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掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
2013年 1月号 | 23.5kV耐圧のパワー半導体 | 京大 | 日経産業新聞 (2012年10月24日PP.7) | SiC 表面をポリイミドで覆う バイポーラトランジスタ | 220 |
2011年12月号 | ダイヤモンド半導体を使ったバイポーラトランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年9月5日PP.19) 10 (0年0月0日) | ダイヤにB | Pを高濃度に添加した低抵抗ダイヤモンド薄膜 増幅率10 バイポーラトランジスタ 室温動作 220 |
2000年 4月号 | 最速トランジスタ -40Gbpsの信号処理- | 日立 | 日経産業新聞 (2000年2月8日PP.5) | 光通信向けIC 周波数変換IC ヘテロ接合バイポーラトランジスタ Si-GeHBT 最小線幅0.2μm | 220 |
1998年 4月号 | 世界最高速IC | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1998年2月5日PP.6) | 遮断周波数100GHz Si系HBT HBT 最大発振周波数100GHz 8psの伝搬遅延時間 40〜50Gbpsの光伝送システム用 | 220 |
1998年 1月号 | 超広帯域ベースバンドIC | NEC | 日刊工業新聞 (1997年11月11日PP.7) | 広帯域IC GaAsヘテロバイポーラ(HBT) | 220 |
1997年 6月号 | 低電圧・高出力のHBT | NEC | 日刊工業新聞 (1997年4月1日PP.6) | ディジタル携帯電話 AlGaAs/GaAs系 金メッキ高熱伝導 3.4V動作 1.4W出力 チップサイズ0.58×0.77 | 220 |
1997年 4月号 | 光伝送用LSI -消費電力1/10に- | NTT | 日経産業新聞 (1997年2月19日PP.5) | 光伝送 LSI 光伝送用LSI バイポーラトランジスタ | 240 |
1996年 9月号 | 新動作原理のMOSFET | 北大 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1996年7月11日PP.6) | MOSFETのゲート部に微小コンタクト追加 ゲート長1.3μm バイポーラトランジスタ MOS バイポーラ FET | 220 |
1996年 3月号 | 最高速バイポーラトランジスタ -Si使い最高速素子- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1996年1月9日PP.5) | バイポーラ 70GHz Siトランジスタ Woベース電極 バイポーラトランジスタ 遅延時間14.3/s | 220 260 |
1996年 2月号 | 低電圧で低歪み高出力HBT | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年12月20日PP.7) | HBT GaAs 低電圧 低歪み 2Vで1W | 220 |
1996年 1月号 | 高出力HBT -26GHz帯送信用デバイス固体化に道- | NEC | 日刊工業新聞 (1995年11月8日PP.7) | ミリ波 高出力HBT 26GHz帯 ミリ波電力増幅器 HBT 高出力 固体化 | 220 |
1995年 3月号 | 新型ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | 東工大 | 日本工業新聞 (1995年1月18日PP.11) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ 炭素の添加で安定性向上 | 220 |
1995年 2月号 | GaAsヘテロバイポーラトランジスタ | 富士通研 | 電波新聞 (1994年12月13日PP.7) 日刊工業新聞 (1994年12月13日PP.6) | トランジスタ 3.5V動作 寿命100年 | 220 |
1994年12月号 | SiGe系HBT -20Gbpsと最高速- | NEC | 日刊工業新聞 (1994年10月14日PP.7) | Si Ge系HBT | 440 220 |
1994年12月号 | GaAsHBTIC -40Gbpsの超高速処理,次世代光通信に道- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1994年10月4日PP.6) | 光通信 GaAsHBTIC | 220 340 |
1994年 6月号 | 1チップで1W出力のHBT | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1994年4月23日PP.2) | HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ) | 220 |
1994年 3月号 | 新型バイポーラトランジスタ -低消費電力で高速動作- | NTT | 日経産業新聞 (1994年1月4日PP.4) | バイポーラトランジスタ(HBT) InGaAs 遮断周波数176GHz InP/InGaAs 2.3mA/163GHz | 220 |
1993年 8月号 | ミリ波通信用トランジスタ | NEC | 日経産業新聞 (1993年6月28日PP.5) | HBT ミリ波トランジスタ 最大発振周波数:224GHz | 220 240 |
1993年 6月号 | 低消費電力ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | NEC | 日刊工業新聞 (1993年4月1日PP.5) | HBT 消費電力0.5mW 超高速通信用LSI | 220 |
1993年 2月号 | 遅延時間19psのHBT | NEC | 電波新聞 (1992年12月15日PP.6) | HBT fmax50GHz 19ns SiGeベースHBT | 220 |
1993年 1月号 | 超高速バイポーラトランジスタ | 東工大 | 日刊工業新聞 (1992年11月4日PP.5) | HETタイプ 電流増幅率150 | 220 |
1992年 8月号 | 遮断周波数64GHzの新バイポーラトランジスタ | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1992年6月26日PP.6) | 3次元電流分散構造(FRACS) | 220 |
1992年 6月号 | 新型バイポーラトランジスタ | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1992年4月28日PP.6) | 220 | |
1992年 3月号 | 77Kで高速動作するバイポーラトランジスタ -超高速BiCMOSに道- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1992年1月16日PP.5) | 160 | |
1992年 2月号 | 高速バイポーラトランジスタ -64GHz動作のトランジスタ- | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1991年12月11日PP.5) | ガスドーピングたい積法 fC=64GHz バイポーラトランジスタ | 220 |
1991年10月号 | 高効率GHz帯HBT | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年8月27日PP.6) 日経産業新聞 (1991年8月27日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年8月27日PP.11) | AlGaAs/GaAs系 衛星通信 固体アンプ 変換効率9GHz 75% 5.9W 20GHz 57% 5.4W | 240 220 |
1991年 8月号 | 高性能HBT -電流増幅率1000倍に- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1991年6月25日PP.1) | 電流増幅率1000倍(従来は100倍) HBT パルスジェットエピタキシ技術で電流増幅率を従来の1000倍にアップ | 220 |
1991年 7月号 | 横型バイポーラ | 富士通 | 日本工業新聞 (1991年5月29日PP.1) | トランジスタ(BJT) fT4GHz SOI基板 工程数1/2 | 220 |
1991年 6月号 | B-ISDN用新型HBT | NTT | 日経産業新聞 (1991年4月26日PP.5) | 電流増幅率40倍(従来10倍) 10Gbの伝送路可 | 220 |
1991年 4月号 | 15.5GHzの高周波で動作 可変分周期 | NTT | 日刊工業新聞 (1991年2月15日PP.0) | 高速可変分周期 ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT) | 220 |
1991年 2月号 | 10psの超高速トランジスタ | 日電 | 電波新聞 (1990年12月12日PP.0) | Siバイポーラトランジスタでゲート間遅延時間10ps 3空年後に製品化 | 220 |
1990年12月号 | 低消費電力の高速HBT | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1990年10月12日PP.0) | PNPコレクタートップ型HBT 動作確認 利点:高集積化 低消費電力 | 220 |