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バイポーラトランジスタ 関係の注目記事
学会誌に掲載された記事は青色で表示しています。

掲載
予定
題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
2013年 1月号23.5kV耐圧のパワー半導体京大日経産業新聞
(2012年10月24日PP.7)
SiC
表面をポリイミドで覆う
バイポーラトランジスタ
220
2011年12月号ダイヤモンド半導体を使ったバイポーラトランジスタ産総研日刊工業新聞
(2011年9月5日PP.19)
10
(0年0月0日)
ダイヤにBPを高濃度に添加した低抵抗ダイヤモンド薄膜


増幅率10
バイポーラトランジスタ
室温動作
220
2000年 4月号最速トランジスタ
-40Gbpsの信号処理-
日立日経産業新聞
(2000年2月8日PP.5)
光通信向けIC
周波数変換IC
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
Si-GeHBT
最小線幅0.2μm
220
1998年 4月号世界最高速IC日立製作所日刊工業新聞
(1998年2月5日PP.6)
遮断周波数100GHz
Si系HBT
HBT
最大発振周波数100GHz
8psの伝搬遅延時間
40〜50Gbpsの光伝送システム用
220
1998年 1月号超広帯域ベースバンドICNEC日刊工業新聞
(1997年11月11日PP.7)
広帯域IC
GaAsヘテロバイポーラ(HBT)
220
1997年 6月号低電圧・高出力のHBTNEC日刊工業新聞
(1997年4月1日PP.6)
ディジタル携帯電話
AlGaAs/GaAs系
金メッキ高熱伝導
3.4V動作
1.4W出力
チップサイズ0.58×0.77
220
1997年 4月号光伝送用LSI
-消費電力1/10に-
NTT日経産業新聞
(1997年2月19日PP.5)
光伝送
LSI
光伝送用LSI
バイポーラトランジスタ
240
1996年 9月号新動作原理のMOSFET北大
日立製作所
日刊工業新聞
(1996年7月11日PP.6)
MOSFETのゲート部に微小コンタクト追加
ゲート長1.3μm
バイポーラトランジスタ
MOS
バイポーラ
FET
220
1996年 3月号最高速バイポーラトランジスタ
-Si使い最高速素子-
日立製作所日経産業新聞
(1996年1月9日PP.5)
バイポーラ
70GHz
Siトランジスタ
Woベース電極
バイポーラトランジスタ
遅延時間14.3/s
220
260
1996年 2月号低電圧で低歪み高出力HBT富士通研日刊工業新聞
(1995年12月20日PP.7)
HBT
GaAs
低電圧
低歪み
2Vで1W
220
1996年 1月号高出力HBT
-26GHz帯送信用デバイス固体化に道-
NEC日刊工業新聞
(1995年11月8日PP.7)
ミリ波
高出力HBT
26GHz帯
ミリ波電力増幅器
HBT
高出力
固体化
220
1995年 3月号新型ヘテロ接合バイポーラトランジスタ東工大日本工業新聞
(1995年1月18日PP.11)
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
炭素の添加で安定性向上
220
1995年 2月号GaAsヘテロバイポーラトランジスタ富士通研電波新聞
(1994年12月13日PP.7)
日刊工業新聞
(1994年12月13日PP.6)
トランジスタ
3.5V動作
寿命100年
220
1994年12月号SiGe系HBT
-20Gbpsと最高速-
NEC日刊工業新聞
(1994年10月14日PP.7)
Si
Ge系HBT
440
220
1994年12月号GaAsHBTIC
-40Gbpsの超高速処理,次世代光通信に道-
東芝日刊工業新聞
(1994年10月4日PP.6)
光通信
GaAsHBTIC
220
340
1994年 6月号1チップで1W出力のHBT三菱電機日刊工業新聞
(1994年4月23日PP.2)
HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)220
1994年 3月号新型バイポーラトランジスタ
-低消費電力で高速動作-
NTT日経産業新聞
(1994年1月4日PP.4)
バイポーラトランジスタ(HBT)
InGaAs
遮断周波数176GHz
InP/InGaAs
2.3mA/163GHz
220
1993年 8月号ミリ波通信用トランジスタNEC日経産業新聞
(1993年6月28日PP.5)
HBT
ミリ波トランジスタ
最大発振周波数:224GHz
220
240
1993年 6月号低消費電力ヘテロ接合バイポーラトランジスタNEC日刊工業新聞
(1993年4月1日PP.5)
HBT
消費電力0.5mW
超高速通信用LSI
220
1993年 2月号遅延時間19psのHBTNEC電波新聞
(1992年12月15日PP.6)
HBT
fmax50GHz
19ns
SiGeベースHBT
220
1993年 1月号超高速バイポーラトランジスタ東工大日刊工業新聞
(1992年11月4日PP.5)
HETタイプ
電流増幅率150
220
1992年 8月号遮断周波数64GHzの新バイポーラトランジスタ日立製作所日刊工業新聞
(1992年6月26日PP.6)
3次元電流分散構造(FRACS)220
1992年 6月号新型バイポーラトランジスタ日立製作所日刊工業新聞
(1992年4月28日PP.6)
220
1992年 3月号77Kで高速動作するバイポーラトランジスタ
-超高速BiCMOSに道-
東芝日刊工業新聞
(1992年1月16日PP.5)
160
1992年 2月号高速バイポーラトランジスタ
-64GHz動作のトランジスタ-
日立製作所日刊工業新聞
(1991年12月11日PP.5)
ガスドーピングたい積法
fC=64GHz
バイポーラトランジスタ
220
1991年10月号高効率GHz帯HBT三菱電機電波新聞
(1991年8月27日PP.6)
日経産業新聞
(1991年8月27日PP.5)
日刊工業新聞
(1991年8月27日PP.11)
AlGaAs/GaAs系
衛星通信
固体アンプ
変換効率9GHz
75%
5.9W
20GHz
57%
5.4W
240
220
1991年 8月号高性能HBT
-電流増幅率1000倍に-
富士通研日経産業新聞
(1991年6月25日PP.1)
電流増幅率1000倍(従来は100倍)
HBT
パルスジェットエピタキシ技術で電流増幅率を従来の1000倍にアップ
220
1991年 7月号横型バイポーラ富士通日本工業新聞
(1991年5月29日PP.1)
トランジスタ(BJT)
fT4GHz
SOI基板
工程数1/2
220
1991年 6月号B-ISDN用新型HBTNTT日経産業新聞
(1991年4月26日PP.5)
電流増幅率40倍(従来10倍)
10Gbの伝送路可
220
1991年 4月号15.5GHzの高周波で動作
可変分周期
NTT日刊工業新聞
(1991年2月15日PP.0)
高速可変分周期
ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)
220
1991年 2月号10psの超高速トランジスタ日電電波新聞
(1990年12月12日PP.0)
Siバイポーラトランジスタでゲート間遅延時間10ps
3空年後に製品化
220
1990年12月号低消費電力の高速HBT松下電器産業日刊工業新聞
(1990年10月12日PP.0)
PNPコレクタートップ型HBT
動作確認
利点:高集積化
低消費電力
220
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