2005年11月18日PP.11) | チップセット BDとDVD信号処理の一体化 | 220 260 |
2006年 2月号 | 曲げられる点字ディスプレイ -厚さ1mmで家電などに装着容易- | 東大 | 日本経済新聞 (2005年11月25日PP.15) 日刊工業新聞 (2005年11月25日PP.37) | 4cm角 一度に点字を24文字分表示 有機半導体 シート型 シート上のイオン導電性高分子が電界で屈曲する性質を利用 約1mm径の点を上下 約1秒で1フレームの表示が可能 | 220 250 120 |
2006年 1月号 | 金型でLSI製造 -線幅40ナノ回路に対応- | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2005年10月19日PP.3) | 従来の1/10の時間で作ることに成功 ナノインプリント 8インチウェハサイズ エッチングやメッキなどの工程を改良 | 160 220 230 |
2006年 1月号 | 高速・省電力・最小を実現したセキュア通信プロセッサ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年10月27日PP.30) | 500Mbps以上の高速処理 620mWの低消費電力 18mm角の組込型64ビットプロセッサ プログラマブルな柔軟性 状態遷移表を書換え可能 リナックス | 220 620 |
2005年12月号 | 新原理のトランジスタ | 東北大 | フジサンケイビジネスアイ (2005年9月8日PP.9) | プラスチック製 ゲート部分の分子を電子化学的に酸化・還元させることで電流抵抗値を変化 1.2Vでオン・オフ比2000倍 ポリチオフェン | 120 220 160 |
2005年11月号 | フラーレン分子ナノスイッチ
-SAMで向きを制御- | 東工大 名大 | 日刊工業新聞 (2005年8月2日PP.25) | Tb原子1個 電気的極性 双極子モーメント STM Au基板上に厚さ約1nmのSAMを堆積 -260℃ 分子スイッチ技術 | 120 160 220 |
2005年11月号 | 全光量子計算で新方式
-量子非破壊測定法を利用- | 国立情報学研 英HP研 | 日刊工業新聞 (2005年8月9日PP.23) | 単一光子方式とレーザパルス方式の組合せ 量子計算システムと光量子通信とのインタフェース 量子ビット間に相関 QND | 120 220 |
2005年11月号 | 高温超電導体臨界電流163A | 住友電工 | 日刊工業新聞 (2005年8月12日PP.1) | -196℃ 100m級のBi系線材 加圧焼成酸素の注入条件を最適化 粉末を均一化 結晶粒の向きを揃える | 120 160 220 |
2005年11月号 | 最高性能45nmトランジスタ
-電極に金属材料- | Selete | 日経産業新聞 (2005年8月12日PP.4) | 電極にタンタルシリサイド 電子移動度値が5割高 | 120 220 |
2005年11月号 | 量子コンピュータ素子をSiで試作
-保持時間2桁長い量子ビット- | 日立 英ケンブリッジ大 | 日刊工業新聞 (2005年8月22日PP.22) 日経産業新聞 (2005年8月22日PP.7) | 縦50nm×横150nm二重結合量子ドット 配線をなくす構造 コヒーレンス時間200ns 酸化膜埋込み基板(SOI) 電界を介したゲートで制御 | 120 220 |
2005年11月号 | 次世代スピントランジスタ | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年8月24日PP.8) | p型(Ga Mn)As半導体をn型ZnSe半導体でサンドイッチした構造 移動の5〜6割は磁石の向きを維持 | 220 |
2005年 9月号 | 線幅32nmLSI向け新技術 -新構造TR・新多層配線技術- | MIRAIプロジェクト | 電波新聞 (2005年6月14日PP.1) 日経産業新聞 (2005年6月14日PP.7) | 高電流駆動力 プロセス損傷抑制可能 歪みSi薄膜 歪みGe薄膜 局所酸化濃縮法 ポーラシリカ低誘電絶縁材料 | 120 160 220 |
2005年 9月号 | UWB用GaN-MMIC -高周波・高耐圧を実現- | 松下電器 | 電波新聞 (2005年6月15日PP.1) | 22GHz帯で最小雑音指数2.6dB 信号増幅率13dB IIP3入力時7.5dB サージ耐圧150V チップサイズ2.6×1.3mm2 | 120 160 220 |
2005年 9月号 | 新概念LSIゲート絶縁膜 -Hf添加で移動度15〜20%向上- | 日立 ルネサステクノロジ | 日刊工業新聞 (2005年6月15日PP.25) | 65nm世代 ゲート絶縁膜とゲート電極界面に短分子膜に満たない微量のHfO2添加 バンド構造 仕事関数を制御 | 120 160 220 |
2005年 9月号 | 携帯向け高歩留まり1.4mm厚の複合電子部品 | 日本IBM 新潟精密 | 日経産業新聞 (2005年6月24日PP.1) | パッケージ・オン・パッケージ(PoP)技術 動作試験可能な基板を積層 電池スペース確保可能 | 260 220 |
2005年 8月号 | n型ダイヤモンド半導体 (001)面に初合成 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2005年5月10日PP.25) | 紫外線発光でpn接合確認 マイクロ波プラズマCVDでリンを添加して合成 | 160 220 |
2005年 7月号 | 世界最速のGaNトランジスタ | 情通機構 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年4月8日PP.29) | ミリ波周波数帯で動作 電流利得遮断周波数152GHz | 220 160 |
2005年 6月号 | 10倍速のMPU | 日本ユニサンティスエレクトロニクス | 日本経済新聞 (2005年3月9日PP.11) | 回路の微細化 SGT 円柱Si基板の外側に回路 | 160 220 |
2005年 6月号 | 世界最高速GaNトランジスタ | 情通機構 | 日経産業新聞 (2005年3月29日PP.9) | 最高動作周波数152GHz ゲート長60nm ミリ波 | 220 160 |
2005年 6月号 | 電子移動速い新型TFTパネル量産 | 日立ディスプレイズ | 日経産業新聞 (2005年3月31日PP.7) | 電子移動が低温poly-Siパネルの2〜3倍 SELAX(擬似単結晶Si) 2.4インチ | 220 250 160 |
2005年 5月号 | a-SiTFT製造技術 | 北陸先端大 | 日経産業新聞 (2005年2月8日PP.9) | 動作電圧変動1/6 有機EL用 触媒CVD タングステン触媒 シランガス・水素ガス | 160 220 250 |
2005年 5月号 | 消費電力40mWのASIC用AD変換器 -回路融合で実現- 14と一つに | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年2月8日PP.33) | パイプライン型ADC 分解能10bit サンプリングレート125MHz サンプル保持回路とMDAC回路を融合 0.18μmCMOSプロセス 電源電圧1.8V | 220 |
2005年 5月号 | 薄くて曲がるフィルム状MPU | セイコーエプソン | 日本経済新聞 (2005年2月9日PP.1) 日経産業新聞 (2005年2月10日PP.7) | 8ビットMPU 厚さ0.2mm 低温Poly-SiTFT ガラス基盤上に作ってからフィルムに転写 | 160 220 |
2005年 5月号 | 次世代MPU「セル」の技術概要をISSCCで発表 | ソニー 東芝 米IBM | 日経産業新聞 (2005年2月9日PP.2) 日本経済新聞 (2005年2月9日PP.11) | マルチコア構造 処理能力10倍 9個のマルチコア | 220 260 |
2005年 5月号 | RF-IDタグ -2次電池搭載可能に- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2005年2月10日PP.1) | 高感度整流器 10m離れた微弱電波で1.5V2次電池へ充電 | 440 220 250 |
2005年 5月号 | 溶けやすいTFT有機材料 -製造コスト1/20に- | 旭化成 | 日経産業新聞 (2005年2月24日PP.1) | ペンタセンが溶ける 低分子有機材料 | 160 220 250 |
2005年 4月号 | 省エネ・高速ナノスイッチ -消費電力半導体の1/100万- | 物材機構 科学技術振興機構 理研 | 朝日新聞 (2005年1月6日PP.2) 日経産業新聞 (2005年1月6日PP.7) 日刊工業新聞 (2005年1月6日PP.25) | 原子スイッチ 消費電力を1nW Ag突起の伸び縮み Ag2(下付)S電極とPt電極を1nm間隔 固体電解質の特性利用 金属原子の動き1個単位で精密制御 | 120 160 220 |
2005年 4月号 | 薄くて曲げられる有機ELディスプレイ -フレキシブル透明基板と有機発光TRを開発- | 京大 パイオニア 三菱化学 ローム | 日本経済新聞 (2005年1月25日) 電波新聞 (2005年1月26日PP.1) | 名刺サイズ 厚さ0.2mm 生物が作り出した特殊な繊維 直径100nmのバイオナノファイバコンポジット 発光外部量子効率0.8% 輝度300cd/m2(上付) | 120 160 220 250 |
2005年 4月号 | システムLSIの消費電力4割低減 | 東芝 | 日経産業新聞 (2005年1月27日PP.7) | 部分fV(周波数・電圧)制御 | 220 |
2005年 3月号 | 携帯電話向けトランジスタ -消費電力1/10に- | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2004年12月14日PP.9) | データ処理速度2割向上 65nm半導体向け 絶縁膜厚さ10nm | 220 |
2005年 3月号 | SiCを用いた低抵抗パワーMOSFET | 三菱電機 | 電波新聞 (2004年12月17日PP.2) | 耐圧1.2kV 電流1Aでオン抵抗率12.9mΩcm2 チャンネルエピタキシャル成長層形成技術 単位セル25×25μm チャネル長2μm | 160 220 |
2005年 3月号 | 次世代LSIの電流漏れカット | 東芝 | 日経産業新聞 (2004年12月17日PP.7) 日刊工業新聞 (2004年12月17日PP.33) | ニッケルシリサイド層の形成前にSiにFを含ませNiの拡散を抑える 45nm半導体向け | 220 160 |
2005年 2月号 | 透明で曲がるトランジスタ | 科技機構 東工大 | 読売新聞 (2004年11月25日PP.3) 朝日新聞 (2004年11月25日PP.3) 日経産業新聞 (2004年11月25日PP.8) | プラスチックのフィルム InGaZnアモルファス酸化物半導体 | 220 260 |
2005年 1月号 | 強度6倍の絶縁膜 | 三菱 | 日経産業新聞 (2004年10月14日PP.7) | 回路線幅65nm 層間絶縁膜 ボラジン CVD 65nm半導体向け 誘電率2.3 | 120 220 |
2005年 1月号 | 高圧縮JPEG2000のノイズ解消 | メガチップス 京大 | 日刊工業新聞 (2004年10月27日PP.12) | タイルノイズを解消 最大6400万画素対応 処理精度12ビット 1/40圧縮でも劣化が少ない 区切らずに処理するアルゴリズム | 520 220 |
2004年12月号 | 量子素子と伝送路接合 | NEC NTT 蘭デルフト大 | 日経産業新聞 (2004年9月9日PP.7) | 量子コンピュータ 超電導量子干渉素子SQUIDと量子ビット素子 | 220 |
2004年12月号 | 新量子暗号通信技術 -半導体から光子の対を発生- | 東北大 阪大 | 日経産業新聞 (2004年9月9日PP.7) 朝日新聞 (2004年9月9日PP.3) | CuAlの結晶に390nmの紫外線レーザ 量子もつれ 光子対 | 220 240 250 120 |
2004年11月号 | 世界最速の浮動小数点演算用LSI | 理化学研 日立 | 日刊工業新聞 (2004年8月23日PP.21) | 浮動小数点演算230GFLOPS ブロードキャストメモリーアーキテクチャ MDGRAPE-3チップ 分子動力学計算 | 220 |
2004年11月号 | 絶縁層薄膜の印刷技術 -印刷でICカード・タグを作製可能- | 産総研 日立 | 朝日新聞 (2004年8月31日PP.2) | Siの酸化物をプラスチックに100℃以下で印刷 | 220 160 |
2004年10月号 | 有機ELディスプレイ用新駆動回路 -有機材料使用のスイッチング素子- | 富士電機アドバンストテクノロジー | 日刊工業新聞 (2004年7月8日PP.1) | ビスキノメタン系有機材料 双安定性 オンからオフへの切替え電圧20V 有機材料膜を金属電極ではさむ単純構造 非晶質 | 220 250 |
2004年 9月号 | 光通信用IC -最高速の144Gbps実現- | 富士通研 | 日経産業新聞 (2004年6月8日PP.8) 日刊工業新聞 (2004年6月8日PP.29) | InP系HEMT セレクタ回路 MUX WDM Y型HEMTゲート電極構造 | 240 220 |
2004年 9月号 | ステレオビジョンVLSIプロセッサ -3次元画像0.1秒で取得- | 東北大 | 日刊工業新聞 (2004年6月16日PP.25) | 3次元画像 ステレオビジョン VSIプロセッサ 約500倍の高速化 マッチング領域サイズ | 220 520 |
2004年 9月号 | 65nm半導体絶縁膜技術 | 富士通 | 日経産業新聞 (2004年6月17日PP.7) | 絶縁膜のひずみを利用 成膜の温度や時間を細かく制御 導電率15%改善 | 160 220 |
2004年 9月号 | 65nm次世代半導体 -配線強化で歩留まり2倍に向上- | 東芝 ソニー | 日経産業新聞 (2004年6月24日PP.9) | 配線の剥落を防ぐ技術 高密度配線 層間絶縁膜 電子ビームで配線材料強度高める | 160 220 260 |
2004年 9月号 | 電子・正孔の移動度を厳密計算 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2004年6月21日PP.21) | 正孔のエネルギー形状の異方性を考慮したアルゴリズムを明確化 高性能CMOS モンテカルロ法 | 120 220 |
2004年 8月号 | 有機EL画素回路簡略に | 日立 | 日経産業新聞 (2004年5月28日PP.1) | 1画素あたり3個のトランジスタ 2.5インチ 680×220ドット デルタ方式の配置 26万色 | 220 250 |
2004年 7月号 | 有機トランジスタ 6と合わせて一記事に | 東北大 北陸先端大 岩手大 | 日経産業新聞 (2004年4月5日PP.7) 朝日新聞 (2004年4月5日PP.18) | 自己組織化 半導体と基板の間の膜で電子を制御 電圧制御 ペンタセン アルキシラン フラーレン チャンネル幅50μm | 220 120 |
2004年 7月号 | プラスチックフィルム基板上にTFT -自在に曲がるCPU- 5と合わせて一記事に | 半導体エネルギー研 | 日刊工業新聞 (2004年4月8日PP.1) | 低温p-SiTFTでCPU形成 8ビットCPU 素子数3万程度 動作周波数25MHz/5V・13MHz/3.3V | 220 260 160 |
2004年 7月号 | HDTVの4倍の高精細画像を処理 | NTT | 日経産業新聞 (2004年4月13日PP.7) 日刊工業新聞 (2004年4月13日PP.29) | VASAチップ 縦2160×横3840画素 1チップ | 420 220 |
2004年 6月号 | 単電子トランジスタ試作 図を使用(日経産業) | 東大生研 | 日経産業新聞 (2004年3月25日PP.9) 日刊工業新聞 (2004年3月10日PP.25) 日経産業新聞 (2004年3月10日PP.9) | 2nmの量子ドット 室温でTrとして機能 1素子2ビット記録 | 160 220 |
2004年 6月号 | 超広帯域量子ドット光増幅器 -帯域120nmで高出力- | 東大 富士通 | 日刊工業新聞 (2004年3月25日PP.37) | 出力200mW QDSOA 増幅媒体に30nm径InAs 光帯域1.26〜1.61μm | 220 250 |
2004年 5月号 | 世界最速Si光素子 -データを光線に変換- | 米インテル | 電波新聞 (2004年2月14日PP.2) | 位相シフト 1GHz以上でオンオフ | 220 250 |
2004年 5月号 | 超電導を利用したMPU | 横浜国大 名大 | 日刊工業新聞 (2004年2月17日PP.27) 日経産業新聞 (2004年2月20日PP.8) | 単一磁束量子回路で高速計算 演算速度15.2GHz 消費電力1.6mW | 220 |
2004年 5月号 | 化学反応でLSI配線切り換え -ナノブリッジ- | NEC 物質・材料研究機構 科学技術研究機構 | 日刊工業新聞 (2004年2月17日PP.27) 日経産業新聞 (2004年2月17日PP.8) | プログラマブルロジックの配線切り換え 固体電解中の金属原子の移動を利用 書き換え可能なセルベースIC | 120 220 |
2004年 5月号 | 消費電力1Wの光送受信IC | 富士通研 | 電波新聞 (2004年2月18日PP.2) 日経産業新聞 (2004年2月18日PP.8) | 40Gbps以上の動作 マルチフェーズクロック技術 InP-HEMT 4対1マルチプレクサ | 220 |
2004年 4月号 | 光スイッチのワンチップ化 -微細加工で1/10サイズに- | NTT | 日経産業新聞 (2004年1月15日PP.7) | 3cm角で厚さ5mm 直径600μm鏡100個を配置 光ルータ 光スイッチ・LSI一体化 | 240 260 220 |
2004年 4月号 | 光ファイバ専用の暗号LSI -高速通信データの機密保持- | 富士通 | 日経産業新聞 (2004年1月29日) | IPsec高速処理エンジン CPUと暗号LSIの接続方式を変更 100Mbps対応 | 220 520 |
2004年 3月号 | 線幅45nm対応の絶縁膜 -次々世代半導体向け- | NEDO 富士通 東芝など24社 | 電波新聞 (2003年12月8日PP.1) 日経産業新聞 (2003年12月8日PP.9) | 半導体MIRAIプロジェクト 多孔質無機Low-kの改良 弾性率8GPa プラズマ共重合 TMCTSガス処理 | 160 220 |
2004年 3月号 | ダブルゲートMOSFET -4端子駆動を実現- | 産総研 | 日刊工業新聞 (2003年12月10日PP.25) | 2つのゲートを分離独立 結晶面異方性ウエットエッチング 微細CMP技術 | 220 |
2004年 3月号 | Si層0.7nmトランジスタの動作確認 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2003年12月12日PP.1) | 5原子層 NEDO Si単結晶薄膜厚さ0.7nm SOI 試作素子のゲート長は2〜3μm 実現可能なゲート長は1.5〜3nmと予想 | 160 220 |
2004年 3月号 | 歪みSiで微細トランジスタ高速化 | 東芝 | 日経産業新聞 (2003年12月16日PP.9) | ゲート電極に歪みSi 加工寸法45nmトランジスタ 11%高速化 | 160 220 |
2004年 3月号 | 35nmCMOS接合技術 | Selete | 日刊工業新聞 (2003年12月19日PP.27) | SPE FLA p型MOS駆動電流2倍 300mmウェハ上に101段のリング発信器回路 | 160 220 |
2004年 2月号 | フィルムに印刷する薄膜トランジスタ | 凸版印刷 | 日本経済新聞 (2003年11月1日PP.1) | 液晶ディスプレイ用TFT 厚さ50μm 折り曲げ可能 印刷手法のみで形成 | 220 260 250 |
2004年 2月号 | 高温超電導薄膜作製技術 -無線通信電波振り分け- | NTT物性科学基礎研 | 日経産業新聞 (2003年11月5日PP.10) | 薄膜材料の組成を厳密に制御 Nd | Ba Cuの酸化物 -178℃超電導フィルタ 160 220 |
2004年 2月号 | 新蓄電素子 -瞬時に高出力- | 旭化成エレクトロニクス KRI | 日経産業新聞 (2003年11月27日PP.1) | エネルギー容量はキャパシタの3倍 | 220 |
2004年 1月号 | 量子演算回路の原型完成 -基本素子を2個結合- | NEC 理化学研 | 電波新聞 (2003年10月30日PP.3) 日刊工業新聞 (2003年10月30日PP.29) 日経産業新聞 (2003年10月30日PP.8) | CNOT回路(制御付き否定回路)を動作結合時間200ps(0.02K) | 120 220 |
2003年12月号 | 光電子IC -超高速光信号を処理- | NTT | 日経産業新聞 (2003年9月8日PP.9) | 電子回路と光回路を一体化 時分割多重方式の通信網 | 220 240 |
2003年12月号 | 有機トランジスタ新製法 -自己組織化を利用- | 日立 産総研 光技術振興協会 | 日刊工業新聞 (2003年9月11日PP.5) | ナノ材料の自己組織化 位置合わせ不要 電極間隔3μm シートディスプレイ用 | 120 160 220 |
2003年12月号 | 超高速トランジスタ -カーボンナノチューブ活用- | NEC | 日本経済新聞 (2003年9月19日PP.11) | Siの10倍以上高速に動作 CNTの半導体の性質を利用 | 220 120 |
2003年12月号 | 世界最小の光信号受信機 -パソコン光配線に道- | NEC | 日経産業新聞 (2003年9月24日PP.1) | 現在の4倍の40Gbpsを0/E変換 大きさ1/10で0.3cm3(上付) 光1Wを0.7Aの電流に変換 光1Wあたり88Vの電圧に変換 | 220 240 |
2003年11月号 | 量子コンピュータ用基本素子 -半導体微細加工技術を使用- | NTT 科学技術事業団 | 日経産業新聞 (2003年8月12日PP.5) | 半導体の表面に3本の長い電極とその間に短い電極を並列に置いた | 160 220 |
2003年11月号 | ダイヤモンドを使ったトランジスタ -世界最高の周波数特性- | NTT 独ウルム大 | 日刊工業新聞 (2003年8月21日PP.5) 日経産業新聞 (2003年8月21日PP.7) 電波タイムズ (2003年8月25日PP.1) | 最高動作周波数81GHz 高純度低欠陥結晶 出力0.3W ミリ波増幅 | 120 160 220 |
2003年10月号 | 電力変換素子 -発熱1/10 効率3%高く- | 日立 | 日経産業新聞 (2003年7月22日PP.8) | 電力変換素子 シリコンカーバイド製 変換率93%に向上 | 220 |
2003年10月号 | MgB2超電導体 -27.5Kの高温で磁場1テスラ- | 芝浦工大 ソウル大 | 日刊工業新聞 (2003年7月28日PP.1) | SPS法でMgB2を生成 30mmφ・高さ6mm スパークプラズマ焼結法 高温超伝導 | 220 |
2003年 9月号 | リーク電流1/1000のトランジスタ | 東芝 | 日経産業新聞 (2003年6月11日) | 線幅65nm 窒化ハフニウムシリケート | 220 |
2003年 9月号 | 進化ソフトクロックをGAで最適調整 -LSI消費電力を半減- | 産総研 | 日刊工業新聞 (2003年6月12日PP.5) 日本工業新聞 (2003年6月12日PP.2) 日経産業新聞 (2003年6月13日PP.9) | クロック周波数を25%向上 プログラマブル遅延素子 チップ毎に微調整 遺伝的アルゴリズム タイミング調整約1秒 | 220 620 520 |
2003年 9月号 | 超電導物質のメモリー素子 | 横国大 名大 超伝導工学研 通信総研 | 日経産業新聞 (2003年6月12日PP.7) | 半導体素子の10倍の速度 応答時間2〜3ps 単一磁束量子回路 | 220 230 |
2003年 9月号 | サブ100nm世代トランジスタ -高速で漏れ電流2ケタ減- | NEC | 日刊工業新聞 (2003年6月12日PP.5) | サブ1nm世代トランジスタ モバイル機器向けSOC ハフニウムシリケート | 220 |
2003年 9月号 | 新トライゲートトランジスタ -チャンネル部を立体化- | 米インテル | 日経産業新聞 (2003年6月13日PP.9) | ゲート長が30nm 20GHz級のMPUに適用 | 160 220 |
2003年 9月号 | 映像解像度を2倍にするICを開発 | 新潟精密 筑波大 豊田自動織機 | 日経産業新聞 (2003年6月26日) | 周波数特性6MHzから13.5MHz程度まで改善 フルーエンシ理論 脳神経のインパルス応答をまねた関数 水平解像度 | 520 220 |
2003年 8月号 | CNTを用いた固体発光素子 | 米IBM | 日刊工業新聞 (2003年5月5日PP.4) | 3端子素子 1.5μm帯の赤外線 ノンドープ単層CNT FET型 | 220 250 120 |
2003年 7月号 | 量子コンピュータ向け新素子 -電気的雑音に強い- | NEC デルフト工科大 | 日経産業新聞 (2003年4月11日PP.10) | 電磁石の電流の向きで情報を記録 情報の二重記録と電磁波により比率の制御 | 120 220 230 |
2003年 7月号 | 次世代トランジスタ -IC消費電力1/10 漏電抑える- | Selete 早大 物材機構 他 | 日経産業新聞 (2003年4月11日PP.1) | MOSFETの絶縁膜改良 HfOを使う技術 次世代トランジスタ 消費電力1/10 | 160 220 |
2003年 7月号 | HDTV伝送瞬時に暗号処理 | 通信総研 | 電波新聞 (2003年4月16日PP.2) 日本経済新聞 (2003年4月17日PP.11) | カオス理論 半導体チップ 伝送速度14.85Gbps ハイビジョン リアルタイム暗号化 | 220 520 540 440 |
2007年 3月号 | 駆動電流が50%超向上する次世代立体型トランジスタ | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年12月15日PP.30) | 雪かき効果 金属シリサイドとチャネル部分のSi界面に不純物原子を高濃度で2〜3nm厚に偏析した層を形成 | 160 220 |
2007年 3月号 | 線幅32nmLSI性能2倍に | 東芝 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | Si加工面に1%の歪を加えるn型トランジスタ 0.1%で解析 | 160 220 |
2007年 3月号 | 動作速度2割向上した線幅45nmトランジスタ | 富士通 富士通研 | 日経産業新聞 (2006年12月19日PP.11) | 電流低下や電流漏れを抑制 | 160 220 |
2007年 2月号 | 世界最速チップ | 東大 国立天文台 | 東京新聞 (2006年11月7日PP.3) | 1秒間に5120億回(512GFlops)の計算 GRAPE-DRプロジェクト | 220 |
2007年 2月号 | 単層CNT加工技術 | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年11月27日PP.9) 日刊工業新聞 (2006年11月27日PP.23) | スーパーグロース法 シートや針など様々な形の塊状に固める 単層CNTを多様な形状にデザイン 配向高密度化集合体 高純度で超長尺な単層CNTを束ねる | 160 220 260 |
2007年 2月号 | 有機発光型トランジスタ -動画を明るく滑らかに表示- | パイオニア 千葉大 | 日経産業新聞 (2006年11月15日PP.11) | 有機TFTと有機LEDを積み重ねる 最大輝度1000cd/m2 256階調 プラスチックやフィルムを使用した折り曲げ可能なディスプレイに利用 16×16ドットの画素の電圧を制御しきめ細かく輝度を制御 | 250 220 |
2007年 2月号 | ガラス基板に微細バネ構造 | 理研 | 日経産業新聞 (2006年11月16日PP.10) | ガラス基板の表面を水をはじく物質でコーティング 光硬化性樹脂 銀イオン水溶液 屈折率マイナスの光学素子 一辺2μmの立方体の上に微細なバネがのった形状 5μm間隔で800個 | 160 220 240 260 |
2006年12月号 | フルメタルゲートCMOS | 半導体先端テクノロジーズ(Selete) | 電波新聞 (2006年9月13日PP.1) | 回路線幅45nm以降 0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜 デュアルメタルCMOSプロセス 窒化ハフニウムシリケート(HfSiON) | 160 220 |
2006年12月号 | 有機TFT大規模化技術 | 日立 神奈川大 | 日経産業新聞 (2006年9月14日PP.13) | 印刷技術 リソグラフィで材料の位置合わせ ポリカーボネート基板 誤差0.1μm以下 | 250 220 160 |
2006年11月号 | 有機ナノデバイス -整流作用を確認- | 自然科学研究機構 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年8月24日PP.1) | nm径の円筒状単層CNTにポルフィリン分子吸着 自己組織化 Si製の1/10 | 120 160 220 |
2006年 9月号 | 55nm素子形成技術 -SRAMで実用性確認- | NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 酸窒化膜上に極薄膜のハフニウムシリケートを載せたゲート絶縁膜 トランジスタのしきい値制御範囲拡大 漏れ電流10%低減 ArF液浸露光装置 | 160 220 |
2006年 9月号 | 電子1個の動き捉える | NTT 東工大 JST | 日刊工業新聞 (2006年6月16日PP.29) | 半導体二重量子ドット(DQD) 超高感度な単電子電流計 単電子トランジスタ 電流雑音3aA | 120 220 660 |
2006年 9月号 | 縦型構造のGaNトランジスタ | 松下電器 | 電波新聞 (2006年6月28日PP.1) | 微細セルフアライン工程 チャネル幅0.3μm 単位デバイス幅1.2μm In・Alを添加したInAlGaN4元混晶を20nm成長 | 160 220 |
2006年 7月号 | 共鳴トンネルダイオード使用で新回路動作に成功 | 上智大 独デュースブルク・エッセン大 | 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) | 超電導ジョセフソン接合素子(JJ) 室温で200GHz動作可能 4RTD回路 Al・Asの二重障壁層とIn・Ga・As系の積層構造で井戸層からなるRTD 試作サイズ15〜25μm2 論理積(AND)論理和(OR)回路 | 160 120 220 |
2006年 7月号 | 液体でSiTFT | セイコーエプソン JSR | 朝日新聞 (2006年4月6日PP.3) 日刊工業新聞 (2006年4月6日PP.24) 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.9) | HとSiを含む液体材料 回転塗布またはインクジェットで成膜 厚さ300nmのSi膜パターン シラン化合物 500℃前後で焼成 コスト半分 消費電力1/10程度 | 120 160 220 250 |
2006年 7月号 | ワンセグ受信LSI | メガチップス | 日経産業新聞 (2006年4月14日PP.1) | チャネル検索速度2.5〜3秒 電波が弱いところでも受信するソフト技術 3.9mm角 | 340 220 620 |
2006年 6月号 | CNT素子の新作成法 -電流変動1/1000- | 阪大 産総研 JST | 日刊工業新聞 (2006年3月1日PP.25) 電波新聞 (2006年3月14日PP.6) | CNTトランジスタ 電流の変動0.01% フォトレジストを改善 4μmの電極間に直径1.5nmのCNT CNTをSiN膜で保護 不純物を一切つけない新しいプロセスの開発 | 160 220 |
2006年 6月号 | 量子コンピュータ素子の計算性能を直接測定 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2006年3月20日PP.12) | 素子から出る光の干渉を利用 わずかな距離の差をつけ重ね合せたときの干渉の強さから時間を測定 2個の励起子分子の継続時間5.4psを測定 | 220 320 |
2006年 6月号 | 高解像度CMOSセンサ -光で距離と画像を認識- | シャープ 静大 スズキ | 電波新聞 (2006年3月24日PP.1) 日経産業新聞 (2006年3月24日PP.8) 日刊工業新聞 (2006年3月24日PP.12) | LED光源からの近赤外光が対象物で反射しセンサまでの光の飛行距離と光の速度から距離計算 信号電荷検出機能を集積化 TOF OVGA 距離分解能パルス幅20nm距離1mで1cm 68ピンLCCパッケージ | 210 220 320 |
2006年 6月号 | アモルファスTFTの曲がる電子ペーパ | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2006年3月31日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年3月31日PP.13) | 室温で作製可能 基板にプラスチックを利用し前面板を組合せ すべての層を室温プロセスで作製 2インチ 4800画素 厚さ約320μm | 150 250 120 220 |
2006年 5月号 | LED型量子暗号通信素子 | 東芝欧州研究所 | 日経産業新聞 (2006年2月3日PP.8) | 量子もつれ光子対を任意に発生 高さ6nm直径12nmの量子ドット微細構造 半導体素子 | 120 240 250 220 |
2006年 5月号 | 世界最小のICチップ | 日立 | 日経産業新聞 (2006年2月6日PP.8) | ミューチップ 0.15mm角 7.5μm厚 SOI技術 絶縁層で干渉を防止 素子の高集積化 | 160 220 340 |
2006年 5月号 | 最高速アクセス実現のDDR-VSDRAM回路技術 | エルピーダメモリ | 日刊工業新聞 (2006年2月8日PP.23) | アクセス時間8.13ns 1.5Vで1.67Gbpsの最速転送 メモリーアレイからデータを時分割でバッファ回路に転送 動作余裕を確保するカウンタ回路 最大入力クロック入力800MHz | 220 |
2006年 5月号 | たんぱく質で半導体メモリー | 奈良先端大 松下電器 | 日刊工業新聞 (2006年2月9日PP.27) | 不揮発性半導体メモリー フローティングゲートにフェリチンを利用した直径7nmのCoOナノ粒子 フェリチンの外径13nm | 120 220 230 |
2006年 5月号 | 有機発光トランジスタで8×8のアクティブマトリクスディスプレイパネル | ローム パイオニア 三菱化学 京大 | 電波新聞 (2006年2月21日PP.1) 日刊工業新聞 (2006年2月21日PP.12) | 有機スイッチングトランジスタ 黄色に発光 発光外部量子効率0.8% 表面改質したSi酸化膜のゲート絶縁膜表面にTPPyにルブレンをドープした共蒸着膜を形成 駆動電圧80V 1000cd/m2 | 160 220 250 |
2006年 4月号 | 地デジ用高効率電力増幅器 -従来の2倍の効率で低コスト- | NHK アールアンドケイ | 電波新聞 (2006年1月11日PP.10) 電波タイムズ (2006年1月16日PP.3) | GaN-HEMT 低歪 CN確保 出力5Wで約9%の電力効率 | 120 220 340 |
2006年 4月号 | 多ビット素子 -光制御の量子計算機に道- | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年1月18日PP.18) | GaAs基板に微細なInAsの量子ドット 数十〜数百ビットの同時処理が可能 | 130 230 220 |
2003年 6月号 | 人工知能LSI | 大阪府立大 | 日刊工業新聞 (2003年3月14日PP.4) | アリの行動様式に着目 | 520 220 |
2003年 5月号 | LSI微細化に伴う低消費電力化技術 | 日立 | 日刊工業新聞 (2003年2月12日PP.3) | 2電源方式回路技術と低消費電力回路技術 ウェル共有型素子 動作条件を最適化して低消費電力化 | 220 320 |
2003年 5月号 | 2GHz帯1チップ受信IC | 東芝 | 日刊工業新聞 (2003年2月13日PP.4) | DCオフセット変動60mV以下 SiGeBiCMOS技術 第3世代携帯に対応 | 220 240 |
2003年 5月号 | 量子コンピュータ -基礎回路を開発- | 理化学研 NEC | 日刊工業新聞 (2003年2月20日PP.4) 日本経済新聞 (2003年2月20日PP.1) 日本経済新聞 (2003年2月20日PP.13) | 固体2量子ビット Alを幅1μm程に加工した素子を2つ並べた 4種類のデータが同時に記録 半導体技術 | 120 210 220 |
2003年 5月号 | バッテリーレスの無線送受信装置 -0.5Vで動くLSI- -微小エネで無線送受信- | NEDO | 日刊工業新聞 (2003年2月21日PP.5) 日経産業新聞 (2003年2月25日PP.12) | 0.5-1Vで動作 体温差・照明光を利用 FD-SOI 送信側1mW 受信表示全体40mW | 440 220 |
2003年 4月号 | GaN系高周波トランジスタ | 松下電器 | 電波新聞 (2003年1月20日PP.1) | 受信用低雑音アンプ向け サージ保護回路不要 HFET 雑音指数0.5db | 220 |
2003年 4月号 | トランジスタ製造技術 -線幅65nm技術確立- | 半導体先端テクノロジーズ | 日経産業新聞 (2003年1月21日PP.8) | 高誘電率絶縁膜 ハイK 25%のHfO2含有ON2O3 | 120 220 |
2003年 3月号 | DRAM混載システムLSI -65nm世代プロセス- | 東芝 ソニー | 日刊工業新聞 (2002年12月4日PP.8) 電波新聞 (2002年12月4日PP.1) | SoC向け スイッチング速度0.72ps(NMOS) 1.41ps(PMOS) 0.6μm;2のメモリーセル | 220 230 160 |
2003年 3月号 | 暗号処理回路小型化技術 -1/10000に小型化- | 東芝 | 日経産業新聞 (2002年12月6日PP.9) | 表面を薬品処理 1μm角 1.5nW nmレベルの凹凸 | 160 220 |
2003年 3月号 | 新チャネル構造 -ゲート長30nm以下でトランジスタ動作- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年12月10日PP.4) | オン電流960μA/1μm 65nmプロセスシステムLSI用 プラズマ窒化したゲート酸化膜 スイッチング速度0.72ps(NMOS) 1.41ps(PMOS) | 160 220 |
2003年 3月号 | SiMOSトランジスタ -ゲート長6nmと最小- | 米IBM | 日刊工業新聞 (2002年12月11日PP.4) | SOI上のSi膜厚4nm ハロー・インプラント技術 | 160 220 |
2003年 3月号 | 電力増幅能力3倍のトランジスタ -携帯基地局向け- | NEC | 日経産業新聞 (2002年12月17日PP.10) | AlNとGaNの化合物にGaNを組み合わせる 長さ0.25μmのゲート 30GHzで2.3Wの出力電力 | 220 |
2003年 3月号 | ダイヤモンド半導体開発へ | 東芝 神戸製鋼 住友電工 | 日本経済新聞 (2002年12月26日PP.11) | 基板に人口ダイヤモンド 20倍の動作速度 摂氏1000度でも性能を維持 | 120 220 |
2003年 3月号 | ICタグ用最小チップ -アンテナ機能付き- | 凸版印刷 | 日本経済新聞 (2002年12月27日PP.11) | 1mm四方の大きさで読取り機能を備えたアンテナ付き製品 2.45GHzと915MHzにも対応 | 220 340 |
2003年 2月号 | トップゲート型FET -単層CNTで試作- | NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2002年11月8日PP.5) 日経産業新聞 (2002年11月8日PP.7) | レーザ蒸着法で合成 単相CNTの上にTi層 酸化チタンゲート絶縁膜 相互コンダクタンスが320ns | 160 220 |
2003年 2月号 | カーボンナノチューブでFET試作 | NEC | 日刊工業新聞 (2002年11月8日PP.5) | CNT | 220 |
2003年 2月号 | 量子カスケード半導体レーザの発振に成功 | 東北大 | 日本工業新聞 (2002年11月15日PP.2) | 遠赤外領域 ナノ構造 InAs AlSb 厚さ4〜7nm×20層の超格子×40周期 発光波長9.94μm | 250 220 |
2003年 2月号 | Si製半導体 -「2世代先」実現にメド- | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年11月29日PP.17) | ゲート電極幅14nmのトランジスタ 基板正負電極間の絶縁膜最適化 ゲート電極材料の改良 | 220 160 |
2003年 1月号 | 高速MOS素子中の漏れ電流1/10000に低減 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年10月2日PP.5) | 高速MOS素子 接合漏れ電流 ヒ素イオン 携帯端末用LSI | 220 160 |
2003年 1月号 | HDTVの圧縮・伸張処理1チップ化に成功 -伝送装置を大幅小型化- | NTTコム NHK | 電波新聞 (2002年10月16日PP.3) 日刊工業新聞 (2002年10月16日PP.7) | HDTV・CODEC・LSIを世界で初めて開発 0.13μmCMOS技術 ハガキ大の基板サイズ 180×120mm | 220 320 420 520 |
2003年 1月号 | 超小型演算処理装置(MPU) -斜め配線で高速化- | 東芝 | 日経産業新聞 (2002年10月22日PP.1) | 処理速度20%向上 エックス・アーキテクチャ | 220 620 |
2003年 1月号 | 超薄型パソコン可能に -液晶ガラス基板上にCPU- 一行紹介 | シャープ | 日本経済新聞 (2002年10月23日PP.13) 日刊工業新聞 (2002年10月23日PP.9) 日経産業新聞 (2002年10月23日PP.5) | 8bitCPU「Z80」 線幅3μmルール | 160 220 250 |
2003年 1月号 | 世界最小の演算回路 | 米IBM | 日本経済新聞 (2002年10月26日PP.9) 日経産業新聞 (2002年10月28日PP.9) | 銅基板上12nm×17nmのサイズ CO分子を電線代わりに使用 分子カスケード ドミノ倒し演算回路 | 220 |
2002年12月号 | 単一電子素子 -量産化メドに- | 産総研 科学技術新興事業団 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年9月17日PP.3) 日本工業新聞 (2002年9月9日PP.2) | 単一電子トランジスタ 室温動作 信号ノイズ従来比1/1000 CNT | 120 220 |
2002年12月号 | 新構造のトライ・ゲート型トランジスタ開発 | 米インテル | 日刊工業新聞 (2002年9月20日PP.9) | トライゲート型トランジスタ 3次元構造のゲートを採用 同サイズのプレーナ型と比較して20%多い電流を駆動 | 160 220 |
2002年10月号 | システムLSI設計期間1/10に短縮 | 日立 | 日経産業新聞 (2002年7月2日PP.2) | システムLSI設計 レベルシフタ | 220 |
2002年10月号 | 多層カーボンナノチューブ 垂直成長させる技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年7月8日PP.9) 電波新聞 (2002年7月8日PP.1) 日本工業新聞 (2002年7月8日PP.2) 日本経済新聞 (2002年7月8日PP.21) | 微細なLSI配線 φ:50nmL: 500nmのCNT CMOS・FETのシリサイド層上にて成長 電極にNiやCoを混入 CH4とH2の混合ガスによるプラズマCVD法 | 120 160 220 |
2002年10月号 | 「スピン偏極共鳴トンネル効果」発見 -新機能素子実現に道- | 産業総研 科学技術振興事業団 | 日本工業新聞 (2002年7月12日PP.2) 日本経済新聞 (2002年7月12日PP.17) | スピン偏極共鳴トンネル効果 厚さ3μmのCuと単結晶Co 素本偏極量子井戸準位確認 | 120 220 230 |
2002年10月号 | 電流 一定方向に電子の自転利用の新素子 | 東大 NTT JST | 日経産業新聞 (2002年7月26日PP.13) 日刊工業新聞 (2002年7月26日PP.5) | 単一スピンダイオード スピンメモリー 量子コンピュータの出力装置 スピンデバイス 直径0.5μm長さ0.5μmの円筒状 GaAs GaInAs 極低温 電圧2〜6mVで0.1nA | 220 230 |
2002年 9月号 | 3.3psの超高速スイッチ -新構造で低消費電力- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年6月6日PP.4) | 高温超電導JJ リング発振器 微細CMOSの3倍の高速性と1/1000の消費電力 21個のJJ 単一磁束量子回路 30K | 220 |
2002年 9月号 | 高速トランジスタ | 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年6月12日PP.12) | 動作速度従来の1.5倍 Si・Ge薄膜 pMOS | 220 |
2002年 9月号 | 90ナノ世代システムLSIプロセス技術 -世界最小SRAMセル内蔵- | 三菱電機 松下電器 | 電波新聞 (2002年6月13日PP.1) | 140万トランジスタ/mm2 SRAMセルサイズ1.56μm×0.64μm KrF露光 90nmプロセス | 220 230 |
2002年 9月号 | 演算処理担う論理素子 -すべて金属で作製- 1行紹介 | 英ダーラム大 | 日本経済新聞 (2002年6月14日PP.15) | 磁性鉄合金 電子スピン利用 サイズ100nm NOT回路 | 220 |
2002年 9月号 | LSIの消費電力を1/10に低減するトランジスタ | 松下電器 | 日本経済新聞 (2002年6月20日PP.11) | SiGeのナノ構造薄膜をSi基板に形成 0.5V動作 CMOSトランジスタ | 220 160 |
2002年 9月号 | LSIの識別技術 -電子指紋で識別- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (2002年6月21日PP.10) | 人工指紋デバイス PolySiTFTのバラッキ利用 | 220 230 |
2002年 9月号 | 単一電子トランジスタ -ナノチューブで作製- | 産総研 富士通研 | 日本経済新聞 (2002年6月24日PP.23) | SiO2基板上 自己組織化 チューブ径 2nm | 220 120 |
2002年 9月号 | カメラ対応機能強化アプリケーションプロセッサ -携帯電話向けに発売- | 日立 | 日本工業新聞 (2002年6月26日PP.6) | カメラ付携帯電話 アプリケーションプロセッサSH7294 | 220 310 |
2002年 8月号 | DNAトランジスタ -スパコン携帯型に道- | 富士ゼロックス | 日本経済新聞 (2002年5月9日PP.3) | 大きさ従来トランジスタの1/10 電極間隔10nm サケの精子のDNA | 120 220 |
2002年 8月号 | ナノチューブトランジスタ | 米IBM | 日経産業新聞 (2002年5月22日PP.8) | Si製の2倍の動作速度 p-n型の作り分け MOSFETと同構造 | 220 |
2002年 8月号 | 次世代光伝送向けトランジスタ | 沖電気 | 日経産業新聞 (2002年5月27日PP.7) | ゲート幅100nm 積層部をInとPで構成 ウェットエッチング 6層構造 | 220 160 |
2002年 8月号 | 暗号高速処理LSI開発 一行紹介 | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年5月31日PP.17) | 電子署名 RSA | 220 520 |
2002年 7月号 | ラジオ受信機用動画LSI開発へ | 富士通 エフエム東京 | 日本経済新聞 (2002年4月8日PP.17) | 地上波デジタルラジオ TV7ch | 220 240 540 |
2002年 7月号 | システムLSI高速化技術 | 奈良先端大 | 日経産業新聞 (2002年4月23日PP.10) | 0.1mm角リング発信器 回路間で信号のやり取り可能 1GHz 動作 | 220 120 |
2002年 7月号 | 超高集積チップへ道 -ナノチューブトランジスタ試作超LSI配線応用- | 富士ゼロックス NTT | 日本経済新聞 (2002年4月29日PP.15) | CNT 直径20nmリング | 120 220 |
2002年 7月号 | 単一電子素子 -消費電力1/1000に 室温で作動成功 | NTT | 日経産業新聞 (2002年4月30日PP.7) | 30nm幅のSi細線温室動作SET | 220 |
2002年 6月号 | シリコン系素材で共鳴トンネル効果 | 静岡大 | 日刊工業新聞 (2002年3月4日PP.8) | 光デバイスとの一体化回路の微細化に有効 -258℃〜-173℃で電流ピークを確認厚さ2mm | 120 220 |
2002年 6月号 | ASICプラットフォーム | NEC | 日経産業新聞 (2002年3月20日PP.7) | 設計期間半減 チップ下層部に汎用回路埋込み ISSP5層配線構造 | 220 |
2002年 6月号 | 最速トランジスタ-動作周波数500GHz超- | 富士通研 通信総研 阪大 | 日経産業新聞 (2002年3月26日PP.14) | 動作周波数562GHz HEMT InP基板 InAIAs電子供給層 InGaAs電子走行層 | 220 |
2002年 5月号 | 強誘電体デバイス -記憶と論理演算を同時に- | 東北大 ローム | 電波新聞 (2002年2月4日PP.1) | 機能パスゲート 0.6 μm 1ポリ1メタル Pb(Zr Ti)O 薄膜 | 220 230 |
2002年 5月号 | 集積回路の停電力化技術 ISSCC2002で発表 -低消費電力化技術- (No5 7と合わせる) | 日立 | 日刊工業新聞 (2002年2月5日PP.10) | 電源電圧制御 基板バイアス制御 マルチメディアDSP マルチメディア向けメモリーアーキテクチャ | 220 |
2002年 5月号 | 集積回路の停電力化技術 ISSCC2002で発表 -ディジタル家電向けCPU- (No4 7と合わせる) | 松下電器 | 日経産業新聞 (2002年2月5日PP.8) | 500mW 400MHz 線幅0.13μm 銅配線 分割並例信号処理 | 220 |
2002年 5月号 | 低消費電力化技術 ISSCC2002で発表 -CMOS周波数変換回路- (No4 5と合わせる) | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年2月7日PP.6) | 消費電力30%削減 信号電流加算と自己スイッチング | 220 |
2002年 5月号 | 小型メモリー素子 -DRAM 後の中核技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年2月8日PP.17) | システムLSI DRAM トランジスタ下にキャパシタ 消費電力2.5倍 面積半分に | 220 230 |
2002年 5月号 | 米TIが0.09μmプロセス技術 一行紹介 | 米T.I | 電波新聞 (2002年2月8日PP.5) | 37nm幅のトランジスタ | 220 |
2002年 3月号 | 歪みシリコントランジスタ -電子移動度2.2倍- | 日立 | 電波新聞 (2001年12月6日PP.6) | 平坦化SiGe電子移動度2.2倍 正孔移動度1.42倍 | 220 |
2002年 3月号 | システムLSI高速化技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (2001年12月21日PP.7) | オン・オフ切換時間5ps 基板内に空洞 ゲート長50nm 漏れ電流防止 | 220 160 |
2002年 3月号 | 耐久性の高い半導体素子 -寿命数倍に- | 広島大 | 日経産業新聞 (2001年12月26日PP.8) | 駆動電極部の絶縁層に保護膜 原子層成長法 SiN | 160 220 |
一行紹介 | (2001年11月9日PP.17) | 有機半導体分子層 | |||
2002年 1月号 | 超高速光ネットワークスイッチ -LSI-CMOS設計感覚で実装- | NEC | 日刊工業新聞 (2001年10月1日PP.9) | CMOS 40Gb/s LSI 分散処理用ネットワーク RHINET | 220 260 240 |
2002年 1月号 | 磁束量子使う新理論LSI | NEC | 日経産業新聞 (2001年10月1日PP.11) | 単一磁束量子回路 金属系超電導材料 微小ループ LSI設計法 | 220 120 620 |
2002年 1月号 | 高性能圧電単結晶材料育成技術 -圧電歪み3倍に- | 東芝 川鉄鉱業 | 日刊工業新聞 (2001年10月5日PP.1) | 単結晶材料 口径50mm PZNT系酸化物単結晶材料 | 220 150 120 |
2001年12月号 | MPEG-2用LSI -高速・逆転再生可能に- | 三洋電機 | 日経産業新聞 (2001年9月26日PP.7) | 68mm四方のLSI 消費電力800mW 30枚/sのフル画像 | 520 220 |
2001年11月号 | ICカード用LSI -FeRAMを量産化- | 富士通 | 日本経済新聞 (2001年8月3日PP.13) 日経産業新聞 (2001年8月3日PP.7) 電波新聞 (2001年8月3日PP.1) 日刊工業新聞 (2001年8月3日PP.10) | FeRAM RISCCPU 0.35μmプロセス | 220 230 |
2001年11月号 | 無線回路1チップに -腕時計型パソコンに道- | 米UCLA | 日本経済新聞 (2001年8月17日PP.17) | 1.8mm×2.4mm 消費電力2.2mW 500bps ウエアラブル機器CMOSトランジスタ | 220 240 |
2001年11月号 | ブロードバンド用のデータ・通信処理一体化LSI | メガチップス | 日経産業新聞 (2001年8月23日PP.8) | MPEG-4 インタネット システムLSI | 220 |
2001年11月号 | カーボンナノチューブで論理回路作製 | 米IBM | 日経産業新聞 (2001年8月28日PP.8) | 電圧インバータ回路 単一分子構造 小型化 高速化 | 220 |
(2001年8月31日PP.17) | クロロホルム FET | 220 | |||
2001年10月号 | JPEG2000対応LSI | リコー | 日経産業新聞 (2001年7月3日PP.1) | 静止画圧縮 動画対応 複数解像度対応 | 520 220 |
2001年10月号 | 低温p-Si技術-ガラス基板に超高速回路- | 富士通 | 日刊工業新聞 (2001年7月13日PP.1) | 粒界3×20μm、ガラス基板 Si2バッファ層 半導体レーザ励起固体レーザによる結晶化 低温p-Si技術 プロセス温度450℃以下 移動度500cm2/V・s | 160 220 250 |
2001年 8月号,9月号 | 世界最速のトランジスタ | 米IBM | 日本経済新聞 (2001年6月26日PP.3) | 処理速度210GHz SiGe スイッチ動作速度1.5T回/s | 220 |
2001年 8月号,9月号 | 世界最小粉末状ICチップ | 日立 | 日本経済新聞 (2001年6月28日PP.1) 日経産業新聞 (2001年6月29日PP.9) | 0.4×0.4×0.06mm 無線ICチップ 128bROM 紙に埋め込み可能 | 220 340 |
2001年 7月号 | 酸化亜鉛で透明TFT | 大阪大学 ミノルタ | 日刊工業新聞 (2001年5月11日PP.1) | 高密度液晶ディスプレイ 高い歩留まり SiO2と活性層間にSiN層 3.3eVのバンドギャップ | 220 250 |
2001年 7月号 | 超電導素子使ったADコンバータ | 日立 | 日経産業新聞 (2001年5月29日PP.10) 日本経済新聞 (2001年5月24日PP.5) | 単一磁束量子(SFQ)回路 サンプリング周波数100GHz ジョセフソン効果 イットリウム系酸化物 | 120 220 |
2001年 6月号 | 新トランジスタ -3種類の信号で複雑演算可能に- | NEC | 日本経済新聞 (2001年4月6日PP.17) | 多値トランジスタ GaAs 2ヶ所のトンネル接合 | 220 |
2001年 6月号 | 薄膜構造のスーパレンズ -トランジスタ 光方式の作動に成功- | 産業技術総合研 他6社 | 日刊工業新聞 (2001年4月20日PP.6) 日本経済新聞 (2001年4月20日PP.17) | 最大60倍に増幅 Ge・AgOなどの多層膜 青色レーザ励起 信号は赤色レーザ 超解像近接場構造 光トランジスタ | 220 120 |
2001年 6月号 | 人工網膜LSIで似顔絵 | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (2001年4月25日PP.11) 日経産業新聞 (2001年4月25日PP.3) | 画像センサ用LSI | 210 220 620 |
2001年 6月号 | トランジスタ素子 -1/500の大きさ- | 米IBM | 日本経済新聞 (2001年4月30日PP.25) | カーボンナノチューブ 大電流で金属タイプを焼き切る MOSトランジスタ | 220 |
2001年 5月号 | 単電子CCD -電子1個自在に転送- | NTT物性科学基礎研 | 日刊工業新聞 (2001年3月30日PP.7) | 単電子電荷結合素子(CCD) 電子1個 25Kで動作 | 220 |
2001年 5月号 | 内部抵抗1/10のトランジスタ | 電総研 | 日経産業新聞 (2001年3月19日PP.11) | SiCトランジスタ MOSFET 1kV-1mΩ | 220 |
2001年 5月号 | 最高移動度と最小抵抗実現のSiC素子 | 電総研 新機能素子研究開発協会 (FED) | 日刊工業新聞 (2001年3月16日PP.7) | チャネル移動度140cm2/Vs 4H-SiC-MOSFET エンハンスメント形 ソースドレインのシート抵抗38Ω | 220 |
2001年 5月号 | W-CDMA対応LSI | 日立 | 日経産業新聞 (2001年3月15日PP.10) | 低消費電力 ベースバンドモデム 配線幅0.25μm 13mm角 384kbps | 220 |
2001年 5月号 | 立体積層構造の人工網膜チップ | 東北大 | 日刊工業新聞 (2001年3月13日PP.6) 日本工業新聞 (2001年3月14日PP.10) | 人工網膜チップ 視細胞 水平細胞 神経節細胞 高速画像処理 | 210 520 220 |
2001年 5月号 | 高分子で超電導実現 | 米ルーセントテクノロジーズ社ベル研 | 日経産業新聞 (2001年3月8日PP.11) | 臨界温度2.35K ポリチオフェンFET ホール対 | 120 220 |
2001年 5月号 | 新形CMOSセンサ | 東芝 MIT(米) | 日経産業新聞 (2001年3月2日PP.7) 電波新聞 (2001年3月16日PP.6) | DSP一体化 128×128画素 | 210 220 |
2001年 4月号 | 画像認識が10倍速いLSI | 広島大 | 日経産業新聞 (2001年2月8日PP.12) | 画像認識速度10倍 | 220 620 |
2001年 4月号 | 世界初のリアルタイム圧縮エンジン -動画リアルタイム処理- | デジタルアクト | 日刊工業新聞 (2001年2月22日PP.1) | 動画圧縮アルゴリズム | 520 220 |
2001年 4月号 | ワンチップシステムLSI -デジタルカメラ高速連写- | 三洋電機 | 日経産業新聞 (2001年2月22日PP.1) | 200万画素 15frame/s | 220 |
2001年 4月号 | 新設計の画像センサ | 松下電器 | 日経産業新聞 (2001年2月12日PP.5) | スマートピクセル LEDを埋込む 8×8画素 | 210 220 250 |
2001年 4月号 | 電磁波発生防ぐIC | 米パルス・コア | 日経産業新聞 (2001年2月12日PP.1) | クロックのタイミングを調整する EMC対策 | 220 |
2001年 4月号 | 光ネット用送受信器 -10Gbpsでワンチップ- | 日立 | 日刊工業新聞 (2001年2月7日PP.6) | 0.25μmプロセス 10Gbps SiGe Bi-CMOS SOI シリコンゲルマ | 240 220 |
2001年 4月号 | 携帯端末で複数動画処理 | 松下電器 | 日経産業新聞 (2001年2月7日PP.11) | 複数動画処理可能なLSI MPEG-4準拠 0.18μmCMOS 同時に2画像圧縮 4画像伸長 | 220 520 |
2001年 4月号 | 半導体チップOS技術 | 日立 | 電波新聞 (2001年2月6日PP.1) | 電力制御 IP活性コントロール | 220 |
2001年 3月号 | インタフェースLSI -1チップで接続- | 松下電器 | 日本工業新聞 (2001年1月18日PP.7) | IEEE1394 LSI DTCP | 220 |
2001年 3月号 | 画像データを1チップで圧縮・伸長 | 東芝 | 電波新聞 (2001年1月16日PP.2) 日経産業新聞 (2001年1月16日PP.4) | MPEG-4 12MbDRAM QCIF(176×144画素) | 220 |
2001年 2月号 | CD-R記録密度・転送速度3倍 | TDK 米カリメトリクス | 日経産業新聞 (2000年12月20日PP.1) | CD-R ML(多値記録) 短い線幅 8段階記憶 | 220 |
2001年 2月号 | 画像圧縮の新LSI | 米アナログ・デバイセズ | 日経産業新聞 (2000年12月18日PP.7) | JPEG2000 ウェーブレット 1/100圧縮 | 220 520 |
2001年 2月号 | 単一電子素子で開発競争 | 東芝 NTT | 日本経済新聞 (2000年12月16日PP.15) | 単一電子素子 常温作動 | 230 220 |
2001年 2月号 | LSI電流漏れ30%減 | 東芝 | 日経産業新聞 (2000年12月12日PP.9) | 超微細粒子制御クリーニング技術 重水素 | 160 220 |
2001年 2月号 | 携帯電話で動画再生 | 東芝 | 電波新聞 (2000年12月12日PP.6) | MPEG-4 QCIFフォーマット 50mW@40MHz | 220 |
2001年 2月号 | 新しい銅配線構造 -動作速度1.7倍に- | NEC | 電波新聞 (2000年12月12日PP.6) | ロジックLSI デュアルダマシン | 160 220 |
2001年 2月号 | MPUで新技術 -0.03μmゲート幅のトランジスタ- | インテル | 日経産業新聞 (2000年12月12日PP.1) | MPU CMOS ゲート長0.03μm 線幅0.07μm | 220 |
2001年 2月号 | 100GHz超の信号処理用HEMT | 立命館大 工技院大阪工業技研 他 | 日経産業新聞 (2000年12月4日PP.12) 電波タイムズ (2000年12月6日PP.2) | GaN HEMT 130GHz | 220 |
2001年 1月号 | GaN系電子素子 -最高発振周波数100GHz超- | NEDOコンソーシアム | 日刊工業新聞 (2000年11月30日PP.6) | 100GHz AlGaN | 220 |
2001年 1月号 | LISを3割小さくできる技術 -高性能チップ 低コストで- | 東北大 | 日本経済新聞 (2000年11月25日PP.3) | プラズマ | 220 |
2001年 1月号 | SiCパワー素子 | 松下電器 | 電波新聞 (2000年11月22日PP.1) | SiCパワー素子 DACFET ナノ制御δドープ層状構造 113cm2/Vs | 220 |
2001年 1月号 | 電源分離に新線路素子技術 -低インピーダンス 広い周波数帯で実現- | NEC | 日刊工業新聞 (2000年11月17日PP.7) | LSI 電源分離 | 220 |
2001年 1月号 | 無線回路1Vで駆動 -切手大の端末可能- | NTT | 日経産業新聞 (2000年11月15日PP.11) | 従来の半分の1Vで駆動 10〜100mの近距離を通信 ブルートゥース対応 周波数変換 40mW以下 2〜2.4GHz SOI 0.2μmCMOS | 220 340 |
2001年 1月号 | W-CDMA用増幅素子 -面積1/5に- | シャープ | 日経産業新聞 (2000年11月6日PP.1) | GaAs 広帯域符号化分割多重接続(W-CDMA)方式 1.9GHz帯 消費電力20%減 従来の1/5に小形化 | 220 230 |
2000年12月号 | 40万画素CCD | シャープ | 電波新聞 (2000年10月26日PP.6) | CCD ディジタルスチルカメラ 1/1.8 | 220 210 |
2000年11月号 | 量子箱で「近藤効果」 -量子ドットで最大に- | NTT 東大 デルフト工科大(オランダ) | 日刊工業新聞 (2000年9月22日PP.7) 日経産業新聞 (2000年9月22日PP.12) | 近藤効果 量子ドット 量子スピン 量子計算機 量子箱 量子コンピュータ AlGaAs | 120 220 |
2000年 6月号 | ニューロLSIを小形化する新手法 -面積1/10に- | デンソー | 日本経済新聞 (2000年4月29日PP.13) | シグモイド関数 確率関数 ニューロLSI | 220 520 |
2000年 5月号 | DRAM混載システムLSI -58.8GB/sでデータ送受信- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (2000年3月23日PP.1) | DRAM LSI DRAM混載システムLSI | 220 |
2000年 5月号 | Si単電子トランジスタ集積化技術 -メモリードットを利用- | 東大 | 日本工業新聞 (2000年3月10日PP.17) | 単電子トランジスタ 集積化 メモリードット | 220 |
2000年 4月号 | 新半導体製造法 -垂直構造で高集積- | 米ルーセントテクノロジー | 日経産業新聞 (2000年2月25日PP.5) | トランジスタ 半導体 ゲート長50nm 垂直構造 | 220 160 |
2000年 4月号 | 世界最速のAD変換器 -大容量ハードディスク向け- | 松下電器 | 日経産業新聞 (2000年2月9日PP.4) | ADコンバータ 入力信号20MHz AD変換器 80MHz 大容量ハードディスク DVD 80MS/s 6ビット | 220 |
2000年 4月号 | 最速トランジスタ -40Gbpsの信号処理- | 日立 | 日経産業新聞 (2000年2月8日PP.5) | 光通信向けIC 周波数変換IC ヘテロ接合バイポーラトランジスタ Si-GeHBT 最小線幅0.2μm | 220 |
2000年 3月号 | 半導体量子素子 -単一光子を検出- | 東大 | 日経産業新聞 (2000年1月27日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年1月27日PP.6) | 半導体量子素子 AlGaAs THz通信 SET ゲート電極20μm 垂直磁場 遠赤外 単一光子 光検出器 | 210 220 |
2000年 3月号 | 1コマ0.5ミリ秒で高速処理する画像処理デバイス | 松下技研 東大 | 日本工業新聞 (2000年1月21日PP.27) | 2×2画素 動画像処理 | 220 |
2000年 3月号 | 世界最高速のHEMT | 郵政省 富士通 阪大 | 日経産業新聞 (2000年1月21日PP.5) | HEMT 362GHz 電子走行層10nm InGaAs 電子供給層 InAlAs ミリ波 | 220 |
2000年 3月号 | 量子ホール効果を確認 -新形素子開発に道- | NTT 東北大 | 日経産業新聞 (2000年1月14日PP.5) | 量子ホール効果 量子コンピュータ GaAs AlGaAs 3nm厚 | 120 210 660 220 |
2000年 3月号 | 真空マイクロ素子 -ダイヤモンド状炭素エミッタに使用- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2000年1月13日PP.6) | DLC 電子放出電圧24V 真空マイクロ素子 マイクロ波CVD法 | 250 150 160 220 |
2000年 3月号 | 窒化ガリウム系HEMT -室温から350℃安定に動作- | 名工大 | 日刊工業新聞 (2000年1月7日PP.6) | GaN系HEMT 146mS/mm ゲート長2.1μm 電子移動度740cm2/Vs リセス構造 MOCVD法 | 220 |
2000年 2月号 | 単電子トランジスタの論理回路 -消費電力10万分の1- | NTT | 日経産業新聞 (1999年12月10日PP.5) 日刊工業新聞 (1999年12月10日PP.7) 電波タイムズ (1999年12月17日PP.1) | 単一電子トランジスタ(SET) 論理回路 パターン依存酸化法 V-PADOX法 超低消費電力 1/100,000 Si熱酸化手法 インバータ回路 低温動作:-243℃ | 220 160 |
2000年 2月号 | 超高速半導体チップ | 米TRW社 | 電波新聞 (1999年12月9日PP.3) | 動作周波数69GHz リン化インジウム 40Gb通信 | 220 |
2000年 2月号 | 1GHzの微小トランジスタ | 日立 | 日経産業新聞 (1999年12月7日PP.5) | 1GHz ゲート長0.1μm トランジスタ CMOS 2層構造絶縁膜 タングステン薄膜 | 220 |
2000年 2月号 | 歪みSOIに作成したP形MOS構造 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1999年12月6日PP.13) | 歪みSOI 正孔移動度1.3倍 | 120 220 |
2000年 2月号 | CCD画質のCMOSセンサ | 東芝 | 日本工業新聞 (1999年12月6日PP.6) | CMOSイメージセンサ 埋込みフォトダイオード構造 ノイズ1/6 ワンチップ化 | 210 220 |
2000年 1月号 | 高温超電導素子製造技術 -1チップ上に10個の集積可能に- | 超電導研 NEC 東芝 日立 | 日経産業新聞 (1999年11月12日PP.5) 電波新聞 (1999年11月12日PP.2) | YBaCuO系 高温超電導素子 ジョセフソン素子 イオン照射 | 220 160 |
2001年 1月号 | SiCパワー素子 | 松下電器 | 電波新聞 (2000年11月22日PP.1) | SiCパワー素子 DACFET ナノ制御δドープ層状構造 113cm2/Vs | 220 |
2001年 1月号 | 電源分離に新線路素子技術 -低インピーダンス 広い周波数帯で実現- | NEC | 日刊工業新聞 (2000年11月17日PP.7) | LSI 電源分離 | 220 |
2001年 1月号 | 無線回路1Vで駆動 -切手大の端末可能- | NTT | 日経産業新聞 (2000年11月15日PP.11) | 従来の半分の1Vで駆動 10〜100mの近距離を通信 ブルートゥース対応 周波数変換 40mW以下 2〜2.4GHz SOI 0.2μmCMOS | 220 340 |
2001年 1月号 | W-CDMA用増幅素子 -面積1/5に- | シャープ | 日経産業新聞 (2000年11月6日PP.1) | GaAs 広帯域符号化分割多重接続(W-CDMA)方式 1.9GHz帯 消費電力20%減 従来の1/5に小形化 | 220 230 |
1999年12月号 | スピントランジスタ -基本動作確認- | 日立 | 日経産業新聞 (1999年10月7日PP.5) | 電子スピン カーボンナノチューブ | 220 |
1999年12月号 | 炭化シリコンFETを試作 | 京大 | 日刊工業新聞 (1999年10月11日PP.5) | チャネル移動度95.9c /V/s c面->a面で移動度15〜17倍 4H-SiCと6H-SiCで確認 | 220 |
1999年12月号 | 新基本回路構造 -高速60GHz達成- | NEC | 日経産業新聞 (1999年10月20日PP.5) | 超電導 マイクロプロセッサ 60GHz 調停回路 単一磁束量子 MPU 基本回路構造 低消費電力 超電導回路 Nb | 220 |
1999年11月号 | CG画像の処理最速LSI量産 -プレステ2向けの1.5倍- | リアルビジョン | 日経産業新聞 (1999年9月10日PP.1) | 9.1GFLOPS 3DCG専用画像処理LSI | 220 |
1999年11月号 | アナログ進化形半導体LSI -「進化」利用して設計- | 電総研 旭化成マイクロシステム | 日刊工業新聞 (1999年9月15日PP.5) 日経産業新聞 (1999年9月16日PP.5) | 遺伝的アルゴリズム アナログLSI 性能調整機能 小形化 省電力化 中間周波数フィルタ設計 回路面積約4割 消費電力約6割 | 520 220 |
1999年11月号 | シナプスまねし簡便な学習回路 -回路面積1/100以下- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1999年9月21日PP.6) 日経産業新聞 (1999年9月22日PP.5) | 神経シナプス 強誘電体膜 SBT FET 適応学習機能 SBT 新トランジスタ SBTの薄膜 ニューラルネットワーク | 520 220 160 |
1999年10月号 | 超高速の撮像システム -撮影から処理までを1/500秒で- | 東大 浜松 ホトニクス | 日本工業新聞 (1999年8月31日PP.1) | 超高速撮影システム 撮像素子 画像処理プロセッサ ITS | 210 220 520 310 |
1999年 9月号 | 移動体通信の送受信装置 | 松下電器 京セラ | 日経産業新聞 (1999年7月9日PP.5) | 超電導 フィルタ ホルミウム バリウム 銅酸化物系 高温超電導材料 | 220 340 |
1999年 9月号 | CMOSエリアイメージセンサ -100倍のダイナミックレンジ- | ミノルタ ローム | 電波新聞 (1999年7月13日PP.2) | CMOS イメージセンサ 対数変換回路 ダイナミックレンジ105 | 210 220 |
1999年 9月号 | 第3の金属超電導線材 | 日立電子 | 日刊工業新聞 (1999年7月16日PP.7) | Nb3Al | 140 220 |
1999年 9月号 | 超高速演算素子 | 米PH社 UCLA | 電波新聞 (1999年7月17日PP.2) | 1000億倍速 分子レベル演算素子 化学反応 | 220 |
1999年 9月号 | 単一電子素子量産用製造技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (1999年7月19日PP.19) | 自己組織化 超微細加工 半導体基板 20〜30nmの凹凸 単一電子素子 製造技術 エッチング | 160 220 260 120 |
1999年 8月号 | デジタルテレビ用LSI | 松下電器 | 日本工業新聞 (1999年6月9日PP.14) | デジタル放送 | 220 |
1999年 8月号 | 0.05μm世代のCM0S素子 | 日立 | 日刊工業新聞 (1999年6月15日PP.6) | CMOS RTA炉 | 160 220 |
1999年 8月号 | 0.10μmのプロセスルールで新技術 -待機消費電力1/10以下- | 富士通研 | 日本工業新聞 (1999年6月16日PP.4) | LSI | 220 |
1999年 8月号 | 世界最小のトランジスタ -構造試作 動作を確認- | NEC | 日経産業新聞 (1999年6月17日PP.5) | ゲート電極長50nm P-MOS MOSトランジスタ MOSFET | 160 220 |
1999年 8月号 | 業界最高レベルの超小形次世代シグナルリレー | NEC | 電波新聞 (1999年6月21日PP.11) | シグナルリレー | 220 |
1999年 7月号 | 新形の薄膜製造装置 -携帯電話の電力節約- | 北陸先端院大 | 日本経済新聞 (1999年5月31日PP.19) | CVD W触媒 | 160 220 |
1999年 7月号 | HDD用磁気記録ヘッド -書込み磁界2倍- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年5月18日PP.6) | HDD用磁気ヘッド 書込み磁界2.1テスラ CoNiFeメッキ 7000Oe対応 磁気ヘッド | 120 220 230 |
1999年 7月号 | DRAMを超える新形メモリー -記憶性能DRAMの2倍- | 日立製作所 英ケンブリッジ大 | 日本経済新聞 (1999年5月18日PP.1) 日刊工業新聞 (1999年5月19日PP.11) 日経産業新聞 (1999年5月25日PP.9) | PLEDM セルサイズ半分 不揮発性 絶縁膜埋込み 新形メモリー | 220 230 |
1999年 7月号 | サブミクロンTFTを形成する低温ポリシリコン技術 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1999年5月17日PP.13) | ガラス基板 0.6μm | 220 |
1999年 6月号 | 最小メモリーカード | 日立製作所 独シーメンス | 日本経済新聞 (1999年4月23日PP.13) | フラッシュメモリー MPU マルチメディアカード 16〜128MB | 220 230 |
1999年 6月号 | 電界効果トランジスタ - 400℃で安定動作 - | NTT | 日経産業新聞 (1999年4月23日PP.5) | FET GaN ヘテロ接合 | 220 |
1999年 6月号 | オーディオ雑音1/100のDVD | 松下電器産業 | 日本経済新聞 (1999年4月20日PP.13) | DA変換器 低速 高精度処理 | 220 |
1999年 6月号 | 初のDRAM混載形画像処理用DSP | 富士通研 | 日本工業新聞 (1999年4月19日PP.1) | 画像処理用DSP 1MT-2000 MSPM SIMD形 DSP DRAM | 220 230 |
1999年 6月号 | 光トランジスタ -光通信波長帯で動作- | 豊田工大 日本山村硝子 | 日刊工業新聞 (1999年4月16日PP.7) | NAND動作 光信号反転器 光増幅効果 波長1.5μm帯 エルビウムイオン 負性非線形吸収効果(NAA効果) 光IC 希土類 低電力 高速 増幅 | 220 |
1999年 6月号 | SQUID利用の超高感度センサ | 住友電工 | 日経産業新聞 (1999年4月13日PP.5) | 1MHz SQUID | 220 210 |
1999年 6月号 | 世界初の球面集積回路 -球状半導体にIC形成- | 米ボールセミコンダクタ | 日本経済新聞 (1999年4月6日PP.11) 日刊工業新聞 (1999年4月13日PP.11) | 球面集積回路 球状Si N形MOS 球状半導体 インバータ回路 | 220 260 160 |
1999年 6月号 | 横形ホットエレクトロントランジスタ | NEC | 日刊工業新聞 (1999年3月29日PP.1) | 横形HET ホットエレクトロン効果 10Tbメモリー MOSトランジスタ 電界変調浅接合形 | 220 |
1999年 5月号 | 0.1μmプロセス用絶縁材料 -2GHz動作のLSI実現- | 富士通研 | 電波新聞 (1999年3月30日PP.1) | 2GHz動作 0.1μmプロセス用絶縁材料 ナノキャビティ技術 層間絶縁膜誘電率1.98 アリサイクリックモノマ | 220 120 160 |
1999年 5月号 | 世界最小MOSトランジスタ -ゲート長8nm- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年3月29日PP.1) | MOSトランジスタ HET 10Tbメモリー ホットエレクトロン効果 トランジスタ ゲート長8nm 電子線レジスト 横形HEMT | 220 160 |
1999年 5月号 | 新形ニューロチップ -音声や距離感を素早く認識- | 日立製作所 NTT | 日本経済新聞 (1999年3月20日PP.10) | ニューロチップ 半導体 | 220 |
1999年 5月号 | 世界最大の容量伝送 -350GHzと最高速実現- | NTT | 日刊工業新聞 (1999年3月19日PP.4) 電波タイムズ (1999年3月19日PP.1) | In P系 HEMT 遮断周波数350GHz 3Tbpsを40km伝送 2段階リセスゲート フラーレン添加 電子線レジスト | 220 240 160 |
1999年 5月号 | 新形MPU「ペンティアム」出荷 | インテル | 日本工業新聞 (1999年3月3日PP.4) | MPU | 220 |
1999年 4月号 | 指紋読取りチップ | NTT | 日本経済新聞 (1999年2月17日PP.13) | 誤認率0.1〜0.01% 判定時間0.5s 15mm角 2層構造 指紋認証チップ セキュリティ ワンチップ化 | 210 520 220 |
1999年 4月号 | テレビ用音響制御LSI | ローム | 日本工業新聞 (1999年2月9日PP.4) | 音響制御LSI | 220 |
1999年 4月号 | 超高速の超電導素子 -赤外光超高感度で検出- | ロチェスタ大 モスクワ州立教育大 | 日経産業新聞 (1999年2月5日PP.5) | 窒化ニオブ薄膜 超電導状態 光子1個 250GHz 超電導素子 | 240 220 |
1999年 4月号 | 3次元Y/C分離LSI -10bA/D変換器内蔵- | NEC | 日本工業新聞 (1999年2月3日PP.4) | Y/C分離LSI | 220 |
1999年 3月号 | ニオブ系超電導素子30GHz動作 | 名大 他 | 日刊工業新聞 (1999年1月22日PP.1) | 超電導単一磁束量子 ニオブ系超電導ジョセフソン結合 SFQ回路 | 220 |
1999年 3月号 | 貫通型ノイズフィルタ -1GHz以上の帯域に対応- | EMC TDK | 日刊工業新聞 (1999年1月14日PP.7) | GHz帯対応貫通型ノイズフィルタ 鉄系磁性材料 熱可塑性樹脂 | 220 |
1999年 3月号 | 動作速度25%の向上のトランジスタ | NEC | 日経産業新聞 (1999年1月4日PP.4) | 0.1μm C-MOS トランジスタ | 220 |
1999年 3月号 | 高温超伝導 -集積回路実現へ突破口- | NEC | 朝日新聞 (1999年1月3日PP.3) | 高温超伝導 絶縁バリア層 ジョセフソン接合 集積回路 | 120 160 220 |
1999年 2月号 | 消費電力1/25の新MOS型FET | シャープ | 日経産業新聞 (1998年12月11日PP.4) | 動作電圧0.5V MOSFET ロジックLSI LCSED-DTMOS 寄生容量65%伝送 | 220 |
1999年 2月号 | 量子メモリー -低電圧1Vで書込み消去- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1998年12月9日PP.5) | テラビット級 HEMT 異方性エッチング TSR溝 量子ドット浮遊ゲート 不揮発性 書込み/消去電圧1V | 230 220 |
1999年 2月号 | 1.2nm極薄酸化膜使用のMOS素子 | 広島大 | 日刊工業新聞 (1998年12月8日PP.6) | 1.2nmシリコン酸化膜 | 220 160 |
1999年 2月号 | 書込み速度50倍のフラッシュメモリー | 松下電器産業 松下電子 ヘイロLSI社 | 日本経済新聞 (1998年12月7日PP.17) 電波新聞 (1998年12月7日PP.1) | ゲート間距離40nm 書込み200ns 書込み電圧5V バリスティック型トランジスタ 高効率エレクトロン | 220 230 |
1999年 1月号 | 量子効果素子 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1998年11月25日PP.7) | 量子効果素子 | 220 |
1999年 1月号 | CPUの高速化チップ | NEC | 日本経済新聞 (1998年11月23日PP.17) | 回路構成変更 数10μs 10〜100倍 | 220 |
1999年 1月号 | 電界効果トランジスタ -低雑音性で世界最高水準- | NEC | 日本工業新聞 (1998年11月13日PP.1) | FET ヘテロ構造 周波数コンバータ NF0.35dB 低雑音 | 220 |
1998年12月号 | 量子計算機用素子 | NTT 理化学研 デルフト工科大 (オランダ) | 日本経済新聞 (1998年10月29日PP.11) 日本工業新聞 (1998年10月29日PP.24) | 共有結合状態 電圧変化 超高速コンピュータ 量子ドット分子 | 220 |
1998年12月号 | 空間光変調材料 -ピコ秒単位で色変化- | 静岡大 | 日刊工業新聞 (1998年10月28日PP.5) | 空間光変調材料 光応答性高分子 ビオロゲン 空間光変調 | 120 220 |
1998年12月号 | 小型高性能ミリ波帯IC -Siに3次元- | 松下通信工業 松下技研 | 日刊工業新聞 (1998年10月15日PP.5) | ミリ波IC | 220 |
1998年12月号 | 次世代携帯電話用LSIの新素子構造 | 東芝 | 日経産業新聞 (1998年10月1日PP.5) | 携帯電話 通信LSI 素子構造 | 220 160 |
1998年11月号 | 伝送データの一時記憶メモリー -超電導物質使う- | NEC | 日経産業新聞 (1998年9月24日PP.5) | バッファメモリー 超電導 ATMスイッチ | 220 230 |
1998年11月号 | 光信号処理チップ | 東工大 東大 | 日本工業新聞 (1998年9月22日PP.21) | AND回路 ディジタル信号処理 光半導体 GaInAsP | 240 220 |
1998年11月号 | DNAコンピュータ設計 -演算時間を大幅に削減- | NEC北米研 | 日本経済新聞 (1998年9月9日PP.3) 電波新聞 (1998年9月10日PP.2) | DNAコンピュータ 化学反応 並列演算 酵素 特許 米国特許庁から設計特許を取得(USP#414398) 人工DNA | 420 660 220 |
1998年11月号 | 半導体の新素子構造 -高速動作維持し微細化- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年9月7日PP.5) | IC ゲート | 220 |
1998年11月号 | 超電導回路 -室温半導体回路複合化に成功- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1998年9月3日PP.1) | 超電導回路 室温半導体回路 ジョセフソン接合昇圧回路 HEMT Tb級システム | 220 |
1998年10月号 | 単一電子メモリー -室温で単一電子動作- | 電総研 | 日経産業新聞 (1998年8月26日PP.4) | 単一電子メモリー 室温動作 多重トンネル接合 | 230 220 |
1998年10月号 | サブミクロンサイズのジョセフソン素子 -高温超電導単結晶を採用- | 東北大 | 日経産業新聞 (1998年8月21日PP.5) 電波新聞 (1998年8月21日PP.2) | 超電導素子 ジョセフソン素子 単一電子の制御 素子の微細化 超電導 FIB加工技術 BiSrKCu酸化物 面積1μmで単電子 トンネル効果 液体ヘリウム温度動作 | 120 220 |
1998年10月号 | 高温超電導ジョセフソン接合 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1998年8月20日PP.5) | 高温超電導 ジョセフソン接合 SFQ | 220 120 |
1998年 9月号 | 人間の目と脳を持つビジョンチップ | 東大 | 日本工業新聞 (1998年7月29日PP.21) | 視覚センサ 並列演算処理回路 高速画像処理 ビジョンチップ CMOS 画像処理 | 210 220 |
1998年 9月号 | 超電導素子使用の発振器 -1THzのサブミリ波実現- | 通信総研 | 日経産業新聞 (1998年7月10日PP.4) | サブミリ波 ジョセフソン素子 超電導 50mW | 220 140 150 |
1998年 8月号 | 0.4V以下の超低電圧Si量子素子 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1998年6月24日PP.1) 日刊工業新聞 (1998年6月24日PP.11) 日経産業新聞 (1998年6月24日PP.5) | トンネル障壁 酸化膜 負性特性 エサキダイオード 消費電力 Si量子素子 超低電圧駆動 多結晶Si 量子化機能素子 3nm以下の薄いSi酸化膜 負性抵抗素子 3素子でメモリー | 220 120 |
1998年 8月号 | 超小型トランジスタ -金属使い集積度100倍- | 北陸先端院大 海軍研究所(米) | 日本経済新聞 (1998年6月22日PP.19) | 金属製トランジスタ トンネル効果 高集積 LSI 高集積化 | 220 120 |
1998年 7月号 | 画像データ圧縮率2倍の電子回路 | 電総研 | 日経産業新聞 (1998年5月29日PP.5) | 遺伝アルゴリズム 印刷 電子印刷機 | 520 220 330 |
1998年 6月号 | 性能10培のDSP | 米TI | 日経産業新聞 (1998年4月17日PP.9) | DSP 1GOPS | 220 |
1998年 6月号 | 配線技術 -次世代高速ロジックLSI実現へ- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1998年4月14日PP.5) | 有機高分子 絶縁膜 | 220 160 |
1998年 6月号 | 超並列演算光素子 -原子オーダの画素分解能- | 豊田工大 他 | 日刊工業新聞 (1998年4月8日PP.6) | 原子オーダの分解能 光コンピュータ 画像認識 光スイッチ 負性特性 超並列演算素子 光スイッチ素子 負性非線形光学吸収効 果 | 220 420 210 |
1998年 6月号 | 電流変化を高速測定できる集積回路 | NEC | 日経産業新聞 (1998年4月6日PP.5) | イットリウム系高温超電導体 サンプラ SQUID 25K動作で5psごとに2.5μAを識別 | 220 660 |
1998年 6月号 | 画像処理LSI -MPEG-2対応で1チップ- | GCL | 日本工業新聞 (1998年4月2日PP.4) | MPEG-2 | 220 520 |
1998年 6月号 | LSIチップ間の高速信号伝送技術 | 富士通 富士通研 富士通 VLSI | 電波新聞 (1998年4月2日PP.28) | PRDクロック配晶 | 220 230 |
1998年 6月号 | 光使う“半導体”素材 -情報処理速度100〜1000倍に- | HOYA | 日経産業新聞 (1998年3月31日PP.1) | 光の強さで屈折率変化 1kW/cm2で利用可 酸化チタンに直径数十nmの金粒子を分散蒸着 | 220 230 |
1998年 5月号 | 人工網膜チップ | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1998年3月25日PP.5) | 人工網膜 個人認識 | 220 210 |
1998年 4月号 | 携帯電話の小型化可能に | 松下電子 | 日経産業新聞 (1998年2月25日PP.5) | 高移動度 GaAsFET | 220 |
1998年 4月号 | 家庭用高速通信ネット向け IC -2.5Gbpsの信号受信- | NEC | 日本工業新聞 (1998年2月10日PP.17) | 光IC CMOS 高速データ通信 | 220 240 |
1998年 4月号 | 最小幅で2GHz動作のLSI | 東芝 | 日経産業新聞 (1998年2月9日PP.5) | 0.09μm 閾値制御 | 220 |
1998年 4月号 | 1GHZの信号を分配するクロック技術 | NEC | 日経産業新聞 (1998年2月9日PP.5) | クロック分配 ローカルクロック LIS | 220 260 |
1998年 4月号 | 世界最高速IC | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1998年2月5日PP.6) | 遮断周波数100GHz Si系HBT HBT 最大発振周波数100GHz 8psの伝搬遅延時間 40〜50Gbpsの光伝送システム用 | 220 |
1998年 4月号 | DRAM付加価値向上 -内部電源が不用に- | 富士通 | 日経産業新聞 (1998年2月5日PP.5) | シンクロナスDRAM | 230 220 |
1998年 4月号 | DRAMの付加価値向上 -メモリーに論理回路- | NEC | 日経産業新聞 (1998年2月5日PP.5) | ロジック混載DRAM | 230 220 |
1998年 4月号 | 画像圧縮 伸長LSI -MPEG-4に対応- | 東芝 | 日経産業新聞 (1998年2月5日PP.5) 日本工業新聞 (1998年2月5日PP.4) | MPEG-4 LSI | 220 520 |
1998年 3月号 | システムLSI高集積化を実現する新基板構造 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1998年1月22日PP.5) | システムLSI | 220 230 |
1998年 3月号 | 高移動度連続粒界結晶Si半導体 | シャープ半導体エネルギー研究所 | 日本経済新聞 (1998年1月14日PP.13) 日刊工業新聞 (1998年1月14日PP.13) 電波新聞 (1998年1月14日PP.1) 日本工業新聞 (1998年1月14日PP.4) | CGS 液晶 システムオンパネル 電子移動度300cm2/Vs フルディジタル駆動 ディスプレイ シートコンピュータ 連続粒界結晶Si 高移動度 131万画素2.6型TFT液晶 Si 高速LSI | 250 220 |
1998年 3月号 | 地上波デジタル放送の受信用LSI | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1998年1月8日PP.1) | 地上波デジタル放送 受信用LSI 1チップ | 540 220 520 |
1998年 3月号 | 米の次世代地上デジタル放送受像機用半導体チップ | 三菱電機 米ルーセントテクノロジー | 電波新聞 (1998年1月7日PP.1) | 受信用IC 5チップ | 220 520 540 |
1998年 3月号 | ミリ波で動作するGaAsFET | 村田製作所 | 電波新聞 (1998年1月7日PP.7) | GaAsFET 遮断周波数110GHz 以上 0.2μmゲート ヘテロ接合 | 220 |
1998年 3月号 | 自ら回路を組替え蓄えるIC-状況に応じ進化- | 名大 名工大 他 | 日本経済新聞 (1998年1月5日PP.19) | 論理回路 遺伝子アルゴリズム IC 自ら組替え 遺伝的アルゴリズム | 220 520 |
1998年 2月号 | 世界最小のトランジスタ | 京大 富士通研 | 日経産業新聞 (1997年12月17日PP.5) 日本経済新聞 (1997年12月17日PP.11) | 線幅40nm クラスタイオン ホウ素原子の10個の塊をイオン注入 トランジスタ | 160 220 |
1998年 2月号 | 単一電子素子スイッチ | NTT | 日経産業新聞 (1997年12月10日PP.5) 電波新聞 (1997年12月10日PP.2) | 単一電子素子 トンネル効果 電子1個を電流制御 | 220 |
1998年 2月号 | MOSトランジスタ用高信頼ゲート電極構造 -ゲート長0.25μm以下- | NEC | 電波新聞 (1997年12月8日PP.7) | LGP2層 SiOx | 220 160 |
1998年 2月号 | 画像表示用LSI | ヤマハ | 日本工業新聞 (1997年12月8日PP.5) | 画像表示用LSI | 220 |
1998年 2月号 | 情報処理速度10倍に | 米テキサスインスツルメンツ | 日本経済新聞 (1997年12月5日PP.3) | 銅配信 気泡 0.1μm幅 DSP用に開発 | 160 220 |
1998年 1月号 | 超広帯域ベースバンドIC | NEC | 日刊工業新聞 (1997年11月11日PP.7) | 広帯域IC GaAsヘテロバイポーラ(HBT) | 220 |
1998年 1月号 | MPEG-2エンコーダ -1チップ化- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1997年11月10日PP.1) | 動き検出演算量 1/144 画質劣化を抑える | 220 520 |
1998年 1月号 | 単電子トランジスタ -室温動作に成功- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1997年11月6日PP.7) | 単電子トランジスタ オイルミスト EBID | 220 160 |
1997年12月号 | SRAM小型化技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年10月15日PP.5) | トンネル効果 3トランジスタ 負性抵抗 NOSトランジスタ SOI構造 0.35μmプロセス 室温動作 | 220 230 |
1997年12月号 | 超電導チップ -データ交換速度10倍に- | NEC | 日経産業新聞 (1997年10月7日PP.5) | 超電導 | 220 320 |
1997年12月号 | 高速通信網のATM交換機 -超伝導材でスイッチ- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1997年10月3日PP.5) | ATM交換機 ジョセフソン素子 ニオブ 4GHz動作 0.16W -270℃動作 | 220 540 340 |
1997年12月号 | 画像処理IC -多放送方式に対応- | グラフィック ミュニケーション | 日本経済新聞 (1997年10月2日PP.1) | デジタル放送 画像処理 BS-4 | 540 220 520 |
1997年12月号 | コンピュータ機能内蔵のディスク | オプトロム | 日刊工業新聞 (1997年9月29日PP.7) | 光ディスク | 230 220 420 |
1997年11月号 | 160新半導体 -半導体の配線に銅を使用- | IBM | 日本経済新聞 (1997年9月23日PP.11) 読売新聞 (1997年9月24日PP.10) | 銅配線ICの量産技術 高速CMOSロジック用 半導体 同配線 | 220 160 |
1997年11月号 | 超微細MOSトランジスタ -模擬素子で正常動作- | NEC | 電波新聞 (1997年9月12日PP.1) 日経産業新聞 (1997年9月12日PP.5) | ゲート長14nm EJ-MOSFET 2重ゲート構造 10Tbメモリーへ道 10Tb MOS | 220 |
1997年11月号 | 高速通信用LSI基本回路 -消費電力1/5- | NEC | 日経産業新聞 (1997年9月11日PP.5) | フリップフロップ CMOS | 220 |
1997年11月号 | システムLSI -家庭用テレビ ネット家電に- | 米IGS | 日経産業新聞 (1997年9月3日PP.1) | フリッカ解消 方式変換 インタネットテレビ | 320 220 |
1997年11月号 | 脳の機能まねた情報処理ボード | 電総研 | 日経産業新聞 (1997年9月2日PP.5) | ニューラルネット | 520 220 |
1997年11月号 | ディジタルテレビ用チップセット -第2世代機用の開発推進- | フィリップスセミコンダクターズ テラロジック | 電波新聞 (1997年9月1日PP.1) | ディジタルテレビ | 220 520 |
1997年11月号 | MPEG-2コーデック -業界初の1チップ化- | シーキューブ | 日経産業新聞 (1997年9月1日PP.11) | MPEG-2コーデック | 220 520 |
1997年10月号 | 超高速の半導体素子 | ソニー 他 | 日本経済新聞 (1997年8月25日PP.19) | 半導体素子 量子化機能素子 共鳴トンネルダイオード | 220 |
1997年10月号 | マルチメディアプロセッサ | 三菱電機 | 電波新聞 (1997年8月21日PP.11) | マルチメディアプロセッサ DSP | 220 |
1997年 9月号 | 次世代の携帯電話受信用IC | 鷹山 NTTドコモ | 日本経済新聞 (1997年7月28日PP.16) | CDMA ニューロ マッチトフィルタ 消費電力30mW | 220 520 |
1997年 9月号 | 携帯電話向け新型CMOS -1チップ化可能に- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1997年7月28日PP.5) | CMOS メッシュ状配列 | 220 |
1997年 9月号 | LSI消費電力13〜30%低減技術 | 東大 | 日経産業新聞 (1997年7月22日PP.5) | LSI | 220 |
1997年 9月号 | 厚さ最小のLSI用絶縁膜 | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年7月18日PP.6) | LSI 絶縁膜 1.5nm 消費電力1/18 | 220 160 |
1997年 9月号 | 人工網膜 -半導体と生体細胞を合体- | 名大 理化学研 | 日経産業新聞 (1997年7月10日PP.5) | いもり 網膜細胞 | 120 220 210 |
1997年 9月号 | プログレッシブLSI -高画質画像フォーマット変換1チップで実現- | 日立製作所 | 電波新聞 (1997年7月1日PP.1) | プログレッシブLSI スケーリング機能 プログレッシブ | 220 520 |
1997年 8月号 | プロセッサ内蔵ディジタルテレビ | TI | 日経産業新聞 (1997年6月27日PP.9) | DSP ディジタルテレビ | 320 350 220 |
1997年 8月号 | パソコン機能内蔵光ディスクに | オプトロム | 日経産業新聞 (1997年6月26日PP.1) | ディスクに電子回路張付け 電波による給電 光ディスク CPU RAM 通信機能 CPU内蔵光ディスク インテリジェントディスク(ID) | 230 220 420 |
1997年 8月号 | 地上波デジタル放送 -受信機チップで2提携- | 米LSIロジック BBC | 日経産業新聞 (1997年6月20日PP.9) | 地上波デジタル放送 受信機用チップ | 220 520 340 |
1997年 8月号 | 1Vで動作可能AD変換器 | NTT | 日経産業新聞 (1997年6月13日PP.4) | AD変換器 | 220 |
1997年 8月号 | ローパワーLSI技術 | 松下電器産業 NTT | 電波新聞 (1997年6月12日PP.1) | DSP 16bDSP 内部電圧1.2V 20MHz 12mW MTCMOS 最小動作電圧検出 | 220 |
1997年 8月号 | 半導体の超解像技術向け設計支援ソフト -現行の露光技術活用- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1997年6月11日PP.5) 日経産業新聞 (1997年6月25日PP.11) | レベンソン型 学習最適化手法 0.248μmレーザで0.18μm線幅 | 160 620 220 |
1997年 8月号 | MPEG-2デコーダ -動画 音声をソフトのみで実時間復号化- | NEC | 日刊工業新聞 (1997年6月11日PP.5) | MPEG-2デコーダ ソフトウェア | 520 620 220 350 |
1997年 8月号 | SRAM高集積で新技術 -メモリーセル面積最小に- | 富士通 | 日経産業新聞 (1997年6月10日PP.4) | SRAM メモリーセル 高集積 MPU CSI 高絶縁 | 230 160 220 |
1997年 8月号 | 低雑音増幅器用IC -155GHzで利得12.5dB- | 米TRW | 電波新聞 (1997年6月2日PP.2) | InP IC | 220 |
1997年 7月号 | 多値回路用トランジスタ | NEC | 日経産業新聞 (1997年5月19日PP.5) | 負性抵抗 多ピーク 多値回路用トランジスタ GaAs 複数のトンネル接合 3値電流出力 メモリーを試作 | 220 |
1997年 7月号 | 周波数変換回路 -1Vの低電圧動作- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1997年5月16日PP.5) | バイポーラ バランス型ハーモニックミキサー 1V動作可 2.7V用 PHS | 220 |
1997年 6月号 | 新型半導体素子 -電源回路1/5に- | NTT | 日経産業新聞 (1997年4月21日PP.5) | パワーMOSFET | 220 |
1997年 6月号 | 次世代光通信開発進む | NTT KDD | 日本経済新聞 (1997年4月21日PP.19) | ソリトン通信 光通信 SOI構造 100Gbps 20Gbps×4 光ソリトン通信 | 440 220 240 |
1997年 6月号 | MPEG-2対応LSI | ソニー | 日経産業新聞 (1997年4月10日PP.10) | 動画符号化 圧縮装置 MPEG-2 エンコーダ LSI 1チップ化 | 520 220 |
1997年 6月号 | MOSトランジスタ -正常な動作を実証- | NEC | 日経産業新聞 (1997年4月3日PP.5) | ゲート長0.03μm Tb級メモリー 電界印加でソースドレイン領域を作成 | 220 |
1997年 6月号 | 単一電子トランジスタ --170℃で作動- | NEC | 日経産業新聞 (1997年4月2日PP.5) | 単一電子素 メモリー -170℃ AL蒸着 -170℃作動 不揮発性メモリー アルミニウム 単一電子トランジスタ | 220 230 |
1997年 6月号 | 低電圧・高出力のHBT | NEC | 日刊工業新聞 (1997年4月1日PP.6) | ディジタル携帯電話 AlGaAs/GaAs系 金メッキ高熱伝導 3.4V動作 1.4W出力 チップサイズ0.58×0.77 | 220 |
1997年 5月号 | 非同期式MPU | 東大 | 日本経済新聞 (1997年3月17日PP.17) | MPU 非同期式 | 220 |
1997年 5月号 | 高温超電導体利用の高性能計測回路 | NEC | 日経産業新聞 (1997年3月12日PP.5) | サンプラ イットリウム系超電導体 50K 2ps 7.5μV感度 単一量子磁束 | 220 240 |
1997年 5月号 | 無線通信用増幅素子 -Si製で2GHz用実用- | NTT | 日経産業新聞 (1997年3月7日PP.5) | 3V動作 Siバイポーラ 2GHzアンプ 無線LAN 2GHz Si 無線通信 増幅素子 | 220 240 |
1997年 4月号 | カラー動画高速伝送可能な画像圧縮用LSI | 東北大 | 日本経済新聞 (1997年2月24日PP.19) | 電話回線 30画面/s ベクトル量子化 並列処理 | 220 250 |
1997年 4月号 | 弾性表面波素子 -振動への変換効率10倍- | 東北大 | 日経産業新聞 (1997年2月18日PP.5) | 表面弾性波 ニオブ酸カリウム 弾性表面波素子(SAW) 広帯域フィルタ | 220 120 240 |
1997年 4月号 | ディジタルビデオカメラ用 LSI -イメージセンサと画像処理を1チップ化- | 松下電器産業豊橋技科大 | 電波新聞 (1997年2月8日PP.1) 日経産業新聞 (1997年2月13日PP.5) | CMOS 128×128画素 イメージセンサ内蔵 DCT | 210 520 220 |
1997年 4月号 | マルチメディア処理専用 LSI -2つの命令同時に処理- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1997年2月7日PP.5) | LSI DSP | 220 |
1997年 4月号 | 算術論理回路 -0.5Vで駆動- | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年2月6日PP.5) | ALU SOI 0.5V動作 低電圧 | 220 |
1997年 4月号 | 1チップMPEG-2エンコーダLSI | NEC | 電波新聞 (1997年2月6日PP.7) 日本経済新聞 (1997年2月6日PP.13) 日刊工業新聞 (1997年2月6日PP.7) | MPEG-2 エンコーダ 2.5V動作 | 520 220 230 |
1997年 4月号 | 次世代DSP | TI | 日本経済新聞 (1997年2月4日PP.13) 電波新聞 (1997年2月5日PP.5) | DSP 1600MIPS | 220 |
1997年 3月号 | 高性能の光制御FET | 上智大 | 日刊工業新聞 (1997年1月16日PP.7) | 光制御 62.5GHz | 220 240 |
1997年 3月号 | ダイヤモンドトランジスタ-Si基板に形成- | 早大 | 日経産業新聞 (1997年1月8日PP.4) | ダイヤモンド トランジスタ Si基板 2cm角 | 220 120 |
1997年 2月号 | データ駆動型IC -メディアプロセッサ市場に参入- | シャープ | 日経産業新聞 (1996年12月30日PP.1) | データ駆動方式 メディアプロセッサ | 220 |
1997年 2月号 | MPEG-4対応画像処理ボード -次世代の画像圧縮技術- | 松下電器産業 松下電子 | 日経産業新聞 (1996年12月25日PP.1) | MPEG-4 ウェーブレット変換 動画圧縮技術 LSI | 520 220 |
1997年 2月号 | CMOS向け微細化技術 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年12月24日PP.4) | MOS FET 微細化 | 220 160 |
1997年 2月号 | 電圧0.6Vで動作するロジックLSI | シャープ | 日経産業新聞 (1996年12月12日PP.5) | LSI MOS FET ロジックLSI MOS型FET 低電圧動作 0.6V 3層構造チャンネル ゲート膜厚2.8nm 0.6V動作 低漏波電流形状 低電圧 MOSFET | 220 |
1997年 2月号 | 混載LSI向け配線形成技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年12月11日PP.5) 電波新聞 (1996年12月11日PP.5) | プラグ アスペクト比8 ビアホール アルミニウム DRAM MPU | 260 220 230 |
1997年 1月号 | 携帯電話から動画送信できるLSI -1チップで1秒5〜15枚- | NEC | 日経産業新聞 (1996年11月1日PP.5) | 音声用DSP 高速アルゴリズム LSI 低消費電力 | 220 520 |
1996年12月号 | レーザ受光素子-電子回路と一体化 -レーザ受光素子/電子回路と一体化 | NTT | 日経産業新聞 (1996年10月23日PP.4) | レーザ 受光素子 チップ Si電子回路 化合物半導体薄膜 | 160 220 250 |
1996年12月号 | 最高速DSPチップ | 日本ルーセント | 日経産業新聞 (1996年10月9日PP.9) | DSP SRAM | 220 |
1996年11月号 | 多値論理回路試作 | NTT | 日経産業新聞 (1996年9月23日PP.4) | 共鳴トンネル素子 HEMT InGaAs系 多値回路 4値 室温動作 | 220 |
1996年11月号 | LSI高集積化に新絶縁技術-多孔質膜で誤動作防止- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年9月12日PP.5) | SOG中に空孔 誘電率2/3倍 速度25%向上 消費電力27%減 | 160 220 |
1996年10月号 | SOI方式トランジスタ -1〜2割高速化- | 東芝 | 日経産業新聞 (1996年8月27日PP.5) | SOI 速度オーバシュート | 220 |
1996年10月号 | Tb級メモリー | 富士通 | 電波新聞 (1996年8月26日PP.6) | メモリー Tb 共鳴トンネル効果 | 230 220 |
1996年10月号 | 高速画像センサ -センサ自体に圧縮機能- | 東大 NHK | 日経産業新聞 (1996年8月6日PP.5) | センサ 圧縮 | 210 220 |
1996年 9月号 | 新動作原理のMOSFET | 北大 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1996年7月11日PP.6) | MOSFETのゲート部に微小コンタクト追加 ゲート長1.3μm バイポーラトランジスタ MOS バイポーラ FET | 220 |
1996年 9月号 | 超電導体の薄膜技術でジョセフソン効果 | 三洋電機 | 日経産業新聞 (1996年7月10日PP.4) 電波新聞 (1996年7月10日PP.1) | ジョセフソン素子 85Kでも高速スイッチング タリウム系 伝搬遅延0.05ps 薄膜 超電導 | 220 140 |
1996年 9月号 | X線による微細加工技術 -半導体基板上に0.07μm幅の溝- | NTT | 日本経済新聞 (1996年6月29日PP.12) | 半導体 64Gbメモリー X線 微細加工 | 220 160 230 |
1996年 8月号 | 高速光通信用IC -40Gb/Sの信号増幅- | NEC | 日経産業新聞 (1996年6月26日PP.5) | 光通信 増幅 IC | 220 |
1996年 8月号 | 単一電子素子 | 東大 | 日経産業新聞 (1996年6月24日PP.5) | Si 単一電子素子 | 220 160 |
1996年 8月号 | Siで次世代素子 -混載LSI実現に道- | 東芝 | 日経産業新聞 (1996年6月24日PP.5) | トンネル効果 Si | 220 |
1996年 8月号 | 漢字認識率99.9%のニューロLSI | 松下電器産業 | 電波新聞 (1996年6月14日PP.5) 日経産業新聞 (1996年6月14日PP.1) 日刊工業新聞 (1996年6月14日PP.11) | 適応増殖型ディジタルニューロLSI 認識率99.9% 50文字/s 適応増幅型 ニューロ 3000字学習時認識率99.9% 1チップで16384字認 識 | 520 220 |
1996年 8月号 | 高速転送技術 -DRAMと論理回路混戦- | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1996年6月14日PP.11) | DRAM 論理回路 高速転送 | 230 220 |
1996年 8月号 | 超高速LSI配線技術 | NEC | 日刊工業新聞 (1996年6月12日PP.8) | 超高速LSI 配線技術 低誘電率 | 260 220 |
1996年 8月号 | MOS電界効果のトランジスタ -半導体素子の不純物混入- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年6月12日PP.5) | プラズマドーピング | 220 260 |
1996年 8月号 | アナログ回線でリアルタイム動画伝送する半導体 | ドーム ローム 東北大 | 日経産業新聞 (1996年6月5日PP.1) | アナログ回路 圧縮 動画伝送 | 340 520 220 |
1996年 8月号 | MPEG-1の動画圧縮慎重LSI -世界初の1チップ化- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1996年6月5日PP.11) | MPEG-1 リアルタイムコーデック 1チップLSI | 220 520 |
1996年 8月号 | STB用チップセット | 米LSIロジック | 日経産業新聞 (1996年6月3日PP.11) | ディジタル衛星放送 セットトップボックス チップセット デコーダ | 220 340 |
1996年 8月号 | SQUID利用の信号計測回路 | NEC | 日経産業新聞 (1996年6月3日PP.5) | サンプラー 3.5ps 50μV | 220 |
1996年 8月号 | 超電導量子干渉素子 -高温超電導体利用- | NEC | 日経産業新聞 (1996年6月3日PP.5) | SQUID レーザアブレーション | 220 160 |
1996年 7月号 | Siで新素子 -消費電力1/10以下に- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年5月31日PP.4) | Si半導体 共鳴トンネル効果 消費電力1/10以下 | 220 |
1996年 7月号 | DVD対応LSI -MPEG-2デコーダ1チップ化- | 松下電器産業 松下電子 | 電波新聞 (1996年5月14日PP.1) 日経産業新聞 (1996年5月14日PP.9) | DVD MPEG-2デコーダ LSI | 220 520 |
1996年 7月号 | 高温超電導素子 | 超電導工学研 | 日経産業新聞 (1996年5月9日PP.5) | 高温超電導 論理回路 4.2〜30Kで5ns | 220 |
1996年 7月号 | CMOSで1Gbpsのデータ伝送 | LSIロジック | 日経産業新聞 (1996年5月8日PP.1) | CMOS 超高速データ伝送 ASIC用コアロジック 送受信を4線で イーサネット ATM対応 シリアルリンク | 220 240 540 |
1996年 6月号 | 電極に超電導材料採用のトランジスタ | 慶大 | 日経産業新聞 (1996年4月19日PP.5) | 超電導 電界効果トランジスタ | 220 120 |
1996年 6月号 | 非同期式32ビットプロセッサ-RISCの5倍速- | 東工大 | 日経産業新聞 (1996年4月16日PP.5) | 非同期式 32b 処理能力5倍 | 220 |
1996年 6月号 | 連想メモリー | NTT 東北大 | 日本経済新聞 (1996年4月13日PP.10) | 連想メモリー 演算処理機能 | 230 220 |
1996年 5月号 | 32ビットRISC型マイコン-8MbDRAM内蔵- | 三菱電機 | 電波新聞 (1996年3月13日PP.6) | マイコン DRAM | 220 230 |
1996年 5月号 | 真空マイクロ素子 | 電総研 | 日経産業新聞 (1996年3月27日PP.5) | 平面ディスプレイ 真空マイクロ素子 微細加工技術 安定動作 FET構造 冷陰極 | 220 250 260 |
1996年 4月号 | 波長多重通信用フィルタ素子-分離光自由に選択- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年2月20日PP.5) | 光フィルタ 屈折率温度変化を利用 偏光ビームスプリッタの一種 100波長多重通信 光フィルタ素子 波長多重通信 | 220 240 440 |
1996年 4月号 | 光通信の信号処理用IC -SiCMOSで作製- | NEC | 日経産業新聞 (1996年2月16日PP.5) | 光通信 Si LSI CMOS MUX/DEMUX 3Gbps | 220 240 |
1996年 4月号 | パソコン画像にIC1個でテレビ変換 | 米アイテックインターナショナル | 日経産業新聞 (1996年2月11日PP.1) | スキャンコンバータ | 320 220 |
1996年 4月号 | ミリ波フリップチップIC技術 -50GHz帯MFICアンプ試作- | 松下電器産業 松下電子 | 電波新聞 (1996年2月10日PP.1) | 誘電体 ミリ波 MFIC | 220 260 |
1996年 4月号 | 高集積メモリー -ISSC開幕,LSI閾値制御競う- | 三菱電機 東芝 NEC NTT | 日経産業新聞 (1996年2月9日PP.4) 電波新聞 (1996年2月9日PP.1) 日刊工業新聞 (1996年2月9日PP.6) 日刊工業新聞 (1996年2月9日PP.9) 日刊工業新聞 (1996年2月16日PP.5) 日経産業新聞 (1996年2月19日PP.5) | DRAM 1Gb シンクロナスDRAM 8bADC 1.5V動作 15MSPS 8mW 3揮発性メモリー 1Mb 変調閾値制御 閾値 CMOS DCT ADC | 230 220 660 520 |
1996年 4月号 | 次世代端末用LSI | NTTドコモ 鷹山 | 日経産業新聞 (1996年2月6日PP.1) | CDMA ディジタル携帯電話 アナログ ニューロ | 520 220 |
1996年 3月号 | サブミリ波受信超電導素子 | 通信総研 | 日経産業新聞 (1996年1月24日PP.5) | サブミリ波 超電導素子 超電導 305GHz サブミリ波受信 SIS構造 | 220 240 |
1996年 3月号 | 最高速バイポーラトランジスタ -Si使い最高速素子- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1996年1月9日PP.5) | バイポーラ 70GHz Siトランジスタ Woベース電極 バイポーラトランジスタ 遅延時間14.3/s | 220 260 |
1996年 2月号 | 低電圧で低歪み高出力HBT | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年12月20日PP.7) | HBT GaAs 低電圧 低歪み 2Vで1W | 220 |
1996年 2月号 | 低電圧動作のFET -パワートランジスタ電池1本,1.2Vで駆動- | NEC 松下電子 | 日本工業新聞 (1995年12月14日PP.1) 日経産業新聞 (1995年12月20日PP.5) | 電力増幅用FET 低電圧 携帯電話 1.5V動作 FET V型ゲート 1Vで1.2W | 220 |
1996年 2月号 | 新DRAMセル構造 -MPUとDRAMの混載容易に- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年12月12日PP.7) 電波新聞 (1995年12月12日PP.6) | DRAM MPU 裏面配線 セル構造 CMP(研磨平坦化) 多層配線 | 230 160 220 260 |
1996年 2月号 | 世界初ゲート長0.1μmの非対称NMOSトランジスタ -世界で初めて開発- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1995年12月9日PP.1) | ゲート長0.1μm 非対称NMOSトランジスタ 1.5V動作 | 220 |
1996年 2月号 | 新音声圧縮符号化方式の16bDSP | 松下電子 | 電波新聞 (1995年12月6日PP.2) | 音声圧縮符号化 CS-ACELP 8kbpsコーデック DSP | 520 220 |
1996年 2月号 | 多値トランジスタ -電流値量子化を確認- | NTT | 日経産業新聞 (1995年12月1日PP.5) | 電流量子化 0.01K 3ビット分を確認 量子トランジスタ 8段階3ビット | 220 120 |
1996年 1月号 | 高出力HBT -26GHz帯送信用デバイス固体化に道- | NEC | 日刊工業新聞 (1995年11月8日PP.7) | ミリ波 高出力HBT 26GHz帯 ミリ波電力増幅器 HBT 高出力 固体化 | 220 |
1995年11月号 | マルチ デマルチプレクサLSI -超低電圧 高速化に成功- | NEC | 日刊工業新聞 (1995年9月21日PP.7) | 0.7V 2.4Gbps MUX/DEMUX | 220 |
1995年11月号 | 高温超電導材で論理回路 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1995年9月20日PP.5) | 磁束量子パラメトロン ジョセフソン素子 高温超電導材料 論理回路 高周波通信 | 120 220 |
1995年11月号 | 超電導体ミキサアンテナ一体型周波数変換器 -数THzまで対応可能- | 超電導工学研 | 日経産業新聞 (1995年9月5日PP.5) | 高温超電導体 超電導 100GHz 周波数変換器 ミキサアンテナ 数THz | 220 120 240 |
1995年11月号 | ダイヤ使う高性能ダイオード -平坦な薄膜合成に成功- | 電総研 | 日刊工業新聞 (1995年9月1日PP.5) 日経産業新聞 (1995年9月1日PP.5) | ダイヤモンド ダイオード プラズマエッチング | 160 220 |
1995年10月号 | 高温超電導下ジョセフソン効果観測技術 | NTT | 電波新聞 (1995年8月29日PP.2) 日経産業新聞 (1995年8月29日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年8月29日PP.6) | ジョセフソン素子 4.2〜80K超電導 高速新デバイスに道 高温超電導体 トンネル効果 | 220 120 660 |
1995年10月号 | 0.15μmのCMOS -世界最高速- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1995年8月22日PP.1) | シングルゲート構造 ゲート遅延15.4ps | 220 |
1995年 9月号 | 窒化アルミ製マルチチップモジュール | 京セラ | 電波新聞 (1995年7月29日PP.5) | マルチチップモジュール 20層 1テラFLOPS | 260 220 |
1995年 9月号 | 高速光通信用素子 -レーザと変調器一体化- | NEC | 電波新聞 (1995年7月7日PP.10) 日経産業新聞 (1995年7月7日PP.4) 日刊工業新聞 (1995年7月7日PP.6) | レーザ 光変調器 光伝送 300km 変調器とレーザ一体化 2.5Gbps 6W出力 | 250 240 220 |
1995年 9月号 | 3次元画像処理LSI | 富士通 | 電波新聞 (1995年7月4日PP.5) | 画像処理 LSI | 520 220 |
1995年 8月号 | 高速トランジスタの電極形成技術 -16GbDRAMに対応- | 東芝 | 日経産業新聞 (1995年6月27日PP.5) | トランジスタ電極 ゲート抵抗1/10 | 220 160 |
1995年 8月号 | 世界初の200V級限流素子 | 三菱電機 | 電波新聞 (1995年6月15日PP.1) 日経産業新聞 (1995年6月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年6月15日PP.9) | 限流素子 400Aを12Aに 超電導 | 220 |
1995年 8月号 | X線反射鏡 -均一照射領域を20倍に- | ニコン | 日経産業新聞 (1995年6月13日PP.5) | X線 | 220 160 |
1995年 8月号 | 京都の「LSIシンポジウム」開幕 -DRAMの省電力化- | 東芝 三菱電機 NEC | 日経産業新聞 (1995年6月11日PP.4) | DRAM ビット線の小電力ドライブ手法 | 220 230 |
1995年 8月号 | 超高速64b浮動小数点乗算器 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1995年6月9日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年6月9日PP.5) | 最大286MHz 乗算器 CG | 220 520 |
1995年 8月号 | 変速再生できるMPEG-1デコーダLSI -動画像再生4倍速でも滑らか- | 三洋電機 | 電波新聞 (1995年6月8日PP.2) 日経産業新聞 (1995年6月8日PP.5) | MPEG-1 変速再生 IC | 520 220 |
1995年 8月号 | 0.075μmP型MOS -短チャンネルの効果抑制- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1995年6月7日PP.7) | 新構造 ゲート長0.075μm 相互コンダクタンス42ms/mm 0.075μmP型MOS 電流高駆動能力 | 220 520 160 |
1995年 8月号 | ギガヘルツ対応0.07μmCMOS | NEC | 電波新聞 (1995年6月6日PP.7) 日刊工業新聞 (1995年6月6日PP.9) 日経産業新聞 (1995年6月6日PP.5) | ゲート長0.07μm 低電源電圧1.5V 3.5nm接合 CMOS 遅延時間19.7ps DRAM 16Gbps | 220 520 160 |
1995年 8月号 | ミリ波を雑音半減で増幅できるIC | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1995年6月2日PP.1) | ミリ波 集積回路 低雑音増幅器 | 220 |
1995年 7月号 | SOI型トランジスタ -耐久性向上・実用化へ- | 東芝 | 日経産業新聞 (1995年5月17日PP.5) | ゲルマニウムイオン注入 高耐圧 SOI SOI型トランジスタ | 220 |
1995年 7月号 | ヘテロ接合FETを搭載した衛星用増幅器 -高出力 高効率- | NEC | 電波新聞 (1995年5月12日PP.1) 日経産業新聞 (1995年5月12日PP.5) 日本工業新聞 (1995年5月12日PP.2) 電波新聞 (1995年5月12日PP.5) | 高周波IC 通信衛星 FET 12GHz 10W | 220 240 |
1995年 6月号 | 動きベクトル検出LSI | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1995年4月28日PP.5) | 動きベクトル検出LSI MPEG-2 | 520 220 |
1995年 6月号 | 単電子トンネルトランジスタ | 東洋大 | 日刊工業新聞 (1995年4月21日PP.5) | 単電子トランジスタ | 220 |
1995年 6月号 | 面方位異なる半導体材料接着技術 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1995年4月7日PP.5) | OEIC 半導体レーザ | 220 160 |
1995年 6月号 | 1.5V動作のFET | NEC | 日経産業新聞 (1995年4月5日PP.5) | 1.5V動作 ヘテロ接合 | 220 |
1995年 5月号 | EDTV-II識別信号検出用IC | 東芝 | 電波新聞 (1995年3月25日PP.5) | EDTV-II | 420 220 |
1995年 5月号 | 新しい画像認識システム -人工網膜チップで立体認識- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1995年3月28日PP.1) | 人工網膜チップ 光ニューロチップ 立体認識 画像認識システム 画素サイズ80μm 人工網膜 ニューロチップ | 220 540 210 520 |
1995年 5月号 | Si基板採用の人工網膜チップ -30倍速で画像検出- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1995年3月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年3月15日PP.9) 電波新聞 (1995年3月15日PP.1) | 人工網膜チップ 画素サイズ60μm 撮像素子 画像認識 MOSセンサ | 210 220 520 |
1995年 4月号 | MPEG-2デコーダLSI -量産体制確率- | NEC | 電波新聞 (1995年2月25日PP.6) | MPEG2 デコーダIC LSI IC | 220 520 |
1995年 4月号 | 交換機関伝送用LSI -光信号で交換機直結- | NTT | 日経産業新聞 (1995年2月24日PP.5) | 光伝送 光スイッチ LSI 交換機 3.5Gbps | 340 240 220 |
1995年 4月号 | MPEG-2対応動画圧縮 IC | 三菱電機 | 日本経済新聞 (1995年2月18日PP.10) 電波新聞 (1995年2月20日PP.7) 日刊工業新聞 (1995年2月20日PP.6) | MPEG2 エンコーダ 動きベクトル検出 LSI 符号化 | 520 220 |
1995年 4月号 | 次世代マイクロチッププロセッサ | 米インテル | 電波新聞 (1995年2月18日PP.2) | CPU P6 MPU | 220 |
1995年 4月号 | 超電導光データ処理装置 -画像処理高速化に有望- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1995年2月10日PP.5) | ジョセフソン回路 超電導素子 光伝送 超電導 画像処理 | 220 |
1995年 3月号 | Si結晶の表面構造変化 -電気抵抗1/1000に激減- | 東大 | 日経産業新聞 (1995年1月20日PP.5) | Si 結晶表面構造 電気抵抗1/1000 Si結晶の表面構造変化 Si結晶 結晶構造 超微細集積回路 | 120 160 220 |
1995年 3月号 | 光電変換素子 -工程を半減- | NTT | 日経産業新聞 (1995年1月18日PP.5) | 光電変換素子 | 220 |
1995年 3月号 | 新型ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | 東工大 | 日本工業新聞 (1995年1月18日PP.11) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ 炭素の添加で安定性向上 | 220 |
1995年 3月号 | 光電子集積回路 -InP結晶をSi上に直接接合- | NEC | 日刊工業新聞 (1995年1月10日PP.7) | InP結晶 光電子集積回路 | 220 120 |
1995年 2月号 | 単電子トランジスタ | NTT | 日経産業新聞 (1994年12月16日PP.5) 電波新聞 (1994年12月16日PP.2) 日刊工業新聞 (1994年12月16日PP.7) 日本工業新聞 (1994年12月16日PP.8) | 単電子トランジスタ 量子効果現象 室温動作 | 220 |
1995年 2月号 | 1GbDRAM用超小型トランジスタ | 松下電器産業 三菱電機 | 日経産業新聞 (1994年12月14日PP.5) | 13.1ps/1.5V 1GbDRAM 松下ゲート長:0.05μm 三菱ゲート長:0.15μm 加工技術 | 220 230 160 |
1995年 2月号 | 1GbDRAMのセル | NEC 日立製作所 | 日経産業新聞 (1994年12月13日PP.5) 電波新聞 (1994年12月13日PP.1) 日刊工業新聞 (1994年12月13日PP.7) 日本工業新聞 (1994年12月13日PP.8) 電波新聞 (1994年12月11日PP.5) | 1GbDRAM 基本単位素子 線幅0.16μm DRAM | 230 220 160 |
1995年 2月号 | GaAsヘテロバイポーラトランジスタ | 富士通研 | 電波新聞 (1994年12月13日PP.7) 日刊工業新聞 (1994年12月13日PP.6) | トランジスタ 3.5V動作 寿命100年 | 220 |
1995年 2月号 | 世界最高速の省電力MOSトランジスタ | 東芝 | 朝日新聞 (1994年12月9日PP.13) 電波新聞 (1994年12月9日PP.2) 日経産業新聞 (1994年12月9日PP.5) | MOSトランジスタ 膜厚1.5nm 1.5V動作 1〜4GbDRAM ゲート長0.09μm 省電力 | 220 |
1995年 2月号 | MPEG2対応LSI | パイオニア | 日刊工業新聞 (1994年12月6日PP.9) | MPEG2 デコーダLSI | 220 520 |
1995年 2月号 | スペクトラム拡散方式の汎用IC | 日本ビクター ローム | 電波新聞 (1994年12月1日PP.2) 日本工業新聞 (1994年12月1日PP.8) 日刊工業新聞 (1994年12月1日PP.8) 日経産業新聞 (1994年12月7日PP.8) | スペクトル拡散通信 IC | 440 220 |
1995年 1月号 | 32bRISCプロセッサ | NEC | 電波新聞 (1994年11月26日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年11月26日PP.5) | 100MHz動作で100MIPS 画像伸長等をソフトで | 220 520 |
1995年 1月号 | 90MHz帯1チップMMIC増幅器 | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年11月25日PP.5) 日経産業新聞 (1994年11月25日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年11月25日PP.7) | ミリ波増幅器 90GHz HEMT ゲート長0.15μm 高速IC MMIC 雑音3.4dB 利得8.7dB 環境衛星用 | 220 240 |
1995年 1月号 | ミリ波受信IC | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年11月2日PP.6) 日経産業新聞 (1994年11月2日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年11月2日PP.8) | ミリ波 衛星 100GHz 超電導IC ミキサ用 フィルタ不要 | 220 440 |
1994年12月号 | 周波数安定化発振回路 -55GHz帯で出力2.3mW- | ミリウェイブ NEC | 日刊工業新聞 (1994年10月26日PP.9) | ミリ波帯 55GHz 2.3mW MMIC | 440 220 |
1994年12月号 | 人工網膜チップで文字認識 -文字認識率99.99%- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1994年10月24日PP.5) | 人工網膜チップ 文字認識 認識率99.99% 感度可変受光素子 高速:3μs スピード1万倍 ニューラルネットワーク パターン認識 パターンマッチング 高精度 | 520 210 220 |
1994年12月号 | SiGe系HBT -20Gbpsと最高速- | NEC | 日刊工業新聞 (1994年10月14日PP.7) | Si Ge系HBT | 440 220 |
1994年12月号 | ディジタルオーディオ -16ビット信号を20ビットに- | 日本ビクター | 電波新聞 (1994年10月8日PP.1) | ビット再生 IC | 520 220 |
1994年12月号 | GaAsHBTIC -40Gbpsの超高速処理,次世代光通信に道- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1994年10月4日PP.6) | 光通信 GaAsHBTIC | 220 340 |
1994年12月号 | ゴースト除去用フィルタを1チップ化したLSI | NEC NEC-HE | 電波新聞 (1994年10月1日PP.2) 日刊工業新聞 (1994年10月1日PP.6) | フィルタ LSI | 340 220 |
1994年11月号 | スペクトラム拡散通信用 LSI | ローム | 日経産業新聞 (1994年9月21日PP.1) 電波新聞 (1994年9月22日PP.17) | スペクトラム拡散通信 LSI | 220 340 440 |
1994年11月号 | 二重障壁構造の量子井戸 -1テラメモリーに道- | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1994年9月19日PP.15) | 単結晶Si 共鳴トンネル現象 | 220 230 |
1994年10月号 | 10nm幅のSi細線 - -173℃で量子効果- | NTT | 日経産業新聞 (1994年8月26日PP.5) | Si細線 量子効果 極細構造 | 160 220 |
1994年10月号 | GaAsFETパワーアンプ | 太陽誘電 | 電波新聞 (1994年8月24日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年8月24日PP.9) | FET 800MHz帯 | 220 |
1994年10月号 | 1Gb以上対応トランジスタ | NEC | 日本工業新聞 (1994年8月16日PP.5) | 0.1μmプロセス DRAM 1GbDRAM以上 トンネル効果を利用 | 220 230 |
1994年 9月号 | 符号化,複合化LSI -2国際標準に準拠- | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1994年7月26日PP.9) | JBIG JPEG QM-Coder 圧縮 伸長用LSI | 220 520 |
1994年 9月号 | テレビ信号処理用1チップIC | 東芝 | 電波新聞 (1994年7月8日PP.7) | テレビ受信機 | 220 350 |
1994年 9月号 | 高速FET -ゲート電極,長さ0.1μm- | NEC | 日経産業新聞 (1994年7月5日PP.5) | 高速FET ゲート電極 長さ0.1μm 従来構造の1.5倍 大容量DRAM | 220 |
1994年 9月号 | 高性能電波望遠鏡 -600GHz微弱信号をキャッチ- | 通信総研 | 日経産業新聞 (1994年7月1日PP.5) | 受信素子 超電導薄膜素子 SIS構造 電波望遠鏡 600GHz 無線通信 超高周波 低雑音 | 340 220 120 210 |
1994年 8月号 | T型トランジスタ-ゲート電極,長さ70nmに- | NEC | 日経産業新聞 (1994年6月21日PP.4) | ゲート電極 長さ70nm 増幅率ほぼ2倍 高効率 FET ゲート長70nm 電界効果型トランジスタ | 220 |
1994年 8月号 | GaAsパワーモジュール | 松下電子 | 電波新聞 (1994年6月17日PP.6) | 低電圧動作(3.5V) 30.5dBm/800〜900MHz | 220 |
1994年 8月号 | 2.488GHz マルチ デマルチLSI | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年6月14日PP.6) 日経産業新聞 (1994年6月14日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年6月14日PP.9) | LSI 2.488GHz対応マルチ,デマルチ | 220 240 |
1994年 8月号 | 金属酸化物でIC基板 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1994年6月9日PP.1) | IC基板 透明 金属酸化物 無電源記憶保持 チタン酸ストロンチウム | 120 220 230 |
1994年 8月号 | 高出力GaAsFET -信頼性10倍に向上- | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年6月3日PP.5) 日経産業新聞 (1994年6月3日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年6月3日PP.5) | GaAs 高出力 FET 18GHz 9.5dB 0.5W/18GHz 18GHz帯GaAsFET 出力500mW マイクロ波通信 | 220 |
1994年 7月号 | 500℃の環境に耐えるIC -高温電子デバイスの製造に道- | 米ゼネラルエレクトリック | 日経産業新聞 (1994年5月31日PP.4) | シリコンカーバイド 高温デバイス | 120 220 |
1994年 7月号 | トランジスタ470万個搭載60MHz版MPU | 仏ブル社 | 電波新聞 (1994年5月24日PP.4) | トランジスタ470万個の集積度 | 220 |
1994年 7月号 | GaAsパワーMMIC -1.9GHzディジタル移動体通信用- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1994年5月24日PP.1) | GaAsIC | 220 |
1994年 7月号 | ミリ波帯高出力ヘテロ接合FET -ミリ波帯で高出力実現- | NEC | 日刊工業新聞 (1994年5月10日PP.6) | 衛星用ヘテロ接合FET 23GHz帯 0.3W(2段) | 220 |
1994年 7月号 | ジョセフソン素子利用RAM | NEC | 日本経済新聞 (1994年5月7日PP.10) | 4kbRAM 4K 95mW(1/1000に) | 230 220 |
1994年 6月号 | 1チップで1W出力のHBT | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1994年4月23日PP.2) | HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ) | 220 |
1994年 6月号 | 新概念の量子効果IC -電極も配線も不要に- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1994年4月8日PP.6) | 量子効果 LSI 量子効果IC 配線不要 シミュレーション 量子効果集積回路 | 220 |
1994年 6月号 | カオス神経回路網IC | 東大 電機大 コロンビア大 | 日経産業新聞 (1994年4月4日PP.5) | カオス神経回路網 ニューロ素子9個集積 カオス ニューラルネットワーク | 520 220 |
1994年 5月号 | ディジタルビデオ圧縮の4方式対応デコーダ | Cキューブ | 電波新聞 (1994年3月28日PP.2) | 帯域圧縮 | 520 220 |
1994年 5月号 | 人工蛋白質で電子素子 -半導体チップ越す集積度- | 三菱電機 サントリー | 日経産業新聞 (1994年3月24日PP.1) | 電子素子 バイオテクノロジ チトクロームC552 1Tbメモリー 分子素子 半導体超える集積度 バイオ素子 ダイオード/スイッチ材料 有機電子素子 蛋白質 | 160 120 220 |
1994年 5月号 | 音声認識DSP -一度に音声1000単語を認識- | NEC | 日刊工業新聞 (1994年3月23日PP.7) 電波新聞 (1994年3月24日PP.5) | 音声認識 認識単位半音節 | 520 220 |
1994年 5月号 | 強誘電体トランジスタ -書換え1兆回実現- | ローム | 日刊工業新聞 (1994年3月16日PP.7) 電波新聞 (1994年3月16日PP.1) | 新型メモリー 書換え1兆回 強誘電体素子 強誘電トランジスタ | 220 |
1994年 4月号 | 世界最高出力の電導冷却型進行波管 -総合効率65%達成- | NEC | 電波新聞 (1994年2月28日PP.1) | 進行波管 製品化 170W 総合効率65% | 220 |
1994年 4月号 | 動画記録に最適の256MbDRAM -データ転送速度1.6Gb- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1994年2月18日PP.1) 日刊工業新聞 (1994年2月18日PP.7) | 256MDRAM 動画像記憶用 動作速度100MHz DRAM | 220 230 |
1994年 4月号 | 動画像認識用高並列画像処理LSI -世界最高速を実現- | NEC | 電波新聞 (1994年2月18日PP.1) 日刊工業新聞 (1994年2月18日PP.7) | 画像処理LSI 高並列画像処理LSI 3.84GIPS 0.55μm 80MHz 動画像認識LSI 画像認識 | 220 520 |
1994年 4月号 | 1.2V動作A/D変換器 | 日立製作所 | 電波新聞 (1994年2月17日PP.1) 日経産業新聞 (1994年2月17日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年2月17日PP.9) | A/D変換器 1.2V動作 | 220 |
1994年 4月号 | 第2世代量子効果トランジスタMERHET -1素子で論理動作- | 富士通 | 電波新聞 (1994年2月17日PP.6) 日刊工業新聞 (1994年2月17日PP.7) | 量子効果トランジスタ ME(マルチエミッタ) LSIを1/10小型化 RHET(共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタ) | 220 |
1994年 4月号 | 20Gbpsの光通信用IC -超高速光基幹通信システム向け- | 東芝 | 電波新聞 (1994年2月17日PP.2) | 光通信用IC | 220 240 |
1994年 4月号 | 32bRISCコアマイクロプロセッサ -最小エネルギーを世界最高速実現- | NEC | 電波新聞 (1994年2月16日PP.1) | 220 | |
1994年 4月号 | 光受信器用IC | NEC | 電波新聞 (1994年2月15日PP.6) 日刊工業新聞 (1994年2月15日PP.9) 日本工業新聞 (1994年2月15日PP.7) | IC 光受信器 20Gb対応 | 220 240 |
1994年 4月号 | MPEG-2対応DSP | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1994年2月17日PP.9) | MPEGIC MPEG-2 DSP | 220 520 320 |
1994年 4月号 | MPEG-2対応IC -1チップでHDTV並み画質を復元- | 東芝 | 電波新聞 (1994年2月15日PP.1) 日経産業新聞 (1994年2月15日PP.9) 日刊工業新聞 (1994年2月15日PP.9) | MPEGIC 15mm×15mm CMOS MPEG-2復号LSI 0.5μm 70MHz MPEG-2 HDTV | 220 520 320 |
1994年 4月号 | MPEG-2対応DSP -世界初の1チップ化- | 米TI | 日経産業新聞 (1994年2月15日PP.1) | MPEGIC MPEG対応LSI 400万トランジスタ 初の1チップ化 MPEG-2 DSP | 220 520 320 |
1994年 3月号 | 次世代RISCプロセッサ -処理速度10倍以上- | 米ヒューレットパッカード | 日刊工業新聞 (1994年1月24日PP.10) | 縮小命令型コンピュータプロセッサ VLIW方式 | 220 320 |
1994年 3月号 | 磁束量子パラメトロン | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1994年1月24日PP.5) | 磁束量子パラメトロン 36GHz-269℃ | 220 |
1994年 3月号 | ATM制御用ICセット | 富士通 | 日経産業新聞 (1994年1月21日PP.1) | ATM用IC 156Mbps 4セット | 220 540 |
1994年 3月号 | ミリ波IC | NEC ミリウェイブ | 日経産業新聞 (1994年1月11日PP.4) | ミリ波IC 60GHz 37mW出力 | 220 |
1994年 3月号 | 新型バイポーラトランジスタ -低消費電力で高速動作- | NTT | 日経産業新聞 (1994年1月4日PP.4) | バイポーラトランジスタ(HBT) InGaAs 遮断周波数176GHz InP/InGaAs 2.3mA/163GHz | 220 |
1994年 2月号 | 高精細画像符号化LSI -12ビット画像圧縮に対処- | 富士通 | 電波新聞 (1993年12月20日PP.7) | 高精細画像符号化LSI JPEG拡張機能対応 | 220 520 |
1994年 2月号 | 寿命100倍の新構造トランジスタ | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1993年12月10日PP.5) | 窒素イオン注入 | 260 220 |
1994年 2月号 | 光電子集積回路 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年12月8日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月8日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年12月8日PP.9) | 面発光レーザ 光IC OEIC 面積1/3 0.9mm角 光ネットワーク制御 | 220 240 250 |
1994年 2月号 | 単一電子メモリー -室温動作に成功- | 日立製作所 | 電波新聞 (1993年12月8日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月8日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年12月8日PP.9) 日本工業新聞 (1993年12月8日PP.6) | メモリー 初の室温動作 16Gb級 電子1個で1b記録 1カ月のメモリー Si結晶粒子 | 230 220 |
1994年 2月号 | 共鳴トンネルトランジスタ -金属と絶縁体で試作- | 東工大 | 日経産業新聞 (1993年12月6日PP.5) | 共鳴トランジスタ | 220 |
1994年 2月号 | 世界最小MOSトランジスタ -ゲート長世界最小実現- | 東芝 | 電波新聞 (1993年12月3日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月3日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年12月3日PP.7) 日本工業新聞 (1993年12月3日PP.6) | MOSトランジスタ ゲート長0.4μm 超微細加工技術 世界最小 100GbpsのDRAM 1.5V動作 従来ゲート長0.07μm 固層拡散法 | 220 260 |
1994年 1月号 | 12bファジィチップ | TIL | 日経産業新聞 (1993年11月29日PP.1) | ファジィ 高速ファジィチップ 処理速度20〜30倍 | 520 220 |
1994年 1月号 | 世界トップレベルのミリ波HEMT | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1993年11月19日PP.7) 電波新聞 (1993年11月19日PP.6) | ミリ波帯用HEMT 雑音指数0.9dB 増幅率9dB InP基板 60GHz | 220 |
1994年 1月号 | 両面チップIC | 三井ハイテック 米インテル | 日経産業新聞 (1993年11月9日PP.1) | 薄型IC製造技術 記憶容量2倍 DDTSOPパッケージ フラッシュメモリー リードフレーム 両面実装 | 220 260 230 |
1993年12月号 | 小電力・超高速のHJHET | NEC | 日刊工業新聞 (1993年10月26日PP.6) | GaAsLSI技術 HJHET 10Gbps 0.8V 18mW | 220 |
1993年12月号 | 共鳴ホットエレクトロントランジスタ | 富士通 | 日経産業新聞 (1993年10月26日PP.5) 日経産業新聞 (1993年10月29日PP.5) | トランジスタ 記憶素子 量子効果 ダブルエミッタRHET メモリー 5×7μm | 220 230 |
1993年12月号 | 光IC型光増幅素子 -1cmで25倍の光増幅- | 豊橋技科大 | 日刊工業新聞 (1993年10月21日PP.7) | 装荷型導波路 光IC型 光増幅素子 25倍/cm | 220 240 |
1993年12月号 | 1チップ画像処理LSI | シャープ | 日経産業新聞 (1993年10月9日PP.1) | 画像処理LSI 静止画 動画対応 | 520 220 |
1993年12月号 | 人工網膜チップを使ったインテリジェントカメラ | 三菱電機 | 電波新聞 (1993年10月1日PP.2) 日経産業新聞 (1993年10月1日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年10月1日PP.8) | 画像処理 人工網膜チップ インテリジェントカメラ | 310 220 520 |
1993年11月号 | 表面トランジスタ -ギガビット級に道- | NEC | 日経産業新聞 (1993年9月27日PP.5) 日本経済新聞 (1993年9月27日PP.19) | ギガビット級LSI STT トンネル効果 | 220 |
1993年11月号 | LSIの障害電波抑制技術 | 松下電子 | 日経産業新聞 (1993年9月2日PP.1) | 不要電波抑制 強誘電体薄膜 | 120 220 |
1993年11月号 | カラー静止画像圧縮・伸長LSI | 三菱電機 | 電波新聞 (1993年9月2日PP.6) | 符号化 JPEG準拠 30フレーム/s | 520 220 |
1993年11月号 | BS受信用HEMT -雑音特性世界最高に- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1993年9月1日PP.5) | HEMT InGaP系HEMT f12GHz NF0.45dB G14.5dB | 220 |
1993年11月号 | 通信分野向けHEMT -素子特性で世界最高- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1993年9月1日PP.8) 電波新聞 (1993年9月10日PP.5) 日経産業新聞 (1993年9月10日PP.9) 日刊工業新聞 (1993年9月10日PP.7) | HEMT 低雑音 高性能 MOCVD In P基板系HEMT NF0.3dB(NF0.38dB) G14.4dB | 220 |
1993年10月号 | 量子細線のSi形成技術 -超々LSIの製作へ利用- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年8月30日PP.1) 日経産業新聞 (1993年8月30日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年8月30日PP.13) | 超々LSI 量子細線 | 220 |
1993年10月号 | 基板上にトランス一体化 | NTT | 日経産業新聞 (1993年8月24日PP.5) | 変圧器 薄膜トランジスタ 5mm角 厚さ0.4mm | 250 220 |
1993年10月号 | 超電導トランジスタ | 沖電気 | 日経産業新聞 (1993年8月19日PP.5) | -253℃ 実用水準の増幅率 酸化物高温超電導 -253℃で完全動作 初の実用水準の増幅率 | 220 |
1993年10月号 | ジョセフソンIC -集積度を5倍に- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1993年8月10日PP.5) | ジョセフソン素子 ジルコニウム 10kG | 220 |
1993年10月号 | 業務用ディジタルAV機器向けチップセット -シリアル伝送可能- | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1993年8月5日PP.7) | シリアル伝送 SMPTE259M規格 | 240 220 |
1993年10月号 | 移動物体自動追跡システム | NTT | 日経産業新聞 (1993年8月4日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年8月4日PP.7) | 被写体自動追跡 ローカルらせん状ラベリング処理 特定被写体を自動追跡 らせん状走査 | 320 520 220 |
1993年 9月号 | 超電導・超高速LSIマルチチップモジュール | 京セラ 電総研 | 電波新聞 (1993年7月27日PP.1) | 超電導LSI 1.2GHzクロック MCM(76×38×7mm) 超電導 ジョセフソン素子 | 220 |
1993年 9月号 | 立体交差不要の新方式 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1993年7月26日PP.6) | 量子配線技術 2次元電子ガス層 | 120 220 |
1993年 9月号 | 磁気光学方式2×2光スイッチ -240μsの高速切替- | 富士電気化学 | 電波新聞 (1993年7月7日PP.7) | 光スイッチ 磁気光学方式 | 220 240 |
1993年 9月号 | 多結晶TFT -電子移動度50%向上- | 東工大 | 日刊工業新聞 (1993年7月2日PP.7) | 多結晶SiTFT LCD低コスト化 LCD小型化 | 250 220 |
1993年 8月号 | DRAM技術でニューロLSI | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1993年6月29日PP.5) | ニューロ素子 ニューロLSI DRAMプロセス 基本回路試作 | 220 520 230 |
1993年 8月号 | ミリ波通信用トランジスタ | NEC | 日経産業新聞 (1993年6月28日PP.5) | HBT ミリ波トランジスタ 最大発振周波数:224GHz | 220 240 |
1993年 7月号 | 次世代バイCMOS | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1993年5月21日PP.5) | 低電圧 高速動作 | 220 |
1993年 7月号 | 超高速バイポーラ -量産用に新構造- | 東芝 | 日経産業新聞 (1993年5月18日PP.5) | 遅延時間19ps | 220 |
1993年 7月号 | 動画像リアルタイム圧縮初の1チップIC | シーキューブ | 日経産業新聞 (1993年5月4日PP.1) | MPEG準拠 | 520 220 |
1993年 7月号 | ディジタルニューロLSI -学習機能を持ち,演算速度20GCPSを実現- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年5月19日PP.1) 日経産業新聞 (1993年5月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年5月19日PP.9) | ニューロLSI 文字認識 学習機能 ニューラルネットワーク | 520 220 |
1993年 7月号 | 光ニューラルネットワーク -本格的ロボットの目実現へ道- | 日立製作所(欧) | 電波新聞 (1993年5月14日PP.2) 日経産業新聞 (1993年5月14日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年5月14日PP.6) | ニューラルネットワーク 光ニューロ パターン認識 ロボットの目 | 520 220 |
1993年 7月号 | 誤り訂正LSI -従来比2.4倍の速さ- | NTT | 日経産業新聞 (1993年5月14日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年5月14日PP.7) | 誤り訂正LSI | 220 |
1993年 7月号 | 電子波干渉新素子 -「電子波」干渉を電圧制御- | NTT | 日経産業新聞 (1993年5月13日PP.5) | 電子波素子 電子波干渉 1.6V電圧制御 通路幅0.1μm AD変換利用可 GaAs素子 | 220 120 |
1993年 7月号 | トランジスタレーザ | 工技院 三菱化成 | 日経産業新聞 (1993年5月10日PP.5) | トランジスタレーザ 単素子に両機能 同一構造で両機能 低消費電力 | 220 250 |
1993年 6月号 | ディジタル・シリアル伝送IC | 東芝 | 電波新聞 (1993年4月19日PP.1) | ディジタル伝送IC 10BIC/10bスクランブル両用 | 220 |
1993年 6月号 | 大電流超電導トランジスタ -5Vで1000A達成- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1993年4月15日PP.9) | バイポーラ型 超電導トランジスタ 初の実用レベル チタン酸ストロンチウム 5V/1000A | 220 |
1993年 6月号 | 光ニューロチップを利用した人工聴覚システム | 三菱電機 | 日本工業新聞 (1993年4月8日PP.15) 日刊工業新聞 (1993年4月9日PP.7) | ニューロチップ 人工聴覚システム 感度可変受光素子(VSPD) | 220 520 |
1993年 6月号 | 雑音が世界最低のミリ波用HEMT | 三菱電機 | 電波新聞 (1993年4月7日PP.6) 日経産業新聞 (1993年4月7日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年4月7日PP.9) | HEMT 60GHz 雑音指数1.6dB 利得6.5dB 雑音が世界最低 | 220 |
1993年 6月号 | GaAsゲートアレイ -世界最高速50ps/ゲート実現- | 富士通 | 電波新聞 (1993年4月6日PP.1) 日経産業新聞 (1993年4月6日PP.8) 日刊工業新聞 (1993年4月6日PP.10) | LSI GaAs ゲートディレイ50ps ゲートアレイ | 220 |
1993年 6月号 | 超高速光通信用光電子素子 -変調器一体化- | 沖電気 | 日経産業新聞 (1993年4月6日PP.5) | 光通信 半導体レーザ 光変調器 16〜20GHz対応 光電子素子 レーザと変調器一体化 波長1.55μm コスト削減 電圧半分 | 240 250 220 |
1993年 6月号 | 低消費電力ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | NEC | 日刊工業新聞 (1993年4月1日PP.5) | HBT 消費電力0.5mW 超高速通信用LSI | 220 |
1993年 5月号 | インバータ型光双安定素子 | 豊田工大 | 日刊工業新聞 (1993年3月25日PP.6) 日本工業新聞 (1993年3月25日PP.16) | 光スイッチング 光双安定素子 エルビウムドープ YAG スイッチング速度100ps | 240 220 |
1993年 5月号 | 化合物半導体量子効果トランジスタ | 三洋電機 | 電波新聞 (1993年3月24日PP.1) | 220 | |
1993年 5月号 | 光信号で動作するジョセフソン素子 -10Gbps高速通信に対応- | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1993年3月16日PP.4) | ジョセフソン素子 光電変換 超電導膜 OEIC 10Gbps通信伝送 | 220 240 |
1993年 5月号 | ジョセフソン接合素子16kb級RAM | 電総研 | 日刊工業新聞 (1993年3月10日PP.5) | 処理 ジョセフソンメモリー 16kb アクセス速度100倍 消費電力1/20(Si系比) | 220 |
1993年 4月号 | ビデオ用10bADコンバータ | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年2月25日PP.1) | ADコンバータ | 220 |
1993年 4月号 | 人工知能向け超並列チップ | 東北大 | 電波新聞 (1993年2月23日PP.8) 日経産業新聞 (1993年2月23日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年2月23日PP.9) | LSI ニューロンMOSトランジスタ インテリジェントハードウェア ニューロLSI 超並列処理 集積システム スパコンの1000倍速度 柔らかいハードウェア | 520 220 |
1993年 4月号 | 単一電子メモリー -動作実験成功- | 日立製作所英国研 ケンブリッジ大 | 電波新聞 (1993年2月19日PP.1) 日経産業新聞 (1993年2月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年2月19日PP.7) 電波ハイテクノロジー (1993年2月25日PP.0) | 電子1個で情報記録 クーロンブロッケード現象 極超低温動作 メモリー 16Gb 多重トンネル接合(MTJ) 単一電子メモリー 半導体メモリー 新原理メモリー 容量1000倍 | 230 220 |
1993年 4月号 | 超高速光スイッチ | NEC | 日刊工業新聞 (1993年2月18日PP.5) | 光スイッチ 応答速度24ps B-ISDN | 240 220 |
1993年 4月号 | 化合物半導体使った超高速トランジスタ -新技術で量産化に道- | NTT | 日経産業新聞 (1993年2月17日PP.5) | 220 260 | |
1993年 4月号 | 超高速トランジスタ | 東工大 | 日経産業新聞 (1993年2月16日PP.5) | 超薄膜 HET -196℃ 従来の5〜6倍速 金属 絶縁体Tr コバルトシリサイト フッ化カルシウム 分子線結晶成長法 800GHz | 220 |
1993年 3月号 | スイッチング速度20psの高速CMOS | 富士通 | 日刊工業新聞 (1993年1月20日PP.5) | ディレイ20ps CMOSトランジスタ 27ps ゲート長0.17μm 2ゲート構造 従来は28ps(常温) 走査線2000本 従来プロセス | 220 |
1993年 3月号 | 文字拡大・縮小用LSI | 富士ゼロックス | 日刊工業新聞 (1993年1月14日PP.7) | 47種 処理時間1.8ms/1文字 | 220 |
1993年 3月号 | 量子干渉トランジスタ -電界で波動を制御- | NTT | 日刊工業新聞 (1993年1月13日PP.7) | 量子干渉トランジスタ 超高速低消費電力 電界効果型Tr 素子数1/50 | 220 |
1993年 3月号 | 低温熱発電素子 -80℃の熱水で連続発電- | 朋の会 理化学研 | 日刊工業新聞 (1993年1月12日PP.9) 電波新聞 (1993年1月22日PP.7) | YSD熱半導体 1.07V/20mA/80℃ 発電 熱半導体 低温熱電変換 | 220 250 |
1993年 3月号 | 超電導薄膜を量産化 | 同和鉱業 | 日経産業新聞 (1993年1月6日PP.1) | 超電導薄膜 MOCDV法 | 220 120 |
1993年 2月号 | 超微細MOSトランジスタ -ゲート長0.1μm以下に- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1992年12月21日PP.8) | 超微細加工技術 PMOSトランジスタ 固相拡散ドレイン(SPDD)構造 ゲート長0.08μm | 260 220 |
1993年 2月号 | 最小の22μm角ジョセフソン記憶セル | NEC | 日経産業新聞 (1992年12月16日PP.5) | 22μm角 300ps ジョセフソン接合 磁束量子転移型記憶セル 超電導コイル 小型化 高速 省電力 | 220 230 |
1993年 2月号 | 大電流制御可能な新型サイリスタ | 東芝 | 日経産業新聞 (1992年12月15日PP.5) | 従来比10倍の電流制御 | 220 |
1993年 2月号 | HEMTと共鳴トンネルダイオードを一体化 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1992年12月15日PP.5) 電波新聞 (1992年12月15日PP.6) 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.9) | HEMT 共鳴トンネルダイオード | 220 |
1993年 2月号 | 遅延時間19psのHBT | NEC | 電波新聞 (1992年12月15日PP.6) | HBT fmax50GHz 19ns SiGeベースHBT | 220 |
1993年 2月号 | 光空間変調器 | 理化学研 | 日経産業新聞 (1992年12月8日PP.5) | 表面プラズモン共鳴 光空間変調器 電磁波現象 | 250 220 |
1993年 2月号 | SOIを用いた新タイプのDRAM | ソニー | 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.9) | DRAM SOI 512MbDRAM向け | 220 260 |
1993年 2月号 | 半導体光アンプ -横波と縦波100倍に増幅- | 沖電気 | 日刊工業新聞 (1992年12月2日PP.6) | 光アンプ 量子井戸 偏波無依存型 100倍増幅 半導体光増幅 TE/TM混在で増幅 12層量子井戸構造 | 220 250 240 |
1993年 2月号 | 多数信号処理の新型トランジスタ -量子波素子を直列接続- | NTT | 日刊工業新聞 (1992年12月1日PP.9) 日経産業新聞 (1992年12月1日PP.5) | 共鳴トンネル効果 多入力 重み付け演算 量子効果 負性抵抗 量子波素子 4入力演算機能 | 220 |
1993年 1月号 | 高分子材料の光スイッチング素子 | ヘキストセラニーズ(米) | 日経産業新聞 (1992年11月26日PP.5) | 電圧制御 40GHz 高分子材料 光スイッチング素子 1〜40GHz | 220 240 |
1993年 1月号 | 高温超電導磁気センサ | シャープ | 電波新聞 (1992年11月25日PP.1) | 超電導 | 120 220 |
1993年 1月号 | 耐圧メカニズム解明 -新開発のGaAsMESFETで- | NEC | 電波新聞 (1992年11月24日PP.1) | GaAs 製造プロセス GaAs半導体 | 120 160 220 |
1993年 1月号 | 2.5GHz超高速光通信用LSI | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年11月18日PP.8) 日経産業新聞 (1992年11月18日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年11月18日PP.11) 日本工業新聞 (1992年11月18日PP.11) | GaAsIC シリアル-パラレル変換 B-ISDN 消費電力1.3W | 220 |
1993年 1月号 | 高温超電導微細加工技術 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1992年11月17日PP.1) | 高温超電導 微細加工技術 乾式エッング | 220 |
1993年 1月号 | 高真空中でGaAs基板微細加工技術 -量子細線構造を試作- | 新技術事業団 | 日刊工業新聞 (1992年11月11日PP.15) | 量子細線デバイス 超高真空 電子ビーム照射 量子細線構造 超高速スイッチング素子 | 260 220 |
1993年 1月号 | 応答速80倍のLCD駆動素子 | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1992年11月11日PP.7) | 多結晶SiのTFT | 220 |
1993年 1月号 | 新スイッチング素子 | 東大 | 日経産業新聞 (1992年11月9日PP.5) | トンネル現象 GaAs スイッチング素子 電子波スイッチング素子 トンネル現象利用 | 220 240 |
1993年 1月号 | 超電導3端子トランジスタ -1万倍の電流密度実現- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1992年11月6日PP.7) | 超電導3端子トランジス 電流密度1万倍 超電導トランジスタ 2極式 電流密度10A | 220 |
1993年 1月号 | 超電導現象観測 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1992年11月5日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年11月5日PP.8) 電波新聞 (1992年11月6日PP.2) | 超電導 | 120 220 |
1993年 1月号 | 超高速バイポーラトランジスタ | 東工大 | 日刊工業新聞 (1992年11月4日PP.5) | HETタイプ 電流増幅率150 | 220 |
1992年12月号 | プリアンプIC -最高周波数帯域を実現- | NEC | 日刊工業新聞 (1992年10月6日PP.9) | プリアンプIC | 220 |
1992年12月号 | ジョセフソン接合素子 -世界最小の0.4μm- | NEC | 日経産業新聞 (1992年10月20日PP.5) | ジョセフソン接合素子 φ0.4μm ニオブ系超電導体 | 220 |
1992年12月号 | ジョセフソン接合素子 | NTT | 日経産業新聞 (1992年10月2日PP.5) | 超電導薄膜 ジョセフソン素子 段差接合 | 220 |
1992年11月号 | カオス現象のIC | 新日本無線 九州工大 | 電波新聞 (1992年9月19日PP.2) 日経産業新聞 (1992年9月19日PP.5) 日本経済新聞 (1992年9月19日PP.12) | 220 | |
1992年11月号 | 396GHzGのジョセフソン素子 | 工技院 | 日刊工業新聞 (1992年9月14日PP.7) | 従来は302GHz ニオブ薄膜平面型 ブリッジ素子 | 220 |
1992年11月号 | 高速非線形光学材料 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1992年9月12日PP.1) | 非線形光学材料 超格子薄膜 応答時間40ps 光集積回路 Se化亜鉛系半導体 | 220 130 |
1992年11月号 | 電力-光変換効率10倍の光電融合素子 | NEC | 日刊工業新聞 (1992年9月10日PP.5) | VSTEP 高集積 | 220 |
1992年11月号 | ジョセフソン素子で高周波測定 -サブミリ波検出- | 神戸製鋼 | 日経産業新聞 (1992年9月8日PP.1) | 超電導薄膜 ジョセフソン電磁波検出器 サブミリ波 ジョセフソン素子 170GHz検出 高品位通信 | 220 210 |
1992年11月号 | 導電性高分子利用の薄膜トランジスタ | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月4日PP.6) 日経産業新聞 (1992年9月4日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年9月4日PP.5) 日本工業新聞 (1992年9月4日PP.15) | 導電性高分子 薄膜Tr ポリマートランジスタ ポリチエニレンビニレン | 220 120 |
1992年11月号 | 光双安定素子 | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月3日PP.2) 日経産業新聞 (1992年9月3日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年9月3日PP.7) 日本工業新聞 (1992年9月3日PP.15) | 光双安定素子 量子井戸構造 光スイッチング | 220 240 |
1992年10月号 | 光理論回路 -電子回路と同じ動作原理- | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1992年8月26日PP.4) | FF回路 OEIC 光電子集積回路 光論理回路 画像OEIC | 220 240 |
1992年10月号 | 1μmゲート長のCMOSトランジスタ -室温動作で28PS- | 東芝 | 電波新聞 (1992年8月26日PP.2) 日経産業新聞 (1992年8月26日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年8月26日PP.9) | CMOSLSI CMOSトランジスタ ゲート長0.1μm 速度2.8ps CMOSプロセス トランジスタ | 220 |
1992年10月号 | ビスマス系で積層型ジョセフソン接合素子 | NEC | 日刊工業新聞 (1992年8月25日PP.6) | 223℃の高温動作可能 3端子実現に道 | 220 |
1992年10月号 | 1Gbを超える半導体用新型トランジスタ | NEC | 日本経済新聞 (1992年8月21日PP.1) | 半導体トランジスタ 量子効果 大きさ1/30 電力1/10 | 220 |
1992年10月号 | 赤外線検知素子 | 防衛大 | 日経産業新聞 (1992年8月14日PP.4) | 10.6μm 冷却不要の素子 | 220 |
1992年10月号 | 光磁気記録技術 -従来比100倍の記録密度- | AT&Tベル研 | 日本経済新聞 (1992年8月11日PP.1) | 光磁気ディスク 近視野光走査顕微鏡技術 HDTVを17時間記録 | 220 230 |
1992年10月号 | GaAs基板上に量子ドットを形成 | 新技術事業団 | 日刊工業新聞 (1992年8月5日PP.7) | 量子ドット 光素子 レーザ | 220 |
1992年10月号 | 基板内で光情報送信可能な集積化光機能素子 | NEC | 日刊工業新聞 (1992年8月4日PP.6) | 光機能素子 光電融合素子 光コンピュータ 光電融合素子とレンズ一体化 | 220 240 |
1992年 9月号 | 超電導演算素子 -1つで10個分働く- | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年7月31日PP.1) 日経産業新聞 (1992年7月31日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年7月31日PP.7) | アンドレエフ効果 超電導素子 量子効果 アンドレエフ反射 演算機能持つ単一素子 集積度2桁向上 | 220 120 |
1992年 9月号 | 究極の素子に挑むスーパーダイヤ計画 -Si上回る特性- | 科学技術庁 | 日刊工業新聞 (1992年7月22日PP.7) | 新材料 スーパダイヤモンド cBNとダイヤ膜 | 220 |
1992年 9月号 | 人工網膜チップ | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年7月15日PP.1) 日経産業新聞 (1992年7月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年7月15日PP.10) 日本工業新聞 (1992年7月15日PP.15) | 画像処理機能 人工網膜 感度可変受光素子 神経回路網 画像処理 ニューロ 人工網膜チップ 処理速度1万倍 画像認識200μs | 210 220 520 |
1992年 8月号 | 放射光使い0.2μm級のCMOS回路 | NTT | 日刊工業新聞 (1992年6月30日PP.6) | 加工技術 0.2μmCMOS 遅延時間60ns | 160 220 |
1992年 8月号 | 遮断周波数64GHzの新バイポーラトランジスタ | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1992年6月26日PP.6) | 3次元電流分散構造(FRACS) | 220 |
1992年 8月号 | A/Dコンバータ変換速度300MSPS | 松下電器産業 | 電波新聞 (1992年6月6日PP.7) 日経産業新聞 (1992年6月6日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年6月6日PP.5) | A/Dコンバータ 10ビット,300MSPS | 220 |
1992年 8月号 | 空間光変調器 -画像情報を直接伝送- | NTT | 日経産業新聞 (1992年6月5日PP.5) | 空間光変調器 光コンピュータ 電気信号に変換不要 | 220 240 |
1992年 8月号 | 平面型超電導デバイス | NTT | 日刊工業新聞 (1992年6月4日PP.6) | 超電導トランジスタ 3端子超電導デバイス HEMTにニオム電極 | 220 |
1992年 8月号 | 世界最小の256MbDRAM | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年6月3日PP.7) 電波新聞 (1992年6月3日PP.1) 日経産業新聞 (1992年6月3日PP.6) 日刊工業新聞 (1992年6月3日PP.9) 電波新聞 (1992年6月11日PP.11) ハイテクノロジー (1992年6月11日PP.0) | 0.72μm2 256MDRAM開発可能 | 220 230 |
1992年 7月号 | 世界最小トランジスタ | 米IBM | 電波新聞 (1992年5月30日PP.2) | 220 | |
1992年 7月号 | 1チップでカラー動画像を伸長できるVLSI | シーキューブマイクロシステムズ | 日経産業新聞 (1992年5月29日PP.1) | MPEG復号LSI 3Mbps | 220 |
1992年 7月号 | 世界初の限流素子 | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年5月8日PP.1) 日経産業新聞 (1992年5月8日PP.4) 日刊工業新聞 (1992年5月8日PP.7) | AC100Vの過電流抑制 イットリウム系超電導体を利用 限流素子 | 220 120 |
1992年 6月号 | 新型バイポーラトランジスタ | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1992年4月28日PP.6) | 220 | |
1992年 6月号 | 光で光の強度を変調 | 京大 | 日刊工業新聞 (1992年4月9日PP.6) | 量子井戸構造 0.5ps応答 | 220 |
1992年 6月号 | 新構造SHG素子 | ソニー | 日刊工業新聞 (1992年4月9日PP.6) | 有機LB膜 高効率 | 220 |
1992年 6月号 | 12GHzSiトランジスタ | 日電 | 日経産業新聞 (1992年4月7日PP.9) 日刊工業新聞 (1992年4月7日PP.9) 日本工業新聞 (1992年4月7日PP.7) | シリコントランジスタ | 220 |
1992年 5月号 | 毎秒10Gbps対応光変調器 | 富士通 | 日経産業新聞 (1992年3月24日PP.1) | 光通信 光変調器 ニオブ酸リチウム | 220 240 |
1992年 5月号 | 世界最高の変換効率のSi太陽電池 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1992年3月19日PP.1) | Si太陽電池でエネルギー変換効率16.8% ハイブリッドコンタクト構造 | 220 |
1992年 5月号 | 準粒子使い超電導トランジスタ動作実証 | 三洋電機 | 電波新聞 (1992年3月17日PP.1) 日刊工業新聞 (1992年3月17日PP.9) | 超電導素子 | 220 |
1992年 5月号 | 超電導量子干渉素子の信号多重化 | 富士通 | 日経産業新聞 (1992年3月13日PP.5) | SQUID ジョセフソン集積回路 多重信号 超電導素子 | 220 240 |
1992年 4月号 | テレビ信号変換器用IC -毎秒1億回作動- | 東芝 | 日経産業新聞 (1992年2月24日PP.5) | 超高速IC 毎秒1億回 | 220 |
1992年 4月号 | 低電圧動作LSI -1.0V動作SRAM 1.5V動作BiCMOS- | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年2月22日PP.6) | LSI SRAM BiCMOS | 220 |
1992年 4月号 | 超高速DSP -40MIPS- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1992年2月21日PP.1) | DSP | 220 |
1992年 4月号 | 高性能マイクロプロセッサ -スパコン並みのLSI,最高速のMPU- | 日立製作所 富士通 | 電波新聞 (1992年2月20日PP.1) 日経産業新聞 (1992年2月20日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年2月20日PP.7) 日刊工業新聞 (1992年2月20日PP.11) | マイクロプロセッサ 289MFLOPS 1チップで1GIPS ISSCC | 220 |
1992年 4月号 | ニューロコンピュータ用IC | 東芝 三菱 NTT | 電波新聞 (1992年2月19日PP.6) 日経産業新聞 (1992年2月19日PP.5) 電波新聞 (1992年2月21日PP.6) 日刊工業新聞 (1992年2月21日PP.6) | ISSCC LSI ニューロコンピュータ ニューロチップ 消費電力1/100 | 220 |
1992年 4月号 | 高速・新電子波素子 | 東工大 | 日刊工業新聞 (1992年2月19日PP.5) | 応答0.2ps(Siの100倍) 共鳴トンネルダイオード 0.2ps | 220 |
1992年 4月号 | 5GbpsのECLゲートアレイ | 富士通 | 電波新聞 (1992年2月18日PP.6) 日経産業新聞 (1992年2月18日PP.9) 日刊工業新聞 (1992年2月18日PP.9) | ECLゲートアレイ シリコンIC 5Gbps | 220 |
1992年 4月号 | OEIC光通信応答2倍に -10Gbpsと世界最高- | NTT | 日刊工業新聞 (1992年2月14日PP.5) | OEIC 応答速度10Gbps | 220 |
1992年 3月号 | 500MHz 1チップA/Dコンバータ | 松下電子 | 電波新聞 (1992年1月29日PP.1) | 220 | |
1992年 3月号 | 8Gb/sのB-ISDN用スイッチ | 沖電気 | 日経産業新聞 (1992年1月29日PP.4) | ATM実用化 | 220 |
1992年 3月号 | 256メガ級に対応可能なCMOS | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1992年1月25日PP.1) | CMOS 256MbDRAM | 220 |
1992年 3月号 | 高性能光アイソレータ | 新技術事業団 並木精密 | 電波新聞 (1992年1月23日PP.2) 日経産業新聞 (1992年1月23日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年1月23日PP.6) | 800nm 1/1000の大きさに | 220 |
1992年 3月号 | 周波数可変半導体レーザ | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年1月22日PP.2) 日経産業新聞 (1992年1月22日PP.4) 日刊工業新聞 (1992年1月22日PP.9) 日本工業新聞 (1992年1月22日PP.13) | 4個1チップ化 FDM光通信可能 半導体レーザ | 220 |
1992年 3月号 | マスク7枚でCMOS製造 -新プロセス確立- | 日電 | 日刊工業新聞 (1992年1月17日PP.9) | CMOS マスク7枚 LPD技術 | 220 |
1992年 2月号 | 脳神経に似た集積回路 | カリフォルニア工科大(米) オックスフォード大(英) | 電波新聞 (1991年12月20日PP.3) | 220 520 | |
1992年 2月号 | 最高水準の符号化圧縮技術 | 三洋電機 | 電波新聞 (1991年12月27日PP.4) | 音声符号化LSI | 520 220 |
1992年 2月号 | 脳神経に似た集積回路 | カリフォルニア工科大(米) オックスフォード大(英) | 電波新聞 (1991年12月20日PP.3) | 220 520 | |
1992年 2月号 | 最高水準の符号化圧縮技術 | 三洋電機 | 電波新聞 (1991年12月27日PP.4) | 音声符号化LSI | 520 220 |
1992年 2月号 | ガスセンサを集積化 | リコー | 電波新聞 (1991年12月18日PP.2) 日経産業新聞 (1991年12月18日PP.4) 日刊工業新聞 (1991年12月18日PP.9) | 1.5mm角チップ 消費電力0.02mW | 210 220 |
1992年 2月号 | 1秒間に最高200億回のスイッチング速度 | IBM | 電波新聞 (1991年12月14日PP.3) | バイポーラトランタ スイッチング素子 | 220 |
1992年 2月号 | 20Gb/sの高速IC | 沖電気 | 日経産業新聞 (1991年12月13日PP.5) 電波新聞 (1991年12月13日PP.6) 日刊工業新聞 (1991年12月13日PP.9) | 光伝送IC 現状の33倍 世界最高速 | 240 220 |
1992年 2月号 | 高速バイポーラトランジスタ -64GHz動作のトランジスタ- | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1991年12月11日PP.5) | ガスドーピングたい積法 fC=64GHz バイポーラトランジスタ | 220 |
1992年 2月号 | 次々世代超LSI -1Gb級超LSIに道- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年12月10日PP.5) | 製造加工技術 半地下電極 | 220 260 |
1992年 2月号 | n型ダイヤ半導体 | 科技庁無機材料研 | 日刊工業新聞 (1991年12月9日PP.1) | ダイヤ半導体 n型 リン触媒 | 220 |
1992年 2月号 | 低電圧・高速のInGaAsトランジスタ | 富士通 | 日経産業新聞 (1991年12月9日PP.5) 日本経済新聞 (1991年12月9日PP.21) | InGaAsトランジスタ 3.5V 11.9GHz | 220 |
1992年 2月号 | マイクロ波高出力増幅器用GaAs MESFET | 日電 | 電波新聞 (1991年12月6日PP.8) 日経産業新聞 (1991年12月6日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年12月6日PP.9) | 12GHzで9W出力 GaAsMESFET 電力付加効率40.1% | 220 |
1992年 2月号 | ニューロンMOSトランジスタ -脳神経細胞と同じ機能- | 東北大 | 電波新聞 (1991年12月6日PP.2) 朝日新聞 (1991年12月6日PP.1) 日経産業新聞 (1991年12月6日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年12月6日PP.1) 日本工業新聞 (1991年12月6日PP.1) | 新素子 新型トランジスタ 従来の10倍 多入力,機能可変 | 220 520 |
1992年 1月号 | 画像圧縮DSP | インテグレーテッドインフォメーションテクノロジー(米) | 日経産業新聞 (1991年11月22日PP.5) | 220 | |
1992年 1月号 | 新構造光IC -発光素子とIC接合- | 徳島大 松下寿電子 | 日経産業新聞 (1991年11月22日PP.4) 日刊工業新聞 (1991年11月22日PP.9) 朝日新聞夕刊 (1991年11月27日PP.11) | 光IC 接合構造 | 220 240 |
1992年 1月号 | 微小真空管で表示板 | 電総研 | 日刊工業新聞 (1991年11月21日PP.6) | 真空マイクロ素子 長方形エミッタ 2.5mm2 | 250 220 |
1991年12月号 | 立体IC -5層構造試作- | 三洋電機 | 日刊工業新聞 (1991年10月24日PP.1) | 単結晶横方向に成長 量産性あり 3次元回路素子 5層構造 横方向固相成長技術 | 260 220 |
1991年12月号 | トンネル接合素子 | 三洋電機 | 電波新聞 (1991年10月12日PP.2) 日経産業新聞 (1991年10月12日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年10月12日PP.5) | BKBOエピタキシャル薄膜 超電導論理素子 トンネル接合素子 高温超電導素子 | 220 |
1991年12月号 | ジョセフソン特性を世界初の実証 | 東芝 | 電波新聞 (1991年10月3日PP.1) 日経産業新聞 (1991年10月3日PP.4) | サンドイッチ接合 ジョセフソン接合 | 220 |
1991年11月号 | 超高速新トランジスタ -トンネル効果利用- | NTT | 電波新聞 (1991年9月13日PP.3) 日経産業新聞 (1991年9月13日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年9月13日PP.9) | 結合量子井戸構造 電流増幅率5.5 増幅確認 トンネル効果利用の共鳴トンネルトランジスタ 動作速度0.1ps(現在最高速の19倍) 動作速度0.1ps(現在最高速の19倍) 量子とじ込めシュタルク効果 | 220 |
1991年11月号 | 微小真空管 | 新日鉄 | 日刊工業新聞 (1991年9月11日PP.7) | 真空マイクロ素子 LOCOSモールド型 2μm | 220 |
1991年11月号 | 無機 有機超格子 | 東大 | 日刊工業新聞 (1991年9月10日PP.5) | 単結晶多層積層 MBE法 光素子 VOフタロシアニン | 220 260 |
1991年11月号 | 学習知識を記憶する光ニューロチップ | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年9月19日PP.1) 日経産業新聞 (1991年9月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年9月19日PP.11) | アナログメモリー内蔵5×6mmチップ 受光素子を集積化 光ニューロチップ 画像処理 記憶機能付ニューロチップ | 210 220 230 |
1991年11月号 | 低雑音トランジスタ -次世代の衛星通信受信用- | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年9月5日PP.7) 日経産業新聞 (1991年9月5日PP.5) | HEMT 衛星通信 | 220 |
1991年11月号 | ディジタル処理チップ -従来の10倍の乗算 加算実行- | 英クイーンズ大 | 電波新聞 (1991年9月4日PP.6) | 乗算 加算が25×107回/s(従来の10倍) IIRフィルタ | 220 |
1991年10月号 | 高速動作BiCOMS | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年8月28日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年8月28日PP.6) | 0.2μmの微細配線 線幅従来は0.8μmこのたび0.3μm 動作電圧3.3V | 220 |
1991年10月号 | 高効率GHz帯HBT | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年8月27日PP.6) 日経産業新聞 (1991年8月27日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年8月27日PP.11) | AlGaAs/GaAs系 衛星通信 固体アンプ 変換効率9GHz 75% 5.9W 20GHz 57% 5.4W | 240 220 |
1991年10月号 | 磁束量子パラメトロン -基本電子回路を試作- | 新技術事業団 | 日経産業新聞 (1991年8月26日PP.5) | 超電導素子 超高速コンピュータ | 220 520 120 |
1991年10月号 | 新光演算素子 | 三菱電機 | 日本工業新聞 (1991年8月21日PP.13) | 光ニューロチップ DHPT 光演算素子 | 220 260 |
1991年10月号 | 高速 低電圧動作の新型素子 -電子走行層厚み0.15μm- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1991年8月16日PP.5) | 薄膜SOIに匹敵のSJET SJET | 220 260 |
1991年10月号 | 原子スイッチ -1個の原子で電流開閉- | 米IBM | 電波新聞 (1991年8月16日PP.2) 日経産業新聞 (1991年8月16日PP.4) | 原子スイッチ タングステン ニッケル電極にキセノン原子 1個の原子でon-off 電子素子 スイッチング素子 | 220 120 230 |
1991年10月号 | ダイヤ薄膜トランジスタ -多結晶ダイヤをIC化- | 神戸製鋼 | 日経産業新聞 (1991年8月12日PP.1) | ダイヤ薄膜トランジスタ 高温,放射線に強いFET | 220 |
1991年10月号 | 窒化ガリウム -均一な立方結晶膜を形成- | 電総研 | 日刊工業新聞 (1991年8月7日PP.7) | 青色発光体 超高速素子 MBE法 | 220 |
1991年 9月号 | ハイビジョン用次世代LSI | 三洋電機 LSIロジック | 電波新聞 (1991年7月16日PP.1) | ハイビジョン | 220 |
1991年 9月号 | 高性能光アイソレータ | NHK 三菱化成 | 日本工業新聞 (1991年7月26日PP.18) | 帯域幅0.2μm ビスマス置換テレビウム鉄ガーネット | 220 |
1991年 9月号 | 低温動作高速トランジスタ | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1991年7月12日PP.5) | 220 | |
1991年 9月号 | 低い光エネルギーでスイッチング動作成功 | 日電 | 電波新聞 (1991年7月9日PP.1) 日経産業新聞 (1991年7月9日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年7月9日PP.9) | 光電融合デバイス 光スイッチ 新素子 | 220 |
1991年 9月号 | バイオ素子を超LSI化 | 沖電気 | 日本工業新聞 (1991年7月3日PP.1) | 新素子 1mm殻に25万個集積 バイオ素子 リポゾーム アピジン ピオチン法 パターン認識素子 6.25M素子/mm2 | 120 220 |
1991年 8月号 | 高性能HBT -電流増幅率1000倍に- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1991年6月25日PP.1) | 電流増幅率1000倍(従来は100倍) HBT パルスジェットエピタキシ技術で電流増幅率を従来の1000倍にアップ | 220 |
1991年 8月号 | Si網膜チップ | カリフォルニア工科大 | 日経産業新聞 (1991年6月24日PP.5) | Si網膜チップ 2500個の画素 3層構造で信号処理 | 210 220 |
1991年 8月号 | 光交換素子 | NTT | 日刊工業新聞 (1991年6月20日PP.5) | 光信号を光のまま処理 PSK伝送方式 10Gbps | 220 |
1991年 8月号 | 半導体レーザ光による論理回路 | NTT | 日経産業新聞 (1991年6月18日PP.5) | 四角形の光進路,回転方向にI/O 15μm2 光論理演算 | 220 |
1991年 8月号 | 画像処理プロセッサ -高圧縮で高速処理- | リコー | 日経産業新聞 (1991年6月11日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年6月11日PP.9) | 1/10圧縮 DCT方式 2860万画素/sの高速 | 320 220 |
1991年 7月号 | 横型バイポーラ | 富士通 | 日本工業新聞 (1991年5月29日PP.1) | トランジスタ(BJT) fT4GHz SOI基板 工程数1/2 | 220 |
1991年 7月号 | BS向けHJ-FET -0.5dBの低雑音特性- | 日電 | 電波新聞 (1991年5月21日PP.7) 日経産業新聞 (1991年5月22日PP.8) 日刊工業新聞 (1991年5月22日PP.9) | 電界効果トランジスタ 雑音指数0.5dB BSコンバータ | 220 |
1991年 7月号 | 光ディスク用制御IC | 富士通 | 電波新聞 (1991年5月21日PP.8) 日経産業新聞 (1991年5月21日PP.9) 日刊工業新聞 (1991年5月21日PP.11) | 光ディスクコントローラ 誤り訂正 | 220 |
1991年 7月号 | 世界初ダイヤトランジスタ | 東海大 | 読売新聞 (1991年5月18日PP.1) | ダイヤモンド トランジスタ | 220 |
1991年 7月号 | ジョセフソン素子 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年5月16日PP.4) | 直流入力交流出力 | 220 |
1991年 7月号 | 自分割スイッチIC -入出力速度毎秒256Mb- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1991年5月13日PP.5) 日経産業新聞 (1991年5月22日PP.5) | スイッチIC ISDN 従来の4倍 | 220 |
1991年 7月号 | HDTVのデコーダ半導体を十数個に削減 -受信機低価格化に道- | 富士通 | 日経産業新聞 (1991年5月13日PP.1) | MUSEデコーダ用半導体 31個のゲートアレイ 30万ゲート1.5μm技術 ハイビジョン HDTV MUSEデコーダ | 220 |
1991年 7月号 | 新型の電子波干渉素子 | NTT | 日刊工業新聞 (1991年5月9日PP.5) | 単一量子細線 マッハツェンダ構造 | 220 |
1991年 6月号 | B-ISDN用新型HBT | NTT | 日経産業新聞 (1991年4月26日PP.5) | 電流増幅率40倍(従来10倍) 10Gbの伝送路可 | 220 |
1991年 6月号 | 早送りしても音声明瞭 -音声速度変換LSI- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1991年4月25日PP.1) | 音声速度変換LSI 再生速度4〜1/4倍 初の実用水準 | 220 |
1991年 6月号 | 64MDRAM量産へ新技術 | 日電 | 日経産業新聞 (1991年4月24日PP.4) | 64MDRAM 低温処理で凹凸(表面積2倍) エッチング工程不要 | 220 |
1991年 6月号 | 次々世代LSI実現へ | 日電 ATT | 電波新聞 (1991年4月23日PP.1) | 次々世代LSI 3.5μmCMOSプロセス | 220 |
1991年 6月号 | 世界初500Vの高耐圧パワーIC | 東芝 | 電波新聞 (1991年4月20日PP.2) | 高耐圧ICプロセス | 220 |
1991年 6月号 | 光機能素子実用化へ急展開 | 名大学 各社 | 日刊工業新聞 (1991年4月19日PP.6) | 光素子 光だけで基本論理演算 | 220 |
1991年 6月号 | 光トランジスタ -光電算機超高速化へ前進- | NTT | 日刊工業新聞 (1991年4月17日PP.1) 日経産業新聞 (1991年4月17日PP.5) | 論理素子 64b並列処理 3m2チップ上に64個のEARS(面型光スイッチング)素子を集積 光でXORなどの基本論理演算 応答速度20ns SW機能 増幅機能を持つ世界初の光素子 64b演算に成功 高速処理(×1000) 1000b 多重量子井戸構造 光トランジスタ 光コンピュー | 220 |
1991年 6月号 | RHETによる全加算器IC | 富士通 | 電波新聞 (1991年4月16日PP.6) 日経産業新聞 (1991年4月16日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年4月16日PP.9) 日本経済新聞 (1991年4月16日PP.11) 電波タイムズ (1991年4月19日PP.2) | 従来比密度5倍 速度10倍 消費電力1/2 電流増幅率10以上 遮断周波数200GHz以上 200GHzの高速化可能 処理能力50倍 量子効率利用したRHET 情報処理能力(×50) 演算と記憶機能は世界初 | 220 |
1991年 5月号 | 高温超電導体使うトランジスタ | 富士通 | 日経産業新聞 (1991年3月23日PP.0) | 好悪の超電導体 電圧制御 | 220 |
1991年 5月号 | スーパーHEMT -雑音指数など大幅改善- | 富士通 | 電波新聞 (1991年3月20日PP.6) | HEMT 雑音指数 | 220 |
1991年 5月号 | 600℃の低温熱処理による高性能結晶性SiTFT | TDK | 電波新聞 (1991年3月19日PP.7) | 低温熱処理 低価格なガラスベース基板 | 220 |
1991年 5月号 | 動画像用デコーダチップ -高能率符号化技術を開発- | 日本ビクター | 電波新聞 (1991年3月19日PP.1) | 動画像データ圧縮 MPEG | 220 |
1991年 5月号 | カラー静止画像のデータ1/30までに圧縮可能な新LSI | 富士通 | 電波タイムズ (1991年3月6日PP.0) | 画像圧縮 ISDN LSI | 220 |
1991年 4月号 | 高精度電圧標準器 | 電総研 | 日刊工業新聞 (1991年2月27日PP.0) | ジョセフソン素子利用の精度8桁 世界一高精度 | 220 |
1991年 4月号 | 30〜60GのHEMT | 東芝 | 電波新聞 (1991年2月22日PP.0) | ゲートを0.1μmの微細加工 | 220 |
1991年 4月号 | 15.5GHzの高周波で動作 可変分周期 | NTT | 日刊工業新聞 (1991年2月15日PP.0) | 高速可変分周期 ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT) | 220 |
1991年 4月号 | ジョセフソンコンピュータ冷凍実装システム | 富士通 | 電波新聞 (1991年2月14日PP.0) | 冷凍実装システム ジョセフソンコンピュータビット 360ps加算 ジョセフソン素子.室温IC温蔵ボード | 220 |
1991年 4月号 | ジョセフソン素子複合素子 | 富士通 | 電波新聞 (1991年2月13日PP.0) 朝日新聞夕刊 (1991年2月13日PP.0) 日本経済新聞夕刊 (1991年2月13日PP.0) | 極低温の同素子と常温 GaAsLSIの複合 | 220 |
1991年 3月号 | 40万ゲートアレイのCMOSゲートアレイ | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1991年1月31日PP.0) 日経産業新聞 (1991年1月31日PP.0) | 125psの遅延時間 6μW/gate | 220 |
1991年 3月号 | 4MSRAM製品化 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年1月25日PP.0) 電波新聞 (1991年1月25日PP.0) | SRAM製品化 55ns | 220 |
1991年 3月号 | 世界最高水準の推論性能 | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年1月21日PP.0) | 1.4MLIPS(百万推論/秒) | 220 520 |
1991年 3月号 | 光信号を直接処理 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1991年1月18日PP.0) | 光ニューロ電算機 光ニューロン素子は36個の光素子と液晶板を重ねた 処理速度1000文字/秒3文字 | 220 520 |
1991年 3月号 | 超LSI素子 信頼性向上 | 沖電気 | 日経産業新聞 (1991年1月16日PP.0) | 絶縁膜を亜酸化窒素処理 | 220 260 |
1991年 2月号 | 世界最大30万ゲートアレイ | 東芝 | 日経産業新聞 (1991年1月10日PP.0) 日刊工業新聞 (1991年1月10日PP.0) | 220 | |
1991年 2月号 | 新素材による超高速素子 | 新技術事業団 | 日刊工業新聞 (1991年1月9日PP.0) | 有機薄膜トランジスタ 1μm/sで移動速度700倍 | 220 |
1991年 2月号 | 半導体レーザ1600個集積のLSI | 日電 | 日本経済新聞 (1991年1月7日PP.0) | 開発に成功した段階 超並列光電算機に応用は3年後 | 220 |
1991年 2月号 | 1万グレイ耐放射線トランジスタ | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年1月7日PP.0) | 耐放射線構造でないトランジスタは性能30%以下に低下 | 220 |
1991年 2月号 | 厚さ0.5mm実現のICパッケージ | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1991年1月4日PP.0) | 220 | |
1991年 2月号 | 超電導トランジスタにメド | 沖電気 | 日刊工業新聞 (1990年12月29日PP.0) | 応答速度3ps ビスマス系トランジスタ | 220 |
1991年 2月号 | ニューロン素子間磁気信号で結合 | ワコム | 日経産業新聞 (1990年12月28日PP.0) | 220 | |
1991年 2月号 | BiCMOSの低温動作 | 日電 | 日刊工業新聞 (1990年12月21日PP.0) | BiCMOS 83K(-190℃)の低温動作 電流利得124 遅延時間200ps | 220 |
1991年 2月号 | 10psの超高速トランジスタ | 日電 | 電波新聞 (1990年12月12日PP.0) | Siバイポーラトランジスタでゲート間遅延時間10ps 3空年後に製品化 | 220 |
1991年 2月号 | 負性抵抗効果を確認 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1990年12月11日PP.0) | Si系量子細線(0.1μm)素子で負性抵抗効果を確認 RHET(共鳴トンネリングホットトランジスタ)では確認されていたがシリコン系は初めて | 220 |
1991年 2月号 | 光演算IC -電子使用の200倍の処理速度- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1990年12月6日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年12月6日PP.0) 電波新聞 (1990年12月6日PP.0) | 256組のデータに対するEXOR演算素子 大きさ1mm2 処理40ps | 220 |
1991年 1月号 | 高温超伝導体使用のトランジスタ | サンディア研 ウィスコンシン大 | 日経産業新聞 (1990年11月21日PP.0) | 220 | |
1991年 1月号 | 来春かHDTテスト | FCC | 電波新聞 (1990年11月16日PP.0) | 77K 4GHz 10dBのアンプ 35GHz対応の合成器 | 220 |
1991年 1月号 | 新型ダイオード | 富士通 | 日経産業新聞 (1990年11月9日PP.0) | 2〜3mv -269℃(液体He温度) 超電導 | 220 |
1990年12月号 | 光論理演算素子 -直交レーザで実現- | 光技研 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1990年11月1日PP.0) | 出力レーザ光と直交方向に2つのレーザを入射できる構造で出力パワーを入力光で制御する(直交レーザ素子)試作:4素子集積1.2 0.8mm 動作速度数100ps | 220 |
1990年12月号 | 光演算回路を開発 | 日電 | 日経産業新聞 (1990年10月31日PP.0) | 電気入力-光信号処理-電気出力 面入力光電融合素子(VSTEP) 並列(4列)積和演算 高速演算ns/条件入れ替え4ns | 220 |
1990年12月号 | VMTの実用化にメド | NTT | 日刊工業新聞 (1990年10月31日PP.0) | 速度変調Tr(VMT) GaAs/AlAsの2重チャンネルFET 高速室温で1ps以下の応答確認 基礎実験 | 220 |
1990年12月号 | 応答0.5psの超高速トランジスタ | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1990年10月30日PP.0) | 超電導利用真空トランジスタのシミュレーション確認 応用:超高速トランジスタ SEM 高周波オシロの電子ビーム源 | 220 |
1990年12月号 | 低消費電力の高速HBT | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1990年10月12日PP.0) | PNPコレクタートップ型HBT 動作確認 利点:高集積化 低消費電力 | 220 |
1990年12月号 | ガリひ素上回る高速動作FET | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1990年10月12日PP.0) | Si系FET 液晶窒素温度 電界効果移動度:10m/s SiGeのヘテロ接合 キャリアは正孔 | 220 |
1990年12月号 | 2次元光スイッチングアレイ | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1990年10月11日PP.0) | GaAs基板に光増幅機能を持つ4×4のSW 試作 オンオフ比10:1 目的:並列光伝送 処理 | 220 |
1990年12月号 | 光で論理演算に成功 | 理科大 東大 | 日刊工業新聞 (1990年10月11日PP.0) | フォトリフラクティブ結晶(チタン酸バリウム) 機能確認 3本ビームで3種の像を照射 明暗読み取り 6種の論理演算 | 220 |
1990年11月号 | 世界最高速のゲートアレイ | ソニー | 日刊工業新聞 (1990年10月9日PP.0) 電波新聞 (1990年10月9日PP.0) 日経産業新聞 (1990年10月9日PP.0) | RTで21ps 50KTRS 0.4mW/gate | 220 |
1990年11月号 | 新超電導体 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1990年9月20日PP.0) | 臨界温度130K | 220 |
1990年10月号 | 15倍以上の移動度を達成した新構造FET | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1990年8月28日PP.0) | 77Kにおけるホールの移動度が8000ー10000/cm2/Vs | 220 |
1990年10月号 | HET常温で動作 | ソニー | 日経産業新聞 (1990年8月24日PP.0) | 220 | |
1990年10月号 | 量子効果トランジスタ | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1990年8月24日PP.0) | Si | 220 |
1990年10月号 | 実時間で動画処理LSI | 富士通 | 電波新聞 (1990年8月23日PP.0) | 5×5画素 9b×8bの乗算器10個 8b×8bの乗算器10個 15入力加算器を内蔵 | 220 |
1990年10月号 | 光ICの戻り光2桁減らす | 東工大 | 日刊工業新聞 (1990年8月22日PP.0) | 220 | |
1990年10月号 | 文字誤認率を大幅アップの光ニューロチップ | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1990年8月21日PP.0) | 32個の発光素子 32個の受光素子 1024個の空間公変調素子 | 220 |
1990年10月号 | BiCMOS使う新回路 | 日電 | 日刊工業新聞 (1990年8月16日PP.0) | 0.6μmプロセス 15万ゲート 164m 180ps/負荷 350ps/負荷 | 220 |
1990年 9月号 | 超電導A/D変換器 | 米WH | 日経産業新聞 (1990年7月26日PP.0) | 1nA以下の微弱な信号を検出 10の11乗のパルスをカウント | 220 |
1990年 9月号 | GaAsゲートアレイ | 富士通 | 日刊工業新聞 (1990年7月12日PP.0) | 3k〜30k ゲート ゲート遅延時間80ps 0.4mW | 220 |