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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーワード | 分類 番号 |
| 2018年 3月号 | 電流の流れ磁石で制御 | 理研 | 日経産業新聞 (2017年12月14日PP.5) | トポロジカル絶縁体 電流制御 省電力メモリへ応用 | 120 230 |
| 2018年 0月号 | 記憶素子に忘れる機能 AI 脳に近く | 東工大 | 日経産業新聞 (2017年9月26日PP.8) | 記憶素子 リチウムイオン 蓄電池の仕組み AI 蓄電池技術を利用 忘れる機能のある記憶素子 | 230 |
| 2017年 8月号 | 3次元MRAM 積層プロセス開発 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2017年5月17日PP.29) | CMOS形成ウェハとTMR薄膜ウェハを別々に形成後圧着 | 230 260 |
| 2017年 7月号 | 次世代メモリー新素材 安価に「スピン液体」作製 | 東北大 英リバプール大 | 日経産業新聞 (2017年4月25日PP.8) 日刊工業新聞 (2017年4月25日PP.29) | スピン液体 フェナントレン 安価な炭化水素分子「フェナンスレン」に電子を導入 | 230 120 |
| 2017年 5月号 | 次世代メモリー 19年量産 | パナソニック | 日本経済新聞 (2017年2月1日PP.12) | 230 | |
| 2017年 4月号 | 抵抗変化メモリーへ挙動 電流ノイズから解明 | 産総研 筑波大 | 日刊工業新聞 (2017年1月16日PP.17) | ReRAM | 酸素欠陥と電気的特性の相関を明らかに 230 |
| 2017年 3月号 | 人工の神経回路網 人工神経回路網を開発 | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年12月19日PP.8) 日刊工業新聞 (2016年12月29日PP.17) | 磁気素子活用 崩れた手書き文字識別 電気抵抗を連続的に変えられる記憶素子 白金マンガン合金の上に コバルトとニッケルを交互に積層 | 520 230 |
| 2017年 3月号 | ルネサスエレクトロニクスが初開発 フィン構造SG-MONOSメモリーセル | ルネサスエレクトロニクス | 電波新聞 (2016年12月9日PP.3) | フィン構造 SG-MONOS | 230 |
| 2017年 1月号 | 600℃でも機能維持する不揮発性メモリー素子 600度でも記録保持 | 千葉工大など | 日刊工業新聞 (2016年10月17日PP.16) 日経産業新聞 (2016年10月27日PP.8) | 白金のナノギャップ構造を利用 二つの白金電極をナノレベルの間隔を隔てて並べた 半導体が動作しない高温環境下でも動作 | 230 |
| 2016年12月号 | 光で電気の性質を制御 | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年9月2日PP.8) | 高速次世代メモリー スピン | 230 |
| 2016年12月号 | 高密度分子メモリー HDD 容量数百倍 微小な分子を操作 | 東工大 阪大 | 日刊工業新聞 (2016年9月9日PP.25) 日経産業新聞 (2016年9月14日PP.8) | 1平方インチあたり600TB スマネン フラーレン おわん状の微小分子 HDD 大容量 炭素分子 スマネン探針で裏表をひっくり返してデータを記録する | 230 |
| 2016年12月号 | TMR素子開発 室温で抵抗変化率92% | 産総研 | 日刊工業新聞 (2016年9月19日PP.14) | 世界最高性能の半導体系のトンネル磁気抵抗(TMR)素子 磁気抵抗素子(TMR) 超省電力 抵抗変化率92% | 220 230 |
| 2016年11月号 | MRAM素子 薄膜で構成 | 東北大など | 日刊工業新聞 (2016年8月18日PP.1) | 磁気トンネル接合素子の出力を従来比約2倍の200mV メモリー MRAM タングステン | 230 |
| 2016年 9月号 | 消費電力1/100メモリー開発 | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年6月15日PP.8) | 省電力化 磁気メモリー CPU IoT スピン | 230 |
| 2016年 9月号 | 計算科学で新物質合成 新たなLED開発の礎に レアメタルを使わない赤色発光半導体 http://www.titech.ac.jp/news/2016/035528.html | 東工大など | 日経産業新聞 (2016年6月22日PP.8) 日刊工業新聞 (2016年6月22日PP.31) | マテリアルズ・インフォマティクス コンピュータ利用 新物質合成 窒化カルシウム亜鉛 窒素の3元素で構成 希少元素を使わない赤色発光半導体 | 230 250 260 |
| 2016年 9月号 | バイオ由来のメモリー 透明でガラス・眼鏡向け http://www.jaist.ac.jp/whatsnew/press/2016/06/22-1.html | 北陸先端大 | 日刊工業新聞 (2016年6月27日PP.17) | バイオプラスチック 透明 メモリーデバイス | 230 |
| 2016年 7月号 | 低電流で10倍高速動作する磁気メモリ開発 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2016年4月13日PP.27) | スピン軌道トルク磁化反転方式 | 230 |
| 2016年 6月号 | NOR型フラッシュメモリに参入 データエラー対策回路内蔵 11月から128Mビット品量産 | ローム | 電波新聞 (2016年3月29日PP.1) | フラッシュメモリ- NOR型 データエラー対策 | 230 |
| 2016年 6月号 | 記憶速く電流1/5 http://www.tohoku.ac.jp/japanese/2016/03/press20160317-01.html | 東北大 | 日本経済新聞 (2016年3月30日PP.8) | 高速動作 低消費電力 半導体メモリー MRAM | 230 |
| 2016年 5月号 | 世界最高の電力性能 磁性体メモリー回路開発 消費電力10分の1 http://www.toshiba.co.jp/rdc/detail/1602_02.htm | 東芝 東大 | 日刊工業新聞 (2016年2月2日PP.25) 電波新聞 (2016年2月4日PP.3) | STT-MRAM 消費電力 電力性能 ノーマリーオフ 磁性体メモリー 不揮発性メモリー | 230 |
| 2016年 4月号 | 記憶性能2倍を実現する次世代不揮発メモリ技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2016年1月11日PP.13) | 19nmの素子サイズのスピントルク書き込み型磁気ランダムアクセスメモリーの実現 | 230 |
| 2016年 3月号 | 「電圧方式」安定動作 MRAM書き込みエラー率実用水準へ http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2015/pr20151210/pr20151210.html | 産総研 | 日刊工業新聞 (2015年12月11日PP.31) | 不揮発性メモリー(MRAM) 電圧書き込み方式 低消費電力 書き込みエラー率 | 230 |
| 2016年 3月号 | 多数の磁気情報収納 キラル磁石 ひねりの数制御 http://www.osakafu-u.ac.jp/info/publicity/release/2015/pr20151217.html | 大阪府立大など | 日刊工業新聞 (2015年12月18日PP.33) | 対掌性を持つらせん状の結晶構造の磁石 キラリティー 一つの磁石に多数の磁気情報を埋め込むことに成功 磁気メモリ 磁気センサ | 120 230 |
| 2016年 2月号 | 磁壁に金属的性質 多値磁気メモリーに道 光で電流「オン・オフ」 | 理研 スタンフォード大 | 日刊工業新聞 (2015年11月3日PP.17) | 銅酸化物半導体 切り替え1ピコ秒以内 磁性絶縁体 磁壁に金属的性質 金属状態の壁の厚さは100?以下 | 120 230 |
| 2016年 2月号 | 容量2テラバイトのディスク 2テラデータ長期保存 ホログラムメモリー開発 http://www.tus.ac.jp/today/20151105000.pdf | 理科大 三菱化学 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2015年11月5日PP.8) 日刊工業新聞 (2015年11月5日PP.27) | 2TB ホログラムメモリー DVDの400倍の容量 30年以上の長期信頼性 フォトポリマーディスク DVDと同じサイズの透明ディスク | 230 430 |
| 2016年 1月号 | 微小磁力で情報書き込み http://www.issp.u-tokyo.ac.jp/issp_wms/DATA/OPTION/relese20151029.pdf | 東大 | 日経産業新聞 (2015年10月29日PP.8) | 半導体メモリーの消費電力の大幅低下につながる新しい磁性現象 MRAM 消費電力1/1000 処理速度1000倍 反強磁性材料 ホール効果 | 120 230 |
| 2015年12月号 | 相変化メモリー高速化 メカニズム解明 http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150928eaac.html | 筑波大 産総研 | 日刊工業新聞 (2015年9月28日PP.22) | 相変化メモリー 動作を高速化 格子振動(フォノン)の振動 振幅を約100フェムト秒で操作 高速スイッチング相変化 | 230 |
| 2015年10月号 | HDD記録密度10倍 http://www.nikkei.com/article/DGXLZO88977550W5A700C1TJC000/ | 東芝，東北大，産総研 | 日本経済新聞 (2015年7月7日PP.12) | 多層磁気記録技術 3次元記録層 3次元HDD 周波数の異なる磁界 IoT | 230 |
| 2015年 7月号 | 220TB/巻の大容量磁気テープメディアを開発 http://www.fujifilm.co.jp/corporate/news/articleffnr_0972.html | 富士フイルム IBM | 日経産業新聞 (2015年4月10日PP.6) 日刊工業新聞 (2015年4月10日PP.8) | BaFe磁性体 塗布型 面記録密度123Gbpsi | 230 |
| 2015年 5月号 | SSD高速読み出し技術 | 中央大 | 日刊工業新聞 (2015年2月26日PP.21) | フラッシュメモリー セル干渉補正 セル劣化に応じた読出しレベル変更 高速化(6倍)・高信頼化(5倍) | 230 |
| 2015年 3月号 | データセンターSSD用 新型相変化素子を開発 | 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)，名大，産総研 | 日刊工業新聞 (2014年12月15日PP.13) | 新型相変化素子「TRAM」，動作電流従来比半分の55μA，書き込み速度100倍，結晶と結晶の抵抗変化でデータを保持する新型構造 | 230 |
| 2015年 1月号 | 16ギガバイトNAND型フラッシュメモリー http://www.toshiba.co.jp/about/press/2014_10/pr_j0202.htm | 東芝 | 日刊工業新聞 (2014年10月3日PP.8) | 回路線幅15nmのNANDチップ搭載，従来比約26%小型化，スマートフォンやタブレット向け，コントローラ一体型 | 230 |
| 2015年 1月号 | 石英ガラスに大容量の情報を3億年以上保存可能な技術の開発 | 日立 京大 | 日経産業新聞 (2014年10月21日PP.8) 日刊工業新聞 (2014年10月21日PP.23) | フェムト秒パルスレーザで石英ガラスに刻印 データの書き込み速度1.5kb/s.石英ガラスに1μm程の微細な穴を開け記録.100層の多層記録 | 130 230 430 |
| 2014年12月号 | ID秘匿認証RFIDタグ | 電気通信大学など | 日刊工業新聞 (2014年9月18日PP.23) | UHF帯パッシブ型RFID，回路の大きさ10キロGE，消費電力140マイクロワット | 230 |
| 2014年12月号 | 解像度2倍のインクジェットヘッド | 東芝テック | 日経産業新聞 (2014年9月26日PP.6) | インク循環式 600dpi | 230 |
| 2014年10月号 | 厚さ4μmのDRAM基板 | 東工大 | 日経産業新聞 (2014年7月2日PP.10) | DRAM基板の厚さを従来比1/200に。同体積で200倍の容量を持ち1/100の消費電力で動く3次元メモリーが実現可能 | 230 |
| 2014年10月号 | SSD向け新型相変化メモリー | LEAP 名大 | 日刊工業新聞 (2014年7月17日PP.22) | 相補型金属酸化膜半導体基板上で世界初試作 超格子材料を使用 | 従来比半分以下の動作電圧2V 60%減の低消費電力 不揮発性メモリーとして機能 130 230 |
| 2014年 9月号 | SSDエラー80%削減 | 中央大 | 日刊工業新聞 (2014年6月18日PP.30) | SSD メモリーエラー 1000年保存 3ビット/セルを記録するフラッシュメモリー 新しい信号変調方式 | 230 |
| 2014年 8月号 | 片面256GBのデータアーカイブ用光ディスクを開発 | パイオニア メモリーテック | 電波新聞 (2014年5月14日PP.1) | ガイド層分離型多層ディスク構造 記録層片面8層 BDドライブとの共用可能 | 230 |
| 2014年 8月号 | 磁気テープにて面記録密度85.9Gbosiでの記録再生を実証 | 富士フイルム 米IBM | 日本経済新聞 (2014年5月21日PP.12) | 塗布型 BaFe磁性体 非圧縮で154TBデータカートリッジが実現可能に 容量約62倍 | 230 |
| 2014年 8月号 | 低消費電力の光メモリーを開発 | NTT | 日本経済新聞 (2014年5月27日PP.15) | フォトニック結晶 光ナノ共振器 100bitを集積 | 120 230 |
| 2014年 5月号 | ReRAMをフラッシュメモリーに用いたSSD用コントローラー | 中央大 | 日刊工業新聞 (2014年2月19日PP.21) | ハイブリッドSSD向け誤り訂正機能開発，書き込み時間500ns高速 ReRAMの書込条件を最適制御 エラー80%削減 | 230 520 |
| 2014年 5月号 | 低消費電力のSRAM | 東芝 ルネサスエレクトロニクス | 日経産業新聞 (2014年2月12日PP.7) | 配線幅65nm 消費電力1/100 | 230 |
| 2014年 3月号 | 高速・低電力で1億回書き換え可能な相変化素子 | 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) 筑波大 | 日刊工業新聞 (2013年12月11日PP.20) | 超格子状の化合物を積層 低温で溶かさないで記録 | 230 |
| 2014年 3月号 | 低消費電力の書き換え可能な20nm素子 | 東北大 京大 | 日経産業新聞 (2013年12月11日PP.6) 日刊工業新聞 (2013年12月27日PP.13) | 線幅20nm 磁性体にCo・Fe・Bを混ぜたものを使用 書き換え消費電力が数フェムトジュール | 230 |
| 2014年 3月号 | 省電力次世代メモリー「IGZO」で1/10に | 半導体エネ研 | 日本経済新聞 (2013年12月24日PP.11) | IGZO | 230 |
| 2013年11月号 | 光が伝わる様子をディジタル動画で撮影 | 京都工繊大 千葉大 | 日刊工業新聞 (2013年8月19日PP.1) | 並列位相シフトディジタルホログラフィ 2ps | 220 230 430 |
| 2013年10月号 | 大容量HD向けナノパターンを高速生産 | 素形材センタ 明昌機工 東北大 | 日経産業新聞 (2013年7月11日PP.11) | 微細構造 レーザ光で加熱 φ25nmパターンを45nmピッチで作成 従来の15倍高速 | 230 |
| 2013年 9月号 | 0.37V動作のトランジスタを採用したロジックIC | 超低電圧デバイス技術研究組合 NEDO | 日刊工業新聞 (2013年6月11日PP.21) 日経産業新聞 (2013年6月11日PP.9) | SOTBトランジスタを用いたSRAM シリコン基板上に厚さ10nmの絶縁膜・その上に電極 SOTB 最小電圧0.37Vの演算用LSI | 220 230 |
| 2013年 9月号 | 多値構造セルでMROM高速化 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2013年6月13日PP.21) | 1セル当たり2ビットの多値構造 40nm世代CMOSプロセスで試作 | 230 |
| 2013年 9月号 | 磁化の向きを電圧で高効率制御 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年6月24日PP.14) | スピントロニクス 1.5nmの金属磁石層 MgOの絶縁層で挟んだ構造 | 230 |
| 2013年 5月号 | SRAMの消費電力削減 | 東芝 | 日経産業新聞 (2013年2月22日PP.1) | 動作時用と待機時用の回路 動作時電力27%減 待機時は85%減 | 230 |
| 2013年 3月号 | 低消費電力のSTT-MRAM | 東芝 | 日刊工業新聞 (2012年12月11日PP.25) | 不揮発性磁性体メモリ 垂直磁化方式 30nmプロセス 待機電力を従来比1/10に低減 | 230 |
| 2012年 7月号 | 円筒液晶に強誘電性 | 東大 東工大 | 日刊工業新聞 (2012年4月13日PP.20) | 直径4.5nmの円筒形状の液晶であるカラム構造 カラム単位で強誘電性を持たせることに世界で初めて成功 | 230 |
| 2012年 7月号 | 動作寿命10年間のMRAM | 超低電圧デバイス技術研究組合 | 日刊工業新聞 (2012年4月17日PP.20) | MTJ素子のトンネル絶縁膜層を分割して作成 0.5V以下の低い電圧で10年間安定動作 MRAM混載LSI 低消費電力 次世代の不揮発性磁気メモリー | 230 |
| 2012年 5月号 | ビットパターンを応用したHD大容量化技術 | 東北大 日立 東芝 富士電機 | 日経産業新聞 (2012年2月24日PP.10) | 5Tb/in2 直径17nmの磁性粒子が規則的に並ぶ | 230 260 |
| 2012年 4月号 | 12個の原子で1ビットの情報を記録できる小型磁気メモリー | IBM | 電波新聞 (2012年1月17日PP.2) | 反強磁性構造 超低温下 記録密度は現行HDDの約100倍 | 230 |
| 2012年 4月号 | 酸化物強誘電体を使った新型ReRAM | 産総研 | 日刊工業新聞 (2012年1月18日PP.21) | 電気分極反転 ビスマスフェライトを抵抗スイッチング層にして作製 100nsの電圧パルスで10^5回以上のデータ書き換えが可能 | 120 230 |
| 2012年 3月号 | ReRAMのデータ記憶性能劣化を抑える方法 | パナソニック | 日刊工業新聞 (2011年12月8日PP.1) | 酸化膜内で移動する酸素の量を制御 256kbのデータを10年間保存 | 120 230 |
| 2012年 2月号 | 磁気素子の構造を簡素化して記録密度を向上したHDD | 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年11月1日PP.10) | 厚さ2nmの銀薄膜を厚さ4nmのホイスラー合金薄膜で挟んだ3層構造 5Tb/in2 6層以上必要だった薄膜を3層に減らせる 厚さ10nm ホイスラー合金 | 230 120 |
| 2012年 1月号 | 量子メモリーの原理実験に成功 | NTT 阪大 国立情報学研 | 日刊工業新聞 (2011年10月13日PP.21) 日経産業新聞 (2011年10月13日PP.11) | 量子もつれ振動を制御 量子メモリー ダイヤモンド基板と超電導の量子ビットを組み合わせたハイブリッドの量子状態 | 220 230 120 |
| 2012年 1月号 | 相変化メモリーが常温で巨大磁気抵抗効果 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年10月17日PP.19) | Ge-Te合金とSb-Te合金の薄膜を配向軸をそろえて積層 超格子型相変化膜 室温から約150℃で200%超の磁気抵抗効果 MRAM | 120 230 |
| 2011年11月号 | 磁気・電気的な性質を制御可能な磁性半導体 | 原子力機構 東大 | 日刊工業新聞 (2011年8月10日PP.15) | スピントロニクス 磁気的な性質と電気的な性質を独立に制御可能 | 220 230 |
| 2011年10月号 | 熱で情報を入力する新現象 | 産総研 オランダ基礎科学財団 | 日刊工業新聞 (2011年7月5日PP.22) | ゼーベック・スピントンネル現象 熱を利用して磁性体の電子スピンが持つデジタル情報をSi中に入力 | 230 120 |
| 2011年10月号 | 光ディスク容量を2倍にする技術 | 日立 | 日刊工業新聞 (2011年7月20日PP.29) | 多値化技術 ニオブ酸リチウム材料 マイクロホログラム 位相多値記録再生方式 20nmの記録マーク | 230 |
| 2011年 9月号 | 待機電力0のメモリー | 東北大 NEC | 日経産業新聞 (2011年6月14日PP.9) | スピントロニクスを使う不揮発性メモリー | 230 120 |
| 2011年 9月号 | 低消費電力のDRAM | エルピーダメモリ | 日経産業新聞 (2011年6月15日PP.1) | High-Kメタルゲート技術 40nmプロセス 絶縁膜にハフニウム 電極にTiを使用 | 230 160 |
| 2011年 9月号 | MRAMにかかる歪みを制御し性能向上 | 超低電圧デバイス技術研究組合 | 日刊工業新聞 (2011年6月15日PP.19) | ビラリ効果 低消費電力 | 230 120 |
| 2011年 9月号 | 記憶も忘却もする新素子 | 物材機構 米カリフォルニア大ロサンゼルス校 | 日経産業新聞 (2011年6月27日PP.9) | イオンや原子の動きを制御して働く原子スイッチを応用したシナプス素子 素子サイズ縦横50nm 電極間1nmの隙間 僅かな電圧操作で材料のAg2Sから銀原子が析出し隙間の接続強度を調節 | 120 230 |
| 2011年 8月号 | 導電・絶縁切替可能な液晶素子 | 山梨大 パイオニア | 日経産業新聞 (2011年5月19日PP.11) | 導電性液晶の層(厚さ200nm)をAl電極層とITO電極層で挟んだ構造 電圧を加えずに瞬間加熱200℃で導電性になる 10～30Vの電圧を加えて瞬間加熱で絶縁性になる | 230 250 120 |
| 2011年 5月号 | 室温で安定動作する単一電子素子 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年2月16日PP.9) | Si基板のうえにSiO2とAl2O3の薄膜を重ねた 薄膜間にフタロシアニンやフラーレンなどの分子 7℃で動作 | 120 230 |
| 2011年 5月号 | 書換え速度が向上したReRAM | ソニー | 日経産業新聞 (2011年2月23日PP.7) | 銅化合物と酸化膜を電極で挟んだ構造 読出し速度2.3GB/s 書込み速度216MB/s 100万回書換え可 55℃で10年間データ保存可 容量4Mbit 安定性向上 | 230 |
| 2011年 4月号 | 低電力で磁場を制御可能な現象を常温でも発見 | 東大 JST 物材機構 理化学研 | 日経産業新聞 (2011年1月4日PP.10) | 鉄合金内にnmの磁気の渦巻き スキルミオン結晶 磁気メモリーの低電力化 2℃で確認 | 120 230 |
| 2011年 4月号 | レアメタルを使わないReRAMの集積化技術 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年1月28日PP.30) | アルミニウム系材料のみで作製 フォトリソグラフィ デバイス構造はクロスバー方式 5～100μm角で容量256ビット | 230 160 |
| 2011年 3月号 | 28nm世代システムLSI向け混載DRAM技術 | ルネサスエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2010年12月9日PP.22) | 寄生容量・抵抗を削減 CMOSプロセスを導入 低誘電率の多孔質(MPS)膜を採用 配線層内にキャパシタ形成 | 160 230 |
| 2011年 3月号 | 演算と記憶の複合素子を開発 | 物材機構 阪大 東大 | 日刊工業新聞 (2010年12月24日PP.20) | アトムトランジスタ わずかな金属素子を絶縁体中で移動させることで動作させる 不揮発性ロジック回路 | 220 230 |
| 2011年 2月号 | 高耐熱性かつ低消費電力のPRAM | 東北大 | 日刊工業新聞 (2010年11月25日PP.31) | 170℃の耐熱性 Ge-Cu-Te化合物 融点520℃ 結晶化温度240℃ | 130 230 |
| 2011年 2月号 | 高分子の自己組織化を利用してHDD容量8倍 | 日立 東工大 京大 | 日経産業新聞 (2011年11月26日PP.10) | ビットパターンメディア 1in2あたり3.9兆個の微細な磁性粒子の集まりを作れる | 120 230 |
| 2011年 1月号 | 記録容量が両面で1TBの光ディスク | TDK | 日刊工業新聞 (2010年10月5日PP.1) | 記録層を16層積み上げ | 230 |
| 2011年 1月号 | 熱アシスト方式を利用したHDD用ヘッド | TDK | 日経産業新聞 (2010年10月8日PP.5) | 1平方インチあたり1Tb 熱アシスト方式 近接場光をディスク表面で発生 レーザのパワーを急峻に変化 | 230 |
| 2010年12月号 | 超高速マイクロSDカード | 東芝 | 日経産業新聞 (2010年9月2日PP.1) | UHS-I 書込み20MBps 読出し40MBps | 230 |
| 2010年10月号 | 大容量で不揮発性を兼ね備えたTMR素子 | 東北大 日立 | 日刊工業新聞 (2010年7月12日PP.1) | 素子寸法40nm 電源供給なしで10年保持 350℃の熱処理耐性 磁化方向を垂直 8Gb Co-Fe-B | 230 |
| 2010年 9月号 | 6Gbpsでデータ伝送可能な非接触メモリカード | 東大 慶応大 東芝 | 日刊工業新聞 (2010年6月21日PP.18) | 従来メモリーカード比7.5倍の伝送容量 電力伝送効率を従来比2倍以上の10% フラッシュメモリーの数24個 書込み速度60%向上 | 340 230 |
| 2010年 8月号 | スピンRAMの5Gb超の大容量化技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2010年5月14日PP.18) 日経産業新聞 (2010年5月14日PP.10) | トンネル磁気抵抗素子(TMR素子) MgO層の厚さを約1nmに 高いスピン分極 磁気抵抗比85% 素子抵抗値約4Ωμm2 | 230 |
| 2010年 8月号 | 磁気テープの記録容量を30倍以上に増やせる製造技術 | 日立マクセル 東工大 | 日経産業新聞 (2010年5月14日PP.1) | スパッタ テープ1巻で50TB 3層で計100nm弱の記録層を形成 垂直磁気記録 | 130 230 |
| 2010年 8月号 | 光の位相で多値化した次世代光ディスク -転送速度3倍に- | 日立 | 日刊工業新聞 (2010年5月25日PP.1) | マイクロホログラム 位相多値記録再生方式 8値信号 | 230 |
| 2010年 7月号 | C60分子の薄膜を活用した記憶素子 | 物材機構 阪大 | 日刊工業新聞 (2010年4月7日PP.23) | フラーレン 既存の記憶素子の約1000倍の密度 結合状態と非結合状態 多植記録 不揮発性 190Tbpiの高密度記録 | 230 |
| 2010年 6月号 | フラーレン薄膜に190Tbpiの高密度記録 | 物材機構 阪大 | 日経産業新聞 (2010年3月8日PP.12) | ハードディスクの1000倍 Si基板上にフラーレン分子3個分の薄膜 金属針を1nm未満に接近させ電圧を印加 結合・非結合の状態で「1」「0」を表現 記録速度1kbs | 120 230 |
| 2010年 5月号 | 記録容量5倍の新方式HDD | 日立 | 日経産業新聞 (2010年2月2日PP.1) | 近接場光 熱アシスト 幅20nm以下の領域を加熱 ヘッド部品の先端部曲率半径10nm以下 2.5Tb/in2記録可能 | 230 |
| 2010年 4月号 | 近接場技術で200GBの新型光ディスク | パイオニア | 日経産業新聞 (2010年1月6日PP.5) | 近接場光 ピット長さ53nm 青色レーザ 光源のレンズとディスクの間隔20nm 100・200GB作製技術および100GB再生技術を確立 BDの8倍の記憶容量 | 230 |
| 2010年 3月号 | 石英ガラスで10万年保存可能な記憶技術 | 日立 | 日刊工業新聞 (2009年12月1日PP.1) | ディジタルデータ ストレージ 短パルスレーザ LED 3cm角の石英ガラス板に4.8KB容量のデータ書込み | 230 |
| 2010年 3月号 | 光ディスクの読み書き誤差抑制技術 | ソニー | 日経産業新聞 (2009年12月3日PP.3) | 光ディスク駆動装置向け球面収差補正技術 5mm2の可変形鏡で光をゆがませて誤差抑制 カバー層による球面収差が従来の1/6以下 反射鏡の形状を圧電素子で変形 ピエゾ素子 | 230 250 |
| 2010年 3月号 | 不揮発性ReRAMを1/10に小型化 | NEC NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2009年12月8日PP.20) | ルテニウム 酸化タンタル 酸化チタン データ読出し時の誤作動を大幅減少 | 120 230 |
| 2010年 3月号 | スピンMOSトランジスタの基本技術 | 東芝 | 電波新聞 (2009年12月9日PP.1) | 電子スピン ロジックLSI メモリー機能 磁気トンネル接合 スピン注入磁化反転 | 230 |
| 2010年 3月号 | 折り曲げ可能な低電圧の有機フラッシュメモリー | 東大 独マックスプランク研 | 日刊工業新聞 (2009年12月11日PP.24) 日経産業新聞 (2009年12月11日PP.11) | 駆動電圧1/2の不揮発性メモリー ゲート絶縁膜に薄い単分子膜 書込み電圧6V 読出し電圧1V 脂肪族リン酸系の材料を使った絶縁膜 | 120 160 230 210 |
| 2010年 2月号 | 光3色を使ったホログラフィック光メモリー | 日本女子大 | 日経産業新聞 (2009年11月2日PP.11) | 記憶容量3倍以上 直径50μmの光ファイバを4万本束ねたファイババンドル | 230 |
| 2010年 2月号 | 多層光ディスクを高精度に読取るための素子 | 日立 | 日経産業新聞 (2009年11月17日PP.9) | 4mm2のグレーディング 溝の間隔などを調節して目的の記録層からの光のみを通過 データのばらつき従来の1/3 3層式光ディスク 3個の検出器 | 330 230 |
| 2010年 1月号 | レーザ照射を活用した大容量HDD技術 | TDK | 日経産業新聞 (2009年10月6日PP.1) | 1インチあたり1TB以上 熱アシスト垂直磁気記録 | 230 |
| 2010年 1月号 | 顕微鏡技術を応用した次世代光ディスク向けデータ読出し技術 | 静岡大 | 日経産業新聞 (2009年10月28日PP.11) | ファイバ共焦点顕微鏡 記録層の間隔2μm以下 縦横方向間隔に3μmで記録したデータを正確に検出 | 230 |
| 2009年12月号 | マイクロ波アシスト磁化反転技術で垂直磁化膜の磁化反転に成功 | 九大 | 日刊工業新聞 (2009年9月4日PP.20) | 強磁性共鳴 3GHz 低いマイクロ波磁界 CoとPd積層磁化膜 | 230 120 |
| 2009年12月号 | 大容量 多層光ディスク | TDK | 日経産業新聞 (2009年9月30日PP.1) | 320GB BDと同一形状 青色レーザ ポリカーボネイト 各層で光学特性を変化させる材料の比率を調整 ハイビジョン200時間録画可能 10層構造 | 230 120 160 |
| 2009年11月号 | 記録密度3倍の次世代HDD用ヘッド | セイコーインスツル データストレージインスティチュート | 日経産業新聞 (2009年8月3日PP.1) | 磁気ヘッドとディスクの間隔を従来の1/3程度の7nmで維持 熱アシスト磁気記録 1Tbpi 光ファイバ磁気ヘッド | 230 |
| 2009年11月号 | 室温で世界最高の磁気抵抗効果を示す素子 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2009年8月6日PP.25) | 2枚の強磁性膜に絶縁膜を挟む構造 強磁性トンネル接合(MTJ) 二重トンネル障壁MTJ 中間磁性膜厚さ1.2nm 電圧約±0.1Vで磁気抵抗効果最大 | 120 230 |
| 2009年11月号 | 金属ガラスで1Tbpi以上の磁気記録媒体の製造技術 | RIMCOF | 日刊工業新聞 (2009年8月6日PP.25) | 熱インプリント パターンドメディア サファイアにダイヤモンドライクカーボン(DLC)薄膜 25nm間隔太さ12nmのドットを形成した金型を作製 | 160 230 |
| 2009年11月号 | 8枚積層したDRAM | エルピーダメモリ | 日経産業新聞 (2009年8月27日PP.1) | 8Gbit ウェハにエッチング装置で直径50μmの穴を開けDRAM回路を形成 待機電力1/4 | 230 |
| 2009年11月号 | マイクロ波で磁気記録容量を増加 | 九大 NEDO | 日経産業新聞 (2009年8月28日PP.11) | HDD 波長4mm 1Tbpi コバルト パラジウム | 230 |
| 2009年10月号 | 量子情報の保存を最長にする暗号通信向け技術 | 情報学研 | 日刊工業新聞 (2009年7月3日PP.22) | 半導体量子メモリー 7μ秒のコヒーレンス時間で量子情報転写 光パルススピンエコー コヒーレンス時間従来比7000倍 | 120 230 |
| 2009年10月号 | 絶縁膜の欠陥1/10のトランジスタ | 東工大 | 日経産業新聞 (2009年7月7日PP.11) | 酸化ランタンに複数のセリウム酸化物を積層 過剰な酸素を制御 二酸化セリウム 三酸化二セリウム | 230 260 |
| 2009年10月号 | SRAMの駆動電圧均一化 | 東大 | 日経産業新聞 (2009年7月13日PP.10) | 回路線幅65nm以降のメモリー 製造後のSRAMにいったん大きな電圧をかけ素子の性能を修復 | 230 |
| 2009年10月号 | ReRAM内の「電子の通る道」を確認 | 東大 | 日刊工業新聞 (2009年7月13日PP.24) | CuO 白金電極膜 Cu2O X線を照射し光電子を検出して画像化 | 120 230 |
| 2009年10月号 | 5万回/s噴射のインクジェットヘッド | 米フジフイルムマティックス | 日経産業新聞 (2009年7月15日PP.1) | シリコン製ノズル ノズルの加工を精密化 バーサドロップ | 230 330 |
| 2009年10月号 | 消費電力1/10のFPGA | 東北大 日立 | 日経産業新聞 (2009年7月17日PP.11) | 微細な磁石で情報を記憶 待機電力不要 回路面積従来の半分 ルックアップテーブルに磁気素子Mn・Coを使用 | 220 230 |
| 2009年 9月号 | 高温でも記録性能が落ちないReRAM試作 | パナソニック | 日経産業新聞 (2009年6月1日PP.1) | タンタル 白金 85℃以上でも性能維持 100℃でも安定動作 10億回書換えでも劣化せず | 230 |
| 2009年 9月号 | 垂直磁化MRAMを開発
-500MHzの高速動作実現- | NEC NECエレクトロニクス | 日刊工業新聞 (2009年6月16日PP.25) | 500MHz動作 従来の2倍 スピントルク磁壁移動方式 電流書込み方式 | 230 |
| 2009年 9月号 | 10年以上作動する32MbMRAM | 日立 東北大 | 日経産業新聞 (2009年6月26日PP.11) | スピン注入RAM 酸化マグネシウムの膜をコバルト鉄ボロンで挟んだ素子構造 磁気の向きを電流で制御 | 230 |
| 2009年 6月号 | 酸化ニッケルのナノワイヤでReRAMを製作 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2009年3月19日PP.24) 日経産業新聞 (2009年3月19日PP.10) | 50nm以下抵抗変化型不揮発メモリー オンオフ比ニッケル薄膜より100倍高い ナノ-ピコA程度で動作 直径10～20nm 長さ10～20μm | 160 230 |
| 2009年 5月号 | 世界最高速度と容量のFeRAM | 東芝 | 日経産業新聞 (2009年2月10日PP.11) | 読み書き速度1.6Gbps 記憶容量128Mb | 230 |
| 2009年 5月号 | 印刷でメモリー作製 | 日産化学工業 九大 | 日経産業新聞 (2009年2月10日PP.1) | ポリスチレン系樹脂 金の超微粒子 記録密度2.5kb/cm2 | 120 230 |
| 2009年 5月号 | 大きさ1/8のSSD
-半導体チップを立体的に積層- | 慶応大 | 日経産業新聞 (2009年2月16日PP.11) | 半導体チップ間を無線で通信 電磁誘導 NANDフラッシュメモリーを6枚積層 消費電力1/2 通信回路の大きさ1/40 | 230 260 |
| 2009年 3月号 | 6つのFinFETを用いた世界最小SRAMセル
・16と一つにまとめる | 東芝 米IBM 米AMD | 日刊工業新聞 (2008年12月18日PP.26) 日経産業新聞 (2008年12月24日PP.11) | 面積0.128μm2 不純物の添加不要 半分以下に小型化 | 230 |
| 2009年 3月号 | 安定性2倍のSRAM
・13と一つにまとめる | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年12月24日PP.11) | 4端子タイプのフィン型FET | 230 |
| 2009年 2月号 | 書換え電流抑え微細化したMRAM技術 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年11月12日PP.1) | スピン注入磁化反転方式 書換え電流従来比1/3程度 磁気トンネル接合素子(MTJ) | 220 230 |
| 2009年 1月号 | 素子1個で電気と磁気で4情報記録 | 上智大など | 日経産業新聞 (2008年10月1日PP.13) | 鉄酸ビスマス クロム酸ビスマス 電気と磁気それぞれで0と1を区別 室温での動作を確認 | 120 230 |
| 2009年 1月号 | 結晶内のばらつきが半分のHDD磁気ヘッド | 東北大 富士通 | 日経産業新聞 (2008年10月15日PP.11) | 記憶密度従来の約3倍 1Tbpiまで可能 絶縁層の材料として酸化マグネシウムを積層 欠陥が半分以下 | 160 230 |
| 2008年11月号 | 超高密度で記録可能な色素材料 | 奈良先端大 | 日経産業新聞 (2008年8月5日PP.11) | ポルフィリン フォトクロミック分子 光ディスク1枚でテラバイト級の記憶容量 がん治療への応用 2光子吸収 波長800nmのレーザを照射 40000倍の効率で光を吸収 | 120 230 |
| 2008年10月号 | 400GBが記録できる16層光ディスク | パイオニア | 日経産業新聞 (2008年7月8日PP.3) | ハイビジョン40時間記録 | 230 |
| 2008年 8月号 | フォトニック結晶を用いた光ビットメモリー | NTT | 電波新聞 (2008年5月8日PP.5) | 最長150nsのメモリー持続時間 InGaAsP バイアス光パワーが最低40μW 結晶の厚さが200nm 直径200nmの空気穴を420nmの周期で三角格子状に配置 | 120 230 |
| 2008年 8月号 | レーザ光で磁石になる新素材 | 東大 | 日経産業新聞 (2008年5月8日PP.11) | Co W ピリミジン -233℃で波長840nmの赤外線レーザをあてて磁石になる 532nmのレーザで磁石でなくなる | 120 230 |
| 2008年 6月号 | 書き換え1000億回を実現した256MbFeRAM向け新材料 | 東工大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年3月28日PP.1) | ビスマスフェライト サマリウムを6～10%添加 ゾルゲル法 非接触ICカード RFID | 120 230 |
| 2008年 5月号 | 記録容量20倍の次世代HD | クレステック | 日経産業新聞 (2008年2月7日PP.1) | パターンドメディア 記録容量は1Tb/in2 直径6インチのSi基板上の感光性樹脂に電子ビームで同心円状に直径10nmの微小な穴を開ける | 230 160 |
| 2008年 3月号 | 15nmNANDフラッシュメモリー用基本素子を試作 | 東芝 | 日経産業新聞 (2007年12月13日PP.12) 日本経済新聞 (2007年12月13日PP.12) | 100Gb級の集積度 フローティングゲートを挟む酸化膜を極薄化 微細化しても高速書込みと長期記録保持可能 | 160 230 |
| 2008年 3月号 | ギガビット級のMRAM | 日立 東北大 | 日経産業新聞 (2007年12月20日PP.1) | 記録層を2層に増やす スピン注入方式 積層フェリ構造 コバルト鉄ボロン ルテニウム 回路線幅45nm 小型メモリー素子 長期間保持 | 230 |
| 2008年 3月号 | 酸化鉄でReRAM素子 | 松下電器 | 日経産業新聞 (2007年12月26日PP.9) | 不揮発性メモリー 相転移 電気抵抗が最大10の5乗まで変化 180nmプロセス 書き換え耐性3万回以上 抵抗変化式メモリー 10nsで書込み可能 データ保持時間2000時間 | 120 230 160 |
| 2008年 2月号 | 記録容量20倍のHDD | 富士通 | 日経産業新聞 (2007年11月28日PP.1) | パターンドメディア 垂直磁気記録方式 記録密度4Tb/inch2超 酸化アルミ基板 | 160 230 |
| 2008年 2月号 | 高密度な光メモリー基本素子を作成 | 東大 | 日本経済新聞 (2007年11月19日PP.19) | フラッシュメモリーの一万倍の記録密度 近接場光 GaAs基板に径5～50nmの量子ドットを埋め込む 理論記録密度は10の15乗bit/inch2 | 120 160 230 |
| 2008年 1月号 | 容量2倍を実現するHDD高密度化技術 | 昭和電工 | 日経産業新聞 (2007年10月19日PP.1) | ディスクリートトラック 非磁性材料でトラックを挟む 記録密度3倍 記録トラックの横幅65nm ナノインプリントでトラックを成型 | 230 160 |
| 2008年 1月号 | MRAM電流制御技術 | 高エネ機構 東大 | 日刊工業新聞 (2007年10月29日PP.21) | SrTiO3基板にμm寸法の(La Sr)MnO3の薄膜をパターン加工 Spring-8 ステップ方向に磁場をかけると単磁区構造になる | 120 160 230 |
| 2007年12月号 | 書換え回数100倍のSSD | 日立超LSIシステムズ | 日経産業新聞 (2007年9月27日PP.1) | ソリッドステートディスク(SSD) NAND型フラッシュに記憶させるデータを選択 書換え上限は約10万回 | 230 620 |
| 2007年11月号 | 近接場光を利用した記録密度20倍の磁気記録装置用ヘッド骨格部 | セイコーインスツル | 日経産業新聞 (2007年8月3日PP.10) | サスペンションに光ファイバを取り付ける 領域20nm 1.8m/sで高速回転 37nm浮上 領域10nmにも対応 4Tbpi相当 | 120 230 |
| 2007年11月号 | 書込み速度10倍のフラッシュメモリー | 東工大 | 日経産業新聞 (2007年8月21日PP.10) | 電圧は1/3 NAND型フラッシュメモリー ハイK 人工分極積層 | 230 |
| 2007年11月号 | 有機分子にデータを蓄積する記録素子 | 中央大 | 日経産業新聞 (2007年8月28日PP.9) | 太陽電池の原理を活用 色素増感型 ルテニウム錯体 ホスホン酸基 酸化インジウムすず 新型のデータ記憶素子 | 230 120 |
| 2007年10月号 | 新磁気ヘッド -2.5インチHDD1TBに大容量化- | TDK | 日経産業新聞 (2007年7月24日PP.1) | 3.5インチHDDで2テラバイト ディスクリート・トラック・メディア(DTM) | 230 |
| 2007年 9月号 | 垂直磁気記録層を3層に -HDのデータ容量2倍に- | 富士電機デバイステクノロジー | 日経産業新聞 (2007年6月4日PP.19) | 2.5インチHD一枚で160GB | 230 |
| 2007年 8月号 | 容量10倍の磁気テープ -テープ1本で10TB- | 日立マクセル 東工大 | 日経産業新聞 (2007年5月18日PP.1) | 酸化鉄をArガス中での放電を利用して気化しスパッタ 磁性粒子10nm以下 記録層の厚さ1/10 | 130 160 230 |
| 2007年 8月号 | HDの容量を10倍にする磁気ヘッド向け要素技術 | 東芝 東北大 | 日経産業新聞 (2007年5月21日PP.8) | 高い磁気抵抗比 低い素子抵抗 ナノコンタクト MgOの基板上にNi-Feの電極 電極の数十nmの隙間をNi-Feでつなぐ 最も細い部分1nm幅 磁気抵抗比室温で140% | 120 230 |
| 2007年 7月号 | 600GBの100層光ディスク | イスラエルメンパイル メモリーテック | 日経産業新聞 (2007年4月5日PP.1) | 焦点調整 蛍光を感知 記録層1枚の厚さ5μm 焦点を結んだ部分以外の光を透過 | 230 |
| 2007年 6月号 | 鉄白金微粒子を基板上に成膜 -HDD容量10倍以上- | 東芝 | 日経産業新聞 (2007年3月27日PP.9) | 垂直磁気記録方式 CVD 酸化マグネシウム基板 直径5nmの微粒子 1.8インチHDDで1Tb | 130 160 230 260 |
| 2007年 6月号 | 1ナノで室温垂直磁化 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2007年3月16日PP.22) | 鉄プラチナ規則合金薄膜 円偏光X線 | 230 |
| 2007年 4月号 | 青紫色レーザで次世代DVD書込み | 三洋電機 | 日経産業新聞 (2007年1月11日PP.1) | 2層で6倍速 4層記録可能 レーザ光の強さを200mW HD-DVD BD 70℃で1000時間以上安定動作 | 230 250 |
| 2007年 4月号 | 次世代HD用酸化アルミ膜 | 山形富士通 富士通研 神奈川科学技術アカデミー | 日刊工業新聞 (2007年1月11日PP.27) | 酸化アルミニウム膜 ハードディスク 25nm間隔の穴 磁性金属 記録容量5倍以上 1Tbpi | 230 260 |
| 2007年 4月号 | HDDヘッド用光素子開発 | 富士通 富士通研 | 日経産業新聞 (2007年1月15日PP.19) | 照射部面積が縦88×横60nm 酸化タンタル 熱アシスト磁気記録ヘッド | 230 |
| 2007年 3月号 | PRAM駆動電力1/10 | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2006年12月13日PP.9) | 記録層と絶縁膜の間に厚さ2～3nmのTa2O5薄膜 記録時電流数百μA | 160 230 |
| 2007年 3月号 | 8枚積層4GbDRAM | NECエレクトロニクス エルピーダメモリ 沖電気 | 日経産業新聞 (2006年12月14日PP.1) | ワンチップ方式より開発期間を3～6年先行 チップを貫通する配線・電極 チップ間を最短距離で接続 | 230 260 |
| 2007年 3月号 | ハイビジョン放送を1500時間保存可能な次世代メモリー | パイオニア 東北大 | 日本経済新聞 (2006年12月15日PP.17) | 切手大のサイズ換算で10Tb以上の情報を記録 強誘電体プローブメモリー | 230 |
| 2007年 2月号 | Blu-Ray用画像圧縮技術 -高画質のまま1/125に- | 日本ビクター | 日経産業新聞 (2006年11月15日PP.11) | MPEG-4AVCハイプロファイル準拠 12Mbpsまで圧縮可能 処理時間1/3 | 230 520 |
| 2007年 1月号 | HDD磁気ヘッド用積層型光素子 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年10月19日PP.25) | 熱アシスト磁気記録方式 波長の15%に相当する88nm×60nmの光ビーム径 Si材料を用いて光の透過層を積層 波長400nmの光で17%の光利用効率 | 120 230 |
| 2006年12月号 | DRAMの消費電力を10%削減 -絶縁膜材料に水使用- | 日立 | 日刊工業新聞 (2006年9月14日PP.37) | Al2O3絶縁膜 成膜時間半減 シリコン酸窒化膜 漏れ電流抑制 界面の酸化を回避 酸化膜換算膜圧2.9nm | 230 160 |
| 2006年11月号 | 磁気ヘッド用素子 -次世代HDDに道- | 英日立ケンブリッジ研 英国立物理学研 英ケンブリッジ大 | 日経産業新聞 (2006年8月10日PP.7) | 記憶容量が数Tbを超えるHDDにつながる高性能素子 | 230 120 |
| 2006年10月号 | ホログラムディスク用記録材料 | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年7月13日PP.1) | 次世代DVDの10倍以上の容量 3次元記録 書換え可能 アゾベンゼン高分子 複屈折率0.28以上 厚さ3μm程度 | 120 130 230 |
| 2006年 9月号 | 次世代メモリー「MRAM」 -電流値1/10に微細化可能- | ソニー | 日本経済新聞 (2006年6月2日PP.15) | 磁性記録式随時書込み読出しメモリーの高集積化技術 電流の方向による書込み方式 試作4kbit | 230 |
| 2006年 9月号 | 128MbキャパシタレスDRAMの動作実証 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年6月19日PP.1) | 酸化膜埋込み基板(SOI)の浮遊ボディ(FB)に電荷を記憶 2倍の高密度と低コスト化 | 160 230 |
| 2006年 7月号 | 次世代半導体メモリー -蓄積電荷5倍の新材料を開発- | 東工大 富士通 | 日経産業新聞 (2006年4月3日PP.17) | FeRAM ビスマスフェライト(BFO)に微量のMnを加えた新材料 65nmまで微細化可能 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 折り曲げ自在な次世代メモリー | セイコーエプソン | 日本経済新聞 (2006年4月4日PP.13) | FeRAM 電子ペーパー ICタグ フッ素系ポリマー 厚さ0.1mmのプラスチック基板上 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 書き込み速度1000倍の次世代メモリー | 静大 シャープ | 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.1) | RRAM(抵抗式随時書込み読出しメモリー) TiNを活用 読出し時間20ns/bit 既存施設の利用可能 TiNの表面にTiO2薄膜 2V程度の電圧による抵抗値の変化利用 | 120 160 230 |
| 2006年 7月号 | 1TbitHDD向けパターン磁気記録技術 | 早大 | 日刊工業新聞 (2006年4月18日PP.33) | 湿式法 直径10nmの微細孔 直径2nmの有機シラン Co系合金 ドット径10～20nmの磁性ナノドットアレイ | 120 160 230 |
| 2006年 6月号 | 不揮発性強誘電体メモリー(FeRAM)新材料 -記憶保持能力を5倍に- | 東工大 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年3月24日PP.33) | ビスマスフェライト(BFO)にMnを加えて漏れ電流低減 65nm世代で256MB実現 | 120 230 |
| 2006年 5月号 | 超小型メモリーカード -メモリースティックマイクロ- | ソニー 米サンディスク | 日経産業新聞 (2006年2月7日PP.9) | 最大1GB 厚さ1.2mm 縦15mm 横12.5mm | 230 |
| 2006年 5月号 | 最速最大容量のMRAM | 東芝 NEC | 日経産業新聞 (2006年2月8日PP.11) | 記憶容量16Mb データ読み書き速度200MBps 電気抵抗約38%抑制 電源電圧1.8V | 230 |
| 2006年 5月号 | たんぱく質で半導体メモリー | 奈良先端大 松下電器 | 日刊工業新聞 (2006年2月9日PP.27) | 不揮発性半導体メモリー フローティングゲートにフェリチンを利用した直径7nmのCoOナノ粒子 フェリチンの外径13nm | 120 220 230 |
| 2006年 4月号 | 多ビット素子 -光制御の量子計算機に道- | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年1月18日PP.18) | GaAs基板に微細なInAsの量子ドット 数十～数百ビットの同時処理が可能 | 130 230 220 |
| 2006年 4月号 | 160GBの2.5インチ型HDD -垂直磁気記録方式- | 米シーゲート・テクノロジー | 日経産業新聞 (2006年1月26日PP.9) | 従来方式のHDDを40GB上回る 5400rpm | 230 |
| 2006年 3月号 | 立体構造トランジスタの製造技術
-32nmLSI実現へ- | 東芝 | 日経産業新聞 (2005年12月8日PP.10) | フィンFET ゲート長20nm 不純物によりリーク電流を抑圧 寸法のばらつきをなくし歩留まり向上 基板上に立てたチャネルをゲートが挟み込む構造 | 160 220 230 |
| 2006年 3月号 | 駆動電流を半減したPRAM | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2005年12月13日PP.8) | Ge・Sb・Teの金属間化合物にOを添加 0.1μmの薄膜素子 書込み電流100μA | 120 230 160 |
| 2006年 3月号 | 16倍速の二層式DVD向け有機色素 | 富士写真フイルム | 日経産業新聞 (2005年12月14日PP.8) | C・O・Nなどを合成 オキソライフと呼ぶ色素を基に開発 インバーススタック法 データ保存100年以上 隣接トラックへの熱の干渉を低減 ピットを作りやすくする機能 | 120 160 230 |
| 2006年 3月号 | 5TB目指す3.5インチ型HDDの大容量化 | 米日立GST | 日経産業新聞 (2005年12月15日PP.10) | ディスク表面の磁性層を細切れにする レーザでディスク表面を熱してデータ書込み | 230 160 |
| 2006年 3月号 | 印刷によりプラスチック基板上にメモリー素子作製 | 産総研 | 電波新聞 (2005年12月26日PP.5) | 全印刷フレキシブルデバイス FeFET 3×3アレイ 生体高分子材料 | 120 160 230 |
| 2006年 2月号 | 読出し速度30%高速化のSRAM -待機時漏れ電流1/100- | 日立 | 日刊工業新聞 (2005年11月1日PP.25) | ダブルゲート構造の完全空乏型埋込み酸化膜(FD-SOI) チップあたりの電池寿命20倍 背面ゲートに逆バイアス BOXを10mm | 160 230 |
| 2006年 2月号 | 磁気抵抗比55%のMRAM -パーマロイ系材料を使用- | 東芝 NEC | 日刊工業新聞 (2005年11月2日PP.26) | 磁気トンネル接合(MTJ)の磁気固定層にAl2O3のトンネル絶縁層を介してNiFeのパーマロイ系フリー層を積層 新キャップ層として非磁気層のNiFeZr 512KbMRAM試作 | 160 230 120 |
| 2006年 2月号 | 次世代光メモリー「RRAM」 -既存の電子材料- | NTT | 日経産業新聞 (2005年11月21日PP.10) | 抵抗式随時書き込み読み出しメモリー Bi4Ti3012の30～50nmの薄膜を電極で挟む ECRスパッタ法を利用 | 120 160 230 |
| 2006年 2月号 | 200GB光ディスク可能に -次世代DVDの4倍の記憶容量読出し技術- | リコー | 日本経済新聞 (2005年11月25日PP.15) | ハイビジョン放送であればディスク1枚で約18時間分の映像に相当 8層の光ディスク | 230 330 |
| 2006年 1月号 | 次世代メモリーPRAM | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2005年10月6日PP.1) | 1.5Vでデータの読み書き可能 厚さ100nmの薄膜をMOSトランジスタ上に配線 | 230 160 |
| 2006年 1月号 | 化学反応によるMRAMエッチング技術 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2005年10月19日PP.1) | 時間変調(TM)プラズマ 高周波電界の供給を数十μs間隔でパルス的に行う 負イオン 生成物の離脱・蒸着 MRAM0.15μm世代 | 160 230 |
| 2006年 1月号 | 金型でLSI製造 -線幅40ナノ回路に対応- | 凸版印刷 | 日経産業新聞 (2005年10月19日PP.3) | 従来の1/10の時間で作ることに成功 ナノインプリント 8インチウェハサイズ エッチングやメッキなどの工程を改良 | 160 220 230 |
| 2006年 1月号 | 超高速メモリー基本素子 | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年10月20日PP.12) | 磁気抵抗効果 LaとSrとMnからなる酸化物 絶対温度10℃で動作 磁場を加えると抵抗値が大きく低下 | 120 230 |
| 2005年12月号 | 16Gbフラッシュメモリー | サムスン電子 | 日経産業新聞 (2005年9月13日PP.3) | 回路線幅50nm フラッシュメモリー | 230 |
| 2005年12月号 | 記憶容量1TBの3.5インチHDD | 日立GST | 日経産業新聞 (2005年9月20日PP.1) | 垂直磁気記録方式 230Gb/in2 | 230 |
| 2005年12月号 | 2層式で初の書換え型HD DVD | リコー | 日経産業新聞 (2005年9月26日PP.9) | 30GB 1000回書換え可能 記録層を2枚張り合わせる技術を採用 | 230 160 |
| 2005年12月号 | 直径6nm強磁性微粒子 | 筑波大 | 日経産業新聞 (2005年9月27日PP.10) | HDD向け FePt 保磁力10Oe オレイン酸とオレイルアミンの混合液を使用 | 120 160 230 |
| 2005年11月号 | 発光の強さを熱制御できる有機化合物 | 東大 | 日経産業新聞 (2005年8月23日PP.7) | テルピリジン 発光強度に10倍の差 紫外線を当てると青色発光が板状と針状に変化し発光変化 熱で結晶構造可変 | 120 230 |
| 2005年10月号 | 100GB光ディスク | シャープ | 日刊工業新聞 (2005年7月8日PP.12) | 記録層を二層化 レーザ光からの情報ピットを読取る超解像機能膜に特殊金属酸化膜を使用 青色レーザ | 160 230 |
| 2005年10月号 | 最高のHD記録密度 | 富士電機HD | 日刊工業新聞 (2005年7月18日PP.7) | 垂直磁気記録方式 253GB/in2 | 160 230 |
| 2005年 9月号 | 大容量新記憶メディア -DVDの6倍- | オプトウェア | 日経産業新聞 (2005年6月7日PP.1) | 光ディスク クレジットカード大 コリニア式ホログラム技術 データ転送速度160Mbps ホログラフィック・バーサタイル・カード(HVC) | 230 430 |
| 2005年 9月号 | 25GBのライトワンス型BD-R -スピンコート法で有機色素材料成膜- | パイオニア 三菱化学メディア | 電波新聞 (2005年6月10日PP.1) | ジッタ6.0% 反射率40% 再生専用BDと同等の特性 | 230 530 160 |
| 2005年 9月号 | 携帯LCDにDRAM集積 | NEC NEC液晶テクノ | 日刊工業新聞 (2005年6月9日PP.1) | 1画素18ビットを12ビットに圧縮 スマートピクセルデータ符号化(SPC) 510kbで24万色の高階調 第3世代SOG | 160 250 230 |
| 2005年 9月号 | 1インチで10GBのHDD | 東北大 | 日刊工業新聞 (2005年6月15日PP.25) | 垂直磁気記録 1in2当たり1380億ビット 産学連携 | 230 |
| 2005年 9月号 | 新型ホログラム光ディスク | GE | 日経産業新聞 (2005年6月16日PP.1) | 理論容量5TB 熱可塑性プラスチック 射出成型 一層構造 | 230 120 160 |
| 2005年 9月号 | AG・ANDフラッシュメモリ -書込み20倍高速化- | 日立 ルネサステクノロジ | 日刊工業新聞 (2005年6月17日PP.25) | 書込み速度100ns以下 最上位電圧の書込み時間10%短縮 従来0Vのソース電圧を負にしてホットエレクトロンの発生と浮遊ゲートへの電子の引き込み効率を向上 定電荷注入書き込み方式をビット線切り替え技術で改良 | 230 160 |
| 2005年 9月号 | MRAM新型セル -2つのトンネル接合直列に- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年6月17日PP.25) | 磁気トンネル接合(MTJ) 高信頼性 歩留まり向上 読出しに電圧センス方式 | 230 |
| 2005年 9月号 | 超高密度垂直磁気媒体制作技術 -陽極酸化アルミナナノホールを1次元配列- | 山形富士通 富士通研 KAST | 日刊工業新聞 (2005年6月27日PP.28) | Alの表面をナノインプリント技術で規則的な凹凸をつけて陽極酸化 凹部にナノホール ナノホールにCoを電気メッキで充填 ピッチ25nmで1Tb/sq inch可能 パターンドメディア垂直磁気記録層 | 120 160 230 |
| 2005年 8月号 | 高密度HDD用ヘッドを開発 | TDK | 日経産業新聞 (2005年5月12日PP.6) | 再生用ヘッドにTMR素子 垂直磁気記録 150Gbit/inch2 単磁極構造 | 230 |
| 2005年 7月号 | 次世代磁気メモリー -消費電力同じで1万倍高速- | 東北大 日立 | 電波新聞 (2005年4月5日PP.1) 日刊工業新聞 (2005年4月5日PP.23) | MgOの絶縁膜をBを含むCoFe膜2枚で挟む 室温で磁気抵抗比287% 1Gb級MRAMに道 スパッタ法 TMR素子 | 120 230 |
| 2005年 7月号 | 100GB2.5型HDD試作 | 日立グローバルストレージテクノロジー | 電波新聞 (2005年4月6日PP.2) 朝日新聞 (2005年4月6日PP.11) | 230Gb/in2 3.5インチサイズで1TB視野 垂直磁気記録方式 | 160 230 |
| 2005年 5月号 | 微細孔1平方インチに400Gb | 群馬大 太陽誘電 日本ビクター | 日刊工業新聞 (2005年2月2日PP.1) | 超高密度ディスク用 外径20nm 電子描画技術 | 230 160 |
| 2005年 5月号 | 32nm世代の壁を越えた超微細化SRAM技術 | NEC | 日刊工業新聞 (2005年2月9日PP.1) | 読出しループを切ってデータを反転させない役割の素子 CMOSロジックとともに微細化・低電圧化に対応 面積9%増 | 160 230 |
| 2005年 5月号 | 半導体二重ナノリング | 物材機構 | 日経産業新聞 (2005年2月15日PP.8) | GaAs製 内側リング直径40～50nm 外側リング直径100nm 高さ4～5nm 分子線エピタキシ 2ビット/リングの記録素子 | 120 160 230 |
| 2005年 4月号 | 世界最高記録密度のハードディスク | 富士電機ホールディングス | 日経産業新聞 (2005年1月11日PP.7) | 記録密度162Gb/inch2(上付) 垂直磁気記録 グラニュラー構造 | 230 |
| 2005年 4月号 | 200GBのホログラム光ディスク | 日立マクセル 米インフェイズテクノロジーズ | 日経産業新聞 (2005年1月14日PP.1) | 5インチサイズ 転送速度20MBps 二光束干渉方式 干渉縞を3次元で記録 青色レーザ使用 | 230 430 |
| 2005年 4月号 | 待機電流1/20のDDR型DRAM | エルピーダメモリ | 日経産業新聞 (2005年1月17日PP.5) | DRAM内部にエラー訂正回路で電荷補充間隔延ばす 400Mbps製品の消費電流が25℃下で0.04mA | 230 |
| 2005年 4月号 | 強度ダイヤモンド並みの導電性炭素皮膜 -ハードディスク保護膜向け- | NTTアフティ | 日経産業新聞 (2005年1月27日PP.9) | 厚み約40nm 直径2～3nmの筒状炭素分子が林立 1000℃までの耐熱性 | 230 120 |
| 2005年 3月号 | 現行DVDとHD DVDを1枚で収録再生 | 東芝 メモリーテック | 日経産業新聞 (2004年12月8日PP.5) | 2層構造 | 160 230 530 |
| 2005年 3月号 | 垂直磁気記録方式の1.8インチ型HDD | 東芝 | 日経産業新聞 (2004年12月15日PP.5) | 容量80GBと40GB | 230 |
| 2005年 3月号 | トンネル絶縁膜厚さ2.7nmのフラッシュメモリー -二重接合技術で実現- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2004年12月17日PP.33) | 1nmの2枚のシリコン酸化膜で2nm径のシリコン微結晶をサンドウィッチ クーロンブロッケード効果 単一電子素子 | 160 230 |
| 2005年 3月号 | 線幅50nmのSRAM -誘電率高い新材料使用- | Selete | 日経産業新聞 (2004年12月21日PP.7) | 高温にさらす時間を1/100にして結晶化を防ぐ HfSiO 容量1Mb 漏れ電流0.1A以下/cm2(実効膜厚1.2nm) | 160 230 |
| 2005年 3月号 | Blu-ray DiscとDVDに対応した3層ディスク | 日本ビクター | 日刊工業新聞 (2004年12月27日PP.6) | BD1層とDVD2層の片面3層構造 再生専用ディスク 青色レーザを反射し赤色レーザを透過する高機能反射膜 | 230 |
| 2005年 2月号 | 容量4倍のMRAM | 産総研 科技機構 | 日経産業新聞 (2004年11月2日PP.9) | TMRの素子出力電圧550mV 4層構造 | 230 |
| 2005年 2月号 | 次々世代光ディスク -DVD1枚で映画100本分記録- | パイオニア | 日経産業新聞 (2004年11月8日PP.8) | 500GB記録可能 電子線描画 ピット間隔約70nm 感光性樹脂を塗った炭素基板 紫外線レーザ | 230 |
| 2004年12月号 | ギガビット級MRAM量産技術 | アネルバ 産総研 | 日経産業新聞 (2004年9月8日PP.10) | スパッタ成膜法 Si基板上 | 230 160 |
| 2004年12月号 | FeRAM最適結晶選別新技術 | 松下電器 | 日経産業新聞 (2004年9月15日PP.9) | 強誘電体薄膜に電子線照射 結晶粒の大きさや向きを検出 | 230 360 |
| 2004年12月号 | 次世代DRAM向け65nm対応キャパシタ -Nbで高性能化- | 日立 エルピーダメモリ | 日経産業新聞 (2004年9月16日PP.8) | Nb2O5とTaを積層 結晶化温度500℃ | 230 |
| 2004年12月号 | 光ディスクの記録原理解明 | 産総研 | 日経産業新聞 (2004年9月30日PP.8) | DVD X線解析 Ge原子 Spring-8 | 230 600 |
| 2004年12月号 | 1TB光ディスク向け新技術 -液晶で光の位相操作- | NHK | 日経産業新聞 (2004年9月30日PP.8) | ホログラム記録 現行DVD1枚と同サイズで映画120本分 | 230 430 |
| 2004年11月号 | 200GBホログラム光ディスク -動画を記録再生- | オプトウェア | 日経産業新聞 (2004年8月24日PP.1) | 大容量光ディスク コリニア方式 光学系の機構を簡素化可能 波長選択膜構造 | 230 430 |
| 2004年 9月号 | メモリーのDRAM新技術 -DRAM読出し時間を大幅短縮- | エルピーダメモリ | 日経産業新聞 (2004年6月29日PP.13) | 1ビット当たり二つのメモリーセル 読出し時間6ns以下 センスアンプの感度を1.7倍 | 230 |
| 2004年 8月号 | 磁気不揮発メモリー素子 -従来の1/100の電流で動作- | 東北大 | 日刊工業新聞 (2004年5月10日PP.21) 日経産業新聞 (2004年5月10日PP.7) | スピン素子 MRAM RuとCo90Fe10合金の二層構造 必要電流2×106A/㎝2 | 230 160 |
| 2004年 7月号 | スピンメモリー -電流のみで磁化反転- | 東北大 | 日経産業新聞 (2004年4月1日PP.9) 日刊工業新聞 (2004年4月1日PP.29) | 強磁性半導体 MRAM 従来より2～3桁少ない電流 Ga・AsにMn添加 -193℃ | 120 230 |
| 2004年 7月号 | 紙でできた次世代光ディスク | 凸版印刷 ソニー | 日経産業新聞 (2004年4月16日PP.5) 日刊工業新聞 (2004年4月16日PP.9) | Blu-ray 25Gb 紙比率51%以上 ポリカーボネイトを紙に染み込ませる | 230 |
| 2004年 7月号 | 単電子メモリーの新型素子 -1個の記憶容量5倍- 図使用 | NTT | 日経産業新聞 (2004年4月26日PP.9) | 単電子転送メモリー 配線幅35nm 動作温度-247℃ | 160 230 |
| 2004年 6月号 | 単結晶トンネル磁気抵抗素子(TMR) -記憶容量10倍- | 産総研 JST | 日経産業新聞 (2004年3月3日PP.8) 日刊工業新聞 (2004年3月3日PP.25) | MRAM 室温で磁気抵抗88% 出力電圧380mV MgO | 230 |
| 2004年 6月号 | スピンエレクトロニクスメモリー素子 | 東北大 | 日経産業新聞 (2004年3月22日PP.9) | TiO2にCo添加 MRAM | 230 |
| 2004年 5月号 | ホログラム応用の光メモリー | NTT | 日経産業新聞 (2004年2月13日PP.7) 日刊工業新聞 (2004年2月13日PP.28) 日本経済新聞 (2004年2月13日PP.17) | ホログラムの光学像 薄膜ホログラム インフォ･マイカ 切手サイズに1GB | 230 330 430 |
| 2004年 4月号 | 記録密度3倍のHDD用媒体 | TDK | 日経産業新聞 (2004年1月26日) | 1インチ角600Gbpi トラックピッチ90nm ディスク区リートトラック型垂直磁気記録媒体厚のポリイミド基板 曲率半径1cmまで丸め可能 | 160 230 |
| 2004年 4月号 | 磁力を光で直接制御 -書換え速度100倍- | 慶大 | 日経産業新聞 (2004年1月30日PP.9) | 常温動作 界面活性剤にアゾベンゼン1%添加 紫外線で磁力変化10% 可視光で元に戻る | 120 130 230 |
| 2004年 3月号 | HDD携帯型の規格統一 -デジタル家電向け- | 日立など31社 | 日本経済新聞 (2003年12月8日PP.1) | 高品位映像8時間以上 iVDR FD大 10mm厚 | 530 660 230 |
| 2004年 3月号 | DVDとHDDVD両方で記録再生するピックアップ | NEC | 日本経済新聞 (2003年12月19日PP.11) | 赤色レーザ 青色レーザ 波長の違いを内部調整しレンズを共通化 | 230 330 |
| 2004年 2月号 | 65nmプロセスSRAM | 米インテル | 日本経済新聞 (2003年11月26日PP.3) | ゆがみSi技術 高速インタコネクト 低誘電率絶縁材料 0.57μm2(上付)に4MB | 160 230 |
| 2004年 1月号 | 書き換え回数が無制限の不揮発SRAM | 富士通研 富士通 | 日刊工業新聞 (2003年10月17日PP.30) | 6T4C型 FRAM利用 電源オン・オフ時のみ不揮発性蓄積 | 230 |
| 2004年 1月号 | 350GB容量の光ディスク | 日立 | 日経産業新聞 (2003年10月31日PP.9) 日本経済新聞 (2003年10月31日PP.17) | 映画140時間分を1枚に レーザ光により結晶構造を変化させてアルカリ溶液によるエッチング 記録点40nm 読出し専用ディスク | 160 230 |
| 2003年11月号 | 200GB級光ディスク -記憶容量10倍に- | 産総研 サムスン電子 | 日経産業新聞 (2003年8月29日PP.9) 日刊工業新聞 (2003年8月29日PP.5) 日本経済新聞 (2003年8月29日PP.17) | 青色DVDの10倍 Tb Fe Co SiO2 ZnS 熱で薄膜が山形に盛り上がり記録 50nmの山が100nmの間隔 熱体積変化膜 記録技術のみ開発 | 160 230 |
| 2003年10月号 | 半導体スピンメモリー -電界アシストで書込み- | 東北大 | 日刊工業新聞 (2003年7月11日PP.5) 日経産業新聞 (2003年7月11日PP.7) | MIS型FET Mn添加のInAs 書込み磁力を大幅低減 | 230 |
| 2003年 9月号 | 超電導物質のメモリー素子 | 横国大 名大 超伝導工学研 通信総研 | 日経産業新聞 (2003年6月12日PP.7) | 半導体素子の10倍の速度 応答時間2～3ps 単一磁束量子回路 | 220 230 |
| 2003年 9月号 | 線幅90nmのフラッシュメモリー回路 | 東芝 米サンディスク | 日経産業新聞 (2003年6月12日) | 線幅90nm 2GbのNANDフラッシュメモリー用回路 | 230 |
| 2003年 9月号 | SOI基板にDRAM混載 | 東芝 | 日経産業新聞 (2003年6月16日) | 96kbDRAM SOIにはキャパシタ不要な記憶回路 | 230 160 |
| 2003年 9月号 | 新概念のメモリーセル | 日立 | 日刊工業新聞 (2003年6月17日PP.1) | MIM 2素子型メモリーセル 低電圧動作 | 230 160 340 |
| 2003年 8月号 | 次世代光ディスク
-現行設備で製造- | 東芝 | 日本経済新聞 (2003年5月9日PP.17) | AOD 片面二層 36GB | 230 |
| 2003年 8月号 | DVD多層記録技術
-映画200本分を1枚に- http://www.hitachi.co.jp/New/cnews/030516a.html | 日立 日立マクセル | 日本経済新聞 (2003年5月16日PP.15) | 透明導電性高分子薄膜を積層 電圧印加で青く発色 発色層で記録再生 記録層2層の基礎実験 200層で60μm厚 | 230 |
| 2003年 7月号 | 不揮発メモリー -絶縁膜にアルミナ採用- | 富士通研 | 日本工業新聞 (2003年4月3日PP.2) | ミラーフラッシュ 2b/セル記録 | 230 |
| 2003年 7月号 | 量子コンピュータ向け新素子 -電気的雑音に強い- | NEC デﾙフト工科大 | 日経産業新聞 (2003年4月11日PP.10) | 電磁石の電流の向きで情報を記録 情報の二重記録と電磁波により比率の制御 | 120 220 230 |
| 2007年 3月号 | PRAM駆動電力1/10 | 日立 ルネサステクノロジ | 日経産業新聞 (2006年12月13日PP.9) | 記録層と絶縁膜の間に厚さ2～3nmのTa2O5薄膜 記録時電流数百μA | 160 230 |
| 2007年 3月号 | 8枚積層4GbDRAM | NECエレクトロニクス エルピーダメモリ 沖電気 | 日経産業新聞 (2006年12月14日PP.1) | ワンチップ方式より開発期間を3～6年先行 チップを貫通する配線・電極 チップ間を最短距離で接続 | 230 260 |
| 2007年 3月号 | ハイビジョン放送を1500時間保存可能な次世代メモリー | パイオニア 東北大 | 日本経済新聞 (2006年12月15日PP.17) | 切手大のサイズ換算で10Tb以上の情報を記録 強誘電体プローブメモリー | 230 |
| 2007年 2月号 | Blu-Ray用画像圧縮技術 -高画質のまま1/125に- | 日本ビクター | 日経産業新聞 (2006年11月15日PP.11) | MPEG-4AVCハイプロファイル準拠 12Mbpsまで圧縮可能 処理時間1/3 | 230 520 |
| 2007年 1月号 | HDD磁気ヘッド用積層型光素子 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年10月19日PP.25) | 熱アシスト磁気記録方式 波長の15%に相当する88nm×60nmの光ビーム径 Si材料を用いて光の透過層を積層 波長400nmの光で17%の光利用効率 | 120 230 |
| 2006年12月号 | DRAMの消費電力を10%削減 -絶縁膜材料に水使用- | 日立 | 日刊工業新聞 (2006年9月14日PP.37) | Al2O3絶縁膜 成膜時間半減 シリコン酸窒化膜 漏れ電流抑制 界面の酸化を回避 酸化膜換算膜圧2.9nm | 230 160 |
| 2006年11月号 | 磁気ヘッド用素子 -次世代HDDに道- | 英日立ケンブリッジ研 英国立物理学研 英ケンブリッジ大 | 日経産業新聞 (2006年8月10日PP.7) | 記憶容量が数Tbを超えるHDDにつながる高性能素子 | 230 120 |
| 2006年10月号 | ホログラムディスク用記録材料 | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年7月13日PP.1) | 次世代DVDの10倍以上の容量 3次元記録 書換え可能 アゾベンゼン高分子 複屈折率0.28以上 厚さ3μm程度 | 120 130 230 |
| 2006年 9月号 | 次世代メモリー「MRAM」 -電流値1/10に微細化可能- | ソニー | 日本経済新聞 (2006年6月2日PP.15) | 磁性記録式随時書込み読出しメモリーの高集積化技術 電流の方向による書込み方式 試作4kbit | 230 |
| 2006年 9月号 | 128MbキャパシタレスDRAMの動作実証 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年6月19日PP.1) | 酸化膜埋込み基板(SOI)の浮遊ボディ(FB)に電荷を記憶 2倍の高密度と低コスト化 | 160 230 |
| 2006年 7月号 | 次世代半導体メモリー -蓄積電荷5倍の新材料を開発- | 東工大 富士通 | 日経産業新聞 (2006年4月3日PP.17) | FeRAM ビスマスフェライト(BFO)に微量のMnを加えた新材料 65nmまで微細化可能 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 折り曲げ自在な次世代メモリー | セイコーエプソン | 日本経済新聞 (2006年4月4日PP.13) | FeRAM 電子ペーパー ICタグ フッ素系ポリマー 厚さ0.1mmのプラスチック基板上 | 120 230 |
| 2006年 7月号 | 書き込み速度1000倍の次世代メモリー | 静大 シャープ | 日経産業新聞 (2006年4月7日PP.1) | RRAM(抵抗式随時書込み読出しメモリー) TiNを活用 読出し時間20ns/bit 既存施設の利用可能 TiNの表面にTiO2薄膜 2V程度の電圧による抵抗値の変化利用 | 120 160 230 |
| 2006年 7月号 | 1TbitHDD向けパターン磁気記録技術 | 早大 | 日刊工業新聞 (2006年4月18日PP.33) | 湿式法 直径10nmの微細孔 直径2nmの有機シラン Co系合金 ドット径10～20nmの磁性ナノドットアレイ | 120 160 230 |
| 2006年 6月号 | 不揮発性強誘電体メモリー(FeRAM)新材料 -記憶保持能力を5倍に- | 東工大 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2006年3月24日PP.33) | ビスマスフェライト(BFO)にMnを加えて漏れ電流低減 65nm世代で256MB実現 | 120 230 |
| 2006年 5月号 | 超小型メモリーカード -メモリースティックマイクロ- | ソニー 米サンディスク | 日経産業新聞 (2006年2月7日PP.9) | 最大1GB 厚さ1.2mm 縦15mm 横12.5mm | 230 |
| 2006年 5月号 | 最速最大容量のMRAM | 東芝 NEC | 日経産業新聞 (2006年2月8日PP.11) | 記憶容量16Mb データ読み書き速度200MBps 電気抵抗約38%抑制 電源電圧1.8V | 230 |
| 2006年 5月号 | たんぱく質で半導体メモリー | 奈良先端大 松下電器 | 日刊工業新聞 (2006年2月9日PP.27) | 不揮発性半導体メモリー フローティングゲートにフェリチンを利用した直径7nmのCoOナノ粒子 フェリチンの外径13nm | 120 220 230 |
| 2006年 4月号 | 多ビット素子 -光制御の量子計算機に道- | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年1月18日PP.18) | GaAs基板に微細なInAsの量子ドット 数十～数百ビットの同時処理が可能 | 130 230 220 |
| 2006年 4月号 | 160GBの2.5インチ型HDD -垂直磁気記録方式- | 米シーゲート・テクノロジー | 日経産業新聞 (2006年1月26日PP.9) | 従来方式のHDDを40GB上回る 5400rpm | 230 |
| 2003年 6月号 | 強誘電体メモリー -BLTで1Gb級に道- | 東工大 新機能素子研究開発協会 | 日刊工業新聞 (2003年3月4日PP.4) | ビスマス･ランタン・チタン酸化物(BLT)を低温焼成 残留分極値27μC/cm2 | 130 230 |
| 2003年 6月号 | 低消費電力メモリー -情報読出し正確に- | NEC | 日本経済新聞 (2003年3月7日PP.17) | MRAM 記録速度20-100Mbps 記憶容量512kb | 230 |
| 2003年 6月号 | ICタグ -標準化団体「ユビキタスIDセンター」設立- | ユビキタスIDセンター | 日本経済新聞 (2003年3月8日PP.11) | ユビキタスIDセンター 規格名「ユビキタスID」 ICタグ | 230 530 340 |
| 2003年 4月号 | 速度100倍の新型メモリー | シャープ | 日経産業新聞 (2003年1月15日PP.3) | 不揮発性メモリー モバイル機器向け 電気抵抗の変化が10～1000倍 電気抵抗値メモリー材料 | 130 230 |
| 2003年 3月号 | DRAM混載システムLSI -65nm世代プロセス- | 東芝 ソニー | 日刊工業新聞 (2002年12月4日PP.8) 電波新聞 (2002年12月4日PP.1) | SoC向け スイッチング速度0.72ps(NMOS) 1.41ps(PMOS) 0.6μm;2のメモリーセル | 220 230 160 |
| 2003年 3月号 | 容量DVDの300倍の光ディスク | 松下電器 リコー 阪大 パイオニア 三菱化学 アイシン精機 九大 静岡大 | 日本経済新聞 (2002年12月22日PP.1) | 直径12cm 容量1.5TB 150GB/層 光多重層記録技術 2時間の映画が300本 | 230 |
| 2003年 1月号 | ガラス表面にホログラフ書込み再生 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2002年10月11日PP.5) | フェムト秒レーザ 立体像の再生 | 230 430 |
| 2003年 1月号 | 光ディスク -容量250GB開発にメド- | 東芝 パイオニア 日本サムスン 日本ビクター シャープ TDK パルステック工業 産総研 | 日本経済新聞 (2002年10月18日PP.17) | スーパーレンズ 4nmPtO薄膜 青色レーザ80GB・赤色レーザ60～70GB ディジタルハイビジョン映像を20時間録画可能 ライトワンス | 230 330 |
| 2003年 1月号 | 超小型大容量磁気ディスク -ナノ媒体応用 100円玉大- | NHK | 日経産業新聞 (2002年10月28日PP.8) | グラニュラー垂直媒体 100円玉サイズでディジタルハイビジョン番組を2時間以上録画 20GB以上記録，垂直磁気記録，記録ビット長30nm以下 | 230 330 |
| 2002年12月号 | ホログラフィックメモリーの暗号化技術 | 東大 米コネチカット大 | 日刊工業新聞 (2002年9月12日PP.11) | 光学的暗号化 ランダム位相マスク | 230 |
| 2002年12月号 | 量子レジスタ | 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2002年9月12日PP.4) | 量子コンピュータ Si同位体の核スピンを利用 デコヒーレンス時間0.4秒 振動回数3000万回を室温で達成 | 120 230 |
| 2002年12月号 | 量素ドット中の電子スピン保持時間0.2msに | 科学技術振興事業団 NTT | 日刊工業新聞 (2002年9月19日PP.4) | 保持時間1msにメド 人工原子中の電子スピンで実現 電気的ポンププローブ法 | 120 230 |
| 2002年12月号 | Agナノ粒子を均一成形 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2002年9月19日PP.4) 日経産業新聞 (2002年9月27日PP.10) | 光ディスク上に均一成形 ナノ粒子ナノワイヤを3次元形成 粒径20～30nm | 230 160 |
| 2002年11月号 | 紫外線でSBT薄膜の結晶構造を制御 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2002年8月20日PP.1) | 強誘電体メモリー 化学溶液法製膜プロセス | 160 230 |
| 2002年11月号 | 次世代DVD新規格 | 東芝 NEC | 日本経済新聞 (2002年8月24日PP.1) 日本経済新聞 (2002年8月24日PP.14) 朝日新聞 (2002年8月24日PP.3) 日本経済新聞 (2002年8月30日PP.13) | 二重の記録層の凹凸にデータを焼き込む ディジタルハイビジョンを5時間余り 片面2層40GB 保護層0.6mm厚 DVDフォｰﾗムに公開 ランドグループ方式 405nm青色レーザ | 230 530 |
| 2002年10月号 | 「ブルーレイ」用ディスク -互換性高い追記型- | パイオニア | 日刊工業新聞 (2002年7月3日PP.9) | 光ディスク ブルーレイ追記型 | 230 330 530 |
| 2002年10月号 | 有機フィルム使う記録素子 1行紹介 | 米カルフォルニア大 | 日経産業新聞 (2002年7月3日PP.9) | 高速動作 数日間データ保持 書換え300万回 | 130 230 |
| 2002年10月号 | 近接場光記録 -読出し原理実証- | 東工大 | 日刊工業新聞 (2002年7月8日PP.7) | 面発光レーザ(VCSEL)分布ブラッグ反射層 SNOMプローブの2次元像 200nm以下の分解能 テラバイト級データストレージ技術 | 230 250 330 |
| 2002年10月号 | 「スピン偏極共鳴トンネル効果」発見 -新機能素子実現に道- | 産業総研 科学技術振興事業団 | 日本工業新聞 (2002年7月12日PP.2) 日本経済新聞 (2002年7月12日PP.17) | スピン偏極共鳴トンネル効果 厚さ3μmのCuと単結晶Co 素本偏極量子井戸準位確認 | 120 220 230 |
| 2002年10月号 | 次世代DVD -容量4倍パソコン用で標準目指す- | NEC | 日刊工業新聞 (2002年7月16日PP.1) | 光ディスク 405nm青色半導体レーザ 片面最大20.5GB・32Mbps DVDとの互換制を重視 保護層厚0.6mm カートリッジ不要 | 230 330 530 |
| 2002年10月号 | ギガビットMRAMに道 -形状に依存せずに微細化 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2002年7月22日PP.1) | 低磁界スピン反転法 サンドイッチ構造 人工の反強磁性層 | 230 |
| 2002年10月号 | ホログラフィックメモリー -DVD200枚分記録 書換え自在に- | 富士ゼロックス | 日本工業新聞 (2002年7月24日PP.1) | ホログラフィックメモリー 高分子の並び方で記録 演算機能 ポリエステル系高分子 | 230 |
| 2002年10月号 | 電流 一定方向に電子の自転利用の新素子 | 東大 NTT JST | 日経産業新聞 (2002年7月26日PP.13) 日刊工業新聞 (2002年7月26日PP.5) | 単一スピンダイオード スピンメモリー 量子コンピュータの出力装置 スピンデバイス 直径0.5μm長さ0.5μmの円筒状 GaAs GaInAs 極低温 電圧2～6mVで0.1nA | 220 230 |
| 2002年 9月号 | 3次元メモリー -角砂糖大に1TB記録- | 大阪大 | 日経産業新聞 (2002年6月13日PP.1) | 3次元多層光メモリー | 230 |
| 2002年 9月号 | 90ナノ世代システムLSIプロセス技術 -世界最小SRAMセル内蔵- | 三菱電機 松下電器 | 電波新聞 (2002年6月13日PP.1) | 140万トランジスタ/mm2 SRAMセルサイズ1.56μm×0.64μm KrF露光 90nmプロセス | 220 230 |
| 2002年 9月号 | SRAM回路 -0.4Vで安定動作- | 日立 | 日経産業新聞 (2002年6月17日PP.10) | 記録領域だけ電圧を高める 動作時140μW 32KB | 230 |
| 2002年 9月号 | LSIの識別技術 -電子指紋で識別- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (2002年6月21日PP.10) | 人工指紋デバイス PolySiTFTのバラッキ利用 | 220 230 |
| 2002年 9月号 | 新観察技術 -磁気ヘッドの記録磁界分布をnmスケールで可視化- | 日立 | 電波新聞 (2002年6月25日PP.2) | ヘッド表面から30nm領域の記録磁界を可視化 透過型電子顕微鏡 | 660 230 360 |
| 2002年 8月号 | 垂直磁気記録実用化へ-500円玉大ディスクに新聞25年分- | 日立 | 日本経済新聞 (2002年5月1日PP.1) | 垂直磁気記録 107Gb/in2 0.14μmヘッド | 230 210 |
| 2002年 8月号 | 繊維混ぜ込み偽造防止 | ニッパツ | 日本経済新聞 (2002年5月3日PP.13) | 磁気繊維 ICカード 磁気パターンとIC内の情報を照合 | 230 260 430 520 |
| 2002年 8月号 | スピンバルブトランジスタ-室温動作に成功- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年5月16日PP.1) | 室温でMR比200% 磁気ヘッド SVT(スピンバルブトランジスタ) | 230 |
| 2002年 8月号 | 大容量磁気記録技術 -微粒子1個に現在の25倍- | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年5月17日PP.17) | パターンドメディア | 230 |
| 2002年 8月号 | 64Mbフラッシュメモリー | 富士通 米AMD | 日経産業新聞 (2002年5月20日PP.6) | 1つの記憶回路に2つの電子保持領域 NOR型 ミラーフラッシュ | 230 |
| 2002年 8月号 | 光多層記録で基礎技術 -容量DVDの100倍に- | リコー 阪大 | 日経産業新聞 (2002年5月28日PP.9) | 高分子ジアリールエテン層 二光子吸収 300～1000Gバイト フェムト秒レーザを照射 2010年頃 | 120 130 230 |
| 2002年 7月号 | AND型フラッシュメモリー | 日立 | 日経産業新聞 (2002年4月3日PP.7) | メモリー管理機能・誤り訂正回路内蔵 128Mb | 230 |
| 2002年 7月号 | リング状磁性体素子 - 100ギガMRAM可能に ポストDRAMとして有力 - (NO30と合わせる) | 阪大 | 日本経済新聞 (2002年4月8日PP.25) | リング状磁性体 直径0.5μm | 130 230 |
| 2002年 7月号 | 35GBの光ディスク - 容量DVDの7倍 - | NEC | 日本経済新聞 (2002年4月12日PP.17) | 波長405nm 直径12cm | 230 330 |
| 2002年 7月号 | 単電子スピンバルブ | 米ベル研 NEC北米研 カナダシモン・フレーザー大学 | 日刊工業新聞 (2002年4月19日PP.5) | 自己組織単分子膜室温で30%以上のGMR | 120 210 230 |
| 2002年 7月号 | 次世代メモリーMRAM -1Gb以上に- | 産総研 | 日本経済新聞 (2002年4月26日PP.17) 日刊工業新聞 (2002年4月26日PP.5) | 抵抗値変化幅従来の3倍 厚さ1nmのFe単結晶薄膜 TMR素子をシリコンLSI上に作製 | 210 230 |
| 2002年 6月号 | 単電子素子を用いた多値動作メモリー | NEC | 日刊工業新聞 (2002年3月5日PP.1) | 単電子素子11値の多値メモリー SET -269℃での動作確認 二重ゲート構造 | 230 |
| 2002年 6月号 | 割れにくいガラス基板 | 日立 | 日本経済新聞 (2002年3月15日PP.17) | 磁気ディスク用ガラス基板 50GB/in2 ガラス内に直径10nmの結晶 | 130 230 |
| 2002年 6月号 | SNOMを使い100nm記録ピットを観測 | リコー | 日刊工業新聞 (2002年3月27日PP.7) | 走査型近接場光顕微鏡(SNOM) 偏光制御機構 光源780mm | 230 360 |
| 2002年 6月号 | 二重にTMRを用いたMRAM | 東芝 | 日刊工業新聞 (2002年3月29日PP.6) | 抵抗変化率の落込みを半減 高出力化 信号出力電圧200mV | 230 |
| 2002年 5月号 | 強誘電体デバイス -記憶と論理演算を同時に- | 東北大 ローム | 電波新聞 (2002年2月4日PP.1) | 機能パスゲート 0.6 μm 1ポリ1メタル Pb(Zr Ti)O 薄膜 | 220 230 |
| 2002年 5月号 | 小型メモリー素子 -DRAM 後の中核技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年2月8日PP.17) | システムLSI DRAM トランジスタ下にキャパシタ 消費電力2.5倍 面積半分に | 220 230 |
| 2002年 5月号 | 1Gbフラッシュメモリー | 東芝 サンディスク | 日経産業新聞 (2002年2月8日PP.9) | NAND型 1MBps書込み・読出し 0.13μm加工 チップ面積125m | 230 |
| 2002年 5月号 | 1TB光ディスク -映画120本分- | オプトウェア | 日経産業新聞 (2002年2月14日PP.1) | 駆動装置 3次元記録 ホログラム記録技術 光を変調器で格子状に分割 1Gbpsディスク直径12cm | 230 330 |
| 2002年 5月号 | DVDに世界規格 -次世代光ディスク規格統一- | 松下電器 ソニー 日立 パイオニア シャープ 蘭フィリップス 仏トムソン・マルチメディア 韓サムソン電子 韓LG電子 | 日本経済新聞 (2002年2月16日PP.13) 日本経済新聞 (2002年2月16日PP.1) 日本経済新聞 (2002年2月20日PP.14) 電波新聞 (2002年2月22日PP.15) 学会誌4月号 (0年0月0日) | 波長405nm青紫色レーザ Blu-rayDisc 片面27GB 直径12cm ピックアップ | 330 230 530 |
| 2002年 4月号 | 次世代大容量書換え型光ディスク | 東芝 | 電波新聞 (2002年1月8日PP.1) 日経産業新聞 (2002年1月8日PP.9) 日刊工業新聞 (2002年1月8日PP.13) 日本工業新聞 (2002年1月8日PP.5) | 30GB直径120mm光ディスク 波長405nmの青色レーザ ランドグルーブ方式 PRML技術 UDF カバー層厚0.1mm | 230 330 |
| 2002年 4月号 | 光ディスク用ピックアップ -受光と光学素子一体化- | パイオニア | 日経産業新聞 (2002年1月11日PP.6) | 集積回路 光ICピックアップ 短冊状の切込み 切込みは凸レンズ状の曲線 工程1/10 | 210 230 |
| 2002年 3月号 | MRAM -ギガ級可能に- | NEC | 日経産業新聞 (2001年12月4日PP.1) | 縦0.1μm横0.6μmの基本構造 消費電力DRAMの1/10 | 230 |
| 2002年 3月号 | 16GBフラッシュメモリー -2006年にも達成 容量10倍以上に- | シャープ 東北大 | 日本経済新聞 (2001年12月7日PP.15) | 微細円柱の周囲にセル素子 多段重ねで高密度化 セルを2段積んだ素子を試作 | 230 160 |
| 2002年 3月号 | 4層構造のスタックドCSP | シャープ | 日経産業新聞 (2001年12月19日PP.6) | 64Mbと16Mbフラッシュメモリー+16Mbと4Mb SRAM 100μm/chip パッケージサイズ8×11×厚さ1.4mm | 230 260 |
| 2002年 1月号 | 2層で50GBの書換え光ディスク装置 -記憶容量10倍に- | 松下電器 | 日刊工業新聞 (2001年10月3日PP.1) 日経産業新聞 (2001年10月16日PP.9) 電波新聞 (2001年10月16日PP.1) 日本工業新聞 (2001年10月16日PP.5) | 青色レーザSHG 50GB 保護層0.1mm 深層記録方式 片面2層 相変化材料 直径12cm Ge・Sb・Te | 230 330 |
| 2002年 1月号 | 次世代DVD用対物レンズ -新型光ヘッド開発- | 日立 旭光学 | 日経産業新聞 (2001年10月12日PP.8) 日刊工業新聞 (2001年10月12日PP.11) 電波新聞 (2001年10月12日PP.1) | 片面2層に読み書き可能 100GB高密度記録 高屈折率ガラス 単レンズ 屈折率可変液晶 レンズディスク間隔 0.7mm 外径5mm NA0.85 レーザ光焦点を自動補正 | 210 230 250 |
| 2002年 1月号 | MOの記録密度増幅技術 | 三洋電機 日立マクセル | 日経産業新聞 (2001年10月24日PP.7) | 磁区拡大再生技術 赤色レーザでDVDの2.2倍青色レーザで7.5倍の記録密度 iDフォーマット1.3GB | 230 |
| 2001年12月号 | 次世代光ディスク加工技術 -DVDの容量20倍に 赤色半導体レーザ利用- | シャープ 産総研 TDK | 日経産業新聞 (2001年9月11日PP.13) | 原盤加工 吸光発熱薄膜 熱疑固薄膜 幅100nmの線 直径80nmの突起 | 230 160 |
| 2001年11月号 | ICカード用LSI -FeRAMを量産化- | 富士通 | 日本経済新聞 (2001年8月3日PP.13) 日経産業新聞 (2001年8月3日PP.7) 電波新聞 (2001年8月3日PP.1) 日刊工業新聞 (2001年8月3日PP.10) | FeRAM RISCCPU 0.35μmプロセス | 220 230 |
| 2001年11月号 | 書き替え可能光メモリ- -DVDの1万倍容量を可能- | 京大 | 日刊工業新聞 (2001年8月7日PP.6) | 書き替え可能光メモリー DVDの約1万倍 37Tb/ 3 直径200nmのスポットに記録 100nm間隔立で体的に記録 サマリウムイオン フェムト秒レーザ | 130 230 |
| 2001年11月号 | 低消費電力DRAM | 日立 | 日経産業新聞 (2001年8月21日PP.7) | クリアモード/キャッシュモード適応選択 オンチップ制御回路 | 230 |
| 2001年11月号 | 記録密度25倍ハードディスク -HDに高密度記録- | 富士通研 東芝 | 日経産業新聞 (2001年8月21日PP.6) 日本経済新聞 (2001年8月31日) | 100Gb/inch2磁気記録 記憶層の結合力強化 ハードディスク 記録密度 200～500Gb/inch2 磁気ヘッド FeCo合金巨大磁気抵抗効果 0.1mm精度で積層磁気ヘッド製造技術 | 230 |
| 2001年11月号 | 複合メモリー | シャープ | 日経産業新聞 (2001年8月27日PP.5) | フラッシュメモリーとRAMの一体化 64Mb フラッシュ×2と32Mb RAM×1をパッケージ スタックドCSP 8mm×11mm | 230 260 |
| 2001年 8月号,9月号 | 加工容易なキャパシタ | エルピーダメモリ 日立 | 日経産業新聞 (2001年6月22日PP.17) | Ru利用 線幅0.13μmの加工 DRAM | 160 230 |
| 2001年 8月号,9月号 | 137GB容量の壁破るHDD -開発プロジェクト発足- | 米マックストア | 電波新聞 (2001年6月29日PP.5) | 144PB(ペタバイト)まで 次世代ATA | 530 230 |
| 2001年 7月号 | 半導体チップ多段積層技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (2001年5月4日PP.11) | 放熱ギャップ チップonチップ | 230 260 |
| 2001年 7月号 | 光多層記録媒体 -容量DVDの10倍- | 静岡大 豊田中研 | 日経産業新聞 (2001年5月10日PP.9) | ウレタン・ウレア 記録媒体全体の厚さ20μm 記録容量約50GB(DVDと同じ大きさ) フェムト秒レーザで記録 光化学反応 10層の記録層 高分子材料 3種の偏光で3情報記録可 | 230 330 |
| 2001年 7月号 | DVD+Rの新規格 | 蘭フィリップス ソニー リコー 米HP ヤマハ 三菱化成 仏トムソン | 日経産業新聞 (2001年5月22日PP.8) | 一度だけ書込み可能なDVDのレコード規格策定 | 530 230 |
| 2001年 6月号 | 1テラビット級HDD媒体 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2001年4月5日PP.1) | FePt規則合金 Cuを添加 300℃以下の熱処理 4～5Kエルステッド HDD 記録容量1Tb級 Co Cu 白金合金 | 230 130 |
| 2001年 6月号 | 強誘電体メモリー材料 | 東工大 東大 | 日刊工業新聞 (2001年4月18日PP.5) 日刊工業新聞 (2001年4月26日PP.6) | FeRAM SBT 570℃でエピタキシャル成長 BLT 540℃でエピタキシャル成長 | 130 230 |
| 2001年 6月号 | 次世代光ディスク -容量DVDの5倍- | NEC | 日経産業新聞 (2001年4月19日PP.8) | 25GB大容量光ディスク 青色レーザダイオ-ド光ヘッド 情報転送速度50Mbps | 230 330 |
| 2001年 6月号 | 次世代光メモリー -DVDの2500倍実現- | セントラル硝子 京大 | 日刊工業新聞 (2001年4月20日PP.1) | 1cm3に8Tb ガラスにフェムト秒でレーザ照射 希土類元素の価数が変化 波長680nm 光メモリー | 230 130 430 |
| 2001年 5月号 | 3.5インチ形MO装置 ｰ2.3GBに拡張- | 富士通 ソニー | 電波新聞 (2001年3月22日PP.2) 日経産業新聞 (2001年3月26日PP.7) | GIGAMO 2.3GB 個別ID | 230 330 |
| 2001年 4月号 | 消費電力1/10の新形SRAM | 東大 | 日経産業新聞 (2001年2月20日PP.9) | 低消費電力形SRAM 不良セルの特定 チップサイズ増が1%未満 | 230 |
| 2001年 3月号 | 最大200GBの記録技術 | 松下電器 | 日経産業新聞 (2001年1月25日PP.1) | 最大記録容量200GB サーボトラック信号の短時間書込み 磁気転写 半導体露光技術 3.5インチ/ディスク | 160 230 |
| 2001年 3月号 | 不揮発性メモリー材料 -分極特性で最高値- | 東大 | 日本工業新聞 (2001年1月19日PP.29) | 不揮発性メモリー BLMS 強誘導体メモリー チタン酸ビスマス BiTiO3 45μクーロン/cm2 | 230 130 |
| 2001年 3月号 | 3次元メモリー試作 | 東北大 | 日経産業新聞 (2001年1月16日PP.7) | 1層あたり4kb 3層 情報共有 | 230 |
| 2001年 2月号 | 単一電子素子で開発競争 | 東芝 NTT | 日本経済新聞 (2000年12月16日PP.15) | 単一電子素子 常温作動 | 230 220 |
| 2001年 2月号 | MRAM向け成膜装置 | アネルバ | 日経産業新聞 (2000年12月4日PP.9) | 直径8inウェハ 1nm以下の磁性膜 真空技術 | 230 160 |
| 2001年 1月号 | W-CDMA用増幅素子 -面積1/5に- | シャープ | 日経産業新聞 (2000年11月6日PP.1) | GaAs 広帯域符号化分割多重接続(W-CDMA)方式 1.9GHz帯 消費電力20%減 従来の1/5に小形化 | 220 230 |
| 2000年12月号 | 量子トッドメモリーー -電界 光で電荷制御に成功- | 富士通 | 日刊工業新聞 (2000年10月5日PP.6) | 量子ドットメモリー(QD) 正四面体溝(TSR) GaAs 縦形高電子移動トランジスタ(HEMT) 多値記憶 | 230 |
| 2000年12月号 | 新規格ディスク装置 -記憶容量DVDの5倍- | ソニー | 日刊工業新聞 (2000年10月4日PP.1) | DVRブルー 22.5GB 相変化(PC)方式 波長405nm青色レーザ DVD | 230 250 530 330 |
| 2000年11月号 | ホログラフィックメモリー用高性能材料と小形記録再生システム | 科学技術庁無機材研 パイオニア | 電波新聞 (2000年9月22日PP.1) 日刊工業新聞 (2000年9月22日PP.9) | ホログラフィックメモリー 多重記録 角度多重記録 ニオブ酸リチウム単結晶 鉄 テルビウム 紫外線 | 230 430 130 |
| 2000年11月号 | 導波路一体形光ヘッドスライダ | 東大 | 日本工業新聞 (2000年9月19日PP.19) | 光ディスク 近接場 紫外線硬化エポキシ樹脂 | 230 |
| 2000年11月号 | 光スポットのゆがみを自動補正 | 日立 | 日経産業新聞 (2000年9月7日PP.9) | 光ディスク 光学ヘッド 可動レンズ 液晶素子 | 230 630 |
| 2000年11月号 | 記録形DVD用赤色半導体レーザ -世界最高の80mW達成- | 三洋電機 | 日本工業新聞 (2000年9月1日PP.9) | 赤色半導体レーザ 単一横モード AlGaInP結晶 | 250 230 |
| 2000年10月号 | HD容量上げる微細加工技術 -容量10倍超へ- | 東芝 | 日本経済新聞 (2000年8月19日PP.13) | 高分子材料 自己組織化 ナノテクノロジー 単一電子トランジスタ ハードディスク | 160 230 |
| 2000年 9月号 | CD-ROM/R/RW倍密化で新規格策定 | ソニー | 日刊工業新聞 (2000年7月6日PP.13) | DDCD 1 | 3GB 530 230 |
| 2000年 9月号 | 室温中磁場で抵抗10倍以上変化する新素子 | アトムテクロノジー研究体 東大 | 日経産業新聞 (2000年7月4日PP.13) | マンガンアンチモン合金の集合体 GaAs 磁気抵抗効果 電気抵抗70倍変化 光にも反応 | 230 120 |
| 2000年 8月号 | 新形HDD | 日本IBM | 読売新聞 (2000年6月22日PP.1) | マイクロドライブ ハードディスクドライブ | 230 |
| 2000年 8月号 | 8値フラッシュメモリー -書込み速度2倍に- | 日立 | 電波新聞 (2000年6月15日PP.6) | 8値フラッシュメモリー 選別ベリファイ回路 | 230 |
| 2000年 8月号 | 201GBの大容量ディスク -電子線で書込み- | パイオニア | 日本経済新聞 (2000年6月10日PP.15) | 記録再生25GB 記録のみ201GB 電子線 青色レーザ 光ディスク DVD | 230 |
| 2000年 7月号 | 世界最速の次世代光ディスク -記録レート70Mbps- | TDK | 日刊工業新聞 (2000年5月30日PP.6) | 次世代光ディスク 記録レート70Mbps 青色レーザ 相変化 | 230 |
| 2000年 7月号 | 2倍の情報録画・再生する技術 -赤色レーザ使って実現- | NEC | 日経産業新聞 (2000年5月17日PP.1) | 書換え可能形光ディスク 記録容量10GB 直径12cm 読取りエラー軽減 ズレ検出装置 多層構造 | 230 330 |
| 2000年 7月号 | 光磁気ディスク -記録情報30倍に- | 日大 日立マクセル 富士通 三洋電機 シャープ | 日本経済新聞 (2000年5月15日PP.17) | 光磁気ディスク 64Gb/in2 青色レーザ | 230 |
| 2000年 6月号 | 熱方式で56Gb/in2を記録する新媒体 | 富士通 | 日経産業新聞 (2000年4月7日PP.5) | 56Gb/in2 安定化層 | 230 130 |
| 2000年 6月号 | 垂直磁気記録技術 -面内を超える高密度- | 日立 超先端電子技術開発機構(ASET) | 日経産業新聞 (2000年4月6日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年4月6日PP.6) | GMRヘッド 単磁極形薄膜ヘッド 垂直磁気記録 52.5Gb/in2 2層膜垂直媒体 | 230 130 |
| 2000年 5月号 | ROMディスク -光学系変えずに密度4倍- | TDK | 電波新聞 (2000年3月24日PP.1) 日本工業新聞 (2000年3月24日PP.7) | 反射膜 半導体材料 超解像 CD DVD | 230 |
| 2000年 5月号 | 直径50.8mmの小形・高密度光磁気ディスク | シャープ ソニー | 日経産業新聞 (2000年3月24日PP.10) 電波新聞 (2000年3月24日PP.1) | 光磁気ディスク 小形・高密度 直径50.8mm 赤色レーザ 1GB | 230 |
| 2000年 5月号 | ヘリカルスキャン用MRヘッド -MR素子を磁気テープ装置用再生ヘッドに採用- | アルプス電気 | 電波新聞 (2000年3月15日PP.6) | MR素子 磁気テープ装置 再生ヘッド ヘリカルスキャン 1Gb/in2 MRヘッド | 230 210 |
| 2000年 5月号 | 家庭用ノンリニア編集機 -PCなしで映像加工・編集- | 松下電器 | 電波新聞 (2000年3月8日PP.1) 日本工業新聞 (2000年3月9日PP.9) | HDD DV方式 ノンリニア編集 | 230 330 |
| 2000年 5月号 | 16MbのFeRAM -強誘電体を低温で加工- | 松下電子 | 日経産業新聞 (2000年3月6日PP.1) | FeRAM 16Mb 積層形 強誘電体メモリー 低温で加工 650℃で結晶膜生成 | 230 |
| 2000年 4月号 | 新構造のDRAM -高速性と集積性両立- | 松下電器 | 日経産業新聞 (2000年2月25日PP.1) | 2T1Cセル ランダムサイクル時間8ns セル面積1T1Cセルの1.8倍 | 230 |
| 2000年 4月号 | 磁性流体用いテクスチャ形成 | 東北大 | 日本工業新聞 (2000年2月24日PP.20) | HDD ヘッド・媒体間摩擦制御 テクスチャ 磁性流体 | 230 160 |
| 2000年 3月号 | 次世代HDD用トンネルMRヘッド | NEC | 日本工業新聞 (2000年1月28日PP.25) | HDD 再生ヘッド TMRヘッド 40～50Gb/in2 INO法 | 230 210 |
| 2000年 3月号 | 次世代形HDDヘッド | TDK | 日本経済新聞 (2000年1月4日PP.7) | HDD 再生ヘッド TMRヘッド 50Gb/in2 | 230 210 |
| 2000年 1月号 | シリコン基板上に情報書込み -1平方インチに1兆ビット- | 早大 | 日経産業新聞 (1999年11月8日PP.5) | 10Gb/in2 Si基板 酸化膜 ウエットエッチング 直径10nmの穴 | 160 230 |
| 2001年 1月号 | W-CDMA用増幅素子 -面積1/5に- | シャープ | 日経産業新聞 (2000年11月6日PP.1) | GaAs 広帯域符号化分割多重接続(W-CDMA)方式 1.9GHz帯 消費電力20%減 従来の1/5に小形化 | 220 230 |
| 1999年12月号 | 記録密度35.3Gb達成ハードディスク素材 -ディスク表面改良- | 米IBM | 日経産業新聞 (1999年10月8日PP.5) | ハードディスク 35.3Gb/in2 | 230 |
| 1999年12月号 | 微粒子1個に1ビット記録-配列パターンに垂直磁化- | 日立 東北大 | 日刊工業新聞 (1999年10月13日PP.7) | 垂直磁化 円柱状磁性微粒子 パターンドメディア MFM 30Gb/inch2 80nmφ44nmHの円柱状微粒子 150nmピッチ | 130 230 160 |
| 1999年12月号 | 次世代HDD用スピントンネル素子 | NEC | 日本工業新聞 (1999年10月14日PP.15) | スピントンネル素子 トンネル効果 スピン効果 MR比30% 40Gb/in2 | 210 230 |
| 1999年12月号 | FRAM用高性能材料 | ソウル大 | 日経産業新聞 (1999年10月20日PP.5) 電波新聞 (1999年10月25日PP.2) | 強誘電体メモリー BiLaTi 薄膜材料 分極スイッチング疲労 | 230 130 |
| 1999年12月号 | 高感度なMI磁性薄膜 | 名大 スタンレー電気 | 日刊工業新聞 (1999年10月25日PP.15) | MI効果 非晶質ワイヤ 交差磁気異方性薄膜 FeCoB 線形特性 | 120 210 230 |
| 1999年12月号 | 情報記録密度最高に-6.45cm2当たり0.7Tb- | 早大 | 日刊工業新聞 (1999年10月26日PP.6) | 0.7Tb/inch2 Si酸化膜 電子線露光 ウエットエッチング 読出し専用 | 230 |
| 1999年11月号 | 2V動作の16Mb DRAM | 沖電気 | 日経産業新聞 (1999年9月1日PP.8) | 2V 16MbDRAM SOI技術 | 230 |
| 1999年10月号 | 樹脂製HD-ホームサーバに照準- | ソニー 日本ゼオン | 日本経済新聞 (1999年8月12日PP.9) | ハｰドディスク HD 基板 合成樹脂 低価格 ホームサーバ 樹脂製HD基板 | 230 130 |
| 1999年10月号 | 著作権保護機能付きメモリーカード | 松下電器 米サンディスクコーポレーション 東芝 | 日刊工業新聞 (1999年8月26日PP.13) | SDメモリーカード ディジタル音響映像機器用 外形寸法24×32×2.1mm 記録容量32MBと64MB | 230 |
| 1999年10月号 | 新形DVD -80時間の画像を記録- | 工技院融合領域研 | 日経産業新聞 (1999年8月26日PP.4) | 近接場光 光ディスク 酸化銀の薄膜 記録容量200GB | 230 |
| 1999年 9月号 | 大容量記録技術 | 三洋電機 オリンパス光学 日立マクセル | 日本経済新聞 (1999年7月27日PP.1) | 50mmφ 730MB | 230 |
| 1999年 9月号 | 耐熱追記形光ディスク | NHK | 日本工業新聞 (1999年7月27日PP.1) | 600℃ 3倍高密度 酸化膜 ガーネット膜 追記・書換え併用ディスク | 230 |
| 1999年 8月号 | 1兆ビット不揮発メモリーに道 -電子数に応じ“多値”確認- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年6月10日PP.1) | 単一電子トランジスタ(SET) 不揮発性メモリー 多値動作 Si窒化膜 高集積 低消費電力 3.5K 6値を確認 | 230 |
| 1999年 8月号 | 高速2段階ヘッド位置決めシステム -10万5千本/inを実現- | 米シーゲイト | 電波新聞 (1999年6月11日PP.5) | HDD OAW 光ファイバ誘導レーザビーム ハイブリッド形光磁気記録ヘッド | 230 |
| 1999年 8月号 | 新形フラッシュメモリー -0.9Vで読み書き- | 松下電子 | 日本工業新聞 (1999年6月15日PP.4) | フラッシュメモリー | 230 |
| 1999年 7月号 | 蒸着技術で磁気テープ容量10倍に | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1999年5月14日PP.5) | 磁気テープ 磁性粒子微粒子化 PFT ノイズ低減 生産性3倍 コバルト酸化物 | 230 330 160 130 |
| 1999年 7月号 | 超高密度光メモリー | NTT | 日本経済新聞 (1999年5月24日PP.19) 日経産業新聞 (1999年5月26日PP.5) | 積層記録 ホログラム 散乱光 光メモリー | 230 430 130 |
| 1999年 7月号 | 紙のように薄い半導体 | 東芝 | 東京新聞 (1999年5月24日PP.3) | 薄形半導体 厚さ0.13mm PTP | 160 230 |
| 1999年 7月号 | HDD用磁気記録ヘッド -書込み磁界2倍- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年5月18日PP.6) | HDD用磁気ヘッド 書込み磁界2.1テスラ CoNiFeメッキ 7000Oe対応 磁気ヘッド | 120 220 230 |
| 1999年 7月号 | DRAMを超える新形メモリー -記憶性能DRAMの2倍- | 日立製作所 英ケンブリッジ大 | 日本経済新聞 (1999年5月18日PP.1) 日刊工業新聞 (1999年5月19日PP.11) 日経産業新聞 (1999年5月25日PP.9) | PLEDM セルサイズ半分 不揮発性 絶縁膜埋込み 新形メモリー | 220 230 |
| 1999年 7月号 | 高密度記録技術 -世界最高- | 富士通 | 日本工業新聞 (1999年5月17日PP.1) | HDD | 230 |
| 1999年 7月号 | DVD-RAM次世代機 | 松下電器産業 | 日本経済新聞 (1999年5月25日PP.13) | 片面4.7GB 650nm | 230 330 160 130 |
| 1999年 6月号 | 最小メモリーカード | 日立製作所 独シーメンス | 日本経済新聞 (1999年4月23日PP.13) | フラッシュメモリー MPU マルチメディアカード 16～128MB | 220 230 |
| 1999年 6月号 | 初のDRAM混載形画像処理用DSP | 富士通研 | 日本工業新聞 (1999年4月19日PP.1) | 画像処理用DSP 1MT-2000 MSPM SIMD形 DSP DRAM | 220 230 |
| 1999年 6月号 | ノンリニア送出サーバ-HDTV対応で4チャネル- | 日立製作所電子 | 日本工業新聞 (1999年4月16日PP.4) | HDTV ノンリニア送出バンク | 230 330 |
| 1999年 6月号 | 記録用基礎技術「ナノマグネット」 -記録密度，磁気ディスクの100倍に- | 米コーネル大 | 日経産業新聞 (1999年4月7日PP.5) | ナノマグネット | 230 120 |
| 1999年 6月号 | 光ディスク使用の放送用VDR | NEC | 日本工業新聞 (1999年4月2日PP.1) | VDR 光ディスク | 330 230 |
| 1999年 4月号 | 次世代LSI向けFeRAM -消費電力1/5 面積半分に- | 松下電子 | 日経産業新聞 (1999年2月18日PP.1) | FeRAM | 230 |
| 1999年 4月号 | 宇宙線エラー防ぐSRAM | 三菱電機 | 日本経済新聞 (1999年2月16日PP.13) | ソフトエラー発生率1/100 500MHz動作 DRAMのメモリーセル構造 | 230 |
| 1999年 4月号 | 最高速のFRAM | 東芝 | 日本経済新聞 (1999年2月16日PP.13) | 読出し37nm 書込み80ns | 230 |
| 1999年 4月号 | 紫色半導体レーザ -次世代DVD用光源- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1999年2月4日PP.1) 日経産業新聞 (1999年2月4日PP.5) 日本経済新聞 (1999年2月4日PP.11) 日本工業新聞 (1999年2月4日PP.4) | 次世代DVD 波長400nm 集光特性 連続発振 多重量子井戸構造 GaN DVD 紫色半導体レーザ 半導体レーザ 記録用光源 | 230 250 |
| 1999年 3月号 | 有機分子に「連想」機能材料 | 理化学研 | 日本経済新聞 (1999年1月23日PP.11) | カルバゾールオリゴマー ホログラムメモリー 連想記憶 ホログラム 画像情報処理 | 230 120 130 |
| 1999年 3月号 | マイクロマシン技術による磁気ヘッド制御システム | 情報ストレージ研究推進機構(SRC) | 日本工業新聞 (1999年1月14日PP.18) | 静電マイクロアクチュエータ 情報記録装置 トラッキング制御 20Gb/in2 | 260 230 |
| 1999年 3月号 | 世界最小DRAM | 東芝 米IBM 独シーメンス | 日本経済新聞 (1999年1月8日PP.1) | 64Mbで30mm2 | 230 |
| 1999年 2月号 | 波長多重光磁気ディスク | NHK | 日経産業新聞 (1998年12月24日PP.5) | 光磁気ディスク 波長多重 20HB | 230 |
| 1999年 2月号 | 量子メモリー -低電圧1Vで書込み消去- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1998年12月9日PP.5) | テラビット級 HEMT 異方性エッチング TSR溝 量子ドット浮遊ゲート 不揮発性 書込み/消去電圧1V | 230 220 |
| 1999年 2月号 | 0.18μmDRAM混載技術 -性能と低コスト両立- | NEC | 日刊工業新聞 (1998年12月8日PP.6) | 0.18μmプロセス タングステンプラグ | 230 |
| 1999年 2月号 | 書込み速度50倍のフラッシュメモリー | 松下電器産業 松下電子 ヘイロLSI社 | 日本経済新聞 (1998年12月7日PP.17) 電波新聞 (1998年12月7日PP.1) | ゲート間距離40nm 書込み200ns 書込み電圧5V バリスティック型トランジスタ 高効率エレクトロン | 220 230 |
| 1999年 2月号 | セル面積2/3のSRAM | NEC | 日経産業新聞 (1998年12月7日PP.5) | SRAM NP2個ずつの4T型セル 1.9μm2 | 230 |
| 1999年 2月号 | 波長多重の光記憶素子 -切手大に映画200本分- | 富士通 | 日本経済新聞 (1998年12月7日PP.17) | 1.1Tb/in2 量子ドット波長多重メモリー GaAs基板 InAs 書込み速度5ns/b レーザ 波長多重光記録 光記憶素子 メモリー | 230 |
| 1999年 1月号 | 3次元記録高密度光メモリー -1立方センチにDVD2000枚分- | 科学技術振興事業団 | 日本経済新聞 (1998年11月14日PP.11) | 立体光メモリー フェムト秒レーザ サマリウム微粒子 ホールバーニング光記録 1Tb/cm3 1Tb/cc 光メモリー | 130 230 |
| 1999年 1月号 | 磁気ディスク製造装置 -記録密度を10倍に- | FTS社 東工大 | 日経産業新聞 (1998年11月13日PP.22) | 多層連続成膜 高密度磁気ディスク 磁性体 縦並び配列 | 230 260 |
| 1999年 1月号 | 容量2倍のMO | 富士通 ソニー | 日本経済新聞 (1998年11月6日PP.11) 電波タイムズ (1998年11月20日PP.2) | 3.5インチ 1.3GB 来春発売 ギガMO | 230 330 |
| 1998年12月号 | 面発光の青色レーザ -世界発開発- | 東大 | 日経産業新聞 (1998年10月28日PP.4) | 青色面発光レーザ DVD 380nm 面発光レーザ 青色レーザ 有機金属気相成長法 窒化ガリウム | 250 230 |
| 1998年12月号 | レーザ走査素子 -超小型 消費電力は1/100- | 日本信号 | 日経産業新聞 (1998年10月20日PP.1) | 光デバイス マイクロマシン レーザ光走査 バーコードリーダ マイクロマシン技術 | 210 260 230 |
| 1998年12月号 | 磁気ヘッド用薄膜材料 -記録密度1.5倍に- | 日本ビクター | 日経産業新聞 (1998年10月7日PP.1) | ハイテスラ 1GB HDD VTR 記録用磁気ヘッド 薄膜ヘッド 窒化鉄 | 230 |
| 1998年12月号 | HDD用GMRヘッドで新技術 -20Gb以上の磁気記録読取り- | アルプス電気 | 日本工業新聞 (1998年10月6日PP.4) | HDD GMR スピンバルブ膜 | 230 |
| 1998年12月号 | 光ディスク用半導体レーザ -100mWの高出力- | 松下電子 | 日経産業新聞 (1998年10月6日PP.5) 日刊工業新聞 (1998年10月6日PP.11) | CD-R 光ディスク 半導体レーザ | 250 230 |
| 1998年11月号 | SRAM -データ転送レート2倍に- | 富士通 | 電波新聞 (1998年9月29日PP.6) | SDRAM DDR-SDRAM | 230 |
| 1998年11月号 | 伝送データの一時記憶メモリー -超電導物質使う- | NEC | 日経産業新聞 (1998年9月24日PP.5) | バッファメモリー 超電導 ATMスイッチ | 220 230 |
| 1998年11月号 | DRAMを越える新メモリー-MRAM- | 東芝 | 日本経済新聞 (1998年9月19日PP.11) | 固体磁気メモリー MRAM 大容量 高速読出し アルミナ絶縁層 PtCo合金 強磁性二重トンネル接合 フォトリソグラフィ 読出し速度6ns 不揮発性メモリー | 230 |
| 1998年11月号 | 超小型HDD | 米IBM | 日経産業新聞 (1998年9月11日PP.5) 日本経済新聞 (1998年9月11日PP.15) | 超小型HDD 記憶容量340MB | 230 330 |
| 1998年11月号 | 片面8.5GBの2層相変化ディスク -片面記録容量を2倍に- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1998年9月9日PP.1) 日経産業新聞 (1998年9月9日PP.5) 日本経済新聞 (1998年9月9日PP.11) 日刊工業新聞 (1998年9月9日PP.13) | 光ディスク 多層記録 8.5GB DVD 相変化光ディスク 片面2層ディスク 片面記録容量8.5GB 2層相変化ディスク GeSbTe | 230 530 |
| 1998年11月号 | 大容量FeRAM -記憶容量大幅に拡大- | 富士通 | 日本経済新聞 (1998年9月8日PP.12) | FeRAM 50nmの絶縁体膜 BiOxとSTBの積層絶縁膜 | 230 |
| 1998年10月号 | 大容量DRAMの新設計法 | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1998年8月25日PP.6) | DRAM NAND型 | 230 |
| 1998年10月号 | 単一電子メモリー -室温で単一電子動作- | 電総研 | 日経産業新聞 (1998年8月26日PP.4) | 単一電子メモリー 室温動作 多重トンネル接合 | 230 220 |
| 1998年10月号 | 256MbAND型フラッシュメモリー -1メモリーに2b情報記憶- | 日立製作所 三菱電機 | 電波新聞 (1998年8月25日PP.10) 日刊工業新聞 (1998年8月25日PP.6) | AND型フラッシュメモリー 多値技術 | 230 |
| 1998年10月号 | HDD記録密度10倍のヘッド膜 | 富士通研 | 日本工業新聞 (1998年8月18日PP.1) | HDD 記録密度40Gb/in2 読取りヘッド GMR パラジウム 白金 マンガン 反強磁性層 | 230 |
| 1998年 9月号 | メモリーカード -独自規格品- | ソニー | 日本経済新聞 (1998年7月31日PP.13) | メモリーカード AV | 230 |
| 1998年 9月号 | 次世代光ディスク -100GB級を共同開発- | ソニー 松下電器産業 等13社 | 日経産業新聞 (1998年7月30日PP.1) | 光ディスク 多値化 | 230 330 |
| 1998年 9月号 | セル作製技術 -容量2倍のFeRAM- | NEC | 日経産業新聞 (1998年7月13日PP.5) | FeRAM 1組トランジスタ 参照電圧 | 230 |
| 1998年 9月号 | DVDRAM装置 -アレイ構成で高速化- | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1998年7月7日PP.1) | DVDRAM | 230 |
| 1998年 8月号 | 新型フラッシュメモリーセル -低電圧で書込み消去 セル小型化 工程4割減- | NEC 東芝 | 日経産業新聞 (1998年6月22日PP.5) | フラッシュメモリー 角型構造 情報記憶用電極に角構造 表面積2倍 書込み消去電圧20Vから16V 絶縁溝を配線後に作る | 230 160 |
| 1998年 8月号 | 高記録密度光ディスク -記録密度 DVDの15倍- | 工技院融合研 | 日本経済新聞 (1998年6月20日PP.11) 日経産業新聞 (1998年6月22日PP.5) | 光ディスク DVD 近接場光 アンチモン アンチモン薄膜 大容量記録 160nm直径の光スポット 波長680nm | 230 |
| 1998年 8月号 | 半導体メモリー量産技術 | NEC | 日本工業新聞 (1998年6月11日PP.1) | 半導体メモリー | 230 160 |
| 1998年 7月号 | メモリー実装に新技術 -4倍の高密度化可能- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1998年5月27日PP.9) | メモリー 実装技術 スライドパッケージ方式 | 230 260 |
| 1998年 7月号 | 強誘電体メモリー -多層配線で高速化- | NEC | 日経産業新聞 (1998年5月15日PP.5) | FeRAM 強誘電体メモリー 多層配線 | 230 |
| 1998年 6月号 | 次世代メモリー -FeRAM高速化- | ローム | 日経産業新聞 (1998年4月16日PP.1) | FeRAM 高速化 低消費電力化 製造技術 PZT成膜温度を550℃に低温化 トランジスタ線幅0.18μm可能に | 230 160 |
| 1998年 6月号 | LSIチップ間の高速信号伝送技術 | 富士通 富士通研 富士通 VLSI | 電波新聞 (1998年4月2日PP.28) | PRDクロック配晶 | 220 230 |
| 1998年 6月号 | 光使う“半導体”素材 -情報処理速度100～1000倍に- | HOYA | 日経産業新聞 (1998年3月31日PP.1) | 光の強さで屈折率変化 1kW/cm2で利用可 酸化チタンに直径数十nmの金粒子を分散蒸着 | 220 230 |
| 1998年 5月号 | 走査型トンネル顕微鏡 -144個の原子を一挙に操作- | 米コーネル大 | 日経産業新聞 (1998年3月24日PP.5) | 走査型トンネル顕微鏡 STM 大容量メモリー 原子記憶素子 | 360 230 |
| 1998年 5月号 | MPEG4:2:2対応ビデオサーバ | 日本HP | 電波新聞 (1998年3月23日PP.5) | MPEG4:2:2プロファイル フルIBP 最大30Mbps | 330 320 230 |
| 1998年 4月号 | 新型メモリー -1Tb級も可能- | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1998年2月7日PP.11) | LSI試作 1Tb級も 単一電子メモリー 1Tb LSI化 | 230 |
| 1998年 4月号 | DRAM付加価値向上 -内部電源が不用に- | 富士通 | 日経産業新聞 (1998年2月5日PP.5) | シンクロナスDRAM | 230 220 |
| 1998年 4月号 | DRAMの付加価値向上 -メモリーに論理回路- | NEC | 日経産業新聞 (1998年2月5日PP.5) | ロジック混載DRAM | 230 220 |
| 1998年 4月号 | 書換えできるDVD実用化 | パイオニア | 日経産業新聞 (1998年2月4日PP.1) | DVD-R/W 片面3.95GBを試作 3000～4000回書換え可能 4.7GBを目標 | 230 330 |
| 1998年 4月号 | 書込み速度8倍速のCD-R装置 | 三洋電機 | 日本工業新聞 (1998年2月3日PP.1) | CD-R | 230 330 |
| 1998年 3月号 | 初の128MbDRAM | 日立製作所 | 日本工業新聞 (1998年1月27日PP.4) | DRAM | 230 260 |
| 1998年 3月号 | システムLSI高集積化を実現する新基板構造 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1998年1月22日PP.5) | システムLSI | 220 230 |
| 1998年 3月号 | 16MbDRAM生産計画見直し | 大手半導体メーカ | 日本工業新聞 (1998年1月21日PP.1) | DRAM | 230 |
| 1998年 3月号 | DRAMメモリーセルを最小にできる技術 | NEC | 日経産業新聞 (1998年1月13日PP.5) | DRAM 4GbDRAM 位置ズレ防止 | 230 260 |
| 1998年 2月号 | DVDオーディオ規格最終案 | DVDオーディオ ワーキンググループ | 日本経済新聞 (1997年12月30日PP.7) | 上限再生周波数 96kHz 最大収録時間CD7枚分 DVD ディジタルオーディオ | 530 230 |
| 1998年 2月号 | HDD向け薄膜技術 | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1997年12月25日PP.1) | GMRヘッド GMRヘッド用材料 3.5インチディスクに40GB | 230 130 210 |
| 1998年 2月号 | 4Gbを実現できる新製造技術 | 富士通研 富士フイルム | 日経産業新聞 (1997年12月18日PP.5) | 4GbDRAM ビア柱 | 230 160 |
| 1998年 2月号 | SRAM低電圧で高速動作 | 三菱電機 | 電波新聞 (1997年12月11日PP.1) 日経産業新聞 (1997年12月11日PP.5) | BBCセル SRAM 1.5V 89nsec | 230 |
| 1998年 2月号 | FeRAM -究極の半導体メモリー- | NEC 富士通 富士通研 沖電気 | 日本経済新聞 (1997年12月8日PP.19) 日経産業新聞 (1997年12月9日PP.9) 日経産業新聞 (1997年12月14日PP.4) | FeRAM メモリー | 230 |
| 1998年 1月号 | DVD-RAM使用光ディスクカメラ | NHK | 電波新聞 (1997年11月16日PP.3) | DVD-RAM ディスクカメラ MPEG-2 422プロファイル@ML フレーム内圧縮 実験機 記録ビットレート11Mbps 2000年以降実用化 30Mbpsで60分以上記録 | 330 230 310 520 |
| 1998年 1月号 | スピントンネル素子 -電気抵抗2ケタ低減- | NEC | 日刊工業新聞 (1997年11月7日PP.5) | スピントンネル素子 次世代HDD用 Fe/Al2O3/CoFe 真空連続成膜 2.4μΩ/cm2 | 210 230 |
| 1998年 1月号 | 大容量光磁気ディスク | キヤノン | 日本経済新聞 (1997年11月4日PP.9) 日経産業新聞 (1997年11月6日PP.9) | 12cm盤に22GB 動画10時間 3層構造 | 230 |
| 1997年12月号 | 光ディスク装置 -4時間半の映像記録- | ソニー | 日経産業新聞 (1997年10月23日PP.8) | 12GB/面 光ディスク | 230 330 |
| 1997年12月号 | 大容量200MBのFD | ソニー 富士フイルム | 日刊工業新聞 (1997年10月15日PP.9) 日本経済新聞 (1997年10月15日PP.13) 日刊工業新聞 (1997年10月20日PP.9) | HiFD 3.6MB/s フロッピーディスク 大容量化 | 330 230 |
| 1997年12月号 | SRAM小型化技術 | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年10月15日PP.5) | トンネル効果 3トランジスタ 負性抵抗 NOSトランジスタ SOI構造 0.35μmプロセス 室温動作 | 220 230 |
| 1997年12月号 | ホログラフィック メモリー-記録量DVDの200倍- | 米IBM 等 | 日本経済新聞 (1997年10月11日PP.11) | 1.5GB/in角 ニオブ酸リチウム | 230 130 |
| 1997年12月号 | 片面15GBのDVD -記憶容量3倍に- | パイオニア | 日経産業新聞 (1997年10月6日PP.1) | 15GB 波長430nm 430nmレーザ ハイビジョンで2時間13分 片面15GB 430nmSHGレーザ 再生装置の試作 トラック幅0.37μm 3ビーム方式 | 330 230 250 |
| 1997年12月号 | DVD-Rの基本技術 -4.7GBディスク- | パイオニア | 日経産業新聞 (1997年10月2日PP.10) | DVD-R 有機色素 | 230 |
| 1997年12月号 | コンピュータ機能内蔵のディスク | オプトロム | 日刊工業新聞 (1997年9月29日PP.7) | 光ディスク | 230 220 420 |
| 1997年11月号 | DVD-RAM -片面4.7GBで基本技術- | 日立製作所 | 電波新聞 (1997年9月10日PP.1) 日刊工業新聞 (1997年9月10日PP.11) 日本経済新聞 (1997年9月10日PP.11) 日経産業新聞 (1997年9月10日PP.11) 日本工業新聞 (1997年9月10日PP.4) | DVD-RAM 片面4.7GB ハイコントラスト媒体 7GBDVD-RAM DVD-RAMと互換性あり コントラスト強調層 熱緩衝層 適応型記録波形制御 | 230 330 |
| 1997年10月号 | 単一電子メモリー -3値でデータを蓄積- | 農工大 | 日経産業新聞 (1997年8月27日PP.5) | 半導体メモリー 多値記録 コンデンサをトンネル接合でサンドイッチ シミュレーション | 130 230 |
| 1997年10月号 | 次世代光ディスク | NEC | 日本経済新聞 (1997年8月14日PP.11) | 片面5.2GB MMVF | 230 330 |
| 1997年10月号 | DVD-RAM -大容量化で規格作り- | 松下電器産業 他10社 | 日経産業新聞 (1997年8月26日PP.9) | DVD 第2世代 | 230 530 |
| 1997年10月号 | DVD-RAM規格戦争へ | ソニー フィリップス 米HP | 日本経済新聞 (1997年8月13日PP.1) 電波新聞 (1997年8月14日PP.1) 日経産業新聞 (1997年8月14日PP.16) | DVD-RAM規格 片面3.0GB | 530 230 330 |
| 1997年10月号 | 超高密度光メモリー | 富士通 | 日本経済新聞 (1997年8月2日PP.10) | 波長多重記録 半導体媒体 量子ドット | 130 230 |
| 1997年 9月号 | 次世代光ディスク -記憶容量CDの1000倍- | 工技院産業技術融合領域研 日立製作所 他 | 日本経済新聞 (1997年7月19日PP.10) | CDサイズで1TBが目標 近接場光 駆動制御技術 | 230 |
| 1997年 9月号 | 超小型ICメモリーカード | ソニー 他 | 電波新聞 (1997年7月17日PP.1) | メモリースティック メモリーカード | 230 |
| 1997年 9月号 | 1GbDRAM -メモリーセル面積4割減- | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年7月4日PP.5) | DRAM スタック方式 | 230 |
| 1997年 9月号 | 次世代光磁気ディスク -日米等15社が統一規格- | 富士通 フィリップス 等 | 日本経済新聞 (1997年7月4日PP.11) | ASMO 記憶容量6GB CDサイズで6GB | 230 530 |
| 1997年 8月号 | パソコン機能内蔵光ディスクに | オプトロム | 日経産業新聞 (1997年6月26日PP.1) | ディスクに電子回路張付け 電波による給電 光ディスク CPU RAM 通信機能 CPU内蔵光ディスク インテリジェントディスク(ID) | 230 220 420 |
| 1997年 8月号 | SRAM高集積で新技術 -メモリーセル面積最小に- | 富士通 | 日経産業新聞 (1997年6月10日PP.4) | SRAM メモリーセル 高集積 MPU CSI 高絶縁 | 230 160 220 |
| 1997年 8月号 | 15GBの高密度記録技術 -光ディスク記憶容量で世界最大- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1997年6月10日PP.1) 日本経済新聞 (1997年6月10日PP.11) 日刊工業新聞 (1997年6月10日PP.10) | 8mW 425nm青色レーザ 光ディスク DVD 高密度記録 SHG 425nm 15mW SHGレーザ 相変化ディスク トラックピッチ0.33μm マーク長0.42μm 片面15GB | 230 250 |
| 1997年 8月号 | 次世代の磁気記録媒体技術-磁気記録媒体容量を5倍に- | 日本ビクター | 日刊工業新聞 (1997年6月4日PP.1) | 磁気記録媒体 コバルトサマリウム | 130 230 |
| 1997年 7月号 | 垂直磁気記録 -実用化へ- | 日本ビクター | 日経産業新聞 (1997年5月28日PP.11) | 垂直磁気記録 ハードディスク 面内ハード層 30GBのHD | 230 |
| 1997年 7月号 | 次世代大容量光ディスク -DVD越す12GB実現- | ソニー | 電波新聞 (1997年5月21日PP.1) 日刊工業新聞 (1997年5月21日PP.8) 日本経済新聞 (1997年5月21日PP.13) 日経産業新聞 (1997年5月21日PP.9) | CDサイズに片面12GB 青緑色レーザ 515nm 20mW CDサイズ 光ディスク 青緑色半導体レーザ 波長515nm 出力20mWの半導体レーザ 9.5Gb/in2 | 230 330 250 |
| 1997年 6月号 | 紫外光をレーザ発振する新材料 | 東工大 | 日本経済新聞 (1997年4月26日PP.10) | 紫外光をレーザ発振 パルスレーザ分子結晶成長 酸化亜鉛薄膜材料 | 230 250 150 |
| 1997年 6月号 | VTRヘッド -薄膜磁気で容量10倍- | 日本ビクター | 日経産業新聞 (1997年4月21日PP.1) | トラック幅10μm | 230 330 |
| 1997年 6月号 | DVD-RAM規格統一 | 日立製作所 NEC 松下電器産業 東芝 ソニー 等10社 | 日本経済新聞 (1997年4月2日PP.1) 電波新聞 (1997年4月3日PP.1) 日経産業新聞 (1997年4月11日PP.8) 日経産業新聞 (1997年4月15日PP.8) 日経産業新聞 (1997年4月15日PP.11) 電波新聞 (1997年4月21日PP.5) | DVD-RAM 規格統一 2.6GB ウォーブル ランド グルーブ DVD DVD-R DVDフォーラム | 230 530 |
| 1997年 6月号 | 単一電子トランジスタ --170℃で作動- | NEC | 日経産業新聞 (1997年4月2日PP.5) | 単一電子素 メモリー -170℃ AL蒸着 -170℃作動 不揮発性メモリー アルミニウム 単一電子トランジスタ | 220 230 |
| 1997年 5月号 | 高密度磁気ディスク -雑音信号を低減- | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年3月5日PP.4) | 結晶粒子 | 130 230 |
| 1997年 5月号 | 色素分子による光メモリー-情報量DVDの200倍- | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年3月4日PP.1) | 色素分子 光メモリー 原子間力顕微鏡記録 光ファイバ読取り Tb級メモリー Si基板に有機分子蒸着 2010年頃実用化へ 色素 DVD | 130 230 360 |
| 1997年 4月号 | 2層光磁気ディスク | 日立製作所マクセル 日大 | 日経産業新聞 (1997年2月26日PP.5) | 光磁気ディスク | 230 |
| 1997年 4月号 | 高精細DVD技術 -高品位映像の収録可能- | 東芝 | 日本経済新聞 (1997年2月25日PP.13) 日経産業新聞 (1997年2月25日PP.9) | 走査線1125本 DVD 14Mbps ハイビジョンテレビ放送並 | 230 330 540 |
| 1997年 4月号 | 多値連想メモリー | 東北大 | 日刊工業新聞 (1997年2月7日PP.6) | 高並列論理演算 瞬時に画像処理 | 520 230 |
| 1997年 4月号 | 自己診断機能付き1Gbps DRAM | 沖電気 | 日経産業新聞 (1997年2月7日PP.5) 日刊工業新聞 (1997年2月7日PP.9) 電波新聞 (1997年2月7日PP.5) | シンクロナスDRAM テスト機能 | 230 |
| 1997年 4月号 | 256MbpsDRAM | 富士通 | 電波新聞 (1997年2月7日PP.5) | シンクロナスDRAM DLL | 230 |
| 1997年 4月号 | 4GDRAM | NEC | 電波新聞 (1997年2月7日PP.1) 日刊工業新聞 (1997年2月7日PP.1) | DRAM | 230 |
| 1997年 4月号 | 1チップMPEG-2エンコーダLSI | NEC | 電波新聞 (1997年2月6日PP.7) 日本経済新聞 (1997年2月6日PP.13) 日刊工業新聞 (1997年2月6日PP.7) | MPEG-2 エンコーダ 2.5V動作 | 520 220 230 |
| 1997年 3月号 | 高密度ハードディスク -記録密度5Gb/inch2- | 米IBM | 日経産業新聞 (1997年1月9日PP.9) 電波新聞 (1997年1月10日PP.3) | 高性能MRヘッド 誤り率10-9 記録密度5Gb/inch2 | 230 330 |
| 1997年 3月号 | MPEGカメラ | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1997年1月1日PP.11) 日経産業新聞 (1997年1月28日PP.11) 電波新聞 (1997年1月28日PP.1) 日刊工業新聞 (1997年1月28日PP.11) | MPEG カメラ MPEG-1 動画20分 260MBHD 静止画3000枚 | 310 520 230 330 |
| 1997年 2月号 | MDデータを大容量化 | ソニー | 電波新聞 (1996年12月17日PP.4) 日経産業新聞 (1996年12月17日PP.11) 日刊工業新聞 (1996年12月17日PP.13) 日本経済新聞 (1996年12月17日PP.13) | MDデータ 容量従来比4.6倍 650MB ミニディスク 短波長化 | 230 330 |
| 1997年 2月号 | 超高密度記録技術 | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1996年12月14日PP.12) | 1.2Tb/cm2 1Mbps以上の速度で読出し 原子間力顕微鏡 | 230 360 |
| 1997年 2月号 | 混載LSI向け配線形成技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年12月11日PP.5) 電波新聞 (1996年12月11日PP.5) | プラグ アスペクト比8 ビアホール アルミニウム DRAM MPU | 260 220 230 |
| 1997年 2月号 | SOI DRAM技術 -セル縮小 動作電圧半減- | NEC 三菱電機 | 日経産業新聞 (1996年12月10日PP.5) 電波新聞 (1996年12月10日PP.6) 日刊工業新聞 (1996年12月10日PP.5) | DRAM 厳密な位置合せ不要 0.151μmで0.21μm2のセル SOI 0.9V動作 16Mb セル 動作電圧半減 | 230 |
| 1997年 1月号 | マルチチャンネルディスクレコーダ -「D-1」5台分を記録 再生- | ソニー | 電波新聞 (1996年11月18日PP.4) | FARAD ノンリニア編集 | 230 330 430 |
| 1997年 1月号 | ディジタル光ディスクカメラ | NEC | 電波新聞 (1996年11月8日PP.5) 日経産業新聞 (1996年11月8日PP.13) 日刊工業新聞 (1996年11月8日PP.7) 日本経済新聞 (1996年11月8日PP.13) | 12インチ 光ディスク カメラ 業務用 両面40分 片面4.16GB 12cm 相変化ディスク ディジタルビデオカメラ ビデオカメラ DVD-RAM | 310 230 330 |
| 1996年12月号 | 14GB光磁気ディスク -再生実験に成功- | 日立製作所マクセル 三洋電機 | 日経産業新聞 (1996年10月29日PP.9) 日刊工業新聞 (1996年10月29日PP.11) 日本経済新聞 (1996年10月29日PP.11) | MAMMOS 記録層と磁気増幅層 動画5時間 CDサイズに14GB 5.25インチ MO 14GB | 230 |
| 1996年12月号 | ディジタルカメラの画像記憶方式を統一 | 富士フイルム ミノルタ | 日本工業新聞 (1996年10月25日PP.1) | IS規格 メモリーカード SSFDC ディジタルカメラ | 310 530 230 |
| 1996年12月号 | 4GbDRAM | NEC | 電波新聞 (1996年10月23日PP.1) | メモリー DRAM | 230 |
| 1996年12月号 | CDリライタブルの規格統一 | フィリップス ソニー 他 | 日本経済新聞 (1996年10月19日PP.9) 日本工業新聞 (1996年10月24日PP.8) 朝日新聞 (1996年10月24日PP.13) 日経産業新聞 (1996年10月28日PP.11) | CD リライタブル | 530 230 330 530 |
| 1996年11月号 | 超高密度記録可能な磁気ヘッド走行方式 -記録密度20倍に- | NEC | 日経産業新聞 (1996年9月11日PP.5) 電波新聞 (1996年9月11日PP.1) 日本経済新聞 (1996年9月11日PP.13) | 密着型 イコライザ 20Gbps以上/cm2 コンタクト記録 CD-ROM | 230 330 |
| 1996年11月号 | 次世代大容量DVD -原盤の製造技術開発- | パイオニア | 日経産業新聞 (1996年9月6日PP.1) | 色素層 15GB DVD 原盤 光退色性色素を積層 トラックピッチ0.4μm | 130 230 160 |
| 1996年11月号 | 亜鉛酸化物 光記録媒体に利用 | 大阪産業大 | 日刊工業新聞 (1996年9月5日PP.6) | 亜鉛酸化物 光ディスク | 130 230 |
| 1996年10月号 | Tb級メモリー | 富士通 | 電波新聞 (1996年8月26日PP.6) | メモリー Tb 共鳴トンネル効果 | 230 220 |
| 1996年 9月号 | DVD著作権問題が決着 -コピー防止で合意- | 日米欧の家電10社 | 日刊工業新聞 (1996年7月20日PP.1) | DVD 著作権 コピー防止技術 | 530 230 |
| 1996年 9月号 | 次世代光磁気ディスク -日欧8社で開発- | 富士通 ソニー オランダフィリップス 等8社 | 日本経済新聞 (1996年7月17日PP.1) 日本経済新聞 (1996年7月17日PP.13) | MO DVD 光磁気ディスク 6～7GB 5インチ | 230 530 |
| 1996年 9月号 | X線による微細加工技術 -半導体基板上に0.07μm幅の溝- | NTT | 日本経済新聞 (1996年6月29日PP.12) | 半導体 64Gbメモリー X線 微細加工 | 220 160 230 |
| 1996年 8月号 | 高速転送技術 -DRAMと論理回路混戦- | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1996年6月14日PP.11) | DRAM 論理回路 高速転送 | 230 220 |
| 1996年 8月号 | 4GbDRAM用光露光技術 | 富士通 富士通研 東芝 | 電波新聞 (1996年6月12日PP.1) 日経産業新聞 (1996年6月12日PP.5) 日本経済新聞 (1996年6月12日PP.13) 日経産業新聞 (1996年6月14日PP.5) 日経産業新聞 (1996年6月14日PP.14) | メモリー DRAM 露光技術 | 230 260 160 |
| 1996年 7月号 | メモリー多層化に新手法 | NEC | 日経産業新聞 (1996年5月22日PP.5) | メモリー DRAM 多層化 | 230 260 |
| 1996年 7月号 | 1Tbの光ディスク記録技術 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1996年5月13日PP.5) | 顕微鏡 光ディスク 高密度 走査型近接場光顕微鏡 1Tb ディスク 相変化ディスク 170Gb/inch2 読出し速度10Mbps SNOM 相変化型 12cmディスクに1Tb | 230 260 360 |
| 1996年 6月号 | 連想メモリー | NTT 東北大 | 日本経済新聞 (1996年4月13日PP.10) | 連想メモリー 演算処理機能 | 230 220 |
| 1996年 5月号 | 32ビットRISC型マイコン-8MbDRAM内蔵- | 三菱電機 | 電波新聞 (1996年3月13日PP.6) | マイコン DRAM | 220 230 |
| 1996年 5月号 | 画像精度3倍のディジタルカメラ | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (1996年3月5日PP.1) | ディジタルカメラ 液晶 2000万画素 解像力80ライン/mm 液晶高分子複合体 ディジタルスチルカメラ 液晶記録素子 80line/mm 35mmサイズ 有機感光体+液晶メモリー | 230 330 130 310 |
| 1996年 5月号 | 128Mbフラッシュメモリー | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1996年3月22日PP.5) | フラッシュメモリー 128Mb | 230 |
| 1996年 5月号 | 単一電子メモリー -初のチップ化- | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1996年3月18日PP.17) | 単一電子メモリー 記録素子 | 230 |
| 1996年 5月号 | 波長多重光メモリー -基礎実験に成功- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1996年3月14日PP.7) | 光メモリー 波長多重 大容量 1Tb/cm2に道 量子箱 ホールバーニング(PHB)効果 0.48msのホール寿命 量子サイズばらつきで波長多重 | 230 130 260 |
| 1996年 4月号 | 次世代の光磁気ディスク -規格共同開発提案- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1996年2月20日PP.1) | MOディスク ディスクドライブ 規格 | 330 530 230 |
| 1996年 4月号 | 小型メモリーカード -新規格で商品化- | 東芝 他 | 日本経済新聞 (1996年2月18日PP.1) 日本経済新聞 (1996年2月18日PP.7) | 小型メモリーカード S＆amp;FDC ミニチュアカード対抗 | 230 530 |
| 1996年 4月号 | 高速SRAM | 東芝 富士通 | 日経産業新聞 (1996年2月15日PP.5) | SRAM 400～500MHz | 230 |
| 1996年 4月号 | 高集積メモリー -ISSC開幕，LSI閾値制御競う- | 三菱電機 東芝 NEC NTT | 日経産業新聞 (1996年2月9日PP.4) 電波新聞 (1996年2月9日PP.1) 日刊工業新聞 (1996年2月9日PP.6) 日刊工業新聞 (1996年2月9日PP.9) 日刊工業新聞 (1996年2月16日PP.5) 日経産業新聞 (1996年2月19日PP.5) | DRAM 1Gb シンクロナスDRAM 8bADC 1.5V動作 15MSPS 8mW 3揮発性メモリー 1Mb 変調閾値制御 閾値 CMOS DCT ADC | 230 220 660 520 |
| 1996年 4月号 | ディジタル情報レーザ光で記録 再生 -ホログラフィを応用- | NTT | 日経産業新聞 (1996年2月7日PP.5) | ストロンチウム バリウム ナイオベト(SBN) カラー動画像 レーザ ホログラフィ 記録 再生 ディジタル情報 レーザ光 | 430 230 250 |
| 1996年 4月号 | 世界最高FDD -名刺大のICカードと同サイズ- | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1996年2月6日PP.1) | 1.7インチFD PCMCIAタイプ 45g FDD | 230 330 |
| 1996年 4月号 | 超先端電子技術開発機構発足 | NEC 日立製作所 他数十社 | 日刊工業新聞 (1996年2月1日PP.1) | 超先端電子技術開発機構 DRAM ハードディスク 液晶ディスプレイ | 230 250 660 |
| 1996年 3月号 | 切手サイズの次世代メモリーカード -仕様標準化で合意- | メーカ13社 | 電波新聞 (1996年1月25日PP.2) 日経産業新聞 (1996年1月25日PP.2) 日本経済新聞 (1996年1月25日PP.1) 日刊工業新聞 (1996年1月25日PP.11) | メモリーカード 切手大 38×33×3.5 規格化 64GB | 230 530 |
| 1996年 3月号 | 磁気ヘッド用新材料 | NEC | 日経産業新聞 (1996年1月5日PP.4) | 磁気で電気抵抗1/10 TaMnの酸化物 GMR | 210 230 |
| 1996年 3月号 | MRヘッドの新素子 | NEC | 日本経済新聞 (1996年1月22日PP.15) | スピンバルブ素子 3.5インチMDに10GB MRヘッド | 210 230 |
| 1996年 3月号 | 単一電子メモリー -LSI化にメド- | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1996年1月13日PP.10) | 単一電子メモリー 大容量 1Tb級メモリー | 230 120 |
| 1996年 3月号 | マルチメディア対応テレビ | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1996年1月10日PP.1) | マルチメディア対応テレビ インタネット CD-ROM | 350 230 320 440 |
| 1996年 2月号 | DVD，CD再生互換可能な光ピックアップ | 三洋電機 | 電波新聞 (1995年12月22日PP.1) 日刊工業新聞 (1995年12月22日PP.8) | DVD CD 光ピックアップ 液晶絞り | 230 210 |
| 1996年 2月号 | MRヘッド共通仕様 | TDK 富士通 | 日経産業新聞 (1995年12月20日PP.1) | MRヘッド HDD | 210 230 |
| 1996年 2月号 | 世界初の「分子素子」 | 三菱電機 | 日本経済新聞 (1995年12月18日PP.21) | 10Tb級 たんぱく質 分子素子 巨大容量メモリー | 130 230 |
| 1996年 2月号 | フラッシュメモリー -性能を大幅向上- | 東芝 | 日経産業新聞 (1995年12月15日PP.5) | フラッシュメモリー | 230 |
| 1996年 2月号 | 新DRAMセル構造 -MPUとDRAMの混載容易に- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年12月12日PP.7) 電波新聞 (1995年12月12日PP.6) | DRAM MPU 裏面配線 セル構造 CMP(研磨平坦化) 多層配線 | 230 160 220 260 |
| 1996年 2月号 | DVD統一規格を正式決定 | メーカ 9社 | 日刊工業新聞 (1995年12月8日PP.1) 日本経済新聞 (1995年12月8日PP.13) 電波新聞 (1995年12月9日PP.1) 日刊工業新聞 (1995年12月9日PP.6) 日本経済新聞 (1995年12月9日PP.11) | DVD 規格統一 | 230 330 530 |
| 1996年 1月号 | 高密度記録で新技術 -光磁気ディスクの30倍- | アトムテクノロジー研究体 | 日本経済新聞 (1995年11月20日PP.17) | PZT 光磁気ディスクの30倍以上 強誘電体メモリー 6GB以上/cm2 | 130 230 |
| 1996年 1月号 | HDDを大容量化する第3世代MRヘッド | TDK | 日刊工業新聞 (1995年11月17日PP.9) | MRヘッド 記録密度1.6Gb以上/inch2 | 230 210 |
| 1996年 1月号 | 光磁気ディスクに直径0.2μmの記録領域 | 豊田工大 IBM | 日経産業新聞 (1995年11月1日PP.5) | 光磁気ディスク 10GB/cm 記録波長830nm | 230 |
| 1995年12月号 | 1GbDRAM共同開発 | 東芝 他米4社 | 電波新聞 (1995年10月26日PP.1) | DRAM 1Gb | 230 |
| 1995年12月号 | 10GB級DVD相変化方式 '97年度投入 | TDK | 日刊工業新聞 (1995年10月21日PP.1) | DVD-RAM 相変化型光ディスク | 230 |
| 1995年12月号 | 書換え可能光ディスクレコーダ -両面で10.4GB記録- | NEC | 日経産業新聞 (1995年10月18日PP.12) 日刊工業新聞 (1995年10月18日PP.9) 電波新聞 (1995年10月18日PP.1) | 光ディスク 両面で10.4GB 記録波長680nm 相変化 両面で10.4GB 12cmディスク | 230 330 |
| 1995年12月号 | メモリーカード利用初の携帯ビデオ -通勤電車でビデオを楽しむ- | NEC | 日本経済新聞 (1995年10月13日PP.13) 日経産業新聞 (1995年10月13日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年10月13日PP.11) 電波新聞 (1995年10月13日PP.1) | 半導体メモリーカード 録画 再生約4分 MPEG-1 2.5インチTN液晶パネル メモリーカード(40MB) 静止画3000枚 動画40分 | 330 350 230 520 |
| 1995年12月号 | 光ディスクの記録動作モニタリング技術 -記録速度3倍に- | NEC | 日刊工業新聞 (1995年10月5日PP.1) | 光ディスク モニタリング技術 | 230 |
| 1995年11月号 | DVD規格統一 | 電波新聞 (1995年9月16日PP.1) 日本経済新聞 (1995年9月16日PP.1) | DVD 規格 SD/MMCD | 530 330 230 | |
| 1995年11月号 | 記録密度10倍の光磁気ディスク -片面2GBの3.5インチMO- | 富士通 | 電波新聞 (1995年9月8日PP.1) 日経産業新聞 (1995年9月8日PP.9) 日本工業新聞 (1995年9月8日PP.9) | 光磁気ディスク 3.5インチ両面で4GB 3層構造 磁気ディスク 両面4GB ダブルマスク 磁気超解像再生 | 230 |
| 1995年11月号 | 高性能磁気ヘッド -ハードディスクの記録密度6倍に- | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1995年9月2日PP.12) | GMRヘッド 3.5インチで5GB | 230 |
| 1995年10月号 | フラッシュメモリー -消費電力1/20に- | NEC | 日経産業新聞 (1995年8月18日PP.5) | ホウ素注入 書込み3V フラッシュメモリー | 230 |
| 1995年10月号 | 書換え可能大容量光ディスク | TDK | 日経産業新聞 (1995年8月17日PP.1) | 相変化型 DVD対応 12cm片面に4GB 光ディスク | 230 |
| 1995年10月号 | カーステレオ用LLコートヘッド | アルプス | 電波新聞 (1995年8月10日PP.6) 日経産業新聞 (1995年8月10日PP.9) | LLコート 低ノイズ | 230 330 210 |
| 1995年 8月号 | 極小高分子で情報記憶 -微小メモリー素子開発へ道- | 阪大 | 日経産業新聞 (1995年6月22日PP.5) | CD 分子素子 記憶素子 高分子 | 230 130 |
| 1995年 8月号 | 4層構造のDVD-ROM | 日立製作所 日本コロムビア | 日本経済新聞 (1995年6月20日PP.11) 電波新聞 (1995年6月22日PP.2) | 4層構造 DVD 容量18GB | 230 330 |
| 1995年 8月号 | 京都の「LSIシンポジウム」開幕 -DRAMの省電力化- | 東芝 三菱電機 NEC | 日経産業新聞 (1995年6月11日PP.4) | DRAM ビット線の小電力ドライブ手法 | 220 230 |
| 1995年 8月号 | インジウムの量子箱 -次世代メモリー開発へ- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1995年6月5日PP.5) | 量子箱 RHET | 230 160 120 |
| 1995年 7月号 | 書換え可能DVD | SD規格グループ | 電波新聞 (1995年5月19日PP.1) 日経産業新聞 (1995年5月19日PP.9) 日本経済新聞 (1995年5月19日PP.15) | 光ディスク 書換え可能 | 230 330 530 |
| 1995年 7月号 | 120MBのFDD | 松下寿電子 米コンパックコンピュータ 3M | 日経産業新聞 (1995年5月9日PP.7) 日刊工業新聞 (1995年5月9日PP.8) | フロッピーディスク 120MB | 230 330 |
| 1995年 6月号 | マルチメディアCD規格最終決定 | ソニー フィリップス | 電波新聞 (1995年4月26日PP.1) | DVD CD | 230 530 330 |
| 1995年 6月号 | DVD信号読取新技術 -片面から両面信号を読取る- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1995年4月20日PP.1) | DVD 両面読取り | 230 330 |
| 1995年 6月号 | DVD「SD規格」最終仕様固まる | 東芝 日立製作所 松下電器産業 パイオニア トムソン タイム ワーナー MCA | 電波新聞 (1995年4月21日PP.1) | DVD SD | 230 330 530 |
| 1995年 6月号 | DVD二層式プレーヤ試作機 | ソニー | 電波新聞 (1995年4月20日PP.1) | DVD | 230 330 530 |
| 1995年 6月号 | 光ディスクの高速読出手法速度3倍 | NTT | 日経産業新聞 (1995年4月19日PP.5) | 光ディスク 読出し速度3倍 | 230 |
| 1995年 6月号 | 記録部にハードディスク採用の放送用カメラ -撮影現場で即時編集- | 池上通信機 | 日経産業新聞 (1995年4月2日PP.5) 電波新聞 (1995年4月11日PP.5) | ハードディスク 放送用カメラ ノンリニアシステム | 310 330 230 |
| 1995年 5月号 | 超小型集積光ヘッド | 九州松下電器産業 | 日経産業新聞 (1995年3月23日PP.5) | 光磁気ディスク ミニディスク | 210 230 |
| 1995年 5月号 | 高性能の光機能素子 -感度，従来の10倍以上- | KDD | 日経産業新聞 (1995年3月23日PP.5) | 三角バリア構造 光機能素子 感度従来の10倍 光磁気ディスク ミニディスク 三角バリア | 230 210 |
| 1995年 5月号 | 新しい光記録技術 -石英ガラスにCD100枚分の情報記録- | 徳島大 | 日本経済新聞 (1995年3月13日PP.17) | 2cm角にCD100枚分 1mm層に350層 パルス状レーザ | 130 230 |
| 1995年 5月号 | 15GBの光ディスク | ソニー | 日経産業新聞 (1995年3月9日PP.7) 日刊工業新聞 (1995年3月9日PP.8) | 光ディスク | 230 |
| 1995年 4月号 | 3次元CG用3D-RAM | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1995年2月23日PP.5) | 3次元グラフィックス 3D-RAM | 520 230 |
| 1995年 4月号 | ディジタルスチルカメラ -動画記録再生可能- | リコー | 電波新聞 (1995年2月22日PP.1) | 画像圧縮 ディジタルスチルカメラ | 310 520 230 |
| 1995年 4月号 | フラッシュメモリー | 三菱電機 日立製作所 | 電波新聞 (1995年2月17日PP.5) | 16MbDINOR型(三菱) 32MbAND型(日立製作所) | 230 |
| 1995年 4月号 | フラッシュメモリー | 東芝 | 電波新聞 (1995年2月16日PP.9) | 32MbNAND型 | 230 |
| 1995年 4月号 | 0.9V動作のY1強誘電体不揮発性メモリー | 松下電子 | 電波新聞 (1995年2月16日PP.1) | 不揮発性メモリー 強誘電性メモリー | 230 120 130 |
| 1995年 4月号 | 1GbDRAM | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1995年2月14日PP.13) 日本経済新聞 (1995年2月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年2月16日PP.5) 日経産業新聞 (1995年2月16日PP.7) | 1GbDRAM 転送レート400Mbps DRAM 1Gb | 230 |
| 1995年 4月号 | 1GbDRAM | NEC | 電波新聞 (1995年2月14日PP.1) 日経産業新聞 (1995年2月14日PP.9) 日刊工業新聞 (1995年2月14日PP.7) 日本経済新聞 (1995年2月14日PP.1) 日本経済新聞 (1995年2月14日PP.13) | '98年サンプル出荷 1GbDRAM 0.25μmCMOSプロセス DRAM 1Gb | 230 |
| 1995年 4月号 | 記憶容量1GBの3.5インチ光磁気ディスク -記憶容量8倍- | ブラザー工業 | 日本工業新聞 (1995年2月10日PP.1) | 3.5インチ 光磁気ディスク 1GB ガラス基板 金属Crガイド | 230 130 |
| 1995年 3月号 | DVDシステム対応の光ヘッド | 三菱電機 | 電波新聞 (1995年1月26日PP.1) | DVD 光ヘッド 短波長レーザ | 230 210 |
| 1995年 3月号 | ディジタル ビデオ ディスク共同規格合意 | 日米欧7社 | 電波新聞 (1995年1月25日PP.1) 日経産業新聞 (1995年1月25日PP.9) 日刊工業新聞 (1995年1月25日PP.11) 日本経済新聞 (1995年1月25日PP.8) 電波新聞 (1995年1月26日PP.3) | スーパデンシティ 120mm/両面/10GB ディジタルビデオディスク 規格統一 DVD規格 0.6mm厚×2 5GB(片面) | 330 520 530 230 |
| 1995年 3月号 | 1GbDRAM用キャパシタ | NEC | 日経産業新聞 (1995年1月5日PP.5) | 1Gb チタン酸ストロンチウム 1GbDRAM 高誘電率薄膜 | 230 130 |
| 1995年 2月号 | 1GbDRAM用超小型トランジスタ | 松下電器産業 三菱電機 | 日経産業新聞 (1994年12月14日PP.5) | 13.1ps/1.5V 1GbDRAM 松下ゲート長:0.05μm 三菱ゲート長:0.15μm 加工技術 | 220 230 160 |
| 1995年 2月号 | 強誘電体メモリーセル | シャープ | 電波新聞 (1994年12月13日PP.1) 日経産業新聞 (1994年12月14日PP.5) | 16Mb DRAM | 230 130 |
| 1995年 2月号 | 1GbDRAMのセル | NEC 日立製作所 | 日経産業新聞 (1994年12月13日PP.5) 電波新聞 (1994年12月13日PP.1) 日刊工業新聞 (1994年12月13日PP.7) 日本工業新聞 (1994年12月13日PP.8) 電波新聞 (1994年12月11日PP.5) | 1GbDRAM 基本単位素子 線幅0.16μm DRAM | 230 220 160 |
| 1995年 2月号 | 書換え可能100万回フラッシュメモリー | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年12月13日PP.7) 日経産業新聞 (1994年12月13日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年12月13日PP.6) | フラッシュメモリー 書換え100万回 | 230 |
| 1995年 2月号 | 次世代メモリーの新技術 -記憶容量10万倍に道- | 東芝 | 日本経済新聞 (1994年12月5日PP.17) | 超高密度記憶素子 AFM 1兆個/cm2の電荷情報 有機色素分子のアモルファス | 230 160 |
| 1995年 1月号 | 半導体メモリーカードオーディオプレーヤ | NEC | 電波新聞 (1994年12月2日PP.1) | メモリーカード オーディオプレーヤ | 230 330 |
| 1995年 1月号 | 大容量・追記型ビデオディスク | パイオニア | 電波新聞 (1994年11月16日PP.1) | 10GB MPEG | 520 330 230 |
| 1995年 1月号 | 光磁気ディスク -容量3倍- | キヤノン | 日経産業新聞 (1994年11月10日PP.1) | 光磁気 128MB | 330 230 |
| 1995年 1月号 | 3.5インチ大容量光ディスク | 東芝 | 電波新聞 (1994年11月8日PP.1) | 相変化光ディスク 3.5インチで1.3GB M-CAV記録 | 230 |
| 1994年12月号 | 光磁気ヘッド -体積1/20へ- | NEC | 日経産業新聞 (1994年10月21日PP.5) | 光磁気ディスク 偏光性格子 | 230 |
| 1994年12月号 | カラー静止画を記録再生するためのピクチャーMD規格 | ソニー | 電波新聞 (1994年10月18日PP.1) | MD 規格化 JPEG 静止画記録再生 静止画 | 530 230 520 |
| 1994年12月号 | コバルトクロム多層膜で垂直磁気記録 | 東工大 | 日経産業新聞 (1994年10月18日PP.5) | 垂直磁気記録 記録密度100倍以上 コバルトクロム多層膜 | 230 130 |
| 1994年12月号 | 垂直磁気記録技術 -2Gb/cm2の記録密度達成- | 東北大 | 日本経済新聞 (1994年10月8日PP.12) | 垂直磁気記録 2Gb/cm2 | 230 |
| 1994年11月号 | 3.5インチ光磁気ディスク -記憶容量10～20倍に- | 日立製作所マクセル | 電波新聞 (1994年9月22日PP.1) 日刊工業新聞 (1994年9月22日PP.8) | 4値記録 2層膜 3.5インチで1.3～2.6GB | 230 |
| 1994年11月号 | 高密度記録再生技術 -12cm光ディスクの記録再生容量 CDの8倍に- | パイオニア | 電波新聞 (1994年9月20日PP.1) | レーザディスク 135分録画 ダブルデンシティ サンプルサ 青色レーザ 12cmの盤に6Mbpsを135分 | 230 330 520 |
| 1994年11月号 | 二重障壁構造の量子井戸 -1テラメモリーに道- | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1994年9月19日PP.15) | 単結晶Si 共鳴トンネル現象 | 220 230 |
| 1994年11月号 | 超高密度記録の光ディスク -相変化光ディスク1Tb/cm2- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1994年9月17日PP.1) 日刊工業新聞 (1994年9月17日PP.5) | 相変化光ディスク 1Tb/cm2 3.5インチ 1800時間 AFM利用 原子間顕微鏡 探針記録方式(AFM)方式 ビット径10nm | 230 360 |
| 1994年11月号 | 超高密度光メモリー用新材料 -常温ホールバーニング効果を利用- | 名大 | 日刊工業新聞 (1994年9月16日PP.3) | PHB 超高密度メモリー 常温 ケイ酸塩ガラス | 130 230 |
| 1994年11月号 | 容量50倍の3.5インチFD | 富士フイルム | 日本経済新聞 (1994年9月9日PP.13) | 超薄磁性層 記録溝幅1/10 200MB 転送レート2MB/s | 230 |
| 1994年11月号 | 光ディスクで高画質動画再生 | 三洋電機 | 電波新聞 (1994年9月2日PP.1) 日経産業新聞 (1994年9月2日PP.8) | MOディスク 12cm 2.5GB 135分 4倍密度 光ディスク動画記録 635nmの半導体レーザ | 230 530 |
| 1994年11月号 | HDTV用光磁気ディスク | NEC | 日経産業新聞 (1994年9月2日PP.5) | MOディスク 30インチ 32分 MPEGでない方式 | 230 540 330 |
| 1994年10月号 | 4倍密度の光ディスク再生実現 | 三洋電機 | 電波新聞 (1994年9月2日PP.1) | 光ディスク | 230 |
| 1994年10月号 | 高画質ディジタル電子スチルカメラ | 富士フイルム ニコン | 電波新聞 (1994年8月24日PP.1) 日刊工業新聞 (1994年8月24日PP.11) | 130万画素 PCカード スチルカメラ | 310 230 210 |
| 1994年10月号 | 1Gb以上対応トランジスタ | NEC | 日本工業新聞 (1994年8月16日PP.5) | 0.1μmプロセス DRAM 1GbDRAM以上 トンネル効果を利用 | 220 230 |
| 1994年10月号 | 新型PHB材料 -有機と無機を複合化- | 東大 | 日本工業新聞 (1994年8月10日PP.5) | PHB 光メモリー 動作温度140K | 130 230 |
| 1994年10月号 | 液晶で情報記録 -高分子分散液晶に情報を記録する基礎技術- | NTT | 日経産業新聞 (1994年8月10日PP.5) | 記録媒体 文字 静止画像の記録，保持 薄型表示媒体 高分子分散型液晶フィルム 分散型LCD 20μm高分子 | 250 130 210 230 |
| 1994年10月号 | 光磁気ディスク次世代規格統一 | 日米欧24社 | 日本経済新聞 (1994年8月2日PP.1) | 光磁気ディスク 3.5インチ | 230 530 |
| 1994年 9月号 | 光露光で0.13μmレジストパターン実現 | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1994年7月14日PP.7) | 4GbDRAM 0.13μm リソグラフィ 高解像度 LSI | 230 160 |
| 1994年 9月号 | 長時間音声録音，再生LSI | 三洋電機 | 電波新聞 (1994年7月14日PP.7) | 音声記録 LSI | 230 520 |
| 1994年 9月号 | 赤色レーザダイオード | 日立製作所 | 電波新聞 (1994年7月4日PP.7) | レーザダイオード 光ディスク 512MB | 230 250 |
| 1994年 8月号 | 1GHzDRAM | NEC | 日経産業新聞 (1994年6月15日PP.5) | DRAM 1Gb 0.15μm | 230 |
| 1994年 8月号 | 高速4MbSRAM -アクセス時間1/10に- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1994年6月17日PP.1) | DRAM アクセスタイム 4MbSRAM | 230 |
| 1994年 8月号 | 16MbpsDRAM世界最高速を実現 -データ転送ロス時間低減- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1994年6月14日PP.5) 電波新聞 (1994年6月14日PP.6) | 世界最高の200MHz シンクロナンスDRAM マルチメディア向け DRAM アクセスタイム | 230 |
| 1994年 8月号 | 金属酸化物でIC基板 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1994年6月9日PP.1) | IC基板 透明 金属酸化物 無電源記憶保持 チタン酸ストロンチウム | 120 220 230 |
| 1994年 8月号 | ディジタルビデオディスク | 日本ビクター | 日経産業新聞 (1994年6月3日PP.1) | MPEG2 可変転送レート 135分 | 230 520 |
| 1994年 7月号 | 高密度光磁気ディスク -光ファイバ使用- | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1994年5月30日PP.1) | 光ディスク 光ファイバ | 230 |
| 1994年 7月号 | 録画できる結晶 -結晶1片に30時間の動画記録- | NTT | 日経産業新聞 (1994年5月25日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年5月25日PP.13) 日経産業新聞 (1994年5月31日PP.5) | 極低温記録 動画100時間 ホログラフィ+ホールバーニング(PHB) 高速投影(1ns) 小指大に動画30時間 ユーロピウム添加イットリウムシリケイト結晶 記録材料 | 130 430 230 |
| 1994年 7月号 | 相変化型光ディスク -面記録密度4.4倍に向上- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1994年5月19日PP.5) 電波新聞 (1994年5月19日PP.5) | 記憶容量4倍 4.1Mb/mm2(4.4倍に) 相変化光ディスク ランド グループ記録 6GB/5.25インチ 相変化MO 面記録密度 4.1Mb/mm2 | 230 |
| 1994年 7月号 | 3.5インチ相変化式光ディスク装置 | 東芝 | 日経産業新聞 (1994年5月16日PP.1) | 光ディスク装置 相変化方式 600MB/3.5インチ | 230 |
| 1994年 7月号 | 多層構造の透明光ディスク -10倍以上の記憶容量- | IBM | 電波新聞 (1994年5月14日PP.2) | 光ディスク 多層構造 透明光学ディスク CDの10倍記録 多層ディスク | 230 |
| 1994年 7月号 | 高密度光ディスク -ピットエッジ多値記録技術- | ソニー | 電波新聞 (1994年5月13日PP.2) 日経産業新聞 (1994年5月13日PP.5) | 光ディスク 多値記録 ピットエッジ多値記録 | 230 520 |
| 1994年 7月号 | ジョセフソン素子利用RAM | NEC | 日本経済新聞 (1994年5月7日PP.10) | 4kbRAM 4K 95mW(1/1000に) | 230 220 |
| 1994年 6月号 | 高性能垂直磁気テープ -垂直磁気録画実験成功- | NHK | 電波新聞 (1994年4月6日PP.2) 日刊工業新聞 (1994年4月6日PP.7) | 垂直磁化 VTRテープ 磁気記録 垂直磁気記録 ディジタルVTR 磁気テープ | 130 230 330 |
| 1994年 5月号 | 究極の大容量記憶装置 -原子メモリーへ前進- | 新技術開発事業団 | 日刊工業新聞 (1994年3月28日PP.10) | 原子単位メモリー リアルタイム書込み消去 | 130 230 |
| 1994年 5月号 | 大容量光VDレコーダ | NEC | 電波新聞 (1994年3月23日PP.1) 日経産業新聞 (1994年3月23日PP.5) | VDレコーダ 300mm 23GB λ:680nm 時間:32分/5時間 | 230 330 |
| 1994年 5月号 | 高密度分子メモリー -1枚でCD100万枚分- | 京大 | 日刊工業新聞 (1994年3月15日PP.4) | 分子メモリー 1nmの有機分子 STM利用 メモリー 超高密度メモリー 1nm2/b | 130 230 |
| 1994年 5月号 | MDデータシステム商品化 | ソニー | 電波新聞 (1994年3月1日PP.4) | MD | 530 230 330 |
| 1994年 5月号 | 相変化型光ディスク -5.25インチで3.5GBの記録容量実現にメド- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1994年3月1日PP.2) | 相変化光ディスク | 230 |
| 1994年 4月号 | SOI-DRAM -1.5V～4.0Vで動作実現- | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年2月18日PP.3) | DRAM 低電圧駆動 | 230 |
| 1994年 4月号 | 動画記録に最適の256MbDRAM -データ転送速度1.6Gb- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1994年2月18日PP.1) 日刊工業新聞 (1994年2月18日PP.7) | 256MDRAM 動画像記憶用 動作速度100MHz DRAM | 220 230 |
| 1994年 4月号 | 64Mbフラッシュメモリー | NEC | 電波新聞 (1994年2月17日PP.8) 日経産業新聞 (1994年2月17日PP.9) 日刊工業新聞 (1994年2月17日PP.9) | 64Mフラッシュメモリー NOR論理回路 アクセス50ns | 230 |
| 1994年 4月号 | 3次元プロッタ -臓器の立体像実物大で表示- | 日本ビクター | 日経産業新聞 (1994年2月11日PP.4) | 3次元プロッタ 実物大を空間表示 奥行き20cm | 350 450 230 |
| 1994年 3月号 | 256MDRAM商品化 | NEC | 電波新聞 (1994年1月21日PP.1) | DRAM 256Mb | 230 |
| 1994年 3月号 | 高密度光磁気ディスク -従来比8倍の大容量記録再生を実現- | NEC | 日経産業新聞 (1994年1月14日PP.4) 電波新聞 (1994年1月14日PP.1) | 光磁気ディスク 光ディスク 5.2GB(8倍) 0.5μm/b 0.6mmピッチ 高密度記録 ランド/グループ記録 | 230 |
| 1994年 2月号 | DRAM用成膜材料 -256Mbps以降に照準- | 同和鉱業 | 日刊工業新聞 (1993年12月20日PP.13) | DRAMのMOCVD用成膜材料 256Mbps以降 バリウム複合材料 | 230 130 |
| 1994年 2月号 | 1GbDRAM -酸化タンタルで容量絶縁膜- | NEC | 日刊工業新聞 (1993年12月16日PP.5) | 酸化タンタル膜 1GbpsDRAM用 | 230 |
| 1994年 2月号 | 高誘電体記憶素子 | 三菱電機 | 電波新聞 (1993年12月9日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月9日PP.4) 日刊工業新聞 (1993年12月9日PP.6) | DRAM BST酸化物 高誘電体メモリー 256MbDRAM | 230 130 |
| 1994年 2月号 | 単一電子メモリー -室温動作に成功- | 日立製作所 | 電波新聞 (1993年12月8日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月8日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年12月8日PP.9) 日本工業新聞 (1993年12月8日PP.6) | メモリー 初の室温動作 16Gb級 電子1個で1b記録 1カ月のメモリー Si結晶粒子 | 230 220 |
| 1994年 1月号 | CD-ROM電子出版に新規格 | EPWINGコンソーシアム | 電波新聞 (1993年11月26日PP.5) | CD-ROM | 230 540 |
| 1994年 1月号 | パソコンとCDROMドライブ接続 -最終仕様案が完成- | ウエスタン デジタル | 電波新聞 (1993年11月22日PP.1) | CDROM 規格 | 230 540 |
| 1994年 1月号 | 相変化書換型ディジタルビデオディスク | 松下電器産業 | 電波新聞 (1993年11月11日PP.1) | 相変化 ビデオディスク 30cm コンポジット20分 コンポーネント(圧縮)40分 | 230 330 |
| 1994年 1月号 | 両面チップIC | 三井ハイテック 米インテル | 日経産業新聞 (1993年11月9日PP.1) | 薄型IC製造技術 記憶容量2倍 DDTSOPパッケージ フラッシュメモリー リードフレーム 両面実装 | 220 260 230 |
| 1994年 1月号 | 銀を使わぬフィルム「バルディフィルム」 | 米ゼロックス | 電波新聞 (1993年11月3日PP.3) | 感光フィルム セレン粒子 | 230 130 |
| 1993年12月号 | 共鳴ホットエレクトロントランジスタ | 富士通 | 日経産業新聞 (1993年10月26日PP.5) 日経産業新聞 (1993年10月29日PP.5) | トランジスタ 記憶素子 量子効果 ダブルエミッタRHET メモリー 5×7μm | 220 230 |
| 1993年12月号 | 新CD動画フォーマットαビジョン | パイオニア | 電波新聞 (1993年10月1日PP.1) | 高精細映像/音声4ch 1時間/12インチ MPEG-1 4.7Mbps CD動画 4.7Mbps×1h | 520 230 530 330 |
| 1993年11月号 | ハイブリッド集積光ヘッド -体積1/10に- | NEC | 日刊工業新聞 (1993年9月21日PP.9) | 光磁気ヘッド | 230 210 |
| 1993年11月号 | 緑色波長用光磁気記録媒体 -MOの記録容量10倍に- | 新日鉄 NHK | 日刊工業新聞 (1993年9月7日PP.10) 電波新聞 (1993年9月7日PP.3) | ビスマス置換 ガーネット 波長500nm 5インチ 3GB MOディスク | 230 130 |
| 1993年10月号 | 磁気表示機能付ICカード | 大日本印刷他 | 日刊工業新聞 (1993年8月27日PP.11) | ICカード | 230 |
| 1993年10月号 | 記憶容量100倍のハードディスク | 東北大 | 朝日新聞 (1993年8月20日PP.11) | ハードディスク 磁気ディスク | 230 |
| 1993年 9月号 | 記録密度2倍のCD | ソニー | 日刊工業新聞 (1993年7月8日PP.5) | 光ディスク 超解像 | 230 |
| 1993年 9月号 | 世界最高記録密度の青色レーザ光記録装置 | 米IBM | 電波新聞 (1993年7月2日PP.1) | 光磁気ディスク 2.5Gb/inch 6.5Gb/5inch | 230 |
| 1993年 8月号 | DRAM技術でニューロLSI | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1993年6月29日PP.5) | ニューロ素子 ニューロLSI DRAMプロセス 基本回路試作 | 220 520 230 |
| 1993年 8月号 | 新フラッシュメモリー | 新日鉄 | 日本工業新聞 (1993年6月11日PP.0) | フラッシュメモリー | 230 |
| 1993年 7月号 | 光磁気ディスク加工技術 -読み書き1.4倍速，ガラス基板を精密加工- | シャープ | 日経産業新聞 (1993年5月19日PP.1) | 光磁気ディスク加工技術 ガラス基板 40%高速化 | 230 160 |
| 1993年 7月号 | ソリッドステートファイル | 東芝 IBM | 電波新聞 (1993年5月18日PP.3) 日刊工業新聞 (1993年5月18日PP.10) | ソリッドステートファイル 厚さ3.3mm 20MB NAND型フラッシュメモリー | 230 |
| 1993年 7月号 | 21GBのFDD | NEC | 日経産業新聞 (1993年5月13日PP.7) | 21GBのFDD JIS原案準拠 | 230 |
| 1993年 6月号 | 100倍の記録密度可能な磁気ヘッド技術 | NEC | 日刊工業新聞 (1993年4月6日PP.10) | 磁気ヘッド 10Gb 5Gb/1.3インチディスク 磁気記録 マザーシップ型スライダ | 230 |
| 1993年 5月号 | フラッシュメモリーカードを音声記録媒体に | シャープ | 電波新聞 (1993年3月25日PP.1) | ICカード 音声記録 | 230 330 |
| 1993年 5月号 | 次世代高密度磁気ディスク | ソニー | 電波新聞 (1993年3月23日PP.12) | 光磁気ディスク 高密度記録 記録 PERMディスク技術 200MB/2.5インチ 5000TPI | 230 |
| 1993年 5月号 | 記録容量4倍のCD-ROM | NEC | 日刊工業新聞 (1993年3月8日PP.1) | CD-ROM 光ディスク λ=363.8nm 記録容量2MB | 230 |
| 1993年 5月号 | 64MbSRAM | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1993年3月3日PP.7) | SRAM メモリーセル セル面積-30% | 230 |
| 1993年 5月号 | SRAM用セル -駆動電流40%減- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1993年3月2日PP.5) | 駆動電流40%減 | 230 |
| 1993年 4月号 | 256MbDRAM | NEC 東芝 日立製作所 富士通 | 電波新聞 (1993年2月25日PP.1) | 半導体メモリー DRAM | 230 |
| 1993年 4月号 | 単一電子メモリー -動作実験成功- | 日立製作所英国研 ケンブリッジ大 | 電波新聞 (1993年2月19日PP.1) 日経産業新聞 (1993年2月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年2月19日PP.7) 電波ハイテクノロジー (1993年2月25日PP.0) | 電子1個で情報記録 クーロンブロッケード現象 極超低温動作 メモリー 16Gb 多重トンネル接合(MTJ) 単一電子メモリー 半導体メモリー 新原理メモリー 容量1000倍 | 230 220 |
| 1993年 4月号 | 光で駆動する液晶 | 東工大 | 日経産業新聞 (1993年2月4日PP.5) | 強誘電性液晶 ディスプレイ 応答速度50ms | 250 230 |
| 1993年 3月号 | 3.5インチ350MB光磁気ディスク | キヤノン | 電波新聞 (1993年1月8日PP.1) 日経産業新聞 (1993年1月8日PP.7) 日刊工業新聞 (1993年1月8日PP.8) | 3.5インチ 350MB 現行の2.7倍の容量 2層構造 記録2.3MB/sのスピード 記録速度従来の10倍 交換結合型 光磁気ディスク | 230 |
| 1993年 3月号 | 書換え可能CD | 日立製作所化成 | 日本工業新聞 (1993年1月4日PP.1) | 書換型光ディスク CDプレーヤ互換 数十回書換え可能 色素系 0.78μm 5～8mW | 230 |
| 1993年 2月号 | 最小の22μm角ジョセフソン記憶セル | NEC | 日経産業新聞 (1992年12月16日PP.5) | 22μm角 300ps ジョセフソン接合 磁束量子転移型記憶セル 超電導コイル 小型化 高速 省電力 | 220 230 |
| 1993年 2月号 | フラッシュメモリーセル -3V単一電源で動作- | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年12月17日PP.2) 日経産業新聞 (1992年12月17日PP.7) | メモリー DINOR型 フラッシュメモリー 単一電源 | 230 |
| 1993年 2月号 | フラッシュメモリーセル -AND型- | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年12月15日PP.1) 日経産業新聞 (1992年12月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.9) | メモリー AND型 フラッシュメモリー | 230 |
| 1993年 2月号 | 超解像光磁気ディスク -記録密度6倍以上- | シャープ | 日刊工業新聞 (1992年12月9日PP.10) 電波新聞 (1992年12月9日PP.1) 日経産業新聞 (1992年12月9日PP.9) | 記録圧縮6倍 記録密度6倍 再生時マスキング方式 角速度一定回転方式光磁気ディスク | 230 |
| 1993年 2月号 | 1GbDRAM用0.2μm以下の超微細パターン形成技術 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1992年12月15日PP.1) 日経産業新聞 (1992年12月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.9) 電波新聞ハイテクノロジ (1992年12月17日PP.1) | ArFエキシマレーザ 1GbDRAM 微細加工技術 | 260 230 |
| 1993年 2月号 | 256MbDRAM用メモリーセル -世界最小面積を実現- | NEC | 電波新聞 (1992年12月12日PP.1) 日経産業新聞 (1992年12月11日PP.4) | DRAM 微細加工技術 | 230 |
| 1993年 2月号 | 256MbDRAM試作 | 富士通 | 日刊工業新聞 (1992年12月9日PP.7) 日本経済新聞 (1992年12月9日PP.1) | 256MbDRAM 線幅0.2μm フィン型電極コンデンサ | 230 |
| 1993年 2月号 | 1Gb級のDRAM量産に必要な光源にメド | ソルテック | 朝日新聞夕刊 (1992年12月2日PP.9) 日経産業新聞 (1992年12月2日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年12月9日PP.9) | 微細加工技術 | 230 |
| 1993年 1月号 | 業務用追記型ビデオディスクレコーダ | ソニー | 電波新聞 (1992年11月7日PP.1) | ハイビジョン 光ディスク | 230 |
| 1992年12月号 | 記憶密度100倍の次世代光ディスク -次世代ホログラムメモリーへ道- | NTT | 日本経済新聞(夕刊) (1992年10月26日PP.1) | 次世代光ディスク ホログラムメモリー 光ディスクの100倍 光ファイバ | 130 230 |
| 1992年12月号 | 光多重記録媒体 | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1992年10月24日PP.1) | 波長の異なる5本のレーザ 記録現行の10倍 フォトクロミズム | 230 130 |
| 1992年12月号 | 記録量10倍の磁気ディスク | 富士通研 | 日経産業新聞 (1992年10月22日PP.5) | 垂直記録とディスク材料 垂直方式ヘッド 1Gb/25.4mm2 従来比10倍 | 230 330 |
| 1992年12月号 | 1.8インチ光ディスク | 富士通 | 日経産業新聞 (1992年10月21日PP.7) | 95年度メド 128MB | 230 |
| 1992年12月号 | 4値不揮発性メモリー | 新日鉄 | 日刊工業新聞 (1992年10月19日PP.9) | 230 | |
| 1992年11月号 | 10Gbの量子化メモリー素子 -1チップで文庫本5000冊- | 富士通 | 日刊工業新聞 (1992年9月28日PP.1) | トンネル共鳴 量子効果 量子化メモリー 10Gb 新型メモリー RHET/トンネルダイオード | 230 |
| 1992年11月号 | 世界初1.3μm帯レーザ発振 | 光技術研究開発 古河電工 | 日本工業新聞 (1992年9月22日PP.5) 電波新聞 (1992年9月23日PP.7) | InAsPレーザ 1.3μm帯 120℃で発振 | 230 |
| 1992年11月号 | 超高密度記録・消去STMメモリー -室温大気中で10nmレベル- | NEC | 電波新聞 (1992年9月9日PP.1) 日経産業新聞 (1992年9月9日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年9月9日PP.9) | 記録波長10nm 超高密度記録再生 トンネル顕微鏡(STM) 1インチ四方に1兆ビット 書換え可能STMメモリー ピット径10nm CDROMの3000倍 | 230 330 |
| 1992年10月号 | 光磁気ディスク採用「追っかけ再生システム」 | NHK大阪 NHK名古屋 | 電波新聞 (1992年8月31日PP.4) | 光磁気ディスク 番組送出 | 230 430 |
| 1992年10月号 | 相変化型光ディスク | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1992年8月26日PP.5) | 書換型光ディスク 低出力レーザ光 | 230 |
| 1992年10月号 | 光磁気記録技術 -従来比100倍の記録密度- | AT＆amp;Tベル研 | 日本経済新聞 (1992年8月11日PP.1) | 光磁気ディスク 近視野光走査顕微鏡技術 HDTVを17時間記録 | 220 230 |
| 1992年 9月号 | 追記型ビデオディスク -LSとフォーマット互換- | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年7月24日PP.1) | レーザディスク 追記型光ディスク | 330 230 |
| 1992年 9月号 | 高性能VTRヘッド | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1992年7月18日PP.1) | HDTV用VTR 非結晶ヘッド | 130 230 |
| 1992年 9月号 | 高密度光ディスク読取り技術 | 日本ビクター | 電波新聞 (1992年7月17日PP.1) | ニューラルネット 波形等化技術 光ディスク 光読取り装置 ニューロ | 520 230 |
| 1992年 9月号 | 光学ヘッドの小型化技術 -光信号の検出部品1個の素子に集約- | 東芝 | 日経産業新聞 (1992年7月15日PP.5) | ホログラム素子 光ディスク駆動装置 | 360 230 |
| 1992年 8月号 | CD動画カラオケ規格を共同開発 | ビクター フィリップス | 電波新聞 (1992年6月24日PP.1) | 動画圧縮 CD カラオケ | 230 330 630 |
| 1992年 8月号 | 世界最小の256MbDRAM | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年6月3日PP.7) 電波新聞 (1992年6月3日PP.1) 日経産業新聞 (1992年6月3日PP.6) 日刊工業新聞 (1992年6月3日PP.9) 電波新聞 (1992年6月11日PP.11) ハイテクノロジー (1992年6月11日PP.0) | 0.72μm2 256MDRAM開発可能 | 220 230 |
| 1992年 7月号 | 1GBの情報記憶可能な光磁気ディスク | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1992年5月12日PP.7) 日刊工業新聞 (1992年5月12日PP.9) 電波新聞 (1992年5月12日PP.5) | 国際標準規格案 マークエッジ記録方式 光ディスク 1GB/5.25インチ 両面に2GB | 230 |
| 1992年 6月号 | 磁気記録密度10倍の新メモリー | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1992年5月7日PP.1) | 230 | |
| 1992年 6月号 | ディジタルVTR用高性能磁気ヘッド -録再能力25%向上- | 日電 | 電波新聞 (1992年4月10日PP.1) | 磁気記録 磁気ヘッド | 200 230 330 |
| 1992年 5月号 | 書換え可能なホログラム | NTT | 日刊工業新聞 (1992年3月13日PP.5) | ホログラム 書換え型 光磁気記録 MOディスク 5インチディスクで2400枚画像記録. 光コンピュータに利用可 | 230 |
| 1992年 4月号 | 最先端メモリー技術相次ぐ | 日電 東芝 | 電波新聞 (1992年2月19日PP.6) 日経産業新聞 (1992年2月19日PP.8) 日刊工業新聞 (1992年2月19日PP.9) | 日電:64MDRAM 16MSRAM 東芝:5V動作4MフラッシュEEPROM 3.3V動作 MOSRAM | 230 260 |
| 1992年 4月号 | 高密度光記録技術 -光で変色する新素材- | 東大 | 電波新聞 (1992年2月13日PP.3) 日経産業新聞 (1992年2月28日PP.4) | 高密度記憶素子 高密度光記録材料 フォトクロミズム現象 三酸化モリブデン | 230 130 |
| 1992年 4月号 | 針状BTO結晶ファイバ -1/10の出力で記録 再生- | NTT 藤倉電線 | 日刊工業新聞 (1992年2月13日PP.6) | 光記録 再生 BTO結晶 | 230 |
| 1992年 4月号 | 高密度光ディスク記録技術 -記録密度2倍- | 東芝 | 電波新聞 (1992年2月8日PP.1) 日刊工業新聞 (1992年2月8日PP.4) 日本工業新聞 (1992年2月10日PP.15) | 赤色半導体レーザ 光ディスク 690nmレーザ | 230 250 |
| 1992年 4月号 | 容量10倍以上の光磁気ディスク装置 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1992年2月8日PP.1) | 光磁気ディスク 短波長化 トラック幅0.9μm 6GB/5インチ | 230 |
| 1992年 3月号 | 視覚認識装置 -背景分離可能なホロビジョン- | 松下電器産業 東大 | 日経産業新聞 (1992年1月16日PP.5) | 視覚 パターン認識 ニューラルネット | 520 230 |
| 1992年 2月号 | 書換型相変化光ディスク | 旭化成 | 日刊工業新聞 (1991年12月17日PP.16) | 相変化光ディスク 書換型 直接オーバライト アンチモン テルル ゲルマニウム合金 | 230 |
| 1992年 2月号 | 次々世代メモリーセル | 日電 | 電波新聞 (1991年12月10日PP.1) 日刊工業新聞 (1991年12月10日PP.9) | 256MbDRAM 6Mbフラッシュメモリー | 230 |
| 1992年 1月号 | 記憶容量40GB 3.5インチFD | 東芝 | 日刊工業新聞 (1991年11月13日PP.9) | 従来は4GBが最高 | 230 |
| 1991年12月号 | 光バス | 日電 | 日経産業新聞 (1991年10月22日PP.5) | 10cm2チップで200ヵ所 光導波路 超高速並列コンピュータ 10cm2で200以上の入出力 | 240 230 |
| 1991年12月号 | 光磁気記録増の新技術 | ソニー 日電 | 日刊工業新聞 (1991年10月3日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年10月16日PP.7) | オーバライト5インチ 1.5GB 5インチ 1.2GB | 230 |
| 1991年11月号 | 「再生」「記録」部分のCD上に自在配置 | 日本ビクター | 日経産業新聞 (1991年9月19日PP.1) | 記録 ハイブリッド型CD | 230 |
| 1991年11月号 | 学習知識を記憶する光ニューロチップ | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年9月19日PP.1) 日経産業新聞 (1991年9月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年9月19日PP.11) | アナログメモリー内蔵5×6mmチップ 受光素子を集積化 光ニューロチップ 画像処理 記憶機能付ニューロチップ | 210 220 230 |
| 1991年10月号 | レーザ光のパルスを有機非線形発光材料で圧縮 | 電総研 | 日経産業新聞 (1991年8月20日PP.3) | パルス幅22フェムト秒 DAM 光素子 | 230 240 |
| 1991年10月号 | 原子スイッチ -1個の原子で電流開閉- | 米IBM | 電波新聞 (1991年8月16日PP.2) 日経産業新聞 (1991年8月16日PP.4) | 原子スイッチ タングステン ニッケル電極にキセノン原子 1個の原子でon-off 電子素子 スイッチング素子 | 220 120 230 |
| 1991年10月号 | 電源を落としても情報を失わないFRAM | ラムトン | 電波新聞 (1991年8月8日PP.4) | FRAM Siウェハ上にセラミックフィルム | 230 |
| 1991年 9月号 | ハイビジョン信号30分以上連続再生 -生のまま光ディスクへ- | 三洋電機 | 日刊工業新聞 (1991年7月25日PP.7) | ハイビジョン 光ディスク | 230 |
| 1991年 7月号 | ミニディスクシステム | ソニー | 電波新聞 (1991年5月16日PP.1) 日経産業新聞 (1991年5月16日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年5月16日PP.10) 朝日新聞 (1991年5月16日PP.8) 日本経済新聞 (1991年5月16日PP.11) 読売新聞 (1991年5月16日PP.0) 電波タイムズ (1991年5月22日PP.2) | 光磁気ディスク コンパクトディスク パーソナルオーディオシステム ディジタル録音 再生可能 信号帯域圧縮技術 帯域圧縮で74分 φ64mmMOディスク SCMS採用 ショック プルーフ メモリー | 230 |
| 1991年 7月号 | 世界最高速の読出し可能な64MDRAM | 東芝 | 日刊工業新聞 (1991年5月15日PP.11) 電波新聞 (1991年5月15日PP.1) 日経産業新聞 (1991年5月15日PP.8) | 8kbまでのデータを1ブロックとしてシリアルアクセス 9ns/bの読出し速度 3次元構造メモリーセル スタティックカラム | 230 |
| 1991年 7月号 | 各ブロックで消去可能 -フラッシュメモリー発売- | インテルジャパン | 電波新聞 (1991年5月14日PP.6) 日経産業新聞 (1991年5月14日PP.9) 日刊工業新聞 (1991年5月14日PP.9) | フラッシュメモリー | 230 |
| 1991年 7月号 | 空間光変調器 | NTT | 日経産業新聞 (1991年5月8日PP.4) | 記録 再生可能 分解能200本/mm 3～5μm厚 光素子 画像精細度4倍(画像記録) | 230 |
| 1991年 5月号 | 磁気ディスク容量20倍の高密度磁気ディスク | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1991年3月2日PP.5) 電波タイムズ (1991年3月6日PP.2) | 高密度記録 磁気ディスク17000トラック/inch(10倍) 2Gb/inch^2 6MB/sトラック幅1μm(1/10倍) 120kb/inch(λmin=0.42μm) 磁気ディスク 磁気記録 MRセンサ | 230 |
| 1991年 4月号 | 新聞500万ページの情報蓄積 | NTT | 電波新聞 (1991年2月28日PP.0) | 1テラbyteの大容量光記録システム | 230 |
| 1991年 4月号 | 光磁気ディスクの記録6倍に | ソニー | 電波新聞 (1991年2月22日PP.0) 日刊工業新聞 (1991年2月22日PP.0) 朝日新聞 (1991年2月22日PP.0) 日経産業新聞 (1991年2月22日PP.0) | 再生時にレーザスポットの中の高温部のみ読出す新技術 超高解像度光信号録再技術スポット径を等価的に縮小 現行半導体レーザ(λ7404nm)で記録波長370nm(1/2)の再生可能 光磁気ディスク 超解像 超解像光信号記録再生 アイソスター | 230 |
| 1991年 4月号 | 16MbEEPROM | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1991年2月18日PP.0) | スタックゲート型のフラッシュ1Mの量産化始まったばかり | 230 |
| 1991年 4月号 | 世界最高速の64MDRAM -高速アクセス実現- | 東芝 富士通 三菱電機 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1991年2月15日PP.0) 電波新聞 (1991年2月15日PP.0) | DRAM 位相シフトマスク 光露光 64M ISSCC | 230 |
| 1991年 4月号 | 科学計算用LSI -4MDRAM 512KSRAM- | 日電 | 日経産業新聞 (1991年2月14日PP.0) | アクセスタイム17ns アクセスタイム4ns サイクルタイム2ns ベクトル演算処理用LSI | 230 |
| 1991年 4月号 | 4MbBi-CMOS型SRAM | 富士通 | 電波新聞 (1991年2月13日PP.0) | 64kHEMTSRAM 1.2ns 4MSRAM 7ns | 230 |
| 1991年 4月号 | HEMT64kbSRAM | 富士通 | 日刊工業新聞 (1991年2月13日PP.0) 電波新聞 (1991年2月13日PP.0) | 常温で1.2nsの世界最高アクセス時間 | 230 |
| 1991年 3月号 | 追記型CD 反射層にアルミ使用 | 日本ビクター | 日経産業新聞 (1991年1月25日PP.0) | 12インチ | 230 260 |
| 1991年 2月号 | ホログラフィ3次元素子 | ベルコア | 日経産業新聞 (1990年12月13日PP.0) | 3×109秒の読出し | 230 |
| 1991年 2月号 | PHB光記録で超高密度記録の可能性実現 | 三菱電機 | 電波新聞 (1990年12月27日PP.0) | 230 | |
| 1991年 2月号 | 3×10^11b/cm2高密度光記録 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1990年12月27日PP.0) | 4.2K(-268.9℃)でのPHB記録方式 基礎技術開発の段階 従来の3000倍の記録密度 | 230 |
| 1991年 2月号 | 16MSRAM用 メモリーセル | 日立製作所 | 電波新聞 日経産業新聞 (1990年12月12日PP.0) 日経産業新聞 (1990年12月12日PP.0) | 5.9μm2の大きさ 現在試作段階にある4MSRAMに比し集積度1/3に | 230 |
| 1991年 2月号 | 5V動作の16MEEPROM用メモリーセル | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1990年12月11日PP.0) 日刊工業新聞 (1990年12月11日PP.0) | 230 | |
| 1990年12月号 | ICカード DCT認識へ | 東芝 富士写真 | 日経産業新聞 (1990年11月1日PP.0) | ディジタルスチルカメラ 規格提案 | 230 |
| 1990年12月号 | 3.5インチ光磁気ディスク規格統一へ | 日本IBM | 日経産業新聞 (1990年10月26日PP.0) | IBM製品化 規格一本化呼びかけ(5インチは規格が2つに分かれた) | 230 |
| 1990年12月号 | データDAT規格準拠 | 日本ビクター | 日経産業新聞 (1990年10月26日PP.0) | データDAT規格のデータレコーダ発表した(初めて) (DDS規格のものは商品有) | 230 |
| 1990年12月号 | 1万倍の高密度光ディスク | 東大 | 日経産業新聞 (1990年10月18日PP.0) | 光電気的記録1000b/μm アゾベンデソ誘導体薄膜 記録:レーザ光+斜状電極 電圧印加(還元)→ヒドロアゾベシデン 再生:吸収光波長/電圧印加時の電流 消去:酸化 | 230 |
| 1990年11月号 | 記録密度10倍の光磁気ディスク | 名大 三洋電機 | 日刊工業新聞 (1990年10月9日PP.0) | 0.2μmビット長 | 230 |
| 1990年11月号 | 25KbNV-DRAM | シャープ | 電波新聞 (1990年9月28日PP.0) | 32K×8 チップサイズ4.69×10.92m 120万素子 80ns 52mA/200μA 動作時/スタンバイ時ストア時間10ms 0～70℃で十年以上保持 | 230 |
| 1990年 9月号 | 8MbEPROMモジュール | 三菱電機 | 電波新聞 (1990年7月26日PP.0) | 230 |