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セラミック 関係の注目記事
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掲載
予定
題 目発表社情報源キーポイント 分類
番号
2017年 7月号透明セラミックス
1400度の高温OK
東工大など日経産業新聞
(2017年4月19日PP.9)
窒化ケイ素を利用。全物質の中で3番目の硬さを持ち,空気中で1400℃の高温に耐える120
2015年10月号1500度Cでも耐酸化 SiCセラ複合材料京大日刊工業新聞
(2015年7月30日PP.31)
SiCセラミックス
曲げ強度
耐酸化1500度
260
2012年 8月号排熱から電気を生成する変換効率40倍の素子東北大
東北セラミック
日経産業新聞
(2012年5月21日PP.11)
MnSiと
Feを含むMn
Siでそれぞれ厚さ150μmの薄膜を作り
厚さ15μmの絶縁層を挟みながら交互に重ねる
1cm2厚さ2.5mmの素子を切り出す
ゼーベック効果
熱電素子
120
250
2012年 4月号60GHz帯対応無線装置NTT日刊工業新聞
(2012年1月18日PP.21)
1chで最大伝送速度3.8Gbps
4ch同時伝送可
周波数帯域を57〜66GHzに拡大
アンテナとMMICは低温同時焼成セラミック(LTCC)の多層基板に平面集積
340
2011年 8月号室温で低消費電力な半導体素子

・14と一つにまとめ
東大
東北大
ファインセラミックスセンター
日経産業新聞
(2011年5月27日PP.11)
電子のスピンによる磁石の向きを電圧で制御
電流は通常の1億分の1
La
Alの酸化物基板上に微量のCoを添加したTiO2で素子を作成
220
120
2010年12月号3倍明るい緑色蛍光体新潟大日経産業新聞
(2010年9月7日PP.11)
バリウム
ユーロピウムのケイ酸塩
セラミック粒子の大きさ数十μm
光の吸収率が約3割向上
明るさ2.6倍
高温で一酸化ケイ素を気化して粒子を成長
120
2010年10月号リチウムイオン電池使用中の内部観察技術ファインセラミックセンタ(JFCC)日経産業新聞
(2010年7月14日PP.11)
日刊工業新聞
(2010年7月23日PP.24)
ホログラム干渉縞
全個体型Liイオン
精度50nm以下の0.05V以下
2010年 5月号蓄電容量2〜3割アップのコンデンサ添加原料宇部マテリアルズ日経産業新聞
(2010年2月25日PP.1)
炭酸ストロンチウムを2〜3%添加
積層セラミックコンデンサ
120
2010年 5月号変換効率15.9%の曲がる太陽電池産総研日刊工業新聞
(2010年2月26日PP.32)
CIGS薄膜
ナトリウム
アルカリ金属
セラミックス基板
ケイ酸塩ガラス
モリブデン電極
160
250
2010年 2月号ハイブリッド軸受材料に使用できる窒化チタンナノ粒子混合セラミック横浜国大日刊工業新聞
(2009年11月4日PP.18)
軸受金属リングの摩耗4割減120
2009年 9月号厚さ150μmのセラミックコンデンサ京セラ日経産業新聞
(2009年6月11日PP.1)
独自の化学処理
電極の厚さ8μm
世界最薄
誘電体の形に添って薄く平らに電極が付着
260
2009年 8月号10Gbps伝送が可能な小型アンテナモジュールNTT日刊工業新聞
(2009年5月14日PP.22)
日経産業新聞
(2009年5月12日PP.11)
60GHzのミリ波帯
12mm角
小型パラボラアンテナ
低温焼成したセラミック基板の多層LTCC基盤の表裏に搭載
2.5Gbps/chで4ch並列伝送
従来のアンテナの1/9の面積で同等の性能を実現
340
2006年 7月号稀少金属を使わない透明電極材料神奈川科学技術アカデミー(KAST)日経産業新聞
(2006年4月5日PP.9)
In
TiO295%とNb5%を混合したセラミックス
レーザ照射で蒸発させガラス上に薄膜
500℃に過熱し導電性向上
可視光透過率80%
抵抗率0.001Ω/cm3
120
250
2005年 8月号CNT添加導電性セラミックス阪大日刊工業新聞
(2005年5月24日PP.1)
ZrO2に多層CNTを3〜6%添加
放電加工可能
強度971MPa
120
160
2005年 6月号液晶画面をスピーカに使用NEC
ホシデン
日経産業新聞
(2005年3月17日PP.1)
0.4mm積層圧電セラミック振動板2枚使用
振動源のふるえを保護パネルに広げる
250
2005年 4月号窒化ケイ素セラミックスに導電性
-CNTを添加
強度や靭性保持-
横浜国大日刊工業新聞
(2005年1月18日PP.1)
AlN
TiO2(下付)
百数十度低い焼成温度
1mあたり3〜500シーメンスの導電性
耐摩耗性も向上
120
2004年11月号光電変換素子1/6に小型化NEC
産総研
日経産業新聞
(2004年8月24日PP.7)
強誘電体セラミックス
PLZT
セラミックス結晶粒の大きさ20nm以下
変換素子大きさ数mm角程度
半導体基板上に形成
240
160
2004年 9月号UWB用世界最小セラミック素子太陽誘電日経産業新聞
(2004年6月4日PP.5)
電波新聞
(2004年6月4日PP.2)
チップアンテナ8×6×1mm
チップバラン3.2×2.5×0.85mm
240
340
2004年 7月号電子線ホログラフィでCMOS解析


図使用
ファインセラミックスセンター(JFCC)日経産業新聞
(2004年4月19日PP.8)
半導体断面電位解析
不純物の分布を利用
360
430
660
2003年 9月号絶縁体にナノ量子細線
-導電性付与に成功-
科学技術振興財団日刊工業新聞
(2003年6月16日PP.5)
超高温透明セラミックス
転位構造配列制御
サファイア結晶内に5nmの金属細線
120
160
2006年 7月号稀少金属を使わない透明電極材料神奈川科学技術アカデミー(KAST)日経産業新聞
(2006年4月5日PP.9)
In
TiO295%とNb5%を混合したセラミックス
レーザ照射で蒸発させガラス上に薄膜
500℃に過熱し導電性向上
可視光透過率80%
抵抗率0.001Ω/cm3
120
250
2003年 4月号液状セラミックを塗布した新型放熱器
-放熱効率20倍に-
沖電気
セラミション
日経産業新聞
(2003年1月20日PP.1)
ヒートシンク
液状セラミック
放熱効率
熱を遠赤外線に変換
260
2003年 1月号セラミックス絶縁体を紫外線で半導体に変換東工大朝日新聞
(2002年10月3日PP.2)
C12A7120
2003年 1月号導電性で強度倍のセラミック阪大
ニッカトー
日本経済新聞
(2002年10月25日PP.17)
結晶境界面に厚さ1nmの有機化合物系の導電性材料120
2002年 5月号超微細ダイヤ針
-薄型テレビなどに応用-
阪大
住友電工
ファインセラミックセンター
日経産業新聞
(2002年2月14日PP.9)
FED
先端の直径2nm
400本/1mの集積可能
160
250
2002年 4月号高周波の吸収率2倍
-鉄・セラミックス複合材-
日立日経産業新聞
(2002年1月31日PP.11)
4〜20GHzで1mm当たり20dB吸収140
2002年 2月号セラミックス結晶そろえる手法長岡技科大日経産業新聞
(2001年11月7日PP.10)
超電導磁石160
2002年 1月号大画面の圧電セラミックディスプレイ
-100インチ以上も容易-
日本ガイシ電波新聞
(2001年10月17日PP.1)
日刊工業新聞
(2001年10月17日PP.13)
日経産業新聞
(2001年10月17日PP.5)
Ceram Vision
Ceram Board
60インチ
圧電アクチュエータ
画素ピッチ
2.8mm
応答時間1ms未満
250
350
2001年12月号セラミックス製ナノチューブ大日本インキ
九大
日経産業新聞
(2001年9月17日PP.11)
シクロヘキサジアミン
外径50nm
内径10nm
120
160
2001年10月号カーボンナノチューブ高配向膜
-高輝度発光に成功-
ファインセラミックスセンター
ノリタケカンパニー
日刊工業新聞
(2001年7月12日PP.8)
カーボンナノチューブ
高配向性膜

100kcd/m2
アノード電圧10kV
導電性グラファイト
150
250
2001年10月号先端径10nmのダイヤモンド・ナノエミッタ住友電工
ファインセラミックスセンター
阪大
日刊工業新聞
(2001年7月17日PP.1)
電流を均質化
数mm角の基板に10μmピッチで配置
成長とエッチングの組合せ
単結晶ダイヤモンド
φ3〜5mm円すい
プラズマエッチング
高さ/先端径>10
160
250
2001年 8月号,9月号電子線ホログラフィ法ファインセラミックセンター日刊工業新聞
(2001年6月27日PP.7)
フレネル回折光の補正で精度が3〜6倍アップ顕微鏡
660
360
2001年 5月号デカップリングキャパシタ
-ノイズを高効率で吸収-
富士通研日刊工業新聞
(2001年3月14日PP.7)
薄膜キャパシタ
30pH
Si基板
チタン酸バリウム・ストロンチウム(BST)セラミック薄膜使用
260
2000年10月号回路の電磁波直接計測
-ガラス基板使い超小形針-
NEC
NEC真空硝子
日経産業新聞
(2000年8月18日PP.1)
ガラスセラミック多層基板
電磁波計測用プローブ
210
320
2000年 5月号紫外線の発光ダイオード
-セラミックスを使用-
科学技術振興事業団日本経済新聞
(2000年3月27日PP.19)
紫外線発光ダイオード
ストロンチウム銅酸化物膜
酸化亜鉛膜
波長380nm
エピタキシャル成長
250
1999年12月号感触センサ阪大
産業科学研
イナバゴム
日経産業新聞
(1999年10月26日PP.5)
ナノコンポジット
感圧センサ
シリコンゴム
球状炭素
セラミックス微粒子
210
1999年 1月号条件により光通す結晶
-紫外線レーザに道-
東芝日本経済新聞
(1998年11月16日PP.19)
セラミックス
電磁気誘起透明化
Y
Al酸化物セラミクス
プラセジオムイオン
190nm以下
紫外線域
半導体レーザ
150
1998年12月号室温で巨大トンネル磁気抵抗効果を示す新材料アトムテクノロジー研究体
(JRCAT)
日経産業新聞
(1998年10月15日PP.5)
日刊工業新聞
(1998年10月15日PP.5)
セラミックス
巨大トンネル磁気抵抗効果(TMR)
コロッサル磁気抵抗(CMR)
ストロンチウム 鉄 モリブデン
二重ペロブスカイト構造
トンネル伝導
高密度記録ヘッド
120
130
1998年 1月号微小部品
磁力制御で運搬する新システム
富士電機総研日経産業新聞
(1997年11月14日PP.4)
パレット移動
磁力
セラミック基板
260
1996年 6月号セラミックス超音波モータ本多電子日経産業新聞
(1996年4月16日PP.1)
超音波モータ
セラミックスモータ
250
1996年 6月号透明セラミックス薄膜合成
-透明トランジスタに道-
東工大日経産業新聞
(1996年4月8日PP.5)
透明セラミックス
透明トランジスタ
酸化ガリウム銅
液晶ディスプレイ用
透明
うすい黄色
P型半導体
120
150
1996年 3月号室温で均質な大面積薄膜
-水溶液から簡単合成-
京大日刊工業新聞
(1996年1月26日PP.9)
燃料電池
セラミック薄膜
150
250
1995年10月号セラミックス製リチウム電池デルフト工科大(オランダ)日刊工業新聞
(1995年8月7日PP.6)
1/100秒以下の爆発加工
高エネルギー密度
低内部抵抗
リチウムイオン電池
160
250
1995年 9月号高熱伝導性の封止樹脂
-発熱の大きな大型ASICをプラスチックでパッケージ-
東芝日刊工業新聞
(1995年7月5日PP.7)
エポキシ樹脂+複合セラミック
4W/mケルビン
160
260
1995年 4月号超小型・軽量ショックセンサ松下電工電波新聞
(1995年2月22日PP.5)
圧電セラミック
センサ
210
1994年 8月号巻線レス圧電トランスタムラ製作所電波新聞
(1994年6月9日PP.5)
セラミック
インバータ
効率80%
250
350
1991年10月号電源を落としても情報を失わないFRAMラムトン電波新聞
(1991年8月8日PP.4)
FRAM
Siウェハ上にセラミックフィルム
230
1991年 6月号ガラス製非球面レンズの成形用型材
-10倍以上の長寿命化実現-
東芝タンガロイ日刊工業新聞
(1991年4月9日PP.13)
酸化アルミ焼結体基材に0.5mm厚の酸化クロム被膜を拡散
結合させた複合セラミックス
160
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