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| 掲載 予定 | 題 目 | 発表社 | 情報源 | キーポイント | 分類 番号 |
| 2018年 3月号 | 窒化ガリウムパワー半導体 プロセス技術開発 | 東芝 | 日刊工業新聞 (2017年12月6日PP.1) | 閾値電圧変動を従来比1/20 | 220 |
| 2018年 1月号 | GaNトランジスタの結晶層を発見 | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2017年10月26日PP.23) | 絶縁層とGaNの界面に1.5nmのガリウム磁化膜の薄層 | 220 |
| 2017年 9月号 | 量子ナノディスク作成 発光効率100倍に | 東北大 | 日刊工業新聞 (2017年6月22日PP.25) | 窒化物量子ドット発光ダイオード 直径5nmの窒化インジウムガリウムと窒化ガリウムの3次元構造を持つ量子ドット(量子ナノディスク) 発光効率100倍 直径5nmの窒化インジウムガリウムと窒化ガリウムの3次元構造を持つ量子ドット | 160 250 |
| 2016年 7月号 | 窒化ガリウム半導体 電子運動初観測 http:// www.ntt.co.jp/news2016/1604/160411b.html | NTT 理科大 | 日刊工業新聞 (2016年4月13日PP.27) | ペタヘルツ アト秒 窒化ガリウム半導体 電子振動 ペタヘルツの高周波現象を利用して，アト秒で振動する電子運動の観測に成功 | 120 220 |
| 2016年 7月号 | 窒化ガリウム半導体 電子運動初観測 http:// www.ntt.co.jp/news2016/1604/160411b.html | NTT 理科大 | 日刊工業新聞 (2016年4月13日PP.27) | ペタヘルツ アト秒 窒化ガリウム半導体 電子振動 ペタヘルツの高周波現象を利用して，アト秒で振動する電子運動の観測に成功 | 120 220 |
| 2016年 4月号 | 窒化ガリウム製送信用パワーアンプ 富士通 W帯向け開発 http://pr.fujitsu.com/jp/news/2016/01/25.html | 富士通 富士通研究所 | 日刊工業新聞 (2016年1月25日PP.25) | W帯 75-110GHz 窒化ガリウム パワーアンプ 4Gbps以上 | 340 220 |
| 2015年12月号 | パワー半導体 窒化ガリウムでエネルギー損失1/7 | 法政大 住友化学子会社サイオクス | 日経産業新聞 (2015年9月16日PP.9) | パワー半導体 窒化ガリウム 省エネ 車モータ制御装置1/10に小型化 パワーダイオード | 220 340 |
| 2015年 4月号 | GaN結晶 大型で高品質実現 | 阪大 | 日刊工業新聞 (2015年1月15日PP.23) | サファイア基板上に小さなGaN結晶をいくつも点在させ ナトリウムフラックス法で成長させて結合 ナトリウムフラックス法 約10cmのGaN結晶 | 160 |
| 2014年 6月号 | 半導体中の電子を直接観測 | 東工大 | 日経産業新聞 (2014年3月7日PP.9) | GaAs 200fs間隔で測定 レーザパルス光源と光電子顕微鏡を組合せる 電子の移動速度を秒速8万mと測定 | 660 |
| 2014年 6月号 | 半導体のスピン異常信号解明 | 東北大 独レーゲンスブルク大 | 日刊工業新聞 (2014年3月11日PP.22) | 強磁性半導体(Ga | Mn)As と非磁性半導体GaAs のヘテロ接合 スピンエサキダイオード構造 電子スピンの検出感度40倍 120 660 |
| 2014年 5月号 | GaN系量子ドットで室温単一光子源 | 東大 | 日刊工業新聞 (2014年2月13日PP.19) 日経産業新聞 (2014年2月13日PP.11) | 有機金属気相成長法(MOCVD)で直径50nm・高さ1.5μmのGaNナノワイヤを作製 通常の半導体製造技術で製造可能 | 120 160 |
| 2013年10月号 | 量子暗号通信向けの小型光源 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2013年7月31日PP.6) | 量子もつれ光子 AlGaAs薄膜にGaAs量子ドット 一辺15nm厚さ1.5nmの三角形 | 250 |
| 2013年 9月号 | 低電圧CMOSインバータ | 産総研 住化 | 日刊工業新聞 (2013年6月11日PP.21) | GeのpMOSFETとInGaAsのnMOSFETを積層 0.2Vで動作 | 220 |
| 2013年 7月号 | 高精度超音波を発振する半導体素子 | NTT | 日経産業新聞 (2013年4月19日PP.10) | MEMS応用 GaAs 85μm×1.4μm×250μm セーザー 温度2.5Kで2.52MHz(バラツキ70Hz)を入力し174kHz(バラツキ0.08Hz)で発振 | 220 260 |
| 2013年 2月号 | 長寿命の深紫外線LED | 日機装 | 日経産業新聞 (2012年11月2日PP.1) | 波長255～250nm 寿命は約1万時間 窒化ガリウム(GaN) アルミニウム(Al) | 250 |
| 2012年11月号 | 化合物型太陽電池の効率向上 | 東大 | 日経産業新聞 (2012年8月8日PP.9) | InGaAsとGaAsPの400nm薄膜結晶層 25.2%の変換効率 幅3～5μmの微細なギザギザ構造 | 250 |
| 2012年 9月号 | 変換効率43.5%の集光型太陽電池セル | シャープ | 日刊工業新聞 (2012年6月1日PP.8) | 化合物3接合太陽電池セル InGaAs | 250 |
| 2012年 9月号 | 高密度量子ドット作製技術 | 物材機構 | 日経産業新聞 (2012年6月5日PP.9) | 液滴エピタキシー法 30℃の常温 GaAs基板 7Gaの滴を作る温度を30℃に下げた 従来比5倍の1cm2あたり7300億個の量子ドット | 120 160 |
| 2012年 9月号 | GaN半導体による携帯基地局向け増幅器 | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (2012年6月21日PP.18) 日経産業新聞 (2012年6月21日PP.11) | 出力170Wで電力変換効率70% | 340 |
| 2012年 9月号 | 純緑色レーザー | ソニー 住友電工 | 日刊工業新聞 (2012年6月22日PP.8) 日経産業新聞 (2012年6月22日PP.4) | GaN結晶を斜めに切った基板 発振波長530nm 光出力100mW 輝度2倍 | 250 |
| 2012年 7月号 | 14GHz帯で100Wの出力のGaN系HEMT増幅器 | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (2012年4月26日PP.24) | 素子の微線化 低損失回路 衛星通信基地局の電力増幅器向け | 340 |
| 2012年 5月号 | 半導体中の自由電子をテラヘルツ光で1000倍に増幅 | 京大 | 日刊工業新聞 (2012年2月15日PP.25) | GaAsの半導体試料で確認 テラヘルツ光を半導体に一兆分の一秒間照射 | 120 150 |
| 2012年 3月号 | 波長1～1.3μmのレーザ光発振素子 | 情通機構 光伸工学工業 セブンシックス | 日経産業新聞 (2011年12月15日PP.11) | InAs製高さ4～6nmの量子ドットを素子に埋め込む 直径125μm 数百nmの穴を30から百数十個開けた石英ガラス製光ファイバを使用 | 140 240 250 |
| 2012年 2月号 | 発電効率36.9%の化合物型太陽電池 | シャープ | 日経産業新聞 (2011年11月7日PP.4) 日刊工業新聞 (2011年11月7日PP.10) | 人工衛星向け InGaAs・GaAs・InGaPの3層構造 | 250 |
| 2011年12月号 | 量子ドット間の電子移動に成功 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年9月22日PP.23) | 3μmを数nsで移動 GaAsの半導体中に3μmの距離を空け量子ドットを2つ作り電子の通り道でつなげた 表面弾性波 | 120 |
| 2011年12月号 | 量子コンピュータ向け基本素子 | 東大 NTT | 日経産業新聞 (2011年9月29日PP.11) | GaAsの素子 スピンが情報の最小単位 量子もつれ | 220 |
| 2011年 9月号 | 大電流・高電圧に対応するGaN半導体 | 名工大 | 日刊工業新聞 (2011年6月8日PP.22) 160 (260年0月0日) | 耐電圧1800V | 移動度3000cm2/Vs 膜厚9μm NH3とトリメチルアルミニウムを用いたAlNとGaNによるバッファ層 220 120 |
| 2011年 8月号 | 半導体製単一光子検出器 | 日大 NTT | 日刊工業新聞 (2011年5月16日PP.15) | 量子暗号通信 InGaAsとInPで構成するAPD 24kbpsで100km伝送可能 | 340 440 |
| 2011年 7月号 | 1mm2以下の超小型光ゲートスイッチ素子 | 産総研 | 日刊工業新聞 (2011年4月26日PP.19) 電波タイムズ (2011年4月27日PP.1) | 超高速半導体全光位相変調素子をInP基板上に集積 160Gbpsを40Gbpsの光信号に多重・分離 モノシリック集積型 ドライエッチング法で1回加工するだけで集積化 帰還回路が不要 | 240 |
| 2011年 6月号 | InGaN製の高感度紫外線センサ | 物材機構 | 日刊工業新聞 (2011年3月7日PP.20) | 絶縁層に5nm厚のCaF2 320nm～400nmの領域を検出 | 210 |
| 2011年 5月号 | 円偏光発光素子 | 東大 | 日刊工業新聞 (2011年2月2日PP.21) | 人工キラル周期構造 InAs製の量子ドットを埋め込み | 120 220 |
| 2011年 4月号 | 半導体材料を紫外線で研磨する技術 | 熊本大 | 日経産業新聞 (2011年1月26日PP.9) | 紫外線を照射して表面を酸化 酸化した部分を研磨 SiCやGaNなどの硬い素材に適用可能 | 260 |
| 2011年 3月号 | 酸化物半導体TFTで作った整流回路 | 日立 | 日刊工業新聞 (2010年12月7日PP.1) | 13.56MHzの電波を直流電力へ変換可能 ガラス基板上に0.4mm×2mmを試作 インジウムガリウム酸化亜鉛(InGaZnO)の金属組成比を改良 | 220 250 |
| 2011年 3月号 | 1基板で多色の発光が可能なLED | 東大 | 日経産業新聞 (2010年12月7日PP.10) | マスクを使ってGaN結晶の成長範囲を制御 青と緑の発光 1つの基板上で場所によって色や濃淡が異なる | 120 250 160 |
| 2011年 3月号 | GaN基板の低価格量産技術 | 三菱化学 米カルフォルニア大 | 日経産業新聞 (2010年12月8日PP.1) | コスト1/10 液相法 サファイア基板の1/3の電力で出力3倍 緑色レーザ | 120 |
| 2011年 3月号 | フォトニック人工原子レーザ
-3次元結晶内で発振- | 東大 | 日刊工業新聞 (2010年12月20日PP.17) | 厚さ150nmのGaAsを25層積層 Q値は約4万 中心の層に面積約1.3μm2の欠陥共振器とInAs量子ドットを埋め込み | 140 |
| 2011年 1月号 | GaN-HEMTを使った高出力な送信用増幅器 | 富士通 | 日刊工業新聞 (2010年10月4日PP.18) | ミリ波帯向け 出力1.3W 67～80GHzで10Gbps 通信可能距離10km | 240 220 |
| 2011年 1月号 | ナノ空間で多電子制御 | 物材機構 北大 | 日刊工業新聞 (2010年10月29日PP.29) | 直径10nmの半導体量子ドット 複数の電子を閉じ込めナノ空間の多電子状態を制御 液滴エピタキシー法 GaAs量子ドット イオン化励起子と呼ぶ3つの粒子の複合状態の観測に成功 | 120 |
| 2010年12月号 | 量子暗号の安全性向上 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年9月10日PP.11) | 通信用の波長1.5μmの光を直径30～40nmのInGaPの粒「量子ドット」にあてて光子を発生 50kmの伝送実験に成功 2光子つながるケースを5～10パルスに低減 解読リスク0.01% | 340 440 |
| 2010年12月号 | 発電効率45%超を実現する太陽電池向け新素材 | 東大 シャープ | 日経産業新聞 (2010年9月29日PP.13) | 多接合 厚み3nmのInGaAsの膜と原子1個分の厚みのInGaPの膜を交互に60個積み重ねる 量子井戸効果 多接合タイプ太陽電池 | 120 250 220 |
| 2010年11月号 | LSIの消費電力を削減する光スイッチ | 東大 光産業技術振興協会 東芝 パイオニア コニカミノルタオプト | 日経産業新聞 (2010年8月25日PP.9) | GaAs 点滅する光を照射して光の通路を開閉 InAsの量子ドット2個 内部に量子ドットを縦に並べて埋め込む 近接場光 | 240 |
| 2010年10月号 | 情報を暗号化する素子 | 北大 浜松ホトニクス NTT 東京理科大 | 日経産業新聞 (2010年7月8日PP.12) | p型InPにn型のInGaAsやニオブを積層 ニオブ層の厚さ80nm 光子対 量子もつれ合い状態 | 120 220 |
| 2010年10月号 | ミリ波で長距離無線通信 | パナソニック | 日刊工業新聞 (2010年7月23日PP.9) | GaN 25GHz帯 大気中84km伝送 出力10.7W | |
| 2010年 9月号 | テラヘルツ波検出感度が100倍以上のトランジスタ | パナソニック | 日経産業新聞 (2010年6月23日PP.11) | 室温動作可能 GaN材料 | 220 |
| 2010年 9月号 | 化合物半導体を使ったトランジスタ -LSI速度5倍に- | 東大 産総研 物材機構 住友化学 | 日経産業新聞 (2010年6月25日PP.15) | InGaAs 高速LSI | 220 |
| 2010年 9月号 | 光による量子ホール効果を確認 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年6月29日PP.11) | GaAs AlGaAsを張り合わせた試料 -270℃に冷やし4～6テスラの磁力を加え波長0.15～0.6mmのテラヘルツ波を当てる | 120 |
| 2010年 8月号 | 半導体上に原子積み上げてナノ構造を作成 | NTT 独ポール・ドルーデ研 | 日刊工業新聞 (2010年5月12日PP.1) | In原子を1個ずつ積み上げ STMの金属製プローブ nm寸法の構造 InAs基板 | 120 160 |
| 2010年 8月号 | 2インチm面GaN基板作成に成功 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2010年5月17日PP.1) | 高輝度LED 結晶の成長方向を制御 | 120 250 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットレーザで25Gbpsでデータ通信 | 富士通 東大 | 日刊工業新聞 (2010年5月21日PP.23) | 従来比2.5倍 GaAs基板 InAsの量子ドット 600億個/cm2 量子ドット層8層 | 250 240 |
| 2010年 8月号 | 発光効率100%に近づける緑色LED | 京大 | 日本経済新聞 (2010年5月24日PP.13) | フォトニック結晶 InGaN 波長500nm 効率従来比2～3倍 | 250 120 |
| 2010年 8月号 | 量子ドットを使用した低消費電力レーザ発振素子 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年5月31日PP.12) | Si基板上で微少なレーザ光を発振 InAsでできた直径20nmの「量子ドット」 長さ1mm・幅60μm・厚さ0.3mmの棒状素子 | 120 250 |
| 2010年 5月号 | Si基板でLED | 北大 | 日経産業新聞 (2010年2月10日PP.11) | Si基板上に太さ100nmのGaAsの細いワイヤを垂直に立てる ワイヤの長さを1～2μmに変えて間隔を調整すると違う波長の光を出力可能 | 120 250 |
| 2010年 5月号 | 人工原子1個でレーザ光を出す半導体 | 東大 | 日経産業新聞 (2010年2月22日PP.10) 日刊工業新聞 (2010年2月16日PP.22) | 直径100nmの穴を10個開けた厚さ160nmのGaAs半導体薄膜 中央に直径20～25nm厚さ2～3nmのInAsの人工原子を埋め込む 波長917nm フォトニック結晶体 ナノ共振器 | 120 250 240 |
| 2010年 3月号 | 光照射で発光波長を制御するLED発光層の成膜技術 | 東大 ブイ・テクノロジー 日東光器 | 日経産業新聞 (2009年12月25日PP.11) | InGaN化合物半導体層を光を当てながら均一成膜 サファイア基板 緑色光と紫外線 波長532nm LED発光層の厚さ1/5 厚さ200nmの薄膜 | 250 160 120 |
| 2009年10月号 | 青・緑と同材料の赤色LED | 阪大 | 日経産業新聞 (2009年7月1日PP.11) 日刊工業新聞 (2009年7月1日PP.23) | 窒化ガリウム ユーロピウム 出力数μW LEDディスプレイ | 250 |
| 2009年10月号 | 純緑色半導体レーザ | 住友電工 | 日本経済新聞 (2009年7月16日PP.11) | 窒化ガリウムの結晶の切り出し方を工夫 室温で波長が531nmのレーザ光 薄型テレビ プロジェクタ | 250 |
| 2009年 9月号 | X帯で出力101WのHEMT増幅器 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (2009年6月12日PP.26) | n型窒化ガリウム技術 ゲート長0.25μm 効率53% 出力4倍を達成 | 240 220 |
| 2009年 1月号 | 効率10倍の光子制御技術
-量子ドット埋め込み3次元フォトニック結晶発光- | 東大 | 日刊工業新聞 (2008年10月6日PP.20) 日経産業新聞 (2008年10月9日PP.11) | 膜を17層重ねた約10μm角の立方体形状 高さ5μmのフォトニック結晶 10nm四方の量子ドット 約200nmのGaAs半導体膜を交互に重畳 1.5μmで発光する量子ドットを埋めた膜を挟む GaAsSb Q値2300 | 120 250 |
| 2009年 1月号 | 通電遮断回路不要なGaN-HEMTトランジスタ | 富士通 富士通研 | 日刊工業新聞 (2008年10月10日PP.24) | 2nmのn型GaN膜 AlN 300Vの高耐性で動作 | 220 |
| 2008年12月号 | 発光率5割増の紫外線LED | 東芝 | 日経産業新聞 (2008年9月26日PP.1) | 波長383nm 厚さ10μmのA1N層をサファイア基板とGaNの間に設ける 電流20mAで23mWの光 | 250 160 |
| 2008年11月号 | 多量子ビット素子
-超高速コンピュータに道- | 東大 NTT | 日刊工業新聞 (2008年8月18日PP.18) 日経産業新聞 (2008年8月18日PP.6) | GaAs化合物半導体 電子スピン コバルト製の微小な磁石 直径0.2μmの円盤形の量子ドット | 120 220 |
| 2008年10月号 | 半導体レーザの世界最短波長を実現 | 浜松ホトニクス | 日経産業新聞 (2008年7月29日PP.8) | 波長342nmの紫外レーザ光を発振 化粧にAlを混ぜる 消費電力1/100以下 Al組成が30% AlGaNを発光層 | 250 120 |
| 2008年 9月号 | 発光効率2倍のLED基板 | 三菱化学 | 日経産業新聞 (2008年6月2日PP.16) | 窒化ガリウム基板 有機金属化学気相成長法(MOCVD) m面 基板の厚さ0.1mm 大きさ12mm×20mm | 250 160 |
| 2008年 8月号 | 1インチ画面にハイビジョン画像を映し出せるLEDディスプレイ | OKIデジタルイメージング | 日経産業新聞 (2008年5月6日PP.1) | 縦0.5mm横2mmのスペースに縦24ドット×横96ドット(1200dpi相当)のLEDを配置 厚さ2μmのLED層 分子間力 表示デバイス 小型高精細ディスプレイ GaAs 縦横10μmのLED素子 | 250 |
| 2008年 8月号 | フォトニック結晶を用いた光ビットメモリー | NTT | 電波新聞 (2008年5月8日PP.5) | 最長150nsのメモリー持続時間 InGaAsP バイアス光パワーが最低40μW 結晶の厚さが200nm 直径200nmの空気穴を420nmの周期で三角格子状に配置 | 120 230 |
| 2008年 7月号 | 持続時間60倍の光メモリー | NTT | 日刊工業新聞 (2008年4月25日PP.26) | InGaAsP 持続時間最大150ns 厚さ200nmの半導体結晶に直径200nmの空気穴を420nm周期で三角格子状に配置 Q値13万 | 120 |
| 2008年 5月号 | 量子暗号通信の中継技術 | 東北大 産総研 | 日経産業新聞 (2008年2月27日PP.12) 日刊工業新聞 (2008年2月27日PP.31) | 量子中継器 光子から電子へ1対1で転写 AlGaAsに井戸幅11nmのGaAsを挟んだ量子井戸構造の素子を作製 電子と光子のもつれ合い解消 | 120 160 220 |
| 2008年 5月号 | やわらかい無機発光材料 | 東大 KAST | フジサンケイビジネスアイ (2008年2月28日PP.11) | グラファイトフィルム GaN結晶 パルス励起堆積法 紫外線励起による発光 | 250 160 |
| 2008年 4月号 | 多色LED | 京大 日亜化学工業 | 日刊工業新聞 (2008年1月18日PP.25) | 台形上のGaN微細構造 白色 中間色が可能 | 250 |
| 2008年 3月号 | GaNフォトニック結晶面発光レーザ -青紫色領域で発振- | 京大 JST | 日経産業新聞 (2007年12月21日PP.11) 日刊工業新聞 (2007年12月21日PP.22) | 再成長空気孔形成法 波長406nm 素子内部に直径85nm 深さ100nmの微小な空洞を186nm間隔で配置 | 160 250 |
| 2008年 3月号 | 耐圧特性10400Vのパワートランジスタ | 松下電器 | 電波新聞 (2007年12月13日PP.2) | GaNパワートランジスタ サファイア基板への貫通電極構造 孔の直径80μm 深さ250μm 欠陥密度10の8乗cm2 オン抵抗186mΩcm2 | 520 220 |
| 2008年 2月号 | InGaAsで縦型量子ドット作製 | 東北大 | 日経産業新聞 (2007年11月29日PP.13) 日刊工業新聞 (2007年11月29日PP.28) | 3次元のMOSゲート構造 原子層堆積法 均一で高耐圧なゲート絶縁膜を形成 電子スピンの状態を正確に制御 約10倍の効率 | 120 220 |
| 2008年 2月号 | 高密度な光メモリー基本素子を作成 | 東大 | 日本経済新聞 (2007年11月19日PP.19) | フラッシュメモリーの一万倍の記録密度 近接場光 GaAs基板に径5～50nmの量子ドットを埋め込む 理論記録密度は10の15乗bit/inch2 | 120 160 230 |
| 2008年 1月号 | GaAs光源利用の半導体ジャイロ | ローム ATR波動工学研 日本航空電子工業 古河電工 | 電波新聞 (2007年10月4日PP.1) | リングレーザジャイロ S-FOG 半導体光増幅器から赤外光を光ファイバで時計回りと反時計回りに発光させ光分岐カプラー合成しPDで受光 サニャック効果 | 210 320 |
| 2008年 1月号 | 非極性面採用青色半導体レーザ -室温連続発振に成功- | ローム | 電波新聞 (2007年10月25日PP.1) | 非極性面(m面)GaN 波長463nm 共振器長400μm ストライプ幅2.5μm しきい値電流69mA しきい値電圧6.2V 出力2mW以上 | 120 250 |
| 2007年12月号 | 光子1個を電流駆動で発生 -量子暗号通信の実用帯域- | 東大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2007年9月19日PP.29) 日経産業新聞 (2007年9月19日PP.9) | 波長帯域1.55μm 単一光子発生器 電流注入法 量子ドットをLEDに埋め込んで作製 InP | 160 250 |
| 2007年12月号 | 第4世代携帯基地局向け高出力増幅器 | 富士通 | 日経産業新聞 (2007年9月21日PP.11) | GaN製高電子移動トランジスタ(HEMT) ゲート電極下層にTa2O5 素子サイズ1mm×4mm 143Wで電波増幅可能 漏れ電流は1/10以下 消費電力3割減 | 220 340 |
| 2007年 9月号 | ミリ波可視化技術 | 富士通 東北大 | 日刊工業新聞 (2007年6月7日PP.20) | 94GHz帯 InP仕様のHEMT 配線距離最適化 不要な電波の吸収層 チップサイズ1.25mm×2.2mm 増幅率33dB 雑音指数3.2dB ITS | 310 340 |
| 2007年 5月号 | 格子配列が整えられた窒化ガリウム基板 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2007年2月9日PP.28) | ZnO圧膜 窒化ガリウム圧膜を積層 900℃でアンモニアと塩化水素を吹きつけ | 160 250 |
| 2007年 5月号 | 波長1.3μmの単一光子LEDと安全性を向上した量子暗号通信 | 英東芝欧州研 英ケンブリッジ大 英ロンドン王立大 | 日刊工業新聞 (2007年2月21日PP.24) 日経産業新聞 (2007年2月21日PP.10) 電波新聞 (2007年2月21日PP.1) | 新光源 デコイ手法 単一方向型量子暗号鍵配信技術 距離25kmで5.5kbpsの最終鍵配信速度を実証GaAsからなる基板上に直径45nm高さ10nmの量子ドットを形成 | 250 420 440 |
| 2007年 4月号 | LSI間の10Gbps光通信 | 先端フォトニクス | 日経産業新聞 (2007年1月18日PP.1) | GaAs製レーザ 直径50μm程度の光伝送路 電気配線の3倍のレート | 240 340 |
| 2007年 2月号 | Si基板の青色LED | 紫明半導体 | 日経産業新聞 (2006年11月9日PP.1) | 20mAで輝度1.5～2cd サファイア バッファ層 下部に電極取り付け可能なためコストダウン可 最高10mW Si基板とGaN系の結晶を作製 | 160 250 |
| 2007年 1月号 | 不要発光量を94%抑制したレーザ発振源 | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2006年10月13日PP.28) | GaAsの2次元フォトニック結晶 結晶中の発光中心に100～200の量子ドットを導入 | 250 260 |
| 2007年 1月号 | LED向けGaN結晶を横向きに成長させる技術 | ローム | 日経産業新聞 (2006年10月18日PP.9) | 緑色レーザ 六角柱の結晶構造 トリメチルガリウム アンモニア 2mW出力 波長500nmの光を出すことに成功 | 160 250 |
| 2006年11月号 | GaInNAs半導体レーザ -40Gbps動作に成功- | 日立 | 電波新聞 (2006年8月25日PP.1) | Alフリー分子線エピタキシ技術 活性層 逆メサ型リッジ構造 | 120 160 240 |
| 2006年10月号 | 発光効率100倍の緑色LED | 京大 日亜化学工業 | 日経産業新聞 (2006年7月3日PP.10) | GaN結晶 歪みが少ない半極性面を発光に利用 | 160 250 |
| 2006年 9月号 | 直径1㎝の青色LEDの円形素子 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2006年6月1日PP.11) | サファイア基板上に半導体結晶を成長 2種類の半導体をGaNで作製 明るさ向上 | 250 160 |
| 2006年 9月号 | 縦型構造のGaNトランジスタ | 松下電器 | 電波新聞 (2006年6月28日PP.1) | 微細セルフアライン工程 チャネル幅0.3μm 単位デバイス幅1.2μm In・Alを添加したInAlGaN4元混晶を20nm成長 | 160 220 |
| 2006年 8月号 | 大口径光電導アンテナ活用の画像計測 -毎秒1000枚- | 筑波大 | 日刊工業新聞 (2006年5月31日PP.33) | テラヘルツ波 超高速CCDカメラ 電極間を従来より1/3000 30Vで大出力化 フェムト秒レーザ GaAs基板 | 210 250 320 |
| 2006年 6月号 | 伝送速度2.5倍の面発光レーザ -次世代スーパコンピュータ向け- | NEC | 日経産業新聞 (2006年3月8日PP.13) | 大きさ250μm角 伝送速度25Gbps GaAsIn | 120 250 |
| 2006年 5月号 | テラヘルツ光用新型レーザ -コスト1/100- | 情通機構 東大 | 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.1) | 透過撮影用光源 量子カスケードレーザ 縦3mm 幅500μm 厚さ10μm GaAs化合物半導体の多層膜構造 3.4THz 動作温度-220℃ | 120 160 250 |
| 2006年 4月号 | 地デジ用高効率電力増幅器 -従来の2倍の効率で低コスト- | NHK アールアンドケイ | 電波新聞 (2006年1月11日PP.10) 電波タイムズ (2006年1月16日PP.3) | GaN-HEMT 低歪 CN確保 出力5Wで約9%の電力効率 | 120 220 340 |
| 2006年 4月号 | 多ビット素子 -光制御の量子計算機に道- | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年1月18日PP.18) | GaAs基板に微細なInAsの量子ドット 数十～数百ビットの同時処理が可能 | 130 230 220 |
| 2006年 1月号 | 量子ドットを活用した半導体レーザ | 産総研 | 日経産業新聞 (2005年10月24日PP.11) | InAs製 直径15nm GaAs基板上に1000億個/cm2形成 5層積層 波長1.3μmのレーザ光発振 10GHz高速光通信 | 160 250 120 |
| 2005年12月号 | 高輝度青色発光素子 | 米カルフォルニア大 JSTなど | 日経産業新聞 (2005年9月22日PP.9) | 窒化ガリウム半導体結晶 「無極性」「半分極性」という異なる性質を持つ結晶薄膜 200ルーメン/W目標 可視光領域のレーザを簡単に作りわける 発生光は偏光性を持つ | 250 120 160 |
| 2005年12月号 | 消費電力1/10の青色LED | JST 米カルフォルニア大 | 朝日新聞 (2005年9月22日PP.3) | ERATO中村不均一結晶PJ GaNを工夫した基板上で結晶成長 | 120 160 250 |
| 2005年10月号 | 半導体レーザ製造技術開発 -コスト1/1000に- | 情通機構 | 日経産業新聞 (2005年7月29日PP.7) | 面発光レーザ GaAs基板にSb系化合物微粒子の量子ドット 波長1.55μm | 120 160 250 |
| 2005年 9月号 | 単一のT字型量子細線光吸収を初めて観測 | 東大物性研 ベル研 | 日刊工業新聞 (2005年6月14日PP.27) | 量子細線 光吸収測定 量子細線レーザ 光変調器 GaAsとAlGaAsで断面が14×6nm | 120 360 660 |
| 2005年 9月号 | UWB用GaN-MMIC -高周波・高耐圧を実現- | 松下電器 | 電波新聞 (2005年6月15日PP.1) | 22GHz帯で最小雑音指数2.6dB 信号増幅率13dB IIP3入力時7.5dB サージ耐圧150V チップサイズ2.6×1.3mm2 | 120 160 220 |
| 2005年 8月号 | 1.55μm帯単一光子伝送 | 東大 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年5月20日PP.1) | 量子暗号通信 量子ドットQD MOCVDでQD形状を最適制御 Cバンド InAs/InPで2段階にQDを埋め込む成長技術 | 120 140 160 |
| 2005年 8月号 | 発光効率4～5倍のLED -フォトニック結晶を導入し 不要な発光を禁止- | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2005年5月27日PP.37) 日経産業新聞 (2005年5月27日PP.6) 読売新聞 (2005年5月27日PP.38) | 基本原理を実証 半導体に微細な周期構造 200nm厚のInGaAsP板に390～480nm間隔の穴 特定の波長(バンドギャップ波長)の光を禁止する性質 エネルギー再配分 | 250 160 |
| 2005年 7月号 | 世界最速のGaNトランジスタ | 情通機構 富士通研 | 日刊工業新聞 (2005年4月8日PP.29) | ミリ波周波数帯で動作 電流利得遮断周波数152GHz | 220 160 |
| 2005年 7月号 | 新固体量子計算機 -半導体で核スピンを精密制御- | NTT JST | 日刊工業新聞 (2005年4月21日PP.28) | NMR 多値核スピン 上端に高周波用アンテナゲート 中心部にGaAs/AlGaAs系量子井戸構造 4スピン準位を反映したコヒーレント振動 | 120 420 |
| 2005年 6月号 | 世界最高速GaNトランジスタ | 情通機構 | 日経産業新聞 (2005年3月29日PP.9) | 最高動作周波数152GHz ゲート長60nm ミリ波 | 220 160 |
| 2005年 5月号 | 半導体二重ナノリング | 物材機構 | 日経産業新聞 (2005年2月15日PP.8) | GaAs製 内側リング直径40～50nm 外側リング直径100nm 高さ4～5nm 分子線エピタキシ 2ビット/リングの記録素子 | 120 160 230 |
| 2005年 3月号 | 数百倍高輝度なLED -柱状ナノ構造で実現 GaN系- | 上智大 | 日刊工業新聞 (2004年12月7日PP.29) | 多重量子ディスク(MQD)ナノコラム構造 100～200nm径 高周波分子線エピタキシャル成長で無欠陥形成 | 250 160 |
| 2005年 2月号 | 光交換機 -光ファイバで1Tbps処理- | フェムト秒テクノロジ研究機構 | 日経産業新聞 (2004年11月12日PP.7) | 仮想励起 AlGaAsとAlAsを交互に50層 1層の厚み100～120nm | 240 340 |
| 2005年 2月号 | 透明で曲がるトランジスタ | 科技機構 東工大 | 読売新聞 (2004年11月25日PP.3) 朝日新聞 (2004年11月25日PP.3) 日経産業新聞 (2004年11月25日PP.8) | プラスチックのフィルム InGaZnアモルファス酸化物半導体 | 220 260 |
| 2004年10月号 | 量子ドットで単一光子 -光通信波長帯- | 東大(NCRC) 富士通研 | 日刊工業新聞 (2004年7月16日PP.24) 電波新聞 (2004年7月16日PP.2) 日本経済新聞 (2004年7月16日) 日経産業新聞 (2004年7月16日PP.8) | 転送速度100kbps InAs/InPによるQD 伝送距離200km以上 波長1.3～1.55μmで発生 レーザ光源の約400倍の通信速度 | 240 250 340 140 |
| 2004年 9月号 | 世界初のフォトニック結晶 | 京大 | 朝日新聞 (2004年6月4日PP.3) | 半導体の発光を制御 GaAs半導体棒を0.7μm間隔で並べ井桁状に重ねる 間隔の2倍の波長発光が1/100 | 160 240 |
| 2004年 9月号 | 光通信用IC -最高速の144Gbps実現- | 富士通研 | 日経産業新聞 (2004年6月8日PP.8) 日刊工業新聞 (2004年6月8日PP.29) | InP系HEMT セレクタ回路 MUX WDM Y型HEMTゲート電極構造 | 240 220 |
| 2004年 8月号 | 世界最高光出力の青紫色半導体レーザ | 三洋電機 | 日刊工業新聞 (2004年5月27日PP.1) | パルス発振で120mW GaN基板 次世代大容量光ディスク | 250 |
| 2004年 6月号 | GaAs系フォトニック結晶 -1cm規模で超低損失- | FESTA | 日刊工業新聞 (2004年3月10日PP.25) | 0.7dB/1mmの超低損失 マトリクススイッチ大規模化 光通信用1.3μmのPC導波路 | 140 |
| 2004年 6月号 | 超広帯域量子ドット光増幅器 -帯域120nmで高出力- | 東大 富士通 | 日刊工業新聞 (2004年3月25日PP.37) | 出力200mW QDSOA 増幅媒体に30nm径InAs 光帯域1.26～1.61μm | 220 250 |
| 2004年 5月号 | ギガビット通信用面発光レーザ | ローム | 電波新聞 (2004年2月10日PP.5) | スロープ効率世界最高0.95W/A 0.85μm選択酸化AlGaAs系面発光レーザ チップサイズ50μm角 | 240 |
| 2004年 5月号 | 消費電力1Wの光送受信IC | 富士通研 | 電波新聞 (2004年2月18日PP.2) 日経産業新聞 (2004年2月18日PP.8) | 40Gbps以上の動作 マルチフェーズクロック技術 InP-HEMT 4対1マルチプレクサ | 220 |
| 2004年 3月号 | アンクールドDFBレーザ -10Gbps直接変調- | 三菱電機 | 電波新聞 (2003年12月16日PP.1) 日刊工業新聞 (2003年12月17日PP.13) | 120℃以上の高温動作 AlGaInAs活性層 | 240 |
| 2003年10月号 | 1チップLEDでマルチカラー発光 -パルス電流制御で実現- | 弘前大 筑波大 | 日刊工業新聞 (2003年7月9日PP.5) | NGaIn-LED 2波長の発光 SQW ブルーシフト | 120 250 |
| 2003年10月号 | 半導体スピンメモリー -電界アシストで書込み- | 東北大 | 日刊工業新聞 (2003年7月11日PP.5) 日経産業新聞 (2003年7月11日PP.7) | MIS型FET Mn添加のInAs 書込み磁力を大幅低減 | 230 |
| 2003年 7月号 | 寿命長く品質10万倍の青色発光素子 | 阪大 | 日本経済新聞 (2003年4月4日PP.17) | GaN 液体原料 | 160 250 |
| 2003年 7月号 | 紫外線LED | 日本EMC | 日本経済新聞 (2003年4月29日PP.12) | 量子ドット 発光波長360nm GaN | 250 |
| 2007年 2月号 | Si基板の青色LED | 紫明半導体 | 日経産業新聞 (2006年11月9日PP.1) | 20mAで輝度1.5～2cd サファイア バッファ層 下部に電極取り付け可能なためコストダウン可 最高10mW Si基板とGaN系の結晶を作製 | 160 250 |
| 2007年 1月号 | 不要発光量を94%抑制したレーザ発振源 | 京大 JST | 日刊工業新聞 (2006年10月13日PP.28) | GaAsの2次元フォトニック結晶 結晶中の発光中心に100～200の量子ドットを導入 | 250 260 |
| 2007年 1月号 | LED向けGaN結晶を横向きに成長させる技術 | ローム | 日経産業新聞 (2006年10月18日PP.9) | 緑色レーザ 六角柱の結晶構造 トリメチルガリウム アンモニア 2mW出力 波長500nmの光を出すことに成功 | 160 250 |
| 2006年11月号 | GaInNAs半導体レーザ -40Gbps動作に成功- | 日立 | 電波新聞 (2006年8月25日PP.1) | Alフリー分子線エピタキシ技術 活性層 逆メサ型リッジ構造 | 120 160 240 |
| 2006年10月号 | 発光効率100倍の緑色LED | 京大 日亜化学工業 | 日経産業新聞 (2006年7月3日PP.10) | GaN結晶 歪みが少ない半極性面を発光に利用 | 160 250 |
| 2006年 9月号 | 直径1㎝の青色LEDの円形素子 | 東京理科大 | 日経産業新聞 (2006年6月1日PP.11) | サファイア基板上に半導体結晶を成長 2種類の半導体をGaNで作製 明るさ向上 | 250 160 |
| 2006年 9月号 | 縦型構造のGaNトランジスタ | 松下電器 | 電波新聞 (2006年6月28日PP.1) | 微細セルフアライン工程 チャネル幅0.3μm 単位デバイス幅1.2μm In・Alを添加したInAlGaN4元混晶を20nm成長 | 160 220 |
| 2006年 8月号 | 大口径光電導アンテナ活用の画像計測 -毎秒1000枚- | 筑波大 | 日刊工業新聞 (2006年5月31日PP.33) | テラヘルツ波 超高速CCDカメラ 電極間を従来より1/3000 30Vで大出力化 フェムト秒レーザ GaAs基板 | 210 250 320 |
| 2006年 6月号 | 伝送速度2.5倍の面発光レーザ -次世代スーパコンピュータ向け- | NEC | 日経産業新聞 (2006年3月8日PP.13) | 大きさ250μm角 伝送速度25Gbps GaAsIn | 120 250 |
| 2006年 5月号 | テラヘルツ光用新型レーザ -コスト1/100- | 情通機構 東大 | 日経産業新聞 (2006年2月22日PP.1) | 透過撮影用光源 量子カスケードレーザ 縦3mm 幅500μm 厚さ10μm GaAs化合物半導体の多層膜構造 3.4THz 動作温度-220℃ | 120 160 250 |
| 2006年 4月号 | 地デジ用高効率電力増幅器 -従来の2倍の効率で低コスト- | NHK アールアンドケイ | 電波新聞 (2006年1月11日PP.10) 電波タイムズ (2006年1月16日PP.3) | GaN-HEMT 低歪 CN確保 出力5Wで約9%の電力効率 | 120 220 340 |
| 2006年 4月号 | 多ビット素子 -光制御の量子計算機に道- | 産総研 | 日経産業新聞 (2006年1月18日PP.18) | GaAs基板に微細なInAsの量子ドット 数十～数百ビットの同時処理が可能 | 130 230 220 |
| 2003年 4月号 | GaN系高周波トランジスタ | 松下電器 | 電波新聞 (2003年1月20日PP.1) | 受信用低雑音アンプ向け サージ保護回路不要 HFET 雑音指数0.5db | 220 |
| 2003年 3月号 | 電力増幅能力3倍のトランジスタ -携帯基地局向け- | NEC | 日経産業新聞 (2002年12月17日PP.10) | AlNとGaNの化合物にGaNを組み合わせる 長さ0.25μmのゲート 30GHzで2.3Wの出力電力 | 220 |
| 2003年 3月号 | 単一光子光源で量子暗号通信 | JST NTT | 日刊工業新聞 (2002年12月19日PP.4) | InAs量子ドット 単一光子ターンスタイル 3次元微少共振器 | 440 240 |
| 2003年 2月号 | 量子カスケード半導体レーザの発振に成功 | 東北大 | 日本工業新聞 (2002年11月15日PP.2) | 遠赤外領域 ナノ構造 InAs AlSb 厚さ4～7nm×20層の超格子×40周期 発光波長9.94μm | 250 220 |
| 2003年 2月号 | 光・電気変換新素子 -ブロードバンド既存光網で可能- | アンリツ | 日経産業新聞 (2002年11月26日PP.1) | 高屈折率の吸収層を挟み込んだ新構造 変換効率6割向上 受光素子 1Wの光で1Aの電流 InP/InGaAs/InGaAsP 層の組合せ 全反射層 | 210 240 |
| 2002年12月号 | 10Gbps動作の発光・受光素子 | 日立 | 電波新聞 (2002年9月6日PP.2) | 85℃ 5000時間越す安定動作 InGaAlAs埋込みヘテロ型半導体レーザ InAlAsメサ型アバランシェフォトダイオード | 210 240 250 |
| 2002年10月号 | 電流 一定方向に電子の自転利用の新素子 | 東大 NTT JST | 日経産業新聞 (2002年7月26日PP.13) 日刊工業新聞 (2002年7月26日PP.5) | 単一スピンダイオード スピンメモリー 量子コンピュータの出力装置 スピンデバイス 直径0.5μm長さ0.5μmの円筒状 GaAs GaInAs 極低温 電圧2～6mVで0.1nA | 220 230 |
| 2002年 8月号 | 基板上に微細構造 | NTT 通信総研 早大 東北大 | 日経産業新聞 (2002年5月9日PP.8) | フォトニック結晶 InP基板 Si-SiO2多重層 | 140 |
| 2002年 8月号 | 歯車型の微小レーザ | 横浜国大 | 日本経済新聞 (2002年5月27日PP.21) | 直径25μm 厚さ250nm InP 出力17μW 光励起 | 250 |
| 2002年 6月号 | 最速トランジスタ-動作周波数500GHz超- | 富士通研 通信総研 阪大 | 日経産業新聞 (2002年3月26日PP.14) | 動作周波数562GHz HEMT InP基板 InAIAs電子供給層 InGaAs電子走行層 | 220 |
| 2002年 5月号 | 大型のGaN単体結晶 -10倍大型化- | 東北大 リコー 米コーネル大 | 日刊工業新聞 (2002年2月27日PP.1) | 金属Naフラックス法 10mm板状 サイズ10倍 青色LED | 160 250 |
| 2001年12月号 | 1.3μm帯面発光レーザ | NEC | 日刊工業新聞 (2001年9月14日PP.6) | GaAsSb(ガリウム砒素アンチモン)70℃まで連続振発言 | 240 |
| 2001年 8月号,9月号 | 半導体材料でミクロンの折り紙 -一辺1/20mmの折り紙- | ATR環境適応通信研 | 日本経済新聞 (2001年6月8日PP.17) | 格子定数の違い GaAs InGaAs | 160 260 |
| 2001年 8月号,9月号 | 赤色半導体レーザ -光利用効率20%向- | 三洋電機 | 電波新聞 (2001年6月15日PP.2) | アスクペクト比1対1.7の近円形ビーム 光利用効率20%向上 4倍の高速記録が可能 発振波長660nm AlGaInP系赤色半導体レーザ 低損質導波路 | 250 |
| 2001年 8月号,9月号 | 面発光レーザ -電流1/100で発振- | NTT | 日本経済新聞 (2001年6月15日PP.17) 日経産業新聞 (2001年6月15日PP.11) | 面発光レーザ 1.55μm帯 臨界電流0.38mA GaAs基板 InP発光層 GaAs系反射層 SiO系反射層 | 250 240 |
| 2001年 6月号 | 新トランジスタ -3種類の信号で複雑演算可能に- | NEC | 日本経済新聞 (2001年4月6日PP.17) | 多値トランジスタ GaAs 2ヶ所のトンネル接合 | 220 |
| 2001年 5月号 | 青紫レーザ量産へ -20GB級DVD- | 住友電工 | 日本工業新聞 (2001年3月5日PP.1) | 青紫レーザ DVD 20GB以上 単結晶GaN基板 波長400nm | 250 |
| 2001年 2月号 | 100GHz超の信号処理用HEMT | 立命館大 工技院大阪工業技研 他 | 日経産業新聞 (2000年12月4日PP.12) 電波タイムズ (2000年12月6日PP.2) | GaN HEMT 130GHz | 220 |
| 2001年 1月号 | GaN系電子素子 -最高発振周波数100GHz超- | NEDOコンソーシアム | 日刊工業新聞 (2000年11月30日PP.6) | 100GHz AlGaN | 220 |
| 2001年 1月号 | 粒ぞろいの量子ドット | 科学技術庁 東大 | 日経産業新聞 (2000年11月27日PP.10) | GaAs半導体微粒子 直径5～20mm 液滴エピタキシィ法 | 160 120 |
| 2001年 1月号 | W-CDMA用増幅素子 -面積1/5に- | シャープ | 日経産業新聞 (2000年11月6日PP.1) | GaAs 広帯域符号化分割多重接続(W-CDMA)方式 1.9GHz帯 消費電力20%減 従来の1/5に小形化 | 220 230 |
| 2000年12月号 | 量子トッドメモリーー -電界 光で電荷制御に成功- | 富士通 | 日刊工業新聞 (2000年10月5日PP.6) | 量子ドットメモリー(QD) 正四面体溝(TSR) GaAs 縦形高電子移動トランジスタ(HEMT) 多値記憶 | 230 |
| 2000年11月号 | 量子箱で「近藤効果」 -量子ドットで最大に- | NTT 東大 デルフト工科大(オランダ) | 日刊工業新聞 (2000年9月22日PP.7) 日経産業新聞 (2000年9月22日PP.12) | 近藤効果 量子ドット 量子スピン 量子計算機 量子箱 量子コンピュータ AlGaAs | 120 220 |
| 2000年11月号 | 40Gbpsの光受信機 | 日立 | 日本経済新聞 (2000年9月2日PP.13) | 40Gbps 全IC化 SiGeとInP 消費電力8.6kW | 240 340 |
| 2000年11月号 | 記録形DVD用赤色半導体レーザ -世界最高の80mW達成- | 三洋電機 | 日本工業新聞 (2000年9月1日PP.9) | 赤色半導体レーザ 単一横モード AlGaInP結晶 | 250 230 |
| 2000年 9月号 | 室温中磁場で抵抗10倍以上変化する新素子 | アトムテクロノジー研究体 東大 | 日経産業新聞 (2000年7月4日PP.13) | マンガンアンチモン合金の集合体 GaAs 磁気抵抗効果 電気抵抗70倍変化 光にも反応 | 230 120 |
| 2000年 8月号 | 青色LED光波長と一致 | 東北大 | 日刊工業新聞 (2000年6月5日PP.9) | InGaN オキシライトナイト蛍光ガラス 青色発光ダイオード | 250 |
| 2000年 7月号 | 準位間遷移で光スイッチ | FESTA | 日刊工業新聞 (2000年5月22日PP.9) | 光スイッチ 10fs 量子井戸構造 ISBT アンチモン系 窒化ガリウム系 | 240 |
| 2000年 6月号 | 光波長多重通信を実現する技術 -レーザ波長域拡大- | 東工大 | 日経産業新聞 (2000年4月7日PP.5) | GaAs In 波長0.85～1.2μm WDM | 240 |
| 2000年 4月号 | 単結晶窒化ガリウム基板 | 住友電工 | 日経産業新聞 (2000年2月18日PP.1) | 窒化ガリウム 青紫色半導体レーザ | 160 150 |
| 2000年 3月号 | 半導体量子素子 -単一光子を検出- | 東大 | 日経産業新聞 (2000年1月27日PP.5) 日刊工業新聞 (2000年1月27日PP.6) | 半導体量子素子 AlGaAs THz通信 SET ゲート電極20μm 垂直磁場 遠赤外 単一光子 光検出器 | 210 220 |
| 2000年 3月号 | 世界最高速のHEMT | 郵政省 富士通 阪大 | 日経産業新聞 (2000年1月21日PP.5) | HEMT 362GHz 電子走行層10nm InGaAs 電子供給層 InAlAs ミリ波 | 220 |
| 2000年 3月号 | 量子ホール効果を確認 -新形素子開発に道- | NTT 東北大 | 日経産業新聞 (2000年1月14日PP.5) | 量子ホール効果 量子コンピュータ GaAs AlGaAs 3nm厚 | 120 210 660 220 |
| 2000年 3月号 | 窒化ガリウム系HEMT -室温から350℃安定に動作- | 名工大 | 日刊工業新聞 (2000年1月7日PP.6) | GaN系HEMT 146mS/mm ゲート長2.1μm 電子移動度740cm2/Vs リセス構造 MOCVD法 | 220 |
| 2000年 2月号 | 半導体で最短の発光波長 | 理化学研 | 日刊工業新聞 (1999年12月14日PP.6) 日本工業新聞 (1999年12月16日PP.18) | 量子井戸構造 AlN AlGaN 波長230nm 紫外波長域 波長234nm | 250 |
| 2000年 1月号 | 近赤外波長帯域計測 -初の単一素子- | 工技院 | 日刊工業新聞 (1999年11月8日PP.1) | 微量ガス高感度濃度測定 InGaAsフォトダイオード 0.8～2.5μm | 210 |
| 2001年 1月号 | W-CDMA用増幅素子 -面積1/5に- | シャープ | 日経産業新聞 (2000年11月6日PP.1) | GaAs 広帯域符号化分割多重接続(W-CDMA)方式 1.9GHz帯 消費電力20%減 従来の1/5に小形化 | 220 230 |
| 1999年12月号 | 量子ドットの超高速技術 | フェムト秒テクノロジー研究機構(FESTA) | 日刊工業新聞 (1999年10月5日PP.6) | 回復時間1.8ps 光増幅素子構造 InAsの量子ドット GaAsのスペーサ 超高速光スイッチ ポトルネック問題 | 240 |
| 1999年12月号 | 超機能ターゲット材料 -電極材料を一括作製- | 京大 | 日刊工業新聞 (1999年10月29日PP.7) | GaAsトランジスタ 電極材料 | 160 |
| 1999年11月号 | 青紫色面発光形半導体レーザ -室温発振に成功- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年9月17日PP.8) 日経産業新聞 (1999年9月17日PP.4) | 窒化ガリウム インジウム 発振波長399nm サファイア基板 多重量子井戸構造 青紫色面発光レーザ 室温発振 | 250 |
| 1999年10月号 | 金属の劣化磁気変化で測定する非破壊検査装置 | 豊橋技科大 | 日経産業新聞 (1999年8月12日PP.2) | ステンレス GaAs | 320 |
| 1999年10月号 | 10nmを切る半導体量子細線 | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1999年8月25日PP.5) | ガスエッチング 有機金属気相成長 光通信帯で発光 InGaAs細線 | 250 160 |
| 1999年 9月号 | 新形光スイッチ -光だけで光信号制御,切替時間,電気式の1/10以下- | 東工大 東大 | 日本工業新聞 (1999年7月29日PP.1) | 光スイッチ GaInAsP 光導波路 | 240 |
| 1999年 7月号 | 青色半導体レーザ -量子ドットで実現- | 東大 | 日刊工業新聞 (1999年5月21日PP.1) | InGaN 量子ドット 10層構造 室温発振 閾値電流 MOCVD 直径約20nm 高さ約4.5nm 波長405nm 色素レーザ励起 | 250 |
| 1999年 7月号 | InP系面発光レーザ | 東工大 | 日刊工業新聞 (1999年5月11日PP.6) | 室温パルス 簡プロセス | 250 |
| 1999年 6月号 | 電界効果トランジスタ - 400℃で安定動作 - | NTT | 日経産業新聞 (1999年4月23日PP.5) | FET GaN ヘテロ接合 | 220 |
| 1999年 6月号 | 青紫色半導体レーザ -量産タイプの素子構造，連続発振- | NEC | 日刊工業新聞 (1999年4月6日PP.6) | 青紫色半導体レーザ 室温連続発振 GaIn系 N形NGa基板 HVPE 低欠陥 裏面電極 へき開共振器 波長401.9nm | 250 |
| 1999年 6月号 | 面発光半導体レーザ -フォトニック結晶で製作- | 京大 | 日刊工業新聞 (1999年4月1日PP.6) | 2次元ホトニック結晶 InP半導体レーザ ビーム角1.8° 面発光半導体レーザ 室温パルス発振 | 240 250 |
| 1999年 6月号 | ホトニクス結晶で導波路作成 | 横浜国大 | 日刊工業新聞 (1999年3月30日PP.7) | InP ホトニックバンドギャップ | 140 240 |
| 1999年 4月号 | 光スイッチ用半導体素子 -信号の出力25倍- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日経産業新聞 (1999年2月14日PP.4) | 光スイッチ 消費エネルギー削減 光通信ネットワーク GaAs | 240 |
| 1999年 4月号 | 新形発光素子 -「量子ゆらぎ」を克服 1粒ずつ発生可能に- | 科学技術振興事業団 山本プロジェクト NTT | 日刊工業新聞 (1999年2月11日PP.1) 日本経済新聞 (1999年2月11日PP.11) 朝日新聞 (1999年2月11日PP.11) 日経産業新聞 (1999年2月12日PP.4) | 光通信 量子ゆらぎ 単一光子 ターンスティル素子 GaAs 新形発光素子 単一光子素子 AlGaAa | 150 250 240 |
| 1999年 4月号 | 紫色半導体レーザ -次世代DVD用光源- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1999年2月4日PP.1) 日経産業新聞 (1999年2月4日PP.5) 日本経済新聞 (1999年2月4日PP.11) 日本工業新聞 (1999年2月4日PP.4) | 次世代DVD 波長400nm 集光特性 連続発振 多重量子井戸構造 GaN DVD 紫色半導体レーザ 半導体レーザ 記録用光源 | 230 250 |
| 1999年 2月号 | 波長多重の光記憶素子 -切手大に映画200本分- | 富士通 | 日本経済新聞 (1998年12月7日PP.17) | 1.1Tb/in2 量子ドット波長多重メモリー GaAs基板 InAs 書込み速度5ns/b レーザ 波長多重光記録 光記憶素子 メモリー | 230 |
| 1999年 1月号 | インジウム リンの半導体製造技術 -超微細 薄膜で新技術- | 通信 放送機構 | 日刊工業新聞 (1998年11月10日PP.5) | InP 高精度微細加工 超導膜成長 高速動作 静電誘導トランジスタ ISIT TBPガス TEIガス ディジタルエッチング 分子層成長 | 160 |
| 1998年12月号 | 面発光の青色レーザ -世界発開発- | 東大 | 日経産業新聞 (1998年10月28日PP.4) | 青色面発光レーザ DVD 380nm 面発光レーザ 青色レーザ 有機金属気相成長法 窒化ガリウム | 250 230 |
| 1998年12月号 | 減圧CVD法による青紫色半導体レーザ -室温連続発振- | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1998年9月30日PP.6) | MOCVD 青紫色半導体レーザ 炭化シリコン基板 窒化ガリウム | 250 |
| 1998年11月号 | 光信号処理チップ | 東工大 東大 | 日本工業新聞 (1998年9月22日PP.21) | AND回路 ディジタル信号処理 光半導体 GaInAsP | 240 220 |
| 1998年11月号 | 世界初の完全単一モード -面発光半導体レーザ開発- | 東工大 | 電波新聞 (1998年9月13日PP.5) 日経産業新聞 (1998年9月21日PP.5) | 単一モードレーザ 面発光レーザ GaAs 傾斜基板 閾値260μA 波長985nm 出力0.7mW 単一波長 | 250 |
| 1998年 7月号 | 超高速光スイッチ -窒化ガリウム量子井戸構造で実現- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日刊工業新聞 (1998年5月8日PP.5) | 窒化ガリウム量子井戸 光スイッチ サブバンド間遷移 超高速光スイッチ ISBT 1.55μm 光ネットワーク | 240 140 160 |
| 1998年 6月号 | 青色半導体レーザ -基板に窒化ガリウム採用- | 日亜化学工業 | 日刊工業新聞 (1998年4月28日PP.7) | 青色半導体レーザ 出力90mW | 250 |
| 1998年 5月号 | 量子箱から光観測 -超高速光通信に道- | 東大 | 日経産業新聞 (1998年3月19日PP.5) | テラビット級通信 InAs | 150 |
| 1998年 4月号 | 携帯電話の小型化可能に | 松下電子 | 日経産業新聞 (1998年2月25日PP.5) | 高移動度 GaAsFET | 220 |
| 1998年 3月号 | ミリ波で動作するGaAsFET | 村田製作所 | 電波新聞 (1998年1月7日PP.7) | GaAsFET 遮断周波数110GHz 以上 0.2μmゲート ヘテロ接合 | 220 |
| 1998年 2月号 | 半導体レーザの小型化 | NTT | 日本経済新聞 (1997年12月13日PP.10) | GaAs 正三角形 正六角形の形状 一辺が数μm 光入射でレーザ発振の可能性を確認 | 250 240 |
| 1998年 1月号 | 化合物半導体材料の種類を大幅に増やせる新技術 -高出力レーザなどに道 結晶間隔異なっても成長- | NTT | 日経産業新聞 (1997年11月26日PP.5) | GaAs 111面を使用 格子定数の違いは1～2原子層で吸収 InAsを堆積して確認 | 120 160 |
| 1998年 1月号 | 超広帯域ベースバンドIC | NEC | 日刊工業新聞 (1997年11月11日PP.7) | 広帯域IC GaAsヘテロバイポーラ(HBT) | 220 |
| 1998年 1月号 | 面発光半導体レーザ -制御回路不要に- | 日立製作所 | 日経産業新聞 (1997年11月10日PP.5) | FTTH 光インタコネクション 面発光 半導体レーザ GaInNAs 波長1.2μm 20～70℃で臨界電流変化1.2倍 AlAs/GaAsの多層ミラー 低温度依存性 | 250 240 |
| 1997年 9月号 | 量子ドット -位置が制御された量子に道- | フェムト秒テクノロジー研究機構 | 日刊工業新聞 (1997年7月15日PP.6) | くぼみ形成 GaAs | 160 150 140 |
| 1997年 8月号 | 低雑音増幅器用IC -155GHzで利得12.5dB- | 米TRW | 電波新聞 (1997年6月2日PP.2) | InP IC | 220 |
| 1997年 7月号 | 多値回路用トランジスタ | NEC | 日経産業新聞 (1997年5月19日PP.5) | 負性抵抗 多ピーク 多値回路用トランジスタ GaAs 複数のトンネル接合 3値電流出力 メモリーを試作 | 220 |
| 1997年 6月号 | 低電圧・高出力のHBT | NEC | 日刊工業新聞 (1997年4月1日PP.6) | ディジタル携帯電話 AlGaAs/GaAs系 金メッキ高熱伝導 3.4V動作 1.4W出力 チップサイズ0.58×0.77 | 220 |
| 1997年 5月号 | 半導体型光フィルタ -温度変化の影響抑制- | NTT | 日経産業新聞 (1997年3月4日PP.5) | 光フィルタ 波長多重通信 0.01nm/℃ InGaAsP | 240 |
| 1997年 2月号 | 電界の振動一定の面発光レーザ | ATR 東工大 | 日経産業新聞 (1996年12月10日PP.5) | GaAs311A面 25μm角 1mAで発振 1500nm 電界方向一定 面発光レーザ | 240 250 |
| 1996年11月号 | 多値論理回路試作 | NTT | 日経産業新聞 (1996年9月23日PP.4) | 共鳴トンネル素子 HEMT InGaAs系 多値回路 4値 室温動作 | 220 |
| 1996年10月号 | 幅20μm 深さ600nmの量子細線 | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1996年8月15日PP.7) | レーザ加工 GaAs基板 量子細線 20μm 600nm厚 | 160 140 240 |
| 1996年 9月号 | 窒素混入の新半導体材料 -レーザの冷却不要に- | 日立製作所 新情報処理開発機構 | 日経産業新聞 (1996年7月12日PP.5) | GaInPにNを混入 85℃まで安定動作 光ファイバ通信加入者用 1.2μmの発光波長 半導体材料 光通信 レーザ | 250 140 240 |
| 1996年 9月号 | 太陽電池変換効率30%達成 | ジャパンエナジー | 日刊工業新聞 (1996年7月9日PP.1) | InGaP太陽電池とGaP太陽電池を積層 2cm角 30%超の変換効率 太陽電池 積層型 | 250 |
| 1996年 6月号 | 青色半導体レーザの新製造 -基板に炭化ケイ素利用- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1996年4月18日PP.5) | 青色レーザ 炭化ケイ素 SiC基板 高性能レーザ反射面 AlNでバッファ層形成 GaNレーザ 半導体レーザ 製造技術 | 250 260 |
| 1996年 6月号 | 量子ドットレーザ -室温で連続発振- | NEC | 日経産業新聞 (1996年4月10日PP.5) | 閾値電流5～6μA 多層構造 InGaAs | 250 |
| 1996年 6月号 | 超高速光通信用送信機 | NTT | 日経産業新聞 (1996年4月2日PP.5) | 光通信 波長多重通信 InP 半導体レーザと光変調器一体化 1.55μm 20Gbps | 250 440 240 |
| 1996年 4月号 | GaAs絶縁膜形成に成功 | 理科大 | 日刊工業新聞 (1996年2月15日PP.6) | GaAs 絶縁膜 MIS構造 | 160 |
| 1996年 2月号 | 低電圧で低歪み高出力HBT | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年12月20日PP.7) | HBT GaAs 低電圧 低歪み 2Vで1W | 220 |
| 1996年 2月号 | 青紫色半導体レーザ | 日亜化学工業 | 電波新聞 (1995年12月13日PP.1) 日経産業新聞 (1995年12月13日PP.10) 日刊工業新聞 (1995年12月13日PP.9) 日本経済新聞 (1995年12月13日PP.11) | 半導体レーザ 波長410nm DVD GaN 室温 パルス発振 高密度記録 | 250 |
| 1995年 9月号 | 世界初の量子ドットレーザ | 富士通研 | 日刊工業新聞 (1995年7月25日PP.1) | 量子ドットレーザ 正孔とじこめ発光 InGaAs 閾値1.1A λ911nm/温度80K パルス発振 超低消費電力 | 250 150 |
| 1995年 4月号 | 人工網膜チップ | 三菱電機 | 電波新聞 (1995年2月17日PP.5) 日刊工業新聞 (1995年2月17日PP.7) | 人工網膜 DCT GaAs | 520 120 |
| 1995年 3月号 | 光電子集積回路 -InP結晶をSi上に直接接合- | NEC | 日刊工業新聞 (1995年1月10日PP.7) | InP結晶 光電子集積回路 | 220 120 |
| 1995年 2月号 | GaAsヘテロバイポーラトランジスタ | 富士通研 | 電波新聞 (1994年12月13日PP.7) 日刊工業新聞 (1994年12月13日PP.6) | トランジスタ 3.5V動作 寿命100年 | 220 |
| 1994年12月号 | GaAsHBTIC -40Gbpsの超高速処理，次世代光通信に道- | 東芝 | 日刊工業新聞 (1994年10月4日PP.6) | 光通信 GaAsHBTIC | 220 340 |
| 1994年10月号 | GaAsFETパワーアンプ | 太陽誘電 | 電波新聞 (1994年8月24日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年8月24日PP.9) | FET 800MHz帯 | 220 |
| 1994年 8月号 | GaAsパワーモジュール | 松下電子 | 電波新聞 (1994年6月17日PP.6) | 低電圧動作(3.5V) 30.5dBm/800～900MHz | 220 |
| 1994年 8月号 | 高出力GaAsFET -信頼性10倍に向上- | 三菱電機 | 電波新聞 (1994年6月3日PP.5) 日経産業新聞 (1994年6月3日PP.5) 日刊工業新聞 (1994年6月3日PP.5) | GaAs 高出力 FET 18GHz 9.5dB 0.5W/18GHz 18GHz帯GaAsFET 出力500mW マイクロ波通信 | 220 |
| 1994年 8月号 | InGaAs系半導体レーザの結晶成長に成功 | NEC | 電波新聞 (1994年6月2日PP.1) | InGaAsP系半導体レーザ | 250 |
| 1994年 7月号 | GaAsパワーMMIC -1.9GHzディジタル移動体通信用- | 松下電器産業 | 電波新聞 (1994年5月24日PP.1) | GaAsIC | 220 |
| 1994年 5月号 | 間接遷移型半導体で光輝度発光に成功 | 京大 | 日刊工業新聞 (1994年3月23日PP.7) | LED 間接遷移型半導体 AlGaAs 高輝度LED AlGaAs不規則超格子 | 250 |
| 1994年 4月号 | 光通信用半導体レーザ g-1.54THz光パルス列発生- | 沖電気 | 電波新聞 (1994年2月25日PP.5) 日経産業新聞 (1994年2月25日PP.9) 日刊工業新聞 (1994年2月25日PP.9) | 光通信半導体レーザ 世界最速1.54THz 1.55μm 光出力16mW 半導体レーザ InP分布反射型構造 超高速光パルス列 | 250 |
| 1994年 3月号 | 新型バイポーラトランジスタ -低消費電力で高速動作- | NTT | 日経産業新聞 (1994年1月4日PP.4) | バイポーラトランジスタ(HBT) InGaAs 遮断周波数176GHz InP/InGaAs 2.3mA/163GHz | 220 |
| 1994年 1月号 | 明るさ100倍の青色LED | 日亜化学工業 | 日経産業新聞 (1993年11月30日PP.1) | 青色LED 1000mcd 20mA 3.6V 450nm 窒化ガリウム | 250 |
| 1994年 1月号 | 量子箱レーザ | 東工大 | 日経産業新聞 (1993年11月19日PP.5) | InGaAsP 波長1.3μm -196℃ 発振電流1.1A 半導体レーザ 量子箱 微小半導体粒 超低電流発振 | 250 |
| 1994年 1月号 | 世界トップレベルのミリ波HEMT | 三菱電機 | 日刊工業新聞 (1993年11月19日PP.7) 電波新聞 (1993年11月19日PP.6) | ミリ波帯用HEMT 雑音指数0.9dB 増幅率9dB InP基板 60GHz | 220 |
| 1993年12月号 | 小電力・超高速のHJHET | NEC | 日刊工業新聞 (1993年10月26日PP.6) | GaAsLSI技術 HJHET 10Gbps 0.8V 18mW | 220 |
| 1993年11月号 | BS受信用HEMT -雑音特性世界最高に- | 富士通研 | 日経産業新聞 (1993年9月1日PP.5) | HEMT InGaP系HEMT f12GHz NF0.45dB G14.5dB | 220 |
| 1993年 7月号 | 電子波干渉新素子 -「電子波」干渉を電圧制御- | NTT | 日経産業新聞 (1993年5月13日PP.5) | 電子波素子 電子波干渉 1.6V電圧制御 通路幅0.1μm AD変換利用可 GaAs素子 | 220 120 |
| 1993年 6月号 | GaAsゲートアレイ -世界最高速50ps/ゲート実現- | 富士通 | 電波新聞 (1993年4月6日PP.1) 日経産業新聞 (1993年4月6日PP.8) 日刊工業新聞 (1993年4月6日PP.10) | LSI GaAs ゲートディレイ50ps ゲートアレイ | 220 |
| 1993年 4月号 | AlGaAs化合物の選択成長技術 | 三菱化成 | 日刊工業新聞 (1993年2月3日PP.6) | MOCVDHSE法 選択成長技術 量子化機能素子 レーザ | 260 250 |
| 1993年 1月号 | 耐圧メカニズム解明 -新開発のGaAsMESFETで- | NEC | 電波新聞 (1992年11月24日PP.1) | GaAs 製造プロセス GaAs半導体 | 120 160 220 |
| 1993年 1月号 | g線で0.35μmGaAsIC | 東芝 | 日刊工業新聞 (1992年11月24日PP.5) | イメージリバース 量産技術 | 260 |
| 1993年 1月号 | 2.5GHz超高速光通信用LSI | 三菱電機 | 電波新聞 (1992年11月18日PP.8) 日経産業新聞 (1992年11月18日PP.5) 日刊工業新聞 (1992年11月18日PP.11) 日本工業新聞 (1992年11月18日PP.11) | GaAsIC シリアル-パラレル変換 B-ISDN 消費電力1.3W | 220 |
| 1993年 1月号 | 高真空中でGaAs基板微細加工技術 -量子細線構造を試作- | 新技術事業団 | 日刊工業新聞 (1992年11月11日PP.15) | 量子細線デバイス 超高真空 電子ビーム照射 量子細線構造 超高速スイッチング素子 | 260 220 |
| 1993年 1月号 | 新スイッチング素子 | 東大 | 日経産業新聞 (1992年11月9日PP.5) | トンネル現象 GaAs スイッチング素子 電子波スイッチング素子 トンネル現象利用 | 220 240 |
| 1992年11月号 | 世界初1.3μm帯レーザ発振 | 光技術研究開発 古河電工 | 日本工業新聞 (1992年9月22日PP.5) 電波新聞 (1992年9月23日PP.7) | InAsPレーザ 1.3μm帯 120℃で発振 | 230 |
| 1992年10月号 | GaAs基板上に量子ドットを形成 | 新技術事業団 | 日刊工業新聞 (1992年8月5日PP.7) | 量子ドット 光素子 レーザ | 220 |
| 1992年 9月号 | 新方式の光ニューロチップ | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1992年7月22日PP.5) | 100～1000個のニューロン製作にメド 光ニューロチップ GaAs基板 | 210 |
| 1992年 2月号 | 低電圧・高速のInGaAsトランジスタ | 富士通 | 日経産業新聞 (1991年12月9日PP.5) 日本経済新聞 (1991年12月9日PP.21) | InGaAsトランジスタ 3.5V 11.9GHz | 220 |
| 1992年 2月号 | マイクロ波高出力増幅器用GaAs MESFET | 日電 | 電波新聞 (1991年12月6日PP.8) 日経産業新聞 (1991年12月6日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年12月6日PP.9) | 12GHzで9W出力 GaAsMESFET 電力付加効率40.1% | 220 |
| 1991年11月号 | 新タイプの光IC | 三菱電機 | 日経産業新聞 (1991年9月11日PP.5) 日本工業新聞 (1991年9月11日PP.13) | 光信号受信用 InPonGaAs 0.6×0.8mmチップ 3mmφに5000個 | 240 |
| 1991年11月号 | 10Gbの光通信素子 -無中継で100km光通信- | 日立製作所 | 日刊工業新聞 (1991年9月5日PP.1) | なだれ増倍型受光素子:100km従来は1.6Gbで40km InGaAs/InAl積層 APD 10Gbps | 240 210 440 |
| 1991年10月号 | 高効率GHz帯HBT | 三菱電機 | 電波新聞 (1991年8月27日PP.6) 日経産業新聞 (1991年8月27日PP.5) 日刊工業新聞 (1991年8月27日PP.11) | AlGaAs/GaAs系 衛星通信 固体アンプ 変換効率9GHz 75% 5.9W 20GHz 57% 5.4W | 240 220 |
| 1991年10月号 | 世界最高1.5cdの高輝度緑色LED | 東芝 | 電波新聞 (1991年8月23日PP.10) 日経産業新聞 (1991年8月23日PP.9) 日刊工業新聞 (1991年8月23日PP.9) | 波長573mm 緑色LED InGaAlP 1.5cd(20mA時) 従来は0.8cdが最高 | 250 |
| 1991年10月号 | 窒化ガリウム -均一な立方結晶膜を形成- | 電総研 | 日刊工業新聞 (1991年8月7日PP.7) | 青色発光体 超高速素子 MBE法 | 220 |
| 1991年 6月号 | 原子層ヘテロエピタキシャル成長に成功 | 富士通研 | 日本工業新聞 (1991年4月1日PP.1) | GaAs GaP 単原子層超格子構造 | 160 |
| 1991年 5月号 | MEEでGaAsとSiの混晶作成に成功 -準安定状態で成長- | NTT | 日刊工業新聞 (1991年3月12日PP.5) | MEE法 成長温度450～500℃Si比率25%時に高品質 | 160 |
| 1991年 4月号 | ジョセフソン素子複合素子 | 富士通 | 電波新聞 (1991年2月13日PP.0) 朝日新聞夕刊 (1991年2月13日PP.0) 日本経済新聞夕刊 (1991年2月13日PP.0) | 極低温の同素子と常温 GaAsLSIの複合 | 220 |
| 1991年 4月号 | Si基板上のGaAs結晶欠陥1/100に -低温成長で数万個 歪み超格子狭み- | NTT | 日刊工業新聞 (1991年2月7日PP.0) | 転位密度:数万個/cm2MEE法を用い Si基板にGa As結晶を成長 低温結晶成長 | 160 |
| 1991年 4月号 | セレン化亜鉛/GaAs超格子新材料開発 | NTT | 日刊工業新聞 (1991年2月6日PP.0) | MEE法 非線形光学効果素子 | 160 |
| 1991年 2月号 | 低毒性液体GaAs原料合成に成功 | 古河機械金属 | 日経産業新聞 (1990年12月7日PP.0) | 従来のアルシンガスを用いず毒性1/10に低減 | 160 |
| 1990年12月号 | 世界最高5カンデラの黄色LED | HP | 日刊工業新聞 (1990年11月6日PP.0) | AlInGaP直接遷移増型結晶 20mA 視覚6で5cd実現 | 250 |
| 1990年12月号 | VMTの実用化にメド | NTT | 日刊工業新聞 (1990年10月31日PP.0) | 速度変調Tr(VMT) GaAs/AlAsの2重チャンネルFET 高速室温で1ps以下の応答確認 基礎実験 | 220 |
| 1990年12月号 | 2次元光スイッチングアレイ | 松下電器産業 | 日刊工業新聞 (1990年10月11日PP.0) | GaAs基板に光増幅機能を持つ4×4のSW 試作 オンオフ比10:1 目的:並列光伝送 処理 | 220 |
| 1990年11月号 | Si基板にInP素子 | NTT | 日経産業新聞 (1990年9月24日PP.0) | β=200 | 260 |
| 1990年10月号 | Si基板上にGaAsを発光素子に利用 | 東工大 | 日刊工業新聞 (1990年8月31日PP.0) | 250 | |
| 1990年10月号 | Si基板上GaAs成長 | 富士通 東工大 | 日刊工業新聞 (1990年8月21日PP.0) | 電子移動度2500cm/Vs | 100 |
| 1990年 9月号 | アルファベット26字認識ニューロチップ | 三菱電機 | 日本経済新聞 (1990年7月23日PP.0) | 1チップ 発光部受光部をGaAs 26文字を認識 | 520 |
| 1990年 9月号 | GaAsゲートアレイ | 富士通 | 日刊工業新聞 (1990年7月12日PP.0) | 3k～30k ゲート ゲート遅延時間80ps 0.4mW | 220 |