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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーワード | 分類 番号 |
| 2017年 8月号 | 3次元MRAM 積層プロセス開発 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2017年5月17日PP.29) | CMOS形成ウェハとTMR薄膜ウェハを別々に形成後圧着 | 230 260 |
| 2017年 5月号 | 縦型トランジスタ積層 | 湘南工科大 | 日刊工業新聞 (2017年2月24日PP.25) | パターン面積10-20%小さく 製造コスト30%以下 | 220 260 |
| 2016年 9月号 | 計算科学で新物質合成 新たなLED開発の礎に レアメタルを使わない赤色発光半導体 http://www.titech.ac.jp/news/2016/035528.html | 東工大など | 日経産業新聞 (2016年6月22日PP.8) 日刊工業新聞 (2016年6月22日PP.31) | マテリアルズ・インフォマティクス コンピュータ利用 新物質合成 窒化カルシウム亜鉛 窒素の3元素で構成 希少元素を使わない赤色発光半導体 | 230 250 260 |
| 2016年 6月号 | 有機半導体動作速度2倍 http://www.toray.co.jp/news/it_related/detail.html?key=DA8EA1B0DF6BA34349257f8000172E84?OpenDocument | 東レ | 日経産業新聞 (2016年3月24日PP.10) | 有機半導体 カーボンナノチューブ 動作速度2倍 フィルムに印刷 | 260 220 |
| 2016年 3月号 | ICの指紋で偽造防ぐ http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2015/pr20151207/pr20151207.html | 産総研 | 日刊工業新聞 (2015年12月7日PP.17) | ICの指紋 ICチップの作成時に自然に発生する性能の違いを利用してチップに固有の番号をつける技術 認証性能3倍以上 | 220 260 620 |
| 2015年11月号 | 「フォトニック結晶ナノ光ファイバ」の二つの作製方法を開発 | 電通大 石原産業 | 日刊工業新聞 (2015年8月18日PP.17) | フェムト秒レーザを用いてナノファイバ自身に光共振器を形成 外部回折格子を接触させることで光共振器機能を組込む方法 光子機能を制御 | 240 260 |
| 2015年10月号 | 1500度Cでも耐酸化 SiCセラ複合材料 | 京大 | 日刊工業新聞 (2015年7月30日PP.31) | SiCセラミックス 曲げ強度 耐酸化1500度 | 260 |
| 2015年 9月号 | 組成後も書き換え可能 分子回路部品を開発 http://www.titech.ac.jp/news/2015/031658.html | 東工大 東大 | 日刊工業新聞 (2015年6月22日PP.16) | 電子回路を組んだ後でも回路部品の機能を入れ替えられる素子を一つの有機分子で実現，かご状分子と，その中に入れる分子の組合せで抵抗とダイオード，導線を作り分け | 120 220 260 |
| 2015年 9月号 | SiCウエハー ローム 6インチに大口径化 | ローム | 電波新聞 (2015年6月30日PP.1) | シリコンカーバイドウエハー，大口径化 | 260 |
| 2015年 8月号 | パワー半導体向けSiC単結晶膜 高速で製造 | 電中研など | 日刊工業新聞 (2015年5月13日PP.19) | 直径150ミリ 膜厚10マイクロメートルのSiC単結晶膜を 一日当たり100枚。膜厚の均一性2%以下 不純物密度の不均一性4%以下 | 260 |
| 2015年 8月号 | 強い光弱めるフィルム | 東京工業大学 | 日経産業新聞 (2015年5月20日PP.8) | 一定の強度以上の光だけを弱めるフィルム素材を開発 | 260 |
| 2015年 2月号 | マイクロレンズアレイ用金型複合加工技術 http://www.sophia.ac.jp/jpn/info/news/2014/11/globalnews_1274/20141125?kind=0 | 上智大 | 日刊工業新聞 (2014年11月25日) | マイクロレンズアレイ用の金型を切削とマイクロプレスで製作する複合加工技術，裸眼3D動画用MLA | 260 |
| 2015年 1月号 | 半導体ダイヤモンドの高速成長法を開発 | 金沢大学，アリオス，産総研 | 日刊工業新聞 (2014年10月6日PP.20) | 結晶の成長速度は1時間当たり100μm，球形チャンバー内で炭素をプラズマでラジカル状態まで活性化し，ダイヤモンドの種基板と反応させ結晶を成長させる， | 120 260 |
| 2014年12月号 | 高導電性を持ち光透過性40%の銅薄膜の開発 | 工学院大 | 日刊工業新聞 (2014年9月10日PP.1) | 膜厚40nm 常温常圧で溶液をガラス基板に塗布し熱処理で薄膜化する技術を開発。従来手法に比べ装置コストは1/200に。 | 120 260 |
| 2014年11月号 | リチウム電池の寿命を6倍以上に伸ばす新材料の開発 | 京大 シャープ | 日刊工業新聞 (2014年8月4日PP.18) | リン酸化鉄リチウム電池の充放電サイクルを25000回以上に 計算科学と合成実験を組み合わせた高速材料探索手法を確立 | 250 260 |
| 2014年11月号 | ナトリウムイオン電池の充電容量を5倍に高める技術の開発 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2014年8月4日PP.10) | 黒リンをマイナス電極に使用 従来のハードカーボン使用時比5倍の充電容量を実現 レアメタルフリーの電池の可能性が高まる | 260 250 |
| 2014年11月号 | パワー半導体の性能向 | 東大 | 日経産業新聞 (2014年8月5日PP.8) | パワー半導体の性能低下の原因になる不純物を1/3に減らす製造技術を開発。熱処理温度を高めた | 260 |
| 2014年11月号 | LEDやレーザー用の新基板材料の開発 | 東北大 福田結晶技術研究所 | 日経産業新聞 (2014年8月21日PP.10) | 基板に使う結晶をSc Al Mgの酸化物から試作 結晶制作の炉内構造を見直し成功 サファイアに比べ結晶の欠陥を1/10に 直径2インチの結晶 | 250 260 110 |
| 2014年10月号 | 厚さ1μmの薄型フィルムにトランジスタ回路印刷 | 山形大 | 日刊工業新聞 (2014年7月2日PP.19) | ガラス基板上に高分子の薄型フィルム(パリレン-C)を形成 インクジェット法で線幅5?mでトランジスタ回路を印刷 ガラスから電子回路を作製したフィルムを剥がす技術などを開発 | 260 |
| 2014年10月号 | 曲がる透明誘電フィルム | 東工大 | 日経産業新聞 (2014年7月28日PP.14) | アルミの蒸着フィルムを使用 高分子繊維を貼り付けアルカリ性溶液に浸すだけで製造可能 | 250 260 |
| 2014年 9月号 | 半導体チップを低コストで積層する技術の開発 | 慶応大 | 日経産業新聞 (2014年6月12日PP.7) | 磁力線を使いプロセッサやメモリーを磁力線により非接触接続 製造コスト40%減 低消費電力 44GB | 220 260 |
| 2014年 9月号 | 常温大気中で金属接合 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2014年6月27日PP.22) | MEMS 封止材の歪み防止 表面粗さ0.8nrmsの金メッキパターンを作成 | 160 260 |
| 2014年 7月号 | 透明基板上にCNTで回路形成 | 名大 | 日経産業新聞 (2014年4月16日PP.10) | 配線パターンを形成したポリフッ化ビニリデン製シートを原版とする CNTを透明基板に転写 ITOの代替 樹脂シートに溝を作りCNTを振りかけて転写 | 160 260 |
| 2014年 4月号 | 印刷で高速かつ大面積なTFTシート | JAPERA NEDO | 日刊工業新聞 (2014年1月29日PP.1) | 真空装置不要 省設備化 露光装置不要 厚さ50μmのPENフィルム 縦300mm横400mmのTFTアレイシートを8時間で作成 アモルファスシリコンと同程度の性能 | 220 260 |
| 2014年 3月号 | より低電圧で動作するトンネルFET | 東大 | 日経産業新聞 (2013年12月18日PP.6) 日刊工業新聞 (2013年12月27日PP.13) | Znの拡散による不純物分布を持つ新型接合技術 動作電圧0.3V 接合部にZn拡散 従来の1/3の電圧で動作 | 220 260 120 |
| 2014年 2月号 | 触媒使用率を減らせる剣山型構造 | 理研 九大 | 日経産業新聞 (2013年11月25日PP.10) | 触媒量を数万分の一 φ100nm 長さ数μm Pd粒子を付着 0.49ppmで反応 | 260 |
| 2013年12月号 | 有機半導体を微細加工する露光技術など | 富士フイルム ベルギーImec | 日経産業新聞 (2013年9月27日PP.9) | 線幅0.5μmまで加工 非フッ素系レジスト 365nmのi線による露光技術により製造 | 160 260 |
| 2013年 9月号 | 多層グラフェンを用いた微細配線の作成技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2013年6月18日PP.23) | 250℃で1cm2当たり1000万Aという高密度電流を流しても150時間通電可能 抵抗率9.1μΩcm Cu同等 | 260 120 |
| 2013年 8月号 | 非磁性金属に磁気抵抗効果 | 東北大 | 日刊工業新聞 (203年5月17日PP.21) | 220 260 | |
| 2013年 7月号 | 高精度超音波を発振する半導体素子 | NTT | 日経産業新聞 (2013年4月19日PP.10) | MEMS応用 GaAs 85μm×1.4μm×250μm セーザー 温度2.5Kで2.52MHz(バラツキ70Hz)を入力し174kHz(バラツキ0.08Hz)で発振 | 220 260 |
| 2013年 6月号 | 周波数揺らぎ100万分の1の振動子 | NTT | 日刊工業新聞 (2013年3月19日PP.29) | 長さ250μm・幅85μm・厚さ1.4μmの板バネ SASER フォノンレーザ MEMS レーザ応用 水晶振動子置換え | 260 250 160 |
| 2013年 4月号 | EBG構造によるアンテナへの電磁ノイズ抑制 | NEC | 日刊工業新聞 (2013年1月17日PP.27) | プリント基板内層にEBG構造 特定周波数を遮断 EBGにメタマテリアル 2.1mm角のユニットセル | 240 260 |
| 2012年12月号 | 高分子材料だけの太陽電池で変換効率2.7% | 京大 住友化学 | 日刊工業新聞 (2012年9月13日PP.21) | フルオレン 分子量大きい高分子材採用 | 250 260 |
| 2012年11月号 | 熱電素子併用し太陽電池の効率を5割向上 | 名大 中国電子科技大 | 日経産業新聞 (2012年8月17日PP.5) | 太陽電池の下に熱電素子を張り合わせる 複合材を挟むと発電効率13.8% 色素増感型 | 250 260 |
| 2012年10月号 | プローブを使った半導体描画技術 | 東芝 技術研究組合BEANS研究所 東大 | 日刊工業新聞 (2012年7月10日PP.23) | 回路線幅50nmの微細加工が可能 プローブの先端に庇部と接触部を設けた新構造 | 260 360 |
| 2012年10月号 | ガラス表面のレーザー加工技術 | 産総研 YEデータ 埼玉県産業振興公社 | 日経産業新聞 (2012年7月23日PP.13) | 「LIBWE法」 色素溶液塗布 レーザ照射で1μm削る 3mm角の加工に20秒 | 260 |
| 2012年 7月号 | CNT製トランジスタの印刷技術 | 単層CNT融合新素材研究開発機構 産総研 NEC | 日刊工業新聞 (2012年4月19日PP.17) 日経産業新聞 (2012年4月20日PP.10) | 半導体型ナノチューブ プラスチックフィルムに印刷 出力電流のばらつき30% 印刷面にあらかじめ単分子膜を形成しインクの吸着を促進 インクに純度95%以上の半導体型ナノチューブを使用 | 220 260 |
| 2012年 6月号 | 厚さ0.3mmの高出力2次電池 | NEC | 日経産業新聞 (2012年3月5日PP.9) | 有機ラジカル電池 充放電を500回繰り返しても75%の容量を維持 | 250 260 |
| 2012年 6月号 | 有機ELディスプレイの駆動素子を印刷で作製 | 山形大 | 日本経済新聞 (2012年3月26日PP.11) 日経産業新聞 (2012年3月30日PP.10) | Agの微小粒子インク 100pixel/inch 厚さ125μm ポリエステルフィルム ペンタセン 工程のすべてを150℃以下 | 250 260 220 |
| 2012年 5月号 | 光IC・光ファイバ結合技術 | NEC 産総研 | 日経産業新聞 (2012年2月7日PP.10) | 光ファイバを16本横に並べてつなげた結合部 ファイバ直径125μm | 中央の直径10μmの領域を光が通る 240 260 |
| 2012年 5月号 | ビットパターンを応用したHD大容量化技術 | 東北大 日立 東芝 富士電機 | 日経産業新聞 (2012年2月24日PP.10) | 5Tb/in2 直径17nmの磁性粒子が規則的に並ぶ | 230 260 |
| 2011年 7月号 | 光の干渉で着色できるレーザ加工技術 | フェトン 神奈川県産業技術センター 東工大 | 日刊工業新聞 (2011年4月27日PP.1) | 周期構造を形成 間隔500～800nmで制御 300m/分で加工する 近赤外線レーザと緑色レーザを当てnmサイズの周期構造を連続加工 | 160 250 260 460 |
| 2011年 6月号 | 高出力LED製造技術 | 名大 エルシード | 日経産業新聞 (2011年3月3日PP.11) 日刊工業新聞 (2011年3月25日PP.28) | モスアイ構造 光出力が従来の1.7～2.5倍 500nmのコーン形状を規則的に配置 加工時間1分程度 基板に凹凸で反射抑制 | 260 250 160 |
| 2011年 5月号 | 微小凹凸でLSI接合 | 九大 | 日経産業新聞 (2011年2月4日PP.10) | 突起電極と対向電極を30℃で20秒押しつけると接合 電気抵抗83mΩ 銅でできた直径数μmの突起と溝をかみ合わせて接合 加熱不要 | 220 260 |
| 2011年 4月号 | 半導体材料を紫外線で研磨する技術 | 熊本大 | 日経産業新聞 (2011年1月26日PP.9) | 紫外線を照射して表面を酸化 酸化した部分を研磨 SiCやGaNなどの硬い素材に適用可能 | 260 |
| 2010年 9月号 | 世界最薄のプリント基板 | トッパンNECサーキットソリューションズ | 日経産業新聞 (2010年6月2日PP.1) | ベースプレート不要 厚さ0.34mm | 260 |
| 2009年10月号 | 絶縁膜の欠陥1/10のトランジスタ | 東工大 | 日経産業新聞 (2009年7月7日PP.11) | 酸化ランタンに複数のセリウム酸化物を積層 過剰な酸素を制御 二酸化セリウム 三酸化二セリウム | 230 260 |
| 2009年 9月号 | 厚さ150μmのセラミックコンデンサ | 京セラ | 日経産業新聞 (2009年6月11日PP.1) | 独自の化学処理 電極の厚さ8μm 世界最薄 誘電体の形に添って薄く平らに電極が付着 | 260 |
| 2009年 5月号 | 大きさ1/8のSSD
-半導体チップを立体的に積層- | 慶応大 | 日経産業新聞 (2009年2月16日PP.11) | 半導体チップ間を無線で通信 電磁誘導 NANDフラッシュメモリーを6枚積層 消費電力1/2 通信回路の大きさ1/40 | 230 260 |
| 2009年 4月号 | 異種チップを基板に集積する技術 | 東北大 | 日経産業新聞 (2009年1月15日PP.11) | 水の表面張力利用 スーパー・ヘテロインテグレーション 水滴は結合を促す薬剤を含有 精度0.4μm | 260 |
| 2008年12月号 | 携帯カメラ用高解像度レンズ | 東伸精工 | 日経産業新聞 (2008年9月18日PP.1) | 表裏の中心のずれ最大0.5μm 小型プラスチックレンズ 1000万画素以上の解像度に対応 | 310 260 |
| 2008年11月号 | CNTの導電ゴム素材 | 東大 理化学研 産総研 | 日本経済新聞 (2008年8月8日PP.42) | CNTとゴム状のポリマを混合 20cm四方の集積回路シート 70%引き伸ばしても安定駆動 フッ素系 | 120 260 |
| 2008年 9月号 | 金使用量6割削減可能な半導体パッケージ新手法 | TOWA | 日経産業新聞 (2008年6月24日PP.1) | コンプレッションモールド法 液体状樹脂に半導体チップを浸して固める 配線ワイヤ直径16μm | 260 |
| 2008年 5月号 | 演算能力20倍の3次元LSI | 東芝 米スタンフォード大 | 日本経済新聞 (2008年2月18日PP.23) | CNT 素子配線 ReRAMを演算回路と積層 | 220 260 |
| 2008年 3月号 | 厚さ266μmのLCD向け偏光板 | 住友化学 | 日刊工業新聞 (2007年12月11日PP.15) | 輝度向上フィルムの厚さを大幅に薄くし 接着剤の均一性を原材料の配合と粘度を調整して確保 | 250 260 |
| 2008年 2月号 | 液晶向け駆動IC実装に樹脂 | セイコーエプソン | 日経産業新聞 (2007年11月5日PP.17) | かまぼこ形状のコア樹脂(バンプ) COG | 260 |
| 2007年12月号 | 厚さ300μmのチップ内蔵基板 | TDK | 日刊工業新聞 (2007年9月25日PP.1) | ICチップ厚さ50μm ベアチップのまま配線 モジュール部屋の高さを従来比20～30%低くできる 4層基板 | 260 |
| 2007年12月号 | 蛍光発光する有機ナノチューブ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2007年9月19日PP.29) | オーガニックナノチューブAIST ブドウ糖 オレイン酸 両親媒性 自己集合の際に蛍光分子を添加 薬物伝達システム(DDS) 赤 橙 黄 青 | 120 250 260 |
| 2007年11月号 | 強誘電体により光の波長を変える素子 | 物材機構 早大 | 日刊工業新聞 (2007年8月20日PP.18) 日経産業新聞 (2007年8月21日PP.10) | 変換効率1000倍 接着リッジ導波路 波長1.5815μmの光から波長0.79075μmの第二高調波を1%以上の効率で発生 Mgを添加したLiNbO3の強誘電体膜 エキポシ樹脂でSi基板上に接着 | 120 220 260 |
| 2007年10月号 | 半導体層にCNTを用いたTFT素子 | 東北大 ブラザー工業 阪大 | 日経産業新聞 (2007年7月4日PP.13) | ポリエステル系樹脂製基盤上に金とクロムの合金で3つの電極作成 絶縁膜にポリイミド樹脂 インクジェット技術で積層 | 220 260 120 |
| 2007年 9月号 | 反射率1/10の光学ガラス | 松下電器 NEDO | 日経産業新聞 (2007年6月7日PP.13) | 精密なSiO2製の型をレンズ表面に押しつけ微細な凹凸構造を作って反射を抑制 凹凸の頂点間隔300nm | 250 260 310 |
| 2007年 7月号 | スローライト用いて光変調器を小型化 | 東工大 米コーニング | 日刊工業新聞 (2007年4月10日PP.1) | 直径4μm程度に集光した光ファイバの光を30°の角度で入射 消光比6dB 損失1.5dB以下 | 240 260 |
| 2007年 6月号 | マイクロピラミッド構造を酸化亜鉛薄膜上に作製 | 大阪市大 | 日刊工業新聞 (2007年3月8日PP.26) | 高周波マグネトロンスパッタリング 650℃で20時間 膜厚2μm 一辺2μm 高さ2μm 発光効率数十倍増強 六角錘 アルゴンと酸素の希薄混合ガス | 260 160 250 |
| 2007年 6月号 | 鉄白金微粒子を基板上に成膜 -HDD容量10倍以上- | 東芝 | 日経産業新聞 (2007年3月27日PP.9) | 垂直磁気記録方式 CVD 酸化マグネシウム基板 直径5nmの微粒子 1.8インチHDDで1Tb | 130 160 230 260 |
| 2007年 6月号 | LED封止用新材料 -封止時間1/50- | 日立化成 | 日経産業新聞 (2007年3月29日PP.1) | 加圧下で160℃に加熱すると数分で硬化 マス目状の型で数百個のLEDを一気に封止可能 複数の樹脂材料を組合わせて開発 110～-40℃まで温度変化しても劣化なし | 120 160 250 260 |
| 2007年 5月号 | 半導体チップ間の無線高速通信 | 慶応大 | 日経産業新聞 (2007年2月20日PP.10) | 半導体チップ内に30μm角のコイルを加工 15μm間隔のコイルで1Gbpsの通信 消費エネルギー0.14pJ | 220 240 260 340 |
| 2007年 4月号 | 次世代HD用酸化アルミ膜 | 山形富士通 富士通研 神奈川科学技術アカデミー | 日刊工業新聞 (2007年1月11日PP.27) | 酸化アルミニウム膜 ハードディスク 25nm間隔の穴 磁性金属 記録容量5倍以上 1Tbpi | 230 260 |
| 2007年 4月号 | 銅・銅直接接合で100万端子チップ間接続 | 東大 電子実装工学研 | 日刊工業新聞 (2007年1月16日PP.29) | 接合精度3～6μmピッチに微細化 表面活性化接合 バンプを持たない構造 | 260 |
| 2007年 4月号 | 0.02mmの超薄型有機ELディスプレイ | 東大 | 日刊工業新聞 (2007年1月19日PP.1) | 有機EL層の極薄の樹脂で挟んだ超薄型光ディスプレイ ポリパラキシリレン(パリレン) CVD法でEL層を堆積 | 250 160 260 |
| 2007年 4月号 | 位置決め精度3nmの小型駆動装置 | 東大 仏国立科学研究センター(CNRS) | 日経産業新聞 (2007年1月31日PP.15) | 大きさ縦0.5mm×横5mm 12枚のT字型板をバネでつなぐ 最大変位8.6μm | 250 260 |
| 2007年 3月号 | 液晶フィルタ色欠陥自動修正装置 | NTN | 日経産業新聞 (2006年12月6日PP.1) | 白抜け欠陥 黒欠陥 CCDカメラで撮影 | 250 260 |
| 2007年 3月号 | 8枚積層4GbDRAM | NECエレクトロニクス エルピーダメモリ 沖電気 | 日経産業新聞 (2006年12月14日PP.1) | ワンチップ方式より開発期間を3～6年先行 チップを貫通する配線・電極 チップ間を最短距離で接続 | 230 260 |
| 2007年 3月号 | 150lm/Wの白色LED | 日亜化学工業 | 日経産業新聞 (2006年12月20日PP.3) | 発光層に乱反射を抑える構造 電極の透明度を高め発光効率を1.5倍に向上させた | 250 260 |
| 2007年 2月号 | 単層CNT加工技術 | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年11月27日PP.9) 日刊工業新聞 (2006年11月27日PP.23) | スーパーグロース法 シートや針など様々な形の塊状に固める 単層CNTを多様な形状にデザイン 配向高密度化集合体 高純度で超長尺な単層CNTを束ねる | 160 220 260 |
| 2007年 2月号 | 基板上の光配線自在に | 東海大 | 日経産業新聞 (2006年11月10日PP.8) | 光硬化性樹脂 緑色の光を照射 | 240 260 |
| 2007年 2月号 | ガラス基板に微細バネ構造 | 理研 | 日経産業新聞 (2006年11月16日PP.10) | ガラス基板の表面を水をはじく物質でコーティング 光硬化性樹脂 銀イオン水溶液 屈折率マイナスの光学素子 一辺2μmの立方体の上に微細なバネがのった形状 5μm間隔で800個 | 160 220 240 260 |
| 2007年 1月号 | 画素ピッチ0.3mmの超高精細PDP | NHK パイオニア ノリタケカンパニーリミテッド NBC | 日経産業新聞 (2006年10月3日PP.11) 電波新聞 (2006年10月3日PP.2) | 発光効率の低下を防止して1ルーメン/W 6.5インチ 270×480画素 スーパーハイビジョン プラズマディスプレイ 注入するガス圧力の最適化 | 250 260 |
| 2007年 1月号 | 不要発光量を94%抑制したレーザ発振源 | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2006年10月13日PP.28) | GaAsの2次元フォトニック結晶 結晶中の発光中心に100～200の量子ドットを導入 | 250 260 |
| 2006年12月号 | フィルム中に金ナノ粒子を作製 -立体ナノ配線に道- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年9月4日PP.28) | PVAフィルム ラジカル前駆体(ベンゾフェノン)と金イオン1～5%をドープ 波長が異なる二つのレーザを照射 ギ酸がない場合に比べ金ナノ粒子の生成速度は約20倍 | 260 160 |
| 2006年12月号 | 異種材料を分子間結合力で薄膜接合 | 沖電気 沖データ | 電波新聞 (2006年9月8日PP.1) | エピフィルムボンディング(EFB) 薄膜化したLEDアレイと駆動ICを結合 | 250 260 |
| 2006年11月号 | 特殊フィルムで半導体を実装 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス | 日経産業新聞 (2006年8月3日PP.1) | 異方性導電膜(ACF) パッドの材質に均等に圧力がかかるものを使用 | 120 160 260 |
| 2006年11月号 | 光導波路向け微細金型 | アルプス電気 | 日経産業新聞 (2006年8月11日PP.1) | MEMS 導線幅10μm ナノインプリント 光導波路 | 160 260 |
| 2006年11月号 | MEMS技術を用いた携帯電話用高周波スイッチ | オムロン | 日刊工業新聞 (2006年8月18日PP.9) | 開閉回数10億回以上 量産技術確立 膜厚制御などの加工精度1%以下 | 160 240 260 |
| 2006年 9月号 | 液晶導光板をインクジェットで生産 -金型不要 コスト1/10- | ミヤカワ | 日経産業新聞 (2006年6月22日PP.1) | オンデマンドマルチドロップ(ODMD)技術 ヘッドからポリカーボネート板に6plのエポキシ樹脂を300万個/秒で吹き付け紫外線照射 14～15型まで対応可能 | 250 260 |
| 2006年 8月号 | 湿式で電流効率2倍の有機EL | 九州電力 | 日刊工業新聞 (2006年5月2日PP.1) | 電流効率41.7cd/A インクジェット方式 アルコール系溶媒に溶ける電子輸送材料 | 120 250 260 |
| 2006年 8月号 | 箱振って仮想物体を体感 | 東大 | 日経産業新聞 (2006年5月25日PP.9) | 液体や粉体を体感 触覚ディスプレイ 加速度センサ 電磁石 箱を叩く装置 力の伝え方で情報を示す | 210 260 320 |
| 2006年 8月号 | 抵抗などを内部に印刷したプリント積層基板 -厚さ従来の6割- | トッパンNECサーキットソリューションズ | 日経産業新聞 (2006年5月30日PP.1) | 8層 チップの厚み30μm程度 配線構造見直し 基板の厚さ0.5mm コンデンサは銅配線の上に誘電体樹脂を印刷し導電性樹脂で挟み込む 抵抗は銅配線を銀メッキし上から炭素樹脂を印刷 | 160 260 |
| 2006年 3月号 | 無線機能を備えた曲がるCPU | 半導体エネ研 TDK | 日経産業新聞 (2005年12月16日PP.1) | 暗号処理機能 ガラス基板上に形成したトランジスタをプラスチック基板上に転写 13.56MHz帯 IC部分は14mm角 通信距離は数mm 厚み0.2mm 1.8V駆動で消費電力4mW | 160 220 260 340 |
| 2006年 3月号 | 光をねじるナノ「卍」 | 東大 | 朝日新聞 (2005年12月6日PP.7) | 厚さ95nm 偏光の向きが1.5度回転 500nm角の「卍」 | 120 250 260 |
| 2006年 3月号 | 横方向の解像度1.5倍の液晶ディスプレイ
-カラーフィルタを3枚から2枚にした高精細LCD- | キヤノン | 日経産業新聞 (2005年12月21日PP.10) | 10.4インチの試作品 水平方向に1.5倍の解像度 グリーンとマゼンタのカラーフィルタ 赤・青に近い微妙な色合いの表現は困難 反射型 30万色が限界 省電力型 | 250 260 |
| 2006年 3月号 | 金属ナノ構造で光ナノイメージング技術 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2005年12月22日PP.21) | 細い銀線(銀ナノ円柱)を剣山のように並べた構造 表面プラズモン ナノサイズの微細な構造までがクリアに結像 | 160 210 120 260 |
| 2006年 2月号 | 折り曲げて使える光ファイバ | NTT | 日刊工業新聞 (2005年11月9日PP.24) 日経産業新聞 (2005年11月9日PP.12) | ホーリーファイバを直径4mmの厚い被覆材で覆う 光カールコード | 240 260 |
| 2006年 2月号 | Si基板にナノサイズのらせん孔 -深さ25μm 10分で形成- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2005年11月16日PP.25) | 直径100nm Pt粒子表面にH2O2が還元されて発生した活性酸素がSiを酸化しSiO2発生 HFによりSiO2が解けて孔発生 | 160 260 |
| 2006年 2月号 | 全メディア記録再生チップ | 松下電器 | 日刊工業新聞 (2005年11月18日PP.11) | チップセット BDとDVD信号処理の一体化 | 220 260 |
| 2006年 1月号 | 高音域が聞きやすい補聴器 -電気信号で鼓膜振動- | 電通大 リオン | 日経産業新聞 (2005年10月17日PP.10) | PCシミュレーションにより電気コイルの位置を正確に決定 鼓膜を直接振動 8kHzでも聞き取れる大きさの振動 | 520 260 |
| 2005年12月号 | 電気を使わない小型液体レンズ | シンガポール素材工学研(IMRE) | 日経産業新聞 (2005年9月5日PP.2) | 直径10μm～10mm 1.5cm角以下にパッケージ 焦点距離3mm～∞ 10倍ズーム 液体への圧力レンズの形状を変化 | 310 260 |
| 2005年12月号 | 燃料電池内蔵携帯音楽プレーヤ | 東芝 | フジサンケイビジネスアイ (2005年9月17日PP.10) | 注入口に新結合機構 メタノール 出力100mmWと300mmW | 250 260 |
| 2005年11月号 | 半導体パッケージHMT | 三井ハイテック | 日経産業新聞 (2005年8月26日PP.1) | 最大端子数304で大きさ12mm×12mm チップと端子間を直接全線で接続 | 260 |
| 2005年 9月号 | 携帯向け高歩留まり1.4mm厚の複合電子部品 | 日本IBM 新潟精密 | 日経産業新聞 (2005年6月24日PP.1) | パッケージ・オン・パッケージ(PoP)技術 動作試験可能な基板を積層 電池スペース確保可能 | 260 220 |
| 2005年 9月号 | ハンダ使わず異種金属接合 -超音波複合振動で実現- | アサヒEMS | 日刊工業新聞 (2005年6月29日PP.1) | CuとAl AlとFe 原子間吸引力 毎秒2万回転と4万回転の試験装置 | 260 460 |
| 2005年 5月号 | 次世代MPU「セル」の技術概要をISSCCで発表 | ソニー 東芝 米IBM | 日経産業新聞 (2005年2月9日PP.2) 日本経済新聞 (2005年2月9日PP.11) | マルチコア構造 処理能力10倍 9個のマルチコア | 220 260 |
| 2005年 5月号 | 交流駆動LED | ナイトライドセミコンダクター 徳島大 | 日経産業新聞 (2005年2月16日PP.1) | 二つの回路を逆向きの電流で作動 試作品は1mm角 20個の素子の回路を二つ組合わせる 切り替え不要 | 250 260 |
| 2005年 3月号 | 直径1.5mmのギヤードモータ | 東北大 並木精密宝石 YKK | 電波新聞 (2004年12月28日PP.2) | NiZr基の金属ガラス 長さ9.4mm 単体直径288μm 遊星ギヤ 起動トルク0.1mN･m | 260 360 |
| 2005年 2月号 | 透明で曲がるトランジスタ | 科技機構 東工大 | 読売新聞 (2004年11月25日PP.3) 朝日新聞 (2004年11月25日PP.3) 日経産業新聞 (2004年11月25日PP.8) | プラスチックのフィルム InGaZnアモルファス酸化物半導体 | 220 260 |
| 2004年11月号 | 色素増感型太陽電池の発電素子 -マイクロ波で焼結- | 東北大 | 日経産業新聞 (2004年8月24日PP.7) | ガラス電極を金属板上に置いてマイクロ波を当てる 発泡Ni板 TiO2 | 250 260 |
| 2004年10月号 | 携帯電話のズーム機構体積半減 | イーメックス | 日経産業新聞 (2004年7月28日PP.7) | イオン伝導アクチュエータ 電圧印加で屈曲するプラスチック 10mm角 厚み11mm レンズズーム機構 | 310 260 |
| 2004年 9月号 | 永久磁石式で磁界5.5T実現 | NEOMAX | 日刊工業新聞 (2004年6月10日PP.1) | 磁気回路 NMR装置 パーメンジュール 57cm角高さ49cm ネオジム系磁石 | 250 260 |
| 2004年 9月号 | 65nm次世代半導体 -配線強化で歩留まり2倍に向上- | 東芝 ソニー | 日経産業新聞 (2004年6月24日PP.9) | 配線の剥落を防ぐ技術 高密度配線 層間絶縁膜 電子ビームで配線材料強度高める | 160 220 260 |
| 2004年 9月号 | 世界最小親指サイズの燃料電池 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2004年6月25日PP.1) 電波新聞 (2004年6月25日PP.1) 日本経済新聞 (2004年6月25日PP.13) | パッシブ機構 サイズ8.5g 22mm×56mmに小型化 出力100mW ダイレクトメタノール2mlで最大20時間駆動 DMFC | 250 260 |
| 2004年 8月号 | 超薄型CNTキャパシタ -プリント配線板に組込む- 図使用 | 日立造船 関西大 | 日刊工業新聞 (2004年5月18日PP.1) | 厚さ200μmまでの電気二重層キャパシタ 5000μF/㎝2 高速充放電 | 160 250 260 |
| 2004年 7月号 | プラスチックフィルム基板上にTFT -自在に曲がるCPU- 5と合わせて一記事に | 半導体エネルギー研 | 日刊工業新聞 (2004年4月8日PP.1) | 低温p-SiTFTでCPU形成 8ビットCPU 素子数3万程度 動作周波数25MHz/5V・13MHz/3.3V | 220 260 160 |
| 2004年 7月号 | チップ積層密度1.7倍に | SiPコンソーシアム | 日経産業新聞 (2004年4月13日PP.6) | チップ間に樹脂 パッケージ後厚さ1.2mmなら5枚のチップ積層可 チップオンワイヤ技術 | 260 |
| 2004年 6月号 | 多層プリント配線板技術 -5Gbps 4000ピン対応- | 富士通研 FICT 富士通 | 日刊工業新聞 (2004年3月9日PP.1) | 高速伝送層と高密度実装層を独立に作製し張り合わせる 0.8mmピッチ BGA | 260 |
| 2004年 5月号 | CCDの大きさ1/4に | ASET 三洋電機 | 日経産業新聞 (2004年2月23日PP.9) | 大きさ縦2.5mm×横3.6mm 画素数縦288×横352 Si基板に銅薄膜で縁取りしたφ50μm程度の穴 | 210 260 |
| 2004年 4月号 | 光スイッチのワンチップ化 -微細加工で1/10サイズに- | NTT | 日経産業新聞 (2004年1月15日PP.7) | 3cm角で厚さ5mm 直径600μm鏡100個を配置 光ルータ 光スイッチ・LSI一体化 | 240 260 220 |
| 2004年 4月号 | 業界最多の9層積層MCP | 東芝 | 日経産業新聞 (2004年1月22日) | チップ一枚70μm パッケージの厚さは最薄で1.4mm 5種類のメモリーの組合せ可能 | 260 |
| 2004年 3月号 | 極低損傷プラズマエッチング技術 -次世代CCD量産に道- | 東北大 三洋電機 | 日刊工業新聞 (2003年12月10日PP.1) | 暗電流を劇的に低減 マイクロレンズ パルス変調プラズマエッチング CF4(下付) | 210 260 |
| 2004年 3月号 | 精度高い指紋認識センサ | NTT | 日経産業新聞 (2003年12月26日PP.8) | 表面に50μm角のポリミド材料の突起が57334個 縦1.6cm×横1.3cm 触れると突起部下の空洞部が変化し静電容量変化 静電容量型 | 210 260 620 |
| 2004年 2月号 | フィルムに印刷する薄膜トランジスタ | 凸版印刷 | 日本経済新聞 (2003年11月1日PP.1) | 液晶ディスプレイ用TFT 厚さ50μm 折り曲げ可能 印刷手法のみで形成 | 220 260 250 |
| 2004年 2月号 | 45nmの回路線幅形成 -フッ素レーザで形成- | Selete | 日経産業新聞 (2003年11月21日PP.7) | 内蔵レンズ開口率0.9 CaFレンズ | 160 260 |
| 2003年11月号 | 最小・最薄のメガピクセルCCDカメラモジュール | シャープ | 電波新聞 (2003年8月27日PP.6) | 容積1.44cm3 高さ9.7mm 1/4インチ型 出力画素数1144×880 | 210 260 |
| 2003年11月号 | 携帯電話用カメラ -ピント調整が出荷時不要に コスト3割削減- | 三菱電機 | 日経産業新聞 (2003年8月27日PP.9) | センサに直接プラスチック材料取付け 接着剤を横から塗布 | 260 |
| 2003年 9月号 | 基幹系光通信機器の中核部品のコスト半減 | 超先端電子技術開発機構 | 日経産業新聞 (2003年6月6日PP.6) | マイクロレンズ不要 複合部品内にL字型の導波路 3㎝角×高さ3㎜ | 240 260 |
| 2003年 9月号 | 動摩擦ゼロの分子ベアリング | 福岡教育大 成蹊大 | 日刊工業新聞 (2003年6月11日PP.4) | グラファイト 単層のC60 MEMS 摺動機構 | 260 |
| 2007年 3月号 | 液晶フィルタ色欠陥自動修正装置 | NTN | 日経産業新聞 (2006年12月6日PP.1) | 白抜け欠陥 黒欠陥 CCDカメラで撮影 | 250 260 |
| 2007年 3月号 | 8枚積層4GbDRAM | NECエレクトロニクス エルピーダメモリ 沖電気 | 日経産業新聞 (2006年12月14日PP.1) | ワンチップ方式より開発期間を3～6年先行 チップを貫通する配線・電極 チップ間を最短距離で接続 | 230 260 |
| 2007年 3月号 | 150lm/Wの白色LED | 日亜化学工業 | 日経産業新聞 (2006年12月20日PP.3) | 発光層に乱反射を抑える構造 電極の透明度を高め発光効率を1.5倍に向上させた | 250 260 |
| 2007年 2月号 | 単層CNT加工技術 | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年11月27日PP.9) 日刊工業新聞 (2006年11月27日PP.23) | スーパーグロース法 シートや針など様々な形の塊状に固める 単層CNTを多様な形状にデザイン 配向高密度化集合体 高純度で超長尺な単層CNTを束ねる | 160 220 260 |
| 2007年 2月号 | 基板上の光配線自在に | 東海大 | 日経産業新聞 (2006年11月10日PP.8) | 光硬化性樹脂 緑色の光を照射 | 240 260 |
| 2007年 2月号 | ガラス基板に微細バネ構造 | 理研 | 日経産業新聞 (2006年11月16日PP.10) | ガラス基板の表面を水をはじく物質でコーティング 光硬化性樹脂 銀イオン水溶液 屈折率マイナスの光学素子 一辺2μmの立方体の上に微細なバネがのった形状 5μm間隔で800個 | 160 220 240 260 |
| 2007年 1月号 | 画素ピッチ0.3mmの超高精細PDP | NHK パイオニア ノリタケカンパニーリミテッド NBC | 日経産業新聞 (2006年10月3日PP.11) 電波新聞 (2006年10月3日PP.2) | 発光効率の低下を防止して1ルーメン/W 6.5インチ 270×480画素 スーパーハイビジョン プラズマディスプレイ 注入するガス圧力の最適化 | 250 260 |
| 2007年 1月号 | 不要発光量を94%抑制したレーザ発振源 | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2006年10月13日PP.28) | GaAsの2次元フォトニック結晶 結晶中の発光中心に100～200の量子ドットを導入 | 250 260 |
| 2006年12月号 | フィルム中に金ナノ粒子を作製 -立体ナノ配線に道- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年9月4日PP.28) | PVAフィルム ラジカル前駆体(ベンゾフェノン)と金イオン1～5%をドープ 波長が異なる二つのレーザを照射 ギ酸がない場合に比べ金ナノ粒子の生成速度は約20倍 | 260 160 |
| 2006年12月号 | 異種材料を分子間結合力で薄膜接合 | 沖電気 沖データ | 電波新聞 (2006年9月8日PP.1) | エピフィルムボンディング(EFB) 薄膜化したLEDアレイと駆動ICを結合 | 250 260 |
| 2006年11月号 | 特殊フィルムで半導体を実装 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス | 日経産業新聞 (2006年8月3日PP.1) | 異方性導電膜(ACF) パッドの材質に均等に圧力がかかるものを使用 | 120 160 260 |
| 2006年11月号 | 光導波路向け微細金型 | アルプス電気 | 日経産業新聞 (2006年8月11日PP.1) | MEMS 導線幅10μm ナノインプリント 光導波路 | 160 260 |
| 2006年11月号 | MEMS技術を用いた携帯電話用高周波スイッチ | オムロン | 日刊工業新聞 (2006年8月18日PP.9) | 開閉回数10億回以上 量産技術確立 膜厚制御などの加工精度1%以下 | 160 240 260 |
| 2006年 9月号 | 液晶導光板をインクジェットで生産 -金型不要 コスト1/10- | ミヤカワ | 日経産業新聞 (2006年6月22日PP.1) | オンデマンドマルチドロップ(ODMD)技術 ヘッドからポリカーボネート板に6plのエポキシ樹脂を300万個/秒で吹き付け紫外線照射 14～15型まで対応可能 | 250 260 |
| 2006年 8月号 | 湿式で電流効率2倍の有機EL | 九州電力 | 日刊工業新聞 (2006年5月2日PP.1) | 電流効率41.7cd/A インクジェット方式 アルコール系溶媒に溶ける電子輸送材料 | 120 250 260 |
| 2006年 8月号 | 箱振って仮想物体を体感 | 東大 | 日経産業新聞 (2006年5月25日PP.9) | 液体や粉体を体感 触覚ディスプレイ 加速度センサ 電磁石 箱を叩く装置 力の伝え方で情報を示す | 210 260 320 |
| 2006年 8月号 | 抵抗などを内部に印刷したプリント積層基板 -厚さ従来の6割- | トッパンNECサーキットソリューションズ | 日経産業新聞 (2006年5月30日PP.1) | 8層 チップの厚み30μm程度 配線構造見直し 基板の厚さ0.5mm コンデンサは銅配線の上に誘電体樹脂を印刷し導電性樹脂で挟み込む 抵抗は銅配線を銀メッキし上から炭素樹脂を印刷 | 160 260 |
| 2003年 6月号 | 高密度多層プリント配線基板 -厚さ1/5- | 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2003年3月20日PP.1) | 銅基盤に配線層を積層した後に銅基盤を取り除く方式 配線二層0.09mm 三層0.15mm ビルドアップ基板 網の目上素材 | 260 |
| 2003年 5月号 | 半導体EB露光装置 -つなぎ精度実用化レベル- | ニコン Selete | 日経産業新聞 (2003年2月6日PP.1) | 回路半導体EB露光装置 つなぎ精度23nm 65nmプロセス用 2005年の製品化 | 260 330 |
| 2003年 4月号 | 液状セラミックを塗布した新型放熱器 -放熱効率20倍に- | 沖電気 セﾗミション | 日経産業新聞 (2003年1月20日PP.1) | ヒートシンク 液状セラミック 放熱効率 熱を遠赤外線に変換 | 260 |
| 2003年 4月号 | 超小型の高周波部品 -消費電力1/1000- | オムロン | 日経産業新聞 (2003年1月23日PP.1) | 超小型高周波リレー MEMS技術 5GHz/10GHz対応品 消費電力はそれぞれ0.1mW・0.05mW 制御電圧24V | 240 260 |
| 2003年 4月号 | 超音波利用の非接触マニピュレータ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2003年1月24日PP.5) | 定在波音場 微小物体を自在に3次元移動 1.75MHz音源で実験 | 260 360 |
| 2003年 1月号 | フェライト直接めっき | 東工大 東北大 NECトーキン | 日経産業新聞 (2002年10月9日PP.3) | 従来の60倍のノイズ除去効果 厚さ3μm 90℃以下でめっき加工 | 260 |
| 2002年10月号 | 光スイッチ大きさ1/10 | 住友電工 | 日経産業新聞 (2002年7月11日PP.1) | マイクロマシン技術 親指爪程度 従来価格の1/4 約10mm角で4mmの歯が16本 切替時間1.3μs | 240 260 440 |
| 2002年10月号 | 樹脂の超微小部品を金型で製作 -光スイッチ開発に道- | クラスターテクノロジー | 日刊工業新聞 (2002年7月24日PP.1) | 1μmの樹脂形成品 集中イオンビーム | 160 260 |
| 2002年 8月号 | 繊維混ぜ込み偽造防止 | ニッパツ | 日本経済新聞 (2002年5月3日PP.13) | 磁気繊維 ICカード 磁気パターンとIC内の情報を照合 | 230 260 430 520 |
| 2002年 7月号 | ナノ精度で一括製造する微細加工技術と製造装置 - 材料問わず3次元加工 - | 富士ゼロックス | 日刊工業新聞 (2002年4月2日PP.1) | 断面パターン薄膜 Arビーム清浄 高精度圧接 | 260 |
| 2002年 6月号 | ナノサイズのカプセル型白金微粒子 | 千葉大 | 日刊工業新聞 (2002年3月19日PP.1) | カプセル型白金微粒子 20nm 表面積が30000m2/モル | 260 160 |
| 2002年 5月号 | 微小歯車 -直径0.2mm- | セイコーインスツルメンツ 北川工業 昭和電工 | 日本経済新聞 (2002年2月7日PP.13) | 射出成型 プラスチック カーボンナノファイバ 直径80～100nm | 620 260 |
| 2002年 5月号 | 携帯電話内蔵用カメラ -小型でもズームやオートフォーカス- | 東芝 | 日本経済新聞 (2002年2月16日PP.13) | 携帯電話用 静電気アクチュエータ | 310 260 |
| 2002年 3月号 | 4層構造のスタックドCSP | シャープ | 日経産業新聞 (2001年12月19日PP.6) | 64Mbと16Mbフラッシュメモリー+16Mbと4Mb SRAM 100μm/chip パッケージサイズ8×11×厚さ1.4mm | 230 260 |
| 2002年 3月号 | 熱を伝えるプラスチック 一行紹介 | 日立 | 日本経済新聞 (2001年12月28日PP.13) | 熱電導率従来の5倍 エポキシ樹脂 基本的に並びやすい構造の分子 | 160 260 |
| 2002年 1月号 | 超高速光ネットワークスイッチ -LSI-CMOS設計感覚で実装- | NEC | 日刊工業新聞 (2001年10月1日PP.9) | CMOS 40Gb/s LSI 分散処理用ネットワーク RHINET | 220 260 240 |
| 2002年 1月号 | LSI間を光データ転送できる配線技術 | 沖電気 | 日経産業新聞 (2001年10月4日PP.7) 日刊工業新聞 (2001年10月4日PP.11) | 光配線基板 1.55μmの光源 石英基板 | 240 260 |
| 2001年12月号 | 多層実装基板加工技術 -超精密・3次元加工を実現- | 東成エレクトロビーム | 日刊工業新聞 (2001年9月18日PP.7) | Siウェハ 実装用多層構造基板 マイクロマシン マイクロ光センサへの応用 | 260 |
| 2001年11月号 | 形状記憶合金製ビス -ネジ取り外し熱で簡単- | シャープ トーキン | 日経産業新聞 (2001年8月14日PP.1) | 形状記憶合金 | 160 260 |
| 2001年11月号 | 複合メモリー | シャープ | 日経産業新聞 (2001年8月27日PP.5) | フラッシュメモリーとRAMの一体化 64Mb フラッシュ×2と32Mb RAM×1をパッケージ スタックドCSP 8mm×11mm | 230 260 |
| 2001年 8月号,9月号 | 半導体材料でミクロンの折り紙 -一辺1/20mmの折り紙- | ATR環境適応通信研 | 日本経済新聞 (2001年6月8日PP.17) | 格子定数の違い GaAs InGaAs | 160 260 |
| 2001年 8月号,9月号 | ナクテク使い立体配線 | 東芝 | 日本経済新聞 (2001年6月15日PP.17) | 銅メッキ 線幅15μm 数10nm径の穴の開いたプラスチックシート 光の強弱で配線と貫通部を作成 | 260 160 |
| 2001年 7月号 | 半導体チップ多段積層技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (2001年5月4日PP.11) | 放熱ギャップ チップonチップ | 230 260 |
| 2001年 7月号 | 導電性皮膜 -セラ基板 皮膜容易に- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2001年5月21日PP.1) | 電導性皮膜 ショットコーティング | 260 |
| 2001年 6月号 | 弾性表面波を使った超小形モータ | 東大 東工大 | 日経産業新聞 (2001年4月13日PP.9) | SAWフィルタ 酸化ニオブ・リチウム 位置決め精度40nm 移動速度1.1m/s | 260 250 240 |
| 2001年 5月号 | ナノレベル加工機 -先晩部分の曲率半径5μm- | 理化学研 | 日刊工業新聞 (2001年3月26日PP.1) | V字溝加工 | 260 |
| 2001年 5月号 | プリント配線板に内蔵する液体冷却技術 | NEC | 日刊工業新聞 (2001年3月22日PP.6) | 銅製マイクロヒートシンク埋込み | 260 |
| 2001年 5月号 | デカップリングキャパシタ -ノイズを高効率で吸収- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2001年3月14日PP.7) | 薄膜キャパシタ 30pH Si基板 チタン酸バリウム・ストロンチウム(BST)セラミック薄膜使用 | 260 |
| 2001年 3月号 | カーボンナノコイル作成 -ディスプレイなどへ応用- | 大阪府立大 豊橋技科大 | 日経産業新聞 (2001年1月23日PP.10) | カーボンナノコイル 太さ数十nm カーボンナノチューブ 有機分子の高温ガス 反応温度650～800℃ 直径数10nm マイクロマシン用ばね | 150 120 260 |
| 2001年 3月号 | 光信号で基板間伝送 | アイカ工業 | 日経産業新聞 (2001年1月17日PP.1) | 光伝送シート 光バックプレーンボード ノイズ抑制 1GHz | 260 340 240 |
| 2001年 2月号 | ICチップの直接装着 | 新日鉄 | 日経産業新聞 (2000年12月6日PP.9) | ハンダボール 超音波振動で整列 フリップチップ | 260 |
| 2000年10月号 | 放電加工・超音波加工技術 | 東大 | 日刊工業新聞 (2000年8月8日PP.7) | 超音波加工 | 160 260 |
| 2000年 6月号 | 多層構造電子回路作成技術 | 茨城大 | 日本工業新聞 (2000年4月4日PP.15) | 多層構造電子回路 レーザマイクロ造形法 オール・ソリッドステート・システム 微粉体テープ | 160 260 |
| 2000年 5月号 | カーボンナノチューブで電子銃作成 | 電総研 | 日本経済新聞 (2000年3月27日PP.19) | 直径2～3nmφ Si突起 炭化水素系ガス カーボンナノチューブ 放電開始電圧10V 電子銃 | 260 250 150 |
| 2000年 4月号 | 電磁波フィルタ -パソコンの情報漏洩防止- | コトヴェール | 日経産業新聞 (2000年2月1日PP.18) | 電磁波 ポリイミド | 260 |
| 1999年11月号 | Si接合技術 | NEC 科学技術振興事業団 | 電波タイムズ (1999年9月20日PP.2) | カーボンナノチューブ | 260 160 |
| 1999年 9月号 | 単一電子素子量産用製造技術 | 東芝 | 日本経済新聞 (1999年7月19日PP.19) | 自己組織化 超微細加工 半導体基板 20～30nmの凹凸 単一電子素子 製造技術 エッチング | 160 220 260 120 |
| 1999年 8月号 | 世界初の微細立体配線技術 -レーザ2種を基板に同時照射- | 三洋電機 | 日経産業新聞 (1999年6月3日PP.5) | エキシマレーザ 微細配線技術 マイクロマシン用 可視光レーザ 二波長励起レーザ CVD | 160 260 |
| 1999年 8月号 | 幅3nmの電線 -微小機械などに応用へ- | 物質工学研 | 日経産業新聞 (1999年6月15日PP.5) | 誘電性繊維 | 260 160 |
| 1999年 6月号 | 世界初の球面集積回路 -球状半導体にIC形成- | 米ボールセミコンダクタ | 日本経済新聞 (1999年4月6日PP.11) 日刊工業新聞 (1999年4月13日PP.11) | 球面集積回路 球状Si N形MOS 球状半導体 インバータ回路 | 220 260 160 |
| 1999年 6月号 | 超小スキャニングセンサ | オムロン | 日経産業新聞 (1999年4月4日PP.4) | スキャナ | 210 260 0 |
| 1999年 3月号 | マイクロマシン技術応用の超小形リレー | オムロン | 日経産業新聞 (1999年1月20日PP.5) | マイクロマシン | 260 |
| 1999年 3月号 | マイクロマシン技術による磁気ヘッド制御システム | 情報ストレージ研究推進機構(SRC) | 日本工業新聞 (1999年1月14日PP.18) | 静電マイクロアクチュエータ 情報記録装置 トラッキング制御 20Gb/in2 | 260 230 |
| 1999年 3月号 | 小型走行マシン -光をエネルギー源に駆動- | 農工大 | 日刊工業新聞 (1999年1月14日PP.5) | 圧電 磁性 | 260 |
| 1999年 2月号 | トランジスタパッケージ -最小の環境配慮型- | 三洋電機 | 日本経済新聞 (1998年12月11日PP.11) | チップサイズパッケージ 鉛使用量ゼロ | 260 |
| 1999年 1月号 | 磁気ディスク製造装置 -記録密度を10倍に- | FTS社 東工大 | 日経産業新聞 (1998年11月13日PP.22) | 多層連続成膜 高密度磁気ディスク 磁性体 縦並び配列 | 230 260 |
| 1998年12月号 | レーザ走査素子 -超小型 消費電力は1/100- | 日本信号 | 日経産業新聞 (1998年10月20日PP.1) | 光デバイス マイクロマシン レーザ光走査 バーコードリーダ マイクロマシン技術 | 210 260 230 |
| 1998年 9月号 | 最薄のTFT型LCD | 日本IBM | 日経産業新聞 (1998年7月14日PP.1) | 導光体1.7mm | 250 260 |
| 1998年 7月号 | メモリー実装に新技術 -4倍の高密度化可能- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1998年5月27日PP.9) | メモリー 実装技術 スライドパッケージ方式 | 230 260 |
| 1998年 7月号 | 新実装基板技術 -5倍の高密度実装可能- | NEC | 日刊工業新聞 (1998年5月26日PP.1) | 高密度実装 基板技術 | 260 |
| 1998年 5月号 | リサイクルで完全再生できる樹脂 | NEC | 日経産業新聞 (1998年3月20日PP.1) | リサイクル 外装 樹脂 エコポリカ | 260 160 |
| 1998年 4月号 | 1GHZの信号を分配するクロック技術 | NEC | 日経産業新聞 (1998年2月9日PP.5) | クロック分配 ローカルクロック LIS | 220 260 |
| 1998年 3月号 | 初の128MbDRAM | 日立製作所 | 日本工業新聞 (1998年1月27日PP.4) | DRAM | 230 260 |
| 1998年 3月号 | DRAMメモリーセルを最小にできる技術 | NEC | 日経産業新聞 (1998年1月13日PP.5) | DRAM 4GbDRAM 位置ズレ防止 | 230 260 |
| 1998年 3月号 | 電磁波の発生を抑制する技術-30%以下に- | NEC | 日経産業新聞 (1998年1月7日PP.5) | プリント基板 電磁波放出 | 260 |
| 1998年 2月号 | 半導体の超小型パッケージ -技術供与へ- | NEC | 日本経済新聞 (1997年12月5日PP.11) | チップとほぼ同等の大きさ ワイヤボンドなし 実装面積1/9 重量1/31 | 260 |
| 1998年 1月号 | 微小部品 磁力制御で運搬する新システム | 富士電機総研 | 日経産業新聞 (1997年11月14日PP.4) | パレット移動 磁力 セラミック基板 | 260 |
| 1997年 8月号 | 超小型駆動装置 -半導体熱膨張で大きな力- | オムロン | 日経産業新聞 (1997年6月5日PP.5) | マイクロマシン アクチュエータ | 260 250 |
| 1997年 5月号 | 不要な電磁波ノイズ抑制技術 | NEC | 日経産業新聞 (1997年3月19日PP.5) | 電磁波ノイズ プリント配線基板 | 260 |
| 1997年 4月号 | 電磁波吸収する炭素繊維 | 岐阜大 | 日経産業新聞 (1997年2月14日PP.5) | 電磁波 炭素繊維 | 260 |
| 1997年 2月号 | 混載LSI向け配線形成技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年12月11日PP.5) 電波新聞 (1996年12月11日PP.5) | プラグ アスペクト比8 ビアホール アルミニウム DRAM MPU | 260 220 230 |
| 1997年 2月号 | FED基本素子 -低い電圧で安定動作- | 東芝 電総研 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年12月9日PP.5) 日本経済新聞 (1996年12月9日PP.17) 日経産業新聞 (1996年12月26日PP.4) | 6ホウ化ランタン陰極 低電圧駆動 陰極にトランジスタ 長寿命化 FED Siの鋳型 陰極 28V動作 3～5Vの低電圧動作可能性 開口制御性向上 0.15μm幅開口 PN接合分離 | 250 260 |
| 1997年 2月号 | 単分子積層膜，簡単につくる手法 | 上智大 | 日経産業新聞 (1996年12月5日PP.5) | 単分子 有機高分子 積層膜 | 260 |
| 1997年 1月号 | 2nmのSi細線 -電子線露光で作製- | NTT | 日経産業新聞 (1996年11月5日PP.6) | 幅2nm エッチング 電子線露光 Si細線 単一電子トランジスタ | 120 260 160 |
| 1996年12月号 | レーザ利用で細胞融合効率化 | 東北大 | 日経産業新聞 (1996年10月11日PP.4) | レーザ 細胞融合 | 460 260 |
| 1996年10月号 | 半導体の素子分離技術 -回路線幅0.25μmまで対応- | 松下電器産業 松下電子 | 日経産業新聞 (1996年8月28日PP.5) | CMOS トレンチ法 0.25μm幅 BとPを含むSiO2 | 260 160 |
| 1996年10月号 | ほぼチップサイズのLSI樹脂パッケージ | シャープ | 電波新聞 (1996年8月1日PP.5) | CSP | 260 |
| 1996年 8月号 | 4GbDRAM用光露光技術 | 富士通 富士通研 東芝 | 電波新聞 (1996年6月12日PP.1) 日経産業新聞 (1996年6月12日PP.5) 日本経済新聞 (1996年6月12日PP.13) 日経産業新聞 (1996年6月14日PP.5) 日経産業新聞 (1996年6月14日PP.14) | メモリー DRAM 露光技術 | 230 260 160 |
| 1996年 8月号 | 超高速LSI配線技術 | NEC | 日刊工業新聞 (1996年6月12日PP.8) | 超高速LSI 配線技術 低誘電率 | 260 220 |
| 1996年 8月号 | MOS電界効果のトランジスタ -半導体素子の不純物混入- | 松下電器産業 | 日経産業新聞 (1996年6月12日PP.5) | プラズマドーピング | 220 260 |
| 1996年 7月号 | メモリー多層化に新手法 | NEC | 日経産業新聞 (1996年5月22日PP.5) | メモリー DRAM 多層化 | 230 260 |
| 1996年 7月号 | 1Tbの光ディスク記録技術 | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1996年5月13日PP.5) | 顕微鏡 光ディスク 高密度 走査型近接場光顕微鏡 1Tb ディスク 相変化ディスク 170Gb/inch2 読出し速度10Mbps SNOM 相変化型 12cmディスクに1Tb | 230 260 360 |
| 1996年 6月号 | 青色半導体レーザの新製造 -基板に炭化ケイ素利用- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年4月18日PP.5) | 青色レーザ 炭化ケイ素 SiC基板 高性能レーザ反射面 AlNでバッファ層形成 GaNレーザ 半導体レーザ 製造技術 | 250 260 |
| 1996年 5月号 | 真空マイクロ素子 | 電総研 | 日経産業新聞 (1996年3月27日PP.5) | 平面ディスプレイ 真空マイクロ素子 微細加工技術 安定動作 FET構造 冷陰極 | 220 250 260 |
| 1996年 5月号 | 波長多重光メモリー -基礎実験に成功- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1996年3月14日PP.7) | 光メモリー 波長多重 大容量 1Tb/cm2に道 量子箱 ホールバーニング(PHB)効果 0.48msのホール寿命 量子サイズばらつきで波長多重 | 230 130 260 |
| 1996年 4月号 | 液晶ディスプレイ -広い視野角，製造も容易- | 農工大 | 日経産業新聞 (1996年2月28日PP.5) | 液晶ディスプレイ 2分割法 | 250 260 |
| 1996年 4月号 | ミリ波フリップチップIC技術 -50GHz帯MFICアンプ試作- | 松下電器産業 松下電子 | 電波新聞 (1996年2月10日PP.1) | 誘電体 ミリ波 MFIC | 220 260 |
| 1996年 3月号 | 最高速バイポーラトランジスタ -Si使い最高速素子- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1996年1月9日PP.5) | バイポーラ 70GHz Siトランジスタ Woベース電極 バイポーラトランジスタ 遅延時間14.3/s | 220 260 |
| 1996年 3月号 | 2本指マイクロハンド | 工技院機械技研 | 電波新聞 (1996年1月3日PP.7) | マイクロマシン 2本指 | 260 |
| 1996年 2月号 | 新DRAMセル構造 -MPUとDRAMの混載容易に- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年12月12日PP.7) 電波新聞 (1995年12月12日PP.6) | DRAM MPU 裏面配線 セル構造 CMP(研磨平坦化) 多層配線 | 230 160 220 260 |
| 1996年 2月号 | 光ファイバを直接固定する並列結合技術 | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1995年12月8日PP.7) 電波新聞 (1995年12月8日PP.1) | 光インタフェース 裏面にガイド穴 結合効率80% 光ファイバ | 240 250 260 |
| 1995年12月号 | 次世代画像表示素子DMD | 米TI | 日本経済新聞 (1995年10月9日PP.15) 電波新聞 (1995年10月21日PP.5) | DMD 1.5cm×1.1cmに44万枚の鏡 | 250 260 |
| 1995年11月号 | ドーナツ構造アルミ電解コンデンサ -コンデンサ発熱半減- | 日本ケミコン | 電波新聞 (1995年9月14日PP.8) 日経産業新聞 (1995年9月14日PP.9) | ドーナツ構造 コンデンサ | 260 |
| 1995年 9月号 | 窒化アルミ製マルチチップモジュール | 京セラ | 電波新聞 (1995年7月29日PP.5) | マルチチップモジュール 20層 1テラFLOPS | 260 220 |
| 1995年 9月号 | 高熱伝導性の封止樹脂 -発熱の大きな大型ASICをプラスチックでパッケージ- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1995年7月5日PP.7) | エポキシ樹脂+複合セラミック 4W/mケルビン | 160 260 |
| 1995年 8月号 | 半導体レーザ -Si基板上に高速光配線に応用- | 沖電気 | 日経産業新聞 (1995年6月19日PP.1) | 化合物半導体レーザとSiの直接接合 光配線 | 250 260 |
| 1995年 7月号 | 静電気駆動マイクロアクチュエータ | 名大 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1995年5月18日PP.8) | マイクロマシン マイクロアクチュエータ | 260 160 |
| 1995年 5月号 | 静電浮上搬送装置 | KAST | 日刊工業新聞 (1995年3月10日PP.6) 日経産業新聞 (1995年3月28日PP.5) | 搬送装置 静電気浮上 | 160 260 |
| 1995年 5月号 | 次世代画像表示装置 | ソニー TI | 日本経済新聞 (1995年3月4日PP.10) | DMD(ディジタル マイクディスプレイ) ミラーデバイス マイクロミラー 半導体チップ状に形成 | 350 260 |
| 1995年 3月号 | ミクロ電磁スイッチを使った光路切替え技術 -光ファイバ接続変更，簡単に- | NTT | 日経産業新聞 (1995年1月9日PP.5) | 光ファイバ 光スイッチ 電磁スイッチ ミクロ電磁スイッチ ファイバ網の接続変更装置 | 240 260 |
| 1995年 2月号 | 圧電素子の振動利用したアクチュエータ | ミノルタ | 日経産業新聞 (1994年12月20日PP.5) | 圧電リニアアクチュエータ マイクロマシン | 260 250 |
| 1995年 1月号 | 直径1mmの発電機 | 三菱電機 | 日本経済新聞 (1994年11月21日PP.19) | マイクロマシン 発電機 直径1mm | 260 350 |
| 1995年 1月号 | 超小型の回転角速度センサ | 村田製作所 | 日本経済新聞 (1994年11月12日PP.13) | 回転角速度センサ マイクロマシン | 210 260 |
| 1994年12月号 | 超小型ICパッケージ -ICの面積1/4に- | 松下電器産業 松下電子 | 日経産業新聞 (1994年10月3日PP.1) | 小型ICパッケージ スタッドバンプ方式 | 260 |
| 1994年11月号 | ワイヤレスで給電技術 | テルモ | 日本工業新聞 (1994年9月8日PP.1) | 光伝送 マイクロマシン 電源供給 | 260 340 |
| 1994年10月号 | 大量の液晶含ませる高分子材料 -1sec以下で形状変化- | 工技院物質工研 | 日経産業新聞 (1994年8月30日PP.5) | マイクロマシン | 260 |
| 1994年10月号 | みみずの運動を応用したマイクロロボット | 東工大 | 日経産業新聞 (1994年8月26日PP.5) | マイクロロボット 細管内移動 | 260 |
| 1994年10月号 | 直径5mmの電磁モータ | 富士電機 | 日経産業新聞 (1994年8月16日PP.1) 電波新聞 (1994年8月19日PP.10) | モータ マイクロマシン トルク3.5μNm | 260 250 |
| 1994年 8月号 | 光電変換方式でエネルギー供給 | 三洋電機 | 日経産業新聞 (1994年6月30日PP.1) | マイクロマシン 光電変換デバイス | 250 260 |
| 1994年 8月号 | 誤差実用範囲に小型のエンコーダ | 東芝 | 日経産業新聞 (1994年6月21日PP.4) | マイクロマシン 光ファイバエンコーダ コーダ | 250 260 |
| 1994年 5月号 | 分散型機械に自己修復機能 | 工技院機械研 | 日経産業新聞 (1994年3月15日PP.5) | 分散型機械 自己修復機能 | 260 |
| 1994年 4月号 | 世界最小の物差し -0.2μmの寸法を校正- | 日立製作所 | 電波新聞 (1994年2月25日PP.2) | 測定用標準試料 マイクロスケール | 260 360 |
| 1994年 4月号 | 超小型継電器 | NTT | 日経産業新聞 (1994年2月18日PP.1) | 超小型リレー レーザ動作 10ms 光で切替え Si基板に集積 マイクロマシン 幅200μm 長さ1.5m厚さ10μm | 260 240 |
| 1994年 4月号 | Si薄板による微小光学素子 | NTT | 日経産業新聞 (1994年2月7日PP.4) | 160 260 | |
| 1994年 3月号 | 小型静電マイクロモータ | 松下技研 | 日経産業新聞 (1994年1月21日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年1月21日PP.9) 電波新聞 (1994年1月21日PP.1) | モータ マイクロマシン 直径1.4mm 長さ10mm マイクロモータ 100rpm 静電モータ | 260 250 |
| 1994年 2月号 | 超微細の半導体回路パターン -作成技術を開発- | 電総研 | 日刊工業新聞 (1993年12月14日PP.17) | 回路線幅0.1μm エッチング工程不要 | 260 |
| 1994年 2月号 | 寿命100倍の新構造トランジスタ | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1993年12月10日PP.5) | 窒素イオン注入 | 260 220 |
| 1994年 2月号 | 世界最小MOSトランジスタ -ゲート長世界最小実現- | 東芝 | 電波新聞 (1993年12月3日PP.1) 日経産業新聞 (1993年12月3日PP.5) 日刊工業新聞 (1993年12月3日PP.7) 日本工業新聞 (1993年12月3日PP.6) | MOSトランジスタ ゲート長0.4μm 超微細加工技術 世界最小 100GbpsのDRAM 1.5V動作 従来ゲート長0.07μm 固層拡散法 | 220 260 |
| 1994年 1月号 | 微小駆動機構 | 東大 | 日経産業新聞 (1993年11月24日PP.5) | マイクロマシン アクチュエータ | 260 |
| 1994年 1月号 | マイクロアクチュエータ | 工業技術院大阪工業技研 | 日刊工業新聞 (1993年11月10日PP.5) | マイクロマシン アクチュエータ | 260 |
| 1994年 1月号 | 両面チップIC | 三井ハイテック 米インテル | 日経産業新聞 (1993年11月9日PP.1) | 薄型IC製造技術 記憶容量2倍 DDTSOPパッケージ フラッシュメモリー リードフレーム 両面実装 | 220 260 230 |
| 1994年 1月号 | 世界最小の冷却装置 -4cm角- | 富士通 | 朝日新聞(夕刊) (1993年11月8日PP.9) | 超小型冷却器 4×1cm CPUチップを80℃に | 260 |
| 1994年 1月号 | 液晶膜を大面積化 | 工業技術院物質工学工業技研 | 日刊工業新聞 (1993年11月2日PP.6) | 液晶配向膜 偏光エキシマレーザ | 250 260 |
| 1993年 6月号 | 真空マイクロ素子 -先端の鋭さ世界最高のエミッタアレイ- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1993年4月22日PP.7) | 真空マイクロ素子 先端曲率10nm | 260 |
| 1993年 5月号 | 微小リレー -300μm角のバネで電流制御- | NTT | 日経産業新聞 (1993年3月15日PP.5) | 製造加工技術 300μm角 1.8μmt 1kHz切換 | 260 |
| 1993年 4月号 | 化合物半導体使った超高速トランジスタ -新技術で量産化に道- | NTT | 日経産業新聞 (1993年2月17日PP.5) | 220 260 | |
| 1993年 4月号 | AlGaAs化合物の選択成長技術 | 三菱化成 | 日刊工業新聞 (1993年2月3日PP.6) | MOCVDHSE法 選択成長技術 量子化機能素子 レーザ | 260 250 |
| 1993年 2月号 | 超微細MOSトランジスタ -ゲート長0.1μm以下に- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1992年12月21日PP.8) | 超微細加工技術 PMOSトランジスタ 固相拡散ドレイン(SPDD)構造 ゲート長0.08μm | 260 220 |
| 1993年 2月号 | 爆薬を利用したヘテロダイヤモンドの合成 | 工技院科学技研 | 日経産業新聞 (1992年12月11日PP.4) | 半導体材料 爆薬ホウ素 炭素 窒素 | 160 260 |
| 1993年 2月号 | 1GbDRAM用0.2μm以下の超微細パターン形成技術 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1992年12月15日PP.1) 日経産業新聞 (1992年12月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.9) 電波新聞ハイテクノロジ (1992年12月17日PP.1) | ArFエキシマレーザ 1GbDRAM 微細加工技術 | 260 230 |
| 1993年 2月号 | SOIを用いた新タイプのDRAM | ソニー | 日刊工業新聞 (1992年12月15日PP.9) | DRAM SOI 512MbDRAM向け | 220 260 |
| 1993年 1月号 | g線で0.35μmGaAsIC | 東芝 | 日刊工業新聞 (1992年11月24日PP.5) | イメージリバース 量産技術 | 260 |
| 1993年 1月号 | イオン注入だけで新素子 | NTT | 日刊工業新聞 (1992年11月17日PP.6) | インプレーン ゲート構造 メゾスコピック素子へ応用 | 260 |
| 1993年 1月号 | 量子ドットの大きさを制御 | NTT | 日経産業新聞 (1992年11月13日PP.5) | 量子ドット 電子閉込め | 260 |
| 1993年 1月号 | 高真空中でGaAs基板微細加工技術 -量子細線構造を試作- | 新技術事業団 | 日刊工業新聞 (1992年11月11日PP.15) | 量子細線デバイス 超高真空 電子ビーム照射 量子細線構造 超高速スイッチング素子 | 260 220 |
| 1992年12月号 | 単結晶アルミ配線形成技術 | 東芝 | 日刊工業新聞 (1992年10月29日PP.7) | 260 | |
| 1992年12月号 | 窒化鉄磁性薄膜新成膜技術 | リコー | 電波新聞 (1992年10月30日PP.2) | 260 | |
| 1992年11月号 | 高真空反応性ICB法 | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年9月8日PP.2) | 260 | |
| 1992年 9月号 | 光集積素子形成技術 | 日電 | 電波新聞 (1992年7月15日PP.6) 日経産業新聞 (1992年7月15日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年7月15日PP.9) | 複数素子を1チップ上に作製 | 260 |
| 1992年 6月号 | 0.075μmで加工できる感光樹脂 | 富士通研 | 日経産業新聞 (1992年4月7日PP.1) 日刊工業新聞 (1992年4月7日PP.6) | フォトレジスト 電子線描画 | 160 260 |
| 1992年 5月号 | 青色発光素子製造技術確立 | 日新電機 | 日経産業新聞 (1992年3月3日PP.1) | 250 260 | |
| 1992年 4月号 | 最先端メモリー技術相次ぐ | 日電 東芝 | 電波新聞 (1992年2月19日PP.6) 日経産業新聞 (1992年2月19日PP.8) 日刊工業新聞 (1992年2月19日PP.9) | 日電:64MDRAM 16MSRAM 東芝:5V動作4MフラッシュEEPROM 3.3V動作 MOSRAM | 230 260 |
| 1992年 2月号 | ゲート長0.1μmCMOS | NTT | 日経産業新聞 (1991年12月13日PP.5) | 製造加工技術 1Gbメモリーへ道 | 260 |
| 1992年 2月号 | 次々世代超LSI -1Gb級超LSIに道- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年12月10日PP.5) | 製造加工技術 半地下電極 | 220 260 |
| 1992年 2月号 | 半導体露光装置 | キヤノン | 日経産業新聞 (1991年12月2日PP.1) | 超微細加工技術 0.35μm QUEST | 260 |
| 1992年 1月号 | マイクロマシンセンター発足 | 通産省 | 電波新聞 (1991年11月18日PP.1) | マイクロマシン | 260 |
| 1992年 1月号 | 超小型モータ -外形3mm長さ5mm- | 東芝 | 電波新聞 (1991年11月6日PP.1) 日刊工業新聞 (1991年11月6日PP.9) | 3mmφ×5mm マイクロマシン | 260 600 |
| 1991年12月号 | 立体IC -5層構造試作- | 三洋電機 | 日刊工業新聞 (1991年10月24日PP.1) | 単結晶横方向に成長 量産性あり 3次元回路素子 5層構造 横方向固相成長技術 | 260 220 |
| 1991年12月号 | X線露光用光源装置 | 新技術事業団 | 日経産業新聞 (1991年10月11日PP.5) | 小型電子波動リング SR装置 | 260 |
| 1991年11月号 | 無機 有機超格子 | 東大 | 日刊工業新聞 (1991年9月10日PP.5) | 単結晶多層積層 MBE法 光素子 VOフタロシアニン | 220 260 |
| 1991年11月号 | 極薄絶縁膜形成技術 | 沖電気 | 日経産業新聞 (1991年9月5日PP.5) | 酸窒化シリコン膜，厚さ5nm 256M～1GbDRAM用 | 260 |
| 1991年10月号 | 256MDRAM向き新プロセス技術 | 日立製作所 | 電波新聞 (1991年8月28日PP.9) | 製造プロセス | 260 |
| 1991年10月号 | 新光演算素子 | 三菱電機 | 日本工業新聞 (1991年8月21日PP.13) | 光ニューロチップ DHPT 光演算素子 | 220 260 |
| 1991年10月号 | 高速 低電圧動作の新型素子 -電子走行層厚み0.15μm- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1991年8月16日PP.5) | 薄膜SOIに匹敵のSJET SJET | 220 260 |
| 1991年 9月号 | レーザで微細溝加工 | 理研 | 日刊工業新聞 (1991年7月4日PP.5) | 0.17mm間隔 干渉縞 表面プラズマ波 | 260 |
| 1991年 7月号 | CCDイメージセンサ -チップ上に周辺回路も- | 日電 | 電波新聞 (1991年5月30日PP.7) | CCDリニアイメージセンサ 19倍高感度 出力増幅回路内蔵 周辺回路内蔵 | 260 |
| 1991年 7月号 | 高速64kSRAM -セル面積1/6- | 日立製作所 | 電波新聞 (1991年5月29日PP.7) 日経産業新聞 (1991年5月30日PP.5) | セル面積1/6 アクセス時間1.5ns | 260 |
| 1991年 7月号 | 256MDRAM向け微細配線技術 | 日電 | 日経産業新聞 (1991年5月28日PP.1) | アルミ合金配線0.25μm 口径で深さ1μm │ | 260 |
| 1991年 5月号 | 3次元IC | 日電 | 電波新聞 (1991年3月27日PP.1) 電波タイムズ (1991年3月29日PP.2) | 3次元IC 6層構造(世界初) 4Gbメモリーの可能性 2層×3枚残り合わせ DUALCMOS+CUBIC技術 | 260 |
| 1991年 3月号 | 追記型CD 反射層にアルミ使用 | 日本ビクター | 日経産業新聞 (1991年1月25日PP.0) | 12インチ | 230 260 |
| 1991年 3月号 | 超LSI素子 信頼性向上 | 沖電気 | 日経産業新聞 (1991年1月16日PP.0) | 絶縁膜を亜酸化窒素処理 | 220 260 |
| 1991年 2月号 | 1原子層ずつ制御の薄膜形成 | 日電 | 日刊工業新聞 (1990年12月26日PP.0) | 260 | |
| 1991年 2月号 | 半導体に0.15μmの微細加工 | 沖電器 | 日経産業新聞 (1990年12月14日PP.0) | 260 | |
| 1991年 1月号 | 高温超電導体薄膜でジョセフソン素子 | 東芝 | 日経産業新聞 (1990年11月26日PP.0) | 260 160 | |
| 1991年 1月号 | 64Mb級DRAMの10nm厚極薄窒化Si膜形成技術 | 沖電気 | 電波新聞 (1990年11月16日PP.0) | 急速加熱法で極薄膜のSiN 純酸素を亜酸化窒素に置き換え | 260 |
| 1990年11月号 | Si基板にInP素子 | NTT | 日経産業新聞 (1990年9月24日PP.0) | β=200 | 260 |
| 1990年 9月号 | 酸化物1層制御の新薄膜製法 | 東工大 住友セメント | 日刊工業新聞 (1990年8月2日PP.0) | 酸化セリウム3Aを30層 | 260 |