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情報処理用素子 関係の注目記事
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題 目発表社情報源キーワード 分類
番号
2018年 3月号窒化ガリウムパワー半導体 プロセス技術開発東芝日刊工業新聞
(2017年12月6日PP.1)
閾値電圧変動を従来比1/20220
2018年 3月号SiCパワー半導体 電気抵抗1/3に三菱電機
東大
日刊工業新聞
(2017年12月6日PP.25)
界面近傍を避けるように電子を流す220
2018年 3月号力で色と通電性変化東大日経産業新聞
(2017年12月15日PP.6)
圧力センサ
半導体
結晶構造の変化
120
210
220
2018年 2月号窒化物超伝導体を利用
新型ジョセフソン素子作製
情通機構日刊工業新聞
(2017年11月15日PP.27)
窒化物超電導体
超電導量子コンピュータ,磁性ジョセフソン素子
120
220
2018年 1月号米インテル 17量子ビット搭載プロセッサ公開 オランダ研究機関に提供インテル電波新聞
(2017年10月13日PP.2)
17量子ビット
量子コンピュータ
220
2018年 1月号GaNトランジスタの結晶層を発見物材機構日刊工業新聞
(2017年10月26日PP.23)
絶縁層とGaNの界面に1.5nmのガリウム磁化膜の薄層220
2017年11月号スピン波で論理演算
回路デバイス開発
豊橋技科大日刊工業新聞
(2017年8月22日PP.25)
磁性ガーネット膜をフォーク状に加工
接続点で位相干渉
220
2017年 8月号熱ノイズから電力生成
温度差ゼロでも発電
NTT日刊工業新聞
(2017年5月17日PP.29)
日経産業新聞
(2017年5月18日PP.8)
マクスウェルの悪魔の原理
マクスウェルの悪魔の利用
半導体素子
「マクスウェルの悪魔」の原理
省エネ化
220
2017年 7月号スピン制御 新原理実証横国大日刊工業新聞
(2017年4月11日PP.27)
1nsで従来の約3倍高精度に単一スピンを操作220
2017年 6月号高性能黒リントランジスタ東大など日刊工業新聞
(2017年3月14日PP.27)
厚さ原子数層の黒リン
バンドギャップ1.5eV
220
2017年 5月号縦型トランジスタ積層湘南工科大日刊工業新聞
(2017年2月24日PP.25)
パターン面積10-20%小さく
製造コスト30%以下
220
260
2017年 5月号単一超電導ナノチューブ利用
トランジスタ開発
東大日刊工業新聞
(2017年2月27日PP.21)
二硫化タングステンナノチューブにおいて超電導の発現を発見。単一ナノチューブにおける超電導の初めての報告。220
2017年 4月号パワー半導体 印刷で配線
配線に銀粒子印刷
阪大
産総研
日経産業新聞
(2017年1月19日PP.8)
日刊工業新聞
(2017年1月23日PP.19)
耐熱250℃
シリコン製パワーモジュールと比較して1/5〜1/10のサイズ
パワー半導体
配線技術
160
220
2017年 3月号3次元フィン型ゲルマニウムトランジスタ開発東北大など日刊工業新聞
(2016年12月6日PP.23)
中性粒子ビーム加工
フィン幅6nm
従来比オン電流約6倍
220
2017年 1月号ゲルマニウムで光10倍東京都市大日経産業新聞
(2016年10月25日PP.8)
発光素子
LSI高速化
低消費電力化
220
2016年12月号TMR素子開発
室温で抵抗変化率92%
産総研日刊工業新聞
(2016年9月19日PP.14)
世界最高性能の半導体系のトンネル磁気抵抗(TMR)素子
磁気抵抗素子(TMR)
超省電力
抵抗変化率92%
220
230
2016年11月号反転層チャネルMOSFET
ダイヤ半導体で作製
金沢大など日刊工業新聞
(2016年8月23日PP.23)
パワーデバイス向けノーマリーオフ特性

ダイヤモンドは最も高い絶縁破壊電界とキャリヤ移動度
熱伝導率を持つ究極のパワーデバイス材料
220
2016年11月号電子の移動
1個ずつ制御
シリコン単電子転送素子 
電流再定義へ一歩
NTT日経産業新聞
(2016年7月6日PP.8)
日刊工業新聞
(2016年7月6日PP.23)
シリコン半導体素子
1GHz動作で10-6以下の転送エラー率
直径10nmのシリコン線上に2個のシリコントランジスタを配置した200nmの素子
220
660
2016年11月号新演算素子を開発
スピン波利用 絶縁体で制御
豊橋技科大日刊工業新聞
(2016年7月26日PP.29)
世界最高の性能を持つスピン波干渉を利用した論理演算素子220
2016年 9月号超電導ナノワイヤで特異現象

http://www.keio.ac.jp/ja/press_release/2016/osa33qr000001r2pm.html
慶大
物材機構
群馬大
日刊工業新聞
(2016年6月8日PP.21)
超電導ナノワイヤ
超高感度光検出器
カーボンナノチューブ
量子位相スリップ
幅10nmのナノワイヤ
窒化ニオブ結晶
120
220
2016年 9月号IoT無線IC受信感度2倍になる回路技術開発 東芝日刊工業新聞
(2016年6月14日PP.21)
無線通信IC
受信感度
妨害波
220
2016年 9月号不揮発FPGA応用
小面積
低価格で製造できる回路技術を開発
 
東芝電波新聞
(2016年6月16日PP.4)
不揮発FPGA
小面積
低価格
220
2016年 9月号LSI回路幅半分に東北大日経産業新聞
(2016年6月30日PP.8)
LSI(大規模集積回路)
グラフェン
微細加工
220
2016年 9月号量子情報光チップに道

http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/research/research_results/2016/160523_1.html
京大日刊工業新聞
(2016年5月20日PP.29)
フォトニック結晶
ナノ共振器
量子情報光チップ
光を数10ps以内に転送
120
220
2016年 7月号窒化ガリウム半導体
電子運動初観測

http:// www.ntt.co.jp/news2016/1604/160411b.html
NTT
理科大
日刊工業新聞
(2016年4月13日PP.27)
ペタヘルツ
アト秒
窒化ガリウム半導体
電子振動
ペタヘルツの高周波現象を利用して,アト秒で振動する電子運動の観測に成功
120
220
2016年 7月号分子のダイオード開発阪大日経産業新聞
(2016年4月15日PP.8)
分子からなるダイオード
分子エレクトロニクス
カルバゾール
220
2016年 7月号省電力パワー半導体量産ローム日経産業新聞
(2016年4月21日PP.6)
パワー半導体
省電力
量産化
220
2016年 7月号窒化ガリウム半導体
電子運動初観測

http:// www.ntt.co.jp/news2016/1604/160411b.html
NTT
理科大
日刊工業新聞
(2016年4月13日PP.27)
ペタヘルツ
アト秒
窒化ガリウム半導体
電子振動
ペタヘルツの高周波現象を利用して,アト秒で振動する電子運動の観測に成功
120
220
2016年 7月号分子のダイオード開発阪大日経産業新聞
(2016年4月15日PP.8)
分子からなるダイオード
分子エレクトロニクス
カルバゾール
220
2016年 7月号省電力パワー半導体量産ローム日経産業新聞
(2016年4月21日PP.6)
パワー半導体
省電力
量産化
220
2016年 6月号有機半導体動作速度2倍

http://www.toray.co.jp/news/it_related/detail.html?key=DA8EA1B0DF6BA34349257f8000172E84?OpenDocument
東レ日経産業新聞
(2016年3月24日PP.10)
有機半導体
カーボンナノチューブ
動作速度2倍
フィルムに印刷
260
220
2016年 6月号光の粒の波長変換
損失なく光子波長変換

http://www.ntt.co.jp/news2016/1603/160326a.html
NTT日本経済新聞
(2016年3月28日PP.8)
日刊工業新聞
(2016年3月28日PP.26)
量子情報通信
波長変換量約3nm
量子暗号通信
相互位相変調
240
220
2016年 5月号半導体チップ-光モジュール
データ通信2倍高速化
富士通研
ソシオネクスト
日刊工業新聞
(2016年2月1日PP.18)
半導体チップ
光モジュール
220
2016年 4月号水晶発振器
周波数可変に
部品数少なく
コスト減
日本電波工業日経産業新聞
(2016年1月5日PP.6)
水晶発振器
光伝送装置
220
2016年 4月号窒化ガリウム製送信用パワーアンプ
富士通
W帯向け開発

http://pr.fujitsu.com/jp/news/2016/01/25.html
富士通
富士通研究所
日刊工業新聞
(2016年1月25日PP.25)
W帯
75-110GHz
窒化ガリウム
パワーアンプ
4Gbps以上
340
220
2016年 3月号ICの指紋で偽造防ぐ

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2015/pr20151207/pr20151207.html
産総研日刊工業新聞
(2015年12月7日PP.17)
ICの指紋
ICチップの作成時に自然に発生する性能の違いを利用してチップに固有の番号をつける技術
認証性能3倍以上
220
260
620
2016年 3月号薄膜トランジスタ IGZO用い高性能化奈良先端大日刊工業新聞
(2015年12月24日PP.19)
IGZOを用いた薄膜トランジスタの高性能化
駆動電圧は従来の40%以下
劣化量半分以下
220
2016年 2月号スマホ向け匂いセンサ京セラ日経産業新聞
(2015年11月27日PP.6)
膜型表面応力センサ
ガス分析装置
220
2015年12月号パワー半導体 窒化ガリウムでエネルギー損失1/7法政大
住友化学子会社サイオクス
日経産業新聞
(2015年9月16日PP.9)
パワー半導体
窒化ガリウム
省エネ
車モータ制御装置1/10に小型化
パワーダイオード
220
340
2015年12月号120kmの量子暗号鍵伝送

http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0220150928eaaf.html
東大
富士通研
NEC
日刊工業新聞
(2015年9月28日PP.22)
従来比2倍以上の距離,複数光子の同時発生率100万分の1
世界最長の量子暗号鍵伝送
120km伝送
低ノイズの超電導単一光子検出器
秘匿通信
220
340
440
2015年12月号積層構造作製 ゲルマニウムトランジスタ
酸化膜品質3倍超
東北大日刊工業新聞
(2015年9月28日PP.22)
ゲルマニウムMOSトランジスタ
酸化膜
ゲートスタック構造 酸素中性子ビーム
220
2015年11月号折り曲げ変形自在
柔らかいトランジスタ開発
トランジスタ
柔剛兼備

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2015/pr20150812/pr20150812.html
鳥居・浜田・澤谷産総研
(0年2015月8日PP.12)
13
(6年0月2015日PP.8)
26
(5年0月0日)
19衣類のように柔らかく
曲げたり伸ばしたりしても壊れないトランジスタを開発。単層カーボンナノチューブ
イオンゲル
シリコンゴム
医療用の人体圧力分布センサー開発
オンオフ比1万
220
210
2015年10月号量子情報処理多彩に
光回路数秒で1000通り

http://www.ntt.co.jp/news2015/1507/150709b.html
NTT日刊工業新聞
(2015年7月10日PP.23)
日経産業新聞
(2015年7月15日PP.8)
光子を用いた量子情報処理に必要なあらゆる機能を一つのハードウェア上で提供する.再構成可能な集積回路を開発,石英系平面光波回路(PLC)技術,電流で更新通路変更,光集
積回路
120
220
2015年10月号液晶IC 熱抵抗半減リボンディスプレイジャパン日刊工業新聞
(2015年7月28日PP.11)
液晶ドライバIC(ソースドライバ)
液晶テレビの高機能化
放熱性40%改善
4Kテレビ用
ソースドライバー
220
250
2015年 9月号組成後も書き換え可能
分子回路部品を開発

http://www.titech.ac.jp/news/2015/031658.html
東工大
東大
日刊工業新聞
(2015年6月22日PP.16)
電子回路を組んだ後でも回路部品の機能を入れ替えられる素子を一つの有機分子で実現,かご状分子と,その中に入れる分子の組合せで抵抗とダイオード,導線を作り分け120
220
260
2015年 6月号光照射でON/OFFする超電導スイッチ

https://www.ims.ac.jp/news/2015/02/13_3096.html
分子科学研,理化学研日刊工業新聞
(2015年3月17日PP.17)
有機分子を組込んだ電界効果トランジスタ,スピロピラン,光に応答して電気的に分極
光駆動型トランジスタ
240
220
2015年 6月号4K生中継用符号化LSINTT日経産業新聞
(2015年3月26日PP.6)
HEVC,60fpsの4K映像を実時間で1/200〜1/300に圧縮
演算量を96%削減
35mm角のワンチップ,機器サイズ1/16
220
240
520
2015年 6月号量子テレポーテーション用光素子をワンチップ化東大
NTT
日刊工業新聞
(2015年3月31日PP.25)
8
(0年0月0日)
量子テレポーテーション装置の心臓部を光チップに作り込み。従来比10000分の1に小型化。量子もつれ生成・検出部を26×4mmのSi基板上に石英系の光導波回路を形成。
120
220
240
2015年 5月号膨大な組み合わせから最適解を導くチップ日立製作所日刊工業新聞
(2015年2月23日PP.22)
1丁5000乗通りの組合せから最適解
電力効率従来比1800倍
大きさ12平方ミリメートル
220
2015年 5月号演算性能毎秒1.9兆回の社債画像認識プロセッサを開発

http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150227eaai.html
東芝日刊工業新聞
(2015年2月27日PP.27)
歩行者や障害物などを検知する先進運転支援システム
フルカラー画像の処理を実現
210
220
2015年 4月号光で電圧が発生素子作製東北大
日本原子力研究開発機構
日刊工業新聞
(2015年1月14日PP.27)
直径30ナノから90ナノメートルの金微粒子
磁性ガーネット
表面プラズモン共鳴
10mx5mmの素子
120
220
250
2015年 4月号温度センサーとデジタル回路融合
単結晶有機半導体で

http://www.nedo.go.jp/news/press/AA5_100348.html
東京大学などの産学官共同チーム日刊工業新聞
(2015年1月27日PP.26)
多結晶シリコン半導体と同等で
既存の多結晶有機半導体に比べて10倍以上の性能を持つ
160
220
2015年 3月号1ナノ素子で微弱光伝送
東大
LSI配線に応用へ

http://www.t.u-tokyo.ac.jp/epage/release/2014/2014112601.html
東大日経産業新聞
(2014年12月3日PP.10)
電子の代わりに光を使うLSIを実現する可能性220
2015年 3月号チタンなどの金属酸化物製
基盤
電子の動き解明
東北大日経産業新聞
(2014年12月12日PP.10)
シリコンに代わる半導体基盤,チタンとストロンチウムの金属酸化物基盤220
2015年 3月号世界最高耐圧のトランジスタを開発早大日刊工業新聞
(2014年12月16日PP.23)
耐圧1600V,ダイヤモンド製トランジスタ220
2015年 3月号電流駆動力10倍のゲルマニウムトランジスタ産総研日刊工業新聞
(2014年12月16日PP.23)
n型多結晶ゲルマニウムトランジスタ,LSIの3次元積層を実現220
2015年 3月号トンネルFETの長寿命化を実証

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2014/pr20141216_2/pr20141216_2.html
産総研日刊工業新聞
(2014年12月17日PP.23)
電界効果トランジスタ(MOSFET)に比べて10万倍以上長寿命,センサネットワーク回路の駆動に必要な相補型金酸化膜半導体の構成に使用220
2015年 2月号単分子メカスイッチ東工大日刊工業新聞
(2014年11月19日PP.23)
抵抗値3段階,硫黄を含むチオフェン環220
2015年 1月号単電子転送の高速化NTT日刊工業新聞
(2014年10月7日PP.25)
3.5GHで単電子転送,ナノメートル寸法で2層ゲート構造を持つシリコントランジスタをウエハーレベルで作成120
220
2014年12月号複数の人間が同時に触れられる裸眼3Dディスプレイを開発慶大大学院日刊工業新聞
(2014年9月2日PP.17)
人間の顔と両目の位置を計測し
片目ごとに視差のある映像を表示。3台のディスプレイで3人の目に立体映像を映しだす。
220
2014年12月号論理演算で消費電力をほぼ0にする新型ICを開発・実証横浜国大日刊工業新聞
(2014年9月17日PP.25)
磁束の有無で0,1を切り替えるICを開発。超伝導材料のニオブを用いて温度4.2Kで動作。消費電力が従来比100万分の1。220
2014年12月号超電導回路で論理素子を作成理化学研究所など日刊工業新聞
(2014年9月25日PP.27)
量子計算機,読出し精度90%以上220
2014年11月号脳の神経細胞を電子回路に応用したニューロシナプス・チップを開発IBM日刊工業新聞
(2014年8月19日PP.10)
トランジスタ数54億個
100万個のニューロンと2億5600万個のシナプスで構成
ニューロン数100万個
消費電力70ミリワット
520
220
2014年11月号8K対応小型記録装置東京エレクトロン
NHK
日刊工業新聞
(2014年8月21日PP.9)
8K映像対応小型記録装置
従来の約1/3の体積
8K解像度の映像を
独自に開発した低圧縮率の圧縮伸長方式を使用して収録し再生
装置の小型化に成功
220
330
2014年10月号電子の結晶化観測NTT
JST
日刊工業新聞
(2014年7月21日PP.17)
ウィグナー結晶
NMRを使用し
半導体テヘロ構造に低温かつ強磁場で電子が結晶化する様子「ウィグナー結晶」を世界初観測
120
220
2014年10月号液晶部品を使用したフィルムコンデンサ山梨大日経産業新聞
(2014年7月24日PP.10)
表面が酸化した2枚のアルミ電極間に繊維状の樹脂をちりばめ隙間に液晶分子を入れ試作
比誘電率は最大56万で従来の10万倍
120
220
2014年 9月号1チップで4K映像再生可能なシステムLSIの開発パナソニック日刊工業新聞
(2014年6月10日PP.10)
HEVC圧縮の4K
60fps
10ビットカラー映像を1チップで再生
HDCP2.2対応
220
2014年 9月号半導体チップを低コストで積層する技術の開発慶応大日経産業新聞
(2014年6月12日PP.7)
磁力線を使いプロセッサやメモリーを磁力線により非接触接続
製造コスト40%減
低消費電力
44GB
220
260
2014年 9月号水晶発振器並みの周波数精度を持つCMOS発振器東芝日刊工業新聞
(2014年6月12日PP.19)
温度領域ごとに特性を補正するディジタル回路を用いて温度補償100ppm以下の周波数精度を実現
Si半導体発信機
220
2014年 9月号56Gbpsのデータ受信回路富士通研日刊工業新聞
(2014年6月13日PP.1)
世界最速チップ間通信
受信信号の品質補償に並列処理を行うための新たな回路技術を導入
220
2014年 6月号単結晶Siトランジスタをプラスチック上で動作実証広島大日刊工業新聞
(2014年3月14日PP.21)
微小な空間内の液体によって生じる引力を利用,ウェハ上の単結晶Si層を部分的に転写,電界効果移動度は毎秒1V当たり609?220
160
2014年 5月号スピントロニクス活用で電池の寿命を延ばすMCU東北大
NEC
日刊工業新聞
(2014年2月11日PP.13)
不揮発レジスタの書き込み電力を削減
回路線幅90nmのCMOS回路と三端子MTJ素子を組み合わせたICチップ
220
2014年 5月号28Gbps伝送可能な60GHzミリ波無線機IC東工大日刊工業新聞
(2014年2月12日PP.14)
ミキサファースト型IC
消費電力が送信機168mW・受信機155mW・発信器64mW
65nmのCMOSプロセス技術
60GHz帯
64QAM
220
340
2014年 4月号印刷型有機TFT回路東大
JCN
トッパン・フォームズ
リガク
日刊工業新聞
(2014年1月29日PP.26)
13.56MHz個体識別伝送220
340
2014年 4月号PZT薄膜で圧電MEMSデバイスを作製産総研
大日本印刷
日経産業新聞
(2014年1月29日PP.6)
日刊工業新聞
(2014年1月29日PP.21)
口径200mmのウェハで作製
粗大粒子の発生を抑制
210
220
2014年 4月号印刷で高速かつ大面積なTFTシートJAPERA
NEDO
日刊工業新聞
(2014年1月29日PP.1)
真空装置不要
省設備化
露光装置不要
厚さ50μmのPENフィルム
縦300mm横400mmのTFTアレイシートを8時間で作成
アモルファスシリコンと同程度の性能
220
260
2014年 3月号3次元LSI向け多結晶Geトランジスタ産総研日刊工業新聞
(2013年12月18日PP.21)
GeのCMOS化
n型MOSFET
500℃以下で形成
p型n型の両極性
多結晶Geトランジスタ
Siの3倍の電流駆動能力
220
2014年 3月号より低電圧で動作するトンネルFET東大日経産業新聞
(2013年12月18日PP.6)
日刊工業新聞
(2013年12月27日PP.13)
Znの拡散による不純物分布を持つ新型接合技術
動作電圧0.3V
接合部にZn拡散
従来の1/3の電圧で動作
220
260
120
2014年 1月号高感度なスピントルクダイオード阪大
産総研
日刊工業新聞
(2013年10月21日PP.16)
磁気トンネル接合素子
半導体ダイオードの3倍感度
ナノサイズ磁石利用
非線形効果
220
2014年 1月号高速な電気-光変換器情通機構日経産業新聞
(2013年10月23日PP.7)
電気光学変調器
数THz
Siと有機材料を交互に配置
100μm長
0.2μm幅
220
2013年12月号光の90%以上を通す透明な半導体集積回路名大
フィンランドアールト大
日本経済新聞
(2013年9月17日PP.11)
日経産業新聞
(2013年9月17日PP.10)
CNTで配線とトランジスタを製作
一辺0.5mmの回路
120
220
2013年12月号16kV耐圧のSiC素子産総研日刊工業新聞
(2013年9月25日PP.23)
IGBT
エピタキシャル成長
フリップ
220
2013年11月号電導性優れるCNT信州大日刊工業新聞
(2013年8月13日PP.15)
電気を通す線上の結晶性硫黄原子鎖を1nm程度の円筒空間中に作製120
220
2013年11月号CNTだけで構成するIC名大

フィンランドアールト大
日刊工業新聞
(2013年8月13日PP.15)
電極や配電材料にCNT薄膜,絶縁材料にアクリル樹脂を使う,移動度は毎秒1V当たり1000m2120
220
2013年11月号超電導トランジスタ分子研
理研
日経産業新聞
(2013年8月27日PP.10)
有機材料
BEDD-TTF
-265℃・数Vで電気抵抗0
220
2013年11月号電極に炭素材料を使ったキャパシタ豊橋技科大
湘南合成樹脂製作所
日経産業新聞
(2013年8月28日PP.6)
カーボンナノバルーン100mV/sの電圧で電極1g当たり13ファラド220
150
2013年11月号光が伝わる様子をディジタル動画で撮影京都工繊大
千葉大
日刊工業新聞
(2013年8月19日PP.1)
並列位相シフトディジタルホログラフィ
2ps
220
230
430
2013年 9月号低消費電力通信用MOSFET東芝日刊工業新聞
(2013年6月11日PP.21)
CMOSでプロセッサ部と通信部を1チップに小型・集積化可能
ゲート電極材料を2種類
220
2013年 9月号0.37V動作のトランジスタを採用したロジックIC超低電圧デバイス技術研究組合
NEDO
日刊工業新聞
(2013年6月11日PP.21)
日経産業新聞
(2013年6月11日PP.9)
SOTBトランジスタを用いたSRAM
シリコン基板上に厚さ10nmの絶縁膜・その上に電極
SOTB
最小電圧0.37Vの演算用LSI
220
230
2013年 9月号動作電流が大きなトンネルFET産総研日経産業新聞
(2013年6月11日PP.9)
日刊工業新聞
(2013年6月13日PP.21)
合成電界効果トンネルFET
立体構造
220
2013年 9月号低電圧CMOSインバータ産総研
住化
日刊工業新聞
(2013年6月11日PP.21)
GeのpMOSFETとInGaAsのnMOSFETを積層
0.2Vで動作
220
2013年 9月号損失1/10のパワー半導体情通機構
タムラ製作所
日経産業新聞
(2013年6月20日PP.11)
Ga203
0.4mm角
MOSトランジスタ
オンオフ比10桁以上
220
2013年 8月号磁気を電気にかえる素子東北大
慶応大
日経産業新聞
(2013年5月8日PP.7)
導電性プラスチック
約260mTで600mV
220
2013年 8月号非磁性金属に磁気抵抗効果東北大日刊工業新聞
(203年5月17日PP.21)
220
260
2013年 7月号高精度超音波を発振する半導体素子NTT日経産業新聞
(2013年4月19日PP.10)
MEMS応用
GaAs
85μm×1.4μm×250μm
セーザー
温度2.5Kで2.52MHz(バラツキ70Hz)を入力し174kHz(バラツキ0.08Hz)で発振
220
260
2013年 6月号マイクロ波でスピン制御阪大
東北大
日経産業新聞
(2013年3月6日PP.7)
Si製基板にNi・Fe合金・Pdの電極を設けた装置
Ni・Fe合金の電極に磁場をかけスピンの向きをそろえる
マイクロ波照射で電子がPd側に移動
220
2013年 3月号LSI集積度を100倍以上高める技術東大
理研
日経産業新聞
(2012年12月11日PP.9)
原子3個分のMoS2薄膜
0.6nm厚
トランジスタ
120
220
2013年 3月号ダイヤモンド半導体を用いた真空パワースイッチ産総研
物材機構
日刊工業新聞
(2012年12月12日PP.24)
日経産業新聞
(2012年12月14日PP.8)
10kVで動作
高濃度不純物層
伝達効率74%
ダイヤモンド表面をHで覆う
250
220
2013年 3月号リーク低減したSiCパワー半導体阪大
京大
ローム
東京エレクトロン
日経産業新聞
(2012年12月12日PP.6)
日刊工業新聞
(2012年12月12日PP.24)
ゲート絶縁膜にアルミ酸化物
N添加によりリーク90%減
耐圧1.5倍
高誘電率ゲート絶縁膜採用のSiC製MOSFET
120
220
250
2013年 2月号電子移動度が高い半導体物材機構
理研
住友金属鉱山
日経産業新聞
(2012年11月7日PP.7)
IWO(インジウム
タングステン
酸素)
電子移動度18
作製温度は100℃
IGZO(In・Ga・Zn・O)後継の半導体試作
250
220
2013年 2月号高い信号強度の量子ビット判別技術理研
NEC
日経産業新聞
(2012年11月7日PP.7)
量子ビット状態に応じた共振器の周波数変化を利用
Al製量子ビット作成回路とNb製共振器を結合
精度90%
220
320
660
2013年 2月号機能変更できる半導体素子物材機構
UCLA
日経産業新聞
(2012年11月27日PP.10)
「オンデマンド素子」
酸化タングステンと白金で挟みこむ
入力電圧によりダイオード
キャパシタ
スイッチ等として機能
120
220
2013年 1月号膜厚10nmの金属酸化膜トランジスタ物材機構
理研
日刊工業新聞
(2012年10月18日PP.24)
酸化タングステン(W2O3)
100℃で成膜が可能
120
220
2013年 1月号23.5kV耐圧のパワー半導体京大日経産業新聞
(2012年10月24日PP.7)
SiC
表面をポリイミドで覆う
バイポーラトランジスタ
220
2012年12月号無線送信部品を省電力化富士通研日経産業新聞
(2012年9月28日PP.11)
高周波増幅器にダイオード利用
面積を1/25の0.04mm2
消費電力0.3mW
220
240
2012年11月号ダイヤモンド半導体を用いたFET東工大
産総研
日刊工業新聞
(2012年8月23日PP.19)
高濃度のP不純物を添加したn型ダイヤモンド半導体220
2012年10月号発電用途に特化した圧電素子大阪府立大
大阪府立産業総合研究所
日経産業新聞
(2012年7月2日PP.11)
BiやFeなどの酸化物で構成
CVDを応用
幅0.5mm
長さ2mm
厚さ3μmの素子を試作
比誘電率が従来の1/10
120
220
2012年10月号酸化物と電界でFET理研
東大
日刊工業新聞
(2012年7月26日PP.21)
強相関酸化物
電気二重層をVO2に適用
1Vで制御
220
2012年 9月号20kV対応のSiC素子京大日経産業新聞
(2012年6月5日PP.9)
180μmの結晶厚さ
Alイオン注入量を制御
220
2012年 9月号消費電力1/100のCPU半導体エネルギー研日経産業新聞
(2012年6月6日PP.1)
ごく短時間ずつCPUを動作
レジスタにIGZOを使用
8ビットCPUを試作
IGZOを使いCPUの消費電力を削減
220
2012年 9月号低消費電力のFPGA回路スイッチ超低電圧デバイス組合日経産業新聞
(2012年6月20日PP.7)
原子移動型スイッチ
面積1/4
電力70%減
220
2012年 8月号p型Geに磁性体のスピン情報を室温で入力産総研日刊工業新聞
(2012年5月16日PP.20)
160
(0年0月0日)
p型のGeFe
厚さ2nmのMgOを積層した電極を作成し
スピン情報をFeからGeへ入力
ハンル効果
スピン情報80nm
120
220
2012年 8月号環境で応答が異なる新型素子物材機構
UCLA
日経産業新聞
(2012年5月24日PP.11)
シナプスを模倣
硫化銅による原子スイッチ
真空中と大気中とで記憶動作異なる
220
2012年 7月号CNT製トランジスタの印刷技術単層CNT融合新素材研究開発機構
産総研
NEC
日刊工業新聞
(2012年4月19日PP.17)
日経産業新聞
(2012年4月20日PP.10)
半導体型ナノチューブ
プラスチックフィルムに印刷
出力電流のばらつき30%
印刷面にあらかじめ単分子膜を形成しインクの吸着を促進
インクに純度95%以上の半導体型ナノチューブを使用
220
260
2012年 7月号磁束が超電導細線を透過する新現象理研
NEC
日経産業新聞
(2012年4月19日PP.11)
日刊工業新聞
(2012年4月24日PP.23)
酸化インジウム
量子ビット
マイクロ波
コヒーレント量子位相スリップ(CQPS)効果
幅35nmのInOを仕切りとして置き
微弱な磁場を加えながらマイクロ波を当てる
電流標準
120
220
2012年 6月号鉛を含まない圧電体東工大
上智大
キヤノン
日刊工業新聞
(2012年3月16日PP.24)
Bi・ZnとTiを含む酸化物
高温下で動作
220
250
2012年 6月号有機ELディスプレイの駆動素子を印刷で作製山形大日本経済新聞
(2012年3月26日PP.11)
日経産業新聞
(2012年3月30日PP.10)
Agの微小粒子インク
100pixel/inch
厚さ125μm
ポリエステルフィルム
ペンタセン
工程のすべてを150℃以下
250
260
220
2012年 5月号高集積型の電子素子産総研
東大
日経産業新聞
(2012年2月9日PP.11)
強相関電子材料
CaMnO3を使った素子
10nm以下の微細加工でも高性能を維持
Caの一部をCeに置換
2mm四方のトランジスタを試作
220
120
2012年 5月号スーパハイビジョン対応復号LSIを試作早大日刊工業新聞
(2012年2月20日PP.17)
7680×4320×60fps
H.264/AVCハイプロファイル
65nm CMOS
消費電力410mW
220
2012年 5月号低消費電力で光通信を実現する光メモリーNTT日経産業新聞
(2012年2月27日PP.11)
InGa製のフォトニック結晶を材料に使用
長さ10μm
動作に必要な電力30nW
40Gbpsで光信号を送信
一時保存と読出しが可能
220
240
2012年 4月号超電導状態になる炭素繊維物材機構日経産業新聞
(2012年1月5日PP.11)
5Kで1cm2あたり200万Aの電流を流せる
合成条件によって直径90nm〜1μm
長さ3μm〜数mm
フラーレン
120
220
2012年 4月号高周波で動作するパワーJFET京大
住友電工
日経産業新聞
(2012年1月24日PP.10)
SiCを採用
実験では最大1.5A・約30Vで動作
周波数13.56MHz
220
2012年 3月号省電力化と高速化を両立したLSI用電子回路東北大
NEC
日刊工業新聞
(2011年12月6日PP.1)
日経産業新聞
(2011年12月8日PP.11)
スピントロニクス素子とCMOS素子のハイブリッド回路を高速化
動作周波数600MHz
ラッチ回路向け
220
2012年 3月号再構成可能LSI向け配線スイッチ超低電圧デバイス技術研究組合日刊工業新聞
(2011年12月8日PP.18)
10〜50nm
スイッチ素子を3端子で構成
220
2012年 2月号ゲルマニウムを使った半導体素子九大日経産業新聞
(2011年11月10日PP.11)
日刊工業新聞
(2011年11月10日PP.23)
Ge薄膜上にソースゲートドレインを取り付け界面部分を原子層レベルで制御220
2012年 1月号量子メモリーの原理実験に成功NTT
阪大
国立情報学研
日刊工業新聞
(2011年10月13日PP.21)
日経産業新聞
(2011年10月13日PP.11)
量子もつれ振動を制御
量子メモリー
ダイヤモンド基板と超電導の量子ビットを組み合わせたハイブリッドの量子状態
220
230
120
2012年 1月号室温下で磁性金属の磁力を電気的にスイッチ京大日刊工業新聞
(2011年10月18日PP.23)
強磁性状態と常磁性状態を切替
Coの超薄膜
220
120
2011年12月号ダイヤモンド半導体を使ったバイポーラトランジスタ産総研日刊工業新聞
(2011年9月5日PP.19)
10
(0年0月0日)
ダイヤにBPを高濃度に添加した低抵抗ダイヤモンド薄膜


増幅率10
バイポーラトランジスタ
室温動作
220
2011年12月号光インターコネクト用の超小型光源富士通研日刊工業新聞
(2011年9月16日PP.1)
日経産業新聞
(2011年9月20日PP.9)
シリコンフォトニクス光源
温度調節不要
長さ1mm
幅0.1mm(光源と光変調器合わせて)
光送受信器に載せる光源と光変調器の動作波長を自動的に一致させる機構
220
240
2011年12月号シリコン光配線集積回路東大日刊工業新聞
(2011年9月19日PP.10)
チップ間の情報伝送容量3.5Tb/cm2
各光部品を5mmx4.5mmの小型シリコン基板上に集積
220
240
2011年12月号量子コンピュータ向け基本素子東大
NTT
日経産業新聞
(2011年9月29日PP.11)
GaAsの素子
スピンが情報の最小単位
量子もつれ
220
2011年11月号磁気・電気的な性質を制御可能な磁性半導体原子力機構
東大
日刊工業新聞
(2011年8月10日PP.15)
スピントロニクス
磁気的な性質と電気的な性質を独立に制御可能
220
230
2011年10月号有機半導体の単結晶膜を作るインクジェット印刷法産総研日刊工業新聞
(2011年7月14日PP.26)
有機半導体を溶かした液滴と液晶化するための液滴を交互に印刷するダブルショットインクジェット印刷法160
220
2011年10月号消費電力ほぼ0の半導体素子東大
NTT
日本経済新聞
(2011年7月25日PP.11)
100nmの量子ドットにスピンを閉じ込めた構造
わずかな電圧でスピンを制御
220
2011年 9月号大電流・高電圧に対応するGaN半導体名工大日刊工業新聞
(2011年6月8日PP.22)
160
(260年0月0日)
耐電圧1800V 移動度3000cm2/Vs
膜厚9μm
NH3とトリメチルアルミニウムを用いたAlNとGaNによるバッファ層
220
120
2011年 9月号電子移動度4.2倍の次世代素子東大
産総研
住友化学
物材機構
日刊工業新聞
(2011年6月15日PP.19)
化合物半導体とGe基板を使用220
2011年 8月号室温で低消費電力な半導体素子

・14と一つにまとめ
東大
東北大
ファインセラミックスセンター
日経産業新聞
(2011年5月27日PP.11)
電子のスピンによる磁石の向きを電圧で制御
電流は通常の1億分の1
La
Alの酸化物基板上に微量のCoを添加したTiO2で素子を作成
220
120
2011年 8月号電圧4Vで磁気制御可能なトランジスタ

・13と一つにまとめ
東大日刊工業新聞
(2011年5月27日PP.25)
非磁性物質を電気的に強磁性物質に変化
TiOにCoを加える
電気二重層構造
220
2011年 7月号2000万fps撮影可能なイメージセンサ東北大
島津製作所
日経産業新聞
(2011年4月18日PP.11)
日刊工業新聞
(2011年4月19日PP.26)
CMOS採用により消費電力抑制
45mm角チップを試作
内蔵メモリへ一時保存して読出す
1コマ50nsで処理
既存の半導体製造工程で製造可能
低消費電力
10万画素で約250コマ撮影可能なチップを試作
210
220
2011年 5月号円偏光発光素子東大日刊工業新聞
(2011年2月2日PP.21)
人工キラル周期構造
InAs製の量子ドットを埋め込み
120
220
2011年 5月号反強磁性と超電導が共存する構造の新材料東工大
物材機構
日経産業新聞
(2011年2月3日PP.11)
日刊工業新聞
(2011年2月3日PP.24)
Ce・Ni・Bi層と電気抵抗のある常電導で反強磁性
有効質量が超電導層で1に対し常電導層で400
4.2K以下で超電導を観測
120
220
2011年 5月号微小凹凸でLSI接合九大日経産業新聞
(2011年2月4日PP.10)
突起電極と対向電極を30℃で20秒押しつけると接合
電気抵抗83mΩ
銅でできた直径数μmの突起と溝をかみ合わせて接合
加熱不要
220
260
2011年 5月号FF回路の素子を減らし省電力化東芝日経産業新聞
(2011年2月23日PP.7)
基本素子のトランジスタ数24個から22個220
120
2011年 5月号LSI間の通信速度向上慶応大日経産業新聞
(2011年2月25日PP.8)
磁界結合でクロック同期
19.6Gbps
結合共振
220
2011年 3月号酸化物半導体TFTで作った整流回路日立日刊工業新聞
(2010年12月7日PP.1)
13.56MHzの電波を直流電力へ変換可能
ガラス基板上に0.4mm×2mmを試作
インジウムガリウム酸化亜鉛(InGaZnO)の金属組成比を改良
220
250
2011年 3月号演算と記憶の複合素子を開発物材機構
阪大
東大
日刊工業新聞
(2010年12月24日PP.20)
アトムトランジスタ
わずかな金属素子を絶縁体中で移動させることで動作させる
不揮発性ロジック回路
220
230
2011年 2月号炭素系ナノテク活用の高速有機トランジスタ阪大
山形大
大日本印刷
日経産業新聞
(2010年11月1日PP.11)
C60と呼ぶフラーレン薄膜
Al
色素の各層を挟んだ構造
400kHzで高速応答
従来の5倍以上の電流を流せる
120
220
2011年 1月号GaN-HEMTを使った高出力な送信用増幅器富士通日刊工業新聞
(2010年10月4日PP.18)
ミリ波帯向け
出力1.3W
67〜80GHzで10Gbps
通信可能距離10km
240
220
2011年 1月号CNT利用の安価な高性能トランジスタ名大日経産業新聞
(2010年10月21日PP.11)
Si薄膜の代わりに直径1.5nm
長さ1μmのCNTを敷き詰める
縦横1cmのTFTを試作
厚さ0.5mmの基板上に2〜3nmのCNT薄膜を塗布オンオフ比が最大1000万
120
220
2011年 1月号酸化亜鉛使用の高速電子素子東大
東北大
東工大
ローム
日経産業新聞
(2010年10月29日PP.9)
厚さ0.8μmのZnO単結晶TFT
分数量子ホール効果
電子移動度がSiの約10倍の可能性
220
120
2010年12月号発電効率45%超を実現する太陽電池向け新素材東大
シャープ
日経産業新聞
(2010年9月29日PP.13)
多接合
厚み3nmのInGaAsの膜と原子1個分の厚みのInGaPの膜を交互に60個積み重ねる
量子井戸効果
多接合タイプ太陽電池
120
250
220
2010年11月号ケーブル1本で携帯機器内データ伝送ソニー日経産業新聞
(2010年8月23日PP.5)
日刊工業新聞
(2010年8月23日PP.8)
映像・音声・制御信号
ケーブル本数が従来の数十分の1
max940Mbps
機器内ワンワイヤインターフェイス技術
220
2010年11月号誘電率200以上を実現する小型薄膜コンデンサ


・10とあわせて1件
物材機構日刊工業新聞
(2010年8月25日PP.24)
チタン酸バリウム系の薄膜と比べ大きさ1/20
容量10倍以上
厚さ1.5nmで横幅約10μm
120
220
2010年11月号高性能な薄膜コンデンサ


・9とあわせて1件
物材機構日経産業新聞
(2010年8月25日PP.9)
ペロブスカイトナノシート
膜厚5〜20nmで誘電率210〜240
220
2010年11月号超高精細映像の高速低消費電力伝送の実証実験産総研
情通機構
日経産業新聞
(2010年8月25日PP.9)
スーパハイビジョン映像
光スイッチ応用
1/1000以下の消費電力
220
440
2010年11月号暗所でも高感度な大型CMOSセンサキヤノン日経産業新聞
(2010年8月31日PP.1)
202mm×205mm
160万画素
0.3Lxで60fps撮像
210
220
2010年10月号積層チップ間無線通信の消費電力抑制慶応大日経産業新聞
(2010年7月1日PP.12)
磁気結合を応用
1bあたり100兆分の1ジュール以下
データ通信速度1Gbps
送受信部の大きさ0.01mm2
消費電力1/1000
120
220
2010年10月号情報を暗号化する素子北大
浜松ホトニクス
NTT
東京理科大
日経産業新聞
(2010年7月8日PP.12)
p型InPにn型のInGaAsやニオブを積層
ニオブ層の厚さ80nm
光子対
量子もつれ合い状態
120
220
2010年 9月号Q値の劣化を半分にした可変インダクタルネサスエレクトロニクス日刊工業新聞
(2010年6月16日PP.19)
受動素子
4つのインダクターを2個ずつ並列に接続した回路構成
10〜20GHzの高周波領域で動作
高速光通信
ミリ波通信
220
2010年 9月号0.5Vで集積回路を動作させる技術東大日刊工業新聞
(2010年6月18日PP.21)
パスゲートトランジスタ
SRAM動作時のマージンが70%改善
220
2010年 9月号テラヘルツ波検出感度が100倍以上のトランジスタパナソニック日経産業新聞
(2010年6月23日PP.11)
室温動作可能
GaN材料
220
2010年 9月号グラフェンで論理回路を形成物材機構
筑波大
日経産業新聞
(2010年6月24日PP.12)
インバータ機能のグラフェン素子を試作
電圧ゲイン7以上
2V以下の低電圧で動作
120
220
2010年 9月号寿命2倍電力半減のLED照明用電源ICタキオン日経産業新聞
(2010年6月24日PP.1)
15μsに1回電源ON/OFF
電解コンデンサ不要
220
2010年 9月号10万倍の抵抗値変化を記憶できる強誘電体採用メモリスタパナソニック電波新聞
(2010年6月25日PP.1)
半導体と強誘電体の界面伝導を利用
トランジスタとの一体化
結晶成長技術
220
2010年 9月号化合物半導体を使ったトランジスタ -LSI速度5倍に-東大
産総研
物材機構
住友化学
日経産業新聞
(2010年6月25日PP.15)
InGaAs
高速LSI
220
2010年 8月号超電導の人工原子を組み込んだ量子光学素子理研
NEC
日刊工業新聞
(2010年5月11日PP.22)
超電導量子ビット
巨視的量子散乱などの量子光学現象
120
220
2010年 7月号半導体を使った人工視覚装置を試作奈良先端大
ニデック
阪大
日経産業新聞
(2010年4月23日PP.9)
チップは0.6mm四方で9個の電極を配置
光信号を電気信号に変換
動物実験で性能確認
220
310
2010年 6月号A-Si製のTFTと同程度の移動度とON/OFF比を実現したCNTトランジスタ名大日本経済新聞
(2010年3月1日PP.13)
太さ1.2nm
長さ200nm
鮭の精子から抽出したDNA
電気の流れやすさ1000倍
120
220
2010年 6月号GPUとDRAM間の通信速度32倍の8Tbps慶応大日経産業新聞
(2010年3月2日PP.11)
GPUとDRAM間を無線通信
回路面積1/66
1024個のコイルでデータを送受信
220
520
2010年 5月号回路面積1/10
消費電力1/5の無線通信用AD変換器
東芝日経産業新聞
(2010年2月24日PP.11)
逐次比較型
キャパシタの数36個
面積0.06mm2
消費電力1.21mW
220
2010年 3月号LSIの不純物濃度のばらつき測定東芝日経産業新聞
(2009年12月9日PP.11)
イオンビームで素子を切り出してキャリヤ濃度を測定
結晶構造の違いでキャリヤ分布が異なる
20nm回路に対応
660
220
210
2010年 3月号動作速度が3割向上した高速無線用半導体NECエレクトロニクス日経産業新聞
(2009年12月18日PP.11)
アナログ部の配線抵抗を従来と比べて半減
動作クロック200GHz
線幅40nmのCMOS
220
2010年 2月号塗布法で高速な有機薄膜トランジスタ大阪大
広島大
日刊工業新聞
(2009年11月6日PP.30)
移動度
5cm2/Vs
非晶質Si
5倍以上の移動度
220
2010年 2月号LSI内1チップ光配線東芝日刊工業新聞
(2009年11月10日PP.25)
消費電力1/10
長さ600μmのレーザ光源部品
幅450nmのSi光導波路
受光素子の大きさ1/5
光源と導波路間の光結合効率60%以上
オンチップフォトニクス
220
2009年12月号性能100倍の有機半導体東洋大日経産業新聞
(2009年9月8日PP.11)
有機薄膜トランジスタ
不純物層
シミュレーションで確認
220
2009年12月号小型の高周波信号処理チップTDK日経産業新聞
(2009年9月25日PP.5)
HDDの薄膜成型技術を応用
線幅が最小10μm
高周波帯域のESR(等価直列抵抗)が優れている
体積従来の1/3
バラン
カプラー
コンデンサ
220
2009年11月号簡単構造で耐電圧1kVのダイヤ製ダイオード物材機構日経産業新聞
(2009年8月21日PP.9)
ショットキーダイオード
CVD
エキシマランプで172nmの紫外線照射
220
2009年10月号消費電力1/10のFPGA東北大
日立
日経産業新聞
(2009年7月17日PP.11)
微細な磁石で情報を記憶
待機電力不要
回路面積従来の半分
ルックアップテーブルに磁気素子Mn・Coを使用
220
230
2009年10月号コンピュータの消費電力を1/10に下げる基本素子東北大日経産業新聞
(2009年7月24日PP.11)
磁気抵抗変化率が従来の3倍
MTJ素子
220
2009年 9月号X帯で出力101WのHEMT増幅器富士通研日刊工業新聞
(2009年6月12日PP.26)
n型窒化ガリウム技術
ゲート長0.25μm
効率53%
出力4倍を達成
240
220
2009年 8月号世界最速CPU
128GFLOPS
富士通日経産業新聞
(2009年5月14日PP.11)
1秒間に1280億回の計算が可能
約2cm2のチップ上に集積する回路が従来の2倍の8個
消費電力従来の1/3
8コア
Sparc648FX
220
2009年 8月号原子サイズの2層CNTトランジスタ青山学院大
名大
東邦大
日経産業新聞
(2009年5月15日PP.1)
電子線によりナノチューブの層を分離
PN接合の特性を確認
太さ2〜3nm
2層CNTをSi基板上に乗せる
大きさSiLSIの1/100程度
220
120
2009年 6月号USB3.0対応の通信用LSI富士通マイクロエレクトロニクス日経産業新聞
(2009年3月27日PP.1)
データの転送速度は従来比10倍以上
データの転送速度5Gbps
アダプティブイコライザ
520
220
2009年 5月号CNTトランジスタを全工程で印刷作製NEC日刊工業新聞
(2009年2月18日PP.24)
日経産業新聞
(2009年2月18日PP.9)
200℃以下の低温で揮発性をもつインク
オンオフ比約1000の多層構造のp型トランジスタを試作
160
120
220
2009年 4月号特定の光子対のみを通すフィルタ回路北大
広島大
英ブリストル大
JST
日経産業新聞
(2009年1月23日PP.10)
日刊工業新聞
(2009年1月23日PP.22)
量子もつれ
半透明の鏡や特殊な偏光板で構成
大きさ50cm四方
2つの光子が同じ偏光方向をもつ場合に透過
異なる場合に吸収
量子ゲート
経路干渉
単一光子
240
220
120
2009年 3月号22ナノ世代LSI向け量産化技術Selete日刊工業新聞
(2008年12月17日PP.21)
Si基板に約0.4nmの酸化イットリウムを原子層堆積法で薄く成膜
絶縁膜としてハフニウム系の高誘電率膜
MOSトランジスタの絶縁膜にイットリウムを導入
220
2009年 3月号ひずみSiを活用してLSI処理速度を40%向上させる技術東大日経産業新聞
(2008年12月18日PP.11)
約500気圧の引っ張る力で電流量最大4%増加
チャネル幅1〜20nmのトランジスタ試作
220
2009年 2月号微細回路に対応する半導体洗浄超純水栗田工業日経産業新聞
(2008年11月12日PP.1)
過酸化水素を除去
1ppb以下
過酸化水素による酸化を抑制
220
2009年 2月号書換え電流抑え微細化したMRAM技術富士通研日刊工業新聞
(2008年11月12日PP.1)
スピン注入磁化反転方式
書換え電流従来比1/3程度
磁気トンネル接合素子(MTJ)
220
230
2009年 2月号CMOS微細化技術東工大日経産業新聞
(2008年11月14日PP.9)
絶縁膜の厚さ0.37nm
回路線幅16nm以下のLSI開発に不可欠な技術
絶縁膜に酸化ランタンを採用
220
120
2009年 1月号通電遮断回路不要なGaN-HEMTトランジスタ富士通
富士通研
日刊工業新聞
(2008年10月10日PP.24)
2nmのn型GaN膜
AlN
300Vの高耐性で動作
220
2009年 1月号ナノ粒子の導電性銀インキ東洋インキ製造日経産業新聞
(2008年10月11日PP.1)
インクジェット方式での基板プリント
リオメタル
銀粒子を直径8nmに細分化
220
2009年 1月号次世代高速無線用トランジスタ
-消費電力1/3に-
日立日経産業新聞
(2008年10月17日PP.1)
シリコンゲルマニウムを使った独自の薄膜形成技術
エピタキシャル成長
不純物を約8%抑制
真空集で水素を流し込み酸素を除去
160
220
2008年12月号ワイヤ状の有機半導体
導電性10倍
物材機構
静大
日経産業新聞
(2008年9月10日PP.13)
ペンタゼン
メチルチオ基
直径20〜100nmで長さが1〜5μmのワイヤ状の有機半導体
抵抗率10000Ωm
120
220
2008年12月号高速無線通信向けLSIの小型化技術NECエレクトロニクス日経産業新聞
(2008年9月25日PP.11)
磁性膜をLSIにのせる
コイル数を抑制
UWBやミリ波での近距離通信向け
220
440
240
2008年11月号多量子ビット素子
-超高速コンピュータに道-
東大
NTT
日刊工業新聞
(2008年8月18日PP.18)
日経産業新聞
(2008年8月18日PP.6)
GaAs化合物半導体
電子スピン
コバルト製の微小な磁石
直径0.2μmの円盤形の量子ドット
120
220
2008年11月号高性能強磁性トンネル接合素子で高周波発振に成功阪大
産総研
キヤノンアネルバ
日刊工業新聞
(2008年8月29日PP.31)
数-10GHz
発振出力約0.2μW
磁極フリー層(CoFeB)
絶縁性のトンネル障壁層(MgO)
磁極固定層(CoFeB)の3層構造
スピンの歳差運動
同素子を70nm×160nm断面の柱状に加工
120
220
2008年10月号スパコン用MPUチップの消費電力を最大50%削減日立
東大
日経産業新聞
(2008年7月3日PP.7)
MPU
低消費電力技術
漏れ電流低減
数十nsのしきい値電圧変更
220
2008年 9月号高純度単層CNTを活用した薄膜トランジスタ産総研日刊工業新聞
(2008年6月11日PP.25)
日経産業新聞
(2008年6月11日PP.11)
分散型ポリフルオレン
超音波で分散
遠心分離機
移動度2cm2/Vs
オンオフ比10万以上
CNT液をSi基板にコーティング
120
160
220
2008年 9月号単層CNTで配線を作製する技術九大日経産業新聞
(2008年6月16日PP.17)
高い導電性
幅0.5μmの細い線
縦横0.5μmの四角いパターン
220
160
2008年 9月号HDPhoto(JPEGXR)対応の撮影用LSIメガチップス日経産業新聞
(2008年6月18日PP.1)
LSI内部で異なる処理を1つの回路で共有
画像圧縮
次世代規格に対応
220
520
2008年 9月号立体構造トランジスタの消費電力を1/3以下に抑える技術東芝日刊工業新聞
(2008年6月19日PP.24)
電波新聞
(2008年6月19日PP.1)
FinFET
漏れ電流70%低減
待機電力20%低減
歪みSiチャネル技術
220
2008年 9月号スーパコンピュータ搭載LSIの消費電力半減技術日立
東大
日刊工業新聞
(2008年6月20日PP.24)
電圧を従来の28倍高速の35ns以下で切替え
待機状態のプロセッサの周波数を低く設定
220
2008年 7月号光LSI配線構造解明阪大日経産業新聞
(2008年4月3日PP.9)
光LSI
線幅10nm
表面プラズモン
120
220
2008年 7月号次世代大規模集積回路の実現に繋がる歪みSiLSI東京インスツルメンツ
群馬大
日経産業新聞
(2008年4月3日PP.1)
近接場ラマン光
線幅32nm以降の次世代LSI
20nmひずみ分布を精密測定
120
220
660
2008年 7月号板バネ微細振動を利用した省エネ半導体素子NTT日経産業新聞
(2008年4月15日PP.9)
日刊工業新聞
(2008年4月15日PP.26)
消費電力1000〜1万分の1
1ビット分の情報処理に成功
長さ250μm
厚さ1.4μm約10nmの幅で振動
220
2008年 7月号CMOSの特性変動を予測するシミュレーションモデルを開発Selete日刊工業新聞
(2008年4月23日PP.1)
設計時のマージン不要
LSI性能20%向上
STI工程
220
620
2008年 7月号鉄系加圧で超電導日大
東工大
日経産業新聞
(2008年4月24日PP.11)
日刊工業新聞
(2008年4月24日PP.30)
4万気圧をかけ-230℃で超電導
転移温度-230.15℃
120
220
2008年 6月号曲がる有機ELへ新素材東レ日本経済新聞
(2008年3月28日PP.17)
硫黄を含む有機半導体
CNTを混合
電気を通す性質はSi半導体並みに向上
コスト1/10
120
220
2008年 5月号演算能力20倍の3次元LSI東芝
米スタンフォード大
日本経済新聞
(2008年2月18日PP.23)
CNT
素子配線
ReRAMを演算回路と積層
220
260
2008年 5月号新種の高温超電導体東工大日経産業新聞
(2008年2月19日PP.8)
日刊工業新聞
(2008年2月19日PP.22)
LaとO2が作る絶縁層とFeとAsが作る電導性の層を交互に積層させた層状化合物
酸素イオンの一部をフッ素イオンで置き換えると超電導
フッ素濃度11%で約-241℃で電気抵抗ゼロ
120
160
220
2008年 5月号量子暗号通信の中継技術東北大
産総研
日経産業新聞
(2008年2月27日PP.12)
日刊工業新聞
(2008年2月27日PP.31)
量子中継器
光子から電子へ1対1で転写
AlGaAsに井戸幅11nmのGaAsを挟んだ量子井戸構造の素子を作製
電子と光子のもつれ合い解消
120
160
220
2008年 4月号最速120GHzで動作するダイヤモンド製トランジスタNTT
英エレメントシックス
日経産業新聞
(2008年1月7日PP.9)
車載用レーダ
多結晶ダイヤモンド基板上
科学的気相成長法
2GHz時の増幅率1万倍
ガリウム・ヒ素に比べて2倍以上の高出力
220
2008年 3月号回路線幅32nmLSI向け製造プロセス技術Selete
日立建機ファインテック
日経産業新聞
(2007年12月11日PP.1)
電流漏れを防ぐ技術
電極素材と配線層間材料を新たに開発
ゲート材料にTiN
絶縁膜に窒化ハフニウムシリケート
nMOSにMgO
pMOSにAlO
ポーラスシリカ
SiO
比誘電率2.4
120
160
220
2008年 3月号高速・低消費電力の新トランジスタ日立
東大
日経産業新聞
(2007年12月14日PP.11)
絶縁膜厚を10nmにして基板からも電圧制御
漏れ電流1/10
動作速度20%向上
SOI
160
220
2008年 3月号世界初のトレンチ型SiC MOSFETと大電流容量を実現したSiC SBDローム電波新聞
(2007年12月21日PP.1)
1cm角で300A
900V耐圧
オン抵抗2mΩcm2
JFET抵抗
SBD逆方向耐圧660V
160
220
2008年 3月号最新の光変調器米IBM電波新聞
(2007年12月11日PP.3)
マッハツェンダ光変調器
大きさ1/100〜1/1000
電気信号の代わりに光パルスを使用
シリコンナノフォトニック導波管
220
2008年 3月号耐圧特性10400Vのパワートランジスタ松下電器電波新聞
(2007年12月13日PP.2)
GaNパワートランジスタ
サファイア基板への貫通電極構造
孔の直径80μm
深さ250μm
欠陥密度10の8乗cm2
オン抵抗186mΩcm2
520
220
2008年 2月号量子多体現象
超高速で計算処理
NII
米スタンフォード大
日経産業新聞
(2007年11月22日PP.9)
日刊工業新聞
(2007年11月22日PP.20)
光と閉じ込める微細構造を相互に連結
厚さ3nm半導体薄膜12層
ボーズアインシュタイン凝縮体を約20個形成
超流動的
120
160
220
2008年 2月号InGaAsで縦型量子ドット作製東北大日経産業新聞
(2007年11月29日PP.13)
日刊工業新聞
(2007年11月29日PP.28)
3次元のMOSゲート構造
原子層堆積法
均一で高耐圧なゲート絶縁膜を形成
電子スピンの状態を正確に制御
約10倍の効率
120
220
2008年 1月号線幅100nm以下の超電導回路物材機構日経産業新聞
(2007年10月2日PP.1)
光相変化材料Y123
Y
Ba
Cu
O
近接場光
先端50nm径の光ファイバ
30nm径の超電導体ドットを50nm間隔で作成
10K以下で超電導状態
ジョセフソン接合
120
160
220
2007年12月号折り曲げ可能な縦型有機トランジスタ千葉大日刊工業新聞
(2007年9月7日PP.1)
横型では実現できない低電圧駆動の曲がるディスプレイ
従来比約100倍
±2Vの低電圧で駆動
ペンタセン薄膜
銅フタロシアニン薄膜
ゲート絶縁膜不要
1000以上オンオフ比
250
220
160
2007年12月号ナノインプリント方式で回路線幅18nmの半導体製造技術大日本印刷日経産業新聞
(2007年9月18日PP.1)
電子ビームのビームを細くするとともに強度や照射量を調整
石英ガラスのエッチングの条件最適化
面積は1/10程度
露光でなく転写で回路形成
160
220
2007年12月号次世代CMOS素子
-しきい値電圧の時間変動の仕組み解明-
Selete
筑波大
広島大
早大
日刊工業新聞
(2007年9月20日PP.28)
45nm世代
窒化ハフニウムシリケートの劣化
界面特性
120
220
2007年12月号第4世代携帯基地局向け高出力増幅器富士通日経産業新聞
(2007年9月21日PP.11)
GaN製高電子移動トランジスタ(HEMT)
ゲート電極下層にTa2O5
素子サイズ1mm×4mm
143Wで電波増幅可能
漏れ電流は1/10以下
消費電力3割減
220
340
2007年12月号従来の約1/10以下の細さの金属微細配線技術東北大
チッソ
日本電子精機
日刊工業新聞
(2007年9月26日PP.29)
フレキシブルプリンタブルエレクトロニクスへの応用
数百nmの微細配線
波長488nmのアルゴンレーザ
220
160
2007年11月号強誘電体により光の波長を変える素子物材機構
早大
日刊工業新聞
(2007年8月20日PP.18)
日経産業新聞
(2007年8月21日PP.10)
変換効率1000倍
接着リッジ導波路
波長1.5815μmの光から波長0.79075μmの第二高調波を1%以上の効率で発生
Mgを添加したLiNbO3の強誘電体膜
エキポシ樹脂でSi基板上に接着
120
220
260
2007年10月号半導体層にCNTを用いたTFT素子東北大
ブラザー工業
阪大
日経産業新聞
(2007年7月4日PP.13)
ポリエステル系樹脂製基盤上に金とクロムの合金で3つの電極作成
絶縁膜にポリイミド樹脂
インクジェット技術で積層
220
260
120
2007年10月号ナノ炭素材料で単原子トランジスタを試作青山学院大
名大
産総研
富士通研
日経産業新聞
(2007年7月20日PP.9)
ピーポッド
量子ドット
SiO2の絶縁膜
金とチタンの合金の電極
CNTの内側に複数のフラーレンを並べて詰めた構造
120
220
2007年10月号低電圧駆動有機CMOS回路東大
シャープ
日経産業新聞
(2007年7月31日PP.11)
日刊工業新聞
(2007年7月31日PP.33)
駆動電圧1〜5V
動作電圧範囲従来の2倍以上
p型にペンタセン
n型にフラーレン
絶縁膜にチタンSi酸化膜
上下をSi酸化膜が挟む3層構造
120
220
2007年 9月号45nm世代以降トランジスタしきい値電圧制御技術Selete
物質・材料研究機構
筑波大
早大
阪大
広島大
日刊工業新聞
(2007年6月12日PP.24)
金属電極にAlを10%程度
電圧変動の要因となる絶縁膜中の酸素欠損を解消
窒化ハフニウムシリケート
220
160
2007年 9月号CMOSトランジスタのしきい値電圧の仕組み解明産総研
超先端電子技術開発機構
日刊工業新聞
(2007年6月12日PP.24)
高誘電率絶縁膜
Si酸化膜と下部絶縁膜の界面でしきい値に大きくずれ
Si酸化膜上の絶縁膜を0.1nm寸法で精度よく制御することが閾値電流を制御する鍵
120
220
160
2007年 9月号周波数倍率10倍のシステムLSI用クロック発生回路富士通研日経産業新聞
(2007年6月13日PP.9)
クロック周波数範囲40〜400MHz
回路線幅90nm半導体で試作
220
2007年 8月号超電導A/D変換器
-次世代通信の基地局の中核部品に-
国際超電導産技研
日立
横浜国大
日刊工業新聞
(2007年5月3日PP.1)
アナログ信号の処理に超電導回路を利用
熱雑音を抑える変調器
周波数を4つに分配
18.6GHzでの動作で帯域10MHzのアナログ信号を14ビットのデジタル信号に変換
220
240
2007年 8月号量子ビット可変式結合回路NEC
JST
理化学研
電波新聞
(2007年5月4日PP.3)
日刊工業新聞
(2007年5月5日PP.10)
1量子ビットと2量子ビットの操作が同一回路で可能
寿命を犠牲にせず
3演算ステップまで実証
量子コンピュータ
結合制御器
120
220
2007年 8月号オールSiの次世代半導体素子日立日経産業新聞
(2007年5月8日PP.11)
信号伝達はすべて光
SiO2の絶縁層で挟んだ厚さ9nmのSi薄膜が発光
0.5mm離れたSi受光部
室温動作
160
220
2007年 8月号単電子トランジスタの基本構造を簡単に作製東北大日経産業新聞
(2007年5月31日PP.13)
既存の半導体プロセスと酸化処理の組合せ
量子ドット
Si酸化膜上にAl電極成膜後露光装置で素子構造を作製
160
220
2007年 5月号C60製トランジスタ東大日経産業新聞
(2007年2月2日PP.10)
分子線エピタキシー法
ペンタセン
C60分子を50〜80層
n型で毎秒1V当たり5cm2の移動度
n型p型両方で実現可能
220
160
120
2007年 5月号半導体チップ間の無線高速通信慶応大日経産業新聞
(2007年2月20日PP.10)
半導体チップ内に30μm角のコイルを加工
15μm間隔のコイルで1Gbpsの通信
消費エネルギー0.14pJ
220
240
260
340
2007年 4月号単電子トランジスタ試作東大日経産業新聞
(2007年1月19日PP.9)
大きさ2nmの量子ドット220
160
2007年 3月号駆動電流が50%超向上する次世代立体型トランジスタ東芝日刊工業新聞
(2006年12月15日PP.30)
雪かき効果
金属シリサイドとチャネル部分のSi界面に不純物原子を高濃度で2〜3nm厚に偏析した層を形成
160
220
2007年 3月号線幅32nmLSI性能2倍に東芝日経産業新聞
(2006年12月15日PP.10)
Si加工面に1%の歪を加えるn型トランジスタ
0.1%で解析
160
220
2007年 3月号動作速度2割向上した線幅45nmトランジスタ富士通
富士通研
日経産業新聞
(2006年12月19日PP.11)
電流低下や電流漏れを抑制160
220
2007年 2月号世界最速チップ東大
国立天文台
東京新聞
(2006年11月7日PP.3)
1秒間に5120億回(512GFlops)の計算
GRAPE-DRプロジェクト
220
2007年 2月号単層CNT加工技術産総研日経産業新聞
(2006年11月27日PP.9)
日刊工業新聞
(2006年11月27日PP.23)
スーパーグロース法
シートや針など様々な形の塊状に固める
単層CNTを多様な形状にデザイン
配向高密度化集合体
高純度で超長尺な単層CNTを束ねる
160
220
260
2007年 2月号有機発光型トランジスタ
-動画を明るく滑らかに表示-
パイオニア
千葉大
日経産業新聞
(2006年11月15日PP.11)
有機TFTと有機LEDを積み重ねる
最大輝度1000cd/m2
256階調
プラスチックやフィルムを使用した折り曲げ可能なディスプレイに利用
16×16ドットの画素の電圧を制御しきめ細かく輝度を制御
250
220
2007年 2月号ガラス基板に微細バネ構造理研日経産業新聞
(2006年11月16日PP.10)
ガラス基板の表面を水をはじく物質でコーティング
光硬化性樹脂
銀イオン水溶液
屈折率マイナスの光学素子
一辺2μmの立方体の上に微細なバネがのった形状
5μm間隔で800個
160
220
240
260
2006年12月号フルメタルゲートCMOS半導体先端テクノロジーズ(Selete)電波新聞
(2006年9月13日PP.1)
回路線幅45nm以降
0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜
デュアルメタルCMOSプロセス
窒化ハフニウムシリケート(HfSiON)
160
220
2006年12月号有機TFT大規模化技術日立
神奈川大
日経産業新聞
(2006年9月14日PP.13)
印刷技術
リソグラフィで材料の位置合わせ
ポリカーボネート基板
誤差0.1μm以下
250
220
160
2006年11月号有機ナノデバイス
-整流作用を確認-
自然科学研究機構
阪大
日刊工業新聞
(2006年8月24日PP.1)
nm径の円筒状単層CNTにポルフィリン分子吸着
自己組織化
Si製の1/10
120
160
220
2006年 9月号55nm素子形成技術
-SRAMで実用性確認-
NECエレクトロニクス日刊工業新聞
(2006年6月16日PP.29)
酸窒化膜上に極薄膜のハフニウムシリケートを載せたゲート絶縁膜
トランジスタのしきい値制御範囲拡大
漏れ電流10%低減
ArF液浸露光装置
160
220
2006年 9月号電子1個の動き捉えるNTT
東工大
JST
日刊工業新聞
(2006年6月16日PP.29)
半導体二重量子ドット(DQD)
超高感度な単電子電流計
単電子トランジスタ
電流雑音3aA
120
220
660
2006年 9月号縦型構造のGaNトランジスタ松下電器電波新聞
(2006年6月28日PP.1)
微細セルフアライン工程
チャネル幅0.3μm
単位デバイス幅1.2μm
In・Alを添加したInAlGaN4元混晶を20nm成長
160
220
2006年 7月号共鳴トンネルダイオード使用で新回路動作に成功上智大
独デュースブルク・エッセン大
日刊工業新聞
(2006年4月6日PP.24)
超電導ジョセフソン接合素子(JJ)
室温で200GHz動作可能
4RTD回路
Al・Asの二重障壁層とIn・Ga・As系の積層構造で井戸層からなるRTD
試作サイズ15〜25μm2
論理積(AND)論理和(OR)回路
160
120
220
2006年 7月号液体でSiTFTセイコーエプソン
JSR
朝日新聞
(2006年4月6日PP.3)
日刊工業新聞
(2006年4月6日PP.24)
日経産業新聞
(2006年4月7日PP.9)
HとSiを含む液体材料
回転塗布またはインクジェットで成膜
厚さ300nmのSi膜パターン
シラン化合物
500℃前後で焼成
コスト半分
消費電力1/10程度
120
160
220
250
2006年 7月号ワンセグ受信LSIメガチップス日経産業新聞
(2006年4月14日PP.1)
チャネル検索速度2.5〜3秒
電波が弱いところでも受信するソフト技術
3.9mm角
340
220
620
2006年 6月号CNT素子の新作成法
-電流変動1/1000-
阪大
産総研
JST
日刊工業新聞
(2006年3月1日PP.25)
電波新聞
(2006年3月14日PP.6)
CNTトランジスタ
電流の変動0.01%
フォトレジストを改善
4μmの電極間に直径1.5nmのCNT
CNTをSiN膜で保護
不純物を一切つけない新しいプロセスの開発
160
220
2006年 6月号量子コンピュータ素子の計算性能を直接測定物材機構日経産業新聞
(2006年3月20日PP.12)
素子から出る光の干渉を利用
わずかな距離の差をつけ重ね合せたときの干渉の強さから時間を測定
2個の励起子分子の継続時間5.4psを測定
220
320
2006年 6月号高解像度CMOSセンサ
-光で距離と画像を認識-
シャープ
静大
スズキ
電波新聞
(2006年3月24日PP.1)
日経産業新聞
(2006年3月24日PP.8)
日刊工業新聞
(2006年3月24日PP.12)
LED光源からの近赤外光が対象物で反射しセンサまでの光の飛行距離と光の速度から距離計算
信号電荷検出機能を集積化
TOF
OVGA
距離分解能パルス幅20nm距離1mで1cm
68ピンLCCパッケージ
210
220
320
2006年 6月号アモルファスTFTの曲がる電子ペーパ凸版印刷日経産業新聞
(2006年3月31日PP.1)
日刊工業新聞
(2006年3月31日PP.13)
室温で作製可能
基板にプラスチックを利用し前面板を組合せ
すべての層を室温プロセスで作製
2インチ
4800画素
厚さ約320μm
150
250
120
220
2006年 5月号LED型量子暗号通信素子東芝欧州研究所日経産業新聞
(2006年2月3日PP.8)
量子もつれ光子対を任意に発生
高さ6nm直径12nmの量子ドット微細構造
半導体素子
120
240
250
220
2006年 5月号世界最小のICチップ日立日経産業新聞
(2006年2月6日PP.8)
ミューチップ
0.15mm角
7.5μm厚
SOI技術
絶縁層で干渉を防止
素子の高集積化
160
220
340
2006年 5月号最高速アクセス実現のDDR-VSDRAM回路技術エルピーダメモリ日刊工業新聞
(2006年2月8日PP.23)
アクセス時間8.13ns
1.5Vで1.67Gbpsの最速転送
メモリーアレイからデータを時分割でバッファ回路に転送
動作余裕を確保するカウンタ回路
最大入力クロック入力800MHz
220
2006年 5月号たんぱく質で半導体メモリー奈良先端大
松下電器
日刊工業新聞
(2006年2月9日PP.27)
不揮発性半導体メモリー
フローティングゲートにフェリチンを利用した直径7nmのCoOナノ粒子
フェリチンの外径13nm
120
220
230
2006年 5月号有機発光トランジスタで8×8のアクティブマトリクスディスプレイパネルローム
パイオニア
三菱化学
京大
電波新聞
(2006年2月21日PP.1)
日刊工業新聞
(2006年2月21日PP.12)
有機スイッチングトランジスタ
黄色に発光
発光外部量子効率0.8%
表面改質したSi酸化膜のゲート絶縁膜表面にTPPyにルブレンをドープした共蒸着膜を形成
駆動電圧80V
1000cd/m2
160
220
250
2006年 4月号地デジ用高効率電力増幅器
-従来の2倍の効率で低コスト-
NHK
アールアンドケイ
電波新聞
(2006年1月11日PP.10)
電波タイムズ
(2006年1月16日PP.3)
GaN-HEMT
低歪
CN確保
出力5Wで約9%の電力効率
120
220
340
2006年 4月号多ビット素子
-光制御の量子計算機に道-
産総研日経産業新聞
(2006年1月18日PP.18)
GaAs基板に微細なInAsの量子ドット
数十〜数百ビットの同時処理が可能
130
230
220
2006年 3月号10nm未満素子集積にめど
-バルク素子のオンオフ電流比を6倍に-
NEC
NECエレクトロニクス
日刊工業新聞
(2005年12月5日PP.22)
自己整合的に10nmのソースドレイン拡張領域(SDE)と厚いソースドレイン(S/D)を一度に作り上げるSi選択成長によるせり上げ技術
酸化Siライナー
160
220
2006年 3月号立体構造トランジスタの製造技術
-32nmLSI実現へ-
東芝日経産業新聞
(2005年12月8日PP.10)
フィンFET
ゲート長20nm
不純物によりリーク電流を抑圧
寸法のばらつきをなくし歩留まり向上
基板上に立てたチャネルをゲートが挟み込む構造
160
220
230
2006年 3月号無線機能を備えた曲がるCPU半導体エネ研
TDK
日経産業新聞
(2005年12月16日PP.1)
暗号処理機能
ガラス基板上に形成したトランジスタをプラスチック基板上に転写
13.56MHz帯
IC部分は14mm角
通信距離は数mm
厚み0.2mm
1.8V駆動で消費電力4mW
160
220
260
340
2006年 2月号全メディア記録再生チップ松下電器日刊工業新聞
(2005年11月18日PP.11)
チップセット
BDとDVD信号処理の一体化
220
260
2006年 2月号曲げられる点字ディスプレイ
-厚さ1mmで家電などに装着容易-
東大日本経済新聞
(2005年11月25日PP.15)
日刊工業新聞
(2005年11月25日PP.37)
4cm角
一度に点字を24文字分表示
有機半導体
シート型
シート上のイオン導電性高分子が電界で屈曲する性質を利用
約1mm径の点を上下
約1秒で1フレームの表示が可能
220
250
120
2006年 1月号金型でLSI製造
-線幅40ナノ回路に対応-
凸版印刷日経産業新聞
(2005年10月19日PP.3)
従来の1/10の時間で作ることに成功
ナノインプリント
8インチウェハサイズ
エッチングやメッキなどの工程を改良
160
220
230
2006年 1月号高速・省電力・最小を実現したセキュア通信プロセッサ富士通研日刊工業新聞
(2005年10月27日PP.30)
500Mbps以上の高速処理
620mWの低消費電力
18mm角の組込型64ビットプロセッサ
プログラマブルな柔軟性
状態遷移表を書換え可能
リナックス
220
620
2005年12月号新原理のトランジスタ東北大フジサンケイビジネスアイ
(2005年9月8日PP.9)
プラスチック製
ゲート部分の分子を電子化学的に酸化・還元させることで電流抵抗値を変化
1.2Vでオン・オフ比2000倍
ポリチオフェン
120
220
160
2005年11月号フラーレン分子ナノスイッチ
-SAMで向きを制御-
東工大
名大
日刊工業新聞
(2005年8月2日PP.25)
Tb原子1個
電気的極性
双極子モーメント
STM
Au基板上に厚さ約1nmのSAMを堆積
-260℃
分子スイッチ技術
120
160
220
2005年11月号全光量子計算で新方式
-量子非破壊測定法を利用-
国立情報学研
英HP研
日刊工業新聞
(2005年8月9日PP.23)
単一光子方式とレーザパルス方式の組合せ
量子計算システムと光量子通信とのインタフェース
量子ビット間に相関
QND
120
220
2005年11月号高温超電導体臨界電流163A住友電工日刊工業新聞
(2005年8月12日PP.1)
-196℃
100m級のBi系線材
加圧焼成酸素の注入条件を最適化
粉末を均一化
結晶粒の向きを揃える
120
160
220
2005年11月号最高性能45nmトランジスタ
-電極に金属材料-
Selete日経産業新聞
(2005年8月12日PP.4)
電極にタンタルシリサイド
電子移動度値が5割高
120
220
2005年11月号量子コンピュータ素子をSiで試作
-保持時間2桁長い量子ビット-
日立
英ケンブリッジ大
日刊工業新聞
(2005年8月22日PP.22)
日経産業新聞
(2005年8月22日PP.7)
縦50nm×横150nm二重結合量子ドット
配線をなくす構造
コヒーレンス時間200ns
酸化膜埋込み基板(SOI)
電界を介したゲートで制御
120
220
2005年11月号次世代スピントランジスタ産総研日経産業新聞
(2005年8月24日PP.8)
p型(Ga
Mn)As半導体をn型ZnSe半導体でサンドイッチした構造
移動の5〜6割は磁石の向きを維持
220
2005年 9月号線幅32nmLSI向け新技術
-新構造TR・新多層配線技術-
MIRAIプロジェクト電波新聞
(2005年6月14日PP.1)
日経産業新聞
(2005年6月14日PP.7)
高電流駆動力
プロセス損傷抑制可能
歪みSi薄膜
歪みGe薄膜
局所酸化濃縮法
ポーラシリカ低誘電絶縁材料
120
160
220
2005年 9月号UWB用GaN-MMIC
-高周波・高耐圧を実現-
松下電器電波新聞
(2005年6月15日PP.1)
22GHz帯で最小雑音指数2.6dB
信号増幅率13dB
IIP3入力時7.5dB
サージ耐圧150V
チップサイズ2.6×1.3mm2
120
160
220
2005年 9月号新概念LSIゲート絶縁膜
-Hf添加で移動度15〜20%向上-
日立
ルネサステクノロジ
日刊工業新聞
(2005年6月15日PP.25)
65nm世代
ゲート絶縁膜とゲート電極界面に短分子膜に満たない微量のHfO2添加
バンド構造
仕事関数を制御
120
160
220
2005年 9月号携帯向け高歩留まり1.4mm厚の複合電子部品日本IBM
新潟精密
日経産業新聞
(2005年6月24日PP.1)
パッケージ・オン・パッケージ(PoP)技術
動作試験可能な基板を積層
電池スペース確保可能
260
220
2005年 8月号n型ダイヤモンド半導体
(001)面に初合成
産総研日刊工業新聞
(2005年5月10日PP.25)
紫外線発光でpn接合確認
マイクロ波プラズマCVDでリンを添加して合成
160
220
2005年 7月号世界最速のGaNトランジスタ情通機構
富士通研
日刊工業新聞
(2005年4月8日PP.29)
ミリ波周波数帯で動作
電流利得遮断周波数152GHz
220
160
2005年 6月号10倍速のMPU日本ユニサンティスエレクトロニクス日本経済新聞
(2005年3月9日PP.11)
回路の微細化
SGT
円柱Si基板の外側に回路
160
220
2005年 6月号世界最高速GaNトランジスタ情通機構日経産業新聞
(2005年3月29日PP.9)
最高動作周波数152GHz
ゲート長60nm
ミリ波
220
160
2005年 6月号電子移動速い新型TFTパネル量産日立ディスプレイズ日経産業新聞
(2005年3月31日PP.7)
電子移動が低温poly-Siパネルの2〜3倍
SELAX(擬似単結晶Si)
2.4インチ
220
250
160
2005年 5月号a-SiTFT製造技術北陸先端大日経産業新聞
(2005年2月8日PP.9)
動作電圧変動1/6
有機EL用
触媒CVD
タングステン触媒
シランガス・水素ガス
160
220
250
2005年 5月号消費電力40mWのASIC用AD変換器
-回路融合で実現-

14と一つに
富士通研日刊工業新聞
(2005年2月8日PP.33)
パイプライン型ADC
分解能10bit
サンプリングレート125MHz
サンプル保持回路とMDAC回路を融合
0.18μmCMOSプロセス
電源電圧1.8V
220
2005年 5月号薄くて曲がるフィルム状MPUセイコーエプソン日本経済新聞
(2005年2月9日PP.1)
日経産業新聞
(2005年2月10日PP.7)
8ビットMPU
厚さ0.2mm
低温Poly-SiTFT
ガラス基盤上に作ってからフィルムに転写
160
220
2005年 5月号次世代MPU「セル」の技術概要をISSCCで発表ソニー
東芝
米IBM
日経産業新聞
(2005年2月9日PP.2)
日本経済新聞
(2005年2月9日PP.11)
マルチコア構造
処理能力10倍
9個のマルチコア
220
260
2005年 5月号RF-IDタグ
-2次電池搭載可能に-
東芝日刊工業新聞
(2005年2月10日PP.1)
高感度整流器
10m離れた微弱電波で1.5V2次電池へ充電
440
220
250
2005年 5月号溶けやすいTFT有機材料
-製造コスト1/20に-
旭化成日経産業新聞
(2005年2月24日PP.1)
ペンタセンが溶ける
低分子有機材料
160
220
250
2005年 4月号省エネ・高速ナノスイッチ
-消費電力半導体の1/100万-
物材機構
科学技術振興機構
理研
朝日新聞
(2005年1月6日PP.2)
日経産業新聞
(2005年1月6日PP.7)
日刊工業新聞
(2005年1月6日PP.25)
原子スイッチ
消費電力を1nW
Ag突起の伸び縮み
Ag2(下付)S電極とPt電極を1nm間隔
固体電解質の特性利用
金属原子の動き1個単位で精密制御
120
160
220
2005年 4月号薄くて曲げられる有機ELディスプレイ
-フレキシブル透明基板と有機発光TRを開発-
京大
パイオニア
三菱化学
ローム
日本経済新聞
(2005年1月25日)
電波新聞
(2005年1月26日PP.1)
名刺サイズ
厚さ0.2mm
生物が作り出した特殊な繊維
直径100nmのバイオナノファイバコンポジット
発光外部量子効率0.8%
輝度300cd/m2(上付)
120
160
220
250
2005年 4月号システムLSIの消費電力4割低減東芝日経産業新聞
(2005年1月27日PP.7)
部分fV(周波数・電圧)制御220
2005年 3月号携帯電話向けトランジスタ
-消費電力1/10に-
日立
ルネサステクノロジ
日経産業新聞
(2004年12月14日PP.9)
データ処理速度2割向上
65nm半導体向け
絶縁膜厚さ10nm
220
2005年 3月号SiCを用いた低抵抗パワーMOSFET三菱電機電波新聞
(2004年12月17日PP.2)
耐圧1.2kV
電流1Aでオン抵抗率12.9mΩcm2
チャンネルエピタキシャル成長層形成技術
単位セル25×25μm
チャネル長2μm
160
220
2005年 3月号次世代LSIの電流漏れカット東芝日経産業新聞
(2004年12月17日PP.7)
日刊工業新聞
(2004年12月17日PP.33)
ニッケルシリサイド層の形成前にSiにFを含ませNiの拡散を抑える
45nm半導体向け
220
160
2005年 2月号透明で曲がるトランジスタ科技機構
東工大
読売新聞
(2004年11月25日PP.3)
朝日新聞
(2004年11月25日PP.3)
日経産業新聞
(2004年11月25日PP.8)
プラスチックのフィルム
InGaZnアモルファス酸化物半導体
220
260
2005年 1月号強度6倍の絶縁膜三菱日経産業新聞
(2004年10月14日PP.7)
回路線幅65nm
層間絶縁膜
ボラジン
CVD
65nm半導体向け
誘電率2.3
120
220
2005年 1月号高圧縮JPEG2000のノイズ解消メガチップス
京大
日刊工業新聞
(2004年10月27日PP.12)
タイルノイズを解消
最大6400万画素対応
処理精度12ビット
1/40圧縮でも劣化が少ない
区切らずに処理するアルゴリズム
520
220
2004年12月号量子素子と伝送路接合NEC
NTT
蘭デルフト大
日経産業新聞
(2004年9月9日PP.7)
量子コンピュータ
超電導量子干渉素子SQUIDと量子ビット素子
220
2004年12月号新量子暗号通信技術
-半導体から光子の対を発生-
東北大
阪大
日経産業新聞
(2004年9月9日PP.7)
朝日新聞
(2004年9月9日PP.3)
CuAlの結晶に390nmの紫外線レーザ
量子もつれ
光子対
220
240
250
120
2004年11月号世界最速の浮動小数点演算用LSI理化学研
日立
日刊工業新聞
(2004年8月23日PP.21)
浮動小数点演算230GFLOPS
ブロードキャストメモリーアーキテクチャ
MDGRAPE-3チップ
分子動力学計算
220
2004年11月号絶縁層薄膜の印刷技術
-印刷でICカード・タグを作製可能-
産総研
日立
朝日新聞
(2004年8月31日PP.2)
Siの酸化物をプラスチックに100℃以下で印刷220
160
2004年10月号有機ELディスプレイ用新駆動回路
-有機材料使用のスイッチング素子-
富士電機アドバンストテクノロジー日刊工業新聞
(2004年7月8日PP.1)
ビスキノメタン系有機材料
双安定性
オンからオフへの切替え電圧20V
有機材料膜を金属電極ではさむ単純構造
非晶質
220
250
2004年 9月号光通信用IC
-最高速の144Gbps実現-
富士通研日経産業新聞
(2004年6月8日PP.8)
日刊工業新聞
(2004年6月8日PP.29)
InP系HEMT
セレクタ回路
MUX
WDM
Y型HEMTゲート電極構造
240
220
2004年 9月号ステレオビジョンVLSIプロセッサ
-3次元画像0.1秒で取得-
東北大日刊工業新聞
(2004年6月16日PP.25)
3次元画像
ステレオビジョン
VSIプロセッサ
約500倍の高速化
マッチング領域サイズ
220
520
2004年 9月号65nm半導体絶縁膜技術富士通日経産業新聞
(2004年6月17日PP.7)
絶縁膜のひずみを利用
成膜の温度や時間を細かく制御
導電率15%改善
160
220
2004年 9月号65nm次世代半導体
-配線強化で歩留まり2倍に向上-
東芝
ソニー
日経産業新聞
(2004年6月24日PP.9)
配線の剥落を防ぐ技術
高密度配線
層間絶縁膜
電子ビームで配線材料強度高める
160
220
260
2004年 9月号電子・正孔の移動度を厳密計算東芝日刊工業新聞
(2004年6月21日PP.21)
正孔のエネルギー形状の異方性を考慮したアルゴリズムを明確化
高性能CMOS
モンテカルロ法
120
220
2004年 8月号有機EL画素回路簡略に日立日経産業新聞
(2004年5月28日PP.1)
1画素あたり3個のトランジスタ
2.5インチ
680×220ドット
デルタ方式の配置
26万色
220
250
2004年 7月号有機トランジスタ

6と合わせて一記事に
東北大
北陸先端大
岩手大
日経産業新聞
(2004年4月5日PP.7)
朝日新聞
(2004年4月5日PP.18)
自己組織化
半導体と基板の間の膜で電子を制御
電圧制御
ペンタセン
アルキシラン
フラーレン
チャンネル幅50μm
220
120
2004年 7月号プラスチックフィルム基板上にTFT
-自在に曲がるCPU-

5と合わせて一記事に
半導体エネルギー研日刊工業新聞
(2004年4月8日PP.1)
低温p-SiTFTでCPU形成
8ビットCPU
素子数3万程度
動作周波数25MHz/5V・13MHz/3.3V
220
260
160
2004年 7月号HDTVの4倍の高精細画像を処理NTT日経産業新聞
(2004年4月13日PP.7)
日刊工業新聞
(2004年4月13日PP.29)
VASAチップ
縦2160×横3840画素
1チップ
420
220
2004年 6月号単電子トランジスタ試作

図を使用(日経産業)
東大生研日経産業新聞
(2004年3月25日PP.9)
日刊工業新聞
(2004年3月10日PP.25)
日経産業新聞
(2004年3月10日PP.9)
2nmの量子ドット
室温でTrとして機能
1素子2ビット記録
160
220
2004年 6月号超広帯域量子ドット光増幅器
-帯域120nmで高出力-
東大
富士通
日刊工業新聞
(2004年3月25日PP.37)
出力200mW
QDSOA
増幅媒体に30nm径InAs
光帯域1.26〜1.61μm
220
250
2004年 5月号世界最速Si光素子
-データを光線に変換-
米インテル電波新聞
(2004年2月14日PP.2)
位相シフト
1GHz以上でオンオフ
220
250
2004年 5月号超電導を利用したMPU横浜国大
名大
日刊工業新聞
(2004年2月17日PP.27)
日経産業新聞
(2004年2月20日PP.8)
単一磁束量子回路で高速計算
演算速度15.2GHz
消費電力1.6mW
220
2004年 5月号化学反応でLSI配線切り換え
-ナノブリッジ-
NEC
物質・材料研究機構
科学技術研究機構
日刊工業新聞
(2004年2月17日PP.27)
日経産業新聞
(2004年2月17日PP.8)
プログラマブルロジックの配線切り換え
固体電解中の金属原子の移動を利用
書き換え可能なセルベースIC
120
220
2004年 5月号消費電力1Wの光送受信IC富士通研電波新聞
(2004年2月18日PP.2)
日経産業新聞
(2004年2月18日PP.8)
40Gbps以上の動作
マルチフェーズクロック技術
InP-HEMT
4対1マルチプレクサ
220
2004年 4月号光スイッチのワンチップ化
-微細加工で1/10サイズに-
NTT日経産業新聞
(2004年1月15日PP.7)
3cm角で厚さ5mm
直径600μm鏡100個を配置
光ルータ
光スイッチ・LSI一体化
240
260
220
2004年 4月号光ファイバ専用の暗号LSI
-高速通信データの機密保持-
富士通日経産業新聞
(2004年1月29日)
IPsec高速処理エンジン
CPUと暗号LSIの接続方式を変更
100Mbps対応
220
520
2004年 3月号線幅45nm対応の絶縁膜
-次々世代半導体向け-
NEDO
富士通
東芝など24社
電波新聞
(2003年12月8日PP.1)
日経産業新聞
(2003年12月8日PP.9)
半導体MIRAIプロジェクト
多孔質無機Low-kの改良
弾性率8GPa
プラズマ共重合
TMCTSガス処理
160
220
2004年 3月号ダブルゲートMOSFET
-4端子駆動を実現-
産総研日刊工業新聞
(2003年12月10日PP.25)
2つのゲートを分離独立
結晶面異方性ウエットエッチング
微細CMP技術
220
2004年 3月号Si層0.7nmトランジスタの動作確認東芝日刊工業新聞
(2003年12月12日PP.1)
5原子層
NEDO
Si単結晶薄膜厚さ0.7nm
SOI
試作素子のゲート長は2〜3μm
実現可能なゲート長は1.5〜3nmと予想
160
220
2004年 3月号歪みSiで微細トランジスタ高速化東芝日経産業新聞
(2003年12月16日PP.9)
ゲート電極に歪みSi
加工寸法45nmトランジスタ
11%高速化
160
220
2004年 3月号35nmCMOS接合技術Selete日刊工業新聞
(2003年12月19日PP.27)
SPE
FLA
p型MOS駆動電流2倍
300mmウェハ上に101段のリング発信器回路
160
220
2004年 2月号フィルムに印刷する薄膜トランジスタ凸版印刷日本経済新聞
(2003年11月1日PP.1)
液晶ディスプレイ用TFT
厚さ50μm
折り曲げ可能
印刷手法のみで形成
220
260
250
2004年 2月号高温超電導薄膜作製技術
-無線通信電波振り分け-
NTT物性科学基礎研日経産業新聞
(2003年11月5日PP.10)
薄膜材料の組成を厳密に制御
Nd
Ba
Cuの酸化物
-178℃超電導フィルタ
160
220
2004年 2月号新蓄電素子
-瞬時に高出力-
旭化成エレクトロニクス
KRI
日経産業新聞
(2003年11月27日PP.1)
エネルギー容量はキャパシタの3倍220
2004年 1月号量子演算回路の原型完成
-基本素子を2個結合-
NEC
理化学研
電波新聞
(2003年10月30日PP.3)
日刊工業新聞
(2003年10月30日PP.29)
日経産業新聞
(2003年10月30日PP.8)
CNOT回路(制御付き否定回路)を動作結合時間200ps(0.02K)120
220
2003年12月号光電子IC
-超高速光信号を処理-
NTT日経産業新聞
(2003年9月8日PP.9)
電子回路と光回路を一体化
時分割多重方式の通信網
220
240
2003年12月号有機トランジスタ新製法
-自己組織化を利用-
日立
産総研
光技術振興協会
日刊工業新聞
(2003年9月11日PP.5)
ナノ材料の自己組織化
位置合わせ不要
電極間隔3μm
シートディスプレイ用
120
160
220
2003年12月号超高速トランジスタ
-カーボンナノチューブ活用-
NEC日本経済新聞
(2003年9月19日PP.11)
Siの10倍以上高速に動作
CNTの半導体の性質を利用
220
120
2003年12月号世界最小の光信号受信機
-パソコン光配線に道-
NEC日経産業新聞
(2003年9月24日PP.1)
現在の4倍の40Gbpsを0/E変換
大きさ1/10で0.3cm3(上付)
光1Wを0.7Aの電流に変換
光1Wあたり88Vの電圧に変換
220
240
2003年11月号量子コンピュータ用基本素子
-半導体微細加工技術を使用-
NTT
科学技術事業団
日経産業新聞
(2003年8月12日PP.5)
半導体の表面に3本の長い電極とその間に短い電極を並列に置いた160
220
2003年11月号ダイヤモンドを使ったトランジスタ
-世界最高の周波数特性-
NTT
独ウルム大
日刊工業新聞
(2003年8月21日PP.5)
日経産業新聞
(2003年8月21日PP.7)
電波タイムズ
(2003年8月25日PP.1)
最高動作周波数81GHz
高純度低欠陥結晶
出力0.3W
ミリ波増幅
120
160
220
2003年10月号電力変換素子
-発熱1/10
効率3%高く-
日立日経産業新聞
(2003年7月22日PP.8)
電力変換素子
シリコンカーバイド製
変換率93%に向上
220
2003年10月号MgB2超電導体
-27.5Kの高温で磁場1テスラ-
芝浦工大
ソウル大
日刊工業新聞
(2003年7月28日PP.1)
SPS法でMgB2を生成
30mmφ・高さ6mm
スパークプラズマ焼結法
高温超伝導
220
2003年 9月号リーク電流1/1000のトランジスタ東芝日経産業新聞
(2003年6月11日)
線幅65nm
窒化ハフニウムシリケート
220
2003年 9月号進化ソフトクロックをGAで最適調整
-LSI消費電力を半減-
産総研日刊工業新聞
(2003年6月12日PP.5)
日本工業新聞
(2003年6月12日PP.2)
日経産業新聞
(2003年6月13日PP.9)
クロック周波数を25%向上
プログラマブル遅延素子
チップ毎に微調整
遺伝的アルゴリズム
タイミング調整約1秒
220
620
520
2003年 9月号超電導物質のメモリー素子横国大
名大
超伝導工学研
通信総研
日経産業新聞
(2003年6月12日PP.7)
半導体素子の10倍の速度
応答時間2〜3ps
単一磁束量子回路
220
230
2003年 9月号サブ100nm世代トランジスタ
-高速で漏れ電流2ケタ減-
NEC日刊工業新聞
(2003年6月12日PP.5)
サブ1nm世代トランジスタ
モバイル機器向けSOC
ハフニウムシリケート
220
2003年 9月号新トライゲートトランジスタ
-チャンネル部を立体化-
米インテル日経産業新聞
(2003年6月13日PP.9)
ゲート長が30nm
20GHz級のMPUに適用
160
220
2003年 9月号映像解像度を2倍にするICを開発新潟精密
筑波大
豊田自動織機
日経産業新聞
(2003年6月26日)
周波数特性6MHzから13.5MHz程度まで改善
フルーエンシ理論
脳神経のインパルス応答をまねた関数
水平解像度
520
220
2003年 8月号CNTを用いた固体発光素子米IBM日刊工業新聞
(2003年5月5日PP.4)
3端子素子
1.5μm帯の赤外線
ノンドープ単層CNT
FET型
220
250
120
2003年 7月号量子コンピュータ向け新素子
-電気的雑音に強い-
NEC
デルフト工科大
日経産業新聞
(2003年4月11日PP.10)
電磁石の電流の向きで情報を記録
情報の二重記録と電磁波により比率の制御
120
220
230
2003年 7月号次世代トランジスタ
-IC消費電力1/10
漏電抑える-
Selete
早大
物材機構
日経産業新聞
(2003年4月11日PP.1)
MOSFETの絶縁膜改良
HfOを使う技術
次世代トランジスタ
消費電力1/10
160
220
2003年 7月号HDTV伝送瞬時に暗号処理通信総研電波新聞
(2003年4月16日PP.2)
日本経済新聞
(2003年4月17日PP.11)
カオス理論
半導体チップ
伝送速度14.85Gbps
ハイビジョン
リアルタイム暗号化
220
520
540
440
2007年 3月号駆動電流が50%超向上する次世代立体型トランジスタ東芝日刊工業新聞
(2006年12月15日PP.30)
雪かき効果
金属シリサイドとチャネル部分のSi界面に不純物原子を高濃度で2〜3nm厚に偏析した層を形成
160
220
2007年 3月号線幅32nmLSI性能2倍に東芝日経産業新聞
(2006年12月15日PP.10)
Si加工面に1%の歪を加えるn型トランジスタ
0.1%で解析
160
220
2007年 3月号動作速度2割向上した線幅45nmトランジスタ富士通
富士通研
日経産業新聞
(2006年12月19日PP.11)
電流低下や電流漏れを抑制160
220
2007年 2月号世界最速チップ東大
国立天文台
東京新聞
(2006年11月7日PP.3)
1秒間に5120億回(512GFlops)の計算
GRAPE-DRプロジェクト
220
2007年 2月号単層CNT加工技術産総研日経産業新聞
(2006年11月27日PP.9)
日刊工業新聞
(2006年11月27日PP.23)
スーパーグロース法
シートや針など様々な形の塊状に固める
単層CNTを多様な形状にデザイン
配向高密度化集合体
高純度で超長尺な単層CNTを束ねる
160
220
260
2007年 2月号有機発光型トランジスタ
-動画を明るく滑らかに表示-
パイオニア
千葉大
日経産業新聞
(2006年11月15日PP.11)
有機TFTと有機LEDを積み重ねる
最大輝度1000cd/m2
256階調
プラスチックやフィルムを使用した折り曲げ可能なディスプレイに利用
16×16ドットの画素の電圧を制御しきめ細かく輝度を制御
250
220
2007年 2月号ガラス基板に微細バネ構造理研日経産業新聞
(2006年11月16日PP.10)
ガラス基板の表面を水をはじく物質でコーティング
光硬化性樹脂
銀イオン水溶液
屈折率マイナスの光学素子
一辺2μmの立方体の上に微細なバネがのった形状
5μm間隔で800個
160
220
240
260
2006年12月号フルメタルゲートCMOS半導体先端テクノロジーズ(Selete)電波新聞
(2006年9月13日PP.1)
回路線幅45nm以降
0.84nmの高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜
デュアルメタルCMOSプロセス
窒化ハフニウムシリケート(HfSiON)
160
220
2006年12月号有機TFT大規模化技術日立
神奈川大
日経産業新聞
(2006年9月14日PP.13)
印刷技術
リソグラフィで材料の位置合わせ
ポリカーボネート基板
誤差0.1μm以下
250
220
160
2006年11月号有機ナノデバイス
-整流作用を確認-
自然科学研究機構
阪大
日刊工業新聞
(2006年8月24日PP.1)
nm径の円筒状単層CNTにポルフィリン分子吸着
自己組織化
Si製の1/10
120
160
220
2006年 9月号55nm素子形成技術
-SRAMで実用性確認-
NECエレクトロニクス日刊工業新聞
(2006年6月16日PP.29)
酸窒化膜上に極薄膜のハフニウムシリケートを載せたゲート絶縁膜
トランジスタのしきい値制御範囲拡大
漏れ電流10%低減
ArF液浸露光装置
160
220
2006年 9月号電子1個の動き捉えるNTT
東工大
JST
日刊工業新聞
(2006年6月16日PP.29)
半導体二重量子ドット(DQD)
超高感度な単電子電流計
単電子トランジスタ
電流雑音3aA
120
220
660
2006年 9月号縦型構造のGaNトランジスタ松下電器電波新聞
(2006年6月28日PP.1)
微細セルフアライン工程
チャネル幅0.3μm
単位デバイス幅1.2μm
In・Alを添加したInAlGaN4元混晶を20nm成長
160
220
2006年 7月号共鳴トンネルダイオード使用で新回路動作に成功上智大
独デュースブルク・エッセン大
日刊工業新聞
(2006年4月6日PP.24)
超電導ジョセフソン接合素子(JJ)
室温で200GHz動作可能
4RTD回路
Al・Asの二重障壁層とIn・Ga・As系の積層構造で井戸層からなるRTD
試作サイズ15〜25μm2
論理積(AND)論理和(OR)回路
160
120
220
2006年 7月号液体でSiTFTセイコーエプソン
JSR
朝日新聞
(2006年4月6日PP.3)
日刊工業新聞
(2006年4月6日PP.24)
日経産業新聞
(2006年4月7日PP.9)
HとSiを含む液体材料
回転塗布またはインクジェットで成膜
厚さ300nmのSi膜パターン
シラン化合物
500℃前後で焼成
コスト半分
消費電力1/10程度
120
160
220
250
2006年 7月号ワンセグ受信LSIメガチップス日経産業新聞
(2006年4月14日PP.1)
チャネル検索速度2.5〜3秒
電波が弱いところでも受信するソフト技術
3.9mm角
340
220
620
2006年 6月号CNT素子の新作成法
-電流変動1/1000-
阪大
産総研
JST
日刊工業新聞
(2006年3月1日PP.25)
電波新聞
(2006年3月14日PP.6)
CNTトランジスタ
電流の変動0.01%
フォトレジストを改善
4μmの電極間に直径1.5nmのCNT
CNTをSiN膜で保護
不純物を一切つけない新しいプロセスの開発
160
220
2006年 6月号量子コンピュータ素子の計算性能を直接測定物材機構日経産業新聞
(2006年3月20日PP.12)
素子から出る光の干渉を利用
わずかな距離の差をつけ重ね合せたときの干渉の強さから時間を測定
2個の励起子分子の継続時間5.4psを測定
220
320
2006年 6月号高解像度CMOSセンサ
-光で距離と画像を認識-
シャープ
静大
スズキ
電波新聞
(2006年3月24日PP.1)
日経産業新聞
(2006年3月24日PP.8)
日刊工業新聞
(2006年3月24日PP.12)
LED光源からの近赤外光が対象物で反射しセンサまでの光の飛行距離と光の速度から距離計算
信号電荷検出機能を集積化
TOF
OVGA
距離分解能パルス幅20nm距離1mで1cm
68ピンLCCパッケージ
210
220
320
2006年 6月号アモルファスTFTの曲がる電子ペーパ凸版印刷日経産業新聞
(2006年3月31日PP.1)
日刊工業新聞
(2006年3月31日PP.13)
室温で作製可能
基板にプラスチックを利用し前面板を組合せ
すべての層を室温プロセスで作製
2インチ
4800画素
厚さ約320μm
150
250
120
220
2006年 5月号LED型量子暗号通信素子東芝欧州研究所日経産業新聞
(2006年2月3日PP.8)
量子もつれ光子対を任意に発生
高さ6nm直径12nmの量子ドット微細構造
半導体素子
120
240
250
220
2006年 5月号世界最小のICチップ日立日経産業新聞
(2006年2月6日PP.8)
ミューチップ
0.15mm角
7.5μm厚
SOI技術
絶縁層で干渉を防止
素子の高集積化
160
220
340
2006年 5月号最高速アクセス実現のDDR-VSDRAM回路技術エルピーダメモリ日刊工業新聞
(2006年2月8日PP.23)
アクセス時間8.13ns
1.5Vで1.67Gbpsの最速転送
メモリーアレイからデータを時分割でバッファ回路に転送
動作余裕を確保するカウンタ回路
最大入力クロック入力800MHz
220
2006年 5月号たんぱく質で半導体メモリー奈良先端大
松下電器
日刊工業新聞
(2006年2月9日PP.27)
不揮発性半導体メモリー
フローティングゲートにフェリチンを利用した直径7nmのCoOナノ粒子
フェリチンの外径13nm
120
220
230
2006年 5月号有機発光トランジスタで8×8のアクティブマトリクスディスプレイパネルローム
パイオニア
三菱化学
京大
電波新聞
(2006年2月21日PP.1)
日刊工業新聞
(2006年2月21日PP.12)
有機スイッチングトランジスタ
黄色に発光
発光外部量子効率0.8%
表面改質したSi酸化膜のゲート絶縁膜表面にTPPyにルブレンをドープした共蒸着膜を形成
駆動電圧80V
1000cd/m2
160
220
250
2006年 4月号地デジ用高効率電力増幅器
-従来の2倍の効率で低コスト-
NHK
アールアンドケイ
電波新聞
(2006年1月11日PP.10)
電波タイムズ
(2006年1月16日PP.3)
GaN-HEMT
低歪
CN確保
出力5Wで約9%の電力効率
120
220
340
2006年 4月号多ビット素子
-光制御の量子計算機に道-
産総研日経産業新聞
(2006年1月18日PP.18)
GaAs基板に微細なInAsの量子ドット
数十〜数百ビットの同時処理が可能
130
230
220
2003年 6月号人工知能LSI大阪府立大日刊工業新聞
(2003年3月14日PP.4)
アリの行動様式に着目520
220
2003年 5月号LSI微細化に伴う低消費電力化技術日立日刊工業新聞
(2003年2月12日PP.3)
2電源方式回路技術と低消費電力回路技術
ウェル共有型素子
動作条件を最適化して低消費電力化
220
320
2003年 5月号2GHz帯1チップ受信IC東芝日刊工業新聞
(2003年2月13日PP.4)
DCオフセット変動60mV以下
SiGeBiCMOS技術
第3世代携帯に対応
220
240
2003年 5月号量子コンピュータ
-基礎回路を開発-
理化学研
NEC
日刊工業新聞
(2003年2月20日PP.4)
日本経済新聞
(2003年2月20日PP.1)
日本経済新聞
(2003年2月20日PP.13)
固体2量子ビット
Alを幅1μm程に加工した素子を2つ並べた
4種類のデータが同時に記録
半導体技術
120
210
220
2003年 5月号バッテリーレスの無線送受信装置
-0.5Vで動くLSI-
-微小エネで無線送受信-
NEDO日刊工業新聞
(2003年2月21日PP.5)
日経産業新聞
(2003年2月25日PP.12)
0.5-1Vで動作
体温差・照明光を利用
FD-SOI
送信側1mW
受信表示全体40mW
440
220
2003年 4月号GaN系高周波トランジスタ松下電器電波新聞
(2003年1月20日PP.1)
受信用低雑音アンプ向け
サージ保護回路不要
HFET
雑音指数0.5db
220
2003年 4月号トランジスタ製造技術
-線幅65nm技術確立-
半導体先端テクノロジーズ日経産業新聞
(2003年1月21日PP.8)
高誘電率絶縁膜
ハイK
25%のHfO2含有ON2O3
120
220
2003年 3月号DRAM混載システムLSI
-65nm世代プロセス-
東芝
ソニー
日刊工業新聞
(2002年12月4日PP.8)
電波新聞
(2002年12月4日PP.1)
SoC向け
スイッチング速度0.72ps(NMOS)
1.41ps(PMOS)
0.6μm;2のメモリーセル
220
230
160
2003年 3月号暗号処理回路小型化技術
-1/10000に小型化-
東芝日経産業新聞
(2002年12月6日PP.9)
表面を薬品処理
1μm角
1.5nW
nmレベルの凹凸
160
220
2003年 3月号新チャネル構造
-ゲート長30nm以下でトランジスタ動作-
東芝日刊工業新聞
(2002年12月10日PP.4)
オン電流960μA/1μm
65nmプロセスシステムLSI用
プラズマ窒化したゲート酸化膜
スイッチング速度0.72ps(NMOS)
1.41ps(PMOS)
160
220
2003年 3月号SiMOSトランジスタ
-ゲート長6nmと最小-
米IBM日刊工業新聞
(2002年12月11日PP.4)
SOI上のSi膜厚4nm
ハロー・インプラント技術
160
220
2003年 3月号電力増幅能力3倍のトランジスタ
-携帯基地局向け-
NEC日経産業新聞
(2002年12月17日PP.10)
AlNとGaNの化合物にGaNを組み合わせる
長さ0.25μmのゲート
30GHzで2.3Wの出力電力
220
2003年 3月号ダイヤモンド半導体開発へ東芝
神戸製鋼
住友電工
日本経済新聞
(2002年12月26日PP.11)
基板に人口ダイヤモンド
20倍の動作速度
摂氏1000度でも性能を維持
120
220
2003年 3月号ICタグ用最小チップ
-アンテナ機能付き-
凸版印刷日本経済新聞
(2002年12月27日PP.11)
1mm四方の大きさで読取り機能を備えたアンテナ付き製品
2.45GHzと915MHzにも対応
220
340
2003年 2月号トップゲート型FET
-単層CNTで試作-
NEC
科学技術振興事業団
日刊工業新聞
(2002年11月8日PP.5)
日経産業新聞
(2002年11月8日PP.7)
レーザ蒸着法で合成
単相CNTの上にTi層
酸化チタンゲート絶縁膜
相互コンダクタンスが320ns
160
220
2003年 2月号カーボンナノチューブでFET試作NEC日刊工業新聞
(2002年11月8日PP.5)
CNT220
2003年 2月号量子カスケード半導体レーザの発振に成功東北大日本工業新聞
(2002年11月15日PP.2)
遠赤外領域
ナノ構造
InAs
AlSb
厚さ4〜7nm×20層の超格子×40周期
発光波長9.94μm
250
220
2003年 2月号Si製半導体
-「2世代先」実現にメド-
東芝日本経済新聞
(2002年11月29日PP.17)
ゲート電極幅14nmのトランジスタ
基板正負電極間の絶縁膜最適化
ゲート電極材料の改良
220
160
2003年 1月号高速MOS素子中の漏れ電流1/10000に低減東芝日刊工業新聞
(2002年10月2日PP.5)
高速MOS素子
接合漏れ電流
ヒ素イオン
携帯端末用LSI
220
160
2003年 1月号HDTVの圧縮・伸張処理1チップ化に成功
-伝送装置を大幅小型化-
NTTコム
NHK
電波新聞
(2002年10月16日PP.3)
日刊工業新聞
(2002年10月16日PP.7)
HDTV・CODEC・LSIを世界で初めて開発
0.13μmCMOS技術
ハガキ大の基板サイズ
180×120mm
220
320
420
520
2003年 1月号超小型演算処理装置(MPU)
-斜め配線で高速化-
東芝日経産業新聞
(2002年10月22日PP.1)
処理速度20%向上
エックス・アーキテクチャ
220
620
2003年 1月号超薄型パソコン可能に
-液晶ガラス基板上にCPU-
一行紹介
シャープ日本経済新聞
(2002年10月23日PP.13)
日刊工業新聞
(2002年10月23日PP.9)
日経産業新聞
(2002年10月23日PP.5)
8bitCPU「Z80」
線幅3μmルール
160
220
250
2003年 1月号世界最小の演算回路米IBM日本経済新聞
(2002年10月26日PP.9)
日経産業新聞
(2002年10月28日PP.9)
銅基板上12nm×17nmのサイズ
CO分子を電線代わりに使用
分子カスケード
ドミノ倒し演算回路
220
2002年12月号単一電子素子
-量産化メドに-
産総研
科学技術新興事業団
富士通研
日経産業新聞
(2002年9月17日PP.3)
日本工業新聞
(2002年9月9日PP.2)
単一電子トランジスタ
室温動作
信号ノイズ従来比1/1000
CNT
120
220
2002年12月号新構造のトライ・ゲート型トランジスタ開発米インテル日刊工業新聞
(2002年9月20日PP.9)
トライゲート型トランジスタ
3次元構造のゲートを採用
同サイズのプレーナ型と比較して20%多い電流を駆動
160
220
2002年10月号システムLSI設計期間1/10に短縮日立日経産業新聞
(2002年7月2日PP.2)
システムLSI設計
レベルシフタ
220
2002年10月号多層カーボンナノチューブ
垂直成長させる技術
富士通研日経産業新聞
(2002年7月8日PP.9)
電波新聞
(2002年7月8日PP.1)
日本工業新聞
(2002年7月8日PP.2)
日本経済新聞
(2002年7月8日PP.21)
微細なLSI配線
φ:50nmL: 500nmのCNT
CMOS・FETのシリサイド層上にて成長
電極にNiやCoを混入
CH4とH2の混合ガスによるプラズマCVD法
120
160
220
2002年10月号「スピン偏極共鳴トンネル効果」発見
-新機能素子実現に道-
産業総研
科学技術振興事業団
日本工業新聞
(2002年7月12日PP.2)
日本経済新聞
(2002年7月12日PP.17)
スピン偏極共鳴トンネル効果
厚さ3μmのCuと単結晶Co
素本偏極量子井戸準位確認
120
220
230
2002年10月号電流
一定方向に電子の自転利用の新素子
東大
NTT
JST
日経産業新聞
(2002年7月26日PP.13)
日刊工業新聞
(2002年7月26日PP.5)
単一スピンダイオード
スピンメモリー
量子コンピュータの出力装置
スピンデバイス
直径0.5μm長さ0.5μmの円筒状
GaAs
GaInAs
極低温
電圧2〜6mVで0.1nA
220
230
2002年 9月号3.3psの超高速スイッチ
-新構造で低消費電力-
東芝日刊工業新聞
(2002年6月6日PP.4)
高温超電導JJ
リング発振器
微細CMOSの3倍の高速性と1/1000の消費電力
21個のJJ
単一磁束量子回路
30K
220
2002年 9月号高速トランジスタ富士通研日経産業新聞
(2002年6月12日PP.12)
動作速度従来の1.5倍
Si・Ge薄膜
pMOS
220
2002年 9月号90ナノ世代システムLSIプロセス技術
-世界最小SRAMセル内蔵-
三菱電機
松下電器
電波新聞
(2002年6月13日PP.1)
140万トランジスタ/mm2
SRAMセルサイズ1.56μm×0.64μm
KrF露光
90nmプロセス
220
230
2002年 9月号演算処理担う論理素子
-すべて金属で作製-
1行紹介
英ダーラム大日本経済新聞
(2002年6月14日PP.15)
磁性鉄合金
電子スピン利用
サイズ100nm
NOT回路
220
2002年 9月号LSIの消費電力を1/10に低減するトランジスタ松下電器日本経済新聞
(2002年6月20日PP.11)
SiGeのナノ構造薄膜をSi基板に形成
0.5V動作
CMOSトランジスタ
220
160
2002年 9月号LSIの識別技術
-電子指紋で識別-
三菱電機日経産業新聞
(2002年6月21日PP.10)
人工指紋デバイス
PolySiTFTのバラッキ利用
220
230
2002年 9月号単一電子トランジスタ
-ナノチューブで作製-
産総研
富士通研
日本経済新聞
(2002年6月24日PP.23)
SiO2基板上
自己組織化
チューブ径 2nm
220
120
2002年 9月号カメラ対応機能強化アプリケーションプロセッサ
-携帯電話向けに発売-
日立日本工業新聞
(2002年6月26日PP.6)
カメラ付携帯電話
アプリケーションプロセッサSH7294
220
310
2002年 8月号DNAトランジスタ
-スパコン携帯型に道-
富士ゼロックス日本経済新聞
(2002年5月9日PP.3)
大きさ従来トランジスタの1/10
電極間隔10nm
サケの精子のDNA
120
220
2002年 8月号ナノチューブトランジスタ米IBM日経産業新聞
(2002年5月22日PP.8)
Si製の2倍の動作速度
p-n型の作り分け
MOSFETと同構造
220
2002年 8月号次世代光伝送向けトランジスタ沖電気日経産業新聞
(2002年5月27日PP.7)
ゲート幅100nm
積層部をInとPで構成
ウェットエッチング
6層構造
220
160
2002年 8月号暗号高速処理LSI開発
一行紹介
東芝日本経済新聞
(2002年5月31日PP.17)
電子署名
RSA
220
520
2002年 7月号ラジオ受信機用動画LSI開発へ富士通
エフエム東京
日本経済新聞
(2002年4月8日PP.17)
地上波デジタルラジオ
TV7ch
220
240
540
2002年 7月号システムLSI高速化技術奈良先端大日経産業新聞
(2002年4月23日PP.10)
0.1mm角リング発信器
回路間で信号のやり取り可能
1GHz 動作
220
120
2002年 7月号超高集積チップへ道
-ナノチューブトランジスタ試作超LSI配線応用-
富士ゼロックス
NTT
日本経済新聞
(2002年4月29日PP.15)
CNT
直径20nmリング
120
220
2002年 7月号単一電子素子
-消費電力1/1000に
室温で作動成功
NTT日経産業新聞
(2002年4月30日PP.7)
30nm幅のSi細線温室動作SET220
2002年 6月号シリコン系素材で共鳴トンネル効果静岡大日刊工業新聞
(2002年3月4日PP.8)
光デバイスとの一体化回路の微細化に有効
-258℃〜-173℃で電流ピークを確認厚さ2mm
120
220
2002年 6月号ASICプラットフォームNEC日経産業新聞
(2002年3月20日PP.7)
設計期間半減
チップ下層部に汎用回路埋込み
ISSP5層配線構造
220
2002年 6月号最速トランジスタ-動作周波数500GHz超-富士通研
通信総研
阪大
日経産業新聞
(2002年3月26日PP.14)
動作周波数562GHz
HEMT
InP基板
InAIAs電子供給層
InGaAs電子走行層
220
2002年 5月号強誘電体デバイス
-記憶と論理演算を同時に-
東北大
ローム
電波新聞
(2002年2月4日PP.1)
機能パスゲート
0.6
μm
1ポリ1メタル
Pb(Zr
Ti)O 薄膜
220
230
2002年 5月号集積回路の停電力化技術
ISSCC2002で発表
-低消費電力化技術-
(No5
7と合わせる)
日立日刊工業新聞
(2002年2月5日PP.10)
電源電圧制御
基板バイアス制御
マルチメディアDSP
マルチメディア向けメモリーアーキテクチャ
220
2002年 5月号集積回路の停電力化技術
ISSCC2002で発表
-ディジタル家電向けCPU-
(No4
7と合わせる)
松下電器日経産業新聞
(2002年2月5日PP.8)
500mW
400MHz
線幅0.13μm
銅配線
分割並例信号処理
220
2002年 5月号低消費電力化技術
ISSCC2002で発表
-CMOS周波数変換回路-

(No4
5と合わせる)
東芝日刊工業新聞
(2002年2月7日PP.6)
消費電力30%削減
信号電流加算と自己スイッチング
220
2002年 5月号小型メモリー素子
-DRAM 後の中核技術
東芝日本経済新聞
(2002年2月8日PP.17)
システムLSI
DRAM
トランジスタ下にキャパシタ
消費電力2.5倍
面積半分に
220
230
2002年 5月号米TIが0.09μmプロセス技術

一行紹介
米T.I電波新聞
(2002年2月8日PP.5)
37nm幅のトランジスタ220
2002年 3月号歪みシリコントランジスタ
-電子移動度2.2倍-
日立電波新聞
(2001年12月6日PP.6)
平坦化SiGe電子移動度2.2倍
正孔移動度1.42倍
220
2002年 3月号システムLSI高速化技術東芝日本経済新聞
(2001年12月21日PP.7)
オン・オフ切換時間5ps
基板内に空洞
ゲート長50nm
漏れ電流防止
220
160
2002年 3月号耐久性の高い半導体素子
-寿命数倍に-
広島大日経産業新聞
(2001年12月26日PP.8)
駆動電極部の絶縁層に保護膜
原子層成長法
SiN
160
220
2002年 2月号分子1個でトランジスタ
一行紹介
米ルーセント・テクノロジーズ日本経済新聞
(2001年11月9日PP.17)
微細な階段構造
有機半導体分子層
220
2002年 1月号超高速光ネットワークスイッチ
-LSI-CMOS設計感覚で実装-
NEC日刊工業新聞
(2001年10月1日PP.9)
CMOS
40Gb/s
LSI
分散処理用ネットワーク
RHINET
220
260
240
2002年 1月号磁束量子使う新理論LSINEC日経産業新聞
(2001年10月1日PP.11)
単一磁束量子回路
金属系超電導材料
微小ループ
LSI設計法
220
120
620
2002年 1月号高性能圧電単結晶材料育成技術
-圧電歪み3倍に-
東芝
川鉄鉱業
日刊工業新聞
(2001年10月5日PP.1)
単結晶材料
口径50mm
PZNT系酸化物単結晶材料
220
150
120
2001年12月号MPEG-2用LSI
-高速・逆転再生可能に-
三洋電機日経産業新聞
(2001年9月26日PP.7)
68mm四方のLSI
消費電力800mW
30枚/sのフル画像
520
220
2001年11月号ICカード用LSI
-FeRAMを量産化-
富士通日本経済新聞
(2001年8月3日PP.13)
日経産業新聞
(2001年8月3日PP.7)
電波新聞
(2001年8月3日PP.1)
日刊工業新聞
(2001年8月3日PP.10)
FeRAM
RISCCPU
0.35μmプロセス
220
230
2001年11月号無線回路1チップに
-腕時計型パソコンに道-
米UCLA日本経済新聞
(2001年8月17日PP.17)
1.8mm×2.4mm
消費電力2.2mW
500bps
ウエアラブル機器CMOSトランジスタ
220
240
2001年11月号ブロードバンド用のデータ・通信処理一体化LSIメガチップス日経産業新聞
(2001年8月23日PP.8)
MPEG-4
インタネット
システムLSI
220
2001年11月号カーボンナノチューブで論理回路作製米IBM日経産業新聞
(2001年8月28日PP.8)
電圧インバータ回路
単一分子構造
小型化
高速化
220
2001年11月号零下156度で超電導米ルーセントテクノロジーズ・ベル研日本経済新聞
(2001年8月31日PP.17)
フラーレンC60
クロロホルム
FET
120
220
2001年10月号JPEG2000対応LSIリコー日経産業新聞
(2001年7月3日PP.1)
静止画圧縮
動画対応
複数解像度対応
520
220
2001年10月号低温p-Si技術-ガラス基板に超高速回路-富士通日刊工業新聞
(2001年7月13日PP.1)
粒界3×20μm、ガラス基板
Si2バッファ層
半導体レーザ励起固体レーザによる結晶化
低温p-Si技術
プロセス温度450℃以下
移動度500cm2/V・s
160
220
250
2001年 8月号,9月号世界最速のトランジスタ米IBM日本経済新聞
(2001年6月26日PP.3)
処理速度210GHz
SiGe
スイッチ動作速度1.5T回/s
220
2001年 8月号,9月号世界最小粉末状ICチップ日立日本経済新聞
(2001年6月28日PP.1)
日経産業新聞
(2001年6月29日PP.9)
0.4×0.4×0.06mm
無線ICチップ
128bROM
紙に埋め込み可能
220
340
2001年 7月号酸化亜鉛で透明TFT大阪大学
ミノルタ
日刊工業新聞
(2001年5月11日PP.1)
高密度液晶ディスプレイ
高い歩留まり
SiO2と活性層間にSiN層
3.3eVのバンドギャップ
220
250
2001年 7月号超電導素子使ったADコンバータ日立日経産業新聞
(2001年5月29日PP.10)
日本経済新聞
(2001年5月24日PP.5)
単一磁束量子(SFQ)回路
サンプリング周波数100GHz
ジョセフソン効果
イットリウム系酸化物
120
220
2001年 6月号新トランジスタ
-3種類の信号で複雑演算可能に-
NEC日本経済新聞
(2001年4月6日PP.17)
多値トランジスタ
GaAs
2ヶ所のトンネル接合
220
2001年 6月号薄膜構造のスーパレンズ
-トランジスタ
光方式の作動に成功-
産業技術総合研
他6社
日刊工業新聞
(2001年4月20日PP.6)
日本経済新聞
(2001年4月20日PP.17)
最大60倍に増幅
Ge・AgOなどの多層膜
青色レーザ励起
信号は赤色レーザ

超解像近接場構造
光トランジスタ
220
120
2001年 6月号人工網膜LSIで似顔絵三菱電機日刊工業新聞
(2001年4月25日PP.11)
日経産業新聞
(2001年4月25日PP.3)
画像センサ用LSI210
220
620
2001年 6月号トランジスタ素子
-1/500の大きさ-
米IBM日本経済新聞
(2001年4月30日PP.25)
カーボンナノチューブ
大電流で金属タイプを焼き切る
MOSトランジスタ
220
2001年 5月号単電子CCD
-電子1個自在に転送-
NTT物性科学基礎研日刊工業新聞
(2001年3月30日PP.7)
単電子電荷結合素子(CCD)
電子1個
25Kで動作
220
2001年 5月号内部抵抗1/10のトランジスタ電総研日経産業新聞
(2001年3月19日PP.11)
SiCトランジスタ
MOSFET
1kV-1mΩ
220
2001年 5月号最高移動度と最小抵抗実現のSiC素子電総研
新機能素子研究開発協会
(FED)
日刊工業新聞
(2001年3月16日PP.7)
チャネル移動度140cm2/Vs
4H-SiC-MOSFET
エンハンスメント形
ソースドレインのシート抵抗38Ω
220
2001年 5月号W-CDMA対応LSI日立日経産業新聞
(2001年3月15日PP.10)
低消費電力
ベースバンドモデム
配線幅0.25μm
13mm角
384kbps
220
2001年 5月号立体積層構造の人工網膜チップ東北大日刊工業新聞
(2001年3月13日PP.6)
日本工業新聞
(2001年3月14日PP.10)
人工網膜チップ
視細胞
水平細胞
神経節細胞
高速画像処理
210
520
220
2001年 5月号高分子で超電導実現米ルーセントテクノロジーズ社ベル研日経産業新聞
(2001年3月8日PP.11)
臨界温度2.35K
ポリチオフェンFET
ホール対
120
220
2001年 5月号新形CMOSセンサ東芝
MIT(米)
日経産業新聞
(2001年3月2日PP.7)
電波新聞
(2001年3月16日PP.6)
DSP一体化
128×128画素
210
220
2001年 4月号画像認識が10倍速いLSI広島大日経産業新聞
(2001年2月8日PP.12)
画像認識速度10倍220
620
2001年 4月号世界初のリアルタイム圧縮エンジン
-動画リアルタイム処理-
デジタルアクト日刊工業新聞
(2001年2月22日PP.1)
動画圧縮アルゴリズム520
220
2001年 4月号ワンチップシステムLSI
-デジタルカメラ高速連写-
三洋電機日経産業新聞
(2001年2月22日PP.1)
200万画素
15frame/s
220
2001年 4月号新設計の画像センサ松下電器日経産業新聞
(2001年2月12日PP.5)
スマートピクセル
LEDを埋込む
8×8画素
210
220
250
2001年 4月号電磁波発生防ぐIC米パルス・コア日経産業新聞
(2001年2月12日PP.1)
クロックのタイミングを調整する
EMC対策
220
2001年 4月号光ネット用送受信器
-10Gbpsでワンチップ-
日立日刊工業新聞
(2001年2月7日PP.6)
0.25μmプロセス
10Gbps
SiGe
Bi-CMOS
SOI
シリコンゲルマ
240
220
2001年 4月号携帯端末で複数動画処理松下電器日経産業新聞
(2001年2月7日PP.11)
複数動画処理可能なLSI
MPEG-4準拠
0.18μmCMOS
同時に2画像圧縮
4画像伸長
220
520
2001年 4月号半導体チップOS技術日立電波新聞
(2001年2月6日PP.1)
電力制御
IP活性コントロール
220
2001年 3月号インタフェースLSI
-1チップで接続-
松下電器日本工業新聞
(2001年1月18日PP.7)
IEEE1394
LSI
DTCP
220
2001年 3月号画像データを1チップで圧縮・伸長東芝電波新聞
(2001年1月16日PP.2)
日経産業新聞
(2001年1月16日PP.4)
MPEG-4
12MbDRAM
QCIF(176×144画素)
220
2001年 2月号CD-R記録密度・転送速度3倍TDK
米カリメトリクス
日経産業新聞
(2000年12月20日PP.1)
CD-R
ML(多値記録)
短い線幅
8段階記憶
220
2001年 2月号画像圧縮の新LSI米アナログ・デバイセズ日経産業新聞
(2000年12月18日PP.7)
JPEG2000
ウェーブレット
1/100圧縮
220
520
2001年 2月号単一電子素子で開発競争東芝
NTT
日本経済新聞
(2000年12月16日PP.15)
単一電子素子
常温作動
230
220
2001年 2月号LSI電流漏れ30%減東芝日経産業新聞
(2000年12月12日PP.9)
超微細粒子制御クリーニング技術
重水素
160
220
2001年 2月号携帯電話で動画再生東芝電波新聞
(2000年12月12日PP.6)
MPEG-4
QCIFフォーマット
50mW@40MHz
220
2001年 2月号新しい銅配線構造
-動作速度1.7倍に-
NEC電波新聞
(2000年12月12日PP.6)
ロジックLSI
デュアルダマシン
160
220
2001年 2月号MPUで新技術
-0.03μmゲート幅のトランジスタ-
インテル日経産業新聞
(2000年12月12日PP.1)
MPU
CMOS
ゲート長0.03μm
線幅0.07μm
220
2001年 2月号100GHz超の信号処理用HEMT立命館大
工技院大阪工業技研
日経産業新聞
(2000年12月4日PP.12)
電波タイムズ
(2000年12月6日PP.2)
GaN
HEMT
130GHz
220
2001年 1月号GaN系電子素子
-最高発振周波数100GHz超-
NEDOコンソーシアム日刊工業新聞
(2000年11月30日PP.6)
100GHz
AlGaN
220
2001年 1月号LISを3割小さくできる技術
-高性能チップ
低コストで-
東北大日本経済新聞
(2000年11月25日PP.3)
プラズマ220
2001年 1月号SiCパワー素子松下電器電波新聞
(2000年11月22日PP.1)
SiCパワー素子
DACFET
ナノ制御δドープ層状構造
113cm2/Vs
220
2001年 1月号電源分離に新線路素子技術
-低インピーダンス
広い周波数帯で実現-
NEC日刊工業新聞
(2000年11月17日PP.7)
LSI
電源分離
220
2001年 1月号無線回路1Vで駆動
-切手大の端末可能-
NTT日経産業新聞
(2000年11月15日PP.11)
従来の半分の1Vで駆動
10〜100mの近距離を通信
ブルートゥース対応
周波数変換
40mW以下
2〜2.4GHz
SOI
0.2μmCMOS
220
340
2001年 1月号W-CDMA用増幅素子
-面積1/5に-
シャープ日経産業新聞
(2000年11月6日PP.1)
GaAs
広帯域符号化分割多重接続(W-CDMA)方式
1.9GHz帯
消費電力20%減
従来の1/5に小形化
220
230
2000年12月号40万画素CCDシャープ電波新聞
(2000年10月26日PP.6)
CCD
ディジタルスチルカメラ
1/1.8
220
210
2000年11月号量子箱で「近藤効果」
-量子ドットで最大に-
NTT
東大
デルフト工科大(オランダ)
日刊工業新聞
(2000年9月22日PP.7)
日経産業新聞
(2000年9月22日PP.12)
近藤効果
量子ドット
量子スピン
量子計算機
量子箱
量子コンピュータ
AlGaAs
120
220
2000年 6月号ニューロLSIを小形化する新手法
-面積1/10に-
デンソー日本経済新聞
(2000年4月29日PP.13)
シグモイド関数
確率関数
ニューロLSI
220
520
2000年 5月号DRAM混載システムLSI
-58.8GB/sでデータ送受信-
三菱電機日経産業新聞
(2000年3月23日PP.1)
DRAM
LSI
DRAM混載システムLSI
220
2000年 5月号Si単電子トランジスタ集積化技術
-メモリードットを利用-
東大日本工業新聞
(2000年3月10日PP.17)
単電子トランジスタ
集積化
メモリードット
220
2000年 4月号新半導体製造法
-垂直構造で高集積-
米ルーセントテクノロジー日経産業新聞
(2000年2月25日PP.5)
トランジスタ
半導体
ゲート長50nm
垂直構造
220
160
2000年 4月号世界最速のAD変換器
-大容量ハードディスク向け-
松下電器日経産業新聞
(2000年2月9日PP.4)
ADコンバータ
入力信号20MHz
AD変換器
80MHz
大容量ハードディスク
DVD
80MS/s
6ビット
220
2000年 4月号最速トランジスタ
-40Gbpsの信号処理-
日立日経産業新聞
(2000年2月8日PP.5)
光通信向けIC
周波数変換IC
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
Si-GeHBT
最小線幅0.2μm
220
2000年 3月号半導体量子素子
-単一光子を検出-
東大日経産業新聞
(2000年1月27日PP.5)
日刊工業新聞
(2000年1月27日PP.6)
半導体量子素子
AlGaAs
THz通信
SET
ゲート電極20μm
垂直磁場
遠赤外
単一光子
光検出器
210
220
2000年 3月号1コマ0.5ミリ秒で高速処理する画像処理デバイス松下技研
東大
日本工業新聞
(2000年1月21日PP.27)
2×2画素
動画像処理
220
2000年 3月号世界最高速のHEMT郵政省
富士通
阪大
日経産業新聞
(2000年1月21日PP.5)
HEMT
362GHz
電子走行層10nm
InGaAs
電子供給層
InAlAs
ミリ波
220
2000年 3月号量子ホール効果を確認
-新形素子開発に道-
NTT
東北大
日経産業新聞
(2000年1月14日PP.5)
量子ホール効果
量子コンピュータ
GaAs
AlGaAs
3nm厚
120
210
660
220
2000年 3月号真空マイクロ素子
-ダイヤモンド状炭素エミッタに使用-
東芝日刊工業新聞
(2000年1月13日PP.6)
DLC
電子放出電圧24V
真空マイクロ素子
マイクロ波CVD法
250
150
160
220
2000年 3月号窒化ガリウム系HEMT
-室温から350℃安定に動作-
名工大日刊工業新聞
(2000年1月7日PP.6)
GaN系HEMT
146mS/mm
ゲート長2.1μm
電子移動度740cm2/Vs
リセス構造
MOCVD法
220
2000年 2月号単電子トランジスタの論理回路
-消費電力10万分の1-
NTT日経産業新聞
(1999年12月10日PP.5)
日刊工業新聞
(1999年12月10日PP.7)
電波タイムズ
(1999年12月17日PP.1)
単一電子トランジスタ(SET)
論理回路
パターン依存酸化法
V-PADOX法
超低消費電力 1/100,000
Si熱酸化手法
インバータ回路
低温動作:-243℃
220
160
2000年 2月号超高速半導体チップ米TRW社電波新聞
(1999年12月9日PP.3)
動作周波数69GHz
リン化インジウム
40Gb通信
220
2000年 2月号1GHzの微小トランジスタ日立日経産業新聞
(1999年12月7日PP.5)
1GHz
ゲート長0.1μm
トランジスタ
CMOS
2層構造絶縁膜
タングステン薄膜
220
2000年 2月号歪みSOIに作成したP形MOS構造東芝日刊工業新聞
(1999年12月6日PP.13)
歪みSOI
正孔移動度1.3倍
120
220
2000年 2月号CCD画質のCMOSセンサ東芝日本工業新聞
(1999年12月6日PP.6)
CMOSイメージセンサ
埋込みフォトダイオード構造
ノイズ1/6
ワンチップ化
210
220
2000年 1月号高温超電導素子製造技術
-1チップ上に10個の集積可能に-
超電導研
NEC
東芝
日立
日経産業新聞
(1999年11月12日PP.5)
電波新聞
(1999年11月12日PP.2)
YBaCuO系
高温超電導素子
ジョセフソン素子
イオン照射
220
160
2001年 1月号SiCパワー素子松下電器電波新聞
(2000年11月22日PP.1)
SiCパワー素子
DACFET
ナノ制御δドープ層状構造
113cm2/Vs
220
2001年 1月号電源分離に新線路素子技術
-低インピーダンス
広い周波数帯で実現-
NEC日刊工業新聞
(2000年11月17日PP.7)
LSI
電源分離
220
2001年 1月号無線回路1Vで駆動
-切手大の端末可能-
NTT日経産業新聞
(2000年11月15日PP.11)
従来の半分の1Vで駆動
10〜100mの近距離を通信
ブルートゥース対応
周波数変換
40mW以下
2〜2.4GHz
SOI
0.2μmCMOS
220
340
2001年 1月号W-CDMA用増幅素子
-面積1/5に-
シャープ日経産業新聞
(2000年11月6日PP.1)
GaAs
広帯域符号化分割多重接続(W-CDMA)方式
1.9GHz帯
消費電力20%減
従来の1/5に小形化
220
230
1999年12月号スピントランジスタ
-基本動作確認-
日立日経産業新聞
(1999年10月7日PP.5)
電子スピン
カーボンナノチューブ
220
1999年12月号炭化シリコンFETを試作京大日刊工業新聞
(1999年10月11日PP.5)
チャネル移動度95.9c /V/s
c面->a面で移動度15〜17倍
4H-SiCと6H-SiCで確認
220
1999年12月号新基本回路構造
-高速60GHz達成-
NEC日経産業新聞
(1999年10月20日PP.5)
超電導
マイクロプロセッサ
60GHz
調停回路
単一磁束量子
MPU
基本回路構造
低消費電力
超電導回路
Nb
220
1999年11月号CG画像の処理最速LSI量産
-プレステ2向けの1.5倍-
リアルビジョン日経産業新聞
(1999年9月10日PP.1)
9.1GFLOPS
3DCG専用画像処理LSI
220
1999年11月号アナログ進化形半導体LSI
-「進化」利用して設計-
電総研
旭化成マイクロシステム
日刊工業新聞
(1999年9月15日PP.5)
日経産業新聞
(1999年9月16日PP.5)
遺伝的アルゴリズム
アナログLSI
性能調整機能
小形化
省電力化
中間周波数フィルタ設計
回路面積約4割
消費電力約6割
520
220
1999年11月号シナプスまねし簡便な学習回路
-回路面積1/100以下-
東工大日刊工業新聞
(1999年9月21日PP.6)
日経産業新聞
(1999年9月22日PP.5)
神経シナプス
強誘電体膜
SBT
FET
適応学習機能
SBT
新トランジスタ
SBTの薄膜
ニューラルネットワーク
520
220
160
1999年10月号超高速の撮像システム
-撮影から処理までを1/500秒で-
東大
浜松
ホトニクス
日本工業新聞
(1999年8月31日PP.1)
超高速撮影システム
撮像素子
画像処理プロセッサ
ITS
210
220
520
310
1999年 9月号移動体通信の送受信装置松下電器
京セラ
日経産業新聞
(1999年7月9日PP.5)
超電導
フィルタ
ホルミウム
バリウム
銅酸化物系
高温超電導材料
220
340
1999年 9月号CMOSエリアイメージセンサ
-100倍のダイナミックレンジ-
ミノルタ
ローム
電波新聞
(1999年7月13日PP.2)
CMOS
イメージセンサ
対数変換回路
ダイナミックレンジ105
210
220
1999年 9月号第3の金属超電導線材日立電子日刊工業新聞
(1999年7月16日PP.7)
Nb3Al140
220
1999年 9月号超高速演算素子米PH社
UCLA
電波新聞
(1999年7月17日PP.2)
1000億倍速
分子レベル演算素子
化学反応
220
1999年 9月号単一電子素子量産用製造技術東芝日本経済新聞
(1999年7月19日PP.19)
自己組織化
超微細加工
半導体基板
20〜30nmの凹凸
単一電子素子
製造技術
エッチング
160
220
260
120
1999年 8月号デジタルテレビ用LSI松下電器日本工業新聞
(1999年6月9日PP.14)
デジタル放送220
1999年 8月号0.05μm世代のCM0S素子日立日刊工業新聞
(1999年6月15日PP.6)
CMOS
RTA炉
160
220
1999年 8月号0.10μmのプロセスルールで新技術
-待機消費電力1/10以下-
富士通研日本工業新聞
(1999年6月16日PP.4)
LSI220
1999年 8月号世界最小のトランジスタ
-構造試作
動作を確認-
NEC日経産業新聞
(1999年6月17日PP.5)
ゲート電極長50nm
P-MOS
MOSトランジスタ
MOSFET
160
220
1999年 8月号業界最高レベルの超小形次世代シグナルリレーNEC電波新聞
(1999年6月21日PP.11)
シグナルリレー220
1999年 7月号新形の薄膜製造装置
-携帯電話の電力節約-
北陸先端院大日本経済新聞
(1999年5月31日PP.19)
CVD
W触媒
160
220
1999年 7月号HDD用磁気記録ヘッド
-書込み磁界2倍-
NEC日刊工業新聞
(1999年5月18日PP.6)
HDD用磁気ヘッド
書込み磁界2.1テスラ
CoNiFeメッキ
7000Oe対応
磁気ヘッド
120
220
230
1999年 7月号DRAMを超える新形メモリー
-記憶性能DRAMの2倍-
日立製作所
英ケンブリッジ大
日本経済新聞
(1999年5月18日PP.1)
日刊工業新聞
(1999年5月19日PP.11)
日経産業新聞
(1999年5月25日PP.9)
PLEDM
セルサイズ半分
不揮発性
絶縁膜埋込み
新形メモリー
220
230
1999年 7月号サブミクロンTFTを形成する低温ポリシリコン技術富士通研日刊工業新聞
(1999年5月17日PP.13)
ガラス基板
0.6μm
220
1999年 6月号最小メモリーカード日立製作所
独シーメンス
日本経済新聞
(1999年4月23日PP.13)
フラッシュメモリー
MPU
マルチメディアカード
16〜128MB
220
230
1999年 6月号電界効果トランジスタ
- 400℃で安定動作 -
NTT日経産業新聞
(1999年4月23日PP.5)
FET
GaN
ヘテロ接合
220
1999年 6月号オーディオ雑音1/100のDVD松下電器産業日本経済新聞
(1999年4月20日PP.13)
DA変換器
低速
高精度処理
220
1999年 6月号初のDRAM混載形画像処理用DSP富士通研日本工業新聞
(1999年4月19日PP.1)
画像処理用DSP
1MT-2000
MSPM
SIMD形
DSP
DRAM
220
230
1999年 6月号光トランジスタ
-光通信波長帯で動作-
豊田工大
日本山村硝子
日刊工業新聞
(1999年4月16日PP.7)
NAND動作
光信号反転器
光増幅効果
波長1.5μm帯
エルビウムイオン
負性非線形吸収効果(NAA効果)
光IC
希土類
低電力
高速
増幅
220
1999年 6月号SQUID利用の超高感度センサ住友電工日経産業新聞
(1999年4月13日PP.5)
1MHz
SQUID
220
210
1999年 6月号世界初の球面集積回路
-球状半導体にIC形成-
米ボールセミコンダクタ日本経済新聞
(1999年4月6日PP.11)
日刊工業新聞
(1999年4月13日PP.11)
球面集積回路
球状Si
N形MOS
球状半導体
インバータ回路
220
260
160
1999年 6月号横形ホットエレクトロントランジスタNEC日刊工業新聞
(1999年3月29日PP.1)
横形HET
ホットエレクトロン効果
10Tbメモリー
MOSトランジスタ
電界変調浅接合形
220
1999年 5月号0.1μmプロセス用絶縁材料
-2GHz動作のLSI実現-
富士通研電波新聞
(1999年3月30日PP.1)
2GHz動作
0.1μmプロセス用絶縁材料
ナノキャビティ技術
層間絶縁膜誘電率1.98
アリサイクリックモノマ
220
120
160
1999年 5月号世界最小MOSトランジスタ
-ゲート長8nm-
NEC日刊工業新聞
(1999年3月29日PP.1)
MOSトランジスタ
HET
10Tbメモリー
ホットエレクトロン効果
トランジスタ
ゲート長8nm
電子線レジスト
横形HEMT
220
160
1999年 5月号新形ニューロチップ
-音声や距離感を素早く認識-
日立製作所
NTT
日本経済新聞
(1999年3月20日PP.10)
ニューロチップ
半導体
220
1999年 5月号世界最大の容量伝送
-350GHzと最高速実現-
NTT日刊工業新聞
(1999年3月19日PP.4)
電波タイムズ
(1999年3月19日PP.1)
In
P系
HEMT
遮断周波数350GHz
3Tbpsを40km伝送
2段階リセスゲート
フラーレン添加
電子線レジスト
220
240
160
1999年 5月号新形MPU「ペンティアム」出荷インテル日本工業新聞
(1999年3月3日PP.4)
MPU220
1999年 4月号指紋読取りチップNTT日本経済新聞
(1999年2月17日PP.13)
誤認率0.1〜0.01%
判定時間0.5s
15mm角
2層構造
指紋認証チップ
セキュリティ
ワンチップ化
210
520
220
1999年 4月号テレビ用音響制御LSIローム日本工業新聞
(1999年2月9日PP.4)
音響制御LSI220
1999年 4月号超高速の超電導素子
-赤外光超高感度で検出-
ロチェスタ大
モスクワ州立教育大
日経産業新聞
(1999年2月5日PP.5)
窒化ニオブ薄膜
超電導状態
光子1個
250GHz
超電導素子
240
220
1999年 4月号3次元Y/C分離LSI
-10bA/D変換器内蔵-
NEC日本工業新聞
(1999年2月3日PP.4)
Y/C分離LSI220
1999年 3月号ニオブ系超電導素子30GHz動作名大
日刊工業新聞
(1999年1月22日PP.1)
超電導単一磁束量子
ニオブ系超電導ジョセフソン結合
SFQ回路
220
1999年 3月号貫通型ノイズフィルタ
-1GHz以上の帯域に対応-
EMC
TDK
日刊工業新聞
(1999年1月14日PP.7)
GHz帯対応貫通型ノイズフィルタ
鉄系磁性材料
熱可塑性樹脂
220
1999年 3月号動作速度25%の向上のトランジスタNEC日経産業新聞
(1999年1月4日PP.4)
0.1μm
C-MOS
トランジスタ
220
1999年 3月号高温超伝導
-集積回路実現へ突破口-
NEC朝日新聞
(1999年1月3日PP.3)
高温超伝導
絶縁バリア層
ジョセフソン接合
集積回路
120
160
220
1999年 2月号消費電力1/25の新MOS型FETシャープ日経産業新聞
(1998年12月11日PP.4)
動作電圧0.5V
MOSFET
ロジックLSI
LCSED-DTMOS
寄生容量65%伝送
220
1999年 2月号量子メモリー
-低電圧1Vで書込み消去-
富士通日刊工業新聞
(1998年12月9日PP.5)
テラビット級
HEMT
異方性エッチング
TSR溝
量子ドット浮遊ゲート
不揮発性
書込み/消去電圧1V
230
220
1999年 2月号1.2nm極薄酸化膜使用のMOS素子広島大日刊工業新聞
(1998年12月8日PP.6)
1.2nmシリコン酸化膜220
160
1999年 2月号書込み速度50倍のフラッシュメモリー松下電器産業
松下電子
ヘイロLSI社
日本経済新聞
(1998年12月7日PP.17)
電波新聞
(1998年12月7日PP.1)
ゲート間距離40nm
書込み200ns
書込み電圧5V
バリスティック型トランジスタ
高効率エレクトロン
220
230
1999年 1月号量子効果素子松下電器産業日経産業新聞
(1998年11月25日PP.7)
量子効果素子220
1999年 1月号CPUの高速化チップNEC日本経済新聞
(1998年11月23日PP.17)
回路構成変更
数10μs
10〜100倍
220
1999年 1月号電界効果トランジスタ
-低雑音性で世界最高水準-
NEC日本工業新聞
(1998年11月13日PP.1)
FET
ヘテロ構造
周波数コンバータ
NF0.35dB
低雑音
220
1998年12月号量子計算機用素子NTT
理化学研
デルフト工科大
(オランダ)
日本経済新聞
(1998年10月29日PP.11)
日本工業新聞
(1998年10月29日PP.24)
共有結合状態
電圧変化
超高速コンピュータ
量子ドット分子
220
1998年12月号空間光変調材料
-ピコ秒単位で色変化-
静岡大日刊工業新聞
(1998年10月28日PP.5)
空間光変調材料
光応答性高分子
ビオロゲン
空間光変調
120
220
1998年12月号小型高性能ミリ波帯IC
-Siに3次元-
松下通信工業
松下技研
日刊工業新聞
(1998年10月15日PP.5)
ミリ波IC220
1998年12月号次世代携帯電話用LSIの新素子構造東芝日経産業新聞
(1998年10月1日PP.5)
携帯電話
通信LSI
素子構造
220
160
1998年11月号伝送データの一時記憶メモリー
-超電導物質使う-
NEC日経産業新聞
(1998年9月24日PP.5)
バッファメモリー
超電導
ATMスイッチ
220
230
1998年11月号光信号処理チップ東工大
東大
日本工業新聞
(1998年9月22日PP.21)
AND回路
ディジタル信号処理
光半導体
GaInAsP
240
220
1998年11月号DNAコンピュータ設計
-演算時間を大幅に削減-
NEC北米研日本経済新聞
(1998年9月9日PP.3)
電波新聞
(1998年9月10日PP.2)
DNAコンピュータ
化学反応
並列演算
酵素
特許
米国特許庁から設計特許を取得(USP#414398)
人工DNA
420
660
220
1998年11月号半導体の新素子構造
-高速動作維持し微細化-
富士通研日経産業新聞
(1998年9月7日PP.5)
IC
ゲート
220
1998年11月号超電導回路
-室温半導体回路複合化に成功-
富士通日刊工業新聞
(1998年9月3日PP.1)
超電導回路
室温半導体回路
ジョセフソン接合昇圧回路
HEMT
Tb級システム
220
1998年10月号単一電子メモリー
-室温で単一電子動作-
電総研日経産業新聞
(1998年8月26日PP.4)
単一電子メモリー
室温動作
多重トンネル接合
230
220
1998年10月号サブミクロンサイズのジョセフソン素子
-高温超電導単結晶を採用-
東北大日経産業新聞
(1998年8月21日PP.5)
電波新聞
(1998年8月21日PP.2)
超電導素子
ジョセフソン素子
単一電子の制御
素子の微細化
超電導
FIB加工技術
BiSrKCu酸化物
面積1μmで単電子
トンネル効果
液体ヘリウム温度動作
120
220
1998年10月号高温超電導ジョセフソン接合東芝日刊工業新聞
(1998年8月20日PP.5)
高温超電導
ジョセフソン接合
SFQ
220
120
1998年 9月号人間の目と脳を持つビジョンチップ東大日本工業新聞
(1998年7月29日PP.21)
視覚センサ
並列演算処理回路
高速画像処理
ビジョンチップ
CMOS
画像処理
210
220
1998年 9月号超電導素子使用の発振器
-1THzのサブミリ波実現-
通信総研日経産業新聞
(1998年7月10日PP.4)
サブミリ波
ジョセフソン素子
超電導
50mW
220
140
150
1998年 8月号0.4V以下の超低電圧Si量子素子松下電器産業電波新聞
(1998年6月24日PP.1)
日刊工業新聞
(1998年6月24日PP.11)
日経産業新聞
(1998年6月24日PP.5)
トンネル障壁
酸化膜
負性特性
エサキダイオード
消費電力
Si量子素子
超低電圧駆動
多結晶Si
量子化機能素子
3nm以下の薄いSi酸化膜
負性抵抗素子
3素子でメモリー
220
120
1998年 8月号超小型トランジスタ
-金属使い集積度100倍-
北陸先端院大
海軍研究所(米)
日本経済新聞
(1998年6月22日PP.19)
金属製トランジスタ
トンネル効果
高集積
LSI
高集積化
220
120
1998年 7月号画像データ圧縮率2倍の電子回路電総研日経産業新聞
(1998年5月29日PP.5)
遺伝アルゴリズム
印刷
電子印刷機
520
220
330
1998年 6月号性能10培のDSP米TI日経産業新聞
(1998年4月17日PP.9)
DSP
1GOPS
220
1998年 6月号配線技術
-次世代高速ロジックLSI実現へ-
富士通研日経産業新聞
(1998年4月14日PP.5)
有機高分子
絶縁膜
220
160
1998年 6月号超並列演算光素子
-原子オーダの画素分解能-
豊田工大
日刊工業新聞
(1998年4月8日PP.6)
原子オーダの分解能
光コンピュータ
画像認識
光スイッチ
負性特性
超並列演算素子
光スイッチ素子
負性非線形光学吸収効
220
420
210
1998年 6月号電流変化を高速測定できる集積回路NEC日経産業新聞
(1998年4月6日PP.5)
イットリウム系高温超電導体
サンプラ
SQUID
25K動作で5psごとに2.5μAを識別
220
660
1998年 6月号画像処理LSI
-MPEG-2対応で1チップ-
GCL日本工業新聞
(1998年4月2日PP.4)
MPEG-2220
520
1998年 6月号LSIチップ間の高速信号伝送技術富士通
富士通研
富士通
VLSI
電波新聞
(1998年4月2日PP.28)
PRDクロック配晶220
230
1998年 6月号光使う“半導体”素材
-情報処理速度100〜1000倍に-
HOYA日経産業新聞
(1998年3月31日PP.1)
光の強さで屈折率変化
1kW/cm2で利用可
酸化チタンに直径数十nmの金粒子を分散蒸着
220
230
1998年 5月号人工網膜チップ三菱電機日経産業新聞
(1998年3月25日PP.5)
人工網膜
個人認識
220
210
1998年 4月号携帯電話の小型化可能に松下電子日経産業新聞
(1998年2月25日PP.5)
高移動度
GaAsFET
220
1998年 4月号家庭用高速通信ネット向け
IC
-2.5Gbpsの信号受信-
NEC日本工業新聞
(1998年2月10日PP.17)
光IC
CMOS
高速データ通信
220
240
1998年 4月号最小幅で2GHz動作のLSI東芝日経産業新聞
(1998年2月9日PP.5)
0.09μm
閾値制御
220
1998年 4月号1GHZの信号を分配するクロック技術NEC日経産業新聞
(1998年2月9日PP.5)
クロック分配
ローカルクロック
LIS
220
260
1998年 4月号世界最高速IC日立製作所日刊工業新聞
(1998年2月5日PP.6)
遮断周波数100GHz
Si系HBT
HBT
最大発振周波数100GHz
8psの伝搬遅延時間
40〜50Gbpsの光伝送システム用
220
1998年 4月号DRAM付加価値向上
-内部電源が不用に-
富士通日経産業新聞
(1998年2月5日PP.5)
シンクロナスDRAM230
220
1998年 4月号DRAMの付加価値向上
-メモリーに論理回路-
NEC日経産業新聞
(1998年2月5日PP.5)
ロジック混載DRAM230
220
1998年 4月号画像圧縮
伸長LSI
-MPEG-4に対応-
東芝日経産業新聞
(1998年2月5日PP.5)
日本工業新聞
(1998年2月5日PP.4)
MPEG-4
LSI
220
520
1998年 3月号システムLSI高集積化を実現する新基板構造三菱電機日経産業新聞
(1998年1月22日PP.5)
システムLSI220
230
1998年 3月号高移動度連続粒界結晶Si半導体シャープ半導体エネルギー研究所日本経済新聞
(1998年1月14日PP.13)
日刊工業新聞
(1998年1月14日PP.13)
電波新聞
(1998年1月14日PP.1)
日本工業新聞
(1998年1月14日PP.4)
CGS
液晶
システムオンパネル
電子移動度300cm2/Vs
フルディジタル駆動
ディスプレイ
シートコンピュータ
連続粒界結晶Si
高移動度
131万画素2.6型TFT液晶
Si
高速LSI
250
220
1998年 3月号地上波デジタル放送の受信用LSI松下電器産業日経産業新聞
(1998年1月8日PP.1)
地上波デジタル放送
受信用LSI
1チップ
540
220
520
1998年 3月号米の次世代地上デジタル放送受像機用半導体チップ三菱電機
米ルーセントテクノロジー
電波新聞
(1998年1月7日PP.1)
受信用IC
5チップ
220
520
540
1998年 3月号ミリ波で動作するGaAsFET村田製作所電波新聞
(1998年1月7日PP.7)
GaAsFET
遮断周波数110GHz
以上
0.2μmゲート
ヘテロ接合
220
1998年 3月号自ら回路を組替え蓄えるIC-状況に応じ進化-名大
名工大
日本経済新聞
(1998年1月5日PP.19)
論理回路
遺伝子アルゴリズム
IC
自ら組替え
遺伝的アルゴリズム
220
520
1998年 2月号世界最小のトランジスタ京大
富士通研
日経産業新聞
(1997年12月17日PP.5)
日本経済新聞
(1997年12月17日PP.11)
線幅40nm
クラスタイオン
ホウ素原子の10個の塊をイオン注入
トランジスタ
160
220
1998年 2月号単一電子素子スイッチNTT日経産業新聞
(1997年12月10日PP.5)
電波新聞
(1997年12月10日PP.2)
単一電子素子
トンネル効果
電子1個を電流制御
220
1998年 2月号MOSトランジスタ用高信頼ゲート電極構造
-ゲート長0.25μm以下-
NEC電波新聞
(1997年12月8日PP.7)
LGP2層
SiOx
220
160
1998年 2月号画像表示用LSIヤマハ日本工業新聞
(1997年12月8日PP.5)
画像表示用LSI220
1998年 2月号情報処理速度10倍に米テキサスインスツルメンツ日本経済新聞
(1997年12月5日PP.3)
銅配信
気泡
0.1μm幅
DSP用に開発
160
220
1998年 1月号超広帯域ベースバンドICNEC日刊工業新聞
(1997年11月11日PP.7)
広帯域IC
GaAsヘテロバイポーラ(HBT)
220
1998年 1月号MPEG-2エンコーダ
-1チップ化-
東芝日刊工業新聞
(1997年11月10日PP.1)
動き検出演算量
1/144
画質劣化を抑える
220
520
1998年 1月号単電子トランジスタ
-室温動作に成功-
東工大日刊工業新聞
(1997年11月6日PP.7)
単電子トランジスタ
オイルミスト
EBID
220
160
1997年12月号SRAM小型化技術東芝日経産業新聞
(1997年10月15日PP.5)
トンネル効果
3トランジスタ
負性抵抗
NOSトランジスタ
SOI構造
0.35μmプロセス
室温動作
220
230
1997年12月号超電導チップ
-データ交換速度10倍に-
NEC日経産業新聞
(1997年10月7日PP.5)
超電導220
320
1997年12月号高速通信網のATM交換機
-超伝導材でスイッチ-
日立製作所日経産業新聞
(1997年10月3日PP.5)
ATM交換機
ジョセフソン素子
ニオブ
4GHz動作
0.16W
-270℃動作
220
540
340
1997年12月号画像処理IC
-多放送方式に対応-
グラフィック
ミュニケーション
日本経済新聞
(1997年10月2日PP.1)
デジタル放送
画像処理
BS-4
540
220
520
1997年12月号コンピュータ機能内蔵のディスクオプトロム日刊工業新聞
(1997年9月29日PP.7)
光ディスク230
220
420
1997年11月号160新半導体
-半導体の配線に銅を使用-
IBM日本経済新聞
(1997年9月23日PP.11)
読売新聞
(1997年9月24日PP.10)
銅配線ICの量産技術
高速CMOSロジック用
半導体
同配線
220
160
1997年11月号超微細MOSトランジスタ
-模擬素子で正常動作-
NEC電波新聞
(1997年9月12日PP.1)
日経産業新聞
(1997年9月12日PP.5)
ゲート長14nm
EJ-MOSFET
2重ゲート構造
10Tbメモリーへ道
10Tb
MOS
220
1997年11月号高速通信用LSI基本回路
-消費電力1/5-
NEC日経産業新聞
(1997年9月11日PP.5)
フリップフロップ
CMOS
220
1997年11月号システムLSI
-家庭用テレビ
ネット家電に-
米IGS日経産業新聞
(1997年9月3日PP.1)
フリッカ解消
方式変換
インタネットテレビ
320
220
1997年11月号脳の機能まねた情報処理ボード電総研日経産業新聞
(1997年9月2日PP.5)
ニューラルネット520
220
1997年11月号ディジタルテレビ用チップセット
-第2世代機用の開発推進-
フィリップスセミコンダクターズ
テラロジック
電波新聞
(1997年9月1日PP.1)
ディジタルテレビ220
520
1997年11月号MPEG-2コーデック
-業界初の1チップ化-
シーキューブ日経産業新聞
(1997年9月1日PP.11)
MPEG-2コーデック220
520
1997年10月号超高速の半導体素子ソニー
日本経済新聞
(1997年8月25日PP.19)
半導体素子
量子化機能素子
共鳴トンネルダイオード
220
1997年10月号マルチメディアプロセッサ三菱電機電波新聞
(1997年8月21日PP.11)
マルチメディアプロセッサ
DSP
220
1997年 9月号次世代の携帯電話受信用IC鷹山
NTTドコモ
日本経済新聞
(1997年7月28日PP.16)
CDMA
ニューロ
マッチトフィルタ
消費電力30mW
220
520
1997年 9月号携帯電話向け新型CMOS
-1チップ化可能に-
松下電器産業日経産業新聞
(1997年7月28日PP.5)
CMOS
メッシュ状配列
220
1997年 9月号LSI消費電力13〜30%低減技術東大日経産業新聞
(1997年7月22日PP.5)
LSI220
1997年 9月号厚さ最小のLSI用絶縁膜東芝日経産業新聞
(1997年7月18日PP.6)
LSI
絶縁膜
1.5nm
消費電力1/18
220
160
1997年 9月号人工網膜
-半導体と生体細胞を合体-
名大
理化学研
日経産業新聞
(1997年7月10日PP.5)
いもり
網膜細胞
120
220
210
1997年 9月号プログレッシブLSI
-高画質画像フォーマット変換1チップで実現-
日立製作所電波新聞
(1997年7月1日PP.1)
プログレッシブLSI
スケーリング機能
プログレッシブ
220
520
1997年 8月号プロセッサ内蔵ディジタルテレビTI日経産業新聞
(1997年6月27日PP.9)
DSP
ディジタルテレビ
320
350
220
1997年 8月号パソコン機能内蔵光ディスクにオプトロム日経産業新聞
(1997年6月26日PP.1)
ディスクに電子回路張付け
電波による給電
光ディスク
CPU
RAM
通信機能
CPU内蔵光ディスク
インテリジェントディスク(ID)
230
220
420
1997年 8月号地上波デジタル放送
-受信機チップで2提携-
米LSIロジック
BBC
日経産業新聞
(1997年6月20日PP.9)
地上波デジタル放送
受信機用チップ
220
520
340
1997年 8月号1Vで動作可能AD変換器NTT日経産業新聞
(1997年6月13日PP.4)
AD変換器220
1997年 8月号ローパワーLSI技術松下電器産業
NTT
電波新聞
(1997年6月12日PP.1)
DSP
16bDSP
内部電圧1.2V
20MHz
12mW
MTCMOS
最小動作電圧検出
220
1997年 8月号半導体の超解像技術向け設計支援ソフト
-現行の露光技術活用-
富士通日刊工業新聞
(1997年6月11日PP.5)
日経産業新聞
(1997年6月25日PP.11)
レベンソン型
学習最適化手法
0.248μmレーザで0.18μm線幅
160
620
220
1997年 8月号MPEG-2デコーダ
-動画
音声をソフトのみで実時間復号化-
NEC日刊工業新聞
(1997年6月11日PP.5)
MPEG-2デコーダ
ソフトウェア
520
620
220
350
1997年 8月号SRAM高集積で新技術
-メモリーセル面積最小に-
富士通日経産業新聞
(1997年6月10日PP.4)
SRAM
メモリーセル
高集積
MPU
CSI
高絶縁
230
160
220
1997年 8月号低雑音増幅器用IC
-155GHzで利得12.5dB-
米TRW電波新聞
(1997年6月2日PP.2)
InP
IC
220
1997年 7月号多値回路用トランジスタNEC日経産業新聞
(1997年5月19日PP.5)
負性抵抗
多ピーク
多値回路用トランジスタ
GaAs
複数のトンネル接合
3値電流出力
メモリーを試作
220
1997年 7月号周波数変換回路
-1Vの低電圧動作-
東芝日刊工業新聞
(1997年5月16日PP.5)
バイポーラ
バランス型ハーモニックミキサー
1V動作可
2.7V用
PHS
220
1997年 6月号新型半導体素子
-電源回路1/5に-
NTT日経産業新聞
(1997年4月21日PP.5)
パワーMOSFET220
1997年 6月号次世代光通信開発進むNTT
KDD
日本経済新聞
(1997年4月21日PP.19)
ソリトン通信
光通信
SOI構造
100Gbps
20Gbps×4
光ソリトン通信
440
220
240
1997年 6月号MPEG-2対応LSIソニー日経産業新聞
(1997年4月10日PP.10)
動画符号化
圧縮装置
MPEG-2
エンコーダ
LSI
1チップ化
520
220
1997年 6月号MOSトランジスタ
-正常な動作を実証-
NEC日経産業新聞
(1997年4月3日PP.5)
ゲート長0.03μm
Tb級メモリー
電界印加でソースドレイン領域を作成
220
1997年 6月号単一電子トランジスタ
--170℃で作動-
NEC日経産業新聞
(1997年4月2日PP.5)
単一電子素
メモリー
-170℃
AL蒸着
-170℃作動
不揮発性メモリー
アルミニウム
単一電子トランジスタ
220
230
1997年 6月号低電圧・高出力のHBTNEC日刊工業新聞
(1997年4月1日PP.6)
ディジタル携帯電話
AlGaAs/GaAs系
金メッキ高熱伝導
3.4V動作
1.4W出力
チップサイズ0.58×0.77
220
1997年 5月号非同期式MPU東大日本経済新聞
(1997年3月17日PP.17)
MPU
非同期式
220
1997年 5月号高温超電導体利用の高性能計測回路NEC日経産業新聞
(1997年3月12日PP.5)
サンプラ
イットリウム系超電導体
50K
2ps
7.5μV感度
単一量子磁束
220
240
1997年 5月号無線通信用増幅素子
-Si製で2GHz用実用-
NTT日経産業新聞
(1997年3月7日PP.5)
3V動作
Siバイポーラ
2GHzアンプ
無線LAN
2GHz
Si
無線通信
増幅素子
220
240
1997年 4月号カラー動画高速伝送可能な画像圧縮用LSI東北大日本経済新聞
(1997年2月24日PP.19)
電話回線
30画面/s
ベクトル量子化
並列処理
220
250
1997年 4月号弾性表面波素子
-振動への変換効率10倍-
東北大日経産業新聞
(1997年2月18日PP.5)
表面弾性波
ニオブ酸カリウム
弾性表面波素子(SAW)
広帯域フィルタ
220
120
240
1997年 4月号ディジタルビデオカメラ用
LSI
-イメージセンサと画像処理を1チップ化-
松下電器産業豊橋技科大電波新聞
(1997年2月8日PP.1)
日経産業新聞
(1997年2月13日PP.5)
CMOS
128×128画素
イメージセンサ内蔵
DCT
210
520
220
1997年 4月号マルチメディア処理専用
LSI
-2つの命令同時に処理-
三菱電機日経産業新聞
(1997年2月7日PP.5)
LSI
DSP
220
1997年 4月号算術論理回路
-0.5Vで駆動-
東芝日経産業新聞
(1997年2月6日PP.5)
ALU
SOI
0.5V動作
低電圧
220
1997年 4月号1チップMPEG-2エンコーダLSINEC電波新聞
(1997年2月6日PP.7)
日本経済新聞
(1997年2月6日PP.13)
日刊工業新聞
(1997年2月6日PP.7)
MPEG-2
エンコーダ
2.5V動作
520
220
230
1997年 4月号次世代DSPTI日本経済新聞
(1997年2月4日PP.13)
電波新聞
(1997年2月5日PP.5)
DSP
1600MIPS
220
1997年 3月号高性能の光制御FET上智大日刊工業新聞
(1997年1月16日PP.7)
光制御
62.5GHz
220
240
1997年 3月号ダイヤモンドトランジスタ-Si基板に形成-早大日経産業新聞
(1997年1月8日PP.4)
ダイヤモンド
トランジスタ
Si基板
2cm角
220
120
1997年 2月号データ駆動型IC
-メディアプロセッサ市場に参入-
シャープ日経産業新聞
(1996年12月30日PP.1)
データ駆動方式
メディアプロセッサ
220
1997年 2月号MPEG-4対応画像処理ボード
-次世代の画像圧縮技術-
松下電器産業
松下電子
日経産業新聞
(1996年12月25日PP.1)
MPEG-4
ウェーブレット変換
動画圧縮技術
LSI
520
220
1997年 2月号CMOS向け微細化技術松下電器産業日経産業新聞
(1996年12月24日PP.4)
MOS
FET
微細化
220
160
1997年 2月号電圧0.6Vで動作するロジックLSIシャープ日経産業新聞
(1996年12月12日PP.5)
LSI
MOS
FET
ロジックLSI
MOS型FET
低電圧動作
0.6V
3層構造チャンネル
ゲート膜厚2.8nm
0.6V動作
低漏波電流形状
低電圧
MOSFET
220
1997年 2月号混載LSI向け配線形成技術富士通研日経産業新聞
(1996年12月11日PP.5)
電波新聞
(1996年12月11日PP.5)
プラグ
アスペクト比8
ビアホール
アルミニウム
DRAM
MPU
260
220
230
1997年 1月号携帯電話から動画送信できるLSI
-1チップで1秒5〜15枚-
NEC日経産業新聞
(1996年11月1日PP.5)
音声用DSP
高速アルゴリズム
LSI
低消費電力
220
520
1996年12月号レーザ受光素子-電子回路と一体化
-レーザ受光素子/電子回路と一体化
NTT日経産業新聞
(1996年10月23日PP.4)
レーザ
受光素子
チップ
Si電子回路
化合物半導体薄膜
160
220
250
1996年12月号最高速DSPチップ日本ルーセント日経産業新聞
(1996年10月9日PP.9)
DSP
SRAM
220
1996年11月号多値論理回路試作NTT日経産業新聞
(1996年9月23日PP.4)
共鳴トンネル素子
HEMT
InGaAs系
多値回路
4値
室温動作
220
1996年11月号LSI高集積化に新絶縁技術-多孔質膜で誤動作防止-松下電器産業日経産業新聞
(1996年9月12日PP.5)
SOG中に空孔
誘電率2/3倍
速度25%向上
消費電力27%減
160
220
1996年10月号SOI方式トランジスタ
-1〜2割高速化-
東芝日経産業新聞
(1996年8月27日PP.5)
SOI
速度オーバシュート
220
1996年10月号Tb級メモリー富士通電波新聞
(1996年8月26日PP.6)
メモリー
Tb
共鳴トンネル効果
230
220
1996年10月号高速画像センサ
-センサ自体に圧縮機能-
東大
NHK
日経産業新聞
(1996年8月6日PP.5)
センサ
圧縮
210
220
1996年 9月号新動作原理のMOSFET北大
日立製作所
日刊工業新聞
(1996年7月11日PP.6)
MOSFETのゲート部に微小コンタクト追加
ゲート長1.3μm
バイポーラトランジスタ
MOS
バイポーラ
FET
220
1996年 9月号超電導体の薄膜技術でジョセフソン効果三洋電機日経産業新聞
(1996年7月10日PP.4)
電波新聞
(1996年7月10日PP.1)
ジョセフソン素子
85Kでも高速スイッチング
タリウム系
伝搬遅延0.05ps
薄膜
超電導
220
140
1996年 9月号X線による微細加工技術
-半導体基板上に0.07μm幅の溝-
NTT日本経済新聞
(1996年6月29日PP.12)
半導体
64Gbメモリー
X線
微細加工
220
160
230
1996年 8月号高速光通信用IC
-40Gb/Sの信号増幅-
NEC日経産業新聞
(1996年6月26日PP.5)
光通信
増幅
IC
220
1996年 8月号単一電子素子東大日経産業新聞
(1996年6月24日PP.5)
Si
単一電子素子
220
160
1996年 8月号Siで次世代素子
-混載LSI実現に道-
東芝日経産業新聞
(1996年6月24日PP.5)
トンネル効果
Si
220
1996年 8月号漢字認識率99.9%のニューロLSI松下電器産業電波新聞
(1996年6月14日PP.5)
日経産業新聞
(1996年6月14日PP.1)
日刊工業新聞
(1996年6月14日PP.11)
適応増殖型ディジタルニューロLSI
認識率99.9%
50文字/s
適応増幅型
ニューロ
3000字学習時認識率99.9%
1チップで16384字認
520
220
1996年 8月号高速転送技術
-DRAMと論理回路混戦-
日立製作所日刊工業新聞
(1996年6月14日PP.11)
DRAM
論理回路
高速転送
230
220
1996年 8月号超高速LSI配線技術NEC日刊工業新聞
(1996年6月12日PP.8)
超高速LSI
配線技術
低誘電率
260
220
1996年 8月号MOS電界効果のトランジスタ
-半導体素子の不純物混入-
松下電器産業日経産業新聞
(1996年6月12日PP.5)
プラズマドーピング220
260
1996年 8月号アナログ回線でリアルタイム動画伝送する半導体ドーム
ローム
東北大
日経産業新聞
(1996年6月5日PP.1)
アナログ回路
圧縮
動画伝送
340
520
220
1996年 8月号MPEG-1の動画圧縮慎重LSI
-世界初の1チップ化-
日立製作所日経産業新聞
(1996年6月5日PP.11)
MPEG-1
リアルタイムコーデック
1チップLSI
220
520
1996年 8月号STB用チップセット米LSIロジック日経産業新聞
(1996年6月3日PP.11)
ディジタル衛星放送
セットトップボックス
チップセット
デコーダ
220
340
1996年 8月号SQUID利用の信号計測回路NEC日経産業新聞
(1996年6月3日PP.5)
サンプラー
3.5ps
50μV
220
1996年 8月号超電導量子干渉素子
-高温超電導体利用-
NEC日経産業新聞
(1996年6月3日PP.5)
SQUID
レーザアブレーション
220
160
1996年 7月号Siで新素子
-消費電力1/10以下に-
松下電器産業日経産業新聞
(1996年5月31日PP.4)
Si半導体
共鳴トンネル効果
消費電力1/10以下
220
1996年 7月号DVD対応LSI
-MPEG-2デコーダ1チップ化-
松下電器産業
松下電子
電波新聞
(1996年5月14日PP.1)
日経産業新聞
(1996年5月14日PP.9)
DVD
MPEG-2デコーダ
LSI
220
520
1996年 7月号高温超電導素子超電導工学研日経産業新聞
(1996年5月9日PP.5)
高温超電導
論理回路
4.2〜30Kで5ns
220
1996年 7月号CMOSで1Gbpsのデータ伝送LSIロジック日経産業新聞
(1996年5月8日PP.1)
CMOS
超高速データ伝送
ASIC用コアロジック
送受信を4線で
イーサネット
ATM対応
シリアルリンク
220
240
540
1996年 6月号電極に超電導材料採用のトランジスタ慶大日経産業新聞
(1996年4月19日PP.5)
超電導
電界効果トランジスタ
220
120
1996年 6月号非同期式32ビットプロセッサ-RISCの5倍速-東工大日経産業新聞
(1996年4月16日PP.5)
非同期式
32b
処理能力5倍
220
1996年 6月号連想メモリーNTT
東北大
日本経済新聞
(1996年4月13日PP.10)
連想メモリー
演算処理機能
230
220
1996年 5月号32ビットRISC型マイコン-8MbDRAM内蔵-三菱電機電波新聞
(1996年3月13日PP.6)
マイコン
DRAM
220
230
1996年 5月号真空マイクロ素子電総研日経産業新聞
(1996年3月27日PP.5)
平面ディスプレイ
真空マイクロ素子
微細加工技術
安定動作
FET構造
冷陰極
220
250
260
1996年 4月号波長多重通信用フィルタ素子-分離光自由に選択-富士通研日経産業新聞
(1996年2月20日PP.5)
光フィルタ
屈折率温度変化を利用
偏光ビームスプリッタの一種
100波長多重通信
光フィルタ素子
波長多重通信
220
240
440
1996年 4月号光通信の信号処理用IC
-SiCMOSで作製-
NEC日経産業新聞
(1996年2月16日PP.5)
光通信
Si
LSI
CMOS
MUX/DEMUX
3Gbps
220
240
1996年 4月号パソコン画像にIC1個でテレビ変換米アイテックインターナショナル日経産業新聞
(1996年2月11日PP.1)
スキャンコンバータ320
220
1996年 4月号ミリ波フリップチップIC技術
-50GHz帯MFICアンプ試作-
松下電器産業
松下電子
電波新聞
(1996年2月10日PP.1)
誘電体
ミリ波
MFIC
220
260
1996年 4月号高集積メモリー
-ISSC開幕,LSI閾値制御競う-
三菱電機
東芝
NEC
NTT
日経産業新聞
(1996年2月9日PP.4)
電波新聞
(1996年2月9日PP.1)
日刊工業新聞
(1996年2月9日PP.6)
日刊工業新聞
(1996年2月9日PP.9)
日刊工業新聞
(1996年2月16日PP.5)
日経産業新聞
(1996年2月19日PP.5)
DRAM
1Gb
シンクロナスDRAM
8bADC
1.5V動作
15MSPS
8mW
3揮発性メモリー
1Mb
変調閾値制御
閾値
CMOS
DCT
ADC
230
220
660
520
1996年 4月号次世代端末用LSINTTドコモ
鷹山
日経産業新聞
(1996年2月6日PP.1)
CDMA
ディジタル携帯電話
アナログ
ニューロ
520
220
1996年 3月号サブミリ波受信超電導素子通信総研日経産業新聞
(1996年1月24日PP.5)
サブミリ波
超電導素子
超電導
305GHz
サブミリ波受信
SIS構造
220
240
1996年 3月号最高速バイポーラトランジスタ
-Si使い最高速素子-
日立製作所日経産業新聞
(1996年1月9日PP.5)
バイポーラ
70GHz
Siトランジスタ
Woベース電極
バイポーラトランジスタ
遅延時間14.3/s
220
260
1996年 2月号低電圧で低歪み高出力HBT富士通研日刊工業新聞
(1995年12月20日PP.7)
HBT
GaAs
低電圧
低歪み
2Vで1W
220
1996年 2月号低電圧動作のFET
-パワートランジスタ電池1本,1.2Vで駆動-
NEC
松下電子
日本工業新聞
(1995年12月14日PP.1)
日経産業新聞
(1995年12月20日PP.5)
電力増幅用FET
低電圧
携帯電話
1.5V動作
FET
V型ゲート
1Vで1.2W
220
1996年 2月号新DRAMセル構造
-MPUとDRAMの混載容易に-
富士通研日刊工業新聞
(1995年12月12日PP.7)
電波新聞
(1995年12月12日PP.6)
DRAM
MPU
裏面配線
セル構造
CMP(研磨平坦化)
多層配線
230
160
220
260
1996年 2月号世界初ゲート長0.1μmの非対称NMOSトランジスタ
-世界で初めて開発-
松下電器産業電波新聞
(1995年12月9日PP.1)
ゲート長0.1μm
非対称NMOSトランジスタ
1.5V動作
220
1996年 2月号新音声圧縮符号化方式の16bDSP松下電子電波新聞
(1995年12月6日PP.2)
音声圧縮符号化
CS-ACELP
8kbpsコーデック
DSP
520
220
1996年 2月号多値トランジスタ
-電流値量子化を確認-
NTT日経産業新聞
(1995年12月1日PP.5)
電流量子化
0.01K
3ビット分を確認
量子トランジスタ
8段階3ビット
220
120
1996年 1月号高出力HBT
-26GHz帯送信用デバイス固体化に道-
NEC日刊工業新聞
(1995年11月8日PP.7)
ミリ波
高出力HBT
26GHz帯
ミリ波電力増幅器
HBT
高出力
固体化
220
1995年11月号マルチ
デマルチプレクサLSI
-超低電圧
高速化に成功-
NEC日刊工業新聞
(1995年9月21日PP.7)
0.7V
2.4Gbps
MUX/DEMUX
220
1995年11月号高温超電導材で論理回路日立製作所日経産業新聞
(1995年9月20日PP.5)
磁束量子パラメトロン
ジョセフソン素子
高温超電導材料
論理回路
高周波通信
120
220
1995年11月号超電導体ミキサアンテナ一体型周波数変換器
-数THzまで対応可能-
超電導工学研日経産業新聞
(1995年9月5日PP.5)
高温超電導体
超電導
100GHz
周波数変換器
ミキサアンテナ
数THz
220
120
240
1995年11月号ダイヤ使う高性能ダイオード
-平坦な薄膜合成に成功-
電総研日刊工業新聞
(1995年9月1日PP.5)
日経産業新聞
(1995年9月1日PP.5)
ダイヤモンド
ダイオード
プラズマエッチング
160
220
1995年10月号高温超電導下ジョセフソン効果観測技術NTT電波新聞
(1995年8月29日PP.2)
日経産業新聞
(1995年8月29日PP.5)
日刊工業新聞
(1995年8月29日PP.6)
ジョセフソン素子
4.2〜80K超電導
高速新デバイスに道
高温超電導体
トンネル効果
220
120
660
1995年10月号0.15μmのCMOS
-世界最高速-
東芝日刊工業新聞
(1995年8月22日PP.1)
シングルゲート構造
ゲート遅延15.4ps
220
1995年 9月号窒化アルミ製マルチチップモジュール京セラ電波新聞
(1995年7月29日PP.5)
マルチチップモジュール
20層
1テラFLOPS
260
220
1995年 9月号高速光通信用素子
-レーザと変調器一体化-
NEC電波新聞
(1995年7月7日PP.10)
日経産業新聞
(1995年7月7日PP.4)
日刊工業新聞
(1995年7月7日PP.6)
レーザ
光変調器
光伝送
300km
変調器とレーザ一体化
2.5Gbps
6W出力
250
240
220
1995年 9月号3次元画像処理LSI富士通電波新聞
(1995年7月4日PP.5)
画像処理
LSI
520
220
1995年 8月号高速トランジスタの電極形成技術
-16GbDRAMに対応-
東芝日経産業新聞
(1995年6月27日PP.5)
トランジスタ電極
ゲート抵抗1/10
220
160
1995年 8月号世界初の200V級限流素子三菱電機電波新聞
(1995年6月15日PP.1)
日経産業新聞
(1995年6月15日PP.5)
日刊工業新聞
(1995年6月15日PP.9)
限流素子
400Aを12Aに
超電導
220
1995年 8月号X線反射鏡
-均一照射領域を20倍に-
ニコン日経産業新聞
(1995年6月13日PP.5)
X線220
160
1995年 8月号京都の「LSIシンポジウム」開幕
-DRAMの省電力化-
東芝
三菱電機
NEC
日経産業新聞
(1995年6月11日PP.4)
DRAM
ビット線の小電力ドライブ手法
220
230
1995年 8月号超高速64b浮動小数点乗算器三菱電機日経産業新聞
(1995年6月9日PP.5)
日刊工業新聞
(1995年6月9日PP.5)
最大286MHz
乗算器
CG
220
520
1995年 8月号変速再生できるMPEG-1デコーダLSI
-動画像再生4倍速でも滑らか-
三洋電機電波新聞
(1995年6月8日PP.2)
日経産業新聞
(1995年6月8日PP.5)
MPEG-1
変速再生
IC
520
220
1995年 8月号0.075μmP型MOS
-短チャンネルの効果抑制-
東芝日刊工業新聞
(1995年6月7日PP.7)
新構造
ゲート長0.075μm
相互コンダクタンス42ms/mm
0.075μmP型MOS
電流高駆動能力
220
520
160
1995年 8月号ギガヘルツ対応0.07μmCMOSNEC電波新聞
(1995年6月6日PP.7)
日刊工業新聞
(1995年6月6日PP.9)
日経産業新聞
(1995年6月6日PP.5)
ゲート長0.07μm
低電源電圧1.5V
3.5nm接合
CMOS
遅延時間19.7ps
DRAM
16Gbps
220
520
160
1995年 8月号ミリ波を雑音半減で増幅できるIC三菱電機日経産業新聞
(1995年6月2日PP.1)
ミリ波
集積回路
低雑音増幅器
220
1995年 7月号SOI型トランジスタ
-耐久性向上・実用化へ-
東芝日経産業新聞
(1995年5月17日PP.5)
ゲルマニウムイオン注入
高耐圧
SOI
SOI型トランジスタ
220
1995年 7月号ヘテロ接合FETを搭載した衛星用増幅器
-高出力
高効率-
NEC電波新聞
(1995年5月12日PP.1)
日経産業新聞
(1995年5月12日PP.5)
日本工業新聞
(1995年5月12日PP.2)
電波新聞
(1995年5月12日PP.5)
高周波IC
通信衛星
FET
12GHz
10W
220
240
1995年 6月号動きベクトル検出LSI松下電器産業日経産業新聞
(1995年4月28日PP.5)
動きベクトル検出LSI
MPEG-2
520
220
1995年 6月号単電子トンネルトランジスタ東洋大日刊工業新聞
(1995年4月21日PP.5)
単電子トランジスタ220
1995年 6月号面方位異なる半導体材料接着技術日立製作所日経産業新聞
(1995年4月7日PP.5)
OEIC
半導体レーザ
220
160
1995年 6月号1.5V動作のFETNEC日経産業新聞
(1995年4月5日PP.5)
1.5V動作
ヘテロ接合
220
1995年 5月号EDTV-II識別信号検出用IC東芝電波新聞
(1995年3月25日PP.5)
EDTV-II420
220
1995年 5月号新しい画像認識システム
-人工網膜チップで立体認識-
三菱電機日経産業新聞
(1995年3月28日PP.1)
人工網膜チップ
光ニューロチップ
立体認識
画像認識システム
画素サイズ80μm
人工網膜
ニューロチップ
220
540
210
520
1995年 5月号Si基板採用の人工網膜チップ
-30倍速で画像検出-
三菱電機日経産業新聞
(1995年3月15日PP.5)
日刊工業新聞
(1995年3月15日PP.9)
電波新聞
(1995年3月15日PP.1)
人工網膜チップ
画素サイズ60μm
撮像素子
画像認識
MOSセンサ
210
220
520
1995年 4月号MPEG-2デコーダLSI
-量産体制確率-
NEC電波新聞
(1995年2月25日PP.6)
MPEG2
デコーダIC
LSI
IC
220
520
1995年 4月号交換機関伝送用LSI
-光信号で交換機直結-
NTT日経産業新聞
(1995年2月24日PP.5)
光伝送
光スイッチ
LSI
交換機
3.5Gbps
340
240
220
1995年 4月号MPEG-2対応動画圧縮
IC
三菱電機日本経済新聞
(1995年2月18日PP.10)
電波新聞
(1995年2月20日PP.7)
日刊工業新聞
(1995年2月20日PP.6)
MPEG2
エンコーダ
動きベクトル検出
LSI
符号化
520
220
1995年 4月号次世代マイクロチッププロセッサ米インテル電波新聞
(1995年2月18日PP.2)
CPU
P6
MPU
220
1995年 4月号超電導光データ処理装置
-画像処理高速化に有望-
日立製作所日経産業新聞
(1995年2月10日PP.5)
ジョセフソン回路
超電導素子
光伝送
超電導
画像処理
220
1995年 3月号Si結晶の表面構造変化
-電気抵抗1/1000に激減-
東大日経産業新聞
(1995年1月20日PP.5)
Si
結晶表面構造
電気抵抗1/1000
Si結晶の表面構造変化
Si結晶
結晶構造
超微細集積回路
120
160
220
1995年 3月号光電変換素子
-工程を半減-
NTT日経産業新聞
(1995年1月18日PP.5)
光電変換素子220
1995年 3月号新型ヘテロ接合バイポーラトランジスタ東工大日本工業新聞
(1995年1月18日PP.11)
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
炭素の添加で安定性向上
220
1995年 3月号光電子集積回路
-InP結晶をSi上に直接接合-
NEC日刊工業新聞
(1995年1月10日PP.7)
InP結晶
光電子集積回路
220
120
1995年 2月号単電子トランジスタNTT日経産業新聞
(1994年12月16日PP.5)
電波新聞
(1994年12月16日PP.2)
日刊工業新聞
(1994年12月16日PP.7)
日本工業新聞
(1994年12月16日PP.8)
単電子トランジスタ
量子効果現象
室温動作
220
1995年 2月号1GbDRAM用超小型トランジスタ松下電器産業
三菱電機
日経産業新聞
(1994年12月14日PP.5)
13.1ps/1.5V
1GbDRAM
松下ゲート長:0.05μm
三菱ゲート長:0.15μm
加工技術
220
230
160
1995年 2月号1GbDRAMのセルNEC
日立製作所
日経産業新聞
(1994年12月13日PP.5)
電波新聞
(1994年12月13日PP.1)
日刊工業新聞
(1994年12月13日PP.7)
日本工業新聞
(1994年12月13日PP.8)
電波新聞
(1994年12月11日PP.5)
1GbDRAM
基本単位素子
線幅0.16μm
DRAM
230
220
160
1995年 2月号GaAsヘテロバイポーラトランジスタ富士通研電波新聞
(1994年12月13日PP.7)
日刊工業新聞
(1994年12月13日PP.6)
トランジスタ
3.5V動作
寿命100年
220
1995年 2月号世界最高速の省電力MOSトランジスタ東芝朝日新聞
(1994年12月9日PP.13)
電波新聞
(1994年12月9日PP.2)
日経産業新聞
(1994年12月9日PP.5)
MOSトランジスタ
膜厚1.5nm
1.5V動作
1〜4GbDRAM
ゲート長0.09μm
省電力
220
1995年 2月号MPEG2対応LSIパイオニア日刊工業新聞
(1994年12月6日PP.9)
MPEG2
デコーダLSI
220
520
1995年 2月号スペクトラム拡散方式の汎用IC日本ビクター
ローム
電波新聞
(1994年12月1日PP.2)
日本工業新聞
(1994年12月1日PP.8)
日刊工業新聞
(1994年12月1日PP.8)
日経産業新聞
(1994年12月7日PP.8)
スペクトル拡散通信
IC
440
220
1995年 1月号32bRISCプロセッサNEC電波新聞
(1994年11月26日PP.5)
日刊工業新聞
(1994年11月26日PP.5)
100MHz動作で100MIPS
画像伸長等をソフトで
220
520
1995年 1月号90MHz帯1チップMMIC増幅器三菱電機電波新聞
(1994年11月25日PP.5)
日経産業新聞
(1994年11月25日PP.5)
日刊工業新聞
(1994年11月25日PP.7)
ミリ波増幅器
90GHz
HEMT
ゲート長0.15μm
高速IC
MMIC
雑音3.4dB
利得8.7dB
環境衛星用
220
240
1995年 1月号ミリ波受信IC三菱電機電波新聞
(1994年11月2日PP.6)
日経産業新聞
(1994年11月2日PP.5)
日刊工業新聞
(1994年11月2日PP.8)
ミリ波
衛星
100GHz
超電導IC
ミキサ用
フィルタ不要
220
440
1994年12月号周波数安定化発振回路
-55GHz帯で出力2.3mW-
ミリウェイブ
NEC
日刊工業新聞
(1994年10月26日PP.9)
ミリ波帯
55GHz
2.3mW
MMIC
440
220
1994年12月号人工網膜チップで文字認識
-文字認識率99.99%-
三菱電機日経産業新聞
(1994年10月24日PP.5)
人工網膜チップ
文字認識
認識率99.99%
感度可変受光素子
高速:3μs
スピード1万倍
ニューラルネットワーク
パターン認識
パターンマッチング
高精度
520
210
220
1994年12月号SiGe系HBT
-20Gbpsと最高速-
NEC日刊工業新聞
(1994年10月14日PP.7)
Si
Ge系HBT
440
220
1994年12月号ディジタルオーディオ
-16ビット信号を20ビットに-
日本ビクター電波新聞
(1994年10月8日PP.1)
ビット再生
IC
520
220
1994年12月号GaAsHBTIC
-40Gbpsの超高速処理,次世代光通信に道-
東芝日刊工業新聞
(1994年10月4日PP.6)
光通信
GaAsHBTIC
220
340
1994年12月号ゴースト除去用フィルタを1チップ化したLSINEC
NEC-HE
電波新聞
(1994年10月1日PP.2)
日刊工業新聞
(1994年10月1日PP.6)
フィルタ
LSI
340
220
1994年11月号スペクトラム拡散通信用
LSI
ローム日経産業新聞
(1994年9月21日PP.1)
電波新聞
(1994年9月22日PP.17)
スペクトラム拡散通信
LSI
220
340
440
1994年11月号二重障壁構造の量子井戸
-1テラメモリーに道-
松下電器産業日刊工業新聞
(1994年9月19日PP.15)
単結晶Si
共鳴トンネル現象
220
230
1994年10月号10nm幅のSi細線
- -173℃で量子効果-
NTT日経産業新聞
(1994年8月26日PP.5)
Si細線
量子効果
極細構造
160
220
1994年10月号GaAsFETパワーアンプ太陽誘電電波新聞
(1994年8月24日PP.5)
日刊工業新聞
(1994年8月24日PP.9)
FET
800MHz帯
220
1994年10月号1Gb以上対応トランジスタNEC日本工業新聞
(1994年8月16日PP.5)
0.1μmプロセス
DRAM
1GbDRAM以上
トンネル効果を利用
220
230
1994年 9月号符号化,複合化LSI
-2国際標準に準拠-
三菱電機日刊工業新聞
(1994年7月26日PP.9)
JBIG
JPEG
QM-Coder
圧縮
伸長用LSI
220
520
1994年 9月号テレビ信号処理用1チップIC東芝電波新聞
(1994年7月8日PP.7)
テレビ受信機220
350
1994年 9月号高速FET
-ゲート電極,長さ0.1μm-
NEC日経産業新聞
(1994年7月5日PP.5)
高速FET
ゲート電極
長さ0.1μm
従来構造の1.5倍
大容量DRAM
220
1994年 9月号高性能電波望遠鏡
-600GHz微弱信号をキャッチ-
通信総研日経産業新聞
(1994年7月1日PP.5)
受信素子
超電導薄膜素子
SIS構造
電波望遠鏡
600GHz
無線通信
超高周波
低雑音
340
220
120
210
1994年 8月号T型トランジスタ-ゲート電極,長さ70nmに-NEC日経産業新聞
(1994年6月21日PP.4)
ゲート電極
長さ70nm
増幅率ほぼ2倍
高効率
FET
ゲート長70nm
電界効果型トランジスタ
220
1994年 8月号GaAsパワーモジュール松下電子電波新聞
(1994年6月17日PP.6)
低電圧動作(3.5V)
30.5dBm/800〜900MHz
220
1994年 8月号2.488GHz マルチ デマルチLSI三菱電機電波新聞
(1994年6月14日PP.6)
日経産業新聞
(1994年6月14日PP.5)
日刊工業新聞
(1994年6月14日PP.9)
LSI
2.488GHz対応マルチ,デマルチ
220
240
1994年 8月号金属酸化物でIC基板富士通研日経産業新聞
(1994年6月9日PP.1)
IC基板
透明
金属酸化物
無電源記憶保持
チタン酸ストロンチウム
120
220
230
1994年 8月号高出力GaAsFET
-信頼性10倍に向上-
三菱電機電波新聞
(1994年6月3日PP.5)
日経産業新聞
(1994年6月3日PP.5)
日刊工業新聞
(1994年6月3日PP.5)
GaAs
高出力
FET
18GHz
9.5dB
0.5W/18GHz
18GHz帯GaAsFET
出力500mW
マイクロ波通信
220
1994年 7月号500℃の環境に耐えるIC
-高温電子デバイスの製造に道-
米ゼネラルエレクトリック日経産業新聞
(1994年5月31日PP.4)
シリコンカーバイド
高温デバイス
120
220
1994年 7月号トランジスタ470万個搭載60MHz版MPU仏ブル社電波新聞
(1994年5月24日PP.4)
トランジスタ470万個の集積度220
1994年 7月号GaAsパワーMMIC
-1.9GHzディジタル移動体通信用-
松下電器産業電波新聞
(1994年5月24日PP.1)
GaAsIC220
1994年 7月号ミリ波帯高出力ヘテロ接合FET
-ミリ波帯で高出力実現-
NEC日刊工業新聞
(1994年5月10日PP.6)
衛星用ヘテロ接合FET
23GHz帯
0.3W(2段)
220
1994年 7月号ジョセフソン素子利用RAMNEC日本経済新聞
(1994年5月7日PP.10)
4kbRAM
4K
95mW(1/1000に)
230
220
1994年 6月号1チップで1W出力のHBT三菱電機日刊工業新聞
(1994年4月23日PP.2)
HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)220
1994年 6月号新概念の量子効果IC
-電極も配線も不要に-
東芝日刊工業新聞
(1994年4月8日PP.6)
量子効果
LSI
量子効果IC
配線不要
シミュレーション
量子効果集積回路
220
1994年 6月号カオス神経回路網IC東大
電機大
コロンビア大
日経産業新聞
(1994年4月4日PP.5)
カオス神経回路網
ニューロ素子9個集積
カオス
ニューラルネットワーク
520
220
1994年 5月号ディジタルビデオ圧縮の4方式対応デコーダCキューブ電波新聞
(1994年3月28日PP.2)
帯域圧縮520
220
1994年 5月号人工蛋白質で電子素子
-半導体チップ越す集積度-
三菱電機
サントリー
日経産業新聞
(1994年3月24日PP.1)
電子素子
バイオテクノロジ
チトクロームC552
1Tbメモリー
分子素子
半導体超える集積度
バイオ素子
ダイオード/スイッチ材料
有機電子素子
蛋白質
160
120
220
1994年 5月号音声認識DSP
-一度に音声1000単語を認識-
NEC日刊工業新聞
(1994年3月23日PP.7)
電波新聞
(1994年3月24日PP.5)
音声認識
認識単位半音節
520
220
1994年 5月号強誘電体トランジスタ
-書換え1兆回実現-
ローム日刊工業新聞
(1994年3月16日PP.7)
電波新聞
(1994年3月16日PP.1)
新型メモリー
書換え1兆回
強誘電体素子
強誘電トランジスタ
220
1994年 4月号世界最高出力の電導冷却型進行波管
-総合効率65%達成-
NEC電波新聞
(1994年2月28日PP.1)
進行波管
製品化
170W
総合効率65%
220
1994年 4月号動画記録に最適の256MbDRAM
-データ転送速度1.6Gb-
松下電器産業電波新聞
(1994年2月18日PP.1)
日刊工業新聞
(1994年2月18日PP.7)
256MDRAM
動画像記憶用
動作速度100MHz
DRAM
220
230
1994年 4月号動画像認識用高並列画像処理LSI
-世界最高速を実現-
NEC電波新聞
(1994年2月18日PP.1)
日刊工業新聞
(1994年2月18日PP.7)
画像処理LSI
高並列画像処理LSI
3.84GIPS
0.55μm
80MHz
動画像認識LSI
画像認識
220
520
1994年 4月号1.2V動作A/D変換器日立製作所電波新聞
(1994年2月17日PP.1)
日経産業新聞
(1994年2月17日PP.5)
日刊工業新聞
(1994年2月17日PP.9)
A/D変換器
1.2V動作
220
1994年 4月号第2世代量子効果トランジスタMERHET
-1素子で論理動作-
富士通電波新聞
(1994年2月17日PP.6)
日刊工業新聞
(1994年2月17日PP.7)
量子効果トランジスタ
ME(マルチエミッタ)
LSIを1/10小型化
RHET(共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタ)
220
1994年 4月号20Gbpsの光通信用IC
-超高速光基幹通信システム向け-
東芝電波新聞
(1994年2月17日PP.2)
光通信用IC220
240
1994年 4月号32bRISCコアマイクロプロセッサ
-最小エネルギーを世界最高速実現-
NEC電波新聞
(1994年2月16日PP.1)
220
1994年 4月号光受信器用ICNEC電波新聞
(1994年2月15日PP.6)
日刊工業新聞
(1994年2月15日PP.9)
日本工業新聞
(1994年2月15日PP.7)
IC
光受信器
20Gb対応
220
240
1994年 4月号MPEG-2対応DSP松下電器産業日経産業新聞
(1994年2月17日PP.9)
MPEGIC
MPEG-2
DSP
220
520
320
1994年 4月号MPEG-2対応IC
-1チップでHDTV並み画質を復元-
東芝電波新聞
(1994年2月15日PP.1)
日経産業新聞
(1994年2月15日PP.9)
日刊工業新聞
(1994年2月15日PP.9)
MPEGIC
15mm×15mm
CMOS
MPEG-2復号LSI
0.5μm
70MHz
MPEG-2
HDTV
220
520
320
1994年 4月号MPEG-2対応DSP
-世界初の1チップ化-
米TI日経産業新聞
(1994年2月15日PP.1)
MPEGIC
MPEG対応LSI
400万トランジスタ
初の1チップ化
MPEG-2
DSP
220
520
320
1994年 3月号次世代RISCプロセッサ
-処理速度10倍以上-
米ヒューレットパッカード日刊工業新聞
(1994年1月24日PP.10)
縮小命令型コンピュータプロセッサ
VLIW方式
220
320
1994年 3月号磁束量子パラメトロン日立製作所日経産業新聞
(1994年1月24日PP.5)
磁束量子パラメトロン
36GHz-269℃
220
1994年 3月号ATM制御用ICセット富士通日経産業新聞
(1994年1月21日PP.1)
ATM用IC
156Mbps
4セット
220
540
1994年 3月号ミリ波ICNEC
ミリウェイブ
日経産業新聞
(1994年1月11日PP.4)
ミリ波IC
60GHz
37mW出力
220
1994年 3月号新型バイポーラトランジスタ
-低消費電力で高速動作-
NTT日経産業新聞
(1994年1月4日PP.4)
バイポーラトランジスタ(HBT)
InGaAs
遮断周波数176GHz
InP/InGaAs
2.3mA/163GHz
220
1994年 2月号高精細画像符号化LSI
-12ビット画像圧縮に対処-
富士通電波新聞
(1993年12月20日PP.7)
高精細画像符号化LSI
JPEG拡張機能対応
220
520
1994年 2月号寿命100倍の新構造トランジスタ三菱電機日経産業新聞
(1993年12月10日PP.5)
窒素イオン注入260
220
1994年 2月号光電子集積回路松下電器産業電波新聞
(1993年12月8日PP.1)
日経産業新聞
(1993年12月8日PP.5)
日刊工業新聞
(1993年12月8日PP.9)
面発光レーザ
光IC
OEIC
面積1/3
0.9mm角
光ネットワーク制御
220
240
250
1994年 2月号単一電子メモリー
-室温動作に成功-
日立製作所電波新聞
(1993年12月8日PP.1)
日経産業新聞
(1993年12月8日PP.5)
日刊工業新聞
(1993年12月8日PP.9)
日本工業新聞
(1993年12月8日PP.6)
メモリー
初の室温動作
16Gb級
電子1個で1b記録
1カ月のメモリー
Si結晶粒子
230
220
1994年 2月号共鳴トンネルトランジスタ
-金属と絶縁体で試作-
東工大日経産業新聞
(1993年12月6日PP.5)
共鳴トランジスタ220
1994年 2月号世界最小MOSトランジスタ
-ゲート長世界最小実現-
東芝電波新聞
(1993年12月3日PP.1)
日経産業新聞
(1993年12月3日PP.5)
日刊工業新聞
(1993年12月3日PP.7)
日本工業新聞
(1993年12月3日PP.6)
MOSトランジスタ
ゲート長0.4μm
超微細加工技術
世界最小
100GbpsのDRAM
1.5V動作
従来ゲート長0.07μm
固層拡散法
220
260
1994年 1月号12bファジィチップTIL日経産業新聞
(1993年11月29日PP.1)
ファジィ
高速ファジィチップ
処理速度20〜30倍
520
220
1994年 1月号世界トップレベルのミリ波HEMT三菱電機日刊工業新聞
(1993年11月19日PP.7)
電波新聞
(1993年11月19日PP.6)
ミリ波帯用HEMT
雑音指数0.9dB
増幅率9dB
InP基板
60GHz
220
1994年 1月号両面チップIC三井ハイテック
米インテル
日経産業新聞
(1993年11月9日PP.1)
薄型IC製造技術
記憶容量2倍
DDTSOPパッケージ
フラッシュメモリー
リードフレーム
両面実装
220
260
230
1993年12月号小電力・超高速のHJHETNEC日刊工業新聞
(1993年10月26日PP.6)
GaAsLSI技術
HJHET
10Gbps
0.8V
18mW
220
1993年12月号共鳴ホットエレクトロントランジスタ富士通日経産業新聞
(1993年10月26日PP.5)
日経産業新聞
(1993年10月29日PP.5)
トランジスタ
記憶素子
量子効果
ダブルエミッタRHET
メモリー
5×7μm
220
230
1993年12月号光IC型光増幅素子
-1cmで25倍の光増幅-
豊橋技科大日刊工業新聞
(1993年10月21日PP.7)
装荷型導波路
光IC型
光増幅素子
25倍/cm
220
240
1993年12月号1チップ画像処理LSIシャープ日経産業新聞
(1993年10月9日PP.1)
画像処理LSI
静止画
動画対応
520
220
1993年12月号人工網膜チップを使ったインテリジェントカメラ三菱電機電波新聞
(1993年10月1日PP.2)
日経産業新聞
(1993年10月1日PP.5)
日刊工業新聞
(1993年10月1日PP.8)
画像処理
人工網膜チップ
インテリジェントカメラ
310
220
520
1993年11月号表面トランジスタ
-ギガビット級に道-
NEC日経産業新聞
(1993年9月27日PP.5)
日本経済新聞
(1993年9月27日PP.19)
ギガビット級LSI
STT
トンネル効果
220
1993年11月号LSIの障害電波抑制技術松下電子日経産業新聞
(1993年9月2日PP.1)
不要電波抑制
強誘電体薄膜
120
220
1993年11月号カラー静止画像圧縮・伸長LSI三菱電機電波新聞
(1993年9月2日PP.6)
符号化
JPEG準拠
30フレーム/s
520
220
1993年11月号BS受信用HEMT
-雑音特性世界最高に-
富士通研日経産業新聞
(1993年9月1日PP.5)
HEMT
InGaP系HEMT
f12GHz
NF0.45dB
G14.5dB
220
1993年11月号通信分野向けHEMT
-素子特性で世界最高-
東芝日刊工業新聞
(1993年9月1日PP.8)
電波新聞
(1993年9月10日PP.5)
日経産業新聞
(1993年9月10日PP.9)
日刊工業新聞
(1993年9月10日PP.7)
HEMT
低雑音
高性能
MOCVD
In
P基板系HEMT
NF0.3dB(NF0.38dB)
G14.4dB
220
1993年10月号量子細線のSi形成技術
-超々LSIの製作へ利用-
松下電器産業電波新聞
(1993年8月30日PP.1)
日経産業新聞
(1993年8月30日PP.5)
日刊工業新聞
(1993年8月30日PP.13)
超々LSI
量子細線
220
1993年10月号基板上にトランス一体化NTT日経産業新聞
(1993年8月24日PP.5)
変圧器
薄膜トランジスタ
5mm角
厚さ0.4mm
250
220
1993年10月号超電導トランジスタ沖電気日経産業新聞
(1993年8月19日PP.5)
-253℃
実用水準の増幅率
酸化物高温超電導
-253℃で完全動作
初の実用水準の増幅率
220
1993年10月号ジョセフソンIC
-集積度を5倍に-
富士通研日経産業新聞
(1993年8月10日PP.5)
ジョセフソン素子
ジルコニウム
10kG
220
1993年10月号業務用ディジタルAV機器向けチップセット
-シリアル伝送可能-
松下電器産業日刊工業新聞
(1993年8月5日PP.7)
シリアル伝送
SMPTE259M規格
240
220
1993年10月号移動物体自動追跡システムNTT日経産業新聞
(1993年8月4日PP.5)
日刊工業新聞
(1993年8月4日PP.7)
被写体自動追跡
ローカルらせん状ラベリング処理
特定被写体を自動追跡
らせん状走査
320
520
220
1993年 9月号超電導・超高速LSIマルチチップモジュール京セラ
電総研
電波新聞
(1993年7月27日PP.1)
超電導LSI
1.2GHzクロック
MCM(76×38×7mm)
超電導
ジョセフソン素子
220
1993年 9月号立体交差不要の新方式東芝日刊工業新聞
(1993年7月26日PP.6)
量子配線技術
2次元電子ガス層
120
220
1993年 9月号磁気光学方式2×2光スイッチ
-240μsの高速切替-
富士電気化学電波新聞
(1993年7月7日PP.7)
光スイッチ
磁気光学方式
220
240
1993年 9月号多結晶TFT
-電子移動度50%向上-
東工大日刊工業新聞
(1993年7月2日PP.7)
多結晶SiTFT
LCD低コスト化
LCD小型化
250
220
1993年 8月号DRAM技術でニューロLSI日立製作所日経産業新聞
(1993年6月29日PP.5)
ニューロ素子
ニューロLSI
DRAMプロセス
基本回路試作
220
520
230
1993年 8月号ミリ波通信用トランジスタNEC日経産業新聞
(1993年6月28日PP.5)
HBT
ミリ波トランジスタ
最大発振周波数:224GHz
220
240
1993年 7月号次世代バイCMOS日立製作所日経産業新聞
(1993年5月21日PP.5)
低電圧
高速動作
220
1993年 7月号超高速バイポーラ
-量産用に新構造-
東芝日経産業新聞
(1993年5月18日PP.5)
遅延時間19ps220
1993年 7月号動画像リアルタイム圧縮初の1チップICシーキューブ日経産業新聞
(1993年5月4日PP.1)
MPEG準拠520
220
1993年 7月号ディジタルニューロLSI
-学習機能を持ち,演算速度20GCPSを実現-
松下電器産業電波新聞
(1993年5月19日PP.1)
日経産業新聞
(1993年5月19日PP.5)
日刊工業新聞
(1993年5月19日PP.9)
ニューロLSI
文字認識
学習機能
ニューラルネットワーク
520
220
1993年 7月号光ニューラルネットワーク
-本格的ロボットの目実現へ道-
日立製作所(欧)電波新聞
(1993年5月14日PP.2)
日経産業新聞
(1993年5月14日PP.5)
日刊工業新聞
(1993年5月14日PP.6)
ニューラルネットワーク
光ニューロ
パターン認識
ロボットの目
520
220
1993年 7月号誤り訂正LSI
-従来比2.4倍の速さ-
NTT日経産業新聞
(1993年5月14日PP.5)
日刊工業新聞
(1993年5月14日PP.7)
誤り訂正LSI220
1993年 7月号電子波干渉新素子
-「電子波」干渉を電圧制御-
NTT日経産業新聞
(1993年5月13日PP.5)
電子波素子
電子波干渉
1.6V電圧制御
通路幅0.1μm
AD変換利用可
GaAs素子
220
120
1993年 7月号トランジスタレーザ工技院
三菱化成
日経産業新聞
(1993年5月10日PP.5)
トランジスタレーザ
単素子に両機能
同一構造で両機能
低消費電力
220
250
1993年 6月号ディジタル・シリアル伝送IC東芝電波新聞
(1993年4月19日PP.1)
ディジタル伝送IC
10BIC/10bスクランブル両用
220
1993年 6月号大電流超電導トランジスタ
-5Vで1000A達成-
富士通日刊工業新聞
(1993年4月15日PP.9)
バイポーラ型
超電導トランジスタ
初の実用レベル
チタン酸ストロンチウム
5V/1000A
220
1993年 6月号光ニューロチップを利用した人工聴覚システム三菱電機日本工業新聞
(1993年4月8日PP.15)
日刊工業新聞
(1993年4月9日PP.7)
ニューロチップ
人工聴覚システム
感度可変受光素子(VSPD)
220
520
1993年 6月号雑音が世界最低のミリ波用HEMT三菱電機電波新聞
(1993年4月7日PP.6)
日経産業新聞
(1993年4月7日PP.5)
日刊工業新聞
(1993年4月7日PP.9)
HEMT
60GHz
雑音指数1.6dB
利得6.5dB
雑音が世界最低
220
1993年 6月号GaAsゲートアレイ
-世界最高速50ps/ゲート実現-
富士通電波新聞
(1993年4月6日PP.1)
日経産業新聞
(1993年4月6日PP.8)
日刊工業新聞
(1993年4月6日PP.10)
LSI
GaAs
ゲートディレイ50ps
ゲートアレイ
220
1993年 6月号超高速光通信用光電子素子
-変調器一体化-
沖電気日経産業新聞
(1993年4月6日PP.5)
光通信
半導体レーザ
光変調器
16〜20GHz対応
光電子素子
レーザと変調器一体化
波長1.55μm
コスト削減
電圧半分
240
250
220
1993年 6月号低消費電力ヘテロ接合バイポーラトランジスタNEC日刊工業新聞
(1993年4月1日PP.5)
HBT
消費電力0.5mW
超高速通信用LSI
220
1993年 5月号インバータ型光双安定素子豊田工大日刊工業新聞
(1993年3月25日PP.6)
日本工業新聞
(1993年3月25日PP.16)
光スイッチング
光双安定素子
エルビウムドープ
YAG
スイッチング速度100ps
240
220
1993年 5月号化合物半導体量子効果トランジスタ三洋電機電波新聞
(1993年3月24日PP.1)
220
1993年 5月号光信号で動作するジョセフソン素子
-10Gbps高速通信に対応-
日立製作所日刊工業新聞
(1993年3月16日PP.4)
ジョセフソン素子
光電変換
超電導膜
OEIC
10Gbps通信伝送
220
240
1993年 5月号ジョセフソン接合素子16kb級RAM電総研日刊工業新聞
(1993年3月10日PP.5)
処理
ジョセフソンメモリー
16kb
アクセス速度100倍
消費電力1/20(Si系比)
220
1993年 4月号ビデオ用10bADコンバータ松下電器産業電波新聞
(1993年2月25日PP.1)
ADコンバータ220
1993年 4月号人工知能向け超並列チップ東北大電波新聞
(1993年2月23日PP.8)
日経産業新聞
(1993年2月23日PP.5)
日刊工業新聞
(1993年2月23日PP.9)
LSI
ニューロンMOSトランジスタ
インテリジェントハードウェア
ニューロLSI
超並列処理
集積システム
スパコンの1000倍速度
柔らかいハードウェア
520
220
1993年 4月号単一電子メモリー
-動作実験成功-
日立製作所英国研
ケンブリッジ大
電波新聞
(1993年2月19日PP.1)
日経産業新聞
(1993年2月19日PP.5)
日刊工業新聞
(1993年2月19日PP.7)
電波ハイテクノロジー
(1993年2月25日PP.0)
電子1個で情報記録
クーロンブロッケード現象
極超低温動作
メモリー
16Gb
多重トンネル接合(MTJ)
単一電子メモリー
半導体メモリー
新原理メモリー
容量1000倍
230
220
1993年 4月号超高速光スイッチNEC日刊工業新聞
(1993年2月18日PP.5)
光スイッチ
応答速度24ps
B-ISDN
240
220
1993年 4月号化合物半導体使った超高速トランジスタ
-新技術で量産化に道-
NTT日経産業新聞
(1993年2月17日PP.5)
220
260
1993年 4月号超高速トランジスタ東工大日経産業新聞
(1993年2月16日PP.5)
超薄膜
HET
-196℃
従来の5〜6倍速
金属
絶縁体Tr
コバルトシリサイト
フッ化カルシウム
分子線結晶成長法
800GHz
220
1993年 3月号スイッチング速度20psの高速CMOS富士通日刊工業新聞
(1993年1月20日PP.5)
ディレイ20ps
CMOSトランジスタ
27ps
ゲート長0.17μm
2ゲート構造
従来は28ps(常温)
走査線2000本
従来プロセス
220
1993年 3月号文字拡大・縮小用LSI富士ゼロックス日刊工業新聞
(1993年1月14日PP.7)
47種
処理時間1.8ms/1文字
220
1993年 3月号量子干渉トランジスタ
-電界で波動を制御-
NTT日刊工業新聞
(1993年1月13日PP.7)
量子干渉トランジスタ
超高速低消費電力
電界効果型Tr
素子数1/50
220
1993年 3月号低温熱発電素子
-80℃の熱水で連続発電-
朋の会
理化学研
日刊工業新聞
(1993年1月12日PP.9)
電波新聞
(1993年1月22日PP.7)
YSD熱半導体
1.07V/20mA/80℃
発電
熱半導体
低温熱電変換
220
250
1993年 3月号超電導薄膜を量産化同和鉱業日経産業新聞
(1993年1月6日PP.1)
超電導薄膜
MOCDV法
220
120
1993年 2月号超微細MOSトランジスタ
-ゲート長0.1μm以下に-
東芝日刊工業新聞
(1992年12月21日PP.8)
超微細加工技術
PMOSトランジスタ
固相拡散ドレイン(SPDD)構造
ゲート長0.08μm
260
220
1993年 2月号最小の22μm角ジョセフソン記憶セルNEC日経産業新聞
(1992年12月16日PP.5)
22μm角
300ps
ジョセフソン接合
磁束量子転移型記憶セル
超電導コイル
小型化
高速
省電力
220
230
1993年 2月号大電流制御可能な新型サイリスタ東芝日経産業新聞
(1992年12月15日PP.5)
従来比10倍の電流制御220
1993年 2月号HEMTと共鳴トンネルダイオードを一体化富士通研日経産業新聞
(1992年12月15日PP.5)
電波新聞
(1992年12月15日PP.6)
日刊工業新聞
(1992年12月15日PP.9)
HEMT
共鳴トンネルダイオード
220
1993年 2月号遅延時間19psのHBTNEC電波新聞
(1992年12月15日PP.6)
HBT
fmax50GHz
19ns
SiGeベースHBT
220
1993年 2月号光空間変調器理化学研日経産業新聞
(1992年12月8日PP.5)
表面プラズモン共鳴
光空間変調器
電磁波現象
250
220
1993年 2月号SOIを用いた新タイプのDRAMソニー日刊工業新聞
(1992年12月15日PP.9)
DRAM
SOI
512MbDRAM向け
220
260
1993年 2月号半導体光アンプ
-横波と縦波100倍に増幅-
沖電気日刊工業新聞
(1992年12月2日PP.6)
光アンプ
量子井戸
偏波無依存型
100倍増幅
半導体光増幅
TE/TM混在で増幅
12層量子井戸構造
220
250
240
1993年 2月号多数信号処理の新型トランジスタ
-量子波素子を直列接続-
NTT日刊工業新聞
(1992年12月1日PP.9)
日経産業新聞
(1992年12月1日PP.5)
共鳴トンネル効果
多入力
重み付け演算
量子効果
負性抵抗
量子波素子
4入力演算機能
220
1993年 1月号高分子材料の光スイッチング素子ヘキストセラニーズ(米)日経産業新聞
(1992年11月26日PP.5)
電圧制御
40GHz
高分子材料
光スイッチング素子
1〜40GHz
220
240
1993年 1月号高温超電導磁気センサシャープ電波新聞
(1992年11月25日PP.1)
超電導120
220
1993年 1月号耐圧メカニズム解明
-新開発のGaAsMESFETで-
NEC電波新聞
(1992年11月24日PP.1)
GaAs
製造プロセス
GaAs半導体
120
160
220
1993年 1月号2.5GHz超高速光通信用LSI三菱電機電波新聞
(1992年11月18日PP.8)
日経産業新聞
(1992年11月18日PP.5)
日刊工業新聞
(1992年11月18日PP.11)
日本工業新聞
(1992年11月18日PP.11)
GaAsIC
シリアル-パラレル変換
B-ISDN
消費電力1.3W
220
1993年 1月号高温超電導微細加工技術三菱電機日経産業新聞
(1992年11月17日PP.1)
高温超電導
微細加工技術
乾式エッング
220
1993年 1月号高真空中でGaAs基板微細加工技術
-量子細線構造を試作-
新技術事業団日刊工業新聞
(1992年11月11日PP.15)
量子細線デバイス
超高真空
電子ビーム照射
量子細線構造
超高速スイッチング素子
260
220
1993年 1月号応答速80倍のLCD駆動素子三菱電機日刊工業新聞
(1992年11月11日PP.7)
多結晶SiのTFT220
1993年 1月号新スイッチング素子東大日経産業新聞
(1992年11月9日PP.5)
トンネル現象
GaAs
スイッチング素子
電子波スイッチング素子
トンネル現象利用
220
240
1993年 1月号超電導3端子トランジスタ
-1万倍の電流密度実現-
富士通日刊工業新聞
(1992年11月6日PP.7)
超電導3端子トランジス
電流密度1万倍
超電導トランジスタ
2極式
電流密度10A
220
1993年 1月号超電導現象観測日立製作所日経産業新聞
(1992年11月5日PP.5)
日刊工業新聞
(1992年11月5日PP.8)
電波新聞
(1992年11月6日PP.2)
超電導120
220
1993年 1月号超高速バイポーラトランジスタ東工大日刊工業新聞
(1992年11月4日PP.5)
HETタイプ
電流増幅率150
220
1992年12月号プリアンプIC
-最高周波数帯域を実現-
NEC日刊工業新聞
(1992年10月6日PP.9)
プリアンプIC220
1992年12月号ジョセフソン接合素子
-世界最小の0.4μm-
NEC日経産業新聞
(1992年10月20日PP.5)
ジョセフソン接合素子
φ0.4μm
ニオブ系超電導体
220
1992年12月号ジョセフソン接合素子NTT日経産業新聞
(1992年10月2日PP.5)
超電導薄膜
ジョセフソン素子
段差接合
220
1992年11月号カオス現象のIC新日本無線
九州工大
電波新聞
(1992年9月19日PP.2)
日経産業新聞
(1992年9月19日PP.5)
日本経済新聞
(1992年9月19日PP.12)
220
1992年11月号396GHzGのジョセフソン素子工技院日刊工業新聞
(1992年9月14日PP.7)
従来は302GHz
ニオブ薄膜平面型
ブリッジ素子
220
1992年11月号高速非線形光学材料松下電器産業日経産業新聞
(1992年9月12日PP.1)
非線形光学材料
超格子薄膜
応答時間40ps
光集積回路
Se化亜鉛系半導体
220
130
1992年11月号電力-光変換効率10倍の光電融合素子NEC日刊工業新聞
(1992年9月10日PP.5)
VSTEP
高集積
220
1992年11月号ジョセフソン素子で高周波測定
-サブミリ波検出-
神戸製鋼日経産業新聞
(1992年9月8日PP.1)
超電導薄膜
ジョセフソン電磁波検出器
サブミリ波
ジョセフソン素子
170GHz検出
高品位通信
220
210
1992年11月号導電性高分子利用の薄膜トランジスタ三菱電機電波新聞
(1992年9月4日PP.6)
日経産業新聞
(1992年9月4日PP.5)
日刊工業新聞
(1992年9月4日PP.5)
日本工業新聞
(1992年9月4日PP.15)
導電性高分子
薄膜Tr
ポリマートランジスタ
ポリチエニレンビニレン
220
120
1992年11月号光双安定素子三菱電機電波新聞
(1992年9月3日PP.2)
日経産業新聞
(1992年9月3日PP.5)
日刊工業新聞
(1992年9月3日PP.7)
日本工業新聞
(1992年9月3日PP.15)
光双安定素子
量子井戸構造
光スイッチング
220
240
1992年10月号光理論回路
-電子回路と同じ動作原理-
松下電器産業日刊工業新聞
(1992年8月26日PP.4)
FF回路
OEIC
光電子集積回路
光論理回路
画像OEIC
220
240
1992年10月号1μmゲート長のCMOSトランジスタ
-室温動作で28PS-
東芝電波新聞
(1992年8月26日PP.2)
日経産業新聞
(1992年8月26日PP.5)
日刊工業新聞
(1992年8月26日PP.9)
CMOSLSI
CMOSトランジスタ
ゲート長0.1μm
速度2.8ps
CMOSプロセス
トランジスタ
220
1992年10月号ビスマス系で積層型ジョセフソン接合素子NEC日刊工業新聞
(1992年8月25日PP.6)
223℃の高温動作可能
3端子実現に道
220
1992年10月号1Gbを超える半導体用新型トランジスタNEC日本経済新聞
(1992年8月21日PP.1)
半導体トランジスタ
量子効果
大きさ1/30
電力1/10
220
1992年10月号赤外線検知素子防衛大日経産業新聞
(1992年8月14日PP.4)
10.6μm
冷却不要の素子
220
1992年10月号光磁気記録技術
-従来比100倍の記録密度-
AT&Tベル研日本経済新聞
(1992年8月11日PP.1)
光磁気ディスク
近視野光走査顕微鏡技術
HDTVを17時間記録
220
230
1992年10月号GaAs基板上に量子ドットを形成新技術事業団日刊工業新聞
(1992年8月5日PP.7)
量子ドット
光素子
レーザ
220
1992年10月号基板内で光情報送信可能な集積化光機能素子NEC日刊工業新聞
(1992年8月4日PP.6)
光機能素子
光電融合素子
光コンピュータ
光電融合素子とレンズ一体化
220
240
1992年 9月号超電導演算素子
-1つで10個分働く-
日立製作所電波新聞
(1992年7月31日PP.1)
日経産業新聞
(1992年7月31日PP.5)
日刊工業新聞
(1992年7月31日PP.7)
アンドレエフ効果
超電導素子
量子効果
アンドレエフ反射
演算機能持つ単一素子
集積度2桁向上
220
120
1992年 9月号究極の素子に挑むスーパーダイヤ計画
-Si上回る特性-
科学技術庁日刊工業新聞
(1992年7月22日PP.7)
新材料
スーパダイヤモンド
cBNとダイヤ膜
220
1992年 9月号人工網膜チップ三菱電機電波新聞
(1992年7月15日PP.1)
日経産業新聞
(1992年7月15日PP.5)
日刊工業新聞
(1992年7月15日PP.10)
日本工業新聞
(1992年7月15日PP.15)
画像処理機能
人工網膜
感度可変受光素子
神経回路網
画像処理
ニューロ
人工網膜チップ
処理速度1万倍
画像認識200μs
210
220
520
1992年 8月号放射光使い0.2μm級のCMOS回路NTT日刊工業新聞
(1992年6月30日PP.6)
加工技術
0.2μmCMOS
遅延時間60ns
160
220
1992年 8月号遮断周波数64GHzの新バイポーラトランジスタ日立製作所日刊工業新聞
(1992年6月26日PP.6)
3次元電流分散構造(FRACS)220
1992年 8月号A/Dコンバータ変換速度300MSPS松下電器産業電波新聞
(1992年6月6日PP.7)
日経産業新聞
(1992年6月6日PP.5)
日刊工業新聞
(1992年6月6日PP.5)
A/Dコンバータ
10ビット,300MSPS
220
1992年 8月号空間光変調器
-画像情報を直接伝送-
NTT日経産業新聞
(1992年6月5日PP.5)
空間光変調器
光コンピュータ
電気信号に変換不要
220
240
1992年 8月号平面型超電導デバイスNTT日刊工業新聞
(1992年6月4日PP.6)
超電導トランジスタ
3端子超電導デバイス
HEMTにニオム電極
220
1992年 8月号世界最小の256MbDRAM日立製作所電波新聞
(1992年6月3日PP.7)
電波新聞
(1992年6月3日PP.1)
日経産業新聞
(1992年6月3日PP.6)
日刊工業新聞
(1992年6月3日PP.9)
電波新聞
(1992年6月11日PP.11)
ハイテクノロジー
(1992年6月11日PP.0)
0.72μm2
256MDRAM開発可能
220
230
1992年 7月号世界最小トランジスタ米IBM電波新聞
(1992年5月30日PP.2)
220
1992年 7月号1チップでカラー動画像を伸長できるVLSIシーキューブマイクロシステムズ日経産業新聞
(1992年5月29日PP.1)
MPEG復号LSI
3Mbps
220
1992年 7月号世界初の限流素子三菱電機電波新聞
(1992年5月8日PP.1)
日経産業新聞
(1992年5月8日PP.4)
日刊工業新聞
(1992年5月8日PP.7)
AC100Vの過電流抑制
イットリウム系超電導体を利用
限流素子
220
120
1992年 6月号新型バイポーラトランジスタ日立製作所日刊工業新聞
(1992年4月28日PP.6)
220
1992年 6月号光で光の強度を変調京大日刊工業新聞
(1992年4月9日PP.6)
量子井戸構造
0.5ps応答
220
1992年 6月号新構造SHG素子ソニー日刊工業新聞
(1992年4月9日PP.6)
有機LB膜
高効率
220
1992年 6月号12GHzSiトランジスタ日電日経産業新聞
(1992年4月7日PP.9)
日刊工業新聞
(1992年4月7日PP.9)
日本工業新聞
(1992年4月7日PP.7)
シリコントランジスタ220
1992年 5月号毎秒10Gbps対応光変調器富士通日経産業新聞
(1992年3月24日PP.1)
光通信
光変調器
ニオブ酸リチウム
220
240
1992年 5月号世界最高の変換効率のSi太陽電池日立製作所日刊工業新聞
(1992年3月19日PP.1)
Si太陽電池でエネルギー変換効率16.8%
ハイブリッドコンタクト構造
220
1992年 5月号準粒子使い超電導トランジスタ動作実証三洋電機電波新聞
(1992年3月17日PP.1)
日刊工業新聞
(1992年3月17日PP.9)
超電導素子220
1992年 5月号超電導量子干渉素子の信号多重化富士通日経産業新聞
(1992年3月13日PP.5)
SQUID
ジョセフソン集積回路
多重信号
超電導素子
220
240
1992年 4月号テレビ信号変換器用IC
-毎秒1億回作動-
東芝日経産業新聞
(1992年2月24日PP.5)
超高速IC
毎秒1億回
220
1992年 4月号低電圧動作LSI
-1.0V動作SRAM 1.5V動作BiCMOS-
日立製作所電波新聞
(1992年2月22日PP.6)
LSI
SRAM
BiCMOS
220
1992年 4月号超高速DSP
-40MIPS-
松下電器産業電波新聞
(1992年2月21日PP.1)
DSP220
1992年 4月号高性能マイクロプロセッサ
-スパコン並みのLSI,最高速のMPU-
日立製作所
富士通
電波新聞
(1992年2月20日PP.1)
日経産業新聞
(1992年2月20日PP.5)
日刊工業新聞
(1992年2月20日PP.7)
日刊工業新聞
(1992年2月20日PP.11)
マイクロプロセッサ
289MFLOPS
1チップで1GIPS
ISSCC
220
1992年 4月号ニューロコンピュータ用IC東芝
三菱
NTT
電波新聞
(1992年2月19日PP.6)
日経産業新聞
(1992年2月19日PP.5)
電波新聞
(1992年2月21日PP.6)
日刊工業新聞
(1992年2月21日PP.6)
ISSCC
LSI
ニューロコンピュータ
ニューロチップ
消費電力1/100
220
1992年 4月号高速・新電子波素子東工大日刊工業新聞
(1992年2月19日PP.5)
応答0.2ps(Siの100倍)
共鳴トンネルダイオード
0.2ps
220
1992年 4月号5GbpsのECLゲートアレイ富士通電波新聞
(1992年2月18日PP.6)
日経産業新聞
(1992年2月18日PP.9)
日刊工業新聞
(1992年2月18日PP.9)
ECLゲートアレイ
シリコンIC
5Gbps
220
1992年 4月号OEIC光通信応答2倍に
-10Gbpsと世界最高-
NTT日刊工業新聞
(1992年2月14日PP.5)
OEIC
応答速度10Gbps
220
1992年 3月号500MHz
1チップA/Dコンバータ
松下電子電波新聞
(1992年1月29日PP.1)
220
1992年 3月号8Gb/sのB-ISDN用スイッチ沖電気日経産業新聞
(1992年1月29日PP.4)
ATM実用化220
1992年 3月号256メガ級に対応可能なCMOS松下電器産業日刊工業新聞
(1992年1月25日PP.1)
CMOS
256MbDRAM
220
1992年 3月号高性能光アイソレータ新技術事業団
並木精密
電波新聞
(1992年1月23日PP.2)
日経産業新聞
(1992年1月23日PP.5)
日刊工業新聞
(1992年1月23日PP.6)
800nm
1/1000の大きさに
220
1992年 3月号周波数可変半導体レーザ三菱電機電波新聞
(1992年1月22日PP.2)
日経産業新聞
(1992年1月22日PP.4)
日刊工業新聞
(1992年1月22日PP.9)
日本工業新聞
(1992年1月22日PP.13)
4個1チップ化
FDM光通信可能
半導体レーザ
220
1992年 3月号マスク7枚でCMOS製造
-新プロセス確立-
日電日刊工業新聞
(1992年1月17日PP.9)
CMOS
マスク7枚
LPD技術
220
1992年 2月号脳神経に似た集積回路カリフォルニア工科大(米)
オックスフォード大(英)
電波新聞
(1991年12月20日PP.3)
220
520
1992年 2月号最高水準の符号化圧縮技術三洋電機電波新聞
(1991年12月27日PP.4)
音声符号化LSI520
220
1992年 2月号脳神経に似た集積回路カリフォルニア工科大(米)
オックスフォード大(英)
電波新聞
(1991年12月20日PP.3)
220
520
1992年 2月号最高水準の符号化圧縮技術三洋電機電波新聞
(1991年12月27日PP.4)
音声符号化LSI520
220
1992年 2月号ガスセンサを集積化リコー電波新聞
(1991年12月18日PP.2)
日経産業新聞
(1991年12月18日PP.4)
日刊工業新聞
(1991年12月18日PP.9)
1.5mm角チップ
消費電力0.02mW
210
220
1992年 2月号1秒間に最高200億回のスイッチング速度IBM電波新聞
(1991年12月14日PP.3)
バイポーラトランタ
スイッチング素子
220
1992年 2月号20Gb/sの高速IC沖電気日経産業新聞
(1991年12月13日PP.5)
電波新聞
(1991年12月13日PP.6)
日刊工業新聞
(1991年12月13日PP.9)
光伝送IC
現状の33倍
世界最高速
240
220
1992年 2月号高速バイポーラトランジスタ
-64GHz動作のトランジスタ-
日立製作所日刊工業新聞
(1991年12月11日PP.5)
ガスドーピングたい積法
fC=64GHz
バイポーラトランジスタ
220
1992年 2月号次々世代超LSI
-1Gb級超LSIに道-
日立製作所日経産業新聞
(1991年12月10日PP.5)
製造加工技術
半地下電極
220
260
1992年 2月号n型ダイヤ半導体科技庁無機材料研日刊工業新聞
(1991年12月9日PP.1)
ダイヤ半導体
n型
リン触媒
220
1992年 2月号低電圧・高速のInGaAsトランジスタ富士通日経産業新聞
(1991年12月9日PP.5)
日本経済新聞
(1991年12月9日PP.21)
InGaAsトランジスタ
3.5V
11.9GHz
220
1992年 2月号マイクロ波高出力増幅器用GaAs MESFET日電電波新聞
(1991年12月6日PP.8)
日経産業新聞
(1991年12月6日PP.5)
日刊工業新聞
(1991年12月6日PP.9)
12GHzで9W出力
GaAsMESFET
電力付加効率40.1%
220
1992年 2月号ニューロンMOSトランジスタ
-脳神経細胞と同じ機能-
東北大電波新聞
(1991年12月6日PP.2)
朝日新聞
(1991年12月6日PP.1)
日経産業新聞
(1991年12月6日PP.5)
日刊工業新聞
(1991年12月6日PP.1)
日本工業新聞
(1991年12月6日PP.1)
新素子
新型トランジスタ
従来の10倍
多入力,機能可変
220
520
1992年 1月号画像圧縮DSPインテグレーテッドインフォメーションテクノロジー(米)日経産業新聞
(1991年11月22日PP.5)
220
1992年 1月号新構造光IC
-発光素子とIC接合-
徳島大
松下寿電子
日経産業新聞
(1991年11月22日PP.4)
日刊工業新聞
(1991年11月22日PP.9)
朝日新聞夕刊
(1991年11月27日PP.11)
光IC
接合構造
220
240
1992年 1月号微小真空管で表示板電総研日刊工業新聞
(1991年11月21日PP.6)
真空マイクロ素子
長方形エミッタ
2.5mm2
250
220
1991年12月号立体IC
-5層構造試作-
三洋電機日刊工業新聞
(1991年10月24日PP.1)
単結晶横方向に成長
量産性あり
3次元回路素子
5層構造
横方向固相成長技術
260
220
1991年12月号トンネル接合素子三洋電機電波新聞
(1991年10月12日PP.2)
日経産業新聞
(1991年10月12日PP.5)
日刊工業新聞
(1991年10月12日PP.5)
BKBOエピタキシャル薄膜
超電導論理素子
トンネル接合素子
高温超電導素子
220
1991年12月号ジョセフソン特性を世界初の実証東芝電波新聞
(1991年10月3日PP.1)
日経産業新聞
(1991年10月3日PP.4)
サンドイッチ接合
ジョセフソン接合
220
1991年11月号超高速新トランジスタ
-トンネル効果利用-
NTT電波新聞
(1991年9月13日PP.3)
日経産業新聞
(1991年9月13日PP.5)
日刊工業新聞
(1991年9月13日PP.9)
結合量子井戸構造
電流増幅率5.5
増幅確認
トンネル効果利用の共鳴トンネルトランジスタ
動作速度0.1ps(現在最高速の19倍)
動作速度0.1ps(現在最高速の19倍)
量子とじ込めシュタルク効果
220
1991年11月号微小真空管新日鉄日刊工業新聞
(1991年9月11日PP.7)
真空マイクロ素子
LOCOSモールド型
2μm
220
1991年11月号無機
有機超格子
東大日刊工業新聞
(1991年9月10日PP.5)
単結晶多層積層
MBE法
光素子
VOフタロシアニン
220
260
1991年11月号学習知識を記憶する光ニューロチップ三菱電機電波新聞
(1991年9月19日PP.1)
日経産業新聞
(1991年9月19日PP.5)
日刊工業新聞
(1991年9月19日PP.11)
アナログメモリー内蔵5×6mmチップ
受光素子を集積化
光ニューロチップ
画像処理
記憶機能付ニューロチップ
210
220
230
1991年11月号低雑音トランジスタ
-次世代の衛星通信受信用-
三菱電機電波新聞
(1991年9月5日PP.7)
日経産業新聞
(1991年9月5日PP.5)
HEMT
衛星通信
220
1991年11月号ディジタル処理チップ
-従来の10倍の乗算
加算実行-
英クイーンズ大電波新聞
(1991年9月4日PP.6)
乗算
加算が25×107回/s(従来の10倍)
IIRフィルタ
220
1991年10月号高速動作BiCOMS日立製作所日経産業新聞
(1991年8月28日PP.5)
日刊工業新聞
(1991年8月28日PP.6)
0.2μmの微細配線
線幅従来は0.8μmこのたび0.3μm
動作電圧3.3V
220
1991年10月号高効率GHz帯HBT三菱電機電波新聞
(1991年8月27日PP.6)
日経産業新聞
(1991年8月27日PP.5)
日刊工業新聞
(1991年8月27日PP.11)
AlGaAs/GaAs系
衛星通信
固体アンプ
変換効率9GHz
75%
5.9W
20GHz
57%
5.4W
240
220
1991年10月号磁束量子パラメトロン
-基本電子回路を試作-
新技術事業団日経産業新聞
(1991年8月26日PP.5)
超電導素子
超高速コンピュータ
220
520
120
1991年10月号新光演算素子三菱電機日本工業新聞
(1991年8月21日PP.13)
光ニューロチップ
DHPT
光演算素子
220
260
1991年10月号高速
低電圧動作の新型素子
-電子走行層厚み0.15μm-
東芝日刊工業新聞
(1991年8月16日PP.5)
薄膜SOIに匹敵のSJET
SJET
220
260
1991年10月号原子スイッチ
-1個の原子で電流開閉-
米IBM電波新聞
(1991年8月16日PP.2)
日経産業新聞
(1991年8月16日PP.4)
原子スイッチ
タングステン
ニッケル電極にキセノン原子
1個の原子でon-off
電子素子
スイッチング素子
220
120
230
1991年10月号ダイヤ薄膜トランジスタ
-多結晶ダイヤをIC化-
神戸製鋼日経産業新聞
(1991年8月12日PP.1)
ダイヤ薄膜トランジスタ
高温,放射線に強いFET
220
1991年10月号窒化ガリウム
-均一な立方結晶膜を形成-
電総研日刊工業新聞
(1991年8月7日PP.7)
青色発光体
超高速素子
MBE法
220
1991年 9月号ハイビジョン用次世代LSI三洋電機
LSIロジック
電波新聞
(1991年7月16日PP.1)
ハイビジョン220
1991年 9月号高性能光アイソレータNHK
三菱化成
日本工業新聞
(1991年7月26日PP.18)
帯域幅0.2μm
ビスマス置換テレビウム鉄ガーネット
220
1991年 9月号低温動作高速トランジスタ日立製作所日刊工業新聞
(1991年7月12日PP.5)
220
1991年 9月号低い光エネルギーでスイッチング動作成功日電電波新聞
(1991年7月9日PP.1)
日経産業新聞
(1991年7月9日PP.5)
日刊工業新聞
(1991年7月9日PP.9)
光電融合デバイス
光スイッチ
新素子
220
1991年 9月号バイオ素子を超LSI化沖電気日本工業新聞
(1991年7月3日PP.1)
新素子
1mm殻に25万個集積
バイオ素子
リポゾーム
アピジン
ピオチン法
パターン認識素子
6.25M素子/mm2
120
220
1991年 8月号高性能HBT
-電流増幅率1000倍に-
富士通研日経産業新聞
(1991年6月25日PP.1)
電流増幅率1000倍(従来は100倍)
HBT
パルスジェットエピタキシ技術で電流増幅率を従来の1000倍にアップ
220
1991年 8月号Si網膜チップカリフォルニア工科大日経産業新聞
(1991年6月24日PP.5)
Si網膜チップ
2500個の画素
3層構造で信号処理
210
220
1991年 8月号光交換素子NTT日刊工業新聞
(1991年6月20日PP.5)
光信号を光のまま処理
PSK伝送方式
10Gbps
220
1991年 8月号半導体レーザ光による論理回路NTT日経産業新聞
(1991年6月18日PP.5)
四角形の光進路,回転方向にI/O
15μm2
光論理演算
220
1991年 8月号画像処理プロセッサ
-高圧縮で高速処理-
リコー日経産業新聞
(1991年6月11日PP.5)
日刊工業新聞
(1991年6月11日PP.9)
1/10圧縮
DCT方式
2860万画素/sの高速
320
220
1991年 7月号横型バイポーラ富士通日本工業新聞
(1991年5月29日PP.1)
トランジスタ(BJT)
fT4GHz
SOI基板
工程数1/2
220
1991年 7月号BS向けHJ-FET
-0.5dBの低雑音特性-
日電電波新聞
(1991年5月21日PP.7)
日経産業新聞
(1991年5月22日PP.8)
日刊工業新聞
(1991年5月22日PP.9)
電界効果トランジスタ
雑音指数0.5dB
BSコンバータ
220
1991年 7月号光ディスク用制御IC富士通電波新聞
(1991年5月21日PP.8)
日経産業新聞
(1991年5月21日PP.9)
日刊工業新聞
(1991年5月21日PP.11)
光ディスクコントローラ
誤り訂正
220
1991年 7月号世界初ダイヤトランジスタ東海大読売新聞
(1991年5月18日PP.1)
ダイヤモンド
トランジスタ
220
1991年 7月号ジョセフソン素子日立製作所日経産業新聞
(1991年5月16日PP.4)
直流入力交流出力220
1991年 7月号自分割スイッチIC
-入出力速度毎秒256Mb-
三菱電機日経産業新聞
(1991年5月13日PP.5)
日経産業新聞
(1991年5月22日PP.5)
スイッチIC
ISDN
従来の4倍
220
1991年 7月号HDTVのデコーダ半導体を十数個に削減
-受信機低価格化に道-
富士通日経産業新聞
(1991年5月13日PP.1)
MUSEデコーダ用半導体
31個のゲートアレイ
30万ゲート1.5μm技術
ハイビジョン
HDTV
MUSEデコーダ
220
1991年 7月号新型の電子波干渉素子NTT日刊工業新聞
(1991年5月9日PP.5)
単一量子細線
マッハツェンダ構造
220
1991年 6月号B-ISDN用新型HBTNTT日経産業新聞
(1991年4月26日PP.5)
電流増幅率40倍(従来10倍)
10Gbの伝送路可
220
1991年 6月号早送りしても音声明瞭
-音声速度変換LSI-
松下電器産業日経産業新聞
(1991年4月25日PP.1)
音声速度変換LSI
再生速度4〜1/4倍
初の実用水準
220
1991年 6月号64MDRAM量産へ新技術日電日経産業新聞
(1991年4月24日PP.4)
64MDRAM
低温処理で凹凸(表面積2倍)
エッチング工程不要
220
1991年 6月号次々世代LSI実現へ日電
ATT
電波新聞
(1991年4月23日PP.1)
次々世代LSI
3.5μmCMOSプロセス
220
1991年 6月号世界初500Vの高耐圧パワーIC東芝電波新聞
(1991年4月20日PP.2)
高耐圧ICプロセス220
1991年 6月号光機能素子実用化へ急展開名大学
各社
日刊工業新聞
(1991年4月19日PP.6)
光素子
光だけで基本論理演算
220
1991年 6月号光トランジスタ
-光電算機超高速化へ前進-
NTT日刊工業新聞
(1991年4月17日PP.1)
日経産業新聞
(1991年4月17日PP.5)
論理素子
64b並列処理
3m2チップ上に64個のEARS(面型光スイッチング)素子を集積
光でXORなどの基本論理演算
応答速度20ns
SW機能
増幅機能を持つ世界初の光素子
64b演算に成功
高速処理(×1000)
1000b
多重量子井戸構造
光トランジスタ
光コンピュー
220
1991年 6月号RHETによる全加算器IC富士通電波新聞
(1991年4月16日PP.6)
日経産業新聞
(1991年4月16日PP.5)
日刊工業新聞
(1991年4月16日PP.9)
日本経済新聞
(1991年4月16日PP.11)
電波タイムズ
(1991年4月19日PP.2)
従来比密度5倍
速度10倍
消費電力1/2
電流増幅率10以上
遮断周波数200GHz以上
200GHzの高速化可能
処理能力50倍
量子効率利用したRHET
情報処理能力(×50)
演算と記憶機能は世界初
220
1991年 5月号高温超電導体使うトランジスタ富士通日経産業新聞
(1991年3月23日PP.0)
好悪の超電導体
電圧制御
220
1991年 5月号スーパーHEMT
-雑音指数など大幅改善-
富士通電波新聞
(1991年3月20日PP.6)
HEMT
雑音指数
220
1991年 5月号600℃の低温熱処理による高性能結晶性SiTFTTDK電波新聞
(1991年3月19日PP.7)
低温熱処理
低価格なガラスベース基板
220
1991年 5月号動画像用デコーダチップ
-高能率符号化技術を開発-
日本ビクター電波新聞
(1991年3月19日PP.1)
動画像データ圧縮
MPEG
220
1991年 5月号カラー静止画像のデータ1/30までに圧縮可能な新LSI富士通電波タイムズ
(1991年3月6日PP.0)
画像圧縮
ISDN
LSI
220
1991年 4月号高精度電圧標準器電総研日刊工業新聞
(1991年2月27日PP.0)
ジョセフソン素子利用の精度8桁
世界一高精度
220
1991年 4月号30〜60GのHEMT東芝電波新聞
(1991年2月22日PP.0)
ゲートを0.1μmの微細加工220
1991年 4月号15.5GHzの高周波で動作
可変分周期
NTT日刊工業新聞
(1991年2月15日PP.0)
高速可変分周期
ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)
220
1991年 4月号ジョセフソンコンピュータ冷凍実装システム富士通電波新聞
(1991年2月14日PP.0)
冷凍実装システム
ジョセフソンコンピュータビット
360ps加算
ジョセフソン素子.室温IC温蔵ボード
220
1991年 4月号ジョセフソン素子複合素子富士通電波新聞
(1991年2月13日PP.0)
朝日新聞夕刊
(1991年2月13日PP.0)
日本経済新聞夕刊
(1991年2月13日PP.0)
極低温の同素子と常温
GaAsLSIの複合
220
1991年 3月号40万ゲートアレイのCMOSゲートアレイ三菱電機日刊工業新聞
(1991年1月31日PP.0)
日経産業新聞
(1991年1月31日PP.0)
125psの遅延時間
6μW/gate
220
1991年 3月号4MSRAM製品化日立製作所日経産業新聞
(1991年1月25日PP.0)
電波新聞
(1991年1月25日PP.0)
SRAM製品化
55ns
220
1991年 3月号世界最高水準の推論性能三菱電機電波新聞
(1991年1月21日PP.0)
1.4MLIPS(百万推論/秒)220
520
1991年 3月号光信号を直接処理松下電器産業日経産業新聞
(1991年1月18日PP.0)
光ニューロ電算機
光ニューロン素子は36個の光素子と液晶板を重ねた
処理速度1000文字/秒3文字
220
520
1991年 3月号超LSI素子
信頼性向上
沖電気日経産業新聞
(1991年1月16日PP.0)
絶縁膜を亜酸化窒素処理220
260
1991年 2月号世界最大30万ゲートアレイ東芝日経産業新聞
(1991年1月10日PP.0)
日刊工業新聞
(1991年1月10日PP.0)
220
1991年 2月号新素材による超高速素子新技術事業団日刊工業新聞
(1991年1月9日PP.0)
有機薄膜トランジスタ
1μm/sで移動速度700倍
220
1991年 2月号半導体レーザ1600個集積のLSI日電日本経済新聞
(1991年1月7日PP.0)
開発に成功した段階
超並列光電算機に応用は3年後
220
1991年 2月号1万グレイ耐放射線トランジスタ日立製作所日経産業新聞
(1991年1月7日PP.0)
耐放射線構造でないトランジスタは性能30%以下に低下220
1991年 2月号厚さ0.5mm実現のICパッケージ三菱電機日経産業新聞
(1991年1月4日PP.0)
220
1991年 2月号超電導トランジスタにメド沖電気日刊工業新聞
(1990年12月29日PP.0)
応答速度3ps
ビスマス系トランジスタ
220
1991年 2月号ニューロン素子間磁気信号で結合ワコム日経産業新聞
(1990年12月28日PP.0)
220
1991年 2月号BiCMOSの低温動作日電日刊工業新聞
(1990年12月21日PP.0)
BiCMOS
83K(-190℃)の低温動作
電流利得124
遅延時間200ps
220
1991年 2月号10psの超高速トランジスタ日電電波新聞
(1990年12月12日PP.0)
Siバイポーラトランジスタでゲート間遅延時間10ps
3空年後に製品化
220
1991年 2月号負性抵抗効果を確認日立製作所日刊工業新聞
(1990年12月11日PP.0)
Si系量子細線(0.1μm)素子で負性抵抗効果を確認
RHET(共鳴トンネリングホットトランジスタ)では確認されていたがシリコン系は初めて
220
1991年 2月号光演算IC
-電子使用の200倍の処理速度-
松下電器産業日経産業新聞
(1990年12月6日PP.0)
日刊工業新聞
(1990年12月6日PP.0)
電波新聞
(1990年12月6日PP.0)
256組のデータに対するEXOR演算素子
大きさ1mm2
処理40ps
220
1991年 1月号高温超伝導体使用のトランジスタサンディア研
ウィスコンシン大
日経産業新聞
(1990年11月21日PP.0)
220
1991年 1月号来春かHDTテストFCC電波新聞
(1990年11月16日PP.0)
77K
4GHz
10dBのアンプ
35GHz対応の合成器
220
1991年 1月号新型ダイオード富士通日経産業新聞
(1990年11月9日PP.0)
2〜3mv
-269℃(液体He温度)
超電導
220
1990年12月号光論理演算素子
-直交レーザで実現-
光技研
松下電器産業
日刊工業新聞
(1990年11月1日PP.0)
出力レーザ光と直交方向に2つのレーザを入射できる構造で出力パワーを入力光で制御する(直交レーザ素子)試作:4素子集積1.2
0.8mm
動作速度数100ps
220
1990年12月号光演算回路を開発日電日経産業新聞
(1990年10月31日PP.0)
電気入力-光信号処理-電気出力
面入力光電融合素子(VSTEP)
並列(4列)積和演算
高速演算ns/条件入れ替え4ns
220
1990年12月号VMTの実用化にメドNTT日刊工業新聞
(1990年10月31日PP.0)
速度変調Tr(VMT)
GaAs/AlAsの2重チャンネルFET
高速室温で1ps以下の応答確認
基礎実験
220
1990年12月号応答0.5psの超高速トランジスタ三菱電機日刊工業新聞
(1990年10月30日PP.0)
超電導利用真空トランジスタのシミュレーション確認
応用:超高速トランジスタ
SEM
高周波オシロの電子ビーム源
220
1990年12月号低消費電力の高速HBT松下電器産業日刊工業新聞
(1990年10月12日PP.0)
PNPコレクタートップ型HBT
動作確認
利点:高集積化
低消費電力
220
1990年12月号ガリひ素上回る高速動作FET日立製作所日経産業新聞
(1990年10月12日PP.0)
Si系FET
液晶窒素温度
電界効果移動度:10m/s
SiGeのヘテロ接合
キャリアは正孔
220
1990年12月号2次元光スイッチングアレイ松下電器産業日刊工業新聞
(1990年10月11日PP.0)
GaAs基板に光増幅機能を持つ4×4のSW
試作
オンオフ比10:1
目的:並列光伝送
処理
220
1990年12月号光で論理演算に成功理科大
東大
日刊工業新聞
(1990年10月11日PP.0)
フォトリフラクティブ結晶(チタン酸バリウム)
機能確認
3本ビームで3種の像を照射
明暗読み取り
6種の論理演算
220
1990年11月号世界最高速のゲートアレイソニー日刊工業新聞
(1990年10月9日PP.0)
電波新聞
(1990年10月9日PP.0)
日経産業新聞
(1990年10月9日PP.0)
RTで21ps
50KTRS
0.4mW/gate
220
1990年11月号新超電導体日立製作所日刊工業新聞
(1990年9月20日PP.0)
臨界温度130K220
1990年10月号15倍以上の移動度を達成した新構造FET日立製作所日刊工業新聞
(1990年8月28日PP.0)
77Kにおけるホールの移動度が8000ー10000/cm2/Vs220
1990年10月号HET常温で動作ソニー日経産業新聞
(1990年8月24日PP.0)
220
1990年10月号量子効果トランジスタ日立製作所日経産業新聞
(1990年8月24日PP.0)
Si220
1990年10月号実時間で動画処理LSI富士通電波新聞
(1990年8月23日PP.0)
5×5画素
9b×8bの乗算器10個
8b×8bの乗算器10個
15入力加算器を内蔵
220
1990年10月号光ICの戻り光2桁減らす東工大日刊工業新聞
(1990年8月22日PP.0)
220
1990年10月号文字誤認率を大幅アップの光ニューロチップ三菱電機日経産業新聞
(1990年8月21日PP.0)
32個の発光素子
32個の受光素子
1024個の空間公変調素子
220
1990年10月号BiCMOS使う新回路日電日刊工業新聞
(1990年8月16日PP.0)
0.6μmプロセス
15万ゲート
164m
180ps/負荷
350ps/負荷
220
1990年 9月号超電導A/D変換器米WH日経産業新聞
(1990年7月26日PP.0)
1nA以下の微弱な信号を検出
10の11乗のパルスをカウント
220
1990年 9月号GaAsゲートアレイ富士通日刊工業新聞
(1990年7月12日PP.0)
3k〜30k ゲート
ゲート遅延時間80ps
0.4mW
220
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