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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2018年 2月号 | 高い耐熱・熱伝導性 完全CNT製 放熱シート開発 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2017年11月30日PP.21) | 熱伝導率1mK/80W | 700℃以上の高温に耐える カーボンナノチューブ 120 |
| 2018年 1月号 | ホルムアルデヒド常時計測 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2017年10月24日PP.26) | CNTを利用 検出限界濃度0.016ppm | 210 |
| 2017年 9月号 | 電磁波を99.9%遮蔽する単層CNT塗膜を開発 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2017年6月13日PP.3) | 120 | |
| 2017年 6月号 | 塗布型熱電変換材 CNT採用性能2倍に | 産総研 | 日刊工業新聞 (2017年3月15日PP.29) | 発電性能 0.60mW/㎡・K | 150 |
| 2017年 5月号 | 蓄電容量4倍の電極材 | 東大 | 日経産業新聞 (2017年2月9日PP.8) | 電池 電極材料 カーボンナノチューブ | 120 250 |
| 2017年 5月号 | 単一超電導ナノチューブ利用 トランジスタ開発 | 東大 | 日刊工業新聞 (2017年2月27日PP.21) | 二硫化タングステンナノチューブにおいて超電導の発現を発見。単一ナノチューブにおける超電導の初めての報告。 | 220 |
| 2017年 2月号 | 折曲げ自由自在 テラヘルツ検出器 | 東工大 | 日刊工業新聞 (2016年11月16日PP.25) 日経産業新聞 (2016年11月16日PP.8) | カーボンナノチューブ(CNT) 従来のCNTテラヘルツセンサと比べ感度50倍 | 210 |
| 2016年11月号 | 波長変えられる蛍光材料 カーボンナノチューブ応用 | 九大 | 日経産業新聞 (2016年7月11日PP.8) | 化学修飾する分子の長さで波長を自由に調整 | 250 |
| 2016年11月号 | 立体物表面にCNT膜 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2016年7月14日PP.35) | アルミナ粉末 鉄化合物の蒸気 | 120 |
| 2016年 9月号 | 超電導ナノワイヤで特異現象 http://www.keio.ac.jp/ja/press_release/2016/osa33qr000001r2pm.html | 慶大 物材機構 群馬大 | 日刊工業新聞 (2016年6月8日PP.21) | 超電導ナノワイヤ 超高感度光検出器 カーボンナノチューブ 量子位相スリップ 幅10nmのナノワイヤ 窒化ニオブ結晶 | 120 220 |
| 2016年 6月号 | 有機半導体動作速度2倍 http://www.toray.co.jp/news/it_related/detail.html?key=DA8EA1B0DF6BA34349257f8000172E84?OpenDocument | 東レ | 日経産業新聞 (2016年3月24日PP.10) | 有機半導体 カーボンナノチューブ 動作速度2倍 フィルムに印刷 | 260 220 |
| 2015年11月号 | 折り曲げ変形自在 柔らかいトランジスタ開発 トランジスタ 柔剛兼備 http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2015/pr20150812/pr20150812.html | 鳥居・浜田・澤谷 | 産総研 (0年2015月8日PP.12) 13 (6年0月2015日PP.8) 26 (5年0月0日) | 19 | 衣類のように柔らかく 曲げたり伸ばしたりしても壊れないトランジスタを開発。単層カーボンナノチューブ イオンゲル シリコンゴム 医療用の人体圧力分布センサー開発 オンオフ比1万 220 210 |
| 2015年10月号 | CNTキャパシタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2015年7月15日PP.23) | 100個集積して面積8ミリメートル×10ミリメートル，アルミ電解コンデンサと同性能で体積1/1000 | 150 250 |
| 2015年 7月号 | 通信波長帯の単一光子 CNTから抽出 | 慶大 | 日刊工業新聞 (2015年4月29日PP.15) | 一本のCNTから光子が一つずつ出る「アンチバンチング」という現象，光子の波長は1.3μm | 120 440 |
| 2015年 5月号 | カーボンナノチューブの透明導電膜 | 産総研 | 日経産業新聞 (2015年2月10日PP.8) 日刊工業新聞 (2015年2月10日PP.21) | 空気中で1000時間以上安定 表面抵抗率60オーム/スクエア CNTを網目のように配線，ヨウ化銅薄膜の表面にCNTを塗布して強力な光を照射，瞬間的に温度が上昇してヨウ化銅がNTの内部に入り込む | 120 |
| 2014年 9月号 | 単層CNTを使い高速変調が可能な発光素子を開発 | 慶応大 | 日刊工業新聞 (2014年6月2日PP.17) | 光インターコネクトや光電子集積回路の実現につながる | 160 250 |
| 2014年 7月号 | 燃料電池の白金触媒を削減 | 九大 | 日経産業新聞 (2014年4月11日PP.10) | CNTの表面にPtを塗布 粒径1.2nmのPt微粒子 質量活性8倍に向上 | 150 160 120 |
| 2014年 7月号 | 透明基板上にCNTで回路形成 | 名大 | 日経産業新聞 (2014年4月16日PP.10) | 配線パターンを形成したポリフッ化ビニリデン製シートを原版とする CNTを透明基板に転写 ITOの代替 樹脂シートに溝を作りCNTを振りかけて転写 | 160 260 |
| 2014年 6月号 | 基板に塗布印刷可能な単層CNTコート剤 | 産総研 単層CNT融合新材料研究開発機構 | 日刊工業新聞 (2014年3月5日PP.17) | スーパーグロース法 0.5重量%で溶媒に分散 膜厚を数百nm～数十μmで制御 最小線幅50μm | 120 |
| 2014年 5月号 | CNTで歪みセンサ | ヤマハ 静岡大 | 日経産業新聞 (2014年2月5日PP.7) | CNT | 210 |
| 2014年 3月号 | 単層CNT量産 ・14と合わせる | 日本ゼオン | 日刊工業新聞 (2013年12月2日PP.1) | 次世代炭素材料CNTの商業生産，コスト従来比1/1000，スーパーグローブ法を利用，NECOと共同で純度99%以上の単層CNTの連続生産を可能に | 120 160 |
| 2014年 3月号 | 単層CNTの量産技術 ・1と合わせる | 産総研 名城ナノカーボン | 日刊工業新聞 (2013年12月26日PP.15) | φ1～4nm 「eDIPS法」 従来の100倍速 | 160 120 |
| 2013年12月号 | ハニカム状のCNTで高効率太陽電池 | 東大 産総研 | 日経産業新聞 (2013年9月11日PP.6) | 真空プロセス不要 芝生状のCNTをハニカム状に変形 | 150 160 250 |
| 2013年12月号 | 光の90%以上を通す透明な半導体集積回路 | 名大 フィンランドアールト大 | 日本経済新聞 (2013年9月17日PP.11) 日経産業新聞 (2013年9月17日PP.10) | CNTで配線とトランジスタを製作 一辺0.5mmの回路 | 120 220 |
| 2013年12月号 | 変換効率7.34%の有機太陽電池用材料 12と一つに | 阪大 ダイキン工業 | 電波新聞 (2013年9月18日PP.1) | フラーレン 性能10倍に ナノチューブ活用 乾かさず細胞解析 | 120 250 |
| 2013年12月号 | 近接場光を用いた光学顕微鏡 | 日立 | 日経産業新聞 (2013年9月18日PP.7) | 分解能3nm 直径4nmのCNTから近接場光を出す | 360 |
| 2013年11月号 | 電導性優れるCNT | 信州大 | 日刊工業新聞 (2013年8月13日PP.15) | 電気を通す線上の結晶性硫黄原子鎖を1nm程度の円筒空間中に作製 | 120 220 |
| 2013年11月号 | CNTだけで構成するIC | 名大 フィンランドアールト大 | 日刊工業新聞 (2013年8月13日PP.15) | 電極や配電材料にCNT薄膜，絶縁材料にアクリル樹脂を使う，移動度は毎秒1V当たり1000m2 | 120 220 |
| 2013年10月号 | 量子ドットでCNTの発光効率18倍に高める | 京大 東大 | 日刊工業新聞 (2013年7月8日PP.15) | 光励起 幅1nm長さ100nm 励起子がCNT線上で動く速度は100ps CNTの壁に酸素分子埋め込み励起子が端部や欠陥部から逃がさず発光させる | 120 250 |
| 2013年10月号 | 銅の100倍まで電流を流せる材料 | 産総研 | 日経産業新聞 (2013年7月30日PP.11) | CNTと銅(Cu)を複合 6億A/cm2 | 120 |
| 2013年 9月号 | 変換効率2倍の太陽電池 | 北大 大阪府立大 | 日経産業新聞 (2013年6月3日PP.11) | 金微粒子 カーボンナノチューブ φ数十nmのAu微粒子2個でφ1nmのCNTを挟む 波長785nmの光で実験 | 250 |
| 2013年 8月号 | 加湿機能不要 固体高分子型燃料電池 | 九大 | 日刊工業新聞 (2013年5月6日PP.10) | ポリビニルホスホン酸とポリベンズイミダゾールを組み合わせたフィルム状 触媒の材料にはCNTを使用 | 250 |
| 2013年 7月号 | CNTから陽子ビーム | 阪大 中部大 | 日刊工業新聞 (2013年4月25日PP.28) | ナノチューブ内部に水素化合物を充填し強力なレーザを照射 | 160 |
| 2013年 4月号 | ナノ分子をコマ状に回転 | 東北大 | 日経産業新聞 (2013年1月9日PP.7) | フラーレン CNT 外径2nmで内径1nm | 120 |
| 2012年11月号 | CNT材料の導電性を液晶材料で制御 | 東大 筑波大 東工大 理研 | 日経産業新聞 (2012年8月6日PP.11) | ベンゼン環を含むトリフェニレン | 120 |
| 2012年10月号 | CNTの巻き方を制御 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2012年7月19日) 日経産業新聞 (2012年7月24日PP.9) | クリセン4つを環状につなげて最小単位のCNTを作成 ジグザグ型を合成 最短長 ベンゼン環16個 巻き方を作り分け可能 電気的特性向上 | 120 160 |
| 2012年 7月号 | CNT製トランジスタの印刷技術 | 単層CNT融合新素材研究開発機構 産総研 NEC | 日刊工業新聞 (2012年4月19日PP.17) 日経産業新聞 (2012年4月20日PP.10) | 半導体型ナノチューブ プラスチックフィルムに印刷 出力電流のばらつき30% 印刷面にあらかじめ単分子膜を形成しインクの吸着を促進 インクに純度95%以上の半導体型ナノチューブを使用 | 220 260 |
| 2012年 4月号 | 単層CNTの色を電圧で制御 | 首都大 | 日経産業新聞 (2012年1月31日PP.1) | 10mm×10mm×数百nm厚 -3V印加で青から黄に変化 1000回繰り返し可能 CNT薄膜を水溶液に入れて電圧を加え変色 | 150 120 |
| 2012年 3月号 | 3層CNTを使ったレアメタル不要なリチウム電池 | 東大 米マサチューセッツ工科大 | 日経産業新聞 (2011年12月9日PP.10) | 正極に3層構造のナノチューブ 表面をカルボニル基で化学修飾 電圧1.5～4.5V 1000回以上充放電可能 | 120 250 |
| 2012年 3月号 | CNTをフィルム基板上に200℃で合成 | 静岡大 | 日刊工業新聞 (2011年12月21日PP.25) | CVD法 ポリイミドフィルム グラフェン層でニッケルを包んだ特殊な触媒微粒子 アンモニアプラズマ アンモニアとメタンの混合ガス 直径10～50nm 長さ1μm以上 | 120 160 |
| 2012年 2月号 | 生体内で発電する素子 | 産総研 | 日経産業新聞 (2011年11月30日PP.7) | CNT 4×4×4.4mmの素子 近赤外レーザを体外から当てて8mV発電 | 250 |
| 2012年 1月号 | 電気の流れやすさ3倍のCNT | 早大 アルプス電気 | 日経産業新聞 (2011年10月4日PP.9) | 直径1.4nmの単層CNT テトラフルオロ・テトラシアノ・キノジメタンと呼ばれる有機分子の溶液を滴下して吸着 電気抵抗が62.5%減少 | 120 |
| 2012年 1月号 | 右・左巻き分離可能ならせん型CNT合成 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2011年10月12日PP.21) | クリセン分子4つを環状につなげる 合成時にコレステロール添加 | 120 160 |
| 2011年12月号 | 導電率30のゴム | 単層CNT融合新材料研究開発機構 | 日経産業新聞 (2011年9月9日PP.10) | CNT | φ3nm 長さ数100μm 2倍に延ばしても導電性維持 120 |
| 2011年11月号 | CNTに通電し温度変化測定 | 情通機構 | 日刊工業新聞 (2011年8月10日PP.15) 日経産業新聞 (2011年8月11日PP.12) | 外形130nm 管の厚さ5nm 長さ3.1nmのCNT 655℃で昇華するZnS | 660 |
| 2011年11月号 | 鉄原子1個の触媒作用を動画撮影 | 東大 | 日経産業新聞 (2011年8月23日PP.10) | フラーレンに鉄原子を含む有機分子を結合 CNTに詰め込む | 360 |
| 2011年 6月号 | 単層CNT活用の歪み検出センサ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年3月28日PP.20) | 曲げ伸ばし耐性1万回以上 応答時間14ms スーパーグロース法 最大280%の歪みを検出 | 210 |
| 2011年 3月号 | 色素増感型太陽電池向け白金の代替素材 | 産総研 | 日経産業新聞 (2010年12月6日PP.11) | 白金(Pt)と同等の光電変換効率 変換効率4.77% 多層CNT・イミダゾール系イオン液体・導電性高分子 | 120 250 |
| 2011年 3月号 | CNT内で光化学反応 | NEC 海洋研究開発機構 | 日刊工業新聞 (2010年12月27日PP.1) | スーパコンピュータ 計算機シミュレーション 地球シミュレータ HC1 強度の高いかご状CNTを試験管に見立てる フェムト秒レーザ | 120 160 620 |
| 2011年 1月号 | CNT利用の安価な高性能トランジスタ | 名大 | 日経産業新聞 (2010年10月21日PP.11) | Si薄膜の代わりに直径1.5nm 長さ1μmのCNTを敷き詰める 縦横1cmのTFTを試作 厚さ0.5mmの基板上に2～3nmのCNT薄膜を塗布オンオフ比が最大1000万 | 120 220 |
| 2010年12月号 | ナノチューブ導電性解明 | 高度情研機構 | 日経産業新聞 (2010年9月30日PP.14) | スーパーコンピュータによるシミュレーション σ軌道では電圧上昇に対して段階的に電流が変化 | 160 |
| 2010年 7月号 | 出力3.8倍の蓄電池 | 農工大 日本ケミコン | 日経産業新聞 (2010年4月14日PP.11) | CNT エネルギー密度4.5倍 チタン酸リチウムの結晶を1～10nmの粒にしてCNT表面につける 充電時間を1時間から12秒へ短縮 | 250 |
| 2010年 7月号 | 太い単層CNTの製法 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年4月19日PP.12) | CNTが伸びながら太さを増す アルミナ材料の表面に直径2nmのてる粒子をまき700℃に加熱 鉄粒子が集まりCNTが成長 根幹部分直径5nm 先端部分の直径1.7nm | 160 120 |
| 2010年 6月号 | A-Si製のTFTと同程度の移動度とON/OFF比を実現したCNTトランジスタ | 名大 | 日本経済新聞 (2010年3月1日PP.13) | 太さ1.2nm 長さ200nm 鮭の精子から抽出したDNA 電気の流れやすさ1000倍 | 120 220 |
| 2010年 6月号 | 8nmの太さの単層CNT実現 | 東洋大 立山マシン | 日刊工業新聞 (2010年3月24日PP.1) | プラズマ化学気相成長(CVD)法 プラズマを基板へ均一照射 | 120 160 |
| 2010年 5月号 | CNT内にダイヤ型触媒 | 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2010年2月16日PP.22) | 液相一段合成法 金属錯体触媒 アルコール アルゴンガス 抵抗加熱で約800℃ 太さ50nm前後 | 120 160 |
| 2010年 4月号 | CNTを酸化させ表面積1.7倍に | 産総研 | 日経産業新聞 (2010年1月5日PP.11) | 単層CNTを高温で酸化 先端や側壁に微細な穴開け エネルギー密度約1.5倍 パワー密度2.8倍 2240m2/g | 120 160 |
| 2010年 4月号 | CNTを高純度に分離する技術 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2010年1月5日PP.22) | アガロース コストが従来の1/10以下 分離後のCNTが半導体型95% 金属型90% | 120 |
| 2010年 4月号 | CNTの電気特性測定技術 | 九大 | 日経産業新聞 (2010年1月26日PP.11) | エネルギー準位 バンドギャップ フォトルミネッセンス | 120 660 |
| 2010年 1月号 | 単層CNT構造作り分け | 米ホンダリサーチインスティチュートUSA 米ルイビル大 米パデュー大 | 日刊工業新聞 (2009年10月2日PP.24) | 金属CNTの混合割合最大91% 反応容器中に水 メタンのキャリアガスにヘリウムを使用 キラリティー(カイラリティ) | 120 160 |
| 2010年 1月号 | ダイヤを用いた不純物のない単層CNT作製法 | NTT 東京理科大 | 日経産業新聞 (2009年10月6日PP.11) | 直径4～5nmのナノダイヤ使用 SiO2などの基板上に敷き詰め 850℃のアルゴンガス エタノール吹き込み 直径1～2nm 30分間で約100μmまで成長 | 120 160 |
| 2009年12月号 | 原子1個分の細さの金属ナノワイヤ | 名大 | 日刊工業新聞 (2009年9月28日PP.30) | 2層CNT ユーロピウム 気層直接法で内包 | 120 |
| 2009年11月号 | 強誘電体PZTをナノチューブ状に形成 | 兵庫県立大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2009年8月24日PP.20) | 有機金属気相成長(MOCVD)装置 Si基板上に酸化亜鉛を直径約100nmの円柱状に形成 | 120 160 |
| 2009年11月号 | ナノサイズの電子回路配線技術 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2009年8月28日PP.1) | シリコンナノチェインがCNTに変化 タングステンの針で数十Vの電圧印加 直径10～20nm ワイヤ状のナノ材料に電圧でCNTを生成 | 120 160 |
| 2009年 9月号 | 世界最小の強誘電体
-CNT内の水分子- | 首都大 産総研 | 日刊工業新聞 (2009年6月8日PP.18) | アイスナノチューブ 外部電圧で水素原子配列反転 異なる複数の状態を持つ電気分極 | 120 |
| 2009年 8月号 | 伸縮可能な有機ELディスプレイ | 東大 大日本印刷 | 日経産業新聞 (2009年5月11日PP.11) 日刊工業新聞 (2009年5月11日PP.20) | ゴムとCNTを組み合わせた素子 10cm2 5mm2の有機EL素子を256個並べる イオン液体 導電性100倍 1000回以上伸縮可能 配線間隔100μm 伸縮性導体 ジェットミル法 | 250 120 |
| 2009年 8月号 | 原子サイズの2層CNTトランジスタ | 青山学院大 名大 東邦大 | 日経産業新聞 (2009年5月15日PP.1) | 電子線によりナノチューブの層を分離 PN接合の特性を確認 太さ2～3nm 2層CNTをSi基板上に乗せる 大きさSiLSIの1/100程度 | 220 120 |
| 2009年 6月号 | CNT製造コスト1/30以下 | 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2009年3月4日PP.1) | フィジカルバイブレーション法 低電流のアーク放電で発生する炭素粉量を5倍 炭素棒に50～60Hzの振動を送り続ける | 160 |
| 2009年 6月号 | 2層CNTの内部構造を観察する技術 | 日立 名大 東北大 | 日経産業新聞 (2009年3月23日PP.12) | 走査型トンネル顕微鏡(STM) 電子の干渉 先端直径30nm以下のSTM探針 0.1V印加 外側の直径2nm 内側の直径1.4nmの2層CNT 画像処理で電子の密度を色の濃淡で示す | 120 360 |
| 2009年 5月号 | CNTトランジスタを全工程で印刷作製 | NEC | 日刊工業新聞 (2009年2月18日PP.24) 日経産業新聞 (2009年2月18日PP.9) | 200℃以下の低温で揮発性をもつインク オンオフ比約1000の多層構造のp型トランジスタを試作 | 160 120 220 |
| 2009年 1月号 | CNTを利用した高感度ガスセンサ | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年10月1日PP.13) | セルロース誘導体 25～100ppbのNO2を検出可能 | 120 210 |
| 2008年11月号 | 単層CNT内に化合物ナノワイヤ合成 | 名大 高輝度光科学研究センター | 日刊工業新聞 (2008年8月1日PP.27) 日経産業新聞 (2008年8月1日PP.10) | 塩化エルビウム 直径2nmのCNT 石英管 7日間700℃で加熱 90%を超す収率 | 120 160 |
| 2008年11月号 | CNTの導電ゴム素材 | 東大 理化学研 産総研 | 日本経済新聞 (2008年8月8日PP.42) | CNTとゴム状のポリマを混合 20cm四方の集積回路シート 70%引き伸ばしても安定駆動 フッ素系 | 120 260 |
| 2008年11月号 | CNTで-261℃で超電導 | 青山学院大 | 読売新聞 (2008年8月10日PP.17) | 炭素原子100個に対してホウ素2～3個 基板上に薄く膜状に広げる マイスナー効果 | 120 160 |
| 2008年11月号 | 高配向CNTを簡単に合成できる技術 | 東京理科大 | 日刊工業新聞 (2008年8月22日PP.30) | ステンレス基板 約800℃に加熱 液相一段合成法 メタロセン 長さ数100μmまで合成可能 | 120 160 |
| 2008年10月号 | 単層CNTで超電導材料 | 青山学院大 東大 東工大 | 日経産業新聞 (2008年7月17日PP.11) | 金属触媒中に炭素とホウ素を混合 直径1nm 長さ1μm -261℃でマイスナー評価 1/100の確率で炭素がホウ素に置換 Bを添加した単層CNT | 120 |
| 2008年10月号 | 手で曲げても壊れないナノ炭素繊維不織布シート | 東工大 | 日刊工業新聞 (2008年7月31日PP.1) | 繊維に多層CNTを成長 電界紡糸法 直径200nmの繊維 500m2/gの比表面積 化学気相成長(CDV)法 CNT直径80nm 繊維と垂直に成長 | 120 |
| 2008年 9月号 | 高純度単層CNTを活用した薄膜トランジスタ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2008年6月11日PP.25) 日経産業新聞 (2008年6月11日PP.11) | 分散型ポリフルオレン 超音波で分散 遠心分離機 移動度2cm2/Vs オンオフ比10万以上 CNT液をSi基板にコーティング | 120 160 220 |
| 2008年 9月号 | CNT成長を原子レベルで観察 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2008年6月12日PP.22) | CNTが鉄触媒から成長する様子を原子レベルで捉えることに成功 センタイト(Fe3C)結晶 | 120 360 |
| 2008年 9月号 | 単層CNTで配線を作製する技術 | 九大 | 日経産業新聞 (2008年6月16日PP.17) | 高い導電性 幅0.5μmの細い線 縦横0.5μmの四角いパターン | 220 160 |
| 2008年 8月号 | CNTで回路を立体化 | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年5月6日PP.6) | 単層CNT LSIの配線 MEMSへの応用 Si基板 イソプロピルアルコール 膜厚100nm～50μm | 120 160 |
| 2008年 8月号 | CNTに光を当て透過量を制御し高速通信 | 甲南大 情通機構 | 日刊工業新聞 (2008年5月30日PP.30) | 直径1.2nm 応答時間1ps 1.5μm波長帯の光に波長400nmの信号光を重ねる | 120 |
| 2008年 6月号 | 単層CNT垂直配向膜の成長促進法を解明 | 東大 | 日刊工業新聞 (2008年3月3日PP.25) | アルコール触媒CVD法 アセチレンで10倍 エチレンで4倍の速度 コバルト モリブデン エタノール | 120 160 |
| 2008年 6月号 | 電子や熱を通しやすいナノ炭素の新構造体 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年3月3日PP.1) 日経産業新聞 (2008年3月5日PP.10) | CNT 窒化チタン コバルト CVD法 直径約10nm高さ約3μm 約50層に積層した厚さ18nmのグラフェン | 120 |
| 2008年 6月号 | 曲がる有機ELへ新素材 | 東レ | 日本経済新聞 (2008年3月28日PP.17) | 硫黄を含む有機半導体 CNTを混合 電気を通す性質はSi半導体並みに向上 コスト1/10 | 120 220 |
| 2008年 5月号 | 演算能力20倍の3次元LSI | 東芝 米スタンフォード大 | 日本経済新聞 (2008年2月18日PP.23) | CNT 素子配線 ReRAMを演算回路と積層 | 220 260 |
| 2008年 5月号 | 単層CNTを金属型と半導体型に分離する技術 | 産総研 | 日経産業新聞 (2008年2月27日PP.12) 日刊工業新聞 (2008年2月27日PP.31) | ゲル電気泳動法応用 界面活性剤 超音波 半導体型純度95%以上 金属型純度70%以上 回収率100%近い | 120 160 |
| 2008年 4月号 | 太さ原子1個分の超極細金属ワイヤ作製技術 | 名大 | 日経産業新聞 (2008年1月29日PP.11) | 太さ0.18nm CNT レアアース ガドリニウム 長さ0.5μm ピーポッド | 120 160 |
| 2007年12月号 | 蛍光発光する有機ナノチューブ | 産総研 | 日刊工業新聞 (2007年9月19日PP.29) | オーガニックナノチューブAIST ブドウ糖 オレイン酸 両親媒性 自己集合の際に蛍光分子を添加 薬物伝達システム(DDS) 赤 橙 黄 青 | 120 250 260 |
| 2007年10月号 | 半導体層にCNTを用いたTFT素子 | 東北大 ブラザー工業 阪大 | 日経産業新聞 (2007年7月4日PP.13) | ポリエステル系樹脂製基盤上に金とクロムの合金で3つの電極作成 絶縁膜にポリイミド樹脂 インクジェット技術で積層 | 220 260 120 |
| 2007年10月号 | ナノ炭素材料で単原子トランジスタを試作 | 青山学院大 名大 産総研 富士通研 | 日経産業新聞 (2007年7月20日PP.9) | ピーポッド 量子ドット SiO2の絶縁膜 金とチタンの合金の電極 CNTの内側に複数のフラーレンを並べて詰めた構造 | 120 220 |
| 2007年 9月号 | 低抵抗CNT縦穴配線材料 -次世代LSIにおけるCNT配線実現に一歩- | Selete | 日刊工業新聞 (2007年6月5日PP.1) | ビア配線材料 弾道伝導現象 CVD ビア高さ60nm 直径160nm 化学機械研磨(CMP) 22nm世代 450℃で化学気相成長 Cuより低抵抗 | 120 160 |
| 2007年 9月号 | 単層CNT高速成長法の再現に成功 | 東大 | 日刊工業新聞 (2007年6月21日PP.33) | スーパーグロース法 アルミナ基板 平均膜厚0.5nm程度の鉄触媒 長さ2～3mm 直径平均4nm程度 10分間で合成 | 120 160 |
| 2007年 8月号 | 光の吸収領域を拡張できる単層CNT | 産総研 | 日刊工業新聞 (2007年5月18日PP.24) | 色素分子を内包 スクアリリウム色素 波長950nm前後に加え700nm前後の赤外光を吸収し発光 光機能材料 | 120 210 240 |
| 2007年 6月号 | CNTのハニカム構造体を簡易手法で作製 -ITOなみの低い電気抵抗値を実現- | 九大 | 日経産業新聞 (2007年3月23日PP.11) 日刊工業新聞 (2007年3月23日PP.33) | 塩化メチレン トルエン CNTを溶かした溶媒を高湿度下室温でガラス板状に滴下し蒸発 酸化性溶液に浸す | 120 160 |
| 2007年 5月号 | 単層CNT垂直配向膜の構造を確認 | 東大 独ライプニッツ固体・材料研 | 日刊工業新聞 (2007年2月7日PP.1) | 5本前後でひとかたまり TEM アルコール触媒CVD法 厚さ2～7μm | 120 160 |
| 2007年 3月号 | 光電変換CNT | 東大 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | 電子を放出する層を電子を受け取る分子の層で包んだ中空構造 直径16nm 壁の厚さ3nm 長さ数μm | 120 |
| 2007年 2月号 | FED材料に適した2層CNT | 産総研 ノリタケカンパニーリミテッド | 日経産業新聞 (2006年11月8日PP.11) 日刊工業新聞 (2006年11月8日PP.28) | CNT長さ2.2mm 純度99.95% 2層CNT含有率85%以上 「スーパーグロース法」 水分添加CVD法を改良 電解放出ディスプレイ用の電極 均一な電子放出特性 | 120 160 250 |
| 2007年 2月号 | 単層CNT加工技術 | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年11月27日PP.9) 日刊工業新聞 (2006年11月27日PP.23) | スーパーグロース法 シートや針など様々な形の塊状に固める 単層CNTを多様な形状にデザイン 配向高密度化集合体 高純度で超長尺な単層CNTを束ねる | 160 220 260 |
| 2006年11月号 | 有機ナノデバイス -整流作用を確認- | 自然科学研究機構 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年8月24日PP.1) | nm径の円筒状単層CNTにポルフィリン分子吸着 自己組織化 Si製の1/10 | 120 160 220 |
| 2006年10月号 | CNTで非線形光学効果 | 東大 産総研 | 日刊工業新聞 (2006年7月6日PP.25) | 光学シュタルク効果 全光スイッチに応用 3次非線形感受率 | 120 240 |
| 2006年10月号 | テラヘルツ光検出技術 | 理化学研 JST | 日刊工業新聞 (2006年7月7日PP.31) 日経産業新聞 (2006年7月7日PP.8) | CNTでつくったトランジスタ 単電子トランジスタ 極低温領域で光子として量子的に検出 CNT人工原子 テラヘルツ光の周波数約2.5THz | 120 160 320 660 |
| 2006年10月号 | 低電圧で柔軟な動きのアクチュエータ | 東大 産総研 JST | 日経産業新聞 (2006年7月18日PP.9) | イオン液体 厚さ0.1mm×縦2cm×横3～4mm CNT 2～3Vの交流電圧で駆動 | 160 250 |
| 2006年 9月号 | 色でナノ構造観察する光学顕微鏡 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年6月21日PP.31) | 散乱光の色の変化 約20nmの金属針 波長532nmの光照射 CNTの構造変化を測定 | 210 320 360 |
| 2006年 8月号 | らせん状の多角形CNTを確認 -高い電界放出・強度特性- | JFEエンジニアリング | 日刊工業新聞 (2006年5月9日PP.25) | 長手方向にらせん状にねじれ アーク放電方法 高結晶性 鋼の役10倍の強度 | 120 160 |
| 2006年 8月号 | 単層CNTの新合成技術 -後処理不要 純度97%ー | 産総研 | 日刊工業新聞 (2006年5月12日PP.25) 日経産業新聞 (2006年5月12日PP.9) | 構造欠陥1/10以下 直噴熱分解合成法(DIPS法)を改良 量産性100倍 CNTの直径を0.1nm単位で制御可能 | 120 160 |
| 2006年 6月号 | CNT素子の新作成法 -電流変動1/1000- | 阪大 産総研 JST | 日刊工業新聞 (2006年3月1日PP.25) 電波新聞 (2006年3月14日PP.6) | CNTトランジスタ 電流の変動0.01% フォトレジストを改善 4μmの電極間に直径1.5nmのCNT CNTをSiN膜で保護 不純物を一切つけない新しいプロセスの開発 | 160 220 |
| 2006年 5月号 | キャパシタの蓄電効率10%改善 -電極抵抗1/4に- | 東海大 | 日経産業新聞 (2006年2月15日PP.11) | ナノテク素材 電気二重層キャパシタ 50mgの活性炭に直径10nm長さ100μmのCNT加え直径約1cm厚さ1mmの電極 電極の抵抗2.5Ω 厚さ3mmで2.5F | 120 160 250 |
| 2006年 5月号 | 電界集中効果2割増のCNT束エミッタ -ランプやディスプレイなど多用途- | 高知工科大 大阪大 ソナック | 日刊工業新聞 (2006年2月24日PP.29) | しきい電界強度0.4～3V/μm 直径50μm 高さ125μm 個々のCNTの直径9nm フォトエッチング法 CVD法 | 160 250 |
| 2006年 4月号 | 通電にまっすぐになるコイル状CNT ―原子構造変化を解明- | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2006年1月19日PP.26) | 2層CNT 円周電流密度0.9μA/nmでコイルがゆるみはじめ 2.2μA/nmで大きく変形 2.6μA/nmで直線状 電流による局所的な高温状態により曲面にある五角形 七角形の原子構造が六角形に変化 | 120 130 |
| 2005年 9月号 | 多層CNTの抵抗低減 | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年6月6日PP.1) | 内層伝導でW並み 抵抗値ビア当たり0.7Ω 1桁低減 Spring-8で炭化チタン層を確認 | 120 160 |
| 2005年 9月号 | 単層CNT 最高密度の垂直成長 -ダイヤ薄膜成長技術を用いて成功- | 早大 | 日刊工業新聞 (2005年6月8日PP.25) | 先端アークマイクロ波プラズマ励起化学気相成長法(PAMPCVD) 0.5nm厚のFeをアルミナ薄膜で挟む構造 20時間で2mm成長 体積密度66kg/m3 | 120 160 |
| 2005年 9月号 | ナノ電子機械システム(MEMS) -二層CNTを電流で20～30度の塑性変形- | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2005年6月24日PP.25) | 曲がる部分を五角形や七角形に変形 CNTの直径が太くなるほど曲げに必要なエネルギーは小さくなる TEMで観察 | 120 |
| 2005年 8月号 | CNT添加導電性セラミックス | 阪大 | 日刊工業新聞 (2005年5月24日PP.1) | ZrO2に多層CNTを3～6%添加 放電加工可能 強度971MPa | 120 160 |
| 2005年 6月号 | CNTの密度を定量測定 -TEM断面像を利用- | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年3月15日PP.26) | TEMの試料作成手法を応用 平面テレビ用CNT電子銃の密度最適化に応用 スライス間隔80nm | 120 660 |
| 2005年 5月号 | 電子放出2倍のナノチューブ | 筑波大 東京学芸大 | 日経産業新聞 (2005年2月1日PP.9) | 表面にケイ素化合物 電圧140Vで蛍光体発光に充分な電子放出 | 120 |
| 2005年 5月号 | CNTを電子線で容易に切断 | NTT | 日経産業新聞 (2005年2月3日PP.10) | 約100Vの電圧で発生させた電子線で切断 照射後空気と反応 | 160 120 |
| 2005年 5月号 | 2層CNT -高純度生成とナノペーパ調製- | 信州大 | 日刊工業新聞 (2005年2月3日PP.23) | 単層CNTと多層CNTlの良さを併せ持つ 気相成長法に新製法 DWNT | 120 160 |
| 2005年 4月号 | 窒化ケイ素セラミックスに導電性 -CNTを添加 強度や靭性保持- | 横浜国大 | 日刊工業新聞 (2005年1月18日PP.1) | AlN TiO2(下付) 百数十度低い焼成温度 1mあたり3～500シーメンスの導電性 耐摩耗性も向上 | 120 |
| 2005年 4月号 | CNT高純度回収法 | 筑波大 東京学芸大 | 日経産業新聞 (2005年1月20日PP.7) | 直径1.4nmの単層CNTが3割程度含まれる市販品で実験 カロ酸 アミン 純度96% | 120 160 |
| 2005年 3月号 | ナノコイル15倍速合成 | 豊橋技科大 東邦ガス 双葉電子工業 日本バルカー工業 | 日経産業新聞 (2004年12月20日PP.8) | 直径200～700nm 長さ1～150μm 1時間あたり2g生産可能 C2H2 CNT合成可能 | 120 160 |
| 2005年 3月号 | 単層カーボンナノチューブ内に室温・大気圧で氷形成 | 産総研 都立大 | 日刊工業新聞 (2004年12月21日PP.21) | 平均直径1.17のCNT 先端や側面に微小な穴を開けた後水蒸気にさらす 室温27℃で5角形のチューブ状の氷 | 120 160 |
| 2005年 2月号 | 身近になった単層ナノチューブ -高純度で安く生産- | 産総研 | 日経産業新聞 (2004年11月19日PP.7) | CVD 鉄微粒子の薄膜を触媒 エチレンガス 10分間で高さ2.5mm 従来法と比較して高さ500倍・成長速度3000倍 直径1～4nm 純度99.98% | 120 160 |
| 2005年 2月号 | CNT超合成術 | 産総研 | 読売新聞 (2004年11月21日PP.2) | 長さ500倍 純度2000倍 長さ2.5mm 10分間で純度99.98% | 120 160 |
| 2005年 2月号 | CNTの長さ制御できる合成技術 | 東大 | 日経産業新聞 (2004年11月26日PP.6) | 精度約0.1μm 石英ガラス基板に青色レーザ光を照射し通過してくる光を計測 | 120 660 |
| 2005年 1月号 | 金属基板上にCNT -蓄電器を高性能に- | 三洋電機 阪大 | 日経産業新聞 (2004年10月1日PP.8) | 直径20nm 長さ80μm 蓄電能力6.5F/g Ta製基板 AlとFeを触媒層に使用 CVD 電気二重層キャパシタ 垂直に長く高密度形成 | 120 |
| 2005年 1月号 | CNTをポリマーブレンド法で量産 -紡糸装置製作し実現- | 群馬大 | 日刊工業新聞 (2004年10月22日PP.22) | 炭素前駆体ポリマーと熱分解消失性ポリマーを混合した「三層コアシェル構造」粒子 溶融紡糸工程 遠心紡糸装置 | 120 160 |
| 2004年12月号 | 単層CNTの位置･直径を初制御 | NEC | 日刊工業新聞 (2004年9月3日PP.28) | SWNT ナノレベルで位置と直径を制御できる成長技術 触媒金属を混ぜた電子線レジストで微細な触媒金属微粒子を配置する技術 CVD 直径1.3nm ばらつき±0.4nm 長さ2μm | 120 160 |
| 2004年11月号 | 炭素分子の新構造体 | 名大 | 日経産業新聞 (2004年8月5日PP.1) | カーボンナノウォール FEDの性能大幅向上 CNTよりも多くの電子を放出 CVD装置 厚さ数nm～数十nmのC分子の壁 | 120 150 |
| 2004年11月号 | ナノチューブの炭素原子の配列・格子欠陥 | 産総研 | 日経産業新聞 (2004年8月19日PP.6) | 透過型電子顕微鏡 電子ビームに加える電圧を低下 感度5～6倍向上 | 360 660 |
| 2004年11月号 | 多層CNT -280℃で低温合成- | 日本工大 | 日刊工業新聞 (2004年8月30日PP.25) | 熱フィラメント・化学気相成長(CVD)法 280℃に加熱した金属触媒 低コスト | 120 |
| 2004年10月号 | CNT2芯構造を合成 -4年ぶり新タイプ- | 信州大 | 日経産業新聞 (2004年7月29日PP.8) | nmレベルの電気制御 2本のCNTを2 | 100℃に加熱し 外層だけをつなぎ合わせ Bi-cable 120 160 |
| 2004年10月号 | 単層CNT同じ向きに並べる | 東大 | 日刊工業新聞 (2004年7月29日PP.33) | ゼラチンで薄膜化 コイルを巻き付けた円柱状のワイヤバー | 120 |
| 2004年 8月号 | 超薄型CNTキャパシタ -プリント配線板に組込む- 図使用 | 日立造船 関西大 | 日刊工業新聞 (2004年5月18日PP.1) | 厚さ200μmまでの電気二重層キャパシタ 5000μF/㎝2 高速充放電 | 160 250 260 |
| 2004年 8月号 | 磁力でCNTの性質を制御 | 米国ライス大 | 日経産業新聞 (2004年5月26日PP.9) | 半導体と導体の性質を切換え | 120 |
| 2004年 8月号 | CNTを均等にした電子放出素子 -省電力型FED向け- | 阪大 | 日経産業新聞 (2004年5月28日PP.8) 日刊工業新聞 (2004年5月28日PP.32) | CVD法で作製 平均直径10nmのCNTを束ねて直径50μm・高さ125μmにまとめ250μm間隔で配置 CNT密度10G本/㎝2 駆動電圧1V 冷電子エミッタ | 160 250 |
| 2004年 6月号 | CNTを使った電磁波遮断材 | 塚田理研工業 信州大 | 日経産業新聞 (2004年3月9日PP.9) | プラスチックなどにニッケルをメッキした際に生じる廃液転用 CLTをNiで覆う | 120 160 |
| 2004年 6月号 | BN薄膜 -CNTしのぐ電子材料- | 物質・材料研究機構 | 日経産業新聞 (2004年3月11日PP.8) 日刊工業新聞 (2004年3月11日PP.25) | FED 照明器具 100倍以上の電界電子放出特性 8.6V/μmで電流密度0.9A/cm2 | 150 |
| 2004年 5月号 | 二層CNT量産技術 | 名大 東レ | 日経産業新聞 (2004年2月16日PP.7) | 直径2nmの二層CNT CVD Bの入ったゼオライト | 120 160 |
| 2004年 3月号 | 触媒微粒子の直径制御 -多層CNT- | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2003年12月5日PP.1) | MWNT 10nm以下の触媒微粒子を10%標準偏差 レーザアブレーションとDMAの組合せ 幾何平均径5.0nm | 160 |
| 2004年 2月号 | 世界最高輝度の電子放出材 -CNTにRuO2(下付)を結合- | 化研 高エネルギー加速器研究機構(KEK) | 日刊工業新聞 (2003年11月13日PP.1) | 電子放出電界強度2V/μm以下 4V/μmでの電流密度100mA/cm2(上付)以上 FED電極 | 120 150 160 |
| 2004年 1月号 | FED用CNT電極 -30V以下で電子放出- | 日立造船 | 日刊工業新聞 (2003年10月9日PP.10) | カソード電極 | 250 160 |
| 2004年 1月号 | ブラシ状CNT -長さと太さを制御- | 日立造船 大阪府立大 | 日刊工業新聞 (2003年10月24日PP.1) | CVD工程 710℃で長さ50μml・直径15nmφ 740℃で長さ30μml・直径20nmφ | 160 |
| 2003年12月号 | ナノチューブで超電導現象確認 -量子計算機開発に道- | 青山学院大 NTT研 科学技術振興事業団 | 日経産業新聞 (2003年9月5日PP.7) | Alの上に微細な穴のアルミナの穴の中に0.8μmのCNT NbとAlの電極間にCNT -272.4℃で超電導 | 120 160 |
| 2003年12月号 | ナノチューブで半導体 -トランジスタ実現へ- | 東北大 ソニー 都立大 科学技術振興事業団 高輝度光化学研究センター | 日本経済新聞 (2003年9月8日PP.21) 日本工業新聞 (2003年9月9日PP.2) | CNT内部に有機分子 導電性の制御に成功 Spring-8 | 120 160 |
| 2003年12月号 | カーボンナノチューブの発光を電気制御 | 米IBM | 日経産業新聞 (2003年9月15日PP.5) | CNTを半導体素材に応用 1.5μmの波長で発光 | 120 160 |
| 2003年12月号 | 超高速トランジスタ -カーボンナノチューブ活用- | NEC | 日本経済新聞 (2003年9月19日PP.11) | Siの10倍以上高速に動作 CNTの半導体の性質を利用 | 220 120 |
| 2003年11月号 | LSI配線用カーボンナノチューブ -触媒微粒子で直径制御- | 富士通 | 日経産業新聞 (2003年8月7日PP.5) | 直径4nmのFe Pt触媒を使用 直径3～10nmのCNTが林立 作成時基板温度600℃以下 | 120 160 |
| 2003年11月号 | 強誘電体ナノチューブ | サムコ研 英ケンブリッジ大 | 日刊工業新聞 (2003年8月20日PP.8) | 直径800nm 厚さ100nm 長さ80μm ミストデポジション法(CVD) Sr Bi Ta2O5 | 160 120 |
| 2003年11月号 | カーボンナノチューブを長く高密度に生成 | 阪大 高知工科大 | 日経産業新聞 (2003年8月21日PP.1) | 熱CVDとプラズマCVDを組合せる 10億本/cm2で長さ50～100μm | 160 120 |
| 2003年11月号 | 光ファイバ先端にカーボンナノチューブを合成 -超高速通信に道- | 東大 | 日経産業新聞 (2003年8月28日PP.9) | アルコール原料の単層カーボンナノチューブ 650℃で合成 厚み約100nm 光通信の異常信号除去フィルタ | 140 160 240 |
| 2003年10月号 | CNTを低温合成技術 -FEDを安価に- | 三菱電機 大阪府立大 | 日経産業新聞 (2003年7月22日PP.8) | 500℃で合成 ガラス基板使用可 直径数十nmの微粒子状鉄合金 | 120 160 |
| 2003年 8月号 | CNTを用いた固体発光素子 | 米IBM | 日刊工業新聞 (2003年5月5日PP.4) | 3端子素子 1.5μm帯の赤外線 ノンドープ単層CNT FET型 | 220 250 120 |
| 2003年 8月号 | 狙ったところにカーボンナノチューブを合成する手法 | 早大 | 日経産業新聞 (2003年5月8日PP.9) | シングルイオン注入 Ni触媒 CNT | 160 120 |
| 2007年 3月号 | 光電変換CNT | 東大 | 日経産業新聞 (2006年12月15日PP.10) | 電子を放出する層を電子を受け取る分子の層で包んだ中空構造 直径16nm 壁の厚さ3nm 長さ数μm | 120 |
| 2007年 2月号 | FED材料に適した2層CNT | 産総研 ノリタケカンパニーリミテッド | 日経産業新聞 (2006年11月8日PP.11) 日刊工業新聞 (2006年11月8日PP.28) | CNT長さ2.2mm 純度99.95% 2層CNT含有率85%以上 「スーパーグロース法」 水分添加CVD法を改良 電解放出ディスプレイ用の電極 均一な電子放出特性 | 120 160 250 |
| 2007年 2月号 | 単層CNT加工技術 | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年11月27日PP.9) 日刊工業新聞 (2006年11月27日PP.23) | スーパーグロース法 シートや針など様々な形の塊状に固める 単層CNTを多様な形状にデザイン 配向高密度化集合体 高純度で超長尺な単層CNTを束ねる | 160 220 260 |
| 2006年11月号 | 有機ナノデバイス -整流作用を確認- | 自然科学研究機構 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年8月24日PP.1) | nm径の円筒状単層CNTにポルフィリン分子吸着 自己組織化 Si製の1/10 | 120 160 220 |
| 2006年10月号 | CNTで非線形光学効果 | 東大 産総研 | 日刊工業新聞 (2006年7月6日PP.25) | 光学シュタルク効果 全光スイッチに応用 3次非線形感受率 | 120 240 |
| 2006年10月号 | テラヘルツ光検出技術 | 理化学研 JST | 日刊工業新聞 (2006年7月7日PP.31) 日経産業新聞 (2006年7月7日PP.8) | CNTでつくったトランジスタ 単電子トランジスタ 極低温領域で光子として量子的に検出 CNT人工原子 テラヘルツ光の周波数約2.5THz | 120 160 320 660 |
| 2006年10月号 | 低電圧で柔軟な動きのアクチュエータ | 東大 産総研 JST | 日経産業新聞 (2006年7月18日PP.9) | イオン液体 厚さ0.1mm×縦2cm×横3～4mm CNT 2～3Vの交流電圧で駆動 | 160 250 |
| 2006年 9月号 | 色でナノ構造観察する光学顕微鏡 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2006年6月21日PP.31) | 散乱光の色の変化 約20nmの金属針 波長532nmの光照射 CNTの構造変化を測定 | 210 320 360 |
| 2006年 8月号 | らせん状の多角形CNTを確認 -高い電界放出・強度特性- | JFEエンジニアリング | 日刊工業新聞 (2006年5月9日PP.25) | 長手方向にらせん状にねじれ アーク放電方法 高結晶性 鋼の役10倍の強度 | 120 160 |
| 2006年 8月号 | 単層CNTの新合成技術 -後処理不要 純度97%ー | 産総研 | 日刊工業新聞 (2006年5月12日PP.25) 日経産業新聞 (2006年5月12日PP.9) | 構造欠陥1/10以下 直噴熱分解合成法(DIPS法)を改良 量産性100倍 CNTの直径を0.1nm単位で制御可能 | 120 160 |
| 2006年 6月号 | CNT素子の新作成法 -電流変動1/1000- | 阪大 産総研 JST | 日刊工業新聞 (2006年3月1日PP.25) 電波新聞 (2006年3月14日PP.6) | CNTトランジスタ 電流の変動0.01% フォトレジストを改善 4μmの電極間に直径1.5nmのCNT CNTをSiN膜で保護 不純物を一切つけない新しいプロセスの開発 | 160 220 |
| 2006年 5月号 | キャパシタの蓄電効率10%改善 -電極抵抗1/4に- | 東海大 | 日経産業新聞 (2006年2月15日PP.11) | ナノテク素材 電気二重層キャパシタ 50mgの活性炭に直径10nm長さ100μmのCNT加え直径約1cm厚さ1mmの電極 電極の抵抗2.5Ω 厚さ3mmで2.5F | 120 160 250 |
| 2006年 5月号 | 電界集中効果2割増のCNT束エミッタ -ランプやディスプレイなど多用途- | 高知工科大 大阪大 ソナック | 日刊工業新聞 (2006年2月24日PP.29) | しきい電界強度0.4～3V/μm 直径50μm 高さ125μm 個々のCNTの直径9nm フォトエッチング法 CVD法 | 160 250 |
| 2006年 4月号 | 通電にまっすぐになるコイル状CNT ―原子構造変化を解明- | 大阪府大 | 日刊工業新聞 (2006年1月19日PP.26) | 2層CNT 円周電流密度0.9μA/nmでコイルがゆるみはじめ 2.2μA/nmで大きく変形 2.6μA/nmで直線状 電流による局所的な高温状態により曲面にある五角形 七角形の原子構造が六角形に変化 | 120 130 |
| 2003年 6月号 | 多層CNT -単層の2倍の電子放出を確認- | NKK | 日刊工業新聞 (2003年3月11日PP.16) | ほぼ100%の純度で合成 テープ状の多層CNT | 150 160 |
| 2003年 5月号 | フラーレンから単層CNT生成 -極小の集積回路実現に道- | 東大 | 日刊工業新聞 (2003年2月24日PP.1) | C60 触媒CVD法 触媒にFe・Co合金 | 160 |
| 2003年 3月号 | カーボンナノチューブ -加工しやすいテープ状に- | NKK | 日本経済新聞 (2002年12月18日PP.11) | CNT 直径数10nm アーク放電 ほぼ100%の純度 | 120 |
| 2003年 2月号 | トップゲート型FET -単層CNTで試作- | NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2002年11月8日PP.5) 日経産業新聞 (2002年11月8日PP.7) | レーザ蒸着法で合成 単相CNTの上にTi層 酸化チタンゲート絶縁膜 相互コンダクタンスが320ns | 160 220 |
| 2003年 2月号 | カーボンナノチューブでFET試作 | NEC | 日刊工業新聞 (2002年11月8日PP.5) | CNT | 220 |
| 2003年 2月号 | 単層CNTの化学気相成長に成功 | NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2002年11月22日PP.5) | SWCNT CVD 触媒のFe薄膜をコートしたサファイア基板上 | 160 |
| 2003年 2月号 | 多層CNTで10倍高輝度の電子線 -安定で超寿命- | 蘭フィリップス | 日刊工業新聞 (2002年11月28日PP.5) | 多層CNT(MWCNT) タングステンチップの上に固定 | 120 360 |
| 2003年 1月号 | CNT光スイッチ | 産総研 フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日経産業新聞 (2002年10月4日PP.10) | ガラス板に吹き付けたCNTに1.55μmのレーザを当て光の強さによってスイッチ動作 | 120 240 |
| 2003年 1月号 | カーボンナノチューブ -水溶性持たせる- | 長崎大 | 日本経済新聞 (2002年10月28日PP.23) | 親水性化合物 超音波 分離精製容易 | 120 160 |
| 2002年12月号 | カーボンナノチューブの特性解明へ研究会設立 | 信州大 名大 NEC 他 | 日本経済新聞 (2002年9月16日PP.19) | 地球シミュレータ 研究会設立 熱電導解析 | 120 620 |
| 2002年12月号 | 単一電子素子 -量産化メドに- | 産総研 科学技術新興事業団 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年9月17日PP.3) 日本工業新聞 (2002年9月9日PP.2) | 単一電子トランジスタ 室温動作 信号ノイズ従来比1/1000 CNT | 120 220 |
| 2002年10月号 | 多層カーボンナノチューブ 垂直成長させる技術 | 富士通研 | 日経産業新聞 (2002年7月8日PP.9) 電波新聞 (2002年7月8日PP.1) 日本工業新聞 (2002年7月8日PP.2) 日本経済新聞 (2002年7月8日PP.21) | 微細なLSI配線 φ:50nmL: 500nmのCNT CMOS･FETのシリサイド層上にて成長 電極にNiやCoを混入 CH4とH2の混合ガスによるプラズマCVD法 | 120 160 220 |
| 2002年 9月号 | ナノチューブ利用の太陽光発電 | 徳島大 ジェイジーエス | 日本経済新聞 (2002年6月3日PP.21) | カーボンナノチューブ 変換効率7.75% | 250 |
| 2002年 9月号 | 純度95%のナノチューブ | 富士ゼロックス | 日本経済新聞 (2002年6月14日PP.15) | アーク放電法 磁場によりプラズマ密度を向上 | 120 160 |
| 2002年 9月号 | 単一電子トランジスタ -ナノチューブで作製- | 産総研 富士通研 | 日本経済新聞 (2002年6月24日PP.23) | SiO2基板上 自己組織化 チューブ径 2nm | 220 120 |
| 2002年 8月号 | BN薄膜で電子放出増加 -FEDなどに応用- | 阪大 | 日刊工業新聞 (2002年5月16日PP.4) | プラズマアシスト化学気相法 CNTにBNナノ薄膜被覆 放出電流100倍 | 120 150 |
| 2002年 8月号 | ナノチューブトランジスタ | 米IBM | 日経産業新聞 (2002年5月22日PP.8) | Si製の2倍の動作速度 p-n型の作り分け MOSFETと同構造 | 220 |
| 2002年 7月号 | カーボンナノチューブのフィールドエミッタ - 4V 低電圧で電子放出 - | 産総研 | 日本経済新聞 (2002年4月5日PP.17) 日刊工業新聞 (2002年4月11日PP.4) | 高さ1μmの山のあるSi基板 Fe蒸着後CNTを成長 電子放出電圧4V FED | 250 120 |
| 2002年 7月号 | 超高集積チップへ道 -ナノチューブトランジスタ試作超LSI配線応用- | 富士ゼロックス NTT | 日本経済新聞 (2002年4月29日PP.15) | CNT 直径20nmリング | 120 220 |
| 2002年 6月号 | カーボンナノチューブ-製造コスト1/100に- | 三菱化学 群馬大 東レ 名大 | 日本経済新聞 (2002年3月2日PP.1) 日刊工業新聞 (2002年3月18日PP.9) | 2層CNT30～40% 触媒化学気相成長法 (CCVD) ゼネライト | 160 120 |
| 2002年 5月号 | 希土類酸化物でナノチューブ合成 | 佐賀大 | 日刊工業新聞 (2002年2月25日PP.1) | エルビウム ツリウム イッテルビウム ルテチウム 外径6nm 内径3nm | 120 160 |
| 2002年 1月号 | 14.5インチカラーFEDの試作 | 伊勢電子 | 日経産業新聞 (2001年10月31日PP.1) | 耐久10,000時間 多層化構造CNTの電子銃 カーボンナノチューブ FED 壁掛けテレビ 画素ピッチ 2.54mm | 250 350 |
| 2001年12月号 | セラミックス製ナノチューブ | 大日本インキ 九大 | 日経産業新聞 (2001年9月17日PP.11) | シクロヘキサジアミン 外径50nm 内径10nm | 120 160 |
| 2001年11月号 | 低温で基盤形成技術 カーボンナノチューブ | 豊橋技科大 | 日経産業新聞 (2001年8月16日PP.7) | 50℃で基板を加熱 真空中のアーク放電利用 30Vで 50～100Aの放電 太さ数10nm 長さ1μm | 160 120 |
| 2001年11月号 | カーボンナノチューブで論理回路作製 | 米IBM | 日経産業新聞 (2001年8月28日PP.8) | 電圧インバータ回路 単一分子構造 小型化 高速化 | 220 |
| 2001年11月号 | 新素材使った燃料電池 | NEC 科学技術振興事業団 | 日本経済新聞 (2001年8月31日PP.17) | カーボンナノチューブ メタノール 発電効率Li電池の約10倍 名刺大で70mW 白金系触媒 水素 | 250 |
| 2001年10月号 | カーボンナノチューブ高配向膜 -高輝度発光に成功- | ファインセラミックスセンター ノリタケカンパニー | 日刊工業新聞 (2001年7月12日PP.8) | カーボンナノチューブ 高配向性膜 100kcd/m2 アノード電圧10kV 導電性グラファイト | 150 250 |
| 2001年 6月号 | トランジスタ素子 -1/500の大きさ- | 米IBM | 日本経済新聞 (2001年4月30日PP.25) | カーボンナノチューブ 大電流で金属タイプを焼き切る MOSトランジスタ | 220 |
| 2001年 4月号 | カーボンナノチューブの量産化技術 -既存設備で量産化- | 群馬大 | 日刊工業新聞 (2001年2月21日PP.7) | カーボンナノチューブ ポリマーブレンド紡糸法 最小直径10～20nm | 160 |
| 2001年 3月号 | カーボンナノチューブ -溶接機で簡易合成- | 豊橋技科大 名城大 双葉電子工業 | 日経産業新聞 (2001年1月30日PP.1) | 内径1nm以下 外形数十nm 長さ数百nm～1μm 大気中アーク放電 ナノチューブ率80% | 150 120 |
| 2001年 3月号 | カーボンナノコイル作成 -ディスプレイなどへ応用- | 大阪府立大 豊橋技科大 | 日経産業新聞 (2001年1月23日PP.10) | カーボンナノコイル 太さ数十nm カーボンナノチューブ 有機分子の高温ガス 反応温度650～800℃ 直径数10nm マイクロマシン用ばね | 150 120 260 |
| 2001年 2月号 | 特徴電子顕微鏡使い検出 | 科技庁日仏共同研究チーム | 東京新聞 (2000年12月22日PP.10) | 金属原子ガドニウム カーボンナノチューブ チューブの直径1.6nm | 320 360 |
| 2001年 1月号 | 単層カーボンナノチューブ -直径0.4nm作製- | 名城大 NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2000年11月2日PP.6) 日経産業新聞 (2000年11月2日PP.9) | カーボンナノチューブ 水素ガス中で放電 直径0.4～10nm 多層構造 | 120 160 |
| 2000年 9月号 | ダイヤモンドナノチューブ | 東大 都立大 | 日本経済新聞 (2000年7月17日PP.15) | 人工ダイヤ CVD カーボンナノチューブ | 250 |
| 2000年 5月号 | カーボンナノチューブで電子銃作成 | 電総研 | 日本経済新聞 (2000年3月27日PP.19) | 直径2～3nmφ Si突起 炭化水素系ガス カーボンナノチューブ 放電開始電圧10V 電子銃 | 260 250 150 |
| 2001年 1月号 | 単層カーボンナノチューブ -直径0.4nm作製- | 名城大 NEC 科学技術振興事業団 | 日刊工業新聞 (2000年11月2日PP.6) 日経産業新聞 (2000年11月2日PP.9) | カーボンナノチューブ 水素ガス中で放電 直径0.4～10nm 多層構造 | 120 160 |
| 1999年12月号 | スピントランジスタ -基本動作確認- | 日立 | 日経産業新聞 (1999年10月7日PP.5) | 電子スピン カーボンナノチューブ | 220 |
| 1999年11月号 | Si接合技術 | NEC 科学技術振興事業団 | 電波タイムズ (1999年9月20日PP.2) | カーボンナノチューブ | 260 160 |
| 1999年 8月号 | カーボンナノチューブ使用表示装置 | 物資工学研 | 日経産業新聞 (1999年6月13日PP.4) | カーボンナノチューブ 次世代平面ディスプレイ 3kV加圧で発光 100万A/cm2以上 | 250 |
| 1999年 1月号 | 炭素の微小管を使った平面ディスプレイ技術 | 米バファロー大 | 日経産業新聞 (1998年11月18日PP.5) | カーボンナノチューブ 平面ディスプレイ 電子銃 | 150 |