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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2018年 3月号 | 液体原子個々に観察 | 東大など | 日刊工業新聞 (2017年12月18日PP.29) | 散乱電子を検出 不揮発性液体に金イオンを混ぜ 走査透過型電子顕微鏡で観察 | 660 |
| 2018年 2月号 | 透過中性子計測 電子スピン配列解明 | 物材機構 原子力機構 | 日刊工業新聞 (2017年11月20日PP.19) | 透過中性子 | 120 |
| 2018年 1月号 | 高性能導電性シート | 東大 | 日経産業新聞 (2017年10月24日PP.8) | グラフェンの100倍以上の導電性 銅とケイ素 原子1個分の厚さ ディラック線 | 120 |
| 2017年11月号 | ペロブスカイト半導体 高効率変換の仕組み解明 | 原子力機構など | 日刊工業新聞 (2017年8月15日PP.17) | ヨウ化鉛メチルアンモニウム | 120 250 |
| 2017年10月号 | スピネル型酸化物材料 原子像観察に成功 | 東北大 東大 | 日刊工業新聞 (2017年7月24日PP.23) | チタン酸リチウム STM スピネル型酸化物の一種「チタン酸リチウム」を利用 | 120 360 |
| 2017年 8月号 | グラフェンに赤外光照射 高次高調波が発生 | 京大 | 日刊工業新聞 (2017年5月25日PP.23) | 楕円偏光で可視光の生成効率最大 ディラック電子状態に起因 炭素の単一原子層超薄膜のグラフェンに赤外パルス光を照射すると 波長が短い可視光パルス光に変換される 高次高周波 | 120 |
| 2017年 8月号 | 単一原子の内部構造可視化 STEMで電場観察 | 東大 | 日刊工業新聞 (2017年5月31日PP.21) | 単一原子の内部構造を可視化する究極の顕微鏡法 | 360 |
| 2017年 6月号 | 高性能黒リントランジスタ | 東大など | 日刊工業新聞 (2017年3月14日PP.27) | 厚さ原子数層の黒リン バンドギャップ1.5eV | 220 |
| 2017年 2月号 | 金属と半導体作り分け | 東北大 | 日経産業新聞 (2016年11月10日PP.8) | 半導体 電子部品 炭素原子 | 120 |
| 2017年 1月号 | 人工原子に光子絡みつく安定な分子状態 | 情通機構など | 日刊工業新聞 (2016年10月12日PP.29) | 超電導状態の人工原子とマイクロ波光子 | 120 |
| 2017年 1月号 | 原子一層の半導体性質を電子線照射で制御 | 千葉大 | 日刊工業新聞 (2016年10月18日PP.27) | 二硫化モリブデン 電子線照射でバンドギャップ制御 | 120 |
| 2016年11月号 | 原子共鳴で電磁波測定 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2016年7月15日PP.27) | セシウム原子の共鳴現象を利用 ラビ振動 9.2GHz | 340 |
| 2016年 7月号 | CO2 分子1個を検出するセンサ素子 | 北陸先端大 | 日刊工業新聞 (2016年4月19日PP.11) | 炭素原子シート グラフェン膜 | 210 |
| 2016年 7月号 | CO2 分子1個を検出するセンサ素子 | 北陸先端大 | 日刊工業新聞 (2016年4月19日PP.11) | 炭素原子シート グラフェン膜 | 210 |
| 2016年 5月号 | 極細金属線 効率よく通電 | 阪大など | 日経産業新聞 (2016年2月4日PP.8) | 太さ原子数個分，朝永・ラッティンジャー液体(TLL)理論 | 140 |
| 2016年 4月号 | スピン液晶特性解明 | 原子力機構 | 日刊工業新聞 (2016年1月15日PP.31) | 磁場中のフラストレート強磁性鎖モデル | 120 |
| 2015年11月号 | 世界最短波長0.15ナノメートル 原子準位レーザ開発 http://www.uec.ac.jp/about/publicity/media_release/pdf/20150827.pdf | 電通大 理研 高輝度光科学研 東大 阪大 京大 | 日刊工業新聞 (2015年8月27日PP.33) | 波長従来比10分の1以下 0.15nm 世界最短波長の原子準位レーザを開発 | 250 |
| 2015年 9月号 | 原子数個の超薄膜で高温超電導 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2015年6月2日PP.19) | 分子線エピタキシー法，鉄とセレン20層(原子60個分の厚さ)，転移温度60K | 120 |
| 2015年 7月号 | 原子1個を判別可能な電子顕微鏡 | 日立 | 日経産業新聞 (2015年4月13日PP.13) | 分解能0.043nm 加速電圧120万ボルト 電子を高速の95%まで加速 | 360 |
| 2015年 5月号 | 金原子結合X線で観測 | 高エネルギー加速器研究機構 | 日経産業新聞 (2015年2月19日PP.10) | 100フェムト秒のレーザ照射 | 360 |
| 2015年 4月号 | 世界最強の分子磁石 | 九大 大連理工科大 高輝度光科学研究センター 熊本大 九工大 阪大 東北大研究グループ | 日刊工業新聞 (2015年1月7日PP.21) | 42個の鉄原子が球状に並んだカゴ状磁性分子 | 120 |
| 2015年 4月号 | 光で電圧が発生素子作製 | 東北大 日本原子力研究開発機構 | 日刊工業新聞 (2015年1月14日PP.27) | 直径30ナノから90ナノメートルの金微粒子 磁性ガーネット 表面プラズモン共鳴 10mx5mmの素子 | 120 220 250 |
| 2015年 3月号 | 「ジョセフソン接合」量産 超電導デバイス実現に一歩 http://www.nims.go.jp/mana/jp/research/topics/n8erta000000p1h8.html | 物質・材料研究機構(MANA)，東大 | 日刊工業新聞 (2014年12月11日PP.25) | 原子スケールの超電導デバイスを実現するための要素技術，薄い絶縁体を二つの超伝導体で挟んだ「ジョセフソン接合」，原子一つ分の高さの段差のある珪素基板上にインジウムを原子一層だけ重ねた | 120 |
| 2015年 1月号 | ナトリウムイオン電池用の個体電解質材料の開発 | 東北大 | 日経産業新聞 (2014年10月16日PP.10) | ホウ素原子10個と水素原子10個からなるかご状のイオンとナトリウム原子イオンで構成.室温で扱えるように改良を目指す。 | 120 250 |
| 2014年12月号 | バイオ技術で3D構造の量子ドットLED作製 | 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 | 日刊工業新聞 (2014年9月5日PP.19) | バイオ技術で3D構造，柱状の3次元量子ドット構造を20nm間隔で高密度に配列，発光波長760ナノメートル | 120 250 |
| 2014年 6月号 | 多量の量子もつれを生成 | NTT | 日刊工業新聞 (2014年3月18日PP.21) | K原子 1μm間隔で100万個 0.1mm角の立方体光格子に閉じ込める 光格子レーザとゲート操作用レーザを使用 | 120 |
| 2014年 1月号 | 高温に対応可能なコンデンサ向けガラス材料 | 東大 広島大 九州シンクロトロン光学研究センター | 日刊工業新聞 (2013年10月24日PP.19) | 220〜470℃対応コンデンサ用材料 ガラス結晶化法を使う BaTiO3にCa原子を高濃度に含ませる | 120 |
| 2014年 1月号 | 市販試薬で3D炭素ナノ分子を合成 | 京大 | 日刊工業新聞 (2013年10月30日PP.23) | 6個の炭素原子からなるベンゼン環 有機分子の3次元構造の精密制御 有機エレ材料に活用 | |
| 2013年11月号 | 薄膜中のスピン方向検出技術 | 日本原子力機構 千葉大 高エネ研 | 日経産業新聞 (2013年8月5日PP.11) | 表面から2nmまでX線照射し放出電子を解析 | 120 660 |
| 2013年11月号 | 電導性優れるCNT | 信州大 | 日刊工業新聞 (2013年8月13日PP.15) | 電気を通す線上の結晶性硫黄原子鎖を1nm程度の円筒空間中に作製 | 120 220 |
| 2013年11月号 | -35℃での超電導の可能性予測 | 長崎総合科学大 | 日経産業新聞 (2013年8月19日PP.5) | ピセン分子 K原子を加える 理論的な予測 | 120 620 |
| 2013年 3月号 | LSI集積度を100倍以上高める技術 | 東大 理研 | 日経産業新聞 (2012年12月11日PP.9) | 原子3個分のMoS2薄膜 0.6nm厚 トランジスタ | 120 220 |
| 2013年 3月号 | X線自由電子レーザを4万倍に集光 | 高輝度光科学選球センタ 阪大 東大 理研 | 日経産業新聞 (2012年12月18日PP.10) | 反射面が楕円形状 集光鏡面を原子レベルで凹凸調整 | 250 |
| 2013年 2月号 | グラフェン層間化合物 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2012年11月6日PP.19) | 原子交換法 熱分解法 グラフェンでカルシウム原子を挟んだ構造 | 120 150 160 |
| 2012年11月号 | 凹凸のないグラフェン成膜法 | 東北大 高輝度光科学研究センター 弘前大 | 日経産業新聞 (2012年8月7日PP.9) | 原子レベルで凹凸のない成膜 SiC基板を表面処理し1600℃に加熱 | 160 |
| 2012年11月号 | 炭素・水素原子でカゴ状分子 | 名大 産総研 | 日経産業新聞 (2012年8月28日PP.9) | 半導体の性質 青色光を出す 内側に他の分子・原子を取り込める C120個・H78個で構成 直径2nmで内側に1.8nmの空間 | 120 |
| 2012年10月号 | 1000℃までの熱を電気に変換する素材 | 物材機構 東北大 | 日経産業新聞 (2012年7月27日PP.10) | ホウ素(B)に微量のAl Yを加えた材料 B原子で構成する直径0.5nm球状分子が立体的に積み重なり 球と球の隙間にAlとYが入る n型p型2種類の半導体の温度差で電気が発生 | 120 |
| 2012年 9月号 | 低消費電力のFPGA回路スイッチ | 超低電圧デバイス組合 | 日経産業新聞 (2012年6月20日PP.7) | 原子移動型スイッチ 面積1/4 電力70%減 | 220 |
| 2012年 9月号 | 電子顕微鏡で原子レベルの電場観察 | 東大 | 日刊工業新聞 (2012年6月25日PP.17) 日経産業新聞 (2012年6月27日PP.7) | SEMの検出器を4分割 | 360 660 |
| 2012年 8月号 | 環境で応答が異なる新型素子 | 物材機構 UCLA | 日経産業新聞 (2012年5月24日PP.11) | シナプスを模倣 硫化銅による原子スイッチ 真空中と大気中とで記憶動作異なる | 220 |
| 2012年 8月号 | 次世代電子材料「シリセン」の大面積製造技術 | 北陸先端大 | 日刊工業新聞 (2012年5月31日PP.29) 日経産業新聞 (2012年5月31日PP.12) | 蜂の巣構造 厚さ原子1個分のSi結晶 2ホウ化ジルコニウム バンドギャップ導入可能 900℃に加熱 縦横1×2cmの基板 | 120 160 |
| 2012年 4月号 | 12個の原子で1ビットの情報を記録できる小型磁気メモリー | IBM | 電波新聞 (2012年1月17日PP.2) | 反強磁性構造 超低温下 記録密度は現行HDDの約100倍 | 230 |
| 2012年 2月号 | 原子1層で超電導状態 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年11月4日PP.8) | Si基板上にIn原子1層の平坦な薄膜を作製 2.8Kで電気抵抗がゼロ | 120 |
| 2012年 2月号 | ゲルマニウムを使った半導体素子 | 九大 | 日経産業新聞 (2011年11月10日PP.11) 日刊工業新聞 (2011年11月10日PP.23) | Ge薄膜上にソースゲートドレインを取り付け界面部分を原子層レベルで制御 | 220 |
| 2012年 1月号 | 1原子層のみのスピン分析に成功 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2011年10月20日PP.11) | スピン偏極Heイオンビーム スピンのバランスをわざと偏らせる | 120 660 |
| 2011年11月号 | Liイオンの伝導率が4倍の固体新素材 | 東工大 トヨタ | 日経産業新聞 (2011年8月1日PP.5) | Li・Ga・P・Sの原子が10:1:2:12の比で構成される 室温でのイオン伝導率12 | 120 250 |
| 2011年11月号 | 新しい量子状態を作り出すことに成功 | NTT 京大 | 電波タイムズ (2011年8月3日PP.1) | 結晶の中に極低温の原子気体 イッテルビウム | 110 120 |
| 2011年11月号 | 磁気・電気的な性質を制御可能な磁性半導体 | 原子力機構 東大 | 日刊工業新聞 (2011年8月10日PP.15) | スピントロニクス 磁気的な性質と電気的な性質を独立に制御可能 | 220 230 |
| 2011年11月号 | 生きた細胞観察が可能な新型顕微鏡 | 原子力機構 奈良女子大 | 日経産業新聞 (2011年8月18日PP.12) | 分解能90nm 軟X線 波長数nm 20nm厚の金の薄膜で集光 | 360 |
| 2011年11月号 | 鉄原子1個の触媒作用を動画撮影 | 東大 | 日経産業新聞 (2011年8月23日PP.10) | フラーレンに鉄原子を含む有機分子を結合 CNTに詰め込む | 360 |
| 2011年10月号 | 3D原子像を可視化する電子顕微鏡 | 東北大 堀場製作所 | 日刊工業新聞 (2011年7月22日PP.23) 日本経済新聞 (2011年7月25日PP.11) | 逆X線光電子ホログラフィ 光の波としての性質を使用 走査型電子顕微鏡を改良 | 360 |
| 2011年 9月号 | 記憶も忘却もする新素子 | 物材機構 米カリフォルニア大ロサンゼルス校 | 日経産業新聞 (2011年6月27日PP.9) | イオンや原子の動きを制御して働く原子スイッチを応用したシナプス素子 素子サイズ縦横50nm 電極間1nmの隙間 僅かな電圧操作で材料のAg2Sから銀原子が析出し隙間の接続強度を調節 | 120 230 |
| 2011年 4月号 | 熱電材料の原子レベル振動観察技術 | 東北大 広島大 | 日経産業新聞 (2011年1月11日PP.9) 日刊工業新聞 (2011年1月11日PP.16) | Ga-Snのかご形材料 かご内のBa原子が振動 テラヘルツ波の共鳴で観察 | 250 660 |
| 2011年 4月号 | Si半導体中の量子もつれを生成・検出 | 慶応大 英オックスフォード大 | 日刊工業新聞 (2011年1月20日PP.24) 日経産業新聞 (2011年1月24日PP.11) | エンタングルメント リン原子核のスピンとそこに捉えられている電子のスピンをそれぞれ量子ビットとする Si原子1個で演算処理 温度20K | 120 |
| 2011年 3月号 | フォトニック人工原子レーザ
-3次元結晶内で発振- | 東大 | 日刊工業新聞 (2010年12月20日PP.17) | 厚さ150nmのGaAsを25層積層 Q値は約4万 中心の層に面積約1.3μm2の欠陥共振器とInAs量子ドットを埋め込み | 140 |
| 2011年 3月号 | 48個のベンゼン環を連結した分子バネを合成 | 理研 | 日刊工業新聞 (2010年12月15日PP.22) | ベンゼン環3つを1巻きとした螺旋構造 銅原子を使ってベンゼン環同士を緩く結合させたあとに直接連結 | 120 |
| 2011年 2月号 | 水素原子の撮影に成功 | 東大 | 朝日新聞 (2010年11月4日PP.12) | 電子ビームを水素とパナジウムの化合物の結晶にぶつけ撮影 | 660 |
| 2011年 1月号 | 電子移動度がSiの10倍の新素材 | 東工大 | 日経産業新聞 (2010年10月11日PP.5) | グラフェンより加工が容易 セレン原子が並んだ3層の間にビスマス原子が入った5層構造 ファンデルワールス力 | 120 |
| 2011年 1月号 | 水溶液中の金属電気分解反応の観察技術 | 東北大 | 日経産業新聞 (2010年10月27日PP.1) | 光学顕微鏡により短時間で原子レベルを観察可能に | 660 360 |
| 2010年12月号 | 発電効率45%超を実現する太陽電池向け新素材 | 東大 シャープ | 日経産業新聞 (2010年9月29日PP.13) | 多接合 厚み3nmのInGaAsの膜と原子1個分の厚みのInGaPの膜を交互に60個積み重ねる 量子井戸効果 多接合タイプ太陽電池 | 120 250 220 |
| 2010年12月号 | 個々の原子が情報保持可能な時間の計測に成功 | 米IBM | 日刊工業新聞 (2010年9月29日PP.28) | STMによるポンプ・プローブ測定 ナノ秒レベルで計測可能 | 120 660 |
| 2010年11月号 | グラフェン上の電子移動速度を改善した新基板 | 物材機構 米コロンビア大 韓国成均館大 | 日経産業新聞 (2010年8月24日PP.9) | 六方晶BNを基板に使用 グラフェンと似た層状構造で表面が原子レベルで平ら ガラス基板と比べて速度が10倍 | 120 |
| 2010年 8月号 | 超電導の人工原子を組み込んだ量子光学素子 | 理研 NEC | 日刊工業新聞 (2010年5月11日PP.22) | 超電導量子ビット 巨視的量子散乱などの量子光学現象 | 120 220 |
| 2010年 8月号 | 半導体上に原子積み上げてナノ構造を作成 | NTT 独ポール・ドルーデ研 | 日刊工業新聞 (2010年5月12日PP.1) | In原子を1個ずつ積み上げ STMの金属製プローブ nm寸法の構造 InAs基板 | 120 160 |
| 2010年 6月号 | 有機系超電導物質の合成に成功 | 岡山大 北陸先端大 首都大東京 群馬大 | 日経産業新聞 (2010年3月4日PP.12) | 臨界温度20K ピセン分子とカリウム原子を1対3の割合で混ぜる 直径数10μmの微粒子 | 120 |
| 2010年 5月号 | 人工原子1個でレーザ光を出す半導体 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年2月22日PP.10) 日刊工業新聞 (2010年2月16日PP.22) | 直径100nmの穴を10個開けた厚さ160nmのGaAs半導体薄膜 中央に直径20〜25nm厚さ2〜3nmのInAsの人工原子を埋め込む 波長917nm フォトニック結晶体 ナノ共振器 | 120 250 240 |
| 2009年12月号 | 原子1個分の細さの金属ナノワイヤ | 名大 | 日刊工業新聞 (2009年9月28日PP.30) | 2層CNT ユーロピウム 気層直接法で内包 | 120 |
| 2009年10月号 | 「手」4本の金属原子のスピン転移に成功 | 京大 日大 東大 | 日刊工業新聞 (2009年7月22日PP.27) | 二酸化鉄ストロンチウム 室温で70万気圧 33万気圧以上でスピンの大きさ半分 強磁性体 電気を通す物質に変化 | 120 |
| 2009年 9月号 | 世界最小の強誘電体
-CNT内の水分子- | 首都大 産総研 | 日刊工業新聞 (2009年6月8日PP.18) | アイスナノチューブ 外部電圧で水素原子配列反転 異なる複数の状態を持つ電気分極 | 120 |
| 2009年 8月号 | 原子サイズの2層CNTトランジスタ | 青山学院大 名大 東邦大 | 日経産業新聞 (2009年5月15日PP.1) | 電子線によりナノチューブの層を分離 PN接合の特性を確認 太さ2〜3nm 2層CNTをSi基板上に乗せる 大きさSiLSIの1/100程度 | 220 120 |
| 2009年 8月号 | 巨大磁気抵抗効果に酸素原子が関与 | 高輝度光科学研究センター 兵庫県立大 阪大など | 日経産業新聞 (2009年5月20日PP.11) | 高エネルギーX線をMn・La・ストロンチウム(Sr)からなる酸化物に照射 絶縁体と金属で酸素原子の電子状態が大きく変化 | 120 660 |
| 2009年 7月号 | ナノレベルの物差し | 産総研 | 日経産業新聞 (2009年4月20日PP.12) | ダイヤモンド結晶 0.2nmの目盛り 原子一層分の厚さ | 120 660 |
| 2009年 6月号 | 原子レベルで分析可能な透過型電子顕微鏡 | 日本電子 | 日刊工業新聞 (2009年3月5日PP.7) | 球面収差補正装置 分解能0.08nm | 360 |
| 2009年 5月号 | ピコレベルの超微小加工技術 | 自然科学研究機構 | 日刊工業新聞 (2009年2月25日PP.28) | ヨウ素分子内の二つの原子の波の干渉を検出 10兆分の1秒の照射時間でレーザ光2発を照射 4pmのレベルで制御 | 160 |
| 2009年 4月号 | 絶対零度の量子相転移を解明 | 原子力機構 | 日刊工業新聞 (2009年1月22日PP.26) | 磁気ゆらぎ ウラン化合物 核磁気共鳴(NMR)法 磁気分極モデルに合致 | 120 |
| 2009年 4月号 | フラーレン-コバルト薄膜のTMR効果の機構解明 | 原子力機構 自然科学研究機構 東北大 東大 | 日刊工業新聞 (2009年1月23日PP.22) | 巨大トンネル磁気抵抗 スピン偏極 X線磁気円偏光2色性分光 局在スピン | 120 |
| 2009年 3月号 | 22ナノ世代LSI向け量産化技術 | Selete | 日刊工業新聞 (2008年12月17日PP.21) | Si基板に約0.4nmの酸化イットリウムを原子層堆積法で薄く成膜 絶縁膜としてハフニウム系の高誘電率膜 MOSトランジスタの絶縁膜にイットリウムを導入 | 220 |
| 2009年 1月号 | 原子の「ムラ」検査技術 | 静岡大 | 日経産業新聞 (2008年10月2日PP.1) | Si内の原子の分布を検査 -260℃ 高密度の高集積回路開発への可能性 | 210 660 |
| 2009年 1月号 | 原子レベルの物体の位置を測定可能な小型センサ | 日立 | 日経産業新聞 (2008年10月27日PP.11) | 40pmの測定精度 縦5cm・横2cm・高さ1.4cmの箱型センサ レーザ光 フォトニック結晶 | 210 320 660 |
| 2008年11月号 | 高温超電導の機構解明 | 東大 電通大 | 日経産業新聞 (2008年8月4日PP.10) | 鉄 ヒ素 鉄ニクタイド系超電導物質 電子間相互作用 超電導により有利な形状のフェルミ面 結晶内のFe原子が磁性を相互に打ち消す | 120 |
| 2008年11月号 | CNTで-261℃で超電導 | 青山学院大 | 読売新聞 (2008年8月10日PP.17) | 炭素原子100個に対してホウ素2〜3個 基板上に薄く膜状に広げる マイスナー効果 | 120 160 |
| 2008年 9月号 | ダイヤモンド固体素子で「量子もつれ」を室温で実現 | 筑波大 産総研 独シュトゥットガルト大 | 日刊工業新聞 (2008年6月6日PP.23) 日経産業新聞 (2008年6月6日PP.8) | マイクロ波プラズマCVD 原子量13の炭素を多く含むダイヤとメタンガス 電子スピン 核スピン 3量子ビット | 120 160 |
| 2008年 9月号 | CNT成長を原子レベルで観察 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2008年6月12日PP.22) | CNTが鉄触媒から成長する様子を原子レベルで捉えることに成功 センタイト(Fe3C)結晶 | 120 360 |
| 2008年 9月号 | 水素イオン電導1万倍に | 豊橋技科大 | 日経産業新聞 (2008年6月27日PP.11) | 硫酸水素セシウム リン・タングステン酸 100℃以上での性能維持可能 強い力でかき混ぜて原子結合に欠陥生成 | 250 160 |
| 2008年 8月号 | 原子以下の厚さを測定 | 東北大 | 日経産業新聞 (2008年5月8日PP.11) | 厚さ数pmの精度 反射光の楕円の形から入射光を当てた膜の厚さを換算 | 660 620 |
| 2008年 4月号 | 太さ原子1個分の超極細金属ワイヤ作製技術 | 名大 | 日経産業新聞 (2008年1月29日PP.11) | 太さ0.18nm CNT レアアース ガドリニウム 長さ0.5μm ピーポッド | 120 160 |
| 2008年 2月号 | InGaAsで縦型量子ドット作製 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年11月29日PP.13) 日刊工業新聞 (2007年11月29日PP.28) | 3次元のMOSゲート構造 原子層堆積法 均一で高耐圧なゲート絶縁膜を形成 電子スピンの状態を正確に制御 約10倍の効率 | 120 220 |
| 2007年12月号 | 絶縁体が赤外線で導電する現象を発見 | 産総研 | 日経産業新聞 (2007年9月6日PP.9) | 相転移 ペロブスカイト パルス状の赤外線 格子状に並んだ原子が振動 抵抗値が約1/10万に変化 | 120 210 |
| 2007年10月号 | ナノ炭素材料で単原子トランジスタを試作 | 青山学院大 名大 産総研 富士通研 | 日経産業新聞 (2007年7月20日PP.9) | ピーポッド 量子ドット SiO2の絶縁膜 金とチタンの合金の電極 CNTの内側に複数のフラーレンを並べて詰めた構造 | 120 220 |
| 2007年 6月号 | 鮮明の動画を撮影でき 撮影速度2.6倍の顕微鏡 | 金沢大 | 日経産業新聞 (2007年3月9日PP.1) | ナノメートル単位の「探針」で物質の表面をなぞり分子レベルで観察できる原子間力顕微鏡(AFM) | 360 |
| 2007年 5月号 | 中性粒子ビームで直径10nm厚さ2nmの円盤構造作成 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年2月19日PP.11) | 量子効果を室温で確認 塩素原子を基に電荷を持たない中性粒子ビーム加工技術 | 160 |
| 2007年 4月号 | 導電性・磁性持つ有機物質 | 東大 | 日刊工業新聞 (2007年1月12日PP.26) | Se原子 ニトロニルニトロキシド テトラチアフルバレン 部分酸化塩 電解酸化 負性磁気抵抗 | 120 |
| 2007年 3月号 | 駆動電流が50%超向上する次世代立体型トランジスタ | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年12月15日PP.30) | 雪かき効果 金属シリサイドとチャネル部分のSi界面に不純物原子を高濃度で2〜3nm厚に偏析した層を形成 | 160 220 |
| 2006年10月号 | テラヘルツ光検出技術 | 理化学研 JST | 日刊工業新聞 (2006年7月7日PP.31) 日経産業新聞 (2006年7月7日PP.8) | CNTでつくったトランジスタ 単電子トランジスタ 極低温領域で光子として量子的に検出 CNT人工原子 テラヘルツ光の周波数約2.5THz | 120 160 320 660 |
| 2006年10月号 | Si量子計算機読出しに目処 | 慶応大など | 日刊工業新聞 (2006年7月12日PP.25) | レーザ光照射でリン原子核スピン検出 励起子の発光を計測 単電子トランジスタ | 320 |
| 2006年 4月号 | 通電にまっすぐになるコイル状CNT ―原子構造変化を解明- | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2006年1月19日PP.26) | 2層CNT 円周電流密度0.9μA/nmでコイルがゆるみはじめ 2.2μA/nmで大きく変形 2.6μA/nmで直線状 電流による局所的な高温状態により曲面にある五角形 七角形の原子構造が六角形に変化 | 120 130 |
| 2006年 1月号 | 半導体デバイス閾値電圧を低減 -単一イオン注入法(SII)で不純物原子を制御- | 早大 | 日刊工業新聞 (2005年10月20日PP.1) | 閾値電圧ゆらぎ低減 閾値電圧0.4V 60nm精度の位置制御 Si基板にP原子を100nm間隔で規則配列注入 | 160 |
| 2005年11月号 | フラーレン分子ナノスイッチ
-SAMで向きを制御- | 東工大 名大 | 日刊工業新聞 (2005年8月2日PP.25) | Tb原子1個 電気的極性 双極子モーメント STM Au基板上に厚さ約1nmのSAMを堆積 -260℃ 分子スイッチ技術 | 120 160 220 |
| 2005年 9月号 | ハンダ使わず異種金属接合 -超音波複合振動で実現- | アサヒEMS | 日刊工業新聞 (2005年6月29日PP.1) | CuとAl AlとFe 原子間吸引力 毎秒2万回転と4万回転の試験装置 | 260 460 |
| 2005年 4月号 | 省エネ・高速ナノスイッチ -消費電力半導体の1/100万- | 物材機構 科学技術振興機構 理研 | 朝日新聞 (2005年1月6日PP.2) 日経産業新聞 (2005年1月6日PP.7) 日刊工業新聞 (2005年1月6日PP.25) | 原子スイッチ 消費電力を1nW Ag突起の伸び縮み Ag2(下付)S電極とPt電極を1nm間隔 固体電解質の特性利用 金属原子の動き1個単位で精密制御 | 120 160 220 |
| 2004年12月号 | 光ディスクの記録原理解明 | 産総研 | 日経産業新聞 (2004年9月30日PP.8) | DVD X線解析 Ge原子 Spring-8 | 230 600 |
| 2004年11月号 | ナノチューブの炭素原子の配列・格子欠陥 | 産総研 | 日経産業新聞 (2004年8月19日PP.6) | 透過型電子顕微鏡 電子ビームに加える電圧を低下 感度5〜6倍向上 | 360 660 |
| 2004年 9月号 | ナノ結晶の原子構造を高速に決定 -解析時間1/100に- | 高輝度光科学センタ 東工大 | 日刊工業新聞 (2004年6月29日PP.33) | 大型放射光施設Spring-8 0.05nm のX線 原子4層分の縞状ナノ細胞配列 解析時間数分 | 360 660 |
| 2004年 8月号 | カーボンナノホーン金属原子を補足 | 東大 産総研 | 日刊工業新聞 (2004年5月25日PP.25) | CNH 新複合材料に道 | 120 |
| 2004年 5月号 | 化学反応でLSI配線切り換え -ナノブリッジ- | NEC 物質・材料研究機構 科学技術研究機構 | 日刊工業新聞 (2004年2月17日PP.27) 日経産業新聞 (2004年2月17日PP.8) | プログラマブルロジックの配線切り換え 固体電解中の金属原子の移動を利用 書き換え可能なセルベースIC | 120 220 |
| 2004年 3月号 | Si層0.7nmトランジスタの動作確認 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2003年12月12日PP.1) | 5原子層 NEDO Si単結晶薄膜厚さ0.7nm SOI 試作素子のゲート長は2〜3μm 実現可能なゲート長は1.5〜3nmと予想 | 160 220 |
| 2004年 2月号 | ナノレベルの顕微鏡 -DNAを動画撮影- | 金沢大 | 日本経済新聞 (2003年11月28日PP.17) | 高速原子間力顕微鏡(AFM) 探針の振動周波数600kHz | 360 660 |
| 2007年 3月号 | 駆動電流が50%超向上する次世代立体型トランジスタ | 東芝 | 日刊工業新聞 (2006年12月15日PP.30) | 雪かき効果 金属シリサイドとチャネル部分のSi界面に不純物原子を高濃度で2〜3nm厚に偏析した層を形成 | 160 220 |
| 2006年10月号 | テラヘルツ光検出技術 | 理化学研 JST | 日刊工業新聞 (2006年7月7日PP.31) 日経産業新聞 (2006年7月7日PP.8) | CNTでつくったトランジスタ 単電子トランジスタ 極低温領域で光子として量子的に検出 CNT人工原子 テラヘルツ光の周波数約2.5THz | 120 160 320 660 |
| 2006年10月号 | Si量子計算機読出しに目処 | 慶応大など | 日刊工業新聞 (2006年7月12日PP.25) | レーザ光照射でリン原子核スピン検出 励起子の発光を計測 単電子トランジスタ | 320 |
| 2006年 4月号 | 通電にまっすぐになるコイル状CNT ―原子構造変化を解明- | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2006年1月19日PP.26) | 2層CNT 円周電流密度0.9μA/nmでコイルがゆるみはじめ 2.2μA/nmで大きく変形 2.6μA/nmで直線状 電流による局所的な高温状態により曲面にある五角形 七角形の原子構造が六角形に変化 | 120 130 |
| 2003年 4月号 | 原子1層の半導体膜 | FEC | 日刊工業新聞 (2003年1月24日PP.1) | 次世代半導体製造用化学ガスを高速切替え ALD | 160 |
| 2002年12月号 | 量素ドット中の電子スピン保持時間0.2msに | 科学技術振興事業団 NTT | 日刊工業新聞 (2002年9月19日PP.4) | 保持時間1msにメド 人工原子中の電子スピンで実現 電気的ポンププローブ法 | 120 230 |
| 2002年10月号 | 回線のパンク避けるサーバ用PC -セシウム原子時計活用- | 通信総研 | 日本経済新聞 (2002年7月1日PP.27) | 1年間に数μsの狂い 同着扱いを避ける | 440 |
| 2002年 4月号 | 国内最大スーパコンネット | 東大 京大 日本原子力研 文部科学省 | 日本経済新聞 (2002年1月24日PP.11) | グリッドコンピューティング Gbネットワーク 47台スーパコンピュータ | 420 |
| 2002年 3月号 | 量子コンピュータで因数分解 | MIT IBM | 日経産業新聞 (2001年12月20日PP.10) 日本工業新聞 (2001年12月21日PP.2) | 人工分子溶液 分子中の7つの原子核をメモリーとして利用 マイクロ波 15=3×5 スピン傾きを変化 | 320 |
| 2002年 3月号 | 耐久性の高い半導体素子 -寿命数倍に- | 広島大 | 日経産業新聞 (2001年12月26日PP.8) | 駆動電極部の絶縁層に保護膜 原子層成長法 SiN | 160 220 |
| 2002年 2月号 | 低コストに青色LED | 名工大 サンケン電気 | 日本経済新聞 (2001年11月22日PP.11) | Si基板 水素原子膜 窒素ガリウム結晶成長 | 250 |
| 2001年 5月号 | 原子配列を立体撮影できる新形顕微鏡 | 奈良先端科技院大 | 日刊工業新聞 (2001年3月5日PP.9) 日経産業新聞 (2001年3月5日PP.9) | 円偏光X線 新形顕微鏡 | 360 450 |
| 2001年 4月号 | スピンSTMで新手法 -原子レベルで磁化分布検出- | 東芝 | 日刊工業新聞 (2001年2月22日PP.1) | スピン走査トンネル顕微鏡 ダブルバイアス法 分解能1nm トンネル電流1nA以下 | 360 |
| 2001年 2月号 | 特徴電子顕微鏡使い検出 | 科技庁日仏共同研究チーム | 東京新聞 (2000年12月22日PP.10) | 金属原子ガドニウム カーボンナノチューブ チューブの直径1.6nm | 320 360 |
| 2001年 2月号 | フラーレンで表面温度測定 | 航空宇宙研 東工大 | 日刊工業新聞 (2000年12月20日PP.7) 日経産業新聞 (2000年12月20日PP.13) | 炭素原子 フラーレン C60 厚さ20μmの膜 キセノンランプで光照射 -10℃〜100℃を測定 | 210 660 330 |
| 2001年 1月号 | 新構造の炭素分子 | 名大 | 日経産業新聞 (2000年11月27日PP.10) | フラーレン 炭素原子66個 スカンジウム原子2個 盛り上がったいびつな球形 | 120 |
| 2000年10月号 | 量子コンピュータで数学問題処理 | 米IBM 米スタンフォード大 加カルガリー大 | 日本経済新聞 (2000年8月19日PP.13) | 5個のフッ素原子を制御 状態の重ね合せ 核スピン | 320 |
| 2000年 7月号 | 原子線ホログラフ -将来の超微細加工につながる技術- | NEC 電通大 | 日本経済新聞 (2000年5月20日PP.15) | 原子線ホログラフィ 電圧で干渉変化 | 160 |
| 2000年 7月号 | 原子で文字画像描く技術 | NEC 電通大 | 日経産業新聞 (2000年5月22日PP.12) | 原子線ホログラフィ ネオン原子 文字画像 | 160 430 |
| 2000年 2月号 | 高純度Si単結晶 | 慶大 クルチャトフ研 | 日本経済新聞 (1999年12月20日PP.19) | 原子量28 Si 純度99.92% ハロゲンランプ加熱 遠心分離器 熱伝導度1.6倍 | 120 |
| 2000年 2月号 | 原子波の増幅に成功 | 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (1999年12月17日PP.6) | 原子波レーザ 原子波ホログラフィ ルビジウム気体 光レーザ励起 | 150 |
| 2000年 2月号 | レーザ光の歪み補正により集光強度20倍を実現 | 日本原子力研 | 日経産業新聞 (1999年12月1日PP.5) 日刊工業新聞 (1999年12月1日PP.7) | レーザ光歪み補正技術 光誘起屈折率結晶 位相共役鏡 | 450 250 |
| 2000年 1月号 | 3次元電子顕微鏡 -ナノ構造を立体で観察- | 理化学研 日本原子力研 名大 工学院大 日立 | 日刊工業新聞 (1999年11月3日PP.5) 日経産業新聞 (1999年11月4日PP.4) | 分解能0.2nm 3次元画像 3次元顕微鏡 画像処理 エネルギー分析 | 360 320 520 |
| 1999年 7月号 | 複数のスーパコンピュータを接続する通信ソフト | 日本原子力研 | 日本経済新聞 (1999年5月3日PP.15) | 異機種間接続 計算速度3割向上 スタンピ | 620 |
| 1999年 2月号 | 炭化シリコン基板製造技術 -直径3インチ- | 原子力研高崎研 | 日刊工業新聞 (1998年12月24日PP.1) | 炭化シリコン | 160 |
| 1999年 2月号 | 原子線ホログラフィ -縮小と多階調結像技術を開発- | NEC 電通大 | 日刊工業新聞 (1998年12月18日PP.5) | 原子線ホログラフィ 像縮小 多階調結像技術 リソグラフィ | 430 160 |
| 1998年11月号 | 無機 有機材料を原子レベルで複合した新タイプの光学材料- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1998年9月25日PP.4) | 光スイッチ 10Tb級 超格子 | 240 |
| 1998年 8月号 | ナノ結晶の原子レベル挙動 観察に成功 | 金属材料研 | 日刊工業新聞 (1998年6月19日PP.4) | 金属結晶 イオン照射 ナノ結晶 キセノン 電子顕微鏡 | 360 660 |
| 1998年 6月号 | 超並列演算光素子 -原子オーダの画素分解能- | 豊田工大 他 | 日刊工業新聞 (1998年4月8日PP.6) | 原子オーダの分解能 光コンピュータ 画像認識 光スイッチ 負性特性 超並列演算素子 光スイッチ素子 負性非線形光学吸収効 果 | 220 420 210 |
| 1998年 5月号 | 走査型トンネル顕微鏡 -144個の原子を一挙に操作- | 米コーネル大 | 日経産業新聞 (1998年3月24日PP.5) | 走査型トンネル顕微鏡 STM 大容量メモリー 原子記憶素子 | 360 230 |
| 1998年 5月号 | 遠赤外光レーザ -平均出力100Wで発振- | 日本原子力研 | 日経産業新聞 (1998年3月6日PP.5) | 自由電子レーザ 遠赤外線レーザ光 | 250 |
| 1998年 3月号 | 光電子顕微鏡 -原子レベルの精度に- | NTT 他 | 日経産業新聞 (1998年1月26日PP.5) | 放射光 エネルギー分解能0.05eV ビーム径0.16μm 原子間化学結合状態と電子のエネルギー状態を観測 | 360 |
| 1998年 2月号 | 世界最小のトランジスタ | 京大 富士通研 | 日経産業新聞 (1997年12月17日PP.5) 日本経済新聞 (1997年12月17日PP.11) | 線幅40nm クラスタイオン ホウ素原子の10個の塊をイオン注入 トランジスタ | 160 220 |
| 1998年 1月号 | 化合物半導体材料の種類を大幅に増やせる新技術 -高出力レーザなどに道 結晶間隔異なっても成長- | NTT | 日経産業新聞 (1997年11月26日PP.5) | GaAs 111面を使用 格子定数の違いは1〜2原子層で吸収 InAsを堆積して確認 | 120 160 |
| 1997年10月号 | 準周期構造の超格子 | 理化学研 電通大 | 日経産業新聞 (1997年8月13日PP.4) | フラクタル性 ALE法 フラクタル超格子 赤外線センサ 波長選択性 原子層成長法 | 160 210 110 |
| 1997年 6月号 | レーザ，小型で9.5テラワット発振 | 日本原子力研究所 | 日経産業新聞 (1997年4月8日PP.5) | レーザ | 250 |
| 1997年 5月号 | 色素分子による光メモリー-情報量DVDの200倍- | 東芝 | 日経産業新聞 (1997年3月4日PP.1) | 色素分子 光メモリー 原子間力顕微鏡記録 光ファイバ読取り Tb級メモリー Si基板に有機分子蒸着 2010年頃実用化へ 色素 DVD | 130 230 360 |
| 1997年 4月号 | 「原子レーザ」実験成功 | MIT | 日本経済新聞 (1997年2月1日PP.12) | 原子レーザ | 250 |
| 1997年 2月号 | 超高密度記録技術 | 日立製作所 | 日本経済新聞 (1996年12月14日PP.12) | 1.2Tb/cm2 1Mbps以上の速度で読出し 原子間力顕微鏡 | 230 360 |
| 1997年 1月号 | 原子細線パターニング | 日立製作所 東大 | 日刊工業新聞 (1996年11月7日PP.6) | 原子リレートランジスタ 原子操作 走査トンネル顕微鏡 Si 原子細線 | 120 160 660 |
| 1996年12月号 | 窒化膜で原子層マスク -STM使いナノ構造- | NTT | 日刊工業新聞 (1996年10月22日PP.6) | 微細加工 窒化膜原子層マスク STM MOCVD 窒化保護膜 低電流加工可能 量子効果素子 | 160 120 |
| 1996年12月号 | 原子層マスク技術 -ナノ構造を形成- | 工技院アトムテクノロジー研 | 日刊工業新聞 (1996年10月9日PP.6) | 1層原子層マスク | 160 |
| 1996年 7月号 | 半導体新微細加工技術 -幅0.03μmの階段構造作成- | 東大 荏原総研 | 日経産業新聞 (1996年5月13日PP.1) | 塩素原子ビーム加工 0.03μm幅 原子ビーム 階段構造 | 160 |
| 1995年12月号 | 001面のSi基板 -原子レベルで平坦化- | JRCAT | 日刊工業新聞 (1995年10月27日PP.7) | 次世代表面処理技術 水素終端プロセス | 160 |
| 1995年 2月号 | コンパクトな力センサ | 東大 | 日経産業新聞 (1994年12月2日PP.5) | 力センサ AFM(原子間力顕微鏡) | 210 360 |
| 1994年12月号 | 中性子フィルム | 日本原子力研 富士フイルム | 日刊工業新聞 (1994年10月19日PP.7) | 写真フィルム 感度100倍 | 130 |
| 1994年11月号 | ルビジウム原子発振器 -周波数の安定化に成功- | 新技術事業団 アンリツ | 日経産業新聞 (1994年9月16日PP.5) | 原子発振器 レーザ ルビジウム | 250 150 |
| 1994年11月号 | 超高密度記録の光ディスク -相変化光ディスク1Tb/cm2- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1994年9月17日PP.1) 日刊工業新聞 (1994年9月17日PP.5) | 相変化光ディスク 1Tb/cm2 3.5インチ 1800時間 AFM利用 原子間顕微鏡 探針記録方式(AFM)方式 ビット径10nm | 230 360 |
| 1994年10月号 | 超真空原子間力顕微鏡 | 広島大 | 日経産業新聞 (1994年8月9日PP.4) | 顕微鏡 高解像度 分解能0.1 | 360 |
| 1994年 6月号 | 原子単位のエッチング技術 -アトムデバイスに道- | NEC | 日経産業新聞 (1994年4月15日PP.4) | エッチング技術 塩素原子1個はぎとり STM利用 | 160 |
| 1994年 6月号 | 3顕微鏡を複合化 | 広島大 | 日刊工業新聞 (1994年4月5日PP.6) | 走査トンネル顕微鏡 原子間力顕微鏡 走査容量顕微鏡 | 360 |
| 1994年 5月号 | 究極の大容量記憶装置 -原子メモリーへ前進- | 新技術開発事業団 | 日刊工業新聞 (1994年3月28日PP.10) | 原子単位メモリー リアルタイム書込み消去 | 130 230 |
| 1994年 5月号 | 高密度記録磁気材料CoCr薄膜 | NTT原子研 | 日刊工業新聞 (1994年3月23日PP.11) 日本工業新聞 (1994年3月23日PP.6) 朝日新聞 (1994年3月23日PP.12) | 磁気記録材料 CoCr微細磁気構造 超微細磁気構造 8nm 10Gb/cm2 | 130 |
| 1994年 5月号 | 微粒子内部の3次元立体構造 -原子レベルで解明- | 東北大 | 日刊工業新聞 (1994年3月18日PP.7) | 3次元立体構造 ミクロトープ法 | 360 |
| 1994年 3月号 | 物質の凹凸と性質を同時に調べる新型顕微鏡 | セイコー電子 東工大 | 日経産業新聞 (1994年1月31日PP.5) | 走査型近視野 原子力間顕微鏡 光ファイバ針 分子レベル調査 | 360 |
| 1993年 9月号 | 原子レベル観察の特殊顕微鏡 | 阪大 日立製作所計測エンジニアリング | 日刊工業新聞 (1993年7月6日PP.1) | 特殊ヒータ付 原子レベル観測・分析 電子顕微鏡 | 360 |
| 1993年 7月号 | 超音波力顕微鏡 | 工技院機械技研 | 日経産業新聞 (1993年5月19日PP.5) | 超音波力顕微鏡 原子レベル観察 顕微鏡 超音波振動子 解像力5nm | 360 |
| 1993年 3月号 | 超高密度記録技術 -新聞100年分を1円玉サイズに記録- | 日立製作所 | 電波新聞 (1993年1月8日PP.2) 日刊工業新聞 (1993年1月8日PP.9) | 原子レベル記録密度 20nmドット 高密度記録 原子間力顕微鏡 Si基板金1Tb/inch | 130 660 630 |
| 1992年11月号 | Si結晶成長観察技術 | 日立製作所 | 電波新聞 (1992年9月19日PP.5) 日経産業新聞 (1992年9月19日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年9月19日PP.5) | 微小材料評価技術 原子レベル成長制御 | 100 160 |
| 1992年10月号 | 超微細加工技術 -アルミ化合物を原子単位で積層- | NTT | 日経産業新聞 (1992年8月11日PP.4) | 超微細加工技術 厚さ1.96nm ALE法 | 160 |
| 1992年 3月号 | 高温超電導体の酸素原子を直接観察 | 科技庁無機材研 | 電波新聞 (1992年1月10日PP.2) 日経産業新聞 (1992年1月10日PP.4) 日刊工業新聞 (1992年1月10日PP.2) 日本工業新聞 (1992年1月10日PP.11) | 電子顕微鏡 高温超電導 分解能1А 倍率35万倍 | 660 |
| 1991年12月号 | 高精度原子間力顕微鏡 | 松下電器産業 | 電波新聞 (1991年10月25日PP.2) | 原子間力顕微鏡 | |
| 1991年10月号 | 原子スイッチ -1個の原子で電流開閉- | 米IBM | 電波新聞 (1991年8月16日PP.2) 日経産業新聞 (1991年8月16日PP.4) | 原子スイッチ タングステン ニッケル電極にキセノン原子 1個の原子でon-off 電子素子 スイッチング素子 | 220 120 230 |
| 1991年 7月号 | 発光するSi実現 | NTT | 日刊工業新聞 (1991年5月15日PP.9) 日経産業新聞 (1991年5月15日PP.5) | 素材 量子サイズ効果で発光 Si原子 微細加工 | 150 |
| 1991年 6月号 | 原子層ヘテロエピタキシャル成長に成功 | 富士通研 | 日本工業新聞 (1991年4月1日PP.1) | GaAs GaP 単原子層超格子構造 | 160 |
| 1991年 3月号 | 固体表面から原子1個ずつはぎ取る | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1991年1月15日PP.0) 電波新聞 (1991年1月15日PP.0) | 屋温 走査型トンネル顕微鏡 一文字2nm口 | 130 430 |
| 1991年 2月号 | 1原子層ずつ制御の薄膜形成 | 日電 | 日刊工業新聞 (1990年12月26日PP.0) | 260 | |
| 1991年 2月号 | 原子レベルの加工に道 | 日電 | 日刊工業新聞 (1990年12月18日PP.0) | STM使用しの加工 | 160 |
| 1990年12月号 | 世界初 Si原子結晶撮影 | 科学技術庁 無機材質研 | 日本経済新聞 (1990年11月3日PP.0) | 原子間距離1.3Aの結晶構造を黒い点としてとらえた | 120 |
| 1990年12月号 | 分子大の文字を描く | NTT | 日経産業新聞 (1990年10月25日PP.0) | Si基板にGeSe化合物 AgSe化合物をつけたフィルム材料 走査型トンネル電子顕微鏡の探針で原子をとばして溝を掘った 溝幅13nm 文字サイズ:40×70nm | 160 |
| 1990年11月号 | 量子細線精密作製で電子波素子に道 | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1990年9月24日PP.0) | Ga原子16個を1つのブロック | 160 |